KR20230044020A - 기판 처리 시스템 및 반송 방법 - Google Patents

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KR20230044020A
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노리히코 아미쿠라
마사토모 기타
도시유키 마카베
신 마츠우라
노부타카 사사키
경 민 박
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 개시 내용의 기판 처리 시스템은 플라즈마 처리 모듈을 포함하며, 상기 플라즈마 처리 모듈은, 스테이지의 링 지지면 상에 배치되는 제1 링과, 상기 제1 링 상에 배치되며 상기 제1 링의 내경보다 작은 내경을 갖는 제2 링과, 상기 링 지지면의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제1 지지 핀과, 기판 지지면의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제2 지지 핀을 포함한다.
상기 기판 처리 시스템에 있어서, 컨트롤러는, 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 동시에 반송하는 동시 반송 모드와, 상기 제2 링을 단독으로 반송하는 단독 반송 모드를 선택적으로 실행한다
상기 동시 반송 모드에서는, 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 상기 복수 개의 제1 지지 핀에 의해 같이 들어올려 반송 로봇으로 건넨다.
상기 단독 반송 모드에서는, 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 상기 복수 개의 제1 지지 핀에 의해 같이 들어올리고, 이어서 상기 복수 개의 제2 지지 핀에 의해 반송 지그를 상기 제2 링의 높이보다 낮은 높이에서 지지하며, 그 후, 상기 복수 개의 제1 지지 핀을 하강시키고, 상기 복수 개의 제2 지지 핀에 의해 상기 반송 지그 및 상기 제2 링을 지지하여 같이 반송 로봇으로 건넨다.

Description

기판 처리 시스템 및 반송 방법
본 개시 내용은 기판 처리 시스템 및 반송 방법에 관한 것이다.
플라즈마 처리가 행해지는 처리 용기 내에 구비된 서셉터 상의 정전 척 상에 놓여진 웨이퍼 주위에 배치되는 에지 링 및 커버 링을 1계통의 리프터 핀으로 각각 승강시켜 하나의 부재씩 반송하는 기술이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본국 공개특허공보 특개2020-113603호 공보
본 개시 내용은 교환 시기가 서로 다른 소모 부재를 선택적으로 교환할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시 내용의 일 양태에 따른 기판 처리 시스템은, 진공 반송 모듈과, 상기 진공 반송 모듈에 접속되는 플라즈마 처리 모듈과, 컨트롤러를 구비하며, 상기 진공 반송 모듈은, 진공 반송 챔버와, 상기 진공 반송 챔버 내에 배치되는 반송 로봇을 포함하며, 상기 플라즈마 처리 모듈은, 플라즈마 처리 챔버와, 상기 플라즈마 처리 챔버 내에 배치되며 기판 지지면 및 링 지지면을 갖는 스테이지와, 상기 스테이지의 상기 링 지지면 상에 배치되는 제1 링과, 상기 스테이지의 상기 기판 지지면 상의 기판을 둘러싸도록 상기 제1 링 상에 배치되며 상기 제1 링의 내경보다 작은 내경을 갖는 제2 링과, 상기 링 지지면의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제1 지지 핀과, 상기 기판 지지면의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제2 지지 핀과, 상기 스테이지에 대해 상기 복수 개의 제1 지지 핀을 세로 방향으로 이동시키도록 구성되는 제1 액츄에이터와, 상기 스테이지에 대해 상기 복수 개의 제2 지지 핀을 세로 방향으로 이동시키도록 구성되는 제2 액츄에이터를 포함하며, 상기 컨트롤러는, 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 상기 반송 로봇으로 동시에 반송시키는 동시 반송 모드와, 상기 제2 링을 단독으로 상기 반송 로봇에 반송시키는 단독 반송 모드를 선택적으로 실행하도록 구성되며, 상기 동시 반송 모드는, 상기 제1 링 및 상기 제2 링이 상기 복수 개의 제1 지지 핀에 의해 같이 들어올려지도록 상기 복수 개의 제1 지지 핀을 상승시키는 단계와, 상기 복수 개의 제1 지지 핀이 상승된 상태에서 상기 복수 개의 제1지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 같이 건네는 단계를 포함하며, 상기 단독 반송 모드는, 상기 제1 링 및 상기 제2 링이 상기 복수 개의 제1 지지 핀에 의해 같이 들어올려지도록 상기 복수 개의 제1 지지 핀을 상승시키는 단계와, 반송 지그가 상기 복수 개의 제2 지지 핀에 의해 상기 제2 링의 높이보다 낮은 높이에서 지지되도록 상기 복수 개의 제2 지지 핀을 상승시키는 단계와, 상기 제2 링이 반송 지그에 의해 지지되는 한편으로 상기 제1 링이 상기 복수 개의 제1 지지 핀에 의해 지지된 상태에서 상기 반송 지그의 높이보다 낮은 위치까지 하강하도록 상기 복수 개의 제2 지지 핀을 하강시키는 단계와, 상기 복수 개의 제2 지지 핀이 상승된 상태에서 상기 복수 개의 제2 지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 상기 반송 지그 및 상기 제2 링을 같이 건네는 단계를 포함한다.
본 개시 내용에 의하면, 교환 시기가 서로 다른 소모 부재를 선택적으로 교환할 수 있다.
도 1은 실시 형태의 처리 시스템의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 프로세스 모듈을 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 도 2의 일부를 확대하여 나타내는 도면이다.
도 4는 수납 모듈의 일 예를 나타내는 정면 단면도이다.
도 5는 수납 모듈의 일 예를 나타내는 측면 단면도이다.
도 6은 반송 대상물을 홀딩하지 않은 상측 포크를 나타내는 개략 평면도이다.
도 7은 제1 조립체를 홀딩한 상측 포크를 나타내는 개략 평면도이다.
도 8은 제2 조립체를 홀딩한 상측 포크를 나타내는 개략 평면도이다.
도 9는 반송 지그만을 홀딩한 상측 포크를 나타내는 개략 평면도이다.
도 10은 수납 모듈 내 카세트의 일 예를 나타내는 개략 사시도이다.
도 11a는 에지 링의 위치 결정 기구의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 11b는 에지 링의 위치 결정 기구의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 11c는 에지 링의 위치 결정 기구의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 12a는 커버 링의 위치 결정 기구의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 12b는 커버 링의 위치 결정 기구의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 12c는 커버 링의 위치 결정 기구의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 13a는 에지 링 및 커버 링의 위치 결정 기구의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 13b는 에지 링 및 커버 링의 위치 결정 기구의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 13c는 에지 링 및 커버 링의 위치 결정 기구의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 14는 카세트에 수납되는 제2 조립체의 일 예를 나타내는 개략 평면도이다.
도 15는 카세트에 수납되는 측정 지그의 일 예를 나타내는 개략 평면도이다.
도 16은 수납 모듈 내 카세트의 다른 일 예를 나타내는 개략 사시도이다.
도 17a는 에지 링 및 커버 링이 탑재된 정전 척을 나타내는 개략도이다.
도 17b는 에지 링 및 커버 링이 탑재된 정전 척을 나타내는 개략도이다.
도 18a는 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 18b는 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 18c는 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 18d는 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 19a는 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 19b는 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 19c는 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 19d는 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 20a는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 20b는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 20c는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 20d는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 21a는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 21b는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 21c는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 21d는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 22a는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 22b는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 22c는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 22d는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 23a는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 23b는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 23c는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 23d는 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 24는 실시형태의 소모 부재 교환 방법의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 25는 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 26은 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 27은 실시형태의 소모 부재 교환 방법의 다른 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 28은 단독 반송 모드의 다른 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 29는 실시형태의 제1 변형예에 따른 프로세스 모듈을 나타내는 개략 단면도이다.
도 30은 제1 변형예의 동시 반송 모드에서의 리프터 상태를 나타내는 도면이다.
도 31은 제1 변형예의 단독 반송 모드에서의 리프터 상태를 나타내는 도면이다.
도 32는 실시형태의 제2 변형예에 따른 프로세스 모듈을 나타내는 개략 단면도이다.
도 33a는 제2 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 33b는 제2 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 33c는 제2 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 34a는 제2 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 34b는 제2 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 34c는 제2 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 35a는 제2 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 35b는 제2 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 35c는 제2 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 36a는 제2 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 36b는 제2 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 36c는 제2 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 37a는 제2 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 37b는 제2 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 37c는 제2 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 37d는 제2 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 38a는 제2 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 38b는 제2 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 38c는 제2 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 38d는 제2 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 39는 실시형태의 제3 변형예에 따른 프로세스 모듈을 나타내는 개략 단면도이다.
도 40a는 제3 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 40b는 제3 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 41a는 제3 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 41b는 제3 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 42a는 제3 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 42b는 제3 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 43a는 제3 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 43b는 제3 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 44a는 제3 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 44b는 제3 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 45a는 제3 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 45b는 제3 변형예의 동시 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 46a는 제3 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 46b는 제3 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 47a는 제3 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 47b는 제3 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 48a는 제3 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 48b는 제3 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 49a는 제3 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 49b는 제3 변형예의 단독 반송 모드의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
이하에서는, 첨부 도면을 참조하여 본 개시 내용의 비한정적 예시인 실시형태에 대해 설명한다. 첨부된 도면 전체에서 동일 또는 대응하는 부재나 부품에 대해서는 동일 또는 대응하는 참조 부호를 붙이며 중복되는 설명을 생략한다.
[처리 시스템]
도 1을 참조하여 실시형태의 처리 시스템의 일 예에 대해 설명한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 처리 시스템(PS)은 기판에 대해 플라즈마 등의 각종 처리를 행할 수 있는 시스템이다. 기판은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼일 수 있다.
처리 시스템(PS)은 진공 반송 모듈(TM1,TM2), 프로세스 모듈(PM1~PM12), 로드 록 모듈(LL1,LL2), 대기 반송 모듈(LM), 수납 모듈(SM) 등을 구비한다.
진공 반송 모듈(TM1,TM2)은 평면시(平面視)로 보았을 때에 각각 대략 사각 형상을 나타낸다. 진공 반송 모듈(TM1)은 서로 대향하는 2개의 측면에 프로세스 모듈(PM1~PM6)이 접속되어 있다. 진공 반송 모듈(TM1)의 서로 다른 대향하는 2개의 측면 중에서 한쪽 측면에는 로드 록 모듈(LL1,LL2)이 접속되며, 다른쪽 측면에는 진공 반송 모듈(TM2)에 접속시키기 위한 버스(미도시)가 접속되어 있다. 진공 반송 모듈(TM1)에 있어 로드 록 모듈(LL1,LL2)이 접속되는 측면은 2개의 로드 록 모듈(LL1,LL2)에 따라서 각도가 부여되어 있다. 진공 반송 모듈(TM2)은 서로 대향하는 2개의 측면에 프로세스 모듈(PM7~PM12)이 접속되어 있다. 진공 반송 모듈(TM2)에 있어 다른 대향하는 2개의 측면 중에서 한쪽 측면에는 진공 반송 모듈(TM1)에 접속시키기 위한 버스(미도시)가 접속되며, 다른쪽 측면에는 수납 모듈(SM)이 접속되어 있다. 진공 반송 모듈(TM1,TM2)은 진공실(진공 반송 챔버)을 구비하며, 내부에 각각 반송 로봇(TR1,TR2)이 배치되어 있다.
반송 로봇(TR1,TR2)은 자유롭게 선회, 신축, 승강할 수 있도록 구성되어 있다. 반송 로봇(TR1)은 선단에 배치된 상측 포크(제1 포크, FK11) 및 하측 포크(제2 포크, FK12)에 의해 기판 및 소모 부재를 홀딩하여 반송한다. 도 1의 예에서는, 반송 로봇(TR1)은 상측 포크(FK11) 및 하측 포크(FK12)에 의해 기판 및 소모 부재를 홀딩하여 로드 록 모듈(LL1,LL2), 프로세스 모듈(PM1~PM6), 버스(미도시) 간에 기판 및 소모 부재를 반송한다. 반송 로봇(TR2)은 선단에 배치된 상측 포크(FK21) 및 하측 포크(FK22)에 의해 기판 및 소모 부재를 홀딩하여 반송한다. 도 1의 예에서는, 반송 로봇(TR2)은 상측 포크(FK21) 및 하측 포크(FK22)에 의해 기판 및 소모 부재를 홀딩하여 프로세스 모듈(PM7~PM12), 수납 모듈(SM), 버스(미도시) 간에 기판 및 소모 부재를 반송한다. 소모 부재는 교환 가능하도록 프로세스 모듈(PM1~PM12) 내에 설치되는 부재로서, 프로세스 모듈(PM1~PM12) 내에서 플라즈마 처리 등의 각종 처리가 행해짐으로써 소모되는 부재이다. 소모 부재는, 예를 들어, 후술하는 에지 링(FR), 커버 링(CR), 상부 전극(12)의 천정판(121)을 포함한다.
프로세스 모듈(PM1~PM12)은 처리실(플라즈마 처리 챔버)을 구비하며, 내부에 배치된 스테이지(탑재대)를 갖는다. 프로세스 모듈(PM1~PM12)은, 스테이지에 기판이 탑재된 후에, 내압을 감압하여 처리 가스를 도입하고 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 생성하며, 플라즈마에 의해 기판에 대해 플라즈마 처리를 행한다. 진공 반송 모듈(TM1,TM2)과 프로세스 모듈(PM1~PM12)은 자유롭게 개폐되는 게이트 밸브(G1)에 의해 구획되어 있다. 스테이지에는 에지 링(FR), 커버 링(CR) 등이 배치된다. 스테이지에 대향하는 상부에는 RF 전력을 인가하기 위한 상부 전극(12)이 배치된다.
로드 록 모듈(LL1,LL2)은 진공 반송 모듈(TM1)과 대기 반송 모듈(LM) 사이에 배치되어 있다. 로드 록 모듈(LL1,LL2)은 내부를 진공과 대기압으로 스위칭할 수 있는 내압 가변실을 구비한다. 로드 록 모듈(LL1,LL2)은 내부에 배치된 스테이지를 갖는다. 로드 록 모듈(LL1,LL2)은 기판을 대기 반송 모듈(LM)에서부터 진공 반송 모듈(TM1)로 반입할 때에 내부를 대기압으로 유지하고서 대기 반송 모듈(LM)로부터 기판을 수취하며, 내부를 감압하여 기판을 진공 반송 모듈(TM1)로 반입한다. 로드 록 모듈(LL1,LL2)은, 기판을 진공 반송 모듈(TM1)에서부터 대기 반송 모듈(LM)로 반출할 때에, 내부를 진공으로 유지하고서 진공 반송 모듈(TM1)로부터 기판을 수취하고, 내부를 대기압으로 승압시켜 기판을 대기 반송 모듈(LM)로 반입한다. 로드 록 모듈(LL1,LL2)과 진공 반송 모듈(TM1)은 자유롭게 개폐 가능한 게이트 밸브(G2)에 의해 구획되어 있다. 로드 록 모듈(LL1,LL2)과 대기 반송 모듈(LM)은 자유롭게 개폐 가능한 게이트 밸브(G3)에 의해 구획되어 있다.
대기 반송 모듈(LM)은 진공 반송 모듈(TM1)에 대향하도록 배치되어 있다. 대기 반송 모듈(LM)은, 예를 들어, EFEM(Equipment Front End Module)일 수 있다. 대기 반송 모듈(LM)은 직방체 형상이고, FFU(Fan Filter Unit)를 구비하여 대기압 분위기로 되는 대기 반송실이다. 대기 반송 모듈(LM)의 길이 방향에 따른 일 측면에는, 2개의 로드 록 모듈(LL1,LL2)이 접속되어 있다. 대기 반송 모듈(LM)의 길이 방향에 따른 다른 측면에는, 로드 포트(LP1~LP5)가 접속되어 있다. 로드 포트(LP1~LP5)에는 복수 개(예를 들어, 25개)의 기판을 수용하는 용기(미도시)가 탑재된다. 용기는, 예를 들어, FOUP(Front-Opening Unified Pod)일 수 있다. 대기 반송 모듈(LM) 내에는 기판을 반송하는 반송 로봇(미도시)이 배치되어 있다. 반송 로봇은 FOUP 내부와 로드 록 모듈(LL1,LL2)의 내압 가변실 내부 간에 기판을 반송한다.
수납 모듈(SM)은 진공 반송 모듈(TM2)에 대해 탈착 가능하도록 접속되어 있다. 수납 모듈(SM)은 수납실을 구비하며 소모 부재를 수납한다. 수납 모듈(SM)은, 예를 들어, 프로세스 모듈(PM1~PM12) 내 소모 부재를 교환할 때에 진공 반송 모듈(TM2)에 접속되며, 소모 부재의 교환이 완료된 후에는 진공 반송 모듈(TM2)로부터 탈거된다. 이로써, 처리 시스템(PS) 주변의 영역을 유효하게 활용할 수 있다. 다만, 수납 모듈(SM)은 상시 진공 반송 모듈(TM2)에 접속되어 있을 수도 있다. 수납 모듈(SM)은 수납실에 수납된 소모 부재의 위치를 검출하는 위치 검출 센서를 갖는다. 소모 부재는 반송 로봇(TR1,TR2)에 의해 프로세스 모듈(PM1~PM12)과 수납 모듈(SM) 간에 반송된다. 진공 반송 모듈(TM2)과 수납 모듈(SM)은 자유롭게 개폐 가능한 게이트 밸브(G4)에 의해 구획되어 있다.
처리 시스템(PS)에는 제어부(CU)가 구비되어 있다. 제어부(CU)는 처리 시스템의 각 부, 예를 들어, 진공 반송 모듈(TM1,TM2)에 구비된 반송 로봇(TR1,TR2), 대기 반송 모듈(LM)에 구비된 반송 로봇, 게이트 밸브(G1~G4)를 제어한다. 예를 들어, 제어부(CU)는 반송 로봇(TR1,TR2)으로 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 동시에 반송시키는 동시 반송 모드와, 반송 로봇(TR1,TR2)으로 에지 링(FR)만을 반송시키는 단독 반송 모드를 선택하도록 구성된다. 동시 반송 모드 및 단독 반송 모드에 대해서는 후술한다. 일 예에서, 제어부(CU)는 동시 반송 모드보다는 단독 반송 모드를 높은 빈도로 실시한다.
제어부(CU)는, 예를 들어, 컴퓨터일 수 있다. 제어부(CU)는 CPU(Central Processing Unit), RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), 보조 기억 장치 등을 구비한다. CPU는 ROM 또는 보조 기억 장치에 저장된 프로그램에 따라 동작하며 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어한다.
[플라즈마 처리 장치]
도 2 및 도 3을 참조하여, 도 1의 처리 시스템(PS)이 구비하는 프로세스 모듈(PM1~PM12)로서 사용되는 플라즈마 처리 장치의 일 예에 대해 설명한다.
플라즈마 처리 장치(1)는 플라즈마 처리 챔버(10), 가스 공급부(20), RF 전력 공급부(30), 배기 시스템(40), 리프터(50), 제어부(90)를 포함한다.
플라즈마 처리 챔버(10)는 기판 지지부(11) 및 상부 전극(12)을 포함한다. 기판 지지부(11)는 플라즈마 처리 챔버(10) 내 플라즈마 처리 공간(10s)의 하부 영역에 배치된다. 상부 전극(12)은 기판 지지부(11)의 윗쪽에 배치되며 플라즈마 처리 챔버(10)의 천정판의 일부로서 기능할 수 있다.
기판 지지부(11)는 플라즈마 처리 공간(10s)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부(11)는 하부 전극(111), 정전 척(112), 링 어셈블리(113), 절연체(115), 베이스(116)를 포함한다. 정전 척(112)은 하부 전극(111) 상에 배치되어 있다.
정전 척(112)은 기판 지지면(112a) 및 링 지지면(112b)을 포함하는 상면을 가진다. 정전 척(112)은 기판 지지면(112a)에서 기판(W)을 지지한다. 정전 척(112)은 링 지지면(112b)에서 에지 링(FR)을 지지한다. 정전 척(112)은 절연재(112c), 제1 흡착 전극(112d), 제2 흡착 전극(112e)을 구비한다. 제1 흡착 전극(112d) 및 제2 흡착 전극(112e)은 절연재(112c)에 임베딩되어 있다. 제1 흡착 전극(112d)은 기판 지지면(112a)의 아랫쪽에 위치한다. 정전 척(112)은 제1 흡착 전극(112d)에 전압을 인가함으로써 기판 지지면(112a) 상에 기판(W)을 흡착 홀딩한다. 제2 흡착 전극(112e)은 링 지지면(112b)의 아랫쪽에 위치한다. 정전 척(112)은 제2 흡착 전극(112e)에 전압을 인가함으로써 링 지지면(112b) 상에 에지 링(112)을 흡착 홀딩한다. 도 2 및 도 3의 예에서 정전 척(112)은 기판(W)을 흡착 홀딩하는 단극형 정전 척과, 에지 링(FR)을 흡착 홀딩하는 쌍극형 정전 척을 포함한다. 단, 단극형 정전 척 대신에 쌍극형 정전 척을 사용할 수도 있고, 쌍극형 정전 척 대신에 단극형 정전 척을 사용할 수도 있다.
링 어셈블리(113)는 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 포함한다. 에지 링(FR)은 제2 링의 일 예이다. 에지 링(FR)은 고리 형상으로 되어 있으며 하부 전극(111)의 둘레 가장자리부 상면에서 기판(W) 주위에 배치되어 있다. 에지 링(FR)은 기판(W)에 대한 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킨다. 에지 링(FR)은, 예를 들어, 규소(Si), 탄화규소(SiC) 등과 같은 도전성 재료에 의해 형성된다. 커버 링(CR)은 제1 링의 일 예이다. 커버 링(CR)은 고리 형상으로 되어 있으며, 에지 링(FR)의 바깥 둘레부에 배치되어 있다. 커버 링(CR)은, 예를 들어, 절연체(115) 상면을 플라즈마로부터 보호한다. 커버 링(CR)은, 예를 들어, 석영 등의 절연 재료에 의해 형성된다. 도 2의 예에서는, 커버 링(CR)의 내주부가 에지 링(FR)의 외주부보다 안쪽에 있고, 에지 링(FR)의 외주부가 커버 링(CR)의 내주부보다 바깥쪽에 있는 바, 에지 링(FR)과 커버 링(CR)이 일부 중복된다. 그리하여, 커버 링(CR)의 내주부에 에지 링(FR)의 외주부가 탑재되어 있다. 이로써, 후술하는 복수 개의 지지 핀(521)이 승강하면, 커버 링(CR)과 에지 링(FR)이 일체로서 승강한다. 절연체(115)는 베이스(116) 상에서 하부 전극(111)을 둘러싸도록 배치된다. 베이스(116)는 플라즈마 처리 챔버(10)의 바닥부에 고정되며 하부 전극(111) 및 절연체(115)를 지지한다.
상부 전극(12)은 절연 부재(13)와 함께 플라즈마 처리 챔버(10)를 구성한다. 상부 전극(12)은 가스 공급부(20)로부터 하나 이상의 종류의 처리 가스를 플라즈마 처리 공간(10s)에 공급한다. 상부 전극(12)은 천정판(121) 및 지지체(122)를 포함한다. 천정판(121)의 하면은 플라즈마 처리 공간(10s)을 구휙한다. 천정판(121)에는 복수 개의 가스 도입구(121a)가 형성되어 있다. 복수 개의 가스 도입구(121a) 각각은 천정판(121)의 막두께 방향(연직 방향)으로 관통한다. 지지체(122)는 천정판(121)을 자유롭게 탈착 가능하도록 지지한다. 지지체(122)의 내부에는 가스 확산실(122a)이 구비되어 있다. 가스 확산실(122a)로부터는 복수 개의 가스 도입구(122b)가 아랫쪽으로 연장되어 있다. 복수 개의 가스 도입구(122b)는 복수 개의 가스 도입구(121a)에 각각 연통된다. 지지체(122)에는 가스 공급구(122c)가 형성되어 있다. 상부 전극(12)은 하나 이상의 처리 가스를 가스 공급구(122c)로부터 가스 확산실(122a), 복수 개의 가스 도입구(122b), 복수 개의 가스 도입구(121a)을 거쳐 플라즈마 처리 공간(10s)으로 공급한다.
플라즈마 처리 챔버(10)의 측벽에는 반출입구(10p)가 형성되어 있다. 기판(W)은 반출입구(10p)를 통해 플라즈마 처리 공간(10s)과 플라즈마 처리 챔버(10)의 외부 간에 반송된다. 반출입구(10p)는 게이트 밸브(G1)에 의해 개폐된다.
가스 공급부(20)는 하나 이상의 가스원(21)과, 하나 이상의 유량 제어기(22)를 포함한다. 가스 공급부(20)는 하나 이상의 종류의 처리 가스를 각각의 가스원(21)으로부터 각각의 유량 제어기(22)를 통해 가스 공급구(122c)에 공급한다. 유량 제어기(22)는, 예를 들어, 매스 플로우 컨트롤러 또는 압력 제어식의 유량 제어기를 포함할 수 있다. 또한, 가스 공급부(20)는 하나 이상의 처리 가스의 유량을 변조 또는 펄스화하는 하나 이상의 유량 변조 디바이스를 포함할 수도 있다.
RF 전력 공급부(30)는 2개의 RF 전원(제1 RF 전원(31a), 제2 RF 전원(31b)) 및 2개의 정합기(제1 정합기(32a), 제2 정합기(32b))를 구비한다. 제1 RF 전원(31a)은 제1 RF 전력을 제1 정합기(32a)를 통해 하부 전극(111)으로 공급한다. 제1 RF 전력의 주파수는, 예를 들어, 13MHz~150MHz일 수 있다. 제2 RF 전원(31b)은 제2 RF 전력을 제2 정합기(32b)를 통해 하부 전극(111)으로 공급한다. 제2 RF 전력의 주파수는, 예를 들어, 400kHz~13.56MHz일 수 있다. 한편, 제2 RF 전원(31b) 대신에 DC 전원을 사용할 수도 있다.
배기 시스템(40)은, 예를 들어, 플라즈마 처리 챔버(10)의 바닥부에 구비된 가스 배기구(10e)에 접속될 수 있다. 배기 시스템(40)은 압력 조정 밸브 및 진공 펌프를 포함할 수 있다. 압력 조정 밸브에 의해 플라즈마 처리 공간(10s) 내 압력이 조정된다. 진공 펌프는 터보 분자 펌프, 드라이 펌프, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
리프터(50)는 기판(W), 에지 링(FR), 커버 링(CR)을 승강시킨다. 리프터(50)는 제1 리프터(51) 및 제2 리프터(52)를 포함한다.
제1 리프터(51)는 복수 개의 지지 핀(511) 및 액츄에이터(512)를 포함한다. 복수 개의 지지 핀(511)은 하부 전극(111) 및 정전 척(112)에 형성된 관통 구멍(H1)에 삽통되어 정전 척(112) 상면에 대해 돌출/함몰 가능하도록 되어 있다. 복수 개의 지지 핀(511)은 정전 척(112) 상면에 대해 돌출함으로써 상단을 기판(W) 하면에 맞닿게 하여 기판(W)을 지지한다. 액츄에이터(512)는 복수 개의 지지 핀(511)을 승강시킨다. 액츄에이터(512)로는, 예를 들어, DC 모터, 스텝 모터, 리니어 모터 등과 같은 모터, 에어 실린더 등과 같은 에어 구동 기구 등, 그리고 피에조 액츄에이터를 사용할 수 있다. 이러한 제1 리프터(51)는, 예를 들어, 반송 로봇(TR1,TR2)과 기판 지지부(11) 사이에서 기판(W)을 건네줄 때에 복수 개의 지지 핀(511)을 승강시킨다.
제2 리프터(52)는 복수 개의 지지 핀(521) 및 액츄에이터(522)를 포함한다. 복수 개의 지지 핀(521)은 절연체(115)에 형성된 관통 구멍(H2)에 삽통되어 절연체(115) 상면에 대해 돌출/함몰 가능하도록 되어 있다. 복수 개의 지지 핀(521)은 절연체(115) 상면에 대해 돌출함으로써 상단을 커버 링(CR) 하면에 맞닿게 하여 커버 링(CR)을 지지한다. 액츄에이터(522)는 복수 개의 지지 핀(521)을 승강시킨다. 액츄에이터(522)로는, 예를 들어, 액츄에이터(512)와 마찬가지의 것을 사용할 수 있다. 이러한 제2 리프터(52)는, 예를 들어, 반송 로봇(TR1,TR2)과 기판 지지부(11) 사이에서 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 건네줄 때에 복수 개의 지지 핀(521)을 승강시킨다. 도 2의 예에서는, 커버 링(CR)의 내주부에 에지 링(FR)의 외주부가 탑재되어 있다. 이로써, 액츄에이터(522)가 복수 개의 지지 핀(521)을 승강시키면, 커버 링(CR)과 에지 링(FR)이 일체로서 승강한다.
제어부(90)는 플라즈마 처리 장치(1)의 각 부를 제어한다. 제어부(90)는, 예를 들어, 컴퓨터(91)를 포함한다. 컴퓨터(91)는, 예를 들어, CPU(911), 기억부(912), 통신 인터페이스(913) 등을 포함한다. CPU(911)는 기억부(912)에 저장된 프로그램에 기초하여 여러 제어 동작을 실행하도록 구성될 수 있다. 기억부(912)는 RAM, ROM, HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid State Drive) 등과 같은 보조 기억 장치로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 메모리 타입을 포함한다. 통신 인터페이스(913)는 LAN(Local Area Network) 등의 통신 회선을 통해 플라즈마 처리 장치(1)와 통신을 행할 수 있다. 제어부(90)는 제어부(CU)와는 별도로 구비될 수도 있으며 제어부(CU)에 포함될 수도 있다.
[수납 모듈]
도 4 및 도 5를 참조하여, 도 1의 처리 시스템(PS)이 구비하는 수납 모듈(SM)의 일 예에 대해 설명한다.
수납 모듈(SM)은 프레임(60) 상에 챔버(70)가 설치되며, 챔버(70)의 상부에 기계실(81)이 구비된다. 챔버(70)는 바닥부에 구비된 배기구(71)에 접속된 배기부(72)에 의해 내부가 감압될 수 있다. 또한, 챔버(70)에는 퍼지 가스로서, 예를 들어, N2 가스가 공급된다. 이로써 챔버(70) 안을 압력 조절할 수 있다. 기계실(81)은, 예를 들어, 대기압 분위기일 수 있다.
챔버(70) 안에는, 스테이지(73)와 스테이지(73) 하부에 구비된 바스켓(74)을 갖는 스토리지(75)가 설치되어 있다. 스토리지(75)는 볼 나사(76)에 의해 승강 가능하도록 되어 있다. 기계실(81) 안에는, 소모 부재의 위치, 방향 등을 검출하는 라인 센서(82)와, 볼 나사(76)를 구동하는 모터(77)가 설치되어 있다. 챔버(70)와 기계실(81) 사이에는, 라인 센서(82)가 후술하는 발광부(83)의 광을 수광할 수 있도록 석영 등으로 구성되는 윈도우(84)가 구비되어 있다.
스테이지(73)는 소모 부재를 탑재한다. 스테이지(73)는 라인 센서(82)에 대향하는 발광부(83)를 구비한다. 스테이지(73)는 θ방향으로 회전 가능한 바, 탑재한 소모 부재, 예를 들어 에지 링(FR)을 소정 방향으로 회전시킨다. 즉, 스테이지(73)는 에지 링(FR)의 얼라인먼트(위치 맞춤)을 행한다. 위치 맞춤할 때에는, 에지 링(FR)의 오리엔테이션 플랫(OF)을 소정 방향에 맞춘다. 또한, 위치 맞춤할 때에는, 에지 링(FR)의 중심 위치를 맞추도록 할 수도 있다.
라인 센서(82)는 발광부(83)로부터 조사된 광의 광량을 검출하여, 검출된 광량을 제어부(CU)에 출력한다. 제어부(CU)는 검출된 광량이 에지 링(FR)의 오리엔테이션 플랫 유무에 따라 다름을 이용하여 에지 링(FR)의 오리엔테이션 플랫을 검출한다. 제어부(CU)는 검출한 오리엔테이션 플랫에 기초하여 에지 링(FR)의 방향을 검출한다. 라인 센서(82)는, 예를 들어, CCD(Charge Coupled Device), CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 등과 같은 라인 센서이다.
바스켓(74)은 스테이지(73)의 하부에 구비되어 있다. 바스켓(74) 내부에는 카세트(78)가 탑재된다. 카세트(78)는 바스켓(74)에서 꺼낼 수 있는 수납 용기이다. 카세트(78)는 상하 방향으로 간격을 가지며 복수 개의 소모 부재를 수납한다. 도 4의 예에서, 카세트(78)에는 복수 개의 에지 링(FR)이 수납되어 있다. 카세트(78)는 수납 모듈(SM)의 정면쪽이 개방되어 있다. 한편, 카세트(78)에 대해 자세하게는 후술한다.
스토리지(75)는 스테이지(73) 및 바스켓(74)에 더해, 볼 나사(76)에 의해 지지되는 가이드(79)를 측면에 구비한다. 볼 나사(76)는 챔버(70)의 상면과 하면을 연결하는데, 챔버(70)의 상면을 관통하여 기계실(81) 내 모터(77)에 접속되어 있다. 챔버(70) 상면의 관통부에는 볼 나사(76)가 회전 가능하도록 하여 밀봉되어 있다. 볼 나사(76)는 모터(77)에 의해 회전함으로써, 스토리지(75)를 상하 방향(Z축 방향)으로 이동시킬 수 있다.
수납 모듈(SM)은 게이트 밸브(G4)를 사이에 두고 진공 반송 모듈(TM2)에 탈착 가능하도록 접속된다. 챔버(70)에는, 게이트 밸브(G4)를 사이에 두고 진공 반송 모듈(TM2)의 반송 로봇(TR2)의 상측 포크(FK21) 및 하측 포크(FK22)를 삽입할 수 있게 되어 있다. 상측 포크(FK21) 및 하측 포크(FK22)는, 예를 들어, 에지 링(FR)을 카세트(78) 안으로 반입하고, 카세트(78) 내에 탑재된 에지 링(FR)을 반출하며, 에지 링(FR)을 스테이지(73)에 탑재하며, 스테이지(73)에 탑재된 에지 링(FR)을 취득한다. 도어(80)는 예를 들어, 챔버(70) 안에서부터 카세트(78)를 꺼낼 때, 챔버(70) 내에 카세트(78)를 설치할 때에 개폐된다.
발광부(85) 및 갯수 검지 센서(86)는, 스토리지(75)가 카세트(78)를 챔버(70)의 바닥면 쪽에서부터 게이트 밸브(G4)에 대향하는 위치 등의 상부에까지 이동시키는 경우, 카세트(78)에 탑재된 에지 링(FR)의 갯수를 검지한다. 발광부(85)는, 예를 들어, LED(Light Emitting Diode), 반도체 레이저 등이다. 갯수 검지 센서(86)는 발광부(85)에서 조사(照射)된 광의 광량을 검출하며, 검출된 광량을 제어부(CU)로 출력한다. 제어부(CU)는 검출된 광량에 기초하여 발광부(85)로부터 조사된 광이 에지 링(FR)에 의해 차단된 횟수를 계측함으로써, 에지 링(FR)의 갯수를 검지한다. 갯수 검지 센서(86)는, 예를 들어, 포토다이오드, 포토트랜지스터 등이다. 또한, 갯수 검지 센서(86)는, 예를 들어, CCD, CMOS 등과 같은 라인 센서일 수도 있다.
한편, 상기의 예에서는 제어부(CU)가 수납 모듈(SM) 내 라인 센서(82)에 의해 검출된 광량에 기초하여 에지 링(FR)의 위치 정보를 산출하는 경우를 설명하였으나, 본 개시 내용이 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 에지 링(FR)의 내주 위치를 검출하는 내주 센서와, 에지 링(FR)의 외주 위치를 검출하는 외주 센서를 포함하는 위치 검출 센서를 사용할 수도 있다. 이 경우, 제어부(CU)는 내주 센서가 검출한 에지 링(FR)의 내주 위치 및 외주 센서가 검출한 에지 링(FR)의 외주 위치에 기초하여 에지 링(FR)의 위치 정보를 산출한다. 또한, 예를 들어, 라인 센서(82) 대신에 다른 광학적 센서 또는 카메라를 사용할 수도 있다. 이 경우, 제어부(CU)는 카메라가 촬영한 화상에 기초하여, 예를 들어, 화상 처리 기술을 이용함으로써 에지 링(FR)의 위치 정보를 산출한다.
[반송 로봇]
도 6 내지 도 9를 참조하여, 반송 로봇(TR2)의 상측 포크(FK21)에 대해 설명한다. 한편, 반송 로봇(TR2)의 하측 포크(FK22)에 대해서도 상측 포크(FK21)와 같은 구성일 수 있다. 또한, 반송 로봇(TR1)의 상측 포크(FK11) 및 하측 포크(FK12)에 대해서도, 반송 로봇(TR2)의 상측 포크(FK21)와 같은 구성일 수 있다.
도 6은 반송 대상물을 홀딩하지 않은 상측 포크(FK21)를 나타내는 개략 평면도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 상측 포크(FK21)는 평면시(平面視)로 보았을 때에 대략 U자 형상을 가진다. 상측 포크(FK21)는, 예를 들어, 기판(W), 반송 지그(CJ), 에지 링(FR), 커버 링(CR), 제1 조립체(A1), 제2 조립체(A2)를 홀딩할 수 있도록 구성된다.
반송 지그(CJ)는 에지 링(FR)을 아랫쪽에서 지지하는 지그이며, 에지 링(FR)만을 교환하는 경우에 사용될 수 있다. 반송 지그(CJ)는 커버 링(CR)을 지지하지 않고 에지 링(FR)만을 지지할 수 있도록 구성되어 있다. 예를 들어, 반송 지그(CJ)는 에지 링(FR)의 내경보다 길면서 또한 커버 링(CR)의 내경보다는 짧은 부분을 갖는 판형 부재이다. 구체적으로, 반송 지그(CJ)는, 평면시로 보았을 때에, 에지 링(FR)의 내경보다 길면서 또한 커버 링의 내경보다는 짧은 대각선을 갖는 대략 사각 형상의 판형 부재이다. 또한, 반송 지그(CJ)는 에지 링(FR)의 내경보다 길면서 또한 커버 링(CR)의 내경보다는 짧은 직경을 갖는 원판 형상의 부재일 수 있다.
제1 조립체(A1)는 커버 링(CR) 상에 에지 링(FR)이 탑재됨으로써 에지 링(FR)과 커버 링(CR)이 일체로 된 조립체이다.
제2 조립체(A2)는 반송 지그(CJ) 상에 에지 링(FR)이 탑재됨으로써 반송 지그(CJ)와 에지 링(FR)이 일체로 된 조립체이다.
도 7은 제1 조립체(A1)(에지 링(FR) 및 커버 링(CR))를 홀딩한 상태의 상측 포크(FK21)를 나타내는 개략 평면도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 상측 포크(FK21)는 제1 조립체(A1)를 홀딩할 수 있도록 구성되어 있다. 이로써, 반송 로봇(TR2)은 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 동시에 반송할 수 있다.
도 8은 제2 조립체(A2)(반송 지그(CJ) 및 에지 링(FR))를 홀딩한 상태의 상측 포크(FK21)를 나타내는 개략 평면도이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 상측 포크(FK21)는 제2 조립체(A2)를 홀딩할 수 있도록 구성되어 있다. 이로써, 반송 로봇(TR2)은 반송 지그(CJ)와 에지 링(FR)을 동시에 반송할 수 있다.
도 9는 반송 지그(CJ)만을 홀딩한 상태의 상측 포크(FK21)를 나타내는 개략 평면도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 상측 포크(FK21)는 에지 링(FR)을 지지하지 않는 반송 지그(CJ)를 홀딩할 수 있도록 구성되어 있다. 이로써, 반송 로봇(TR2)은 반송 지그(CJ)를 단독으로 반송할 수 있다.
[카세트]
도 10을 또한 참조하여, 수납 모듈(SM)이 구비하는 카세트(78)의 일 예로서, 에지 링(FR)을 수납하는 카세트(58)에 대해 설명한다. 도 10은 수납 모듈(SM) 내 카세트(78)의 일 예를 나타내는 개략 사시도이다. 한편, 도 10에서는 에지 링(FR)이 수납되지 않은 상태의 카세트(78)를 나타낸다.
카세트(78)는 에지 링(FR)을 수납한다. 카세트(78)는 복수 개의 베이스 플레이트(781) 및 복수 개의 가이드 핀(782)을 구비한다.
복수 개의 베이스 플레이트(781)는 상하 방향으로 다단 구비되어 있다. 복수 개의 베이스 플레이트(781)는 에지 링(FR)을 탑재한다. 각 베이스 플레이트(781)는 대략 사각 형상을 가진다. 각 베이스 플레이트(781)는 예를 들어 수지, 금속에 의해 형성되어 있다. 각 베이스 플레이트(781)는 탑재면(781a), 바깥 프레임부(781b), 포크 삽입홈(781c)을 포함한다.
탑재면(781a)은 에지 링(FR)을 탑재한다.
바깥 프레임부(781b, 오목부)는 탑재면(781a)의 4변 중 상측 포크(FK21) 및 하측 포크(FK22)가 삽입되는 정면쪽 한 변을 제외한 3변의 외주부에 있어 탑재면(781a)으로부터 윗쪽으로 돌출한다. 당해 바깥 프레임부(781b) 상에는 다른 베이스 플레이트(781)가 탑재된다.
포크 삽입홈(781c)은 탑재면(781a)에 형성되어 있다. 포크 삽입홈(781c)은 탑재면(781a)에 대해 움푹 들어가 있으며, 상면시(上面視)로 보았을 때에 대략 U자 형상으로 되어 있다. 포크 삽입홈(781c)에는 반송 로봇(TR2)의 상측 포크(FK21) 또는 하측 포크(FK22)가 삽입된다. 일 예에서는, 탑재면(781a) 상에서 위치 결정된 에지 링(FR)을 카세트(78)로부터 반출할 때에, 반송 로봇(TR2)의 상측 포크(FK21) 또는 하측 포크(FK22)가 포크 삽입홈(781c)에 삽입된다.
복수 개의 가이드 핀(782)이 탑재면(781a)에 구비되어 있다. 각 가이드 핀(782)은 선단 끝이 뽀족한 원추 형상일 수 있다. 복수 개의 가이드 핀(782)은 에지 링(FR)이 탑재면(781a)에 탑재될 때에 에지 링(FR)의 외주부에 접촉하여, 당해 에지 링(FR)이 탑재면(781a)의 소정 위치에 탑재되도록 가이드한다. 각 가이드 핀(782)은 수지 또는 금속 등으로 형성될 수 있다. 수지이면, 에지 링(FR)의 외주부에 접촉했을 때의 마찰에 의한 파티클 발생을 억제할 수 있다.
한편, 도 10에서는 에지 링(FR)을 수납하는 카세트(78)를 예시하였는데, 예를 들어, 반송 지그(CJ), 커버 링(CR), 제1 조립체(A1), 제2 조립체(A2)를 수납하는 카세트(78)에 대해서도 복수 개의 가이드 핀(782)을 제외하고는 마찬가지의 구성일 수 있다.
예를 들어, 커버 링(CR)을 수납하는 카세트(78)에서는, 커버 링(CR)의 내주부와 접촉하는 위치에 복수 개의 가이드 핀(782)이 구비된다. 이로써 커버 링(CR)이 탑재면(781a)의 소정 위치로 가이드되어 탑재된다.
또한, 예를 들어, 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 수납하는 카세트(78)에서는, 탑재면(781a)에 탑재되는 에지 링(FR)의 외주부 및 커버 링(CR)의 내주부와 접촉하는 위치에 복수 개의 가이드 핀(782)이 구비된다. 이로써 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)이 탑재면(781a)의 소정 위치로 가이드되어 탑재된다.
도 11a~11c를 참조하여, 에지 링(FR)의 위치 결정 메커니즘의 일 예에 대해 설명한다. 도 11a~11c는 에지 링(FR)의 위치 결정 메커니즘의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 11a는 베이스 플레이트(781) 상에 탑재된 에지 링(FR)의 아랫쪽으로 상측 포크(FK21)를 진입시켰을 때의 상면도이다. 도 11b는 도 11a의 일점쇄선 B1-B1에서 절단된 단면을 나타낸다. 도 11c는 베이스 플레이트(781) 상에 탑재된 에지 링(FR)을 상측 포크(FK21)에 의해 들어올렸을 때의 단면도이다.
도 11a 및 도 11b에 나타내는 바와 같이, 에지 링(FR)은 외주에 절결부(FRa)를 가진다. 절결부(FRa)는, 예를 들어, 평면시(平面視)로 보았을 때에 V자 형상을 갖는다. V자 형상의 펼쳐진 각도는 적절하게 설정될 수 있는 바, 예를 들어 90°일 수 있다. 또한, 절결부(FRa)는, 예를 들어, 평면시로 보았을 때에 U자 형상 등과 같은 곡선 형상을 가질 수도 있다.
먼저, 도 11a 및 도 11b에 나타내는 바와 같이, 베이스 플레이트(781) 상에 탑재된 에지 링(FR)의 아랫쪽으로 상측 포크(FK21)를 진입시킨다.
이어서, 도 11c에 나타내는 바와 같이, 상측 포크(FK21)를 상승시킨다. 이로써, 상측 포크(FK21)는 베이스 플레이트(781) 상에 위치 결정된 상태에서 카세트(78) 내에 수납되어 있는 에지 링(FR)을 홀딩하여 프로세스 모듈(PM1~PM12)로 반송한다.
이와 같이, 상측 포크(FK21)는 베이스 플레이트(781) 상에 위치 결정된 상태에서 카세트(78) 내에 수납되어 있는 에지 링(FR)을 홀딩하여 프로세스 모듈(PM1~PM12)로 반송한다. 그리하여, 에지 링(FR)을 위치 결정하는 얼라이너를 별도로 설치하지 않고서도, 에지 링(FR)을 정밀하게 위치 결정한 상태에서 프로세스 모듈(PM1~PM12)로 반송할 수 있다. 그 결과, 에지 링(FR)을 얼라이너에 반송함으로 인해 발생하는 가동 정지 시간을 삭감할 수 있다. 또한, 장치 도입 비용을 저감할 수 있다. 또한, 공간 효율이 향상된다. 다만, 얼라이너를 별도로 설치하여 얼라이너에 의해 에지 링(FR)을 보다 정밀하게 위치 맞춤하여 반송하도록 할 수도 있다.
한편, 도 11a~11c의 예에서는, 에지 링(FR)이 외주에 하나의 절결부(FRa)를 갖는 경우를 나타내었으나, 절결부(FRa)의 갯수가 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 에지 링(FR)은 외주에 둘레 방향으로 서로 이격된 복수 개의 절결부(FRa)를 가질 수도 있다. 이 경우, 가이드 핀(782)을 복수 개의 절결부(FRa) 각각에 대응시켜 구비하는 것이 바람직하다. 이로써 각도 오차를 작게 할 수 있다.
또한, 도 11a~11c의 예에서는 상측 포크(FK21)를 이용하는 경우를 예시하였으나, 하측 포크(FK22)를 이용할 수도 있다.
도 12a~12c를 참조하여, 커버 링(CR)의 위치 결정 메커니즘의 일 예에 대해 설명한다. 도 12a~12c는 커버 링(CR)의 위치 결정 메커니즘의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 12a는 베이스 플레이트(781) 상에 탑재된 커버 링(CR)의 아랫쪽으로 상측 포크(FK21)를 진입시켰을 때의 상면도이다. 도 12b는 도 12a의 일점쇄선 B2-B2에서 절단된 단면을 나타낸다. 도 12c는 상측 포크(FK21)에 의해 베이스 플레이트(781) 상에 탑재된 커버 링(CR)을 들어올렸을 때의 단면도이다.
도 12a 및 도 12b에 나타내는 바와 같이, 커버 링(CR)은 내주에 절결부(CRa)를 가진다. 절결부(CRa)는, 예를 들어, 평면시로 보았을 때에 V자 형상을 갖는다. V자 형상의 펼쳐진 각도는 적절하게 설정될 수 있는 바, 예를 들어 90°일 수 있다. 또한, 절결부(CRa)는, 예를 들어, 평면시로 보았을 때에 U자 형상 등과 같은 곡선 형상을 가질 수도 있다.
먼저, 도 12a 및 도 12b에 나타내는 바와 같이, 베이스 플레이트(781) 상에 탑재된 커버 링(CR)의 아랫쪽으로 상측 포크(FK21)를 진입시킨다.
이어서, 도 12c에 나타내는 바와 같이, 상측 포크(FK21)를 상승시킨다. 이로써, 상측 포크(FK21)는 베이스 플레이트(781) 상에 위치 결정된 상태에서 카세트(78) 내에 수납되어 있는 커버 링(CR)을 홀딩하여 프로세스 모듈(PM1~PM12)로 반송한다.
이와 같이, 상측 포크(FK21)는 베이스 플레이트(781) 상에 위치 결정된 상태에서 카세트(78) 내에 수납되어 있는 커버 링(CR)을 홀딩하여 프로세스 모듈(PM1~PM12)로 반송한다. 그리하여, 커버 링(CR)을 위치 결정하는 얼라이너를 별도로 설치하지 않고서도, 커버 링(CR)을 정밀하게 위치 결정한 상태에서 프로세스 모듈(PM1~PM12)로 반송할 수 있다. 그 결과, 커버 링(CR)을 얼라이너에 반송함으로 인해 발생하는 가동 정지 시간을 삭감할 수 있다. 또한, 장치 도입 비용을 저감할 수 있다. 또한, 공간 효율이 향상된다. 다만, 얼라이너를 별도로 설치하여 얼라이너에 의해 커버 링(CR)을 보다 정밀하게 위치 맞춤하여 반송하도록 할 수도 있다.
한편, 도 12a~12c의 예에서는, 커버 링(CR)이 내주에 하나의 절결부(CRa)를 갖는 경우를 나타내었으나, 절결부(CRa)의 갯수가 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 커버 링(CR)은 내주에 둘레 방향으로 서로 이격된 복수 개의 절결부(CRa)를 가질 수도 있다. 이 경우, 가이드 핀(782)을 복수 개의 절결부(CRa) 각각에 대응시켜 구비하는 것이 바람직하다. 이로써 각도 오차를 작게 할 수 있다.
또한, 도 12a~12c의 예에서는 상측 포크(FK21)를 이용하는 경우를 예시하였으나, 하측 포크(FK22)를 이용할 수도 있다.
도 13a~13c를 참조하여, 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)의 위치 결정 메커니즘의 일 예에 대해 설명한다. 도 13a~13c는 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)의 위치 결정 메커니즘의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 13a는 베이스 플레이트(781) 상에 탑재된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)의 아랫쪽으로 상측 포크(FK21)를 진입시켰을 때의 상면도이다. 도 13b는 도 13a의 일점쇄선 B3-B3에서 절단된 단면을 나타낸다. 도 13c는 상측 포크(FK21)에 의해 베이스 플레이트(781) 상에 탑재된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 들어올렸을 때의 단면도이다.
도 13a 및 도 13b에 나타내는 위치 결정 메커니즘은, 예를 들어 커버 링(CR)의 내주가 에지 링(FR)의 외주보다 큰 경우 또는 커버 링(CR)의 내주가 에지 링(FR)의 외주와 같은 경우로서, 프로세스 모듈(PM1~PM12)이 후술하는 도 29에 나타내는 플라즈마 처리 장치인 경우에 사용할 수 있다.
도 13a 및 도 13b에 나타내는 바와 같이, 에지 링(FR)은 외주에 절결부(FRa)를 가지며, 커버 링(CR)은 내주에 절결부(CRa)를 가진다. 절결부(FRa,CRa)는, 예를 들어, 평면시로 보았을 때에 V자 형상을 갖는다. V자 형상의 펼쳐진 각도는, 예를 들어 90°일 수 있다. 또한, 절결부(FRa,CRa)는, 예를 들어, 평면시로 보았을 때에 U자 형상 등과 같은 곡선 형상을 가질 수도 있다.
먼저, 도 13a 및 도 13b에 나타내는 바와 같이, 베이스 플레이트(781) 상에 탑재된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)의 아랫쪽으로 상측 포크(FK21)를 진입시킨다.
이어서, 도 13c에 나타내는 바와 같이, 상측 포크(FK21)를 상승시킨다. 이로써, 상측 포크(FK21)는 베이스 플레이트(781) 상에 위치 결정된 상태에서 카세트(78) 내에 수납되어 있는 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 홀딩하여 프로세스 모듈(PM1~PM12)로 반송한다.
이와 같이, 상측 포크(FK21)는 베이스 플레이트(781) 상에 위치 결정된 상태에서 카세트(78) 내에 수납되어 있는 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 홀딩하여 프로세스 모듈(PM1~PM12)로 반송한다. 그리하여, 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 위치 결정하는 얼라이너를 별도로 설치하지 않고서도, 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 정밀하게 위치 결정한 상태에서 프로세스 모듈(PM1~PM12)로 반송할 수 있다. 그 결과, 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 얼라이너에 반송함으로 인해 발생하는 가동 정지 시간을 삭감할 수 있다. 또한, 장치 도입 비용을 저감할 수 있다. 또한, 공간 효율이 향상된다. 다만, 얼라이너를 별도로 설치하여 얼라이너에 의해 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 보다 정밀하게 위치 맞춤하여 반송하도록 할 수도 있다.
한편, 도 13a~13c의 예에서는, 에지 링(FR)이 외주에 하나의 절결부(FRa)를 갖고, 커버 링(CR)이 내주에 하나의 절결부(CRa)를 갖는 경우를 나타내었으나, 절결부(FRa,CRa)의 갯수가 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 에지 링(CR)은 외주에 둘레 방향으로 서로 이격된 복수 개의 절결부(FRa)를 가질 수 있고, 커버 링(CR)도 내주에 둘레 방향으로 서로 이격된 복수 개의 절결부(CRa)를 가질 수 있다. 이 경우, 가이드 핀(782)을 복수 개의 절결부(FRa,CRa) 각각에 대응시켜 구비하는 것이 바람직하다. 이로써 각도 오차를 작게 할 수 있다.
또한, 도 13a~13c의 예에서는 상측 포크(FK21)를 이용하는 경우를 예시하였으나, 하측 포크(FK22)를 이용할 수도 있다.
또한, 도 13a~13c의 예에서는 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 외주 또는 내주에서 위치 결정하는 경우를 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)의 뒷면(탑재면(781a)에 탑재되는 쪽의 면)에 위치 결정하기 위한 오목부(또는 볼록부)를 구비함으로써 각각 위치 결정할 수도 있다.
또한, 도 13a~13c의 예에서는 에지 링(FR)의 외주부와 커버 링(CR)의 내주부가 겹치지 않는 구성을 갖는 경우를 설명하였으나, 이에 한정되지는 않으며, 에지 링(FR)의 외주부와 커버 링(CR)의 내주부가 겹치는 구성을 가질 수도 있다. 이 경우, 에지 링(FR)을 커버 링(CR)에 대해 위치 결정된 상태에서 홀딩하는 바, 일 예에서는, 커버 링(CR)의 외주에 위치 결정부를 구비하고서 커버 링(CR)을 위치 결정함으로써 에지 링(FR)을 위치 결정할 수도 있다. 또한, 다른 일 예에서는, 에지 링(FR)의 외주부와 커버 링(CR)의 내주부가 겹치는 경우에, 에지 링(FR)과 커버 링(CR) 각각의 겹치지 않는 영역에 위치 결정을 위한 오목부(또는 볼록부)를 구비할 수도 있다. 이 경우에, 가이드 핀(782)을 오목부와 맞물리는 위치에 구비시킬 수 있다. 이로써, 에지 링(FR) 및 커버 링(CR) 각각의 위치를 결정할 수 있다.
이상에서는 도 11a~13c를 참조하여, 반송 로봇(TR2)이 상측 포크(FK21)를 이용하여 에지 링(FR) 및/또는 커버 링(CR)을 카세트(78)로부터 반출하는 경우를 설명하였다.
한편으로, 에지 링(FR) 및/또는 커버 링(CR)을 카세트(78)에 반입하는 경우에, 반송 로봇(TR2)의 상측 포크(FK21)를 이용하여 에지 링(FR) 및/또는 커버 링(CR)을 카세트(78)의 베이스 플레이트(781) 상에 탑재할 수 있다. 또한, 수납 모듈(SM)을 가동하지 않을 때에, 예를 들어, 작업자가 수납 모듈(SM)의 게이트 밸브(G4)에 대향하는 쪽에 구비된 도어(80)를 열고서 에지 링(FR) 및/또는 커버 링(CR)을 카세트(78)의 베이스 플레이트(781) 상에 탑재할 수도 있다. 또한, 별도의 로봇을 이용하여 탑재할 수도 있다.
도 14를 참조하여, 수납 모듈(SM) 내에 위치 결정되어 탑재된 제2 조립체(A2: 반송 지그(CJ) 및 에지 링(FR))를 상측 포크(FK21)에 의해 카세트(78)로부터 반출하는 경우에 대해 설명한다. 도 14에 나타내는 동작은, 예를 들어, 플라즈마 처리 장치(1)의 정전 척(112) 상에 탑재되었을 때에 에지 링(FR)의 외주부와 커버 링(CR)의 내주부가 겹치는 경우로서, 제어부(CU)가 후술하는 단독 반송 모드를 선택하여 실행하는 경우에 실행된다. 도 14는 카세트(78)에 수납되는 제2 조립체(A2)의 일 예를 나타내는 개략 상면도이다.
우선, 도 14에 나타내는 바와 같이, 베이스 플레이트(781) 상에 탑재된 제2 조립체(A2)의 아랫쪽으로 상측 포크(FK21)를 진입시킨다. 이어서, 상측 포크(FK21)를 상승시킨다. 이로써, 상측 포크(FK21)는 카세트(78) 내에 수납되어 있는 제2 조립체(A2)를 홀딩하여 프로세스 모듈(PM1~PM12)로 반송한다.
이와 같이, 반송 로봇(TR2)은 카세트(78) 내에 수납되어 있는 제2 조립체(A2: 반송 지그(CJ) 및 에지 링(FR))를 상측 포크(FK21)에 의해 홀딩하여, 반송 지그(CJ)과 에지 링(FR)을 동시에 프로세스 모듈(PM1~PM12)로 반송한다.
한편, 도 14의 예에서는 상측 포크(FK21)를 이용하는 경우를 예시하였으나, 하측 포크(FK22)를 이용할 수도 있다.
도 15를 참조하여, 수납 모듈(SM) 내에 위치 결정하여 탑재된 반송 지그(CJ)를 상측 포크(FK21)에 의해 카세트(78)로부터 반출하는 경우에 대해 설명한다. 도 15에 나타내는 동작은, 예를 들어, 플라즈마 처리 장치(1)의 정전 척(112) 상에 탑재되었을 때에 에지 링(FR)의 외주부와 커버 링(CR)의 내주부가 겹치는 경우가 있고, 제어부(CU)가 후술하는 단독 반송 모드를 선택하여 실행하는 경우에 행하여진다. 도 15는 카세트(78)에 수납되는 반송 지그(CJ)의 일 예를 나타내는 개략 평면도이다.
우선, 도 15에 나타내는 바와 같이, 베이스 플레이트(781) 상에 탑재된 반송 지그(CJ)의 아랫쪽으로 상측 포크(FK21)를 진입시킨다. 이어서, 상측 포크(FK21)를 상승시킨다. 이로써, 상측 포크(FK21)는 카세트(78) 내에 수납되어 있는 반송 지그(CJ)를 홀딩하여 프로세스 모듈(PM1~PM12)로 반송한다.
이와 같이, 반송 로봇(TR2)은 카세트(78) 내에 수납되어 있는 반송 지그(CJ)를 상측 포크(FK21)에 의해 홀딩하여, 프로세스 모듈(PM1~PM12)로 반송 지그(CJ)를 단독 반송한다.
한편, 도 15의 예에서는 상측 포크(FK21)를 이용하는 경우를 예시하였으나, 하측 포크(FK22)를 이용할 수도 있다.
도 16을 참조하여, 도 4 및 도 5의 수납 모듈(SM)이 구비하는 카세트(78)의 다른 일 예에 대해 설명한다. 도 16은 수납 모듈(SM) 내 카세트(78)의 다른 일 예를 나타내는 개략 사시도이며, 소모 부재의 일 예인 에지 링(FR)을 수납하는 카세트(78X)를 나타낸다.
도 16에 나타내는 카세트(78X)는 복수 개의 가이드 핀(782) 대신에 에지 링(FR)의 외주부에 맞닿아 에지 링(FR)을 소정 위치에 홀딩하는 경사면을 갖는 경사 블록(782b)을 구비한다는 점에서, 도 10에 나타내는 카세트(78)와 다르다. 한편, 그 밖의 구성에 대해서는 도 10에 나타내는 카세트(78)와 같은 구성일 수 있다.
또한, 또다른 일 예로서, 카세트(78)가 커버 링(CR)의 내주부에 맞닿아 커버 링(CR)을 소정 위치에 홀딩하는 경사면을 갖는 경사 블록(미도시)을 구비하도록 할 수도 있다. 그리고, 또다른 일 예로서 카세트(78)가 에지 링(FR)의 외주부 및 커버 링(CR)의 내주부에 맞닿아 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 소정 위치에 홀딩하는 경사면을 갖는 경사 블록(미도시)를 구비하도록 할 수도 있다. 또한, 경사 블록은 에지 링(FR)의 내주부에 맞닿아 에지 링(FR)을 소정 위치에 홀딩하도록 구성될 수도 있다. 또한, 경사 블록은 커버 링(CR)의 외주부에 맞닿아 커버 링(CR)을 홀딩하도록 구성될 수도 있다.
[소모 부재 반송 방법]
도 17a~19d를 참조하여, 실시형태의 처리 시스템(PS)에서의 소모 부재 반송 방번의 일 예로서, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2)으로 하여금 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 동시에 반송하도록 하는 동시 반송 모드를 선택하여 실행하는 경우를 설명한다. 이하에서는, 제어부(90)가 제어부(CU)에 포함되며, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2) 및 리프터(50)를 제어하는 것으로 하여 설명한다. 다만, 제어부(90)가 제어부(CU)와는 별도로 구비되어, 제어부(CU)는 반송 로봇(TR2)을 제어하고, 제어부(90)는 리프터(50)를 제어하도록 할 수도 있다. 한편, 에지 링(FR)의 외주부와 커버 링(CR)의 내주부는 평면시로 보았을 때에 겹치는 구성을 갖는 것으로 한다. 또한, 초기 상태에서, 도 17a 및 도 17b에 나타내는 바와 같이, 정전 척(112) 상에 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)이 탑재되어 있는 것으로 한다.
우선, 도 18a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(521)을 대기 위치로부터 지지 위치까지 상승시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(521)의 상단이 커버 링(CR)의 하면에 맞닿으며, 당해 커버 링(CR)이 복수 개의 지지 핀(521)에 의해 들어올려짐으로써 당해 커버 링(CR)이 정전 척(112)으로부터 이격된다. 이 때 커버 링(CR)의 내주부에는 에지 링(FR)의 외주부(외측 고리 형상 부분)가 탑재되어 있다. 따라서, 복수 개의 지지 핀(521)에 의해 커버 링(CR)이 들어올려지면, 에지 링(FR)도 커버 링(CR)과 함께 들어올려진다. 즉, 에지 링(FR)과 커버 링(CR)이 일체로서 정전 척(112)으로부터 이격된다.
이어서, 도 18b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 하측 포크(FK22)를 복수 개의 지지 핀(521)에 의해 지지된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)과 정전 척(112) 사이로 진입시킨다,
이어서, 도 18c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(521)을 지지 위치로부터 대기 위치까지 하강시킨다. 이로써 지지 핀(521)에 의해 지지된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)이 하측 포크(22) 상에 탑재된다.
이어서, 도 18d에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 홀딩한 하측 포크(22)를 물러나게 한다.
이어서, 도 19a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 교환용 에지 링(FR) 및 교환용 커버 링(CR)을 홀딩한 상측 포크(FK21)를 정전 척(112)의 윗쪽으로 진입시킨다. 교환용 에지 링(FR)은 신품(미사용)일 수도 있고, 사용한 것이지만 그다지 소모되지 않은 것일 수도 있다. 마찬가지로, 교환용 커버 링(CR) 역시 신품(미사용)일 수도 있고, 사용한 것이지만 그다지 소모되지 않은 것일 수도 있다.
이어서, 도 19b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(521)을 대기 위치로부터 지지 위치까지 상승시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(521)의 상단이 상측 포크(FK21)에 의해 지지된 커버 링(CR)의 하면에 맞닿으며, 당해 커버 링(CR)이 복수 개의 지지 핀(521)에 의해 들어올려짐으로써 당해 커버 링(CR)이 상측 포크(FK21)로부터 이격된다. 이 때, 커버 링(CR)의 내주부에는 에지 링(FR)의 외주부가 탑재되어 있다. 따라서, 복수 개의 지지 핀(521)에 의해 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 들어올린다. 즉, 에지 링(FR)과 커버 링(CR)이 일체로서 상측 포크(FK21)로부터 이격된다.
이어서, 도 19c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 상측 포크(FK21)를 물러나게 한다.
이어서, 도 19d에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(521)을 지지 위치로부터 대기 위치까지 하강시킨다. 이로써, 복수 개의 지지 핀(521)에 의해 지지된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)이 정전 척(112) 상에 탑재된다. 이상에서 도 17a 및 도 17b에 나타내는 바와 같이, 플라즈마 처리 챔버(10) 안으로 에지 링(FR)와 커버 링(CR)이 동시에 반송되어 정전 척(112) 상에 탑재된다.
이와 같이, 정전 척(112) 상에 탑재된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 플라즈마 처리 챔버(10) 안으로부터 반출하는 경우에는, 제어부(CU)는 전술한 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)의 반입과는 반대의 동작을 실행한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 실시형태의 처리 시스템(PS)에 의하면 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 동시에 반송할 수 있다.
도 20a~23d를 참조하여, 실시형태의 처리 시스템(PS)에서의 소모 부재 반송 방법의 다른 일 예로서, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2)으로 에지 링(FR)만을 반송시키는 단독 반송 모드를 선택하여 실행하는 경우를 설명한다. 이하에서는, 제어부(90)가 제어부(CU)에 포함되어 있으며, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2) 및 리프터(50)를 제어하는 것으로서 설명한다. 다만, 제어부(90)가 제어부(CU)와는 별도로 구비되어, 제어부(CU)는 반송 로봇(TR2)을 제어하고, 제어부(90)는 리프터(50)를 제어하도록 할 수도 있다. 한편, 에지 링(FR)의 외주부와 커버 링(CR)의 내주부는 평면시로 보았을 때에 겹치는 구성을 갖는 것으로 한다. 또한, 초기 상태에서, 도 17a 및 도 17b에 나타내는 바와 같이, 정전 척(112) 상에 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)이 탑재되어 있는 것으로 한다.
우선, 도 20a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(521)을 대기 위치로부터 지지 위치까지 상승시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(521)의 상단이 커버 링(CR)의 하면에 맞닿으며, 당해 커버 링(CR)이 복수 개의 지지 핀(521)에 의해 들어올려짐으로써 당해 커버 링(CR)이 정전 척(112)으로부터 이격된다. 이 때 커버 링(CR)의 내주부에는 에지 링(FR)의 외주부가 탑재되어 있다. 따라서, 복수 개의 지지 핀(521)에 의해 커버 링(CR)이 들어올려지면, 에지 링(FR)도 커버 링(CR)과 함께 들어올려진다. 즉, 에지 링(FR)과 커버 링(CR)이 일체로서 정전 척(112)으로부터 이격된다.
이어서, 도 20b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 지그(CJ)를 홀딩한 하측 포크(FK22)를 복수 개의 지지 핀(521)에 의해 지지된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)과 정전 척(112) 사이로 진입시킨다,
이어서, 도 20c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(511)을 대기 위치로부터 지지 위치까지 상승시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(511)의 상단이 반송 지그(CJ) 하면에 맞닿으며, 당해 반송 지그(CJ)가 복수 개의 지지 핀(511)에 의해 들어올려짐으로써 당해 반송 지그(CJ)가 하측 포크(FK22)로부터 이격된다.
이어서, 도 20d에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 하측 포크(22)를 물러나게 한다.
이어서, 도 21a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(521)을 지지 위치로부터 대기 위치까지 하강시킨다. 이 때, 에지 링(FR)의 내주부(내측 고리 형상 부분)가 반송 지그(CJ)에 의해 지지되어 있으므로, 복수 개의 지지 핀(521)에 의해 지지된 커버 링(CR)만이 정전 척(112) 상에 탑재된다.
이어서, 도 21b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 하측 포크(FK22)를, 복수 개의 지지 핀(511)에 의해 지지된 반송 지그(CJ) 및 에지 링(FR)과 정전 척(112) 사이로 진입시킨다.
이어서, 도 21c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(511)을 지지 위치로부터 대기 위치까지 하강시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(511)에 의해 지지된 반송 지그(CJ) 및 에지 링(FR)이 하측 포크(FK22) 상에 탑재된다.
이어서, 도 21d에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 지그(CJ) 및 에지 링(FR)을 홀딩한 하측 포크(FK22)를 물러나게 한다.
이어서, 도 22a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 교환용 에지 링(FR)을 홀딩한 반송 지그(CJ)를 홀딩한 상측 포크(FK21)를 정전 척(112)의 윗쪽으로 진입시킨다.
이어서, 도 22b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(511)을 제어하여 대기 위치로부터 지지 위치까지 상승시킨다. 이로써, 복수 개의 지지 핀(511)의 상단이 상측 포크(FK21)에 홀딩된 반송 지그(CJ)의 하면에 맞닿으며, 당해 반송 지그(CJ)가 복수 개의 지지 핀(511)에 의해 들어올려짐으로써 당해 반송 지그(CJ)가 상측 포크(FK21)로부터 이격된다. 이 때, 반송 지그(CJ) 상에는 에지 링(FR)의 내주부가 탑재되어 있다. 따라서, 복수 개의 지지 핀(511)에 의해 반송 지그(CJ)가 들어올려지면, 에지 링(FR)도 반송 지그(CJ)와 함께 들어올려진다. 즉, 반송 기구(CJ)와 에지 링(FR)이 일체로 되어 상측 포크(FK21)로부터 이격된다.
이어서, 도 22c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 상측 포트(FK21)를 물러나게 한다.
이어서, 도 22d에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(521)을 대기 위치로부터 지지 위치까지 상승시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(521)의 상단이 정전 척(112) 상에 탑재된 커버 링(CR)의 하면에 맞닿으며, 당해 커버 링(CR)이 복수 개의 지지 핀(521)에 의해 들어올려짐으로써 당해 커버 링(CR)이 정전 척(112)으로부터 이격된다. 또한, 반송 지그(CJ) 상에 탑재된 에지 링(FR)의 외주부가 커버 링(CR)의 내주부에 탑재된다.
이어서, 도 23a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 상측 포크(FK21)를 반송 지그(CJ)/에지 링(FR)/커버 링(CR)과 정전 척(112)의 사이로 진입시킨다.
이어서, 도 23b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(511)을 지지 위치로부터 대기 위치까지 하강시킨다. 이 때, 에지 링(FR)의 외주부가 커버 링(CR)의 내주부에 탑재되어 있는 바, 복수 개의 지지 핀(511)에 의해 지지된 반송 지그(CJ)만이 상측 포크(FK21) 상에 탑재된다.
이어서, 도 23c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 지그(CJ)를 홀딩한 상측 포크(FK21)를 물러나게 한다.
이어서, 도 23d에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(521)을 지지 위치로부터 대기 위치까지 하강시킨다. 이로써, 복수 개의 지지 핀(521)에 의해 지지된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)이 정전 척(112) 상에 탑재된다.
이상 설명한 바와 같이, 실시형태의 처리 시스템(PS)에 따르면, 커버 링(CR)을 교환하지 않고도 에지 링(FR)만을 단독으로 반송할 수 있다. 이상으로부터, 플라즈마 처리 챔버(10) 안으로 에지 링(FR)만이 반입되어 커버 링(CR)이 탑재된 정전 척(112) 상에 탑재된다.
이와 같이, 정전 척(112) 상에 탑재된 에지 링(FR)과 커버 링(CR) 중에 에지 링(FR)만을 플라즈마 처리 챔버(10) 안으로부터 반출하는 경우에는, 제어부(CU)는 전술한 에지 링(FR)의 반입과는 반대의 동작을 실행한다.
[소모 부재 교환 방법]
도 24를 참조하여, 실시형태의 소모 부재 교환 방법의 일 예에 대해 설명한다. 도 24는 실시형태의 소모 부재 교환 방법의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다. 이하에서는, 전술한 프로세스 모듈(PM12) 내의 소모 부재를 교환하는 경우를 예로 들어 설명한다. 한편, 도 24에 나타내는 실시형태의 소모 부재 교환 방법은 제어부(CU)에 의해 처리 시스템(PS)의 각 부가 제어됨으로써 행해진다.
단계 S10에서, 제어부(CU)는 커버 링(CR) 교환이 필요한지 여부를 판정한다. 본 실시형태에서, 제어부(CU)는, 예를 들어, RF 적산 시간, RF 적산 전력, 레시피 특정 단계의 적산값에 기초하여, 커버 링(CR) 교환이 필요한지 여부를 판정한다. RF 적산 시간, RF 적산 전력, 레시피 특정 단계의 적산값에 대해서는 후술하기로 한다. 또한, 제어부(CU)는, 예를 들어 광학적 수단을 이용하여 커버 링(CR)의 높이 위치를 검출함으로써, 커버 링(CR) 교환이 필요한지 여부를 판정할 수 있다. 또한, 다른 예에서. 제어부(CU)는 에지 링(FR)의 교환 횟수를 카운트해 두고서 소정값에 달하면 커버 링(CR)을 교환하도록 할 수도 있다. 예를 들어, 에지 링(FR)을 3회 교환한 경우에 커버 링(CR)을 1회 교환할 수 있다. 이 때 3회째 에지 링을 교환하는 타이밍에서 커버 링(CR)도 동시에 교환한다. 또한, 다른 예에서, 제어부(CU)는 커버 링(CR) 교환 주기에서는 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 동시에 교환하도록 할 수도 있다. 도 24의 플로우 챠트는 커버 링(CR) 교환 주기에서 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 동시에 교환하는 예이다.
단계 S10에서 커버 링(CR) 교환이 필요하다고 판정한 경우, 제어부(CU)는 처리를 단계 S20으로 진행시킨다. 한편, 단계 S10에서 커버 링(CR) 교환이 필요하지 않다고 판정한 경우에는, 제어부(CU)는 처리를 단계 S40으로 진행시킨다.
단계 S20에서, 제어부(CU)는 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)의 교환이 가능한지 여부를 판정한다. 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)의 교환이 가능하지 여부의 판정은, 예를 들어, 후술하는 에지 링(FR) 교환이 가능한지 여부의 판정과 같은 판정 방법을 사용할 수 있다. 다만. 다른 판정 방법을 사용할 수도 있다. 단계 S20에서 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)의 교환이 가능하다고 판정한 경우에, 제어부(CU)는 처리를 단계 S30으로 진행시킨다. 한편, 단계 S20에서 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)의 교환이 가능하지 않다고 판정한 경우에는, 제어부(CU)는 단계 S20를 재차 실행한다.
단계 S30에서, 제어부(CU)는 동시 반송 모드를 선택하여 반송 로봇(TR2)으로 하여금 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 동시에 반송하게 한다. 단계 S30에 대해 자세하게는 후술하기로 한다.
단계 S40에서, 제어부(CU)는 에지 링(FR) 교환이 필요한지 여부를 판정한다. 본 실시형태에서 제어부(CU)는, 예를 들어, RF 적산 시간, RF 적산 전력, 레시피 특정 단계의 적산값에 기초하여 에지 링(FR) 교환이 필요한지 여부를 판정한다.
RF 적산 시간이라 함은, 소정의 플라즈마 처리시에 프로세스 모듈(PM12)에 있어 고주파 전력이 공급된 시간의 적산값이다. RF 적산 전력이라 함은, 소정의 플라즈마 처리시에 프로세스 모듈(PM12)에 있어 공급된 고주파 전력의 적산값이다. 레시피 특정 단계의 적산값이라 함은, 프로세스 모듈(PM12)에서 행해지는 처리 단계 중 에지 링(FR)이 에칭되는 단계에서 고주파 전력이 공급된 시간의 적산값, 고주파 전력의 적산값 등을 말한다. 한편, RF 적산 시간, RF 적산 전력, 레시피 특정 단계의 적산값은, 예를 들어, 장치가 도입된 시점, 유지보수가 실시된 시점, 에지 링(FR)을 교환한 시점 등을 기점으로 하여 산출되는 값이다.
RF 적산 시간에 기초하여 에지 링(FR) 교환이 필요한지 여부를 판정하는 경우, 제어부(CU)는 RF 적산 시간이 역치에 달하면 에지 링(FR)을 교환할 필요가 있다고 판정한다. 이에 대해, 제어부(CU)는 RF 적산 시간이 역치에 달하지 않은 경우에는, 에지 링(FR)을 교환할 필요가 없다고 판정한다. 한편, 역치는 예비 시험 등에 의해 에지 링(FR)의 재질 등의 종류에 따라 정해지는 값이다.
RF 적산 전력에 기초하여 에지 링(FR) 교환이 필요한지 여부를 판정하는 경우, 제어부(CU)는 RF 적산 전력이 역치에 달하면 에지 링(FR)을 교환할 필요가 있다고 판정한다. 이에 대해, 제어부(CU)는 RF 적산 전력이 역치에 달하지 않은 경우에는, 에지 링(FR)을 교환할 필요가 없다고 판정한다. 한편, 역치는 예비 실험 등에 의해 에지 링(FR)의 재질 등의 종류에 따라 정해지는 값이다.
레시피 특정 단계의 적산값에 기초하여 에지 링(FR) 교환이 필요한지 여부를 판정하는 경우, 제어부(CU)는 특정 단계에서 RF 적산 시간 또는 RF 적산 전력이 역치에 달하면, 에지 링(FR) 교환이 필요하다고 판정한다. 이에 대해, 제어부(CU)는 특정 단계에서의 RF 적산 시간 또는 RF 적산 저녁이 역치에 달하지 않은 경우에는, 에지 링(FR)을 교환할 필요가 없다고 판정한다. 레시피 특정 단계의 적산값에 기초하여 에지 링(FR) 교환이 필요한지 여부를 판정하는 경우에는, 고주파 전력이 인가되어 에지 링(FR)이 에칭되는 단계에 기초하여 에지 링(FR)을 교환하는 타이밍을 산출할 수 있다. 따라서, 매우 높은 정밀도로 에지 링(FR) 교환 타이밍을 산출할 수 있다. 한편, 역치는 예비 실험 등에 의해 에지 링(FR)의 재질 등의 종류에 따라 정해지는 값이다.
또한, 제어부(CU)는, 예를 들어 광학적 수단을 이용하여 에지 링(FR)의 높이 위치를 검출함으로써, 에지 링(FR) 교환이 필요한지 여부를 판정할 수도 있다.
단계 S40에서 에지 링(FR) 교환이 필요하다고 판정한 경우, 제어부(CU)는 처리를 단계 S50으로 진행시킨다. 한편, 에지 링(FR) 교환이 필요하지 않다고 판정한 경우에, 제어부(CU)는 처리를 단계 S10으로 돌아가게 한다.
단계 S50에서, 제어부(CU)는 에지 링(FR) 교환이 가능한지 여부를 판정한다. 본 실시형태에서 제어부(CU)는, 예를 들어, 에지 링(FR)을 교환할 프로세스 모듈(PM12)에서 기판(W)에 대해 처리가 행해지고 있지 않은 경우에, 에지 링(FR) 교환이 가능하다고 판정한다. 이에 대해, 제어부(CU)는 프로세스 모듈(PM12)에서 기판(W)에 대해 처리가 행해지고 있는 경우에는, 에지 링(FR) 교환이 가능하지 않다고 판정한다. 또한, 제어부(CU)는, 예를 들어, 에지 링(FR)을 교환할 프로세스 모듈(PM12)에서 처리가 행해지고 있는 기판(W)과 같은 로트의 기판(W)의 처리가 종료한 경우에, 에지 링(FR) 교환이 가능다고 판정할 수 있다. 이 경우, 제어부(CU)는 프로세스 모듈(PM12)에서 처리가 행해지고 있는 기판(W)과 같은 로트의 기판(W) 처리가 종료할 때까지 에지 링(FR) 교환이 가능하지 않다고 판정한다.
단계 S50에서 에지 링(FR) 교환이 가능하다고 판정한 경우, 제어부(CU)는 처리를 단계 S60으로 진행시킨다. 한편, 에지 링(FR) 교환이 가능하지 않다고 판정한 경우에는, 제어부(CU)는 단계 S50을 재차 실행한다.
단계 S60에서는, 제어부(CU)는 단독 반송 모드를 선택하여 반송 로봇(TR2)으로 하여금 에지 링(FR)만을 반송하도록 한다. 단계 S60에 대해 자세하게는 후술하기로 한다.
이어서, 도 25를 참조하여, 단계 S30에 대해 자세하게 설명한다. 단계 S30은 제1 클리닝 단계 S31과, 반출 단계 S32와, 제2 클리닝 단계 S33과, 반입 단계 S34와, 시즈닝 단계 S35를 갖는다. 이하에서 각 단계에 대해 설명한다.
제1 클리닝 단계 S31는 프로세스 모듈(PM12)을 클리닝 처리하는 단계이다. 제1 클리닝 단계 S31에서 제어부(CU)는 가스 도입계, 배기계, 전력 도입계 등을 제어함으로써 프로세스 모듈(PM12)을 클리닝 처리한다. 클리닝 처리라 함은, 플라즈마 처리에 의해 발생한 프로세스 모듈(PM12) 내 퇴적물을 처리 가스 플라즈마 등에 의해 제거하여 프로세스 모듈(PM12) 안을 청정한 상태로 안정시키는 처리이다. 제1 클리닝 단계 S31을 실시함으로써, 반출 단계 S32에서 스테이지로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반출할 때에 프로세스 모듈(PM12) 내 퇴적물이 떠오르는 것을 억제할 수 있다. 처리 가스로는, 예를 들어, 산소(O2) 가스, 불화탄소(CF)계 가스, 질소(N2) 가스, 아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스, 또는 이들 중 2종류 이상의 혼합 가스를 사용할 수 있다. 또한, 프로세스 모듈(PM12)을 클리닝 처리할 때에, 처리 조건에 따라서는, 스테이지의 정전 척(112)을 보호하기 위해 정전 척(112) 상면에 더미 웨이퍼(dummy wafer) 등과 같은 기판(W)을 탑재한 상태에서 클리닝 처리를 실시할 수도 있다. 한편, 프로세스 모듈(PM12) 내에 퇴적물이 존재하지 않는 경우, 퇴적물이 떠오를 일이 없는 경우 등에는, 제1 클리닝 단계 S31을 실시하지 않을 수도 있다. 또한, 정전 척(112)에 의해 에칭 링(FR) 및 커버 링(CR)이 스테이지에 흡착해 있는 경우에는, 다음의 반출 단계 S32를 실시할 때까지 제전(除電) 처리를 행해 둔다. 에지 링(FR) 및 커버 링(CR) 뒷면의 퇴적물을 제거하기 위해, 제1 클리닝 단계 S31을 실행하는 중에 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 정전 척(112) 및 절연체(115)로부터 이격되도록 들어올릴 수도 있다. 또한, 제1 클리닝 단계 S31을 실행하는 중에 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 들어올린 상태(리프트 업 상태)와 들어올리지 않은 상태(리프트 업이 아닌 상태) 간에 상태를 변경할 수도 있다. 이와 같이 제1 클리닝 단계 S31에서는 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 리프트 업한 상태 및/또는 리프트 업하지 않은 상태에서 클리닝 처리를 실시할 수 있다.
반출 단계 S32는 프로세스 모듈(PM12)을 대기에 개방하지 않고서 프로세스 모듈(PM12) 안으로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반출하는 단계이다. 반출 단계 S32에서, 제어부(CU)는 프로세스 모듈(PM12)을 대기에 개방하지 않고서 프로세스 모듈(PM12) 안으로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반출하도록 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어한다. 구체적으로, 게이트 밸브(G1)를 열고서 반송 로봇(TR2)에 의해 프로세스 모듈(PM12) 내부의 스테이지에 탑재된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 프로세스 모듈(PM12)로부터 반출한다. 예를 들어, 제어부(CU)는 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어하여 프로세스 모듈(PM12) 내부의 스테이지에 탑재된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반출한다. 이어서, 게이트 밸브(G4)를 열고서 반송 로봇(TR2)에 의해 프로세스 모듈(PM12)로부터 반출된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 수납 모듈(SM)에 수납한다. 예를 들어, 제어부(CU)는 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어하여 도 18a~18d에 나타내는 반송 방법에 의해 프로세스 모듈(PM2) 안으로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반출해서 수납 모듈(SM)에 수납한다.
제2 클리닝 단계 S33는 프로세스 모듈(PM12)의 스테이지의 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)이 탑재되는 면을 클리닝 처리하는 단계이다. 제2 클리닝 단계 S33에서, 제어부(CU)는 가스 도입계, 배기계, 전력 도입계 등을 제어함으로써 프로세스 모듈(PM12)의 스테이지에 있어 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)이 탑재되는 면을 클리닝 처리한다. 제2 클리닝 단계 S33에서의 클리닝 처리는, 예를 들어, 제1 클리닝 단계 S31과 마찬가지의 방법으로 실행할 수 있다. 즉, 처리 가스로는, 예를 들어, O2 가스, CF계 가스, N2 가스, Ar 가스, He 가스, 또는 이들 중 2종류 이상의 혼합 가스를 사용할 수 있다. 또한, 프로세스 모듈(PM12)을 클리닝 처리할 때에, 처리 조건에 따라서는, 스테이지의 정전 척(112)을 보호하기 위해 정전 척(112) 상면에 더미 웨이퍼 등과 같은 기판(W)을 탑재한 상태에서 클리닝 처리를 실시할 수도 있다. 한편, 제2 클리닝 단계 S33은 생략할 수도 있다.
반입 단계 S34는 프로세스 모듈(PM12)을 대기에 개방하지 않고서 프로세스 모듈(PM12) 안으로 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반입하여 스테이지에 탑재하는 단계이다. 반입 단계 S34에서, 제어부(CU)는 프로세스 모듈(PM12)을 대기에 개방하지 않고서 프로세스 모듈(PM12) 안으로 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반입하도록 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어한다. 구체적으로는, 게이트 밸브(G4)를 열고서 반송 로봇(TR2)에 의해 수납 모듈(SM)에 수용된 교환용 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반출한다. 이어서, 게이트 밸브(G1)를 열고서 반송 로봇(TR2)에 의해 교환용 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 프로세스 모듈(PM12)에 반입하여 스테이지에 탑재한다. 예를 들어, 제어부(CU)는 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어함으로써, 도 19a~19d에 나타내는 반송 방법에 의해 수납 모듈(SM)에 수납된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 프로세스 모듈(PM12) 내 스테이지에 탑재한다.
시즈닝 단계 S35는 프로세스 모델(PM12)의 시즈닝 처리를 행하는 단계이다. 시즈닝 단계 S35에서, 제어부(CU)는 가스 도입계, 배기계, 전력 도입계 등을 제어함으로써 프로세스 모듈(PM12)의 시즈닝 처리를 행한다. 시즈닝 처리라 함은, 소정의 플라즈마 처리를 함으로써 프로세스 모듈(PM12) 내 온도나 퇴적물 상태를 안정시키기 위한 처리를 말한다. 또한, 시즈닝 단계 S35에서는, 프로세스 모듈(PM12)의 시즈닝 처리 후에, 프로세스 모듈(PM12) 안으로 품질 관리용 웨이퍼를 반입하고서 품질 관리용 웨이퍼에 대해 소정의 처리를 할 수도 있다. 이로써 프로세스 모듈(PM12)의 상태가 정상인지 여부를 확인할 수 있다. 한편, 시즈닝 단계 S35는 생략할 수도 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 실시형태의 처리 시스템(PS)에 의하면, 프로세스 모듈(PM12)을 대기 개방하지 않고서 반송 로봇(TR2)에 의해 프로세스 모듈(PM12) 안으로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반출한다. 그 후, 프로세스 모듈(PM12) 안을 클리닝 처리하고 이어서 반송 로봇(TR2)에 의해 프로세스 모듈(PM12) 안으로 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반입한다. 이로써, 작업자가 수동으로 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 교환하지 않아도 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 동시에 교환할 수 있다. 그리하여, 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)의 교환에 필요한 시간을 단축할 수 있으며 생산성이 향상된다. 또한, 에지 링(FR) 및 커버 링(CR) 반입 전에 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)이 탑재되는 면이 클리닝됨으로써, 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)과 당해 에지 링(FR) 및 당해 커버 링(CR)이 탑재되는 면과의 사이에 퇴적물이 존재하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 양자의 접촉이 양호하게 됨으로써 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)의 온도 제어성을 양호하게 유지할 수 있다.
이어서, 도 26을 참조하여 단계 S60에 대해 자세하게 설명한다. 단계 S60은 제1 클리닝 단계 S61과, 반출 단계 S62와, 제2 클리닝 단계 S63과, 반입 단계 S64와, 시즈닝 단계 S65를 포함한다. 이하에서 각 단계에 대해 설명한다.
제1 클리닝 단계 S61은 프로세스 모듈()을 클리닝 처리하는 단계이다. 제1 클리닝 단계 S61에서 제어부(CU)는 가스 도입계, 배기계, 전력 도입계 등을 제어함으로써 프로세스 모듈(PM12)을 클리닝 처리한다. 클리닝 처리라 함은, 플라즈마 처리에 의해 발생한 프로세스 모듈(PM12) 내 퇴적물을 처리 가스 플라즈마 등에 의해 제거하여 프로세스 모듈(PM12) 안을 청정한 상태로 안정시키는 처리이다. 제1 클리닝 단계 S61을 실시함으로써, 반출 단계 S62에서 스테이지로부터 에지 링(FR)을 반출할 때에 프로세스 모듈(PM12) 내 퇴적물이 떠오르는 것을 억제할 수 있다. 처리 가스로는, 예를 들어, O2 가스, CF계 가스, N2 가스, Ar 가스, He 가스, 또는 이들 중 2종류 이상의 혼합 가스를 사용할 수 있다. 또한, 프로세스 모듈(PM12)을 클리닝 처리할 때에, 처리 조건에 따라서는, 스테이지의 정전 척(112)을 보호하기 위해 정전 척(112) 상면에 더미 웨이퍼 등과 같은 기판(W)을 탑재한 상태에서 클리닝 처리를 실시할 수도 있다. 한편, 프로세스 모듈(PM12) 내에 퇴적물이 존재하지 않는 경우, 퇴적물이 떠오를 일이 없는 경우 등에는, 제1 클리닝 단계 S61을 실시하지 않을 수도 있다. 또한, 정전 척(112)에 의해 에칭 링(FR)이 스테이지에 흡착해 있는 경우에는, 다음의 반출 단계 S62를 실시할 때까지 제전(除電) 처리를 행해 둔다. 에지 링(FR) 및/또는 커버 링(CR) 뒷면의 퇴적물을 제거하기 위해, 제1 클리닝 단계 S61을 실행하는 중에 에지 링(FR) 및/또는 커버 링(CR)을 정전 척(112) 및 절연체(115)로부터 이격되도록 들어올릴 수도 있다. 또한, 제1 클리닝 단계 S61을 실행하는 중에 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 리프트 업(lift up)한 상태와 리프트 업하지 않은 상태 간에 상태를 변경할 수도 있다. 이와 같이 제1 클리닝 단계 S61에서는 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 리프트 업한 상태 및/또는 리프트 업하지 않은 상태에서 클리닝 처리를 실시할 수 있다.
반출 단계 S62는 프로세스 모듈(PM12)을 대기에 개방하지 않고서 프로세스 모듈(PM12) 안으로부터 에지 링(FR)을 반출하는 단계이다. 반출 단계 S62에서, 제어부(CU)는 프로세스 모듈(PM12)을 대기에 개방하지 않고서 프로세스 모듈(PM12) 안으로부터 에지 링(FR)을 반출하도록 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어한다. 구체적으로, 게이트 밸브(G1)를 열고서 반송 로봇(TR2)에 의해 프로세스 모듈(PM12) 내부의 스테이지에 탑재된 에지 링(FR)을 프로세스 모듈(PM12)로부터 반출한다. 예를 들어, 제어부(CU)는 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어하여 프로세스 모듈(PM12) 내부의 스테이지에 탑재된 에지 링(FR)을 반출한다. 이어서, 게이트 밸브(G4)를 열고서 반송 로봇(TR2)에 의해 프로세스 모듈(PM12)로부터 반출된 에지 링(FR)을 수납 모듈(SM)에 수납한다. 예를 들어, 제어부(CU)는 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어하여 도 20a~21d에 나타내는 반송 방법에 의해 프로세스 모듈(PM2) 안으로부터 에지 링(FR)을 반출해서 수납 모듈(SM)에 수납한다.
제2 클리닝 단계 S63은 프로세스 모듈(PM12)의 스테이지의 에지 링(FR)이 탑재되는 면을 클리닝 처리하는 단계이다. 제2 클리닝 단계 S63에서, 제어부(CU)는 가스 도입계, 배기계, 전력 도입계 등을 제어함으로써 프로세스 모듈(PM12)의 스테이지에 있어 에지 링(FR)이 탑재되는 면을 클리닝 처리한다. 제2 클리닝 단계 S63에서의 클리닝 처리는, 예를 들어, 제1 클리닝 단계 S61과 마찬가지의 방법으로 실행할 수 있다. 즉, 처리 가스로는, 예를 들어, O2 가스, CF계 가스, N2 가스, Ar 가스, He 가스, 또는 이들 중 2종류 이상의 혼합 가스를 사용할 수 있다. 또한, 프로세스 모듈(PM12)을 클리닝 처리할 때에, 처리 조건에 따라서는, 스테이지의 정전 척(112)을 보호하기 위해 정전 척(112) 상면에 더미 웨이퍼 등과 같은 기판(W)을 탑재한 상태에서 클리닝 처리를 실시할 수도 있다. 한편, 제2 클리닝 단계 S63은 생략할 수도 있다.
반입 단계 S64는 프로세스 모듈(PM12)을 대기에 개방하지 않고서 프로세스 모듈(PM12) 안으로 에지 링(FR)을 반입하여 스테이지에 탑재하는 단계이다. 반입 단계 S64에서, 제어부(CU)는 프로세스 모듈(PM12)을 대기에 개방하지 않고서 프로세스 모듈(PM12) 안으로 에지 링(FR)을 반입하도록 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어한다. 구체적으로는, 게이트 밸브(G4)를 열고서 반송 로봇(TR2)에 의해 수납 모듈(SM)에 수용된 교환용 에지 링(FR)을 반출한다. 이어서, 게이트 밸브(G1)를 열고서 반송 로봇(TR2)에 의해 교환용 에지 링(FR)을 프로세스 모듈(PM12)에 반입하여 스테이지에 탑재한다. 예를 들어, 제어부(CU)는 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어함으로써, 도 22a~23d에 나타내는 반송 방법에 의해 수납 모듈(SM)에 수납된 에지 링(FR)을 프로세스 모듈(PM12) 내 스테이지에 탑재한다.
시즈닝 단계 S65는 프로세스 모델(PM12)의 시즈닝 처리를 행하는 단계이다. 시즈닝 단계 S65에서, 제어부(CU)는 가스 도입계, 배기계, 전력 도입계 등을 제어함으로써 프로세스 모듈(PM12)의 시즈닝 처리를 행한다. 시즈닝 처리라 함은, 소정의 플라즈마 처리를 함으로써 프로세스 모듈(PM12) 내 온도나 퇴적물 상태를 안정시키기 위한 처리를 말한다. 또한, 시즈닝 단계 S65에서는, 프로세스 모듈(PM12)의 시즈닝 처리 후에, 프로세스 모듈(PM12) 안으로 품질 관리용 웨이퍼를 반입하고서 품질 관리용 웨이퍼에 대해 소정의 처리를 할 수도 있다. 이로써 프로세스 모듈(PM12)의 상태가 정상인지 여부를 확인할 수 있다. 한편, 시즈닝 단계 S65는 생략할 수도 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 실시형태의 처리 시스템(PS)에 의하면, 프로세스 모듈(PM12)을 대기 개방하지 않고서 반송 로봇(TR2)에 의해 프로세스 모듈(PM12) 안으로부터 에지 링(FR)을 반출한다. 그 후, 프로세스 모듈(PM12) 안을 클리닝 처리하고 이어서 반송 로봇(TR2)에 의해 프로세스 모듈(PM12) 안으로 에지 링(FR)을 반입한다. 이로써, 작업자가 수동으로 에지 링(FR)을 교환하지 않아도 에지 링(FR)만을 단독으로 교환할 수 있다. 그리하여, 에지 링(FR)의 교환에 필요한 시간을 단축할 수 있으며 생산성이 향상된다. 또한, 에지 링(FR) 반입 전에 에지 링(FR)이 탑재되는 면이 클리닝됨으로써, 에지 링(FR)과 당해 에지 링(FR)이 탑재되는 면의 사이에 퇴적물이 존재하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 양자의 접촉이 양호하게 됨으로써 에지 링(FR)의 온도 제어성을 양호하게 유지할 수 있다.
도 27을 참조하여, 실시형태의 소모 부재 교환 방법의 다른 일 예에 대해 설명한다. 도 27은 실시형태의 소모 부재 교환 방법의 다른 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다. 이하에서는, 전술한 프로세스 모듈(PM12) 내 소모 부재를 교환하는 경우를 예로 들어 설명한다. 한편, 도 27에 나타내는 실시형태의 소모 부재 교환 방법은 제어부(CU)에 의해 처리 시스템(PS) 각 부가 제어됨으로써 행하여진다.
단계 S110에서, 제어부(CU)는 커버 링(CR) 교환이 필요한지 여부를 판정한다. 단계 S110에서는, 예를 들어, 전술한 단계 S10과 마찬가지의 판정 방법을 사용할 수 있다.
단계 S110에서 커버 링(CR)의 교환이 필요하다고 판정한 경우, 제어부(CU)는 처리를 단계 S120으로 진행시킨다. 한편, 단계 S110에서 커버 링(CR) 교환이 필요하지 않다고 판정한 경우, 제어부(CU)는 처리를 단계 S170으로 진행시킨다.
단계 S120에서, 제어부(CU)는 에지 링(FR) 교환이 필요한지 여부를 판정한다. 본 실시형태에서 제어부(CU)는 예를 들어, 전술한 RF 적산 시간, RF 적산 전력, 레시피 특정 단계의 적산값에 기초하여, 에지 링(FR) 교환이 필요한지 여부를 판정한다. 또한, 제어부(CU)는 예를 들어 광학적 수단을 이용하여 에지 링(FR)의 높이 위치를 검출함으로써, 에지 링(FR) 교환이 필요한지 여부를 판정할 수 있다.
단계 S120에서 에지 링(FR) 교환이 필요하다고 판정한 경우, 제어부(CU)는 처리를 단계 S130으로 진행시킨다. 한편, 단계 S120에서 에지 링(CR) 교환이 필요하지 않다고 판정한 경우에는, 제어부(CU)는 처리를 단계 S150으로 진행시킨다.
단계 S130에서, 제어부(CU)는 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)의 교환이 가능한지 여부를 판정한다. 단계 130에서는 예를 들어 전술한 단계 S20과 마찬가지의 판정 방법을 사용할 수 있다.
단계 S140에서, 제어부(CU)는 동시 반송 모드를 선택하여 반송 로봇(TR2)으로 하여금 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 동시에 반송하게 한다. 단계 S140에서는 예를 들어 전술한 단계 S30과 마찬가지의 반송 방법을 사용할 수 있다.
단계 S150에서, 제어부(CU)는 커버 링(CR) 교환이 필요한지 여부를 판정한다. 본 실시형태에서 제어부(CU)는, 예를 들어, 커버 링(CR)을 교환할 프로세스 모듈(PM12)에서 기판(W)에 대해 처리가 행해지고 있지 않은 경우에, 커버 링(CR) 교환이 가능하다고 판정한다. 이에 대해, 제어부(CU)는 프로세스 모듈(PM12)에서 기판(W)에 대해 처리가 행해지고 있는 경우에는, 커버 링(CR) 교환이 가능하지 않다고 판정한다. 또한, 제어부(CU)는, 예를 들어, 커버 링(CR)을 교환할 프로세스 모듈(PM12)에서 처리가 행해지고 있는 기판(W)과 같은 로트의 기판(W)의 처리가 종료한 경우에, 커버 링(FR) 교환이 가능다고 판정할 수도 있다. 이 경우, 제어부(CU)는 프로세스 모듈(PM12)에서 처리가 행해지고 있는 기판(W)과 같은 로트의 기판(W) 처리가 종료할 때까지 커버 링(CR) 교환이 가능하지 않다고 판정한다.
단계 S150에서 커버 링(CR) 교환이 가능하다고 판정한 경우, 제어부(CU)는 처리를 단계 S160으로 진행시킨다. 한편, 단계 S150에서 커버 링(CR) 교환이 가능하지 않다고 판정한 경우에는, 제어부(CU)는 단계 S150을 재차 실행한다.
단계 S160에서는, 제어부(CU)는 반송 로봇(TR2)으로 하여금 커버 링(CR)만을 교환하는 동작을 실행하도록 한다. 단계 S160에 대해 자세하게는 후술하기로 한다.
단계 S170에서, 제어부(CU)는 에지 링(FR) 교환이 필요한지 여부를 판정한다. 본 실시형태에서, 제어부(CU)는, 예를 들어, 전술한 RF 적산 시간, RF 적산 전력, 레시피 특정 단계의 적산값에 기초하여, 에지 링(FR) 교환이 필요한지 여부를 판정한다. 또한, 제어부(CU)는, 예를 들어 광학적 수단을 이용하여 에지 링(FR)의 높이 위치를 검출함으로써, 에지 링(FR) 교환이 필요한지 여부를 판정할 수도 있다.
단계 S170에서 에지 링(FR) 교환이 필요하다고 판정한 경우, 제어부(CU)는 처리를 단계 S180으로 진행시킨다. 한편, 에지 링(FR) 교환이 필요하지 않다고 판정한 경우에는, 제어부(CU)는 처리를 단계 S110으로 진행시킨다.
단계 S180에서, 제어부(CU)는 에지 링(FR)의 교환이 가능한지 여부를 판정한다. 단계 S180에서는 예를 들어 전술한 단계 S50과 마찬가지의 판정 방법을 사용할 수 있다.
단계 S180에서 에지 링(FR)의 교환이 가능하다고 판정한 경우에, 제어부(CU)는 처리를 단계 S190으로 진행시킨다. 한편, 단계 S180에서 에지 링(FR)의 교환이 가능하지 않다고 판정한 경우에는, 제어부(CU)는 단계 S180을 재차 실행한다.
단계 S190에서, 제어부(CU)는 단독 반송 모드를 선택하여 반송 로봇(TR2)으로 하여금 에지 링(FR)만을 반송하게 한다. 단계 S190에 대해 예를 들어 전술한 단계 S60과 마찬가지의 반송 방법을 사용할 수 있다.
이어서, 도 28을 참조하여 단계 S160에 대해 자세하게 설명한다. 단계 S160은 제1 클리닝 단계 S161과, 반출 단계 S162와, 제2 클리닝 단계 S163과, 반입 단계 S164와, 시즈닝 단계 S165를 갖는다. 이하에서 각 단계에 대해 설명한다.
제1 클리닝 단계 S161는 프로세스 모듈(PM12)을 클리닝 처리하는 단계이다. 제1 클리닝 단계 S161에서 제어부(CU)는 가스 도입계, 배기계, 전력 도입계 등을 제어함으로써 프로세스 모듈(PM12)을 클리닝 처리한다. 클리닝 처리라 함은, 플라즈마 처리에 의해 발생한 프로세스 모듈(PM12) 내 퇴적물을 처리 가스 플라즈마 등에 의해 제거하여 프로세스 모듈(PM12) 안을 청정한 상태로 안정시키는 처리이다. 제1 클리닝 단계 S161을 실시함으로써, 반출 단계 S162에서 스테이지로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반출할 때에 프로세스 모듈(PM12) 내 퇴적물이 떠오르는 것을 억제할 수 있다. 처리 가스로는, 예를 들어, O2 가스, CF계 가스, N2 가스, Ar 가스, He 가스, 또는 이들 중 2종류 이상의 혼합 가스를 사용할 수 있다. 또한, 프로세스 모듈(PM12)을 클리닝 처리할 때에, 처리 조건에 따라서는, 스테이지의 정전 척(112)을 보호하기 위해 정전 척(112) 상면에 더미 웨이퍼 등과 같은 기판(W)을 탑재한 상태에서 클리닝 처리를 실시할 수도 있다. 한편, 프로세스 모듈(PM12) 내에 퇴적물이 존재하지 않는 경우, 퇴적물이 떠오를 일이 없는 경우 등에는, 제1 클리닝 단계 S161을 실시하지 않을 수도 있다. 또한, 정전 척(112)에 의해 에칭 링(FR)이 스테이지에 흡착해 있는 경우에는, 다음의 반출 단계 S162를 실시할 때까지 제전(除電) 처리를 행해 둔다. 에지 링(FR) 및/또는 커버 링(CR) 뒷면의 퇴적물을 제거하기 위해, 제1 클리닝 단계 S161을 실행하는 중에 에지 링(FR) 및/또는 커버 링(CR)을 정전 척(112) 및 절연체(115)로부터 이격되도록 들어올릴 수도 있다. 또한, 제1 클리닝 단계 S161을 실행하는 중에 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 리프트 업(lift up)한 상태와 리프트 업하지 않은 상태 간에 상태를 변경할 수도 있다. 이와 같이 제1 클리닝 단계 S161에서는 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 리프트 업한 상태 및/또는 리프트 업하지 않은 상태에서 클리닝 처리를 실시할 수 있다.
반출 단계 S162는 프로세스 모듈(PM12)을 대기에 개방하지 않고서 프로세스 모듈(PM12) 안으로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반출하는 단계이다. 반출 단계 S162에서, 제어부(CU)는 프로세스 모듈(PM12)을 대기에 개방하지 않고서 프로세스 모듈(PM12) 안으로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반출하도록 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어한다. 구체적으로, 게이트 밸브(G1)를 열고서 반송 로봇(TR2)에 의해 프로세스 모듈(PM12) 내부의 스테이지에 탑재된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 동시에 프로세스 모듈(PM12)로부터 반출한다. 예를 들어, 제어부(CU)는 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어하여 프로세스 모듈(PM12) 내부의 스테이지에 탑재된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 동시에 반출한다. 이어서, 게이트 밸브(G4)를 열고서 반송 로봇(TR2)에 의해 프로세스 모듈(PM12)로부터 반출된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 동시에 수납 모듈(SM)에 수납한다. 예를 들어, 제어부(CU)는 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어하여 도 18a~18d에 나타내는 반송 방법에 의해 프로세스 모듈(PM2) 안으로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 반출해서 수납 모듈(SM)에 수납한다.
또한, 반출 단계(S162)에서는, 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 따로 반출할 수도 있다. 예를 들어, 제어부(CU)는 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어하여, 프로세스 모듈(PM12) 내부의 스테이지에 탑재된 에지 링(FR)을 반출한 후에, 프로세스 모듈(PM12) 내부의 스테이지에 탑재된 커버 링(CR)을 반출할 수도 있다.
제2 클리닝 단계 S163는 프로세스 모듈(PM12)의 스테이지에 있어 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)이 탑재되는 면을 클리닝 처리하는 단계이다. 제2 클리닝 단계 S163에서, 제어부(CU)는 가스 도입계, 배기계, 전력 도입계 등을 제어함으로써, 프로세스 모듈(PM12)의 스테이지에 있어 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)이 탑재되는 면을 클리닝 처리한다. 제2 클리닝 단계 S163에서의 클리닝 처리는, 예를 들어, 제1 클리닝 단계 S161과 마찬가지의 방법으로 실행할 수 있다. 즉, 처리 가스로는, 예를 들어, O2 가스, CF계 가스, N2 가스, Ar 가스, He 가스, 또는 이들 중 2종류 이상의 혼합 가스를 사용할 수 있다. 또한, 프로세스 모듈(PM12)을 클리닝 처리할 때에, 처리 조건에 따라서는, 스테이지의 정전 척(112)을 보호하기 위해 정전 척(112) 상면에 더미 웨이퍼 등과 같은 기판(W)을 탑재한 상태에서 클리닝 처리를 실시할 수도 있다. 한편, 제2 클리닝 단계 S163은 생략할 수도 있다.
반입 단계 S164는, 프로세스 모듈(PM12)을 대기에 개방하지 않고서, 반출 단계 S162에서 반출한 에지 링(FR) 및 교환용 커버 링(CR)을 프로세스 모듈(PM12) 안으로 반입하여 스테이지에 탑재하는 단계이다. 반입 단계 S164에서, 제어부(CU)는, 프로세스 모듈(PM12)을 대기에 개방하지 않고서 반출 단계 S162에서 반출한 에지 링(FR) 및 교환용 커버 링(CR)을 프로세스 모듈(PM12) 안으로 반입하도록, 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어한다. 구체적으로는, 게이트 밸브(G4)를 열고서, 반송 로봇(TR2)에 의해, 반출 단계 S162에서 프로세스 모델(PM12)로부터 반출되어 수납 모듈(SM)에 수용된 사용이 끝난 에지 링(FR) 및 수납 모듈(SM)에 수용된 교환용 커버 링(CR)을 반출한다. 이어서, 게이트 밸브(G1)를 열고서, 반송 로봇(TR2)에 의해, 사용이 끝난 에지 링(FR) 및 교환용 커버 링(CR)을 프로세스 모듈(PM12)로 반입하여 스테이지에 탑재한다. 예를 들어, 제어부(CU)는 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어함으로써, 도 19a~19d에 나타내는 반송 방법에 의해, 수납 모듈(SM)에 수납된 사용이 끝난 에지 링(FR) 및 교환용 커버 링(CR)을 프로세스 모듈(PM12) 내 스테이지에 탑재한다.
또한, 반입 단계 S164에서는, 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 따로 반입할 수도 있다. 예를 들어, 제어부(CU)는 처리 시스템(PS)의 각 부를 제어하여, 커버 링(CR)을 프로세스 모듈(PM12) 내부의 스테이지에 탑재한 후, 에지 링(FR)을 프로세스 모듈(PM12) 내부의 스테이지에 탑재할 수도 있다.
시즈닝 단계 S165는 프로세스 모델(PM12)의 시즈닝 처리를 행하는 단계이다. 시즈닝 단계 S165에서, 제어부(CU)는 가스 도입계, 배기계, 전력 도입계 등을 제어함으로써 프로세스 모듈(PM12)의 시즈닝 처리를 행한다. 시즈닝 처리라 함은, 소정의 플라즈마 처리를 함으로써 프로세스 모듈(PM12) 내 온도나 퇴적물 상태를 안정시키기 위한 처리를 말한다. 또한, 시즈닝 단계 S165에서는, 프로세스 모듈(PM12)의 시즈닝 처리 후에, 프로세스 모듈(PM12) 안으로 품질 관리용 웨이퍼를 반입하고서 품질 관리용 웨이퍼에 대해 소정의 처리를 할 수도 있다. 이로써 프로세스 모듈(PM12)의 상태가 정상인지 여부를 확인할 수 있다. 한편, 시즈닝 단계 S165는 생략할 수도 있다.
[제1 변형예]
도 29~도 31을 참조하여, 도 1의 처리 시스템(PS)이 구비하는 프로세스 모듈(PM1~PM12)로서 사용되는 플라즈마 처리 장치의 다른 일 예에 대해 설명한다.
플라즈마 처리 장치(1X)는 플라즈마 처리 장치(1)에서의 플라즈마 처리 챔버(10) 및 리프터(50) 대신에, 플라즈마 처리 챔버(10X) 및 리프터(50X)를 포함한다. 한편, 그 밖의 구성에 대해서는 플라즈마 처리 장치(1)와 같을 수 있다.
플라즈마 처리 챔버(10X)는 기판 지지부(11X) 및 상부 전극(12)을 구비한다. 기판 지지부(11X)는 플라즈마 처리 챔버(10X) 내 플라즈마 처리 공간(10s)의 하부 영역에 배치된다. 상부 전극(12)은 기판 지지부(11X)의 윗쪽에 배치되며 플라즈마 처리 챔버(10X)의 천정판의 일부로서 기능할 수 있다.
기판 지지부(11X)는 플라즈마 처리 공간(10s)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부(11X)는 하부 전극(111), 정전 척(112), 링 어셈블리(113X), 절연체(115), 베이스(116)를 포함한다. 정전 척(112)은 하부 전극(111) 상에 배치되어 있다. 정전 척(112)은 상면에서 기판(W)을 지지한다. 링 어셈블리(113X)는 에지 링(FRX) 및 커버 링(CRX)을 포함한다. 에지 링(FRX)은 고리 형상을 가지며, 하부 전극(111)이 둘레 가장자리부 상면에서 기판(W)의 주위에 배치되어 있다. 에지 링(FRX)은, 예를 들어, 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킨다. 커버 링(CRX)은 고리 형상을 가지며 에지 링(FRX)의 외주부에 배치되어 있다. 커버 링(CRX)은, 예를 들어, 플라즈마로부터 절연체(115)의 상면을 보호한다. 도 29의 예에서, 에지 링(FRX)의 외경은 커버 링(CRX)의 내경과 같거나 커버 링(CRX)의 내경보다 작다. 즉, 평면시로 보았을 때에 에지 링(FRX)과 커버 링(CRX)은 겹쳐있지 않다. 이로써 에지 링(FRX)과 커버 링(CRX)은 독립적으로 승강한다. 절연체(115)는 베이스(116) 상에서 하부 전극(111)을 둘러싸도록 배치된다. 베이스(116)는 플라즈마 처리 챔버(10X)의 바닥부에 고정되며, 하부 전극(111) 및 절연체(115)를 지지한다.
리프터(50X)는 기판(W), 에지 링(FRX), 커버 링(CRX)을 승강시킨다. 리프터(50X)는 제1 리프터(51), 제3 리프터(53), 제4 리프터(54)를 포함한다.
제1 리프터(51)는 복수 개의 지지 핀(511) 및 액츄에이터(512)를 포함한다. 복수 개의 지지 핀(511)은 하부 전극(111) 및 정전 척(112)에 형성된 관통 구멍(H1)에 삽입 통과되며, 정전 척(112) 상면에 대해 돌출/함몰 가능하도록 되어 있다. 복수 개의 지지 핀(511)은 정전 척(112) 상면에 대해 돌출함으로써, 상단을 기판(W) 하면에 맞닿게 하여 기판(W)을 지지한다. 액츄에이터(512)는 복수 개의 지지 핀(511)을 승강시킨다. 액츄에이터(512)로는, DC 모터, 스텝 모터, 리니어 모터 등과 같은 모터, 에어 실린더 등과 같은 에어 구동 기구, 피에조 액츄에이터 등을 사용할 수 있다. 이러한 제1 리프터(51)는, 예를 들어, 반송 로봇(TR1,TR2)과 기판 지지부(11) 사이에서 기판(W)을 건넬 때에 복수 개의 지지 핀(511)을 승강시킨다.
제3 리프터(53)는 복수 개의 지지 핀(531) 및 액츄에이터(532)를 포함한다. 복수 개의 지지 핀(531)은 절연체(115)에 형성된 관통 구멍(H3)에 삽입 통과되며, 절연체(115) 상면에 대해 돌출/함몰 가능하도록 되어 있다. 복수 개의 지지 핀(531)은 절연체(115) 상면에 대해 돌출함으로써, 상단을 에지 링(FRX) 하면에 맞닿게 하여 에지 링(FRX)을 지지한다. 액츄에이터(532)는 복수 개의 지지 핀(531)을 승강시킨다. 액츄에이터(532)로는, 예를 들어 액츄에이터(512)와 마찬가지의 것을 사용할 수 있다.
제4 리프터(54)는 복수 개의 지지 핀(541) 및 액츄에이터(542)를 포함한다. 복수 개의 지지 핀(541)은 절연체(115)에 형성된 관통 구멍(H4)에 삽입 통과되며, 절연체(115) 상면에 대해 돌출/함몰 가능하도록 되어 있다. 복수 개의 지지 핀(541)은 절연체(115) 상면에 대해 돌출함으로써, 상단을 커버 링(CRX) 하면에 맞닿게 하여 커버 링(CRX)을 지지한다. 액츄에이터(542)는 복수 개의 지지 핀(541)을 승강시킨다. 액츄에이터(542)로는, 예를 들어 액츄에이터(512)와 마찬가지의 것을 사용할 수 있다.
이러한 리프터(50X)에서는, 반송 로봇(TR1,TR2)과 기판 지지부(11) 사이에서 에지 링(FRX) 및 커버 링(CRX)을 건네는 경우에, 복수 개의 지지 핀(531,541)을 승강시킨다. 예를 들어, 정전 척(112) 상에 탑재된 에지 링(FRX) 및 커버 링(CRX)을 반송 로봇(TR1,TR2)에 의해 반출하는 경우, 도 30에 나타내는 바와 같이, 복수 개의 지지 핀(531,541)을 상승시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(531)에 의해 에지 링(FRX)이 들어올려지며, 복수 개의 지지 핀(541)에 의해 커버 링(CRX)이 들어올려지는 바, 반송 로봇(TR1,TR2)에 의해 에지 링(FRX) 및 커버 링(CRX)을 동시에 반출할 수 있다.
또한, 이러한 리프터(50X)에서는, 반송 로봇(TR1,TR2)과 기판 지지부(11) 사이에서 에지 링(FRX)만을 건네는 경우에, 복수 개의 지지 핀(531)을 승강시킨다. 예를 들어, 정전 척(112) 상에 탑재된 에지 링(FRX)만을 반송 로봇(TR1,TR2)에 의해 반출하는 경우, 도 31에 나타내는 바와 같이, 복수 개의 지지 핀(531)을 상승시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(531)에 의해 에지 링(FRX)만이 들어올려지는 바, 반송 로봇(TR1,TR2)에 의해 에지 링(FRX)을 단독으로 반출할 수 있다.
[제2 변형예]
(구성)
도 32를 참조하여, 도 1의 처리 시스템(PS)이 구비하는 프로세스 모듈(PM1~PM12)로서 사용되는 플라즈마 처리 장치의 또다른 일 예에 대해 설명한다. 이하에서는, 플라즈마 처리 장치(1)와 다른 점을 중심으로 설명한다.
플라즈마 처리 장치는 리프터(50Y)를 포함한다. 리프터(50Y)는 제1 리프터(51) 및 제5 리프터(55)를 포함한다.
제5 리프터(55)는 복수 개의 지지 핀(551) 및 액츄에이터(미도시)를 포함한다.
지지 핀(551)은 원기둥 형상(중실의 로드(rod) 형상) 부재로 형성된 단차 있는 지지 핀이다. 지지 핀(551)은 아래에서 위의 순서로 하측 로드부(552)와 상측 로드부(553)를 구비한다. 하측 로드부(552)의 외경은 상측 로드부(553)의 외경보다 크다. 이로써 하측 로드부(552)의 상단면(552a)에 의해 단차부가 형성된다. 하측 로드부(552)와 상측 로드부(553)는 일체로 성형되어 있다.
지지 핀(551)은 하부 전극(111)에 형성된 관통 구멍(H11), 절연체(115)에 형성된 관통 구멍(H12), 커버 링(CR)에 형성된 관통 구멍(H13)에 삽입 관통되며, 절연체(115)의 상면 및 커버 링(CR)의 상면에 대해 돌출/함몰 가능하도록 되어 있다. 관통 구멍(H11,H12)의 내경은 하측 로드부(552)의 외경보다 약간 크게 되어 있다. 관통 구멍(H13)의 내경은 상측 로드부(553)의 외경보다 약간 크고 하측 로드부(552)의 외경보다 작게 되어 있다.
지지 핀(551)은 대기 위치, 제1 지지 위치, 제2 위치 간에 변위 가능하다.
대기 위치는 상측 로드부(553)의 상단면(553a)이 에지 링(FR)의 하면보다 아랫쪽에 있는 위치이다. 지지 핀(551)이 대기 위치에 있는 경우, 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)은 지지 핀(551)에 의해 들어올려지지 않고 각각 정전 척(112) 상에 그리고 절연체(115) 상에 의해 지지된다.
제1 지지 위치는 대기 위치보다 상방의 위치이다. 제1 지지 위치는 상측 로드부(553)의 상단면(553a)이 커버 링(CR)의 상면보다 윗쪽으로 돌출하며 또한 하측 로드부(552)의 상단면(552a)이 커버 링(CR)의 하면보다 아랫쪽에 있는 위치이다. 지지 핀(551)은 제1 지지 위치로 이동함으로써, 상측 로드부(553)의 상단면(553a)을 에지 링(FR)의 하면에 형성된 오목부(FRr)에 맞닿게 하여 에지 링(FR)을 지지한다.
제2 지지 위치는 제1 지지 위치보다 상방의 위치이다. 제2 지지 위치는 하측 로드부(552)의 상단면(552a)이 절연체(115)의 상면보다 윗쪽으로 돌출하는 위치이다. 지지 핀(551)은 제2 지지 위치로 이동함으로써, 상측 로드부(553)의 상단면(553a)을 오목부(FRr)에 맞닿게 하여 에지 링(FR)을 지지하고, 또한 하측 로드부(552)의 상단면(552a)을 커버 링(CR)의 하면에 맞닿게 하여 커버 링(CR)을 지지한다.
액츄에이터는 복수 개의 지지 핀(551)을 승강시킨다. 액츄에이터로는, 예를 들어, DC 모터, 스텝 모터, 리니어 모터 등과 같은 모터, 에어 실린더 등과 같은 에어 구동 기구, 피에조 액츄에이터 등을 사용할 수 있다.
이에 대한 제5 리프터(55)는, 반송 로봇(TR1,TR2)과 기판 지지부(11) 간에 에지 링(FR)을 건네는 경우에, 복수 개의 지지 핀(551)을 제1 지지 위치로 이동시킴으로써 에지 링(FR)을 들어올린다. 또한, 제5 리프터(55)는, 반송 로봇(TR1,TR2)과 기판 지지부(11) 간에 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 건네는 경우에, 복수 개의 지지 핀(551)을 제2 지지 위치로 이동시킴으로써 커버 링(CR) 및 에지 링(FR)을 들어올린다.
(소모 부재 반송 방법: 동시 반송 모드)
도 33a~36c를 참조하여, 실시형태의 처리 시스템(PS)에서의 소모 부재 반송 방법의 다른 일 예로서, 제어부(CU)가 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 동시에 반송 로봇(TR2)으로 반송시키는 동시 반송 모드를 선택하여 실행하는 경우를 설명한다. 구체적으로, 도 32에 나타내는 플라즈마 처리 장치로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 동시에 검출한 후, 교환용 에지 링(FR)와 커버 링(CR)을 플라즈마 처리 장치로 동시에 반입하는 경우에 대해 설명한다.
이하에서는, 제어부(90)가 제어부(CU)에 포함되어 있으며, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2) 및 리프터(50Y)를 제어하는 것으로서 설명한다. 단, 제어부(90)가 제어부(CU)와는 별도로 구비되어, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2)을 제어하고, 제어부(90)가 리프터(50Y)를 제어하도록 할 수도 있다. 한편, 에지 링(FR)의 외주부와 커버 링(CR)의 내주부는 평면시로 보았을 때에 겹치는 구성을 갖는 것으로 한다.
우선, 도 33a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 대기 위치로부터 상승시킨다. 이로써, 상측 로드부(553)의 상단면(553a)이 에지 링(FR)의 하면에 맞닿아 당해 에지 링(FR)이 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 들어올려지는 바, 당해 에지 링(FR)이 정전 척(112)으로부터 이격된다.
이어서, 도 33b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 제2 지지 위치까지 더 상승시킨다. 이로써, 하측 로드부(552)의 상단면(552a)이 커버 링(CR)의 하면에 맞닿아 당해 커버 링(CR)이 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 들어올려지는 바, 당해 커버 링(CR)이 절연체(115)로부터 이격된다. 이와 같이 복수 개의 지지 핀(551)이 대기 위치로부터 제2 지지 위치까지 상승하면, 에지 링(FR)과 커버 링(CR)이 서로 이격된 상태에서 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 들어올려져 지지된다.
이어서, 도 33c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 하측 포크(FK22)를, 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 지지된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)과 정전 척(112) 사이로 진입시킨다.
이어서, 도 34a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 제2 지지 위치로부터 하강시킨다. 이로써, 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 지지된 커버 링(CR)이 하측 포크(FK22) 상에 탑재된다.
이어서, 도 34b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 대기 위치까지 더 하강시킨다. 이로써, 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 지지된 에지 링(FR)이 커버 링(CR) 상에 탑재된다. 이와 같이, 복수 개의 지지 핀(551)이 제2 지지 위치로부터 대기 위치까지 하강하면, 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)이 하측 포크(FK22) 상에 탑재된다.
이어서, 도 34c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 홀딩한 하측 포크(FK22)를 물러나게 한다.
이어서, 도 35a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 교환용 에지 링(FR) 및 교환용 커버 링(CR)을 홀딩한 상측 포크(FK21)를 정전 척(112) 윗쪽으로 진입시킨다.
이어서, 도 35b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 대기 위치로부터 상승시킨다. 이로써 상측 로드부(553)의 상단면(553a)이 상측 포크(FK21)에 홀딩된 에지 링(FR)의 하면에 맞닿으며, 당해 에지 링(FR)이 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 들어올려지는 바, 당해 에지 링(FR)이 상측 포크(FK21)로부터 이격된다.
이어서, 도 35c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 제2 지지 위치까지 더 상승시킨다. 이로써 하측 로드부(552)의 상단면(552a)이 상측 포크(FK21)에 홀딩된 커버 링(CR)의 하면에 맞닿으며, 당해 커버 링(CR)이 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 들어올려지는 바, 당해 커버 링(CR)이 상측 포크(FK21)로부터 이격된다.
이어서, 도 36a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 상측 포크(FK21)를 물러나게 한다.
이어서, 도 36b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 제2 지지 위치로부터 하강시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 지지된 커버 링(CR)이 절연체(115) 상에 탑재된다.
이어서, 도 36c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 대기 위치까지 더 하강시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 지지된 에지 링(FR)이 정전 척(112) 상에 탑재된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 도 32에 나타내는 플라즈마 처리 장치에서도, 플라즈마 처리 장치로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 동시에 반출한 후, 환용 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 동시에 플라즈마 처리 장치로 반입할 수 있다.
(소모 부재 반송 방법: 동시 반송 모드)
도 33a~36c를 참조하여, 실시형태의 처리 시스템(PS)에서의 소모 부재 반송 방법의 다른 일 예로서, 제어부(CU)가 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 동시에 반송 로봇(TR2)으로 반송시키는 동시 반송 모드를 선택하여 실행하는 경우를 설명한다. 구체적으로, 도 32에 나타내는 플라즈마 처리 장치로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 동시에 검출한 후, 교환용 에지 링(FR)와 커버 링(CR)을 플라즈마 처리 장치로 동시에 반입하는 경우에 대해 설명한다.
이하에서는, 제어부(90)가 제어부(CU)에 포함되어 있으며, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2) 및 리프터(50Y)를 제어하는 것으로서 설명한다. 단, 제어부(90)가 제어부(CU)와는 별도로 구비되어, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2)을 제어하고, 제어부(90)가 리프터(50Y)를 제어하도록 할 수도 있다. 한편, 에지 링(FR)의 외주부와 커버 링(CR)의 내주부는 평면시로 보았을 때에 겹치는 구성을 갖는 것으로 한다.
우선, 도 33a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 대기 위치로부터 상승시킨다. 이로써, 상측 로드부(553)의 상단면(553a)이 에지 링(FR)의 하면에 맞닿아 당해 에지 링(FR)이 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 들어올려지는 바, 당해 에지 링(FR)이 정전 척(112)으로부터 이격된다.
이어서, 도 33b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 제2 지지 위치까지 더 상승시킨다. 이로써, 하측 로드부(552)의 상단면(552a)이 커버 링(CR)의 하면에 맞닿아 당해 커버 링(CR)이 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 들어올려지는 바, 당해 커버 링(CR)이 절연체(115)로부터 이격된다. 이와 같이 복수 개의 지지 핀(551)이 대기 위치로부터 제2 지지 위치까지 상승하면, 에지 링(FR)과 커버 링(CR)이 서로 이격된 상태에서 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 들어올려져 지지된다.
이어서, 도 33c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 하측 포크(FK22)를, 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 지지된 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)과 정전 척(112) 사이로 진입시킨다.
이어서, 도 34a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 제2 지지 위치로부터 하강시킨다. 이로써, 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 지지된 커버 링(CR)이 하측 포크(FK22) 상에 탑재된다.
이어서, 도 34b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 대기 위치까지 더 하강시킨다. 이로써, 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 지지된 에지 링(FR)이 커버 링(CR) 상에 탑재된다. 이와 같이, 복수 개의 지지 핀(551)이 제2 지지 위치로부터 대기 위치까지 하강하면, 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)이 하측 포크(FK22) 상에 탑재된다.
이어서, 도 34c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 홀딩한 하측 포크(FK22)를 물러나게 한다.
이어서, 도 35a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 교환용 에지 링(FR) 및 교환용 커버 링(CR)을 홀딩한 상측 포크(FK21)를 정전 척(112) 윗쪽으로 진입시킨다.
이어서, 도 35b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 대기 위치로부터 상승시킨다. 이로써 상측 로드부(553)의 상단면(553a)이 상측 포크(FK21)에 홀딩된 에지 링(FR)의 하면에 맞닿으며, 당해 에지 링(FR)이 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 들어올려지는 바, 당해 에지 링(FR)이 상측 포크(FK21)로부터 이격된다.
이어서, 도 35c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 제2 지지 위치까지 더 상승시킨다. 이로써 하측 로드부(552)의 상단면(552a)이 상측 포크(FK21)에 홀딩된 커버 링(CR)의 하면에 맞닿으며, 당해 커버 링(CR)이 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 들어올려지는 바, 당해 커버 링(CR)이 상측 포크(FK21)로부터 이격된다.
이어서, 도 36a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 상측 포크(FK21)를 물러나게 한다.
이어서, 도 36b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 제2 지지 위치로부터 하강시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 지지된 커버 링(CR)이 절연체(115) 상에 탑재된다.
이어서, 도 36c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 대기 위치까지 더 하강시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 지지된 에지 링(FR)이 정전 척(112) 상에 탑재된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 도 32에 나타내는 플라즈마 처리 장치에서도, 플라즈마 처리 장치로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 동시에 반출한 후, 교환용 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 동시에 플라즈마 처리 장치로 반입할 수 있다.
(소모 부재 반송 방법: 단독 반송 모드)
도 37a~38d를 참조하여, 실시형태의 처리 시스템(PS)에서의 소모 부재 반송 방법의 다른 일 예로서, 제어부(CU)가 에지 링(FR)만을 반송 로봇(TR2)으로 반송시키는 단독 반송 모드를 선택하여 실행하는 경우를 설명한다. 구체적으로, 도 32에 나타내는 플라즈마 처리 장치로부터 에지 링(FR)을 단독으로 반출한 후, 교환용 에지 링(FR)을 단독으로 플라즈마 처리 장치에 반입하는 경우에 대해 설명한다.
이하에서는, 제어부(90)가 제어부(CU)에 포함되어 있으며, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2) 및 리프터(50Y)를 제어하는 것으로서 설명한다. 단, 제어부(90)가 제어부(CU)와는 별도로 구비되어, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2)을 제어하고, 제어부(90)가 리프터(50Y)를 제어하도록 할 수도 있다. 한편, 에지 링(FR)의 외주부와 커버 링(CR)의 내주부는 평면시로 보았을 때에 겹치는 구성을 갖는 것으로 한다.
우선, 도 37a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 대기 위치로부터 제1 지지 위치까지 상승시킨다. 이로써, 상측 로드부(553)의 상단면(553a)이 에지 링(FR)의 하면에 맞닿아 당해 에지 링(FR)이 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 들어올려지는 바, 당해 에지 링(FR)이 정전 척(112)으로부터 이격된다.
이어서, 도 37b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 하측 포크(FK22)를 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 지지된 에지 링(FR)과 정전 척(112) 사이로 진입시킨다.
이어서, 도 37c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(511)을 제1 지지 위치로부터 대기 위치까지 하강시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(511)에 의해 지지된 에지 링(FR)이 하측 포크(FK22) 상에 탑재된다.
이어서, 도 37d에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 에지 링(FR)을 홀딩한 하측 포크(FK22)를 물러나게 한다.
이어서, 도 38a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 교환용 에지 링(FR)을 홀딩한 상측 포크(FK21)를 정전 척(112) 윗쪽으로 진입시킨다.
이어서, 도 38b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(511)을 제어하여 대기 위치로부터 제1 지지 위치까지 상승시킨다. 이로써, 상측 로드부(553)의 상단면(553a)이 상측 포크(FK21)에 홀딩된 에지 링(FR)의 하면에 맞닿아 당해 에지 링(FR)이 복수 개의 지지 핀(511)에 의해 들어올려짐으로써, 당해 에지 링(FR)이 상측 포크(FK21)로부터 이격된다.
이어서, 도 38c에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 상측 포크(FK21)을 물러나게 한다.
이어서, 도 38d에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(551)을 제1 지지 위치로부터 대기 위치까지 하강시킨다. 이로써, 복수 개의 지지 핀(551)에 의해 지지된 에지 링(FR)이 정전 척(112) 상에 탑재된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 도 32에 나타내는 플라즈마 처리 장치에서도, 플라즈마 처리 장치로부터 에지 링(FR)을 단독으로 반출한 후, 교환용 에지 링(FR)을 단독으로 플라즈마 처리 장치에 반입할 수 있다.
[제3 변형예]
(구성)
도 39를 참조하여, 도 1의 처리 시스템(PS)이 구비하는 프로세스 모듈(PM1~PM12)로서 사용되는 플라즈마 처리 장치의 또다른 일 예에 대해 설명한다. 이하에서는, 플라즈마 처리 장치(1)와 다른 점을 중심으로 설명한다.
플라즈마 처리 장치는 링 어셈블리(113Z)를 포함한다. 링 어셈블리(113Z)는 에지 링(FR), 커버 링(CR), 반송 링(HR)을 포함한다.
에지 링(FR)은 고리 형상을 가지며, 하부 전극(111)의 둘레 가장자리부 상면에서 기판(W)의 주위에 배치되어 있다. 에지 링(FR)은 기판(W)에 대한 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킨다. 에지 링(FR)은 예를 들어 Si, SiC 등과 같은 도전성 재료에 의해 형성된다. 하부 전극(111)의 내부에는 냉매 유로(117)가 형성되어 있다. 냉매 유로(117)에는, 칠러 유닛(미도시)으로부터 냉각수, 갈덴(Galden) 등과 같은 냉매가 공급된다.
커버 링(CR)은 고리 형상을 가지며, 에지 링(FR)의 외주부에 배치되어 있다. 커버 링(CR)은, 예를 들어, 플라즈마로부터 절연체(115) 상면을 보호한다. 커버 링(CR)은, 예를 들어, Si, SiC 등과 같은 도전성 재료에 의해 형성된다.
반송 링(HR)은 절연체(115) 상에 탑재되어 있다. 평면시로 보았을 때, 반송 링(HR)의 내주부는 에지 링(FR)의 외주부와 겹쳐 있으며, 반송 링(HR)의 외주부는 커버 링(CR)의 내주부와 겹쳐 있다. 반송 링(HR) 내주부의 상면에는 에지 링(FR)이 탑재된다. 반송 링(HR)의 외주부에는 커버 링(CR)이 탑재된다. 반송 링(HR)에는, 후술하는 지지 핀(561)의 상측 로드부(563)를 삽입 통과시키는 관통 구멍(H22)이 형성되어 있다. 반송 링(HR)은, 예를 들어, 이산화규소(SiO2)에 의해 형성된다. 반송 링(HR)은 알루미나(Al2O3) 등과 같은 세라믹 재료에 의해 형성될 수 있다. 반송 링(HR)은 에지 링(FR)보다 전기 저항율이 큰 Si, SiC 등과 같은 도전성 재료, 즉, 에지 링(FR)을 구성하는 재료보다 전기 저항율이 크도록 불순물 농도가 조정된 Si, SiC 등의 도전성 재료에 의해 형성될 수 있다.
플라즈마 처리 장치는 리프터(50Z)를 포함한다. 리프터(50Z)는 제1 리프터(51) 및 제6 리프터(56)를 포함한다. 제6 리프터(56)는 복수 개의 지지 핀(561) 및 액츄에이터(미도시)를 포함한다.
지지 핀(561)은 원기둥 형상(중실의 로드 형상)의 부재로 형성된 단차 있는 지지 핀이다. 지지 핀(561)은 아래에서 위의 순서로, 하측 로드부(562) 및 상측 로드부(563)를 구비한다. 하측 로드부(562)의 외경은 상측 로드부(563)의 외경보다 크다. 이로써 하측 로드부(562)의 상단면(562a)에 의해 단부가 형성된다. 하측 로드부(562)와 상측 로드부(563)는 일체로 성형되어 있다.
지지 핀(561)은 관통 구멍(H21,H22)에 삽입 관통되어 절연체(115)의 상면 및 반송 링(HR)의 상면에 대해 돌출/함몰 가능하도록 되어 있다. 관통 구멍(H21)의 내경은 하측 로드부(562)의 외경보다 약간 크게 되어 있다. 관통 구멍(H22)의 내경은 상측 로드부(563)의 외경보다 약간 크고 하측 로드부(562)의 외경보다는 작게 되어 있다.
지지 핀(561)은 대기 위치, 제1 지지 위치, 제2 지지 위치 간에 변위 가능하다.
대기 위치는 상측 로드부(563)의 상단면(563a)이 에지 링(FR)의 하면보다 아랫쪽에 있는 위치이다. 지지 핀(561)이 대기 위치에 있는 경우, 에지 링(FR), 커버 링(CR), 반송 링(HR)은 지지 핀(561)에 의해 들어올려지지 않고 정전 척(112) 상에 또는 절연체(115) 상에 의해 지지된다.
제1 지지 위치는 대기 위치보다 상방의 위치이다. 제1 지지 위치는 상측 로드부(563)의 상단면(563a)이 반송 링(HR)의 상면보다 윗쪽으로 돌출하며 또한 하측 로드부(562)의 상단면(562a)이 반송 링(HR)의 하면보다 아랫쪽에 있는 위치이다. 지지 핀(561)은 제1 지지 위치로 이동함으로써, 상측 로드부(563)의 상단면(563a)을 에지 링(FR)의 하면에 맞닿게 하여 에지 링(FR)을 지지한다.
제2 지지 위치는 제1 지지 위치보다 상방의 위치이다. 제2 지지 위치는 하측 로드부(562)의 상단면(562a)이 절연체(115)의 상면보다 윗쪽으로 돌출하는 위치이다. 지지 핀(561)은 제2 지지 위치로 이동함으로써, 상측 로드부(563)의 상단면(563a)을 에지 링(FR)의 하면에 맞닿게 하여 에지 링(FR)을 지지하고, 또한 하측 로드부(562)의 상단면(562a)을 반송 링(HR)의 하면에 맞닿게 하여 반송 링(HR)을 지지한다. 이 때 반송 링(HR)의 외주부 상면에 커버 링(CR)의 내주부가 탑재되어 있다. 그리하여, 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 반송 링(HR)이 들어올려지면, 커버 링(CR)도 반송 링(HR)과 함께 들어올려진다. 즉, 반송 링(HR)과 커버 링(CR)이 일체로 되어 절연체(115)로부터 이격된다.
액츄에이터는 복수 개의 지지 핀(561)을 승강시킨다. 액츄에이터로는, 예를 들어, DC 모터, 스텝 모터, 리니어 모터 등과 같은 모터, 에어 실린더 등과 같은 에어 구동 기구, 피에조 액츄에이터 등을 사용할 수 있다.
이에 대한 제6 리프터(56)는, 반송 로봇(TR1,TR2)과 기판 지지부(11) 간에 에지 링(FR)을 건네는 경우에, 복수 개의 지지 핀(561)을 제1 지지 위치로 이동시킴으로써 에지 링(FR)을 들어올린다. 또한, 제6 리프터(56)는, 반송 로봇(TR1,TR2)과 기판 지지부(11) 간에 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 건네는 경우에, 복수 개의 지지 핀(561)을 제2 지지 위치로 이동시킴으로써 커버 링(CR), 에지 링(FR), 반송 링(HR)을 들어올린다.
(소모 부재 반송 방법: 동시 반송 모드)
도 40a~45b를 참조하여, 실시형태의 처리 시스템(PS)에서의 소모 부재 반송 방법의 다른 일 예로서, 제어부(CU)가 에지 링(FR), 커버 링(CR), 반송 링(HR)을 동시에 반송 로봇(TR2)으로 반송시키는 동시 반송 모드를 선택하여 실행하는 경우를 설명한다. 구체적으로, 도 39에 나타내는 플라즈마 처리 장치로부터 에지 링(FR), 커버 링(CR), 반송 링(HR)을 동시에 검출한 후, 교환용의 에지 링(FR), 커버 링(CR), 반송 링(HR)을 플라즈마 처리 장치로 동시에 반입하는 경우에 대해 설명한다.
이하에서는, 제어부(90)가 제어부(CU)에 포함되어 있으며, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2) 및 리프터(50Z)를 제어하는 것으로서 설명한다. 단, 제어부(90)가 제어부(CU)와는 별도로 구비되어, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2)을 제어하고, 제어부(90)가 리프터(50Z)를 제어하도록 할 수도 있다.
우선, 도 40a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(561)을 대기 위치로부터 상승시킨다. 이로써, 상측 로드부(563)의 상단면(563a)이 에지 링(FR)의 하면에 맞닿아 당해 에지 링(FR)이 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 들어올려지는 바, 당해 에지 링(FR)이 정전 척(112)으로부터 이격된다.
이어서, 도 40b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(561)을 제2 지지 위치까지 더 상승시킨다. 이로써, 하측 로드부(562)의 상단면(562a)이 반송 링(HR)의 하면에 맞닿아 당해 반송 링(HR)이 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 들어올려지는 바, 당해 반송 링(HR)이 절연체(115)로부터 이격된다. 이 때, 반송 링(HR)의 외주부에 커버 링(CR)의 외주부가 탑재되어 있다. 그리하여, 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 반송 링(HR)이 들어올려지면, 커버 링(CR)도 반송 링(HR)과 함께 들어올려진다. 즉, 반송 링(HR)와 커버 링(CR)이 일체로 되어 절연체(115)로부터 이격된다. 이와 같이 복수 개의 지지 핀(561)이 대기 위치로부터 제2 지지 위치까지 상승하면, 에지 링(FR)과 반송 링(HR) 및 커버 링(CR)이 서로 이격된 상태에서 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 들어올려져 지지된다.
이어서, 도 41a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 하측 포크(FK22)를, 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 지지된 반송 링(HR)과 정전 척(112) 사이로 진입시킨다.
이어서, 도 41b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(561)을 제2 지지 위치로부터 하강시킨다. 이로써, 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 지지된 커버 링(CR) 및 반송 링(HR)이 하측 포크(FK22) 상에 탑재된다.
이어서, 도 42a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(561)을 대기 위치까지 더 하강시킨다. 이로써, 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 지지된 에지 링(FR)이 반송 링(HR) 상에 탑재된다. 이와 같이, 복수 개의 지지 핀(561)이 제2 지지 위치로부터 대기 위치까지 하강하면, 에지 링(FR), 커버 링(CR), 반송 링(HR)이 하측 포크(FK22) 상에 탑재된다.
이어서, 도 42b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 에지 링(FR), 커버 링(CR) 및 반송 링(HR)을 홀딩한 하측 포크(FK22)를 물러나게 한다.
이어서, 도 43a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 교환용 에지 링(FR), 교환용 커버 링(CR) 및 교환용 반송 링(HR)을 홀딩한 상측 포크(FK21)를 정전 척(112) 윗쪽으로 진입시킨다. 한편, 교환용 반송 링(HR) 대신에 반출된 반송 링(HR)일 수도 있다.
이어서, 도 43b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(561)을 대기 위치로부터 상승시킨다. 이로써 상측 로드부(563)의 상단면(563a)이 상측 포크(FK21)에 홀딩된 에지 링(FR)의 하면에 맞닿으며, 당해 에지 링(FR)이 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 들어올려지는 바, 당해 에지 링(FR)이 상측 포크(FK21)로부터 이격된다.
이어서, 도 44a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(561)을 제2 지지 위치까지 더 상승시킨다. 이로써 하측 로드부(562)의 상단면(562a)이 상측 포크(FK21)에 홀딩된 반송 링(HR)의 하면에 맞닿으며, 당해 반송 링(HR)이 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 들어올려지는 바, 당해 반송 링(HR)이 상측 포크(FK21)로부터 이격된다. 이 때, 반송 링(HR)의 외주부에는 커버 링(CR)의 외주부가 탑재되어 있다. 그리하여, 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 반송 링(HR)이 들어올려지면, 커버 링(CR)도 반송 링(HR)과 함께 들어올려진다. 즉, 반송 링(HR)과 커버 링(CR)이 일체로 되어 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 들어올려지며, 당해 반송 링(HR) 및 당해 커버 링(CR)이 상측 포크(FK21)로부터 이격된다. 이와 같이 복수 개의 지지 핀(561)이 대기 위치로부터 제2 지지 위치까지 상승하면, 에지 링(FR)과 반송 링(HR) 및 커버 링(CR)이 서로 이격된 상태에서 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 들어올려져 지지된다.
이어서, 도 44b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 상측 포크(FK21)를 물러나게 한다.
이어서, 도 45a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(561)을 제2 지지 위치로부터 하강시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 지지된 반송 링(HR) 및 커버 링(CR)이 절연체(115) 상에 탑재된다.
이어서, 도 45b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(561)을 대기 위치까지 더 하강시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 지지된 에지 링(FR)이 정전 척(112) 상에 탑재된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 도 39에 나타내는 플라즈마 처리 장치에서도, 플라즈마 처리 장치로부터 에지 링(FR) 및 커버 링(CR)을 동시에 반출한 후, 교환용의 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 동시에 플라즈마 처리 장치로 반입할 수 있다.
(소모 부재 반송 방법: 단독 반송 모드)
도 46a~49b를 참조하여, 실시형태의 처리 시스템(PS)에서의 소모 부재 반송 방법의 다른 일 예로서, 제어부(CU)가 에지 링(FR)만을 반송 로봇(TR2)으로 반송시키는 단독 반송 모드를 선택하여 실행하는 경우를 설명한다. 구체적으로, 도 39에 나타내는 플라즈마 처리 장치로부터 에지 링(FR)을 단독으로 반출한 후, 교환용 에지 링(FR)을 단독으로 플라즈마 처리 장치에 반입하는 경우에 대해 설명한다.
이하에서는, 제어부(90)가 제어부(CU)에 포함되어 있으며, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2) 및 리프터(50Z)를 제어하는 것으로서 설명한다. 단, 제어부(90)가 제어부(CU)와는 별도로 구비되어, 제어부(CU)가 반송 로봇(TR2)을 제어하고, 제어부(90)가 리프터(50Z)를 제어하도록 할 수도 있다. 한편, 에지 링(FR)의 외주부와 커버 링(CR)의 내주부는 평면시로 보았을 때에 겹치는 구성을 갖는 것으로 한다.
우선, 도 46a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(561)을 대기 위치로부터 제1 지지 위치까지 상승시킨다. 이로써, 상측 로드부(563)의 상단면(563a)이 에지 링(FR)의 하면에 맞닿아 당해 에지 링(FR)이 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 들어올려지는 바, 당해 에지 링(FR)이 정전 척(112)으로부터 이격된다.
이어서, 도 46b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 하측 포크(FK22)를 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 지지된 에지 링(FR)과 정전 척(112) 사이로 진입시킨다.
이어서, 도 47a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(511)을 제1 지지 위치로부터 대기 위치까지 하강시킨다. 이로써 복수 개의 지지 핀(511)에 의해 지지된 에지 링(FR)이 하측 포크(FK22) 상에 탑재된다.
이어서, 도 47b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 에지 링(FR)을 홀딩한 하측 포크(FK22)를 물러나게 한다.
이어서, 도 48a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 교환용 에지 링(FR)을 홀딩한 상측 포크(FK21)를 정전 척(112) 윗쪽으로 진입시킨다.
이어서, 도 48b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(511)을 제어하여 대기 위치로부터 제1 지지 위치까지 상승시킨다. 이로써, 상측 로드부(563)의 상단면(563a)이 상측 포크(FK21)에 홀딩된 에지 링(FR)의 하면에 맞닿아 당해 에지 링(FR)이 복수 개의 지지 핀(511)에 의해 들어올려짐으로써, 당해 에지 링(FR)이 상측 포크(FK21)로부터 이격된다.
이어서, 도 49a에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 반송 대상물을 홀딩하지 않은 상측 포크(FK21)을 물러나게 한다.
이어서, 도 49b에 나타내는 바와 같이, 제어부(CU)는 복수 개의 지지 핀(561)을 제1 지지 위치로부터 대기 위치까지 하강시킨다. 이로써, 복수 개의 지지 핀(561)에 의해 지지된 에지 링(FR)이 정전 척(112) 상에 탑재된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 도 39에 나타내는 플라즈마 처리 장치에서도, 플라즈마 처리 장치로부터 에지 링(FR)을 단독으로 반출한 후, 교환용 에지 링(FR)을 단독으로 플라즈마 처리 장치에 반입할 수 있다.
한편, 상기 실시형태에서 에지 링(FR,FRX) 및 커버 링(CR,CRX)은 고리 형상 부재의 일 예이며, 에지 링(FR,FRX)은 내측 링의 일 예이고, 커버 링(CR,CRX)은 외측 링의 일 예이다. 또한, 반송 로봇(TR1,TR2)은 반송 장치의 일 예이다. 또한, 지지 핀(521)은 제1 지지 핀의 일 예이고, 지지 핀(511)은 제2 지지 핀의 일 예이며, 지지 핀(531)은 제3 지지 핀의 일 예이고, 지지 핀(541)은 제4 지지 핀의 일 예이다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니다. 상기 실시형태는 첨부된 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않으면서 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경될 수 있다.
상기 실시형태에서는 에지 링(FR) 및/또는 커버 링(CR)을 승강시키는 기구로서 리프터(50, 50X~50Z)를 설명하였으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 에지 링(FR)의 외주부와 커버 링(CR)의 내주부가 겹치는 경우, 커버 링(CR)에 관통 구멍을 형성하고, 당해 관통 구멍에 끼워지는 제1 홀딩부와, 당해 제1 홀딩부의 축 방향에 연접되며 제1 홀딩부의 외주로부터 돌출하는 돌출부를 갖는 제2 홀딩부를 구비하는 지지 핀에 의해, 에지 링(FR)과 커버 링(CR)을 독립적으로 승강시킬 수 있다. 예를 들어, 커버 링(CR)의 관통 구멍에 제1 홀딩부를 관통시켜 제1 홀딩부의 선단을 커버 링(CR)의 뒷면에 맞닿게 함으로써 에지 링(FR)을 단독으로 들어 올릴 수 있다. 또한, 예를 들어, 커버 링(CR)의 관통 구멍에 제1 홀딩부를 관통시켜 제2 홀딩부의 돌출부를 커버 링(CR) 하면에 맞닿게 함으로써 커버 링(CR)을 단독으로 들어 올릴 수 있다. 한편, 이러한 구성에 대해 자세하게는, 미국 공개특허공보 제2020/0219753호의 명세서에 기재되어 있다.
상기 실시형태에서는 수납 모듈과 프로세스 모듈 사이에서 에지 링을 반송하는 경우를 설명하였으나, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 에지 링 대신에, 프로세스 모듈 내에 설치되는 다른 소모 부재, 예를 들어, 커버 링, 상부 전극의 천정판 등을 반송하는 경우에 대해서도 마찬가지로 적용할 수 있다.
또한, 이상의 실시형태에 관하여 이하의 부기를 개시한다.
(부기 1)
기판에 플라즈마를 행하는 처리 시스템으로서,
챔버와,
상기 챔버에 접속되는 진공 반송 모듈과,
상기 진공 반송 모듈의 내부에 구비되는 반송 장치와,
상기 챔버의 내부에서 상기 기판의 주위에 구비되며 내경 및 외경이 서로 다른 외측 링과 내측 링을 탑재하는 탑재대와,
상기 탑재대에 대해 상기 외측 링 및 상기 내측 링을 승강시키는 리프터와,
컨트롤러를 포함하며,
상기 컨트롤러는, 상기 반송 장치에 상기 내측 링 및 상기 외측 링을 동시에 반송시키는 동시 반송 모드와, 상기 반송 장치에 상기 내측 링만을 반송시키는 단독 반송 모드를 선택하도록 구성되는 것인 처리 시스템.
(부기 2)
부기 1에 있어서,
상기 내측 링은 적어도 일부가 상기 외측 링의 위에 탑재되는 것인 처리 시스템.
(부기 3)
부기 2에 있어서,
상기 리프터는,
상기 외측 링의 하면에 맞닿아 당해 외측 링 및 당해 내측 링을 일체로 승강시키는 복수 개의 제1 지지 핀과,
상기 내측 링을 아랫쪽에서 지지하는 지그의 하면에 맞닿아 당해 지그 및 당해 내측 링을 일체로 승강시키는 제2 지지 핀을 포함하는 것인 처리 시스템.
(부기 4)
부기 3에 있어서,
상기 제2 지지 핀은 상기 기판의 하면에 맞닿아 당해 기판을 승강시키는 것인 처리 시스템.
(부기 5)
부기 3 또는 부기 4에 있어서,
상기 동시 반송 모드는 상기 제1 지지 핀을 승강시킨 상태에서 상기 제1 지지 핀과 상기 반송 장치 간에 상기 외측 링 및 상기 내측 링을 건네는 단계를 포함하는 것인 처리 시스템.
(부기 6)
부기 3 내지 부기 5 중 어느 하나에 있어서,
상기 단독 반송 모드는 상기 제2 지지 핀을 승강시킨 상태에서 상기 제2 지지 핀과 상기 반송 장치 간에 상기 지그 및 상기 내측 링을 건네는 단계를 포함하는 것인 처리 시스템.
(부기 7)
부기 3 내지 부기 6 중 어느 하나에 있어서,
상기 진공 반송 모듈에 접속되며 상기 외측 링 및 사이 내측 링을 수납하는 수납 모듈을 더 포함하는 처리 시스템.
(부기 8)
부기 7에 있어서,
상기 수납 모듈은 상기 외측 링의 위에 상기 내측 링이 탑재된 제1 조립체를 수납하는 것인 처리 시스템.
(부기 9)
부기 7 또는 부기 8에 있어서,
상기 수납 모듈은 상기 지그의 위에 상기 내측 링이 탑재된 제2 조립체를 수납하는 것인 처리 시스템.
(부기 10)
부기 1에 있어서,
상기 내측 링의 외경은 상기 외측 링의 내경과 같거나 또는 상기 외측 링의 내경보다 작은 것인 처리 시스템.
(부기 11)
부기 10에 있어서,
상기 리프터는,
상기 내측 링의 하면에 맞닿아 당해 내측 링을 승강시키는 제3 지지 핀과,
상기 외측 링의 하면에 맞닿아 당해 외측 링을 승강시키는 제4 지지 핀을 포함하는 것인 처리 시스템.
(부기 12)
부기 11에 있어서,
상기 동시 반송 모드는 상기 제3 지지 핀 및 상기 제4 지지 핀을 상승시킨 상태에서 상기 제3 지지 핀 및 상기 제4 지지 핀과 상기 반송 장치 간에 상기 외측 링 및 상기 내측 링을 건네는 단계를 포함하는 것인 처리 시스템.
(부기 13)
부기 11 또는 부기 12에 있어서,
상기 단독 반송 모드는 상기 제3 지지 핀을 상승시킨 상태에서 상기 제3 지지 핀과 상기 반송 장치 간에 상기 내측 링을 건네는 단계를 포함하는 것인 처리 시스템.
(부기 14)
부기 1 내지 부기 13 중 어느 하나에 있어서,
상기 내측 링은 상기 탑재대의 상면에서 상기 기판의 주위를 둘러싸도록 탑재되는 에지 링이며,
상기 외측 링은 상기 에지 링의 주위를 둘러싸도록 탑재되는 커버 링인 처리 시스템.
(부기 15)
챔버와, 상기 챔버에 접속되는 진공 반송 모듈과, 상기 진공 반송 모듈의 내부에 구비되는 반송 장치와, 상기 챔버의 내부에서 기판 주위에 구비되며 내경 및 외경이 서로 다른 외측 링과 내측 링을 탑재하는 탑재대와, 상기 탑재대에 대해 상기 외측 링과 상기 내측 링을 승강시키는 리프터를 포함하는 처리 시스템에 있어, 상기 외측 링 및 상기 내측 링을 반송하는 반송 방법으로서,
상기 반송 장치가 상기 내측 링 및 상기 외측 링을 동시에 반송하는 동시 반송 모드와, 상기 반송 장치가 상기 내측 링만을 반송하는 단독 반송 모드를 포함하는 반송 방법.
(부기 16)
진공 반송 모듈과,
상기 진공 반송 모듈에 접속되는 플라즈마 처리 모듈과,
컨트롤러를 포함하며,
상기 진공 반송 모듈은,
진공 반송 챔버와,
상기 진공 반송 챔버 내에 배치되는 반송 로봇을 포함하며,
상기 플라즈마 처리 모듈은,
플라즈마 처리 챔버와,
상기 플라즈마 처리 챔버 내에 배치되며 기판 지지면 및 링 지지면을 갖는 스테이지와,
상기 스테이지의 상기 링 지지면 상에 배치되는 제1 링과,
상기 스테이지의 상기 기판 지지면 상의 기판을 둘러싸도록 상기 제1 링 상에 배치되며, 상기 제1 링의 내경보다 작은 내경을 갖는 제2 링과,
상기 링 지지면의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제1 지지 핀과,
상기 기판 지지면의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제2 지지 핀과,
상기 스테이지에 대해 상기 복수 개의 제1 지지 핀을 세로 방향으로 이동시키도록 구성되는 제1 액츄에이터와,
상기 스테이지에 대해 상기 복수 개의 제2 지지 핀을 세로 방향으로 이동시키도록 구성되는 제2 액츄에이터를 포함하며,
상기 컨트롤러는, 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 상기 반송 로봇으로 동시에 반송시키는 동시 반송 모드와, 상기 제2 링을 단독으로 상기 반송 로봇에 반송시키는 단독 반송 모드를 선택적으로 실행하도록 구성되며,
상기 동시 반송 모드는,
상기 제1 링 및 상기 제2 링이 상기 복수 개의 제1 지지 핀에 의해 같이 들어올려지도록 상기 복수 개의 제1 지지 핀을 상승시키는 단계와,
상기 복수 개의 제1 지지 핀이 상승된 상태에서 상기 복수 개의 제1지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 같이 건네는 단계를 포함하며,
상기 단독 반송 모드는,
상기 제1 링 및 상기 제2 링이 상기 복수 개의 제1 지지 핀에 의해 같이 들어올려지도록 상기 복수 개의 제1 지지 핀을 상승시키는 단계와,
반송 지그가 상기 복수 개의 제2 지지 핀에 의해 상기 제2 링의 높이보다 낮은 높이에서 지지되도록 상기 복수 개의 제2 지지 핀을 상승시키는 단계와,
상기 제2 링이 반송 지그에 의해 지지되는 한편으로 상기 제1 링이 상기 복수 개의 제1 지지 핀에 의해 지지된 상태에서 상기 반송 지그의 높이보다 낮은 위치까지 하강하도록 상기 복수 개의 제2 지지 핀을 하강시키는 단계와,
상기 복수 개의 제2 지지 핀이 상승된 상태에서 상기 복수 개의 제2 지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 상기 반송 지그 및 상기 제2 링을 같이 건네는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 17)
부기 16에 있어서,
상기 제1 링은 절연 재료로 형성되며,
상기 제2 링은 도전성 재료로 형성되는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 18)
부기 16에 있어서,
상기 제1 링은 석영으로 형성되며,
상기 제2 링은 Si 또는 SiC로 형성되는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 19)
부기 16 내지 부기 18 중 어느 하나에 있어서,
상기 제2 링은 상기 제1 링에 의해 지지할 수 있는 외측 고리 형상 부분과, 상기 반송 지그에 의해 지지할 수 있는 내측 고리 형상 부분을 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 20)
진공 반송 모듈과,
상기 진공 반송 모듈에 접속되는 플라즈마 처리 모듈과,
컨트롤러를 포함하며,
상기 진공 반송 모듈은,
진공 반송 챔버와,
상기 진공 반송 챔버 내에 배치되는 반송 로봇을 포함하며,
상기 플라즈마 처리 모듈은,
플라즈마 처리 챔버와,
상기 플라즈마 처리 챔버 내에 배치되며 기판 지지면 및 링 지지면을 갖는 스테이지와,
상기 스테이지의 상기 기판 지지면 상의 기판을 둘러싸도록 상기 스테이지의 상기 링 지지면 상에 배치되는 제1 링 및 제2 링과,
상기 스테이지에 대해 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 승강시키도록 구성되는 리프터를 포함하며,
상기 컨트롤러는, 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 상기 반송 로봇으로 동시에 반송시키는 동시 반송 모드와, 상기 제2 링을 단독으로 상기 반송 로봇에 반송시키는 단독 반송 모드를 선택적으로 실행하도록 구성되는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 21)
부기 20에 있어서,
상기 제2 링의 적어도 일부가 상기 제1 링 상에 탑재되어 있는 기판 처리 시스템.
(부기 22)
부기 21에 있어서,
상기 리프터는,
상기 링 지지면의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제1 지지 핀과,
상기 기판 지지면의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제2 지지 핀을 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 23)
부기 22에 있어서,
상기 복수 개의 제2 지지 핀은 상기 기판 지지면 상의 기판을 승강시키도록 구성되는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 24)
부기 22 또는 부기 23에 있어서,
상기 동시 반송 모드는 상기 복수 개의 제1 지지 핀을 상승시킨 상태에서 상기 복수 개의 제1 지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 같이 건네는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 25)
부기 22 내지 부기 24에 있어서,
상기 단독 반송 모드는 상기 복수 개의 제2 지지 핀을 상승시킨 상태에서 상기 복수 개의 제2 지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 반송 지그 및 상기 제2 링을 같이 건네는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 26)
부기 21 내지 부기 25에 있어서,
상기 진공 반송 모듈에 접속되며 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 수납하는 수납 모듈을 더 포함하는 기판 처리 시스템.
(부기 27)
부기 26에 있어서,
상기 수납 모듈은, 상기 제1 링과 상기 제1 링의 위에 탑재된 상기 제2 링을 포함하는 제1 조립체를 수납하도록 구성되는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 28)
부기 26 또는 부기 27에 있어서,
상기 수납 모듈은, 반송 지그와 상기 반송 지그의 위에 탑재된 상기 제2 링을 포함하는 제2 조립체를 수납하도록 구성되는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 29)
부기 27에 있어서,
상기 제2 링의 외경은 상기 제1 링의 내경과 같거나 또는 상기 제1 링의 내경보다 작은 것인 기판 처리 시스템.
(부기 30)
부기 29에 있어서,
상기 리프터는,
상기 제2 링의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제3 지지 핀과,
상기 제1 링의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제4 지지 핀을 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 31)
부기 30에 있어서,
상기 동시 반송 모드는 상기 복수 개의 제3 지지 핀 및 상기 복수 개의 제4 지지 핀을 상승시킨 상태에서 상기 복수 개의 제3 지지 핀 및 상기 복수 개의 제4 지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 건네는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 32)
부기 30 내지 부기 31에 있어서,
상기 단독 반송 모드는 상기 복수 개의 제3 지지 핀을 상승시킨 상태에서 상기 복수 개의 제3 지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 상기 제2 링을 건네는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
(부기 33)
부기 20 내지 부기 32 중 어느 하나에 있어서,
상기 제2 링은 도전성 재료로 형성되는 에지 링이고,
상기 제1 링은 절연 재료로 형성되는 커버 링인 기판 처리 시스템.
(부기 34)
챔버와, 상기 챔버에 접속되는 진공 반송 모듈과, 상기 진공 반송 모듈의 내부에 구비되는 반송 장치와, 상기 챔버의 내부에서 기판 주위에 구비되며 내경 및 외경이 서로 다른 외측 링과 내측 링을 탑재하는 탑재대와, 상기 탑재대에 대해 상기 외측 링과 상기 내측 링을 승강시키는 리프터를 포함하는 처리 시스템에 있어, 상기 외측 링 및 상기 내측 링을 반송하는 반송 방법으로서,
상기 반송 장치가 상기 내측 링 및 상기 외측 링을 동시에 반송하는 동시 반송 모드와, 상기 반송 장치가 상기 내측 링만을 반송하는 단독 반송 모드를 포함하는 반송 방법.
본 국제출원은 2021년 2월 9일에 출원된 일본국 특허출원 제2021-018937호에 기초하는 우선권을 주장하는 것으로서, 당해 일본국 특허출원의 전체 내용을 본 국제출원에 원용한다.
10 플라즈마 처리 챔버
11 기판 지지부
112 정전 척
113 링 어셈블리
50 리프터
78 카세트
781 베이스 플레이트
782 가이드 핀
CR 커버 링
CRa 절결부
CU 제어부
FR 에지 링
FRa 절결부
PS 처리 시스템
TM1, TM2 진공 반송 모듈
TR1, TR2 반송 로봇
W 기판

Claims (19)

  1. 진공 반송 모듈과,
    상기 진공 반송 모듈에 접속되는 플라즈마 처리 모듈과,
    컨트롤러를 포함하며,
    상기 진공 반송 모듈은,
    진공 반송 챔버와,
    상기 진공 반송 챔버 내에 배치되는 반송 로봇을 포함하며,
    상기 플라즈마 처리 모듈은,
    플라즈마 처리 챔버와,
    상기 플라즈마 처리 챔버 내에 배치되며 기판 지지면 및 링 지지면을 갖는 스테이지와,
    상기 스테이지의 상기 링 지지면 상에 배치되는 제1 링과,
    상기 스테이지의 상기 기판 지지면 상의 기판을 둘러싸도록 상기 제1 링 상에 배치되며, 상기 제1 링의 내경보다 작은 내경을 갖는 제2 링과,
    상기 링 지지면의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제1 지지 핀과,
    상기 기판 지지면의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제2 지지 핀과,
    상기 스테이지에 대해 상기 복수 개의 제1 지지 핀을 세로 방향으로 이동시키도록 구성되는 제1 액츄에이터와,
    상기 스테이지에 대해 상기 복수 개의 제2 지지 핀을 세로 방향으로 이동시키도록 구성되는 제2 액츄에이터를 포함하며,
    상기 컨트롤러는, 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 상기 반송 로봇으로 동시에 반송시키는 동시 반송 모드와, 상기 제2 링을 단독으로 상기 반송 로봇에 반송시키는 단독 반송 모드를 선택적으로 실행하도록 구성되며,
    상기 동시 반송 모드는,
    상기 제1 링 및 상기 제2 링이 상기 복수 개의 제1 지지 핀에 의해 같이 들어올려지도록 상기 복수 개의 제1 지지 핀을 상승시키는 단계와,
    상기 복수 개의 제1 지지 핀이 상승된 상태에서 상기 복수 개의 제1지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 같이 건네는 단계를 포함하며,
    상기 단독 반송 모드는,
    상기 제1 링 및 상기 제2 링이 상기 복수 개의 제1 지지 핀에 의해 같이 들어올려지도록 상기 복수 개의 제1 지지 핀을 상승시키는 단계와,
    반송 지그가 상기 복수 개의 제2 지지 핀에 의해 상기 제2 링의 높이보다 낮은 높이에서 지지되도록 상기 복수 개의 제2 지지 핀을 상승시키는 단계와,
    상기 제2 링이 반송 지그에 의해 지지되는 한편으로 상기 제1 링이 상기 복수 개의 제1 지지 핀에 의해 지지된 상태에서 상기 반송 지그의 높이보다 낮은 위치까지 하강하도록 상기 복수 개의 제2 지지 핀을 하강시키는 단계와,
    상기 복수 개의 제2 지지 핀이 상승된 상태에서 상기 복수 개의 제2 지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 상기 반송 지그 및 상기 제2 링을 같이 건네는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 링은 절연 재료로 형성되며,
    상기 제2 링은 도전성 재료로 형성되는 것인 기판 처리 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 링은 석영으로 형성되며,
    상기 제2 링은 Si 또는 SiC로 형성되는 것인 기판 처리 시스템.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 링은 상기 제1 링에 의해 지지할 수 있는 외측 고리 형상 부분과, 상기 반송 지그에 의해 지지할 수 있는 내측 고리 형상 부분을 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
  5. 진공 반송 모듈과,
    상기 진공 반송 모듈에 접속되는 플라즈마 처리 모듈과,
    컨트롤러를 포함하며,
    상기 진공 반송 모듈은,
    진공 반송 챔버와,
    상기 진공 반송 챔버 내에 배치되는 반송 로봇을 포함하며,
    상기 플라즈마 처리 모듈은,
    플라즈마 처리 챔버와,
    상기 플라즈마 처리 챔버 내에 배치되며 기판 지지면 및 링 지지면을 갖는 스테이지와,
    상기 스테이지의 상기 기판 지지면 상의 기판을 둘러싸도록 상기 스테이지의 상기 링 지지면 상에 배치되는 제1 링 및 제2 링과,
    상기 스테이지에 대해 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 승강시키도록 구성되는 리프터를 포함하며,
    상기 컨트롤러는, 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 상기 반송 로봇으로 동시에 반송시키는 동시 반송 모드와, 상기 제2 링을 단독으로 상기 반송 로봇에 반송시키는 단독 반송 모드를 선택적으로 실행하도록 구성되는 것인 기판 처리 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 링의 적어도 일부가 상기 제1 링 상에 탑재되어 있는 기판 처리 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 리프터는,
    상기 링 지지면의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제1 지지 핀과,
    상기 기판 지지면의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제2 지지 핀을 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 복수 개의 제2 지지 핀은 상기 기판 지지면 상의 기판을 승강시키도록 구성되는 것인 기판 처리 시스템.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 동시 반송 모드는 상기 복수 개의 제1 지지 핀을 상승시킨 상태에서 상기 복수 개의 제1 지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 같이 건네는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단독 반송 모드는 상기 복수 개의 제2 지지 핀을 상승시킨 상태에서 상기 복수 개의 제2 지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 반송 지그 및 상기 제2 링을 같이 건네는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
  11. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진공 반송 모듈에 접속되며, 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 수납하는 수납 모듈을 더 포함하는 기판 처리 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 수납 모듈은, 상기 제1 링과 상기 제1 링의 위에 탑재된 상기 제2 링을 포함하는 제1 조립체를 수납하도록 구성되는 것인 기판 처리 시스템.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 수납 모듈은, 반송 지그와 상기 반송 지그의 위에 탑재된 상기 제2 링을 포함하는 제2 조립체를 수납하도록 구성되는 것인 기판 처리 시스템.
  14. 제5항에 있어서,
    상기 제2 링의 외경은 상기 제1 링의 내경과 같거나 또는 상기 제1 링의 내경보다 작은 것인 기판 처리 시스템.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 리프터는,
    상기 제2 링의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제3 지지 핀과,
    상기 제1 링의 아랫쪽에 배치되는 복수 개의 제4 지지 핀을 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 동시 반송 모드는 상기 복수 개의 제3 지지 핀 및 상기 복수 개의 제4 지지 핀을 상승시킨 상태에서 상기 복수 개의 제3 지지 핀 및 상기 복수 개의 제4 지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 상기 제1 링 및 상기 제2 링을 건네는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서,
    상기 단독 반송 모드는 상기 복수 개의 제3 지지 핀을 상승시킨 상태에서 상기 복수 개의 제3 지지 핀과 상기 반송 로봇 간에 상기 제2 링을 건네는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 시스템.
  18. 제5항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 링은 도전성 재료로 형성되는 에지 링이고,
    상기 제1 링은 절연 재료로 형성되는 커버 링인 기판 처리 시스템.
  19. 챔버와, 상기 챔버에 접속되는 진공 반송 모듈과, 상기 진공 반송 모듈의 내부에 구비되는 반송 장치와, 상기 챔버의 내부에서 기판 주위에 구비되며 내경 및 외경이 서로 다른 외측 링과 내측 링을 탑재하는 탑재대와, 상기 탑재대에 대해 상기 외측 링과 상기 내측 링을 승강시키는 리프터를 포함하는 처리 시스템에 있어, 상기 외측 링 및 상기 내측 링을 반송하는 반송 방법으로서,
    상기 반송 장치가 상기 내측 링 및 상기 외측 링을 동시에 반송하는 동시 반송 모드와, 상기 반송 장치가 상기 내측 링만을 반송하는 단독 반송 모드를 포함하는 반송 방법.
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