JP2022135646A - 基板支持台及びプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板支持台上の複数の消耗部材それぞれを交換することができ、且つ、複数の消耗部材の一部を他の消耗部材とは独立して交換する。【解決手段】基板支持台であって、基板が載置される基板載置面と、消耗部材が複数載置される部材載置面と、を有し、複数の前記消耗部材それぞれについて、前記部材載置面に対して昇降し当該消耗部材にのみ係合し他の前記消耗部材とは係合しないリフタを有し、前記リフタを他の前記リフタとは独立して昇降させる昇降機構を有し、前記リフタ間で、前記昇降機構の少なくとも一部を共有する。【選択図】図４

Description

本開示は、基板支持台及びプラズマ処理装置に関する。

特許文献１には、処理室の内部に設けられる載置台に載置される基板にプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置に用いられ、基板の周囲を取り囲むように載置台に載置されるフォーカスリングを交換するフォーカスリング交換方法が開示されている。このフォーカスリング交換方法は、処理室を大気開放することなく、フォーカスリングを搬送する搬送装置により処理室内からフォーカスリングを搬出する搬出ステップと、処理室を大気開放することなく、上記搬送装置により処理室内にフォーカスリングを搬入し、載置台に載置する搬入ステップと、を有する。

特開２０１８－１０９９２号公報

本開示にかかる技術は、基板支持台上の複数の消耗部材それぞれを交換可能とし、且つ、複数の消耗部材の一部を他の消耗部材とは独立して交換可能とする。

本開示の一態様は、基板支持台であって、基板が載置される基板載置面と、消耗部材が複数載置される部材載置面と、を有し、複数の前記消耗部材それぞれについて、前記部材載置面に対して昇降し当該消耗部材にのみ係合し他の前記消耗部材とは係合しないリフタを有し、前記リフタを他の前記リフタとは独立して昇降させる昇降機構を有し、前記リフタ間で、前記昇降機構の少なくとも一部を共有する。

本開示によれば、基板支持台上の複数の消耗部材それぞれを交換することができ、且つ、複数の消耗部材の一部を他の消耗部材とは独立して交換することができる。

本実施形態にかかるプラズマ処理システムの構成の概略を示す平面図である。 図１の処理モジュールの構成の概略を示す縦断面図である。 第１リフタ及び第２リフタの配設位置の一例を説明するための図である。 昇降ユニットの構成の概略を示す側面図である。 図２の処理モジュールにおけるエッジリングの交換処理中の状態を示す図である。 図２の処理モジュールにおけるカバーリングの交換処理中の状態を示す図である。 昇降ユニットの他の例を示す側面図である。 図７の昇降ユニットの接続部材の平面図である。 図８の接続部材の係合部が第１リフタに係合するときの様子を示す図である。 図８の接続部材の係合部が第２リフタに係合するときの様子を示す図である。 リフタの種類が３以上の場合の昇降機構を説明するための図である。 接続部材に設けられる係合部の他の例を説明するための図である。 エッジリング及びカバーリングの他の例を説明するための断面図である。 第１リフタ及び第２リフタの配設位置の他の例を説明するための図である。 昇降ユニットの別の例を説明するための図である。 図１４の昇降ユニットの接続部材の平面図である。 昇降ユニットの他の例を示す図である。

半導体デバイス等の製造プロセスでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板に対して、プラズマを用いて、エッチング等のプラズマ処理が行われる。プラズマ処理は、減圧された処理容器内の基板支持台に基板が載置された状態で行われる。

この基板支持台には、基板の他、定期的な交換が必要な消耗部材も載置される。消耗部材には、例えば、基板支持台上の基板に隣接するように配置されるエッジリングがある。エッジリングは、プラズマに晒されることによりエッチングされるため、交換が必要となる。特許文献１では、搬送装置を用いることで、処理室を大気開放することなく、エッジリングを交換している。

ところで、基板支持台には、エッジリングの他に、エッジリングの外側面を覆うように配置されるカバーリングが載置される場合がある。このカバーリングも、プラズマに晒されることによりエッチングされるため、定期的に交換するニーズ、すなわち、消耗部材として扱うニーズがある。また、エッジリングとカバーリングとでは、単位時間当たりのエッチング量等が互いに異なるため、適切な交換タイミングも異なってくる。

そこで、本開示にかかる技術は、エッジリング及びカバーリングのように基板支持台上に複数の消耗部材が載置される場合において、これら複数の消耗部材それぞれを交換可能とし、且つ、これら複数の消耗部材の一部を他の消耗部材とは独立して交換可能とする。

以下、本実施形態にかかる基板支持台及びプラズマ処理装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜プラズマ処理システム＞
図１は、本実施形態にかかるプラズマ処理システムの構成の概略を示す平面図である。
図１のプラズマ処理システム１では、基板としてのウェハＷに対して、プラズマを用いて例えばエッチング等のプラズマ処理を行う。

図１に示すようにプラズマ処理システム１は、大気部１０と減圧部１１とを有し、これら大気部１０と減圧部１１とがロードロックモジュール２０、２１を介して一体に接続されている。大気部１０は、大気圧雰囲気下においてウェハＷに所望の処理を行う大気モジュールを備える。減圧部１１は、減圧雰囲気（真空雰囲気）下においてウェハＷに所望の処理を行う処理モジュール６０を備える。

ロードロックモジュール２０、２１は、ゲートバルブ（図示せず）を介して、大気部１０に含まれるローダモジュール３０と、減圧部１１に含まれるトランスファモジュール５０を連結するように設けられている。ロードロックモジュール２０、２１は、ウェハＷ、エッジリングＥまたはカバーリングＣを一時的に保持するように構成されている。また、ロードロックモジュール２０、２１は、内部を大気圧雰囲気と減圧雰囲気とに切り替えられるように構成されている。

大気部１０は、後述する搬送装置４０を備えたローダモジュール３０と、フープ３１ａ、３１ｂ、３１ｃを載置するロードポート３２とを有している。フープ３１ａは、複数のウェハＷを保管可能なものであり、フープ３１ｂは、複数のエッジリングＥを保管可能なものであり、フープ３１ｃは、複数のカバーリングＣを保管可能なものである。なお、ローダモジュール３０には、ウェハＷ、エッジリングＥ及びカバーリングＣの水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール（図示せず）、複数のウェハＷを一時的に格納するバッファモジュール（図示せず）等が接続されていてもよい。

ローダモジュール３０は矩形の筐体を有し、筐体の内部は大気圧雰囲気に維持されている。ローダモジュール３０の筐体の長辺を構成する一側面には、複数、例えば５つのロードポート３２が並設されている。ローダモジュール３０の筐体の長辺を構成する他側面には、ロードロックモジュール２０、２１が並設されている。

ローダモジュール３０の筐体の内部には、ウェハＷ、エッジリングＥ及びカバーリングＣを搬送可能に構成された搬送装置４０が設けられている。搬送装置４０は、ウェハＷ、エッジリングＥ及びカバーリングＣを搬送時に支持する搬送アーム４１と、搬送アーム４１を回転可能に支持する回転台４２と、回転台４２を搭載した基台４３とを有している。また、ローダモジュール３０の内部には、ローダモジュール３０の長手方向に延伸するガイドレール４４が設けられている。基台４３はガイドレール４４上に設けられ、搬送装置４０はガイドレール４４に沿って移動可能に構成されている。

減圧部１１は、ウェハＷ、エッジリングＥ及びカバーリングＣを搬送するトランスファモジュール５０と、トランスファモジュール５０から搬送されたウェハＷに所望のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置としての処理モジュール６０を有している。トランスファモジュール５０及び処理モジュール６０の内部（具体的には後述の減圧搬送室５１及びプラズマ処理チャンバ１００の内部）はそれぞれ、減圧雰囲気に維持される。１つのトランスファモジュール５０に対し、処理モジュール６０は複数、例えば８つ設けられている。なお、処理モジュール６０の数や配置は本実施形態に限定されず、任意に設定することができ、エッジリングＥ及びカバーリングＣの交換が必要な少なくとも１つの処理モジュールが設けられていればよい。

トランスファモジュール５０は、多角形状（図示の例では五角形状）の筐体を有する減圧搬送室５１を含み、減圧搬送室５１がロードロックモジュール２０、２１に接続されている。トランスファモジュール５０は、ロードロックモジュール２０に搬入されたウェハＷを一の処理モジュール６０に搬送すると共に、処理モジュール６０で所望のプラズマの処理が行われたウェハＷを、ロードロックモジュール２１を介して大気部１０に搬出する。また、トランスファモジュール５０は、ロードロックモジュール２０に搬入されたエッジリングＥを一の処理モジュール６０に搬送すると共に、処理モジュール６０内の交換対象のエッジリングＥを、ロードロックモジュール２１を介して大気部１０に搬出する。さらに、トランスファモジュール５０は、ロードロックモジュール２０に搬入されたカバーリングＣを一の処理モジュール６０に搬送すると共に、処理モジュール６０内の交換対象のカバーリングＣを、ロードロックモジュール２１を介して大気部１０に搬出する。

処理モジュール６０は、ウェハＷに対し、例えばエッチング等のプラズマ処理を行う。また、処理モジュール６０は、ゲートバルブ６１を介してトランスファモジュール５０に接続されている。なお、この処理モジュール６０の構成は後述する。

トランスファモジュール５０の減圧搬送室５１の内部には、ウェハＷ、エッジリングＥ及びカバーリングＣを搬送可能に構成された搬送装置７０が設けられている。搬送装置７０は、前述の搬送装置４０と同様、ウェハＷ、エッジリングＥ及びカバーリングＣを搬送時に支持する搬送アーム７１と、搬送アーム７１を回転可能に支持する回転台７２と、回転台７２を搭載した基台７３とを有している。また、トランスファモジュール５０の減圧搬送室５１の内部には、トランスファモジュール５０の長手方向に延伸するガイドレール７４が設けられている。基台７３はガイドレール７４上に設けられ、搬送装置７０はガイドレール７４に沿って移動可能に構成されている。

トランスファモジュール５０では、ロードロックモジュール２０内で保持されたウェハＷ、エッジリングＥまたはカバーリングＣを搬送アーム７１が受け取り、処理モジュール６０に搬入する。また、処理モジュール６０内に保持されたウェハＷ、エッジリングＥまたはカバーリングＣを搬送アーム７１が受け取り、ロードロックモジュール２１に搬出する。

さらに、プラズマ処理システム１は制御装置８０を有する。一実施形態において、制御装置８０は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理システム１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御装置８０は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理システム１の他の要素それぞれを制御するように構成され得る。一実施形態において、制御装置８０の一部又は全てがプラズマ処理システム１の他の要素に含まれてもよい。制御装置８０は、例えばコンピュータ９０を含んでもよい。コンピュータ９０は、例えば、処理部（ＣＰＵ：Central Processing Unit）９１、記憶部９２、及び通信インターフェース９３を含んでもよい。処理部９１は、記憶部９２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部９２は、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース９３は、ＬＡＮ（Local Area Network）等の通信回線を介してプラズマ処理システム１の他の要素との間で通信してもよい。

＜プラズマ処理システム１のウェハ処理＞
次に、以上のように構成されたプラズマ処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。

まず、搬送装置４０によって、所望のフープ３１ａからウェハＷが取り出され、ロードロックモジュール２０に搬入される。その後ロードロックモジュール２０内が密閉され、減圧される。その後、ロードロックモジュール２０の内部とトランスファモジュール５０の内部が連通される。

次に、搬送装置７０によってウェハＷが保持され、ロードロックモジュール２０からトランスファモジュール５０に搬送される。

次に、ゲートバルブ６１が開放され、搬送装置７０によって所望の処理モジュール６０にウェハＷが搬入される。その後、ゲートバルブ６１が閉じられ、処理モジュール６０においてウェハＷに所望の処理が行われる。なお、この処理モジュール６０においてウェハＷに対して行われる処理については後述する。

次に、ゲートバルブ６１が開放され、搬送装置７０によって処理モジュール６０からウェハＷが搬出される。その後、ゲートバルブ６１が閉じられる。

次に、搬送装置７０によって、ロードロックモジュール２１にウェハＷが搬入される。ロードロックモジュール２１にウェハＷが搬入されると、ロードロックモジュール２１内が密閉され、大気開放される。その後、ロードロックモジュール２１の内部とローダモジュール３０の内部が連通される。

次に、搬送装置４０によってウェハＷが保持され、ロードロックモジュール２１からローダモジュール３０を介して所望のフープ３１ａに戻されて収容される。これで、プラズマ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。

なお、エッジリングＥの交換時における、フープ３１ｂと所望の処理モジュール６０との間でのエッジリングＥの搬送は、上述のウェハ処理時における、フープ３１ａと所望の処理モジュール６０との間でのウェハＷの搬送と同様に行われる。カバーリングＣの交換時における、フープ３１ｃと所望の処理モジュール６０との間でのカバーリングＣの搬送についても同様である。

＜処理モジュール６０＞
続いて、処理モジュール６０について、図２及び図３を用いて説明する。図２は、処理モジュール６０の構成の概略を示す縦断面図である。図３は、後述の第１リフタ及び第２リフタの配設位置の一例を説明するための図である。

図２に示すように、処理モジュール６０は、処理容器としてのプラズマ処理チャンバ１００、ガス供給部１３０、ＲＦ（Radio Frequency：高周波）電力供給部１４０及び排気システム１５０を含む。さらに、処理モジュール６０は、基板支持台としてのウェハ支持台１０１及び上部電極１０２を含む。

ウェハ支持台１０１は、減圧可能に構成されたプラズマ処理チャンバ１００内のプラズマ処理空間１００ｓの下部領域に配置される。上部電極１０２は、ウェハ支持台１０１の上方に配置され、プラズマ処理チャンバ１００の天部（ceiling）の一部として機能し得る。

ウェハ支持台１０１は、プラズマ処理空間１００ｓにおいてウェハＷを支持するように構成される。ウェハ支持台１０１は、下部電極１０３、静電チャック１０４、支持体１０５、絶縁体１０６及びウェハ用リフタ１０７を含む。図示は省略するが、一実施形態において、ウェハ支持台１０１は、静電チャック１０４及びウェハＷのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、冷媒、伝熱ガスのような温調流体が流れる。

下部電極１０３は、例えばアルミニウム等の導電性材料で形成されている。一実施形態において、上述の温調モジュールは下部電極１０３に設けられていてもよい。

静電チャック１０４は、下部電極１０３上に設けられている。静電チャック１０４には、ウェハＷと、第１消耗部材の一例であるエッジリングＥと、が載置される。また、静電チャック１０４は、ウェハＷとエッジリングＥとの両方を静電力により吸着保持する。静電チャック１０４において周縁部の上面に比べて中央部の上面が高く形成されている。静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａには、ウェハＷが載置される。静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂには、エッジリングＥが載置される。

エッジリングＥは、静電チャック１０４に載置された（具体的には静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａに載置された）ウェハＷを囲むように配置される部材である。エッジリングＥは、環状に形成され、より具体的には、平面視円環状に形成されている。また、エッジリングＥの材料には例えばＳｉやＳｉＣが用いられる。

静電チャック１０４の中央部には、ウェハＷを静電吸着により保持するための電極１０８が設けられている。静電チャック１０４の周縁部には、エッジリングＥを静電吸着により保持するための電極１０９が設けられている。静電チャック１０４は、絶縁材料からなる絶縁材の間に電極１０８、１０９を挟んだ構成を有する。

電極１０８には、直流電源（図示せず）からの直流電圧が印加される。これにより生じる静電力により、静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａにウェハＷが吸着保持される。同様に、電極１０９には、直流電源（図示せず）からの直流電圧が印加される。これにより生じる静電力により、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂにエッジリングＥが吸着保持される。電極１０９は、例えば、一対の電極１０９ａ、１０９ｂを含む双極型である。
本実施形態において、電極１０８が設けられる静電チャック１０４の中央部と、電極１０９が設けられる周縁部とは一体となっているが、これら中央部と周縁部とは別体であってもよい。
また、本実施形態において、エッジリングＥを吸着保持するための電極１０９は、双極型であるものとしたが、単極型であってもよい。

また、静電チャック１０４の中央部は、例えば、ウェハＷの直径よりも小径に形成されており、ウェハＷが静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａに載置されたときに、ウェハＷの周縁部が静電チャック１０４の中央部から張り出すようになっている。
なお、エッジリングＥは、その上部に段差が形成されており、外周部の上面が内周部の上面より高く形成されている。エッジリングＥの内周部は、静電チャック１０４の中央部から張り出したウェハＷの周縁部の下側にもぐり込むように形成されている。つまり、エッジリングＥは、その内径が、ウェハＷの外径よりも小さく形成されている。

図示は省略するが、静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａには、当該上面１０４ａに載置されたウェハＷの裏面に伝熱ガスを供給するため、ガス供給穴が形成されている。ガス供給穴からは、ガス供給部（図示せず）からの伝熱ガスが供給される。ガス供給部は、１又はそれ以上のガスソース及び１又はそれ以上の圧力制御器を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部は、例えば、ガスソースからの伝熱ガスを、圧力制御器を介して伝熱ガス供給穴に供給するように、構成される。

支持体１０５は、例えば石英等を用いて、平面視環状に形成された部材であり、下部電極１０３を支持する。また、支持体１０５の上面１０５ａには、第２消耗部材の一例であるカバーリングＣが載置される。

カバーリングＣは、エッジリングＥの外側面を覆う部材である。カバーリングＣは、環状に形成され、より具体的には、平面視円環状に形成されている。本例では、カバーリングＣは、平面視でエッジリングＥと重ならないように形成され配置されている。

静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａは、ウェハＷが載置される基板載置面となり、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂ及び支持体１０５の上面１０５ａは、消耗部材が複数（本例ではエッジリングＥ及びカバーリングＣの２つ）載置される部材載置面となる。

絶縁体１０６は、セラミック等で形成された円筒状の部材であり、支持体１０５を支持する。絶縁体１０６は、例えば、支持体１０５の外径と同等の外径を有するように形成され、支持体１０５の周縁部を支持する。

ウェハ用リフタ１０７は、静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａに対して昇降する部材であり、例えば、セラミックを材料として柱状に形成される。ウェハ用リフタ１０７は、上昇したときに、その上端が上記上面１０４ａから突出し、ウェハＷを支持することが可能である。このウェハ用リフタ１０７により、ウェハ支持台１０１と搬送装置７０の搬送アーム７１との間でウェハＷを受け渡すことができる。
なお、ウェハ用リフタ１０７は、互いに間隔を空けて３本以上設けられている。

ウェハ用リフタ１０７は、昇降機構（図示せず）によって昇降する。昇降機構は、ウェハ用リフタ１０７の昇降を駆動するため、例えばモータを有する。

ウェハ用リフタ１０７は、静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａに上端が開口する挿通孔１１０に挿通される。挿通孔１１０は、例えば、静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａから下方に延び下部電極１０３の底面まで至るように形成されている。言い換えると、挿通孔１１０は、例えば、静電チャック１０４の中央部及び下部電極１０３を貫通するように形成されている。

ウェハ支持台１０１は、さらに、前述の部材載置面に対して、１以上の消耗部材を、他の消耗部材とは独立して昇降させる昇降ユニットＵを含む。
本例において、昇降ユニットＵは、エッジリングＥ及びカバーリングＣを、前述の部材載置面に対して互いに独立に昇降させる。
昇降ユニットＵは、エッジリングＥを、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂに対して、カバーリングＣとは独立に昇降させる第１昇降ユニットＵ１と、カバーリングＣを、支持体１０５の上面１０５ａに対して、エッジリングＥとは独立に昇降させる第２昇降ユニットＵ２と、を有する。

また、昇降ユニットＵは、エッジリングＥ及びカバーリングＣという複数の消耗部材それぞれについて、リフタを有する。具体的には、第１昇降ユニットＵ１が、前述の部材載置面に対して昇降し、エッジリングＥにのみ係合しカバーリングＣとは係合しない第１リフタ１１１を有し、第２昇降ユニットＵ２が、前述の部材載置面に対して昇降し、カバーリングＣにのみ係合しエッジリングＥとは係合しない第２リフタ１１２を有する。
そして、本実施形態においては、リフタを他の種類のリフタとは独立して昇降させる昇降機構を複数種類のリフタ間で共有している。具体的には、第１リフタ１１１及び第２リフタ１１２を互いに独立して昇降させる後述の昇降機構を、第１リフタ１１１と第２リフタ１１２との間で共有している。

第１リフタ１１１は、具体的には、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂに対して昇降する。第１リフタ１１１は、上昇したときに、その上端が上記上面１０４ｂから突出し、エッジリングＥを支持することが可能である。エッジリングＥを支持した第１リフタ１１１が昇降することにより、エッジリングＥが昇降する。この第１リフタ１１１により、ウェハ支持台１０１と搬送装置７０の搬送アーム７１との間で、エッジリングＥを受け渡すことができる。

第１リフタ１１１は、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂに上端が開口する挿通孔１１３に挿通される。挿通孔１１３は、例えば、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂから下方に延び下部電極１０３の底面まで至るように形成されている。言い換えると、挿通孔１１３は、例えば、静電チャック１０４の周縁部及び下部電極１０３を貫通するように形成されている。

第２リフタ１１２は、具体的には、支持体１０５の上面１０５ａに対して昇降する。第２リフタ１１２は、上昇したときに、その上端が上記上面１０５ａから突出し、カバーリングＣを支持することが可能である。カバーリングＣを支持した第２リフタ１１２が昇降することにより、カバーリングＣを昇降する。この第２リフタ１１２により、ウェハ支持台１０１と搬送装置７０の搬送アーム７１との間で、カバーリングＣを受け渡すことができる。

第２リフタ１１２は、支持体１０５の上面１０５ａに上端が開口する挿通孔１１４に挿通される。挿通孔１１４は、例えば、支持体１０５を貫通するように形成されている。

第１リフタ１１１及び第２リフタ１１２はそれぞれ、例えばアルミナや石英、ＳＵＳ等を材料として柱状に形成される。第１リフタ１１１及び第２リフタ１１２のより具体的な形状については後述する。

また、第１リフタ１１１及び第２リフタ１１２はそれぞれ、図３に示すように、互いに間隔を空けて３本以上（図の例では３本）設けられている。第１リフタ１１１及び第２リフタ１１２それぞれの配設位置は、搬送装置７０の搬送アーム７１と干渉しない位置であればよい。
例えば、平面視で、第１リフタ１１１が、同一円周上に配設され、第２リフタ１１２が、第１リフタ１１１より外側の円周上に設けられる。また、第２リフタ１１２は、例えば、平面視で、静電チャック１０４の径方向に沿って延び且つ最も近い第１リフタ１１１を通る直線上に設けられる。

図２の説明に戻る。
上部電極１０２は、ガス供給部１３０からの１又はそれ以上の処理ガスをプラズマ処理空間１００ｓに供給するシャワーヘッドとしても機能する。一実施形態において、上部電極１０２は、ガス入口１０２ａ、ガス拡散室１０２ｂ、及び複数のガス出口１０２ｃを有する。ガス入口１０２ａは、例えば、ガス供給部１３０及びガス拡散室１０２ｂと流体連通している。複数のガス出口１０２ｃは、ガス拡散室１０２ｂ及びプラズマ処理空間１００ｓと流体連通している。一実施形態において、上部電極１０２は、１又はそれ以上の処理ガスをガス入口１０２ａからガス拡散室１０２ｂ及び複数のガス出口１０２ｃを介してプラズマ処理空間１００ｓに供給するように構成される。

ガス供給部１３０は、１又はそれ以上のガスソース１３１及び１又はそれ以上の流量制御器１３２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部１３０は、例えば、１又はそれ以上の処理ガスを、それぞれに対応のガスソース１３１からそれぞれに対応の流量制御器１３２を介してガス入口１０２ａに供給するように構成される。各流量制御器１３２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部１３０は、１又はそれ以上の処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

ＲＦ電力供給部１４０は、ＲＦ電力、例えば１又はそれ以上のＲＦ信号を、下部電極１０３、上部電極１０２、又は、下部電極１０３及び上部電極１０２の双方のような１又はそれ以上の電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１００ｓに供給された１又はそれ以上の処理ガスからプラズマが生成される。したがって、ＲＦ電力供給部１４０は、プラズマ処理チャンバにおいて１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。ＲＦ電力供給部１４０は、例えば、２つのＲＦ生成部１４１ａ、１４１ｂ及び２つの整合回路１４２ａ、１４２ｂを含む。一実施形態において、ＲＦ電力供給部１４０は、第１のＲＦ信号を第１のＲＦ生成部１４１ａから第１の整合回路１４２ａを介して下部電極１０３に供給するように構成される。例えば、第１のＲＦ信号は、２７ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の周波数を有してもよい。

また、一実施形態において、ＲＦ電力供給部１４０は、第２のＲＦ信号を第２のＲＦ生成部１４１ｂから第２の整合回路１４２ｂを介して下部電極１０３に供給するように構成される。例えば、第２のＲＦ信号は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有してもよい。代わりに、第２のＲＦ生成部１４１ｂに代えて、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）パルス生成部を用いてもよい。

さらに、図示は省略するが、本開示においては他の実施形態が考えられる。例えば、代替実施形態において、ＲＦ電力供給部１４０は、第１のＲＦ信号をＲＦ生成部から下部電極１０３に供給し、第２のＲＦ信号を他のＲＦ生成部から下部電極１０３に供給し、第３のＲＦ信号をさらに他のＲＦ生成部から下部電極１０３に供給するように構成されてもよい。加えて、他の代替実施形態において、ＤＣ電圧が上部電極１０２に印加されてもよい。

またさらに、種々の実施形態において、１又はそれ以上のＲＦ信号（すなわち、第１のＲＦ信号、第２のＲＦ信号等）の振幅がパルス化又は変調されてもよい。振幅変調は、オン状態とオフ状態との間、あるいは、２又はそれ以上の異なるオン状態の間でＲＦ信号振幅をパルス化することを含んでもよい。

排気システム１５０は、例えばプラズマ処理チャンバ１００の底部に設けられた排気口１００ｅに接続され得る。排気システム１５０は、圧力弁及び真空ポンプを含んでもよい。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、粗引きポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

＜処理モジュール６０のウェハ処理＞
次に、処理モジュール６０を用いて行われるウェハ処理の一例について説明する。なお、処理モジュール６０では、ウェハＷに対して、例えばエッチング処理等の処理を行う。

先ず、搬送装置７０により、プラズマ処理チャンバ１００の内部にウェハＷが搬入され、リフタ１０７の昇降により静電チャック１０４上にウェハＷが載置される。その後、静電チャック１０４の電極１０８に直流電圧が印加され、これにより、ウェハＷが、静電力によって静電チャック１０４に静電吸着され、保持される。また、ウェハＷの搬入後、排気システム１５０によってプラズマ処理チャンバ１００の内部が所定の真空度まで減圧される。

次に、ガス供給部１３０から上部電極１０２を介してプラズマ処理空間１００ｓに処理ガスが供給される。また、ＲＦ電力供給部１４０からプラズマ生成用の高周波電力ＨＦが下部電極１０３に供給され、これにより、処理ガスを励起させて、プラズマを生成する。この際、ＲＦ電力供給部１４０からイオン引き込み用の高周波電力ＬＦが供給されてもよい。そして、生成されたプラズマの作用によって、ウェハＷにプラズマ処理が施される。

なお、プラズマ処理中、静電チャック１０４に吸着保持されたウェハＷ及びエッジリングＥの底面に向けて、伝熱ガス供給路（図示せず）を介して、ＨｅガスやＡｒガス等の伝熱ガスが供給される。

プラズマ処理を終了する際には、ＲＦ電力供給部１４０からの高周波電力ＨＦの供給及びガス供給部１３０からの処理ガスの供給が停止される。プラズマ処理中に高周波電力ＬＦを供給していた場合には、当該高周波電力ＬＦの供給も停止される。次いで、静電チャック１０４によるウェハＷの吸着保持が停止される。また、ウェハＷの底面への伝熱ガスの供給が停止されるようにしてもよい。

その後、リフタ１０７によりウェハＷを上昇させ、静電チャック１０４からウェハＷを離脱させる。この離脱の際には、ウェハＷの除電処理を行ってもよい。そして、搬送装置７０によって、プラズマ処理チャンバ１００からウェハＷを搬出して、一連のウェハ処理が終了する。

＜昇降ユニットＵ＞
続いて、昇降ユニットＵについて、図４を用いて説明する。図４は、昇降ユニットＵの構成の概略を示す側面図であり、昇降ユニットＵ以外については断面で示している。

本実施形態においては、昇降ユニットＵが、第１リフタ１１１及び第２リフタ１１２を互いに独立して昇降させる昇降機構２００を有しており、この昇降機構２００を、第１昇降ユニットＵ１と第２昇降ユニットＵ２との間、すなわち、第１リフタ１１１と第２リフタ１１２との間で、共有している。以下、昇降機構２００について、第１リフタ１１１及び第２リフタ１１２と、これらが挿通される挿通孔１１３、１１４と共に説明する。

第１リフタ１１１は、例えば、所定の半径の棒状に形成された小径部３０１を上側に有し、さらに、小径部３０１から連続する、棒状に形成された大径部３０２を下側に有する。大径部３０２は、平面視で小径部３０１より大径に形成されている。大径部３０２の外側面には、フランジ３０３が形成されていてもよい。

第１リフタ１１１が挿通される挿通孔１１３は、第１リフタ１１１に対応した形状に形成されている。また、挿通孔１１３を形成する壁面からは、最下降位置に位置する第１リフタ１１１を支持する支持壁３１１が突出している。支持壁３１１は、例えば、挿通孔１１３を形成する下部電極１０３の壁面から突出するように設けられている。支持壁３１１は、第１リフタ１１１のフランジ３０３と当接し係合することにより、第１リフタ１１１を支持する。支持壁３１１は、第１リフタ１１１を支持可能に構成された第１支持部の一例であり、上記第１支持部は他の位置に設けられていてもよい。

第２リフタ１１２は、例えば、第１リフタ１１１と同様な形状に形成されている。具体的には、第２リフタ１１２は、例えば、所定の半径の棒状に形成された小径部４０１を上側に有し、さらに、小径部４０１から連続する、棒状に形成された大径部４０２を下側に有する。大径部４０２は、平面視で小径部４０１より大径に形成されている。大径部４０２の外側面には、フランジ４０３が形成されていてもよい。

第２リフタ１１２が挿通される挿通孔１１４は、第２リフタ１１２に対応した形状に形成され、例えば、挿通孔１１３と同様な形状に形成されている。挿通孔１１４を形成する壁面からは、最下降位置の第２リフタ１１２を支持する支持壁４１１が突出している。支持壁４１１は、例えば挿通孔１１４を形成する支持体１０５の壁面から突出するように設けられている。支持壁４１１は、第２リフタ１１２のフランジ４０３と当接し係合することにより、第２リフタ１１２を支持する。支持壁４１１は、第２リフタ１１２を支持可能に構成された第２支持部の一例であり、上記第２支持部は他の位置に設けられていてもよい。

昇降機構２００は、例えば、１の第１リフタ１１１及び１の第２リフタ１１２のセット毎に、設けられる。また、昇降機構２００は、複数の消耗部材のうちの一部（の消耗部材）に対するリフタに選択的に係合する係合部を有し、具体的には、複数の消耗部材のいずれかに対するリフタに選択的に係合する係合部を有し、より具体的には、例えば、第１リフタ１１１または第２リフタ１１２に選択的に係合する係合部を有する。上記係合部とは、具体的には、例えば、後述の支持部材２１２の上端２１３である。

さらに、昇降機構２００は、上記係合部を昇降させる第１アクチュエータ２０１と、上記係合部を水平方向に移動させる第２アクチュエータ２０２と、を有する。第２アクチュエータ２０２は、水平方向における、所望のリフタに上記係合部が係合する位置に、上記係合部を移動させ、第１アクチュエータ２０１は、上記所望のリフタが係合した上記係合部を昇降させる。

第１アクチュエータ２０１は、上記係合部を昇降させるための駆動力を発生する駆動源（図示せず）として、ＤＣモータ、ステッピングモータ、リニアモータ等のモータ、ピエゾアクチュエータ、エア駆動源等を有する。第２アクチュエータ２０２も、同様に、上記係合部を水平方向に移動させるための駆動力を発生する駆動源（図示せず）として、モータ、ピエゾアクチュエータ、エア駆動源等を有する。なお、第１アクチュエータ２０１及び第２アクチュエータ２０２は、例えば大気圧雰囲気下となる領域に設けられる。

第１アクチュエータ２０１には、接続部材２１１が接続され、当該接続部材２１１を昇降させる。具体的には、第１アクチュエータ２０１は、上下方向に延びる昇降軸２０３を有し、昇降軸２０３に接続部材２１１が接続されており、昇降軸２０３を介して接続部材２１１を昇降させる。

接続部材２１１は、例えば、水平方向に延びる細い平板状に形成されている。

第２アクチュエータ２０２には、支持部材２１２が接続され、当該支持部材２１２を水平方向に移動させる。具体的には、第２アクチュエータ２０２は、水平方向に延びる移動軸２０４を有し、移動軸２０４に支持部材２１２が接続されており、移動軸２０４を介して、支持部材２１２を水平方向に移動させる。一例においては、第２アクチュエータ２０２は、支持部材２１２を、水平方向であって第１リフタ１１１及び第２リフタ１１２が並ぶ方向（以下、「リフタ並び方向」という。）に、直線的に移動させる。

支持部材２１２は、例えば、所定の半径の棒状に形成されて、上下方向に延在するように設けられる。この支持部材２１２に、第１リフタ１１１または第２リフタ１１２に選択的に係合する係合部が設けられている。具体的には、例えば、支持部材２１２の上端２１３が、第１リフタ１１１または第２リフタ１１２に選択的に係合する係合部となっている。

また、支持部材２１２は、水平方向に移動可能に接続部材２１１に支持されている。接続部材２１１は、支持部材２１２を、水平方向且つリフタ並び方向に移動可能に支持するため、例えばスラスト軸受を有する。

第２アクチュエータ２０２は、支持部材２１２を水平方向に移動させることにより、係合部としての支持部材２１２の上端２１３を水平方向に移動させる。また、第１アクチュエータ２０１が、接続部材２１１を昇降させることにより、係合部としての支持部材２１２の上端２１３を昇降させる。

上述のような構成を有する昇降機構２００では、水平方向における第１リフタ１１１または第２リフタ１１２に係合する位置に、支持部材２１２の上端２１３が移動するよう、第２アクチュエータ２０２が、支持部材２１２を水平移動させる。そして、昇降機構２００では、第１リフタ１１１または第２リフタ１１２が係合した支持部材２１２の上端２１３が昇降するよう、第１アクチュエータ２０１が、接続部材２１１を昇降させる。このようにして、昇降機構２００は、第１リフタ１１１または第２リフタ１１２のいずれか一方を選択的に昇降させる。

＜処理モジュール６０におけるエッジリングＥの交換処理＞
次に、処理モジュール６０におけるエッジリングＥの交換処理の一例について図５を用いて説明する。図５は、上記交換処理中の状態を示す図である。なお、以下の処理は、制御装置８０による制御の下、行われる。

まず、全ての第１リフタ１１１それぞれについて、当該第１リフタ１１１の下方の位置に、対応する支持部材２１２が、第２アクチュエータ２０２により、水平移動される。
続いて、全ての第１リフタ１１１それぞれについて、対応する支持部材２１２が、接続部材２１１を介して、第１アクチュエータ２０１により、上昇される。これにより、第１リフタ１１１それぞれの、挿通孔１１３から露出した下端が、支持部材２１２の上端２１３と係合する。係合後も、支持部材２１２が第１アクチュエータ２０１によって上昇されることにより、第１リフタ１１１それぞれが、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂから突出し、上記上面１０４ｂから第１リフタ１１１へエッジリングＥが受け渡される。その後も、支持部材２１２が第１アクチュエータ２０１によって上昇されることにより、図５に示すように、エッジリングＥが、上記上面１０４ｂの上方へ移動する。

次いで、プラズマ処理システム１の真空雰囲気のトランスファモジュール５０から、減圧されたプラズマ処理チャンバ１００内に、搬入出口（図示せず）を介して、搬送アーム７１が挿入される。そして、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂと、エッジリングＥとの間に、搬送アーム７１が移動される。

その後、支持部材２１２が第１アクチュエータ２０１によって下降されることにより、第１リフタ１１１が下降し、第１リフタ１１１から搬送アーム７１へ、エッジリングＥが受け渡される。支持部材２１２の下降は、第１リフタ１１１の上端が挿通孔１１３内に収まるまで行われる。

そして、搬送アーム７１がプラズマ処理チャンバ１００から抜き出され、エッジリングＥがプラズマ処理チャンバ１００から搬出される。
これで、エッジリングＥの交換処理におけるエッジリングＥの取り外し処理が完了する。続いて、新しいエッジリングＥの取り付け処理が行われる。この取り付け処理は、上述の取り外し処理と逆の手順で行われる。

＜処理モジュール６０におけるカバーリングＣの交換処理＞
次に、処理モジュール６０におけるカバーリングＣの交換処理の一例について図６を用いて説明する。図６は、上記交換処理中の状態を示す図である。なお、以下の処理は、制御装置８０による制御の下、行われる。

まず、全ての第２リフタ１１２それぞれについて、当該第２リフタ１１２の下方の位置に、対応する支持部材２１２が、第２アクチュエータ２０２により、水平移動される。
続いて、全ての第２リフタ１１２それぞれについて、対応する支持部材２１２が、接続部材２１１を介して、第１アクチュエータ２０１により、上昇される。これにより、第２リフタ１１２それぞれの、挿通孔１１４から露出した下端が、支持部材２１２の上端２１３と係合する。係合後も、支持部材２１２が第１アクチュエータ２０１によって上昇されることにより、第２リフタ１１２それぞれが、支持体１０５の上面１０５ａから突出し、上記上面１０５ａから第２リフタ１１２へカバーリングＣが受け渡される。その後も、支持部材２１２が第１アクチュエータ２０１によって上昇されることにより、図６に示すように、カバーリングＣが、上記上面１０５ａの上方へ移動する。

次いで、プラズマ処理システム１の真空雰囲気のトランスファモジュール５０から、減圧されたプラズマ処理チャンバ１００内に、搬入出口（図示せず）を介して、搬送アーム７１が挿入される。そして、支持体１０５の上面１０５ａと、カバーリングＣとの間に、搬送アーム７１が移動される。

その後、支持部材２１２が第１アクチュエータ２０１によって下降されることにより、第２リフタ１１２が下降し、第２リフタ１１２から搬送アーム７１へ、カバーリングＣが受け渡される。支持部材２１２の下降は、第２リフタ１１２の上端が挿通孔１１４内に収まるまで行われる。

そして、搬送アーム７１がプラズマ処理チャンバ１００から抜き出され、カバーリングＣがプラズマ処理チャンバ１００から搬出される。
これで、カバーリングＣの交換処理におけるカバーリングＣの取り外し処理が完了する。続いて、新しいカバーリングＣの取り付け処理が行われる。この取り付け処理は、上述の取り外し処理と逆の手順で行われる。

以上のように、本実施形態によれば、エッジリングＥとカバーリングＣという複数の消耗部材それぞれを交換することができ、且つ、上記複数の消耗部材の一部を他の消耗部材とは独立して交換することができる。具体的には、本実施形態によれば、エッジリングＥとカバーリングＣとを選択的に交換することができる。
また、本実施形態では、複数の消耗部材それぞれについてリフタを設けており、具体的には、エッジリングＥ用とカバーリングＣ用との両方についてリフタ（第１リフタ１１１、第２リフタ１１２）を設けている。このように消耗部材それぞれについてリフタを設ける場合において、本実施形態と異なり、リフタを他のリフタと独立して昇降させる昇降機構をリフタ毎に設けるとすると、当該昇降機構の配設スペースを広げなければならない場合がある。それに対し、本実施形態では、消耗部材毎に設けられたリフタ間で、具体的には、エッジリングＥ用の第１リフタ１１１とカバーリングＣ用の第２リフタ１１２との間で、昇降機構２００を共有している。したがって、昇降機構２００は、当該昇降機構２００の配設スペースの大型化を抑制することができる。言い換えると、本実施形態によれば、複数の消耗部材それぞれについてリフタを設けても、ウェハ支持台１０１及び処理モジュール６０の大型を抑制することができる。

＜変形例＞
図７は、昇降ユニットの他の例を示す側面図である。図８は、図７の昇降ユニットの接続部材の平面図である。図９及び図１０はそれぞれ、図８の接続部材の係合部が、第１リフタ及び第２リフタに係合するときの様子を示す図である。

図４等に示した昇降ユニットＵの昇降機構２００では、第１リフタ１１１または第２リフタ１１２に選択的に係合する係合部が支持部材２１２に設けられていた。それに対し、図７の昇降ユニットＵａの昇降機構２００ａでは、複数の消耗部材のうちの一部（の消耗部材）に対するリフタに選択的に係合する係合部（具体的には第１リフタ１１１ａまたは第２リフタ１１２ａに選択的に係合する係合部２２０）が、接続部材２１１ａに設けられている。また、昇降機構２００ａでは、第２アクチュエータ２０２ａが、接続部材２１１ａを水平方向に移動させることにより、係合部２２０を水平方向に移動させ、第１アクチュエータ２０１が、接続部材２１１ａを昇降させることにより、係合部２２０を昇降させる。

この場合、例えば、第１リフタ１１１ａ及び第２リフタ１１２ａそれぞれが、延出部３２１、４２１を有する。延出部３２１は、第１リフタ１１１ａが支持壁３１１によって支持された状態で、下部電極１０３の下面より下方に延び出し、延出部４２１は、第２リフタ１１２ａが支持壁４１１によって支持された状態で、支持体１０５の下面より下方に延び出す。

延出部３２１は、所定の半径の棒状に形成された太部３２２を上側に有し、さらに、太部３２２から連続する、棒状に形成された細部３２３を下側に有する。細部３２３は、平面視で太部３２２より小径に形成されている。
また、延出部４２１は、所定の半径の棒状に形成された太部４２２を上側に有し、さらに、太部４２２から連続する、棒状に形成された細部４２３を下側に有する。細部４２３は、平面視で太部４２２より小径に形成されている。

昇降ユニットＵａでは、第２アクチュエータ２０２ａが、接続部材２１１ａに接続され、当該接続部材２１１ａを水平方向に移動させる。具体的には、第２アクチュエータ２０２ａが、水平方向に延びる移動軸２０４ａを有し、移動軸２０４ａに接続部材２１１ａが接続されており、移動軸２０４ａを介して接続部材２１１ａを移動させる。一例においては、第２アクチュエータ２０２ａは、接続部材２１１ａを、水平方向且つリフタ並び方向に、直線的に移動させる。

接続部材２１１ａは、水平方向に移動可能に、第１アクチュエータ２０１に接続されている。一例においては、接続部材２１１ａは、水平方向且つリフタ並び方向に直線的に移動可能に、第１アクチュエータ２０１の昇降軸２０３に支持されている。

また、接続部材２１１ａが水平方向且つリフタ並び方向に直線的に移動される場合、接続部材２１１ａの係合部２２０は、例えば、図８に示すように、一対の支持部２２１を有する。図８の例では、Ｘ方向正側に第１リフタ１１１ａが位置し、Ｘ方向正側に第２リフタ１１２ｂが位置しているところ、一対の支持部２２１間は、平面視において、Ｘ方向正側端が開口しており、Ｘ方向負側端は塞がれている。また、一対の支持部２２１間の距離は、Ｘ方向正側において、第１リフタ１１１ａ及び第２リフタ１１２ａの細部３２３、４２３の直径より大きく、第１リフタ１１１ａ及び第２リフタ１１２ａの太部３２２、４２２の直径より小さくなっている。さらに、一対の支持部２２１のＸ方向負側は、第２リフタ１１２ａの太部４２２が通過する通過孔２２２を形成している。

昇降機構２００ａは、第２リフタ１１２ａを選択的に上昇させる場合、以下のように動作する。すなわち、図９に示すように、一対の支持部２２１の先端側が、第２リフタ１１２ａの太部４２２の下方に位置し第１リフタ１１１ａの太部３２２の下方には位置しないよう、第２アクチュエータ２０２ａが、接続部材２１１ａを水平方向且つリフタ並び方向に移動させる。そして、第１アクチュエータ２０１が、接続部材２１１ａを上昇させることにより、一対の支持部２２１の先端側が、第２リフタ１１２ａの太部４２２の底面に当接し係合する。その後も、第１アクチュエータ２０１が、接続部材２１１ａを昇降させることにより、第２リフタ１１２ａのみが上昇する。

一方、昇降機構２００ａは、第１リフタ１１１ａを選択的に上昇させる場合、以下のように動作する。すなわち、図１０に示すように、一対の支持部２２１の先端側が、第１リフタ１１１ａの太部３２２の下方に位置し、通過孔２２２が、第２リフタ１１２ａの太部３２２の下方に位置するよう、第２アクチュエータ２０２ａが、接続部材２１１ａを水平方向且つリフタ並び方向に移動させる。そして、第１アクチュエータ２０１が、接続部材２１１ａを上昇させることにより、一対の支持部２２１の先端側が、第１リフタ１１１ａの太部３２２の底面に当接し係合する。この際、通過孔２２２が存在するため、一対の支持部は、第２リフタ１１２には当接しない。その後も、第１アクチュエータ２０１が、接続部材２１１ａを昇降させることにより、第１リフタ１１１ａのみが上昇する。

なお、図７～図１０の例は、ウェハ支持台１０１に、エッジリングＥとカバーリングＣという２つの消耗部材が載置される場合の例である。ただし、ウェハ支持台１０１には、３以上の消耗部材が載置され、消耗部材それぞれについてリフタが設けられる場合がある。この場合、昇降機構２００ａの係合部２２０の形状として適切なものを採用し、且つ、接続部材２１１ａを昇降させるときの接続部材２１１ａの駆動位置（すなわち水平方向位置）を適切に設定すれば、任意の１種類以上のリフタを係合部２２０に選択的に係合させ昇降機構２００ａで選択的に昇降させることができる。

例えば、エッジリングＥ及びカバーリングＣの他に、消耗部材が１つウェハ支持台１０１に載置される場合であって、図１１に示すように、他の消耗部材に対するリフタとして、第１リフタ１１１ａ等と同様な形状の第３リフタ４５０が、第１リフタ１１１ａと第２リフタ１１２ａとの間に設けられる場合がある。この場合、図７等に示した形状の係合部２２０（及び接続部材２１１ａ）を採用することで、当該係合部２２０に、第１リフタ１１１ａと第３リフタ４５０とを同時に係合させたり、第２リフタ１１２ａと第３リフタ４５０とを同時に係合させたりすることができる。つまり、当該係合部２２０を有する昇降機構２００ａによって、第１リフタ１１１ａと第３リフタ４５０とを同時に昇降させたり、第２リフタ１１２ａと第３リフタ４５０とを同時に昇降させたりすることができる。また、上述の場合、係合部２２０の形状によっては、第１リフタ１１１ａ、第２リフタ１１２ａ及び第３リフタ４５０のうちのいずれか１つのみを、係合部２２０に選択的に係合させ、選択的に昇降させることができる。

なお、任意の２種類以上のリフタを係合部２２０に選択的に係合させ昇降機構２００ａで選択的に同時に昇降させることができれば、複数の消耗部材を同時に交換することができる。

図１２は、接続部に設けられる係合部の他の例を説明するための図である。
図７等に示した第１リフタ１１１ａまたは第２リフタ１１２ａではなく、図４等に示した第１リフタ１１１または第２リフタ１１２を用いる場合等においては、図１２に示すような係合部２２０ａを、第２アクチュエータ２０２ａによって水平方向に移動される接続部材２１１ｂに設けてもよい。係合部２２０ａは、所定の半径の棒状に形成されており、接続部材２１１ｂに固定され、その上端が、第１リフタ１１１または第２リフタ１１２に選択的に係合する。

図１３は、エッジリング及びカバーリングの他の例を説明するための断面図である。図１４は、第１リフタ及び第２リフタの配設位置の他の例を説明するための図である。図１５は、昇降ユニットの別の例を説明するための図である。図１６は、図１５の昇降ユニットの接続部材の平面図である。

図１３に示すように、エッジリングＥａ及びカバーリングＣａは、平面視で互いに一部が重なるように形成されている場合がある。図１３の例では、エッジリングＥａの外周部が、カバーリングＣの内周部の上方に位置するように、エッジリングＥａ及びカバーリングＣａは形成され配設されている。

上述のようにエッジリングＥａ及びカバーリングＣａが平面視で互いに一部が重なるように形成されている場合においては、図１４に示すように、平面視で、第１リフタ１１１ａ及び第２リフタ１１２ａが、エッジリングＥａ及びカバーリングＣａが平面視で互いに一部が重なる領域に沿って、同一円周上に配設されていてもよい。

ただし、図３に示したように、第１リフタ及び第２リフタが異なる円周上に設けられる形態の方が、エッジリング及びカバーリングを平面視で互いに一部が重なる形状にする必要がないため、エッジリング及びカバーリングの形状の制約、エッジリング及びカバーリングの形状に起因するそれぞれの強度の制約の面で好ましい。

また、第１リフタ１１１ａ及び第２リフタ１１２ａが上述のように同一円周上に配設される場合においては、図１５に示すように、第１リフタ１１１ａが挿通される挿通孔１１３ａ及び第２リフタ１１２ｂが挿通される挿通孔１１４は、例えば、その両方が支持体１０５’に形成される。

そして、カバーリングＣａには、挿通孔１１３に対応する位置に貫通孔Ｃａ１が形成されている。そのため、第１リフタ１１１ａが上昇したときに、当該第１リフタ１１１ａは、カバーリングＣａの貫通孔Ｃａ１を通過する。したがって、第１リフタ１１１ａが上昇したときに、カバーリングＣａと係合せずに、エッジリングＥａ（具体的にはその底面）と当接し、係合する。

また、本例のように、第１リフタ１１１ａ及び第２リフタ１１２ａが配設される場合において、第１リフタ１１１ａ及び第２リフタ１１２ａを選択的に昇降させる昇降機構として、図７に示した昇降機構２００ａを用いてもよいが、図１５の昇降機構２００ｂを用いてもよい。

図７に示した昇降機構２００ａでは、係合部２２０を水平方向に移動させる際、当該係合部２２０が設けられた接続部材２１１ａを水平方向且つリフタ並び方向に直線的に移動させていた。それに対し、図１５の昇降機構２００ｂは、係合部２２０ａを水平方向に移動させる際、係合部２２０ａが設けられた接続部材２１１ｃを水平方向に回動させる。

接続部材２１１ｃは、水平面内で、第１アクチュエータ２０１ａの昇降軸２０３ａを中心として回動可能に、当該昇降軸２０３ａに支持されている。
接続部材２１１ｃの回転は、例えば、第１アクチュエータ２０１ａに駆動される。この場合、昇降軸２０３ａは回転軸としても機能する。なお、接続部材２１１ｃの回転は、第１アクチュエータ２０１ａとは別体のアクチュエータによって駆動されてもよい。

第１アクチュエータ２０１ａが、接続部材２１１ｃの昇降及び回動の両方を駆動することにより、昇降機構２００ａの配設スペースの大型化をさらに抑制することができる。

また、接続部材２１１ｃを水平方向に回動させる場合、平面視で第１リフタ１１１ａと第２リフタ１１２ａの間となる位置に、接続部材２１１ｃが設けられている。接続部材２１１ｃの係合部２２０ａは、例えば、図１６に示すように、リフタ並び方向の両端に、係止部２３１を有する。係止部２３１はそれぞれ、所定の幅で内側に切り欠かれたような切り欠き２３２を有する。上記所定の幅とは、第１リフタ１１１ａ及び第２リフタ１１２ａの細部３２３、４２３の直径より大きく、第１リフタ１１１ａ及び第２リフタ１１２ａの太部３２２、４２２の直径より小さい幅である。

昇降機構２００ｂは、第１リフタ１１１ａを選択的に上昇させる場合、以下のように動作する。すなわち、第１リフタ１１１ａに対応する係止部２３１が、第１リフタ１１１ａの太部３２２の下方に位置するように、第１アクチュエータ２０１ａが、接続部材２１１ｃを水平面内で回動させる。そして、第１アクチュエータ２０１ａが、接続部材２１１ｃを上昇させることにより、上記対応する係止部２３１が、第１リフタ１１１ａの太部３２２の底面に当接し係合する。その後も、第１アクチュエータ２０１ａが、接続部材２１１ｃを昇降させることにより、第１リフタ１１１ａのみが上昇する。

一方、昇降機構２００ｂは、第２リフタ１１２ａを選択的に上昇させる場合、以下のように動作する。すなわち、第２リフタ１１２ａに対応する係止部２３１が、第２リフタ１１２ａの太部４２２の下方に位置するように、第１アクチュエータ２０１ａが、接続部材２１１ｃを水平面内で回動させる。そして、第１アクチュエータ２０１ａが、接続部材２１１ｃを上昇させることにより、上記対応する係止部２３１が、第２リフタ１１２ａの太部４２２の底面に当接し係合する。その後も、第１アクチュエータ２０１ａが、接続部材２１１ｃを昇降させることにより、第２リフタ１１２ａのみが上昇する。

なお、エッジリングＥａ及びカバーリングＣａが平面視で互いに一部が重なるように形成されている場合の昇降ユニットＵｂでは、例えば、カバーリングＣａがウェハ支持台１０１に載置されているか否かによらず、エッジリングＥａをカバーリングＣａと独立して昇降させることができる。そのため、カバーリングＣａがウェハ支持台１０１に載置されているか否かによらず、エッジリングＥａをカバーリングＣａとは独立して交換することができる。
また、エッジリングＥａ及びカバーリングＣａが平面視で互いに一部が重なるように形成されている場合の昇降ユニットＵｂでは、例えば、エッジリングＥａがウェハ支持台１０１に載置されている場合、カバーリングＣａをエッジリングＥａと一体に昇降させる。そのため、エッジリングＥａがウェハ支持台１０１に載置されている場合は、カバーリングＣａの交換はエッジリングＥａの交換と同時に行われる。

なお、昇降機構２００ｂの係合部２２０ｂの形状は、第１リフタ及び第２リフタの形状によっては、図１１に示した係合部２２０ａのような形状であってもよい。

図１７は、昇降ユニットの別の例を示す図である
以上の昇降ユニットの昇降機構は、複数のリフタの一部に選択的に係合する係合部を有していた。
それに対し、図１７の昇降ユニットＵｃの昇降機構２００ｃは、リフタ毎に、当該リフタに係合する係合部を有する。そして、昇降機構２００ｃは、係合部それぞれを昇降させるための駆動力を発生する部分が一体化されたアクチュエータ５０１をさらに有する。つまり、昇降ユニットＵｃでは、リフタ間で、昇降機構２００ｃの一部であるアクチュエータ５０１を共有している。以下、昇降機構２００ｃをより具体的に説明する。

昇降機構２００ｃは、アクチュエータ５０１の他、第１リフタ１１１に対応する支持部材５１１及び連結部材５１２と、第２リフタ１１２に対応する支持部材５１３及び連結部材５１４を有する。

アクチュエータ５０１は、第１リフタ１１１に対応する昇降軸５０２と、第２リフタ１１２に対応する昇降軸５０３と、を有する。

支持部材５１１及び支持部材５１３は、例えば、所定の半径の棒状に形成されて、上下方向に延在するように設けられる。

例えば、支持部材５１１の上端５２１が、第２リフタ１１２とは係合せず第１リフタ１１１と係合する第１係合部となる。支持部材５１１は、連結部材５１２を介して、アクチュエータ５０１の第１リフタ１１１に対応する昇降軸５０２に接続されている。

また、例えば、支持部材５１３の上端５２２が、第１リフタ１１１とは係合せず第２リフタ１１２と係合する第２係合部となる。支持部材５１３は、連結部材５１４を介して、アクチュエータ５０１の第２リフタ１１２に対応する昇降軸５０３に接続されている。

昇降機構２００ｃでは、アクチュエータ５０１が、上記第１係合部を昇降させるための駆動力を発生する駆動源と上記第２係合部を昇降させるための駆動力を発生する駆動源とが一体化された駆動源を有する。そして、昇降機構２００ｃでは、上記一体化された駆動源が、第１リフタ１１１と第２リフタ１１２との間で共有されている。なお、上記一体化された駆動源とは、ＤＣモータ、ステッピングモータ、リニアモータ等のモータ、ピエゾアクチュエータ、エア駆動源等である。

昇降機構２００ｃでは、支持部材５１１及び支持部材５１３のうち、支持部材５１１のみを、昇降軸５０２を介して昇降させることにより、第１リフタ１１１を選択的に昇降させることができ、エッジリングＥを選択的に交換することができる。
また、昇降機構２００ｃでは、支持部材５１１及び支持部材５１３のうち、支持部材５１３のみを、昇降軸５０３を介して昇降させることにより、第２リフタ１１２を選択的に昇降させることができ、カバーリングＣを選択的に交換することができる。
さらに、昇降機構２００ｃでは、支持部材５１１及び支持部材５１３の両方を、昇降軸５０２、５０３を介して昇降させることにより、第１リフタ１１１及び第２リフタ１１２を同時に昇降させることができ、エッジリングＥ及びカバーリングＣを同時に交換することができる。

なお、第１リフタ１１１の選択的な昇降と、第２リフタ１１２の選択的な昇降と第１リフタ１１１及び第２リフタ１１２の同時昇降との切り換えは、アクチュエータ５０１に供給する、プラズマ処理システム１が設置された工場の用力（電力、エア等）により、行うことができる。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

１０１ ウェハ支持台
１０４ａ 上面
１０４ｂ 上面
１０５ａ 上面
１１１ 第１リフタ
１１１ａ 第１リフタ
１１２ 第２リフタ
１１２ａ 第２リフタ
１１２ｂ 第２リフタ
４５０ 第３リフタ
２００ 昇降機構
２００ａ 昇降機構
２００ｂ 昇降機構
２００ｃ 昇降機構
Ｃ カバーリング
Ｃａ カバーリング
Ｅ エッジリング
Ｅａ エッジリング
Ｗ ウェハ

Claims (13)

1. 基板が載置される基板載置面と、
   消耗部材が複数載置される部材載置面と、を有し、
   複数の前記消耗部材それぞれについて、前記部材載置面に対して昇降し当該消耗部材にのみ係合し他の前記消耗部材とは係合しないリフタを有し、
   前記リフタを他の前記リフタとは独立して昇降させる昇降機構を有し、
   前記リフタ間で、前記昇降機構の少なくとも一部を共有する、基板支持台。
2. 前記昇降機構は、
   前記複数の消耗部材のうちの一部に対する前記リフタに選択的に係合する係合部と、
   前記係合部を昇降させる第１アクチュエータと、
   前記係合部を水平方向に移動させる第２アクチュエータと、を有し、
   前記第２アクチュエータは、水平方向における、所望の前記リフタに前記係合部が係合する位置に、前記係合部を移動させ、
   前記第１アクチュエータは、前記所望の前記リフタが係合した前記係合部を昇降させる、請求項１に記載の基板支持台。
3. 前記昇降機構は、
   前記第１アクチュエータに接続された接続部材と、
   水平方向に移動自在に前記接続部材に支持され、前記係合部が設けられ、前記第２アクチュエータに接続された支持部材と、をさらに有し、
   前記第２アクチュエータは、前記支持部材を水平方向に移動させることにより、前記係合部を水平方向に移動させ、
   前記第１アクチュエータは、前記接続部材を昇降させることにより、前記係合部を昇降させる、請求項２に記載の基板支持台。
4. 前記昇降機構は、
   前記係合部が設けられ、水平方向に移動可能に前記第１アクチュエータに接続されると共に、前記第２アクチュエータに接続された接続部材をさらに有し、
   前記第２アクチュエータは、前記接続部材を水平方向に移動させることにより、前記係合部を水平方向に移動させ、
   前記第１アクチュエータは、前記接続部材を昇降させることにより、前記係合部を昇降させる、請求項３に記載の基板支持台。
5. 前記第２アクチュエータは、前記接続部材を、前記リフタが並ぶ方向に、直線的に移動させる、請求項４に記載の基板支持台。
6. 前記第２アクチュエータは、前記接続部材を回動させる、請求項４に記載の基板支持台。
7. 前記係合部は、複数の前記リフタに同時に係合し、
   前記昇降機構は、前記係合部に係合した複数の前記リフタを同時に昇降させる、請求項２～６のいずれか１項に記載の基板支持台。
8. 前記昇降機構は、
   前記リフタ毎に、当該リフタに係合する係合部を有し、
   前記係合部それぞれを昇降させるための駆動力を発生する部分が一体化されたアクチュエータをさらに有する、請求項１に記載の基板支持台。
9. 前記リフタはそれぞれ、互いに間隔を空けて３本以上設けられている、請求項１～８のいずれか１項に記載の基板支持台。
10. 前記消耗部材は、環状に形成されている、請求項１～９のいずれか１項に記載の基板支持台。
11. 前記複数の前記消耗部材は、
    前記基板載置面に載置された基板に隣接するように配置されるエッジリングと、
    前記エッジリングの外側面を覆うカバーリングと、を含む、請求項１０に記載の基板支持台。
12. 基板が載置される基板載置面と、
    消耗部材が複数載置される部材載置面と、
    前記部材載置面に対して、１以上の前記消耗部材を、他の前記消耗部材とは独立して昇降させる昇降ユニットと、を有する、基板支持台。
13. 請求項１～１２のいずれか１項に記載の基板支持台を有し、前記基板支持台上の基板に対しプラズマ処理を行うプラズマ処理装置。
    

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