WO2020059375A1 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2020059375A1
WO2020059375A1 PCT/JP2019/032155 JP2019032155W WO2020059375A1 WO 2020059375 A1 WO2020059375 A1 WO 2020059375A1 JP 2019032155 W JP2019032155 W JP 2019032155W WO 2020059375 A1 WO2020059375 A1 WO 2020059375A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
unit
substrate
opening
processing
indexer block
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/032155
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
博幸 藤木
周武 墨
哲生 伊東
智 辻
学 田鎖
裕典 後藤
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス filed Critical 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority to CN201980051209.1A priority Critical patent/CN112514045B/zh
Priority to KR1020217003168A priority patent/KR102503896B1/ko
Priority to KR1020237005934A priority patent/KR102692143B1/ko
Publication of WO2020059375A1 publication Critical patent/WO2020059375A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate.
  • a substrate housed in a carrier such as a hoop is unloaded by an indexer robot and mounted on a mounting unit, and is transferred from the mounting unit to the processing unit by a center robot.
  • a carrier such as a hoop
  • a transfer unit is provided between a substrate transport mechanism of a loading / unloading station and a substrate transport mechanism of a processing station. ing. Since the openings on both sides of the delivery unit have no closing mechanism and are always open, the internal spaces of both stations are always in communication via the delivery unit.
  • the substrate processing system is installed in a clean room, and the air in the clean room is supplied to the internal space of both stations via the FFU.
  • the flow of air from the loading / unloading station to the processing station via the transfer unit is reduced. Is formed. This suppresses a chemical atmosphere or the like generated in the processing unit from entering the carry-in / out station.
  • a gas discharge unit for supplying dry air is provided at an opening of the delivery unit on the side of the loading / unloading station in order to reduce the influence of humidity on devices on the wafer.
  • a load lock chamber, a transfer chamber in which a transfer robot is disposed, and a processing chamber for processing a wafer are evacuated by a vacuum pump.
  • nitrogen can be supplied to the load lock chamber, the transfer chamber, and the processing chamber. By supplying nitrogen, contamination of the substrate due to back diffusion of oil from the vacuum pump or the like is suppressed.
  • the substrate processing apparatus disclosed in Japanese Patent No. 3737604 includes a receiving chamber in which a carrier accommodating a plurality of unprocessed substrates is placed, a transport chamber in which a transport robot is arranged, and a plurality of processing chambers. And a transfer chamber in which a carrier accommodating a plurality of processed substrates is placed.
  • an inert gas is supplied to each of the chambers, and the pressure in each of the chambers is set so that the pressure in the transfer chamber> the pressure in the transfer chamber> the pressure in the plurality of processing chambers.
  • the air flow from the loading / unloading station to the processing station is formed, but the chemical atmosphere generated in the processing unit enters the loading / unloading station via the processing station by diffusion. There is a possibility that.
  • the wafer placed on the delivery unit or the like comes into contact with air for a relatively long period of time, so that the wafer surface may be oxidized.
  • the load lock chamber, the transfer chamber, and the processing chamber can have a low oxygen atmosphere
  • the present invention is directed to a substrate processing apparatus for processing a substrate, and an object of the present invention is to suppress oxidation of the substrate by setting a space in which the substrate is mounted for a relatively long time in a low oxygen atmosphere.
  • a substrate processing apparatus is capable of accommodating a processing unit in which a processing unit for processing a substrate and a first transfer robot for carrying in and out the substrate to and from the processing unit are arranged, and a plurality of substrates.
  • a first shielding portion can block the movement of gas. According to the substrate processing apparatus, oxidation of the substrate can be suppressed.
  • the first shielding unit includes a door that opens and closes an opening that connects the internal space of the transport path and the internal space of the placement unit.
  • the substrate processing apparatus further includes a first gas supply unit that supplies the inert gas to the mounting unit to make the mounting unit a low oxygen atmosphere.
  • the substrate processing apparatus further includes a second shielding unit capable of blocking movement of gas between the indexer block and the placement unit.
  • the second shielding portion includes a door that opens and closes an opening connecting the internal space of the indexer block and the internal space of the placement unit.
  • the substrate processing apparatus further includes a second gas supply unit that supplies an inert gas to the indexer block to make the indexer block have a low oxygen atmosphere.
  • the substrate processing apparatus includes a second shielding unit capable of blocking gas movement between the indexer block and the placement unit, and an inert gas supplied to the placement unit to supply the gas to the placement unit.
  • a first gas supply unit that makes the unit have a low oxygen atmosphere
  • a second gas supply unit that makes the indexer block have a low oxygen atmosphere by supplying an inert gas to the indexer block
  • a first gas supply unit that makes the unit have a low oxygen atmosphere.
  • the apparatus further includes a control unit that individually controls the supply of the inert gas and the supply of the inert gas from the second gas supply unit.
  • the oxygen concentration in the transport path is higher than the oxygen concentration in the indexer block and the oxygen concentration in the placement unit.
  • the transfer path is in an air atmosphere.
  • the substrate processing apparatus includes a first gas supply unit configured to supply the inert gas to the mounting unit to make the mounting unit a low-oxygen atmosphere, and between the indexer block and the mounting unit.
  • a second shielding unit capable of blocking the movement of the gas, a control unit controlling the first transport robot, the second transport robot, the first shielding unit, the first gas supply unit, and the second shielding unit; Is further provided.
  • the first shielding unit includes a first door body that opens and closes a first opening that connects the internal space of the transport path and the internal space of the placement unit.
  • the second shielding unit includes a second door body that opens and closes a second opening that connects the internal space of the indexer block and the internal space of the placement unit.
  • the first opening and the second opening are closed by the first door and the second door, and after the placement unit is set to a low oxygen atmosphere, the second opening is closed.
  • the second opening is opened, an unprocessed substrate is carried into the placing unit by the second transfer robot through the second opening, and the second opening is closed by the second door body.
  • One opening is opened, and the unprocessed substrate is unloaded from the mounting unit by the first transfer robot through the first opening.
  • the substrate processing apparatus includes a first gas supply unit configured to supply the inert gas to the mounting unit to make the mounting unit a low-oxygen atmosphere, and between the indexer block and the mounting unit.
  • a second shielding unit capable of blocking the movement of the gas, a control unit controlling the first transport robot, the second transport robot, the first shielding unit, the first gas supply unit, and the second shielding unit; Is further provided.
  • the first shielding unit includes a first door body that opens and closes a first opening that connects the internal space of the transport path and the internal space of the placement unit.
  • the second shielding unit includes a second door body that opens and closes a second opening that connects the internal space of the indexer block and the internal space of the placement unit.
  • the second opening is closed by the second door body, and the first transfer robot has processed the first opening through the first opening in a state where the first opening is opened.
  • the first opening is closed by the first door, and the first opening and the second opening are closed by the first door and the second door.
  • the second opening is opened, and the processed substrate is unloaded from the placing unit by the second transfer robot through the second opening. Is done.
  • the present invention is also directed to a substrate processing method for processing a substrate by a substrate processing apparatus.
  • the substrate processing apparatus includes: a processing block in which a processing unit that processes a substrate and a first transfer robot that transfers a substrate into and out of the processing unit are arranged; and a substrate is transferred into and out of a carrier capable of accommodating a plurality of substrates.
  • An indexer block in which a second transfer robot for performing the processing is disposed, and an unprocessed substrate provided at a connection portion between the processing block and the indexer block, and transferred from the second transfer robot to the first transfer robot; And a mounting unit for holding a processed substrate transferred from the first transfer robot to the second transfer robot.
  • a substrate processing method includes: a) a step of carrying in a substrate from the indexer block to the placement unit by the second transfer robot; and b) a placement of the substrate by the first transfer robot. Unloading the substrate from the unit and loading it into the processing unit; c) performing processing on the substrate in the processing unit; and d) unloading the substrate from the processing unit by the first transfer robot. And e) unloading the substrate from the mounting unit to the indexer block by the second transfer robot.
  • the movement of gas between the indexer block and the placement unit in a low oxygen atmosphere having a lower oxygen concentration than the atmosphere and the transfer path connecting the processing unit and the placement unit in the processing block can be shut off. is there. According to the substrate processing method, the oxidation of the substrate can be suppressed.
  • FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to one embodiment. It is a front view showing the inside of a substrate processing device.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a processing unit. It is a side view of a mounting unit. It is a side view of a mounting unit. It is a figure showing the inside of a mounting unit.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a control unit.
  • FIG. 3 is a diagram showing a flow of processing of a substrate.
  • FIG. 3 is a diagram showing a flow of processing of a substrate. It is a side view of other mounting units. It is a side view of other mounting units. It is a figure showing the inside of other mounting units.
  • FIG. 3 is a diagram showing a flow of processing of a substrate.
  • FIG. 3 is a diagram showing a flow of processing of a substrate.
  • FIG. 3 is a diagram showing a flow of processing of a substrate.
  • FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus 1 according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus 1 as viewed from the line II-II in FIG.
  • an XYZ orthogonal coordinate system in which the Z-axis direction is a vertical direction (that is, the vertical direction) and the XY plane is a horizontal plane is appropriately attached.
  • a part of the (+ X) side of the substrate processing apparatus 1 is not shown.
  • the substrate processing apparatus 1 is an apparatus that continuously processes a plurality of substantially disk-shaped semiconductor substrates 9 (hereinafter, simply referred to as “substrate 9”).
  • substrate 9 a liquid processing for supplying a processing liquid to the substrate 9 is performed.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a plurality of carrier stages 11, an indexer block 10, a processing block 20, a mounting unit 40, and a control unit 60.
  • the indexer block 10 and the processing block 20 are also called an indexer cell and a processing cell, respectively.
  • the indexer block 10 is also called an Equipment ⁇ Front ⁇ End ⁇ Module (EDEM) unit or the like.
  • EDEM Equipment ⁇ Front ⁇ End ⁇ Module
  • a plurality of (for example, three) carrier stages 11, indexer blocks 10, and processing blocks 20 are arranged adjacent to each other in this order from the ( ⁇ X) side to the (+ X) side. I have.
  • the plurality of carrier stages 11 are arranged in the Y direction along the ( ⁇ X) side wall of the indexer block 10.
  • Each of the plurality of carrier stages 11 is a mounting table on which the carrier 95 is mounted.
  • the carrier 95 can accommodate a plurality of disc-shaped substrates 9.
  • the internal space of the carrier 95 is filled with an inert gas (for example, nitrogen (N 2 ) or argon (Ar)), and has a low oxygen atmosphere.
  • An opening is provided on the ( ⁇ X) side wall of the indexer block 10 at a position corresponding to the carrier 95 on each carrier stage 11.
  • the opening is provided with a carrier shutter, and when the substrate 9 is carried in and out of the carrier 95, the carrier shutter is opened and closed.
  • a carrier 95 containing a plurality of unprocessed substrates 9 is loaded from outside the substrate processing apparatus 1 by OHT (Overhead Hoist Transfer) or the like and placed on each carrier stage 11.
  • the processed substrate 9 after the processing in the processing block 20 is stored in the carrier 95 placed on the carrier stage 11.
  • the carrier 95 containing the processed substrate 9 is carried out of the substrate processing apparatus 1 by OHT or the like. That is, the carrier stage 11 functions as a substrate integration unit that integrates the unprocessed substrate 9 and the processed substrate 9.
  • the carrier 95 is, for example, a FOUP (Front Opening Unified Pod) that stores the substrate 9 in a closed space.
  • the carrier 95 is not limited to the FOUP, and may be, for example, an SMIF (Standard Mechanical Inter Face) pod or the like. Further, the number of carrier stages 11 may be one, or two or more.
  • the indexer block 10 receives the unprocessed substrate 9 from the carrier 95 and passes it to the processing block 20. Further, the indexer block 10 receives the processed substrate 9 unloaded from the processing block 20 and loads it into the carrier 95.
  • An indexer robot 12 that carries the substrate 9 in and out of the carrier 95 is disposed in the internal space 100 of the indexer block 10.
  • the indexer robot 12 includes two transfer arms 121a and 121b, an arm stage 122, and a base 123.
  • the two transfer arms 121a and 121b are mounted on an arm stage 122.
  • the base 123 is fixed to the frame of the indexer block 10.
  • the arm stage 122 is mounted on the base 123.
  • the base 123 has a motor (not shown) for rotating the arm stage 122 about a rotation axis extending in the vertical direction (that is, the Z direction), and a motor (not shown) for moving the arm stage 122 in the vertical direction. Is built-in.
  • the transfer arms 121a and 121b are vertically separated from each other.
  • a substantially U-shaped hand is provided at the tip of each of the transfer arms 121a and 121b in plan view.
  • the hand includes, for example, a base extending in the width direction and two claws extending from both ends in the width direction of the base in a direction substantially parallel to the longitudinal direction perpendicular to the width direction.
  • Each of the transfer arms 121a and 121b supports the lower surface of one substrate 9 by a hand.
  • the transfer arms 121a and 121b move in the horizontal direction (that is, in the radial direction about the rotation axis of the arm stage 122) by bending and extending the multi-joint mechanism by a drive mechanism (not shown) built in the arm stage 122. ) Move independently of each other.
  • the hand is provided on the indexer robot 12 so as to be able to move forward and backward, move up and down, and rotate freely.
  • the indexer robot 12 allows the transfer arms 121a and 121b, which hold the substrate 9 by hand, to individually access the carrier 95 mounted on the carrier stage 11 and the mounting unit 40, respectively.
  • the transfer robot transfers the substrate 9 between the units 40.
  • the moving mechanism in the indexer robot 12 is not limited to the above example, and may be another mechanism.
  • a belt feed mechanism using a pulley and a timing belt may be adopted as a mechanism for moving the transfer arms 121a and 121b in the vertical direction.
  • the processing block 20 is provided with a transport path 23 used for transporting the substrate 9 and a plurality of processing units 21 disposed around the transport path 23.
  • the transport path 23 extends in the X direction at the center of the processing block 20 in the Y direction.
  • a center robot 22 that carries the substrate 9 in and out of each processing unit 21 is arranged.
  • the center robot 22 includes two transfer arms 221a and 221b, an arm stage 222, and a support 223.
  • the two transfer arms 221a and 221b are mounted on the arm stage 222.
  • the support 223 is fixed to the frame of the processing block 20.
  • the arm stage 222 is attached to the column 223 so as to be movable in the vertical direction.
  • the column 223 has a built-in elevating mechanism 224 that moves the arm stage 222 in the vertical direction.
  • the elevating mechanism 224 is, for example, a mechanism combining a motor and a ball screw.
  • the structure of the lifting mechanism 224 may be variously changed.
  • the transfer arms 221a and 221b are vertically separated from each other.
  • a substantially U-shaped hand is provided at the tip of each of the transfer arms 221a and 221b in plan view.
  • the hand includes, for example, a base extending in the width direction and two claws extending from both ends in the width direction of the base in a direction substantially parallel to the longitudinal direction perpendicular to the width direction.
  • Each of the transfer arms 221a and 221b supports the lower surface of one substrate 9 by a hand.
  • the transfer arms 221a and 221b move independently of each other in the horizontal direction by bending and extending the multi-joint mechanism by a drive mechanism (not shown) built in the arm stage 222. Further, the transfer arms 221a and 221b rotate in the horizontal direction independently of each other by the driving mechanism built in the arm stage 222.
  • the hand is provided on the center robot 22 so as to be able to move forward and backward, move up and down, and rotate freely.
  • the center robot 22 allows the transfer arms 221a and 221b, which hold the substrate 9 by hand, to individually access the mounting unit 40 and the plurality of processing units 21, thereby allowing the substrate to be transferred between the mounting unit 40 and the processing unit 21.
  • 9 is a transfer robot that transfers the transfer robot 9.
  • the center robot 22 and the indexer robot 12 are also referred to as “first transfer robot” and “second transfer robot”, respectively.
  • the moving mechanism in the center robot 22 is not limited to the above example, and may be another mechanism.
  • a belt feed mechanism using a pulley and a timing belt may be employed as a mechanism for moving the transfer arms 221a and 221b in the vertical direction.
  • each processing unit 21 processing is performed on the substrate 9.
  • the processing block 20 is provided with twelve processing units 21. Specifically, four groups of three processing units 21 stacked in the Z direction are arranged around the processing units 21 in plan view.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of the processing unit 21.
  • the processing unit 21 includes a housing 211 and a processing unit 24.
  • the processing unit 24 is housed in the internal space of the housing 211.
  • the processing unit 24 includes a substrate holding unit 241, a substrate rotating mechanism 242, a cup unit 243, a nozzle 244, and a top plate 245.
  • the processing unit 24 performs a liquid process such as an etching process on the upper surface 91 of the substrate 9, for example.
  • the substrate holding unit 241 holds, for example, the substrate 9 in a horizontal state.
  • the substrate holding unit 241 includes, for example, a plurality of mechanical chucks that contact and hold the peripheral edge of the substrate 9.
  • the substrate rotation mechanism 242 rotates the substrate 9 held by the substrate holding unit 241 by rotating the substrate holding unit 241 about a rotation axis J1 that faces in the vertical direction.
  • the substrate rotation mechanism 242 is, for example, an electric motor connected to the lower surface of the substrate holding unit 241.
  • the cup portion 243 is a substantially cylindrical member that surrounds the entire periphery of the substrate holding portion 241.
  • the cup 243 receives the liquid scattered around from the rotating substrate 9.
  • the top plate 245 is a shielding plate that covers above the substrate 9 and shields it from the surrounding atmosphere.
  • the top plate 245 is supported from below by, for example, the substrate holder 241, and rotates together with the substrate holder 241 by the substrate rotation mechanism 242.
  • the nozzle 244 is inserted into an opening provided at the center of the top plate 245, and supplies the processing liquid toward the center of the upper surface of the substrate 9.
  • a partition wall 30 for shutting off the atmosphere is provided between the indexer block 10 and the processing block 20.
  • the partition 30 is provided over the entire length of the indexer block 10 in the Y direction and the entire length in the Z direction.
  • a part of the partition wall 30 protrudes toward the processing block 20 (that is, the (+ X) side).
  • the protruding portion is referred to as the “communication portion 31”.
  • the substantially tunnel-shaped internal space 310 of the connecting portion 31 is a part of the internal space 100 of the indexer block 10, and connects the indexer block 10 and the transport path 23 of the processing block 20.
  • the mounting unit 40 is mounted on the (+ X) side end in the internal space 310 of the connecting portion 31. In other words, the mounting unit 40 is provided at a connection between the indexer block 10 and the processing block 20. As described above, the indexer robot 12 and the center robot 22 can access the mounting unit 40.
  • the mounting unit 40 is connected to the plurality of processing units 21 via the transport path 23 where the center robot 22 is arranged.
  • the indexer robot 12 places the unprocessed substrate 9 unloaded from the carrier 95 on the placement unit 40.
  • the center robot 22 carries out the unprocessed substrate 9 from the mounting unit 40 and carries it into the processing unit 21. Further, the center robot 22 places the processed substrate 9 unloaded from the processing unit 21 on the mounting unit 40.
  • the indexer robot 12 carries out the processed substrate 9 from the mounting unit 40 and carries it into the carrier 95. In other words, the mounting unit 40 holds the unprocessed substrate 9 passed from the indexer robot 12 to the center robot 22 and the processed substrate 9 passed from the center robot 22 to the indexer robot 12.
  • FIG. 4 is a side view of the mounting unit 40 viewed from the (+ X) side.
  • FIG. 5 is a side view of the mounting unit 40 viewed from the ( ⁇ X) side.
  • FIG. 6 is a view of the inside of the mounting unit 40 viewed from the (+ X) side. 6, the housing 434 of the mounting unit 40 is shown in cross section, and the inside of the mounting unit 40 is illustrated. FIG. 6 also shows a configuration other than the mounting unit 40.
  • the mounting unit 40 includes a housing 434, a substrate support 431, a first shutter 432, and a second shutter 433.
  • the housing 434 is a substantially rectangular parallelepiped box-shaped member.
  • Four substrates 9 can be accommodated in the internal space 400 of the mounting unit 40.
  • the four substrates 9 are arranged and placed so as to be separated from each other in the vertical direction (that is, the Z direction).
  • the substrate support 431 is housed inside the housing 434.
  • the substrate support 431 supports each substrate 9 in a horizontal state.
  • the substrate support portion 431 is, for example, a plurality of protrusions protruding from the inner surface of the housing 434, and the peripheral edge of the substrate 9 is placed on the plurality of protrusions.
  • the shape and structure of the substrate support 431 may be appropriately changed.
  • a first opening 435 that connects the internal space 230 of the transport path 23 of the processing block 20 and the internal space 400 of the mounting unit 40 is provided on the (+ X) side wall of the housing 434.
  • the first opening 435 is a substantially rectangular through hole.
  • the first opening 435 allows the two substrates 9 held by the center robot 22 to pass therethrough.
  • a second opening 436 that connects the internal space 100 of the indexer block 10 and the internal space 400 of the mounting unit 40 is provided on the ( ⁇ X) side wall of the housing 434.
  • the second opening 436 is a substantially rectangular through hole.
  • the second opening 436 allows the two substrates 9 held by the indexer robot 12 to pass therethrough.
  • the first shutter 432 is a door (ie, a first door) that opens and closes the first opening 435 of the housing 434.
  • the first shutter 432 is a substantially rectangular plate-shaped member.
  • the first shutter 432 is moved in the vertical direction (that is, the Z direction) by the first shutter moving mechanism 437, and is also moved in the X direction.
  • the first shutter moving mechanism 437 includes, for example, an actuator such as an electric cylinder that moves the first shutter 432 in the vertical direction and an actuator (not shown) such as an electric cylinder that presses the first shutter 432 toward the housing 434. Is provided. In FIG. 2, the illustration of the first shutter moving mechanism 437 is omitted.
  • the first opening 435 is closed by the first shutter 432 overlapping the first opening 435 in the X direction.
  • the first shutter 432 is pressed against the housing 434 by the first shutter moving mechanism 437, and comes into airtight contact with the housing 434 around the first opening 435. Thereby, the movement of gas through the first opening 435 between the internal space 230 of the transport path 23 of the processing block 20 and the internal space 400 of the mounting unit 40 is blocked.
  • the first shutter 432 is lowered to the position indicated by the two-dot chain line in FIG.
  • the opening 435 is opened. Accordingly, the gas can be moved between the internal space 230 of the transport path 23 and the internal space 400 of the mounting unit 40 via the first opening 435.
  • the second shutter 433 is a door that opens and closes the second opening 436 of the housing 434 (that is, a second door).
  • the second shutter 433 is a substantially rectangular plate-shaped member.
  • the second shutter 433 is moved in the vertical direction (ie, the Z direction) by the second shutter moving mechanism 438, and is also moved in the X direction.
  • the second shutter moving mechanism 438 includes, for example, an actuator such as an electric cylinder that moves the second shutter 433 in the vertical direction and an actuator (not shown) such as an electric cylinder that presses the second shutter 433 toward the housing 434. Is provided. In FIG. 2, the illustration of the second shutter moving mechanism 438 is omitted.
  • the second opening 436 is closed by the second shutter 433 overlapping the second opening 436 in the X direction.
  • the second shutter 433 is pressed against the housing 434 by the second shutter moving mechanism 438, and comes into airtight contact with the housing 434 around the second opening 436.
  • the second shutter moving mechanism 438 moves the second shutter 433 away from the housing 434 in the ( ⁇ X) direction, and then descends to the position shown by the two-dot chain line in FIG.
  • the two openings 436 are opened. Thereby, the gas can be moved between the internal space 100 of the indexer block 10 and the internal space 400 of the mounting unit 40 through the second opening 436.
  • the first shielding part 51 is configured.
  • the first shielding unit 51 may include a configuration other than the partition 30, the housing 434, the first shutter 432, and the first shutter moving mechanism 437.
  • the indexer block is opened by the housing 434 and the second shutter 433 of the mounting unit 40.
  • the movement of gas between 10 and the mounting unit 40 is shut off. That is, the housing 434, the second shutter 433, and the second shutter moving mechanism 438 form the second shielding unit 52 that can block the movement of gas between the indexer block 10 and the mounting unit 40.
  • the second shielding unit 52 may include a configuration other than the housing 434, the second shutter 433, and the second shutter moving mechanism 438.
  • the substrate processing apparatus 1 further includes a first gas supply unit 55 that supplies an inert gas (for example, nitrogen or argon) to the mounting unit 40.
  • the first gas supply unit 55 includes a central discharge unit 551, a peripheral discharge unit 552, a side discharge unit 553, and an exhaust port 554.
  • the central discharge unit 551 and the peripheral discharge unit 552 are arranged near the canopy of the housing 434 of the mounting unit 40, and are connected to the inert gas supply source 58 via the valve 581.
  • the side discharge unit 553 is disposed around the substrate 9 mounted in the mounting unit 40, and is connected to the inert gas supply source 58 via a valve 582.
  • the exhaust port 554 is connected to the suction mechanism 59.
  • the inert gas supply source 58 and the suction mechanism 59 are provided, for example, outside the substrate processing apparatus 1.
  • the central discharge unit 551 is located above a central portion (that is, a portion excluding a peripheral portion) of the substrate 9 mounted in the mounting unit 40.
  • the lower surface of the central discharge portion 551 is formed, for example, by a substantially disk-shaped punching plate in which a plurality of discharge ports are substantially uniformly distributed.
  • the peripheral discharge section 552 is located above the peripheral portion of the substrate 9 mounted in the mounting unit 40.
  • the plurality of lateral discharge portions 553 are arranged at substantially equal angular intervals in the circumferential direction around the substrate 9 (that is, in the circumferential direction around the central axis extending in the normal direction through the center of the substrate 9).
  • a discharge element 555 is provided.
  • Each ejection element 555 is a substantially cylindrical member with a bottom that extends substantially vertically downward from the canopy of the housing 434. The lower end of each ejection element 555 is located below the substrate 9 located at the lowest stage (ie, the most (-Z) side).
  • a plurality of ejection ports are provided on the side surface of each ejection element 555, facing the direction in which the substrate 9 is placed (that is, facing inward in the radial direction about the central axis).
  • each discharge element 555 three discharge ports are provided in each discharge element 555, and the three discharge ports are substantially three gaps between four substrates 9 arranged in the vertical direction and substantially three in the vertical direction. Located at the same position.
  • the exhaust port 554 is arranged below the four substrates 9. In the example shown in FIG. 6, a plurality of exhaust ports 554 are arranged at substantially equal angular intervals in the circumferential direction.
  • the internal space 400 of the placing unit 40 It is cut off from the internal space 100 and the internal space 230 of the transport path 23.
  • the valve 581 and the valve 582 are opened, an inert gas is supplied to the mounting unit 40, and suction is performed by the suction mechanism 59 through the exhaust port 554, so that the internal space of the mounting unit 40 is
  • the air 400 is replaced with an inert gas, and the internal space 400 of the mounting unit 40 becomes an inert gas atmosphere.
  • the internal space 400 of the mounting unit 40 has a low oxygen atmosphere in which the oxygen concentration is lower than the atmosphere.
  • the oxygen concentration of the mounting unit 40 is, for example, 100 ppm or less.
  • the inert gas is supplied from the central discharge portion 551 substantially vertically downward.
  • the inert gas from the central discharge unit 551 flows substantially vertically downward from the central discharge unit 551 toward the uppermost (ie, the most (+ Z) side) substrate 9 and along the upper surface of the substrate 9. It flows outward in the radial direction.
  • the flow of the inert gas is indicated by arrows.
  • An inert gas is supplied from the peripheral discharge section 552 outward and downward in the radial direction.
  • the above-described supply direction of the inert gas from the peripheral discharge section 552 is realized, for example, by directing the discharge port of the peripheral discharge section 552 outward and downward in the radial direction.
  • the inert gas from the peripheral discharge section 552 flows downward near the periphery of the uppermost substrate 9. As a result, air existing above and on the side of the substrate 9 flows below the substrate 9 and is discharged to the outside of the mounting unit 40 via the exhaust port 554.
  • the flow rate of the inert gas discharged from the peripheral discharge section 552 is larger than, for example, the flow rate of the inert gas discharged from the central discharge section 551.
  • the air above the substrate 9 can be quickly pushed to the exhaust port 554.
  • the flow rate of the inert gas discharged from the central discharge unit 551 relatively small, it is possible to suppress the uppermost substrate 9 from vibrating due to the inert gas from the central discharge unit 551.
  • the inert gas is supplied radially inward from the plurality of discharge elements 555 of the side discharge section 553.
  • the inert gas from the side discharge unit 553 passes through the gap between the four substrates 9 arranged in the vertical direction, and flows downward from the periphery of the substrate 9.
  • air existing between the plurality of substrates 9 flows below the substrates 9 and is discharged to the outside of the mounting unit 40 via the exhaust port 554.
  • the substrate processing apparatus 1 further includes a second gas supply unit 56 that supplies an inert gas (for example, nitrogen or argon) to the indexer block 10.
  • the second gas supply unit 56 includes a gas discharge unit 561 and an exhaust port 562.
  • the gas discharge unit 561 is disposed near the canopy of the indexer block 10 and is connected to the inert gas supply source 58 (see FIG. 6) via a valve (not shown).
  • the exhaust port 562 is connected to the suction mechanism 59 (see FIG. 6).
  • the gas discharge unit 561 may be connected to another inert gas supply source different from the inert gas supply source 58. Further, the exhaust port 562 may be connected to another suction mechanism different from the suction mechanism 59.
  • the gas discharge unit 561 is located above the indexer robot 12 and is provided over substantially the entire upper surface of the indexer block 10.
  • the gas discharge unit 561 is, for example, an FFU (Fan ⁇ Filter ⁇ Unit).
  • the exhaust port 562 is disposed at a position (or bottom surface) near the bottom surface of the side wall of the indexer block 10.
  • the internal space 100 of the indexer block 10 becomes the internal space 400 of the mounting unit 40 and the internal space of the transport path 23. Blocked from 230.
  • the valve is opened, an inert gas is supplied from the gas discharge unit 561 to the indexer block 10, and suction is performed by the suction mechanism 59 through the exhaust port 562.
  • the air of 100 is replaced with an inert gas, and the internal space 400 of the mounting unit 40 becomes an inert gas atmosphere.
  • the internal space 100 of the indexer block 10 is a low oxygen atmosphere having an oxygen concentration lower than that of the atmosphere.
  • the oxygen concentration of the indexer block 10 is, for example, 100 ppm or less.
  • the supply of the inert gas from the second gas supply unit 56 is continuously performed during the processing of the substrate 9 by the substrate processing apparatus 1 (described later), and the internal space 100 of the indexer block 10 has a low oxygen atmosphere. Is maintained.
  • the second opening 436 is open in the mounting unit 40, the inert gas is supplied from the first gas supply unit 55 and the second gas supply unit 56, so that the internal space 400 of the mounting unit 40 is In addition, the internal space 100 of the indexer block 10 is set to a low oxygen atmosphere.
  • the substrate processing apparatus 1 further includes an air supply unit 57 that supplies clean air to the transport path 23 of the processing block 20.
  • the air supply unit 57 includes an air discharge unit 571 and an exhaust port 572 (see FIG. 1).
  • the air discharge unit 571 is disposed near the canopy of the transport path 23 and supplies clean air in a clean room where the substrate processing apparatus 1 is disposed to the internal space 230 of the transport path 23.
  • the air discharge unit 571 is located above the center robot 22 and is provided over substantially the entire upper surface of the transport path 23.
  • the air discharge unit 571 is, for example, an FFU.
  • the exhaust port 572 is disposed at a position (or bottom surface) near the bottom surface of the side wall of the conveyance path 23 at the (+ X) side end of the conveyance path 23.
  • the exhaust port 572 is connected to a suction mechanism not shown.
  • clean air is supplied from the air discharge unit 571 to the transport path 23, and suction is performed via the exhaust port 572, so that the internal space 230 of the transport path 23 is supplied from the ( ⁇ X) side to ( ⁇ X).
  • a downward airflow of air toward the + X) side is formed.
  • the supply of the air from the air supply unit 57 is continuously performed during the processing of the substrate 9 by the substrate processing apparatus 1 (described later). Specifically, a clean air atmosphere is maintained.
  • the oxygen concentration of the transport path 23 is higher than the oxygen concentration of the indexer block 10 maintained in the low oxygen atmosphere as described above. Further, the oxygen concentration of the transport path 23 is higher than the oxygen concentration of the mounting unit 40 which is in a low oxygen atmosphere as described above. Note that the pressure in the transport path 23 is maintained higher than the pressure in each processing unit 21. Thereby, when the substrate 9 is carried in and out of each processing unit 21, the atmosphere (for example, a chemical solution atmosphere) in the processing unit 21 is prevented from entering the transport path 23. Further, the air pressure of the indexer block 10 and the mounting unit 40 is maintained higher than the air pressure of the transport path 23.
  • the processing unit 21 has, for example, a negative pressure
  • the transport path 23, the mounting unit 40, and the indexer block 10 have, for example, a positive pressure
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of the computer 8 included in the control unit 60.
  • the computer 8 is an ordinary computer including a processor 81, a memory 82, an input / output unit 83, and a bus 84.
  • the bus 84 is a signal circuit that connects the processor 81, the memory 82, and the input / output unit 83.
  • the memory 82 stores programs and various information.
  • the processor 81 performs various processes (for example, numerical calculations) using the memory 82 and the like according to a program and the like stored in the memory 82.
  • the input / output unit 83 includes a keyboard 85 and a mouse 86 for receiving an input from the operator, a display 87 for displaying an output from the processor 81, and a transmitting unit 88 for transmitting an output from the processor 81.
  • the control unit 60 may be a programmable logic controller (PLC: Programmable Logic Controller), a circuit board, or the like.
  • control unit 60 controls the components such as the indexer robot 12, the center robot 22, the processing unit 21, the first gas supply unit 55, the second gas supply unit 56, and the air supply unit 57.
  • control unit 60 controls the supply of the inert gas from the first gas supply unit 55 to the mounting unit 40 and the supply of the inert gas from the second gas supply unit 56 to the indexer block 10. Control individually.
  • the control unit 60 also controls the first shutter moving mechanism 437 of the first shielding unit 51 and the second shutter moving mechanism 438 of the second shielding unit 52.
  • the internal space 100 of the indexer block 10 is maintained in a low oxygen atmosphere by the second gas supply unit 56, and the internal space 230 of the transport path 23 is The air supply section 57 maintains the air atmosphere.
  • the mounting unit 40 only when the substrate 9 is carried in and out, the first opening 435 or the second opening 436 is opened, otherwise, the first opening 435 and the second opening 436 are closed.
  • the first shutter 432 and the second shutter 433 are closed.
  • the first opening 435 and the second opening 436 are closed by the first shutter 432 and the second shutter 433 (that is, the internal space 400 of the mounting unit 40). Is sealed), an inert gas is supplied from the first gas supply unit 55 to the internal space 400 of the mounting unit 40, and the mounting unit 40 is set to a low oxygen atmosphere (step S11).
  • the supply flow rate of the inert gas from the first gas supply unit 55 in step S11 is, for example, 1000 liters / minute or less.
  • the time required for the mounting unit 40 to have a desired low oxygen atmosphere is, for example, 30 seconds or less.
  • the supply of the inert gas from the first gas supply unit 55 is continuously performed while the substrate 9 is being processed in the substrate processing apparatus 1.
  • the supply flow rate of the inert gas by the first gas supply unit 55 is appropriately changed as described later.
  • the unprocessed substrate 9 is unloaded from the carrier 95 by the indexer robot 12 (step S12).
  • the carrier 95 and the indexer block 10 are in a low-oxygen atmosphere, the oxygen concentration of the carrier 95 and the indexer block 10 does not increase when the substrate 9 is carried out of the carrier 95.
  • the substrate processing apparatus 1 two substrates 9 are actually unloaded from the carrier 95, and the processing described later is performed on the two substrates 9 in parallel. , The processing for the substrate 9 will be described.
  • the second shutter moving mechanism 438 is driven by the controller 60, and the second shutter 433 moves downward to open the second opening 436 (step S13).
  • the oxygen concentration of the indexer block 10 does not increase by opening the second opening 436.
  • Step S14 When the second opening 436 is opened, the unprocessed substrate 9 is carried into the mounting unit 40 through the second opening 436 by the indexer robot 12 (Step S14).
  • the substrate 9 is supported by the lower substrate support 431 in the mounting unit 40, and the indexer robot 12 retreats from the mounting unit 40.
  • the second shutter moving mechanism 438 is driven by the controller 60, the second shutter 433 moves upward, and the second opening 436 is closed (step S15). Thereby, the internal space 400 of the mounting unit 40 is sealed.
  • the low oxygen atmosphere of the mounting unit 40 is maintained.
  • step S15 ends, the control flow of the first gas supply unit 55 by the control unit 60 reduces the supply flow rate of the inert gas supplied from the first gas supply unit 55 to the mounting unit 40. Liter / minute.
  • Step S16 the supply of the inert gas from the first gas supply unit 55 to the mounting unit 40 is continuously performed as described above.
  • the atmosphere enters the mounting unit 40 by diffusion or the like.
  • Step S17 When the first opening 435 is opened, the unprocessed substrate 9 in the mounting unit 40 is unloaded from the mounting unit 40 through the first opening 435 by the center robot 22 (Step S17). Then, the first shutter moving mechanism 437 is driven by the controller 60, the first shutter 432 moves upward, and the first opening 435 is closed (step S18). Thereafter, the mounting unit 40 is set to a low oxygen atmosphere by the first gas supply unit 55, and a new unprocessed substrate 9 is loaded by the indexer robot 12 as necessary.
  • Step S19 The substrate 9 unloaded from the mounting unit 40 is loaded into the processing unit 21 (Step S19).
  • the processing of the substrate 9 by the processing unit 24 is performed (Step S20).
  • a chemical solution for example, an etching solution or the like
  • a rinsing liquid for example, pure water or the like
  • the rotation speed of the substrate 9 is increased, and the substrate 9 is dried.
  • the processed substrate 9 is unloaded from the processing unit 21 by the center robot 22 (step S21). Subsequently, the first shutter moving mechanism 437 is driven by the control unit 60, the first shutter 432 moves downward, and the first opening 435 is opened (Step S22). At this time, the second opening 436 is closed by the second shutter 433. Next, the processed substrate 9 is loaded into the mounting unit 40 through the first opening 435 by the center robot 22 (Step S23). The processed substrate 9 is supported by the upper substrate support 431 in the mounting unit 40, and the center robot 22 retreats from the mounting unit 40. Thereafter, the first shutter moving mechanism 437 is driven by the control unit 60, the first shutter 432 moves upward, and the first opening 435 is closed (step S24). Thereby, the internal space 400 of the mounting unit 40 is sealed.
  • the first gas supply unit 55 is controlled by the control unit 60, and the flow rate of the inert gas supplied from the first gas supply unit 55 to the internal space 400 of the mounting unit 40 increases.
  • the supply flow rate of the inert gas is 1000 liters / minute or less.
  • the oxygen concentration in the internal space 400 of the mounting unit 40 rapidly decreases, and the mounting unit 40 is set to a low oxygen atmosphere (step S25).
  • the time required for the mounting unit 40 to have a desired low oxygen atmosphere is within 30 seconds.
  • step S26 When the mounting unit 40 has a low oxygen atmosphere, the second shutter moving mechanism 438 is driven by the control unit 60, and the second shutter 433 moves downward to open the second opening 436 (step S26).
  • the supply flow rate of the inert gas supplied from the first gas supply unit 55 to the mounting unit 40 is the same as that in step S25.
  • the internal pressure of the mounting unit 40 is reduced as compared with the case where the supply of the inert gas is stopped. Can be suppressed. As a result, it is possible to prevent or suppress an increase in the oxygen concentration due to outside air or the like entering the mounting unit 40.
  • step S27 When the second opening 436 is opened, the processed substrate 9 is unloaded from the mounting unit 40 via the second opening 436 by the indexer robot 12 (Step S27). Then, the second shutter moving mechanism 438 is driven by the control unit 60, the second shutter 433 moves upward, and the second opening 436 is closed (step S28). Thereby, the internal space 400 of the mounting unit 40 is sealed.
  • step S28 ends, the control flow of the first gas supply unit 55 by the control unit 60 reduces the supply flow rate of the inert gas supplied from the first gas supply unit 55 to the mounting unit 40. Liter / minute.
  • step S29 The processed substrate 9 unloaded from the mounting unit 40 is loaded into the carrier 95 by the indexer robot 12, whereby a series of processing of the substrate 9 is completed (step S29).
  • the carrier 95 and the indexer block 10 are in a low oxygen atmosphere, the oxygen concentration of the carrier 95 and the indexer block 10 does not increase when the substrate 9 is carried into the carrier 95.
  • the substrate processing apparatus 1 includes the processing block 20, the indexer block 10, the mounting unit 40, and the first shielding unit 51.
  • the processing block 20 includes a processing unit 21 that processes the substrate 9 and a first transfer robot (that is, a center robot 22) that carries the substrate 9 in and out of the processing unit 21.
  • a second transfer robot that is, an indexer robot 12
  • the mounting unit 40 is provided at a connection between the processing block 20 and the indexer block 10.
  • the mounting unit 40 holds the unprocessed substrate 9 passed from the indexer block 10 to the center robot 22.
  • the mounting unit 40 holds the processed substrate 9 passed from the center robot 22 to the indexer block 10.
  • the first shielding unit 51 is provided between the indexer block 10 and the mounting unit 40 in a low oxygen atmosphere having an oxygen concentration lower than that of the atmosphere, and the transport path 23 connecting the processing unit 21 and the mounting unit 40 in the processing block 20. Gas movement can be blocked.
  • the indexer block 10 and the mounting unit 40 which are the spaces in which the substrates 9 are mounted for a relatively long time, can be set to a low oxygen atmosphere. Oxidation of the substrate 9 can be suppressed. Further, since the inside of the carrier 95 connected to the internal space 100 of the indexer block 10 can be maintained in a low oxygen atmosphere, the oxidation of the substrate 9 in the carrier 95 can be suppressed.
  • the indexer block 10 and the mounting unit 40 can be in a low oxygen atmosphere. It is particularly suitable for a substrate processing apparatus having a higher concentration and an oxygen concentration of the mounting unit 40.
  • the structure of the substrate processing apparatus 1 is particularly suitable for a substrate processing apparatus in which the transport path 23 is in an air atmosphere.
  • the first opening 435 is an opening that connects the internal space 230 of the transport path 23 and the internal space 400 of the mounting unit 40. It is preferable that the first shielding unit 51 includes a door (that is, a first shutter 432) that opens and closes the first opening 435. Thereby, the movement of gas between the mounting unit 40 and the transport path 23 can be suitably blocked with a simple structure.
  • the substrate processing apparatus 1 preferably further includes the first gas supply unit 55 that supplies the inert gas to the mounting unit 40 to make the mounting unit 40 have a low oxygen atmosphere.
  • the mounting unit 40 can easily be set in a low oxygen atmosphere.
  • the substrate processing apparatus 1 further includes the second shielding portion 52 that can block the movement of gas between the indexer block 10 and the mounting unit 40. Thereby, it is possible to easily maintain a low oxygen atmosphere in the indexer block 10.
  • the second opening 436 is an opening that connects the internal space 100 of the indexer block 10 and the internal space 100 of the mounting unit 40. It is preferable that the second shielding unit 52 includes a door (that is, the second shutter 433) that opens and closes the first opening 435. Thereby, the movement of gas between the mounting unit 40 and the indexer block 10 can be suitably blocked with a simple structure.
  • the substrate processing apparatus 1 preferably further includes the second gas supply unit 56 that supplies the inert gas to the indexer block 10 to make the indexer block 10 have a low oxygen atmosphere.
  • the indexer block 10 can be easily maintained in a low oxygen atmosphere.
  • the substrate processing apparatus 1 includes the processing block 20, the indexer block 10, the mounting unit 40, the first shielding unit 51, the second shielding unit 52, the first gas supply unit 55, and the second gas supply unit 56. And a control unit 60. It is preferable that the control unit 60 individually controls the supply of the inert gas from the first gas supply unit 55 and the supply of the inert gas from the second gas supply unit 56. Thereby, the indexer block 10 and the mounting unit 40 can each be set to a desired low oxygen atmosphere. Further, the pressure of the indexer block 10 can be higher than the pressure of the mounting unit 40, and the pressure of the mounting unit 40 can be higher than the pressure of the transport path 23.
  • the substrate processing apparatus 1 includes the processing block 20, the indexer block 10, the mounting unit 40, the first shielding unit 51 having the first shutter 432, the second shielding unit 52 having the second shutter 433, and A first gas supply unit 55 is provided, and a control unit 60 is further provided.
  • the control unit 60 controls the center robot 22, the indexer robot 12, the first shielding unit 51, the second shielding unit 52, and the first gas supply unit 55.
  • the first shutter 432 and the second shutter 433 close the first opening 435 and the second opening 436, and after the mounting unit 40 is set to a low oxygen atmosphere, The two openings 436 are opened.
  • the unprocessed substrate 9 is carried into the mounting unit 40 by the indexer robot 12 through the second opening 436.
  • the second opening 436 is closed by the second shutter 433
  • the first opening 435 is opened.
  • the unprocessed substrate 9 is unloaded from the mounting unit 40 by the center robot 22 through the first opening 435.
  • the indexer block 10 can be suitably maintained in a low oxygen atmosphere.
  • the substrate processing apparatus 1 includes the processing block 20, the indexer block 10, the mounting unit 40, the first shielding unit 51 having the first shutter 432, the second shielding unit 52 having the second shutter 433, and A first gas supply unit 55 is provided, and a control unit 60 is further provided.
  • the control unit 60 controls the center robot 22, the indexer robot 12, the first shielding unit 51, the second shielding unit 52, and the first gas supply unit 55.
  • the second opening 436 is closed by the second shutter 433, and the processing has been completed by the center robot 22 through the first opening 435 in a state where the first opening 435 is opened. After the substrate 9 is carried into the mounting unit 40, the first opening 435 is closed by the first shutter 432.
  • the mounting unit 40 is set to a low oxygen atmosphere, and then the second opening 436 is opened. .
  • the processed substrate 9 is unloaded from the mounting unit 40 by the indexer robot 12 through the second opening 436.
  • the indexer block 10 can be suitably maintained in a low oxygen atmosphere.
  • the substrate processing method using the substrate processing apparatus 1 described above includes a step of loading the substrate 9 from the indexer block 10 to the mounting unit 40 by the indexer robot 12 (step S14), and a step of transferring the substrate 9 from the mounting unit 40 by the center robot 22.
  • the movement of gas between the indexer block 10 and the mounting unit 40 in a low oxygen atmosphere having an oxygen concentration lower than that of the atmosphere and the transport path 23 connecting the processing unit 21 and the mounting unit 40 in the processing block 20 is performed. Can be shut off.
  • the indexer block 10 and the mounting unit 40 which are spaces in which the substrate 9 is mounted for a relatively long time, can be set in a low oxygen atmosphere.
  • the substrate 9 in the substrate processing apparatus 1 can be formed. Oxidation can be suppressed.
  • the number of substrates 9 placed on the placement unit 40 may be changed as appropriate.
  • the structure of the mounting unit 40 may be variously changed.
  • a support moving mechanism for example, an actuator such as an electric cylinder
  • the planned substrate support portion 431 or the substrate support portion 431 on which the substrate 9 to be unloaded is placed may be moved to the same height as the opening of the housing 434. Thereby, the height of the opening in the vertical direction can be reduced. As a result, it is possible to suppress the entry of the air atmosphere into the mounting unit 40 when the substrate 9 is carried in / out by the center robot 22.
  • the space where the unprocessed substrate 9 is mounted and the space where the processed substrate 9 is mounted may be provided independently.
  • a lower mounting portion 41 on which the unprocessed substrate 9 is mounted and an upper mounting portion 42 on which the processed substrate 9 is mounted The upper mounting part 42 is arranged above the lower mounting part 41.
  • the internal space of the lower mounting portion 41 and the internal space of the upper mounting portion 42 are independent of each other.
  • Each of the lower mounting portion 41 and the upper mounting portion 42 can be regarded as a mounting unit on which the substrate 9 is mounted.
  • each of the lower mounting portion 41 and the upper mounting portion 42 has substantially the same structure as the mounting unit 40 described above, except that two substrates 9 can be mounted inside.
  • the lower mounting portion 41 includes a housing 414, a substrate support portion 411, a first shutter 412, and a second shutter 413.
  • the housing 414 is provided with a first opening 415 opened and closed by a first shutter 412 and a second opening 416 opened by a second shutter 413.
  • the first shutter 412 and the second shutter 413 are moved by a first shutter moving mechanism 417 and a second shutter moving mechanism 418, respectively.
  • a lower gas supply unit 419 having a structure similar to that of the first gas supply unit 55 is provided inside the housing 414.
  • the upper mounting section 42 includes a housing 424, a substrate support section 421, a first shutter 422, and a second shutter 423.
  • the housing 424 is provided with a first opening 425 opened and closed by a first shutter 422 and a second opening 426 opened by a second shutter 423.
  • the first shutter 422 and the second shutter 423 are moved by a first shutter moving mechanism 427 and a second shutter moving mechanism 428, respectively.
  • An upper gas supply unit 429 having a structure similar to that of the first gas supply unit 55 is provided inside the housing 424.
  • the first shutter 412 and the second shutter 413 of the lower mounting portion 41 and the first shutter 422 and the second shutter 423 of the upper mounting portion 42 are independently movable.
  • the supply of the inert gas to the lower receiver 41 by the lower gas supply unit 419 and the supply of the inert gas to the upper receiver 42 by the upper gas supply unit 429 are independently controlled by the control unit 60. Is done.
  • the flow of processing of the substrate 9 in the substrate processing apparatus 1 in which the mounting unit 40a is provided instead of the mounting unit 40 is substantially the same as that shown in FIGS. 8A and 8B.
  • the lower mounting portion 41 is set to a low oxygen atmosphere by the lower gas supply portion 419 (step S31).
  • the upper mounting part 42 may be in an air atmosphere.
  • the unprocessed substrate 9 is unloaded from the carrier 95 by the indexer robot 12 (Step S32).
  • the second opening 416 of the lower mounting portion 41 is opened, and after the unprocessed substrate 9 is carried into the lower mounting portion 41, the second opening 416 is closed (Steps S33 to S35).
  • the first opening 415 of the lower mounting portion 41 is opened, and after the unprocessed substrate 9 is unloaded from the lower mounting portion 41 by the center robot 22, the first opening 415 is closed (Steps S36 to S38). . Then, the substrate 9 is carried into the processing unit 21 by the center robot 22, and after the processing on the substrate 9 is performed in the processing unit 21, the substrate 9 is carried out of the processing unit 21 (steps S39 to S41).
  • the first opening 425 of the upper mounting portion 42 is opened, and after the processed substrate 9 is carried in by the center robot 22, the first opening 425 is closed (steps S42 to S44). Then, the upper mounting section 42 is set in a low oxygen atmosphere by the upper gas supply section 429 (step S45). Thereafter, the second opening 426 of the upper mounting portion 42 is opened, the processed substrate 9 is carried out of the upper mounting portion 42 by the indexer robot 12, and the second opening 426 is closed (Steps S46 to S48). Further, the processed substrate 9 is carried into the carrier 95 by the indexer robot 12, and a series of processes on the substrate 9 is completed (step S49).
  • the space in which the unprocessed substrate 9 is mounted and the space in which the processed substrate 9 is mounted are divided, so that after the center robot 22 loads and unloads the substrate 9, a low oxygen atmosphere is obtained. Is reduced in size. Therefore, the amount of the inert gas used can be reduced. Further, since the time required for setting the space in a low oxygen atmosphere can be shortened, the time required for processing the substrate 9 can also be shortened. Further, since the opening for carrying in and out the substrate 9 can be reduced in size, it is possible to suppress the entry of the atmospheric atmosphere into the mounting unit 40a when the center robot 22 carries in and out the substrate 9.
  • the mounting unit 40 shown in FIGS. 4 to 6 instead of the first shutter 432, another structure (for example, an air curtain) capable of blocking the movement of gas through the first opening 435 may be provided. Good. Further, instead of the second shutter 433, another structure (for example, an air curtain) that can block the movement of gas through the second opening 436 may be provided. The same applies to the mounting unit 40a.
  • another structure for example, an air curtain
  • the communication unit 31 is not necessarily provided.
  • the transport path 23 does not necessarily need to be in the atmosphere, and for example, an inert gas is supplied only around the center robot 22, and a part of the transport path 23 (ie, around the center robot 22). ) May be a low oxygen atmosphere. Further, the oxygen concentration of the transport path 23 does not necessarily need to be higher than the oxygen concentration of the indexer block 10 and the oxygen concentrations of the mounting units 40 and 40a. In any case, in the substrate processing apparatus 1, it is possible to suppress the atmosphere of the transport path 23 from entering the indexer block 10 via the mounting units 40 and 40a.
  • the second shielding unit 52 may be omitted.
  • the supply of the inert gas from the first gas supply unit 55 and the supply of the inert gas from the second gas supply unit 56 do not necessarily need to be individually controlled.
  • the low oxygen atmosphere of the mounting unit 40 may be realized by means other than the supply of the inert gas from the first gas supply unit 55. The same applies to the mounting unit 40a. Similarly, the low oxygen atmosphere of the indexer block 10 may be realized by means other than the supply of the inert gas from the second gas supply unit 56.
  • the structure of the center robot 22 may be variously changed.
  • the number of substrates 9 that can be transferred at one time by the center robot 22 may be one or three or more.
  • the shape and structure of the hand of the center robot 22 may be variously changed. The same applies to the indexer robot 12.
  • the processing block 20 of the substrate processing apparatus 1 is provided with processing units having various structures other than the processing unit 21 described above, and may perform various processing on the substrate 9 (for example, cleaning processing on the lower surface of the substrate 9). .
  • the above-described substrate processing apparatus 1 is used for a glass substrate used for a flat display device (Flat Panel Display) such as a liquid crystal display device or an organic EL (Electro Luminescence) display device, or for other display devices, in addition to a semiconductor substrate. It may be used for processing of a glass substrate to be performed. Further, the above-described substrate processing apparatus 1 may be used for processing an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, a ceramic substrate, a solar cell substrate, and the like.
  • Substrate processing apparatus 9 Substrate 10 Indexer block 12 Indexer robot 20 Processing block 21 Processing unit 22 Center robot 23 Transport path 40, 40a Mounting unit 41 Lower mounting part 42 Upper mounting part 51 First shielding part 52 Second shielding part 55 First 1 gas supply unit 56 second gas supply unit 60 control unit 95 carrier 100 internal space (of indexer block) 230 internal space (of transport path) 400 internal space (of mounting unit) 412, 422, 432 first shutter 413, 423, 433 Second shutter 415, 425, 435 First opening 416, 426, 436 Second opening 419 Lower gas supply unit 429 Upper gas supply unit S11-S29, S31-S49 Step

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

基板処理装置（１）の載置ユニット（４０）は、処理ブロック（２０）とインデクサブロック（１０）との接続部に設けられる。載置ユニット（４０）は、インデクサブロック（１０）からセンターロボット（２２）へと渡される未処理の基板（９）を保持する。また、載置ユニット（４０）は、センターロボット（２２）からインデクサブロック（１０）へと渡される処理済みの基板（９）を保持する。第１遮蔽部（５１）は、大気よりも酸素濃度が低い低酸素雰囲気のインデクサブロック（１０）および載置ユニット（４０）と、処理ブロック（２０）において処理ユニット（２１）と載置ユニット（４０）とを接続する搬送路（２３）との間の気体の移動を遮断可能である。これにより、基板処理装置（１）における基板（９）の酸化を抑制することができる。

Description

基板処理装置および基板処理方法
　本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。
　従来、基板を処理する基板処理装置では、フープ等のキャリアに収容されている基板が、インデクサロボットにより搬出されて載置ユニットに載置され、センターロボットにより載置ユニットから処理ユニットへと搬送されて様々な処理を施される。
　例えば、特許第６２８０８３７号公報（文献１）および特許第５６２６２４９号公報（文献２）の基板処理システムでは、搬出入ステーションの基板搬送機構と処理ステーションの基板搬送機構との間に受渡部に設けられている。受渡部の両側の開口部は閉鎖機構を有しておらず常時開放されているため、両ステーションの内部空間は、受渡部を介して常時連通している。当該基板処理システムはクリーンルームに設置されており、両ステーションの内部空間にはクリーンルーム内の空気がＦＦＵを介して供給されている。
　文献１の基板処理システムでは、搬出入ステーションの内部空間の圧力を、処理ステーションの内部空間の圧力よりも高くすることにより、搬出入ステーションから受渡部を介して処理ステーションへと向かう空気の流れが形成されている。これにより、処理ユニットにおいて発生する薬品雰囲気等が、搬出入ステーションに進入することが抑制される。また、受渡部では、ウエハ上のデバイスに対する湿度の影響を低減するために、受渡部の搬出入ステーション側の開口部に、ドライエアを供給するガス吐出部が設けられている。
　一方、特許第４６６９２５７号公報（文献３）の基板処理装置では、ロードロック室、搬送ロボットが配置される搬送室、および、ウエハへの処理が行われる処理室が、真空ポンプにより真空排気される。また、当該基板処理装置では、ロードロック室、搬送室および処理室に、窒素を供給可能である。窒素を供給することにより、真空ポンプからのオイルの逆拡散等による基板の汚染が抑制される。
　また、特許第３７３７６０４号公報（文献４）の基板処理装置は、複数の未処理基板が収容されたキャリアが載置される受け取り室と、搬送ロボットが配置される搬送室と、複数の処理室と、複数の処理済み基板が収容されるキャリアが載置された渡し室とを備える。当該基板処理装置では、各室に不活性ガスが供給され、各室内の圧力が、渡し室の圧力＞搬送室の圧力＞複数の処理室の圧力とされる。
　ところで、文献１の装置では、搬出入ステーションから処理ステーションへと向かう空気の流れは形成されるが、処理ユニットにて発生した薬品雰囲気は、拡散により処理ステーションを経由して搬出入ステーションへと進入するおそれがある。また、受渡部等に載置されているウエハは、比較的長時間に亘って空気と接触するため、ウエハ表面が酸化するおそれがある。
　また、文献３の装置では、ロードロック室、搬送室および処理室を低酸素雰囲気とすることは可能だが、ロードロック室、搬送室および処理室が全て真空雰囲気に対応可能な構造を有する必要があるため、当該装置の構造を、真空下における処理を行わない基板処理装置に適用することは、装置の複雑化および大型化等の観点から考えられない。
　文献４の装置では、渡し室の圧力＞搬送室の圧力とすることにより、渡し室と搬送室との間のシャッタが開放されている間、渡し室から搬送室に向かう不活性ガスの流れは形成されるが、処理室にて発生した薬品雰囲気は、拡散により搬送室を経由して渡し室内へと進入するおそれがある。
　本発明は、基板を処理する基板処理装置に向けられており、基板が比較的長い時間載置される空間を低酸素雰囲気とすることにより、基板の酸化を抑制することを目的としている。
　本発明の一の好ましい形態に係る基板処理装置は、基板を処理する処理ユニットおよび前記処理ユニットへの基板の搬出入を行う第１搬送ロボットが配置される処理ブロックと、複数の基板を収容可能なキャリアへの基板の搬出入を行う第２搬送ロボットが配置されるインデクサブロックと、前記処理ブロックと前記インデクサブロックとの接続部に設けられ、前記第２搬送ロボットから前記第１搬送ロボットへと渡される未処理の基板、および、前記１搬送ロボットから前記第２搬送ロボットへと渡される処理済みの基板を保持する載置ユニットと、大気よりも酸素濃度が低い低酸素雰囲気の前記インデクサブロックおよび前記載置ユニットと、前記処理ブロックにおいて前記処理ユニットと前記載置ユニットとを接続する搬送路との間の気体の移動を遮断可能な第１遮蔽部とを備える。当該基板処理装置によれば、基板の酸化を抑制することができる。
　好ましくは、前記第１遮蔽部は、前記搬送路の内部空間と前記載置ユニットの内部空間とを接続する開口を開閉する扉体を備える。
　好ましくは、前記基板処理装置は、前記載置ユニットに不活性ガスを供給することにより前記載置ユニットを低酸素雰囲気とする第１ガス供給部をさらに備える。
　好ましくは、前記基板処理装置は、前記インデクサブロックと前記載置ユニットとの間の気体の移動を遮断可能な第２遮蔽部をさらに備える。
　好ましくは、前記第２遮蔽部は、前記インデクサブロックの内部空間と前記載置ユニットの内部空間とを接続する開口を開閉する扉体を備える。
　好ましくは、前記基板処理装置は、前記インデクサブロックに不活性ガスを供給することにより前記インデクサブロックを低酸素雰囲気とする第２ガス供給部をさらに備える。
　好ましくは、前記基板処理装置は、前記インデクサブロックと前記載置ユニットとの間の気体の移動を遮断可能な第２遮蔽部と、前記載置ユニットに不活性ガスを供給することにより前記載置ユニットを低酸素雰囲気とする第１ガス供給部と、前記インデクサブロックに不活性ガスを供給することにより前記インデクサブロックを低酸素雰囲気とする第２ガス供給部と、前記第１ガス供給部からの不活性ガスの供給と、前記第２ガス供給部からの不活性ガスの供給とを個別に制御する制御部とをさらに備える。
　好ましくは、前記搬送路の酸素濃度は、前記インデクサブロックの酸素濃度および前記載置ユニットの酸素濃度よりも高い。
　好ましくは、前記搬送路は大気雰囲気である。
　好ましくは、前記基板処理装置は、前記載置ユニットに不活性ガスを供給することにより前記載置ユニットを低酸素雰囲気とする第１ガス供給部と、前記インデクサブロックと前記載置ユニットとの間の気体の移動を遮断可能な第２遮蔽部と、前記第１搬送ロボット、前記第２搬送ロボット、前記第１遮蔽部、前記第１ガス供給部および前記第２遮蔽部を制御する制御部とをさらに備える。前記第１遮蔽部は、前記搬送路の内部空間と前記載置ユニットの内部空間とを接続する第１開口を開閉する第１扉体を備える。前記第２遮蔽部は、前記インデクサブロックの内部空間と前記載置ユニットの内部空間とを接続する第２開口を開閉する第２扉体を備える。前記制御部の制御により、前記第１扉体および前記第２扉体により前記第１開口および前記第２開口が閉鎖された状態で、前記載置ユニットが低酸素雰囲気とされた後、前記第２開口が開放され、前記第２開口を介して前記第２搬送ロボットにより未処理の基板が前記載置ユニットに搬入され、前記第２扉体により前記第２開口が閉鎖された後、前記第１開口が開放され、前記第１開口を介して前記第１搬送ロボットにより前記未処理の基板が前記載置ユニットから搬出される。
　好ましくは、前記基板処理装置は、前記載置ユニットに不活性ガスを供給することにより前記載置ユニットを低酸素雰囲気とする第１ガス供給部と、前記インデクサブロックと前記載置ユニットとの間の気体の移動を遮断可能な第２遮蔽部と、前記第１搬送ロボット、前記第２搬送ロボット、前記第１遮蔽部、前記第１ガス供給部および前記第２遮蔽部を制御する制御部とをさらに備える。前記第１遮蔽部は、前記搬送路の内部空間と前記載置ユニットの内部空間とを接続する第１開口を開閉する第１扉体を備える。前記第２遮蔽部は、前記インデクサブロックの内部空間と前記載置ユニットの内部空間とを接続する第２開口を開閉する第２扉体を備える。前記制御部の制御により、前記第２扉体により前記第２開口が閉鎖されており、前記第１開口が開放された状態で、前記第１開口を介して前記第１搬送ロボットにより処理済みの基板が前記載置ユニットに搬入された後、前記第１扉体により前記第１開口が閉鎖され、前記第１扉体および前記第２扉体により前記第１開口および前記第２開口が閉鎖された状態で、前記載置ユニットが低酸素雰囲気とされた後、前記第２開口が開放され、前記第２開口を介して前記第２搬送ロボットにより前記処理済みの基板が前記載置ユニットから搬出される。
　本発明は、基板処理装置によって基板を処理する基板処理方法にも向けられている。当該基板処理装置は、基板を処理する処理ユニットおよび前記処理ユニットへの基板の搬出入を行う第１搬送ロボットが配置される処理ブロックと、複数の基板を収容可能なキャリアへの基板の搬出入を行う第２搬送ロボットが配置されるインデクサブロックと、前記処理ブロックと前記インデクサブロックとの接続部に設けられ、前記第２搬送ロボットから前記第１搬送ロボットへと渡される未処理の基板、および、前記１搬送ロボットから前記第２搬送ロボットへと渡される処理済みの基板を保持する載置ユニットとを備える。本発明の一の好ましい形態に係る基板処理方法は、ａ）前記第２搬送ロボットにより前記インデクサブロックから前記載置ユニットへと基板を搬入する工程と、ｂ）前記第１搬送ロボットにより前記載置ユニットから前記基板を搬出して前記処理ユニットへと搬入する工程と、ｃ）前記処理ユニットにおいて前記基板に対する処理を行う工程と、ｄ）前記第１搬送ロボットにより前記処理ユニットから前記基板を搬出して前記載置ユニットへと搬入する工程と、ｅ）前記第２搬送ロボットにより前記載置ユニットから前記インデクサブロックへと前記基板を搬出する工程とを備える。大気よりも酸素濃度が低い低酸素雰囲気の前記インデクサブロックおよび前記載置ユニットと、前記処理ブロックにおいて前記処理ユニットと前記載置ユニットとを接続する搬送路との間の気体の移動が遮断可能である。当該基板処理方法によれば、基板の酸化を抑制することができる。
　上述の目的および他の目的、特徴、態様および利点は、添付した図面を参照して以下に行うこの発明の詳細な説明により明らかにされる。
一の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 基板処理装置の内部を示す正面図である。 処理ユニットの一例を示す図である。 載置ユニットの側面図である。 載置ユニットの側面図である。 載置ユニットの内部を示す図である。 制御部の構成を示す図である。 基板の処理の流れを示す図である。 基板の処理の流れを示す図である。 他の載置ユニットの側面図である。 他の載置ユニットの側面図である。 他の載置ユニットの内部を示す図である。 基板の処理の流れを示す図である。 基板の処理の流れを示す図である。
　図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置１の平面図である。図２は、基板処理装置１を、図１のＩＩ－ＩＩ線から見た図である。なお、以下に参照する各図には、Ｚ軸方向を鉛直方向（すなわち、上下方向）とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系が適宜付されている。なお、図２では、基板処理装置１の（＋Ｘ）側の一部の図示を省略している。
　基板処理装置１は、複数の略円板状の半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）に連続して処理を行う装置である。基板処理装置１では、例えば、基板９に対して処理液を供給する液処理が行われる。基板処理装置１は、複数のキャリアステージ１１と、インデクサブロック１０と、処理ブロック２０と、載置ユニット４０と、制御部６０と、を備える。インデクサブロック１０および処理ブロック２０はそれぞれ、インデクサセルおよび処理セルとも呼ばれる。また、インデクサブロック１０は、Equipment Front End Module（ＥＤＥＭ）ユニット等とも呼ばれる。図１に示す例では、（－Ｘ）側から（＋Ｘ）側に向かって、複数（例えば、３個）のキャリアステージ１１、インデクサブロック１０および処理ブロック２０が、この順に隣接して配置されている。
　複数のキャリアステージ１１は、インデクサブロック１０の（－Ｘ）側の側壁に沿ってＹ方向に配列される。複数のキャリアステージ１１はそれぞれ、キャリア９５が載置される載置台である。キャリア９５は、複数の円板状の基板９を収納可能である。キャリア９５の内部空間には、不活性ガス（例えば、窒素（Ｎ２）またはアルゴン（Ａｒ））が満たされており、低酸素雰囲気となっている。インデクサブロック１０の（－Ｘ）側の側壁には、各キャリアステージ１１上のキャリア９５に対応する位置に開口部が設けられる。当該開口部にはキャリア用シャッタが設けられており、キャリア９５に対する基板９の搬出入が行われる際には、当該キャリア用シャッタが開閉される。
　各キャリアステージ１１に対しては、複数の未処理の基板９を収納したキャリア９５が、基板処理装置１の外部から、ＯＨＴ（Overhead Hoist Transfer）等により搬入されて載置される。また、処理ブロック２０における処理が終了した処理済みの基板９は、キャリアステージ１１に載置されたキャリア９５に収納される。処理済みの基板９が収納されたキャリア９５は、ＯＨＴ等によって基板処理装置１の外部に搬出される。すなわち、キャリアステージ１１は、未処理の基板９および処理済みの基板９を集積する基板集積部として機能する。
　キャリア９５は、例えば、基板９を密閉空間に収納するＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pod）である。キャリア９５は、ＦＯＵＰには限定されず、例えば、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド等であってもよい。また、キャリアステージ１１の数は、１個であってもよく、２個以上であってもよい。
　インデクサブロック１０は、キャリア９５から未処理の基板９を受け取り、処理ブロック２０に渡す。また、インデクサブロック１０は、処理ブロック２０から搬出された処理済みの基板９を受け取り、キャリア９５へと搬入する。インデクサブロック１０の内部空間１００には、キャリア９５への基板９の搬出入を行うインデクサロボット１２が配置される。
　インデクサロボット１２は、２本の搬送アーム１２１ａ，１２１ｂと、アームステージ１２２と、基台１２３とを備える。２本の搬送アーム１２１ａ，１２１ｂは、アームステージ１２２に搭載される。基台１２３は、インデクサブロック１０のフレームに固定されている。
　アームステージ１２２は、基台１２３上に搭載される。基台１２３には、アームステージ１２２を上下方向（すなわち、Ｚ方向）に延びる回転軸周りに回転させるモータ（図示省略）、および、アームステージ１２２を上下方向に沿って移動させるモータ（図示省略）が内蔵されている。アームステージ１２２上には、搬送アーム１２１ａ，１２１ｂが、上下に離間して配置されている。
　搬送アーム１２１ａ，１２１ｂの先端にはそれぞれ、平面視において略Ｕ字状のハンドが設けられる。当該ハンドは、例えば、幅方向に広がる基部と、当該基部の幅方向両端部から幅方向に垂直な長手方向に略平行に延びる２本の爪部とを備える。搬送アーム１２１ａ，１２１ｂはそれぞれ、ハンドにより１枚の基板９の下面を支持する。また、搬送アーム１２１ａ，１２１ｂは、アームステージ１２２に内蔵された駆動機構（図示省略）によって多関節機構が屈伸されることにより、水平方向（すなわち、アームステージ１２２の回転軸を中心とする径方向）に沿って互いに独立して移動する。換言すれば、ハンドは、進退自在、昇降自在かつ回転自在にインデクサロボット１２に設けられる。
　インデクサロボット１２は、ハンドにより基板９を保持する搬送アーム１２１ａ，１２１ｂをそれぞれ、キャリアステージ１１に載置されたキャリア９５、および、載置ユニット４０に個別にアクセスさせることにより、キャリア９５および載置ユニット４０の間で基板９を搬送する搬送ロボットである。インデクサロボット１２における上記移動機構は、上述の例には限定されず、他の機構であってもよい。例えば、搬送アーム１２１ａ，１２１ｂを上下方向に移動する機構として、プーリとタイミングベルトとを使用したベルト送り機構等が採用されてもよい。
　処理ブロック２０には、基板９の搬送に利用される搬送路２３と、搬送路２３の周囲に配置される複数の処理ユニット２１とが設けられる。図１に示す例では、搬送路２３は、処理ブロック２０のＹ方向の中央にてＸ方向に延びる。搬送路２３の内部空間２３０には、各処理ユニット２１への基板９の搬出入を行うセンターロボット２２が配置される。
　センターロボット２２は、２本の搬送アーム２２１ａ，２２１ｂと、アームステージ２２２と、支柱２２３とを備える。２本の搬送アーム２２１ａ，２２１ｂは、アームステージ２２２に搭載される。支柱２２３は、処理ブロック２０のフレームに固定されている。
　アームステージ２２２は、支柱２２３に上下方向に移動可能に取り付けられる。支柱２２３には、アームステージ２２２を上下方向に沿って移動させる昇降機構２２４が内蔵されている。昇降機構２２４は、例えば、モータとボールねじとを組み合わせた機構である。昇降機構２２４の構造は、様々に変更されてよい。アームステージ２２２上には、搬送アーム２２１ａ，２２１ｂが、上下に離間して配置されている。
　搬送アーム２２１ａ，２２１ｂの先端にはそれぞれ、平面視において略Ｕ字状のハンドが設けられる。当該ハンドは、例えば、幅方向に広がる基部と、当該基部の幅方向両端部から幅方向に垂直な長手方向に略平行に延びる２本の爪部とを備える。搬送アーム２２１ａ，２２１ｂはそれぞれ、ハンドにより１枚の基板９の下面を支持する。搬送アーム２２１ａ，２２１ｂは、アームステージ２２２に内蔵された駆動機構（図示省略）によって多関節機構が屈伸されることにより、水平方向に沿って互いに独立して移動する。また、搬送アーム２２１ａ，２２１ｂは、アームステージ２２２に内蔵された当該駆動機構により、互いに独立して水平方向に回転する。換言すれば、ハンドは、進退自在、昇降自在かつ回転自在にセンターロボット２２に設けられる。
　センターロボット２２は、ハンドにより基板９を保持する搬送アーム２２１ａ，２２１ｂをそれぞれ、載置ユニット４０および複数の処理ユニット２１に個別にアクセスさせることにより、載置ユニット４０および処理ユニット２１の間で基板９を搬送する搬送ロボットである。以下の説明では、センターロボット２２およびインデクサロボット１２をそれぞれ、「第１搬送ロボット」および「第２搬送ロボット」とも呼ぶ。センターロボット２２における上記移動機構は、上述の例には限定されず、他の機構であってもよい。例えば、搬送アーム２２１ａ，２２１ｂを上下方向に移動する機構として、プーリとタイミングベルトとを使用したベルト送り機構等が採用されてもよい。
　各処理ユニット２１では、基板９に対する処理が行われる。図１および図２に示す例では、処理ブロック２０には、１２個の処理ユニット２１が設けられる。具体的には、Ｚ方向に積層された３個の処理ユニット２１群が、平面視における処理ユニット２１の周囲に４組配置される。
　図３は、処理ユニット２１の一例を示す図である。処理ユニット２１は、ハウジング２１１と、処理部２４とを備える。処理部２４は、ハウジング２１１の内部空間に収容される。処理部２４は、基板保持部２４１と、基板回転機構２４２と、カップ部２４３と、ノズル２４４と、トッププレート２４５とを備える。処理部２４は、例えば、基板９の上面９１に対するエッチング処理等の液処理を行う。
　基板保持部２４１は、例えば、基板９を水平状態で保持する。基板保持部２４１は、例えば、基板９の周縁部に接触して保持する複数のメカチャックを備える。基板回転機構２４２は、上下方向を向く回転軸Ｊ１を中心として基板保持部２４１を回転することにより、基板保持部２４１に保持された基板９を回転する。基板回転機構２４２は、例えば、基板保持部２４１の下面に接続される電動モータである。
　カップ部２４３は、基板保持部２４１の周囲を全周に亘って囲む略円筒状の部材である。カップ部２４３は、回転中の基板９から周囲に飛散する液体を受ける。トッププレート２４５は、基板９の上方を覆って周囲の雰囲気から遮蔽する遮蔽板である。トッププレート２４５は、例えば、基板保持部２４１により下方から支持され、基板回転機構２４２により基板保持部２４１と共に回転する。ノズル２４４は、トッププレート２４５の中央部に設けられた開口に挿入され、基板９の上面の中央部に向けて処理液を供給する。
　図１および図２に示すように、インデクサブロック１０と処理ブロック２０との間には、およそＹ方向に延びる雰囲気遮断用の隔壁３０が設けられる。隔壁３０は、インデクサブロック１０のＹ方向の全長およびＺ方向の全長に亘って設けられる。インデクサブロック１０のＹ方向の中央部では、隔壁３０の一部が、処理ブロック２０側（すなわち、（＋Ｘ）側）に突出している。以下の説明では、当該突出した部位「連絡部３１」と呼ぶ。連絡部３１の略トンネル状の内部空間３１０は、インデクサブロック１０の内部空間１００の一部であり、インデクサブロック１０と処理ブロック２０の搬送路２３とを連絡する。
　載置ユニット４０は、連絡部３１の内部空間３１０において（＋Ｘ）側の端部に載置される。換言すれば、載置ユニット４０は、インデクサブロック１０と処理ブロック２０との接続部に設けられる。上述のように、インデクサロボット１２およびセンターロボット２２は、載置ユニット４０にアクセス可能である。載置ユニット４０は、センターロボット２２が配置される搬送路２３を介して複数の処理ユニット２１に接続される。
　インデクサロボット１２は、キャリア９５から搬出した未処理の基板９を載置ユニット４０に載置する。センターロボット２２は、載置ユニット４０から未処理の基板９を搬出し、処理ユニット２１へと搬入する。また、センターロボット２２は、処理ユニット２１から搬出した処理済みの基板９を載置ユニット４０に載置する。インデクサロボット１２は、載置ユニット４０から処理済みの基板９を搬出し、キャリア９５に搬入する。換言すれば、載置ユニット４０は、インデクサロボット１２からセンターロボット２２へと渡される未処理の基板９、および、センターロボット２２からインデクサロボット１２へと渡される処理済みの基板９を保持する。
　図４は、載置ユニット４０を（＋Ｘ）側から見た側面図である。図５は、載置ユニット４０を（－Ｘ）側から見た側面図である。図６は、載置ユニット４０の内部を（＋Ｘ）側から見た図である。図６では、載置ユニット４０の筐体４３４を断面にて示し、載置ユニット４０の内部を図示している。また、図６では、載置ユニット４０以外の構成も併せて示す。
　載置ユニット４０は、筐体４３４と、基板支持部４３１と、第１シャッタ４３２と、第２シャッタ４３３とを備える。筐体４３４は、略直方体状の箱形部材である。載置ユニット４０の内部空間４００には、４枚の基板９が収容可能である。当該４枚の基板９は、上下方向（すなわち、Ｚ方向）に互いに離間した状態で配列されて載置される。基板支持部４３１は、筐体４３４の内部に収容される。基板支持部４３１は、各基板９を水平状態で支持する。基板支持部４３１は、例えば、筐体４３４の内側面から突出する複数の凸部であり、当該複数の凸部上に基板９の周縁部が載置される。基板支持部４３１の形状および構造は、適宜変更されてもよい。
　筐体４３４の（＋Ｘ）側の側壁には、処理ブロック２０の搬送路２３の内部空間２３０と、載置ユニット４０の内部空間４００とを接続する第１開口４３５が設けられる。第１開口４３５は、略矩形状の貫通孔である。第１開口４３５は、センターロボット２２に保持された２枚の基板９が通過可能である。筐体４３４の（－Ｘ）側の側壁には、インデクサブロック１０の内部空間１００と、載置ユニット４０の内部空間４００とを接続する第２開口４３６が設けられる。第２開口４３６は、略矩形状の貫通孔である。第２開口４３６は、インデクサロボット１２に保持された２枚の基板９が通過可能である。
　第１シャッタ４３２は、筐体４３４の第１開口４３５を開閉する扉体（すなわち、第１扉体）である。第１シャッタ４３２は、略長方形の板状部材である。第１シャッタ４３２は、第１シャッタ移動機構４３７により上下方向（すなわち、Ｚ方向）に移動されるとともに、Ｘ方向にも移動される。第１シャッタ移動機構４３７は、例えば、第１シャッタ４３２を上下方向に移動する電動シリンダ等のアクチュエータと、第１シャッタ４３２を筐体４３４に向かって押圧する電動シリンダ等のアクチュエータ（図示省略）とを備える。なお、図２では、第１シャッタ移動機構４３７の図示を省略している。
　図４中において実線にて示すように、第１シャッタ４３２が第１開口４３５とＸ方向に重なることにより、第１開口４３５は閉鎖される。第１シャッタ４３２は、第１シャッタ移動機構４３７により筐体４３４へと押圧され、第１開口４３５の周囲にて筐体４３４と気密に接触する。これにより、処理ブロック２０の搬送路２３の内部空間２３０と載置ユニット４０の内部空間４００との間の、第１開口４３５を介した気体の移動が遮断される。また、第１シャッタ移動機構４３７により、第１シャッタ４３２が、筐体４３４から（＋Ｘ）方向へと離間した後、図４中において二点鎖線にて示す位置へと下降することにより、第１開口４３５は開放される。これにより、搬送路２３の内部空間２３０と載置ユニット４０の内部空間４００との間の、第１開口４３５を介した気体の移動が可能となる。
　第２シャッタ４３３は、筐体４３４の第２開口４３６を開閉する扉体（すなわち、第２扉体）である。第２シャッタ４３３は、略長方形の板状部材である。第２シャッタ４３３は、第２シャッタ移動機構４３８により上下方向（すなわち、Ｚ方向）に移動されるとともに、Ｘ方向にも移動される。第２シャッタ移動機構４３８は、例えば、第２シャッタ４３３を上下方向に移動する電動シリンダ等のアクチュエータと、第２シャッタ４３３を筐体４３４に向かって押圧する電動シリンダ等のアクチュエータ（図示省略）とを備える。なお、図２では、第２シャッタ移動機構４３８の図示を省略している。
　図５中において実線にて示すように、第２シャッタ４３３が第２開口４３６とＸ方向に重なることにより、第２開口４３６は閉鎖される。第２シャッタ４３３は、第２シャッタ移動機構４３８により筐体４３４へと押圧され、第２開口４３６の周囲にて筐体４３４と気密に接触する。これにより、インデクサブロック１０の内部空間１００と載置ユニット４０の内部空間４００との間の、第２開口４３６を介した気体の移動が遮断される。また、第２シャッタ移動機構４３８により、第２シャッタ４３３が、筐体４３４から（－Ｘ）方向へと離間した後、図５中において二点鎖線にて示す位置へと下降することにより、第２開口４３６は開放される。これにより、インデクサブロック１０の内部空間１００と載置ユニット４０の内部空間４００との間の、第２開口４３６を介した気体の移動が可能となる。
　載置ユニット４０の第１開口４３５が第１シャッタ４３２により閉鎖された状態では、図１および図２に示す連絡部３１を含む隔壁３０と、載置ユニット４０の筐体４３４と、第１シャッタ移動機構４３７によって移動される第１シャッタ４３２とにより、インデクサブロック１０および載置ユニット４０と、処理ブロック２０の搬送路２３との間の気体の移動が遮断される。すなわち、隔壁３０、筐体４３４、第１シャッタ４３２および第１シャッタ移動機構４３７は、インデクサブロック１０および載置ユニット４０と、処理ブロック２０の搬送路２３との間の気体の移動を遮断可能な第１遮蔽部５１を構成する。第１遮蔽部５１は、隔壁３０、筐体４３４、第１シャッタ４３２および第１シャッタ移動機構４３７以外の構成を含んでいてもよい。
　また、載置ユニット４０の第２開口４３６が、第２シャッタ移動機構４３８によって移動する第２シャッタ４３３により閉鎖された状態では、載置ユニット４０の筐体４３４および第２シャッタ４３３により、インデクサブロック１０と載置ユニット４０との間の気体の移動が遮断される。すなわち、筐体４３４、第２シャッタ４３３および第２シャッタ移動機構４３８は、インデクサブロック１０と載置ユニット４０との間の気体の移動を遮断可能な第２遮蔽部５２を構成する。第２遮蔽部５２は、筐体４３４、第２シャッタ４３３および第２シャッタ移動機構４３８以外の構成を含んでいてもよい。
　図６に示すように、基板処理装置１は、載置ユニット４０に不活性ガス（例えば、窒素またはアルゴン）を供給する第１ガス供給部５５をさらに備える。第１ガス供給部５５は、中央吐出部５５１と、周縁吐出部５５２と、側方吐出部５５３と、排気ポート５５４とを備える。中央吐出部５５１および周縁吐出部５５２は、載置ユニット４０の筐体４３４の天蓋部近傍に配置され、不活性ガス供給源５８にバルブ５８１を介して接続される。側方吐出部５５３は、載置ユニット４０内に載置された基板９の周囲に配置され、不活性ガス供給源５８にバルブ５８２を介して接続される。排気ポート５５４は、吸引機構５９に接続される。不活性ガス供給源５８および吸引機構５９は、例えば、基板処理装置１の外部に設けられる。
　中央吐出部５５１は、載置ユニット４０内に載置された基板９の中央部（すなわち、周縁部を除く部位）の上方に位置する。中央吐出部５５１の下面は、例えば、複数の吐出口が略均等に分散配置された略円板状のパンチングプレートにより形成される。周縁吐出部５５２は、載置ユニット４０内に載置された基板９の周縁部の上方に位置する。周縁吐出部５５２の下面には、例えば、略円環状かつスリット状の吐出口が設けられる。
　側方吐出部５５３は、基板９の周囲において周方向（すなわち、基板９の中心を通って法線方向に延びる中心軸を中心とする周方向）に略等角度間隔にて配置される複数の吐出要素５５５を備える。各吐出要素５５５は、筐体４３４の天蓋部から略鉛直下方に延びる有底略円筒状の部材である。各吐出要素５５５の下端は、最下段（すなわち、最も（－Ｚ）側）に位置する基板９よりも下側に位置する。各吐出要素５５５の側面には、基板９が載置されている方向を向く（すなわち、上記中心軸を中心とする径方向内方を向く）複数の吐出口が設けられる。図６に示す例では、各吐出要素５５５に３つの吐出口が設けられ、当該３つの吐出口は、上下方向に配列される４枚の基板９の間の３つの間隙と、上下方向において略同じ位置に位置する。排気ポート５５４は、４枚の基板９よりも下方に配置される。図６に示す例では、複数の排気ポート５５４が、周方向に略等角度間隔にて配列される。
　載置ユニット４０において、第１シャッタ４３２および第２シャッタ４３３により第１開口４３５および第２開口４３６が閉鎖されると、上述のように、載置ユニット４０の内部空間４００は、インデクサブロック１０の内部空間１００および搬送路２３の内部空間２３０から遮断される。この状態で、バルブ５８１およびバルブ５８２が開弁されて載置ユニット４０に不活性ガスが供給され、排気ポート５５４を介して吸引機構５９による吸引が行われることにより、載置ユニット４０の内部空間４００の空気が不活性ガスに置換され、載置ユニット４０の内部空間４００が不活性ガス雰囲気となる。換言すれば、載置ユニット４０の内部空間４００は、大気よりも酸素濃度が低い低酸素雰囲気となる。載置ユニット４０の酸素濃度は、例えば１００ｐｐｍ以下である。
　具体的には、バルブ５８１が開弁されると、中央吐出部５５１から略鉛直下方に向けて不活性ガスが供給される。中央吐出部５５１からの不活性ガスは、中央吐出部５５１から最上段（すなわち、最も（＋Ｚ）側）に位置する基板９に向けて略鉛直下方へと流れ、当該基板９の上面に沿って径方向外方へと流れる。図６では、不活性ガスの流れを矢印にて示す。周縁吐出部５５２からは、径方向外方かつ下方に向けて不活性ガスが供給される。周縁吐出部５５２からの不活性ガスの上記供給方向は、例えば、周縁吐出部５５２の吐出口を径方向外方かつ下方に向けることにより実現される。周縁吐出部５５２からの不活性ガスは、最上段の基板９の周縁近傍を通過して下方へと流れる。これにより、基板９の上方および側方に存在する空気が、基板９よりも下方へと流れ、排気ポート５５４を介して載置ユニット４０の外部へと排出される。
　周縁吐出部５５２から吐出される不活性ガスの流速は、例えば、中央吐出部５５１から吐出される不活性ガスの流速よりも大きい。これにより、基板９よりも上方の空気を、急速に排気ポート５５４へ押し流すことができる。また、中央吐出部５５１から吐出される不活性ガスの流速を比較的小さくすることにより、中央吐出部５５１からの不活性ガスにより最上段の基板９が振動することを抑制することができる。
　また、載置ユニット４０では、バルブ５８２が開弁されると、側方吐出部５５３の複数の吐出要素５５５から径方向内方に向けて不活性ガスが供給される。側方吐出部５５３からの不活性ガスは、上下方向に配列された４枚の基板９の間隙を通過し、基板９の周囲から下方へと流れる。これにより、複数の基板９の間に存在する空気が、基板９よりも下方へと流れ、排気ポート５５４を介して載置ユニット４０の外部へと排出される。
　図２に示すように、基板処理装置１は、インデクサブロック１０に不活性ガス（例えば、窒素またはアルゴン）を供給する第２ガス供給部５６をさらに備える。第２ガス供給部５６は、ガス吐出部５６１と、排気ポート５６２とを備える。ガス吐出部５６１は、インデクサブロック１０の天蓋部近傍に配置され、不活性ガス供給源５８（図６参照）に図示省略のバルブを介して接続される。排気ポート５６２は、吸引機構５９（図６参照）に接続される。なお、ガス吐出部５６１は、不活性ガス供給源５８とは異なる他の不活性ガス供給源に接続されてもよい。また、排気ポート５６２は、吸引機構５９とは異なる他の吸引機構に接続されてもよい。
　ガス吐出部５６１は、インデクサロボット１２よりも上方に位置し、インデクサブロック１０の上面の略全体に亘って設けられる。ガス吐出部５６１は、例えばＦＦＵ（Fan Filter Unit）である。排気ポート５６２は、インデクサブロック１０の側壁の底面近傍の部位（または、底面）に配置される。
　載置ユニット４０において、第２シャッタ４３３により第２開口４３６が閉鎖されると、上述のように、インデクサブロック１０の内部空間１００は、載置ユニット４０の内部空間４００および搬送路２３の内部空間２３０から遮断される。この状態で、上記バルブが開弁されてガス吐出部５６１からインデクサブロック１０に不活性ガスが供給され、排気ポート５６２を介して吸引機構５９による吸引が行われることにより、インデクサブロック１０の内部空間１００の空気が不活性ガスに置換され、載置ユニット４０の内部空間４００が不活性ガス雰囲気となる。換言すれば、インデクサブロック１０の内部空間１００は、大気よりも酸素濃度が低い低酸素雰囲気とされる。インデクサブロック１０の酸素濃度は、例えば１００ｐｐｍ以下である。
　第２ガス供給部５６からの不活性ガスの供給は、基板処理装置１による基板９の処理（後述）の間、継続的に行われており、インデクサブロック１０の内部空間１００は、低酸素雰囲気に維持される。載置ユニット４０において、第２開口４３６が開放されている場合は、第１ガス供給部５５および第２ガス供給部５６から不活性ガスが供給されることにより、載置ユニット４０の内部空間４００およびインデクサブロック１０の内部空間１００が低酸素雰囲気とされる。
　基板処理装置１は、処理ブロック２０の搬送路２３に清浄な空気を供給する空気供給部５７をさらに備える。空気供給部５７は、空気吐出部５７１と、排気ポート５７２（図１参照）とを備える。空気吐出部５７１は、搬送路２３の天蓋部近傍に配置され、基板処理装置１が配置されているクリーンルーム内の清浄な空気を、搬送路２３の内部空間２３０へと供給する。空気吐出部５７１は、センターロボット２２よりも上方に位置し、搬送路２３の上面の略全体に亘って設けられる。空気吐出部５７１は、例えばＦＦＵである。排気ポート５７２は、搬送路２３の（＋Ｘ）側の端部において、搬送路２３の側壁の底面近傍の部位（または、底面）に配置される。排気ポート５７２は、図示省略の吸引機構に接続される。
　処理ブロック２０では、空気吐出部５７１から搬送路２３に清浄な空気が供給され、排気ポート５７２を介して吸引が行われることにより、搬送路２３の内部空間２３０に、（－Ｘ）側から（＋Ｘ）側へと向かう空気の下降気流が形成される。空気供給部５７からの空気の供給は、基板処理装置１による基板９の処理（後述）の間、継続的に行われており、処理ブロック２０の搬送路２３の内部空間２３０は、大気雰囲気（詳細には、クリーンエア雰囲気）に維持される。
　基板処理装置１では、搬送路２３の内部空間２３０が大気雰囲気であるため、搬送路２３の酸素濃度は、上述のように低酸素雰囲気に維持されているインデクサブロック１０の酸素濃度よりも高い。また、搬送路２３の酸素濃度は、上述のように低酸素雰囲気とされる載置ユニット４０の酸素濃度よりも高い。なお、搬送路２３の気圧は、各処理ユニット２１の気圧よりも高く維持されている。これにより、各処理ユニット２１への基板９の搬出入時に、処理ユニット２１内の雰囲気（例えば、薬液雰囲気）等が搬送路２３へと進入することが抑制される。また、インデクサブロック１０および載置ユニット４０の気圧は、搬送路２３の気圧よりも高く維持されている。これにより、搬送路２３内の大気雰囲気が、載置ユニット４０およびインデクサブロック１０へと進入することが抑制される。処理ユニット２１は、例えば陰圧であり、搬送路２３、載置ユニット４０およびインデクサブロック１０は、例えば陽圧である。
　図７は、制御部６０が備えるコンピュータ８の構成を示す図である。コンピュータ８は、プロセッサ８１と、メモリ８２と、入出力部８３と、バス８４とを備える通常のコンピュータである。バス８４は、プロセッサ８１、メモリ８２および入出力部８３を接続する信号回路である。メモリ８２は、プログラムおよび各種情報を記憶する。プロセッサ８１は、メモリ８２に記憶されるプログラム等に従って、メモリ８２等を利用しつつ様々な処理（例えば、数値計算）を実行する。入出力部８３は、操作者からの入力を受け付けるキーボード８５およびマウス８６、プロセッサ８１からの出力等を表示するディスプレイ８７、並びに、プロセッサ８１からの出力等を送信する送信部８８を備える。なお、制御部６０は、プログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ：Programmable Logic Controller）や回路基板等であってもよい。
　基板処理装置１では、制御部６０により、インデクサロボット１２、センターロボット２２、処理ユニット２１、第１ガス供給部５５、第２ガス供給部５６および空気供給部５７等の各構成が制御される。本実施の形態では、制御部６０は、第１ガス供給部５５から載置ユニット４０への不活性ガスの供給と、第２ガス供給部５６からインデクサブロック１０への不活性ガスの供給とを個別に制御する。また、制御部６０は、第１遮蔽部５１の第１シャッタ移動機構４３７、および、第２遮蔽部５２の第２シャッタ移動機構４３８も制御する。
　次に、図８Ａおよび図８Ｂを参照しつつ、基板処理装置１による基板９の処理の流れの一例について説明する。基板９の処理中の基板処理装置１では、上述のように、インデクサブロック１０の内部空間１００は、第２ガス供給部５６により低酸素雰囲気に維持されており、搬送路２３の内部空間２３０は、空気供給部５７により大気雰囲気に維持されている。また、載置ユニット４０では、基板９の搬出入が行われる際にのみ、第１開口４３５または第２開口４３６が開放され、それ以外の場合は、第１開口４３５および第２開口４３６は第１シャッタ４３２および第２シャッタ４３３により閉鎖されている。
　基板処理装置１では、まず、載置ユニット４０において、第１シャッタ４３２および第２シャッタ４３３により第１開口４３５および第２開口４３６が閉鎖された状態で（すなわち、載置ユニット４０の内部空間４００が密閉された状態で）、第１ガス供給部５５から載置ユニット４０の内部空間４００に不活性ガスが供給され、載置ユニット４０が低酸素雰囲気とされる（ステップＳ１１）。
　ステップＳ１１における第１ガス供給部５５からの不活性ガスの供給流量は、例えば、１０００リットル／分以下である。載置ユニット４０が所望の低酸素雰囲気とされるまでに要する時間は、例えば３０秒以内である。載置ユニット４０では、基板処理装置１において基板９に対する処理が行われている間、第１ガス供給部５５からの不活性ガスの供給が継続的に行われている。ただし、第１ガス供給部５５による不活性ガスの供給流量は、後述するように適宜変更される。
　載置ユニット４０が低酸素雰囲気になると、キャリア９５からインデクサロボット１２により未処理の基板９が搬出される（ステップＳ１２）。上述のように、キャリア９５およびインデクサブロック１０は低酸素雰囲気であるため、基板９のキャリア９５からの搬出の際に、キャリア９５およびインデクサブロック１０の酸素濃度が上昇することはない。基板処理装置１では、実際には、２枚の基板９がキャリア９５から搬出され、後述する処理が２枚の基板９に対して並行して施されるが、以下では、１枚の基板９に注目して、当該基板９に対する処理について説明する。
　続いて、制御部６０により第２シャッタ移動機構４３８が駆動され、第２シャッタ４３３が下方へと移動して第２開口４３６が開放される（ステップＳ１３）。上述のように、載置ユニット４０の内部空間４００は、インデクサブロック１０と同様に低酸素雰囲気とされているため、第２開口４３６の開放によりインデクサブロック１０の酸素濃度が上昇することはない。
　第２開口４３６が開放されると、未処理の基板９が、インデクサロボット１２により第２開口４３６を介して載置ユニット４０に搬入される（ステップＳ１４）。基板９は、載置ユニット４０内の下側の基板支持部４３１により支持され、インデクサロボット１２は載置ユニット４０から退出する。そして、制御部６０により第２シャッタ移動機構４３８が駆動され、第２シャッタ４３３が上方へと移動して第２開口４３６が閉鎖される（ステップＳ１５）。これにより、載置ユニット４０の内部空間４００が密閉される。上述のように、載置ユニット４０の低酸素雰囲気は維持されている。ステップＳ１５が終了すると、制御部６０により第１ガス供給部５５が制御されることにより、第１ガス供給部５５から載置ユニット４０に供給される不活性ガスの供給流量は減少され、例えば１００リットル／分とされる。
　第２開口４３６が閉鎖されると、制御部６０により第１シャッタ移動機構４３７が駆動され、第１シャッタ４３２が下方へと移動して第１開口４３５が開放される（ステップＳ１６）。第１開口４３５が開放された後も、上述のように、第１ガス供給部５５から載置ユニット４０への不活性ガスの供給は継続的に行われているが、搬送路２３内の大気雰囲気は、拡散等により載置ユニット４０内へと進入する。
　第１開口４３５が開放されると、センターロボット２２により、載置ユニット４０内の未処理の基板９が第１開口４３５を介して載置ユニット４０から搬出される（ステップＳ１７）。そして、制御部６０により第１シャッタ移動機構４３７が駆動され、第１シャッタ４３２が上方へと移動して第１開口４３５が閉鎖される（ステップＳ１８）。その後、第１ガス供給部５５により載置ユニット４０が低酸素雰囲気とされ、必要に応じて、インデクサロボット１２により新たな未処理の基板９が搬入される。
　載置ユニット４０から搬出された基板９は、処理ユニット２１へと搬入される（ステップＳ１９）。処理ユニット２１では、処理部２４による基板９の処理が行われる（ステップＳ２０）。具体的には、回転中の基板９の上面９１に対して、ノズル２４４から薬液（例えば、エッチング液等）が供給され、基板９の薬液処理が行われる。続いて、ノズル２４４から、あるいは、図示省略の他のノズルから、基板９の上面９１に対してリンス液（例えば、純水等）が供給され、基板９のリンス処理が行われる。その後、基板９の回転速度が増大され、基板９の乾燥処理が行われる。
　処理ユニット２１における基板９の処理が終了すると、センターロボット２２により、処理済みの基板９が処理ユニット２１から搬出される（ステップＳ２１）。続いて、制御部６０により第１シャッタ移動機構４３７が駆動され、第１シャッタ４３２が下方へと移動して第１開口４３５が開放される（ステップＳ２２）。このとき、第２開口４３６は第２シャッタ４３３により閉鎖されている。次に、処理済みの基板９が、センターロボット２２により第１開口４３５を介して載置ユニット４０に搬入される（ステップＳ２３）。処理済みの基板９は、載置ユニット４０内の上側の基板支持部４３１により支持され、センターロボット２２は載置ユニット４０から退出する。その後、制御部６０により第１シャッタ移動機構４３７が駆動され、第１シャッタ４３２が上方へと移動して第１開口４３５が閉鎖される（ステップＳ２４）。これにより、載置ユニット４０の内部空間４００が密閉される。
　第１開口４３５が閉鎖されると、制御部６０により第１ガス供給部５５が制御され、第１ガス供給部５５から載置ユニット４０の内部空間４００に供給される不活性ガスの流量が増大する。例えば、不活性ガスの当該供給流量は、１０００リットル／分以下である。そして当該供給流量の不活性ガスの供給が所定時間行われることにより、載置ユニット４０の内部空間４００の酸素濃度が急速に低下し、載置ユニット４０が低酸素雰囲気とされる（ステップＳ２５）。例えば、載置ユニット４０が所望の低酸素雰囲気とされるまでに要する時間は、３０秒以内である。
　載置ユニット４０が低酸素雰囲気になると、制御部６０により第２シャッタ移動機構４３８が駆動され、第２シャッタ４３３が下方へと移動して第２開口４３６が開放される（ステップＳ２６）。上述のように、載置ユニット４０の内部空間４００は、インデクサブロック１０と同様に低酸素雰囲気とされているため、第２開口４３６の開放によりインデクサブロック１０の酸素濃度が上昇することはない。ステップＳ２６では、第１ガス供給部５５から載置ユニット４０に供給される不活性ガスの供給流量は、ステップＳ２５と同様である。このように、載置ユニット４０が低酸素雰囲気となった後も不活性ガスの供給流量を維持することにより、不活性ガスの供給を停止する場合等に比べて、載置ユニット４０の内圧低下を抑制することができる。その結果、載置ユニット４０に外気等が進入して酸素濃度が上昇することを防止または抑制することができる。
　第２開口４３６が開放されると、処理済みの基板９が、インデクサロボット１２により第２開口４３６を介して載置ユニット４０から搬出される（ステップＳ２７）。そして、制御部６０により第２シャッタ移動機構４３８が駆動され、第２シャッタ４３３が上方へと移動して第２開口４３６が閉鎖される（ステップＳ２８）。これにより、載置ユニット４０の内部空間４００が密閉される。ステップＳ２８が終了すると、制御部６０により第１ガス供給部５５が制御されることにより、第１ガス供給部５５から載置ユニット４０に供給される不活性ガスの供給流量は減少され、例えば１００リットル／分とされる。
　載置ユニット４０から搬出された処理済みの基板９は、インデクサロボット１２によりキャリア９５へと搬入され、これにより基板９の一連の処理が終了する（ステップＳ２９）。上述のように、キャリア９５およびインデクサブロック１０は低酸素雰囲気であるため、基板９のキャリア９５への搬入の際に、キャリア９５およびインデクサブロック１０の酸素濃度が上昇することはない。
　以上に説明したように、基板処理装置１は、処理ブロック２０と、インデクサブロック１０と、載置ユニット４０と、第１遮蔽部５１とを備える。処理ブロック２０には、基板９を処理する処理ユニット２１、および、処理ユニット２１への基板９の搬出入を行う第１搬送ロボット（すなわち、センターロボット２２）が配置される。インデクサブロック１０には、複数の基板９を収容可能なキャリア９５への基板９の搬出入を行う第２搬送ロボット（すなわち、インデクサロボット１２）が配置される。載置ユニット４０は、処理ブロック２０とインデクサブロック１０との接続部に設けられる。載置ユニット４０は、インデクサブロック１０からセンターロボット２２へと渡される未処理の基板９を保持する。また、載置ユニット４０は、センターロボット２２からインデクサブロック１０へと渡される処理済みの基板９を保持する。第１遮蔽部５１は、大気よりも酸素濃度が低い低酸素雰囲気のインデクサブロック１０および載置ユニット４０と、処理ブロック２０において処理ユニット２１と載置ユニット４０とを接続する搬送路２３との間の気体の移動を遮断可能である。
　このように、基板処理装置１では、基板９が比較的長い時間載置される空間であるインデクサブロック１０および載置ユニット４０を低酸素雰囲気とすることができ、これにより、基板処理装置１における基板９の酸化を抑制することができる。また、インデクサブロック１０の内部空間１００と接続されるキャリア９５の内部も低酸素雰囲気に維持することができるため、キャリア９５内における基板９の酸化も抑制することができる。
　上述のように、基板処理装置１では、インデクサブロック１０および載置ユニット４０を低酸素雰囲気とすることができるため、基板処理装置１の構造は、搬送路２３の酸素濃度がインデクサブロック１０の酸素濃度および載置ユニット４０の酸素濃度よりも高い基板処理装置に特に適している。例えば、基板処理装置１の構造は、搬送路２３が大気雰囲気である基板処理装置に特に適している。
　上述のように、第１開口４３５は、搬送路２３の内部空間２３０と、載置ユニット４０の内部空間４００とを接続する開口である。第１遮蔽部５１は、第１開口４３５を開閉する扉体（すなわち、第１シャッタ４３２）を備えることが好ましい。これにより、載置ユニット４０と搬送路２３との間の気体の移動を、簡素な構造で好適に遮断することができる。
　上述のように、基板処理装置１は、載置ユニット４０に不活性ガスを供給することにより載置ユニット４０を低酸素雰囲気とする第１ガス供給部５５をさらに備えることが好ましい。これにより、載置ユニット４０を容易に低酸素雰囲気とすることができる。
　上述のように、基板処理装置１は、インデクサブロック１０と載置ユニット４０との間の気体の移動を遮断可能な第２遮蔽部５２をさらに備えることが好ましい。これにより、インデクサブロック１０における低酸素雰囲気の維持を容易とすることができる。
　上述のように、第２開口４３６は、インデクサブロック１０の内部空間１００と、載置ユニット４０の内部空間１００とを接続する開口である。第２遮蔽部５２は、第１開口４３５を開閉する扉体（すなわち、第２シャッタ４３３）を備えることが好ましい。これにより、載置ユニット４０とインデクサブロック１０との間の気体の移動を、簡素な構造で好適に遮断することができる。
　上述のように、基板処理装置１は、インデクサブロック１０に不活性ガスを供給することによりインデクサブロック１０を低酸素雰囲気とする第２ガス供給部５６をさらに備えることが好ましい。これにより、インデクサブロック１０を容易に低酸素雰囲気に維持することができる。
　上述のように、基板処理装置１は、処理ブロック２０、インデクサブロック１０、載置ユニット４０、第１遮蔽部５１、第２遮蔽部５２、第１ガス供給部５５および第２ガス供給部５６を備え、制御部６０をさらに備える。制御部６０は、第１ガス供給部５５からの不活性ガスの供給と、第２ガス供給部５６からの不活性ガスの供給とを個別に制御することが好ましい。これにより、インデクサブロック１０と載置ユニット４０とを、それぞれ所望の低酸素雰囲気とすることができる。また、インデクサブロック１０の気圧を載置ユニット４０の気圧よりも高くし、載置ユニット４０の気圧を搬送路２３の気圧よりも高くすることができる。
　上述のように、基板処理装置１は、処理ブロック２０、インデクサブロック１０、載置ユニット４０、第１シャッタ４３２を有する第１遮蔽部５１、第２シャッタ４３３を有する第２遮蔽部５２、および、第１ガス供給部５５を備え、制御部６０をさらに備える。制御部６０は、センターロボット２２、インデクサロボット１２、第１遮蔽部５１、第２遮蔽部５２および第１ガス供給部５５を制御する。好ましくは、制御部６０の制御により、第１シャッタ４３２および第２シャッタ４３３により第１開口４３５および第２開口４３６が閉鎖された状態で、載置ユニット４０が低酸素雰囲気とされた後、第２開口４３６が開放される。続いて、第２開口４３６を介してインデクサロボット１２により未処理の基板９が載置ユニット４０に搬入される。次に、第２シャッタ４３３により第２開口４３６が閉鎖された後、第１開口４３５が開放される。そして、第１開口４３５を介してセンターロボット２２により当該未処理の基板９が、載置ユニット４０から搬出される。これにより、インデクサロボット１２からセンターロボット２２へと未処理の基板９が受け渡される際に、インデクサブロック１０を好適に低酸素雰囲気に維持することができる。
　上述のように、基板処理装置１は、処理ブロック２０、インデクサブロック１０、載置ユニット４０、第１シャッタ４３２を有する第１遮蔽部５１、第２シャッタ４３３を有する第２遮蔽部５２、および、第１ガス供給部５５を備え、制御部６０をさらに備える。制御部６０は、センターロボット２２、インデクサロボット１２、第１遮蔽部５１、第２遮蔽部５２および第１ガス供給部５５を制御する。好ましくは、制御部６０の制御により、第２シャッタ４３３により第２開口４３６が閉鎖されており、第１開口４３５が開放された状態で、第１開口４３５を介してセンターロボット２２により処理済みの基板９が載置ユニット４０に搬入された後、第１シャッタ４３２により第１開口４３５が閉鎖される。続いて、第１シャッタ４３２および第２シャッタ４３３により第１開口４３５および第２開口４３６が閉鎖された状態で、載置ユニット４０が低酸素雰囲気とされた後、第２開口４３６が開放される。そして、第２開口４３６を介してインデクサロボット１２により当該処理済みの基板９が載置ユニット４０から搬出される。これにより、センターロボット２２からインデクサロボット１２へと処理済みの基板９が受け渡される際に、インデクサブロック１０を好適に低酸素雰囲気に維持することができる。
　上述の基板処理装置１による基板処理方法は、インデクサロボット１２によりインデクサブロック１０から載置ユニット４０へと基板９を搬入する工程（ステップＳ１４）と、センターロボット２２により載置ユニット４０から基板９を搬出して（ステップＳ１７）処理ユニット２１へと搬入する工程（ステップＳ１９）と、処理ユニット２１において基板９に対する処理を行う工程（ステップＳ２０）と、センターロボット２２により処理ユニット２１から基板９を搬出して（ステップＳ２１）載置ユニット４０へと搬入する工程（ステップＳ２３）と、インデクサロボット１２により載置ユニット４０からインデクサブロック１０へと基板９を搬出する工程（ステップＳ２７）と、を備える。そして、大気よりも酸素濃度が低い低酸素雰囲気のインデクサブロック１０および載置ユニット４０と、処理ブロック２０において処理ユニット２１と載置ユニット４０とを接続する搬送路２３との間の気体の移動を遮断可能である。これにより、上述のように、基板９が比較的長い時間載置される空間であるインデクサブロック１０および載置ユニット４０を低酸素雰囲気とすることができ、その結果、基板処理装置１における基板９の酸化を抑制することができる。
　上述の基板処理装置１および基板処理方法では、様々な変更が可能である。
　例えば、載置ユニット４０に載置される基板９の枚数は、適宜変更されてよい。また、載置ユニット４０の構造も様々に変更されてよい。例えば、筐体４３４の内部空間４００において、４つの基板支持部４３１を上下方向に移動させる支持部移動機構（例えば、電動シリンダ等のアクチュエータ）が設けられ、搬入される基板９が載置される予定の基板支持部４３１、または、搬出される予定の基板９が載置されている基板支持部４３１が、筐体４３４の開口と同じ高さに移動されてもよい。これにより、当該開口の上下方向の高さを小型化することができる。その結果、センターロボット２２による基板９の搬出入時における載置ユニット４０への大気雰囲気の進入を抑制することができる。
　載置ユニット４０では、未処理の基板９が載置される空間と、処理済みの基板９が載置される空間とが、独立して設けられてもよい。図９ないし図１１に示す載置ユニット４０ａでは、未処理の基板９が載置される下載置部４１と、処理済みの基板９が載置される上載置部４２とが設けられる。上載置部４２は、下載置部４１の上側に配置される。下載置部４１の内部空間と、上載置部４２の内部空間とは、互いに独立している。下載置部４１および上載置部４２はそれぞれ、基板９が載置される載置ユニットとも捉えられる。
　下載置部４１および上載置部４２はそれぞれ、内部に２枚の基板９が載置可能である点を除き、上述の載置ユニット４０と略同様の構造を有する。具体的には、下載置部４１は、筐体４１４と、基板支持部４１１と、第１シャッタ４１２と、第２シャッタ４１３とを備える。筐体４１４には、第１シャッタ４１２により開閉される第１開口４１５、および、第２シャッタ４１３により開口される第２開口４１６が設けられる。第１シャッタ４１２および第２シャッタ４１３はそれぞれ、第１シャッタ移動機構４１７および第２シャッタ移動機構４１８により移動される。筐体４１４の内部には、第１ガス供給部５５と同様の構造を有する下ガス供給部４１９が設けられる。
　上載置部４２は、筐体４２４と、基板支持部４２１と、第１シャッタ４２２と、第２シャッタ４２３とを備える。筐体４２４には、第１シャッタ４２２により開閉される第１開口４２５、および、第２シャッタ４２３により開口される第２開口４２６が設けられる。第１シャッタ４２２および第２シャッタ４２３はそれぞれ、第１シャッタ移動機構４２７および第２シャッタ移動機構４２８により移動される。筐体４２４の内部には、第１ガス供給部５５と同様の構造を有する上ガス供給部４２９が設けられる。
　下載置部４１の第１シャッタ４１２および第２シャッタ４１３、並びに、上載置部４２の第１シャッタ４２２および第２シャッタ４２３は、それぞれ独立して移動可能である。また、下ガス供給部４１９による下載置部４１への不活性ガスの供給、および、上ガス供給部４２９による上載置部４２への不活性ガスの供給は、制御部６０によりそれぞれ独立して制御される。
　載置ユニット４０に代えて載置ユニット４０ａが設けられる基板処理装置１における基板９の処理の流れは、図８Ａおよび図８Ｂに示すものと略同様である。具体的には、図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、まず、下ガス供給部４１９により、下載置部４１が低酸素雰囲気とされる（ステップＳ３１）。このとき、上載置部４２は、下載置部４１とは異なり、大気雰囲気であってもよい。続いて、キャリア９５からインデクサロボット１２により未処理の基板９が搬出される（ステップＳ３２）。次に、下載置部４１の第２開口４１６が開放され、未処理の基板９が下載置部４１へと搬入された後、第２開口４１６が閉鎖される（ステップＳ３３～Ｓ３５）。
　続いて、下載置部４１の第１開口４１５が開放され、センターロボット２２により下載置部４１から未処理の基板９が搬出された後、第１開口４１５が閉鎖される（ステップＳ３６～Ｓ３８）。そして、センターロボット２２により基板９が処理ユニット２１に搬入され、処理ユニット２１において基板９に対する処理が行われた後、基板９が処理ユニット２１から搬出される（ステップＳ３９～Ｓ４１）。
　次に、上載置部４２の第１開口４２５が開放され、センターロボット２２により処理済みの基板９が搬入された後、第１開口４２５が閉鎖される（ステップＳ４２～Ｓ４４）。そして、上ガス供給部４２９により、上載置部４２が低酸素雰囲気とされる（ステップＳ４５）。その後、上載置部４２の第２開口４２６が開放され、インデクサロボット１２により処理済みの基板９が上載置部４２から搬出され、第２開口４２６が閉鎖される（ステップＳ４６～Ｓ４８）。さらに、インデクサロボット１２により、処理済みの基板９がキャリア９５に搬入されて基板９に対する一連の処理が終了する（ステップＳ４９）。
　載置ユニット４０ａでは、未処理の基板９が載置される空間と、処理済みの基板９が載置される空間とを分割することにより、センターロボット２２による基板９の搬出入後に低酸素雰囲気とされる空間が小型化される。このため、不活性ガスの使用量を低減することができる。また、当該空間を低酸素雰囲気とするために要する時間を短くすることもできるため、基板９の処理に要する時間を短縮することもできる。さらに、基板９を搬出入するための開口を小型化することができるため、センターロボット２２による基板９の搬出入時における載置ユニット４０ａへの大気雰囲気の進入を抑制することができる。
　図４ないし図６に示す載置ユニット４０では、第１シャッタ４３２に代えて、第１開口４３５を介しての気体の移動を遮断可能な他の構造（例えば、エアカーテン）が設けられてもよい。また、第２シャッタ４３３に代えて、第２開口４３６を介しての気体の移動を遮断可能な他の構造（例えば、エアカーテン）が設けられてもよい。載置ユニット４０ａにおいても同様である。
　基板処理装置１では、載置ユニット４０，４０ａがインデクサブロック１０と処理ブロック２０との接続部に設けられるのであれば、連絡部３１は必ずしも設けられる必要はない。
　基板処理装置１では、搬送路２３は、必ずしも大気雰囲気である必要はなく、例えば、センターロボット２２の周囲のみに不活性ガスが供給され、搬送路２３の一部（すなわち、センターロボット２２の周囲）が低酸素雰囲気とされていてもよい。また、搬送路２３の酸素濃度は、必ずしもインデクサブロック１０の酸素濃度および載置ユニット４０，４０ａの酸素濃度よりも高い必要はない。いずれの場合であっても、基板処理装置１では、搬送路２３の雰囲気が載置ユニット４０，４０ａを介してインデクサブロック１０へと進入することを抑制することができる。
　基板処理装置１では、第２遮蔽部５２は省略されてもよい。また、第１ガス供給部５５からの不活性ガスの供給と、第２ガス供給部５６からの不活性ガスの供給とは、必ずしも個別に制御される必要はない。
　載置ユニット４０の低酸素雰囲気は、第１ガス供給部５５からの不活性ガスの供給以外の手段により実現されてもよい。載置ユニット４０ａにおいても同様である。また、インデクサブロック１０の低酸素雰囲気も同様に、第２ガス供給部５６からの不活性ガスの供給以外の手段により実現されてもよい。
　基板処理装置１では、センターロボット２２の構造は様々に変更されてよい。例えば、センターロボット２２により１度に搬送可能な基板９の枚数は、１枚であっても、３枚以上であってもよい。また、センターロボット２２のハンドの形状および構造は、様々に変更されてよい。インデクサロボット１２についても同様である。
　基板処理装置１の処理ブロック２０には、上述の処理ユニット２１以外の様々な構造の処理ユニットが設けられ、基板９に対する様々な処理（例えば、基板９の下面に対する洗浄処理）が行われてよい。
　上述の基板処理装置１は、半導体基板以外に、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等の平面表示装置（Flat Panel Display）に使用されるガラス基板、あるいは、他の表示装置に使用されるガラス基板の処理に利用されてもよい。また、上述の基板処理装置１は、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板等の処理に利用されてもよい。
　上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
　発明を詳細に描写して説明したが、既述の説明は例示的であって限定的なものではない。したがって、本発明の範囲を逸脱しない限り、多数の変形や態様が可能であるといえる。
　１　　基板処理装置
　９　　基板
　１０　　インデクサブロック
　１２　　インデクサロボット
　２０　　処理ブロック
　２１　　処理ユニット
　２２　　センターロボット
　２３　　搬送路
　４０，４０ａ　　載置ユニット
　４１　　下載置部
　４２　　上載置部
　５１　　第１遮蔽部
　５２　　第２遮蔽部
　５５　　第１ガス供給部
　５６　　第２ガス供給部
　６０　　制御部
　９５　　キャリア
　１００　　（インデクサブロックの）内部空間
　２３０　　（搬送路の）内部空間
　４００　　（載置ユニットの）内部空間
　４１２，４２２，４３２　　第１シャッタ
　４１３，４２３，４３３　　第２シャッタ
　４１５，４２５，４３５　　第１開口
　４１６，４２６，４３６　　第２開口
　４１９　　下ガス供給部
　４２９　　上ガス供給部
　Ｓ１１～Ｓ２９，Ｓ３１～Ｓ４９　　ステップ

Claims (12)

  1. 　基板を処理する基板処理装置であって、
    　基板を処理する処理ユニットおよび前記処理ユニットへの基板の搬出入を行う第１搬送ロボットが配置される処理ブロックと、
    　複数の基板を収容可能なキャリアへの基板の搬出入を行う第２搬送ロボットが配置されるインデクサブロックと、
    　前記処理ブロックと前記インデクサブロックとの接続部に設けられ、前記第２搬送ロボットから前記第１搬送ロボットへと渡される未処理の基板、および、前記１搬送ロボットから前記第２搬送ロボットへと渡される処理済みの基板を保持する載置ユニットと、
    　大気よりも酸素濃度が低い低酸素雰囲気の前記インデクサブロックおよび前記載置ユニットと、前記処理ブロックにおいて前記処理ユニットと前記載置ユニットとを接続する搬送路との間の気体の移動を遮断可能な第１遮蔽部と、
    を備える。
  2. 　請求項１に記載の基板処理装置であって、
    　前記第１遮蔽部は、前記搬送路の内部空間と前記載置ユニットの内部空間とを接続する開口を開閉する扉体を備える。
  3. 　請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
    　前記載置ユニットに不活性ガスを供給することにより前記載置ユニットを低酸素雰囲気とする第１ガス供給部をさらに備える。
  4. 　請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、
    　前記インデクサブロックと前記載置ユニットとの間の気体の移動を遮断可能な第２遮蔽部をさらに備える。
  5. 　請求項４に記載の基板処理装置であって、
    　前記第２遮蔽部は、前記インデクサブロックの内部空間と前記載置ユニットの内部空間とを接続する開口を開閉する扉体を備える。
  6. 　請求項１ないし５のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、
    　前記インデクサブロックに不活性ガスを供給することにより前記インデクサブロックを低酸素雰囲気とする第２ガス供給部をさらに備える。
  7. 　請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
    　前記インデクサブロックと前記載置ユニットとの間の気体の移動を遮断可能な第２遮蔽部と、
    　前記載置ユニットに不活性ガスを供給することにより前記載置ユニットを低酸素雰囲気とする第１ガス供給部と、
    　前記インデクサブロックに不活性ガスを供給することにより前記インデクサブロックを低酸素雰囲気とする第２ガス供給部と、
    　前記第１ガス供給部からの不活性ガスの供給と、前記第２ガス供給部からの不活性ガスの供給とを個別に制御する制御部と、
    をさらに備える。
  8. 　請求項１ないし７のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、
    　前記搬送路の酸素濃度は、前記インデクサブロックの酸素濃度および前記載置ユニットの酸素濃度よりも高い。
  9. 　請求項８に記載の基板処理装置であって、
    　前記搬送路は大気雰囲気である。
  10. 　請求項１に記載の基板処理装置であって、
    　前記載置ユニットに不活性ガスを供給することにより前記載置ユニットを低酸素雰囲気とする第１ガス供給部と、
    　前記インデクサブロックと前記載置ユニットとの間の気体の移動を遮断可能な第２遮蔽部と、
    　前記第１搬送ロボット、前記第２搬送ロボット、前記第１遮蔽部、前記第１ガス供給部および前記第２遮蔽部を制御する制御部と、
    をさらに備え、
    　前記第１遮蔽部は、前記搬送路の内部空間と前記載置ユニットの内部空間とを接続する第１開口を開閉する第１扉体を備え、
    　前記第２遮蔽部は、前記インデクサブロックの内部空間と前記載置ユニットの内部空間とを接続する第２開口を開閉する第２扉体を備え、
    　前記制御部の制御により、
    　前記第１扉体および前記第２扉体により前記第１開口および前記第２開口が閉鎖された状態で、前記載置ユニットが低酸素雰囲気とされた後、前記第２開口が開放され、
    　前記第２開口を介して前記第２搬送ロボットにより未処理の基板が前記載置ユニットに搬入され、
    　前記第２扉体により前記第２開口が閉鎖された後、前記第１開口が開放され、
    　前記第１開口を介して前記第１搬送ロボットにより前記未処理の基板が前記載置ユニットから搬出される。
  11. 　請求項１に記載の基板処理装置であって、
    　前記載置ユニットに不活性ガスを供給することにより前記載置ユニットを低酸素雰囲気とする第１ガス供給部と、
    　前記インデクサブロックと前記載置ユニットとの間の気体の移動を遮断可能な第２遮蔽部と、
    　前記第１搬送ロボット、前記第２搬送ロボット、前記第１遮蔽部、前記第１ガス供給部および前記第２遮蔽部を制御する制御部と、
    をさらに備え、
    　前記第１遮蔽部は、前記搬送路の内部空間と前記載置ユニットの内部空間とを接続する第１開口を開閉する第１扉体を備え、
    　前記第２遮蔽部は、前記インデクサブロックの内部空間と前記載置ユニットの内部空間とを接続する第２開口を開閉する第２扉体を備え、
    　前記制御部の制御により、
    　前記第２扉体により前記第２開口が閉鎖されており、前記第１開口が開放された状態で、前記第１開口を介して前記第１搬送ロボットにより処理済みの基板が前記載置ユニットに搬入された後、前記第１扉体により前記第１開口が閉鎖され、
    　前記第１扉体および前記第２扉体により前記第１開口および前記第２開口が閉鎖された状態で、前記載置ユニットが低酸素雰囲気とされた後、前記第２開口が開放され、
    　前記第２開口を介して前記第２搬送ロボットにより前記処理済みの基板が前記載置ユニットから搬出される。
  12. 　基板を処理する処理ユニットおよび前記処理ユニットへの基板の搬出入を行う第１搬送ロボットが配置される処理ブロックと、複数の基板を収容可能なキャリアへの基板の搬出入を行う第２搬送ロボットが配置されるインデクサブロックと、前記処理ブロックと前記インデクサブロックとの接続部に設けられ、前記第２搬送ロボットから前記第１搬送ロボットへと渡される未処理の基板、および、前記１搬送ロボットから前記第２搬送ロボットへと渡される処理済みの基板を保持する載置ユニットと、を備える基板処理装置によって基板を処理する基板処理方法であって、
    　ａ）前記第２搬送ロボットにより前記インデクサブロックから前記載置ユニットへと基板を搬入する工程と、
    　ｂ）前記第１搬送ロボットにより前記載置ユニットから前記基板を搬出して前記処理ユニットへと搬入する工程と、
    　ｃ）前記処理ユニットにおいて前記基板に対する処理を行う工程と、
    　ｄ）前記第１搬送ロボットにより前記処理ユニットから前記基板を搬出して前記載置ユニットへと搬入する工程と、
    　ｅ）前記第２搬送ロボットにより前記載置ユニットから前記インデクサブロックへと前記基板を搬出する工程と、
    を備え、
    　大気よりも酸素濃度が低い低酸素雰囲気の前記インデクサブロックおよび前記載置ユニットと、前記処理ブロックにおいて前記処理ユニットと前記載置ユニットとを接続する搬送路との間の気体の移動が遮断可能である。
PCT/JP2019/032155 2018-09-21 2019-08-16 基板処理装置および基板処理方法 WO2020059375A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201980051209.1A CN112514045B (zh) 2018-09-21 2019-08-16 基板处理装置以及基板处理方法
KR1020217003168A KR102503896B1 (ko) 2018-09-21 2019-08-16 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR1020237005934A KR102692143B1 (ko) 2018-09-21 2019-08-16 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-177388 2018-09-21
JP2018177388A JP7209503B2 (ja) 2018-09-21 2018-09-21 基板処理装置および基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020059375A1 true WO2020059375A1 (ja) 2020-03-26

Family

ID=69887132

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/032155 WO2020059375A1 (ja) 2018-09-21 2019-08-16 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP7209503B2 (ja)
KR (2) KR102503896B1 (ja)
CN (1) CN112514045B (ja)
TW (2) TWI791356B (ja)
WO (1) WO2020059375A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311691A (ja) * 2006-05-22 2007-11-29 Tokyo Electron Ltd 処理システム，搬送アームのクリーニング方法及び記録媒体
JP2011204944A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2014203918A (ja) * 2013-04-03 2014-10-27 有限会社アクセス 基板搬送ボックス及び基板搬送装置
JP2016092132A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6280837B2 (ja) * 2014-08-12 2018-02-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の基板載置部の雰囲気制御方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3737604B2 (ja) * 1997-06-03 2006-01-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH1145925A (ja) * 1997-07-24 1999-02-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4014126B2 (ja) * 2001-01-17 2007-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
KR100505061B1 (ko) * 2003-02-12 2005-08-01 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈
US20090081810A1 (en) * 2004-10-06 2009-03-26 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4787038B2 (ja) * 2006-03-03 2011-10-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4767783B2 (ja) * 2006-07-26 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP4762098B2 (ja) * 2006-09-28 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4993614B2 (ja) * 2008-02-29 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 搬送手段のティーチング方法、記憶媒体及び基板処理装置
US9275884B2 (en) * 2011-03-25 2016-03-01 Novellus Systems, Inc. Systems and methods for inhibiting oxide growth in substrate handler vacuum chambers
JP5765985B2 (ja) * 2011-03-28 2015-08-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR101713799B1 (ko) * 2011-04-15 2017-03-09 주식회사 원익아이피에스 반도체 제조장치 및 제조방법
TWI814621B (zh) * 2013-12-13 2023-09-01 日商昕芙旎雅股份有限公司 搬運室
JP6278751B2 (ja) * 2014-03-04 2018-02-14 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び基板処理装置
JP6564642B2 (ja) * 2015-07-23 2019-08-21 東京エレクトロン株式会社 基板搬送室、基板処理システム、及び基板搬送室内のガス置換方法
JP5947435B1 (ja) 2015-08-27 2016-07-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311691A (ja) * 2006-05-22 2007-11-29 Tokyo Electron Ltd 処理システム，搬送アームのクリーニング方法及び記録媒体
JP2011204944A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2014203918A (ja) * 2013-04-03 2014-10-27 有限会社アクセス 基板搬送ボックス及び基板搬送装置
JP6280837B2 (ja) * 2014-08-12 2018-02-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の基板載置部の雰囲気制御方法
JP2016092132A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112514045B (zh) 2024-09-10
JP2023029521A (ja) 2023-03-03
CN112514045A (zh) 2021-03-16
TWI750501B (zh) 2021-12-21
TW202018847A (zh) 2020-05-16
TWI791356B (zh) 2023-02-01
KR20210027444A (ko) 2021-03-10
KR102503896B1 (ko) 2023-02-24
JP7209503B2 (ja) 2023-01-20
KR102692143B1 (ko) 2024-08-05
JP2020047888A (ja) 2020-03-26
KR20230030040A (ko) 2023-03-03
TW202215589A (zh) 2022-04-16
JP7454714B2 (ja) 2024-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5223001A (en) Vacuum processing apparatus
KR100831933B1 (ko) 기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법
KR101180283B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US11501987B2 (en) Loadlock module and semiconductor manufacturing apparatus including the same
KR20180111592A (ko) 기판 처리 장치
JP2003124284A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP7136612B2 (ja) 局所パージ機能を有する搬送装置
WO2022172827A1 (ja) 基板処理システム及び搬送方法
JP2022117671A (ja) 収納容器及び処理システム
CN108695202B (zh) 处理系统
JP2015154083A (ja) 基板搬送ロボット及びそれを用いた基板処理装置
JP5164416B2 (ja) 基板処理装置、収納容器の搬送方法および半導体装置の製造方法
JP7454714B2 (ja) 基板処理装置
TWI809131B (zh) 基板處理裝置、基板處理系統及基板處理方法
JP3160691B2 (ja) 処理装置
JP2002016055A (ja) 半導体製造装置
JP2009130225A (ja) 基板処理装置
JP2013161837A (ja) 半導体製造装置、基板移載装置及び半導体装置の製造方法
JP2006128208A (ja) 基板処理装置
JP2002043389A (ja) 基板処理装置
KR20180062502A (ko) 기판 처리 장치
JP2001358192A (ja) 半導体製造設備
JP2014216413A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19862926

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20217003168

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19862926

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1