JPH10340874A

JPH10340874A - 局所密閉型清浄装置

Info

Publication number: JPH10340874A
Application number: JP16324797A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Gomi; 弘五味; Takaki Yoshida; 隆紀吉田; Masanori Inoue; 正憲井上
Original assignee: Takasago Thermal Engineering Co Ltd
Current assignee: Takasago Thermal Engineering Co Ltd
Priority date: 1997-06-05
Filing date: 1997-06-05
Publication date: 1998-12-22
Anticipated expiration: 2017-06-05
Also published as: JP3839555B2

Abstract

(57)【要約】【課題】インターフェース部内の雰囲気を清浄に保
ち、化学汚染物質、塵埃を効率よく除去したり外部に排
出すると共に、並設の半導体製造装置からの熱負荷の影
響を抑える。【解決手段】インターフェース部３を側板１１等で気
密に閉鎖し、レタンダクト３１にガス導入管３３から窒
素ガスを導入し、送風機３２によってのレタンダクト３
１、プレナムチャンバ２５、移送空間Ｔを順に巡る窒素
ガスの循環気流を形成する。冷却コイル４１、加熱コイ
ル４２によって循環気流の温度調整がなされ、ケミカル
フィルタ４３によって化学汚染物質が除去され、フィル
タ装置２４によって塵埃も除去される。必要に応じて排
気口３６、３７から雰囲気が排気されるので、インター
フェース部３自体に汚染源があってもパージされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は清浄装置に係り、電
子部品製造装置と電子部品搬送装置との間で電子部品を
移送する移送装置を備えたインターフェース部の清浄に
効果のある局所密閉型清浄装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体製造装置の分野についてい
えば、エッチング装置、露光装置、成膜装置、コータ・
デベロッパなどの半導体デバイスの製造装置（半導体製
造装置）は、クリーンルーム内に設置されて稼働してい
るが、これらの半導体製造装置はその処理内容や処理時
間が異なっており、しかも装置の種類によっては高熱を
発したり、あるいは電磁波や強磁場を用いるものがある
ため、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）やＬＣ
Ｄ基板等の基板に対して一連の連続した処理を行う装置
であっても、接続して設置することができない場合があ
る。

【０００３】かかる場合には、ある製造装置と他の種類
の製造装置との間に、基板をカセット単位で搬送する搬
送ロボットやその他の搬送機構などの基板搬送装置が存
在するエリアを設けている。このとき半導体製造装置側
には、基板搬送装置との間で基板を授受するためのイン
ターフェース部が設けられており、インターフェース部
に設けられた基板の移送機構によって基板搬送装置と半
導体製造装置との間で処理対象となる基板を移送するよ
うになっている。このインターフェース部には、基板を
収納したカセットが載置され、未処理の基板をカセット
内に待機させると共に、既処理の基板をカセット内に一
時ストックしておくためのスペースとしても機能してい
る。半導体製造装置が枚葉式の装置である場合には、か
かる意義が大きい。

【０００４】ところでクリーンルーム内には外気中に含
まれていたクリーンルーム構成材や他の半導体製造装置
から生ずる微量の有機物、酸・塩基性ガス、ボロン、リ
ン等の化学汚染物質が浮遊している。当然のことなが
ら、そのような化学汚染物質が、前記した基板表面等に
付着すると、デバイスの電気特性が変化したり、所期の
機能が得られなくなるなど、歩留まりが低下するおそれ
がある。そのため、従来からクリーンルーム内の前記化
学汚染物質の除去に対して様々な対策が施されている。

【０００５】これを図に基づいて説明すると、図３は、
いわゆる開放式のシステムの場合を示しており、クリー
ンルームＣＲ内には、異なった処理を行う半導体製造装
置１１０、１２０が設置されている。クリーンルームＣ
Ｒの天井部には、天井チャンバ１３０からの空気を吸い
込んでこれを清浄化してダウンフローを形成するための
ファン・フィルタ・ユニット１３１が複数設置されてい
る。

【０００６】半導体製造装置１１０と他の半導体製造装
置１２０とは、距離を隔てて設置されており、半導体製
造装置１１０、１２０の各インターフェース部１１１、
１２１との間の仕切板１１２、１２２には、ウエハを収
納したカセットＣを搬送するための開放型の搬送口１１
３、１２３がそれぞれ形成されている。そして仕切板１
１２、１２２の間のスペースＳ内を、オープン型のカセ
ットＣを半導体製造装置１１０、１２０の各インターフ
ェース部１１１、１２１間で搬送するための搬送装置と
しての搬送ロボット１４０が走行するようになってい
る。

【０００７】この場合、半導体製造装置１１０、１２０
の各インターフェース部１１１、１２１内では、ウエハ
が露出しているので化学汚染物質が付着しやすい。その
ため例えば半導体製造装置１１０のインターフェース部
１１１の上方に位置するファン・フィルタ・ユニット１
３１ａの上流に、化学汚染物質を捕集するためのケミカ
ルフィルタ１３２が設置されている。また半導体製造装
置１２０のインターフェース部１２１の上方には、別途
上流にケミカルフィルタ１３３を装備したファン・フィ
ルタ・ユニット１３４が設置されている。かかる対策に
より、半導体製造装置１１０、１２０の各インターフェ
ース部１１１、１２１内におけるダウンフロー中の化学
汚染物質を事前に除去しておき、ウエハに化学汚染物質
が付着するのを防止しようとしている。

【０００８】一方これに対し、図４に示したものは、い
わゆる閉鎖型のシステムであり、半導体製造装置１５
０、１６０の各インターフェース部１５１、１６１は閉
鎖空間内に設定すると共に、密閉型のカセットＣｘを採
用し、このカセットＣｘを半導体製造装置１５０、１６
０の各インターフェース部１５１、１６１にセットし
て、カセットＣｘが備えている開閉蓋が開放するとき以
外は、完全な密閉空間の中にインターフェース部１５
１、１６１が設定されている。

【０００９】そしてインターフェース部１５１、１６１
のある密閉空間内には、対応する配管１５２、１６２か
ら窒素ガスを導入し、インターフェース部１５１、１６
１がおかれている雰囲気をこの窒素ガスで充満させるよ
うにしている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら図３に示
した従来技術によれば、化学汚染物質を除去するケミカ
ルフィルタ１３２、１３３を通過した空気は、例えば搬
送口１１３、１２３から直ちに外部に拡散してしまう。
即ち化学汚染物質を除去するためのケミカルフィルタ１
３２、１３３を通過する空気は一過性であるため、空気
中の化学汚染物質を十分に除去できず、目的とする化学
汚染物質の許容値を達成できないおそれがある。またそ
のように一過性であるから、ケミカルフィルタ１３２、
１３３は高濃度の化学汚染物質を含んだ空気を多量に処
理しなければならず、その結果寿命が短くなるという問
題がある。

【００１１】この点図４に示した従来技術は、インター
フェース部１５１、１６１が密閉空間内に位置している
ので、インターフェース部１５１、１６１はいわば窒素
ガス雰囲気内に封入されている。しかしながらインター
フェース部１５１、１６１内に発生した化学汚染物質を
外部に排出できず、またその他の粒子、例えば基板とカ
セットとの摩擦によって発生する塵埃や、移送装置の摺
動部から発生する塵埃を捕集できないという問題があっ
た。そのうえ密閉空間であるため、インターフェース部
１５１、１６１がおかれている雰囲気の温度が、例えば
半導体製造装置１６０の熱負荷によって直ちに上昇して
しまう。インターフェース部１５１、１６１の雰囲気の
温度が上昇すると、基板に悪影響を与えて歩留まりが低
下するおそれがある。

【００１２】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、基本的にはインターフェース部を気密に閉鎖して
低露点空気や不活性ガスを供給するようにしているが、
インターフェース部内で発生した化学汚染物質を効率よ
く除去したり外部に排出できると共に、塵埃やパーティ
クルを捕集でき、さらに電子部品製造装置からの熱負荷
に対しても対処できる新しい局所密閉型清浄装置を提供
して、前記問題の解決を図ることを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１の局所密閉型清浄装置は、電子部品製造装
置と電子部品搬送装置との間で電子部品を移送するため
のインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバと、前
記チャンバにおける電子部品製造装置側の側壁に形成さ
れた、インターフェース部と電子部品製造装置との間で
電子部品を移送するための第１の移送口と、前記チャン
バにおける電子部品搬送装置側の側壁に形成された、電
子部品搬送装置とインターフェース部との間で電子部品
を移送するための第２の移送口と、前記第１、第２の各
移送口を開閉自在な開閉装置と、前記電子部品移送の際
に電子部品が通過する移送空間とこの移送空間に対して
所定の清浄気流、例えばダウンフローや水平層流を形成
して吹き出し風速を一様にするためのフィルタ装置、プ
レナムチャンバと、移送空間とプレナムチャンバを結ぶ
レタンダクトと、前記チャンバ内においてプレナムチャ
ンバ、移送空間、レタンダクト、プレナムチャンバと順
に巡る循環気流を形成するための送風機と、前記所定の
気流の温度調整を行う温度調整手段と、前記チャンバ内
に外部からガスを導入するガス導入手段と、前記チャン
バ内の雰囲気を排気する排気手段とを備えている。

【００１４】ここで、インターフェース部を気密に閉鎖
するチャンバとは、名称にかかわらずインターフェース
部自体を構成する外装パネルやフレームを一部又は全部
利用して実質的にインターフェース部を気密に閉鎖する
ものであれば足りる。また電子部品には、ウエハやＬＣ
Ｄ基板、ハードディスク基板、その他薄板状の電子部品
などが含まれる。なおここでいうインターフェース部自
体は、電子部品製造装置と電子部品搬送装置との間で電
子部品を移送する専用の移送装置が存在していなくて
も、電子部品製造装置側の方にかかる移送装置が存在
し、インターフェース部が単なる通過領域や通過・待機
領域であってもよい。さらにチャンバ内に外部から導入
するガスとは、空気をも含む概念である。好ましくは、
低露点の空気（例えば−５０℃程度か、それ以下の低露
点の空気）を用いるとよい。さらに電子部品製造装置に
は、「製造装置」の名称にかかわらず、例えば半導体製
造装置において使用されているプローバのように、電子
部品に対して各種の検査を行う装置も含まれる。

【００１５】この請求項１の局所密閉型清浄装置によれ
ば、まずインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバ
内で、移送空間に対してフィルタ装置を通過した清浄な
ガスが送風機によって移送空間→レタンダクト→プレナ
ムチャンバと順に巡っている。したがって、導入するガ
スの有効利用が図れ、しかも塵埃やパーティクルはフィ
ルタ装置によって捕集される。またプレナムチャンバか
らのダウンフローや水平層流の温度は温度調整手段によ
って調整できるから、インターフェース部の内部に設置
される送風機や、必要に応じて設置される移送装置など
からの発熱を熱的に補償するほか、電子部品製造装置側
からの熱負荷があっても循環気流の温度を所定温度に維
持することができ、電子部品を熱から保護することがで
きる。またインターフェース部自体から汚染物質が発生
した場合であっても、ガス導入手段と排気手段とを備え
ているから、必要に応じて当該汚染物質を外部にパージ
することも可能である。

【００１６】このような請求項１の局所密閉型清浄装置
において、さらに請求項２に記載したように、ガスの導
入量を調整する、例えば流量調節バルブやマスフローコ
ントローラなどの導入量調整装置をさらに付加し、少な
くとも第１の移送口又は第２の移送口が開放した際に、
チャンバ内が正圧に保たれるように前記導入量調整装置
を制御するようにすれば、外部からチャンバ内に汚染物
質が流入することを防止でき、インターフェース部のお
かれている雰囲気を、常に導入ガス雰囲気とすることが
できる。この場合、導入量調整装置は第１の移送口又は
第２の移送口を開閉装置と連動させたり、あるいは別途
圧力センサを設けて、この圧力センサからの信号によっ
て制御するようにしてもよい。

【００１７】またさらに請求項３に記載したように、ガ
スの導入量を調整する導入量調整装置の他に、チャンバ
内の汚染物質の濃度を検出する検出装置を装備し、この
検出装置からの検出値が所定値以下となるように、導入
量調整装置を制御するようにしてもよい。この場合、同
時に排気手段の方を制御するようにしてもよい。このよ
うな請求項３の局所密閉型清浄装置によれば、インター
フェース部自体やチャンバ内から汚染物質が発生して
も、自動的に当該汚染物質が所定値以下となるように制
御される。したがって、チャンバ内雰囲気を常に清浄に
保つことが可能である。

【００１８】請求項４の局所密閉型清浄装置は、第１の
移送口又は第２の移送口が開放した際に、チャンバ内が
正圧に保たれるように、排気側で制御するものであり、
排気量を調整する排気量調整装置を制御することによっ
て、チャンバ内を正圧に保ち、外部からチャンバ内に汚
染物質が流入することを防止し、インターフェース部の
おかれている雰囲気を、導入ガス雰囲気とする構成とな
っている。

【００１９】以上のような各局所密閉型清浄装置におい
て、チャンバ内に導入するガスとして、請求項５に記載
したように、不活性ガスを用いれば、電子部品が例えば
シリコンウエハであった場合に、当該ウエハの表面に酸
化膜（ＳｉＯ₂）が形成されるのを防止することができ
る。なおここでいう不活性ガスとは、窒素ガス（Ｎ₂）
を含み、その他アルゴン（Ａｒ）ガスやヘリウム（Ｈ
ｅ）ガスなどの希ガス等も含む概念である。

【００２０】そして請求項６に記載したように、循環気
流中のガス状不純物を除去する手段、例えばイオン交換
繊維や活性炭をろ材に固定させたケミカルフィルタなど
をさらに付加すれば、有機物、酸・塩基性ガス、ボロ
ン、リン等の化学汚染物質を除去することができる。な
おここでいうガス状不純物を除去する手段には、その他
に光触媒を利用してこれら化学汚染物質を悪影響のない
ものに分解する手段も含まれる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の好
ましい実施の形態を説明する。図１は、本実施の形態に
かかる局所密閉型清浄装置１が適用された電子部品製造
装置２、及びそのインターフェース部３周りの断面を示
し、図２はインターフェース部３内をその正面側、すな
わち搬送ロボットなどの基板搬送装置４側からみた様子
を示している。これら局所密閉型清浄装置１をはじめと
する各種の装置は、クリーンルームＣＲ内に設置され、
クリーンルームＣＲの天井部に設置された複数のファン
・フィルタ・ユニット５によって、局所密閉型清浄装置
１や半導体製造装置２など、クリーンルームＣＲ内に設
置されている各装置に対しては、図示のようにダウンフ
ローが形成されている。もちろんダウンフローに限ら
ず、水平層流であってもよいが、クリーンルームＣＲ内
の空気流は、乱流であっても構わない。

【００２２】局所密閉型清浄装置１は、インターフェー
ス部３を気密に閉鎖するためのチャンバを構成する側板
１１、１２、１３、１４及び天板１５を有しており、基
板搬送装置４側の側板１１には基板搬送装置４が所定位
置に載置した密閉型のカセットＣｘとの間でウエハを移
送するための移送口１６が形成され、半導体製造装置２
側の側板１２には、半導体製造装置２との間でウエハを
移送するための移送口１７が形成されている。

【００２３】インターフェース部３には、移送口１６を
通じて前記カセットＣｘからウエハを取り出し、これを
移送口１７を通じて半導体製造装置２へと移送したり、
逆に半導体製造装置２での処理が終わったウエハをカセ
ットＣｘへと格納するための移送装置２１が設けられて
いる。さらにインターフェース部３には、これら移送口
１６、１７を各々独立して開閉自在な開閉装置２２、２
３が設けられており、移送装置２１の移送アーム２１ａ
がこれら移送口１６、１７を通過する時以外は、常時閉
鎖されており、インターフェース部３は気密に閉鎖され
た空間内におかれている。

【００２４】インターフェース部３における移送装置２
１の上方、すなわち局所密閉型清浄装置１内の上方に
は、ＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタによって構
成されるフィルタ装置２４が設置されており、このフィ
ルタ装置２４と天板１５との間の空間がプレナムチャン
バ２５を形成している。他方、局所密閉型清浄装置１内
の下方には、パンチングメタルなどからなる整流板２６
が設置され、プレナムチャンバ２５と相俟って、インタ
ーフェース部３に均一な空気流を形成している。また本
実施形態においては、特に移送装置２１におけるモータ
などの駆動機構（図示せず）は、全てこの整流板２６よ
りも下方に配置されている。そしてフィルタ装置２４と
整流板２６との間の空間が移送空間Ｔを構成している。

【００２５】局所密閉型清浄装置１内の側方には、側板
１３を利用して構成されたレタンダクト３１が設けられ
ており、前記整流板２６の下方空間を通じてプレナムチ
ャンバ２５と移送空間Ｔとを結んでいる。このレタンダ
クト３１の下方には、送風機３２が設置され、この送風
機３２の吹出口近傍には、ガス導入管３３の導入口３４
が配置されている。これらガス導入管３３、導入口３４
がガス導入手段を構成している。本実施形態において
は、このガス導入管３３から窒素ガス（Ｎ₂）が局所密
閉型清浄装置１内が導入されるようになっている（図２
参照）。

【００２６】他方、送風機３２の近傍及び送風機３２の
モータ３２ａの近傍には、各々排気管３５に通ずる排気
口３６、３７が配置されている。これら排気管３５、排
気口３６、３７は排気手段を構成している。この排気手
段は、送風機３２や移送装置２１のモータ３２ａのベア
リングのグリース、配線、塗料などから発生するガス状
不純物を吸引する機能を有している。

【００２７】前記ガス導入管３３には、流量調節バルブ
３３ａが介装されており、また排気管３５には、流量調
節バルブ３５ａが介装されている。これら流量調節バル
ブ３３ａ、３５ａは、制御装置Ｘによって制御される。

【００２８】レタンダクト３１には、冷却コイル４１、
加熱コイル４２が設けられている。なお冷却コイル４１
は、冷水が通水する構成のものであってもよいし、例え
ばフロン系冷媒による直膨式のものであってもよい。ま
た加熱コイル４２はも温水が通水するものであってもよ
く、もちろんそのような温水を使用しない、例えば電気
ヒータであってもよい。そしてこれら冷却コイル４１及
び／又は加熱コイル４２の熱量は前記制御装置Ｘによっ
て制御される。また加熱コイル４２の下流側には、ケミ
カルフィルタ４３が設けられており、このケミカルフィ
ルタ４３によって、加熱コイル４２を通過した気流中の
化学汚染物質は除去される。

【００２９】移送空間Ｔには、フィルタ装置２４を通過
したダウンフローの温度を検出する温度センサ４４、移
送空間Ｔ内の圧力を検出する圧力センサ４５、移送空間
Ｔ内の化学汚染物質の濃度を検出する濃度センサ４６が
設けられており、これら各センサからの信号は、制御装
置Ｘに入力される。

【００３０】そして制御装置Ｘは、温度センサ４４から
の信号に基づいて、フィルタ装置２４を通過したダウン
フローを所定の温度に維持するように、冷却コイル４
１、加熱コイル４２を制御し、また圧力センサ４５から
の信号に基づいて、移送空間Ｔ内の圧力を所定値に保つ
ようにガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａ、及び排
気管３５の流量調節バルブ３５ａを制御する。さらにこ
の制御装置Ｘは、濃度センサ４６からの信号に基づい
て、移送空間Ｔ内の化学汚染物質の濃度を所定値以下に
保つように、ガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａ、
及び排気管３５の流量調節バルブ３５ａを制御するよう
に構成されている。

【００３１】本実施形態にかかる局所密閉型清浄装置１
は以上のように構成されており、次にその作用効果につ
いて説明する。まず装置の起動時においては、移送口１
６、１７の開閉装置２２、２３はいずれも閉鎖されると
共に、ガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａが開放し
て、局所密閉型清浄装置１内を窒素ガス雰囲気とすると
共に、局所密閉型清浄装置１内が正圧になるように制御
される。そして所定の圧力に達した時点でガス導入管３
３の流量調節バルブ３３ａは閉鎖される。このとき、排
気管３５の流量調節バルブ３５ａは閉鎖されている。ま
た送風機３２は送風運転を行い、レタンダクト３１、プ
レナムチャンバ２５、移送空間Ｔと巡る窒素ガスの循環
気流を形成している。かかる場合、局所密閉型清浄装置
１内に化学汚染物質があれば、ケミカルフィルタ４３に
よって除去される。

【００３２】そして基板搬送装置４が半導体製造装置２
で処理すべきウエハを収納した密閉型のカセットＣｘを
局所密閉型清浄装置１の側板１１に設定された所定の位
置に載置すると、開閉装置２２が開放し、インターフェ
ース部３の移送装置２１の移送アーム２１ａがカセット
Ｃｘ内のウエハを受け取りにいく。このとき開閉装置２
２が開放した際に、移送空間Ｔ内の圧力が低下した場合
には、圧力センサ４５によってそのことが検出され、所
定の正圧になるまでガス導入管３３の流量調節バルブ３
３ａが開放する。

【００３３】次いで移送装置２１の移送アーム２１ａが
ウエハを半導体製造装置２に移送する際、今度は移送口
１７の開閉を担う開閉装置２３が開放して当該ウエハが
半導体製造装置２内に移送される。このとき、移送空間
Ｔ内の圧力が低下した場合には、圧力センサ４５によっ
てそのことが検出され、所定の正圧になるまでガス導入
管３３の流量調節バルブ３３ａが開放する。そして移送
装置２１の移送アーム２１ａが移送口１７から退避する
と、開閉装置２３が閉鎖し、局所密閉型清浄装置１内は
再び密閉空間となり、インターフェース部３は、窒素ガ
ス雰囲気に封入された状態になる。

【００３４】そして半導体製造装置２での所定の処理が
終了したウエハを半導体製造装置２に受け取りにいく場
合には、移送口１７の開閉を担う開閉装置２３が開放し
て移送装置２１の移送アーム２１ａがこの処理済みウエ
ハを受け取り、次いでこの処理済みウエハをカセットＣ
ｘの所定のスロット内に収納する。また移送装置２１の
移送アーム２１ａが移送口１７から退避した時点で開閉
装置２３は移送口１７を閉鎖する。

【００３５】以上の一連のプロセスにおいて、ウエハを
移送している移送装置２１に対しては、ケミカルフィル
タ４３によって化学汚染物質が除去された後の清浄なダ
ウンフローが常に形成されているので、ウエハは化学汚
染物質に汚染されることはない。もちろん塵埃やその他
のパーティクルはフィルタ装置２４によって除去され
る。しかも局所密閉型清浄装置１内は窒素ガスが充満し
ているので、ウエハ表面に例えば自然酸化膜が形成され
ることはない。さらに制御装置Ｘによって制御される冷
却コイル４１、加熱コイル４２でダウンフローは所定の
温度に維持されるから、半導体製造装置２からの熱負荷
によって局所密閉型清浄装置１内の雰囲気の温度が上昇
してウエハの温度が上昇するのを避け、熱膨張による製
品の不良を防止できる。

【００３６】そしてもし何らかの事情でインターフェー
ス部３がおかれている雰囲気に、例えば多量の化学汚染
物質が発生した場合には、濃度センサ４６がそのことを
検出し、直ちにガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａ
が開放すると共に、排気管３５の流量調節バルブ３５ａ
が開放し、インターフェース部３がおかれている雰囲気
中の化学汚染物質が所定の濃度以下になるまでパージ運
転がなされる。かかる場合も局所密閉型清浄装置１内が
所定の正圧になるように、制御装置Ｘによって適正な制
御がなされている。したがって、化学汚染物質の発生源
がインターフェース部３がおかれている雰囲気中に存在
しても、常に所定の濃度（許容濃度）以下に保たれる。

【００３７】このように本実施形態にかかる局所密閉型
清浄装置１によれば、インターフェース部３がおかれて
いる雰囲気を常に清浄な窒素ガス雰囲気に保つことがで
きるので、ウエハが汚染されることはない。またウエハ
上に形成されるデバイスの電気特性が変化することも防
止でき、しかもウエハ上に不必要な自然酸化膜が形成さ
れることはない。また、局所密閉型清浄装置１に配置さ
れた機器自体や半導体製造装置２からの熱負荷によるウ
エハの温度上昇も抑えることができる。

【００３８】そのうえ局所密閉型清浄装置１内は常に正
圧に保たれているから、装置外からの塵埃やパーティク
ルの侵入を防止することが可能である。また局所密閉型
清浄装置１内に導入する窒素ガスの導入量は、これを必
要最小限に抑えることができるので、窒素ガスの量や導
入に要するエネルギーも最小限に抑えられている。そし
て局所密閉型清浄装置１内は密閉された空間であり、そ
の中を窒素ガスが循環しているので、ケミカルフィルタ
４３やフィルタ装置２４の寿命も長く、これらのメンテ
ナンスサイクルも長くなっている。

【００３９】ところで送風機３２のモータ３２ａから
は、ベアリングオイルなどから汚染物質が発生すること
があるが、モータ３２ａの近傍にも排気口３７が設定さ
れているので、そのようなモータ３２ａからの汚染物質
は、循環気流に混入させることなく、直ちに排気管３５
から装置外に排気することも可能である。

【００４０】なお前記実施形態においては、圧力センサ
４５の検出結果に基づいてガス導入管３３の流量調節バ
ルブ３３ａや排気管３５の流量調節バルブ３５ａを制御
して、局所密閉型清浄装置１内を正圧に保つように構成
していたが、一般的に圧力変動が大きいのは、移送口１
６、１７の開閉装置２２、２３の開閉のときである。し
たがって、これら開閉装置２２、２３の開閉に基づいて
ガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａや排気管３５の
流量調節バルブ３５ａを制御するように構成してもよ
い。

【００４１】また前記実施形態においては、ガス導入管
３３からは窒素ガスを導入するようにしていたが、これ
に代えて清浄な空気、好ましくは低露点の空気を導入す
るように構成してもよい。またダウンフローに代えて水
平層流を形成する構成としてもよく、その場合には、フ
ィルタ装置２４は、移送空間Ｔの側方に設置すればよ
い。

【００４２】さらに排気管３５の排気先は、クリーンル
ームＣＲの一般排気ダクトに接続したり、あるいはその
ままクリーンルームＣＲ外に排気するようにしてもよ
い。もちろん排気管３５からの排気が低濃度の場合に
は、一旦汚染物を除去した後、再びガス導入管３３に導
入して再び使用するようにすれば、使用する窒素ガスの
量を節約することが可能である。

【００４３】

【発明の効果】請求項１〜６の発明によれば、インター
フェース部を気密に閉鎖するチャンバ内に導入するガス
の有効利用を図りつつ、インターフェース部を当該ガス
雰囲気に保つことができる。しかも塵埃やパーティクル
を除去することが可能である。さらに電子部品製造装置
側からの熱負荷から電子部品を保護することもできる。
そしてインターフェース部自体から汚染物質が発生した
場合であっても、必要に応じて当該汚染物質を外部にパ
ージすることが可能である。

【００４４】特に請求項２、４の発明によれば、電子部
品の移送の際に外部からチャンバ内に汚染物質が流入す
ることを防止でき、インターフェース部のおかれている
雰囲気を、常に導入ガス雰囲気とすることができる。さ
らに請求項３の発明によれば、インターフェース部自体
やチャンバ内から汚染物質が発生しても、自動的に当該
汚染物質が所定値以下となるように制御され、チャンバ
内雰囲気を常に清浄に保つことが可能である。

【００４５】そして請求項５の発明によれば、電子部品
表面に酸化膜等、大気と反応した予期せぬ化学物質が形
成するのを防止でき、歩留まりを向上させることができ
る。また請求項６の発明では、移送装置やチャンバ構成
部材から微量に発生する有機物や、電子部品製造装置と
の間の移送口が開口した時などにチャンバ内に拡散する
可能性がある有機物、酸・塩基性ガス、ボロン、リン等
の化学汚染物質をも除去することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる局所密閉型清浄装
置の内部の様子を側面からみた説明図である。

【図２】本発明の実施の形態にかかる局所密閉型清浄装
置の内部の様子を正面からみた説明図である。

【図３】開放型の従来技術の説明図である。

【図４】密閉型の従来技術の説明図である。

【符号の説明】

１局所密閉型清浄装置２半導体製造装置３インターフェース部４基板搬送装置１６、１７移送口２２、２３開閉装置２４フィルタ装置２５プレナムチャンバ３１レタンダクト３２送風機３３ガス導入管３３ａ流量調節バルブ３４導入口３５排気管３５ａ流量調節バルブ３６、３７排気口４１冷却コイル４２加熱コイル４３ケミカルフィルタＴ移送空間Ｘ制御装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子部品製造装置と電子部品搬送装置と
の間で電子部品を移送するためのインターフェース部を
気密に閉鎖するチャンバと、前記チャンバにおける電子
部品製造装置側の側壁に形成された、インターフェース
部と電子部品製造装置との間で電子部品を移送するため
の第１の移送口と、前記チャンバにおける電子部品搬送
装置側の側壁に形成された、電子部品搬送装置とインタ
ーフェース部との間で電子部品を移送するための第２の
移送口と、前記第１、第２の各移送口を開閉自在な開閉
装置と、前記電子部品移送の際に電子部品が通過する移
送空間と、前記移送空間に清浄な空気を供給するための
フィルタ装置と、フィルタ装置からの吹き出し風速を一
様にするためのプレナムチャンバと、移送空間とプレナ
ムチャンバを結ぶレタンダクトと、前記チャンバ内にお
いてプレナムチャンバ、移送空間、レタンダクト、プレ
ナムチャンバと順に巡る循環気流を形成するための送風
機と、前記所定の気流の温度調整を行う温度調整手段
と、前記チャンバ内に外部からガスを導入するガス導入
手段と、前記チャンバ内の雰囲気を排気する排気手段
と、を備えてなる、局所密閉型清浄装置。
【請求項２】ガスの導入量を調整する導入量調整装置
を備え、少なくとも第１の移送口又は第２の移送口が開
放した際に、チャンバ内が正圧に保たれるように前記導
入量調整装置が制御されることを特徴とする、請求項１
に記載の局所密閉型清浄装置。
【請求項３】ガスの導入量を調整する導入量調整装置
と、チャンバ内の汚染物質の濃度を検出する検出装置を
備え、当該検出装置からの検出値が所定値以下となるよ
うに、導入量調整装置が制御されることを特徴とする、
請求項１又は２に記載の局所密閉型清浄装置。
【請求項４】排気量を調整する排気量調整装置とを備
え、少なくとも第１の移送口又は第２の移送口が開放し
た際に、チャンバ内が正圧に保たれるように前記排気量
調整装置が制御されることを特徴とする、請求項１、２
又は３に記載の局所密閉型清浄装置。
【請求項５】ガス導入手段によってチャンバ内に導入
されるガスは、不活性ガスであることを特徴とする、請
求項１、２、３又は４に記載の局所密閉型清浄装置。
【請求項６】循環気流中のガス状不純物を除去する手
段を備えたことを特徴とする、請求項１、２、３、４又
は５に記載の局所密閉型清浄装置。