CN111430232A - 等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置的载置台，其包括晶片载置面、环部件载置面、升降销和驱动机构。在晶片载置面载置晶片。环部件载置面用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件，第2卡合部具有到达第1卡合部的下表面的贯通孔。此外，环部件载置面在与贯通孔对应的位置具有孔，设置在晶片载置面的外周侧。升降销具有与贯通孔嵌合的第1保持部，和与该第1保持部在轴向上连接且具有从第1保持部的外周突出的突出部的第2保持部。通过使第1保持部处于环部件载置面侧，而使升降销被收纳于环部件载置面的孔内。驱动机构驱动升降销使其可升降。根据本发明，能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件。

Description

等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台
技术领域
以下的发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台。
背景技术
在使用等离子体来处理半导体晶片等的基片的系统中，为了调整等离子体的蚀刻速度和/或蚀刻轮廓，有时在基片的径向外缘部附近配置环状的部件。
例如，专利文献1的基片处理系统中，边缘连结环部件与处理腔室内的台座的径向外缘部相邻地配置。边缘连结环部件在蚀刻时被等离子体侵蚀。因此，在专利文献1中，采用了能够用致动器使边缘连结环部件上升并用机械臂进行更换的结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-146472号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件的技术。
用于解决问题的技术手段
本发明的载置台和等离子体处理装置包括晶片载置面、环部件载置面、升降销和驱动机构。在晶片载置面载置晶片。环部件载置面用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件，其中第2卡合部具有到达第1卡合部的下表面的贯通孔。此外，环部件载置面在与贯通孔对应的位置具有孔，设置在晶片载置面的外周侧。升降销具有与贯通孔嵌合的第1保持部，和与该第1保持部在轴向上连接且具有从第1保持部的外周突出的突出部的第2保持部。通过使第1保持部处于环部件载置面侧，而使升降销被收纳于环部件载置面的孔内。驱动机构驱动升降销使其可升降。
发明效果
依照本发明，能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件。
附图说明
图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的截面图。
图2是表示实施方式的输送机构的概略结构的截面图。
图3是用于说明升降销的结构例的图。
图4A是表示使用实施方式的输送机构进行的边缘环部件输送开始时的状态例的图。
图4B是表示使用实施方式的输送机构将边缘环部件举起的状态例的图。
图4C是表示将要把实施方式的输送机构所举起的边缘环部件载置到机械臂上之前的状态例的图。
图4D是表示实施方式的输送机构所举起的边缘环部件被载置到机械臂上的状态例的图。
图4E是表示使用实施方式的输送机构进行的边缘环部件的输送完成时的状态例的图。
图5A是表示使用实施方式的输送机构进行的盖环部件输送开始时的状态例的图。
图5B是表示使用实施方式的输送机构将盖环部件举起的状态例的图。
图5C是表示将要把实施方式的输送机构所举起的盖环部件载置到机械臂上之前的状态例的图。
图5D是表示实施方式的输送机构所举起的盖环部件被载置到机械臂上的状态例的图。
图5E是表示使用实施方式的输送机构进行的盖环部件输送完成时的状态例的图。
图6是用于说明升降销的第1保持部的长度与第1输送高度、第2输送高度的关系的图。
附图标记说明
1 等离子体处理装置
10 处理容器
11 基座(下部电极)
12 筒状保持部件
13 筒状支承部
14 排气通路
15 挡板
16 排气口
17 排气管
18 排气装置
19 送入送出口
20 闸阀
21a 第1高频电源
21b 第2高频电源
22 匹配器
23 供电棒
24 喷淋头
25 静电吸盘
25a 中心部
25b 内周部
25c 外周部
25d、25e 电极板
26、28 直流电源
27、29 开关
35a、35b 导热气体供给部
36a 晶片用气体供给通路
36b 环部件用气体供给通路
43 控制部
50 输送机构
51 升降销
51a 第1保持部
51b 第2保持部
51c 突出部
52 密封部
53 驱动机构
61 贯通孔
63、64 孔
CR 盖环部件
ER 边缘环部件
W 晶片。
具体实施方式
在等离子体处理装置内配置多个消耗部件。例如，为了提高晶片面内的等离子体处理的均匀度，而具有配置在晶片的径向外侧的边缘环部件。此外，为了保护载置台，而具有配置在边缘环部件的径向外侧的盖环部件。在为了更换多个消耗部件而对消耗部件分别设置专用的输送机构的情况下，载置台的内部结构变得复杂。另外，由于等离子体处理装置内的空间上的制约，因此能够设置在载置台内部或载置台下部的结构的位置和大小是被限定的。因此，优选能够将配置在等离子体处理装置内的消耗部件尽可能以紧凑的结构来输送。
以下，基于附图，对公开的实施方式进行说明。此外，本实施方式并不是用于限定的。各实施方式在不使处理内容矛盾的范围内能够适当组合。
(实施方式)
图1是表示实施方式的等离子体处理装置1的概略结构的截面图。图1的等离子体处理装置1具有金属制例如铝或不锈钢制的被安全接地的圆筒型的处理容器10，在该处理容器10内设置有用于载置作为被处理体(基片)的晶片W的圆板状的基座(下部电极)11。该基座11例如由铝形成，隔着绝缘性的筒状保持部件12由从处理容器10的底部向垂直上方延伸的筒状支承部13支承。
在处理容器10的侧壁与筒状支承部13之间形成有排气通路14，在该排气通路14的入口或中途设置有环状的挡板15，并且在底部设置有排气口16，该排气口16经由排气管17与排气装置18连接。而且，在处理容器10的侧壁安装有用于开闭晶片W的送入送出口19的闸阀20。
基座11经由匹配器22和供电棒23与第1和第2高频电源21a、21b电连接。此处，第1高频电源21a主要输出有助于生成等离子体的频率(通常40MHz以上)的第1高频。第2高频电源21b主要输出有助于对基座11上的晶片W引入离子的频率(通常13.56MHz以下)的第2高频。在匹配器22收纳有用于在第1高频电源21a侧的阻抗与负载(主要是电极、等离子体、处理容器10)侧的阻抗之间获得匹配的第1匹配器，以及用于在第2高频电源21b侧的阻抗与负载侧的阻抗之间获得匹配的第2匹配器。此外，有助于引入离子的电压不限于高频。可以为以脉冲状施加的直流电压。另外，在图1中示出了基座11与第1和第2高频电源21a、21b连接的例子，不过不限于此。也可以使后述的喷淋头24(上部电极)与第1高频电源连接，基座11与第2高频电源连接。
另外，在处理容器10的顶部设置有作为后述的接地电位的上部电极的喷淋头24。由此，来自第1和第2高频电源21a、21b的高频电压被施加到基座11与喷淋头24之间。
在基座11的上表面设置有用静电吸附力吸附晶片W的静电吸盘25。静电吸盘25包括载置晶片W的圆板状的中心部25a、环状的内周部25b和环状的外周部25c，中心部25a比内周部25b向图中上方突出。此外，内周部25b比外周部25c向图中上方突出。中心部25a是载置晶片W的晶片载置面的一例。此外，内周部25b是载置边缘环部件ER的环部件载置面的一例。此外，外周部25c是载置盖环部件CR的环部件载置面的一例。以下，将包含基座11和静电吸盘25的、载置晶片W的结构部称为载置台。
边缘环部件ER是例如由硅等导电性材料形成的环状部件。边缘环部件ER具有使等离子体处理时的晶片面内的等离子体分布均匀化，提高等离子体处理的性能的功能。盖环部件CR是例如由石英等绝缘性材料形成的环状部件。盖环部件CR具有保护基座11、静电吸盘25等的功能。此外，在盖环部件CR的外径侧配置有用于保护基座11的绝缘部件30。边缘环部件ER是第1环部件的一例。盖环部件CR是第2环部件的一例。边缘环部件ER具有与盖环部件CR重叠的第1卡合部。盖环部件CR具有与边缘环部件ER的第1卡合部重叠的第2卡合部。关于边缘环部件ER和盖环部件CR在后面进行说明。
静电吸盘25的中心部25a通过用介电膜夹着由导电膜构成的电极板25d而构成。此外，内周部25b通过用介电膜夹着由导电膜构成的电极板25e而构成。电极板25d经由开关27与直流电源26电连接。电极板25e经由开关29与直流电源28电连接。而且，静电吸盘25利用从直流电源26施加到电极板25d的电压来产生库仑力等静电力，用静电力将晶片W吸附保持在静电吸盘25。此外，静电吸盘25利用从直流电源28施加到电极板25e的电压来产生库仑力等静电力，用静电力将边缘环部件ER吸附保持在静电吸盘25。
另外，在基座11的内部设置有例如在圆周方向延伸的环状的致冷剂室31。该致冷剂室31从冷却单元32经由配管33、34被循环部件供给规定温度的致冷剂，例如冷却水，用该致冷剂的温度来控制静电吸盘25上的晶片W的温度。
另外，静电吸盘25经由晶片用气体供给通路36a与导热气体供给部35a连接。此外，静电吸盘25经由环部件用气体供给通路36b与导热气体供给部35b连接。晶片用气体供给通路36a通往静电吸盘25的中心部25a。环部件用气体供给通路36b通往静电吸盘25的内周部25b。此外，也可以为将晶片用气体供给通路36a和环部件用气体供给通路36b与共享的导热气体供给部连接。导热气体供给部35a经由晶片用气体供给通路36a对由静电吸盘25的中心部25a和晶片W所夹的空间供给导热气体。此外，导热气体供给部35b经由环部件用气体供给通路36b对由静电吸盘25的内周部25b和边缘环部件ER所夹的空间供给导热气体。作为导热气体，优选使用具有热传导性的气体例如He气体等。
顶部的喷淋头24包括具有大量气体通气孔37a的下表面的电极板37和可拆装地支承该电极板37的电极支承体38。此外，在该电极支承体38的内部设置有缓冲室39，该缓冲室39的气体导入口38a与来自处理气体供给部40的气体供给配管41连接。
该等离子体处理装置的各构成要素，例如排气装置18、高频电源21a、21b、静电吸盘用的开关27、29、直流电源26、28、冷却单元32、导热气体供给部35a、35b和处理气体供给部40等与控制部43连接。控制部43控制等离子体处理装置的各构成要素。
控制部43具有未图示的中央处理装置(CPU)和存储器等存储装置，通过读取并执行存储于存储装置的程序和处理方案，在等离子体处理装置中执行所希望的处理。
另外，控制部43与下面要说明的输送机构50(参照图2)连接。控制部43执行用于控制输送机构50来输送边缘环部件ER和盖环部件CR的处理。
(输送机构50的一例)
图2是表示实施方式的输送机构50的概略结构的截面图。实施方式的等离子体处理装置包括用于输送载置于载置台上的边缘环部件ER和盖环部件CR的输送机构50。输送机构50具有升降销51、密封部52、驱动机构53。
在图2的例中，在静电吸盘25的中心部25a上载置有晶片W，在内周部25b上载置有边缘环部件ER。在外周部25c上载置有盖环部件CR。当配置于载置台上的固定位置时，边缘环部件ER的外周部从上覆盖盖环部件CR的内周部。因此，盖环部件CR的内周部没有露出到等离子体处理空间。在边缘环部件ER所覆盖的盖环部件CR的内周部，形成有在上下方向贯通盖环部件CR的贯通孔61。边缘环部件ER的外周部是第1卡合部的一例，盖环部件CR的内周部是第2卡合部的一例。此外，虽然在附图中没有示出，但是也可以在盖环部件CR的内周部与边缘环部件ER的外周部相接触的部分形成用于定位的结构。例如，构成为在边缘环部件ER的下表面形成凹部，在盖环部件CR的上表面形成凸部，凹部与凸部能够卡合。而且，在用于定位的结构中，也可以形成盖环部件CR的贯通孔61。例如，也可以在盖环部件CR的通过凸部的位置形成贯通孔61。
在静电吸盘25的外周部25c的环部件载置面，在与贯通孔61的位置对应的位置形成有孔63。此外，以与孔63连通的方式在基座11内形成有孔64。
升降销51收纳于孔63、64内，在下方与驱动机构53连接。以下，将与驱动机构53连接的升降销51的端部称为基端，将基端的相反方向的端部称为远端(或顶部)。密封部52配置在孔64内。升降销51通过密封部52向下方延伸。密封部52防止孔63、64内的比密封部52靠上方的空间与下方的空间连通。密封部52例如为密封轴、波纹管等。
驱动机构53使升降销51上下地升降。驱动机构53的种类没有特别限定。驱动机构53例如为压电致动器、电机等。
升降销51具有第1保持部51a、第2保持部51b、突出部51c。第1保持部51a从升降销51的远端形成规定的长度L1(参照图3、图6)。第1保持部51a具有以规定的间隙与形成在盖环部件CR的内周部的贯通孔61嵌合的截面。第2保持部51b与第1保持部51a的基端侧在轴向连接。第2保持部51b在与第1保持部51a连接的位置具有从第1保持部的外周向外侧突出的突出部51c。形成有突出部51c的位置处的第2保持部51b的截面，为不与贯通孔61嵌合的大小或形状。即，当将升降销51从盖环部件CR的下表面侧插入贯通孔61时，第1保持部51a穿过贯通孔61。而且，突出部51c与盖环部件CR的下表面抵接。第2保持部51b构成为因突出部51c而在贯通孔61的入口停住并从下面支承盖环部件CR。
第1保持部51a、第2保持部51b、突出部51c的具体的形状没有特别限定。例如，第1保持部51a、第2保持部51b可以是同轴且截面为同心圆形状的棒状部件。图3是用于说明升降销51的结构例的图。在图3的例(A)中，第1保持部51a的直径D1形成为比第2保持部51b的直径D2小。突出部51c是在第2保持部51b的远端侧通过円筒状的升降销51的直径从直径D1变大至直径D2而向外径侧突出的部分。在图3的例(A)中，盖环部件CR的贯通孔61形成为比第1保持部51a的直径D1大。另一方面，盖环部件CR的贯通孔61形成为比第2保持部51b的直径D2小。
另外，在图3的例(B)中，第1保持部51a的直径D1形成为与第2保持部51b的直径D2大致相同。突出部51c是在第2保持部51b的远端侧，朝向径向外侧伸出的凸缘。在突出部51c中，第2保持部51b的直径成为比直径D1和D2大的D4。盖环部件CR的贯通孔61的直径D3形成为比直径D1和D2大且比直径D4小。
另外，第1保持部51a、第2保持部51b的截面可以为多边形。此外，第1保持部51a的截面积不必小于第2保持部51b的截面积。至少在第2保持部51b的远端侧形成向外侧突出的突出部51c即可。例如上述图3的例(B)所示，可以为使第1保持部51a和第2保持部51b形成为相同截面积的圆筒状，在第2保持部51b的远端侧设置作为突出部51c的凸缘。此外，静电吸盘25的孔63和基座11的孔64形成为能够收纳升降销51的大小。例如，在使升降销51构成为圆筒形状的情况下，孔63、64形成为与第2保持部51b以规定的间隙嵌合的圆筒状的空间。此外，为了使突出部51c与盖环部件CR的下表面的位置关系稳定，可以使贯通孔61的下侧开口部成为朝向下方而开口扩大的形状。该情况下，突出部51c的形状形成为与贯通孔61的开口部抵接的形状。例如，突出部51c可以形成为从第1保持部51a向第2保持部51b而截面积逐渐增大的倾斜部(参照图3的例(C))。
(边缘环部件ER的输送例)
下面，参照图4A～图4E，对使用实施方式的输送机构50进行的边缘环部件ER的输送进行说明。图4A是表示使用实施方式的输送机构50进行的边缘环部件ER的输送开始时的状态例的图。
如图4A所示，升降销51除了输送时以外均被收纳于孔63、64内。此外，在图4A的例中，成为升降销51的远端插通于盖环部件CR的贯通孔61内而抵接于边缘环部件ER的状态，不过升降销51的远端也可以收纳在比盖环部件CR靠下的位置。
图4B是表示使用实施方式的输送机构50举起边缘环部件ER的状态例的图。在输送边缘环部件ER时，首先驱动机构53驱动升降销51并将其向上方举起。当升降销51上升时，第1保持部51a贯通盖环部件CR的贯通孔61而与边缘环部件ER的下表面抵接。当升降销51进一步上升时，通过升降销51而边缘环部件ER从静电吸盘25的内周部25b离开而向上方被举起。驱动机构53使升降销51的远端上升至预先设定的第1输送高度H1。关于第1输送高度H1在后文说明。
图4C是表示将要把实施方式的输送机构50所举起的边缘环部件ER载置到机械臂AM上之前的状态例的图。在升降销51将边缘环部件ER举起至第1输送高度H1后，控制部43使输送用的机械臂AM从处理容器10外进入到基座11上。机械臂AM以上表面位于比第1输送高度H1靠下侧的高度H2的状态在水平方向行进。当在由升降销51举起的边缘环部件ER的下方配置机械臂AM时，驱动机构53开始使升降销51下降。通过升降销51下降，而保持于升降销51上的边缘环部件ER被载置到机械臂AM的上表面。
图4D是表示使用实施方式的输送机构50举起的边缘环部件ER被载置到机械臂AM上的状态例的图。在边缘环部件ER被载置到机械臂AM上之后，升降销51在这种情况下向比高度H2靠下方处持续下降。然后，当升降销51被收纳于孔63、64内时，控制部43使载置有边缘环部件ER的机械臂AM向处理容器10外移动。
图4E是表示使用实施方式的输送机构50进行的边缘环部件ER的输送完成时的状态例的图。机械臂AM使边缘环部件ER向处理容器10外移动，升降销51退让到输送开始前的位置，边缘环部件ER的输送完成。
(盖环部件CR的输送)
下面，参照图5A～图5E，说明使用实施方式的输送机构50进行的盖环部件CR的输送。图5A是表示使用实施方式的输送机构50进行的盖环部件CR的输送开始时的状态例的图。
如图5A所示，在边缘环部件ER没有配置在盖环部件CR上的状态下执行盖环部件CR的送出。升降销51的位置与边缘环部件ER的送出开始时相同。
图5B是表示使用实施方式的输送机构50举起盖环部件CR的状态例的图。与输送边缘环部件ER时不同，输送盖环部件CR时，驱动机构53使升降销51的远端上升至第2输送高度H3。当驱动机构53使升降销51上升第1保持部51a的长度的量时，形成于升降销51的第2保持部51b的远端侧的突出部51c与盖环部件CR的下表面抵接。通过在突出部51c与盖环部件CR的下表面抵接的状态下升降销51进一步上升，盖环部件CR从静电吸盘25的外周部25c离开而向上方被举起。驱动机构53在这样的状况下使升降销51的远端上升至第2输送高度H3。其结果，第2保持部51b的远端即盖环部件CR的下表面上升至第1输送高度H1。
图5C是表示将要把实施方式的输送机构50所举起的盖环部件CR载置到机械臂AM上之前的状态例的图。升降销51使盖环部件CR上升至第1输送高度H1后，控制部43使输送用的机械臂AM从处理容器10外进入到基座11上。机械臂AM以机械臂AM的上表面位于比第1输送高度H1靠下方的高度H2的方式在水平方向行进。当在升降销51所举起的盖环部件CR的下方配置机械臂AM时，驱动机构53开始使升降销51下降。升降销51下降，第2保持部51b的远端的突出部51c到达高度H2时，保持于升降销51上的盖环部件CR被载置到机械臂AM上。
图5D是表示实施方式的输送机构50所举起的盖环部件CR被载置到机械臂AM上的状态例的图。在将盖环部件CR载置到机械臂上后，升降销51进一步下降，突出部51c移动到比高度H2靠下方的位置。随着升降销51的下降而第1保持部51a通过贯通孔61。然后，当升降销51被收纳于孔63、64内时，控制部43使载置有盖环部件CR的机械臂AM向处理容器10外移动。
图5E是表示基于实施方式的输送机构50的盖环部件CR的输送完成时的状态例的图。机械臂AM使盖环部件CR向处理容器10外移动，升降销51退让到输送开始前的位置，盖环部件CR的输送完成。
如上所述，在实施方式的输送机构50中，通过使升降销51上升的量与输送边缘环部件ER时及输送盖环部件CR时不同，而能够使用同一升降销51来实现边缘环部件ER和盖环部件CR这两者的输送。因此，升降销51由第1保持部51a以及在与第1保持部51a连接的位置设置有突出部51c的第2保持部51b构成。而且，在边缘环部件ER与盖环部件CR重叠的位置，在盖环部件CR设置有贯通孔63。
图6是用于说明升降销51的第1保持部51a的长度L1、第1输送高度H1与第2输送高度H3的关系的图。在图6中，以静电吸盘25的外周部25c的上表面的高度为基准面，对第1输送高度H1和第2输送高度H3进行说明。首先，使第1保持部51a的长度L1与第1输送高度H1大致相同(图6的(a))。此外，第2输送高度H3为第1输送高度H1的大致2倍。驱动机构53在输送边缘环部件ER时使升降销51的远端上升至第1输送高度H1(图6的(b))。此外，在输送盖环部件CR时，使升降销51的远端上升至第2输送高度H3(图6的(c))。在输送时使举起边缘环部件ER和盖环部件CR的高度相同以使机械臂AM进行输送时的控制方式相同，因此，在图6的例中，使第1保持部51a的长度L1＝第1输送高度H1。此外，使第2输送高度H3为第1输送高度的大致2倍。
通过如上述那样设定升降销51的各部分的尺寸和输送时的上升量，能够使边缘环部件ER和盖环部件CR在输送时上升至相同的高度(第1输送高度H1)。因此，能够不改变机械臂AM的高度而实现不同的消耗部件的输送。但是，升降销51的各部的尺寸和输送时的上升量不限于上述的情况。根据配置在载置台上的部件各部分的尺寸和机械臂AM的性能，能够调整升降销51的各部分的尺寸和输送时的上升量。由此，依照实施方式的构成，能够容易地用一个输送机构50来输送多个消耗部件。
(输送对象的消耗部件)
此外，在上述实施方式中，将实施方式的输送机构50作为用于输送盖环部件CR和边缘环部件ER的机构进行了说明。实施方式的输送机构50并不限于此，能够用于输送任意的消耗部件的多个部分或多个任意的消耗部件。
例如，边缘环部件ER由内周部件和外周部件这2个部件构成，将内周部件和外周部件中消耗大的部件在消耗少的部件上重叠一部分。并且，在内周部件与外周部件重叠的部分，在配置于下侧的部件设有贯通孔。使升降销51的第1保持部51a形成为能够插通该贯通孔的大小。此外，使突出部51c形成为不能够插通该贯通孔的形状和/或大小。依照如上所述那样的构成，能够独立地更换快速消耗的部件(配置于上侧的部件)，并且能够使用同样的输送机构50输送其他部分(配置于下侧的部件)。
另外，也可以构成为用1个输送机构输送3个以上的消耗部件。例如，边缘环部件ER由内周部件、外周部件这2个部件构成，并且将盖环部件CR配置在边缘环部件ER的径向外侧。而且，在配置外周部件的位置，内周部件、外周部件、盖环部件彼此至少一部分在上下方向重叠。并且，在配置在下方的2个消耗部件分别设置不同截面积的贯通孔。而且，使在配置于最下方的消耗部件设置的贯通孔的截面积最大。
另外，在升降销51设置3个以上的保持部，该保持部具有与设置于各消耗部件的贯通孔对应的截面积或突出部。例如，除了第1的保持部51a和第2的保持部51b之外，设置与第2保持部51b的基端侧连接的第3保持部，在第3保持部的远端侧设置于突出部51c同样的第2突起部。通过以使突出部51c和第2突起部的形状分别与消耗部件的贯通孔对应地方式形成，而能够用1个输送机构使3个以上的消耗部件升降。
(与消耗程度相应的结构的变更)
另外，在上述实施方式中，使盖环部件CR作为配置于边缘环部件ER的下方的部件。不过，不限于此，在配置于外侧的消耗部件消耗剧烈的情况下，也可以形成为配置于外侧的消耗部件的内周部重叠在配置于内侧的消耗部件的外周部之上这样的形状。
(输送机构的结构的变形)
此外，在上述实施方式中，升降销51的数量没有特别限定。通过设置2个以上，优选设置3个以上的升降销51，能够使边缘环部件ER和盖环部件CR升降。另外，可以对各升降销51设置1个驱动机构53，也可以对多个升降销51设置1个共享的驱动机构53。
此外，在上述实施方式中，为了抑制在设置于静电吸盘25和基座11的孔63、64中发生放电或者放电变得激烈，构成为孔中与载置台为相同电位空间。例如，使孔的周围与载置台的其他部分用同样的金属材料构成。
(实施方式的效果)
如上所述，实施方式的载置台和等离子体处理装置包括用于载置晶片的晶片载置面。此外，实施方式的载置台包括用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件的环部件载置面，第2卡合部具有到达第1卡合部的下表面的贯通孔。环部件载置面设置在晶片载置面的外周侧，在与贯通孔对应的位置具有孔。实施方式的载置台还包括升降销，该升降销具有与贯通孔嵌合的第1保持部和与第1保持部在轴向上连接且具有从第1保持部的外周突出的突出部的第2保持部，通过使第1保持部处于环部件载置面侧，而使升降销被收纳于环部件载置面的孔内。实施方式的载置台还包括可升降地驱动升降销的驱动机构。由此，实施方式的载置台通过用驱动机构使升降销从环部件载置面的孔上升，而能够使升降销通过第2环部件的贯通孔与第1环部件抵接。因此，实施方式的载置台能够在第2环部件被载置到环部件载置面上的状态下，将第1环部件从环部件载置面举起来输送。此外，实施方式的载置台能够用驱动机构使升降销上升以使第2保持部的突出部与第2环部件的下表面抵接。因此，实施方式的载置台能够用1个升降销来输送第1环部件和第2环部件这两者。此外，实施方式的载置台用1个升降销来输送多个消耗部件，因此能够抑制输送机构所占据的空间。
另外，在实施方式的载置台中，第1保持部和第2保持部是同轴且截面为同心圆形状的棒状部件，第1保持部的直径比第2保持部的直径小。由此，通过使第1保持部和第2保持部形成为同心圆形状的棒状部件，能够容易地实现升降销的加工和制造。
另外，在实施方式的载置台中，第1环部件配置在比第2环部件靠晶片载置面的中心侧的位置，第2卡合部配置在比第1卡合部靠环部件载置面侧的位置。例如，第1环部件(边缘环部件)和第2环部件(盖环部件)依次以去往晶片的径向外侧的方式配置。而且，位于内侧的第1环部件的第1卡合部(边缘环部件的外周侧)构成为处于位于外侧的第2环部件的第2卡合部(盖环部件的内周侧)之上。因此，依照实施方式，能够不移动第2环部件而容易地输送配置于更靠近晶片的位置的第1环部件。
另外，在实施方式的载置台中，第1环部件由导电材料形成，第2环部件由绝缘材料形成。因此，依照实施方式，能够不移动第2环部件而容易地输送、更换第1环部件，由此能够使等离子体处理的品质稳定。此外，第1环部件的材质可以为例如硅、碳化硅(SiC)、与其他形成在晶片上的掩模材料相同的材料等。
另外，在实施方式的载置台中，第2环部件配置在比第1环部件靠晶片载置面的中心侧的位置，第2卡合部配置在比第1卡合部靠环部件载置面侧的位置。由此，实施方式的载置台能够适用于配置在各种位置的消耗程度不同的多个消耗部件。
另外，实施方式的载置台还包括将第1环部件和第2环部件的至少一者吸附到环部件载置面的环部件用静电吸盘。此外，实施方式的载置台还包括将导热气体供给到第1环部件和第2环部件的至少一者的下表面与环部件载置面之间的气体供给机构。因此，实施方式的载置台能够将第1环部件和第2环部件等的载置台上的部件的热量容易地释放到下部结构物。因此，依照实施方式，没有必要将导热片等结构物设置在第1环部件和第2环部件与载置台之间。因此，依照实施方式，能够用简单结构的升降销容易地输送第1环部件和第2环部件。
另外，在实施方式的载置台中，驱动机构在输送第1环部件时，使升降销上升，直到第1保持部的顶部到达规定的高度。此外，驱动机构在输送第2环部件时，使升降销上升，直到第2保持部的顶部到达规定的高度。由此，依照实施方式，根据输送对象是第1环部件还是第2环部件，来切换升降销的驱动方式，由此能够实现用1个升降销来容易地输送多个部件。
另外，在实施方式的载置台中，升降销的第1保持部的轴向长度大于第2环部件的轴向的厚度。通过使第1保持部形成得至少比第2环部件厚，而能够用1个升降销使第1环部件和第2环部件这两者升降。
应当认为，本次公开的实施方式的所有方面均是例示，而并不是用来限定的。上述的实施方式在不超出所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种方式省略、置换、改变。

Claims (9)

1.一种等离子体处理装置的载置台，其特征在于，包括：
用于载置晶片的晶片载置面；
环部件载置面，其设置于所述晶片载置面的外周侧，用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与所述第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件，所述第2卡合部具有到达所述第1卡合部的下表面的贯通孔，所述环部件载置面在与所述贯通孔对应的位置具有孔；
升降销，其具有与所述贯通孔嵌合的第1保持部，和与该第1保持部在轴向上连接且具有从所述第1保持部的外周突出的突出部的第2保持部，通过使所述第1保持部处于所述环部件载置面侧，而使所述升降销被收纳于所述环部件载置面的孔内；和
驱动所述升降销以使所述升降销可升降的驱动机构。
2.如权利要求1所述的载置台，其特征在于：
所述第1保持部和所述第2保持部是同轴且截面为同心圆形状的棒状部件，所述第1保持部的直径比所述第2保持部的直径小。
3.如权利要求1或2所述的载置台，其特征在于：
所述第1环部件配置在比所述第2环部件靠所述晶片载置面的中心侧的位置，所述第2卡合部配置在比所述第1卡合部靠环部件载置面侧的位置。
4.如权利要求3所述的载置台，其特征在于：
所述第1环部件由导电材料形成，
所述第2环部件由绝缘材料形成。
5.如权利要求1或2所述的载置台，其特征在于：
所述第2环部件配置在比所述第1环部件靠所述晶片载置面的中心侧的位置，所述第2卡合部配置在比所述第1卡合部靠环部件载置面侧的位置。
6.如权利要求1至5中任一项所述的载置台，其特征在于，还包括：
环部件用静电吸盘，其将所述第1环部件和所述第2环部件的至少一者吸附于所述环部件载置面；和
气体供给机构，其将导热气体供给到所述第1环部件和所述第2环部件的所述至少一者的下表面与所述环部件载置面之间。
7.如权利要求1至6中任一项所述的载置台，其特征在于：
所述驱动机构在输送所述第1环部件时，使所述升降销上升，直到所述第1保持部的顶部到达规定的高度，在输送所述第2环部件时，使所述升降销上升，直到所述第2保持部的顶部到达所述规定的高度。
8.如权利要求1至7中任一项所述的载置台，其特征在于：
所述第1保持部的轴向长度大于所述第2环部件的轴向的厚度。
9.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
用于载置晶片的晶片载置面；
具有第1卡合部的第1环部件；
具有与所述第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件，其中所述第2卡合部具有到达所述第1卡合部的下表面的贯通孔；
用于载置所述第1环部件和所述第2环部件的环部件载置面，该环部件载置面设置在所述晶片载置面的外周侧，在与所述贯通孔对应的位置具有孔；
升降销，其具有与所述贯通孔嵌合的第1保持部，和与该第1保持部在轴向上连接且具有从所述第1保持部的外周突出的突出部的第2保持部，通过使所述第1保持部处于所述环部件载置面侧，而使所述升降销被收纳于环部件载置面的孔内；和
驱动所述升降销以使所述升降销可升降的驱动机构。
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