TW202410280A - 基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202410280A
TW202410280A TW112115705A TW112115705A TW202410280A TW 202410280 A TW202410280 A TW 202410280A TW 112115705 A TW112115705 A TW 112115705A TW 112115705 A TW112115705 A TW 112115705A TW 202410280 A TW202410280 A TW 202410280A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
driving
lifting pin
substrate processing
loading
Prior art date
Application number
TW112115705A
Other languages
English (en)
Inventor
三枝直也
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202410280A publication Critical patent/TW202410280A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

提供一種可在不變更腔室的情況下變更舉升銷的分布位置之基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法。 一種基板處理裝置，係具備：處理容器；載置台，係配置在該處理容器內，且具備具有供載置基板的載置面之載置板及支撐該載置板之本體部；舉升銷，係配置在貫通該載置板的插通孔，且設置為可自該載置面出沒；驅動部，係具有貫通該處理容器的底壁且在上下方向上驅動之驅動軸；以及驅動構件，係與該驅動軸固定，且與該舉升銷分離而對向配置。

Description

基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法
本揭露係關於一種基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法。
專利文獻1揭示一種基板處理裝置，其具備：具有設置為可自供載置基板的載置面出沒的舉升銷之基座、驅動舉升銷之驅動部、及控制驅動部之控制部。在專利文獻1所示的構成中，舉升銷係配置在貫通腔室的底壁及基座之插通孔。
專利文獻1：日本特開2021-180214號公報
在一面向中，本揭露提供一種可在不變更腔室的情況下變更舉升銷的分布位置之基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法。
為解決上述課題，依據一態樣提供一種基板處理裝置， 係具備：處理容器；載置台，係配置在該處理容器內，且具備具有供載置基板的載置面之載置板及支撐該載置板之本體部；舉升銷，係配置在貫通該載置板的插通孔，且設置為可自該載置面出沒；驅動部，係具有貫通該處理容器的底壁且在上下方向上驅動之驅動軸；以及驅動構件，係與該驅動軸固定，且與該舉升銷分離而對向配置。
依據一面向，便能提供一種可在不變更腔室的情況下變更舉升銷的分布位置之基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法。
以下，參照圖式對用於實施本揭露之型態進行說明。各圖式中，對於相同的構成部分會有標示相同的符號以省略重複說明的情況。
＜基板處理裝置＞ 使用圖1至圖3對本實施型態相關之基板處理裝置1進行說明。圖1為基板處理裝置1的概略剖面圖的一例。基板處理裝置1為將基板G載置於載置台來對基板G施予所欲的處理(例如成膜處理等)之裝置。又，載置台係構成為可對所載置之基板G的溫度進行調整(例如利用加熱器進行加熱或利用冷卻器進行冷卻等)。此外，以水平的一方向作為X方向，以水平且正交於X方向之方向作為Y方向，且以高度方向作為Z方向來加以說明。
又，在基板處理裝置1中被施予處理的基板G，換言之，載置於載置台的基板G為俯視下呈矩形且具有可撓性的基板。基板G也可以是例如具有可撓性的矩形玻璃基板。又，基板G也可以是例如厚度為0.2mm至數mm左右的薄膜玻璃基板。又，基板G也可以是例如至少包含平面尺寸為第6世代的1500mm×1800mm左右的尺寸到第10.5世代的3000mm×3400mm左右的尺寸之基板。又，基板G也可以是例如使用於平面顯示器的製造之玻璃基板。
基板處理裝置1係具備會收容基板G之作為處理容器的腔室2。腔室2由例如表面經耐酸鋁處理(陽極氧化處理)後的鋁構成，對應於基板G的形狀而形成為四角形筒狀。
在腔室2內的底壁設置有用於載置基板G之作為載置台的基座(susceptor)4。基座4係對應於基板G的形狀而形成為四角形板狀或柱狀。基座4係具有由金屬等導電性材料構成的載置板4a，及設置在載置板4a的底部與腔室2的底面間以支撐載置板4a且由絕緣性材料構成的本體部4b。載置板4a係連接有用於供應高頻功率之供電線23。供電線23係透過匹配器24連接於高頻電源25。高頻電源25會對基座4施加例如13.56MHz的高頻功率。匹配器24會使高頻電源25的輸出阻抗與負載側的輸入阻抗匹配。藉此，基座4便會構成為下部電極發揮功能。
基座4的上面(載置板4a的上面)成為供載置基板G的基板載置面4c(載置面)。此外，也可以在基座4的上面設置會吸附保持基板G之靜電吸盤(未圖示)。
在腔室2的上部或上壁，與基座4對向地設置有向腔室2內供應處理氣體且作用為上部電極的噴淋頭11。噴淋頭11在內部形成有能讓處理氣體擴散的氣體擴散空間12，且在下面或與基座4的對向面形成有會噴出處理氣體的多個噴出孔13。該噴淋頭11為接地，和基座4一同構成一對平行平板電極。此外，本實施型態中雖是針對將本揭露應用在藉由平行平板電極來生成電漿之基板處理裝置的情況進行說明，當然也可以將本揭露應用在藉由感應耦合來生成電漿之基板處理裝置，另外，也可以將本揭露應用在藉由其他方法來生成電漿之基板處理裝置。
在噴淋頭11的上面設有氣體導入口14，該氣體導入口14係連接有處理氣體供應管15，該處理氣體供應管15係透過閥16及質流控制器17連接有處理氣體供應源18。從處理氣體供應源18供應例如成膜用的處理氣體。可使用SiF 4氣體、SiCl 4氣體、N 2氣體、O 2氣體、Ar氣體等通常在此領域所使用的氣體來作為處理氣體。
在腔室2的底壁連接有排氣管19，該排氣管19係連接有排氣裝置20。排氣裝置20係具備渦輪分子泵等真空泵，藉此構成為能將腔室2內抽真空至既定的減壓環境氣氛。在腔室2的側壁形成有用於搬入或搬出基板G之搬出入口21，且設置有會開閉該搬出入口21之閘閥22，而構成為在使搬出入口21敞開時，會在藉由作為搬送構件的搬送臂50(參照後述圖2)來從下方支撐基板G之狀態下，經由搬出入口21及閘閥22在與相鄰的未圖示的搬送室之間進行該基板G的搬送。
在基座4上，基座4的外周部位置及中央部位置(較外周部位置更靠內側或接近中央的位置)分別形成有貫通載置板4a的插通孔7。在插通孔7中，分別以能夠相對於基座4的基板載置面4c出沒的方式插入從下方支撐基板G並使其升降的舉升銷8。舉升銷8係分別設置為在突出時會與基板G的外周部及中央部抵接，且藉由未圖示的定位用襯套(bush)在徑向或寬度方向上被定位並插入至插通孔7內。
舉升銷8的下方比載置板4a更向下側突出。亦即，舉升銷8的下方係配置在載置板4a的下側與腔室2的底壁間的空間中。在載置板4a的背面側設置有會引導舉升銷8的上下移動之舉升銷導引件200，又，設置有貫通腔室2的底壁之驅動軸101及配置在載置板4a與腔室2的底壁間的空間中之驅動構件102。又，在腔室2的底壁具有會驅動驅動構件102之驅動部9。驅動部9藉由使驅動軸101及驅動構件102上下移動來讓舉升銷8上下移動。
此處，關於基板載置面4c中之插通孔7及舉升銷8的配置，使用圖2進一步地說明。圖2為基板處理裝置1的俯視方向的概略剖面圖的一例。此外，圖2中，以二點鏈線來表示將搬送臂50上所保持的基板G配置在載置區域4d的上方時之搬送臂50及基板G的位置。
如圖2所示，基板G及載置有基板G之基座4的基板載置面4c在俯視下呈具有短邊(Y方向)和長邊(X方向)的矩形。又，基板載置面4c係具有與基板G對應的載置區域4d(圖2中以虛線表示。)。將基板G載置在基座4時，基板G會被載置在載置區域4d上。此外，圖2中，以一點鏈線來表示載置區域4d的中心線4e(連結一長邊的中點與另一長邊的中點之線)及中心線4f(連結一短邊的中點與另一短邊的中點之線)。又，圖2中為了方便說明而將表示載置區域4d的虛線描繪成比表示基板G的二點鏈線更靠內側，但並非意指載置區域4d被界定在較基板G的外周更靠內側，較希望是載置區域4d與基板G為相同的形狀且具有相同的面積。又，載置區域4d也可以是具有內包基板G的形狀和面積之區域。
基座4在基板載置面4c(載置面)上具有多個插通孔7，多個舉升銷8分別配置在多個插通孔7中。多個插通孔7所形成的配置構成了插通孔配置，多個舉升銷8所形成的配置構成了舉升銷配置。基座4係具有作為插通孔7的插通孔7a,7b。插通孔7a係設置在載置區域4d的外周部。插通孔7b係設置在被載置區域4d的外周部包圍之載置區域4d的面中央部。插通孔7a,7b中配置有作為舉升銷8的舉升銷8a,8b。
在矩形載置區域4d的外周部設有插通孔7a。圖2所示的例子中，以中心線4e及中心線4f為對稱軸，在載置區域4d內設有12個插通孔7a。各插通孔7a中分別配置有舉升銷8a。
在矩形載置區域4d的面中央部設有插通孔7b。圖2所示的例子中，插通孔7b係設置於中心線4e上且以中心線4f為對稱軸設置為2個。各插通孔7b中分別配置有舉升銷8b。
圖3係顯示使舉升銷8驅動之驅動機構的構成之方塊圖的一例。
舉升銷8分別連接於驅動部9。舉升銷8係構成為會藉由該驅動部9的驅動而升降，從而相對於基座4的基板載置面4c突出及没入。驅動部9係分別使用例如步進馬達來構成。此外，舉升銷8如圖3所示，雖是以能夠個別地驅動之構成來加以說明，但不限於此，也可以是能夠對每個群組進行驅動之構成。根據該構成，便能減少驅動部(步進馬達)的數量。
驅動部9的驅動係構成為藉由具備微處理器(電腦)的控制器31來被個別地控制，藉此，舉升銷8便會構成為能夠彼此獨立地升降。控制器31係連接有工序管理者為了管理驅動部9的驅動而進行指令的輸入操作等之鍵盤或可視化地顯示驅動部9的驅動狀況之顯示器等所構成的使用者介面32，及儲存有配方之記憶部33，該配方係記錄有為了藉由控制器31的控制來實現驅動部9的驅動之控制程式或驅動條件資料等。然後，依需要，以來自使用者介面32的指示等從記憶部33呼叫出任意的配方並使控制器31執行，藉此在控制器31的控制下進行驅動部9的驅動和停止。該配方例如可利用被儲存在CD-ROM、硬碟、快閃記憶體等能讓電腦讀取的記憶媒體之狀態者，或從其他裝置經由例如專用線路隨時傳送來加以利用。
控制器31、使用者介面32及記憶部33構成了會控制驅動部9所致之舉升銷8的升降之控制部，基座4、舉升銷8、驅動部9及控制部構成了基板載置機構。
接著，關於驅動舉升銷8之驅動機構，使用圖4及圖5進一步地說明。圖4為使舉升銷8下降後的狀態下之基座4的部分剖面放大圖的一例。圖5為使舉升銷8上升後的狀態下之基座4的部分剖面放大圖的一例。
舉升銷8由例如氧化鋁形成，係具有軸部81及頭部82。頭部82係形成為其直徑較軸部81要來得大。
基座4的插通孔7係具有貫通部71與收容部72。貫通部71係貫通載置板4a的上面和下面而形成，舉升銷8的軸部81插入在貫通部71中。收容部72係形成為其直徑較貫通部71要來得大俾能夠收容舉升銷8的頭部82，在使舉升銷8下降之狀態(參照圖4)下會收容舉升銷8的頭部82。又，舉升銷8的頭部82係形成為其直徑較插通孔7的貫通部71要來得大。藉此，在使舉升銷8下降之狀態(參照圖4)下，舉升銷8的頭部82的下面會與插通孔7的收容部72的底面抵接來使舉升銷8卡固在載置板4a。
又，在載置板4a的背面側設置有舉升銷導引件200。舉升銷導引件200會引導舉升銷8以使其能在上下方向上移動，並且支撐舉升銷8以防止舉升銷8在從基板載置面4c突出時(參照圖5)發生傾斜。舉升銷導引件200係具有能讓舉升銷8的軸部81插入之軸插入部211。舉升銷導引件200係以插通孔7的貫通部71與軸插入部211會同軸之方式藉由固定構件260被固定在載置板4a的背面側。在對基板G進行處理時載置板4a會成為高溫(例如350℃)。藉由使舉升銷導引件200由氧化鋁形成，即使是高溫環境下也能適當地引導舉升銷8。又，會有處理氣體經由插通孔7流入至舉升銷導引件200之虞。藉由使舉升銷導引件200由氧化鋁形成，能提高耐腐蝕性。又，藉由使舉升銷導引件200與舉升銷8同樣地由氧化鋁形成，能提高耐磨耗性。
在腔室2的底壁上設置有具有貫通腔室2的底壁且在上下方向上驅動的驅動軸101之驅動部9。驅動軸101係設置在腔室2的底壁，藉由會引導驅動軸101的上下方向的移動之驅動軸導引件2a來被加以支撐。此處，從上方觀看基座4，驅動軸101的位置與舉升銷8的位置係配置在水平方向(與驅動軸101的驅動方向正交之方向)上不同的位置。此外，也可以使驅動軸101在水平方向上的位置與舉升銷8的位置一致。
驅動構件102係配置在載置板4a與腔室2的底壁間的空間。驅動構件102為例如一端與驅動軸101固定且從驅動軸101延伸於水平方向之構件。藉由驅動部9會使驅動軸101移動於上下方向，則驅動構件102也會移動於上下方向。
又，驅動構件102係與舉升銷8對向配置。此處，從上方觀看基座4，驅動構件102係形成為會包含驅動軸101的位置與舉升銷8的位置。又，驅動構件102與舉升銷8並未被固定，在使驅動構件102(驅動軸101)下降之狀態(參照圖4)下，驅動構件102與舉升銷8會分離。換言之，驅動構件102係形成為能夠在驅動構件102的一端朝向任意方向來安裝在驅動軸101，且在驅動構件102的另一端或另一端與一端之間與舉升銷8分離並對向。
又，在使驅動構件102(驅動軸101)上升之狀態(參照圖5)下，驅動構件102與舉升銷8會抵接，驅動構件102會將舉升銷8上推。
又，驅動構件102在與舉升銷8抵接的位置設置有抵接構件103。驅動構件102由例如鋁形成。抵接構件103由例如氧化鋁形成。藉由使與舉升銷8抵接的抵接構件103為和舉升銷8相同的材料(氧化鋁)，能抑制舉升銷8與抵接構件103在抵接時的磨耗。
又，驅動構件102係藉由可裝卸的固定構件104而與驅動軸101固定。藉此，便能容易地更換驅動構件102。又，抵接構件103係藉由可裝卸的固定構件105而與驅動構件102固定。藉此，便能容易地更換抵接構件103。
此處，在對基板G施予處理時，載置板4a和腔室2的底壁相比會成為較高溫而在載置板4a與腔室2的底壁間產生溫度差。因此，舉升銷8的中心位置與驅動軸101的中心位置在水平方向上的間隔便會改變。即使是因為驅動構件102與舉升銷8未被固定而因溫度差造成舉升銷8的中心位置與驅動軸101的中心位置之間隔改變的情況，也能夠防止舉升銷8發生撓曲。此外，使驅動構件102的大小形成為即使因溫度差而造成舉升銷8的中心位置與驅動軸101的中心位置之間隔改變的情況，驅動構件102與舉升銷8也能夠抵接。
又，配置在載置區域4d上的多個舉升銷8係配置在不會對最終地形成在基板G之半導體裝置或發光元件造成影響的位置。因此，要求基板處理裝置1構成為能對應於基板G來改變載置區域4d上所配置之多個舉升銷8的配置(分布位置)。
若欲對應於基板G來改變基板載置面4c(載置面)的載置區域4d上所配置之舉升銷8的分布位置的情況，在基板處理裝置1中，藉由將載置板4a更換成對應於變更後的分布位置且形成有插通孔7之另一載置板4a，且改變驅動構件102的形狀及安裝方向(延伸方向)中的至少一者，便能改變舉升銷8的分布位置。換言之，可在不改變腔室2的底壁上所設置之驅動軸101的位置之情況下改變舉升銷8的分布位置。如此般地，藉由更換腔室2內的零件(載置板4a、驅動構件102)，便能改變舉升銷8的分布位置(多個舉升銷的配置)。
又，也可以構成為在載置板4a預先形成由數量比舉升銷8多的多個插通孔所構成之插通孔群，且對應於舉升銷8的分布位置來將舉升銷8配置在從插通孔群所選出的插通孔7，並改變驅動構件102的形狀及安裝方向(延伸方向)中的至少一者。藉此，便能改變舉升銷8的分布位置。
又，也可以構成為在載置板4a預先形成由數量比和驅動構件102抵接的舉升銷8多的多個插通孔7所構成之插通孔群，且預先將舉升銷8配置在各插通孔7來形成舉升銷群，並改變驅動構件102的形狀及安裝方向(延伸方向)中的至少一者。藉此，便能在使驅動構件102(驅動軸101)上升之狀態(參照圖5)下，從舉升銷群來選擇與驅動構件102抵接而被上推的舉升銷8，且改變將基板G抬舉之舉升銷8的分布位置。
又，在圖1、圖4及圖5所示的例子中，係以1個驅動構件102會對應於1個舉升銷8的情況進行說明，但不限於此。也可以是1個驅動構件102會與多個舉升銷8抵接並上推之構成。藉此，便能減少驅動部9(步進馬達)的數量。
又，基板處理裝置1的製造方法係包含以下工序：對應於基板G來決定形成於載置板4a之多個插通孔7的配置之工序、對應於基板G來從多個插通孔7選擇供配置舉升銷8的插通孔7之工序、以及對應於基板G來決定藉由驅動構件102被上推的舉升銷8之工序。又，基板處理裝置1的製造方法係包含以下工序：依據所決定之多個插通孔7的配置來將插通孔7形成於載置板4a之工序、將舉升銷8配置在所選出的插通孔7之工序、設置具有會貫通腔室2的底壁的驅動軸101之驅動部9之工序、以及依據所決定的舉升銷8來將驅動構件102安裝在驅動軸101之工序。
以上，已對基板處理裝置1進行說明，惟本揭露不限於上述實施型態等，可在申請專利範圍所記載之本揭露的要旨的範圍內進行各種變形或改良。
1:基板處理裝置 2:腔室 2a:驅動軸導引件 4:基座 4a:載置板 4b:本體部 4c:基板載置面 7:插通孔 8:舉升銷 9:驅動部 71:貫通部 72:收容部 81:軸部 82:頭部 101:驅動軸 102:驅動構件 103:抵接構件 104:固定構件 105:固定構件 200:舉升銷導引件 211:軸插入部 G:基板
圖1為基板處理裝置的概略剖面圖的一例。 圖2為基板處理裝置的俯視方向的概略剖面圖的一例。 圖3係顯示使舉升銷驅動之驅動機構的構成之方塊圖的一例。 圖4為使舉升銷下降後的狀態下之基座的部分剖面放大圖的一例。 圖5為使舉升銷上升後的狀態下之基座的部分剖面放大圖的一例。
2:腔室
2a:驅動軸導引件
4a:載置板
7:插通孔
8:舉升銷
9:驅動部
71:貫通部
72:收容部
81:軸部
82:頭部
101:驅動軸
102:驅動構件
103:抵接構件
104:固定構件
105:固定構件
200:舉升銷導引件
211:軸插入部
260:固定構件
G:基板

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，係具備： 處理容器； 載置台，係配置在該處理容器內，且具備具有供載置基板的載置面之載置板及支撐該載置板之本體部； 舉升銷，係配置在貫通該載置板的插通孔，且設置為可自該載置面出沒； 驅動部，係具有貫通該處理容器的底壁且在上下方向上驅動之驅動軸；以及 驅動構件，係與該驅動軸固定，且與該舉升銷分離而對向配置。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該舉升銷係與藉由該驅動部上升的該驅動構件抵接並被上推，該舉升銷會自該載置面突出。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中在該載置面配置有多個該舉升銷而構成舉升銷配置，該舉升銷配置係構成為可對應於該基板進行變更； 該驅動構件係構成為可對應於該舉升銷配置來變更該驅動構件的形狀及安裝方向中的至少一者。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其係配置有和該舉升銷配置對應之多個該插通孔而構成插通孔配置，該載置板係構成為可更換成該插通孔配置不相同的其他載置板。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中該載置板係具有構成插通孔群之多個該插通孔，且於由該插通孔群所選出的該插通孔配置有該舉升銷。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中該載置板係具有構成插通孔群之多個該插通孔，且於構成該插通孔群之該插通孔分別配置有該舉升銷而構成舉升銷群； 該驅動構件係與由該舉升銷群所選出的該舉升銷對向配置。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中1個該驅動構件係設置為可驅動2個以上的該舉升銷。
  8. 一種基板處理裝置之製造方法，該基板處理裝置係具備：處理容器；載置台，係配置在該處理容器內，且具備具有供載置基板的載置面之載置板及支撐該載置板之本體部；舉升銷，係配置在貫通該載置板的插通孔，且設置為可自該載置面出沒；驅動部，係具有貫通該處理容器的底壁且在上下方向上驅動之驅動軸；以及驅動構件，係與該驅動軸固定，且與該舉升銷分離而對向配置； 該基板處理裝置之製造方法係包含： 對應於該基板來決定形成在該載置板之多個該插通孔的配置之工序； 對應於該基板來由多個該插通孔選擇供配置該舉升銷的插通孔之工序； 對應於該基板來決定藉由該驅動構件被上推的該舉升銷之工序； 依據所決定之多個該插通孔的配置來將該插通孔形成在該載置板之工序； 將該舉升銷配置在所選出的該插通孔之工序； 設置具有會貫通該處理容器的底壁的該驅動軸之該驅動部之工序；以及 依據所決定的該舉升銷來將該驅動構件安裝在該驅動軸之工序。
TW112115705A 2022-05-06 2023-04-27 基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法 TW202410280A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-076710 2022-05-06
JP2022076710A JP2023165539A (ja) 2022-05-06 2022-05-06 基板処理装置及び基板処理装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202410280A true TW202410280A (zh) 2024-03-01

Family

ID=88566199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112115705A TW202410280A (zh) 2022-05-06 2023-04-27 基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023165539A (zh)
KR (1) KR20230156649A (zh)
CN (1) CN117012698A (zh)
TW (1) TW202410280A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7438018B2 (ja) 2020-05-11 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板載置方法及び基板載置機構

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230156649A (ko) 2023-11-14
CN117012698A (zh) 2023-11-07
JP2023165539A (ja) 2023-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100636487B1 (ko) 기판 지지 장치 및 기판 디처킹 방법
KR100993441B1 (ko) 기판 탑재 기구, 기판 주고받음 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
US8409995B2 (en) Substrate processing apparatus, positioning method and focus ring installation method
KR101088289B1 (ko) 탑재대, 처리 장치 및 처리 시스템
CN107546171B (zh) 基板升降机构、基板载置台和基板处理装置
US7332691B2 (en) Cooling plate, bake unit, and substrate treating apparatus
CN111430232A (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台
TWI659490B (zh) Substrate mounting device and substrate processing device
KR20070015035A (ko) 기판 승강 장치 및 기판 처리 장치
JP7004589B2 (ja) 昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置
KR100459788B1 (ko) 2단 웨이퍼 리프트 핀
TWI753580B (zh) 基板處理設備及基板處理方法
TW202410280A (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法
KR102550838B1 (ko) 기판 탑재 방법 및 기판 탑재 기구
KR20190124048A (ko) 부시의 제조 방법, 기판 지지 어셈블리, 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101507736B1 (ko) 기판정렬장치 및 기판정렬방법
JP2023117038A (ja) 基板支持方法及び基板処理装置
KR101256485B1 (ko) 기판처리장치의 공정챔버
JP2013098520A (ja) プラズマ処理装置
KR100553102B1 (ko) 리프트 핀 모듈 및 그것을 구비하는 평판표시소자 제조장치
KR20210116259A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100962427B1 (ko) 액정표시장치의 기판 리프팅 바
KR20140058971A (ko) 평판표시소자 제조용 화학기상증착 장치