JP2003092244A

JP2003092244A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2003092244A
Application number: JP2001281303A
Authority: JP
Inventors: Eiji Fukatsu; 英司深津; Tsutomu Kamiyama; 勉上山; Hideki Adachi; 秀喜足立
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-09-17
Filing date: 2001-09-17
Publication date: 2003-03-28

Abstract

(57)【要約】【課題】基板に処理液を供給して湿式表面処理を施す
湿式処理ユニットと、湿式処理ユニットにより湿式表面
処理が施された基板の表面を処理流体により表面処理す
る高圧処理ユニットとを個別に配置した基板処理装置に
おいて、湿式処理ユニットから高圧処理ユニットに基板
をウェット搬送する際に処理液によって基板搬送手段の
駆動機構や他の基板が濡れたり、汚染されるのを防止す
る。【解決手段】ウェット基板Ｗをウェット用ハンド２７
６Ｗで保持し、そのまま収容ケース２７５Ｗに収容した
後、その収容状態のまま現像処理ユニット２３２，２４
２から高圧処理ユニット２６（２３３，２４３）にウェ
ット搬送する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プ
ラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種
基板（以下、単に「基板」という）に対して種々の表面
処理（現像処理、エッチング処理、洗浄処理、リンス処
理、乾燥処理など）を施す基板処理装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】この種の基板処理装置として、例えば図
９に示す基板処理装置が提案されている。この基板処理
装置では、インデクサ１と、インデクサ１の一方側に隣
接して配置された処理モジュール２とが設けられてい
る。インデクサ１は、複数枚の基板Ｗをそれぞれ収容で
きる複数のカセット１１が載置されるカセット載置部１
２、およびＹ方向に沿って長いインデクサ搬送路１３上
を移動でき、カセット１１との間で基板Ｗの搬入／搬出
を行うためのインデクサロボット１４を備えている。処
理モジュール２は、Ｙ方向に垂直なＸ方向に沿って長い
主搬送路２１上を移動して基板Ｗを搬送する主搬送ロボ
ット（基板搬送手段）２２と、主搬送路２１の両側に配
置されたユニット列２３，２４とを備えている。これら
のユニット列２３，２４には、それぞれ、処理ユニット
２３１〜２３３，２４１〜２４３がＸ方向に配列されて
いる。

【０００３】上記のように構成された基板処理装置で
は、カセット１１に収容されている基板Ｗは、インデク
サロボット１４により搬出された後、さらに主搬送ロボ
ット２２に受け渡される。そして、未処理の基板Ｗを受
け取った主搬送ロボット２２は処理ユニット２３１〜２
３３，２４１〜２４３のうちいずれかの処理ユニットの
前まで移動し、当該処理ユニットに基板Ｗを搬入する。
また、処理後の基板Ｗについては、主搬送ロボット２２
により該処理ユニットから搬出され、次の処理ユニット
まで搬送される。

【０００４】このような動作を繰り返して一連の処理が
基板Ｗに施された後、主搬送ロボット２２は、基板Ｗを
保持したまま主搬送路２１上を移動し、当該基板Ｗをイ
ンデクサロボット１４に受け渡す。そして、インデクサ
ロボット１４は、受け渡された基板Ｗを元々収容されて
いたカセット１１に収容する。このような構成によれ
ば、主搬送ロボット２２は、処理ユニット２３１〜２３
３，２４１〜２４３に任意の順序でアクセスできるの
で、基板Ｗに施すべき処理の順序を任意に設定できる。

【０００５】ところで、半導体デバイスの微細化が近年
急速に進められているが、この微細化に伴って基板処理
において新たな問題が生じることとなった。例えば、基
板Ｗ上に塗布されたレジストをパターニングして微細パ
ターンを形成する場合、現像処理、リンス処理および乾
燥処理を順次行う。ここで、基板Ｗに塗布されたレジス
トを現像して不要なレジストを除去する現像処理では、
アルカリ性水溶液などの現像液が使用され、リンス処理
では現像処理後の現像液を除去するために純水などのリ
ンス液が使用され、乾燥処理では基板Ｗを回転させるこ
とにより基板Ｗ上に残っているリンス液に遠心力を作用
させて基板Ｗからリンス液を除去し、乾燥させる（スピ
ン乾燥）。このうち乾燥において、乾燥の進展とともに
リンス液と気体との界面が基板Ｗ上に現れ、半導体デバ
イスの微細パターンの間隙にこの界面が現れると、リン
ス液の表面張力により微細パターン同士が互いに引き寄
せられて倒壊する問題があった。

【０００６】この問題に対していくつかの解決策が検討
されて、その一つとして超臨界流体を用いた装置が例え
ば特開平８−２５０４６４号公報に提案されており、上
記処理ユニット２３１〜２３３，２４１〜２４３の全部
あるいは一部を同公報に記載された装置（以下「提案装
置」という）により構成することが考えられる。この提
案装置は、容器内に搬送されてきた基板Ｗに対し、その
容器内で液状の化学薬品を用いた湿式表面処理と、超臨
界乾燥とを連続して行うものであり、次のようにして同
一装置内で連続処理を行う。

【０００７】まず、主搬送ロボット２２によって基板Ｗ
を容器内に搬入する。そして、現像液を容器内に供給し
て現像処理を行った後、純水でのリンス処理、アルコー
ルの置換液での置換処理、という順に湿式処理を行う。
その後、気体二酸化炭素を導入してアルコールを置換
し、気体二酸化炭素での置換後温度を上昇させて二酸化
炭素を超臨界状態とし、その後減圧することによって超
臨界乾燥を行う。このように超臨界乾燥を行うことによ
って微細パターンの倒壊などを防止している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、処理ユ
ニットの一部あるいは全部を提案装置で構成する場合に
は、次のような問題が発生する。まず、超臨界流体を用
いる処理ユニットには、従来より多用されている処理ユ
ニット、つまり常圧で表面処理を行う処理ユニットと比
較すると多くの制約条件がある。まず第１に容器として
圧力容器を用いる必要があるが、表面処理を実行するた
めに強酸や強アルカリといった腐食性の薬剤を導入する
ことはできず、薬剤の選択範囲が大幅に制約されてしま
う。その理由は、圧力容器は耐圧性の点から主として金
属材料で構成されており、強酸や強アルカリは圧力容器
の接液面を腐食してしまうからである。ここで、圧力容
器の内面をフッ素樹脂などで耐蝕コーティングすること
が当然考えられるが、高圧下で長期間その機能を継続発
揮させることは事実上困難である。また仮に、圧力容器
の内面を耐蝕コーティングしたとしても、そこに至る細
い配管や接手、高圧弁等の部品のすべての内面を耐蝕コ
ーティングすることは大変困難である。

【０００９】この問題を解決するために、耐蝕性の面か
ら問題となる湿式表面処理と、超臨界流体を用いて行う
表面処理とを区別し、前者を従来の処理ユニットで行う
一方、後者を提案装置で構成された処理ユニットで構成
することが考えられるが、このような構成を採用した場
合には、次のような別の問題が発生してしまう。

【００１０】まず、図９の基板処理装置を構成する処理
ユニットの一部を提案装置で構成するとともに、耐蝕性
の面から問題となる湿式表面処理を従来の処理ユニット
で行う場合には、湿式表面処理を行う処理ユニット（以
下「湿式処理ユニット」という）と、提案装置で構成さ
れた処理ユニット（以下「高圧処理ユニット」という）
とは、ともに主搬送路２１に面して配置されており、湿
式処理ユニットから高圧処理ユニットへの基板Ｗの搬送
を主搬送ロボット２２により行う必要がある。このよう
に湿式処理ユニットにより湿式表面処理が施された直後
の基板Ｗはリンス液や置換液の処理液で濡れており、そ
の基板Ｗを主搬送ロボット２２のハンドが直接触れるこ
ととなる。そして、基板Ｗを処理液で濡れた状態のまま
搬送する、いわゆるウェット搬送の際、基板Ｗに付着し
ている処理液が主搬送ロボット２２の駆動機構などに飛
散したり、処理液の一部が蒸発して上記駆動機構側に漏
れて、それらが主搬送ロボット２２の故障原因のひとつ
となっていた。

【００１１】また、主搬送ロボットによって基板Ｗを湿
式処理ユニットから高圧処理ユニットにウェット搬送し
ている際、基板Ｗに付着している処理液などが主搬送路
２１に面して配置されている処理ユニットに飛散した
り、処理液の一部が蒸発して処理ユニットに漏れて、処
理ユニットに存在している他の基板Ｗを濡らしたり、汚
染されて製品歩留りの低下を招いてしまうという問題が
発生することがある。

【００１２】この発明は上記課題に鑑みなされたもので
あり、基板に処理液を供給して湿式表面処理を施す湿式
処理ユニットと、湿式処理ユニットにより湿式表面処理
が施された基板の表面を処理流体により表面処理する高
圧処理ユニットとを個別に配置した基板処理装置におい
て、湿式処理ユニットから高圧処理ユニットに基板をウ
ェット搬送する際に処理液によって基板搬送手段の駆動
機構や他の基板が濡れたり、汚染されるのを防止するこ
とを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的を
達成するため、主搬送路に面して配置され、処理液を基
板に供給することによって該基板に対して所定の湿式表
面処理を施す湿式処理ユニットと、主搬送路に面して配
置され、湿式処理ユニットにより湿式表面処理が施され
た基板の表面に、高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との
混合物を処理流体として接触させて該基板の表面に対し
て表面処理を施す高圧処理ユニットと、主搬送路に配置
され、湿式処理ユニットにより湿式表面処理が施された
基板を高圧処理ユニットにウェット搬送する基板搬送手
段とを備え、基板搬送手段は、基板を保持するハンド
と、ハンドを収容する収容ケースと、収容ケースに対し
てハンドを出退移動させるハンド駆動機構とを備え、湿
式表面処理が施された基板をハンドで保持しながら、収
容ケースに収容しつつ、高圧処理ユニットにウェット搬
送するように構成している（請求項１）。

【００１４】このように構成された発明では、ハンド駆
動機構によってハンドが収容ケースに対して出退移動さ
れ、湿式処理ユニットから高圧処理ユニットにウェット
搬送する際、湿式表面処理が施されて処理液で濡れた状
態にある基板が収容ケースに収容される。このため、ウ
ェット搬送中に処理液あるいは処理液の蒸発物が収容ケ
ースの外部に飛散したり、漏れるのが防止される。

【００１５】ここで、収容ケースに対して前記ハンドを
出退移動させるために前記収容ケースに設けられた開口
を必要に応じて塞ぐ閉塞機構をさらに設けると、基板を
収容ケースに収容している際、収容ケースの開口を塞ぐ
ことによって処理液などの飛散、漏れがより確実に防止
される（請求項２）。

【００１６】また、収容ケース内での雰囲気を調整する
雰囲気調整部をさらに設けると、ウェット搬送中におい
て基板の表面状態を最適化することができ、高圧処理ユ
ニットでの表面処理を良好に行うことができる（請求項
３）。

【００１７】また、ウェット搬送中に処理液が飛散した
り、処理液の一部が蒸発することがあるが、雰囲気調整
部として収容ケース内を排気する排気部を設けることで
処理液やその蒸発物が排気部を介して回収されるため、
収容ケースからの飛散や漏れをさらに確実に防止するこ
とができる（請求項４）。

【００１８】さらに、高圧処理ユニットは、表面処理の
最終処理として基板を乾燥させる乾燥処理を実行するこ
とがあるが、この場合、高圧処理ユニットから取り出す
べき基板は乾燥状態にある。そこで、基板搬送手段に高
圧処理ユニットによる乾燥処理を受けた基板を高圧処理
ユニットから取り出すための乾燥用ハンドと、乾燥用ハ
ンドを高圧処理ユニットに対してアクセスさせる乾燥用
ハンド駆動機構とをさらに設け、乾燥状態の基板につい
ては乾燥用ハンドによって基板をハンドリングするのが
望ましい（請求項５）。

【００１９】なお、本発明において、用いられる高圧流
体としては、安全性、価格、超臨界状態にするのが容
易、といった点で、二酸化炭素が好ましい。二酸化炭素
以外には、水、アンモニア、亜酸化窒素、エタノール等
も使用可能である。高圧流体を用いるのは、拡散係数が
高く、溶解した汚染物質を媒体中に分散することができ
るためであり、より高圧にして超臨界流体にした場合に
は、気体と液体の中間の性質を有するようになって微細
なパターン部分にもより一層浸透することができるよう
になるためである。また、高圧流体の密度は、液体に近
く、気体に比べて遥かに大量の添加剤（薬剤）を含むこ
とができる。

【００２０】ここで、本発明における高圧流体とは、１
ＭＰａ以上の圧力の流体である。好ましく用いることの
できる高圧流体は、高密度、高溶解性、低粘度、高拡散
性の性質が認められる流体であり、さらに好ましいもの
は超臨界状態または亜臨界状態の流体である。二酸化炭
素を超臨界流体とするには３１゜Ｃ、７．１ＭＰａ以上
とすればよい。洗浄並びに洗浄後のリンス工程や乾燥・
現像工程等は、５〜３０ＭＰａの亜臨界（高圧流体）ま
たは超臨界流体を用いることが好ましく、７．１〜２０
ＭＰａ下でこれらの処理を行うことがより好ましい。な
お、後の「発明の実施の形態」では、高圧流体による表
面処理として湿式現像処理後の乾燥処理を実施する場合
について説明するが、表面処理は乾燥処理のみには限ら
れない。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は、この発明にかかる基板処
理装置の一実施形態を示す図である。また、図２は図１
のＡ−Ａ線矢視図である。この基板処理装置では、イン
デクサ１と、インデクサ１の一方側に隣接して配置され
た処理モジュール２と、処理モジュール２の一方側に隣
接して配置されたインターフェース３と、インターフェ
ース３に隣接して設けられた露光処理ユニット４とが設
けられている。これらの構成要素のうち、インデクサ１
は図９の従来装置と全く同一構成であるため、ここでは
同一構成に同一符号を付して説明を省略する。

【００２２】処理モジュール２は、図９の従来装置と同
様に、主搬送路２１の両側に配置されたユニット列２
３，２４を備えている。これらのユニット列２３，２４
は、それぞれ主搬送路２１を面して配置された処理ユニ
ット２３１〜２３３，２４１〜２４３で構成されてい
る。なお、この実施形態では、処理ユニット２３１，２
４１が基板Ｗの表面にレジストを塗布するレジスト塗布
処理ユニットで構成され、処理ユニット２３２，２４２
が現像処理を行う現像処理ユニットで構成され、残る処
理ユニット２３３，２４３が高圧処理ユニット２６とな
っている。

【００２３】図３は、図１の基板処理装置の高圧処理ユ
ニットの概略構成を示すブロック図である。この高圧処
理ユニット２６は、圧力容器２６１の内部に形成される
処理チャンバーに、エタノール供給部２６０から高圧弁
Ｖ５を介してエタノールを置換液として導入し、その処
理チャンバーにおいて保持されている基板Ｗに対してア
ルコール置換を行うとともに、超臨界二酸化炭素（高圧
流体）を処理流体として導入し、そのアルコール置換さ
れた基板Ｗに対して所定の乾燥処理を行う処理ユニット
である。

【００２４】この高圧処理ユニット２６では、超臨界二
酸化炭素を繰り返して循環使用する一方、処理チャンバ
ーを大気圧に開放するなどによって系内の二酸化炭素が
減少すると、ボンベ２６２から液化二酸化炭素を補給す
るように構成されている。このボンベ２６２は凝縮器な
どからなる液化部２６３と接続されており、この液化部
２６３を介して系内に補給される。また、液化部２６３
は後で詳述するように循環使用される系内の二酸化炭素
を凝縮して液化する。

【００２５】この液化部２６３の出力側には加圧ポンプ
などの昇圧器２６４が接続されており、この昇圧器２６
４で液化二酸化炭素を加圧して高圧液化二酸化炭素を得
るとともに、高圧液化二酸化炭素を加熱器２６５および
高圧弁Ｖ１を介して圧力容器２６１に圧送する。

【００２６】このように圧送される高圧液化二酸化炭素
は加熱器２６５で加熱されて表面処理（乾燥処理）に適
した温度にまで加熱され、超臨界二酸化炭素となり、高
圧弁Ｖ１を介して圧力容器２６１に送られる。

【００２７】この圧力容器２６１の内部、つまり処理チ
ャンバーには、基板Ｗを保持する基板保持部（図示省
略）が設けられており、圧力容器２６１の側面部に設け
られたゲートバルブ（図６や図７中の符号２６１ａ）を
開き、後で説明する主搬送ロボット２７によってゲート
バルブを介して未処理の基板Ｗを１枚、基板保持部に搬
入した後、ゲートバルブを閉じて後述するようにして表
面処理を施す一方、表面処理後にゲートバルブを開いて
処理済みの基板Ｗを主搬送ロボット２７によって搬出す
ることができるように構成されている。このように、こ
の実施形態では、基板Ｗを１枚ずつ保持して所定の表面
処理を行う、いわゆる枚葉方式の高圧処理ユニット２６
となっている。

【００２８】また、この圧力容器２６１では、送られて
くる処理流体が基板保持部により保持されている基板Ｗ
の表面に向けて供給される。その結果、処理流体が接触
して該基板Ｗの表面に対する表面処理を実行する。

【００２９】さらに、圧力容器２６１には、排気ポート
（図示省略）が設けられており、処理チャンバー内の処
理流体や表面処理に伴い発生する汚染物質などを圧力容
器２６１の外に排気可能となっている。この排気ポート
には、高圧弁Ｖ２を介して減圧器などからなるガス化部
２６８が接続されており、減圧処理によって排気ポート
を介して処理チャンバーから排気される流体を完全にガ
ス化して分離回収部２６９に送り込む。また、この分離
回収部２６９では、二酸化炭素を気体成分とし、薬液成
分を液体成分として気液分離する。また、分離回収部２
６９としては、単蒸留、蒸留（精留）、フラッシュ分離
等の気液分離を行うことができる種々の装置や、遠心分
離機などを使用することができる。

【００３０】このように、この実施形態では、ガス化部
２６８を用いて処理チャンバーから排気される流体を分
離回収部２６９に送り込む前に予め完全にガス化してい
るが、その理由は、減圧された二酸化炭素等の流体が温
度との関係で気体状流体（炭酸ガス）と液体状流体（液
化二酸化炭素）との混合物となるため、分離回収部２６
９での分離効率および二酸化炭素のリサイクル効率を向
上させる観点からである。

【００３１】なお、分離回収部２６９で分離された薬液
成分からなる液体（または固体）成分は、分離回収部２
６９から排出され、必要に応じて後処理される。一方、
気体成分の二酸化炭素については、液化部２６３に送り
込んで再利用に供する。なお、本実施形態では二酸化炭
素を再利用する構成となっているが、使い捨てとする場
合は、分離回収部２６９より排出すればよい。

【００３２】図１および図２に戻って、処理モジュール
２の構成について説明を続ける。この処理モジュール２
では、上記した処理ユニット２３１〜２３３、２４１〜
２４３以外に、図２に示すように、主搬送路２１および
ユニット列２３，２４の上方位置に基板Ｗに対して加熱
処理や冷却処理を行うためのユニット群２５が配置され
ている。

【００３３】また、各処理ユニットの間で基板Ｗを搬送
するために、次のように構成された本発明の「基板搬送
手段」に相当する主搬送ロボット２７がＹ方向に垂直な
Ｘ方向に沿って長い主搬送路２１上を移動可能に設けら
れている。

【００３４】図４は、図１の基板処理装置において設け
られた主搬送ロボットを示す図である。この主搬送ロボ
ット２７は、主搬送路２１に沿って設けられたレール２
１１上をＸ方向（搬送方向）に沿って移動可能なＸ方向
移動機構２７１を備えている。このＸ方向移動機構２７
１では、その下面側がレール２１１と摺動自在な状態で
係合しており、その内部に設けられた駆動モータ（図示
省略）の駆動によりＸ方向移動機構２７１全体がＸ方向
に往復移動可能となっている。また、Ｘ方向移動機構２
７１の上部には、モータ２７２が設けられており、この
モータ２７２の回転軸２７２ａの上端部に円筒形状で、
しかもその側面部に基板Ｗを搬入出するための開口２７
３ａを有する本体カバー２７３が取り付けられている。
このため、装置全体を制御する制御部（図示省略）から
の制御信号に基づき、Ｘ方向移動機構２７１の駆動モー
タを駆動させることで本体カバー２７３をＸ方向に位置
決めさせ、またモータ２７２を駆動させることで本体カ
バー２７３をθ方向に位置決めして開口２７３ａを各処
理ユニットと対向するように位置決めすることができる
ようになっている。

【００３５】この本体カバー２７３の内底部には、昇降
部２７４が固着されている。また、この昇降部２７４か
らＺ方向にコラム２７４ａが延設され、さらにその上端
部にウェット用ハンドを収容するための収容ケース２７
５Ｗおよび乾燥用ハンドを支持するための支持ケース２
７５Ｄがこの順序で積み重ねて取り付けられている。各
ケース２７５Ｗ，２７５Ｄには、開口２７３ａ側を向い
た端部に開口が設けられており、この開口を介して次に
説明するハンドならびに基板Ｗを該ケースから搬出し、
また該ケースに搬入可能となっている。そして、制御部
からの制御信号に応じて昇降部２７４が作動することで
収容ケース２７５Ｗおよび支持ケース２７５Ｄが一体的
にＺ方向に昇降移動し、収容ケース２７５Ｗおよび支持
ケース２７５Ｄの一方のみが開口２７３ａの高さ位置に
位置決めされて該ケースの開口が開口２７３ａと高さ方
向において一致する。

【００３６】これらのケースのうち収容ケース２７５Ｗ
には、湿式表面処理が施されたウェット基板Ｗを保持す
るウェット用ハンド２７６Ｗと、そのハンド２７６Ｗを
収容ケース２７５Ｗに対して出退移動させるハンド駆動
機構２７７Ｗと、ハンド２７６Ｗに保持される基板Ｗに
向けて純水などの乾燥防止液を吐出するノズル２７８と
が配置されている。そして、図４に示すように収容ケー
ス２７５Ｗが開口２７３ａの高さ位置に位置決めされた
状態で制御部から前進信号がハンド駆動機構２７７Ｗに
与えられると、ハンド駆動機構２７７Ｗによってハンド
２７６Ｗが前進駆動されて開口２７３ａを介して本体カ
バー２７３の外に移動する。また、この状態で制御部か
ら後退信号がハンド駆動機構２７７Ｗに与えられると、
ハンド駆動機構２７７Ｗによってハンド２７６Ｗが後退
駆動されて開口２７３ａを介して本体カバー２７３内に
戻る。さらに、この収容ケース２７５Ｗの下方には、排
気管２７９を介して排気部２８０が接続されており、収
容ケース２７５Ｗの内部空間を排気して内部空間に飛散
する処理液やその蒸発物を回収可能となっている。な
お、同図では、排気部２８０を本体カバー２７３の外周
面に取り付けているが、排気部２８０を離れた位置に配
置してもよいことは言うまでもない。

【００３７】一方、支持ケース２７５Ｄには、乾燥した
基板Ｗを保持する乾燥用ハンド２７６Ｄと、そのハンド
２７６Ｄを支持ケース２７５Ｄに対して出退移動させる
ハンド駆動機構２７７Ｄとが配置されている。そして、
例えば図５（ｂ）に示すように支持ケース２７５Ｄが開
口２７３ａの高さ位置に位置決めされた状態で制御部か
ら前進信号がハンド駆動機構２７７Ｄに与えられると、
ハンド駆動機構２７７Ｄによってハンド２７６Ｄが前進
駆動されて開口２７３ａを介して本体カバー２７３の外
に移動する。また、この状態で制御部から後退信号がハ
ンド駆動機構２７７Ｄに与えられると、ハンド駆動機構
２７７Ｄによってハンド２７６Ｄが後退駆動されて開口
２７３ａを介して本体カバー２７３内に戻る。

【００３８】次に、上記のように構成された基板処理装
置の動作について説明する。カセット１１に収容されて
いる基板Ｗは、インデクサロボット１４により搬出され
た後、さらに主搬送ロボット２７に受け渡される。この
基板Ｗを受け取った主搬送ロボット２７は、インターフ
ェース３、あるいは処理ユニット２３１〜２３３，２４
１〜２４３およびユニット群２５を構成する処理ユニッ
トのうちいずれかの処理ユニットの前まで移動し、基板
Ｗを搬入する。処理後の基板Ｗは、主搬送ロボット２７
により搬出され、次の処理ユニットまたはインターフェ
ース３まで搬送される。ここで、１枚の基板Ｗに着目し
て搬送順序を見てみると、主搬送ロボット２７は例えば
次の順序で基板搬送を行う。

【００３９】(1)ユニット群２５中の加熱処理ユニッ
ト：ベーク処理、 (2)ユニット群２５中の冷却処理ユニット：冷却処理、 (3)レジスト塗布処理ユニット：レジスト塗布処理、 (4)インターフェース３：露光処理ユニットへの基板受
渡し、 (5)ユニット群２５中の加熱処理ユニット：ベーク処
理、 (6)ユニット群２５中の冷却処理ユニット：冷却処理、 (7)現像処理ユニット：現像処理、 (8)高圧処理ユニット：表面処理、 (9)ユニット群２５中の加熱処理ユニット：ポストベー
ク処理、 (10)ユニット群２５中の冷却処理ユニット：冷却処理、なお、ここでは、プロセスの一例を示したものであり、
これ以外のプロセスで基板搬送および処理が行われる場
合もある。

【００４０】ところで、主搬送ロボット２７によって現
像処理ユニット２３２，２４２に基板Ｗが搬送されてく
ると、従来装置と同様にして基板Ｗの表面に現像液を供
給して現像処理を開始する。このように、この実施形態
では、現像処理ユニットが本発明の「湿式処理ユニッ
ト」に相当している。そして、現像処理ユニットにおい
て、現像処理、純水でのリンス処理という順に湿式処理
が行われた後、主搬送ロボット２７はウェット用ハンド
２７６Ｗにより濡れた状態にあるウェット基板Ｗを保持
し、高圧処理ユニット２６（処理ユニット２３３，２４
３）に搬送する。このとき、主搬送ロボット２７の動作
について、図５および図６を参照しながら説明する。

【００４１】主搬送ロボット２７は、現像処理を完了し
た現像処理ユニット２３２（または２４２）の基板受渡
位置まで移動した後、昇降部２７４を作動させて収容ケ
ース２７５Ｗを開口２７３ａの高さ位置に位置決めする
（図５（ａ））。そして、ハンド駆動機構２７７Ｗによ
ってハンド２７６Ｗを前進駆動して開口２７３ａを介し
て現像処理ユニット２３２の内部に進入させて現像処理
などの一連の処理を受けて濡れた状態のままにあるウェ
ット基板Ｗをハンド２７６Ｗに受け渡す。

【００４２】これに続いて、ハンド駆動機構２７７Ｗに
よってハンド２７６Ｗを後退駆動して開口２７３ａを介
してウェット基板Ｗを保持したまま本体カバー２７３内
に戻した後、さらに昇降部２７４を作動させて収容ケー
ス２７５Ｗおよび支持ケース２７５Ｄを一体的に（−
Ｚ）方向に降下させて支持ケース２７５Ｄを開口２７３
ａの高さ位置に位置決めする（同図（ｂ））。これによ
って、ウェット基板Ｗは収容ケース２７５Ｗと本体カバ
ー２７３の内壁面とで取り囲まれることとなる。このよ
うに、この実施形態では本体カバー２７３の側面部が本
発明の「閉塞機構」として機能しているが、収容ケース
２７５Ｗの開口近傍に該開口を開閉するシャッター機構
を設け、これを閉塞機構として機能させるように構成し
てもよい。

【００４３】また、この実施形態では、基板Ｗの取り囲
みが完了すると、ノズル２７８より純水を吐出するとと
もに、排気部２８０によって収容ケース２７５Ｗの内部
空間を排気・排液する。そして、その排気・排液を継続
しながら、Ｘ方向移動機構２７１によって高圧処理ユニ
ット２３３の基板受渡位置まで移動する（図６
（ａ））。ここでは、現像処理ユニット２３２と高圧処
理ユニット２３３とは同一のユニット列２３に配置され
ているため、モータ２７２により本体カバー２７３をθ
方向に位置決めする必要はないが、ユニット列２４に配
置された高圧処理ユニット２４３に搬送する場合には、
Ｘ方向移動機構２７１によるＸ方向移動と同時、あるい
は前後してモータ２７２により本体カバー２７３を１８
０゜回転させればよい。

【００４４】こうして、高圧処理ユニット２３３の手前
まで移動してくると、ノズル２７８からの純水の吐出を
停止し、昇降部２７４を作動させて収容ケース２７５Ｗ
を開口２７３ａの高さ位置に位置決めした後、ウェット
基板Ｗを保持しているハンド２７６Ｗをハンド駆動機構
２７７Ｗによって前進駆動して開口２７３ａを介して高
圧処理ユニット２３３の内部に進入させてウェット基板
Ｗを圧力容器２６１内に設けられた基板支持部に載置さ
せる。それに続いて、ハンド駆動機構２７７Ｗによって
ハンド２７６Ｗを後退駆動して開口２７３ａを介して本
体カバー２７３内に戻る（同図（ｂ））。これによっ
て、ウェット基板Ｗの搬送が完了する。

【００４５】基板保持部で保持された基板Ｗは、現像処
理ユニットにおいて純水を用いたリンス処理を受けてい
るため、その基板表面は純水で濡れた状態にある。そこ
で、この実施形態では、この基板Ｗに置換液としてエタ
ノール供給部２６０からエタノールを処理チャンバー内
に導入して純水をアルコール置換する。

【００４６】そして、この置換の後に、超臨界二酸化炭
素を圧力容器２６１内に供給する。すなわち、系内の液
化二酸化炭素を昇圧器２６４で加圧して高圧液化二酸化
炭素を形成し、さらにその高圧液化二酸化炭素を加熱器
２６５で加熱して超臨界二酸化炭素を形成する。

【００４７】そして、超臨界二酸化炭素が基板保持部に
より保持されている基板Ｗの表面に向けて吐出され、基
板Ｗの表面に接触して所定の乾燥処理が実行される。な
お、乾燥工程中は、処理チャンバーの下流の高圧弁Ｖ２
は閉じられている。あるいは、圧力容器２６１内が所定
の圧力に保持されるように開度が調整され、調圧弁の働
きをするように高圧弁Ｖ２を構成してもよい。

【００４８】この高圧処理によって基板Ｗを濡らしてい
た処理液成分（主にリンス液）は処理チャンバー内の超
臨界二酸化炭素に拡散し、溶解することとなる。

【００４９】そして、所定時間の経過で乾燥処理が完了
すると、処理チャンバー内の流体の排出を実行する。こ
れは、高圧弁Ｖ１、Ｖ２を開いて超臨界二酸化炭素を供
給することで押し出し排出しても良いし、高圧弁Ｖ１を
閉じ、高圧弁Ｖ２を開いて排出しても良い。

【００５０】これに続いて、高圧弁Ｖ１を閉じて減圧
し、処理チャンバーが大気圧に戻ると、圧力容器２６１
の側面部に設けられたゲートバルブを開く。そして、主
搬送ロボット２７によって処理済みの基板Ｗを搬送す
る。このとき、基板Ｗは乾燥状態にあるため、主搬送ロ
ボット２７は乾燥用ハンド２７６Ｄを用いて基板搬送を
行う。具体的には、図７に示す動作手順で高圧処理ユニ
ット２６（２３３，２４３）からの乾燥基板Ｗの搬出を
行う。

【００５１】主搬送ロボット２７は、表面処理を完了し
た高圧処理ユニット２６（２３２，２４２）の基板受渡
位置まで移動した後、昇降部２７４を作動させて支持ケ
ース２７５Ｄを開口２７３ａの高さ位置に位置決めする
（図７（ａ））。そして、ハンド駆動機構２７７Ｄによ
ってハンド２７６Ｄを前進駆動して開口２７３ａを介し
て高圧処理ユニット２６の内部に進入させて表面処理を
受けて乾燥状態にある乾燥基板Ｗをハンド２７６Ｄに受
け渡す。

【００５２】これに続いて、ハンド駆動機構２７７Ｄに
よってハンド２７６Ｄを後退駆動して開口２７３ａを介
して乾燥基板Ｗを保持したまま本体カバー２７３内に戻
す（同図（ｂ））。そして、次の処理ユニットに搬送す
る。

【００５３】以上のように、この実施形態によれば、ウ
ェット基板Ｗをウェット用ハンド２７６Ｗで保持し、そ
のまま収容ケース２７５Ｗに収容した後、その収容状態
のまま現像処理ユニット２３２，２４２から高圧処理ユ
ニット２６（２３３，２４３）にウェット搬送するよう
に構成しているので、ウェット搬送中に処理液あるいは
処理液の蒸発物が主搬送ロボット２７の外部に飛散した
り、漏れるのが防止される。また、この実施形態では、
単に収容ケース２７５Ｗに収容するのみならず、図５
（ｂ）および図６（ａ）に示すように、収容ケース２７
５Ｗを降下させて収容ケース２７５Ｗの開口を本体カバ
ー２７３の内壁面で塞ぎ、収容ケース２７５Ｗおよび本
体カバー２７３でウェット基板Ｗを取り囲んでいるの
で、処理液の飛散などをより効果的に防止することがで
きる。

【００５４】また、ウェット搬送中に処理液が飛散した
り、処理液の一部が蒸発して収容ケース２７５Ｗの内部
にそれらが広がる可能性があるが、この実施形態では収
容ケース２７５Ｗの内部を排気部２８０によって排気す
ることで雰囲気を負圧に調整しているので、ウェット搬
送中において基板の表面状態を最適化することができ、
高圧処理ユニットでの表面処理を良好に行うことができ
る。また、処理液やその蒸発物を排気部２８０によって
回収することができ、収容ケース２７５Ｗからの飛散や
漏れをさらに確実に防止することができる。

【００５５】さらに、ウェット用ハンド２７６Ｗと乾燥
用ハンド２７６Ｄとを設け、ウェット基板Ｗについては
ウェット用ハンド２７６Ｗを用い、乾燥基板Ｗについて
は乾燥用ハンド２７６Ｄを用いているため、ウェット用
ハンド２７６Ｗで乾燥基板Ｗを保持するのを確実に防止
することができる。特に、ウェット用ハンド２７６Ｗを
収容ケース２７５Ｗに収容するので、乾燥用ハンド２７
６Ｄの汚染を確実に防止することができる。よって、ハ
ンド個別に別の搬送ロボットを構成する必要もない。

【００５６】なお、本発明は上記した実施形態に限定さ
れるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて
上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能であ
る。例えば、装置各部（処理ユニット、搬送ロボットな
ど）のレイアウトは上記実施形態のそれに限定されるも
のではなく、任意であり、主搬送ロボット２７もレイア
ウトに応じて、その構成を変更可能となっている。例え
ば、ユニット列を一列のみとした場合にはモータ２７２
により本体カバー２７３をθ方向に回転させる回転機構
を主搬送ロボットに設ける必要がなくなり、また主搬送
ロボットを中心として処理ユニットをスター状に配置し
た場合にはＸ方向移動機構を設ける必要がなくなる。

【００５７】また、上記実施形態では、支持ケース２７
５Ｄについては、その上方部を開放しているが、収容ケ
ース２７５Ｗと同様に構成してもよく、このように構成
することで支持ケース２７５Ｄが開口２７３ａから図５
（ａ）や図６（ｂ）に示すように高さ方向に外れると、
支持ケース２７５Ｄの開口を本体カバー２７３の内壁面
で塞ぐことができ、この閉塞状態で支持ケース２７５Ｄ
の内部に処理液などが侵入してくるのを効果的に防止す
ることができる。

【００５８】また、上記実施形態では、本体カバー２７
３を設け、これを閉塞機構として機能させているが、こ
れは発明の必須構成要件ではなく、任意構成要件であ
る。ただし、収容ケース２７５Ｗからの処理液の飛散な
どをより効果的に防止するためには、本体カバー２７３
を設けるか、あるいは上記したように収容ケース２７５
Ｗにシャッター機構を設けるのが望ましい。

【００５９】また、上記実施形態では、ウェット搬送
中、ノズル２７８より常に純水を吐出して乾燥防止を行
っているが、もともとウェット状態であるので、純水の
補給を目的として間欠的に、または所定タイミングで一
定時間のみノズル２７８より吐出するようにしてもよ
い。

【００６０】また、上記実施形態では、本発明の「湿式
処理ユニット」として現像処理ユニットを有する基板処
理装置に本発明を適用しているが、本発明の適用対象は
これに限定されるものではなく、エッチング液や洗浄液
などの処理液を用いてエッチング処理や洗浄処理などの
湿式表面処理を行う湿式処理ユニットと、その処理ユニ
ットによって湿式表面処理された基板を受け取り、高圧
流体を接触させて該基板の表面に対して表面処理を施す
高圧処理ユニットとを設けた基板処理装置全般に対して
本発明を適用することができ、上記実施形態と同様の作
用効果を得ることができる。

【００６１】以下に、本発明の適用について説明する。

【００６２】第１に、例えばＭＥＭＳデバイスの湿式エ
ッチング処理後に乾燥処理を行う高圧処理ユニットを設
けた基板処理装置でもよい。

【００６３】第２に、現像処理、例えば有機溶剤による
現像処理を完了した基板を現像処理ユニットから取出
し、処理液が基板上に盛られた状態のまま高圧処理ユニ
ットに搬入し洗浄工程、リンス工程および乾燥工程をこ
の順序で行う装置でもよい。

【００６４】この洗浄工程においては、基板に付着した
レジストやエッチングポリマー等の高分子汚染物質も除
去するため、二酸化炭素等の高圧流体のみからなる処理
流体を用いた場合では洗浄力が不充分である点を考慮し
て、薬剤を添加して洗浄処理を行う。薬剤としては、洗
浄成分として塩基性化合物を用いることが好ましい。レ
ジストに多用される高分子物質を加水分解する作用があ
り、洗浄効果が高いためである。塩基性化合物の具体例
としては、第四級アンモニウム水酸化物、第四級アンモ
ニウムフッ化物、アルキルアミン、アルカノールアミ
ン、ヒドロキシルアミン（ＮＨ_２ＯＨ）およびフッ化ア
ンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）よりなる群から選択される１種
以上の化合物が挙げられる。洗浄成分は、高圧流体に対
し、０．０５〜８質量％含まれていることが好ましい。
なお、基板乾燥のために本発明の高圧処理装置を用いる
図１に示す実施形態の場合は、乾燥すべきレジストの性
質に応じて、キシレン、メチルイソブチルケトン、第４
級アンモニウム化合物、フッ素系ポリマー等を薬剤とし
て添加してもよい。

【００６５】上記塩基性化合物等の洗浄成分が高圧流体
に非相溶である場合には、この洗浄成分を二酸化炭素に
溶解もしくは均一分散させる助剤となり得る相溶化剤を
第２の薬剤として用いることが好ましい。この相溶化剤
は、洗浄工程終了後のリンス工程で、汚れを再付着させ
ないようにする作用も有している。

【００６６】相溶化剤としては、洗浄成分を高圧流体と
相溶化させることができれば特に限定されないが、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール
類や、ジメチルスルホキシド等のアルキルスルホキシド
が好ましいものとして挙げられる。洗浄工程では、相溶
化剤は高圧流体の１０〜５０質量％の範囲で適宜選択す
ればよい。そのため、高圧処理ユニットは図８に示すよ
うに圧力容器２６１と高圧弁Ｖ１との間に混合部２６６
を配置する。

【００６７】この混合部２６６には、基板Ｗの表面処理
に適した薬剤を貯蔵・供給する２種類の薬剤供給部、つ
まり第１薬剤供給部２６７ａおよび第２薬剤供給部２６
７ｂがそれぞれ高圧弁Ｖ３およびＶ４を介して接続され
ている。このため、高圧弁Ｖ３、Ｖ４の開閉制御によっ
て第１薬剤供給部２６７ａから第１薬剤が、また第２薬
剤供給部２６７ｂから第２薬剤が開閉制御に応じた量だ
け混合部２６６にそれぞれ供給されて超臨界二酸化炭素
に対する薬剤の混合量が調整される。このように、この
実施形態では、処理流体として「超臨界二酸化炭素」、
「超臨界二酸化炭素＋第１薬剤」、「超臨界二酸化炭素
＋第２薬剤」および「超臨界二酸化炭素＋第１薬剤＋第
２薬剤」を選択的に調製して圧力容器２６１の処理チャ
ンバーに供給可能となっており、表面処理の内容に応じ
て適宜高圧弁Ｖ３、Ｖ４を装置全体を制御部（図示書
略）により開閉制御することによって処理流体の種類を
選択するとともに、薬剤濃度をコントロールすることが
できるように構成されている。

【００６８】この高圧処理ユニットでの洗浄処理とリン
ス処理は以下のようにして行われる。

【００６９】即ち、この洗浄工程によって基板Ｗに付着
していた汚染物質は、処理チャンバー内の処理流体（超
臨界二酸化炭素＋第１薬剤＋第２薬剤）に溶解すること
となる。ここで、例えば第１薬剤を洗浄成分とし、第２
薬剤を相溶化剤と設定すると、汚染物質は洗浄成分（第
１薬剤）および相溶化剤（第２薬剤）の働きにより超臨
界二酸化炭素に溶解しているので、処理チャンバーに超
臨界二酸化炭素のみを流通させると、溶解していた汚染
物質が析出する可能性があるため、洗浄工程後に超臨界
二酸化炭素と相溶化剤からなる第１リンス用処理流体に
よる第１リンス工程と、超臨界二酸化炭素のみからなる
第２リンス用処理流体による第２リンス工程とをこの順
序で行うのが望ましい。

【００７０】そこで、この実施形態では、第１および第
２薬剤の供給開始、つまり洗浄工程の開始から所定時間
経過すると、高圧弁Ｖ３を閉じて第１薬剤供給部２６７
ａを供給停止モードとし、第１薬剤供給部２６７ａから
の第１薬剤（洗浄成分）の混合部２６６へと圧送を停止
して混合部２６６において超臨界二酸化炭素と相溶化剤
とを混合させて第１リンス用処理流体を調製し、処理チ
ャンバーに供給する。また、これと同時に、高圧弁Ｖ２
を開く。これによって第１リンス用処理流体が処理チャ
ンバー内を流通して処理チャンバー内の洗浄成分および
汚染物質が次第に少なくなっていき、最終的には第１リ
ンス用処理流体（超臨界二酸化炭素＋相溶化剤）で満た
されることとなる。

【００７１】こうして、第１リンス工程が完了すると、
続いて第２リンス工程を行う。この第２リンス工程で
は、さらに高圧弁Ｖ４を閉じて第２薬剤供給部２６７ｂ
を供給停止モードとし、第２薬剤供給部２６７ｂからの
第２薬剤（相溶化剤）の混合部２６６へと圧送を停止し
て超臨界二酸化炭素のみを第２リンス用処理流体として
処理チャンバーに供給する。これによって第２リンス用
処理流体が処理チャンバー内を流通して処理チャンバー
が第２リンス用処理流体（超臨界二酸化炭素）で満たさ
れることとなる。

【００７２】これに続いて、高圧弁Ｖ１を閉じて減圧
し、基板Ｗに対する乾燥処理を実行する。そして、処理
チャンバーが大気圧に戻ると、圧力容器２６１の側面部
に設けられたゲートバルブを開く。そして、主搬送ロボ
ット２７によってゲートバルブを介して処理済みの基板
Ｗが搬出されて一連の処理（洗浄処理＋第１リンス処理
＋第２リンス処理＋乾燥処理）が完了する。

【００７３】また、上記実施形態では、２種類の薬剤を
超臨界二酸化炭素（高圧流体）に混合させて処理流体を
調製しているが、薬剤の種類や数などについては任意で
ある。また、薬剤を使用しないで表面処理を行う場合に
は、薬剤供給部が不要となる。

【００７４】さらに、上記実施形態では、表面処理とし
て洗浄処理、第１リンス処理、第２リンス処理、乾燥処
理を実行しているが、その処理内容はこれに限定される
ものではなく、湿式処理ユニットによる湿式表面処理に
続いて行う表面処理を高圧処理ユニットで行うようにす
ればよい。

【００７５】第３に、洗浄処理、例えばドライエッチン
グを完了した基板を洗浄ユニットから取出し、純水や有
機溶媒で基板表面が濡れた状態で搬送し高圧処理ユニッ
トで洗浄工程、リンス工程および乾燥工程をこの順で行
う装置でもよい。

【００７６】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、基板
を保持するハンドを、ハンド駆動機構によって収容ケー
スに対して出退移動するように構成するとともに、湿式
表面処理が施されて処理液で濡れた状態にある基板を収
容ケースに収容した状態で湿式処理ユニットから高圧処
理ユニットにウェット搬送するように構成しているの
で、ウェット搬送中に処理液あるいは処理液の蒸発物が
収容ケースの外部に飛散したり、漏れるのを阻止して処
理液によって基板搬送手段の駆動機構や他の基板が濡れ
たり、汚染されるのを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を
示す図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線矢視図である。

【図３】図１の基板処理装置の高圧処理ユニットの概略
構成を示すブロック図である。

【図４】図１の基板処理装置の主搬送ロボットを示す図
である。

【図５】図１の基板処理装置の動作を示す図である。

【図６】図１の基板処理装置の動作を示す図である。

【図７】図１の基板処理装置の動作を示す図である。

【図８】この発明にかかる基板処理装置の他の実施形態
を示す図である。

【図９】従来の基板処理装置を示す図である。

【符号の説明】２１…主搬送路２６，２３３，２４３…高圧処理ユニット２７…主搬送ロボット（基板搬送手段）２３２…現像処理ユニット（湿式処理ユニット）２７３…本体カバー（閉塞機構）２７５Ｗ…収容ケース２７６Ｄ…乾燥用ハンド２７６Ｗ…ウェット用ハンド２７７Ｄ…（乾燥用）ハンド駆動機構２７７Ｗ…ハンド駆動機構２８０…排気部Ｗ…基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１Ｇ１１Ｂ 7/26 ５Ｆ０４６Ｇ１１Ｂ 7/26 Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８ＡＨ０１Ｌ 21/304 ６４８６５１Ｇ６５１ 21/68 Ａ 21/68 21/30 ５６９Ｄ５６９Ｆ (72)発明者上山勉京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内 (72)発明者足立秀喜京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 2H088 FA21 FA30 HA01 2H090 JC19 2H096 AA24 AA25 AA27 GA17 GA20 GA21 HA19 5D121 AA02 EE21 EE23 GG14 GG18 GG20 GG28 JJ02 JJ03 JJ07 JJ09 5F031 CA01 CA02 CA05 FA01 FA02 FA07 FA12 GA35 GA42 GA48 GA49 GA50 GA57 MA02 MA03 MA06 MA13 MA23 MA24 MA26 MA30 NA07 NA14 NA18 5F046 LA06 LA07 LA11 LA14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主搬送路に面して配置され、処理液を基
板に供給することによって該基板に対して所定の湿式表
面処理を施す湿式処理ユニットと、前記主搬送路に面して配置され、前記湿式処理ユニット
により湿式表面処理が施された基板の表面に、高圧流体
あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として接
触させて該基板の表面に対して表面処理を施す高圧処理
ユニットと、前記主搬送路に配置され、前記湿式処理ユニットにより
湿式表面処理が施された基板を前記高圧処理ユニットに
ウェット搬送する基板搬送手段とを備え、前記基板搬送手段は、基板を保持するハンドと、前記ハ
ンドを収容する収容ケースと、前記収容ケースに対して
前記ハンドを出退移動させるハンド駆動機構とを備え、
湿式表面処理が施された基板を前記ハンドで保持しなが
ら、前記収容ケースに収容しつつ、前記高圧処理ユニッ
トにウェット搬送することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】前記基板搬送手段は、前記収容ケースに
対して前記ハンドを出退移動させるために前記収容ケー
スに設けられた開口を必要に応じて塞ぐ閉塞機構をさら
に備える請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】前記基板搬送手段は、前記収容ケース内
での雰囲気を調整する雰囲気調整部をさらに備える請求
項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】前記雰囲気調整部は、前記収容ケース内
を排気する排気部を有する請求項３記載の基板処理装
置。
【請求項５】前記高圧処理ユニットは、前記表面処理
の最終処理として前記基板を乾燥させる乾燥処理を実行
し、前記基板搬送手段は前記高圧処理ユニットによる乾燥処
理を受けた基板を前記高圧処理ユニットから取り出すた
めの乾燥用ハンドと、前記乾燥用ハンドを前記高圧処理
ユニットに対してアクセスさせる乾燥用ハンド駆動機構
とをさらに備える請求項１ないし４のいずれかに記載の
基板処理装置。