TW202236493A - 收納容器及處理系統 - Google Patents

收納容器及處理系統 Download PDF

Info

Publication number
TW202236493A
TW202236493A TW111102022A TW111102022A TW202236493A TW 202236493 A TW202236493 A TW 202236493A TW 111102022 A TW111102022 A TW 111102022A TW 111102022 A TW111102022 A TW 111102022A TW 202236493 A TW202236493 A TW 202236493A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ring
edge ring
storage container
transfer
cover ring
Prior art date
Application number
TW111102022A
Other languages
English (en)
Inventor
網倉紀彦
北正知
眞壁暁之
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202236493A publication Critical patent/TW202236493A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Abstract

本發明提供一種能定位並收容消耗構件之技術。 本發明之一態樣之收納容器係收納外周及內周之至少一方具有缺口之環狀構件之容器，該收納容器具有供載置上述環狀構件之底板、及從上述底板突出且對上述環狀構件進行定位之複數個導銷，上述複數個導銷包含與上述缺口卡合之銷。

Description

收納容器及處理系統
本發明係關於一種收納容器及處理系統。
已知有如下技術：利用一系統之升降銷分別使邊緣環及蓋環升降，逐個構件地進行搬送，該邊緣環及該蓋環配置於實施電漿處理之處理容器內所設之靜電吸盤之上且位於晶圓之周圍(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2020-113603號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種能將消耗構件定位並收容之技術。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之收納容器係收納外周及內周之至少一方具有缺口之環狀構件之容器，該收納容器具有供載置上述環狀構件之底板、及從上述底板突出且將上述環狀構件定位之複數個導銷，上述複數個導銷包含與上述缺口卡合之銷。 [發明效果]
根據本發明，能將消耗構件定位並收容。
以下，參照隨附圖式，說明本發明之非限定性的例示之實施方式。所有隨附圖式中，對於同一或者對應之構件或者零件，標註同一或者對應之參照符號，並省略重複說明。
[處理系統] 參照圖1，說明實施方式之處理系統之一例。如圖1所示，處理系統PS係能對基板實施電漿處理等各種處理之系統。基板例如可為半導體晶圓。
處理系統PS具備真空搬送模組TM1,TM2、製程模組PM1～PM12、負載緊固模組LL1,LL2、大氣搬送模組LM及收納模組SM等。
真空搬送模組TM1,TM2各自於俯視下具有大致四方形狀。真空搬送模組TM1之相向之兩個側面上連接有製程模組PM1～PM6。於真空搬送模組TM1之另外之相向之兩個側面中的一個側面上連接有負載緊固模組LL1,LL2，而於其中之另一個側面上連接有用於與真空搬送模組TM2連接之通路(未圖示)。真空搬送模組TM1之連接負載緊固模組LL1,LL2之側面相應於兩個負載緊固模組LL1,LL2而具有角度。真空搬送模組TM2之相向之兩個側面上連接有製程模組PM7～PM12。真空搬送模組TM2之另外之相向之兩個側面中之一個側面上連接有用於與真空搬送模組TM1連接之通路(未圖示)，而於其中之另一個側面上連接有收納模組SM。真空搬送模組TM1,TM2具有真空室，且內部分別配置有搬送機器人TR1,TR2。
搬送機器人TR1,TR2以可自如迴轉、伸縮、升降之方式構成。搬送機器人TR1係利用配置於前端之上叉FK11及下叉FK12來保持並搬送基板及消耗構件。圖1之例中，搬送機器人TR1利用上叉FK11及下叉FK12來保持基板及消耗構件，並於負載緊固模組LL1,LL2、製程模組PM1～PM6及通路(未圖示)之間搬送基板及消耗構件。搬送機器人TR2係利用配置於前端之上叉FK21及下叉FK22來保持並搬送基板及消耗構件。圖1之例中，搬送機器人TR2利用上叉FK21及下叉FK22來保持基板及消耗構件，並於製程模組PM7～PM12、收納模組SM及通路(未圖示)之間搬送基板及消耗構件。消耗構件係可更換地安裝於製程模組PM1～PM12內之構件，其係因製程模組PM1～PM12內進行電漿處理等各種處理而消耗之構件。消耗構件包含例如後述之邊緣環FR、蓋環CR、及上部電極12之頂板121。
製程模組PM1～PM12具有處理室，且具有配置於內部之平台(載置台)。當平台上載置基板後，製程模組PM1～PM12將內部減壓後導入處理氣體，施加RF電力而生成電漿，利用電漿對基板實施電漿處理。真空搬送模組TM1,TM2與製程模組PM1～PM12被可自由開閉之閘閥G1分隔。於平台上配置邊緣環FR、蓋環CR等。於與平台相向之上部，配置用於施加RF電力之上部電極12。
負載緊固模組LL1,LL2配置於真空搬送模組TM1與大氣搬送模組LM之間。負載緊固模組LL1,LL2具有可將內部切換為真空、大氣壓之內壓可變室。負載緊固模組LL1,LL2具有配置於內部之平台。負載緊固模組LL1,LL2於要將基板從大氣搬送模組LM向真空搬送模組TM1搬入時，使內部維持大氣壓而從大氣搬送模組LM接收基板，並將內部減壓而將基板搬入真空搬送模組TM1。負載緊固模組LL1,LL2於要將基板從真空搬送模組TM1向大氣搬送模組LM搬出時，使內部維持真空而從真空搬送模組TM1接收基板，並將內部升壓為大氣壓而將基板搬入大氣搬送模組LM。負載緊固模組LL1,LL2與真空搬送模組TM1被可自由開閉之閘閥G2分隔。負載緊固模組LL1,LL2與大氣搬送模組LM被可自由開閉之閘閥G3分隔。
大氣搬送模組LM係與真空搬送模組TM1相向配置。大氣搬送模組LM可為例如EFEM(Equipment Front End Module,設備前端模組)。大氣搬送模組LM呈長方體狀，且具有FFU(Fan Filter Unit,風扇過濾組)，為保持為大氣壓環境之大氣搬送室。於大氣搬送模組LM之沿長度方向之一側面，連接有兩個負載緊固模組LL1,LL2。於大氣搬送模組LM之沿長度方向之另一側面，連接有負載埠LP1～LP5。負載埠LP1～LP5上載置用於收容複數個(例如25塊)基板之容器(未圖示)。容器可為例如FOUP(Front-Opening Unified Pod,前開式單元匣)。於大氣搬送模組LM內配置有搬送基板之搬送機器人(未圖示)。搬送機器人於FOUP內與負載緊固模組LL1,LL2之內壓可變室內之間搬送基板。
收納模組SM可裝卸地連接於真空搬送模組TM2。收納模組SM具有收納室，收納消耗構件。收納模組SM例如於更換製程模組PM1～PM12內之消耗構件時連接於真空搬送模組TM2，而當完成消耗構件之更換後從真空搬送模組TM2卸除。藉此，可有效利用處理系統PS周圍之區域。但收納模組SM亦可始終連接於真空搬送模組TM2。收納模組SM具有檢測出收納室中收納之消耗構件之位置的位置檢測感測器。消耗構件藉由搬送機器人TR1,TR2而於製程模組PM1～PM12與收納模組SM之間搬送。真空搬送模組TM2與收納模組SM被可自由開閉之閘閥G4分隔。
處理系統PS中設有控制部CU。控制部CU控制處理系統之各部，例如真空搬送模組TM1,TM2中所設之搬送機器人TR1,TR2、大氣搬送模組LM中所設之搬送機器人、及閘閥G1～G4。例如，控制部CU構成為可選擇同時搬送模式與單獨搬送模式，同時搬送模式係使搬送機器人TR1,TR2同時搬送邊緣環FR及蓋環CR，單獨搬送模式係使搬送機器人TR1,TR2僅搬送邊緣環FR。關於同時搬送模式及單獨搬送模式，將於下文敍述。
控制部CU可為例如電腦。控制部CU具備CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)、RAM(Random Access Memory,隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory,唯讀記憶體)、及輔助記憶裝置等。CPU基於ROM或者輔助記憶裝置中儲存之程式動作，而控制處理系統PS之各部。
[電漿處理裝置] 參照圖2，對於作為圖1之處理系統PS具備之製程模組PM1～PM12使用的電漿處理裝置之一例進行說明。
電漿處理裝置1包含電漿處理腔室10、氣體供給部20、RF電力供給部30、排氣系統40、升降機構50及控制部90。
電漿處理腔室10包含基板支持部11及上部電極12。基板支持部11配置於電漿處理腔室10內之電漿處理空間10s之下部區域。上部電極12配置於基板支持部11之上方，可作為電漿處理腔室10之頂板之一部分發揮作用。
基板支持部11於電漿處理空間10s內支持基板W。基板支持部11包含下部電極111、靜電吸盤112、環組件113、絕緣體115及基座116。靜電吸盤112配置於下部電極111上。靜電吸盤112係以上表面支持基板W。環組件113包含邊緣環FR及蓋環CR。邊緣環FR係呈環形狀，於下部電極111之周緣部上表面配置於基板W之周圍。邊緣環FR用於提高例如電漿處理之均一性。蓋環CR係呈環形狀，配置於邊緣環FR之外周部。蓋環CR例如保護絕緣體115之上表面以免受電漿之影響。圖2之例中，邊緣環FR之外周部載置於蓋環CR之內周部。藉此，若後述之複數個支持銷521升降，則蓋環CR與邊緣環FR會一體升降。絕緣體115以包圍下部電極111之方式配置於基座116上。基座116被固定於電漿處理腔室10之底部，支持下部電極111及絕緣體115。環形狀例如包含圓環形狀。
上部電極12與絕緣構件13一同構成電漿處理腔室10。上部電極12將來自氣體供給部20之一種或者更多種類之處理氣體供給至電漿處理空間10s。上部電極12包含頂板121及支持體122。頂板121之下表面劃分出電漿處理空間10s。於頂板121形成有複數個氣體導入口121a。複數個氣體導入口121a各自貫穿於頂板121之板厚方向(鉛直方向)。支持體122支持頂板121且頂板121可自由裝卸。支持體122之內部設有氣體擴散室122a。複數個氣體導入口122b從氣體擴散室122a向下方延伸。複數個氣體導入口122b分別與複數個氣體導入口121a連通。於支持體122形成有氣體供給口122c。上部電極12將一種或者更多種類之處理氣體從氣體供給口122c經由氣體擴散室122a、複數個氣體導入口122b及複數個氣體導入口121a供給至電漿處理空間10s。
於電漿處理腔室10之側壁形成有搬入出口10p。基板W經由搬入出口10p而於電漿處理空間10s與電漿處理腔室10之外部之間搬送。搬入出口10p係藉由閘閥G1開閉。
氣體供給部20包含一種或者更多種氣體源21及一種或者更多種流量控制器22。氣體供給部20將一種或者更多種類之處理氣體從各個氣體源21經由各個流量控制器22供給至氣體供給口122c。流量控制器22亦可包含例如質量流量控制器或者壓力控制式流量控制器。進而，氣體供給部20亦可包含對一種或者更多種類之處理氣體之流量進行調變或者脈衝化的一種或者更多種流量調變設備。
RF電力供給部30包含兩個RF電源(第1 RF電源31a、第2 RF電源31b)及兩個整合器(第1整合器32a、第2整合器32b)。第1 RF電源31a將第1 RF電力經由第1整合器32a供給至下部電極111。第1 RF電力之頻率可為例如13 MHz～150 MHz。第2 RF電源31b將第2 RF電力經由第2整合器32b供給至下部電極111。第2 RF電力之頻率可為例如400 kHz～13.56 MHz。再者，亦可使用DC電源來代替第2 RF電源31b。
排氣系統40例如可連接於設在電漿處理腔室10底部之氣體排氣口10e。排氣系統40亦可包含壓力調整閥及真空泵。壓力調整閥調整電漿處理空間10s內之壓力。真空泵亦可包含渦輪分子泵、乾式真空泵或者其等之組合。
升降機構50使基板W、邊緣環FR及蓋環CR升降。升降機構50包含第1升降機構51及第2升降機構52。
第1升降機構51包含複數個支持銷511及致動器512。複數個支持銷511通插於下部電極111及靜電吸盤112上形成之貫通孔H1而可相對於靜電吸盤112之上表面突出沒入。複數個支持銷511相對於靜電吸盤112之上表面突出時，上端與基板W之下表面相抵接而支持基板W。致動器512使複數個支持銷511升降。致動器512可使用例如DC馬達、步進馬達、線性馬達等馬達、氣缸等氣動機構、及壓電致動器。該第1升降機構51例如於在搬送機器人TR1,TR2與基板支持部11之間進行基板W之交接時，使複數個支持銷511升降。
第2升降機構52包含複數個支持銷521及致動器522。複數個支持銷521通插於絕緣體115上形成之貫通孔H2而可相對於絕緣體115之上表面突出沒入。複數個支持銷521相對於絕緣體115之上表面突出時，上端與蓋環CR之下表面相抵接而支持蓋環CR。致動器522使複數個支持銷521升降。致動器522可利用例如與致動器512相同者。該第2升降機構52例如於在搬送機器人TR1,TR2與基板支持部11之間進行邊緣環FR及蓋環CR之交接時，使複數個支持銷521升降。圖2之例中，邊緣環FR之外周部載置於蓋環CR之內周部。藉此，若致動器522使複數個支持銷521升降，則蓋環CR與邊緣環FR會一體升降。
控制部90控制電漿處理裝置1之各部。控制部90例如包含電腦91。電腦91例如包含CPU911、記憶部912、通信介面913等。CPU911可構成為基於記憶部912中儲存之程式進行各種控制動作。記憶部912包含選自由RAM、ROM、HDD(Hard Disk Drive,硬式磁碟機)、SSD(Solid State Drive,固態硬碟)等輔助記憶裝置組成之群組中的至少一個記憶體類型。通信介面913亦可經由LAN(Local Area Network,區域網路)等通信線路而與電漿處理裝置1之間進行通信。控制部90可與控制部CU分開設置，亦可設於控制部CU中。
[收納模組] 參照圖3及圖4，對圖1之處理系統PS所具備之收納模組SM之一例進行說明。
收納模組SM中，於框架60之上設置有腔室70，腔室70之上部具有機械室81。腔室70可藉由連接於設在其底部之排氣口71的排氣部72而將內部減壓。而且，腔室70內被供給例如N 2氣體作為沖洗氣體。藉此，可對腔室70內進行調壓。機械室81例如為大氣壓環境。
腔室70內設置有具有平台73及設於平台73下部之匣體(cage)74的儲存器75。儲存器75可藉由滾珠螺桿76而升降。機械室81內設置有用於檢測消耗構件之位置、朝向等之線感測器82、及驅動滾珠螺桿76之馬達77。於腔室70與機械室81之間設有由石英等構成之窗84，以使線感測器82能接收後述之發光部83之光。
平台73供載置消耗構件。平台73具有與線感測器82相向之發光部83。平台73可沿θ方向旋轉，而使載置之消耗構件、例如邊緣環FR向規定之朝向旋轉。即，平台73對邊緣環FR進行對準(位置對準)。位置對準係使邊緣環FR之參考面(OF)對準規定之朝向。而且，位置對準時，亦可使邊緣環FR之中心位置對準。
線感測器82係檢測發光部83照射之光之光量，並將檢測到之光量輸出至控制部CU。控制部CU利用所檢測到的光量會根據邊緣環FR之參考面之有無而變化這一原理，檢測邊緣環FR之參考面。控制部CU基於檢測到的參考面而檢測邊緣環FR之朝向。線感測器82例如為CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合裝置)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)等線感測器。
匣體74設於平台73之下部。匣體74之內部載置盒體78。盒體78係可從匣體74取出之收納容器。盒體78中以於上下方向留有隔開之方式收納複數個消耗構件。圖3之例中，盒體78中收納複數個邊緣環FR。盒體78之收納模組SM正面之側敞開。再者，關於盒體78之細節，將於下文敍述。
儲存器75中，除了平台73及匣體74之外，於側面還具有由滾珠螺桿76支持之導引件79。滾珠螺桿76將腔室70之上表面與下表面相連，並貫通腔室70之上表面而連接於機械室81內之馬達77。腔室70之上表面之貫通部以使滾珠螺桿76可旋轉之方式被密封。滾珠螺桿76藉由馬達77而旋轉，從而可使儲存器75於上下方向(Z軸方向)移動。
收納模組SM經由閘閥G4而可裝卸地連接於真空搬送模組TM2。真空搬送模組TM2之搬送機器人TR2之上叉FK21及下叉FK22可經由閘閥G4插入至腔室70。上叉FK21及下叉FK22進行例如邊緣環FR向盒體78內之搬入、盒體78內載置之邊緣環FR之搬出、邊緣環FR向平台73之載置、平台73上載置之邊緣環FR之獲取。門80例如當要從腔室70內取出盒體78時、及要將盒體78設置於腔室內70內時開閉。
發光部85及塊數偵測感測器86於儲存器75從腔室70之底面側將盒體78移動至與閘閥G4相向之位置等上部時，偵測盒體78內載置之邊緣環FR之塊數。發光部85例如為LED(Light Emitting Diode，發光二極體)、半導體雷射等。塊數偵測感測器86檢測發光部85照射出之光之光量，並將檢測到之光量輸出至控制部CU。控制部CU基於檢測到之光量計測發光部85照射出之光被邊緣環FR遮擋之次數，藉此偵測邊緣環FR之塊數。塊數偵測感測器86例如為光電二極體、光電晶體等。而且，塊數偵測感測器86亦可為例如CCD、CMOS等線感測器。
再者，上述之例中，已說明了控制部CU基於由收納模組SM內之線感測器82檢測到之光量而算出邊緣環FR之位置資訊之情況，但本發明並不限於此。亦可使用例如包含檢測邊緣環FR之內周位置之內周感測器、及檢測邊緣環FR之外周位置之外周感測器的位置檢測感測器。該情形時，控制部CU基於內周感測器檢測到之邊緣環FR之外周位置及外周感測器檢測到之邊緣環FR之外周位置而算出邊緣環FR之位置資訊。另外，亦可使用例如其它光學感測器、或相機來代替線感測器82。該情形時，控制部CU基於相機所拍攝之圖像，使用例如圖像處理技術而算出邊緣環FR之位置資訊。
[搬送機器人] 參照圖5～圖8，對於搬送機器人TR2之上叉FK21進行說明。再者，搬送機器人TR2之下叉FK22之結構亦可與上叉FK21相同。而且，搬送機器人TR1之上叉FK11及下叉FK12之結構亦可與搬送機器人TR2之上叉FK21相同。
圖5係表示未保持搬送對象物之上叉FK21之概略俯視圖。如圖5所示，上叉FK21於俯視下具有大致U字形狀。上叉FK21構成為例如可保持基板W、搬送夾具CJ、邊緣環FR、蓋環CR、第1組裝體A1、第2組裝體A2。
搬送夾具CJ係從下方支持邊緣環FR之夾具，可於要僅更換邊緣環FR時使用。
第1組裝體A1係藉由將邊緣環FR載置於蓋環CR之上而使邊緣環FR與蓋環CR成為一體的組裝體。
第2組裝體A2係藉由將邊緣環FR載置於搬送夾具CJ之上而使搬送夾具CJ與邊緣環FR成為一體之組裝體。
圖6係表示保持有第1組裝體A1(邊緣環FR及蓋環CR)之狀態之上叉FK21的概略俯視圖。如圖6所示，上叉FK21構成為可保持第1組裝體A1。藉此，搬送機器人TR2能同時搬送邊緣環FR及蓋環CR。
圖7係表示保持有第2組裝體A2(搬送夾具CJ及邊緣環FR)之狀態之上叉FK21的概略俯視圖。如圖7所示，上叉FK21構成為可保持第2組裝體A2。藉此，搬送機器人TR2能同時搬送搬送夾具CJ及邊緣環FR。
圖8係表示僅保持有搬送夾具CJ之狀態之上叉FK21的概略俯視圖。如圖8所示，上叉FK21構成為可保持未支持邊緣環FR之搬送夾具CJ。藉此，搬送機器人TR2能單獨搬送搬送夾具CJ。
[盒體] 作為收納模組SM具有之盒體78之一例，進而參照圖9，對於收納邊緣環FR之盒體78進行說明。圖9係表示收納模組SM內之盒體78之一例的概略立體圖。再者，圖9中表示未收納邊緣環FR之狀態之盒體78。
盒體78收納邊緣環FR。盒體78具有複數個底板781及複數個導銷782。
複數個底板781於上下方向設有多層。複數個底板781用於載置邊緣環FR。各底板781具有大致矩形板狀。各底板781例如由樹脂、金屬形成。各底板781包含載置面781a、外框部781b及叉插入槽781c。
載置面781a用於載置邊緣環FR。
外框部781b係於載置面781a之4邊中除供上叉FK21及下叉FK22插入之正面側之一邊之外的3邊之外周部，從載置面781a向上方突出。該外框部781b上載置另外的底板781。
叉插入槽(凹部)781c形成於載置面781a。叉插入槽781c相對於載置面781a凹陷，當搬送機器人TR2要將邊緣環FR載置於載置面781a時，插入上叉FK21及下叉FK22。
複數個導銷782設於載置面781a。各導銷782可具有尖細之圓錐狀。當搬送機器人TR2要將邊緣環FR載置於載置面781a時，複數個導銷782與邊緣環FR之外周部接觸而進行導引以使該邊緣環FR載置於載置面781a之規定位置。各導銷782可由樹脂或金屬等形成。若為樹脂製，則能抑制其與邊緣環FR之外周部接觸時因摩擦產生微粒。
再者，圖9中，例示出收納邊緣環FR之盒體78，但例如收納搬送夾具CJ、蓋環CR、第1組裝體A1、第2組裝體A2之盒體78之結構亦可為除複數個導銷782外其他結構皆相同。
例如，於收納蓋環CR之盒體78中，在與藉由搬送機器人TR2載置於載置面781a之蓋環CR之內周部接觸的位置處設有複數個導銷782。藉此，蓋環CR被導引並載置於載置面781a之規定位置。
而且例如，於收納邊緣環FR及蓋環CR之盒體78中，在與藉由搬送機器人TR2載置於載置面781a之邊緣環FR之外周部及蓋環CR之內周部接觸的位置處設有複數個導銷782。藉此，邊緣環FR及蓋環CR被導引並載置於載置面781a之規定位置。
參照圖10，對於藉由上叉FK21將已搬送至收納模組SM內之邊緣環FR載置於盒體78之底板781上時的定位機構之一例進行說明。圖10係表示邊緣環FR之定位機構之一例之圖。圖10(a)係保持有邊緣環FR之上叉FK21進入至底板781之上方時之上視圖。圖10(b)表示沿圖10(a)中之一點鏈線B1-B1切斷所得之剖面。圖10(c)係已藉由上叉FK21將邊緣環FR載置於底板781上時之剖視圖。
首先，如圖10(a)及圖10(b)所示，邊緣環FR之外周具有缺口FRa。使保持有邊緣環FR之上叉FK21進入底板781之上方。缺口FRa例如於俯視下具有V字形狀。V字形狀之開度角可適當設定，可為例如90°。而且，缺口FRa例如於俯視下具有U字形狀等曲線形狀。
繼而，如圖10(c)所示，使上叉FK21下降。藉此，由上叉FK21保持之邊緣環FR被載置於底板781之載置面781a。此時，3個導銷782中之1個與邊緣環FR之缺口FRa卡合，其餘2個接觸邊緣環FR之外周，藉此對邊緣環FR進行定位。結果，能使邊緣環FR於水平方向及旋轉方向相對於底板781定位。
如此，藉由上叉FK21將邊緣環FR載置於底板781上，從而能對邊緣環FR進行定位。因此，無需另外設置對邊緣環FR進行定位之對準機構，便能將邊緣環FR以已定位之狀態搬送至製程模組PM1～PM12。結果，能減少因將邊緣環FR搬送至對準機構產生之停工時間。而且，能降低裝置導入成本。而且，空間效率提昇。然而，亦可另外設置對準機構，並利用對準機構對邊緣環FR精密地進行位置對準而搬送。
再者，圖10之例中，表示邊緣環FR之外周具有一個缺口FRa之情況，但缺口FRa之數量並不限於此。例如，邊緣環FR之外周亦可具有於周向彼此隔開之複數個缺口FRa。該情形時，較佳為對應於複數個缺口FRa分別設置導銷782。藉此，能減小角度誤差。
而且，圖10之例中，表示使用上叉FK21之情況，但亦可使用下叉FK22。
參照圖11，對於藉由上叉FK21將已搬送至收納模組SM內之蓋環CR載置於盒體78之底板781上時的定位機構之一例進行說明。圖11係表示蓋環CR之定位機構之一例之圖。圖11(a)係使保持有蓋環CR之上叉FK21進入底板781之上方時之上視圖。圖11(b)表示沿圖11(a)中之一點鏈線B2-B2切斷所得之剖面。圖11(c)係藉由上叉FK21將蓋環CR載置於底板781上時之剖視圖。
首先，如圖11(a)及圖11(b)所示，蓋環CR之內周具有缺口CRa。使保持有蓋環CR之上叉FK21進入底板781之上方。缺口CRa於俯視下例如呈V字形狀。V字形狀之開度角可適當設定，例如可為90°。而且，缺口CRa例如於俯視下具有U字形狀等曲線形狀。
繼而，如圖11(c)所示，使上叉FK21下降。藉此，由上叉FK21保持之蓋環CR被載置於底板781之載置面781a。此時，3個導銷782中之一個與蓋環CR之缺口CRa卡合，其餘兩個與蓋環CR之內周接觸，藉此使蓋環CR定位。結果，能使蓋環CR於水平方向及旋轉方向上相對於底板781定位。
如此，藉由上叉FK21將蓋環CR載置於底板781上，從而能使蓋環CR定位。因此，無需另外設置對蓋環CR進行定位之對準機構，便能將蓋環CR以已定位之狀態搬送至製程模組PM1～PM12。結果，能減少因將蓋環CR搬送至對準機構而產生之停工時間。而且，能降低裝置導入成本。而且，空間效率提昇。然而，亦可另外設置對準機構，並利用對準機構對蓋環CR精密地進行位置對準而搬送。
再者，圖11之例中，表示蓋環CR之內周具有一個缺口CRa之情況，但缺口CRa之數量並不限於此。例如，蓋環CR之內周亦可具有於周向彼此隔開之複數個缺口CRa。該情形時，較佳為對應於複數個缺口CRa分別設置導銷782。藉此，能減小角度誤差。
而且，圖11之例中，表示使用上叉FK21之情況，但亦可使用下叉FK22。
參照圖12，對於藉由上叉FK21將已搬送至收納模組SM內之邊緣環FR及蓋環CR載置於盒體78之底板781上時的定位機構進行說明。圖12係表示邊緣環FR及蓋環CR之定位機構之一例之圖。圖12(a)係保持有邊緣環FR及蓋環CR之上叉FK21進入至底板781之上方時之上視圖。圖12(b)表示沿圖12(a)中之一點鏈線B3-B3切斷所得之剖面。圖12(c)係已藉由上叉FK21將邊緣環FR及蓋環CR載置於底板781上時之剖視圖。
首先，如圖12(a)及圖12(b)所示，使保持有邊緣環FR及蓋環CR之上叉FK21進入底板781之上方。邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部之結構於俯視下不重疊。即，邊緣環FR之外徑係與蓋環CR之內徑相同，或者小於蓋環CR之內徑。邊緣環FR之外周具有缺口FRa。蓋環CR之內周具有缺口CRa。缺口FRa、CRa例如於俯視下具有V字形狀。V字形狀之開度角可適當設定，可為例如90°。而且，缺口FRa、CRa例如於俯視下具有U字形狀等曲線形狀。
繼而，如圖12(c)所示，使上叉FK21下降。藉此，由上叉FK21保持之邊緣環FR及蓋環CR被載置於底板781之載置面781a。此時，3個導銷782中之一個與邊緣環FR之缺口FRa及蓋環CR之缺口CRa卡合，其餘2個接觸蓋環CR之外周，藉此對邊緣環FR及蓋環CR進行定位。結果，能使邊緣環FR及蓋環CR於水平方向及旋轉方向上相對於底板781定位。
如此，藉由上叉FK21將邊緣環FR及蓋環CR載置於底板781上，從而能對邊緣環FR及蓋環CR進行定位。因此，無需另外設置對邊緣環FR及蓋環CR進行定位之對準機構，便能將邊緣環FR及蓋環CR以已定位之狀態搬送至製程模組PM1～PM12。結果，能減少因將邊緣環FR及蓋環CR搬送至對準機構而產生之停工時間。而且，能降低裝置導入成本。而且，空間效率提昇。然而，亦可另外設置對準機構，並利用對準機構對邊緣環FR及蓋環CR精密地進行位置對準而搬送。
再者，圖12之例中，表示邊緣環FR之外周具有一個缺口FRa、蓋環CR之內周具有一個缺口CRa之情況，但缺口FRa、CRa之數量並不限於此。亦可為例如，邊緣環FR之外周具有於周向彼此隔開之複數個缺口FRa，蓋環CR之內周具有於周向彼此隔開之複數個缺口CRa。該情形時，較佳為對應於複數個缺口FRa、CRa分別設置導銷782。藉此，能減小角度誤差。
而且，圖12之例中，例示使用上叉FK21之情況，但亦可使用下叉FK22。
而且，圖12之例中，對於將邊緣環FR及蓋環CR於外周或者內周定位之情況進行了說明，但並不限於此。亦可為例如，於邊緣環FR及蓋環CR之背面(載置於載置面781a之側之面)設置用於定位之凹部(或者凸部)而進行各自之定位。
而且，圖12之例中，說明了邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部之結構不重疊之情況，但並不限於此，邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部之結構亦可有重疊。該情形時，亦可將邊緣環FR以相對於蓋環CR定位之狀態予以保持，一例中係藉由於蓋環CR之外周設置定位部而將蓋環CR定位從而將邊緣環FR定位。又一例中，當邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部有重疊時，如圖13所示，亦可於邊緣環FR及蓋環CR各自之不重疊之區域設置用於定位之凹部FRb、CRb(或者凸部)。該情形時，只要將導銷782設於與凹部FRb、CRb卡合之位置即可。藉此，能將邊緣環FR及蓋環CR各自定位。
以上，已參照圖10～圖13例示了使用上叉FK21將邊緣環FR及/或蓋環CR載置於盒體78之底板781上的情況，但並不限於此。例如，於收納模組SM之非工作時期，亦可由操作員用手將邊緣環FR及/或蓋環CR載置於盒體78之底板781上。
參照圖14，對藉由上叉FK21將已搬送至收納模組SM內之第2組裝體A2(搬送夾具CJ及邊緣環FR)載置於盒體78之底板781上的情況進行說明。於例如載置於電漿處理裝置1之靜電吸盤112上時邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部重疊時、且控制部CU選擇執行後述之單獨搬送模式時，實施圖14所示之動作。圖14係表示盒體78中收納之第2組裝體A2之一例之概略上視圖。
首先，如圖14所示，使保持有第2組裝體A2之上叉FK21進入至底板781之上方。繼而，使上叉FK21下降。藉此，由上叉FK21保持之第2組裝體A2被載置於底板781之載置面781a。
如此，搬送機器人TR2能由上叉FK21保持第2組裝體A2(搬送夾具CJ及邊緣環FR)，而同時搬送搬送夾具CJ及邊緣環FR。
再者，圖14之例中，例示了使用上叉FK21之情況，但亦可使用下叉FK22。
參照圖15，對於藉由上叉FK21將已搬送至收納模組SM內之搬送夾具CJ載置於盒體78之底板781上的情況進行說明。於例如載置於電漿處理裝置1之靜電吸盤112上時邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部重疊時、且控制部CU選擇執行後述之單獨搬送模式時，實施圖15所示之動作。圖15係表示盒體78中收納之搬送夾具CJ之一例之概略俯視圖。
首先，如圖15所示，使保持有搬送夾具CJ之上叉FK21進入至底板781之上方。繼而，使上叉FK21下降。藉此，由上叉FK21保持之搬送夾具CJ被載置於底板781之載置面781a。
如此，搬送機器人TR2能由上叉FK21保持搬送夾具CJ，並單獨搬送搬送夾具CJ。
再者，圖15之例中，例示了使用上叉FK21之情況，但亦可使用下叉FK22。
參照圖16，對於圖3及圖4之收納模組SM具有之盒體78之另一例進行說明。圖16係表示收納模組SM內之盒體78之另一例之概略立體圖，圖中表示收納作為消耗構件之一例之邊緣環FR的盒體78X。
圖16所示之盒體78X與圖9所示之盒體78之不同之處在於，具有傾斜塊782b來代替複數個導銷782，該傾斜塊782b具備與邊緣環FR之外周部相抵接而將邊緣環FR保持在規定位置之傾斜面。再者，其他構成則可與圖9所示之盒體78相同。
而且，作為另一例，亦可為，盒體78具有具備與蓋環CR之內周部相抵接而將蓋環CR保持在規定位置之傾斜面的傾斜塊(未圖示)。而且，作為又一例，亦可為，盒體78具有具備邊緣環FR之外周部及蓋環CR之內周部相抵接而將邊緣環FR及蓋環CR保持在規定位置之傾斜面的傾斜塊(未圖示)。而且，傾斜塊亦可構成為，與邊緣環FR之內周部相抵接而將邊緣環FR保持在規定位置。而且，傾斜塊亦可構成為與蓋環CR之外周部相抵接而保持蓋環CR。
[消耗構件之搬送方法] 作為實施方式之處理系統PS之消耗構件之搬送方法之一例，參照圖17及圖18，對於控制部CU選擇執行使搬送機器人TR2同時搬送邊緣環FR及蓋環CR之同時搬送模式的情況進行說明。以下，對於控制部CU中包含控制部90、控制部CU控制搬送機器人TR2及升降機構50之情況進行說明。然而，亦可為，控制部90與控制部CU分開設置，控制部CU控制搬送機器人TR2，控制部90控制升降機構50。再者，使邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部之結構於俯視下有重疊。
如圖18(a)所示，控制部CU使保持有未使用之邊緣環FR及蓋環CR之上叉FK21進入至靜電吸盤112之上方。
繼而，如圖18(b)所示，控制部CU使複數個支持銷521從待機位置上升至支持位置。藉此，複數個支持銷521之上端與由上叉FK21保持之蓋環CR之下表面相抵接，該蓋環CR受複數個支持銷521頂推而離開上叉FK21。此時，邊緣環FR之外周部載置於蓋環CR之內周部。因此，若蓋環CR受複數個支持銷521頂推，則邊緣環FR亦與蓋環CR一同受頂推。即，邊緣環FR及蓋環CR一體地離開上叉FK21。
繼而，如圖18(c)所示，控制部CU使未保持搬送對象物之上叉FK21退出。
繼而，如圖18(d)所示，控制部CU使複數個支持銷521從支持位置下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷521支持之邊緣環FR及蓋環CR被載置於靜電吸盤112上。藉由以上操作，如圖17所示，邊緣環FR及蓋環CR被同時搬入至電漿處理腔室10內並載置於靜電吸盤112上。
再者，當將載置於靜電吸盤112上之邊緣環FR及蓋環CR從電漿處理腔室10內搬出時，控制部CU執行與上文所述之邊緣環FR及蓋環CR之搬入相反的動作。
如以上說明所述，根據實施方式之處理系統PS，能同時搬送邊緣環FR及蓋環CR。
作為實施方式之處理系統PS之消耗構件之搬送方法之另一例，參照圖19～圖21，對於控制部CU選擇執行使搬送機器人TR2僅搬送邊緣環FR之單獨搬送模式的情況進行說明。以下，對於控制部CU中包含控制部90、控制部CU控制搬送機器人TR2及升降機構50的情況進行說明。然而，亦可為，控制部90與控制部CU分開設置，控制部CU控制搬送機器人TR2，控制部90控制升降機構50。再者，使邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部之結構於俯視下有重疊。
如圖20(a)所示，控制部CU使保持有搬送夾具CJ之上叉FK21進入至靜電吸盤112之上方，該搬送夾具CJ保持有未使用之邊緣環FR。
繼而，如圖20(b)所示，控制部CU使複數個支持銷511從待機位置上升至支持位置。藉此，複數個支持銷511之上端與由上叉FK21保持之搬送夾具CJ之下表面相抵接，該搬送夾具CJ受複數個支持銷511頂推而使搬送夾具CJ離開上叉FK21。此時，邊緣環FR之內周部載置於搬送夾具CJ上。因此，若搬送夾具CJ受複數個支持銷511頂推，則邊緣環FR亦與搬送夾具CJ一同受頂推。即，搬送夾具CJ及邊緣環FR一體地離開上叉FK21。
繼而，如圖20(c)所示，控制部CU使未保持搬送對象物之上叉FK21退出。
繼而，如圖20(d)所示，控制部CU使複數個支持銷521從待機位置上升至支持位置。藉此，複數個支持銷521之上端與載置於靜電吸盤112上之蓋環CR之下表面相抵接，該蓋環CR受複數個支持銷521頂推而使該蓋環CR離開靜電吸盤112。而且，載置於搬送夾具CJ上之邊緣環FR之外周部被載置於蓋環CR之內周部。
繼而，如圖21(a)所示，控制部CU使未保持搬送對象物之上叉FK21進入至搬送夾具CJ、邊緣環FR及蓋環CR與靜電吸盤112之間。
繼而，如圖21(b)所示，控制部CU使複數個支持銷511從支持位置下降至待機位置。此時，邊緣環FR之外周部載置於蓋環CR之內周部，故而，僅將由複數個支持銷511支持之搬送夾具CJ載置於上叉FK21上。
繼而，如圖21(c)所示，控制部CU使保持有搬送夾具CJ之上叉FK21退出。
繼而，如圖21(d)所示，控制部CU使複數個支持銷521從支持位置下降至待機位置。藉此，由複數個支持銷521支持之邊緣環FR及蓋環CR被載置於靜電吸盤112上。藉由以上操作，如圖19所示，僅邊緣環FR被搬入至電漿處理腔室10內，且載置於載置有蓋環CR之靜電吸盤112上。
再者，當僅將靜電吸盤112上載置之邊緣環FR及蓋環CR中之邊緣環FR從電漿處理腔室10內搬出時，控制部CU執行與上文所述之邊緣環FR之搬入相反的動作。
如以上說明所述，根據實施方式之處理系統PS，能僅單獨搬送邊緣環FR，而無需更換蓋環CR。
[消耗構件之更換方法] 參照圖22，對於實施方式之消耗構件之更換方法之一例進行說明。圖22係表示實施方式之消耗構件之更換方法之一例之流程圖。
以下，以僅單獨更換上述之製程模組PM12之平台(靜電吸盤112)上載置之邊緣環FR的情況為例進行說明。具體而言，係對於將製程模組PM12中使用之邊緣環FR收容於收納模組SM，並更換為預先收容於收納模組SM中之未使用之邊緣環FR的情況進行說明。再者，對於製程模組PM12以外之製程模組PM1～PM11之平台上載置之邊緣環FR，亦可利用同樣的方法更換。而且，圖22所示之實施方式之消耗構件之更換方法係藉由控制部CU對處理系統PS之各部進行控制而實施。
如圖22所示，實施方式之消耗構件之更換方法包括消耗度判斷步驟S10、更換可否判斷步驟S20、第1清洗步驟S30、搬出步驟S40、第2清洗步驟S50、搬入步驟S60、及風乾步驟S70。以下，對各個步驟進行說明。
消耗度判斷步驟S10係判斷是否需要更換製程模組PM12之平台上載置之邊緣環FR。消耗度判斷步驟S10中，控制部CU判斷是否需要更換製程模組PM12之平台上載置之邊緣環FR。具體而言，控制部CU基於例如RF累計時間、RF累計電力、製程配方之特定步驟之累計值，判斷是否需要更換邊緣環FR。RF累計時間係指，實施規定之電漿處理時製程模組PM12中高頻電力之供給時間之累計值。RF累計電力係指，實施規定之電漿處理時製程模組PM12中供給之高頻電力之累計值。製程配方之特定步驟之累計值係指，製程模組PM12實施之處理步驟中之去除邊緣環FR之步驟中高頻電力之供給時間之累計值或高頻電力之累計值。再者，RF累計時間、RF累計電力及製程配方之特定步驟之累計值係以例如導入裝置之時間點、實施維護之時間點等更換邊緣環FR之時間點為起點算出的值。
當基於RF累計時間判斷是否需要更換邊緣環FR時，控制部CU於RF累計時間達到閾值時，判斷為需要更換邊緣環FR。相對於此，控制部CU於RF累計時間未達閾值時，判斷為無需更換邊緣環FR。再者，閾值係藉由預備實驗等，根據邊緣環FR之材質等之種類確定之值。
當基於RF累計電力判斷是否需要更換邊緣環FR時，控制部CU於RF累計電力達到閾值時，判斷為需要更換邊緣環FR。相對於此，控制部CU於RF累計電力未達閾值時，判斷為無需更換邊緣環FR。再者，閾值係藉由預備實驗等，根據邊緣環FR之材質等之種類確定之值。
當基於製程配方之特定步驟之累計值判斷是否需要更換邊緣環FR時，控制部CU於特定步驟中之RF累計時間或者RF累計電力達到閾值時，判斷為需要更換邊緣環FR。相對於此，控制部CU於特定步驟中之RF累計時間或者RF累計電力未達閾值時，判斷為無需更換邊緣環FR。當基於製程配方之特定步驟之累計值判斷是否需要更換邊緣環FR時，施加高頻電力，基於去除邊緣環FR之步驟，能算出邊緣環FR之更換時序。因此，能以極高之精度算出邊緣環FR之更換時序。再者，閾值係藉由預備實驗等，根據邊緣環FR之材質等之種類確定之值。
消耗度判斷步驟S10中，當判斷為需要更換製程模組PM12之平台上載置之邊緣環FR時，控制部CU實施更換可否判斷步驟S20。消耗度判斷步驟S10中，當判斷為無需更換製程模組PM12之平台上載置之邊緣環FR時，控制部CU反覆實施消耗度判斷步驟S10。
更換可否判斷步驟S20係判斷處理系統PS之狀態是否為可實施邊緣環FR之更換的狀態。更換可否判斷步驟S20中，控制部CU判斷處理系統PS之狀態是否為可實施邊緣環FR之更換的狀態。具體而言，控制部CU於例如實施邊緣環FR之更換之製程模組PM12中未對基板W進行處理時，判斷為可實施邊緣環FR之更換。相對於此，控制部CU於製程模組PM12中對基板W進行處理時，判斷為無法實施邊緣環FR之更換。而且，控制部CU於例如實施邊緣環FR之更換之製程模組PM12中受到處理之基板W同一批次之基板W之處理結束時，判斷為可實施邊緣環FR之更換。該情形時，控制部CU於製程模組PM12中受到處理之基板W同一批次之基板W之處理結束之前，判斷為無法實施邊緣環FR之更換。
更換可否判斷步驟S20中，當判斷為處理系統PS之狀態為可實施邊緣環FR之更換的狀態時，控制部CU進行第1清洗步驟S30。更換可否判斷步驟S20中，當判斷為處理系統PS之狀態為無法實施邊緣環FR之更換的狀態時，控制部CU反覆實施更換可否判斷步驟S20。
第1清洗步驟S30係實施製程模組PM12之清洗處理。第1清洗步驟S30中，控制部CU藉由控制氣體導入系統、排氣系統、電力導入系統等而實施製程模組PM12之清洗處理。清洗處理係指，利用處理氣體之電漿等而將電漿處理中產生之製程模組PM12內之沈積物去除，並使製程模組PM12內穩定為清潔狀態的處理。藉由實施第1清洗步驟S30，當搬出步驟S40中從平台搬出邊緣環FR時，能抑制製程模組PM12內之沈積物捲起。作為處理氣體，可使用例如氧氣(O 2)、氟化碳(CF)系氣體、氮氣(N 2)、氬氣(Ar)、氦氣(He)、或其等兩種以上氣體之混合氣體。而且，當實施製程模組PM12之清洗處理時，為了根據處理條件而保護平台之靜電吸盤112，亦可於靜電吸盤112之上表面上載置有虛設晶圓等基板W之狀態下實施清洗處理。再者，於製程模組PM12內不存在沈積物等、沈積物不會捲起之情形時，亦可不實施第1清洗步驟S30。而且，當藉由靜電吸盤112將邊緣環FR吸附於平台時，實施去靜電處理直至下一搬出步驟S40為止。
搬出步驟S40中不使製程模組PM12向大氣敞開，而從製程模組PM12內搬出邊緣環FR。搬出步驟S40中，控制部CU控制處理系統PS之各部，以使得無需使製程模組PM12向大氣敞開，而從製程模組PM12內搬出邊緣環FR。具體而言，打開閘閥G1，藉由搬送機器人TR2將製程模組PM12之內部之平台上載置之邊緣環FR從製程模組PM12搬出。繼而，打開打開閘閥G4，藉由搬送機器人TR2，將已從製程模組PM12搬出之邊緣環FR收納於收納模組SM中。
第2清洗步驟S50係對製程模組PM12之平台之載置邊緣環FR之面實施清洗處理。第2清洗步驟S50中，控制部CU係藉由控制氣體導入系統、排氣系統、電力導入系統等而對製程模組PM12之平台之載置邊緣環FR之面實施清洗處理。第2清洗步驟S50中之清洗處理可以與例如第1清洗步驟S30相同的方法實施。即，作為處理氣體，可使用例如，O 2氣體、CF系氣體、N 2氣體、Ar氣體、He氣體、或其等兩種以上氣體之混合氣體。而且，當實施製程模組PM12之清洗處理時，為了根據處理條件而保護平台之靜電吸盤112，亦可於靜電吸盤112之上表面上載置有虛設晶圓等基板W之狀態下實施清洗處理。再者，第2清洗步驟S50亦可省略。
搬入步驟S60係不使製程模組PM12向大氣敞開，而將邊緣環FR搬入至製程模組PM12內並載置於平台上。搬入步驟S60中，控制部CU控制處理系統PS之各部，以使得無需使製程模組PM12向大氣敞開，而將邊緣環FR搬入至製程模組PM12內。具體而言，打開閘閥G4，藉由搬送機器人TR2，搬出收納模組SM中收容之未使用之邊緣環FR。繼而，打開閘閥G1，藉由搬送機器人TR2，將未使用之邊緣環FR搬入至製程模組PM12，並載置於平台上。例如，控制部CU控制處理系統PS之各部，並藉由圖20(a)～圖20(d)及圖21(a)～圖21(d)所示之搬送方法將收納模組SM中收納之邊緣環FR載置於製程模組PM12內之平台上。
風乾步驟S70中實施製程模組PM12之風乾處理。風乾步驟S70中，控制部CU藉由控制氣體導入系統、排氣系統、電力導入系統等而實施製程模組PM12之風乾處理。風乾處理係指，藉由實施規定之電漿處理而使製程模組PM12內之溫度及沈積物之狀態穩定之處理。而且，風乾步驟S70中，亦可於製程模組PM12之風乾處理之後，將品質管理用晶圓搬入至製程模組PM12內，並對品質管理用晶圓實施規定之處理。藉此，能確認製程模組PM12之狀態是否正常。再者，風乾步驟S70亦可省略。
如以上說明所述，根據實施方式之處理系統PS，不使製程模組PM12向大氣敞開，而藉由搬送機器人TR2從製程模組PM12內搬出邊緣環FR。之後，對製程模組PM12內實施清洗處理，繼而，藉由搬送機器人TR2將邊緣環FR搬入至製程模組PM12內。藉此，無需作業人員手動更換邊緣環FR，亦能僅單獨更換邊緣環FR。因此，能縮短邊緣環FR之更換時間，生產性提高。而且，藉由在邊緣環FR之搬入前清洗邊緣環FR之載置面，能抑制邊緣環FR與該邊緣環FR之載置面之間存在沈積物。結果，使兩者良好地接觸，藉此能良好地維持邊緣環FR之溫度控制性。
再者，於同時更換上述之製程模組PM12之平台(靜電吸盤112)上載置之邊緣環FR及蓋環CR時，亦可採用與僅單獨更換邊緣環FR時相同的方法。該情形時，消耗度判斷步驟S10中，控制部CU判斷是否需要更換製程模組PM12之平台上載置之邊緣環FR及蓋環CR。搬出步驟S40中，控制部CU控制處理系統PS之各部，搬出製程模組PM12之內部之平台上載置之邊緣環FR及蓋環CR。搬入步驟S60中，控制部CU控制處理系統PS之各部，藉由圖18(a)～圖18(d)所示之搬送方法，將收納模組SM中收納之邊緣環FR及蓋環CR載置於製程模組PM12內之平台上。
參照圖23～圖25，對於作為圖1之處理系統PS所具備之製程模組PM1～PM12使用之電漿處理裝置之另一例進行說明。
電漿處理裝置1X中包含電漿處理腔室10X及升降機構50X，來代替電漿處理裝置1中之電漿處理腔室10及升降機構50。再者，其他構成可與電漿處理裝置1相同。
電漿處理腔室10X包含基板支持部11X及上部電極12。基板支持部11X配置於電漿處理腔室10X內之電漿處理空間10s之下部區域。上部電極12配置於基板支持部11X之上方，可作為電漿處理腔室10X之頂板之一部分發揮作用。
基板支持部11X於電漿處理空間10s內支持基板W。基板支持部11X包含下部電極111、靜電吸盤112、環組件113X、絕緣體115及基座116。靜電吸盤112配置於下部電極111上。靜電吸盤112係以上表面支持基板W。環組件113X包含邊緣環FRX及蓋環CRX。邊緣環FRX係呈環形狀，於下部電極111之周緣部上表面上配置於基板W之周圍。邊緣環FRX例如提昇電漿處理之均一性。蓋環CRX係呈環形狀，配置於邊緣環FRX之外周部。蓋環CRX例如保護絕緣體115之上表面免受電漿影響。圖23之例中，邊緣環FRX之外徑係與蓋環CRX之內徑相同或者小於蓋環CRX之內徑。即，俯視下，邊緣環FRX與蓋環CRX不重疊。藉此，邊緣環FRX與蓋環CRX獨立地升降。絕緣體115以包圍下部電極111之方式配置於基座116上。基座116被固定於電漿處理腔室10X之底部，且支持下部電極111及絕緣體115。
升降機構50X使基板W、邊緣環FRX及蓋環CRX升降。升降機構50X包含第1升降機構51、第3升降機構53及第4升降機構54。
第1升降機構51包含複數個支持銷511及致動器512。複數個支持銷511通插於下部電極111及靜電吸盤112上形成之貫通孔H1而可相對於靜電吸盤112之上表面突出沒入。複數個支持銷511相對於靜電吸盤112之上表面突出時，上端與基板W之下表面相抵接而支持基板W。致動器512使複數個支持銷511升降。致動器512可使用DC馬達、步進馬達、線性馬達等馬達、氣缸等氣動機構、壓電致動器等。該第1升降機構51例如於在搬送機器人TR1,TR2與基板支持部11之間進行基板W之交接時，使複數個支持銷511升降。
第3升降機構53包含複數個支持銷531及致動器532。複數個支持銷531通插於絕緣體115上形成之貫通孔H3而可相對於絕緣體115之上表面突出沒入。複數個支持銷531相對於絕緣體115之上表面突出時，使上端與邊緣環FRX之下表面相抵接而支持邊緣環FRX。致動器532使複數個支持銷531。致動器532可使用例如與致動器512相同者。
第4升降機構54包含複數個支持銷541及致動器542。複數個支持銷541通插於絕緣體115上形成之貫通孔H4而可相對於絕緣體115之上表面突出沒入。複數個支持銷541相對於絕緣體115之上表面突出時，使上端與蓋環CRX之下表面相抵接而支持蓋環CRX。致動器542使複數個支持銷541升降。致動器542可使用例如與致動器512相同者。
該升降機構50X中，於在搬送機器人TR1,TR2與基板支持部11之間進行邊緣環FRX及蓋環CRX之交接時，使複數個支持銷531,541升降。例如，於藉由搬送機器人TR1,TR2將靜電吸盤112上載置之邊緣環FRX及蓋環CRX搬出時，如圖24所示，使複數個支持銷531,541上升。藉此，邊緣環FRX受到複數個支持銷531頂推，且蓋環CRX受到複數個支持銷541頂推，能藉由搬送機器人TR1,TR2同時搬出邊緣環FRX及蓋環CRX。
而且，該升降機構50X中，於在搬送機器人TR1,TR2與基板支持部11之間僅進行邊緣環FRX之交接時，使複數個支持銷531升降。例如，於藉由搬送機器人TR1,TR2僅搬出靜電吸盤112上載置之邊緣環FRX時，如圖25所示，使複數個支持銷531上升。藉此，僅邊緣環FRX受到複數個支持銷531頂推，能藉由搬送機器人TR1,TR2單獨搬出邊緣環FRX。
再者，上述實施方式中，邊緣環FR,FRX及蓋環CR,CRX係環狀構件之一例，邊緣環FR,FRX係內側環之一例，蓋環CR,CRX係外側環之一例。而且，搬送機器人TR1,TR2係搬送裝置之一例。而且，支持銷521係第1支持銷之一例，支持銷511係第2支持銷之一例，支持銷531係第3支持銷之一例，支持銷541係第4支持銷之一例。
應理解，本次揭示之實施方式之全部方面皆為例示，而非限制性說明。上述實施方式可於不脫離隨附申請專利範圍及其宗旨之前提下，以各種方式進行省略、取代、變更。
上述實施方式中，作為使邊緣環FR及/或蓋環CR升降之機構，係對升降機構50及升降機構50X進行了說明，但並不限於此。例如，當邊緣環FR之外周部與蓋環CR之內周部重疊時，可於蓋環CR形成貫通孔，並藉由具有嵌合於該貫通孔之第1保持部、及連接於該第1保持部之軸方向且具備從第1保持部之外周突出之突出部之第2保持部的支持銷，使邊緣環FR與蓋環CR獨立地升降。例如，藉由使第1保持部貫通於蓋環CR之貫通孔，使第1保持部之前端與蓋環CR之背面相抵接，能單獨頂推邊緣環FR。而且例如，藉由使第1保持部貫通於蓋環CR之貫通孔，使第2保持部之突出部與蓋環CR之下表面相抵接，能單獨頂推蓋環CR。再者，該結構之細節於美國專利申請公開第2020/0219753號說明書中有記載。
上述實施方式中，係對於在收納模組與製程模組之間搬送邊緣環之情況進行了說明，但本發明並不限於此。例如，於代替邊緣環，而搬送製程模組內安裝之例如蓋環、上部電極之頂板等其他消耗構件時，同樣適用本發明。
1:電漿處理裝置 1X:電漿處理裝置 10:電漿處理腔室 10e:氣體排氣口 10p:搬入出口 10s:電漿處理空間 10X:腔室 11:基板支持部 11X:基板支持部 12:上部電極 13:絕緣構件 20:氣體供給部 21:氣體源 22:流量控制器 30:RF電力供給部 31a:第1 RF電源 31b:第2 RF電源 32a:第1整合器 32b:第2整合器 40:排氣系統 50:升降機構 50X:升降機構 51:第1升降機構 52:第2升降機構 53:第3升降機構 54:第4升降機構 60:框架 70:腔室 71:排氣口 72:排氣部 73:平台 74:匣體 75:儲存器 76:滾珠螺桿 77:馬達 78:盒體 78X:盒體 79:導引件 80:門 81:機械室 82:線感測器 83:發光部 84:窗 85:發光部 86:塊數偵測感測器 90:控制部 91:電腦 111:下部電極 112:靜電吸盤 113:環組件 113X:環組件 115:絕緣體 116:底座 121:頂板 121a:氣體導入口 122:支持體 122a:氣體擴散室 122b:氣體導入口 122c:氣體供給口 511:支持銷 512:致動器 521:支持銷 522:致動器 531:支持銷 532:致動器 541:支持銷 542:致動器 781:底板 781a:載置面 781b:外框部 781c:叉插入槽 782:導銷 782b:傾斜塊 911:CPU記憶部 912:記憶部通信介面 913:通信介面 A1:第1組裝體 A2:第2組裝體 CJ:搬送夾具 CR:蓋環 CRa:缺口 CRX:蓋環 CU:控制部 FK11:上叉 FK12:下叉 FK21:上叉 FK22:下叉 FR:邊緣環 FRa:缺口 FRX:邊緣環 G1~G4:閘閥 H1:貫通孔 H2:貫通孔 H3:貫通孔 H4:貫通孔 LL1,LL2:負載緊固模組 LM:大氣搬送模組 LP1~LP5:負載埠 PM1~PM12:製程模組 PS:處理系統 TM1,TM2:真空搬送模組 TR1,TR2:搬送機器人 SM:收納模組 W:基板
圖1係表示實施方式之處理系統之一例之圖。 圖2係表示製程模組之一例之概略剖視圖。 圖3係表示收納模組之一例之正面剖視圖。 圖4係表示收納模組之一例之側面剖視圖。 圖5係表示未保持搬送對象物之上叉之概略俯視圖。 圖6係表示保持有第1組裝體之上叉之概略俯視圖。 圖7係表示保持有第2組裝體之上叉之概略俯視圖。 圖8係表示僅保持有搬送夾具之上叉之概略俯視圖。 圖9係表示收納模組內之盒體之一例之概略立體圖。 圖10(a)～(c)係表示邊緣環之定位機構之一例之圖。 圖11(a)～(c)係表示蓋環之定位機構之一例之圖。 圖12(a)～(c)係表示邊緣環及蓋環之定位機構之一例之圖。 圖13係表示邊緣環及蓋環之定位機構之另一例之圖。 圖14係表示盒體中收納之第2組裝體之一例之概略俯視圖。 圖15係表示盒體中收納之搬送夾具之一例之概略俯視圖。 圖16係表示收納模組內之盒體之另一例之概略立體圖。 圖17(a)、(b)係表示載置有邊緣環及蓋環之靜電吸盤之概略圖。 圖18(a)～(d)係表示同時搬送模式之一例之圖。 圖19(a)、(b)係表示載置有邊緣環及蓋環之靜電吸盤之概略圖。 圖20(a)～(d)係表示單獨搬送模式之一例之圖(1)。 圖21(a)～(d)係表示單獨搬送模式之一例之圖(2)。 圖22係表示實施方式之消耗構件之更換方法之一例之流程圖。 圖23係表示製程模組之另一例之概略剖視圖。 圖24係表示同時搬送模式中升降機構之狀態之圖。 圖25係表示單獨搬送模式中升降機構之狀態之圖。
CU:控制部
FK11:上叉
FK12:下叉
FK21:上叉
FK22:下叉
G1~G4:閘閥
LL1,LL2:負載緊固模組
LM:大氣搬送模組
LP1~LP5:負載埠
PM1~PM12:製程模組
PS:處理系統
TM1,TM2:真空搬送模組
TR1,TR2:搬送機器人
SM:收納模組

Claims (10)

  1. 一種收納容器，其係收納外周及內周之至少一方具有缺口之環狀構件之容器， 該收納容器具有供載置上述環狀構件之底板， 上述底板具有從上述底板突出且對上述環狀構件進行定位之複數個導銷， 上述複數個導銷包含與上述缺口卡合之銷。
  2. 如請求項1之收納容器，其中 上述底板設為多層。
  3. 如請求項1或2之收納容器，其中上述底板包含： 載置面，其供載置上述環狀構件；及 叉插入槽，其相對於上述載置面凹陷，供搬送上述環狀構件之搬送機器人之叉插入。
  4. 如請求項1至3中任一項之收納容器，其中 上述複數個導銷呈前端尖細之圓錐狀。
  5. 如請求項1至4中任一項之收納容器，其中 上述複數個導銷藉由與上述環狀構件之上述外周接觸而對該環狀構件進行定位。
  6. 如請求項1至5中任一項之收納容器，其中 上述複數個導銷藉由與上述環狀構件之上述內周接觸而對該環狀構件進行定位。
  7. 如請求項1至6中任一項之收納容器，其中 上述環狀構件係於電漿處理時配置於基板之周圍之構件。
  8. 如請求項1至7中任一項之收納容器，其中 上述環狀構件具有於周向彼此隔開之複數個缺口， 上述複數個導銷具有分別與上述複數個缺口各自卡合之複數個銷。
  9. 如請求項1至8中任一項之收納容器，其中 上述缺口於俯視下呈V字形狀。
  10. 一種處理系統，其具有： 收納模組，其包含收納容器，該收納容器收納外周及內周之至少一方具有缺口之環狀構件；及 真空搬送模組，其連接於上述收納模組，且具有將上述環狀構件搬送至上述收納容器之搬送機器人； 上述收納容器具有： 底板，其供載置上述環狀構件；及 複數個導銷，其從上述底板突出且對上述環狀構件進行定位； 上述複數個導銷包含與上述缺口卡合之銷。
TW111102022A 2021-02-01 2022-01-18 收納容器及處理系統 TW202236493A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-014289 2021-02-01
JP2021014289A JP2022117671A (ja) 2021-02-01 2021-02-01 収納容器及び処理システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202236493A true TW202236493A (zh) 2022-09-16

Family

ID=82562620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111102022A TW202236493A (zh) 2021-02-01 2022-01-18 收納容器及處理系統

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220243336A1 (zh)
JP (1) JP2022117671A (zh)
KR (1) KR20220111197A (zh)
CN (1) CN114843168A (zh)
TW (1) TW202236493A (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022019436A (ja) * 2020-07-17 2022-01-27 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理装置、石英部材及びプラズマ処理方法
WO2024071020A1 (ja) * 2022-09-30 2024-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び搬送方法
WO2024071130A1 (ja) * 2022-09-30 2024-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
WO2024075592A1 (ja) * 2022-10-07 2024-04-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、および搬送方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7134104B2 (ja) 2019-01-09 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
US11823937B2 (en) * 2019-08-19 2023-11-21 Applied Materials, Inc. Calibration of an aligner station of a processing system
KR102652834B1 (ko) * 2020-08-07 2024-04-02 세메스 주식회사 용기 및 기판 처리 장치
KR102523364B1 (ko) * 2020-10-07 2023-04-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2022103995A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 株式会社ディスコ テープマウンタ

Also Published As

Publication number Publication date
US20220243336A1 (en) 2022-08-04
CN114843168A (zh) 2022-08-02
KR20220111197A (ko) 2022-08-09
JP2022117671A (ja) 2022-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202236493A (zh) 收納容器及處理系統
US20200035470A1 (en) Focus ring replacement method and plasma processing system
JP5650935B2 (ja) 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
US20110031111A1 (en) Substrate processing apparatus, positioning method and focus ring installation method
US20200373183A1 (en) System and method for aligning a mask with a substrate
KR102413131B1 (ko) 건식처리와 습식처리를 위한 하이브리드 기판처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법
US11430679B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus
KR20170137245A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US11955356B2 (en) Processing system and transfer method
JP2023113850A (ja) 基板処理システム及び搬送方法
KR20170055141A (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR20220062186A (ko) 기판 처리 장치 및 반송 로봇 티칭 방법
JP5031960B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2004119627A (ja) 半導体製造装置
JP2022070212A (ja) 処理システム及び搬送方法
WO2024071020A1 (ja) 基板処理システム及び搬送方法
KR102241600B1 (ko) 로드락 챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
WO2024075592A1 (ja) 基板処理システム、および搬送方法
KR20140007027A (ko) 웨이퍼 로더 및 이를 갖는 기판 처리 장치
US20220148857A1 (en) Detection device, processing system, and transfer method
JP2022135646A (ja) 基板支持台及びプラズマ処理装置
KR20220039886A (ko) 기판 처리 장치
WO2020059375A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20230144398A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210027647A (ko) 기판 처리 장치 및 핸드 위치 티칭 방법