TWI814621B - 搬運室 - Google Patents

Abstract

本發明的設備前端模組(EFEM)系統，具備：EFEM，具有複數，且各別具備在內部可搬運晶圓且從外部被區劃的晶圓搬運室；及氣體清淨裝置，是被設於前述EFEM的外部，且具備進行氣體的清淨化用的灰塵過濾器；及氣體供給導管，是分配已藉由前述氣體清淨裝置而被清淨化之後的氣體，與各前述EFEM的氣體供給口連接並朝前述氣體供給口供給前述氣體；及氣體歸還路，是將從各前述晶圓搬運室被排出的氣體朝前述氣體清淨裝置歸還；在前述晶圓搬運室及前述氣體清淨裝置之間，以不將氣體流出前述外部的方式進行氣體循環，前述氣體是惰性氣體。

Description

搬運室

本發明，是有關於使搬運中的晶圓不會曝露在外氣的方式可以使晶圓搬運室內的氣體循環的EFEM(設備前端模組、Equipment Front End Module)。

以往，藉由對於作為基板的晶圓施加各種的處理過程來製造半導體。近年來元件的高集成化和電路的微細化日益進步，而要求使朝晶圓表面的微粒和水分的附著不會產生的方式，將晶圓周邊維持在高清淨度。進一步，為了使晶圓表面不會氧化等表面的性狀變化，也使晶圓周邊成為惰性氣體也就是氮氣氛，或成為真空狀態。

為了將如此的晶圓周邊的氣氛適切地維持，晶圓，是放入被稱為FOUP(前開口式通用容器、Front-Opening Unified Pod)的密閉式的容納容器的內部被管理，在此內部中被充填氮。進一步，為了在對於晶圓進行處理的處理裝置、及FOUP之間進行晶圓的交接，是利用下述專利文獻1所揭示的EFEM。EFEM，是由框體的內部所構成大致封閉的晶圓搬運室，並且在其相面對壁面的一方具備作為與FOUP之間的介面部功能的裝載埠(Load Port)，並 且在另一方連接有處理裝置的一部分也就是裝載鎖定室。在晶圓搬運室內，設有將晶圓搬運用的晶圓搬運裝置，使用此晶圓搬運裝置，在與裝載埠連接的FOUP及裝載鎖定室之間進行晶圓的出入。

即，晶圓是從成為一方的交接位置的FOUP(裝載埠)，使用晶圓搬運裝置被取出，朝成為另一方的交接位置的裝載鎖定室被搬運。且，在處理裝置中，對於通過裝載鎖定室被搬運的晶圓由被稱為加工腔的處理單元內施加處理，在處理完成後，再度透過裝載鎖定室晶圓被取出返回至FOUP內。

處理裝置內，是使可以將對於晶圓的處理迅速地進行的方式，成為對應處理的真空等的特殊的氣氛。且，EFEM中的晶圓搬運室的內部，是藉由導入通過化學過濾器等被清淨化的空氣，被維持高清淨度的清淨空氣氣氛，在搬運中的晶圓的表面沒有由微粒等的附著所產生的污染。

[習知技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2012-49382號公報

但是近年來，日益進步的清淨化中，EFEM的晶圓搬 運室內清淨度雖較高，但擔心由FOUP內和處理裝置內不同的空氣氣氛所產生的影響。

即，藉由被曝露在空氣氣氛而容易在基板表面附著水分和氧，而具有腐蝕和氧化發生的可能性。且，在處理裝置所使用的腐蝕性氣體等殘留在晶圓的表面的情況時，也會有將晶圓表面的配線材料腐蝕使成品率惡化發生的可能性。進一步，腐蝕元素因為會藉由水分的存在使腐蝕反應加速，所以藉由腐蝕性氣體及水分的雙方存在，也有使腐蝕更快速進行的可能性。

且進行晶圓的交接時，藉由從設在裝載埠的淨化部朝FOUP注入惰性氣體也就是氮等的將FOUP內加壓，防止晶圓搬運室內的空氣氣氛侵入FOUP內的構成的情況時，晶圓的交接完成為止期間必須持續朝FOUP內注入氮，被注入的氮因為會朝晶圓搬運室流出，所以會發生氮的使用量膨大，成本增大的問題。

為了避免此，考慮將晶圓搬運室的內部與FOUP同樣成為氮氣氛，但是只是在晶圓搬運的開始時成為氮氣氛的話，晶圓搬運室內的清淨度會隨著時間的經過而下降，在此內部的搬運中微粒附著在晶圓表面的可能性會產生，並且在處理裝置所使用的腐蝕性氣體等的影響也會增加。且，朝晶圓搬運室內時常持續供給氮的情況時，進一步氮的使用量膨大，不會成為成本增大的解決策。

此外，晶圓搬運室內的上述的問題，只要是在處理和保管場所不同的氣氛下進行搬運，將晶圓以外的基板搬運 的情況時也同樣地會發生。

本發明的目的為提供一種EFEM，可有效解決這種課題，具體而言，一邊迴避成本的增大，一邊將搬運中的晶圓不會曝露於會產生表面性狀的變化和微粒附著的氣氛，可以適切地進行朝晶圓的微粒的附著的抑制、和晶圓表面的性狀的管理。

本發明，為了達成這種目的，而採用如以下的手段。

即，本發明的EFEM，其特徵為，具備：框體，是在內部構成藉由在設在壁面的開口連接有裝載埠及處理裝置而大致被封閉的晶圓搬運室；及晶圓搬運裝置，是被配設在前述晶圓搬運室內，在被載置於前述裝載埠的FOUP及前述處理裝置之間進行晶圓的搬運；及氣體送出口，是設在前述晶圓搬運室的上部，朝該晶圓搬運室內送出氣體；及氣體吸引口，是設在前述晶圓搬運室的下部，吸引該晶圓搬運室內的氣體；及氣體歸還路，是將從前述氣體吸引口被吸引的氣體朝前述氣體送出口歸還；及過濾器，是設在前述氣體送出口，將被包含於被送出的氣體的微粒除去；藉由在前述晶圓搬運室產生下降氣流並且透過前述氣體歸還路將氣體歸還，使前述晶圓搬運室內的氣體循環。

如此構成的話，藉由使在晶圓搬運室產生下降氣流並且通過氣體歸還路使氣體循環，成為可與晶圓搬運室成為被大致封閉的空間相輔，可將晶圓搬運室內維持在適切的 氣體氣氛下。因此，可以將晶圓的搬運不曝露於外氣地進行，成為可抑制微粒的附著。且，藉由在氣體送出口設有過濾器，成為可在將氣體循環期間將微粒除去。進一步，藉由在晶圓搬運室下降產生氣流，就成為可將附著在晶圓上部的微粒除去，並且可防止微粒在晶圓搬運室內浮遊。且，藉由將氣體循環來抑制該氣體消耗，就成為可削減成本。

為了不需變更外觀就可確保大的流路面積，防止裝載鎖定室等與EFEM外部的裝置干涉，並且抑制零件點數的增加抑制製造成本的上昇，而將前述框體的壁面及設在該壁面的內側的分隔構件之間的空間作為前述氣體歸還路的一部分，並且前述晶圓搬運室及前述氣體歸還路是藉由前述分隔構件被分離的方式構成較佳。

且為了將晶圓搬運裝置的驅動領域外的死角(死空間)有效利用，防止妨害晶圓的搬運事且確保氣體的流量，而將前述裝載埠連接的開口及將前述處理裝置連接的開口設在前述框體的相面對的位置，前述氣體歸還路是從前述氣體吸引口經由將前述處理裝置連接的開口的兩側與前述氣體送出口連續的方式構成最佳。

進一步，為了將流動於晶圓搬運室及氣體歸還路的氣體的循環圓滑地進行，而在前述氣體送出口連接有第1送風手段，並且在前述氣體吸引口連接有第2送風手段，藉由前述第1送風手段從前述氣體送出口朝前述晶圓搬運室內送出氣體，藉由前述第2送風手段從前述氣體吸引口吸 引前述晶圓搬運室內的氣體的方式構成較佳。

此外，將晶圓搬運室內置換成適切的氣體氣氛，防止氧氣體和水分等附著在晶圓表面阻礙晶圓的處理、成品率下降，並且晶圓搬運室內的氮的一部分是朝外部流出的情況時，為了藉由供給流出分的氣體，將晶圓搬運室內的狀態保持一定，是進一步具備：朝前述晶圓搬運室內供給氣體的氣體供給手段、及從前述晶圓搬運室內將氣體排出用的氣體排出手段的方式構成是有效。

且為了除去在處理裝置中的處理等產生且朝晶圓搬運室內流入的分子狀污染物質，而在前述氣體吸引口設有化學過濾器，前述晶圓搬運室內的氣體是透過前述化學過濾器朝氣體歸還路流入較佳。

此外，為了將晶圓搬運裝置及氣體吸引口彼此不會干涉地配置，並且不會妨害晶圓搬運室內的下降氣流，防止藉由氣流的亂流使微粒浮遊，而使前述晶圓搬運裝置被支撐於前述框體的壁面的方式構成較佳。

且為了抑制由氧和濕氣等所產生的晶圓表面的性狀的變化，防止成品率下降，前述氣體是使用惰性氣體的方式構成較佳。

依據以上說明的本發明的話，成為可提供一種EFEM，可一邊迴避成本的增大，一邊不會將搬運中的晶圓曝露於會產生表面性狀的變化和微粒附著的氣氛，可以 適切地進行：朝晶圓的微粒的附著的抑制、和晶圓的表面的性狀的管理。

W:晶圓

1:EFEM

1a、4a:門

1b:驅動機構

2:晶圓搬運裝置

2a:臂部

2b:基座部

3:框體

4:裝載埠

5:控制器

6:處理裝置

7:FOUP(前開口式通用容器)

7a:蓋部

8:分隔構件

9、1011:晶圓搬運室

10:氣體歸還路

11:氣體送出口

12:氣體吸引口

13:FFU(風扇過濾單元)

13a:風扇(第1送風手段)

13b:過濾器

14:化學過濾器

15:風扇(第2送風手段)

16:氣體供給手段

17:氣體排出手段

18:支撐構件

21:支撐部

22:導軌

31:前面壁

31a、32a:開口

32:背面壁

33、34:側面壁

35:頂壁

36:底壁

37a~37d:支柱

38:天板

61:裝載鎖定室

62:搬運室

62a、63a:門

63:處理單元

64:搬運機械手臂

81:上側分隔構件

81a:開口

82:下側分隔構件

82a:下段

82b:中段

82c:上段

82d:側板

83:中間構件

83a:分流部

83a1:開口

83b:H字部

83c:開口

132:第2供給路

142:第2歸還路

496:加熱器旋轉控制部

1001:處理裝置

1002:裝載鎖定室

1002a、1003a:門

1003:搬運室

1004:處理單元

1005:搬運機械手臂

1010a:門

1012:晶圓搬運裝置

1012a:導軌

1013:裝載埠

1013a:門

1014a:蓋部

1015:氣體供給口

1016:風扇過濾單元

1016a:風扇

1016b:灰塵過濾器

1018:氣體排出口

1020:氣體清淨裝置

1021:灰塵過濾器

1022:乾燥機

1023:化學過濾器

1024:鼓風機

1030:氣體供給路

1031:第1供給路

1032:第2供給路

1040:氣體歸還路

1041:第1歸還路

1042:第2歸還路

1050:控制器

1060:氣體導入手段

1061、1071:閥

1070:氣體吸引手段

1130:氣體供給路

1133:閥

1140:氣體歸還路

1143:閥

1150:控制器

1220:氣體清淨裝置

1230:氣體供給路

1240:氣體歸還路

1250:控制器

1260:氣體導入手段

1261:閥

1270:氣體吸引手段

1271:閥

2002:晶圓搬運裝置

2003:移動室

2005:晶圓搬運室

2008:處理裝置

2009:控制器

2011:本體

2021:固定台

2022:可動台

2023:基座

2024:搬運臂

2024a~2024c:臂要素

2025:叉

2026:導軌

2027:滾子

2031~2034:壁部

2031a、2033a、2231a、2233a:開口

2033:壁部

2034:壁部

2035:頂壁

2041:氣體供給手段

2041a:氣體供給口

2041b:可撓性管

2042:排氣檔板

2043:排氣導管

2043a:開閉閥

2051:框體

2051a~2051d:框體壁

2051e:頂壁

2061:裝載埠

2061a:門

2062a:蓋部

2062b:載置部

2081:裝載鎖定室

2081a:門

2082:搬運室

2082a、2083a:門

2082b:搬運機械手臂

2083:處理單元

2091:移動室位置控制部

2092:臂位置控制部

2093:昇降位置控制部

2094:氣體供給控制部

2095:氣體排出控制部

2096:時間控制部

2102:晶圓搬運裝置

2103:移動室

2109:控制器

2111:本體

2136A、2136B、2137、2236:開閉門

2196:時間控制部

2197:開閉門控制部

2202:晶圓搬運裝置

2203:移動室

2211:本體

2231:壁部

2231a:開口

2236:開閉門

2261:裝載埠

2261a:門

2261a:蓋部

2261b:支撐基部

2261c:滾子

2261d:軌道

2302:晶圓搬運裝置

2303:移動室

2311:本體

2344:過濾器構件

2402:晶圓搬運裝置

2403:移動室

2409:控制器

2411:本體

2445:氣體循環手段

2445a:循環導管

2445b:風扇

2496:時間控制部

2498:氣體循環控制部

2502:晶圓搬運裝置

2503:移動室

2511:本體

2521:底壁部

2526:支柱

2531、2533:壁部

2535:頂壁

2536:底壁

2602:晶圓搬運裝置

2603:移動室

2609:控制器

2611:本體

2646:加熱燈泡

2646a:支撐臂

2696:時間控制部

2699:加熱燈泡控制部

2702:基板搬運裝置

2703:移動室

3002:晶圓搬運裝置

3003:加熱手段

3005:晶圓搬運室

3008:處理裝置

3009:控制器

3011:本體

3021:導軌

3022:可動台

3023:基座

3024:搬運臂

3024a~3024d:臂要素

3025:叉

3031:支撐台

3032:支撐臂

3033:加熱器

3033A:加熱器

3033a:加熱器本體

3033b:加熱燈泡

3033B、3033C:加熱器

3033c:加熱燈泡

3033d:電熱線

3051:框體

3051a~3051d:框體壁

3061:裝載埠

3061a:門

3062a:蓋部

3062b、3062b:載置部

3081:裝載鎖定室

3081a:門

3082:搬運室

3082a、3083a:門

3082b:搬運機械手臂

3083:處理單元

3091:可動台位置控制部

3092:臂位置控制部

3093:昇降位置控制部

3094:加熱控制部

3202:晶圓搬運裝置

3203:加熱手段

3211:本體

3222:可動台

3231:支撐台

3232:支撐臂

3233b:加熱燈泡

3302:晶圓搬運裝置

3303:加熱手段

3309:控制器

3311:本體

3324:搬運臂

3324a:臂要素

3333:加熱器

3333a:本體

3333b:加熱燈泡

3394:加熱控制部

3395:發熱切換部

3402:晶圓搬運裝置

3403:加熱手段

3409:控制器

3411:本體

3432:支柱

3434:轉動機構

3435:支撐臂

3502:晶圓搬運裝置

3503:加熱手段

3509:控制器

3511:本體

3531:支撐台

3532:支撐臂

3536:支撐臂

3537:送風風扇

3597:送風控制部

3598:時間控制部

W:晶圓

[第1圖]意示本發明的第1實施例的EFEM及處理裝置的關係的俯視圖。

[第2圖]顯示將同EFEM的側面壁取下的狀態的側面圖。

[第3圖]將同EFEM的一部分斷裂顯示的立體圖。

[第4圖]顯示同EFEM的循環路中的氣體的流動的意示圖。

[第5圖]顯示將同EFEM從處理裝置側所見的狀態的後視圖。

[第6圖]顯示同EFEM的氣體歸還路的構成構件的主要部分放大立體圖。

[第7圖]顯示第6圖的A-A位置及B-B位置中的氣體歸還路的剖面的立體圖。

[第8圖]本發明的實施例的EFEM系統的意示圖。

[第9圖]意示構成同EFEM系統的EFEM及處理裝置的關係的俯視圖。

[第10圖]顯示將同EFEM的側面壁取下的狀態的側面圖。

[第11圖]本發明的EFEM系統的變形例的意示圖。

[第12圖]本發明的EFEM系統的其他的變形例的意 示圖。

[第13圖]具備本發明的第3實施例的基板搬運裝置的EFEM及處理裝置的關係的意示圖。

[第14圖]顯示從第13圖的狀態將同基板搬運裝置的移動室移動的狀態的俯視圖。

[第15圖]將同基板搬運裝置的主要部分擴大顯示的俯視圖。

[第16圖]意示將同基板搬運裝置從導軌的延伸方向所見的狀態的前視圖。

[第17圖]意示從第14圖的狀態將叉朝FOUP內進入的狀態的俯視圖。

[第18圖]意示從第17圖的狀態將叉朝移動室內拉回的狀態的俯視圖。

[第19圖]意示從第18圖的狀態將叉朝裝載鎖定室內進入的狀態的俯視圖。

[第20圖]具備本發明的第4實施例的基板搬運裝置的EFEM的意示圖。

[第21圖]說明具備本發明的第5實施例的基板搬運裝置的EFEM的構造及動作用的說明圖。

[第22圖]接著第21圖說明具備同基板搬運裝置的EFEM的構造及動作用的說明圖。

[第23圖]具備本發明的第6實施例的基板搬運裝置的EFEM的意示圖。

[第24圖]具備本發明的第7實施例的基板搬運裝置 的EFEM的意示圖。

[第25圖]意示將同基板搬運裝置從與導軌垂直交叉的方向所見的狀態的側剖面圖。

[第26圖]具備本發明的第8實施例的基板搬運裝置的EFEM的意示圖。

[第27圖]具備本發明的第9實施例的基板搬運裝置的EFEM的意示圖。

[第28圖]顯示將本發明的第8實施例的基板搬運裝置變形的變形例的圖。

[第29圖]顯示具備本發明的第10實施例的基板搬運裝置的EFEM及處理裝置的關係的說明圖。

[第30圖]顯示將同基板搬運裝置的主要部分從平面所見的狀態的說明圖。

[第31圖]顯示將同基板搬運裝置的主要部分從正面或是側面所見的狀態的說明圖。

[第32圖]顯示從第29圖的狀態將同基板搬運裝置的可動台移動的狀態的說明圖。

[第33圖]顯示從第32圖的狀態將叉朝FOUP內進入的狀態的說明圖。

[第34圖]顯示從第33圖的狀態將叉朝可動台上拉回的狀態的俯視圖。

[第35圖]顯示從第34圖的狀態將叉朝裝載鎖定室前移動的狀態的說明圖。

[第36圖]顯示從第35圖的狀態將叉朝裝載鎖定室內 進入的狀態的說明圖。

[第37圖]同基板搬運裝置所具備的加熱器的構成的意示圖。

[第38圖]顯示具備本發明的第11實施例的基板搬運裝置的EFEM及處理裝置的關係的說明圖。

[第39圖]顯示將同基板搬運裝置的主要部分從平面所見的狀態的說明圖。

[第40圖]顯示將同基板搬運裝置的主要部分從正面或是側面所見的狀態的說明圖。

[第41圖]顯示將本發明的第12實施例的基板搬運裝置的主要部分從平面或是正面所見的狀態的說明圖。

[第42圖]顯示從第41圖的狀態將叉朝FOUP內進入的狀態的說明圖。

[第43圖]顯示將本發明的第13實施例的基板搬運裝置的主要部分從正面或是側面所見的狀態的說明圖。

[第44圖]顯示將本發明的第14實施例的基板搬運裝置的主要部分從平面所見的狀態的說明圖。

[第45圖]顯示將同基板搬運裝置的主要部分從正面或是側面所見的狀態的說明圖。

以下，將本發明的實施例參照圖面進行說明。

<第1實施例>

第1圖，是藉由將本發明的第1實施例的EFEM1、及與其連接的處理裝置6的天板等去除使可看到內部，將這些EFEM1及處理裝置6的關係意示的俯視圖。且，第2圖，是藉由將EFEM1的側面的壁去除使可看到內部的側面圖。如這些第1圖及2所示，EFEM1，是由：在規定的交接位置之間進行晶圓W的搬運的晶圓搬運裝置2、及將此晶圓搬運裝置2包圍地設置的箱型的框體3、及與框體3的前面側的壁(前面壁31)的外側連接的複數(在圖中為3個)的裝載埠4~4、及控制器5所構成。

在此，在本案中從框體3所見將連接有裝載埠4~4側的方向定義成前方，將與前面壁31相面對的背面壁32側的方向定義成後方，進一步，將與前後方向及垂直方向垂直交叉的方向定義成側方。即，3個裝載埠4~4是在側方被並列配置。

且EFEM1，是如第1圖所示，鄰接於背面壁32的外側，使構成處理裝置6的一部分的裝載鎖定室61可以連接，藉由將被設在EFEM1及裝載鎖定室61之間的門1a開放，成為可將EFEM1內及裝載鎖定室61連通的狀態。處理裝置6可以使用各種各式各樣者，一般，是與裝載鎖定室61鄰接地設有搬運室62，進一步與搬運室62鄰接地設有對於晶圓W進行處理的複數(在圖中為3個)處理單元63~63。在搬運室62、及裝載鎖定室61或處理單元63~63之間，各別設有門62a、63a~63a，藉由將此開放就可以將各之間連通，成為可使用設在搬運室62內的 搬運機械手臂64在裝載鎖定室61及處理單元63~63之間將晶圓W移動。

晶圓搬運裝置2，是如第1圖及第2圖所示，由：具備將晶圓W載置搬運的叉的臂部2a及將此臂部2a從下方支撐且具有使臂部動作用的驅動機構及昇降機構之基座部2b所構成，基座部2b，是透過支撐部21及導軌22被支撐於框體3的前面壁31。且，晶圓搬運裝置2是成為可以沿著朝框體3內的寬度方向延伸的導軌22移動的方式，藉由控制器5控制晶圓搬運裝置2的動作，而成為可進行：將被收容在被並列載置於側方的各裝載埠4~4的FOUP7的晶圓W朝裝載鎖定室61搬運、及將由各處理單元63~63進行處理之後的晶圓W再度朝FOUP7內搬運。

框體3，是包含：將晶圓搬運裝置2的四方包圍的前面壁31、背面壁32、側面壁33、34、及頂壁35、底壁36、進一步將上述的框體壁31~35支撐的支柱37a~37d地構成，藉由在設在前面壁31的開口31a連接裝載埠4~4，在設在背面壁32的矩形狀的開口32a連接裝載鎖定室61，而在內部形成大致封閉空間CS。又，上述的各構件，雖是使不會在構件間產生可讓內部的氣體流出的間隙地被精密安裝，但是在構件間設置密封構件，進一步將框體3內的氣密性提高的方式構成也可以。且，設在背面壁32的開口32a，是具有驅動機構1b，藉由上下驅動的一般被稱為閘門閥的門1a(第3圖參照)成為可封閉。 又，雖省略圖示及說明，但是在側面壁33、34也設有開口，一方是成為連接被利用在晶圓W的位置調整的定位器，另一方通常是成為被關閉的維修用的開口。

裝載埠4是具備門4a，此門4a是藉由與設在FOUP7的蓋部7a連結一起移動，使FOUP7成為對於大致封閉空間CS被開放。在FOUP7內載置部是上下方向被多數設置，藉此可以容納多數的晶圓W。且，在FOUP7內通常被充填氮，並且藉由控制器5的控制也可以透過裝載埠4將FOUP7內的氣氛置換成為氮。

控制器5，是由設在位於與比框體3的頂壁35更上方之天板38之間的上部空間US的控制器單元所構成，晶圓搬運裝置2的驅動控制，進行由裝載埠4~4所產生的FOUP7的氮置換控制、門1a、4a~4a的開閉控制、及框體3內的氮循環控制等。控制器5，是藉由具備CPU、記憶體及介面的通常的微處理器等所構成者，在記憶體中預先容納處理所必要的程式，CPU是逐次將必要的程式取出實行，成為與周邊硬資源協動來實現所期的功能者。又，對於氮循環控制是如後述。

大致封閉空間CS，是如第4圖所示藉由分隔構件8被分隔成：晶圓搬運裝置2驅動的空間也就是晶圓搬運室9、及氣體歸還路10。且，晶圓搬運室9及氣體歸還路10，是只有在晶圓搬運室9的上部朝寬度方向延伸設置的氣體送出口11及晶圓搬運室9的下部朝寬度方向延伸設置的氣體吸引口12連通，藉由氣體送出口11及氣體吸引 口12是在晶圓搬運室9內產生下降氣流，在氣體歸還路10內產生上昇氣流，使在大致封閉空間CS內形成在第4圖由箭頭顯示的循環路Ci，使氣體循環。此時，晶圓搬運室9，是成為藉由：前面壁31、背面壁32(包含門1a，第3圖參照)、裝載埠4(包含門4a)、側面壁33、34、底壁36及分隔構件8被封閉的空間。又，在本實施例中，雖在此大致封閉空間CS使惰性氣體也就是氮循環，但是循環的氣體不限定於此，使用其他的氣體也可以。

接著，詳細說明氣體歸還路10的構成。如第4圖所示，氣體歸還路10是藉由底壁36、背面壁32、頂壁35及分隔構件8被封閉的空間，為了在晶圓搬運室9的下部將從氣體吸引口12被吸引的氣體，朝晶圓搬運室9上部的氣體送出口11歸還而設置。

在歸還路10的背面側上部連接有將氮導入大致封閉空間CS內的氣體供給手段16，成為可依據來自控制器5(第2圖參照)的命令控制氮的供給及供給的停止。因此，氮的一部分朝大致封閉空間CS的外部流出的情況時，氣體供給手段16是藉由供給流出分的氮，就可以將大致封閉空間CS中的氮氣氛保持一定。且，在背面側下部連接有將大致封閉空間CS中的氣體排出的氣體排出手段17，依據來自控制器5的命令動作，藉由將無圖示的擋門開放就成為可將大致封閉空間CS的內部及設在外部的氣體排出處連通。且，藉由與由上述的氣體供給手段 16所產生的氮的供給併用，就成為可將大致封閉空間CS置換成氮氣氛。又，在本實施例中，循環於循環路Ci的氣體因為是氮，所以氣體供給手段16是供給氮，但是使其他的氣體循環的情況時，氣體供給手段16是供給使其循環的氣體。

且在氣體送出口11中設有由作為第1送風手段的風扇13a及過濾器13b所構成的風扇過濾單元13(FFU13)，將被包含於大致封閉空間CS內循環的氣體內的微粒除去，並且藉由朝晶圓搬運室9內朝向下方送風使在晶圓搬運室9內產生下降氣流。又，FFU13，是藉由與分隔構件8連結且朝水平方向延伸的支撐構件18被支撐。

另一方面，在氣體吸引口12連接有化學過濾器14，晶圓搬運室9內的氣體是透過化學過濾器14朝氣體歸還路10流入。如上述，因為透過支撐部21及導軌22將晶圓搬運裝置2(第2圖參照)支撐於框體3的前面壁31，所以氣體吸引口12，不會與晶圓搬運裝置2干涉，成為可大大地朝向上方開口。且，如上述，氣體吸引口12因為是朝寬度方向延伸地被設置，所以同樣地從朝寬度方向延伸設置的導軌22當驅動晶圓搬運裝置2時即使微粒發生，也可有效地吸引此微粒。且，藉由在氣體吸引口12設置化學過濾器14，就可將朝由處理裝置6(第1圖參照)中的處理等所產生晶圓搬運室9內流入的分子狀污染物質除去。進一步，在比氣體歸還路10內的化學過濾器 14更背面側中，作為第2送風手段的風扇15是橫跨寬度方向被設置(第5圖參照)，該風扇15是藉由朝向氣體歸還路10的下游側，即第4圖的上方進行送風，使產生氣體吸引口12中的氣體的吸引力，並且將通過了化學過濾器14的氣體朝上方送出，使在氣體歸還路10內產生上昇氣流。

且藉由上述的FFU13的風扇13a及風扇15，大致封閉空間CS內的氣體是藉由在晶圓搬運室9內下降，在氣體歸還路10內上昇而循環。因為氣體送出口11是朝向下方被開口，所以藉由FFU13使氣體朝向下方被送出，並且因為氣體吸引口12是朝向上方被開口，所以藉由FFU13產生的下降氣流可以不會擾亂的狀態朝向下方吸引氣體，藉由這些可以圓滑地將氣體的流動作出。又，藉由在晶圓搬運室9內產生下降氣流，就可將附著在晶圓W上部的微粒除去，並且可防止微粒在晶圓搬運室9內浮遊。

在此，使用第6圖及第7圖詳細說明氣體歸還路10的氣體的流路。第6圖，是氣體歸還路10的擴大立體圖，第7圖是顯示第6圖所示的A-A位置及B-B位置中的剖面的立體圖。

如第6圖所示，分隔構件8是由上側分隔構件81、下側分隔構件82、中間構件83的3個構件所構成。具體而言，上側分隔構件81是沿著背面壁32的方式被安裝於其內側之在中央具有比背面壁32的開口32a大的矩形的 開口81a的平板狀的構件，其側方端是與支柱37c及37d接觸，上端是與上述的支撐構件18連結(第4圖參照)。

下側分隔構件82，是朝向後方具有下段82a、中段82b、上段82c的3段的階段狀的構件，在底壁36上與支柱37c及37d從前方抵接的方式橫跨寬度方向形成，並且藉由在寬度方向兩端具備側板82d而在內部形成封閉空間。且，在下段82a的上方連接化學過濾器14並且形成氣體吸引口12，上段82c是與上側分隔構件81的下端接觸(第4圖參照)。

中間構件83，是具有與支柱37c及37d前後方向相同厚度的形狀，藉由連接：被配置在背面壁32的開口32a的下方具有由正面視愈朝向上方寬度愈增加的區間的分流部83a、及藉由避開背面壁32的開口32a地配置於開口32a的左右及上方而構成H字型的H字部83b，而形成與上側分隔構件81的開口81a幾乎相同大小的開口83c。分流部83a的內部是成為空洞，在此內部，設有藉由將門1a(第3圖參照)通過設在上面的開口83a1上下動而將開口32a開閉的驅動機構1b。且，分流部83a的上面及下側分隔構件82的上段82c是成為相同高度，H字部83b的上端是與頂壁35抵接。

藉由如此構成分隔構件8，藉由設在下側分隔構件82的內部的風扇15(第4圖參照)而朝向上方的氣體，是在比下側分隔構件82的上段82c更下側中，如第7圖的 剖面S1所示，流動於藉由下側分隔構件82、背面壁32、中間構件83的分流部83a及支柱37c、37d被包圍的流路。且，在比下側分隔構件82的上段82c(第6圖參照)更上側中，如第7圖的剖面S2所示，分歧地流動於：藉由上側分隔構件81、背面壁32、中間構件83的H字部83b及支柱37c被包圍的流路(第7圖的左側的流路)；及藉由上側分隔構件81、背面壁32、中間構件83的H字部83b及支柱37c被包圍的流路(第7圖的右側的流路)。即，如第5圖所示，在區間H1中，氣體成為可橫跨寬度方向流動，另一方面，在區間H2中，氣體成為只可流動於中間構件83的兩側。

藉由這種構成，因為成為可使氣體歸還路10確保大的流路面積及框體3的內側的晶圓搬運裝置2的驅動領域外的死角(死空間)，所以不必要將外觀變更，成為可防止構成氣體歸還路10的各構件與裝載埠4和裝載鎖定室61等EFEM1外部的裝置干涉。具體而言，如第2圖所示，在比下側分隔構件82的上段82a更下方，即第4圖及第5圖的區間H1因為是位於比晶圓搬運裝置2的臂部2a的移動的領域更下側，所以與晶圓搬運裝置2是透過支撐部21及導軌22被支撐於框體3的前面壁31相輔，容許下側分隔構件82是沿著基座部2b的形狀階段狀地朝前方伸出，成為可加大氣體吸引口12朝向上方開口，並且確保氣體歸還路10的流路面積。另一方面，第4圖及第5圖的區間H2，是包含晶圓搬運裝置2的臂部2a移動 的高度領域，且迴避臂部2a將晶圓W搬運所需要的開口32a周邊的空間，具體而言藉由利用開口32a的左右的空間設定氣體歸還路10的流路，就可確保臂部2a的移動空間，並且不與晶圓W的搬運路徑干涉。進一步，設在此開口32a的左右的流路，也迴避將開口32a封閉用的門1a(第3圖參照)及將此門1a開閉的驅動機構1b，且利用支柱37c、37d使設在槓桿的支柱37c、37d的前後方向的厚度的範圍的方式構成(第7圖參照)。且，因為使用框體3的一部分也就是背面壁32及支柱37c、37d形成氣體歸還路10，所以在構成氣體歸還路10的構造體具有強度，並且零件點數不會增多，成為可抑制製造成本的上昇。

接著，在如上述構成的EFEM1內，對於將氮循環的氮循環控制的動作，使用第4圖說明。

首先，初期階段，控制器5是藉由在氣體排出手段17將氣體排出，且在氣體供給手段16朝大致封閉空間CS內供給氮，將大氣氣氛中的EFEM1的大致封閉空間CS淨化成氮氣氛。此階段之後，控制器5是當循環路Ci內的氮朝外部漏出的情況，就對應其漏出量朝氣體供給手段16進行氮的供給。

且在成為如此氮氣氛的大致封閉空間CS，控制器5是藉由將FFU13的風扇13a及風扇15驅動，使在循環路Ci內產生氣體的循環。此時，FFU13的過濾器13b及化學過濾器14因為可將循環的氣體中的微粒及分子狀污染 物質除去，所以晶圓搬運室9內是成為時常產生清淨的氮的下降氣流的狀態。

在成為這種狀態的EFEM1中，將被載置在裝載埠4被淨化成氮氣氛的FOUP7及晶圓搬運室9連通，進行晶圓W的出入時，因為晶圓搬運室9及FOUP7皆相同是氮氣氛，晶圓搬運室9內的氮也被維持清淨，在FOUP7內微粒和分子狀污染物質無法進入而不必要使FOUP7內對於晶圓搬運室9內成為正壓，在FOUP7內可以抑制淨化的氮的消耗量。

且藉由將被設在晶圓搬運室9及裝載鎖定室61(第1圖參照)之間的門1a開放而將這些晶圓搬運室9及裝載鎖定室61連通，在與裝載鎖定室61之間進行晶圓W的出入時，是藉由處理裝置6中的處理而附著在晶圓W，或是存在於裝載鎖定室61內的微粒及分子狀污染物質是具有朝晶圓搬運室9內流入的可能性者，這些的微粒及分子狀污染物質是藉由晶圓搬運室9內的下降氣流朝下方流動，藉由化學過濾器14及FFU13的過濾器13b在通過氣體歸還路10期間被淨化，晶圓搬運室9內微粒及分子狀污染物質因為不會再度流動，成為可有效減輕對於搬運中的晶圓W的負面影響。

如以上，本實施例中的EFEM1，是具備：在設在壁面也就是前面壁31的開口31a連接有裝載埠4~4，並且在內部構成藉由在設在壁面也就是背面壁32的開口32a連接有處理裝置6而大致被封閉的晶圓搬運室9的框體 3；及被配設在晶圓搬運室9內，在被載置於裝載埠4~4的FOUP7~7及處理裝置6之間進行晶圓W的搬運的晶圓搬運裝置2；及設在晶圓搬運室9的上部，朝晶圓搬運室9內送出氣體的氣體送出口11；及設在晶圓搬運室9的下部，吸引晶圓搬運室9內的氣體的氣體吸引口12；及將從氣體吸引口12被吸引的氣體朝氣體送出口11歸還的氣體歸還路10；及設在氣體送出口11，具備將被包含於被送出的氣體中的微粒除去的過濾器13b的FFU13；藉由在晶圓搬運室9使產生下降氣流並且透過氣體歸還路10將氣體歸還，使晶圓搬運室9內的氣體循環的方式構成者。

因為如此構成，藉由在晶圓搬運室9產生下降氣流並且通過氣體歸還路10將氣體循環，與晶圓搬運室9是成為被大致封閉的空間相輔，可以將晶圓搬運室9內維持在氮氣氛下。因此，可以不會將晶圓W的搬運曝露於外氣地進行，成為可抑制微粒的附著。且，藉由在氣體送出口11設有具備過濾器13b的FFU13，成為可在將氮循環期間將微粒除去。進一步，藉由在晶圓搬運室9產生下降氣流，將附著在晶圓W上部的微粒除去，並且可防止微粒在晶圓搬運室9內浮遊。且，藉由將氮循環可抑制氮的消耗，成為可削減成本。

且因為將設在框體3的背面壁32及背面壁32的內側的分隔構件8之間的空間作為氣體歸還路10的一部分，並且晶圓搬運室9及氣體歸還路10是藉由分隔構件8被 分離的方式構成，所以不需變更外觀就可確保大的流路面積，防止裝載鎖定室61等與EFEM1外部的裝置干涉，並且成為可抑制零件點數的增加及抑制製造成本的上昇。

進一步，因為將裝載埠4~4連接的開口31a及將處理裝置6連接的開口32a是設在框體3的相面對的位置，氣體歸還路10是從氣體吸引口12經由將處理裝置6連接的開口32a的兩側與氣體送出口11連續的方式構成，所以可有效利用將晶圓搬運裝置2的驅動領域外的死角(死空間)，成為可防止妨害晶圓W的搬運並確保氣體的流量。

且因為在氣體送出口11連接有具備第1送風手段也就是風扇15的FFU13，並且在氣體吸引口12連接有第2送風手段也就是風扇15，藉由FFU13從氣體送出口11朝晶圓搬運室9內送出氣體，藉由風扇15從氣體吸引口12吸引晶圓搬運室9內的氣體的構成，所以可圓滑地進行流動於晶圓搬運室9及氣體歸還路的氣體的循環。

此外，因為進一步具備朝晶圓搬運室9內供給氮的氣體供給手段16、及從晶圓搬運室9內將氣體排出用的氣體排出手段17的構成，所以可以將晶圓搬運室9內置換成適切的氣體氣氛，防止氧氣體和水分等附著在晶圓W表面阻礙晶圓W的處理、成品率下降，並且晶圓搬運室9內的氮的一部分是朝外部流出的情況時，藉由供給流出分的氮，就可以將晶圓搬運室9內的狀態保持一定。

且因為在氣體吸引口12設有化學過濾器14，晶圓搬 運室9內的氣體是透過化學過濾器14朝氣體歸還路10流入的構成，所以成為可除去由處理裝置6中的處理等所產生的流入晶圓搬運室9內的分子狀污染物質。

此外，因為晶圓搬運裝置2是被支撐於框體3的前面壁31的構成，所以將設有晶圓搬運裝置2及化學過濾器14的氣體吸引口12彼此不會干涉地配置，並且不會妨害晶圓搬運室9內的下降氣流，成為可防止藉由氣流的亂流使微粒浮遊。

且因為將晶圓搬運室9內循環的氣體是惰性氣體也就是氮，所以成為可抑制由氧和濕氣等所產生的晶圓W表面的性狀的變化，可防止成品率的下降。

又，各部的具體的構成，不只有限定於上述的實施例。

例如，在上述的實施例中，雖在設在裝載埠4~4上的FOUP7~7及裝載鎖定室61之間，進行晶圓W的搬運，但是進行FOUP7~7間的交接的情況等也可以使用。

且晶圓搬運裝置2的搬運對象雖是使用晶圓W者為前提，但是本發明也可以使用於將玻璃基板等各式各樣的精密加工品作為對象的EFEM1。

且在上述的實施例中，構成規定的軌道的導軌22雖是被支撐於框體3的前面壁31，但是不與氣體吸引口12干涉的話，被支撐於框體3的其中任一也可以，例如，將導軌22設在底壁36，晶圓搬運裝置2是被支撐於底壁36的構成也可以。且，可限制晶圓搬運裝置2的移動方向的 話，不限定於導軌22，藉由導引滾子和拉線等的其他的手段構成軌道也可以。

進一步，晶圓搬運裝置2，不限定於連桿式臂機械手臂、和SCARA型多關節機械手臂，也可以使用多種樣式者。

且在上述的實施例中，氣體供給手段16是設在氣體歸還路10的背面側上部，氣體排出手段17是設在氣體歸還路10的背面側下部，但是這些氣體供給手段16及氣體排出手段17的設置位置並非被限定，可以設在循環路Ci中的任意的場所。

進一步，在上述的實施例中雖將由氣體排出手段17所產生的氣體的排出及由氣體供給手段16所產生的氮的供給同時進行，但是首先具備吸引機構的氣體排出手段17是藉由將氣體排出將大致封閉空間CS內成為負壓，其後藉由在氣體供給手段16朝大致封閉空間CS內供給氮，使大氣氣氛中的大致封閉空間CS成為氮氣氛也可以。藉由這樣做，可以更效率佳地進行氮的淨化。

且在上述的實施例中EFEM1雖是與1個裝載鎖定室61連接，但是與2個以上的裝載鎖定室61連接的構成也被考慮。此情況，因為成為在背面壁32中對應連接的裝載鎖定室61的數量將開口32a設置2個以上，所以氣體歸還路10是避開那些開口32a的方式3個以上分歧地形成即可。

進一步，在上述的實施例中，氣體歸還路10雖是設 在EFEM1的框體3的內部，但是藉由在框體3的外部設置導管而將氣體歸還路10構成也可以。此情況時，為了防止導管與裝載鎖定室61干涉且確保寬的流路，導管是朝與裝載鎖定室61連接的開口32a的左右分歧地設置較佳。又，對於氣體歸還路10的形狀，除此以外也可以對應周圍的裝置形狀取得各式各樣的形狀。

且在上述的實施例中，將晶圓W周邊的氣氛置換用的氣體雖使用氮，但是可以對應處理使用乾燥空氣和氬等各種各式各樣的氣體。

又，在上述的實施例中的EFEM1，設置：將大致封閉空間CS內的濕度下降的乾燥機、使溫度下降的冷卻器、進行晶圓W的除電用的離子發生器等，將晶圓搬運室9內的環境進一步提高也可以。

其他的構成，在未脫離本發明的範圍內也可進行各種變形。

<第2實施例>

EFEM因為通常是在清淨室內被設置複數台，朝各EFEM供給氮的話氮的使用量會進一步成為膨大。且，隨附在各EFEM各別設置供給氮用的設備的情況時，設備整體的設置面積皆會增大，在設備的設置及管理所需要的成本會增大。

在此，在此第2實施例中，其目的為提供一種EFEM系統，將複數EFEM運用的情況時，將搬運中的晶圓不會 曝露於會產生表面性狀的變化和微粒附著的氣氛，可藉由單純的構造實現：朝晶圓的微粒的附著的抑制、和將晶圓表面的性狀的管理適切地進行，可以達成設置面積的削減和成本下降。

第2實施例的EFEM系統，是如第8圖所示，由：被設在清淨室內且具有相同內容積且對於晶圓W進行相同處理時所使用的2台以上的EFEM1010~1010、及設於這些EFEM1010~1010的外部的1個氣體清淨裝置1020、及將藉由氣體清淨裝置1020被清淨化的清淨氣體Gc分配並各別朝內部具有複數EFEM1010~1010的晶圓搬運室1011~1011(第9圖及第10圖參照)供給的氣體供給路1030、及將從晶圓搬運室1011~1011被排出的排出氣體Gd朝氣體清淨裝置1020歸還的氣體歸還路1040、及控制器1050、及將氮氣體朝氣體供給路1030導入的氣體導入手段1060、及吸引氣體歸還路1040中的氣體的氣體吸引手段1070所構成。且，氣體清淨裝置1020、氣體供給路1030、複數晶圓搬運室1011~1011、氣體歸還路1040是連通成為氮氣氛，在這些之間藉由構成循環路Ci來進行氮的循環。即，複數EFEM1010~1010是成為共有氣體清淨裝置1020的構成。又，構成循環路Ci的氣體清淨裝置1020、氣體供給路1030、複數晶圓搬運室1011~1011、氣體歸還路1040是除了連接部分以外分別被密閉，在將這些連接的狀態下氮不會朝循環路Ci的外部流出。且，在本實施例中，在此循環路Ci將惰性氣體也就是氮循 環，但是循環的氣體不限定於此，使用其他的氣體也可以。

各EFEM1010，是如第9圖及第10圖所示，具備：由規定的交接位置間進行晶圓W的搬運的晶圓搬運裝置1012、及將此晶圓搬運裝置1012包圍地設置的箱型的晶圓搬運室1011、及與晶圓搬運室1011的相面對的壁面的一方連接的複數(在圖中為3個)裝載埠1013~1013。在裝載埠1013上載置有FOUP1014，藉由使設在裝載埠1013所具備的門1013a及FOUP1014的蓋部1014a連結一起移動，成為使FOUP1014及晶圓搬運室1011連通。在FOUP1014內載置部是被上下方向多數設置，藉此可以容納多數的晶圓W。且，在FOUP1014內通常被充填氮，並且成為透過裝載埠1013將FOUP1014內的氣氛氮置換也可以。

且如第9圖所示，各EFEM1010，是鄰接於與裝載埠1013的被連接的壁面相面對的壁面的外側，且成為可以與對於晶圓W進行處理的處理裝置1001連接的方式，藉由將被設在EFEM1010及處理裝置1001之間的一般被稱為閘門閥的門1010a開放，成為可將EFEM1010的晶圓搬運室1011及處理裝置1001的裝載鎖定室1002連通的狀態。處理裝置1001雖可以使用各種各式各樣者，但是一般，是與裝載鎖定室1002鄰接地設有搬運室1003，進一步成為與搬運室1003鄰接地設有複數(在圖中為3個)處理單元1004~1004的構成。搬運室1003、及在裝載鎖 定室1002和處理單元1004~1004之間，是各別設有門1002a、1003a~1003a，藉由將此開放就可以將各之間連通，使用設在搬運室1003內的搬運機械手臂1005就成為可在裝載鎖定室1002及處理單元1004~1004之間使晶圓W移動。又，在本實施例中，與各EFEM1010連接的處理裝置1001是進行相同種類的處理者。

晶圓搬運室1011是晶圓搬運裝置1012驅動的空間，為了抑制循環的氮的流出而被高氣密地作成。且，如第10圖所示，設有：在晶圓搬運室1011的上部與氣體供給路1030(第8圖參照)連接的氣體供給口1015、及由送風手段也就是風扇1016a及灰塵過濾器1016b所構成的風扇過濾單元(FFU)1016，灰塵過濾器1016b是將從氣體供給口1015被供給的氣體中的微粒除去，並且藉由使風扇1016a朝向晶圓搬運室1011送風，在晶圓搬運室1011內產生下降氣流。進一步，在晶圓搬運室1011的下部設有與氣體歸還路1040(第8圖參照)連接的氣體排出口1018，作為下降氣流通過晶圓搬運室內1011的氣體是通過氣體歸還路1040朝氣體清淨裝置1020被歸還，再被利用。又，藉由在如上述晶圓搬運室1011內將下降氣流發生，將附著在晶圓W上部的微粒除去，並且成為可防止在晶圓搬運室1011內由微粒和處理裝置1001發生的不純物和殘留氣體浮遊。

晶圓搬運裝置1012，是如第9圖及第10圖所示，在晶圓搬運室1011的底部透過導軌1012a被支撐，成為可 以沿著朝晶圓搬運室1011底面的寬度方向延伸的導軌1012a移動，成為可：將被收容在被載置於並列在側方的3個裝載埠1013~1013的FOUP1014的晶圓W朝裝載鎖定室1002搬運、及在處理單元1004~1004中將處理進行之後的晶圓W朝FOUP1014內再度搬運。

氣體清淨裝置1020，是如第8圖所示，藉由流動於各EFEM1010的晶圓搬運室(第9圖參照)1011而包含微粒和分子狀污染物質，欲將從氣體歸還路1040歸還的排出氣體Gd再利用而清淨化，將被清淨化的清淨氣體Gc朝氣體供給路1030送出，朝晶圓搬運室1011~1011供給清淨氣體Gc並使循環的裝置，具體而言，具備：灰塵過濾器1021、及乾燥機1022、及化學過濾器1023、及送風手段也就是鼓風機1024地構成。又，這些氣體清淨裝置1020的要素，在第8圖中雖從循環路Ci的下游側朝上游側依鼓風機1024、化學過濾器1023、乾燥機1022、灰塵過濾器1021的順序配置，但是不一定必要由此順序設置，配置的順序可適宜地變更。氣體清淨裝置1020，是被設置於設有EFEM1010~1010的清淨室內也可以，藉由將氣體供給路1030及氣體歸還路1040的導管通過清淨室的壁面，設在清淨室外也可以，可以對應清淨室內的裝置的配置等適宜的位置設置。

灰塵過濾器1021，是將排出氣體Gd中的微粒除去者，對應：各EFEM1010及與這些連接的處理裝置1001的狀況和被包含於排出氣體Gd的微粒的狀況、及循環路 Ci中的氣體的循環壓力等，分別使用HEPA過濾器、ULPA過濾器等。又，如上述灰塵過濾器1021以外，在各EFEM1010的內部雖也設有灰塵過濾器1016b(第10圖參照)，但是藉由與氣體清淨裝置1020的灰塵過濾器1021協動地作用，就成為可朝晶圓搬運室1011內供給被更淨化的氣體。且，與只有藉由設在EFEM1010的灰塵過濾器1016b進行微粒的除去的情況相比較，可以將灰塵過濾器1016b的交換次數減少，成為可在各EFEM1010減少將灰塵過濾器1016b交換的交換成本。

乾燥機1022，是為了將在與EFEM1010連接的處理裝置1001內所發生的排出氣體Gd中的水分除去用者，一般由除濕器或是脫濕機的機器所構成。藉由將排出氣體Gd中的水分除去，成為可防止藉由晶圓搬運室1011內的水分所引起的晶圓W的品質下降發生。又，此乾燥機1022，是在連接的處理裝置1001水分不會發生，晶圓搬運室1011內的濕度不會上昇的情況時，藉由控制器1050的控制將運轉停止也可以。

化學過濾器1023，是將由處理裝置1001(第9圖參照)中使用於處理等，或是藉由處理發生的氣體隨附在晶圓W朝晶圓搬運室1011內流入的殘留氣體等的分子狀污染物質除去者，可對應分子狀污染物質的種類，使用：藉由離子交換反應將污染物質除去的陽離子過濾器、陰離子過濾器、和物理地將污染物質吸附的活性碳過濾器等。

且鼓風機1024，是為了促進循環路Ci的氣體的循 環，從氣體歸還路1040朝向氣體供給路1030進行送風者，具有氣體歸還路1040內的氣體的吸引作用及朝氣體供給路1030的氣體的送出作用。又，控制器1050可調節鼓風機1024的送風量，在循環路Ci中設置無圖示壓力感測器或是流量計，藉由依據此壓力感測器或是流量計的數值由控制器1050將鼓風機1024的送風量調節，就可以將循環路Ci中的氣體的流動均一化。

氣體供給路1030，是將藉由氣體清淨裝置1020被清淨化的清淨氣體Gc朝EFEM1010~1010的晶圓搬運室1011~1011(第10圖參照)送出的導管，由：與氣體清淨裝置1020連接並朝向複數EFEM1010~1010的氣體流動的成為主流路的第1供給路1031、及從第1供給路1031朝分歧且面向單獨的EFEM1010並與各晶圓搬運室1011的氣體供給口1015(第10圖參照)連接的複數第2供給路1032~1032所構成。

氣體歸還路1040，是將從EFEM1010~1010的晶圓搬運室1011~1011(第10圖參照)被排出的排出氣體Gd朝氣體清淨裝置1020歸還的導管，由：與各晶圓搬運室1011的氣體排出口1018(第10圖參照)連接的複數第2歸還路1042~1042、及與這些第2歸還路1042~1042連接並使來自晶圓搬運室1011~1011的排出氣體Gd合流並且與氣體清淨裝置1020連接並將被合流的排出氣體Gd朝氣體清淨裝置1020歸還的成為主流路的第1歸還路1041所構成。

又，氣體供給路1030及氣體歸還路1040是依據EFEM系統被導入的清淨室的環境而使用角導管和圓導管等各式各樣的形狀，其材質，除了一般的鋅鍍膜鐵板之外，具防鏽性的不銹鋼板和耐氣體性優異的聚氯乙烯被覆鋼板等，對應被包含於循環的氣體的成分使用適合的材質。且，在流動於氣體供給路1030的清淨氣體Gc及流動於氣體歸還路1040的排出氣體Gd中因為氣體的清淨度不同，所以變更氣體供給路1030及氣體歸還路1040所使用的材質的話，成為可抑制材料成本。

控制器1050，是進行使上述的氣體清淨裝置1020動作，將循環路Ci內的氮一邊清淨化一邊循環的氮循環控制者，藉由具備CPU、記憶體及介面的通常的微處理器等地構成，在記憶體中預先容納處理所必要的程式，CPU是逐次將必要的程式取出實行，成為與周邊硬資源協動來實現所期的功能者。又，對於氮循環控制是如後述。

氣體導入手段1060，是透過第1供給路1031及閥1061被連接，在第1供給路1031內送出氮者，控制器1050是藉由將閥1061的開閉控制，控制朝氣體供給路1030的氮的供給及供給的停止，並且在供給時成為可控制每單位時間的供給量。

氣體吸引手段1070，是透過第1歸還路1041及閥1071被連接，依據來自控制器1050的命令而動作，成為可藉由閥1061的開閉將設在第1歸還路1041內及外部的氣體排出處連通。且，藉由與由上述的氣體導入手段 1060所產生的氮的供給併用，就成為可將循環路Ci內置換成氮氣氛。又，在本實施例中，循環於循環路Ci的氣體因為是氮，所以氣體導入手段1060是供給氮，但是使其他的氣體循環的情況時，氣體導入手段1060是供給該被循環的氣體即可。

接著，對於在如上述構成的EFEM系統中使氮循環之氮循環控制中的動作，使用第8圖說明。

首先，初期階段，控制器1050是將閥1071及閥1061開放，藉由氣體吸引手段1070吸引並排出氣體歸還路1040中的氣體，且藉由氣體導入手段1060朝氣體供給路1030內供給氮，將包含這些氣體歸還路1040及氣體供給路1030的大氣氣氛中的循環路Ci淨化成為氮氣氛。且，淨化完成的階段藉由將閥1071及閥1061關閉，構成封閉的循環路Ci。此階段之後，控制器1050是當循環路Ci內的氮朝外部漏出的情況就開放閥1071，對應其漏出量在氣體導入手段1060進行氮的供給。為了將此自動地進行，是在各EFEM1010~1010內設置氧濃度計，藉由氧濃度計檢出的氧濃度是成為比預先決定的規定值以上高的情況時，就朝循環路Ci內重新地供給氮的方式進行將閥1061、1071控制的構成也最佳。

接著，在成為如此氮氣氛的循環路Ci，控制器1050是藉由將氣體清淨裝置1020的鼓風機1024驅動，產生氮的循環。又，此時，構成各EFEM1010的FFU1016的風扇1016a(第10圖參照)也被驅動，在各晶圓搬運室 1011內產生下降氣流，並且促進循環路Ci內的氮的循環。因為成為這種構成，所以可有效地防止氣體歸還路1040中的排出氣體Gd逆流流入EFEM1010內。

且氮循環於循環路Ci時，為了除去循環於：設在氣體清淨裝置1020的灰塵過濾器1021及化學過濾器1023、構成設在各EFEM1010的FFU1016的灰塵過濾器1016b(第10圖參照)的氣體中的微粒及分子狀污染物質，循環路Ci內，特別是晶圓搬運室1011內是成為時常產生清淨的氮的流動的狀態。

在成為這種狀態的EFEM1010中，將被載置在第9圖所示的裝載埠1013且被淨化成氮氣氛的FOUP1014及晶圓搬運室1011連通，進行晶圓W的出入時，晶圓搬運室1011及FOUP1014皆相同為氮氣氛，晶圓搬運室1011內的氮也因為被維持在清淨，所以在FOUP1014內不必要為了使微粒和分子狀污染物質無法進入而將FOUP1014內對於晶圓搬運室1011內成為正壓，在FOUP1014內可以抑制淨化的氮的消耗量。

且藉由將被設在晶圓搬運室1011及裝載鎖定室1002之間的門1010a開放而將這些晶圓搬運室1011及裝載鎖定室1002連通，在與裝載鎖定室1002之間進行晶圓W的出入時，是藉由處理裝置1001中的處理而附著在晶圓W，或是存在於裝載鎖定室1002內的微粒及分子狀污染物質具有流入晶圓搬運室1011內的可能性，這些的微粒及分子狀污染物質是藉由晶圓搬運室1011內的下降氣流 朝下方流動，成為排出氣體Gd通過氣體歸還路1040朝氣體清淨裝置1020歸還，藉由灰塵過濾器1021及化學過濾器1023被清淨化。被清淨化的氣體雖是作為清淨氣體Gc通過氣體供給路1030再度朝晶圓搬運室1011內被送出，但是在EFEM1010內因為也藉由FFU1016的灰塵過濾器1016b使微粒進一步被除去，在晶圓搬運室1011內微粒及分子狀污染物質幾乎沒有流動，成為可有效地減輕晶圓搬運室1011內朝搬運中的晶圓W的負面影響。

如以上，本實施例中的EFEM系統，是具備：在內部各別具備將晶圓W搬運用的晶圓搬運室1011的複數EFEM1010~1010、及設在EFEM1010~1010的外部並具備進行氣體的清淨化用的灰塵過濾器1021的氣體清淨裝置1020、及將藉由氣體清淨裝置1020被清淨化的氣體也就是清淨氣體Gc分配並朝各晶圓搬運室1011供給的氣體供給路1030、及將從各晶圓搬運室1011被排出的氣體也就是排出氣體Gd朝氣體清淨裝置1020歸還的氣體歸還路1040，在晶圓搬運室1011及氣體清淨裝置1020之間使氣體循環的方式構成者。

因為如此構成，在氣體清淨裝置1020所具備的灰塵過濾器1021是藉由將被包含於從晶圓搬運室1011被排出的排出氣體Gd的微粒除去而清淨化，藉由將被清淨化的清淨氣體Gc供給至晶圓搬運室1011，就可以將晶圓搬運室1011內保持在清淨的氣體氣氛下。且，複數EFEM1010~1010是成為共有氣體清淨裝置1020，因為不 需要將氣體清淨裝置1020設在各EFEM1010，成為可將各EFEM1010的構造單純化，成為可達成設置面積的削減和成本下降。

且氣體清淨裝置1020，因為是具備從氣體歸還路1040往朝向氣體供給路1030的方向送出的氣體的送風手段也就是鼓風機1024地構成，所以成為可將氣體清淨裝置1020及各晶圓搬運室1011之間的氣體的循環有效地進行。

進一步，氣體清淨裝置1020，因為是具備將存在於被歸還的氣體中的分子狀污染物質除去的化學過濾器1023的方式構成，所以成為可防止從與晶圓搬運室1011連接的處理裝置1001流入的分子狀污染物質循環，可將晶圓搬運室1011保持在適切的氣體氣氛下。

且氣體清淨裝置1020，因為具備將氣體中的水分除去的乾燥機1022地構成，所以可有效地防止藉由晶圓搬運室1011內的水分引起晶圓W的品質下降。

此外，因為進一步具備：在氣體供給路1030的途中位置將氮導入的氣體導入手段1060、及從氣體歸還路1040的途中位置吸引氣體用的氣體吸引手段1070地構成，所以藉由將循環路Ci中的氣體置換成氮氣氛，在晶圓搬運室1011內抑制由氧和處理所產生的殘留氣體等附著在晶圓表面使晶圓W的表面性狀變化，防止成品率下降，並且晶圓搬運室1011內的氣體的一部分是朝外部流出的情況時，成為可供給流出分的氣體使晶圓搬運室 1011內的狀態保持一定。

且EFEM1010，因為是包含：設在晶圓搬運室1011的上部並與氣體供給路1030連接的氣體供給口1015、及設在晶圓搬運室1011的下部並與氣體歸還路1040連接的氣體排出口1018地構成，在晶圓搬運室1011內產生從氣體供給口1015朝氣體排出口1018流動的下降氣流地構成，所以可以將附著在晶圓W上部的微粒除去，並且防止微粒在晶圓搬運室1011內浮遊。

此外，在氣體供給口1015中，因為連接有：作為將從氣體供給路1030被供給的氮朝晶圓搬運室1011內送入的送風手段的風扇1016a、及具備將從氣體供給路1030被供給的氮清淨化的灰塵過濾器1016b的風扇過濾單元1016地構成，所以在晶圓搬運室1011內可有效地發生下降氣流，並且成為可更防止微粒附著在晶圓W。

且在循環路Ci內循環的氣體因為是惰性氣體也就是氮，所以成為可抑制由氧和濕氣等所產生的晶圓W表面的性狀的變化，可防止成品率的下降。

又，各部的具體的構成，不只有限定於上述的第2實施例。

例如，在上述的第2實施例中，各EFEM1010是具有相同內容積，且，與各EFEM1010連接的處理裝置1001皆是進行相同種類的過程者，但是EFEM系統內的各EFEM1010及處理裝置1001是不同的構成者也可以，對於晶圓W進行不同的處理過程者也可以。

且依據上述的構成，朝如第11圖所示的構成變形也可以。在此圖中，在與上述的第2實施例相同部分中附加相同符號，對於這些的部分是省略說明。在此變形例中，與第1供給路1031一起構成氣體供給路1130，在將第1供給路1031及各EFEM1010連接的第2供給路1132~1132的途中各別設置閥1133~1133，並且與第1歸還路1041一起構成氣體歸還路1140，在將第1歸還路1041及各EFEM1010連接的第2歸還路1142~1142的途中各別設置閥1143~1143的點，與上述的實施例相異。此情況，控制器1150是除了上述的實施例中的控制以外，也進行閥1133~1133及閥1143~1143的開閉控制。

如此構成的話，藉由控制器1150的控制，藉由將設在與運轉停止中的EFEM1010連接的第2供給路132的閥1133、及相同設在與EFEM1010連接的第2歸還路142的閥1143關閉，就可以將淨化氣體Gc不會流入運轉停止中的EFEM1010，可以減少由氣體導入手段1060所產生的氮的導入量，並且循環路Ci2的循環流域因為減少，所以成為也可以減少鼓風機1024的送風量，成為可達成成本的削減。尤其是，進行EFEM1010的維修時等，將晶圓搬運室1011內成為非氣密狀態的情況時，無此連接的閥1133及閥1143的話，氮會大量流出，因為具有閥1133及閥1143，在使其他的EFEM1010~1010可動的狀態下可進行特定的EFEM1010的維修。進一步，控制器1150是進行將流動於閥1133~1133及閥1143~1143的氣體的 流量調節的控制地構成也被考慮。藉由如此構成，特別是EFEM系統內的各EFEM1010是各別不同的構成的情況、和各EFEM1010是與對於晶圓W進行不同的處理過程的處理裝置1001連接的情況時，藉由對應各EFEM1010的晶圓搬運室1011內的環境將氣體的流量調節，就成為可削減氣體的使用量。

且其他的變形例，如第12圖所示的構成也可以。在此圖中，也與上述的第2實施例在相同部分附加相同符號並省略說明。在此變形例中，氣體清淨裝置1220及各EFEM1010是各別與氣體供給路1230及氣體歸還路1240連接，控制器1250是成為將複數循環路Ci3~Ci3的循環控制的構成。此情況，氣體導入手段1260及氣體吸引手段1270是透過閥1261及閥1271與氣體清淨裝置1220直接連接較佳。且，如此構成的情況時，在各EFEM1010~1010之間因為氣體未被連通，在例如某EFEM1010內微粒和分子狀污染物質大量發生的情況時，也可以確實地防止包含此微粒和分子狀污染物質的氣體未通過氣體清淨裝置1220就朝其他的EFEM1010~1010流入。

且在上述的第2實施例中，在設在裝載埠1013~1013上的FOUP1014~1014及裝載鎖定室1002之間，雖進行晶圓W的搬運，但是也可以使用在進行FOUP1014~1014間的交接的情況等。

且在上述的第2實施例中，晶圓搬運裝置1012的搬運對象雖是以使用晶圓W者為前提，但是本發明可以使 用在適用於將玻璃基板等各式各樣的精密加工品作為對象的EFEM1010的EFEM系統。

且在上述的第2實施例中，氣體導入手段1060是設在第1供給路1031，氣體吸引手段1070是設在第1歸還路1041，但是這些氣體導入手段1060及氣體吸引手段1070的設置位置並非被限定，可以設在循環路Ci中的任意的場所。進一步，在各EFEM1010所具備的裝載埠1013具備朝FOUP1014內進行氮淨化的氮供給手段的情況時，在將FOUP1014及晶圓搬運室1011連通的狀態下藉由氮供給手段進行氮的供給，在循環路Ci將氮導入也可以。此情況，即使不設置氣體導入手段1060，也可使用與習知相同設備進行循環路Ci內的氮淨化。

進一步，在上述的第2實施例中在氮循環控制的初期階段雖同時進行由氣體吸引手段1070所產生的氣體的排出及由氣體導入手段1060所產生的氮的供給，但是首先氣體吸引手段1070是藉由將氣體排出而將循環路Ci內成為負壓，其後藉由在氣體導入手段1060朝循環路Ci內供給氮，將大氣氣氛中的循環路Ci成為氮氣氛也可以。藉由這樣做，可以更效率佳地進行氮淨化。

且在上述的第2實施例中，將循環路Ci內的氣氛置換用的氣體雖使用氮，但是可以對應處理使用乾燥空氣和氬等各種各式各樣的氣體。

又，在上述的第2實施例中的氣體清淨裝置1020，設有：將循環路Ci內的濕度下降的乾燥機、使溫度下降 的冷卻器、進行晶圓W的除電用的離子發生器等，提高循環的氣體的環境，即將晶圓搬運室1011內的環境更適合晶圓W的處理也可以。

且在上述的第2實施例中的氣體供給路1030及氣體歸還路1040的適當的場所設置風扇，更促進氣體的循環的方式構成也可以。

其他的構成，在未脫離本發明的範圍內也可進行各種變形。

<第3實施例>

在上述的第1及第2實施例中，加大晶圓搬運室9、1011的容積的話，由該部分充填的氣體所產生的成本會增大，並且在氣體置換成為需要長時間。在此，在此第3實施例至第9實施例中，著眼在適用於EFEM的基板搬運裝置，其目的為提供一種基板搬運裝置及具備此基板搬運裝置的EFEM，可以適切地進行：將搬運中的基板不會曝露於會產生表面性狀的變化和微粒附著的氣氛、朝基板的微粒的附著的抑制、和基板表面的性狀的管理。

被適用在第3實施例的EFEM的基板搬運裝置是將作為基板的晶圓W搬運的晶圓搬運裝置2002地構成，成為由第13圖所示的EFEM2001的構成要素的1個。EFEM2001，是由機械裝置部分也就是本體2011及將此動作控制用的控制器2009所構成，本體2011是在內部具備晶圓搬運裝置2002，成為可以使用此在規定的交接位置 間將晶圓W搬運。且，將晶圓搬運裝置2002包圍的方式設置框體2051，此框體2051是藉由具備將晶圓搬運裝置2002的四方包圍的框體壁2051a~2051d及頂壁2051e(第16圖參照)，由內部構成形成大致封閉空間的晶圓搬運室2005。進一步，鄰接於1個框體壁2051a外側地設置複數(在圖中為3個)裝載埠2061~2061，藉由這些及上述晶圓搬運室2005、及設在其內部的晶圓搬運裝置2002構成EFEM2001的本體2011。

又，在圖中意示FOUP2062是被載置在裝載埠2061上的狀態。各裝載埠2061是具備門2061a，此門2061a是藉由與設在FOUP2062的蓋部2062a連結地一起移動，使FOUP2062成為對於晶圓搬運室2005開放。在FOUP2062內，成對地將1枚的晶圓W支撐的載置部2062b、2062b是被上下方向多數設置，藉由使用這些可以容納多數的晶圓W。且，在FOUP2062內通常被充填氮氣體，並且成為透過裝載埠2061將FOUP2062內的氣氛氮置換也可以。

且成為可以連接鄰接於與裝載埠2061相面對的框體壁2051c的外側地構成處理裝置2008的一部分的裝載鎖定室2081，藉由將裝載鎖定室2081的門2081a開放，成為可將晶圓搬運室2005及裝載鎖定室2081連通的狀態。處理裝置2008雖是可以使用各種各式各樣者，但是一般，是與裝載鎖定室2081鄰接地設有搬運室2082，進一步成為與搬運室2082鄰接地設有複數(圖中為3個)處理單元2083的構成。在搬運室2082、及裝載鎖定室2081 和處理單元2083~2083之間，各別設有門2082a、2083a~2083a，藉由將此開放就可以將各之間連通，成為可使用設在搬運室2082內的搬運機械手臂2082b在裝載鎖定室2081及處理單元2083~2083之間將晶圓W移動。

晶圓搬運裝置2002是大致由：構成規定的軌道的導軌2026、及沿著此導軌2026如第14圖所示可移動的移動室2003、及設在其內部的搬運臂2024所構成。

第15圖，是將此晶圓搬運裝置2002的移動室2003的附近擴大意示的俯視圖，第16圖，是將此從導軌2026的延伸方向所見的情況意示的前視圖。以下，使用這些第15圖及第16圖對於晶圓搬運裝置2002的詳細的構造進行說明。

首先，在框體2051內，從裝載埠2061側的框體壁2051a橫跨裝載鎖定室2081側的框體壁2051c之間在地面F上設有固定台2021，形成矩形板狀的可動台2022是透過導軌2026及滾子2027被支撐於此固定台2021上。固定台2021，是為了將可動台2022的高度底提高而被使用，可依據需要將高度調整。導軌2026，是藉由與框體壁2051a、2051c(第13圖參照)成為平行的方式被配置成直線狀而構成直線狀的軌道，可動台2022是藉由無圖示的驅動手段，沿著導軌2026可移動。

在可動台2022的中央中，設有構成大致圓柱形狀的基座2023，搬運臂2024是被支撐在此基座2023的上部。搬運臂2024，是可以作成一般所知的各種的構造， 例如，可以將SCARA型的水平多關節機械手臂、和連桿式的臂機械手臂等最佳地使用。在此實施例中，搬運臂2024主要由複數臂要素2024a~2024c所構成，藉由將這些相對移動，就可以將臂要素2022整體伸長度。在末端的臂要素2024c的前方設有形成U字形的板狀的叉2025，而成為可將晶圓W載置在其上面。且，搬運臂2024是對於基座2023，成為可水平繞轉，成為將叉2025朝向框體壁2051a、2051c的其中任一的方向也可以。

藉由如上述地構成，晶圓搬運裝置2002，是成為可將被載置在構成搬運臂2024的叉2025上的晶圓W，朝與框體壁2051a、2051c平行的方向、及垂直交叉的方向的2軸移動。進一步，基座2023成為也可昇降動作，藉由將此動作組合，藉由叉2025舉升晶圓W，成為將叉2025上的晶圓W移載至規定的交接位置也可以。在本實施例中的EFEM2001中，被設在複數裝載埠2061的FOUP2062及相面對於此的裝載鎖定室2081(第13圖參照)，是作為將晶圓W交接用的交接位置被設定，在此之間成為可使用晶圓搬運裝置2002將晶圓W移動。

進一步，在可動台2022上，將搬運臂2024的四方包圍的方式配置有壁部2031~2034，並且頂壁2035是藉由與這些連接地設置，藉由這些壁部2031~2034及頂壁2035及可動台2022而構成正方體狀的移動室2003。移動室2003，其內部是被作成大致封閉的大致封閉空間，在內部收容上述的搬運臂2024及基座2023，並且成為與這 些一起沿著導軌2026可移動。移動室2003內的空間，是藉由將高度方向的尺寸作成搬運臂2024的昇降所必要程度的大小，將導軌2026的延伸的方向的尺寸作成搬運臂2024在由叉2025上將晶圓W保持的狀態下為了轉動所必要的程度的大小，使不會成為過度地大的容積。

構成移動室2003的壁部2031~2034之中，在裝載埠2061側的壁部2031、及裝載鎖定室2081側的壁部2033中，各別形成在由搬運臂2024先端的叉2025載置了晶圓W的狀態下可以出入的開口2031a、2033a。這些的開口2031a、2033a，是作成搬運臂2024的出入所必要的程度的大小，因為不會不必要過大，所以移動室2003內成為可被幾乎密閉的大致封閉空間。

且形成有開口2031a、2033a的壁部2031、2033，是與裝載埠2061被鄰接設置的框體壁2051a、及裝載鎖定室2081被鄰接設置的框體壁2051c的內側各別接近地設置，因為沿著導軌2026移動期間也可維持接近框體壁2051a或是框體壁2051c的狀態，所以無關移動室2003的位置和動作，成為可以抑制氣體及微粒從移動室2003的外側朝向內側侵入。即，移動室2003，是與框體壁2051a及框體壁2051c協動形成密閉度更高的大致密閉空間。

且在構成移動室2003的頂壁2035的上部中，在中央、及四隅的5處，設有氣體供給口2041a~2041a，並且這些的氣體供給口2041a~2041a，是在與無圖示的氣體供給源之間藉由配管也就是可撓性管2041b~2041b被連 接。可撓性管2041b~2041b，是將至少一部分捲取成螺旋狀的形狀，成為可伴隨移動室2003的移動而伸縮。這些氣體供給源，氣體供給口2041a、及可撓性管2041b是構成氣體供給手段2041，成為可依據來自控制器2009(第13圖參照)的命令控制氣體的供給及供給的停止、以及氣體的流量。藉由供給氣體，在移動室2003的內部，從氣體供給口2041a~2041a朝向下方各別噴出氣體，就可一邊將至其為止停留於內部的氣體壓出，一邊提高重新供給的氣體的濃度。在本實施例中使用氣體供給手段2041供給的氣體雖為氮氣體，但是不限定於此使用其他的氣體也可以。

進一步，在構成移動室2003的壁部2034中，設有將氣體排出用的作為氣體排出手段的排氣檔板2042。此排氣檔板2042是具備無圖示的擋門，依據來自控制器2009的命令而動作，藉由將擋門開放而成為可將移動室2003的內部及外部連通。此情況，藉由與由上述的氣體供給手段2041所產生的氣體的供給併用，從排氣檔板2042使進行主要氣體的排出，就成為可效率佳地進行移動室2003內的氣體淨化。

且如第13圖所示，將移動室2003，朝設定於導軌2026的一方的端部側的待機位置移動的情況，成為可將排氣檔板2042與設在框體2051的框體壁2051d的排氣導管2043連接。在此狀態，藉由將設在排氣導管2043的開閉閥2043a開放，就可以將移動室2003的內部與晶圓搬 運室2005的外部連通。如此，可以藉由氣體淨化將移動室2003內的氣體直接朝EFEM2001的外部放出，在移動室2003的內部的清淨度低的初期狀態等，不會將晶圓搬運室2005的內部空間弄髒地朝外部將氣體放出的情況時可以利用。當然，移動室2003內的清淨度是比晶圓搬運室2005的內部的清淨度更好的情況時，從移動室2003的排氣導管2043朝向晶圓搬運室2005的內部將氣體排出也可以。

且為了將包含上述的晶圓搬運裝置2002的EFEM2001的本體部2011控制，此EFEM2001是具備第13圖所示的控制器2009。控制器2009，是藉由具備CPU、記憶體及介面的通常的微處理器等所構成者，在記憶體中預先容納處理所必要的程式，CPU是逐次將必要的程式取出實行，成為與周邊硬資源協動來實現所期的功能者。

控制器2009，是包含：移動室位置控制部2091、臂位置控制部2092、昇降位置控制部2093、氣體供給控制部2094、氣體排出控制部2095、及時間控制部2096的方式構成。

移動室位置控制部2091，是藉由朝無圖示的驅動手段施加驅動指令而將移動室2003沿著導軌2026移動，成為可由任意的位置停止。臂位置控制部2092，是藉由朝在基座2023內所具備的致動器(無圖示)施加驅動指令，進行：搬運臂2024的方向的變更、和朝任意的長度 的伸長和短縮的動作。昇降位置控制部2093，是藉由朝被組入基座2023的昇降用的致動器(無圖示)施加驅動指令使進行昇降動作，就可以將搬運臂2024設在任意的高度位置。氣體供給控制部2094，是藉由朝氣體供給手段2041施加命令將氣體的供給控制者，除了氣體供給的開始及停止以外，成為可變更氣體的流量。氣體排出控制部2095，是藉由將驅動指令輸出，成為可進行：設在移動室2003的排氣檔板2042的擋門開閉、及設在框體2051的排氣導管2043的開閉閥2043a的開閉。時間控制部2096，是依據被記憶在內部的時間資料的規定的時間點進行氣體的供給及排出，朝氣體供給控制部2094和氣體排出控制部2095施加動作命令。氣體供給控制部2094和氣體排出控制部2095，是依據各別被給與的動作命令，進行：控制的開始或是停止、或是控制內容的變更，成為可以進行連動的控制。

將如上述構成的晶圓搬運裝置2002，藉由由控制器2009所產生的控制而動作，如以下地成為可進行晶圓W的搬運。

在此，其中一例，對於從與一方的交接位置也就是裝載埠2061連接的FOUP2062，朝裝載鎖定室2081將晶圓W搬運的情況進行說明。

首先，如第13圖所示，晶圓搬運裝置2002，是依據來自移動室位置控制部2091的驅動指令，將移動室2003移動至導軌2026的一方的端部附近(圖中的上側)的待 機位置。且，依據來自氣體供給控制部2094的動作命令從氣體供給手段2041供給氮氣體。進一步，藉由對應來自時間控制部2096的命令從氣體排出控制部2095使驅動指令被輸出，將：設在移動室2003的排氣檔板2042的擋門、及設在框體2051的排氣導管2043的開閉閥2043a開放。如此，氮氣體是朝移動室2003的內部被供給，並且至其為止停留在移動室2003的內部的氣體是藉由透過排氣檔板2042朝框體2051的外部被排出，進行移動室2003內的氣體淨化。

規定時間經過，氮氣體的濃度是一定以上提高時，就依據來自氣體排出控制部2095的驅動指令，將排氣檔板2042的擋門及排氣導管2043封閉。又，如上述，移動室2003內的容積因為充分地小，所以氣體淨化所需要的氮氣體的量，是與將晶圓搬運室2005內的整體氣體淨化的情況相比非常地少量即可，成為可節約氣體所需要的費用以及氣體淨化用的時間。

將排氣檔板2042的擋門及排氣導管2043關閉的情況，移動室2003內因為是大致密閉空間，所以藉由繼續進行氮氣體的供給就可以使移動室2003的內部的壓力成為比外部更提高的正壓。如此，可以抑制包含水分的空氣和微粒通過開口2031a、2033a朝移動室2003內侵入。進一步，來自氣體供給手段2041的氮氣體的供給是繼續進行，依據來自氣體供給控制部2094的動作命令，減少至可以將移動室2003的內部維持在正壓程度的流量。如 此，可進一步削減氮氣體的使用量。由如上述的氣體供給控制部2094及氣體排出控制部2095所產生的控制的時間點是藉由時間控制部2096被決定，但是不限定於此，使用正時器等構成也可以。

如上述提高移動室2003內的氮氣體濃度之後，依據來自移動室位置控制部2091的驅動指令將移動室2003移動，如第14圖，搬運對象也就是晶圓W被收容的FOUP2062是與被載置的裝載埠2061相對。

接著，藉由來自控制器2009(第13圖參照)的命令，將裝載埠2061的門2061a、及FOUP2062的蓋部2062a開放，藉由昇降位置控制部2093(第13圖參照)，將搬運臂2024先端的叉2025位於比搬運對象也就是晶圓W稍下方的位置。且，如第17圖所示，藉由臂位置控制部2092(第13圖參照)將搬運臂2024伸長，將搬運臂2024的先端從開口2031a進出，朝FOUP2062內進入。此時，叉2025是成為一邊與晶圓W的正下具有些微的間隙一邊進入。進一步，藉由昇降位置控制部2093(第13圖參照)，將搬運臂2024上昇，將晶圓W舉升使被支撐於叉2025上。

從此狀態，藉由臂位置控制部2092(第13圖參照)將搬運臂2024短縮，如第18圖所示，可以將叉2025及被載置於其上部的晶圓W通過開口2031a朝移動室2003的內部引入、收容。晶圓W，是藉由出了FOUP2062之後馬上被收容於移動室2003內，就幾乎不會被曝露於框體 2051內的空氣氣氛。因此，抑制微粒朝晶圓W的表面附著，並且也可以抑制由空氣氣氛所產生的氧化和水分的附著。在將晶圓W收容於移動室2003內之後，將裝載埠2061的門2061a及FOUP2062的蓋部2062a封閉，儘可能將FOUP2062內保持清淨。進一步，為了補足從FOUP2062內部流出的氮，將蓋部2062a封閉之後從裝載埠2061供給新的氮氣體也較佳。

接著，依據來自移動室位置控制部2091(第13圖參照)的驅動指令，將移動室2003沿著導軌2026移動使成為與裝載鎖定室2081相對的狀態，將裝載鎖定室2081的門2081a開放。進一步，如第19圖所示，依據來自臂位置控制部2092(第13圖參照)的驅動指令，將搬運臂2024朝裝載鎖定室2081側轉動伸長。且，將搬運臂2024先端的叉2025及晶圓W從開口2033a進出，朝裝載鎖定室2081內進入。進一步，藉由來自昇降位置控制部2093(第13圖參照)的命令，將搬運臂2024下降從叉2025上將晶圓W朝裝載鎖定室2081內的無圖示的載置台上移載。

如上述，藉由使用此晶圓搬運裝置2002，將晶圓W從FOUP2062朝裝載鎖定室2081搬運時，即使未將晶圓搬運室2005的內部整體的氣氛置換，藉由置換將搬運臂2024覆蓋的方式構成的移動室2003內的局部的氣氛，就可將晶圓W的表面狀態適切地維持。

且將晶圓W從裝載鎖定室2081朝FOUP2062搬運的 情況時，也藉由將上述的動作相反地進行，就可以同樣地將晶圓W的周邊的局部的氣氛置換。

如以上，本實施例中的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置2002，是在複數交接位置也就是裝載埠2061~2061及裝載鎖定室2081之間進行作為基板的晶圓W的搬運者，藉由將周圍由壁部2031~2034覆蓋使內部成為大致封閉空間，具備：沿著構成規定的軌道的導軌2026移動且可與裝載埠2061~2061及裝載鎖定室2081相對的移動室2003、及在先端部的叉2025可將晶圓W保持的搬運臂2024，可將叉2025與晶圓W一起收容在移動室2003內，藉由通過形成於壁部2031、2033的開口2031a、2033a使叉2025出入，在將移動室2003相對的裝載埠2061~2061及裝載鎖定室2081之間可構成晶圓W的交接者。

因為如此構成，由將移動室2003與裝載埠2061~2061及裝載鎖定室2081的1個相對的狀態通過開口2031a、2033a藉由搬運臂2024先端的叉2025將晶圓W收取，將叉2025與晶圓W一起收容在移動室2003的內部，與其他的裝載埠2061~2061或是裝載鎖定室2081相對的方式使移動室2003移動，就可通過開口2031a、2033a從搬運臂2024將晶圓W交接。移動室2003內因為是大致封閉空間，所以可以幾乎不會將晶圓W曝露於外氣地進行交接，可抑制被包含於外氣的微粒的附著。進一步，因為將移動室2003內藉由氮氣體淨化，所以可利用 於表面的特性變化的控制、和在交接後進行的作為朝晶圓W的處理的準備過程。且，為了將搬運時的晶圓W周邊變更成氮氣氛，因為藉由只有進行被作成大致封閉空間的移動室2003內的氣體淨化就足夠，所以可達成供給的氣體的量減少、成本的降低及時間的短縮。

且因為具備：朝移動室2003內供給氣體用的氣體供給手段2041、及從移動室2003內將氣體排出用的作為氣體排出手段的排氣檔板2042的方式構成，所以使用排氣檔板2042將移動室2003內的氣體排出，並且藉由使用氣體供給手段2041將氮氣體供給至移動室2003內，就可以進行移動室2003內的氣體淨化提高氮氣體的濃度的氮氣體氣氛，成為可更抑制搬運中的晶圓W的表面的性狀的變化。

且因為將移動室2003內的氣壓設定成比移動室2003的外部的氣壓更高的方式構成，所以可以抑制來自氣體供給手段2041以外的朝移動室2003內的氣體的流入，抑制微粒從外部朝移動室2003內侵入並附著在晶圓W表面。

進一步，本案實施例中的EFEM2001，是具備：上述的晶圓搬運裝置2002、及將此晶圓搬運裝置2002的周圍覆蓋的框體2051，鄰接於構成框體2051的框體壁2051a、2051c的外側地使交接位置也就是裝載埠2061~2061及裝載鎖定室2081被設定，晶圓搬運裝置2002的移動室2003，因為是一邊維持使具備開口2031a、2033a的壁部2031、2033接近構成框體2051的框體壁2051a、 2051c的內側的狀態，一邊成為可沿著導軌2026移動的方式構成，所以構成晶圓搬運裝置2002的移動室2003，因為是將開口2031a、2033a被設置的壁部2031、2033在接近框體壁2051a、2051c的內側的狀態下移動，所以可抑制經由開口2031a、2033a朝移動室2003內的氣體和微粒的侵入，並且成為也可以抑制供給至移動室2003內的氮氣體的流出達成氣體供給量的節約。

<第4實施例>

第20圖，是顯示作為第4實施例的基板搬運裝置的晶圓搬運裝置2102及具備此的EFEM2101的意示圖。在此圖中，與第3實施例相同部分附加相同符號，並省略說明。

EFEM2101，是由本體2111及將此控制的控制器2109所構成，本體2111是成為具備包含移動室2103的晶圓搬運裝置2102者。此實施例中的晶圓搬運裝置2102，是在構成移動室2103的裝載埠2061側的壁部2031，設置可將開口2031a開閉的開閉門2136A、2136B，並且在裝載鎖定室2081側的壁部2033，設置可將開口2033a開閉的開閉門2137的點具有特徵。

開閉門2136A、2136B、2137，是藉由無圖示的致動器，可各別朝導軌2026的延伸的方向獨立地被滑動移動。又，開閉門2136A、2136B、2137，是只要開口2031a、2033a可開閉，朝其他的方向滑動移動的方式構成 也可以，可取代滑動而進行旋轉、和使用連桿機構等進行更複雜的動作也被容許。

且控制器2109是具備開閉門控制部2197，藉由從此開閉門控制部2197對於上述致動器將驅動指令輸出，而將開閉門2136A、2136B、2137滑動移動，就成為可將開口2031a、2033a開放或是封閉。且，控制器2109所具備的時間控制部2196，是在第3實施例中除了由所述及的氣體供給控制部2094及氣體排出控制部2095所進行的控制時間點的管理以外，也管理開閉門2136A、2136B、2137的開閉動作的時間點。

因為藉由使用開閉門2136A、2136B、2137將開口2031a、2033a封閉，可以提高更移動室2103內的密閉度，所以不必要將搬運臂2024從開口2031a、2033a突出的情況時，藉由將開閉門2136A、2136B、2137封閉，就可提高移動室2103的內部的氮氣體的濃度、及削減使用量。

如以上構成的情況時，也可獲得與上述的第3實施例同樣的作用效果。

進一步，本實施例中的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置2102，因為是具備將開口2031a、2033a開閉用的開閉門2136A、2136B、2137的方式構成，所以不必要從開口2031a、2033a將搬運臂2024的先端進出的情況時，藉由開閉門2136A、2136B、2137將開口2031a、2033a關閉，就可提高更移動室2103內的密閉度，可以抑制來自 外部的氣體和微粒的侵入，並且成為可削減供給至移動室2103內的氮氣體的使用量的和提高濃度。

<第5實施例>

第21圖及第22圖，是顯示作為第5實施例的基板搬運裝置的晶圓搬運裝置2202及具備此的EFEM2201的意示圖。在此圖中，與上述的第3及第4實施例相同部分附加相同符號，並省略說明。

EFEM2201，是由本體2211及將此控制的控制器2009(第13圖參照)所構成，本體2211是成為具備包含移動室2203的晶圓搬運裝置2202者。此實施例中的晶圓搬運裝置2202，是在構成移動室2203的裝載埠2261側的壁部2231，具備可將開口2231a開閉的開閉門2236的點具有特徵。

且如第21圖(a)所示，裝載埠2261，是具備可以與FOUP2062的蓋部2062a連結的門2261a。在門2261a的下方，一體地設有朝水平方向延伸的支撐基部2261b，在其端部設有滾子2261c。且，此滾子2261c是藉由卡合於形成T字狀的軌道2261d，而可以沿著軌道2261d一邊被位置限制一邊移動的方式構成。進一步，在支撐基部2261b連接有無圖示的致動器，對應來自控制器2009(第13圖參照)的命令，成為可與支撐基部2261b一起將蓋部2261a移動。且，在門2261a中設有適宜的連結手段，成為可由一方的面與FOUP2062的蓋部2062a連結，由另 一方的面與開閉門2236連結。

門2261a，是藉由如以下地動作，成為可開放FOUP2062的蓋部2062a、及開閉門2236。首先，如第21圖(a)，藉由在裝載埠2261上載置FOUP2062，使FOUP2062的蓋部2062a與門2261a的一方的面接觸並彼此連結。且，如第21圖(b)門2261a，是朝從FOUP2062分離的方向(圖中的右方向)移動，從FOUP2062的本體將蓋部2062a分離，並且將門2261a的另一方的面與開閉門2236接觸使兩者連結。且如第22圖(a)，使些微地從移動室2203的壁部2231分離，將開閉門2236成為從開口2231a分離的狀態。且，如第22圖(b)，在晶圓搬運室2005的框體壁2051a及移動室2203的壁部2231之間，在將蓋部2062a及開閉門2236連結的狀態下將門2261a下降。如此開口2231a及FOUP2062的內部可以成為彼此開放的狀態。

又，採用此構造的情況時，在下方為了確保將門2261a引入的空間，依據設計，晶圓搬運室2005的框體壁2051a及移動室2203的壁部2231之間的距離也會變大。在該情況中，從移動室2203及框體壁2051a的其中任一方，或是雙方將板狀的蓋構件突出，將密封部X構成較佳。

如此構成的情況，也可獲得與上述的第3及第4實施例同樣的效果，進一步，可將開閉門2236的開閉由簡單的構造實現且可以達成削減成本，並且藉由將開閉門 2236的開放與FOUP2062的蓋部2062a的開放連動地進行，成為可更抑制來自外部的氣體和微粒的侵入。

<第6實施例>

第23圖，是顯示第6實施例的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置2302及具備此的EFEM2301的意示圖。在此圖中，在與上述的第3~5實施例相同部分附加相同符號，並省略說明。

EFEM2301，是由本體2311及將此控制的控制器2009所構成，本體2311是成為具備包含移動室2303的晶圓搬運裝置2302者。此實施例中的晶圓搬運裝置2302，是以上述的第3實施例中的構成為基礎，在移動室2303的頂壁2035的正下方配置過濾器構件2344的點具有特徵。

過濾器構件2344，是形成與頂壁2035幾乎相同大小，從構成氣體供給手段2041的氣體供給口2041a~2041a被供給的氣體，是透過過濾器構件2344，被供給至移動室2303的內部。

如此構成的情況，也可獲得與上述的第3實施例同樣的效果，進一步，即使在藉由氣體供給手段2041被供給的氣體中包含微粒的情況，將已將此除去的更清淨的氣體朝移動室2303的內部導入，成為可更抑制晶圓W的污染。

<第7實施例>

第24圖及第25圖，是顯示第7實施例的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置2402及具備此的EFEM2401的意示圖。在此圖中，在與上述的第3~6實施例相同部分附加相同符號，並省略說明。

EFEM2401，是由本體2411及將此控制的控制器2409所構成，本體2411是成為具備包含移動室2403的晶圓搬運裝置2402者。此實施例中的晶圓搬運裝置2402，是以上述的第6實施例中的構成為基礎，具備從移動室2403的下方將氣體取入從移動室2403的上部再度導入的氣體循環手段2445的點具有特徵。

氣體循環手段2445，是由：沿著移動室2403的外周被設置的循環導管2445a、及風扇2445b所構成，藉由將風扇2445b作動，通過設在壁部2034的下方的開口從移動室2403內將氣體取出，從設在頂壁2035的開口再度將氣體導入。從頂壁2035被導入的氣體，因為是通過過濾器2344朝移動室2403的內部被導入，所以可以更清淨。又，不需要將藉由風扇2445b被取出的氣體的全部返回至移動室2403內，依據需要將取出的氣體的一部分返回至移動室2403內，將剩下部分朝外部排出也可以。

為了使這種氣體循環手段2445動作，控制器2409是具備氣體循環控制部2498，藉由對應來自氣體循環控制部2498的驅動指令使風扇2445b作動，進一步可變更：氣體的循環的開始及停止、進行循環時的氣體的流量。此 外，控制器2409所具備的時間控制部2496，是除了由氣體供給控制部2094及氣體排出控制部2095所進行的控制時間點以外，也管理由氣體循環控制部2498所進行的控制時間點。

如以上構成的情況時，也可獲得與上述的第6實施例同樣的作用效果。

進一步，本實施例中的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置2402，因為具備將移動室2403內的氣體取出，將取出的氣體的至少一部分通過過濾器2344且再度導入移動室2403內的氣體循環手段2445地構成，所以可將移動室2403內的氣氛更清淨，成為可更抑制微粒朝晶圓W附著。

<第8實施例>

第26圖，是顯示作為第8實施例的基板搬運裝置的晶圓搬運裝置2502及具備此的EFEM2501的意示圖。在此圖中，在與上述的第3~7實施例相同部分附加相同符號，並省略說明。

EFEM2501，是由本體2511及將此控制的控制器2009(第13圖參照)所構成，本體2511是成為具備包含移動室2503的晶圓搬運裝置2502者。此實施例中的晶圓搬運裝置2502，是將第3實施例中的構成作為基礎，變更移動室2503的形狀及將此支撐用的支撐構造者。

具體而言，此實施例中的晶圓搬運裝置2502，是將 構成框體2051的下面的底壁部2521設在地面F上，在底壁部2521的上部透過導軌2026及滾子2027、2027設置可動台2022。即，在此實施例中，未具備由第3實施例中的固定台2021(第16圖參照)所產生的底提高構造。且，在可動台2022上設置基座2023，在該基座2023的上部，設有移動室2503。移動室2503，是除了底壁2536及頂壁2535以外，由將搬運臂2024的四方包圍的壁部2531、2533等所構成，在其內部形成大致封閉空間。通過設在底壁2536的開口，從基座2023的上部使支柱2526朝向上方立起，使搬運臂2024由此支柱2526的上部被支撐。且，藉由被組入支柱2526內的適宜的傳達機構，使驅動力從基座2023朝搬運臂2024被傳達，成為可進行搬運臂2024的伸縮。

一般，是指由搬運臂2024、及具備將此驅動用的機構的基座2023所構成的部分，從多被稱為搬運機械手臂的話，本實施例中的構成，是換言成將形成搬運機械手臂的一部分的搬運臂2024收容在移動室2503內，在移動室外具備形成其他的部分的基座2023的構成也可以。

如此將基座2023配置於移動室2503的外部的構造也可以，如此的情況，也可獲得與上述的第3實施例同樣的效果。

<第9實施例>

第27圖，是顯示作為第9實施例的基板搬運裝置的 晶圓搬運裝置2602及具備其的EFEM2601的意示圖。在此圖中，在與上述的第3~8實施例相同部分附加相同符號，並省略說明。

EFEM2601，是由本體2611及將此控制的控制器2609所構成，本體2611是成為具備包含移動室2603的晶圓搬運裝置2602者。此實施例中的晶圓搬運裝置2602，是將第3實施例中的構成作為基礎，在移動室2603的內部設置作為加熱手段的加熱燈泡2646的點具有特徵。

加熱燈泡2646，是藉由從基座2023的側方立起的支撐臂2646a被支撐，將晶圓W位置在基座2023上時，被設在可與該晶圓W的表面相對的位置。又，將支撐臂2646a從基座2023分離，從可動台2022上直接立起地構成也可以。

控制器2609，是具備加熱燈泡控制部2699，藉由通過加熱燈泡控制部2699朝加熱燈泡2646施加電流，藉由從加熱燈泡2646被發出的輻射熱使晶圓W的表面被加熱。又，加熱手段，除了加熱燈泡2646以外，也可使用一般周知的電熱線加熱器等各式各樣者。

藉由加熱燈泡2646將晶圓W的表面加熱，可以將附著的水分蒸發使除去，且成為可利用作為移載至處理裝置2008(第13圖參照)之後的處理用的預備加熱。此外，控制器2609所具備的時間控制部2696，是除了由氣體供給控制部2094及氣體排出控制部2095所進行的控制時間 點以外，也管理由加熱燈泡控制部2699所進行的控制時間點。如此，將晶圓W朝移動室2602已引入時，晶圓W表面的加熱、及朝晶圓W表面的氣體的供給等成為可由適宜的時間點進行，成為可作為後續過程所具備的預備過程最佳地作用。

如以上構成的情況時，也可獲得與上述的第3實施例同樣的作用效果。

進一步，本實施例中的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置2602，因為是在移動室2603內，在與搬運臂2024上的晶圓W可相對的位置，具備作為將晶圓W的表面加熱用的加熱手段的加熱燈泡2646的方式構成，所以在搬運過程可以藉由加熱燈泡2646將搬運臂2024上的晶圓W的表面加熱，就可以將水分除去抑制由水分所產生的晶圓W表面的特性變化、和在交接後為了進行的處理過程進行預備加熱。

此外，具備進行作為氣體供給手段2041、氣體排出手段的排氣導管2042(第13圖參照)及加熱燈泡2646的控制用的控制器2609，此控制器2609，因為是進一步具備將氣體供給手段2041、排氣導管2042及加熱燈泡2646的動作時間點控制用的時間控制部2696的方式構成，所以成為可在適於晶圓W及其他的處理過程的動作時間點進行晶圓W的加熱及移動室2603內的氣體淨化。

又，各部的具體的構成，不只有限定於上述的第3~9實施例。

例如，在上述的第3~9實施例中，將晶圓W周邊的氣氛置換用的氣體雖使用氮氣體，但是可以對應處理使用空氣和臭氧等各種各式各樣的氣體。且，即使使用比晶圓搬運室2005內清淨度更高的清淨空氣，藉由加熱手段被加熱成高溫的空氣也可以使用。

且在上述的第3~9實施例中，在設在裝載埠2061上的FOUP2062及裝載鎖定室2081之間，雖進行晶圓W的搬運，但是也可以使用在進行FOUP2062、2062間的交接的情況等。只有進行FOUP2062、2062間的移載的情況時，只有在移動室2003的一方的壁部2031設置開口2031a的構成也足夠。

進一步，在上述的第3~9實施例中，將構成規定的軌道的導軌2026形成直線狀，隨此移動室2003雖也直線狀移動，但是導軌2026的形狀不限定於此，將複數直線和曲線組合者、將移動室2003朝另一方向移動也可以。且，將導軌2026朝上下方向延伸地配置的話，將移動室2003朝上下方向移動也可以。移動室2003的移動方向的限制是可能的話，不限定於導軌2026，藉由導引滾子和拉線等的其他的手段構成軌道也可以。

且在上述的第3~9實施例中，將叉2025朝移動室2003內引入時，搬運臂2024整體雖是被收容於移動室2003內的方式構成，但是為了將搬運中的晶圓W周邊的氣氛適切地保持，是藉由將至少搬運臂2024先端的叉2025可與晶圓W一起收容在移動室2003內就足夠。具體 而言，依據上述的第8實施例的構成，如第28圖所示作為已變形的基板搬運裝置2702構成也可以。在此變形例中，移動室2703是只有可收容搬運臂2024先端附近地構成，並且成為可與搬運臂2024一起將支柱2526作為軸轉動。依據此構成的話，藉由配合由搬運臂2024所產生的晶圓W的搬運將移動室2703的方向變更，在FOUP2062及裝載鎖定室2081間就可以將晶圓W幾乎不會曝露在外氣地搬運。同樣地，對應搬運臂2024的移動使移動室2703移動的方式構成也可以。這些的情況時，與上述的實施例相比可以將移動室2703進一步小型化，也可以將氣體的使用量更削減。

且以將具備第4實施例或是第5實施例所記載的開口2031a、2033a、2231a、2233a封閉用的開閉門2136A、2136B、2137、2236的構成為前提，可將移動室2003的壁部2031、2033與裝載埠2061直接地連接構成的情況，或是作成具備將兩者的間隙塞住的密封構件的構成的情況時，成為可不會曝露在外氣地將移動室2003的內部及FOUP2062的內部連通。這種構成的情況時，不需要框體2051，也可以進一步減少製造成本。

且在上述的第3~9實施例中雖以使用作為基板的晶圓W者為前提，但是本發明可以使用在將玻璃基板等各式各樣的精密加工品作為對象的基板搬運裝置。

進一步，搬運臂2024，不限定於上述的連桿式臂機械手臂、和SCARA型多關節機械手臂，也可以使用多種 樣式者。

其他的構成，在未脫離本發明的範圍內也可進行各種變形。

<第10實施例>

在此第10實施例至第14實施例中，其目的為提供一種基板搬運裝置及具備此基板搬運裝置的EFEM，使用與第1~9實施例不同的手段，可以抑制朝搬運中的基板的水分的附著，將基板的表面性狀適切化。

在第10實施例的EFEM所適用的基板搬運裝置是作為將作為基板的晶圓W搬運的晶圓搬運裝置3002地構成，成為由第29圖所示的EFEM3001的構成要素的1個。EFEM3001，是由機械裝置部分也就是本體3011及將此動作控制用的控制器3009所構成，本體3011是在內部具備上述的晶圓搬運裝置3002，成為可以使用此在規定的交接位置間將晶圓W搬運。且，將晶圓搬運裝置3002包圍的方式設置框體3051，此框體3051是藉由具備構成將晶圓搬運裝置3002的四方包圍的壁面的框體壁3051a~3051d及無圖示的頂壁，由內部構成形成大致封閉空間的晶圓搬運室3005。進一步，鄰接於1個框體壁3051a的外側地設置複數(在圖中為3個)裝載埠3061~3061，藉由這些及上述晶圓搬運室3005、及設在其內部的晶圓搬運裝置3002，構成EFEM3001的本體3011。

又，在圖中意示FOUP3062被載置在裝載埠3061上 的狀態。各裝載埠3061是具備門3061a，此門3061a是藉由與設在FOUP3062的蓋部3062a連結一起移動，FOUP3062是成為對於晶圓搬運室3005開放。在FOUP3062內，成對地將1枚的晶圓W支撐的載置部3062b、3062b是被上下方向多數設置，藉由使用這些可以容納多數的晶圓W。且，在FOUP3062內通常被充填氮氣體，並且成為透過裝載埠3061將FOUP3062內的氣氛氮置換也可以。

且成為可以連接鄰接於與裝載埠3061相面對的框體壁3051c的外側地構成處理裝置3008的一部分的裝載鎖定室3081，藉由將裝載鎖定室3081的門3081a開放，成為可將晶圓搬運室3005及裝載鎖定室3081連通的狀態。處理裝置3008雖是可以使用各種各式各樣者，但是一般，是與裝載鎖定室3081鄰接地設有搬運室3082，進一步成為與搬運室3082鄰接地設有複數(在圖中為3個)的處理單元3083的構成。在搬運室3082、及裝載鎖定室3081和處理單元3083~3083之間，各別設有門3082a、3083a~3083a，藉由將這些開放就可以將各間連通，成為可使用設在搬運室3082內的搬運機械手臂3082b在裝載鎖定室3081及處理單元3083~3083之間將晶圓W移動。

晶圓搬運裝置3002是大致，由：構成規定的軌道的導軌3021、及被作成可沿著此導軌3021移動的作為基台的可動台3022、及設在該可動台3022上的搬運臂3024、 及形成本發明的特徵的部分的加熱手段3003所構成。

第30圖，是擴大意示此晶圓搬運裝置3002的搬運臂3024附近的俯視圖，第30圖(a)是顯示將搬運臂3024伸長的狀態，第30圖(b)是顯示將搬運臂3024短縮的狀態。且，第31圖(a)，是將此從導軌3021的延伸方向所見的情況意示的前視圖，第31圖(b)是意示將此從與導軌3021垂直交叉的方向所見的情況的側面圖。以下，使用這些第30圖及第31圖對於晶圓搬運裝置3002的詳細的構造進行說明。

首先，導軌3021是被配置在框體3051(第29圖參照)內的地面F上，形成矩形板狀的作為基台的可動台3022是被支撐於此導軌3021上。導軌3021，是藉由與框體壁3051a、3051c(第29圖參照)成為平行的方式被配置成直線狀而構成直線狀的軌道，可動台3022可藉由無圖示的驅動手段沿著導軌3021被移動。

在可動台3022的上面設有構成大致圓柱形狀的基座3023，搬運臂3024是被支撐在此基座3023的上部。搬運臂3024，是可以作成一般所知的各種的構造，例如，可以最佳地使用：SCARA型的水平多關節機械手臂、和多段滑動式的臂機械手臂、和連桿式的臂機械手臂等。在此實施例中，搬運臂3024，是由構成連桿的複數臂要素3024a~3024d及叉3025所構成的連桿式的臂機械手臂。

具體而言將臂要素3024a、3024b的基端各別在基座3023上可轉動地支撐，並且由各臂要素3024a、3024b的 先端各別將臂要素3024c、3024d的基端可轉動地支撐。且，臂要素3024c、3024d的先端皆與叉3025的基端連接。各臂要素3024a~3024d，是各別在水平面內可被轉動，藉由彼此連結協動而成為可使叉3025移動。藉由如此構成，藉由被組入基座3023的無圖示的致動器使臂要素3024a、3024b轉動，就成為可將叉3025直線狀移動(第30圖(b)參照)。

上述的叉3025，是由平面視形成先端U字形的板狀構件所形成，成為可將晶圓W載置在其上面。且，搬運臂3024是在可動台3022上可水平繞轉，可以將叉3025朝向框體壁3051a、3051c(第29圖參照)的其中任一的方向。

藉由如上述地構成，晶圓搬運裝置3002，是成為可將被載置在構成搬運臂3024的叉3025上的晶圓W，朝與框體壁3051a、3051c(第29圖參照)平行的水平方向、及垂直交叉的方向的2軸移動。進一步，基座3023成為也可昇降動作，藉由將此動作組合，藉由叉3025舉升晶圓W，成為也可以將叉3025上的晶圓W移載至規定的交接位置。在本實施例中的EFEM3001中，FOUP3062被設置的複數裝載埠3061及相面對於其的裝載鎖定室3081(第29圖參照)，是被設定為將晶圓W交接用的交接位置，在此之間成為可使用晶圓搬運裝置3002將晶圓W移動。

進一步，在可動台3022上，在搬運臂3024的側方設 有加熱手段3003。加熱手段3003，是由：在可動台3022上設於基座3023的背面側的形成矩形狀的支撐台3031、及比此支撐台3031更上方突出的支撐臂32、及設在支撐臂3032的上端的加熱器3033所構成。

支撐臂3032，是在搬運臂3024的動作無障礙的範圍，接近搬運臂3024地配置，並且支撐臂3032的上部是藉由朝向搬運臂3024的上方呈大致「ㄑ」字型形成彎曲的形狀，就可將加熱器3033與搬運臂3024、及被支撐於其的晶圓W幾乎相對。加熱器3033，是被配置成第31圖(a)所示的方向，藉由搬運臂3024伸長使叉3025移動的方向，即成為沿著與導軌3021垂直交叉的方向延伸的形狀，將搬運臂3024短縮，將叉3025位在基座3023上的狀態的情況時，成為可將搬運臂3024的幾乎整體加熱。成為可變更將此支撐臂3032的彎曲角度的話，容易調整加熱量的點較佳。

本實施例中的加熱器3033，具體而言採用第37圖(a)所示的加熱器3033A。這是因為在形成正方體狀的加熱器本體3033a的內部，成為將形成大致圓柱狀的一個加熱燈泡3033b沿著加熱器本體3033a的延伸方向安裝者，藉由通過後述的加熱控制部3094給與電流而發熱，成為可主要藉由輻射熱將晶圓W加熱。

又，使用第37圖(b)所示的加熱器3033B、和第37圖(c)所示的加熱器3033C也可以。加熱器3033B，是在加熱器本體3033a的內部，沿著其延伸方向將形成燈泡 型的小型的加熱燈泡3033c複數並列者。且，加熱器3033C，是成為在加熱器本體3033a的內部，沿著其延伸方向將形成螺旋狀的電熱線3033d配置者。使用形成這些構造的加熱器3033B、3033C，也與上述的加熱器3033A同樣，藉由將電流流動使發熱，就可以進行晶圓W的加熱。進一步，藉由在加熱器本體3033a的內部設置反射板等，一邊防止熱的擴散一邊只有將特定的方向中的對象物加熱，就可達成效率化也較佳。

為了將包含上述的晶圓搬運裝置3002的EFEM3001的本體部3011控制，此EFEM3001是具備第29圖所示的控制器3009。控制器3009，是藉由具備CPU、記憶體及介面的通常的微處理器等所構成者，在記憶體中預先容納處理所必要的程式，CPU是逐次將必要的程式取出實行，成為與周邊硬資源協動來實現所期的功能者。

控制器3009，是包含可動台位置控制部3091、臂位置控制部3092、昇降位置控制部3093、加熱控制部3094的方式構成。

可動台位置控制部3091，是藉由朝無圖示的驅動手段施加驅動指令而將移動室3003沿著導軌3021移動，成為可由任意的位置停止。臂位置控制部3092，是藉由朝在基座3023內所具備的致動器(無圖示)施加驅動指令，就可以進行：朝搬運臂3024的方向變更、和朝任意的長度的伸長和短縮的動作。昇降位置控制部3093，是藉由朝被組入基座3023的昇降用的致動器(無圖示)施 加驅動指令使進行昇降動作，就可以將搬運臂3024位於任意的高度位置。加熱控制部3094，是朝構成加熱手段3003的加熱器3033進行通電，並且將其電流或是電壓控制者，除了由加熱器3033所產生的加熱及加熱的停止以外，成為可變更每單位時間的加熱量。

將如上述構成的晶圓搬運裝置3002，藉由由控制器3009所進行的控制而動作，就可以如以下地進行晶圓W的搬運。在此，其中一例，對於從與一方的交接位置也就是裝載埠3061連接的FOUP3062，朝裝載鎖定室3081將晶圓W搬運的情況進行說明。

首先，如第32圖所示，晶圓搬運裝置3002，是依據來自可動台位置控制部3091的驅動指令將可動台3022移動，將搬運臂3024相對於收容搬運對象也就是晶圓W的FOUP3062被載置的裝載埠3061。

接著，依據來自控制器3009的命令，使裝載埠3061的門3061a、及FOUP3062的蓋部3062a開放，藉由昇降位置控制部3093，將搬運臂3024先端的叉3025位於比搬運對象也就是晶圓W稍下方位置。且，如第33圖所示，藉由臂位置控制部3092將搬運臂3024伸長，將搬運臂3024的先端朝FOUP3062內進入。此時，叉3025是成為一邊與晶圓W的正下具有些微的間隙地進入。進一步，藉由昇降位置控制部3093將搬運臂3024上昇，將晶圓W舉升使被支撐於叉3025上。

從此狀態，藉由臂位置控制部3092將搬運臂3024短 縮，如第34圖所示，成為將叉3025及被載置於其上部的晶圓W朝與加熱器3033相對的基座3023上的位置移動。加熱器3033，因為是朝藉由搬運臂3024使晶圓W移動的方向延伸的方式構成，所以將晶圓W從FOUP3062引出至基座3023上的位置為止之間，藉由加熱控制部3094對於加熱器3033進行通電，在加熱器3033的下方移動期間也可以進行晶圓W的加熱，可以更確保加熱時間。又，在加熱器3033的昇溫需要時間的情況時，預期昇溫時間使適宜地提早加熱器3033的通電開始的方式設定即可。

將晶圓W從FOUP3062內取出之後，將裝載埠3061的門3061a及FOUP3062的蓋部3062a封閉，將FOUP3062內儘可能地保持清淨。進一步，為了補足從FOUP3062內部流出的氮，將蓋部3062a封閉之後從裝載埠3061朝FOUP3062內供給新的氮氣體也較佳。

且繼續由加熱器3033所產生的加熱的狀態，如第35圖所示，依據來自可動台位置控制部3091的驅動指令將可動台3022移動，並且藉由臂位置控制部3092將搬運臂3024的方向改變，使搬運臂3024與裝載鎖定室3081相對。又，將可動台3022的移動及搬運臂3024的方向的變更同時進行也可以。進行這種可動台3022的移動及搬運臂3024的方向的變更期間，藉由加熱器3033將晶圓W的表面加熱，將晶圓W的溫度充分地提高就可以將附著在表面的水分除去。由移動的途中充分地進行加熱的情況 時，將由加熱器3033所進行的晶圓W的加熱由途中停止，或將電流值下降將每單位時間的加熱量減少也可以。當然，在需要更提高晶圓W的溫度的情況、和欲確保加熱時間的情況中，在加熱器3033的下方將晶圓W移動的狀態下直到成為規定量的加熱為止，不移行至下一個動作也可以。為了嚴格進行晶圓W的溫度管理，是在與晶圓W相對的位置設有非接觸式的溫度感測器、或設有與叉3025內接觸式的溫度感測器等，依據從這些檢出的溫度資料使控制器3009進行控制的方式構成也可以。

從上述的狀態，如第36圖所示，將裝載鎖定室3081的門3081a(第35圖參照)開放，依據來自臂位置控制部3092的驅動指令將搬運臂3024朝裝載鎖定室3081側伸長，將叉3025及晶圓W朝裝載鎖定室3081內進入。進一步，藉由來自昇降位置控制部3093的命令將搬運臂3024下降，從叉3025上將晶圓W朝裝載鎖定室3081內的無圖示的載置台上移載。

如上述，藉由使用此晶圓搬運裝置3002，將晶圓W從FOUP3062朝裝載鎖定室3081搬運期間可以藉由加熱器3033將晶圓W加熱，從晶圓W的表面將水分除去抑制起因於水分的晶圓W的腐蝕和氧化，成為可將表面性狀適切地維持。

且將晶圓W從裝載鎖定室3081朝FOUP3062搬運的情況時，也藉由將上述的動作相反地進行，同樣地，可以將晶圓W在搬運期間進行加熱。如此，可以抑制水分的 除去和新的水分的附著，可以將晶圓W的表面性狀適切化。

進一步，在處理裝置3008依據施加在晶圓W的處理，為了進行前處理或是後處理的加熱處理藉由使用加熱器3033，就可以將晶圓W的表面性狀適切化。具體而言，處理裝置3008中的工序處理溫度高的情況時，藉由預先將晶圓W加熱，就可削減處理單元3083內的處理時間，成為可提高處理速度。且，藉由由處理裝置3008所進行的處理，腐蝕性氣體和污染物質等是附著在晶圓W表面的情況時，藉由將晶圓W加熱從表面蒸發或是除去也可以。進一步，藉由後處理進行加熱，也有達成表面狀態的穩定化的情況。藉由如此利用，也可以達成：處理裝置3008中的處理時間的短縮、和包含處理裝置的設備整體的設置空間的減少。

如以上，本實施例中的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置3002，是具備：沿著構成規定的軌道的導軌3021可移動的基台也就是可動台3022、及藉由此可動台3022被間接地支撐並將作為基板的晶圓W保持搬運的搬運臂3024、及藉由可動台3022被支撐並被配置於可與搬運臂3024相對的位置的加熱器3033，藉由搬運臂3024將晶圓W搬運時，藉由加熱器3033可將晶圓W表面加熱的方式構成者。

因為如此構成，在將晶圓W搬運期間，可以將藉由搬運臂3024保持的晶圓W藉由加熱器3033加熱，就可 以將附著在晶圓W表面的水分除去，抑制晶圓W的表面性狀的變化。且，在搬運終點的處理裝置3008可以利用作為在對於晶圓W施加處理的前後進行的加熱處理，也可以達成晶圓W的處理時間的短縮和處理裝置3008的設置空間的減少。

且加熱器3033，因為是沿著由搬運臂3024所進行的晶圓W的移動方向延伸的方式構成，所以晶圓W的搬運時成為可效率佳地將晶圓W加熱。

進一步，具備：上述的晶圓搬運裝置3002、及將此覆蓋的框體3051，藉由設定：鄰接於框體3051的壁面3051a、3051b作為將晶圓W交接用的交接位置的裝載埠3061、及裝載鎖定室3081的方式構成，就可有效地構成EFEM3001。依據此EFEM3001的話，藉由使用設在框體3051內的晶圓搬運裝置3002，將搬運中的晶圓W的表面加熱，由水分的除去所產生的表面性狀的穩定化、和在對於晶圓W施加處理的前後必要加熱處理的情況時，不需追加特別的設備就可將此容易地進行的。

<第11實施例>

第38圖，是顯示第11實施例的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置3202及具備此的EFEM3201的意示圖。在此圖中，在與第10實施例相同部分附加相同符號，並省略說明。

EFEM3201，是由本體3211及將此控制的控制器 3009所構成，構成本體3211的晶圓搬運裝置3202，是成為具備搬運臂3024及加熱手段3203者。此實施例中的晶圓搬運裝置3202，是與第10實施例相比較，對於作為基台的可動台3222的加熱手段3203的安裝構造是成為不同者。

其具體的構造，如第39圖及第40圖所示。第39圖是擴大主要部分顯示的俯視圖，第40圖(a)是前視圖，第40圖(b)是側面圖。如這些所示，在本實施例中，將可動台3222比第10實施例者更小型化，在平面視構成大致正方形狀。且，在其中央部設置基座3023。進一步，從基座3023的背面側直接將支撐台3231朝水平方向伸出的方式設置，成為從支撐台3231上立起支撐臂3232者。支撐臂3232，其上部是形成朝向搬運臂3024的上方呈大致「ㄑ」字型彎曲的形狀，使可由上端與將加熱器3033保持在搬運臂3024上的晶圓W相對。藉由如此構成，加熱器3033是透過支撐臂3232藉由基座3023被支撐，透過此基座3023間接地被支撐於可動台3222。

如此構成的情況，也可獲得與上述的第10實施例同樣的效果。進一步，藉由伴隨基座3023的昇降動作使支撐臂3232也昇降，即使將基座3023昇降也不會使晶圓W及加熱器3033的相對位置變化，因為成為可由相同條件進行加熱，所以加熱條件的設定成為可容易地進行。

<第12實施例>

第41圖及第42圖，是將第12實施例的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置3302意示者，以此為中心與第10實施例和第11實施例同樣，可以構成EFEM3301。又，第41圖(a)、第42圖(a)，是擴大主要部分顯示的俯視圖，第41圖(b)、第42圖(b)是顯示將這些從正面所見，並且與控制器3309的關係的圖。在這些的圖中，在與第10實施例及第11實施例相同部分附加相同符號，並省略說明。

EFEM3301，是由本體3311及將此控制的控制器3309所構成，構成本體3311的晶圓搬運裝置3302，是成為具備搬運臂3324及加熱手段3303者。此實施例中的搬運臂3324，是將複數臂要素3324a~3324a依序連接，在先端設有叉3025的多段滑動式的臂機械手臂。各臂要素3324a~3324a，是彼此之間可滑動移動地構成，藉由朝將這些驅動用的無圖示的致動器施加來自臂位置控制部3092的驅動指令，使搬運臂3324整體成為可伸長或是短縮。當然，可取代此搬運臂3324，使用在第10實施例所使用的搬運臂3025(第30圖參照)也無妨。

本實施例，與第10實施例和第11實施例相比較，在構成加熱手段3303的加熱器3333的形狀相異的點具有主要特徵。又，由將加熱器3333支撐用的支撐臂3232等所構成的支撐構造，是與第11實施例同樣地構成。

加熱器3333，是成為藉由搬運臂3324伸長使叉3025移動的方向，即沿著與導軌3021垂直交叉的方向延伸的 形狀，在平面視比可動台3222更大地伸出，一端部是接近裝載埠3061側的框體壁3051a。又，在圖中雖省略，但是加熱器3333的另一端部是延伸至接近裝載鎖定室3081側的框體壁3051c(第29圖參照)的位置為止。

因此，構成加熱器3333的本體3333a是設定成比相面對的框體壁3051a、3051c(第29圖參照)間的距離更稍為短的全長，在其內部將3個作為發熱部的加熱燈泡3233b在延伸方向並列配置。各加熱燈泡3333b，是成為藉由從構成控制器3309的加熱控制部3394被給與電流而發熱。且，控制器3309，是具備將被施加來自加熱控制部3394的電流的加熱燈泡3333b切換用的發熱部切換部3395。

藉由如上述地構成，如第42圖所示叉3025是朝FOUP3062內進入，從FOUP3062將晶圓W取出隨後可以進行由加熱器3333所進行的加熱。且，伴隨搬運臂3324的短縮因為將晶圓W移動期間也可以繼續加熱，所以可減少水分附著在晶圓W的時間，成為可效率佳地進行加熱。且，因為加熱器3333也朝裝載鎖定室3081(第29圖參照)側延伸，所以在將晶圓W放入裝載鎖定室3081之前為止可以繼續加熱。這些的點，是從裝載鎖定室3081側將晶圓取出，收納在FOUP3062內的情況也同樣。如此，在FOUP3062及裝載鎖定室3081之間將晶圓W搬運的時間因為幾乎可以進行晶圓W的加熱，有必要將加熱時間充分地確保的情況時，可省下多餘的時間成為可達 成時間的短縮。

且在FOUP3062及裝載鎖定室3081之間進行晶圓W的搬運時，因為發熱切換部3395是對應搬運臂3324的動作，切換被施加電流的加熱燈泡3333b~3333b，所以也可以一邊進行適切地晶圓W的加熱，一邊將能量的消耗量削減。

如以上構成的情況時，也可獲得與上述的第10實施例及第11實施例同樣的作用效果。

尤其是，加熱器3333，因為是沿著由搬運臂3324所產生的晶圓W的移動方向更長延伸的方式構成，所以晶圓W的搬運時，成為可更效率佳地將晶圓W加熱。

進一步，本實施例中的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置3302，是由藉由加熱器3333通電而發熱的作為複數發熱部的加熱燈泡3333b~3333b所構成，因為對應由搬運臂3324所進行的晶圓W的移動可切換進行通電的加熱燈泡3333b地構成，所以成為可一邊進行能量的節約，一邊將晶圓W效率佳地加熱。

<第13實施例>

第43圖，是將第13實施例的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置3402意示者，以此為中心與第10~12實施例同樣，可以構成EFEM3401。又，第43圖(a)是顯示從正面所見的狀態，並且顯示與控制器3409的關係的圖，第43圖(b)是側面圖。在這些的圖中，在與第10~12 實施例相同部分附加相同符號，並省略說明。

EFEM3401，是由本體3411及將此控制的控制器3409所構成，構成本體3411的晶圓搬運裝置3402，是成為具備搬運臂3024及加熱手段3403者。此實施例中的晶圓搬運裝置3402，是與第10實施例相比較，對於可動台3022的加熱手段3403的安裝構造成為不同者。

具體而言，在可動台3022上設置支撐台3031，從此支撐台3031將支柱3432立起，在其上部使轉動機構3434由規定的角度傾斜設置。從轉動機構3434使支撐臂3435突出地設置，可將支撐臂3435繞其中心軸周圍旋轉。進一步，成為由支撐臂3435的先端使加熱器3033被支撐。支柱3432、轉動機構3434及支撐臂3435，是在側面視呈大致「ㄑ」字型彎曲，可將加熱器3033與藉由搬運臂3024先端的叉3025被保持的晶圓W相對的方式構成。

轉動機構3434是將無圖示的致動器內藏，可以對應來自構成控制器3409的加熱器旋轉控制部496的驅動指令將支撐臂3435的旋轉角度變更，如此如圖中的箭頭所示成為可變更加熱器3033的方向。

因此，與由搬運臂3024所進行的晶圓W的移動連動將加熱器3033的方向變更，藉由使加熱器3033朝向晶圓W的方向，使用小型的加熱器3033的情況也可確保晶圓W的加熱時間。

如以上構成的情況時，也可獲得與上述的第10實施 例及第11實施例同樣的作用效果。

進一步，本實施例中的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置3402，其加熱器3033，因為可對應由搬運臂3024所進行的晶圓W的移動將方向變更，所以晶圓W的搬運時，成為可更效率佳地將晶圓W加熱。

<第14實施例>

第44圖及第45圖，是將第14實施例的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置3502意示者，以此為中心與第10~13實施例同樣，可以構成EFEM3501。又，第44圖是顯示從平面所見的狀態，並且顯示與控制器3509的關係的圖，第45圖(a)是前視圖，第45圖(b)是側面圖。在這些的圖中，在與第10~13實施例相同部分附加相同符號，並省略說明。

EFEM3501，是由本體3511及將此控制的控制器3509所構成，構成本體3511的晶圓搬運裝置3502，是成為具備搬運臂3024及加熱手段3503者。此實施例中的晶圓搬運裝置3502，與第10實施例相比較是加熱手段3503的構成成為不同者。

具體而言，在可動台3022上設置支撐台3531，從此支撐台3531將支撐臂3532立起，在其上部使加熱器3033被支撐。支撐臂3532，是在側面視呈大致「ㄑ」字型彎曲，可將加熱器3033與藉由搬運臂3024先端的叉3025被保持的晶圓W相對的方式構成。

進一步，在支撐台3531上，設有支撐臂3536，在此支撐臂3536的先端，設有作為送風手段的送風風扇3537。送風風扇3537，是形成具備與加熱器3033幾乎相同全長的橢圓形，長度方向是與加熱器3033的延伸方向一致的方向，並且將加熱器3033挾持可與搬運臂3024相對地配置。如此，成為可從加熱器3033的背後，朝向藉由搬運臂3024被支撐的晶圓W送風。

除了由加熱器3033所產生的加熱以外，藉由送風風扇3537朝向晶圓W送風，使來自晶圓W的水分除去效果增大，並且藉由將晶圓W的周邊的氣氛均一化，將晶圓W的加熱效率化，並且將晶圓W表面的溫度均一化也可以。

且送風風扇3537，是藉由與設在外部的氣體供給源連接，就可以朝向晶圓W供給氣體。此氣體是藉由使用乾燥的氮氣體來提高水分除去效果，並且可以將由處理裝置3008所產生的殘留氣體排除，將晶圓W的表面性狀更適切地維持。當然，對應處理工序將供給的氣體變更也可以。

送風風扇3537，是依據來自構成控制器3509的送風控制部3597的動作指令被控制，藉由送風控制部3597，除了運轉開始及停止以外，成為可進行風量的控制、和來自外部的氣體的供給的導通斷開控制。且，控制器3509，是具備控制：由加熱控制部3094所產生的加熱器3033的動作時間點、及由送風控制部3597所產生的送風 風扇3537的動作時間點用的時間控制部3598。時間控制部3598，是在內部由依據被記憶的時間資料的規定的時間點往應進行晶圓W的加熱、朝向晶圓W的送風、氣體供給的加熱控制部3094和送風控制部3597施加動作命令。加熱控制部3094和送風控制部3597，是隨著各別被給與的動作命令，進行控制的開始或是停止、或是控制內容的變更，而可以進行如此連動的控制。

藉由如此進行連動的控制，就可以由適於晶圓W、和處理裝置3008(第29圖參照)中的處理內容的時間點，對於晶圓W的加熱及送風，實行氣體的供給，可以將晶圓W的表面性狀更適切地維持。進一步，因為也可以對應處理工序利用作為前處理或是後處理，所以也可以達成處理的效率化。

如以上構成的情況時，也可獲得與上述的第10實施例及第11實施例同樣的作用效果。

進一步，本實施例中的作為基板搬運裝置的晶圓搬運裝置3502，因為是將加熱器3033挾持，在可與搬運臂3024相對的位置設置作為送風手段的送風風扇3537的方式構成，所以也可以達成晶圓W的加熱的效率化，並且可達成晶圓W周邊的氣氛的均一化、溫度的均一化。

且送風風扇3537，因為是可將從氣體供給源獲得的氣體朝向搬運臂3024供給，所以藉由朝晶圓W表面供給適合的氣體，就可以與由加熱器3033所產生的加熱相輔使晶圓W的表面性狀更適切化。

且因為具備加熱器3033、及將送風風扇3537的動作時間點控制用的時間控制部3598的方式構成，所以藉由將由加熱器3033所產生的加熱、及由送風風扇3537所產生的氣體的供給由適切的時間點進行，就可一邊將能量節約，一邊可以更達成晶圓W的表面性狀的適切化。

又，各部的具體的構成，不只有限定於上述的實施例。

例如，在上述的第10~14實施例中，在設在裝載埠3061上的FOUP3062及裝載鎖定室3081之間，雖進行晶圓W的搬運，但是也可以使用在進行FOUP3062、3062間的交接的情況等。

進一步，在上述的第10~14實施例中，將構成規定的軌道的導軌3021形成直線狀，隨此可動台3022雖也直線狀移動，但是導軌3021的形狀不限定於此，將複數直線和曲線組合者，將可動台3022朝另一方向移動也可以。且，將導軌3021朝上下方向延伸地配置的話，將可動台3022朝上下方向移動也可以。可動台3022的移動方向的限制是可能的話，不限定於導軌3021，藉由導引滾子和拉線等的其他的手段構成軌道也可以。

且依據第13實施例中的晶圓搬運裝置3402，可取代伴隨晶圓W的移動將加熱器3033的方向變更，而一邊將與晶圓W相對的狀態保持一邊使加熱器3033移動的方式構成也可以。進一步，使加熱器3033的方向的變更、及移動皆可以實現的方式構成，就可以獲得與上述同樣的效 果。

在上述的第14實施例中，供給至晶圓W的氣體雖使用氮氣體，但是可以對應處理使用空氣和臭氧等各種各式各樣的氣體。且，使用比晶圓搬運室3005內清淨度更高的清淨空氣也可以。

且在上述的第10~14實施例中，將加熱器3033、3333利用加熱燈泡和電熱線將對象物加熱的構成，但是即使利用陶瓷加熱器和發熱元件，或是從外部導入的熱風等，上述以外的各式各樣的熱源者也可以，該情況時也可以獲得如上述的效果。

進一步，在上述的第10~14實施例中雖以使用晶圓W作為基板者為前提，但是本發明可以使用在將玻璃基板等各式各樣的精密加工品作為對象的基板搬運裝置。

其他的構成，在未脫離本發明的範圍內也可進行各種變形。

US:上部空間

1:EFEM

2:晶圓搬運裝置

2a:臂部

2b:基座部

4:裝載埠

5:控制器

7:FOUP(前開口式通用容器)

7a:蓋部

8:分隔構件

9:晶圓搬運室

11:氣體送出口

12:氣體吸引口

13:FFU(風扇過濾單元)

13a:風扇(第1送風手段)

13b:過濾器

14:化學過濾器

15:風扇(第2送風手段)

16:氣體供給手段

17:氣體排出手段

18:支撐構件

21:支撐部

22:導軌

31:前面壁

31a、32a:開口

32:背面壁

35:頂壁

36:底壁

37a、37d:支柱

38:天板

81:上側分隔構件

82:下側分隔構件

82a:下段

Claims (6)

1. 一種搬運室，是使用被配置於外殼內的搬運空間的搬運機械手臂，將被搬運物在與處理裝置之間移送，其特徵為，具備：前面壁，是連接裝載埠；及背面壁，是形成有與處理裝置連接的開口；及第1風扇，是在搬運空間形成向下的空氣流；及氣體返回空間，是接近背面壁地配置，將在搬運空間朝向下方流動的空氣流朝比第1風扇更上方循環；氣體返回空間，是設置2個，2個氣體返回空間，是被配置於開口的兩側。
2. 如請求項1的搬運室，其中，具有第2風扇，其是被配置於氣體返回空間的下部，在氣體返回空間形成向上的空氣流。
3. 如請求項1或2的搬運室，其中，第2風扇，是設置複數，複數第2風扇，是各別被配置於氣體返回空間。
4. 如請求項1或2的搬運室，其中，流動於2個氣體返回空間的氣體，是在比第1風扇更上方合流。
5. 如請求項1或2的搬運室，其中，氣體返回空間的氣體吸引口，是被配置於比搬運室的底面更上方。
6. 如請求項1或2的搬運室，其中， 進一步具有氣體清淨裝置，其是將在搬運室內循環的氣體淨化，搬運空間的氣體，是從氣體返回空間的氣體吸引口進入氣體返回空間，再藉由第2風扇而成為上昇氣流通過氣體清淨裝置，再藉由第1風扇成為下降氣流而被循環至搬運空間。

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