TW202236421A - 基板處理系統及搬送方法 - Google Patents

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TW202236421A
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TW
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ring
transfer
support pins
edge ring
processing system
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TW111104566A
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網倉紀彦
北正知
眞壁暁之
松浦伸
佐佐木信峰
朴景民
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之一態樣之基板處理系統具備真空搬送模組、連接於上述真空搬送模組之電漿處理模組、及控制器，上述真空搬送模組包含真空搬送腔室、及配置於上述真空搬送腔室內之搬送機械手，上述電漿處理模組包含：電漿處理腔室；載台，其配置於上述電漿處理腔室內，具有基板支持面及環支持面；第1環，其配置於上述載台之上述環支持面上；第2環，其以包圍上述載台之上述基板支持面上之基板之方式配置於上述第1環上，具有較上述第1環之內徑小之內徑；複數個第1支持銷，其等配置於上述環支持面之下方；複數個第2支持銷，其等配置於上述基板支持面之下方；第1致動器，其構成為使上述複數個第1支持銷相對於上述載台於縱向上移動；及第2致動器，其構成為使上述複數個第2支持銷相對於上述載台於縱向上移動；上述控制器構成為選擇性地執行以下兩種模式，即，使上述搬送機械手同時搬送上述第1環及上述第2環之同時搬送模式、以及使上述搬送機械手單獨搬送上述第2環之單獨搬送模式；上述同時搬送模式包含如下步驟：以上述第1環及上述第2環一起由上述複數個第1支持銷提昇之方式使上述複數個第1支持銷上升；及於上述複數個第1支持銷已上升之狀態下，在上述複數個第1支持銷與上述搬送機械手之間將上述第1環及上述第2環一起交接；上述單獨搬送模式包含如下步驟：以上述第1環及上述第2環一起由上述複數個第1支持銷提昇之方式使上述複數個第1支持銷上升；以搬送治具由上述複數個第2支持銷支持於較上述第2環之高度低之高度之方式使上述複數個第2支持銷上升；於上述第2環由搬送治具支持，另一方面，上述第1環由上述複數個第1支持銷支持之狀態下，以下降至較上述搬送治具之高度低之位置之方式使上述複數個第2支持銷下降；及於上述複數個第2支持銷已上升之狀態下，在上述複數個第2支持銷與上述搬送機械手之間將上述搬送治具及上述第2環一起交接。

Description

基板處理系統及搬送方法
本發明係關於一種基板處理系統及搬送方法。
已知有如下技術：利用1系統之升降銷使邊緣環及蓋環分別升降，從而逐一搬送構件，上述邊緣環及蓋環係於進行電漿處理之處理容器內所設置之基座上之靜電吸盤之上配置在被置於靜電吸盤之上之晶圓之周圍(例如，參照專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2020-113603號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種可選擇性地對更換時期不同之消耗構件進行更換之技術。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之基板處理系統具備真空搬送模組、連接於上述真空搬送模組之電漿處理模組、及控制器，上述真空搬送模組包含真空搬送腔室、及配置於上述真空搬送腔室內之搬送機械手，上述電漿處理模組包含：電漿處理腔室；載台，其配置於上述電漿處理腔室內，具有基板支持面及環支持面；第1環，其配置於上述載台之上述環支持面上；第2環，其以包圍上述載台之上述基板支持面上之基板之方式配置於上述第1環上，具有較上述第1環之內徑小之內徑；複數個第1支持銷，其等配置於上述環支持面之下方；複數個第2支持銷，其等配置於上述基板支持面之下方；第1致動器，其構成為使上述複數個第1支持銷相對於上述載台於縱向上移動；及第2致動器，其構成為使上述複數個第2支持銷相對於上述載台於縱向上移動；上述控制器構成為選擇性地執行以下兩種模式，即，使上述搬送機械手同時搬送上述第1環及上述第2環之同時搬送模式、以及使上述搬送機械手單獨搬送上述第2環之單獨搬送模式；上述同時搬送模式包含如下步驟：以上述第1環及上述第2環一起由上述複數個第1支持銷提昇之方式使上述複數個第1支持銷上升；及於上述複數個第1支持銷已上升之狀態下，在上述複數個第1支持銷與上述搬送機械手之間將上述第1環及上述第2環一起交接；上述單獨搬送模式包含如下步驟：以上述第1環及上述第2環一起由上述複數個第1支持銷提昇之方式使上述複數個第1支持銷上升；以搬送治具由上述複數個第2支持銷支持於較上述第2環之高度低之高度之方式使上述複數個第2支持銷上升；於上述第2環由搬送治具支持，另一方面，上述第1環由上述複數個第1支持銷支持之狀態下，以下降至較上述搬送治具之高度低之位置之方式使上述複數個第2支持銷下降；及於上述複數個第2支持銷已上升之狀態下，在上述複數個第2支持銷與上述搬送機械手之間將上述搬送治具及上述第2環一起交接。 [發明之效果]
根據本發明，可選擇性地對更換時期不同之消耗構件進行更換。
以下，一面參照隨附圖式一面對本發明之非限定性之例示性實施方式進行說明。隨附之所有圖式中，對相同或對應之構件或零件標註相同或對應之參照符號，並省略重複說明。
〔處理系統〕 參照圖1對實施方式之處理系統之一例進行說明。如圖1所示，處理系統PS係能夠對基板實施電漿處理等各種處理之系統。基板例如可為半導體晶圓。
處理系統PS具備真空搬送模組TM1,TM2、製程模組PM1～PM12、加載互鎖模組LL1,LL2、大氣搬送模組LM、收納模組SM等。
真空搬送模組TM1,TM2分別於俯視下具有大致四邊形狀。真空搬送模組TM1於對向之2個側面連接有製程模組PM1～PM6。於真空搬送模組TM1之其他對向之2個側面中之一側面連接有加載互鎖模組LL1,LL2，於另一側面連接有用以與真空搬送模組TM2連接之通路(未圖示)。真空搬送模組TM1之供加載互鎖模組LL1,LL2連接之側面對應於2個加載互鎖模組LL1,LL2而帶有角度。真空搬送模組TM2於對向之2個側面連接有製程模組PM7～PM12。於真空搬送模組TM2之其他對向之2個側面中之一側面連接有用以與真空搬送模組TM1連接之通路(未圖示)，於另一側面連接有收納模組SM。真空搬送模組TM1,TM2具有真空室(真空搬送腔室)，於內部分別配置有搬送機械手TR1,TR2。
搬送機械手TR1,TR2構成為可自由迴轉、伸縮、升降。搬送機械手TR1利用配置於前端之上叉(第1叉)FK11及下叉(第2叉)FK12保持並搬送基板及消耗構件。圖1之例中，搬送機械手TR1利用上叉FK11及下叉FK12保持基板及消耗構件，並於加載互鎖模組LL1,LL2、製程模組PM1～PM6及通路(未圖示)之間搬送基板及消耗構件。搬送機械手TR2利用配置於前端之上叉FK21及下叉FK22保持並搬送基板及消耗構件。圖1之例中，搬送機械手TR2利用上叉FK21及下叉FK22保持基板及消耗構件，並於製程模組PM7～PM12、收納模組SM及通路(未圖示)之間搬送基板及消耗構件。消耗構件係可更換地安裝於製程模組PM1～PM12內之構件，且係因在製程模組PM1～PM12內進行電漿處理等各種處理而消耗之構件。消耗構件例如包含下述邊緣環FR、蓋環CR、上部電極12之頂板121。
製程模組PM1～PM12具有處理室(電漿處理腔室)，且具有配置於內部之載台(載置台)。製程模組PM1～PM12於基板被載置於載台之後，使內部減壓並導入處理氣體，施加RF(Radio Frequency，射頻)電力而產生電漿，利用電漿對基板實施電漿處理。真空搬送模組TM1,TM2與製程模組PM1～PM12由開閉自如之閘閥G1分隔。於載台上配置邊緣環FR、蓋環CR等。於與載台對向之上部配置用以施加RF電力之上部電極12。
加載互鎖模組LL1,LL2配置於真空搬送模組TM1與大氣搬送模組LM之間。加載互鎖模組LL1,LL2具有能夠將內部切換成真空、大氣壓之內壓可變室。加載互鎖模組LL1,LL2具有配置於內部之載台。加載互鎖模組LL1,LL2於將基板自大氣搬送模組LM向真空搬送模組TM1搬入時，使內部維持為大氣壓而自大氣搬送模組LM接收基板，使內部減壓後將基板向真空搬送模組TM1搬入。加載互鎖模組LL1,LL2於將基板自真空搬送模組TM1向大氣搬送模組LM搬出時，使內部維持為真空而自真空搬送模組TM1接收基板，使內部升壓至大氣壓後將基板向大氣搬送模組LM搬入。加載互鎖模組LL1,LL2與真空搬送模組TM1由開閉自如之閘閥G2分隔。加載互鎖模組LL1,LL2與大氣搬送模組LM由開閉自如之閘閥G3分隔。
大氣搬送模組LM與真空搬送模組TM1對向配置。大氣搬送模組LM例如可為EFEM(Equipment Front End Module，設備前端模組)。大氣搬送模組LM係呈長方體狀、具備FFU(Fan Filter Unit，風扇過濾組)且保持為大氣壓氛圍之大氣搬送室。於大氣搬送模組LM之沿著長邊方向之一側面連接有2個加載互鎖模組LL1,LL2。於大氣搬送模組LM之沿著長邊方向之另一側面連接有裝載埠LP1～LP5。於裝載埠LP1～LP5載置容器(未圖示)，該容器中收容複數片(例如25片)基板。容器例如可為FOUP(Front-Opening Unified Pod，前開式晶圓盒)。於大氣搬送模組LM內配置有搬送基板之搬送機械手(未圖示)。搬送機械手在FOUP內與加載互鎖模組LL1,LL2之內壓可變室內之間搬送基板。
收納模組SM可裝卸地連接於真空搬送模組TM2。收納模組SM具有收納室，來收納消耗構件。收納模組SM例如於更換製程模組PM1～PM12內之消耗構件時連接於真空搬送模組TM2，於消耗構件更換完成後自真空搬送模組TM2卸除。藉此，可有效利用處理系統PS周圍之區域。但是，收納模組SM亦可始終連接於真空搬送模組TM2。收納模組SM具有檢測收納室中所收納之消耗構件之位置之位置檢測感測器。消耗構件由搬送機械手TR1,TR2在製程模組PM1～PM12與收納模組SM之間搬送。真空搬送模組TM2與收納模組SM由開閉自如之閘閥G4分隔。
於處理系統PS中設置有控制部CU。控制部CU對處理系統之各部進行控制，例如對設置於真空搬送模組TM1,TM2之搬送機械手TR1,TR2、設置於大氣搬送模組LM之搬送機械手、閘閥G1～G4進行控制。例如，控制部CU構成為選擇以下兩種模式，即，使搬送機械手TR1,TR2同時搬送邊緣環FR及蓋環CR之同時搬送模式、以及使搬送機械手TR1,TR2僅搬送邊緣環FR之單獨搬送模式。關於同時搬送模式及單獨搬送模式，將於下文中敍述。於一例中，控制部CU以較同時搬送模式高之頻度進行單獨搬送模式。
控制部CU例如可為電腦。控制部CU具備CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、輔助記憶裝置等。CPU基於ROM或輔助記憶裝置中儲存之程式來執行動作，控制處理系統PS之各部。
〔電漿處理裝置〕 參照圖2及圖3，對用作圖1之處理系統PS所具備之製程模組PM1～PM12的電漿處理裝置之一例進行說明。
電漿處理裝置1包含電漿處理腔室10、氣體供給部20、RF電力供給部30、排氣系統40、升降器50及控制部90。
電漿處理腔室10包含基板支持部11及上部電極12。基板支持部11配置於電漿處理腔室10內之電漿處理空間10s之下部區域。上部電極12配置於基板支持部11之上方，可作為電漿處理腔室10之頂板之一部分發揮功能。
基板支持部11於電漿處理空間10s中支持基板W。基板支持部11包含下部電極111、靜電吸盤112、環組件113、絕緣體115及底座116。靜電吸盤112配置於下部電極111上。
靜電吸盤112具有包含基板支持面112a及環支持面112b之上表面。靜電吸盤112利用基板支持面112a支持基板W。靜電吸盤112利用環支持面112b支持邊緣環FR。靜電吸盤112具有絕緣材112c、第1吸附電極112d及第2吸附電極112e。第1吸附電極112d及第2吸附電極112e嵌埋於絕緣材112c中。第1吸附電極112d位於基板支持面112a之下方。靜電吸盤112藉由對第1吸附電極112d施加電壓，而將基板W吸附保持於基板支持面112a之上。第2吸附電極112e位於環支持面112b之下方。靜電吸盤112藉由對第2吸附電極112e施加電壓，而將邊緣環FR吸附保持於環支持面112b之上。圖2及圖3之例中，靜電吸盤112包含吸附保持基板W之單極型靜電吸盤、及吸附保持邊緣環FR之雙極型靜電吸盤。但是，可使用雙極型靜電吸盤來代替單極型靜電吸盤，亦可使用單極型靜電吸盤來代替雙極型靜電吸盤。
環組件113包含邊緣環FR及蓋環CR。邊緣環FR係第2環之一例。邊緣環FR具有環形狀，於下部電極111之周緣部上表面配置於基板W之周圍。邊緣環FR提高對基板W進行之電漿處理之均勻性。邊緣環FR例如由矽(Si)、碳化矽(SiC)等導電性材料形成。蓋環CR係第1環之一例。蓋環CR具有環形狀，配置於邊緣環FR之外周部。蓋環CR保護絕緣體115之上表面使其不受例如電漿影響。蓋環CR例如由石英等絕緣材料形成。圖2之例中，蓋環CR之內周部位於較邊緣環FR之外周部更靠內側，邊緣環FR之外周部位於較蓋環CR之內周部更靠外側，邊緣環FR與蓋環CR有一部分重疊。而且，邊緣環FR之外周部載置於蓋環CR之內周部。藉此，當下述複數個支持銷521升降時，蓋環CR與邊緣環FR一體地升降。絕緣體115於底座116上以包圍下部電極111之方式配置。底座116固定於電漿處理腔室10之底部，支持下部電極111及絕緣體115。
上部電極12與絕緣構件13一起構成電漿處理腔室10。上部電極12將來自氣體供給部20之1種或1種以上之處理氣體供給至電漿處理空間10s。上部電極12包含頂板121及支持體122。頂板121之下表面劃分形成電漿處理空間10s。於頂板121形成有複數個氣體導入口121a。複數個氣體導入口121a分別於頂板121之板厚方向(鉛直方向)上貫通。支持體122將頂板121裝卸自如地支持。於支持體122之內部設置有氣體擴散室122a。複數個氣體導入口122b自氣體擴散室122a向下方延伸。複數個氣體導入口122b分別與複數個氣體導入口121a連通。於支持體122形成有氣體供給口122c。上部電極12將1種或1種以上之處理氣體自氣體供給口122c經由氣體擴散室122a、複數個氣體導入口122b及複數個氣體導入口121a供給至電漿處理空間10s。
於電漿處理腔室10之側壁形成有搬入搬出口10p。基板W係經由搬入搬出口10p在電漿處理空間10s與電漿處理腔室10之外部之間被搬送。搬入搬出口10p藉由閘閥G1而打開或關閉。
氣體供給部20包含1個或1個以上之氣體源21、及1個或1個以上之流量控制器22。氣體供給部20將1種或1種以上之處理氣體自各氣體源21經由各流量控制器22供給至氣體供給口122c。流量控制器22例如可包含質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。進而，氣體供給部20亦可包含對1種或1種以上之處理氣體之流量進行調變或使其脈衝化之1個或1個以上之流量調變器件。
RF電力供給部30包含2個RF電源(第1RF電源31a、第2RF電源31b)及2個匹配器(第1匹配器32a、第2匹配器32b)。第1RF電源31a將第1RF電力經由第1匹配器32a供給至下部電極111。第1RF電力之頻率例如可為13 MHz～150 MHz。第2RF電源31b將第2RF電力經由第2匹配器32b供給至下部電極111。第2RF電力之頻率例如可為400 kHz～13.56 MHz。再者，亦可使用DC(Direct Current，直流)電源來代替第2RF電源31b。
排氣系統40例如可連接於設置在電漿處理腔室10之底部之氣體排出口10e。排氣系統40可包含壓力調整閥及真空泵。藉由壓力調整閥來調整電漿處理空間10s內之壓力。真空泵可包含渦輪分子泵、乾式泵或其等之組合。
升降器50使基板W、邊緣環FR及蓋環CR升降。升降器50包含第1升降器51及第2升降器52。
第1升降器51包含複數個支持銷511及致動器512。複數個支持銷511插通至形成於下部電極111及靜電吸盤112之貫通孔H1中而能夠相對於靜電吸盤112之上表面突出沒入。複數個支持銷511藉由相對於靜電吸盤112之上表面突出，而使上端抵接於基板W之下表面從而支持基板W。致動器512使複數個支持銷511升降。作為致動器512，例如可利用DC馬達、步進馬達、線性馬達等馬達、氣缸等空氣驅動機構等壓電致動器。上述第1升降器51例如於在搬送機械手TR1,TR2與基板支持部11之間進行基板W之交接時，使複數個支持銷511升降。
第2升降器52包含複數個支持銷521及致動器522。複數個支持銷521插通至形成於絕緣體115之貫通孔H2中而能夠相對於絕緣體115之上表面突出沒入。複數個支持銷521藉由相對於絕緣體115之上表面突出，而使上端抵接於蓋環CR之下表面從而支持蓋環CR。致動器522使複數個支持銷521升降。作為致動器522，例如可利用與致動器512相同者。上述第2升降器52例如於在搬送機械手TR1,TR2與基板支持部11之間進行邊緣環FR及蓋環CR之交接時，使複數個支持銷521升降。於圖2之例中，邊緣環FR之外周部載置於蓋環CR之內周部。藉此，當致動器522使複數個支持銷521升降時，蓋環CR與邊緣環FR一體地升降。
控制部90對電漿處理裝置1之各部進行控制。控制部90例如包含電腦91。電腦91例如包含CPU911、記憶部912、通信介面913等。CPU911可構成為基於記憶部912中儲存之程式來進行各種控制動作。記憶部912包含選自由諸如RAM、ROM、HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)、SSD(Solid State Drive，固態驅動器)等輔助記憶裝置所組成之群組中之至少1個記憶體類型。通信介面913可經由LAN(Local Area Network，區域網路)等通信線路而與電漿處理裝置1之間進行通信。控制部90可與控制部CU分開設置，亦可包含於控制部CU。
〔收納模組〕 參照圖4及圖5，對圖1之處理系統PS所具備之收納模組SM之一例進行說明。
收納模組SM於框架60之上設置有腔室70，且於腔室70之上部具有機械室81。腔室70可藉由連接於底部所設置之排氣口71之排氣部72而使內部減壓。又，對腔室70供給例如N 2氣體作為沖洗氣體。藉此，可調節腔室70內之壓力。機械室81例如為大氣壓氛圍。
於腔室70內設置有儲存倉75，該儲存倉75具有載台73、及設置於載台73之下部之升降室74。儲存倉75能夠藉由滾珠螺桿76而升降。於機械室81內設置有：線感測器82，其檢測消耗構件之位置、朝向等；及馬達77，其驅動滾珠螺桿76。在腔室70與機械室81之間設置有由石英等構成之開口84，以使線感測器82能夠接收下述發光部83之光。
載台73供載置消耗構件。載台73具有與線感測器82對向之發光部83。載台73能夠沿θ方向旋轉，使所載置之消耗構件、例如邊緣環FR沿規定之朝向旋轉。即，載台73進行邊緣環FR之對準(對位)。於對位時，使邊緣環FR之定向平面(OF)與規定之朝向一致。又，於對位時，亦可使邊緣環FR之中心位置一致。
線感測器82檢測自發光部83照射之光之光量，並將檢測出之光量向控制部CU輸出。控制部CU利用檢測出之光量會根據邊緣環FR之定向平面之有無而變化這一情況，來檢測邊緣環FR之定向平面。控制部CU基於檢測出之定向平面來檢測邊緣環FR之朝向。線感測器82例如為CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)等線感測器。
升降室74設置於載台73之下部。於升降室74之內部載置有匣盒78。匣盒78係能夠自升降室74中取出之收納容器。匣盒78於上下方向上具有間隔，收納複數個消耗構件。圖4之例中，於匣盒78中收納有複數個邊緣環FR。匣盒78係收納模組SM之正面之側開放。再者，關於匣盒78之詳情，將於下文中敍述。
儲存倉75除了具有載台73及升降室74以外，還於側面具有由滾珠螺桿76支持之導件79。滾珠螺桿76將腔室70之上表面與下表面連接，貫通腔室70之上表面而連接於機械室81內之馬達77。腔室70之上表面之貫通部以滾珠螺桿76能夠旋轉之方式被密封。滾珠螺桿76藉由馬達77而旋轉，藉此能夠使儲存倉75於上下方向(Z軸方向)上移動。
收納模組SM經由閘閥G4而可裝卸地與真空搬送模組TM2連接。真空搬送模組TM2之搬送機械手TR2之上叉FK21及下叉FK22能夠經由閘閥G4而插入腔室70中。上叉FK21及下叉FK22例如進行邊緣環FR向匣盒78內之搬入、載置於匣盒78內之邊緣環FR之搬出、邊緣環FR向載台73之載置、及載置於載台73之邊緣環FR之獲取。門80例如於自腔室70內取出匣盒78時、向腔室70內設置匣盒78時打開或關閉。
發光部85及片數偵測感測器86於儲存倉75自腔室70之底面側移動至匣盒78與閘閥G4對向之位置等之上部之情形時，偵測載置於匣盒78之邊緣環FR之片數。發光部85例如為LED(Light Emitting Diode，發光二極體)、半導體雷射等。片數偵測感測器86檢測自發光部85照射之光之光量，並將檢測出之光量向控制部CU輸出。控制部CU基於檢測出之光量來計測自發光部85照射之光被邊緣環FR遮蔽之次數，藉此偵測邊緣環FR之片數。片數偵測感測器86例如為光電二極體、光電晶體等。又，片數偵測感測器86亦可為例如CCD、CMOS等線感測器。
再者，於上述例中，對控制部CU基於收納模組SM內之線感測器82所檢測出之光量而算出邊緣環FR之位置資訊之情形進行了說明，但本發明並不限定於此。例如，亦可使用包含檢測邊緣環FR之內周之位置之內周感測器、及檢測邊緣環FR之外周之位置之外周感測器的位置檢測感測器。於該情形時，控制部CU基於內周感測器所檢測出之邊緣環FR之外周位置及外周感測器所檢測出之邊緣環FR之外周位置而算出邊緣環FR之位置資訊。又，例如，亦可使用其他光學感測器、或相機來代替線感測器82。於該情形時，控制部CU基於相機所拍攝之圖像，藉由使用例如圖像處理技術而算出邊緣環FR之位置資訊。
〔搬送機械手〕 參照圖6～圖9，對搬送機械手TR2之上叉FK21進行說明。再者，關於搬送機械手TR2之下叉FK22，亦可為與上叉FK21相同之構成。又，關於搬送機械手TR1之上叉FK11及下叉FK12，亦可為與搬送機械手TR2之上叉FK21相同之構成。
圖6係表示未保持搬送對象物之上叉FK21之概略俯視圖。如圖6所示，上叉FK21於俯視下具有大致U字形狀。上叉FK21構成為能夠保持例如基板W、搬送治具CJ、邊緣環FR、蓋環CR、第1組裝體A1、第2組裝體A2。
搬送治具CJ係自下方支持邊緣環FR之治具，可於僅更換邊緣環FR之情形時使用。搬送治具CJ構成為能夠僅支持邊緣環FR而不支持蓋環CR。例如，搬送治具CJ係具有較邊緣環FR之內徑長且較蓋環CR之內徑短之部分的板狀構件。具體而言，搬送治具CJ係於俯視下具有較邊緣環FR之內徑長且較蓋環之內徑短之對角線的大致矩形狀之板狀構件。又，搬送治具CJ亦可為具有較邊緣環FR之內徑長且較蓋環CR之內徑短之直徑的圓板狀之構件。
第1組裝體A1係藉由在蓋環CR之上載置邊緣環FR而使邊緣環FR及蓋環CR成為一體而成之組裝體。
第2組裝體A2係藉由在搬送治具CJ之上載置邊緣環FR而使搬送治具CJ及邊緣環FR成為一體而成之組裝體。
圖7係表示保持有第1組裝體A1(邊緣環FR及蓋環CR)之狀態之上叉FK21的概略俯視圖。如圖7所示，上叉FK21構成為能夠保持第1組裝體A1。藉此，搬送機械手TR2能夠同時搬送邊緣環FR及蓋環CR。
圖8係表示保持有第2組裝體A2(搬送治具CJ及邊緣環FR)之狀態之上叉FK21的概略俯視圖。如圖8所示，上叉FK21構成為能夠保持第2組裝體A2。藉此，搬送機械手TR2能夠將搬送治具CJ及邊緣環FR同時進行搬送。
圖9係表示僅保持有搬送治具CJ之狀態之上叉FK21之概略俯視圖。如圖9所示，上叉FK21構成為能夠保持未支持邊緣環FR之搬送治具CJ。藉此，搬送機械手TR2能夠將搬送治具CJ單獨進行搬送。
〔匣盒〕 進而參照圖10，對作為收納模組SM所具有之匣盒78之一例之收納邊緣環FR之匣盒78進行說明。圖10係表示收納模組SM內之匣盒78之一例之概略立體圖。再者，圖10中示出未收納邊緣環FR之狀態之匣盒78。
匣盒78收納邊緣環FR。匣盒78具有複數個底板781及複數個導銷782。
複數個底板781於上下方向上呈多段設置。複數個底板781供載置邊緣環FR。各底板781具有大致矩形板狀。各底板781例如由樹脂、金屬形成。各底板781包含載置面781a、外框部781b及叉插入槽781c。
載置面781a供載置邊緣環FR。
外框部781b(凹部)係於載置面781a之4邊中之除供上叉FK21及下叉FK22插入之正面側之一邊以外之3邊之外周部，自載置面781a向上方突出。於該外框部781b上載置另一底板781。
叉插入槽781c形成於載置面781a。叉插入槽781c相對於載置面781a凹陷，於俯視下具有大致U字形狀。於叉插入槽781c中插入搬送機械手TR2之上叉FK21或下叉FK22。於一例中，自匣盒78中搬出定位於載置面781a上之邊緣環FR時，搬送機械手TR2之上叉FK21或下叉FK22插入至叉插入槽781c中。
複數個導銷782設置於載置面781a。各導銷782可具有前端變細之圓錐狀。複數個導銷782於將邊緣環FR載置於載置面781a時，與邊緣環FR之外周部接觸而導引該邊緣環FR以使其載置於載置面781a之規定位置。各導銷782可由樹脂或金屬等形成。若為樹脂，則可抑制因與邊緣環FR之外周部接觸時之摩擦而導致微粒之產生。
再者，圖10中例示了收納邊緣環FR之匣盒78，但關於例如收納搬送治具CJ、蓋環CR、第1組裝體A1、第2組裝體A2之匣盒78，除複數個導銷782以外亦可為同樣之構成。
例如，於收納蓋環CR之匣盒78中，在與蓋環CR之內周部接觸之位置設置複數個導銷782。藉此，將蓋環CR導引並載置於載置面781a之規定位置。
又，例如，於收納邊緣環FR及蓋環CR之匣盒78中，在與載置面781a上所載置之邊緣環FR之外周部及蓋環CR之內周部接觸之位置設置複數個導銷782。藉此，將邊緣環FR及蓋環CR導引並載置於載置面781a之規定位置。
參照圖11A～圖11C，對邊緣環FR之定位機構之一例進行說明。圖11A～圖11C係表示邊緣環FR之定位機構之一例之圖。圖11A係使上叉FK21進入至底板781上所載置之邊緣環FR之下方時之俯視圖。圖11B表示於圖11A中之單點鏈線B1-B1處切斷所得之剖面。圖11C係藉由上叉FK21將底板781上所載置之邊緣環FR提昇時之剖視圖。
如圖11A及圖11B所示，邊緣環FR於其外周具有切口FRa。切口FRa例如於俯視下具有V字形狀。V字形狀之開度角可適當設定，例如可為90°。又，切口FRa例如於俯視下亦可具有U字形狀等曲線形狀。
首先，如圖11A及圖11B所示，使上叉FK21進入至底板781上所載置之邊緣環FR之下方。
繼而，如圖11C所示，使上叉FK21上升。藉此，上叉FK21保持以定位於底板781上之狀態收納於匣盒78內之邊緣環FR，並將其搬送至製程模組PM1～PM12。
如此，上叉FK21保持以定位於底板781上之狀態收納於匣盒78內之邊緣環FR，並將其搬送至製程模組PM1～PM12。因此，不另外設置進行邊緣環FR之定位之對準機便可將邊緣環FR以精密定位之狀態搬送至製程模組PM1～PM12。其結果，可削減因將邊緣環FR搬送至對準機而產生之停工時間。又，可降低裝置導入成本。又，空間效率提高。但是，亦可另外設置對準機，利用對準機將邊緣環FR更精密地對位並搬送。
再者，於圖11A～圖11C之例中示出了邊緣環FR於外周具有1個切口FRa之情形，但切口FRa之數量並不限定於此。例如，邊緣環FR亦可於外周具有在圓周方向上相互隔開之複數個切口FRa。於該情形時，較佳為與複數個切口FRa之各者對應地設置導銷782。藉此，可減小角度誤差。
又，於圖11A～圖11C之例中例示了使用上叉FK21之情形，但亦可使用下叉FK22。
參照圖12A～圖12C，對蓋環CR之定位機構之一例進行說明。圖12A～圖12C係表示蓋環CR之定位機構之一例之圖。圖12A係使上叉FK21進入至底板781上所載置之蓋環CR之下方時之俯視圖。圖12B表示於圖12A中之單點鏈線B2-B2處切斷所得之剖面。圖12C係藉由上叉FK21將底板781上所載置之蓋環CR提昇時之剖視圖。
如圖12A及圖12B所示，蓋環CR於其內周具有切口CRa。切口CRa例如於俯視下具有V字形狀。V字形狀之開度角可適當設定，例如可為90°。又，切口CRa例如於俯視下亦可具有U字形狀等曲線形狀。
首先，如圖12A及圖12B所示，使上叉FK21進入至底板781上所載置之蓋環CR之下方。
繼而，如圖12C所示，使上叉FK21上升。藉此，上叉FK21保持以定位於底板781上之狀態收納於匣盒78內之蓋環CR，並將其搬送至製程模組PM1～PM12。
如此，上叉FK21保持以定位於底板781上之狀態收納於匣盒78內之蓋環CR，並將其搬送至製程模組PM1～PM12。因此，不另外設置進行蓋環CR之定位之對準機便可將蓋環CR以精密定位之狀態搬送至製程模組PM1～PM12。其結果，可削減因將蓋環CR搬送至對準機而產生之停工時間。又，可降低裝置導入成本。又，空間效率提高。但是，亦可另外設置對準機，利用對準機將蓋環CR更精密地對位並搬送。
再者，於圖12A～圖12C之例中示出了蓋環CR於內周具有1個切口CRa之情形，但切口CRa之數量並不限定於此。例如，蓋環CR亦可於內周具有在圓周方向上相互隔開之複數個切口CRa。於該情形時，較佳為與複數個切口CRa之各者對應地設置導銷782。藉此，可減小角度誤差。
又，於圖12A～圖12C之例中例示了使用上叉FK21之情形，但亦可使用下叉FK22。
參照圖13A～圖13C，對邊緣環FR及蓋環CR之定位機構進行說明。圖13A～圖13C係表示邊緣環FR及蓋環CR之定位機構之一例之圖。圖13A係使上叉FK21進入至底板781上所載置之邊緣環FR及蓋環CR之下方時之俯視圖。圖13B表示於圖13A中之單點鏈線B3-B3處切斷所得之剖面。圖13C係藉由上叉FK21將底板781上所載置之邊緣環FR及蓋環CR提昇時之剖視圖。
圖13A及圖13B所示之定位機構可於例如蓋環CR之內周較邊緣環FR之外周小之情形、蓋環CR之內周與邊緣環FR之外周相同且製程模組PM1～PM12為下述圖29所示之電漿處理裝置之情形時使用。
如圖13A及圖13B所示，邊緣環FR於其外周具有切口FRa，蓋環CR於其內周具有切口CRa。切口FRa,CRa例如於俯視下具有V字形狀。V字形狀之開度角可為例如90°。又，切口FRa,CRa例如於俯視下亦可具有U字形狀等曲線形狀。
首先，如圖13A及圖13B所示，使上叉FK21進入至底板781上所載置之邊緣環FR及蓋環CR之下方。
繼而，如圖13C所示，使上叉FK21上升。藉此，上叉FK21保持以定位於底板781上之狀態收納於匣盒78內之邊緣環FR及蓋環CR，並將其等搬送至製程模組PM1～PM12。
如此，上叉FK21保持以定位於底板781上之狀態收納於匣盒78內之邊緣環FR及蓋環CR，並將其等搬送至製程模組PM1～PM12。因此，不另外設置進行邊緣環FR及蓋環CR之定位之對準機便可將邊緣環FR及蓋環CR以精密定位之狀態搬送至製程模組PM1～PM12。其結果，可削減因將邊緣環FR及蓋環CR搬送至對準機而產生之停工時間。又，可降低裝置導入成本。又，空間效率提高。但是，亦可另外設置對準機，利用對準機將邊緣環FR及蓋環CR更精密地對位並搬送。
再者，於圖13A～圖13C之例中示出了邊緣環FR於外周具有1個切口FRa且蓋環CR於內周具有1個切口CRa之情形，但切口FRa,CRa之數量並不限定於此。例如，邊緣環FR亦可於外周具有在圓周方向上相互隔開之複數個切口FRa，蓋環CR亦可於內周具有在圓周方向上相互隔開之複數個切口CRa。於該情形時，較佳為與複數個切口FRa,CRa之各者對應地設置導銷782。藉此，可減小角度誤差。
又，於圖13A～圖13C之例中例示了使用上叉FK21之情形，但亦可使用下叉FK22。
又，於圖13A～圖13C之例中對將邊緣環FR及蓋環CR在外周或內周定位之情形進行了說明，但並不限定於此。例如，亦可於邊緣環FR及蓋環CR之背面(載置於載置面781a之側之面)設置用於定位之凹部(或凸部)來進行分自之定位。
又，於圖13A～圖13C之例中對邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部具有不重疊之構成之情形進行了說明，但並不限定於此，邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部亦可具有重疊之構成。於該情形時，將邊緣環FR以相對於蓋環CR定位之狀態保持，於一例中，亦可於蓋環CR之外周設置定位部，藉由將蓋環CR定位而將邊緣環FR定位。又，於另一例中，於邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部重疊之情形時，亦可在邊緣環FR及蓋環CR各自之未重疊區域設置用於定位之凹部(或凸部)。於該情形時，只要將導銷782設置於與凹部卡合之位置即可。藉此，可將邊緣環FR及蓋環CR分別定位。
以上，參照圖11A～圖13C對搬送機械手TR2使用上叉FK21自匣盒78中搬出邊緣環FR及/或蓋環CR之情形進行了說明。
再者，於將邊緣環FR及/或蓋環CR搬入匣盒78中之情形時，可使用搬送機械手TR2之上叉FK21將邊緣環FR及/或蓋環CR載置於匣盒78之底板781上。又，於收納模組SM不運轉時，例如，亦可由操作員將設置於收納模組SM之與閘閥G4對向之側之門80打開，而將邊緣環FR及/或蓋環CR載置於匣盒78之底板781上。又，還可使用其他機械手來載置。
參照圖14，對藉由上叉FK21將定位並載置於收納模組SM內之第2組裝體A2(搬送治具CJ及邊緣環FR)自匣盒78中搬出之情形進行說明。圖14所示之動作係於例如載置於電漿處理裝置1之靜電吸盤112上時邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部重疊之情形、且控制部CU選擇並執行下述單獨搬送模式之情形時進行。圖14係表示收納於匣盒78之第2組裝體A2之一例之概略俯視圖。
首先，如圖14所示，使上叉FK21進入至底板781上所載置之第2組裝體A2之下方。繼而，使上叉FK21上升。藉此，上叉FK21保持匣盒78內所收納之第2組裝體A2，並將其搬送至製程模組PM1～PM12。
如此，搬送機械手TR2藉由上叉FK21保持匣盒78內所收納之第2組裝體A2(搬送治具CJ及邊緣環FR)，將搬送治具CJ及邊緣環FR同時搬送至製程模組PM1～PM12。
再者，於圖14之例中例示了使用上叉FK21之情形，但亦可使用下叉FK22。
參照圖15，對藉由上叉FK21將定位並載置於收納模組SM內之搬送治具CJ自匣盒78中搬出之情形進行說明。圖15所示之動作係於例如載置於電漿處理裝置1之靜電吸盤112上時邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部重疊之情形、且控制部CU選擇並執行下述單獨搬送模式之情形時進行。圖15係表示收納於匣盒78之搬送治具CJ之一例之概略俯視圖。
首先，如圖15所示，使上叉FK21進入至底板781上所載置之搬送治具CJ之下方。繼而，使上叉FK21上升。藉此，上叉FK21保持匣盒78內所收納之搬送治具CJ，並將其搬送至製程模組PM1～PM12。
如此，搬送機械手TR2藉由上叉FK21保持匣盒78內所收納之搬送治具CJ，將搬送治具CJ單獨搬送至製程模組PM1～PM12。
再者，於圖15之例中例示了使用上叉FK21之情形，但亦可使用下叉FK22。
參照圖16，對圖4及圖5之收納模組SM所具有之匣盒78之另一例進行說明。圖16係表示收納模組SM內之匣盒78之另一例之概略立體圖，示出收納作為消耗構件之一例之邊緣環FR的匣盒78X。
圖16所示之匣盒78X與圖10所示之匣盒78之不同點在於：具有傾斜塊782b來代替複數個導銷782，該傾斜塊782b具有與邊緣環FR之外周部抵接而將邊緣環FR保持於規定位置之傾斜面。再者，關於其他構成，可為與圖10所示之匣盒78相同之構成。
又，作為又一例，匣盒78亦可具有以下傾斜塊(未圖示)，該傾斜塊具有與蓋環CR之內周部抵接而將蓋環CR保持於規定位置之傾斜面。又，作為又一例，匣盒78亦可具有以下傾斜塊(未圖示)，該傾斜塊具有與邊緣環FR之外周部及蓋環CR之內周部抵接而將邊緣環FR及蓋環CR保持於規定位置之傾斜面。又，傾斜塊亦可構成為與邊緣環FR之內周部抵接而將邊緣環FR保持於規定位置。又，傾斜塊亦可構成為與蓋環CR之外周部抵接而保持蓋環CR。
〔消耗構件之搬送方法〕 參照圖17A～圖19D，對作為實施方式之處理系統PS中的消耗構件之搬送方法之一例的控制部CU選擇並執行同時搬送模式之情形進行說明，該同時搬送模式係使搬送機械手TR2同時搬送邊緣環FR及蓋環CR。以下，設為控制部90包含於控制部CU，控制部CU控制搬送機械手TR2及升降器50而進行說明。但是，亦可使控制部90與控制部CU分開設置，由控制部CU來控制搬送機械手TR2，由控制部90來控制升降器50。再者，邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部具有於俯視下重疊之構成。又，於初始狀態下，如圖17A及圖17B所示，在靜電吸盤112上載置有邊緣環FR及蓋環CR。
首先，如圖18A所示，控制部CU使複數個支持銷521自待機位置上升至支持位置。藉此，複數個支持銷521之上端抵接於蓋環CR之下表面，該蓋環CR由複數個支持銷521提昇，從而該蓋環CR自靜電吸盤112離開。此時，於蓋環CR之內周部載置有邊緣環FR之外周部(外側環狀部分)。因此，當藉由複數個支持銷521將蓋環CR提昇時，邊緣環FR亦與蓋環CR一起被提昇。即，邊緣環FR及蓋環CR成為一體自靜電吸盤112離開。
繼而，如圖18B所示，控制部CU使未保持搬送對象物之下叉FK22進入至由複數個支持銷521支持之邊緣環FR及蓋環CR與靜電吸盤112之間。
繼而，如圖18C所示，控制部CU使複數個支持銷521自支持位置下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷521支持之邊緣環FR及蓋環CR被載置於下叉FK22上。
繼而，如圖18D所示，控制部CU使保持有邊緣環FR及蓋環CR之下叉FK22退出。
繼而，如圖19A所示，控制部CU使保持有更換用邊緣環FR及更換用蓋環CR之上叉FK21進入至靜電吸盤112之上方。更換用邊緣環FR可為新品(未使用)，亦可為使用過但未被過度消耗者。更換用蓋環CR可為新品(未使用)，亦可為使用過但未被過度消耗者。
繼而，如圖19B所示，控制部CU使複數個支持銷521自待機位置上升至支持位置。藉此，複數個支持銷521之上端抵接於由上叉FK21保持之蓋環CR之下表面，該蓋環CR由複數個支持銷521提昇，從而該蓋環CR自上叉FK21離開。此時，於蓋環CR之內周部載置有邊緣環FR之外周部。因此，藉由複數個支持銷521將邊緣環FR與蓋環CR提昇。即，邊緣環FR及蓋環CR成為一體自上叉FK21離開。
繼而，如圖19C所示，控制部CU使未保持搬送對象物之上叉FK21退出。
繼而，如圖19D所示，控制部CU使複數個支持銷521自支持位置下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷521支持之邊緣環FR及蓋環CR被載置於靜電吸盤112上。藉由以上所述，如圖17A及圖17B所示，邊緣環FR及蓋環CR同時被搬入至電漿處理腔室10內，並載置於靜電吸盤112上。
於將如此般被載置於靜電吸盤112上之邊緣環FR及蓋環CR自電漿處理腔室10內搬出之情形時，控制部CU執行與上述邊緣環FR及蓋環CR之搬入相反之動作。
如以上所說明般，根據實施方式之處理系統PS，可同時搬送邊緣環FR及蓋環CR。
參照圖20A～圖23D，對作為實施方式之處理系統PS中的消耗構件之搬送方法之另一例的控制部CU選擇並執行單獨搬送模式之情形進行說明，該單獨搬送模式係使搬送機械手TR2僅搬送邊緣環FR。以下，設為控制部90包含於控制部CU，控制部CU控制搬送機械手TR2及升降器50而進行說明。但是，亦可使控制部90與控制部CU分開設置，由控制部CU來控制搬送機械手TR2，由控制部90來控制升降器50。再者，邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部具有於俯視下重疊之構成。又，於初始狀態下，如圖17A及圖17B所示，在靜電吸盤112上載置有邊緣環FR及蓋環CR。
首先，如圖20A所示，控制部CU使複數個支持銷521自待機位置上升至支持位置。藉此，複數個支持銷521之上端抵接於蓋環CR之下表面，該蓋環CR由複數個支持銷521提昇，從而該蓋環CR自靜電吸盤112離開。此時，於蓋環CR之內周部載置有邊緣環FR之外周部。因此，當藉由複數個支持銷521將蓋環CR提昇時，邊緣環FR亦與蓋環CR一起被提昇。即，邊緣環FR及蓋環CR成為一體自靜電吸盤112離開。
繼而，如圖20B所示，控制部CU使保持有搬送治具CJ之下叉FK22進入至由複數個支持銷521支持之邊緣環FR及蓋環CR與靜電吸盤112之間。
繼而，如圖20C所示，控制部CU使複數個支持銷511自待機位置上升至支持位置。藉此，複數個支持銷511之上端抵接於搬送治具CJ之下表面，該搬送治具CJ由複數個支持銷511提昇，從而該搬送治具CJ自下叉FK22離開。
繼而，如圖20D所示，控制部CU使未保持搬送對象物之下叉FK22退出。
繼而，如圖21A所示，控制部CU使複數個支持銷521自支持位置下降至待機位置。此時，由於邊緣環FR之內周部(內側環狀部分)由搬送治具CJ支持，故僅複數個支持銷521所支持之蓋環CR載置於靜電吸盤112上。
繼而，如圖21B所示，控制部CU使未保持搬送對象物之下叉FK22進入至由複數個支持銷511支持之搬送治具CJ及邊緣環FR與靜電吸盤112之間。
繼而，如圖21C所示，控制部CU使複數個支持銷511自支持位置下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷511支持之搬送治具CJ及邊緣環FR被載置於下叉FK22上。
繼而，如圖21D所示，控制部CU使保持有搬送治具CJ及邊緣環FR之下叉FK22退出。
繼而，如圖22A所示，控制部CU使保持有搬送治具CJ之上叉FK21進入至靜電吸盤112之上方，該搬送治具CJ保持有更換用邊緣環FR。
繼而，如圖22B所示，控制部CU控制複數個支持銷511，使其等自待機位置上升至支持位置。藉此，複數個支持銷511之上端抵接於由上叉FK21保持之搬送治具CJ之下表面，該搬送治具CJ由複數個支持銷511提昇，從而該搬送治具CJ自上叉FK21離開。此時，於搬送治具CJ上載置有邊緣環FR之內周部。因此，當藉由複數個支持銷511將搬送治具CJ提昇時，邊緣環FR亦與搬送治具CJ一起被提昇。即，搬送治具CJ及邊緣環FR成為一體自上叉FK21離開。
繼而，如圖22C所示，控制部CU使未保持搬送對象物之上叉FK21退出。
繼而，如圖22D所示，控制部CU使複數個支持銷521自待機位置上升至支持位置。藉此，複數個支持銷521之上端抵接於靜電吸盤112上所載置之蓋環CR之下表面，該蓋環CR由複數個支持銷521提昇，從而該蓋環CR自靜電吸盤112離開。又，搬送治具CJ上所載置之邊緣環FR之外周部被載置於蓋環CR之內周部。
繼而，如圖23A所示，控制部CU使未保持搬送對象物之上叉FK21進入至搬送治具CJ、邊緣環FR及蓋環CR與靜電吸盤112之間。
繼而，如圖23B所示，控制部CU使複數個支持銷511自支持位置下降至待機位置。此時，由於邊緣環FR之外周部載置於蓋環CR之內周部，故僅複數個支持銷511所支持之搬送治具CJ被載置於上叉FK21上。
繼而，如圖23C所示，控制部CU使保持有搬送治具CJ之上叉FK21退出。
繼而，如圖23D所示，控制部CU使複數個支持銷521自支持位置下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷521支持之邊緣環FR及蓋環CR被載置於靜電吸盤112上。
如以上所說明般，根據實施方式之處理系統PS，可於不更換蓋環CR之情況下僅單獨搬送邊緣環FR。藉由以上所述，僅將邊緣環FR搬入至電漿處理腔室10內，並載置於載置有蓋環CR之靜電吸盤112上。
於僅將如此般被載置於靜電吸盤112上之邊緣環FR及蓋環CR中之邊緣環FR自電漿處理腔室10內搬出之情形時，控制部CU執行與上述邊緣環FR之搬入相反之動作。
〔消耗構件之更換方法〕 參照圖24，對實施方式之消耗構件之更換方法之一例進行說明。圖24係表示實施方式之消耗構件之更換方法之一例的流程圖。以下，列舉更換上述製程模組PM12內之消耗構件之情形為例進行說明。再者，圖24所示之實施方式之消耗構件之更換方法係藉由控制部CU對處理系統PS之各部進行控制而進行。
於步驟S10中，控制部CU判定是否需要更換蓋環CR。本實施方式中，控制部CU例如基於RF累計時間、RF累計電力、製程配方之特定步驟之累計值來判定是否需要更換蓋環CR。關於RF累計時間、RF累計電力、製程配方之特定步驟之累計值，將於下文中敍述。又，控制部CU亦可藉由例如使用光學方法來檢測蓋環CR之高度位置，從而判定是否需要更換蓋環CR。又，於另一例中，控制部CU亦可預先對邊緣環FR之更換次數進行計數，若達到規定值則更換蓋環CR。例如，於已更換了3次邊緣環FR之情形時可更換1次蓋環CR。此時，於第3次更換邊緣環FR之時點亦同時更換蓋環CR。又，於另一例中，控制部CU亦可以蓋環CR之更換週期同時更換邊緣環FR與蓋環CR。圖24之流程圖係以蓋環CR之更換週期同時更換邊緣環FR與蓋環CR之例。
於步驟S10中，判定為需要更換蓋環CR之情形時，控制部CU使處理進行至步驟S20。另一方面，於步驟S10中，判定為無需更換蓋環CR之情形時，控制部CU使處理進行至步驟S40。
於步驟S20中，控制部CU判定是否能夠更換邊緣環FR與蓋環CR。是否能夠更換邊緣環FR與蓋環CR之判定可利用與例如下述是否能夠更換邊緣環FR之判定相同之判定方法。但是，亦可利用不同之判定方法。於步驟S20中，判定為能夠更換邊緣環FR與蓋環CR之情形時，控制部CU使處理進行至步驟S30。另一方面，於步驟S20中，判定為不能更換邊緣環FR與蓋環CR之情形時，控制部CU再次進行步驟S20。
於步驟S30中，控制部CU選擇同時搬送模式，使搬送機械手TR2同時搬送邊緣環FR及蓋環CR。關於步驟S30之詳情，將於下文中敍述。
於步驟S40中，控制部CU判定是否需要更換邊緣環FR。本實施方式中，控制部CU例如基於RF累計時間、RF累計電力、製程配方之特定步驟之累計值來判定是否需要更換邊緣環FR。
RF累計時間係指於規定之電漿處理時製程模組PM12中被供給高頻電力之時間之累計值。RF累計電力係指於規定之電漿處理時製程模組PM12中被供給之高頻電力之累計值。製程配方之特定步驟之累計值係指於製程模組PM12中進行之處理之步驟中的削減邊緣環FR之步驟中供給高頻電力之時間之累計值或高頻電力之累計值。再者，RF累計時間、RF累計電力及製程配方之特定步驟之累計值係例如以裝置被導入之時點、實施維護之時點等更換邊緣環FR之時點為起點而算出之值。
在基於RF累計時間來判定是否需要更換邊緣環FR之情形時，控制部CU於RF累計時間達到閾值之情形時判定為需要更換邊緣環FR。與此相對，控制部CU於RF累計時間未達到閾值之情形時判定為無需更換邊緣環FR。再者，閾值係藉由預備實驗等根據邊緣環FR之材質等之種類而規定之值。
在基於RF累計電力來判定是否需要更換邊緣環FR之情形時，控制部CU於RF累計電力達到閾值之情形時判定為需要更換邊緣環FR。與此相對，控制部CU於RF累計電力未達到閾值之情形時判定為無需更換邊緣環FR。再者，閾值係藉由預備實驗等根據邊緣環FR之材質等之種類而規定之值。
在基於製程配方之特定步驟之累計值來判定是否需要更換邊緣環FR之情形時，控制部CU於特定步驟中之RF累計時間或RF累計電力達到閾值之情形時判定為需要更換邊緣環FR。與此相對，控制部CU於特定步驟中之RF累計時間或RF累計電力未達到閾值之情形時判定為無需更換邊緣環FR。在基於製程配方之特定步驟之累計值來判定是否需要更換邊緣環FR之情形時，可施加高頻電力，基於削減邊緣環FR之步驟算出更換邊緣環FR之時點。因此，能以特別高之精度算出更換邊緣環FR之時點。再者，閾值係藉由預備實驗等根據邊緣環FR之材質等之種類而規定之值。
又，控制部CU亦可藉由例如使用光學方法來檢測邊緣環FR之高度位置，從而判定是否需要更換邊緣環FR。
於步驟S40中，判定為需要更換邊緣環FR之情形時，控制部CU使處理進行至步驟S50。另一方面，於判定為無需更換邊緣環FR之情形時，控制部CU使處理返回至步驟S10。
於步驟S50中，控制部CU判定是否能夠更換邊緣環FR。本實施方式中，控制部CU於例如進行邊緣環FR之更換之製程模組PM12中未對基板W進行處理之情形時判定為能夠更換邊緣環FR。與此相對，控制部CU於在製程模組PM12中正對基板W進行處理之情形時判定為不能更換邊緣環FR。又，控制部CU於與例如進行邊緣環FR之更換之製程模組PM12中正接受處理之基板W為同一批次之基板W之處理已結束之情形時，亦可判定為能夠更換邊緣環FR。於該情形時，控制部CU於與製程模組PM12中正接受處理之基板W為同一批次之基板W之處理結束之前的期間內，判定為不能更換邊緣環FR。
於步驟S50中，判定為能夠更換邊緣環FR之情形時，控制部CU使處理進行至步驟S60。另一方面，於判定為不能更換邊緣環FR之情形時，控制部CU再次進行步驟S50。
於步驟S60中，控制部CU選擇單獨搬送模式，使搬送機械手TR2僅搬送邊緣環FR。關於步驟S60之詳情，將於下文中敍述。
其次，參照圖25對步驟S30之詳情進行說明。步驟S30具有第1清潔步驟S31、搬出步驟S32、第2清潔步驟S33、搬入步驟S34、及陳化步驟S35。以下，對各步驟進行說明。
第1清潔步驟S31係進行製程模組PM12之清潔處理之步驟。第1清潔步驟S31中，控制部CU藉由控制氣體導入系統、排氣系統、電力導入系統等，而進行製程模組PM12之清潔處理。清潔處理係以下處理，即，藉由處理氣體之電漿等去除因電漿處理而產生之製程模組PM12內之沈積物，使製程模組PM12內穩定為潔淨狀態。藉由進行第1清潔步驟S31，可抑制於搬出步驟S32中自載台搬出邊緣環FR及蓋環CR時製程模組PM12內之沈積物揚起。作為處理氣體，例如，可使用氧氣(O 2)、氟化碳(CF)系氣體、氮氣(N 2)、氬氣(Ar)、氦氣(He)、或者其等兩種以上之混合氣體。又，於進行製程模組PM12之清潔處理時，根據處理條件不同，為了保護載台之靜電吸盤112，亦可於在靜電吸盤112之上表面載置有虛設晶圓等基板W之狀態下進行清潔處理。再者，於製程模組PM12內不存在沈積物之情形等沈積物不會揚起之情形時，亦可不進行第1清潔步驟S31。又，於藉由靜電吸盤112使邊緣環FR及蓋環CR吸附於載台之情形時，在接下來之搬出步驟S32之前要進行去靜電處理。為了去除邊緣環FR及蓋環CR背面之沈積物，亦可於執行第1清潔步驟S31之過程中將邊緣環FR及蓋環CR提昇以使其等與靜電吸盤112及絕緣體115分離。又，於第1清潔步驟S31之執行過程中，亦可在將邊緣環FR及蓋環CR提昇(頂起)之狀態與不提昇(不頂起)之狀態之間進行狀態變更。如此，於第1清潔步驟S31中，可於將邊緣環FR及蓋環CR頂起之狀態及/或不頂起之狀態下進行清潔處理。
搬出步驟S32係於不使製程模組PM12向大氣開放之情況下自製程模組PM12內搬出邊緣環FR及蓋環CR之步驟。於搬出步驟S32中，控制部CU以在不使製程模組PM12向大氣開放之情況下自製程模組PM12內搬出邊緣環FR及蓋環CR之方式控制處理系統PS之各部。具體而言，打開閘閥G1，藉由搬送機械手TR2將製程模組PM12內部之載台上所載置之邊緣環FR及蓋環CR自製程模組PM12中搬出。例如，控制部CU控制處理系統PS之各部，使其等將製程模組PM12內部之載台上所載置之邊緣環FR及蓋環CR搬出。繼而，打開閘閥G4，藉由搬送機械手TR2將自製程模組PM12中搬出之邊緣環FR及蓋環CR收納於收納模組SM中。例如，控制部CU控制處理系統PS之各部，使其等利用圖18A～圖18D所示之搬送方法將邊緣環FR及蓋環CR自製程模組PM2內搬出並收納於收納模組SM中。
第2清潔步驟S33係對製程模組PM12之載台之供載置邊緣環FR及蓋環CR之面進行清潔處理之步驟。於第2清潔步驟S33中，控制部CU藉由控制氣體導入系統、排氣系統、電力導入系統等，而進行製程模組PM12之載台之供載置邊緣環FR及蓋環CR之面之清潔處理。第2清潔步驟S33中之清潔處理例如可藉由與第1清潔步驟S31相同之方法來進行。即，作為處理氣體，例如，可使用O 2氣體、CF系氣體、N 2氣體、Ar氣體、He氣體、或者其等兩種以上之混合氣體。又，於進行製程模組PM12之清潔處理時，根據處理條件不同，為了保護載台之靜電吸盤112，亦可於在靜電吸盤112之上表面載置有虛設晶圓等基板W之狀態下進行清潔處理。再者，亦可省略第2清潔步驟S33。
搬入步驟S34係於不使製程模組PM12向大氣開放之情況下將邊緣環FR及蓋環CR搬入至製程模組PM12內並載置於載台之步驟。於搬入步驟S34中，控制部CU以在不使製程模組PM12向大氣開放之情況下將邊緣環FR及蓋環CR搬入至製程模組PM12內之方式控制處理系統PS之各部。具體而言，打開閘閥G4，藉由搬送機械手TR2將收納模組SM中所收容之更換用邊緣環FR及蓋環CR搬出。繼而，打開閘閥G1，藉由搬送機械手TR2將更換用邊緣環FR及蓋環CR搬入製程模組PM12中並載置於載台。例如，控制部CU控制處理系統PS之各部，使其等利用圖19A～圖19D所示之搬送方法將收納模組SM中所收納之邊緣環FR及蓋環CR載置於製程模組PM12內之載台。
陳化步驟S35係進行製程模組PM12之陳化處理之步驟。於陳化步驟S35中，控制部CU藉由控制氣體導入系統、排氣系統、電力導入系統等，而進行製程模組PM12之陳化處理。所謂陳化處理係用以藉由進行規定之電漿處理而使製程模組PM12內之溫度或沈積物之狀態穩定之處理。又，於陳化步驟S35中，亦可於製程模組PM12之陳化處理之後向製程模組PM12內搬入品質管理用晶圓，並對品質管理用晶圓進行規定之處理。藉此，可確認製程模組PM12之狀態是否正常。再者，亦可省略陳化步驟S35。
如以上所說明般，根據實施方式之處理系統PS，在不使製程模組PM12向大氣開放之情況下，藉由搬送機械手TR2自製程模組PM12內搬出邊緣環FR及蓋環CR。其後，對製程模組PM12內進行清潔處理，繼而藉由搬送機械手TR2將邊緣環FR及蓋環CR搬入製程模組PM12內。藉此，無需作業人員手動進行邊緣環FR及蓋環CR之更換便可將邊緣環FR及蓋環CR同時更換。因此，可縮短邊緣環FR及蓋環CR之更換所需之時間，從而生產性提高。又，藉由在搬入邊緣環FR及蓋環CR之前對供載置邊緣環FR及蓋環CR之面進行清潔，可抑制邊緣環FR及蓋環CR與供載置該邊緣環FR及該蓋環CR之面之間存在沈積物。其結果，兩者之接觸變得良好，藉此可維持邊緣環FR及蓋環CR之溫度控制性良好。
其次，參照圖26對步驟S60之詳情進行說明。步驟S60具有第1清潔步驟S61、搬出步驟S62、第2清潔步驟S63、搬入步驟S64、及陳化步驟S65。以下，對各步驟進行說明。
第1清潔步驟S61係進行製程模組PM12之清潔處理之步驟。於第1清潔步驟S61中，控制部CU藉由控制氣體導入系統、排氣系統、電力導入系統等，而進行製程模組PM12之清潔處理。清潔處理係以下處理，即，藉由處理氣體之電漿等去除因電漿處理而產生之製程模組PM12內之沈積物，使製程模組PM12內穩定為潔淨狀態。藉由進行第1清潔步驟S61，可抑制於搬出步驟S62中自載台搬出邊緣環FR時製程模組PM12內之沈積物揚起。作為處理氣體，例如，可使用O 2氣體、CF系氣體、N 2氣體、Ar氣體、He氣體、或者其等兩種以上之混合氣體。又，於進行製程模組PM12之清潔處理時，根據處理條件不同，為了保護載台之靜電吸盤112，亦可於在靜電吸盤112之上表面載置有虛設晶圓等基板W之狀態下進行清潔處理。再者，於製程模組PM12內不存在沈積物之情形等沈積物不會揚起之情形時，亦可不進行第1清潔步驟S61。又，於藉由靜電吸盤112使邊緣環FR吸附於載台之情形時，在接下來之搬出步驟S62之前要進行去靜電處理。為了去除邊緣環FR及/或蓋環CR背面之沈積物，亦可於執行第1清潔步驟S61之過程中將邊緣環FR及蓋環CR提昇以使其等與靜電吸盤112及絕緣體115分離。又，於第1清潔步驟S61之執行過程中，亦可在將邊緣環FR及蓋環CR頂起之狀態與不頂起之狀態之間進行狀態變更。如此，於第1清潔步驟S61中，可於將邊緣環FR及蓋環CR頂起之狀態及/或不頂起之狀態下進行清潔處理。
搬出步驟S62係於不使製程模組PM12向大氣開放之情況下自製程模組PM12內搬出邊緣環FR之步驟。於搬出步驟S62中，控制部CU以在不使製程模組PM12向大氣開放之情況下自製程模組PM12內搬出邊緣環FR之方式控制處理系統PS之各部。具體而言，打開閘閥G1，藉由搬送機械手TR2將製程模組PM12內部之載台上所載置之邊緣環FR自製程模組PM12中搬出。例如，控制部CU控制處理系統PS之各部，使其等將製程模組PM12內部之載台上所載置之邊緣環FR搬出。繼而，打開閘閥G4，藉由搬送機械手TR2將自製程模組PM12中搬出之邊緣環FR收納於收納模組SM中。例如，控制部CU控制處理系統PS之各部，使其等利用圖20A～圖21D所示之搬送方法將邊緣環FR自製程模組PM2內搬出並收納於收納模組SM中。
第2清潔步驟S63係對製程模組PM12之載台之供載置邊緣環FR之面進行清潔處理之步驟。於第2清潔步驟S63中，控制部CU藉由控制氣體導入系統、排氣系統、電力導入系統等，而進行製程模組PM12之載台之供載置邊緣環FR之面之清潔處理。第2清潔步驟S63中之清潔處理例如可利用與第1清潔步驟S61相同之方法來進行。即，作為處理氣體，例如，可使用O 2氣體、CF系氣體、N 2氣體、Ar氣體、He氣體、或者其等兩種以上之混合氣體。又，於進行製程模組PM12之清潔處理時，根據處理條件不同，為了保護載台之靜電吸盤112，亦可於在靜電吸盤112之上表面載置有虛設晶圓等基板W之狀態下進行清潔處理。再者，亦可省略第2清潔步驟S63。
搬入步驟S64係於不使製程模組PM12向大氣開放之情況下將邊緣環FR搬入製程模組PM12內並載置於載台之步驟。於搬入步驟S64中，控制部CU以在不使製程模組PM12向大氣開放之情況下將邊緣環FR搬入製程模組PM12內之方式控制處理系統PS之各部。具體而言，打開閘閥G4，藉由搬送機械手TR2將收納模組SM中所收容之更換用邊緣環FR搬出。繼而，打開閘閥G1，藉由搬送機械手TR2將更換用邊緣環FR搬入製程模組PM12內並載置於載台。例如，控制部CU控制處理系統PS之各部，使其等利用圖22A～圖23D所示之搬送方法將收納模組SM中所收納之邊緣環FR載置於製程模組PM12內之載台。
陳化步驟S65係進行製程模組PM12之陳化處理之步驟。於陳化步驟S65中，控制部CU藉由控制氣體導入系統、排氣系統、電力導入系統等，而進行製程模組PM12之陳化處理。所謂陳化處理係用以藉由進行規定之電漿處理而使製程模組PM12內之溫度或沈積物之狀態穩定之處理。又，於陳化步驟S65中，亦可於製程模組PM12之陳化處理之後向製程模組PM12內搬入品質管理用晶圓，並對品質管理用晶圓進行規定之處理。藉此，可確認製程模組PM12之狀態是否正常。再者，亦可省略陳化步驟S65。
如以上所說明般，根據實施方式之處理系統PS，於不使製程模組PM12向大氣開放之情況下，藉由搬送機械手TR2自製程模組PM12內搬出邊緣環FR。其後，對製程模組PM12內進行清潔處理，繼而藉由搬送機械手TR2將邊緣環FR搬入製程模組PM12內。藉此，無需作業人員手動進行邊緣環FR之更換便可僅單獨更換邊緣環FR。因此，可縮短邊緣環FR之更換所需之時間，從而生產性提高。又，藉由在搬入邊緣環FR之前對供載置邊緣環FR之面進行清潔，可抑制邊緣環FR與供載置該邊緣環FR之面之間存在沈積物。其結果，兩者之接觸變得良好，藉此可維持邊緣環FR之溫度控制性良好。
參照圖27，對實施方式之消耗構件之更換方法之另一例進行說明。圖27係表示實施方式之消耗構件之更換方法之另一例的流程圖。以下，列舉更換上述製程模組PM12內之消耗構件之情形為例進行說明。再者，圖27所示之實施方式之消耗構件之更換方法係藉由控制部CU控制處理系統PS之各部而進行。
於步驟S110中，控制部CU判定是否需要更換蓋環CR。於步驟S110中，例如可利用與上述步驟S10相同之判定方法。
於步驟S110中，判定為需要更換蓋環CR之情形時，控制部CU使處理進行至步驟S120。另一方面，於步驟S110中，判定為無需更換蓋環CR之情形時，控制部CU使處理進行至步驟S170。
於步驟S120中，控制部CU判定是否需要更換邊緣環FR。本實施方式中，控制部CU例如基於上述RF累計時間、RF累計電力、製程配方之特定步驟之累計值來判定是否需要更換邊緣環FR。又，控制部CU亦可藉由例如使用光學方法來檢測邊緣環FR之高度位置，從而判定是否需要更換邊緣環FR。
於步驟S120中，判定為需要更換邊緣環FR之情形時，控制部CU使處理進行至步驟S130。另一方面，於步驟S120中，判定為無需更換邊緣環FR之情形時，控制部CU使處理進行至步驟S150。
於步驟S130中，控制部CU判定是否能夠更換邊緣環FR與蓋環CR。於步驟S130中，例如可利用與上述步驟S20相同之判定方法。
於步驟S130中，判定為能夠更換邊緣環FR與蓋環CR之情形時，控制部CU使處理進行至步驟S140。另一方面，於步驟S130中，判定為不能更換邊緣環FR與蓋環CR之情形時，控制部CU再次進行步驟S130。
於步驟S140中，控制部CU選擇同時搬送模式，使搬送機械手TR2同時搬送邊緣環FR及蓋環CR。於步驟S140中，例如可利用與上述步驟S30相同之搬送方法。
於步驟S150中，控制部CU判定是否能夠更換蓋環CR。本實施方式中，控制部CU例如於進行蓋環CR之更換之製程模組PM12中未對基板W進行處理之情形時，判定為能夠更換蓋環CR。與此相對，控制部CU於在製程模組PM12中正對基板W進行處理之情形時，判定為不能更換蓋環CR。又，控制部CU於與例如進行蓋環CR之更換之製程模組PM12中正接受處理之基板W為同一批次之基板W之處理已結束之情形時，亦可判定為能夠更換蓋環CR。於該情形時，控制部CU於與製程模組PM12中正接受處理之基板W為同一批次之基板W之處理結束之前之期間內，判定為不能更換蓋環CR。
於步驟S150中，判定為能夠更換蓋環CR之情形時，控制部CU使處理進行至步驟S160。另一方面，於步驟S150中，判定為不能更換蓋環CR之情形時，控制部CU再次進行步驟S150。
於步驟S160中，控制部CU使搬送機械手TR2執行僅更換蓋環CR之動作。關於步驟S160之詳情，將於下文中敍述。
於步驟S170中，控制部CU判定是否需要更換邊緣環FR。本實施方式中，控制部CU例如基於上述RF累計時間、RF累計電力、製程配方之特定步驟之累計值來判定是否需要更換邊緣環FR。又，控制部CU亦可藉由例如使用光學方法來檢測邊緣環FR之高度位置，從而判定是否需要更換邊緣環FR。
於步驟S170中，判定為需要更換邊緣環FR之情形時，控制部CU使處理進行至步驟S180。另一方面，判定為無需更換邊緣環FR之情形時，控制部CU使處理返回至步驟S110。
於步驟S180中，控制部CU判定是否能夠更換邊緣環FR。於步驟S180中，例如可利用與上述步驟S50相同之判定方法。
於步驟S180中，判定為能夠更換邊緣環FR之情形時，控制部CU使處理進行至步驟S190。另一方面，於步驟S180中，判定為不能更換邊緣環FR之情形時，控制部CU再次進行步驟S180。
於步驟S190中，控制部CU選擇單獨搬送模式，使搬送機械手TR2僅搬送邊緣環FR。於步驟S190中，例如可利用與上述步驟S60相同之搬送方法。
其次，參照圖28，對步驟S160之詳情進行說明。步驟S160具有第1清潔步驟S161、搬出步驟S162、第2清潔步驟S163、搬入步驟S164、及陳化步驟S165。以下，對各步驟進行說明。
第1清潔步驟S161係進行製程模組PM12之清潔處理之步驟。於第1清潔步驟S161中，控制部CU藉由控制氣體導入系統、排氣系統、電力導入系統等，而進行製程模組PM12之清潔處理。清潔處理係以下處理，即，藉由處理氣體之電漿等去除因電漿處理而產生之製程模組PM12內之沈積物，使製程模組PM12內穩定為潔淨狀態。藉由進行第1清潔步驟S161，可抑制於搬出步驟S162中自載台搬出邊緣環FR及蓋環CR時製程模組PM12內之沈積物揚起。作為處理氣體，例如可使用O 2氣體、CF系氣體、N 2氣體、Ar氣體、He氣體、或者其等兩種以上之混合氣體。又，於進行製程模組PM12之清潔處理時，根據處理條件不同，為了保護載台之靜電吸盤112，亦可於在靜電吸盤112之上表面載置有虛設晶圓等基板W之狀態下進行清潔處理。再者，於製程模組PM12內不存在沈積物之情形等沈積物不會揚起之情形時，亦可不進行第1清潔步驟S161。又，於藉由靜電吸盤112使邊緣環FR吸附於載台之情形時，在接下來之搬出步驟S162之前要進行去靜電處理。為了去除邊緣環FR及/或蓋環CR背面之沈積物，亦可於執行第1清潔步驟S161之過程中將邊緣環FR及蓋環CR提昇以使其等與靜電吸盤112及絕緣體115分離。又，於第1清潔步驟S161之執行過程中，亦可在將邊緣環FR及蓋環CR頂起之狀態與不頂起之狀態之間進行狀態變更。如此，於第1清潔步驟S161中，可於將邊緣環FR及蓋環CR頂起之狀態及/或不頂起之狀態下進行清潔處理。
搬出步驟S162係於不使製程模組PM12向大氣開放之情況下自製程模組PM12內搬出邊緣環FR及蓋環CR之步驟。於搬出步驟S162中，控制部CU以在不使製程模組PM12向大氣開放之情況下自製程模組PM12內搬出邊緣環FR及蓋環CR之方式控制處理系統PS之各部。具體而言，打開閘閥G1，藉由搬送機械手TR2將製程模組PM12內部之載台上所載置之邊緣環FR及蓋環CR同時自製程模組PM12中搬出。例如，控制部CU控制處理系統PS之各部，使其等將製程模組PM12內部之載台上所載置之邊緣環FR及蓋環CR同時搬出。繼而，打開閘閥G4，藉由搬送機械手TR2將自製程模組PM12中搬出之邊緣環FR及蓋環CR同時收納於收納模組SM中。例如，控制部CU控制處理系統PS之各部，使其等利用圖18A～圖18D所示之搬送方法將邊緣環FR及蓋環CR自製程模組PM2內搬出並收納於收納模組SM中。
又，於搬出步驟S162中，亦可分別搬出邊緣環FR與蓋環CR。例如，控制部CU亦可控制處理系統PS之各部，使其等將製程模組PM12內部之載台上載置之邊緣環FR搬出之後，再將製程模組PM12內部之載台上所載置之蓋環CR搬出。
第2清潔步驟S163係對製程模組PM12之載台之供載置邊緣環FR及蓋環CR之面進行清潔處理之步驟。於第2清潔步驟S163中，控制部CU藉由控制氣體導入系統、排氣系統、電力導入系統等，而進行製程模組PM12之載台之供載置邊緣環FR及蓋環CR之面之清潔處理。第2清潔步驟S163中之清潔處理例如可利用與第1清潔步驟S161相同之方法來進行。即，作為處理氣體，例如可使用O 2氣體、CF系氣體、N 2氣體、Ar氣體、He氣體、或者其等兩種以上之混合氣體。又，於進行製程模組PM12之清潔處理時，根據處理條件不同，為了保護載台之靜電吸盤112，亦可於在靜電吸盤112之上表面載置有虛設晶圓等基板W之狀態下進行清潔處理。再者，亦可省略第2清潔步驟S163。
搬入步驟S164係於不使製程模組PM12向大氣開放之情況下將於搬出步驟S162中搬出之邊緣環FR及更換用蓋環CR搬入製程模組PM12內並載置於載台之步驟。於搬入步驟S164中，控制部CU以在不使製程模組PM12向大氣開放之情況下將於搬出步驟S162中搬出之邊緣環FR及更換用蓋環CR搬入製程模組PM12內之方式控制處理系統PS之各部。具體而言，打開閘閥G4，藉由搬送機械手TR2將於搬出步驟S162中自製程模組PM12搬出後收容於收納模組SM之使用過之邊緣環FR及收容於收納模組SM之更換用蓋環CR搬出。繼而，打開閘閥G1，藉由搬送機械手TR2將使用過之邊緣環FR及更換用蓋環CR搬入製程模組PM12中並載置於載台。例如，控制部CU控制處理系統PS之各部，使其等利用圖19A～圖19D所示之搬送方法將收納模組SM中所收納之使用過之邊緣環FR及更換用蓋環CR載置於製程模組PM12內之載台。
又，於搬入步驟S164中，亦可分別搬入邊緣環FR與蓋環CR。例如，控制部CU亦可控制處理系統PS之各部，使其等將蓋環CR載置於製程模組PM12內部之載台之後，再將邊緣環FR載置於製程模組PM12內部之載台。
陳化步驟S165係進行製程模組PM12之陳化處理之步驟。於陳化步驟S165中，控制部CU藉由控制氣體導入系統、排氣系統、電力導入系統等，而進行製程模組PM12之陳化處理。所謂陳化處理係用以藉由進行規定之電漿處理而使製程模組PM12內之溫度或沈積物之狀態穩定之處理。又，於陳化步驟S165中，亦可於製程模組PM12之陳化處理之後向製程模組PM12內搬入品質管理用晶圓，並對品質管理用晶圓進行規定之處理。藉此，可確認製程模組PM12之狀態是否正常。再者，亦可省略陳化步驟S165。
〔第1變化例〕 參照圖29～圖31，對用作圖1之處理系統PS所具備之製程模組PM1～PM12的電漿處理裝置之另一例進行說明。
電漿處理裝置1X包含電漿處理腔室10X及升降器50X來代替電漿處理裝置1中之電漿處理腔室10及升降器50。再者，其他構成可與電漿處理裝置1相同。
電漿處理腔室10X包含基板支持部11X及上部電極12。基板支持部11X配置於電漿處理腔室10X內之電漿處理空間10s之下部區域。上部電極12配置於基板支持部11X之上方，可作為電漿處理腔室10X之頂板之一部分發揮功能。
基板支持部11X於電漿處理空間10s中支持基板W。基板支持部11X包含下部電極111、靜電吸盤112、環組件113X、絕緣體115及底座116。靜電吸盤112配置於下部電極111上。靜電吸盤112利用上表面支持基板W。環組件113X包含邊緣環FRX及蓋環CRX。邊緣環FRX具有環形狀，於下部電極111之周緣部上表面配置於基板W之周圍。邊緣環FRX例如提高電漿處理之均勻性。蓋環CRX具有環形狀，配置於邊緣環FRX之外周部。蓋環CRX保護絕緣體115之上表面使其不受例如電漿影響。圖29之例中，邊緣環FRX之外徑與蓋環CRX之內徑相同或小於蓋環CRX之內徑。即，於俯視下，邊緣環FRX與蓋環CRX不重疊。藉此，邊緣環FRX與蓋環CRX獨立地升降。絕緣體115以包圍下部電極111之方式配置於底座116上。底座116固定於電漿處理腔室10X之底部，支持下部電極111及絕緣體115。
升降器50X使基板W、邊緣環FRX及蓋環CRX升降。升降器50X包含第1升降器51、第3升降器53及第4升降器54。
第1升降器51包含複數個支持銷511及致動器512。複數個支持銷511插通至形成於下部電極111及靜電吸盤112之貫通孔H1中而能夠相對於靜電吸盤112之上表面突出沒入。複數個支持銷511藉由相對於靜電吸盤112之上表面突出，而使上端抵接於基板W之下表面從而支持基板W。致動器512使複數個支持銷511升降。作為致動器512，可利用DC馬達、步進馬達、線性馬達等馬達、氣缸等空氣驅動機構、壓電致動器等。上述第1升降器51例如於在搬送機械手TR1、TR2與基板支持部11之間交接基板W時使複數個支持銷511升降。
第3升降器53包含複數個支持銷531及致動器532。複數個支持銷531插通至形成於絕緣體115之貫通孔H3中而能夠相對於絕緣體115之上表面突出沒入。複數個支持銷531藉由相對於絕緣體115之上表面突出，而使上端抵接於邊緣環FRX之下表面從而支持邊緣環FRX。致動器532使複數個支持銷531升降。作為致動器532，例如可利用與致動器512相同者。
第4升降器54包含複數個支持銷541及致動器542。複數個支持銷541插通至形成於絕緣體115之貫通孔H4中而能夠相對於絕緣體115之上表面突出沒入。複數個支持銷541藉由相對於絕緣體115之上表面突出，而使上端抵接於蓋環CRX之下表面從而支持蓋環CRX。致動器542使複數個支持銷541升降。作為致動器542，例如可利用與致動器512相同者。
上述升降器50X於在搬送機械手TR1,TR2與基板支持部11之間交接邊緣環FRX及蓋環CRX之情形時，使複數個支持銷531,541升降。例如，於藉由搬送機械手TR1,TR2將靜電吸盤112上所載置之邊緣環FRX及蓋環CRX搬出之情形時，如圖30所示，使複數個支持銷531,541上升。藉此，可於藉由複數個支持銷531將邊緣環FRX提昇之同時，藉由複數個支持銷541將蓋環CRX提昇，從而藉由搬送機械手TR1,TR2可將邊緣環FRX及蓋環CRX同時搬出。
又，上述升降器50X於在搬送機械手TR1,TR2與基板支持部11之間僅交接邊緣環FRX之情形時，使複數個支持銷531升降。例如，於藉由搬送機械手TR1,TR2僅搬出靜電吸盤112上所載置之邊緣環FRX之情形時，如圖31所示，使複數個支持銷531上升。藉此，可藉由複數個支持銷531僅將邊緣環FRX提昇，從而搬送機械手TR1,TR2可將邊緣環FRX單獨搬出。
〔第2變化例〕 (構成) 參照圖32，對用作圖1之處理系統PS所具備之製程模組PM1～PM12的電漿處理裝置之又一例進行說明。以下，以與電漿處理裝置1之不同點為中心進行說明。
電漿處理裝置包含升降器50Y。升降器50Y包含第1升降器51及第5升降器55。
第5升降器55包含複數個支持銷551及致動器(未圖示)。
支持銷551係由圓柱形狀(實心棒狀)之構件形成之帶階差之支持銷。支持銷551自下側起朝向上側依序具有下側棒部552及上側棒部553。下側棒部552之外徑大於上側棒部553之外徑。藉此，由下側棒部552之上端面552a形成階部。下側棒部552及上側棒部553係一體成形。
支持銷551插通至形成於下部電極111之貫通孔H11、形成於絕緣體115之貫通孔H12及形成於蓋環CR之貫通孔H13中而能夠相對於絕緣體115之上表面及蓋環CR之上表面突出沒入。貫通孔H11,H12之內徑略大於下側棒部552之外徑。貫通孔H13之內徑略大於上側棒部553之外徑，且小於下側棒部552之外徑。
支持銷551能夠在待機位置、第1支持位置、及第2支持位置之間位移。
待機位置係上側棒部553之上端面553a處於較邊緣環FR之下表面更靠下方之位置。於支持銷551處於待機位置之情形時，邊緣環FR及蓋環CR並未由支持銷551提昇，而是分別支持於靜電吸盤112上及絕緣體115上。
第1支持位置係較待機位置更靠上方之位置。第1支持位置係上側棒部553之上端面553a突出至較蓋環CR之上表面更靠上方且下側棒部552之上端面552a處於較蓋環CR之下表面更靠下方之位置。支持銷551藉由移動至第1支持位置，而使上側棒部553之上端面553a抵接於形成在邊緣環FR之下表面之凹部FRr從而支持邊緣環FR。
第2支持位置係較第1支持位置更靠上方之位置。第2支持位置係下側棒部552之上端面552a突出至較絕緣體115之上表面更靠上方之位置。支持銷551藉由移動至第2支持位置，而使上側棒部553之上端面553a抵接於凹部FRr從而支持邊緣環FR，且使下側棒部552之上端面552a抵接於蓋環CR之下表面從而支持蓋環CR。
致動器使複數個支持銷551升降。作為致動器，例如可利用DC馬達、步進馬達、線性馬達等馬達、氣缸等空氣驅動機構等壓電致動器。
上述第5升降器55於在搬送機械手TR1,TR2與基板支持部11之間交接邊緣環FR之情形時，使複數個支持銷551移動至第1支持位置，藉此將邊緣環FR提昇。又，第5升降器55於在搬送機械手TR1,TR2與基板支持部11之間交接邊緣環FR及蓋環CR之情形時，使複數個支持銷551移動至第2支持位置，藉此將蓋環CR及邊緣環FR提昇。
(消耗構件之搬送方法：同時搬送模式) 參照圖33A～圖36C，對作為實施方式之處理系統PS中的消耗構件之搬送方法之另一例的控制部CU選擇並執行同時搬送模式之情形進行說明，該同時搬送模式係使搬送機械手TR2同時搬送邊緣環FR及蓋環CR。具體而言，對自圖32中所示之電漿處理裝置中同時搬出邊緣環FR及蓋環CR之後，將更換用邊緣環FR及蓋環CR同時搬入電漿處理裝置中之情形進行說明。
以下，設為控制部90包含於控制部CU，控制部CU控制搬送機械手TR2及升降器50Y而進行說明。但是，亦可使控制部90與控制部CU分開設置，由控制部CU來控制搬送機械手TR2，由控制部90來控制升降器50Y。再者，邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部具有於俯視下重疊之構成。
首先，如圖33A所示，控制部CU使複數個支持銷551自待機位置上升。藉此，上側棒部553之上端面553a抵接於邊緣環FR之下表面，該邊緣環FR由複數個支持銷551提昇，從而該邊緣環FR自靜電吸盤112離開。
繼而，如圖33B所示，控制部CU使複數個支持銷551進一步上升至第2支持位置。藉此，下側棒部552之上端面552a抵接於蓋環CR之下表面，該蓋環CR由複數個支持銷551提昇，從而該蓋環CR自絕緣體115離開。如此，當複數個支持銷551自待機位置上升至第2支持位置時，邊緣環FR與蓋環CR由複數個支持銷551提昇後於相互隔開之狀態下由複數個支持銷551支持。
繼而，如圖33C所示，控制部CU使未保持搬送對象物之下叉FK22進入至由複數個支持銷551支持之邊緣環FR及蓋環CR與靜電吸盤112之間。
繼而，如圖34A所示，控制部CU使複數個支持銷551自第2支持位置下降。藉此，由複數個支持銷551支持之蓋環CR被載置於下叉FK22上。
繼而，如圖34B所示，控制部CU使複數個支持銷551進一步下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷551支持之邊緣環FR被載置於蓋環CR上。如此，當複數個支持銷551自第2支持位置下降至待機位置時，邊緣環FR及蓋環CR被載置於下叉FK22上。
繼而，如圖34C所示，控制部CU使保持有邊緣環FR及蓋環CR之下叉FK22退出。
繼而，如圖35A所示，控制部CU使保持有更換用邊緣環FR及更換用蓋環CR之上叉FK21進入至靜電吸盤112之上方。
繼而，如圖35B所示，控制部CU使複數個支持銷551自待機位置上升。藉此，上側棒部553之上端面553a抵接於由上叉FK21保持之邊緣環FR之下表面，該邊緣環FR由複數個支持銷551提昇，從而該邊緣環FR自上叉FK21離開。
繼而，如圖35C所示，控制部CU使複數個支持銷551進一步上升至第2支持位置。藉此，下側棒部552之上端面552a抵接於由上叉FK21保持之蓋環CR之下表面，該蓋環CR由複數個支持銷551提昇，從而該蓋環CR自上叉FK21離開。
繼而，如圖36A所示，控制部CU使未保持搬送對象物之上叉FK21退出。
繼而，如圖36B所示，控制部CU使複數個支持銷551自第2支持位置下降。藉此，由複數個支持銷551支持之蓋環CR被載置於絕緣體115上。
繼而，如圖36C所示，控制部CU使複數個支持銷551進一步下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷551支持之邊緣環FR被載置於靜電吸盤112上。
如以上所說明般，於圖32中所示之電漿處理裝置中，亦可於自電漿處理裝置中同時搬出邊緣環FR及蓋環CR之後，將更換用邊緣環FR及蓋環CR同時搬入電漿處理裝置中。
(消耗構件之搬送方法：單獨搬送模式) 參照圖37A～圖38D，對作為實施方式之處理系統PS中的消耗構件之搬送方法之另一例的控制部CU選擇並執行單獨搬送模式之情形進行說明，該單獨搬送模式係使搬送機械手TR2僅搬送邊緣環FR。具體而言，對自圖32中所示之電漿處理裝置中單獨搬出邊緣環FR之後將更換用邊緣環FR單獨搬入電漿處理裝置中之情形進行說明。
以下，設為控制部90包含於控制部CU，控制部CU控制搬送機械手TR2及升降器50Y而進行說明。但是，亦可使控制部90與控制部CU分開設置，由控制部CU來控制搬送機械手TR2，由控制部90來控制升降器50Y。再者，邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部具有於俯視下重疊之構成。
首先，如圖37A所示，控制部CU使複數個支持銷551自待機位置上升至第1支持位置。藉此，上側棒部553之上端面553a抵接於邊緣環FR之下表面，該邊緣環FR由複數個支持銷551提昇，從而該邊緣環FR自靜電吸盤112離開。
繼而，如圖37B所示，控制部CU使未保持搬送對象物之下叉FK22進入至由複數個支持銷551支持之邊緣環FR與靜電吸盤112之間。
繼而，如圖37C所示，控制部CU使複數個支持銷511自第1支持位置下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷511支持之邊緣環FR被載置於下叉FK22上。
繼而，如圖37D所示，控制部CU使保持有邊緣環FR之下叉FK22退出。
繼而，如圖38A所示，控制部CU使保持有更換用邊緣環FR之上叉FK21進入至靜電吸盤112之上方。
繼而，如圖38B所示，控制部CU控制複數個支持銷511，使其等自待機位置上升至第1支持位置。藉此，上側棒部553之上端面553a抵接於由上叉FK21保持之邊緣環FR之下表面，該邊緣環FR由複數個支持銷511提昇，從而該邊緣環FR自上叉FK21離開。
繼而，如圖38C所示，控制部CU使未保持搬送對象物之上叉FK21退出。
繼而，如圖38D所示，控制部CU使複數個支持銷551自第1支持位置下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷551支持之邊緣環FR被載置於靜電吸盤112上。
如以上所說明般，於圖32中所示之電漿處理裝置中，亦可於自電漿處理裝置中單獨搬出邊緣環FR之後，將更換用邊緣環FR單獨搬入電漿處理裝置中。
〔第3變化例〕 (構成) 參照圖39，對用作圖1之處理系統PS所具備之製程模組PM1～PM12的電漿處理裝置之又一例進行說明。以下，以與電漿處理裝置1之不同點為中心進行說明。
電漿處理裝置包含環組件113Z。環組件113Z包含邊緣環FR、蓋環CR及搬送環HR。
邊緣環FR具有環形狀，於下部電極111之周緣部上表面配置於基板W之周圍。邊緣環FR提高對基板W進行之電漿處理之均勻性。邊緣環FR例如由Si、SiC等導電性材料形成。於下部電極111之內部形成有冷媒流路117。自冷卻器單元(未圖示)對冷媒流路117供給冷卻水、Galden等冷媒。
蓋環CR具有環形狀，配置於邊緣環FR之外周部。蓋環CR保護絕緣體115之上表面使其不受例如電漿影響。蓋環CR例如由Si、SiC等導電性材料形成。
搬送環HR載置於絕緣體115上。於俯視下，搬送環HR之內周部與邊緣環FR之外周部重疊，搬送環HR之外周部與蓋環CR之內周部重疊。於搬送環HR之內周部之上表面載置邊緣環FR。於搬送環HR之外周部載置蓋環CR。於搬送環HR形成有供下述支持銷561之上側棒部563插通之貫通孔H22。搬送環HR例如由二氧化矽(SiO 2)形成。搬送環HR亦可由氧化鋁(Al 2O 3)等陶瓷材料形成。搬送環HR亦可由電阻率高於邊緣環FR之Si、SiC等導電性材料形成，即，由以電阻率較構成邊緣環FR之材料高之方式調整了雜質濃度之Si、SiC等導電性材料形成。
電漿處理裝置包含升降器50Z。升降器50Z包含第1升降器51及第6升降器56。第6升降器56包含複數個支持銷561及致動器(未圖示)。
支持銷561係由圓柱形狀(實心棒狀)之構件形成之帶階差之支持銷。支持銷561自下側起朝向上側依序具有下側棒部562及上側棒部563。下側棒部562之外徑大於上側棒部563之外徑。藉此，有下側棒部562之上端面562a形成階部。下側棒部562及上側棒部563係一體成形。
支持銷561插通至貫通孔H21,H22中而能夠相對於絕緣體115之上表面及搬送環HR之上表面突出沒入。貫通孔H21之內徑略大於下側棒部562之外徑。貫通孔H22之內徑略大於上側棒部563之外徑，且小於下側棒部562之外徑。
支持銷561能夠在待機位置、第1支持位置、及第2支持位置之間位移。
待機位置係上側棒部563之上端面563a處於較邊緣環FR之下表面更靠下方之位置。於支持銷561處於待機位置之情形時，邊緣環FR、蓋環CR及搬送環HR並未由支持銷561提昇，而是支持於靜電吸盤112上或絕緣體115上。
第1支持位置係較待機位置更靠上方之位置。第1支持位置係上側棒部563之上端面563a突出至較搬送環HR之上表面更靠上方且下側棒部562之上端面562a處於較搬送環HR之下表面更靠下方之位置。支持銷561藉由移動至第1支持位置，而使上側棒部563之上端面563a抵接於邊緣環FR之下表面從而支持邊緣環FR。
第2支持位置係較第1支持位置更靠上方之位置。第2支持位置係下側棒部562之上端面562a突出至較絕緣體115之上表面更靠上方之位置。支持銷561藉由移動至第2支持位置，而使上側棒部563之上端面563a抵接於邊緣環FR之下表面從而支持邊緣環FR，且使下側棒部562之上端面562a抵接於搬送環HR之下表面從而支持搬送環HR。此時，於搬送環HR之外周部之上表面載置有蓋環CR之內周部。因此，當藉由複數個支持銷561將搬送環HR提昇時，蓋環CR亦與搬送環HR一起被提昇。即，搬送環HR及蓋環CR成為一體自絕緣體115離開。
致動器使複數個支持銷561升降。作為致動器，例如可利用DC馬達、步進馬達、線性馬達等馬達、氣缸等空氣驅動機構等壓電致動器。
上述第6升降器56於在搬送機械手TR1,TR2與基板支持部11之間交接邊緣環FR之情形時，使複數個支持銷561移動至第1支持位置，藉此將邊緣環FR提昇。又，第6升降器56於在搬送機械手TR1,TR2與基板支持部11之間交接邊緣環FR及蓋環CR之情形時，使複數個支持銷561移動至第2支持位置，藉此將蓋環CR、邊緣環FR及搬送環HR提昇。
(消耗構件之搬送方法：同時搬送模式) 參照圖40A～圖45B，對作為實施方式之處理系統PS中的消耗構件之搬送方法之另一例的控制部CU選擇並執行同時搬送模式之情形進行說明，該同時搬送模式係使搬送機械手TR2同時搬送邊緣環FR、蓋環CR及搬送環HR。具體而言，對自圖39中所示之電漿處理裝置中同時搬出邊緣環FR、蓋環CR及搬送環HR之後，將更換用邊緣環FR、蓋環CR及搬送環HR同時搬入電漿處理裝置中之情形進行說明。
以下，設為控制部90包含於控制部CU，控制部CU控制搬送機械手TR2及升降器50Z而進行說明。但是，亦可使控制部90與控制部CU分開設置，由控制部CU來控制搬送機械手TR2，由控制部90來控制升降器50Z。
首先，如圖40A所示，控制部CU使複數個支持銷561自待機位置上升。藉此，上側棒部563之上端面563a抵接於邊緣環FR之下表面，該邊緣環FR由複數個支持銷561提昇，從而該邊緣環FR自靜電吸盤112離開。
繼而，如圖40B所示，控制部CU使複數個支持銷561進一步上升至第2支持位置。藉此，下側棒部562之上端面562a抵接於搬送環HR之下表面，該搬送環HR由複數個支持銷561提昇，從而該搬送環HR自絕緣體115離開。此時，於搬送環HR之外周部載置有蓋環CR之外周部。因此，當藉由複數個支持銷561將搬送環HR提昇時，蓋環CR亦與搬送環HR一起被提昇。即，搬送環HR及蓋環CR成為一體自絕緣體115離開。如此，當複數個支持銷561自待機位置上升至第2支持位置時，邊緣環FR與搬送環HR及蓋環CR由複數個支持銷561提昇後於相互隔開之狀態下由複數個支持銷561支持。
繼而，如圖41A所示，控制部CU使未保持搬送對象物之下叉FK22進入至由複數個支持銷561支持之搬送環HR與靜電吸盤112之間。
繼而，如圖41B所示，控制部CU使複數個支持銷561自第2支持位置下降。藉此，由複數個支持銷561支持之蓋環CR及搬送環HR被載置於下叉FK22上。
繼而，如圖42A所示，控制部CU使複數個支持銷561進一步下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷561支持之邊緣環FR被載置於搬送環HR上。如此，當複數個支持銷561自第2支持位置下降至待機位置時，邊緣環FR、蓋環CR及搬送環HR被載置於下叉FK22上。
繼而，如圖42B所示，控制部CU使保持有邊緣環FR、蓋環CR及搬送環HR之下叉FK22退出。
繼而，如圖43A所示，控制部CU使保持有更換用邊緣環FR、更換用蓋環CR及更換用搬送環HR之上叉FK21進入至靜電吸盤112之上方。再者，更換用搬送環HR亦可被搬出之搬送環HR取代。
繼而，如圖43B所示，控制部CU使複數個支持銷561自待機位置上升。藉此，上側棒部563之上端面563a抵接於由上叉FK21保持之邊緣環FR之下表面，該邊緣環FR由複數個支持銷561提昇，從而該邊緣環FR自上叉FK21離開。
繼而，如圖44A所示，控制部CU使複數個支持銷561進一步上升至第2支持位置。藉此，下側棒部562之上端面562a抵接於由上叉FK21保持之搬送環HR之下表面，該搬送環HR由複數個支持銷561提昇，從而該搬送環HR自上叉FK21離開。此時，於搬送環HR之外周部載置有蓋環CR之外周部。因此，當藉由複數個支持銷561將搬送環HR提昇時，蓋環CR亦與搬送環HR一起被提昇。即，搬送環HR及蓋環CR成為一體由複數個支持銷561提昇，從而該搬送環HR及該蓋環CR自上叉FK21離開。如此，當複數個支持銷561自待機位置上升至第2支持位置時，邊緣環FR與搬送環HR及蓋環CR由複數個支持銷561提昇後於相互隔開之狀態下由複數個支持銷561支持。
繼而，如圖44B所示，控制部CU使未保持搬送對象物之上叉FK21退出。
繼而，如圖45A所示，控制部CU使複數個支持銷561自第2支持位置下降。藉此，由複數個支持銷561支持之搬送環HR及蓋環CR被載置於絕緣體115上。
繼而，如圖45B所示，控制部CU使複數個支持銷561進一步下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷561支持之邊緣環FR被載置於靜電吸盤112上。
如以上所說明般，於圖39中所示之電漿處理裝置中，亦可於自電漿處理裝置中同時搬出邊緣環FR及蓋環CR之後，將更換用邊緣環FR及蓋環CR同時搬入電漿處理裝置中。
(消耗構件之搬送方法：單獨搬送模式) 參照圖46A～圖49B，對作為實施方式之處理系統PS中的消耗構件之搬送方法之另一例的控制部CU選擇並執行單獨搬送模式之情形進行說明，該單獨搬送模式係使搬送機械手TR2僅搬送邊緣環FR。具體而言，對自圖39中所示之電漿處理裝置中單獨搬出邊緣環FR之後將更換用邊緣環FR單獨搬入電漿處理裝置中之情形進行說明。
以下，設為控制部90包含於控制部CU，控制部CU控制搬送機械手TR2及升降器50Z而進行說明。但是，亦可使控制部90與控制部CU分開設置，由控制部CU來控制搬送機械手TR2，由控制部90來控制升降器50Z。再者，邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部具有於俯視下重疊之構成。
首先，如圖46A所示，控制部CU使複數個支持銷561自待機位置上升至第1支持位置。藉此，上側棒部563之上端面563a抵接於邊緣環FR之下表面，該邊緣環FR由複數個支持銷561提昇，從而該邊緣環FR自靜電吸盤112離開。
繼而，如圖46B所示，控制部CU使未保持搬送對象物之下叉FK22進入至由複數個支持銷561支持之邊緣環FR與靜電吸盤112之間。
繼而，如圖47A所示，控制部CU使複數個支持銷511自第1支持位置下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷511支持之邊緣環FR被載置於下叉FK22上。
繼而，如圖47B所示，控制部CU使保持有邊緣環FR之下叉FK22退出。
繼而，如圖48A所示，控制部CU使保持有更換用邊緣環FR之上叉FK21進入至靜電吸盤112之上方。
繼而，如圖48B所示，控制部CU控制複數個支持銷511，使其等自待機位置上升至第1支持位置。藉此，上側棒部563之上端面563a抵接於由上叉FK21保持之邊緣環FR之下表面，該邊緣環FR由複數個支持銷511提昇，從而該邊緣環FR自上叉FK21離開。
繼而，如圖49A所示，控制部CU使未保持搬送對象物之上叉FK21退出。
繼而，如圖49B所示，控制部CU使複數個支持銷561自第1支持位置下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷561支持之邊緣環FR被載置於靜電吸盤112上。
如以上所說明般，於圖39中所示之電漿處理裝置中，亦可於自電漿處理裝置中單獨搬出邊緣環FR之後，將更換用邊緣環FR單獨搬入電漿處理裝置中。
再者，於上述實施方式中，邊緣環FR,FRX及蓋環CR,CRX係環狀構件之一例，邊緣環FR,FRX係內側環之一例，蓋環CR,CRX係外側環之一例。又，搬送機械手TR1,TR2係搬送裝置之一例。又，支持銷521係第1支持銷之一例，支持銷511係第2支持銷之一例，支持銷531係第3支持銷之一例，支持銷541係第4支持銷之一例。
應認為此次所揭示之實施方式於所有方面均為例示，並非限制性者。上述實施方式亦可在不脫離隨附之申請專利範圍及其主旨之情況下以各種形態進行省略、替換、變更。
於上述實施方式中，作為使邊緣環FR及/或蓋環CR升降之機構，對升降器50,50X～50Z進行了說明，但並不限定於此。例如，於邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部重疊之情形時，可於蓋環CR形成貫通孔，藉由支持銷使邊緣環FR與蓋環CR獨立地升降，該支持銷具有：第1保持部，其與該貫通孔嵌合；及第2保持部，其於該第1保持部之軸向上連接且具有自第1保持部之外周突出之突出部。例如，藉由使第1保持部貫通蓋環CR之貫通孔，且使第1保持部之前端抵接於蓋環CR之背面，可將邊緣環FR單獨提昇。又，例如，藉由使第1保持部貫通蓋環CR之貫通孔，且使第2保持部之突出部抵接於蓋環CR之下表面，可將蓋環CR單獨提昇。再者，該構成詳細記載於美國專利申請公開第2020/0219753號說明書中。
於上述實施方式中，對在收納模組與製程模組之間搬送邊緣環之情形進行了說明，但本發明並不限定於此。例如，於代替邊緣環而搬送安裝於製程模組內之其他消耗構件、例如蓋環、上部電極之頂板等之情形時亦同樣適用本發明。
關於以上之實施方式，進而揭示以下之附記。
(附記1) 一種處理系統，其係對基板實施電漿處理者，且具備： 腔室； 真空搬送模組，其連接於上述腔室； 搬送裝置，其設置於上述真空搬送模組之內部； 載置台，其於上述腔室之內部設置於上述基板之周圍，供載置內徑及外徑不同之外側環及內側環； 升降器，其使上述外側環及上述內側環相對於上述載置台升降；及 控制器； 上述控制器構成為選擇以下兩種模式，即，使上述搬送裝置同時搬送上述內側環及上述外側環之同時搬送模式、以及使上述搬送裝置僅搬送上述內側環之單獨搬送模式。
(附記2) 如附記1之處理系統，其中 上述內側環之至少一部分載置於上述外側環之上。
(附記3) 如附記2之處理系統，其中 上述升降器包含： 複數個第1支持銷，其等抵接於上述外側環之下表面而使該外側環及該內側環一體地升降；及 第2支持銷，其抵接於自下方支持上述內側環之治具之下表面而使該治具及該內側環一體地升降。
(附記4) 如附記3之處理系統，其中 上述第2支持銷抵接於上述基板之下表面而使該基板升降。
(附記5) 如附記3或4之處理系統，其中 上述同時搬送模式包含如下步驟：於已使上述第1支持銷上升之狀態下，在上述第1支持銷與上述搬送裝置之間交接上述外側環及上述內側環。
(附記6) 如附記3至5中任一項之處理系統，其中 上述單獨搬送模式包含如下步驟：於已使上述第2支持銷上升之狀態下，在上述第2支持銷與上述搬送裝置之間交接上述治具及上述內側環。
(附記7) 如附記3至6中任一項之處理系統，其 進而具備收納模組，該收納模組連接於上述真空搬送模組，收納上述外側環及上述內側環。
(附記8) 如附記7之處理系統，其中 上述收納模組收納第1組裝體，該第1組裝體係於上述外側環之上載置上述內側環而成。
(附記9) 如附記7或8之處理系統，其中 上述收納模組收納第2組裝體，該第2組裝體係於上述治具之上載置上述內側環而成。
(附記10) 如附記1之處理系統，其中 上述內側環之外徑與上述外側環之內徑相同或小於上述外側環之內徑。
(附記11) 如附記10之處理系統，其中 上述升降器包含： 第3支持銷，其抵接於上述內側環之下表面而使該內側環升降；及 第4支持銷，其抵接於上述外側環之下表面而使該外側環升降。
(附記12) 如附記11之處理系統，其中 上述同時搬送模式包含如下步驟：於已使上述第3支持銷及上述第4支持銷上升之狀態下，在上述第3支持銷及上述第4支持銷與上述搬送裝置之間交接上述外側環及上述內側環。
(附記13) 如附記11或12之處理系統，其中 上述單獨搬送模式包含如下步驟：於已使上述第3支持銷上升之狀態下，在上述第3支持銷與上述搬送裝置之間交接上述內側環。
(附記14) 如附記1至13中任一項之處理系統，其中 上述內側環係於上述載置台之上表面以包圍上述基板之周圍之方式載置之邊緣環， 上述外側環係以包圍上述邊緣環之周圍之方式載置之蓋環。
(附記15) 一種搬送方法，其係於處理系統中搬送外側環及內側環者，該處理系統具備：腔室；真空搬送模組，其連接於上述腔室；搬送裝置，其設置於上述真空搬送模組之內部；載置台，其於上述腔室之內部設置於基板之周圍，供載置內徑及外徑不同之上述外側環及上述內側環；及升降器，其使上述外側環及上述內側環相對於上述載置台升降；且該搬送方法具有： 同時搬送模式，其係上述搬送裝置同時搬送上述內側環及上述外側環；及 單獨搬送模式，其係上述搬送裝置僅搬送上述內側環。
(附記16) 一種基板處理系統，其具備： 真空搬送模組； 電漿處理模組，其連接於上述真空搬送模組；及 控制器； 上述真空搬送模組包含： 真空搬送腔室；及 搬送機械手，其配置於上述真空搬送腔室內； 上述電漿處理模組包含： 電漿處理腔室； 載台，其配置於上述電漿處理腔室內，具有基板支持面及環支持面； 第1環，其配置於上述載台之上述環支持面上； 第2環，其以包圍上述載台之上述基板支持面上之基板之方式配置於上述第1環上，且具有較上述第1環之內徑小之內徑； 複數個第1支持銷，其等配置於上述環支持面之下方； 複數個第2支持銷，其等配置於上述基板支持面之下方； 第1致動器，其構成為使上述複數個第1支持銷相對於上述載台於縱向上移動；及 第2致動器，其構成為使上述複數個第2支持銷相對於上述載台於縱向上移動； 上述控制器構成為選擇性地執行以下兩種模式，即，使上述搬送機械手同時搬送上述第1環及上述第2環之同時搬送模式、以及使上述搬送機械手單獨搬送上述第2環之單獨搬送模式； 上述同時搬送模式包含如下步驟： 以上述第1環及上述第2環一起由上述複數個第1支持銷提昇之方式使上述複數個第1支持銷上升；及 於上述複數個第1支持銷已上升之狀態下，在上述複數個第1支持銷與上述搬送機械手之間將上述第1環及上述第2環一起交接； 上述單獨搬送模式包含如下步驟： 以上述第1環及上述第2環一起由上述複數個第1支持銷提昇之方式使上述複數個第1支持銷上升； 以搬送治具由上述複數個第2支持銷支持於較上述第2環之高度低之高度之方式使上述複數個第2支持銷上升； 於上述第2環由搬送治具支持，另一方面，上述第1環由上述複數個第1支持銷支持之狀態下，以下降至較上述搬送治具之高度低之位置之方式使上述複數個第2支持銷下降；及 於上述複數個第2支持銷已上升之狀態下，在上述複數個第2支持銷與上述搬送機械手之間將上述搬送治具及上述第2環一起交接。
(附記17) 如附記16之基板處理系統，其中 上述第1環由絕緣材料形成， 上述第2環由導電性材料形成。
(附記18) 如附記16之基板處理系統，其中 上述第1環由石英形成， 上述第2環由Si或SiC形成。
(附記19) 如附記16至18中任一項之基板處理系統，其中 上述第2環具有可由上述第1環支持之外側環狀部分、及可由上述搬送治具支持之內側環狀部分。
(附記20) 一種基板處理系統，其具備： 真空搬送模組； 電漿處理模組，其連接於上述真空搬送模組；及 控制器； 上述真空搬送模組包含： 真空搬送腔室；及 搬送機械手，其配置於上述真空搬送腔室內； 上述電漿處理模組包含： 電漿處理腔室； 載台，其配置於上述電漿處理腔室內，具有基板支持面及環支持面； 第1環及第2環，其等以包圍上述載台之上述基板支持面上之基板之方式配置於上述載台之上述環支持面上；及 升降器，其構成為使上述第1環及上述第2環相對於上述載台升降； 上述控制器構成為選擇性地執行以下兩種模式，即，使上述搬送機械手同時搬送上述第1環及上述第2環之同時搬送模式、以及使上述搬送機械手單獨搬送上述第2環之單獨搬送模式。
(附記21) 如附記20之基板處理系統，其中 上述第2環之至少一部分載置於上述第1環之上。
(附記22) 如附記21之基板處理系統，其中 上述升降器包含： 複數個第1支持銷，其等配置於上述環支持面之下方；及 複數個第2支持銷，其等配置於上述基板支持面之下方。
(附記23) 如附記22之基板處理系統，其中 上述複數個第2支持銷構成為使上述基板支持面上之基板升降。
(附記24) 如附記22或23之基板處理系統，其中 上述同時搬送模式包含如下步驟：於已使上述複數個第1支持銷上升之狀態下，在上述複數個第1支持銷與上述搬送機械手之間將上述第1環及上述第2環一起交接。
(附記25) 如附記22至24中任一項之基板處理系統，其中 上述單獨搬送模式包含如下步驟：於已使上述複數個第2支持銷上升之狀態下，在上述複數個第2支持銷與上述搬送機械手之間將搬送治具及上述第2環一起交接。
(附記26) 如附記21至25中任一項之基板處理系統，其 進而具備收納模組，該收納模組連接於上述真空搬送模組，收納上述第1環及上述第2環。
(附記27) 如附記26之基板處理系統，其中 上述收納模組構成為收納第1組裝體，該第1組裝體包含上述第1環及載置於上述第1環之上之上述第2環。
(附記28) 如附記26或27之基板處理系統，其中 上述收納模組構成為收納第2組裝體，該第2組裝體包含搬送治具及載置於上述搬送治具之上之上述第2環。
(附記29) 如附記27之基板處理系統，其中 上述第2環之外徑與上述第1環之內徑相同或小於上述第1環之內徑。
(附記30) 如附記29之基板處理系統，其中 上述升降器包含： 複數個第3支持銷，其等配置於上述第2環之下方；及 複數個第4支持銷，其等配置於上述第1環之下方。
(附記31) 如附記30之基板處理系統，其中 上述同時搬送模式包含如下步驟：於已使上述複數個第3支持銷及上述複數個第4支持銷上升之狀態下，在上述複數個第3支持銷及上述複數個第4支持銷與上述搬送機械手之間交接上述第1環及上述第2環。
(附記32) 如附記30或31之基板處理系統，其中 上述單獨搬送模式包含如下步驟：於已使上述複數個第3支持銷上升之狀態下，在上述複數個第3支持銷與上述搬送機械手之間交接上述第2環。
(附記33) 如附記20至32中任一項之基板處理系統，其中 上述第2環係由導電性材料形成之邊緣環， 上述第1環係由絕緣材料形成之蓋環。
(附記34) 一種搬送方法，其係於處理系統中搬送外側環及內側環者，該處理系統具備：腔室；真空搬送模組，其連接於上述腔室；搬送裝置，其設置於上述真空搬送模組之內部；載置台，其於上述腔室之內部設置於基板之周圍，供載置內徑及外徑不同之上述外側環及上述內側環；及升降器，其使上述外側環及上述內側環相對於上述載置台升降；且該搬送方法具有： 同時搬送模式，其係上述搬送裝置同時搬送上述內側環及上述外側環；及 單獨搬送模式，其係上述搬送裝置僅搬送上述內側環。
本國際申請案主張基於2021年2月9日提出申請之日本專利申請案第2021-018937號之優先權，並將該申請案之所有內容引用至本國際申請案中。
1:電漿處理裝置 10:電漿處理腔室 10e:氣體排出口 10p:搬入搬出口 10s:電漿處理空間 10X:電漿處理腔室 11,11X:基板支持部 12:上部電極 13:絕緣構件 20:氣體供給部 21:氣體源 22:流量控制器 30:RF電力供給部 31a:第1RF電源 31b:第2RF電源 32a:第1匹配器 32b:第2匹配器 40:排氣系統 50,50X,50Y,50Z:升降器 51:第1升降器 52:第2升降器 53:第3升降器 54:第4升降器 60:框架 70:腔室 71:排氣口 72:排氣部 73:載台 74:升降室 75:儲存倉 76:滾珠螺桿 77:馬達 78:匣盒 78X:匣盒 79:導件 80:門 81:機械室 82:線感測器 83:發光部 84:開口 85:發光部 86:片數偵測感測器 90:控制部 91:電腦 111:下部電極 112:靜電吸盤 112a:基板支持面 112b:環支持面 112c:絕緣材 112d:第1吸附電極 112e:第2吸附電極 113,113X,113Z:環組件 115:絕緣體 116:底座 121:頂板 121a,122b:氣體導入口 122:支持體 122a:氣體擴散室 122c:氣體供給口 511,521,531,541,551,561:支持銷 512,522,532,542:致動器 552,562:下側棒部 552a:下側棒部552之上端面 553,563:上側棒部 553a:上側棒部553之上端面 562a:下側棒部562之上端面 563a:上側棒部563之上端面 781:底板 781a:載置面 781b:外框部 781c:叉插入槽 782:導銷 782b:傾斜塊 911:CPU 912:記憶部 913:通信介面 A1:第1組裝體 A2:第2組裝體 CJ:搬送治具 CR,CRX:蓋環 CRa:切口 CU:控制部 FK11,FK21:上叉 FK12,FK22:下叉 FR,FRX:邊緣環 FRa:切口 FRr:凹部 G1～G4:閘閥 H1,H2,H3,H4,H11,H12,H13,H21,H22:貫通孔 HR:搬送環 LL1,LL2:加載互鎖模組 LM:大氣搬送模組 LP1～LP5:裝載埠 PM1～PM12:製程模組 PS:處理系統 SM:收納模組 TM1,TM2:真空搬送模組 TR1,TR2:搬送機械手 W:基板
圖1係表示實施方式之處理系統之一例之圖。 圖2係表示製程模組之概略剖視圖。 圖3係將圖2之一部分放大表示之圖。 圖4係表示收納模組之一例之前視剖視圖。 圖5係表示收納模組之一例之側視剖視圖。 圖6係表示未保持搬送對象物之上叉之概略俯視圖。 圖7係表示保持有第1組裝體之上叉之概略俯視圖。 圖8係表示保持有第2組裝體之上叉之概略俯視圖。 圖9係表示僅保持有搬送治具之上叉之概略俯視圖。 圖10係表示收納模組內之匣盒之一例之概略立體圖。 圖11A係表示邊緣環之定位機構之一例之圖。 圖11B係表示邊緣環之定位機構之一例之圖。 圖11C係表示邊緣環之定位機構之一例之圖。 圖12A係表示蓋環之定位機構之一例之圖。 圖12B係表示蓋環之定位機構之一例之圖。 圖12C係表示蓋環之定位機構之一例之圖。 圖13A係表示邊緣環及蓋環之定位機構之一例之圖。 圖13B係表示邊緣環及蓋環之定位機構之一例之圖。 圖13C係表示邊緣環及蓋環之定位機構之一例之圖。 圖14係表示匣盒中所收納之第2組裝體之一例之概略俯視圖。 圖15係表示匣盒中所收納之搬送治具之一例之概略俯視圖。 圖16係表示收納模組內之匣盒之另一例之概略立體圖。 圖17A係表示載置有邊緣環及蓋環之靜電吸盤之概略圖。 圖17B係表示載置有邊緣環及蓋環之靜電吸盤之概略圖。 圖18A係表示同時搬送模式之一例之圖。 圖18B係表示同時搬送模式之一例之圖。 圖18C係表示同時搬送模式之一例之圖。 圖18D係表示同時搬送模式之一例之圖。 圖19A係表示同時搬送模式之一例之圖。 圖19B係表示同時搬送模式之一例之圖。 圖19C係表示同時搬送模式之一例之圖。 圖19D係表示同時搬送模式之一例之圖。 圖20A係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖20B係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖20C係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖20D係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖21A係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖21B係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖21C係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖21D係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖22A係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖22B係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖22C係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖22D係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖23A係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖23B係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖23C係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖23D係表示單獨搬送模式之一例之圖。 圖24係表示實施方式之消耗構件之更換方法之一例的流程圖。 圖25係表示同時搬送模式之一例之流程圖。 圖26係表示單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖27係表示實施方式之消耗構件之更換方法之另一例的流程圖。 圖28係表示單獨搬送模式之另一例之流程圖。 圖29係表示實施方式之第1變化例之製程模組之概略剖視圖。 圖30係表示第1變化例之同時搬送模式下之升降器之狀態的圖。 圖31係表示第1變化例之單獨搬送模式下之升降器之狀態的圖。 圖32係表示實施方式之第2變化例之製程模組之概略剖視圖。 圖33A係表示第2變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖33B係表示第2變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖33C係表示第2變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖34A係表示第2變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖34B係表示第2變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖34C係表示第2變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖35A係表示第2變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖35B係表示第2變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖35C係表示第2變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖36A係表示第2變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖36B係表示第2變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖36C係表示第2變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖37A係表示第2變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖37B係表示第2變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖37C係表示第2變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖37D係表示第2變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖38A係表示第2變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖38B係表示第2變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖38C係表示第2變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖38D係表示第2變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖39係表示實施方式之第3變化例之製程模組之概略剖視圖。 圖40A係表示第3變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖40B係表示第3變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖41A係表示第3變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖41B係表示第3變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖42A係表示第3變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖42B係表示第3變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖43A係表示第3變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖43B係表示第3變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖44A係表示第3變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖44B係表示第3變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖45A係表示第3變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖45B係表示第3變化例之同時搬送模式之一例之流程圖。 圖46A係表示第3變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖46B係表示第3變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖47A係表示第3變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖47B係表示第3變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖48A係表示第3變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖48B係表示第3變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖49A係表示第3變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。 圖49B係表示第3變化例之單獨搬送模式之一例之流程圖。
CU:控制部
FK11,FK21:上叉
FK12,FK22:下叉
G1~G4:閘閥
LL1,LL2:加載互鎖模組
LM:大氣搬送模組
LP1~LP5:裝載埠
PM1~PM12:製程模組
PS:處理系統
SM:收納模組
TM1,TM2:真空搬送模組
TR1,TR2:搬送機械手

Claims (19)

  1. 一種基板處理系統，其具備： 真空搬送模組； 電漿處理模組，其連接於上述真空搬送模組；及 控制器； 上述真空搬送模組包含： 真空搬送腔室；及 搬送機械手，其配置於上述真空搬送腔室內； 上述電漿處理模組包含： 電漿處理腔室； 載台，其配置於上述電漿處理腔室內，具有基板支持面及環支持面； 第1環，其配置於上述載台之上述環支持面上； 第2環，其以包圍上述載台之上述基板支持面上之基板之方式配置於上述第1環上，且具有較上述第1環之內徑小之內徑； 複數個第1支持銷，其等配置於上述環支持面之下方； 複數個第2支持銷，其等配置於上述基板支持面之下方； 第1致動器，其構成為使上述複數個第1支持銷相對於上述載台於縱向上移動；及 第2致動器，其構成為使上述複數個第2支持銷相對於上述載台於縱向上移動； 上述控制器構成為選擇性地執行以下兩種模式，即，使上述搬送機械手同時搬送上述第1環及上述第2環之同時搬送模式、以及使上述搬送機械手單獨搬送上述第2環之單獨搬送模式； 上述同時搬送模式包含如下步驟： 以上述第1環及上述第2環一起由上述複數個第1支持銷提昇之方式使上述複數個第1支持銷上升；及 於上述複數個第1支持銷已上升之狀態下，在上述複數個第1支持銷與上述搬送機械手之間將上述第1環及上述第2環一起交接； 上述單獨搬送模式包含如下步驟： 以上述第1環及上述第2環一起由上述複數個第1支持銷提昇之方式使上述複數個第1支持銷上升； 以搬送治具由上述複數個第2支持銷支持於較上述第2環之高度低之高度之方式使上述複數個第2支持銷上升； 於上述第2環由搬送治具支持，另一方面，上述第1環由上述複數個第1支持銷支持之狀態下，以下降至較上述搬送治具之高度低之位置之方式使上述複數個第2支持銷下降；及 於上述複數個第2支持銷已上升之狀態下，在上述複數個第2支持銷與上述搬送機械手之間將上述搬送治具及上述第2環一起交接。
  2. 如請求項1之基板處理系統，其中 上述第1環由絕緣材料形成， 上述第2環由導電性材料形成。
  3. 如請求項1之基板處理系統，其中 上述第1環由石英形成， 上述第2環由Si或SiC形成。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理系統，其中 上述第2環具有可由上述第1環支持之外側環狀部分、及可由上述搬送治具支持之內側環狀部分。
  5. 一種基板處理系統，其具備： 真空搬送模組； 電漿處理模組，其連接於上述真空搬送模組；及 控制器； 上述真空搬送模組包含： 真空搬送腔室；及 搬送機械手，其配置於上述真空搬送腔室內； 上述電漿處理模組包含： 電漿處理腔室； 載台，其配置於上述電漿處理腔室內，具有基板支持面及環支持面； 第1環及第2環，其等以包圍上述載台之上述基板支持面上之基板之方式配置於上述載台之上述環支持面上；及 升降器，其構成為使上述第1環及上述第2環相對於上述載台升降； 上述控制器構成為選擇性地執行以下兩種模式，即，使上述搬送機械手同時搬送上述第1環及上述第2環之同時搬送模式、以及使上述搬送機械手單獨搬送上述第2環之單獨搬送模式。
  6. 如請求項5之基板處理系統，其中 上述第2環之至少一部分載置於上述第1環之上。
  7. 如請求項6之基板處理系統，其中 上述升降器包含： 複數個第1支持銷，其等配置於上述環支持面之下方；及 複數個第2支持銷，其等配置於上述基板支持面之下方
  8. 如請求項7之基板處理系統，其中 上述複數個第2支持銷構成為使上述基板支持面上之基板升降。
  9. 如請求項7或8之基板處理系統，其中 上述同時搬送模式包含如下步驟：於已使上述複數個第1支持銷上升之狀態下，在上述複數個第1支持銷與上述搬送機械手之間將上述第1環及上述第2環一起交接。
  10. 如請求項7至9中任一項之基板處理系統，其中 上述單獨搬送模式包含如下步驟：於已使上述複數個第2支持銷上升之狀態下，在上述複數個第2支持銷與上述搬送機械手之間將搬送治具及上述第2環一起交接。
  11. 如請求項6至10中任一項之基板處理系統，其進而具備收納模組， 該收納模組連接於上述真空搬送模組，收納上述第1環及上述第2環。
  12. 如請求項11之基板處理系統，其中 上述收納模組構成為收納第1組裝體，該第1組裝體包含上述第1環及載置於上述第1環之上之上述第2環。
  13. 如請求項11或12之基板處理系統，其中 上述收納模組構成為收納第2組裝體，該第2組裝體包含搬送治具及載置於上述搬送治具之上之上述第2環。
  14. 如請求項5之基板處理系統，其中 上述第2環之外徑與上述第1環之內徑相同或小於上述第1環之內徑。
  15. 如請求項14之基板處理系統，其中 上述升降器包含： 複數個第3支持銷，其等配置於上述第2環之下方；及 複數個第4支持銷，其等配置於上述第1環之下方。
  16. 如請求項15之基板處理系統，其中 上述同時搬送模式包含如下步驟：於已使上述複數個第3支持銷及上述複數個第4支持銷上升之狀態下，在上述複數個第3支持銷及上述複數個第4支持銷與上述搬送機械手之間交接上述第1環及上述第2環。
  17. 如請求項15或16之基板處理系統，其中 上述單獨搬送模式包含如下步驟：於已使上述複數個第3支持銷上升之狀態下，在上述複數個第3支持銷與上述搬送機械手之間交接上述第2環。
  18. 如請求項5至17中任一項之基板處理系統，其中 上述第2環係由導電性材料形成之邊緣環， 上述第1環係由絕緣材料形成之蓋環。
  19. 一種搬送方法，其係於處理系統中搬送外側環及內側環者，該處理系統具備：腔室；真空搬送模組，其連接於上述腔室；搬送裝置，其設置於上述真空搬送模組之內部；載置台，其於上述腔室之內部設置於基板之周圍，供載置內徑及外徑不同之上述外側環及上述內側環；及升降器，其使上述外側環及上述內側環相對於上述載置台升降；該搬送方法具有以下兩種模式： 同時搬送模式，其係上述搬送裝置同時搬送上述內側環及上述外側環；及 單獨搬送模式，其係上述搬送裝置僅搬送上述內側環。
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