KR20220039886A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220039886A
KR20220039886A KR1020200121436A KR20200121436A KR20220039886A KR 20220039886 A KR20220039886 A KR 20220039886A KR 1020200121436 A KR1020200121436 A KR 1020200121436A KR 20200121436 A KR20200121436 A KR 20200121436A KR 20220039886 A KR20220039886 A KR 20220039886A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
type sensor
chamber
unit
alignment unit
Prior art date
Application number
KR1020200121436A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102635383B1 (ko
Inventor
장용석
박인규
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020200121436A priority Critical patent/KR102635383B1/ko
Priority to US17/476,890 priority patent/US11756813B2/en
Priority to CN202111110321.3A priority patent/CN114256101A/zh
Publication of KR20220039886A publication Critical patent/KR20220039886A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102635383B1 publication Critical patent/KR102635383B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67386—Closed carriers characterised by the construction of the closed carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67369—Closed carriers characterised by shock absorbing elements, e.g. retainers or cushions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67379—Closed carriers characterised by coupling elements, kinematic members, handles or elements to be externally gripped
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775—Docking arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 용기가 안착되는 로드 포트, 그리고 상기 로드 포트와 접속되는 인덱스 챔버를 가지는 인덱스 부; 및 상기 인덱스 챔버와 접속되는 로드락 챔버, 상기 로드락 챔버로 반송된 기판을 제2반송 로봇으로부터 전달 받아 처리하는 공정 챔버를 가지는 공정 처리 부를 포함하고, 상기 인덱스 부는, 상기 인덱스 챔버 내에 제공되고, 상기 공정 챔버로 반송되는 기판형 센서를 정렬하는 얼라인 유닛을 더 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화 된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 웨이퍼 등의 기판 상에 형성된 박막을 제거하는 에칭 공정을 포함할 수 있다. 에칭 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및/또는 라디칼들이 기판 상의 박막과 충돌하거나, 박막과 반응됨으로써 수행된다.
이러한 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치는 진공 분위기로 된 공정 챔버, 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 척과, 지지 척에 안착된 기판의 외주를 둘러싸는 포커스 링을 포함한다. 포커스 링은 기판 표면 상에서 플라즈마를 균일성 높게 분포시키기 위해서 설치되며, 플라즈마에 의해 기판과 함께 에칭된다. 기판에 대한 에칭이 반복적으로 행해지면, 포커스 링도 함께 에칭 되기에 포커스 링의 형상은 점차 변화된다. 이러한 포커스 링의 형상 변화에 따라 이온 및/또는 라디칼이 기판에 입사하는 방향이 변화되어 기판에 대한 에칭 특성이 변화된다. 따라서, 기판에 대한 에칭 처리가 소정 매수 이상 수행되는 경우, 또는 포커스 링의 형상이 변화되어 허용 범위 밖에 있는 경우에는 포커스 링에 대한 교체가 필요하다.
포커스 링의 교체는 반송 로봇이 사용된 포커스 링을 공정 챔버에서 반출하여 링 포드(Ring Pod)로 반입하고, 이후 링 포드에서 신규 포커스 링을 반출하여 공정 챔버로 반입하여 이루어진다. 이때, 반송 로봇이 신규 포커스 링을 공정 챔버 내의 원하는 위치에 적절히 안착시키는 것이 중요하다. 신규 포커스 링의 위치가 적절하지 못하면 플라즈마를 이용한 기판 처리가 적절히 수행되지 못하기 때문이다.
이에, 일반적으로는 포커스 링이 공정 챔버 내에 적절히 안착되었는지를 확인하기 위해서, 공정 챔버에서 피처리물인 기판과 유사한 형상을 가지는 웨이퍼형 센서를 이용한다. 웨이퍼형 센서는 피처리물인 기판과 동일하거나, 그보다 약간 큰 직경을 가진다. 이에, 웨이퍼형 센서는 피처리물인 기판을 반송하는 반송 로봇에 의해 반송될 수 있다. 또한, 웨이퍼형 센서에는 공정 챔버 내부의 이미지를 획득할 수 있는 이미지 획득 모듈(예컨대, 카메라 등)이 제공된다. 이에, 웨이퍼형 센서가 공정 챔버 내로 반입되면, 웨이퍼형 센서의 이미지 획득 모듈이 공정 챔버 내부의 이미지를 획득할 수 있다. 또한, 웨이퍼형 `센서가 획득하는 이미지를 통해 사용자는 공정 챔버 내에 놓인 포커스 링이 원하는 위치에 안착되었는지를 확인할 수 있다. 또한, 이러한 웨이퍼형 센서는 반송 로봇의 오토 티칭(Auto Teaching)에도 이용된다.
이와 같이, 웨이퍼형 센서를 이용하여 포커스 링의 안착 위치를 정확히 확인하고, 반송 로봇의 오토 티칭을 정밀하게 수행하기 위해서는, 웨이퍼형 센서의 센터링(Centering)을 정확히 확보하는 것이 중요하다. 예컨대, 웨이퍼형 센서에 형성된 노치 위치, 웨이퍼형 센서가 반송 핸드에 놓이는 위치를 적절히 정렬하는 것이 중요하다. 이를 위해 일반적으로는 웨이퍼형 센서의 노치를 정렬하거나, 웨이퍼형 센서의 센터링을 정렬하는 구조물을 가지는 웨이퍼형 센서 전용 용기(예컨대, 웨이퍼형 센서 전용 FOUP)을 이용하고 있다.
그러나, 이 경우, 웨이퍼형 센서 전용 용기로부터 반출된 이후에는 웨이퍼형 센서를 정렬시킬 수가 없다. 또한, 웨이퍼형 센서를 정렬시킬 수 있는 구조물을 가지는 전용 용기를 별도로 제작해야 한다. 또한, 이와 같은 전용 용기를 처리 환경, 설비 구조가 서로 상이한 다양한 기판 처리 장치에 사용하는 데에는 한계가 있다.
본 발명은 기판형 센서를 효과적으로 정렬할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정 챔버의 내부에 대한 이미지를 효과적으로 획득할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 반송 로봇에 대한 오토 티칭을 효과적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재들로부터 통상의 기술자가 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 용기가 안착되는 로드 포트, 그리고 상기 로드 포트와 접속되는 인덱스 챔버를 가지는 인덱스 부; 및 상기 인덱스 챔버와 접속되는 로드락 챔버, 상기 로드락 챔버로 반송된 기판을 제2반송 로봇으로부터 전달 받아 처리하는 공정 챔버를 가지는 공정 처리 부를 포함하고, 상기 인덱스 부는, 상기 인덱스 챔버 내에 제공되고, 상기 공정 챔버로 반송되는 기판형 센서를 정렬하는 얼라인 유닛을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 얼라인 유닛은, 상기 기판형 센서를 지지하는 지지 부재; 및 상기 기판형 센서에 형성된 노치의 정렬 여부를 센싱하는 센서 부재를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 부재는, 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판형 센서를 제1방향 및/또는 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 제2방향으로 이동시키는 위치 조정 부; 상기 기판형 센서를 지지하는 지지 면을 가지는 지지 판; 및 상기 지지 판을 회전시키는 회전 축을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 판에는, 상기 지지 면에 지지된 상기 기판형 센서를 진공 흡착하는 흡착 홀이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 얼라인 유닛은, 상기 흡착 홀에 감압을 제공하는 감압 부재를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 센서 부재는, 광을 조사하는 조사 부; 및 상기 조사 부가 조사하는 상기 광을 수광하는 수광 부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 인덱스 부는, 상기 인덱스 챔버 내에 제공되고, 상기 용기로부터 상기 기판형 센서를 반출하는 제1반송 로봇을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 용기로부터 상기 기판형 센서를 반출하여 상기 지지 판에 상기 기판형 센서를 안착시키고, 상기 지지 판의 위치를 변경 및/또는 상기 지지 판을 회전시켜 상기 기판형 센서를 얼라인시키도록 상기 제1반송 로봇, 그리고 상기 얼라인 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서에 대한 얼라인을 완료한 경우, 상기 기판형 센서를 상기 로드락 챔버로 반송하도록 상기 제1반송 로봇을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서를 얼라인하는 것이 불가능하다고 판단하는 경우, 상기 지지 판에 안착된 상기 기판형 센서를 상기 용기로 반송하도록 상기 제1반송 로봇을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 흡착 홀과 연결되는 감압 라인에 기체가 설정 시간 이상 흐르는 경우, 상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서를 얼라인하는 것이 불가능하다고 판단할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 기판형 센서를 설정 각도 이상 회전시켰음에도 상기 센서 부재가 상기 노치를 센싱하지 못하는 경우, 상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서를 얼라인하는 것이 불가능하다고 판단할 수 있다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 공정 챔버; 상기 처리 공간의 이미지를 획득하는 기판형 센서를 수납하는 용기가 안착 가능한 로드 포트와 접속되고, 내부 분위기가 대기압 분위기로 유지되는 인덱스 챔버; 상기 인덱스 챔버와 상기 공정 챔버 간에 상기 기판 또는 상기 기판형 센서를 반송하는 적어도 하나 이상의 반송 로봇; 및 상기 인덱스 챔버 내에 제공되며, 상기 기판형 센서를 정렬하는 얼라인 유닛을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 용기로부터 상기 기판형 센서를 반출하여 상기 얼라인 유닛으로 반송하고, 상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서에 형성되는 노치 위치를 정렬하도록 상기 반송 로봇, 그리고 상기 얼라인 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 얼라인 유닛이 상기 노치의 위치에 대한 정렬을 완료한 경우, 상기 기판형 센서를 상기 공정 챔버로 반송하도록 상기 반송 로봇을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 얼라인 유닛이 상기 노치의 위치를 정렬하는 것이 불가능하다고 판단하는 경우, 상기 기판형 센서를 상기 용기로 반송하도록 상기 반송 로봇을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 얼라인 유닛이 가지고, 상기 기판형 센서를 진공 흡착하는 흡착 홀과 연결되는 감압 라인에 기체가 설정 시간 이상 흐르는 경우, 상기 얼라인 유닛이 상기 노치의 위치를 정렬하는 것이 불가능하다고 판단할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서를 설정 각도 이상 회전시켰음에도 상기 얼라인 유닛이 가지며 상기 노치를 센싱하는 센서 부재가 상기 노치를 센싱하지 못하는 경우, 상기 얼라인 유닛이 상기 노치의 위치를 정렬하는 것이 불가능하다고 판단할 수 있다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 상기 기판, 그리고 이미지 획득 모듈을 가지는 기판형 센서를 수납할 수 있는 용기가 안착되는 로드 포트를 가지는 인덱스 부; 기판을 처리하는 공정 챔버를 가지는 공정 처리 부; 및 제어기를 포함하고, 상기 인덱스 부는, 상기 로드 포트와 접속되고, 대기압 분위기로 유지되는 인덱스 챔버; 상기 인덱스 챔버 내에 제공되며, 상기 기판형 센서를 정렬하는 얼라인 유닛; 및 상기 기판 또는 상기 기판형 센서를 상기 인덱스 챔버와 상기 공정 처리 부 사이에 반송하는 제1반송 로봇을 포함하고, 상기 공정 처리 부는, 상기 인덱스 챔버와 접촉되며, 내부 분위기가 진공압 분위기와 대기압 분위기 사이에 전환되는 로드락 챔버; 상기 로드 포트와 접촉되고, 내부 분위기가 진공압 분위기로 유지되는 반송 챔버; 및 상기 반송 챔버 내에 제공되고, 상기 로드 포트에 반입된 상기 기판 또는 상기 기판형 센서를 상기 공정 챔버로 반송하는 제2반송 로봇을 포함하고, 상기 얼라인 유닛은, 상기 기판형 센서를 지지하는 지지 면을 가지고, 상기 지지 면에 지지된 상기 기판형 센서를 진공 흡착하는 흡착 홀이 형성된 지지 판; 상기 지지 판을 회전시키는 회전 축; 상기 지지 판에 지지된 상기 기판형 센서를 제1방향 및/또는 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 제2방향으로 이동시키는 위치 조정 부; 및 광을 조사하는 조사 부, 그리고 상기 조사 부가 조사하는 상기 광을 수광하여 상기 기판형 센서에 형성된 노치를 센싱하는 센서 부재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 용기로부터 상기 기판형 센서를 반출하여 상기 지지 판에 상기 기판형 센서를 안착시키도록 상기 제1반송 로봇을 제어하고, 상기 지지 판의 위치를 변경 및/또는 상기 지지 판을 회전시켜 상기 기판형 센서를 얼라인하도록 상기 얼라인 유닛을 제어하고, 상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서에 대한 얼라인을 완료한 경우, 상기 기판형 센서를 상기 로드락 챔버로 반송하도록 상기 제1반송 로봇을 제어하고, 상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서에 대한 얼라인이 불가능하다고 판단하는 경우, 상기 지지 판에 안착된 상기 기판형 센서를 상기 용기로 반송하도록 상기 제1반송 로봇을 제어하되, 상기 제어기는, 상기 흡착 홀과 연결되는 갑압 라인에 기체가 설정 시간 이상 흐르거나, 상기 기판형 센서를 설정 각도 이상 회전시켰음에도 상기 센서 부재가 상기 노치를 센싱하지 못하는 경우, 상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서를 얼라인하는 것이 불가능하다고 판단할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판형 센서를 효과적으로 정렬할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 공정 챔버의 내부에 대한 이미지를 효과적으로 획득할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 반송 로봇에 대한 오토 티칭을 효과적으로 수행할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 제1용기를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 도어를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2의 지지 슬롯, 그리고 얼라인 블록의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 2의 지지 부에 안착되는 링 부재를 보여주는 도면이다.
도 6의 용기에 안착되는 캐리어, 그리고 캐리어를 지지하는 캐리어 지지 구조의 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 1의 제2용기를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 1의 프로세스 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8의 처리 공간에 기판형 센서가 진입한 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 기판형 센서가 획득하는 처리 공간의 내부 이미지의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 11은 본 발명의 기판형 센서가 획득하는 처리 공간의 내부 이미지의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 12는 도 1의 얼라인 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 13은 도 12의 얼라인 유닛을 상부에서 바라본 도면이다.
도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판형 센서의 반송 시퀀스를 보여주는 플로우 차트이다.
도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 기판형 센서를 반송하는 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하에서는, 도 1 내지 도 15를 참조하여 본 발명의 실시 예에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 인덱스 부(100), 공정 처리 부(300), 그리고 제어기(700)를 포함할 수 있다. 인덱스 부(100)와 공정 처리 부(300)는 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)을 따라 배열될 수 있다. 이하에서는, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(X)과 수직한 방향을 제2방향(Y)으로 정의한다. 또한, 제1방향(X) 및 제2방향(Y)과 수직한 방향을 제3방향(Z)으로 정의한다. 여기서 제3방향(Z)은 지면에 대하여 수직한 방향을 의미할 수 있다.
인덱스 부(100)는 로드 포트(110), 인덱스 챔버(130), 제1반송 로봇(150), 사이드 버퍼(170), 그리고 얼라인 유닛(600)을 포함할 수 있다.
로드 포트(110)에는 용기(200a, 200b, 200c)가 안착될 수 있다. 로드 포트(110)에는 다양한 종류의 용기(200a, 200b, 200c)가 안착될 수 있다. 예컨대, 로드 포트(110)에는 서로 상이한 물품을 수납하는 다양한 종류의 용기(200a, 200b, 200c)가 안착될 수 있다. 예컨대, 용기(200a, 200b, 200c)들 중 제1용기(200a)에는 후술하는 프로세스 챔버(370)로 반송되는 링 부재(R) 및/또는 링 부재(R)를 반송하는데 이용되는 캐리어(C)가 수납될 수 있다. 또한, 제2용기(200b)에는 후술하는 기판형 센서(WS)가 수납될 수 있다. 또한, 제3용기(200c)에는 프로세스 챔버(370)에서 처리되는 피처리물인 기판(W, 예컨대 웨이퍼)이 수납될 수 있다.
그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 제1용기(200a)에는 링 부재(R), 캐리어(C), 기판형 센서(WS), 기판(W) 중 적어도 어느 하나가 수납될 수 있다. 이와 유사하게, 제2용기(200b), 그리고 제3용기(200c)에도 링 부재(R), 캐리어(C), 기판형 센서(WS), 기판(W) 중 적어도 어느 하나가 수납될 수 있다.
용기(200a, 200b, 200c)는 용기 반송 장치에 의해 로드 포트(110)로 반송되어 로드 포트(110)에 로딩(Loading)되거나, 로드 포트(110)로부터 언 로딩(Unloading)되어 반송될 수 있다. 용기 반송 장치는 오버 헤드 트랜스퍼 장치(Overhead transport apparatus, 이하 OHT)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 용기(200a, 200b, 200c)를 반송하는 다양한 장치에 의해 반송될 수 있다. 또한, 작업자가 용기(200a, 200b, 200c)를 직접 로드 포트(110)에 로딩시키거나, 로드 포트(110)에 안착된 용기(200a, 200b, 200c)를 로드 포트(110)로부터 언 로딩시킬 수 있다.
도 2는 도 1의 제1용기를 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 제1용기(200a)는 하우징(210a), 플랜지(220a), 그립 부(230a), 도어(240a), 지지 부(250a), 그리고 캐리어 지지 구조(270a)를 포함할 수 있다.
하우징(210a)은 내부 공간을 가질 수 있다. 하우징(210a)의 내부 공간에는 링 부재(R), 그리고 캐리어(C)들 중 적어도 어느 하나가 수납될 수 있다. 하우징(210a)의 상면에는 플랜지(220a)가 설치될 수 있다. 플랜지(220a)는 용기 반송 장치, 예컨대 오버 헤드 트랜스퍼 장치(OHT)가 가지는 그립퍼에 의해 파지될 수 있다.
또한, 하우징(210a)의 측면에는 그립 부(230a)가 설치될 수 있다. 그립 부(230a)는 하우징(210a)의 양 측면에 설치될 수 있다. 그립 부(230a)는 작업자로 하여금 제1용기(200a)를 파지할 수 있게 하는 핸들일 수 있다. 이에, 작업자는 그립 부(230a)를 파지하여 제1용기(200a)를 로드 포트(110)에 직접 안착시키거나, 로드 포트(110)로부터 제1용기(200a)를 분리할 수 있다.
도어(240a)는 하우징(210a)의 내부 공간을 선택적으로 개폐시킬 수 있다. 도어(240a)는 하우징(210a)과 서로 조합되어 내부 공간을 형성할 수 있다. 도어(240a)는 하우징(210a)의 전면 부에 도킹되거나, 하우징(210a)의 전면 부로부터 언 도킹될 수 있다. 도어(240a)가 가지는 면들 중 하우징(210a)의 내부 공간과 대향하는 면에는 도 3에 도시된 바와 같이 내부 공간에 수납된 링 부재(R)를 클램핑하는 리테이너(242)가 제공될 수 있다. 리테이너(242)는 상하 방향을 따라 연장되는 구조를 가질 수 있다. 리테이너(242)는 내부 공간에 수납된 링 부재(R)의 측부를 클램핑 하여, 내부 공간에 수납된 링 부재(R)의 위치 변경을 제한시킬 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 하우징(210a)의 내부 공간에는 지지 부(250a)가 제공될 수 있다. 지지 부(250a)는 하우징(210a)의 내부 공간에서 링 부재(R)를 지지할 수 있다. 지지 부(250a)는 지지 슬롯(252a), 분리 판(256a), 그리고 얼라인 블록(260a)을 포함할 수 있다.
지지 슬롯(252a)은 링 부재(R)를 지지할 수 있다. 지지 슬롯(252a)은 링 부재(R)의 가장자리 영역 저면을 지지할 수 있다. 예컨대, 지지 슬롯(252a)은 링 부재(R)의 가장자리 영역 저면의 적어도 일부를 지지할 수 있다. 또한, 지지 슬롯(252a)은 링 부재(R)의 가장자리 영역 저면의 일 측 및 타 측을 지지할 수 있다.
지지 슬롯(252a)은 적어도 하나 이상이 제공될 수 있다. 예컨대, 지지 슬롯(252a)은 복수로 제공될 수 있다. 또한, 지지 슬롯(252a)들은 상하 방향인 제3방향(Z)을 따라 배열될 수 있다. 이에, 지지 슬롯(252a)들에 의해 지지되는 링 부재(R)들은 상하 방향을 따라 하우징(210a)의 내부 공간에서 수납 될 수 있다.
분리 판(256a)은 하우징(210a)의 내부 공간을 구획할 수 있다. 예컨대, 분리 판(256a)은 하우징(210a)의 내부 공간을 캐리어(C)가 수납되는 공간, 그리고 링 부재(R)가 수납되는 공간으로 분리할 수 있다. 분리 판(256a)은 지지 슬롯(252a)들 중 가장 아래에 설치되는 지지 슬롯(252a)에 결합될 수 있다. 예컨대, 분리 판(256a)은 지지 슬롯(252a)들 중 가장 아래에 설치되는 지지 슬롯(252a)의 하면과 결합될 수 있다. 분리 판(256a)은 하우징(210a)의 내부 공간을 캐리어(C)가 수납되는 공간, 그리고 링 부재(R)가 수납되는 공간으로 분리하여, 제1반송 로봇(150)의 핸드가 하우징(210a)의 내부 공간으로 반입시, 캐리어(C)와 제1반송 로봇(150)의 핸드가 서로 충돌하는 위험을 최소화 할 수 있다. 또한, 분리 판(256a)은 하우징(210a)의 내부 공간으로 사용된 링 부재(R)가 반입시, 링 부재(R)에 부착된 불순물이 캐리어(C)에 전달되는 것을 최소화 할 수 있다.
도 4는 도 2의 지지 슬롯, 그리고 얼라인 블록의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 얼라인 블록(260a)은 지지 슬롯(252a)에 탈착 가능하게 설치될 수 있다. 얼라인 블록(260a)은 지지 슬롯(252a)에 삽입될 수 있게 제공될 수 있다. 지지 슬롯(252a)에 삽입된(끼워진) 얼라인 블록(260a)은 결합 수단(266)에 의해 고정 결합될 수 있다.
얼라인 블록(260a)의 면들 중 지지 슬롯(252a)과 접촉되는 면들 중 적어도 어느 하나에는 얼라인 블록(260a)의 삽입을 가이드하는 돌출 부(262a)가 형성될 수 있다. 예컨대, 돌출 부(262a)는 얼라인 블록(260a)이 삽입되는 방향을 기준으로 얼라인 블록(260a)의 좌/우 측면에 형성될 수 있다. 또한, 지지 슬롯(252a)의 얼라인 블록(260a)과 접촉되는 면들 중 적어도 어느 하나는 돌출 부(262a)와 대응하는 형상을 가지는 가이드 홈(253)이 형성될 수 있다. 예컨대, 가이드 홈(253)은 지지 슬롯(252a)에 삽입되는 얼라인 블록(260a)의 돌출 부(262a)와 대응하는 위치에 형성될 수 있다.
또한, 상술한 예에서는 얼라인 블록(260a)에 돌출 부(262a)가 형성되고, 지지 슬롯(252a)에 가이드 홈(253)이 형성되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 이와 달리 얼라인 블록(260a)에 가이드 홈이 형성되고, 지지 슬롯(252a)에 돌출 부가 형성될 수도 있다.
또한, 지지 부(250a)는 지지 슬롯(252a)에 삽입된 얼라인 블록(260a)의 위치를 가이드 하는 적어도 하나 이상의 가이드 핀(254)을 포함할 수 있다. 예컨대, 가이드 핀(254)은 지지 슬롯(252a)과 얼라인 블록(260a)이 접촉되는 면 중 어느 하나에 제공될 수 있다. 가이드 핀(254)은 얼라인 블록(260a)에 형성된 홀(미도시)에 삽입될 수 있다. 예컨대, 가이드 핀(254)이 삽입되는 홀은 얼라인 블록(260a)이 지지 슬롯(252a)에 삽입되는 방향을 기준으로 얼라인 블록(260a)의 전면에 형성될 수 있다. 또한, 가이드 핀(254)은 얼라인 블록(260a)에 형성되는 홀과 대응하는 위치에 제공될 수 있다. 가이드 홈(253), 가이드 핀(254), 그리고 돌출 부(262a) 및 홀(미도시)은 얼라인 블록(260a)이 지지 슬롯(252a)에 적절히 삽입되는 것을 돕고, 삽입된 얼라인 블록(260a)의 위치가 변경 및 얼라인 블록(260a)이 지지 슬롯(252a)에 헐겁게 끼워지는 것을 방지할 수 있다.
얼라인 블록(260a)에는 얼라인 핀(264)이 제공될 수 있다. 얼라인 핀(264)은 얼라인 블록(260a)의 상면에 제공될 수 있다. 이에, 얼라인 블록(260a)이 지지 슬롯(252a)에 끼워지면, 지지 슬롯(252a)은 지지하는 링 부재(R)의 위치를 정렬할 수 있다.
도 5는 도 2의 지지 부에 안착되는 링 부재를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면 링 부재(R)는 링 형상을 가질 수 있다. 링 부재(R)는 프로세스 챔버(370)에 제공되는 프로세스 킷(Process Kit)일 수 있다. 예컨대, 링 부재(R)는 프로세스 챔버(370)에 제공되는 링 부재일 수 있다. 예컨대, 링 부재(R)는 ISO 링 이거나, 포커스 링일 수 있다. 링 부재(R)의 하면에는 정렬 홈(G, Groove)이 형성될 수 있다. 링 부재(R)의 하면에 형성되는 정렬 홈(G)은 복수로 제공될 수 있다. 정렬 홈(G) 각각에는 얼라인 블록(260a)에 제공되는 얼라인 핀(264)이 삽입되어 링 부재(R)의 위치를 정렬할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시 예에 따른 얼라인 핀(264)은 제1용기(200a)에 수납된 링 부재(R)에 형성된 홈(G)에 삽입되어 링 부재(R)의 위치를 정렬할 수 있다. 이에, 작업자의 작업 숙련도가 다소 떨어지더라도, 링 부재(R)를 제1용기(200a) 내에 안착시 링 부재(R)의 홈(G)과 얼라인 핀(264)의 위치를 일치시키는 것만으로도 링 부재(R)가 정 위치에 정렬될 수 있다. 이에, 링 부재(R)가 제1용기(200a) 내에서 정렬되지 않아 프로세스 챔버(370)에 반송된 링 부재(R)가 프로세스 챔버(370) 내의 정 위치에 적절히 안착되지 못하는 문제를 해소할 수 있다. 또한, 얼라인 핀(264)은 링 부재(R)에 형성된 홈(G)에 삽입되어, 제1용기(200a)의 반송시 링 부재(R)의 위치 변경을 제한할 수 있다. 이에, 제1용기(200a)가 반송되는 과정에서 링 부재(R)의 위치가 변경되어 프로세스 챔버(370) 내의 정 위치에 적절히 안착되지 못하는 문제를 해소할 수 있다.
도 6의 용기에 안착되는 캐리어, 그리고 캐리어를 지지하는 캐리어 지지 구조의 모습을 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 캐리어(C)는 링 부재(R)을 반송하는데 사용될 수 있다. 캐리어(C)는 상부에서 바라볼 때 대체로 사다리 꼴의 형상을 가지되, 캐리어(C)가 가지는 면들 중 어느 하나는 라운드(Round)진 형상을 가질 수 있다. 캐리어(C)는 캐리어 지지 구조(270a)에 의해 제1용기(200a)의 내부 공간에 저장될 수 있다. 또한, 핸드를 가지는 제1반송 로봇(150)에 의해 회수될 수 있다.
캐리어 지지 구조(270a)는 캐리어(C)를 지지할 수 있다. 캐리어 지지 구조(270a)는 하우징(210a)의 내부 공간에서 캐리어(C)를 지지할 수 있다. 캐리어 지지 구조(270a)는 지지 부(250a)보다 아래에 배치될 수 있다. 캐리어 지지 구조(270a)는 분리 판(256a)이 구획하는 내부 공간 중 아래에 위치되는 내부 공간에 설치될 수 있다. 캐리어 지지 구조(270a)는 제1지지 구조(272), 그리고 제2지지 구조(274)를 포함할 수 있다. 제2지지 구조(274)는 한 쌍으로 제공될 수 있다. 제1지지 구조(272), 그리고 한 쌍의 제2지지 구조(274)는 캐리어(C)의 하면을 세 지점에서 지지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 제1용기(200a)에 수납된 미사용 링 부재(R)를 후술하는 제1반송 로봇(150), 그리고 제2반송 로봇(350)을 이용하여 프로세스 챔버(370)로 반송할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1000)는 프로세스 챔버(370)에서 사용된 링 부재(R)를 후술하는 제1반송 로봇(150), 그리고 제2반송 로봇(350)을 이용하여 제1용기(200a)로 반송할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(1000)는 링 부재(R)에 대한 교체를 자동으로 수행할 수 있게 된다.
도 7은 도 1의 제2용기를 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 제2용기(200b)에는 기판형 센서(WS)가 수납될 수 있다. 기판형 센서(WS)는 웨이퍼형 센서일 수 있다. 기판형 센서(WS)는 후술하는 공정 챔버(510)로 반송되어, 공정 챔버(510)가 가지는 처리 공간의 이미지를 획득하는 이미지 획득 모듈을 가질 수 있다. 또한, 기판형 센서(WS)에는 기판형 센서(WS)의 센터링(Centering)을 확보시 이용되는 노치(N)가 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 제2용기(200b)에 수납된 기판형 센서(WS)를 후술하는 제1반송 로봇(150), 그리고 제2반송 로봇(350)을 이용하여 프로세스 챔버(370)로 반송할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1000)는 프로세스 챔버(370)에서 계측을 수행한 기판형 센서(WS)를 후술하는 제1반송 로봇(150), 그리고 제2반송 로봇(350)을 이용하여 제2용기(200b)로 반송할 수 있다.
로드 포트(110)와 공정 처리 부(300) 사이에는 인덱스 챔버(130)가 제공될 수 있다. 즉, 인덱스 챔버(130)에는 로드 포트(110)가 접속될 수 있다. 인덱스 챔버(130)는 대기압 분위기로 유지될 수 있다. 인덱스 챔버(130)의 일 측에는 보관부인 사이드 버퍼(170)가 설치될 수 있다. 또한, 인덱스 챔버(130) 내에는 후술하는 공정 챔버(500)로 반송되는 기판형 센서(WS)를 정렬하는 얼라인 유닛(600)이 제공될 수 있다. 얼라인 유닛(600)에 대한 자세한 설명은 후술한다.
또한, 인덱스 챔버(130)에는 제1반송 로봇(150)이 제공될 수 있다. 제1반송 로봇(150)은 로드 포트(110)에 안착된 용기(200a, 200b, 200c), 얼라인 유닛(600), 후술하는 로드락 챔버(310), 그리고 사이드 버퍼(170)의 사이에서 기판(W), 기판형 센서(WS), 그리고 링 부재(R)를 반송할 수 있다. 즉, 제1반송 로봇(150)은 제2용기(200b)로부터 기판형 센서(WS)를 반출할 수 있다.
공정 처리 부(300)는 로드락 챔버(310), 반송 챔버(330), 제2반송 로봇(350), 그리고 프로세스 챔버(370)를 포함할 수 있다.
로드락 챔버(310)는 반송 챔버(330), 그리고 인덱스 챔버(130) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 로드락 챔버(310)는 인덱스 챔버(130), 그리고 반송 챔버(330)와 접속될 수 있다. 로드락 챔버(310)는 기판(W) 및/또는 링 부재(R)가 임시 저장되는 공간을 제공한다. 로드락 챔버(310)에는 도시하지 않은 진공 펌프, 그리고 밸브가 설치되어 그 내부 분위기가 대기압 분위기와 진공 분위기 사이에서 전환될 수 있다. 후술하는 반송 챔버(330)의 내부 분위기는 진공 분위기로 유지되어 있기 때문에, 로드락 챔버(310)에서는 반송 챔버(330), 그리고 인덱스 챔버(130) 사이에서 기판(W), 링 부재(R) 등을 반송하기 위해서 그 분위기가 대기압 분위기와 진공 분위기 사이에서 전환될 수 있다.
반송 챔버(330)는 로드락 챔버(310), 그리고 프로세스 챔버(370) 사이에 배치될 수 있다. 반송 챔버(330)는 상술한 바와 같이 내부 분위기가 진공 분위기로 유지될 수 있다. 또한, 반송 챔버(330)에는 제2반송 로봇(350)이 제공될 수 있다. 제2반송 로봇(350)은 로드락 챔버(310)와 프로세스 챔버(370) 사이에서 기판(W), 링 부재(R)를 반송할 수 있다. 제2반송 로봇(350)은 프로세스 챔버(370)의 처리 공간, 그리고 반송 챔버(330) 사이에서 기판(W) 또는 링 부재(R)를 반송할 수 있다. 제2반송 로봇(350)은 핸드(352)를 포함한다. 제2반송 로봇(350)은 핸드(352)를 제1방향(X), 제2방향(Y) 또는 제3방향(Z)으로 이동가능하게 구성될 수 있다. 또한, 제2반송 로봇(350)은 핸드(352)를 제3방향(Z)을 축으로 회전시킬 수 있도록 구성될 수 있다.
반송 챔버(330)에는 적어도 하나 이상의 프로세스 챔버(370)가 접속될 수 있다. 프로세스 챔버(370)는 반송 챔버(330)에 제공되는 제2반송 로봇(350)으로부터 기판(W)을 전달 받아 처리 공정을 수행할 수 있다. 프로세스 챔버(370)는 기판(W)에 대하여 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 프로세스 챔버(370)는 기판(W)에 처리 액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 액 처리 챔버일 수 있다. 또한, 프로세스 챔버(370)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 플라즈마 챔버일 수 있다. 또한, 프로세스 챔버(370)들 중 어느 일부는 기판(W)에 처리 액을 공급하여 기판을 처리하는 액 처리 챔버일 수 있고, 프로세스 챔버(370)들 중 다른 일부는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 플라즈마 챔버일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 프로세스 챔버(370)에서 수행하는 기판 처리 공정은 공지된 기판 처리 공정으로 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 프로세스 챔버(370)가 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 플라즈마 챔버인 경우, 플라즈마 챔버는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상의 박막을 제거하는 에칭 또는 애싱 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 프로세스 챔버(370)에서 수행하는 플라즈마 처리 공정은 공지된 플라즈마 처리 공정으로 다양하게 변형될 수 있다. 프로세스 챔버(370)의 자세한 구조는 후술한다.
또한, 도 1에서는 반송 챔버(330)가 상부에서 바라볼 때, 대체로 육각 형의 형상을 가지고, 반송 챔버(330)에 접속된 프로세스 챔버(370)의 수가 4 개 인 것을 예로 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 반송 챔버(330)의 형상과 프로세스 챔버(370)의 수는 사용자의 필요, 처리가 요구되는 기판의 숫자에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
제어기(700)는 기판 처리 장치(1000)를 제어할 수 있다. 제어기(700)는 인덱스 부(100), 그리고 공정 처리 부(300)를 제어할 수 있다. 제어기(700)는 제1반송 로봇(150), 제2반송 로봇(350), 그리고 얼라인 유닛(600)을 제어할 수 있다. 제어기(700)는 프로세스 챔버(370)에서 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있도록 프로세스 챔버(370)에 제공되는 기판 처리 장치를 제어할 수 있다.
또한, 제어기(700)는 기판 처리 장치(1000)의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(1000)를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(1000)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치(1000)에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.
도 8은 도 1의 프로세스 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하여, 프로세스 챔버(370)에 제공되는 기판 처리 장치(500)에 대하여 상세히 설명한다. 기판 처리 장치(500)는 기판(W)에 플라즈마를 전달하여 기판(W)을 처리할 수 있다.
기판 처리 장치(500)는 공정 챔버(510), 게이트 밸브(520), 배기 라인(530), 전원 유닛(540), 지지 유닛(550), 링 리프트 모듈(560), 기판 리프트 모듈(570), 배플 판(580), 그리고 가스 공급 유닛(590)을 포함할 수 있다.
공정 챔버(510)는 처리 공간을 가질 수 있다. 공정 챔버(510)는 접지될 수 있다. 공정 챔버(510)는 기판(W)이 처리되는 처리 공간을 제공할 수 있다. 공정 챔버(510)의 처리 공간은, 기판(W) 처리시 대체로 진공 분위기로 유지될 수 있다. 공정 챔버(510)의 일 측에는 기판(W) 또는 링 부재(R)가 반입/반출되는 반입구(512)가 형성될 수 있다. 게이트 밸브(520)는 반입구(512)를 선택적으로 개폐시킬 수 있다.
공정 챔버(510)의 바닥면에는 배기 홀(514)이 형성될 수 있다. 배기 홀(514)에는 배기 라인(530)이 연결될 수 있다. 배기 라인(530)은 배기 홀(514)을 통해 공정 챔버(510)의 처리 공간에 공급된 공정 가스, 공정 부산물 등을 공정 챔버(510)의 외부로 배기시킬 수 있다. 또한, 배기 홀(514)의 상부에는 처리 공간에 대한 배기가 보다 균일하게 이루어질 수 있도록 하는 배기 판(532)이 제공될 수 있다. 배기 판(532)은 상부에서 바라볼 때, 대체로 링 형상을 가질 수 있다. 또한, 배기 판(532)에는 적어도 하나 이상의 배기 홀이 형성될 수 있다. 작업자는 다양한 형상, 크기 등으로 제공되는 다수의 배기 판(532) 중, 처리 공간을 균일하게 배기할 수 있는 배기 판(532)을 선택하여 배기 홀(514) 상부에 설치할 수 있다.
또한, 공정 챔버(510)는 지지 부재(516)를 더 포함할 수 있다. 지지 부재(516)는 후술하는 지지 유닛(550)이 가지는 기재 중 적어도 일부를 지지할 수 있다. 예컨대, 지지 부재(516)는 지지 유닛(550)이 가지는 절연 판(554)의 하부를 지지할 수 있도록 구성될 수 있다.
전원 유닛(540)은 후술하는 가스 공급 유닛(590)이 공급하는 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 알에프 파워를 발생시킬 수 있다. 전원 유닛(540)은 전원(542), 그리고 정합기(544)를 포함할 수 있다. 전원(542), 그리고 정합기(544)는 전력 전달 라인 상에 설치될 수 있다. 또한, 전력 전달 라인은 척(552)과 연결될 수 있다.
지지 유닛(550)은 공정 챔버(510)의 처리 공간에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(550)은 척(552), 절연 판(554), 쿼츠 링(556), 그리고 실링 부재(558)를 포함할 수 있다.
척(552)은 기판(W)을 지지하는 지지 면을 가질 수 있다. 척(552)은 기판(W)을 지지하고, 지지된 기판(W)을 척킹할 수 있다. 예컨대, 척(552) 내에는 정전 플레이트(미도시)가 제공되어, 기판(W)을 정전기력을 척킹하는 정전 척 일 수 있다. 예컨대, 척(552)은 ESC(Electrode Static Chuck)일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 척(552)은 진공 흡착 방식으로 기판(W)을 척킹할 수도 있다.
절연 판(554)은 상부에서 바라볼 때 원 판 형상을 가질 수 있다. 절연 판(554) 상에는 상술한 척(552), 그리고 후술하는 쿼츠 링(556)이 놓일 수 있다. 절연 판(554)은 유전 체로 제공될 수 있다. 예컨대, 절연 판(554)은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
쿼츠 링(556)은 쿼츠(Quartz, 석영)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 쿼츠 링(556)은 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다. 쿼츠 링(556)은 상부에서 바라볼 때 척(552)을 감싸는 형상을 가질 수 있다. 쿼츠 링(556)은 상부에서 바라볼 때 척(552)에 지지된 기판(W)을 감싸는 형상으로 제공될 수 있다.
또한, 쿼츠 링(556)은 내측 상면의 높이가 외측 상면의 높이가 서로 상이하도록 단차진 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 쿼츠 링(556)의 내측 상면의 높이는 외측 상면의 높이보다 낮을 수 있다. 또한, 쿼츠 링(556)의 내측 상면에는 링 부재(R, 예컨대 포커스 링))이 놓일 수 있다.
실링 부재(558)는 절연판(554)과 척(552)에 형성되는 후술하는 핀 홀들의 간극에 아킹이 발생하는 것을 방지하기 위해, 절연판(554), 그리고 척(552) 사이에 제공될 수 있다.
링 리프트 모듈(560)은 쿼츠 링(556)의 내측 상면에 놓이는 링 부재(R)를 승강시킬 수 있다. 링 리프트 모듈(560)은 링 리프트 핀(562), 그리고 링 리프트 핀 승강부(564)를 포함할 수 있다. 링 리프트 핀(562)은 절연 판(554) 및/또는 쿼츠 링(556)에 형성된 핀 홀을 따라 상하 방향으로 이동될 수 있다. 또한, 링 리프트 핀(562)은 링 리프트 핀(562)을 승강시키는 링 리프트 핀 승강부(564)에 의해 상하 방향으로 이동될 수 있다. 링 리프트 핀 승강부(564)는 공압 또는 유압을 이용한 실린더이거나, 모터일 수 있다.
기판 리프트 모듈(570)은 척(552)에 놓이는 기판(W)을 승강시킬 수 있다. 기판 리프트 모듈(570)은 기판 리프트 핀(572), 기판 리프트 핀 승강부(574), 승강 판(576), 그리고 벨로우즈(578)를 포함할 수 있다. 기판 리프트 핀(572)은 절연판(554) 및/또는 척(552)에 형성된 핀 홀을 따라 상하 방향으로 이동될 수 있다. 기판 리프트 핀(572)은 기판 리프트 핀 승강부(574)로부터 동력을 전달 받는 승강 판(576)과 결합되고, 승강 판(576)의 승강에 의해 상하 방향으로 이동될 수 있다. 또한, 승강 판(576)과 기판 리프트 핀(572)의 연결 부위에는, 기밀성을 유지할 수 있는 벨로우즈(578)가 설치될 수 있다.
배플 판(580)은 지지 유닛(550)의 상부에 제공될 수 있다. 배플 판(580)은 전극 재질로 제공될 수 있다. 배플 판(580)에는 적어도 하나 이상의 배플 홀(582)이 형성될 수 있다. 예컨대, 배플 홀(582)은 복수로 형성되되, 상부에서 바라볼 때, 배플 판(580)의 전 영역에 균일하게 형성될 수 있다. 배플 판(580)은 후술하는 가스 공급 유닛(590)이 공급하는 공정 가스를 기판(W)으로 균일하게 전달될 수 있게 한다.
가스 공급 유닛(590)은 공정 챔버(510)의 처리 공간으로 공정 가스를 공급할 수 있다. 공정 가스는 상술한 전원 유닛(540)에 의해 플라즈마 상태로 여기되는 가스일 수 있다. 가스 공급 유닛(590)은 가스 공급원(592), 그리고 가스 공급 라인(594)을 포함할 수 있다. 가스 공급 라인(594)의 일 단은 가스 공급원(592)과 연결되고, 가스 공급 라인(594)의 타 단은 공정 챔버(510)의 상부와 연결될 수 있다. 이에, 가스 공급원(592)이 전달하는 공정 가스는 가스 공급 라인(594)을 통해 배플 판(580)의 상부 영역으로 공급될 수 있다. 배플 판(580)의 상부 영역으로 공급된 공정 가스는 배플 홀(582)을 통해 공정 챔버(510)의 처리 공간으로 유입될 수 있다.
도 9는 도 8의 처리 공간에 기판형 센서가 진입한 모습을 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 제2반송 로봇(350)이 가지는 핸드(352)는 기판형 센서(WS)를 지지한 채로 공정 챔버(510)의 처리 공간에 진입할 수 있다. 상술한 바와 같이 기판형 센서(WS)는 이미지 획득 모듈을 가지므로, 처리 공간의 이미지를 획득할 수 있다. 예컨대, 기판형 센서(WS)가 획득하는 처리 공간의 이미지는, 링 부재(R)와 기판(W) 사이의 간격을 확인할 수 있도록 기판(W)과 링 부재(R)를 포함할 수 있다. 이에, 작업자는 도 10에 도시된 바와 같이 링 부재(R)와 기판(W) 사이의 간격이 설정 간격(G)을 유지하도록, 링 부재(R)가 적절히 안착되었는지, 또는 도 11에 도시된 바와 같이 링 부재(R)와 기판(W) 사이의 간격이 설정 간격과 상이한 제1간격(G1) 또는 제2간격(G2)을 유지하도록, 링 부재(R)가 부적절하게 안착되었는지 여부를 기판형 센서(WS)를 통해 확인할 수 있게 된다. 또한, 기판형 센서(WS)가 획득한 이미지들은 제어기(700)로 전달될 수 있다. 또한, 제어기(700)는 이러한 이미지를 분석하여 링 부재(R)와 기판(W) 사이의 간격에 대한 데이터 값들을 도출할 수 있다. 또한, 제어기(700)는 이러한 데이터 값들을 기억할 수 있다. 또한, 제어기(700)는 이러한 데이터 값들을 통해 제1반송 로봇(150), 그리고 제2반송 로봇(350)에 대한 오토 티칭 작업을 수행할 수도 있다.
이와 같이, 기판형 센서(WS)가 획득하는 이미지의 정확도를 높이거나, 제1반송 로봇(150), 그리고 제2반송 로봇(350)에 대한 오토 티칭 작업의 정밀도를 높이기 위해서는, 기판형 센서(WS)에 센터링(Centering)을 정밀하게 확보하는 것이 중요하다. 이에, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 인덱스 챔버(130) 내에 제공되는 얼라인 유닛(600)을 포함한다.
도 12는 도 1의 얼라인 유닛의 모습을 보여주는 도면이고, 도 13은 도 12의 얼라인 유닛을 상부에서 바라본 도면이다. 도 12, 그리고 도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 얼라인 유닛(600)은 기판형 센서(WS)에 대한 정렬을 수행할 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 얼라인 유닛(600)은 기판(W)에 대한 정렬도 수행할 수 있다. 얼라인 유닛(600)은 지지 부재(610), 감압 부재(620), 그리고 센서 부재(630)를 포함할 수 있다.
지지 부재(610)는 인덱스 챔버(130) 내에서 기판형 센서(WS)를 지지할 수 있다. 지지 부재(610)는 기판형 센서(WS)를 회전시킬 수 있다. 지지 부재(610)는 상부에서 바라볼 때, 기판형 센서(WS)의 위치를 제1방향(X) 및/또는 제2방향(Y)을 따라 변경시킬 수 있다. 또한, 지지 부재(610)는 지지 부재(610)에 지지된 기판형 센서(WS)의 높이를 변경할 수 있다.
지지 부재(610)는 지지 판(612), 회전 축(614), 구동기(616), 위치 조정 부(617)를 포함할 수 있다. 지지 판(612)은 기판형 센서(WS)를 지지하는 지지 면을 가질 수 있다. 또한, 지지 판(612)에는 기판형 센서(WS)를 진공 흡착하는 흡착 홀(613)이 형성될 수 있다. 또한, 감압 라인(619)은 흡착 홀(613)과 연결될 수 있다. 또한, 감압 라인(619)은 감압 부재(620)와 연결될 수 있다. 즉, 흡착 홀(613)은 흡착 홀(613)에 감압을 제공하는 감압 부재(620)와 감압 라인(619)을 매개로 서로 연결될 수 있다. 또한, 감압 부재(620)는 펌프일 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고, 감압 부재(620)는 흡착 홀(613)에 감압을 제공할 수 있는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다.
지지 판(612)의 하부에는 지지 판(612)을 회전시키는 회전 축(614)이 제공될 수 있다. 회전 축(614)은 중공 축일 수 있다. 또한, 회전 축(614)은 중공 모터로 제공될 수 있는 구동기(616)에 의해 회전될 수 있다. 즉, 구동기(616)는 지지 판(612)을 회전시키는 구동력을 발생시킬 수 있다.
위치 조정 부(617)는 지지 판(612)의 위치를 변경시킬 수 있다. 예컨대, 위치 조정 부(617)는 지지 판(612)의 위치를 제1방향(X) 및/또는 제2방향(Y)으로 변경시킬 수 있다. 이에, 위치 조정 부(617)는 지지 판(612)에 지지된 기판형 센서(WS)를 제1방향(X) 및/또는 제2방향(Y)으로 이동시킬 수 있다. 위치 조정 부(617)는 지지 판(612)과 회전 축(614) 사이에 제공될 수 있다. 위치 조정 부(617)는 LM 가이드를 포함할 수 있다. 기판형 센서(WS)는 기판(W)보다 다소 큰 직경을 가질 수 있는데,
센서 부재(630)는 기판형 센서(WS)에 형성된 노치(N)의 정렬 여부를 센싱할 수 있다. 센서 부재(630)는 기판형 센서(WS)에 형성된 노치를 센싱할 수 있다. 센서 부재(630)는 광을 조사하는 조사 부(632), 그리고 조사 부(632)가 조사하는 광을 수광하는 수광 부(634)를 포함할 수 있다. 조사 부(632)가 조사하는 광은 직진 성을 가질 수 있다. 예컨대, 조사 부(632)가 조사하는 광은 레이저일 수 있다. 센서 부재(630)는 수광 부(634)가 광을 수광하는지 여부, 및 수광 량에 따라 기판형 센서(WS)의 노치(N)가 적절히 정렬되었는지 여부를 판단할 수 있다.
제어기(700)는 얼라인 유닛(600)을 제어하여, 기판형 센서(WS)를 정렬할 수 있다. 예컨대, 제어기(700)는 지지 판(612)을 회전시키거나, 지지 판(612)의 위치를 제1방향(X) 및/또는 제2방향(Y)으로 이동시켜, 지지 판(612)에 지지된 기판형 센서(WS)의 노치(N)가 조사 부(632), 그리고 수광 부(634) 사이에 위치되도록 얼라인 유닛(600)을 제어할 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판형 센서의 반송 시퀀스를 보여주는 플로우 차트이고, 도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 기판형 센서를 반송하는 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 14와 도 15를 참조하여, 기판형 센서(WS)의 반송 시퀀스에 대하여 상세히 설명한다. 이하에서 설명하는 기판형 센서(WS)의 반송 시퀀스를 수행하기 위해 제어기(700)는 기판 처리 장치(1000)를 제어할 수 있다.
우선, 기판형 센서(WS)가 수납된 제2용기(200b)를 인덱스 부(100)의 로드 포트(110)에 안착시킬 수 있다(S10). 이때, 제2용기(200b)는 물품 반송 장치, 예컨대 OHT에 의해 반송될 수 있다.
이후, 제1반송 로봇(150)은 제2용기(200b)로부터 기판형 센서(WS)를 반출하여 얼라인 유닛(600)이 가지는 지지 판(612)에 기판형 센서(WS)를 안착시킬 수 있다(S20).
이후, 얼라인 유닛(600)은 기판형 센서(WS)에 대한 정렬을 수행한다(S30). 이때, 얼라인 유닛(600)의 지지 판(612)은 회전될 수 있다. 또한, 얼라인 유닛(600)의 지지 판(612)의 위치를 제1방향(X), 제2방향(Y), 및/또는 제3방향(Z)을 따라 변경시킬 수 있다. 이에, 기판형 센서(WS)에 형성된 노치(N)는 센서 부재(630)의 조사 부(632), 그리고 수광 부(634) 사이에 위치되도록 얼라인 될 수 있다.
이때, 얼라인 유닛(600)이 기판형 센서(WS)에 대한 정렬을 완료하는 경우와 얼라인 유닛(600)이 기판형 센서(WS)에 대한 정렬이 불가한 경우로 나누어 볼 수 있다.
우선, 얼라인 유닛(600)이 기판형 센서(WS)에 대한 정렬을 완료하는 경우, 제1반송 로봇(150)은 얼라인 유닛(600)의 지지 판(612)으로부터 기판형 센서(WS)를 들어 올려, 로드락 챔버(310)에 기판형 센서(WS)를 안착시킬 수 있다(S40).
이후, 로드락 챔버(310)의 내부 분위기는 대기압 분위기에서 진공 분위기로 전환되며, 로드락 챔버(310)의 내부 분위기가 진공 분위기로 전환되면, 제2반송 로봇(350)은 로드락 챔버(310)로부터 반송 챔버(330)로 기판형 센서(WS)를 반출할 수 있다(S50).
이후, 제2반송 로봇(350)은 기판형 센서(WS)를 프로세스 챔버(370)가 가지는 공정 챔버(510)의 처리 공간으로 반송하고, 기판형 센서(WS)는 공정 챔버(510)의 처리 공간에서 이미지를 획득하는 등의 계측을 진행할 수 있다(S60).
이후, 제2반송 로봇(350)은 기판형 센서(WS)를 프로세스 챔버(370)가 가지는 공정 챔버(510)의 처리 공간으로부터 반출할 수 있다(S70).
이후, 제2반송 로봇(350)은 기판형 센서(WS)를 로드락 챔버(310) 내에 안착시킬 수 있다(S80).
이후, 로드락 챔버(310)의 내부 분위기는 진공 분위기에서 대기압 분위기로 전환되며, 로드락 챔버(310)의 내부 분위기가 대기압 분위기로 전환되면, 제1반송 로봇(150)은 로드락 챔버(310)로부터 기판형 센서(WS)를 반출하여 로드 포트(110)에 안착된 제2용기(200b)로 기판형 센서(WS)를 반입할 수 있다(S90).
얼라인 유닛(600)이 기판형 센서(WS)에 대한 정렬이 불가한 경우, 제1반송 로봇(150)은 얼라인 유닛(600)의 지지 판(612)에 안착된 기판형 센서(WS)를 제2용기(200b)로 재반송할 수 있다(S31). 기판형 센서(WS)의 정렬이 불가능한 예로, 기판형 센서(WS)의 형상 자체가 불량이거나, 기판형 센서(WS)에 휨이 발생한 경우를 들 수 있다. 제어기(700)는 흡착 홀(613)과 연결되는 감압 라인(619)에 기체가 설정 시간 이상 흐르는 경우, 얼라인 유닛(600)이 기판형 센서(WS)를 얼라인하는 것이 불가능하다고 판단하고, 제1반송 로봇(150)을 제어하여 기판형 센서(WS)를 얼라인 유닛(600)으로부터 제2용기(200b)로 반송할 수 있다. 감압 라인(619)에 기체가 설정 시간 이상 흐르는 경우, 기판형 센서(WS)가 지지 판(612)에 흡착 고정되지 않는 상태이며, 기판형 센서(WS)에 휨과 같은 현상이 발생이 발생된 것으로 추론할 수 있기 때문이다. 또한, 제어기(700)는 기판형 센서(WS)를 설정 각도 이상(예컨대 360도 이상) 회전시켰음에도, 센서 부재(630)가 기판형 센서(WS)에 형성된 노치(N)를 센싱하지 못하는 경우, 얼라인 유닛(600)이 기판형 센서(WS)를 얼라인 하는 것이 불가능하다고 판단하고, 제1반송 로봇(150)을 제어하여 기판형 센서(WS)를 얼라인 유닛(600)으로부터 제2용기(200b)로 반송할 수 있다. 기판형 센서(WS)를 설정 각도 이상(예컨대 360도 이상) 회전시켰음에도, 센서 부재(630)가 기판형 센서(WS)에 형성된 노치(N)를 센싱하지 못하는 경우, 기판형 센서(WS)에 휨과 같은 현상이 발생된 것으로 추론할 수 있기 때문이다.
이후, 제어기(700)는 얼라인 유닛(600)이 기판형 센서(WS)에 대한 정렬이 불가능함을 작업자가 알 수 있도록 알람을 발생시킬 수 있다(S32). 알람은 얼라인 유닛(600)이 기판형 센서(WS)에 대한 정렬이 불가능함을 작업자가 인지할 수 있도록 하는 다양한 방식(예컨대, 소리 등)으로 구현될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 기판 처리 장치(1000)는 얼라인 유닛(600)을 가지므로, 용기(200a, 200b, 200c)가 기판형 센서(WS)를 정렬하는 구조물이 제공되지 않더라도, 기판형 센서(WS)를 정렬하여 공정 챔버(510)의 처리 공간으로 반송할 수 있게 된다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 얼라인 유닛(600)은 인덱스 부(100)가 가지는 인덱스 챔버(130)에 제공된다. 이에, 기판형 센서(WS)가 정렬된 상태로 공정 처리 부(300)로 전달된다. 이에, 기판형 센서(WS)가 정렬되지 않은 상태로 공정 처리 부(300)에 반송되어 발생할 수 있는 문제(예컨대, 기판형 센서(WS)가 추락하거나, 기판 처리 장치(1000)의 구성과 충돌하는 문제)를 해소할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 얼라인 유닛(600)에서 기판형 센서(WS)를 정렬하는 것이 불가능하다고 판단되는 경우, 기판형 센서(WS)는 제2용기(200b)로 반송된다. 얼라인 유닛(600)이 프로그래밍된 정해진 동작만 수행하는 경우, 기판형 센서(WS)는 정렬되지 않은 채로 공정 처리 부(300)에 반송될 수 있는데, 본 발명은 얼라인 유닛(600)에서 기판형 센서(WS)를 정렬하는 것이 불가능하다고 판단되는 경우, 기판형 센서(WS)는 제2용기(200b)로 반송함으로써, 기판형 센서(WS)가 정렬되지 않은 채로 공정 처리 부(300)로 진입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 얼라인 유닛(600)이 인덱스 챔버(130)에 제공됨에 따라, 이러한 반송 시퀀스는 보다 단순해 질 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
얼라인 유닛 : 600
지지 부재 : 610
지지 판 : 612
진공 홀 : 613
회전 축 : 614
구동기 : 616
위치 조정 부 : 617
감압 라인 : 619
감압 부재 : 620
센서 부재 : 630
조사 부 : 632
수광 부 : 634

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    용기가 안착되는 로드 포트, 그리고 상기 로드 포트와 접속되는 인덱스 챔버를 가지는 인덱스 부; 및
    상기 인덱스 챔버와 접속되는 로드락 챔버, 상기 로드락 챔버로 반송된 기판을 처리하는 공정 챔버를 가지는 공정 처리 부를 포함하고,
    상기 인덱스 부는,
    상기 인덱스 챔버 내에 제공되고, 상기 공정 챔버로 반송되는 기판형 센서를 정렬하는 얼라인 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 얼라인 유닛은,
    상기 기판형 센서를 지지하는 지지 부재; 및
    상기 기판형 센서에 형성된 노치의 정렬 여부를 센싱하는 센서 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 지지 부재는,
    상기 지지 부재에 지지된 상기 기판형 센서를 제1방향 및/또는 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 제2방향으로 이동시키는 위치 조정 부;
    상기 기판형 센서를 지지하는 지지 면을 가지는 지지 판; 및
    상기 지지 판을 회전시키는 회전 축을 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 지지 판에는,
    상기 지지 면에 지지된 상기 기판형 센서를 진공 흡착하는 흡착 홀이 형성되는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 얼라인 유닛은,
    상기 흡착 홀에 감압을 제공하는 감압 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 센서 부재는,
    광을 조사하는 조사 부; 및
    상기 조사 부가 조사하는 상기 광을 수광하는 수광 부를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 인덱스 부는,
    상기 인덱스 챔버 내에 제공되고, 상기 용기로부터 상기 기판형 센서를 반출하는 제1반송 로봇을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 장치는,
    제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 용기로부터 상기 기판형 센서를 반출하여 상기 지지 판에 상기 기판형 센서를 안착시키고,
    상기 지지 판의 위치를 변경 및/또는 상기 지지 판을 회전시켜 상기 기판형 센서를 얼라인시키도록 상기 제1반송 로봇, 그리고 상기 얼라인 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서에 대한 얼라인을 완료한 경우, 상기 기판형 센서를 상기 로드락 챔버로 반송하도록 상기 제1반송 로봇을 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서를 얼라인하는 것이 불가능하다고 판단하는 경우, 상기 지지 판에 안착된 상기 기판형 센서를 상기 용기로 반송하도록 상기 제1반송 로봇을 제어하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 흡착 홀과 연결되는 감압 라인에 기체가 설정 시간 이상 흐르는 경우, 상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서를 얼라인하는 것이 불가능하다고 판단하는 기판 처리 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 기판형 센서를 설정 각도 이상 회전시켰음에도 상기 센서 부재가 상기 노치를 센싱하지 못하는 경우, 상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서를 얼라인하는 것이 불가능하다고 판단하는 기판 처리 장치.
  13. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 공정 챔버;
    상기 처리 공간의 이미지를 획득하는 기판형 센서를 수납하는 용기가 안착 가능한 로드 포트와 접속되고, 내부 분위기가 대기압 분위기로 유지되는 인덱스 챔버;
    상기 인덱스 챔버와 상기 공정 챔버 간에 상기 기판 또는 상기 기판형 센서를 반송하는 적어도 하나 이상의 반송 로봇; 및
    상기 인덱스 챔버 내에 제공되며, 상기 기판형 센서를 정렬하는 얼라인 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 장치는,
    제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 용기로부터 상기 기판형 센서를 반출하여 상기 얼라인 유닛으로 반송하고,
    상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서에 형성되는 노치 위치를 정렬하도록 상기 반송 로봇, 그리고 상기 얼라인 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 얼라인 유닛이 상기 노치의 위치에 대한 정렬을 완료한 경우, 상기 기판형 센서를 상기 공정 챔버로 반송하도록 상기 반송 로봇을 제어하는 기판 처리 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 얼라인 유닛이 상기 노치의 위치를 정렬하는 것이 불가능하다고 판단하는 경우, 상기 기판형 센서를 상기 용기로 반송하도록 상기 반송 로봇을 제어하는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 얼라인 유닛이 가지고, 상기 기판형 센서를 진공 흡착하는 흡착 홀과 연결되는 감압 라인에 기체가 설정 시간 이상 흐르는 경우, 상기 얼라인 유닛이 상기 노치의 위치를 정렬하는 것이 불가능하다고 판단하는 기판 처리 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서를 설정 각도 이상 회전시켰음에도 상기 얼라인 유닛이 가지며 상기 노치를 센싱하는 센서 부재가 상기 노치를 센싱하지 못하는 경우, 상기 얼라인 유닛이 상기 노치의 위치를 정렬하는 것이 불가능하다고 판단하는 기판 처리 장치.
  19. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    상기 기판, 그리고 이미지 획득 모듈을 가지는 기판형 센서를 수납할 수 있는 용기가 안착되는 로드 포트를 가지는 인덱스 부;
    기판을 처리하는 공정 챔버를 가지는 공정 처리 부; 및
    제어기를 포함하고,
    상기 인덱스 부는,
    상기 로드 포트와 접속되고, 대기압 분위기로 유지되는 인덱스 챔버;
    상기 인덱스 챔버 내에 제공되며, 상기 기판형 센서를 정렬하는 얼라인 유닛; 및
    상기 기판 또는 상기 기판형 센서를 상기 인덱스 챔버와 상기 공정 처리 부 사이에 반송하는 제1반송 로봇을 포함하고,
    상기 공정 처리 부는,
    상기 인덱스 챔버와 접촉되며, 내부 분위기가 진공압 분위기와 대기압 분위기 사이에 전환되는 로드락 챔버;
    상기 로드 포트와 접촉되고, 내부 분위기가 진공압 분위기로 유지되는 반송 챔버; 및
    상기 반송 챔버 내에 제공되고, 상기 로드 포트에 반입된 상기 기판 또는 상기 기판형 센서를 상기 공정 챔버로 반송하는 제2반송 로봇을 포함하고,
    상기 얼라인 유닛은,
    상기 기판형 센서를 지지하는 지지 면을 가지고, 상기 지지 면에 지지된 상기 기판형 센서를 진공 흡착하는 흡착 홀이 형성된 지지 판;
    상기 지지 판을 회전시키는 회전 축;
    상기 지지 판에 지지된 상기 기판형 센서를 제1방향 및/또는 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 제2방향으로 이동시키는 위치 조정 부; 및
    광을 조사하는 조사 부, 그리고 상기 조사 부가 조사하는 상기 광을 수광하여 상기 기판형 센서에 형성된 노치를 센싱하는 센서 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 용기로부터 상기 기판형 센서를 반출하여 상기 지지 판에 상기 기판형 센서를 안착시키도록 상기 제1반송 로봇을 제어하고,
    상기 지지 판의 위치를 변경 및/또는 상기 지지 판을 회전시켜 상기 기판형 센서를 얼라인하도록 상기 얼라인 유닛을 제어하고,
    상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서에 대한 얼라인을 완료한 경우, 상기 기판형 센서를 상기 로드락 챔버로 반송하도록 상기 제1반송 로봇을 제어하고,
    상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서에 대한 얼라인이 불가능하다고 판단하는 경우, 상기 지지 판에 안착된 상기 기판형 센서를 상기 용기로 반송하도록 상기 제1반송 로봇을 제어하되,
    상기 제어기는,
    상기 흡착 홀과 연결되는 갑압 라인에 기체가 설정 시간 이상 흐르거나, 상기 기판형 센서를 설정 각도 이상 회전시켰음에도 상기 센서 부재가 상기 노치를 센싱하지 못하는 경우, 상기 얼라인 유닛이 상기 기판형 센서를 얼라인하는 것이 불가능하다고 판단하는 기판 처리 장치.
KR1020200121436A 2020-09-21 2020-09-21 기판 처리 장치 KR102635383B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200121436A KR102635383B1 (ko) 2020-09-21 2020-09-21 기판 처리 장치
US17/476,890 US11756813B2 (en) 2020-09-21 2021-09-16 Substrate treating apparatus
CN202111110321.3A CN114256101A (zh) 2020-09-21 2021-09-18 基板处理设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200121436A KR102635383B1 (ko) 2020-09-21 2020-09-21 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220039886A true KR20220039886A (ko) 2022-03-30
KR102635383B1 KR102635383B1 (ko) 2024-02-14

Family

ID=80740780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200121436A KR102635383B1 (ko) 2020-09-21 2020-09-21 기판 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11756813B2 (ko)
KR (1) KR102635383B1 (ko)
CN (1) CN114256101A (ko)

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076097A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Hirata Corp ウェハ転送装置およびウェハアライメント方法
JP2003530712A (ja) * 2000-04-07 2003-10-14 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド ＧａＡｓウエハ用のウエハ方向センサー
KR20070009600A (ko) * 2004-03-09 2007-01-18 싸이버옵틱스 쎄미콘덕터 인코퍼레이티드 개선된 무선 기판형 센서
JP2008306181A (ja) * 2007-05-21 2008-12-18 Applied Materials Inc 基板ノッチの中心を見つける方法及び装置
KR20130037360A (ko) * 2011-10-06 2013-04-16 세메스 주식회사 기판 정렬 방법
KR20150026380A (ko) * 2013-09-02 2015-03-11 국제엘렉트릭코리아 주식회사 기판 처리 장치, 기판 처리용 클러스터 설비 및 기판 처리 방법
KR20180001620A (ko) * 2016-06-24 2018-01-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US20190006218A1 (en) * 2016-02-23 2019-01-03 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer-readable recording medium
KR20190067105A (ko) * 2017-12-06 2019-06-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 티칭 방법
KR20190101538A (ko) * 2018-02-23 2019-09-02 피에스케이홀딩스 (주) 기판 정렬 장치 및 기판 처리 방법
KR20190131653A (ko) * 2018-05-17 2019-11-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 정렬 방법
KR20200066430A (ko) * 2018-11-30 2020-06-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20200070672A (ko) * 2018-12-10 2020-06-18 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템, 기판처리시스템의 기판이송방법
JP2020136498A (ja) * 2019-02-20 2020-08-31 株式会社東京精密 ウェハ加工異常検出装置と方法及び平面加工システム
KR20200102612A (ko) * 2019-02-21 2020-09-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE20001907U1 (de) 2000-02-03 2000-04-06 Deere & Company, Moline, Ill. Metallfelge für Nutzfahrzeuge
JP2003185466A (ja) 2001-12-13 2003-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 距離係数算出装置
US7289230B2 (en) 2002-02-06 2007-10-30 Cyberoptics Semiconductors, Inc. Wireless substrate-like sensor
KR20030059046A (ko) 2003-06-14 2003-07-07 김민우 자동차 타이어 안전용 원격 감지 장치
US7949425B2 (en) 2006-12-06 2011-05-24 Axcelis Technologies, Inc. High throughput wafer notch aligner

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003530712A (ja) * 2000-04-07 2003-10-14 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド ＧａＡｓウエハ用のウエハ方向センサー
JP2002076097A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Hirata Corp ウェハ転送装置およびウェハアライメント方法
KR20070009600A (ko) * 2004-03-09 2007-01-18 싸이버옵틱스 쎄미콘덕터 인코퍼레이티드 개선된 무선 기판형 센서
JP2008306181A (ja) * 2007-05-21 2008-12-18 Applied Materials Inc 基板ノッチの中心を見つける方法及び装置
KR20130037360A (ko) * 2011-10-06 2013-04-16 세메스 주식회사 기판 정렬 방법
KR20150026380A (ko) * 2013-09-02 2015-03-11 국제엘렉트릭코리아 주식회사 기판 처리 장치, 기판 처리용 클러스터 설비 및 기판 처리 방법
US20190006218A1 (en) * 2016-02-23 2019-01-03 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer-readable recording medium
KR20180001620A (ko) * 2016-06-24 2018-01-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20190067105A (ko) * 2017-12-06 2019-06-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 티칭 방법
KR20190101538A (ko) * 2018-02-23 2019-09-02 피에스케이홀딩스 (주) 기판 정렬 장치 및 기판 처리 방법
KR20190131653A (ko) * 2018-05-17 2019-11-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 정렬 방법
KR20200066430A (ko) * 2018-11-30 2020-06-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20200070672A (ko) * 2018-12-10 2020-06-18 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템, 기판처리시스템의 기판이송방법
JP2020136498A (ja) * 2019-02-20 2020-08-31 株式会社東京精密 ウェハ加工異常検出装置と方法及び平面加工システム
KR20200102612A (ko) * 2019-02-21 2020-09-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20220093427A1 (en) 2022-03-24
CN114256101A (zh) 2022-03-29
US11756813B2 (en) 2023-09-12
KR102635383B1 (ko) 2024-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7461984B2 (ja) リングキャリヤー及び基板処理システム
KR102642683B1 (ko) 기판 처리 시스템 및 반송 방법
US20220243336A1 (en) Storage container and processing system
US20220384147A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating system
US20220093374A1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20220055424A (ko) 처리 시스템 및 반송 방법
KR102635383B1 (ko) 기판 처리 장치
JP7492551B2 (ja) 容器及び基板処理システム
KR102523364B1 (ko) 기판 처리 장치
US20230207331A1 (en) Bonding system
KR102585286B1 (ko) 기판 처리 장치 및 소모성 부품의 마모도 측정 방법
KR20220062186A (ko) 기판 처리 장치 및 반송 로봇 티칭 방법
KR20220022914A (ko) 기판 처리 장치
KR20220037008A (ko) 기판 처리 장치
KR102491002B1 (ko) 링 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102649714B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
KR20220016324A (ko) 로드락 챔버, 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20220016325A (ko) 로드락 챔버, 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20230101644A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210027647A (ko) 기판 처리 장치 및 핸드 위치 티칭 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant