JP2020113603A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 - Google Patents
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 40
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 230000004323 axial length Effects 0.000 claims description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2007—Holding mechanisms
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Description
図1は、実施形態に係るプラズマ処理装置1の概略構成を示す断面図である。図1のプラズマ処理装置1は、金属製、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼製の保安接地された円筒型の処理容器10を有し、該処理容器10内に、被処理体(基板)としてのウエハWを載置する円板状のサセプタ(下部電極)11が配設されている。このサセプタ11は、例えば、アルミニウムからなり、絶縁性の筒状保持部材12を介して処理容器10の底から垂直上方に延びる筒状支持部13に支持されている。
図2は、実施形態に係る搬送機構50の概略構成を示す断面図である。実施形態に係るプラズマ処理装置は、載置台上に載置されるエッジリングERおよびカバーリングCRを搬送するための搬送機構50を備える。搬送機構50は、リフタピン51、封止部52、駆動機構53を有する。
次に、図4A〜図4Eを参照し、実施形態に係る搬送機構50によるエッジリングERの搬送について説明する。図4Aは、実施形態に係る搬送機構50によるエッジリングERの搬送開始時の状態例を示す図である。
次に、図5A〜図5Eを参照し、実施形態に係る搬送機構50によるカバーリングCRの搬送について説明する。図5Aは、実施形態に係る搬送機構50によるカバーリングCRの搬送開始時の状態例を示す図である。
なお、上記実施形態では、実施形態に係る搬送機構50はカバーリングCRとエッジリングERとを搬送するものとして説明した。これに限らず、実施形態に係る搬送機構50は、任意の消耗部品の複数の部分または複数の任意の消耗部品を搬送するために適用できる。
また、上記実施形態においては、カバーリングCRをエッジリングERの下方に配置するものとした。しかしこれに限らず、外側に配置される消耗部品の方が消耗が激しい場合には、外側に配置される消耗部品の内周部が、内側に配置される消耗部品の外周部の上に重なるような形状としてもよい。
なお、上記実施形態では、リフタピン51の数は特に限定されない。2以上、好ましくは3以上のリフタピン51を設けることで、エッジリングERおよびカバーリングCRを昇降できる。また、リフタピン51各々に一つの駆動機構53を設けてもよく、複数のリフタピン51に共通の一つの駆動機構53を設けてもよい。
上記のように、実施形態に係る載置台およびプラズマ処理装置は、ウエハを載置するウエハ載置面と、を備える。また、実施形態に係る載置台は、第1係合部を有する第1リングと、第1係合部の下面に至る貫通孔を有し第1係合部に係合する第2係合部を有する第2リングと、を載置するリング載置面を備える。リング載置面は、貫通孔に対応する位置に孔を有し、ウエハ載置面の外周側に設けられる。実施形態に係る載置台はさらに、貫通孔に嵌合する第1保持部と、第1保持部の軸方向に連接され第1保持部の外周から突出する突出部を有する第2保持部と、を有し、第1保持部をリング載置面側にしてリング載置面の孔内に収容されるリフタピンを備える。実施形態に係る載置台はさらに、リフタピンを昇降可能に駆動する駆動機構を備える。このように、実施形態に係る載置台は、駆動機構によりリフタピンをリング載置面の孔から上昇させることにより、第2リングの貫通孔を通ってリフタピンを第1リングに当接させることができる。このため、実施形態に係る載置台は、第2リングをリング載置面上に載置したままで、第1リングをリング載置面から持ち上げて搬送することができる。また、実施形態に係る載置台は、駆動機構によりリフタピンを上昇させて第2保持部の突出部を第2リングの下面に当接させることができる。このため、実施形態に係る載置台は、一つのリフタピンを用いて第1リングおよび第2リングの双方を搬送することができる。また、実施形態に係る載置台は、一つのリフタピンにより複数消耗部品の搬送を実現するため、搬送機構により占有される空間を抑制できる。
10 処理容器
11 サセプタ(下部電極)
12 筒状保持部材
13 筒状支持部
14 排気路
15 バッフル板
16 排気口
17 排気管
18 排気装置
19 搬入出口
20 ゲートバルブ
21a 第1の高周波電源
21b 第2の高周波電源
22 整合器
23 給電棒
24 シャワーヘッド
25 静電チャック
25a 中心部
25b 内周部
25c 外周部
25d,25e 電極板
26,28 直流電源
27,29 スイッチ
35a、35b 伝熱ガス供給部
36a ウエハ用ガス供給ライン
36b リング用ガス供給ライン
43 制御部
50 搬送機構
51 リフタピン
51a 第1保持部
51b 第2保持部
51c 突出部
52 封止部
53 駆動機構
61 貫通孔
63,64 孔
CR カバーリング
ER エッジリング
W ウエハ
Claims (9)
- ウエハを載置するウエハ載置面と、
第1係合部を有する第1リングと、前記第1係合部の下面に至る貫通孔を有し前記第1係合部に係合する第2係合部を有する第2リングと、を載置し、前記貫通孔に対応する位置に孔を有し、前記ウエハ載置面の外周側に設けられるリング載置面と、
前記貫通孔に嵌合する第1保持部と、当該第1保持部の軸方向に連接され前記第1保持部の外周から突出する突出部を有する第2保持部と、を有し、前記第1保持部を前記リング載置面側にしてリング載置面の孔内に収容されるリフタピンと、
前記リフタピンを昇降可能に駆動する駆動機構と、
を備えるプラズマ処理装置の載置台。 - 前記第1保持部および前記第2保持部は、同軸かつ断面同心円形状の棒状部材であり、前記第1保持部の径は、前記第2保持部の径よりも小さい、請求項1に記載の載置台。
- 前記第1リングは前記第2リングよりも前記ウエハ載置面の中心側に配置され、前記第2係合部は前記第1係合部よりもリング載置面側に配置される、請求項1または2に記載の載置台。
- 前記第1リングは導電材料で形成され、
前記第2リングは絶縁材料で形成される、
請求項3に記載の載置台。 - 前記第2リングは前記第1リングよりも前記ウエハ載置面の中心側に配置され、前記第2係合部は前記第1係合部よりもリング載置面側に配置される、請求項1または2に記載の載置台。
- 前記第1リングおよび前記第2リングの少なくとも一方を前記リング載置面に吸着するリング用静電チャックと、
前記第1リングおよび前記第2リングの前記少なくとも一方の下面と前記リング載置面との間に伝熱ガスを供給するガス供給機構と、
をさらに備える請求項1から5のいずれか1項に記載の載置台。 - 前記駆動機構は、
前記第1リングの搬送時、前記第1保持部の頂部が所定の高さに到達するまで前記リフタピンを上昇させ、
前記第2リングの搬送時、前記第2保持部の頂部が前記所定の高さに到達するまで前記リフタピンを上昇させる、請求項1から6のいずれか1項に記載の載置台。 - 前記第1保持部の軸方向長さは、前記第2リングの軸方向の厚みよりも長い、請求項1から7のいずれか1項に記載の載置台。
- ウエハを載置するウエハ載置面と、
第1係合部を有する第1リングと、
前記第1係合部の下面に至る貫通孔を有し前記第1係合部に係合する第2係合部を有する第2リングと、
前記ウエハ載置面の外周側に設けられ、前記貫通孔に対応する位置に孔を有し、前記第1リングおよび前記第2リングを載置するリング載置面と、
前記貫通孔に嵌合する第1保持部と、当該第1保持部の軸方向に連接され前記第1保持部の外周から突出する突出部を有する第2保持部と、を有し、前記第1保持部を前記リング載置面側にしてリング載置面の孔内に収容されるリフタピンと、
前記リフタピンを昇降可能に駆動する駆動機構と、
を備えるプラズマ処理装置。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019001971A JP7134104B2 (ja) | 2019-01-09 | 2019-01-09 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
CN202410234022.8A CN118073189A (zh) | 2019-01-09 | 2019-12-26 | 等离子体处理装置 |
CN201911365022.7A CN111430232B (zh) | 2019-01-09 | 2019-12-26 | 等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台 |
CN202410234075.XA CN118073190A (zh) | 2019-01-09 | 2019-12-26 | 等离子体处理装置 |
KR1020190178032A KR102538183B1 (ko) | 2019-01-09 | 2019-12-30 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 탑재대 |
TW112104090A TWI834491B (zh) | 2019-01-09 | 2019-12-31 | 電漿處理裝置及電漿處理裝置之環零件 |
TW108148488A TWI795621B (zh) | 2019-01-09 | 2019-12-31 | 電漿處理裝置及電漿處理裝置之載置台 |
US16/737,267 US11501995B2 (en) | 2019-01-09 | 2020-01-08 | Plasma processing apparatus and mounting table thereof |
JP2021145483A JP7134319B2 (ja) | 2019-01-09 | 2021-09-07 | プラズマ処理装置 |
JP2022136688A JP7361856B2 (ja) | 2019-01-09 | 2022-08-30 | プラズマ処理装置 |
US17/956,110 US20230020793A1 (en) | 2019-01-09 | 2022-09-29 | Plasma processing apparatus and mounting table thereof |
KR1020230065404A KR20230074458A (ko) | 2019-01-09 | 2023-05-22 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 탑재대 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019001971A JP7134104B2 (ja) | 2019-01-09 | 2019-01-09 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021145483A Division JP7134319B2 (ja) | 2019-01-09 | 2021-09-07 | プラズマ処理装置 |
JP2022136688A Division JP7361856B2 (ja) | 2019-01-09 | 2022-08-30 | プラズマ処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020113603A true JP2020113603A (ja) | 2020-07-27 |
JP2020113603A5 JP2020113603A5 (ja) | 2021-10-14 |
JP7134104B2 JP7134104B2 (ja) | 2022-09-09 |
Family
ID=71404811
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019001971A Active JP7134104B2 (ja) | 2019-01-09 | 2019-01-09 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
JP2021145483A Active JP7134319B2 (ja) | 2019-01-09 | 2021-09-07 | プラズマ処理装置 |
JP2022136688A Active JP7361856B2 (ja) | 2019-01-09 | 2022-08-30 | プラズマ処理装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021145483A Active JP7134319B2 (ja) | 2019-01-09 | 2021-09-07 | プラズマ処理装置 |
JP2022136688A Active JP7361856B2 (ja) | 2019-01-09 | 2022-08-30 | プラズマ処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11501995B2 (ja) |
JP (3) | JP7134104B2 (ja) |
KR (2) | KR102538183B1 (ja) |
CN (3) | CN118073190A (ja) |
TW (2) | TWI834491B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220111197A (ko) | 2021-02-01 | 2022-08-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 수납 용기 및 처리 시스템 |
JPWO2022172827A1 (ja) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | ||
KR20230085867A (ko) | 2021-12-07 | 2023-06-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 지지대, 플라즈마 처리 장치 및 링의 교환 방법 |
WO2023127518A1 (ja) * | 2021-12-27 | 2023-07-06 | 三井金属鉱業株式会社 | シート固定装置、シート剥離装置及びシートの剥離方法 |
KR20230165130A (ko) | 2022-05-26 | 2023-12-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 링 부재의 위치 맞춤 방법 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7134104B2 (ja) * | 2019-01-09 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
JP7204564B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
TWM593655U (zh) * | 2019-05-10 | 2020-04-11 | 美商蘭姆研究公司 | 半導體製程模組的中環 |
CN112563186A (zh) * | 2019-09-26 | 2021-03-26 | 东京毅力科创株式会社 | 基片支承器和等离子体处理装置 |
KR20210042749A (ko) * | 2019-10-10 | 2021-04-20 | 삼성전자주식회사 | 정전 척 및 상기 정전 척을 포함하는 기판 처리 장치 |
JP7455012B2 (ja) * | 2020-07-07 | 2024-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
CN114530361B (zh) * | 2020-11-23 | 2024-08-06 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 下电极组件、等离子体处理装置和更换聚焦环的方法 |
JP7382978B2 (ja) * | 2021-02-04 | 2023-11-17 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材及びプラグ |
CN115679271B (zh) * | 2021-07-22 | 2024-09-20 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺腔室 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003257935A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2013042012A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置及び処理方法 |
JP2015050156A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及びプラズマ処理装置 |
JP2015062237A (ja) * | 2014-10-29 | 2015-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US20170213758A1 (en) * | 2016-01-26 | 2017-07-27 | Applied Materials, Inc. | Wafer edge ring lifting solution |
JP2019505088A (ja) * | 2016-01-26 | 2019-02-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ウェハエッジリングの持ち上げに関する解決 |
JP2019114790A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 移動可能及び取り外し可能なプロセスキット |
WO2020036613A1 (en) * | 2018-08-13 | 2020-02-20 | Lam Research Corporation | Replaceable and/or collapsible edge ring assemblies for plasma sheath tuning incorporating edge ring positioning and centering features |
KR20200043706A (ko) * | 2018-10-18 | 2020-04-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5762714A (en) * | 1994-10-18 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma guard for chamber equipped with electrostatic chuck |
JP2713276B2 (ja) * | 1995-12-07 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
WO1999034414A1 (de) * | 1997-12-23 | 1999-07-08 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Haltevorrichtung |
JP3234576B2 (ja) * | 1998-10-30 | 2001-12-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 |
US6320320B1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing uniform process rates |
US6958098B2 (en) * | 2000-02-28 | 2005-10-25 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer support lift-pin assembly |
KR20020094509A (ko) * | 2001-06-12 | 2002-12-18 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 제조 공정에서 사용되는 정전척 어셈블리 |
US20030075387A1 (en) * | 2001-10-22 | 2003-04-24 | Chung-Chiang Wang | Wafer loading device |
JP2005114805A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Taiheiyo Cement Corp | 光学系ミラー |
US7820495B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5255936B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及び基板載置台、並びにそれらを備えたプラズマ処理装置 |
KR101359070B1 (ko) * | 2009-03-03 | 2014-02-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 탑재대 구조, 성막 장치 및 원료 회수 방법 |
JP5482282B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2014-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び成膜装置 |
JP5071437B2 (ja) | 2009-05-18 | 2012-11-14 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法 |
JP2011064659A (ja) * | 2009-09-21 | 2011-03-31 | Tokyo Electron Ltd | プローブカードのクランプ機構及び検査装置 |
JP5719599B2 (ja) | 2011-01-07 | 2015-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
TWI571929B (zh) * | 2012-01-17 | 2017-02-21 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板載置台及電漿處理裝置 |
JP5905735B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2016-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板温度の設定可能帯域の変更方法 |
US10211046B2 (en) * | 2013-07-19 | 2019-02-19 | Applied Materials, Inc. | Substrate support ring for more uniform layer thickness |
US10804081B2 (en) * | 2013-12-20 | 2020-10-13 | Lam Research Corporation | Edge ring dimensioned to extend lifetime of elastomer seal in a plasma processing chamber |
CN105789010B (zh) * | 2014-12-24 | 2017-11-10 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及等离子体分布的调节方法 |
US20170263478A1 (en) * | 2015-01-16 | 2017-09-14 | Lam Research Corporation | Detection System for Tunable/Replaceable Edge Coupling Ring |
US10658222B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
CN106298638B (zh) * | 2015-06-11 | 2019-04-09 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 刻蚀形成硅通孔的方法 |
US10854492B2 (en) * | 2015-08-18 | 2020-12-01 | Lam Research Corporation | Edge ring assembly for improving feature profile tilting at extreme edge of wafer |
WO2017069238A1 (ja) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP7130359B2 (ja) * | 2016-12-05 | 2022-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP6812224B2 (ja) * | 2016-12-08 | 2021-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び載置台 |
KR102258054B1 (ko) * | 2017-07-24 | 2021-05-28 | 램 리써치 코포레이션 | 이동가능한 에지 링 설계들 |
JP7105666B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2022-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP7134104B2 (ja) * | 2019-01-09 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
US11501994B2 (en) | 2019-03-22 | 2022-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate processing apparatus including edge ring |
CN112563186A (zh) * | 2019-09-26 | 2021-03-26 | 东京毅力科创株式会社 | 基片支承器和等离子体处理装置 |
JP7412124B2 (ja) * | 2019-10-18 | 2024-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及びエッジリングを交換する方法 |
TW202137325A (zh) * | 2020-03-03 | 2021-10-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理系統及邊緣環的更換方法 |
TW202137326A (zh) * | 2020-03-03 | 2021-10-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板支持台、電漿處理系統及環狀構件之安裝方法 |
JP7454976B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2024-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法 |
JP7455012B2 (ja) * | 2020-07-07 | 2024-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
JP7534249B2 (ja) * | 2021-03-24 | 2024-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム及び環状部材の取り付け方法 |
-
2019
- 2019-01-09 JP JP2019001971A patent/JP7134104B2/ja active Active
- 2019-12-26 CN CN202410234075.XA patent/CN118073190A/zh active Pending
- 2019-12-26 CN CN202410234022.8A patent/CN118073189A/zh active Pending
- 2019-12-26 CN CN201911365022.7A patent/CN111430232B/zh active Active
- 2019-12-30 KR KR1020190178032A patent/KR102538183B1/ko active IP Right Grant
- 2019-12-31 TW TW112104090A patent/TWI834491B/zh active
- 2019-12-31 TW TW108148488A patent/TWI795621B/zh active
-
2020
- 2020-01-08 US US16/737,267 patent/US11501995B2/en active Active
-
2021
- 2021-09-07 JP JP2021145483A patent/JP7134319B2/ja active Active
-
2022
- 2022-08-30 JP JP2022136688A patent/JP7361856B2/ja active Active
- 2022-09-29 US US17/956,110 patent/US20230020793A1/en active Pending
-
2023
- 2023-05-22 KR KR1020230065404A patent/KR20230074458A/ko active Application Filing
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003257935A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2013042012A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置及び処理方法 |
JP2015050156A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及びプラズマ処理装置 |
JP2015062237A (ja) * | 2014-10-29 | 2015-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US20170213758A1 (en) * | 2016-01-26 | 2017-07-27 | Applied Materials, Inc. | Wafer edge ring lifting solution |
JP2019505088A (ja) * | 2016-01-26 | 2019-02-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ウェハエッジリングの持ち上げに関する解決 |
JP2019114790A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 移動可能及び取り外し可能なプロセスキット |
WO2020036613A1 (en) * | 2018-08-13 | 2020-02-20 | Lam Research Corporation | Replaceable and/or collapsible edge ring assemblies for plasma sheath tuning incorporating edge ring positioning and centering features |
KR20200043706A (ko) * | 2018-10-18 | 2020-04-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220111197A (ko) | 2021-02-01 | 2022-08-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 수납 용기 및 처리 시스템 |
JPWO2022172827A1 (ja) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | ||
WO2022172827A1 (ja) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び搬送方法 |
KR20230044020A (ko) | 2021-02-09 | 2023-03-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템 및 반송 방법 |
JP7293517B2 (ja) | 2021-02-09 | 2023-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び搬送方法 |
KR20240034250A (ko) | 2021-02-09 | 2024-03-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템 |
KR20230085867A (ko) | 2021-12-07 | 2023-06-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 지지대, 플라즈마 처리 장치 및 링의 교환 방법 |
WO2023127518A1 (ja) * | 2021-12-27 | 2023-07-06 | 三井金属鉱業株式会社 | シート固定装置、シート剥離装置及びシートの剥離方法 |
JPWO2023127518A1 (ja) * | 2021-12-27 | 2023-07-06 | ||
JP7406675B2 (ja) | 2021-12-27 | 2023-12-27 | 三井金属鉱業株式会社 | シート固定装置、シート剥離装置及びシートの剥離方法 |
KR20230165130A (ko) | 2022-05-26 | 2023-12-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 링 부재의 위치 맞춤 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7134104B2 (ja) | 2022-09-09 |
JP2022164770A (ja) | 2022-10-27 |
US20230020793A1 (en) | 2023-01-19 |
US20200219753A1 (en) | 2020-07-09 |
US11501995B2 (en) | 2022-11-15 |
JP7134319B2 (ja) | 2022-09-09 |
TW202042303A (zh) | 2020-11-16 |
CN111430232A (zh) | 2020-07-17 |
CN111430232B (zh) | 2024-03-22 |
CN118073189A (zh) | 2024-05-24 |
KR20200086626A (ko) | 2020-07-17 |
KR20230074458A (ko) | 2023-05-30 |
JP7361856B2 (ja) | 2023-10-16 |
KR102538183B1 (ko) | 2023-05-30 |
TWI834491B (zh) | 2024-03-01 |
CN118073190A (zh) | 2024-05-24 |
TWI795621B (zh) | 2023-03-11 |
JP2021192456A (ja) | 2021-12-16 |
TW202324597A (zh) | 2023-06-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210827 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210827 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220830 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7134104 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |