JP2006216803A

JP2006216803A - 処理装置

Info

Publication number: JP2006216803A
Application number: JP2005028388A
Authority: JP
Inventors: Katsuhiro Tetsuya; 克浩鉄屋; Yoshio Sawara; 良夫佐原; Masao Ono; 正雄大野
Original assignee: Daikin Industries Ltd
Current assignee: Daikin Industries Ltd
Priority date: 2005-02-04
Filing date: 2005-02-04
Publication date: 2006-08-17

Abstract

【課題】薬液槽等のケミカル成分発生源を収容した物品処理ユニット内の空気を循環する処理装置において、物品処理ユニット内のケミカル成分濃度の変化に対応する新規な循環空気の制御システムを提案する。
【解決手段】
物品処理ユニットＵ１内の筺体１にケミカル成分発生源となる薬液槽６を設置し、前記物品処理ユニットＵ１内の空気Ａ１を循環させる空気循環ライン６０にケミカル成分を除去する空気浄化ユニットＵ２と空気の一部Ａ４を排出する排気ライン６１と補充空気Ａ５を供給する給気ライン６２とを接続してなる処理装置において、前記物品処理ユニットＵ１内のケミカル成分濃度を濃度変化検知手段により検知して該ケミカル成分濃度に応じて前記空気循環ライン６０からの排気Ａ４の風量及び／又は前記空気循環ライン６０内へ補給する補充空気Ａ５の風量を制御するようにした空気循環制御手段をそなえる。
【選択図】図１

Description

本願発明は、例えば、半導体基板の洗浄処理のように、その処理工程において有害物質が発生する処理装置の構造に関するものである。

例えば、半導体基板等の製造は、空気中の塵埃による品質低下を回避する観点から、通常、クリーンルーム内で行なわれるが、その製造工程の中には、基板等を薬液を用いて洗浄する洗浄工程とか、有機溶剤を基板等に塗布する塗布工程のように、その処理作業に伴って有害物質が蒸発して周囲の空気中に混入し有害雰囲気（汚染空気）を生成する工程も有る。このような汚染空気がクリーンルーム内に漏洩すると、クリーンルーム内の清浄な環境を悪化させることになるため、通常、このような有害物質の発生が予想される処理工程は、クリーンルーム内の空間から隔絶された環境にある個別の処理装置内で行なわれる。

そして、このような処理装置としては、洗浄装置の例について説明すると、
（１）処理用の薬液が貯留された薬液槽の上方側に、該薬液槽側に向けてダウンフロー気流を吹出すダウンフロー発生部を配置し、該薬液槽側にダウンフロー気流を吹付けながら洗浄作業を行なう処理ユニットのみを備え、ダウンフロー発生部にクリーンルーム内の空気を給気するとともに、上記薬液槽側において発生した有害物質を含む汚染空気を排気としてその全量を外部へ排出する所謂「完全排気式」の処理装置と、
（２）上記処理ユニットに加えて、該処理ユニットにおいて発生した有害物質を含んだ汚染空気を該処理ユニット側から取り出して有害物質を除去し、これを清浄化してその全量を再度処理ユニット側へ還流させる空気浄化ユニットを付設した「完全循環式」の処理装置（例えば、特許文献１、特許文献２参照）と、
（３）上記「完全循環式」の構成を基本とした上で、上記処理ユニットからの汚染空気の一部をそのまま外部へ排出し、それ以外の汚染空気はこれを上記処理ユニット側から空気浄化ユニットに導入し有害物質を除去してこれを清浄化し、再度、処理ユニット側へ還流させる一方、外部へ排気として排出される空気量に略見合う量のクリーンルーム内空気を給気として上記ダウンフロー発生部へ供給するようにした「一部循環式」の処理装置（例えば、特許文献３参照）が、従来から知られている。

しかし、これら各種の処理装置のうち、上記「完全排気式」の処理装置は、外部への排気量が多く排気動力費が嵩むとともに、クリーンルーム内の恒温・恒湿に調製された空気を外部へ放出するため極めて不経済である等のことから、「完全循環式」、「一部循環式」の処理装置が考え出された。

特開２００４−２０１２０号公報（段落「００１４」、「００１５」、「００１７」，「００２８」、図１）特開２００２−３０１３３２号公報（段落「００１３」〜「００１４」「００４１」〜「００４３」、図１）特開２００２−３０１３３２号公報（段落「００５１」〜「００５４」、「図４」）。

ところで、上記の循環式処理装置のうちでも、完全循環式の処理装置は、ケミカル成分を完全除去する性能をもたせなければならず、装置全体が大型化するとともに、ケミカル成分の完全除去に要するランニングコストが大幅に上昇するという問題がある。

そのため、本願発明は、一部循環式の処理装置を対象として、その有利な構成（特に循環空気の制御システム）を提案することを目的とするものである。

すなわち、これをさらに具体的にいうと、本願発明が対象とする処理装置は、密閉された筺体内に半導体基板等の被処理物品を処理するための薬液槽等の物品処理手段を収容しており、筺体内にはこの物品処理手段から発生するケミカル成分が漏洩し、筺体内の雰囲気を汚染する。しかし、この筺体内におけるケミカル成分濃度は常に一定ではなく、処理装置の運転状況（たとえば、薬液槽の蓋を開いて該薬液槽に対して半導体基板等の被処理物品を出し入れする状況や、薬液槽の蓋を密閉して薬液槽内で被処理物品を処理する状況等）に応じて大きく変化する。また、何らかの装置異常による一時的なケミカル成分濃度の急上昇などによっても処理装置の筺体内におけるケミカル成分濃度が急変する場合がある。

上記のように処理装置の物品処理ユニット内におけるケミカル成分濃度は、常に一定でないにもかかわらず、上記公知の文献等においても、そのような処理装置の物品処理ユニット内におけるケミカル成分濃度の変化に対する対応手段が示されていない。

本願発明は、上記のような事情に鑑みてなされたもので、一部循環式の処理装置において、物品処理ユニット内のケミカル成分濃度の変化に対応する新規な循環空気の制御システムを提案しようとするものである。

本願発明は、上記の課題を解決するためになされたので、図１，図２に例示するように、筺体１内に薬液槽６等のケミカル成分発生源を有してなる物品処理ユニットＵ１内に空気Ａ１を循環させる空気循環ライン６０の途中に前記空気循環ライン６０を流通する空気からケミカル成分を除去する空気浄化ユニットＵ２を設ける一方、前記空気循環ライン６０に該空気循環ライン６０から空気の一部Ａ４を排出する排気ライン６１と該空気循環ライン６０に補充空気Ａ５を供給する給気ライン６２とを接続してなる処理装置において、前記物品処理ユニットＵ１内のケミカル成分濃度を濃度変化検知手段により検知して該ケミカル成分濃度に応じて前記空気循環ライン６０からの排気Ａ４の風量及び／又は前記空気循環ライン６０内へ補給する補充空気Ａ５の風量を制御するようにした空気循環制御手段をそなえたことを基本的特徴とするものである。この場合において、前記濃度変化検知手段は物品処理ユニットＵ１内のケミカル成分濃度変化を直接的に検知するケミカル成分濃度センサＳであってもよく、または、何らかの手段で物品処理ユニットＵ１内のケミカル成分濃度変化を間接的に検知する手段であってもよい。

本願発明の処理装置においては、物品処理ユニットＵ１内におけるケミカル成分濃度が予じめ設定した濃度をこえないように、空気循環制御手段による排気Ａ４の風量と補充空気Ａ５の風量の制御が行われる。

本願発明の処理装置においては、また、物品処理ユニットＵ１内における循環空気Ａ２の風速が予じめ設定した許容値範囲にあるように、空気循環ライン６０における全風量が制御されるようにすることが推奨される。

本願発明の処理装置においては、さらに、物品処理ユニットＵ１内において、ロボット等から発生する各種粒子状有害物質の汚染度及び物品処理ユニットＵ１内におけるケミカル成分濃度がそれぞれ予じめ設定した値をこえないように（たとえば、ＪＩＳ：Ｃｌａｓｓ１以下）空気循環ライン６０における全風量、排気ライン６１による排気風量及び給気ライン６２による補充空気風量が制御されることが推奨される。

本願発明の処理装置においては、以上に加えて、物品処理ユニットＵ１内におけるケミカル成分濃度が予じめ設定した数値をこえて急上昇したときに、排気Ａ４の排出が最大となるように制御が行われるようにすることが望ましい。

本願発明は、上記のように、筺体１内に薬液槽６等のケミカル成分発生源を有してなる物品処理ユニットＵ１内に空気Ａ１を循環させる空気循環ライン６０の途中に前記空気循環ライン６０を流通する空気からケミカル成分を除去する空気浄化ユニットＵ２を設ける一方、前記空気循環ライン６０に該空気循環ライン６０から空気の一部Ａ４を排出する排気ライン６１と該空気循環ライン６０に補充空気Ａ５を供給する給気ライン６２とを接続してなる処理装置において、前記物品処理ユニットＵ１内のケミカル成分濃度を濃度変化検知手段により検知して該ケミカル成分濃度に応じて前記空気循環ライン６０からの排気Ａ４の風量及び／又は前記空気循環ライン６０内へ供給する補充空気Ａ５の風量を空気循環制御手段により制御するようにしたものであるから、基板処理ユニットＵ１内の空気汚染度（ケミカル成分濃度）に応じた適切な排気Ａ４の量及び補充空気Ａ５の補給量を設定することができ、処理装置の円滑な運転とランニングコストの低減を図ることができる。

本願発明の処理装置では、その際、物品処理ユニットＵ１内におけるケミカル成分濃度が予じめ設定した濃度をこえないように、空気循環制御手段による排気Ａ４の風量と補充空気Ａ５の風量の制御が行われるようにされているから、処理装置の安定した連続操業に寄与する効果がある。

また、本願発明の処理装置において、物品処理ユニットＵ１内における循環空気Ａ２の風速が予じめ設定した許容値範囲にあるように、空気循環ライン６０における全風量が制御されるようにすれば、物品処理ユニットＵ１内において、ロボット等から発生する微粒子状物質が飛散することがなく、物品処理ユニットＵ１内の雰囲気を良好に維持することができる。

さらに、本願発明の処理装置において、物品処理ユニットＵ１内におけるケミカル成分濃度が予じめ設定した数値をこえて急上昇したときに、排気Ａ４の排出が最大となるように制御が行われるようにしておけば、何らかの理由で物品処理ユニットＵ１に異常が発生しても、同物品処理ユニットＵ１内の雰囲気悪化を可及的に抑制することができる。

次に添付の図面を参照して本願発明の好適な実施例を説明すると、図１及び図２には密閉筺体１内に被処理物品（半導体基板等）Ｗを薬液Ｌで化学処理するための薬液槽（特許請求の範囲中の「ケミカル成分発生源」に該当する）６を収容した基板処理ユニット（特許請求の範囲中の「物品処理ユニット」に該当する）Ｕ１が示されており、図１は薬液槽６の蓋体７を開放して薬液槽６に対して被処理物品Ｗを出し入れしている状態を示し、図２は薬液槽６を蓋体７で密閉して被処理物品Ｗを薬液処理している状態を示している。なお、蓋体７の開閉及び被処理物品Ｗの薬液槽６への出し入れ、搬入・搬出は図示していないロボットを使用して行うようになっている。

筺体１には上部１Ａからケミカル成分等の有害物質をほとんど含まない空気（浄化循環空気）Ａ１が供給され、その循環空気Ａ１は微粒子フィルター８を通って微粒子を除去されたあと、ダウンフロー気流Ａ２となり、さらに薬液槽６周辺でケミカル成分等の有害物質を含んだ有害物質含有空気となるが、同有害物質含有空気Ａ３は空気浄化ユニットＵ２を通ってケミカル成分等の有害物質を除去され、さらに温湿度制御装置Ｔで必要とされる温度と湿度を与えられたあと、ファン（循環ファン）２５により浄化循環空気Ａ１として筺体１内に循環供給される。

この実施例では、この一連の空気循環径路を空気循環ライン６０という。この空気循環ライン６０の途中で、筺体１の底部１Ｂと空気浄化ユニットＵ２の間には開度調節可能なバルブ（排気バルブ）Ｖ１が設けられており、この排気バルブＶ１が開かれたときには有害物質含有空気Ａ３の一部（排気）Ａ４がファン（排気ファン）２６により排気ライン６１から排出されるようになっている。

また、空気循環ライン６０の途中で、空気浄化ユニットＵ２と温湿度制御装置Ｔの間にも開度調節可能なバルブ（給気バルブ）Ｖ２が設けられており、この給気バルブＶ２が開かれたときには、給気ライン６２からクリーンルームＲ内の清浄な空気（給気）Ａ５が空気循環ライン６０に供給されるようになっている。図１及び図２において符号Ｓは筺体１内のケミカル成分の濃度を測定する濃度センサ（特許請求の範囲中の「濃度変化検知手段」に該当する）、Ｍは筺体１内でロボット等から発生する微粒子状有害物質（パーティクル）を測定するパーティクルモニタ、Ｄは排気バルブＶ１及び給気バルブＶ２の開閉、循環ファン２５及び排気ファン２６の回転等を制御するコントローラ（特許請求の範囲中の「空気循環制御手段」に該当する）を示している。なお、給気バルブＶ２の位置は、図示の実施例に限定されず、空気浄化ユニットＵ２の前でもよく、また、循環ファン２５の位置も図示の位置に限定されないものとする。

続いて、図１及び図２に示す実施例の処理装置における循環空気の制御方法について図３に示す制御サイクル説明図を併用して説明すると、図１及び図２に示す実施例では、薬液槽６の蓋体７を開いて（図１）、薬液槽（ケミカル成分発生源）６に対して基板（被処理物品）Ｗを出し入れするのに要する時間（基板搬送時間）を２０秒とし、薬液槽６の蓋体７を閉じて（図２）、薬液槽６内で基板Ｗを薬液処理するのに要する時間（基板処理時間）を１２０秒としており、両者を合わせた１サイクルの時間は１４０秒である。

図１及び図２に示す実施例の処理装置では、物品処理ユニットＵ１内でのケミカル成分濃度の許容上限値を１ｐｐｂとしており、空気浄化ユニットＵ２にその許容上限値に見合った空気浄化性能を付与している（この実施例では、ケミカル成分除去率を９５％としている）。

また、この実施例の処理装置では、薬液槽６の蓋体７の開放時すなわち、基板搬送時間中（図１）には、薬液槽６から２００μｇ／ｍｉｎ程度のケミカル成分Ｇが筺体１内に放出され、薬液槽６の蓋体７の閉鎖時、すなわち基板処理時間中（図２）には、薬液槽６から２０μｇ／ｍｉｎ程度のケミカル成分Ｇが放出される。その結果、基板搬送時間中（２０秒：図１）においては、筺体１内の上部領域１Ｃにおけるケミカル成分濃度は１μｇ／ｍ³、筺体１内の下部側領域１Ｄにおけるケミカル成分濃度は２１μｇ／ｍ³程度となり、一方、基板処理時間中（１２０秒：図２）においては、筺体１内の上部領域１Ｃにおけるケミカル成分濃度は０．１μｇ／ｍ³程度、筺体１内の下部側領域１Ｄにおけるケミカル成分濃度は２．１μｇ／ｍ³程度となる。

図示の実施例では、上記操業条件に合わせて、浄化循環空気Ａ１の全風量を１０ｍ³／ｍｉｎ、基板搬送時の排気Ａ４の風量を５ｍ³／ｍｉｎ、給気Ａ５の風量を５ｍ³／ｍｉｎとしている（基板処理時は、それぞれ０ｍ³／ｍｉｎ）。このため、１サイクル（１４０秒）中の平均排気量は０．７１ｍ³／ｍｉｎとなり、全量排気（１０ｍ³／ｍｉｎ）の場合の７．１％程度となる。

上記実施例のような制御方式とした場合には、装置内の環境を「完全排気式処理装置」の場合と同程度に維持しつつ、排気排出量の低減による排出動力費及びクリーンルーム内空調費の削減がはかれるものである。

なお、図示の処理装置においては、物品処理ユニットＵ１内での基板搬送や、蓋体開閉のためのロボットが装備されている。そして当該ロボットからは微粒子状有害物質（パーティクル）が発生するが、そのようなパーティクルが基板Ｗに付着するのを防止するために、物品処理ユニットＵ１内における空気流速（換言すれば循環風量）を一定許容値範囲（たとえば、０．２〜０．５ｍ／ｓｅｃ）に抑制してパーティクル飛散を防止するようにしている。

上記のように、図示実施例の処理装置においては、１サイクルの基板処理サイクルの中でも筺体１内におけるケミカル成分発生条件が異なるため、図示の処理装置においては本願発明の技術思想を応用して次のように空気送風状態を制御するようにしている。

すなわち、図示の実施例の処理装置では、物品処理ユニットＵ１内での許容最大風速を考慮して物品処理ユニットＵ１へ供給される浄化循環風量（Ａ１）を１０ｍ³／ｍｉｎ程度としている。

物品処理ユニットＵ１内のケミカル成分濃度はケミカル成分濃度センサＳにより、また、パーティクル発生量はパーティクルモニタＭにより検出されてそれぞれコントローラＤに入力されるが、コントローラＤは、これらの検出値に応じて排気バルブＶ１、給気バルブＶ２の開閉（及び開度）を制御し、さらに循環ファン２５、排気ファン２６の回転数を制御する。

コントローラＤは、ケミカル成分濃度センサＳの検知による物品処理ユニットＵ１内のケミカル成分濃度が上昇すれば、排気バルブＶ１を開いて（又は開度を大きくして）有害物質含有空気Ａ３の一部（排気）Ａ４を空気循環ライン６０外へ排出し、それとともに給気バルブＶ２を開いて（又は開度を大きくして）前記排気Ａ４に見合うだけのクリーンルーム内の清浄空気Ａ５を空気循環ライン６０に補給する。一方、コントローラＤは、上記と逆の場合、すなわち、ケミカル成分濃度センサＳの検知による物品処理ユニットＵ１内のケミカル成分濃度が下降すれば、排気バルブＶ１を閉じて（又は開度を小さくして）排気Ａ４の排出を中止し（又は排気量を減少させ）、それとともに給気バルブＶ２を閉じて（又は開度を小さくして）空気循環ライン６０への清浄空気Ａ５の補給を中止（又は補給
量を減少）する。

さらに、何らかの原因で物品処理ユニットＵ１内のケミカル成分濃度が急上昇した場合には、排気バルブＶ１と給気バルブＶ２を最大開度まで開いて排気Ａ４の量を最大にする。ただし、上記いずれの場合においても、パーティクルモニタＭにより検出されるパーティクル量に応じて、物品処理ユニットＵ１内における風速が予じめ設定している許容値範囲にあるように循環ファン２５及び排気ファン２６の回転数を制御する。

続いて本願発明の処理装置を構成する全ての各種構成要素（物品処理ユニットＵ１、空気浄化ユニットＵ２及びそれらの各ユニットＵ１，Ｕ２を構成するための各種機器、部材、及びそれらの各ユニットＵ１，Ｕ２に付設される各種機器、部材等）に関連する具体的構成例について説明する。なお、以下の説明文及び図４ないし図２２の記述は、全て必要に応じて、本願の各請求項に記載される発明及びその発明の詳細な説明のための記述としても使用できるものである。

以下、本願発明の処理装置に関連する各種機器の具体的構成例について説明する。

物品処理ユニット（基板処理ユニット）Ｕ１と空気浄化ユニットＵ２の一体化
本願発明が対象とする循環式の処理装置は、上述のように、装置の本体部をなす物品処理ユニットＵ１に空気浄化ユニットＵ２を付設した構成を基本としているが、この空気浄化ユニットＵ２における有害物質除去機構としては、例えば、噴霧ノズルから噴射される噴霧に有害物質を含む汚染空気を接触させて水粒子に有害物質を吸着させて除去する噴霧式（例えば、特許文献２参照）とか、散水ノズルから噴射される水を充填材に浸透させ、該充填材において有害物質を含む汚染空気を接触させ、水に有害物質を吸収させて除去する散水式（特許文献１参照）とか、滴下ノズルから滴下される水を充填材に浸透させ、該充填材において有害物質を含む汚染空気を接触させ、水に有害物質を吸収させて除去する滴下式、等の直接接触式除去機構が採用されるのが通例であった。

しかし、このような直接接触式除去機構を採用した空気浄化ユニットにおいては、処理水を受けるドレンパンを備えることが必須であり、且つ該ドレンパンはその機能上、上方に開口した設置形態をとることが必要であることから、処理装置の設計時において上記空気浄化ユニットの設置形態が制約され、その設計自由度が低く、場合によっては、設置スペース上の制約から処理装置そのものの設置が困難になることも有り得る。

また、直接接触式除去機構を採用した空気浄化ユニットにおいては、ドレンパンの設置が必要であるとともに、処理水と汚染空気との適正な接触状態を確保するために比較的大きな内部スペースを必要とする、等のことから、空気浄化ユニットそのものが大型化する。そのため、この空気浄化ユニットを物品処理ユニットと一体的に形成することは構造上及び設置上において困難であり、例えば、特許文献１に示されように、個別に製作された物品処理ユニットと空気浄化ユニットを並置し且つこれら両者を複雑に屈曲したダクトで接続する構成を採用せざるを得ず、その結果、処理装置の設置自由度が阻害されるとともに、その製造に伴うイニシャルコストが高くつくという問題もあった。

一方、その他の有害物質除去機構として、ケミカルフィルタ（例えば、特許文献１参照）を用いたものもあるが、このケミカルフィルタは低濃度のケミカル成分を捕集除去する場合に適したものであるため、除去能力維持期間（耐用年数）が短く、常時汚染空気が循環する環境下での使用には不向きである。

そこで図４〜図８に示す関連構成例では、イニシャルコスト及びランニングコストが低廉で、且つ設置自由度の高い処理装置を提供することを目的として構成されている。

すなわち、、図４〜図８の５つの関連構成例では、処理工程において有害物質を発生する処理部１５と該処理部１５に向けてダウンフロー気流を吹出すダウンフロー発生部１６を設けた物品処理ユニットＵ１と、空気入口３２から導入される有害物質を含む汚染空気を浄化して清浄空気を空気出口３４から吹出す空気浄化ユニットＵ２を備えるとともに、上記物品処理ユニットＵ１の上記処理部１５と上記空気浄化ユニットＵ２の空気入口３２とを、また上記物品処理ユニットＵ１の上記ダウンフロー発生部１６と上記空気浄化ユニットＵ２の空気出口３４とを、それぞれ接続して空気循環系を構成した処理装置において、上記空気浄化ユニットＵ２を、気体の透過を許容し水の透過を阻止する性状をもつ多孔膜の一方側に汚染空気を、他方側に水をそれぞれ流し、多孔膜を透過する汚染空気中の有害物質を水に溶解させて除去する有害物質除去部２２を備えた構成とするとともに、上記物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を一体構造物としたことを共通の構成している。

また、図５〜図７の構成例では、上記共通の構成に加えて、上記物品処理ユニットＵ１の上記処理部１５と上記空気浄化ユニットＵ２の上記空気入口３２と、上記物品処理ユニットＵ１の上記ダウンフロー発生部１６と上記空気浄化ユニットＵ２の上記空気出口３４とを、それぞれ接続ダクト２７，２８を介して接続した構成としている。

また、図８の構成例では、上記共通の構成に加えて、上記物品処理ユニットＵ１の上記ダウンフロー発生部１６がその上面にファン９に臨むファン吸込口１８を備えた構成であって、該ファン吸込口１８と上記空気浄化ユニットＵ２の空気出口３４とを接続ダクト２９によって接続した構成としている。

また、図４〜図８の各構成例では、上記共通の構成に加えて、上記物品処理ユニットＵ１の上記ダウンフロー発生部１６に給気する給気口１１を設けるとともに、上記処理部１５に外部排出路１４を設けた構成としている。

また、図４，５，７の各構成例では、上記共通の構成に加えて、上記給気口１１の近傍に、該給気口１１から導入される給気と上記空気浄化ユニットＵ２側から還流される清浄空気を混合させる混合チャンバー１３を設けた構成としている。

また、図４，８の構成例では、上記共通の構成に加えて、上記空気浄化ユニットＵ２を、上記有害物質除去部２２内を空気が垂直方向に流れるように配置される構造としている。

また、図５，６の構成例では、上記共通の構成に加えて、上記空気浄化ユニットＵ２を、上記有害物質除去部２２内を空気が水平方向に流れるように配置される構造としている。

図４〜図８の各構成例では、上記のような構成により、次のような効果が得られる。

（ａ）先ず図４〜図８の各構成例によれば、処理工程において有害物質を発生する処理部１５と該処理部１５に向けてダウンフロー気流を吹出すダウンフロー発生部１６を設けた物品処理ユニットＵ１と、空気入口３２から導入される有害物質を含む汚染空気を浄化して清浄空気を空気出口３４から吹出す空気浄化ユニットＵ２を備えるとともに、上記物品処理ユニットＵ１の上記処理部１５と上記空気浄化ユニットＵ２の空気入口３２とを、また上記物品処理ユニットＵ１の上記ダウンフロー発生部１６と上記空気浄化ユニットＵ２の空気出口３４とを、それぞれ接続して空気循環系を構成した処理装置において、上記空気浄化ユニットＵ２を、気体の透過を許容し水の透過を阻止する性状をもつ多孔膜の一方側に汚染空気を、他方側に水をそれぞれ流し、多孔膜を透過する汚染空気中の有害物質を水に溶解させて除去する有害物質除去部２２を備えた構成とするとともに、上記物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を一体構造物として構成しているので、
（ａ−１）例えば、従来の処理装置のように、物品処理ユニットと空気浄化ユニットが別体構成であってこれら両者を複雑に屈曲した長大なダクトで接続する構成のものに比して、構造の簡略化及びコンパクト化が促進され、その結果、処理装置のイニシャルコストの低減と、占有スペースの狭小化による設置自由度の向上が図れる、
（ａ−２）上記有害物質除去ユニットＵ２を、多孔膜の透過作用を利用した有害物質除去部２２で構成したことから、例えば、有害物質除去部を噴霧式とか散水式等の直接接触式除去機構で構成した従来の処理装置のように、該有害物質除去部２２の設置形態が垂直通風配置に限定されることなく、垂直通風配置でも水平通風配置でも必要に応じてその設置形態を選択可能であり、上記有害物質除去ユニットＵ２、更には物品処理ユニットＵ１も含んだ処理装置全体のレイアウトの自由度が高く、それだけ処理装置の汎用性が向上することになる。
（ａ−３）上記有害物質除去ユニットＵ２を、多孔膜の透過作用を利用した有害物質除去部２２で構成したことから、例えば、有害物質除去部を噴霧式とか散水式等の湿式除去機構で構成した従来の処理装置のように、ドレンパンを付設する必要が無く、また処理水と汚染空気との適正な接触状態を得るための大きな内部スペースを確保する必要がないことから、上記有害物質除去ユニットＵ２の構造の簡略化及びそのコンパクト化が促進され、処理装置全体としてのイニシャルコストの低減が図れるとともに、その設置自由度の更なる向上が期待できる。

（ｂ）また、図５，６，７の各構成例の場合は、上記物品処理ユニットＵ１の上記有害物質発生部１５と上記空気浄化ユニットＵ２の上記排気導入口３２と、上記物品処理ユニットＵ１の上記ダウンフロー発生部１６と上記空気浄化ユニットＵ２の上記空気出口３４とを、それぞれ接続ダクト２７，２８を介して接続しているので、上記接続ダクト２７，２８の形状変更のみによって、上記物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を一体構造物として形成したことによるコンパクト化という利点を確保しつつ、処理装置の設置形態の自由度をさらに高めることができる。

（ｃ）また、図８の構成例の場合は、上記物品処理ユニットＵ１の上記ダウンフロー発生部１６が上記ファン９に臨んでファン吸込口１８を備えた構成、即ち、従来の完全排気式の処理装置におけるダウンフロー発生部１６の構成をもつものにおいて、該ファン吸込口１８と上記空気浄化ユニットＵ２の空気出口３４とを接続ダクト２９によって接続しているので、例えば、完全排気式の処理装置に上記有害物質除去ユニットＵ２を付設することで、容易に完全循環式あるいは一部循環式の処理装置とすることができ、既存設備の高機能化を実現できる。

（ｄ）また、図４〜図８の各構成例の場合では、上記物品処理ユニットＵ１の上記ダウンフロー発生部１６に給気する給気口１１を設ける一方、上記有害物質発生部１５に外部排出路１４を設けているので、即ち、処理装置を一部循環式に構成したので、上記給気口１１から導入される給気と上記有害物質除去ユニットＵ２側から還流される清浄空気の混合空気が上記ダウンフロー発生部１６にダウンフロー気流として吹出されることから、例えば、給気の供給がない完全循環式の場合に比してダウンフロー気流中の有害物質濃度が低く、またこのダウンフロー気流に上記処理部１５から発生した有害物質が含まれた汚染空気の一部は上記外部排出路１４から外部に排出されるので、上記有害物質除去ユニットＵ２側に導入される汚染空気の有害物質濃度は低く抑えられ、その結果、該空気浄化ユニットＵ２における浄化負担の軽減が可能となる。

（ｅ）また、図４，５，７の各構成例の場合は、上記給気口１１の近傍に、該給気口１１から導入される外気と上記空気浄化ユニットＵ２側から還流される清浄空気を混合させる混合チャンバー１３を設けているので、該混合チャンバー１３において上記給気と微少ながらも有害物質を含んだ上記清浄空気とが効率よく混合され、上記ダウンフロー発生部１６からのダウンフロー気流においては有害物質濃度が可及的に均等化され、その結果、上記有害物質除去ユニットＵ２側に導入される汚染空気における有害物質濃度が均等化される。

さらに、図４〜図８の各構成例のものは、一部循環式の処理装置であることから、例えば、完全循環式の処理装置の場合に比して、上記有害物質除去ユニットＵ２における有害物質の除去率を比較的低く設定することができ、その結果、上記有害物質除去ユニットＵ２の構造の簡略化、小型化、及び低性能化が可能であって、それだけ処理装置全体としてのイニシャルコストの更なる低減が図れる。

（ｆ）また、図４，５，８の各構成例の場合は、上記空気浄化ユニットＵ２を、上記有害物質除去装置２２内を空気が垂直方向に流れるように配置される構造としているので、水平方向よりも垂直方向にスペース的な余裕がある場所に設置するに好適な処理装置を得ることができる。

（ｇ）また、図６の構成例の場合は、上記空気浄化ユニットＵ２を、上記有害物質除去装置２２内を空気が水平方向に流れるように配置される構造としているので、垂直方向よりも水平方向にスペース的な余裕がある場所に設置するに好適な処理装置を得ることができる。

以下、図４〜図８の各関連構成例のさらに詳細な具体的態様について具体的に説明する。

詳細な具体的態様例１
図４には、詳細な具体的態様例１として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ１を示している。

上記処理装置Ｚ１は、次述する物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を備えて構成されるものであって、これら二つのユニットを一体化した一体構造物とされ、恒温恒湿に環境調整されたクリーンルーム内に設置される。

「物品処理ユニットＵ１の構成」
上記物品処理ユニットＵ１は、閉鎖空間をもつ筐体１を備える。この筐体１は、その内部空間を、上部側に位置し且つ開口３７を備えた隔壁３５と下部側に位置し且つ多数の通孔３８を備えた隔壁３６とによって上下方向に三つに区画して、上下方向中央に位置する処理室２と、該処理室２の上側に位置する給気室３と、上記処理室２の下側に位置する排気室４を形成している。そして、上記処理室２側には次述の処理部１５が、上記給気室３側には次述のダウンフロー発生部１６が、それぞれ設けられている。

上記処理部１５は、上記隔壁３６の略中央位置に、その開口部を上記処理室２に臨ませて固定配置された薬液槽６を備えて構成される。この薬液槽６内には、基板Ｗの洗浄処理に使用される薬液Ｌが所定量貯留されている。そして、上記基板Ｗの洗浄処理時には、上記薬液Ｌ内に上記基板Ｗが、図示しない作業手段（ロボット）によって浸漬される。尚、上記薬液槽６の底部側は、上記排気室４内に突出している。

上記ダウンフロー発生部１６は、上記処理部１５側に向けてダウンフロー気流Ａ２を吹出すもので、上記隔壁３５の上記開口３７に取り付けた微粒子フィルター８と、該微粒子フィルター８に対向するようにして上記給気室３内に配置したファン９を備えて構成される。

また、上記筐体１の上記給気室３の上側隅部の上面側にはプレフィルター１２を備えた給気口１１が、また該上側隅部分の側面側には次述の空気浄化ユニットＵ２が接続される還流口１０が、それぞれ設けられている。さらに、上記筐体１の上記排気室４の底面側には、外部排出路１４が接続されている。

「空気浄化ユニットＵ２の構成」
上記有害物質除去ユニットＵ２は、縦長の閉鎖空間をもつ筐体２１内に、次述の有害物質除去部２２と循環ファン２５を、該有害物質除去部２２の上側に上記循環ファン２５が位置するように配置して構成される。そして、上記筐体２１の下端部には空気入口３２が、上端部には空気出口３４が、それぞれ設けられている。

ここで、上記有害物質除去ユニットＵ２の具体的な構成を、図９を参照して説明する。上記有害物質除去ユニットＵ２は、上述のように、縦長の筐体２１内に上記有害物質除去部２２と循環ファン２５を配置して構成されるものであるが、この詳細な具体的態様例１においては上記有害物質除去部２２の構成に最大の特徴を有している。

即ち、この詳細な具体的態様例１においては、上記有害物質除去部２２を、気体の透過を許容し水の透過を阻止する性状をもつ多孔膜を用いて構成している。具体的には、多孔膜で構成された扁平筒状の扁平筒状素子（図示省略）を所定間隔で積層してなる枠状の多孔膜エレメント２３を所定枚数積層し、該各扁平筒状素子内の空間を水流路（図示省略）とし、該各扁平筒状素子間の対向空間及び各多孔膜エレメント２３，２３間の対向空間をそれぞれ空気流路（図示省略）とするとともに、各多孔膜エレメント２３，２３，・・の側部に水循環部２４を配置して構成される。尚、上記空気流路は上記筐体２１の内部空間（即ち、汚染空気の流路）に連通し、上記水流路は上記水循環部２４に連通している。

そして、上記筐体２１の空気入口３２から導入される有害物質（ガス成分）を含んだ汚染空気を上記空気流路に順次流す一方、上記水流路に上記水循環部２４側から水を流すと、上記汚染空気が上記空気流路内を流れる間に該汚染空気に含まれている有害物質が上記多孔膜を上記空気流路側から上記水流路側へ透過し、該水流路内を流れる水に溶解され、これによって、汚染空気の清浄化が図られものである。従って、上記有害物質除去部２２を通過して上記筐体２１の上記空気出口３４から送出される空気は有害物質濃度の極めて低い比較的清浄な空気とされる。

尚、上記水循環部２４には、水流入路４５と水流出路４６が接続されており、該水流入路４５から上記水循環部２４に流入する清浄な水は、該水循環部２４を流通する間に有害物質を溶解し、汚染水として上記水流出路４６から外部へ排出される。

このように、上記有害物質除去ユニットＵ２の有害物質除去部２２を多孔膜の透過作用を利用した構成とすれば、該有害物質除去部２２に供給される汚染空気と水は共に閉鎖された流路内を流れることから、上記有害物質除去ユニットＵ２の配置形態が重力方向によって制約されることがない。このため、図４及び図９に示すように、上記有害物質除去ユニットＵ２を垂直通風配置（即ち、上記各孔膜エレメント２３が垂直方向に積層された配置構造）としたり、図１０に示すように水平通風配置（即ち、上記各孔膜エレメント２３が水平方向に積層された配置構造）とする等、該空気浄化ユニットＵ２の設置形体を必要に応じて任意に設定することができる。

再び、図４に戻って、上述の如く構造された上記有害物質除去ユニットＵ２は、上記物品処理ユニットＵ１と一体化され、一体物としての処理装置Ｚ１を構成する。即ち、上記物品処理ユニットＵ１の上記空気出口３１と上記有害物質除去ユニットＵ２の上記空気入口３２を、また、上記物品処理ユニットＵ１の上記還流口１０と上記有害物質除去ユニットＵ２の上記空気出口３４を、それぞれ接続し、これら物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２の間に空気の循環系を構成する。

尚、上記有害物質除去ユニットＵ２の上記空気出口３４と上記物品処理ユニットＵ１側の上記給気口１１とは近接状態で直交方向に指向している。従って、上記給気口１１からの給気Ａ６と上記空気出口３４からの還流空気Ａ１は、上記給気室３に流入した際に衝突するが、この衝突による混合作用をさらに促進させるために、この詳細な具体的態様例１では上記空気出口３４の下側縁部に略水平に向けてバファ壁４１を設け、該バファ壁４１の上側部位に混合チャンバー１３を形成している。

「処理装置Ｚ１の作動等」
続いて、処理装置Ｚ１の作動等について説明する。

上記物品処理ユニットＵ１において上記基板Ｗの洗浄処理を行なう場合、上記ダウンフロー発生部１６の上記ファン９を運転し、上記給気室３側の空気を上記処理室２内の上記薬液槽６側に向けてダウンフロー気流Ａ２として吹出させるが、この場合、吹出空気を上記微粒子フィルター８に通すことで、吸入空気中に混入している微粒子が上記微粒子フィルター８において捕集除去され、微粒子が殆ど混入していない清浄な空気がダウンフロー気流Ａ２として上記薬液槽６側へ吹出される。

また、この際、上記有害物質除去ユニットＵ２も運転され、上記循環ファン２５から吹出される清浄な空気は、還流空気Ａ１として上記還流口１０から上記物品処理ユニットＵ１の上記給気室３側に導入される。一方、上記給気口１１からは、クリーンルーム内の空気がプレフィルター１２を通って上記給気室３側に給気Ａ６として導入される。そして、この還流空気Ａ１と給気Ａ６は、上記給気室３に導入後、上記混合チャンバー１３において混合され、ダウンフロー用空気として上記ファン９側に吸入される。

一方、上記処理部１５においては、上記薬液槽６内の薬液Ｌに基板Ｗを浸漬させて所要の洗浄処理が行なわれるが、この際、上記薬液Ｌから蒸発した有害物質（ケミカル成分）Ｇが、上記ダウンフロー気流Ａ２に混入し、有害物質Ｇを高濃度に含む汚染空気Ａ３が生成される。この汚染空気Ａ３は、上記隔壁３６の通孔３８を通って上記処理室２側から上記排気室４側へ流入する。

そして、上記汚染空気Ａ３の一部（Ａ４）は、上記外部排出路１４からそのまま外部へ排出される。尚、この外部へ排出された汚染空気Ａ４は、図示しない処理手段によって有害物質が除去され、清浄な空気として大気に放出される。

これに対して、上記汚染空気Ａ３の他の一部は、上記排気室４から上記有害物質除去ユニットＵ２側に導入される。この空気浄化ユニットＵ２側に導入された汚染空気Ａ３は、上記有害物質除去部２２の各多孔膜エレメント２３，２３，・・を通過することで、これに含まれた有害物質Ｇが該有害物質除去部２２内を流れる水側に溶解除去され、有害物質濃度の極めて低い清浄空気とされ、上記循環ファン２５によって上記物品処理ユニットＵ１の混合チャンバー１３側に還流空気Ａ１として還流される。そして、この還流空気Ａ１が上記給気口１１からの給気Ａ６と混合されて、上記ファン９によって上記薬液槽６側へダウンフロー気流Ａ２として吹出されるものである。

尚、上記給気口１１からの給気量と、上記外部排出路１４からの排出量の関係は、排出量が僅かに給気量を上回るように設定されており、係る設定によって上記処理室２の内圧が常時負圧側に維持され、有害物質を含んだ汚染空気Ａ３がクリーンルーム内へ漏洩するのが防止されている。

以上のように構成され且つ運転される上記処理装置Ｚ１においては、以下のような作用効果が得られる。

即ち、この詳細な具体的態様例１の処理装置Ｚ１では、上記空気浄化ユニットＵ２を多孔膜式の有害物質除去部２２を備えた構成とするとともに、上記物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を一体構造物として構成している。この結果、
（イ）例えば、従来の処理装置のように、物品処理ユニットと空気浄化ユニットが別体構成であってこれら両者を複雑に屈曲した長大なダクトで接続する構成のものに比して、構造の簡略化及びコンパクト化が促進され、延いては、処理装置Ｚ１のイニシャルコストの低減と、占有スペースの狭小化による設置自由度の向上を図ることができる、
（ロ）上記有害物質除去ユニットＵ２を多孔膜式の有害物質除去部２２で構成したことから、例えば、有害物質除去部を噴霧式とか散水式等の直接接触式除去機構で構成した従来の処理装置のように、該有害物質除去部２２の設置形態が垂直通風配置に限定されることなく、垂直通風配置でも水平通風配置でも必要に応じてその設置形態を設定可能であり、上記有害物質除去ユニットＵ２、更には物品処理ユニットＵ１も含んだ処理装置Ｚ１全体のレイアウトの自由度が向上し、延いては、処理装置Ｚ１の汎用性が向上する、
（ハ）有害物質除去部を噴霧式とか散水式等の直接接触式除去機構で構成した従来の処理装置のように、ドレンパンを付設する必要が無く、また処理水と有害雰囲気との適正な接触状態を得るための大きな内部スペースを確保する必要がないことから、上記有害物質除去ユニットＵ２の構造の簡略化及びそのコンパクト化が促進され、処理装置Ｚ１全体としてのイニシャルコストの低減が図れるとともに、その設置自由度の更なる向上が期待できる、等の作用効果が得られる。

さらに、この詳細な具体的態様例１の処理装置Ｚ１では、上記物品処理ユニットＵ１の上記ダウンフロー発生部１６に給気口１１を設ける一方、上記有害物質発生部１５に外部排出路１４を設けて一部循環式の処理装置Ｚ１を構成しているので、上記給気口１１から導入される給気と上記有害物質除去ユニットＵ２側から還流される清浄空気との混合空気が上記ダウンフロー発生部１６にダウンフロー空気として吹出されることから、例えば、給気の供給がない完全循環式の場合に比してダウンフロー気流中の有害物質濃度が低く、またこのダウンフロー気流に上記処理部１５から発生した有害物質が含まれた排気の一部は上記外部排出路１４から外部に排出されるので、上記有害物質除去ユニットＵ２側に導入される排気の有害物質濃度は低く抑えられ、その結果、該空気浄化ユニットＵ２における浄化負担の軽減が可能となる。

また、一部循環式の処理装置Ｚ１であることから、例えば、完全循環式の処理装置の場合に比して、上記有害物質除去ユニットＵ２における有害物質の除去率を比較的低く設定することができ、その結果、上記有害物質除去ユニットＵ２の構造の簡略化、小型化、及び低性能化が可能であって、それだけ処理装置Ｚ１全体としてのイニシャルコストの低減が図れる。

一方、この詳細な具体的態様例１の処理装置Ｚ１では、上記外気導入口１１の近傍に、該外気導入口１１から導入される外気と上記空気浄化ユニットＵ２側から還流される清浄空気を混合させる混合チャンバー１３を設けているので、該混合チャンバー１３において上記給気と微少ながらも有害物質を含んだ上記清浄空気とが効率よく混合され、上記ダウンフロー発生部１６からのダウンフロー気流においては有害物質濃度が可及的に均等化され、その結果、上記有害物質除去ユニットＵ２側に導入される排気における有害物質濃度が均等化され、それだけ多孔膜における有害物質除去性能が高められることになる。

さらに、この詳細な具体的態様例１の処理装置Ｚ１では、上記空気浄化ユニットＵ２を、上記有害物質除去装置２２内を空気が垂直方向に流れるように配置される垂直通風配置構造としているので、水平方向よりも垂直方向にスペース的な余裕がある場所に設置するに好適な処理装置を得ることができる。

尚、この詳細な具体的態様例１では、上記処理装置Ｚ１を一部循環式構造としているが、この処理装置Ｚ１において、上記物品処理ユニットＵ１側の上記給気口１１と上記外部排出路１４を除去することで、該処理装置Ｚ１を完全循環式構造とすることができる。

詳細な具体的態様例２
図５には、詳細な具体的態様例２として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ２を示している。

この詳細な具体的態様例２の処理装置Ｚ２は、上記具体的態様例１に係る処理装置Ｚ１と基本構成を同じにするものであって、これと異なる点は、上記詳細な具体的態様例１においては上記物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を完全に一体化していたのに対して、この詳細な具体的態様例２においては、上記物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を短いダクトを介して接続して一体化した点である。即ち、この詳細な具体的態様例２の処理装置Ｚ２では、上記物品処理ユニットＵ１の上記筐体１に設けた上記還流口１０及び上記空気出口３４と、上記有害物質除去ユニットＵ２の上記筐体２１に設けた上記空気入口３２及び上記空気出口３４とを、接続ダクト２７及び接続ダクト２８で接続して、上記物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２の間に空気の循環系を構成したものである。

従って、この詳細な具体的態様例２の処理装置Ｚ２においては、上記具体的態様例１の処理装置Ｚ１において得られたと同様の作用効果が得られることは勿論であるが、さらにこれに加えて、上記接続ダクト２７，２８の形状変更のみによって、上記物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を一体構造物として形成したことによるコンパクト化という利点を確保しつつ、処理装置の設置形態の自由度をさらに高めることができるという特有の利点がある。

また、この詳細な具体的態様例２では、上記物品処理ユニットＵ１側の上記還流口１０に対して上記接続ダクト２８を略接続ダクト２８を略水平方向から接続した関係上、上記給気口１１の上記還流口１０から遠い側の縁部に縦壁状のバファ壁４２を設け、該バファ壁４２の内側部分に上記混合チャンバー１３を形成している。

尚、上記以外の構成要素及び作用効果は上記具体的態様例１の処理装置Ｚ１と同様であるので、図５の各構成要素に、上記詳細な具体的態様例１の各構成要素に対応させて同一の符号を付し、該詳細な具体的態様例２の該当説明を援用することでここでの説明を省略する。

また、この詳細な具体的態様例２では、上記処理装置Ｚ２を一部循環式構造としているが、この処理装置Ｚ２において、上記物品処理ユニットＵ１側の上記給気口１１と上記外部排出路１４を除去することで、該処理装置Ｚ２を完全循環式構造とすることができる。

詳細な具体的態様例３
図６には、詳細な具体的態様例３として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ３を示している。

この詳細な具体的態様例３の処理装置Ｚ３は、上記具体的態様例１に係る処理装置Ｚ１と基本構成を同じにするものであって、これと異なる点は、上記詳細な具体的態様例１の処理装置Ｚ１においては上記有害物質除去ユニットＵ２を垂直通風の配置構造とし、且つこれを物品処理ユニットＵ１の側部に並置していたのに対して、この詳細な具体的態様例３の処理装置Ｚ３では上記有害物質除去ユニットＵ２を水平通風の配置構造とし、且つこれを上記物品処理ユニットＵ１の天面上に設置した点である。

即ち、この詳細な具体的態様例３では、上記有害物質除去ユニットＵ２を、図６及び図１０に示すように、水平方向に長い形体をもつ筐体２１内に上記有害物質除去部２２と循環ファン２５を配置して構成し、これを上記物品処理ユニットＵ１の天面上に載置する一方、上記物品処理ユニットＵ１の上記空気出口３１と上記有害物質除去ユニットＵ２の上記空気入口３２を接続ダクト２７で接続するとともに、上記物品処理ユニットＵ１の上記筐体１の上面に設けた上記還流口１０と上記有害物質除去ユニットＵ２の上記筐体２１の下面に設けた上記空気出口３４を直接接続したものである。

そして、水平通風の配置構造をもつ上記有害物質除去ユニットＵ２側から還流される還流空気Ａ１と上記給気口１１から導入される給気Ａ６を上記給気室３内において混合させ、この混合空気を上記ファン９によって上記微粒子フィルター８を通して上記薬液槽６側へダウンフロー気流Ａ２として吹出すようにしている。

従って、この詳細な具体的態様例３の処理装置Ｚ３においては、上記具体的態様例１の処理装置Ｚ１において得られたと同様の作用効果が得られることは勿論であるが、さらにこれに加えて、上記有害物質除去ユニットＵ２が上記物品処理ユニットＵ１の上側に配置される形態であることから、水平方向のスペースが制約され、垂直方向のスペースに余裕があるような設置場所に設置するに好適な処理装置を提供できる。

尚、上記以外の構成要素及び作用効果は上記詳細な具体的態様例１の処理装置Ｚ１と同様であるので、図６の各構成要素に、上記詳細な具体的態様例１の各構成要素に対応させて同一の符号を付し、該具体的態様例１の該当説明を援用することでここでの説明を省略する。

また、この詳細な具体的態様例３では、上記処理装置Ｚ３を一部循環式構造としているが、この処理装置Ｚ３において、上記物品処理ユニットＵ１側の上記給気口１１と上記外部排出路１４を除去することで、該処理装置Ｚ３を完全循環式構造とすることができる。

詳細な具体的態様例４
図７には、詳細な具体的態様例４として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ４を示している。

この詳細な具体的態様例４の処理装置Ｚ４は、上記具体的態様例２に係る処理装置Ｚ２と基本構成を同じにするものであって、これと異なる点は、上記詳細な具体的態様例２の処理装置Ｚ２においては上記有害物質除去ユニットＵ２を垂直通風の配置構造とし、これを上記物品処理ユニットＵ１の側方に設置するとともに、これら物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２とを接続ダクト２７，２８を介して接続し、これらを一体化していたのに対して、この詳細な具体的態様例４の処理装置Ｚ４では、上記有害物質除去ユニットＵ２を水平通風の配置構造とし、これを上記物品処理ユニットＵ１の側方に設置するとともに、これら物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を接続ダクト２７，２８を介して接続し、これらを一体化した点である。尚、上記有害物質除去ユニットＵ２の具体的構造は、図１０を参照して既述した通りである。

従って、この詳細な具体的態様例４の処理装置Ｚ４においては、上記具体的態様例２の処理装置Ｚ２において得られたと同様の作用効果が得られることは勿論であるが、さらにこれに加えて、上記有害物質除去ユニットＵ２が上記物品処理ユニットＵ１の側方に配置される形態であることから、垂直方向のスペースが制約され、水平方向のスペースに余裕があるような設置場所に設置するに好適な処理装置を提供できる。

尚、上記以外の構成要素及び作用効果は上記詳細な具体的態様例２の処理装置Ｚ２と同様であるので、図７の各構成要素に、上記具体的態様例２の各構成要素に対応させて同一の符号を付し、該具体的態様例２の該当説明を援用することでここでの説明を省略する。

また、この詳細な具体的態様例４では、上記処理装置Ｚ４を一部循環式構造としているが、この処理装置Ｚ４において、上記物品処理ユニットＵ１側の上記給気口１１と上記外部排出路１４を除去することで、該処理装置Ｚ４を完全循環式構造とすることができる。

詳細な具体的態様例５
図８には、詳細な具体的態様例５として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ５を示している。

この詳細な具体的態様例５の処理装置Ｚ５は、既存の完全排気式処理装置を、一部循環式処理装置に改変した構成をもつものであって、上記各詳細な具体的態様例１〜４のものと同様に、物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を一体化して構成されるものである。

上記物品処理ユニットＵ１は、上記具体的態様例１に係る処理装置Ｚ１の上記物品処理ユニットＵ１と基本構造を同じにするものであって、これと異なる点は、上記具体的態様例１における上記物品処理ユニットＵ１では上記筐体１の上面の側部に上記給気口１１を設けていたのに対して、この詳細な具体的態様例５の物品処理ユニットＵ１ではこれが完全排気式処理装置を構成するものであることから、上記筐体１の上面の上記ファン９に対向する位置に大径のファン吸込口１８を設けている点である。

従って、係る構造の物品処理ユニットＵ１を一部循環式処理装置の物品処理ユニットＵ１とすべく、上記物品処理ユニットＵ１の側方に配置された上記有害物質除去ユニットＵ２の上記空気出口３４と上記物品処理ユニットＵ１の上記ファン吸込口１８とを、上記給気口１１を備えた接続ダクト２９で接続し、上記ファン９側に上記有害物質除去ユニットＵ２からの還流空気Ａ１と上記給気口１１からの給気Ａ６をそれぞれ導入し得るようにしている。尚、上記物品処理ユニットＵ１の上記空気出口３１と上記有害物質除去ユニットＵ２の上記空気入口３２は、接続ダクト３０によって接続されている。

そして、上記有害物質除去ユニットＵ２側から還流される還流空気Ａ１と上記給気口１１から導入される給気Ａ６を上記給気室３内において混合させ、この混合空気を上記ファン吸込口１８から上記ファン９側に」吸込み、上記微粒子フィルター８を通して上記薬液槽６側へダウンフロー気流Ａ２として吹出すようにしている。

従って、この詳細な具体的態様例５の処理装置Ｚ５においては、上記具体的態様例１の処理装置Ｚ１おいて得られたと同様の作用効果が得られることは勿論であるが、さらにこれに加えて、完全排気式の処理装置に上記有害物質除去ユニットＵ２を付設することで、完全循環式あるいは一部循環式の処理装置とすることができ、既存設備の高機能化を容易に実現することができるものである。

尚、上記以外の構成要素及び作用効果は上記詳細な具体的態様例１の処理装置Ｚ１と同様であるので、図５の各構成要素に、上記具体的態様例１の各構成要素に対応させて同一の符号を付し、該詳細な具体的態様例１の該当説明を援用することでここでの説明を省略する。

また、この詳細な具体的態様例５では、上記処理装置Ｚ５を一部循環式構造としているが、この処理装置Ｚ５において、上記物品処理ユニットＵ１側の上記給気口１１と上記外部排出路１４を除去することで、該処理装置Ｚ５を完全循環式構造とすることができる。

さらに、上記各詳細な具体的態様例１〜４では、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置を例にとって説明したが、本願発明はこれに限定されるものではなく、例えば、基板等の塗布装置等の有害物質の発生を伴う処理装置に広く適用できるものである。

空気循環系に対する腐食対策
本願発明が対象とする処理装置は、それが、もし「完全排気式」のものであるならば、薬液槽側において発生した有害物質を含む汚染空気を排気としてその全量を外部へ排出するとともに、この排気量に見合う量の清浄空気を薬液槽側に給気する構成であることから、上記汚染空気に含まれた有害物質による空気循環系の腐食は殆ど問題とならない。

しかし、循環式の処理装置においては、これが「完全循環式」であっても「一部循環式」であっても、汚染空気に含まれた有害物質による空気循環系の腐食が問題となる。

即ち、「完全循環式」の処理装置においては、空気浄化ユニットにおける有害物質除去率を略１００％に設定するため、空気浄化ユニット側から物品処理ユニット側へ還流される還流空気には有害物質は殆ど含まれていないものの、該物品処理ユニットの薬液槽側において発生した有害物質を含む汚染空気はそのまま空気浄化ユニット側へ導入されて浄化処理がなされるため、該空気浄化ユニットより空気上流側の空気循環系に存在する部位及び部材、及び該空気浄化ユニットの内部においては、この汚染空気に含まれた有害物質による腐食が発生し、装置の耐久性が低下し、装置運転上の信頼性が損なわれることが懸念される。

また、「一部循環式」の処理装置においては、空気浄化ユニットにおける有害物質除去率を１００％よりも低く設定するため、該空気浄化ユニットから物品処理ユニット側へ還流される空気には微小ではあるが、有害物質が存在する。このため、空気浄化ユニットより空気上流側の空気循環系に存在する部位及び部材、及び該空気浄化ユニットの内部のみならず、該空気浄化ユニットの下流側の空気循環系存在する部位及び部材においても、この汚染空気に含まれた有害物質による腐食が発生し、装置の耐久性が低下し、装置運転上の信頼性が損なわれることが懸念される。

しかるに、このような循環式の処理装置の腐食対策について有効な提案がされていないのが現状である。

そこで図１１〜図１７の各関連構成例では、循環式の処理装置において、装置の耐食性を高め、運転上の信頼性を確保することを目的としている。

図１１〜図１７の各関連構成例ではかかる課題を解決するための具体的手段として次のような構成を採用している。

図１１〜図１７の各関連構成例では、処理工程において有害物質を発生する処理部１５と該処理部１５に向けてダウンフロー気流を吹出すダウンフロー発生部１６を設けた物品処理ユニットＵ１と、上記物品処理ユニットＵ１の上記処理部１５内の有害物質を含む汚染空気を浄化して清浄な還流空気としてこれを上記ダウンフロー発生部１６へ還流させる空気浄化ユニットＵ２を備えた処理装置において、上記物品処理ユニットＵ１と上記空気浄化ユニットＵ２間の空気循環系に存在する部位及び部材を耐薬品性及び耐腐食性を備えた構成としたことを共通の構成としている。

また、同各構成例では、上記ダウンフロー発生部１６へ清浄空気を給気する給気手段と、上記処理部１５内の汚染空気の一部を外部へ排気する排気手段を備えている。

また、図１１〜図１７の各構成例では、上記構成に加えて、空気循環系に存在する部位が、上記物品処理ユニットＵ１と上記有害物質除去ユニットＵ２の外壁をそれぞれ構成する筐体１、２１及びこれらの間を接続する接続ダクト２７，２８であって、該筐体１、２１及び接続ダクト２７，２８を樹脂材で構成し、又は金属材の表面に耐薬品性及び耐腐食性素材をコーテイングした構成としている。

また、図１１〜図１７の各構成例では、上記構成に加えて、空気循環系に存在する部材が、上記ダウンフロー発生部１６に設けられる微粒子フィルター８であって、該微粒子フィルター８をＰＴＦＥ製としている。

また、上記各構成例では、上記構成に加えて、空気循環系に存在する部材が、上記有害物質除去ユニットＵ２に設けられるファン２５であって、該ファン２５は、図１８に示すように、ファンケーシング２５Ａ及びファンロータ２５Ｂを樹脂材で構成し、且つ金属部分２５Ｃには耐薬品性及び耐腐食性素材をコーテイングするとともに、ファンモータ１９を上記筐体２１の外部に配置している。

また、図１１の構成例では、上記構成に加えて、空気循環系に存在する部材が、上記ダウンフロー発生部１６に設けられるファン９であって、該ファン９は、翼車９Ａを樹脂製とするとともに、ファンモータ９Ｂを耐薬品性及び耐腐食性素材をコーテイングしたケーシングをもつ全閉式としている。

また、図１１〜図１７の各構成例では、上記構成に加えて、空気循環系に存在する部材が、上記有害物質除去ユニットＵ２に設けられた有害物質除去部２２であって、該有害物質除去部２２を耐薬品性及び耐腐食性を備えた構成としている。

また、図１１，１６，１７の各構成例では、上記構成に加えて、上記有害物質除去部２２が、気体の透過を許容し水の透過を阻止する性状をもつ多孔膜を備えた多孔膜エレメント２３で構成され、且つ該多孔膜がＰＴＦＥ製又は疎水性多孔膜で構成されている。

また、図１１〜図１７の各構成例では、上記構成に加えて、上記有害物質除去部２２が、多孔膜式の除去機構、噴霧式又は散水式又は滴下式の除去機構、有害物質吸着機能をもつハニカムロータ又はケミカル成分吸着機能をもつ除去機構の何れか一つ、又はこれら複数の除去機構の組合わせで構成されている。

図１１〜図１７の各関連構成例に係る処理装置によれば、該処理装置のうち、有害物質を含んだ汚染空気の循環系に存在して該有害物質による腐食が懸念される部位及び部材にそれぞれ所要の腐食対策を施すことで、処理装置全体としての耐食性能が向上し、装置運転上の信頼性が確保されるものである。そして、係る効果は、一部循環式の処理装置でも、完全循環式の処理装置においても同様に得られるものである。

以下、図１１〜図１７の各関連構成例のさらに詳細な具体的態様例（６〜１２）について具体的に説明する。

詳細な具体的態様例６
図１１には、詳細な具体的態様例６として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ６を示している。

上記処理装置Ｚ６は、次述する物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を備え、上記物品処理ユニットＵ１で発生した汚染空気を上記有害物質除去ユニットＵ２で浄化して清浄空気として上記物品処理ユニットＵ１側へ還流させるとともに、上記物品処理ユニットＵ１側への給気を行いつつ、該物品処理ユニットＵ１内の汚染空気の一部を外部へ排気するようにした一部循環式の処理装置であって、恒温恒湿に環境調整されたクリーンルーム内に設置される。

上記処理部１５は、上記隔壁３６の略中央位置に、その開口部を上記処理室２に臨ませて固定配置された薬液槽６を備えて構成される。この薬液槽６内には、基板Ｗの洗浄処理に使用される酸やアルカリの薬液Ｌが所定量貯留されている。そして、上記基板Ｗの洗浄処理時には、上記薬液Ｌ内に上記基板Ｗが、図示しない作業手段（ロボット）によって浸漬される。尚、上記薬液槽６の底部側は、上記排気室４内に突出している。

また、上記筐体１の上記給気室３の天井面にはプレフィルター１２を備えた給気口１１が、また該給気室３の側壁には次述の空気浄化ユニットＵ２が接続される還流口１０が、それぞれ設けられている。さらに、上記筐体１の上記排気室４の底面側には、外部排出路１４が接続されている。

上述の如く構造された上記物品処理ユニットＵ１と上記有害物質除去ユニットＵ２は、上記物品処理ユニットＵ１の上記空気出口３１と上記有害物質除去ユニットＵ２の上記空気入口３２を、また、上記物品処理ユニットＵ１の上記還流口１０と上記有害物質除去ユニットＵ２の上記空気出口３４を、それぞれ接続し、これら物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２の間に空気の循環系を構成する。

ここで、上記有害物質除去ユニットＵ２の具体的な構成を説明する。この詳細な具体的態様例６においては、上記有害物質除去部２２を、気体の透過を許容し水の透過を阻止する性状をもつ多孔膜を用いて構成している。具体的には、多孔膜で構成された扁平筒状の扁平筒状素子（図示省略）を所定間隔で積層してなる枠状の多孔膜エレメント２３を所定枚数積層し、該各扁平筒状素子内の空間を水流路（図示省略）とし、該各扁平筒状素子間の対向空間及び各多孔膜エレメント２３，２３間の対向空間をそれぞれ空気流路（図示省略）とするとともに、各多孔膜エレメント２３，２３，・・の側部に水循環部２４を配置して構成される。尚、上記空気流路は上記筐体２１の内部空間（即ち、汚染空気の流路）に連通し、上記水流路は上記水循環部２４に連通している。

そして、上記筐体２１の空気入口３２から導入される有害物質（ガス成分）を含んだ汚染空気を上記空気流路に順次流す一方、上記水流路に上記水循環部２４側から水を流すと、上記汚染空気が上記空気流路内を流れる間に該汚染空気に含まれている有害物質が上記多孔膜を上記空気流路側から上記水流路側へ透過し、該水流路内を流れる水に溶解され、これによって、汚染空気の清浄化が図られものである。

ところで、この詳細な具体的態様例６の処理装置Ｚ６においては、空気浄化ユニットＵ２の大型化、高コスト化を回避する等の観点から、該処理装置Ｚ６を「一部循環式」とし、上記有害物質除去部２２に於ける有害物質の除去率を９０〜９５％に設定している。従って、上記有害物質除去部２２を通過して上記筐体２１の上記空気出口３４から上記物品処理ユニットＵ１の給気室３側へ還流される還流空気Ａ１は有害物質を低濃度に含んだものとされる。

「処理装置Ｚ６の作動等」
続いて、処理装置Ｚ６の作動等を簡単に説明する。

上記物品処理ユニットＵ１において上記基板Ｗの洗浄処理を行なう場合、上記ダウンフロー発生部１６の上記ファン９を運転し、上記給気室３側の空気を上記処理室２内の上記薬液槽６側に向けてダウンフロー気流Ａ２として吹出させるが、この場合、吹出空気を上記微粒子フィルター８に通すことで、吸入空気中に混入している微粒子が上記微粒子フィルター８において捕集除去され、微粒子が殆ど混入していない清浄な空気がダウンフロー気流Ａ２として上記薬液槽６側へ吹出され、搬送途中の上記基板Ｗに空気中の浮遊部分粒子が付着して該基板Ｗの洗浄品質を低下させるのが未然に防止されている。

また、この際、上記有害物質除去ユニットＵ２も運転され、上記循環ファン２５から吹出される有害物質を低濃度に含んだ還流空気Ａ１が上記還流口１０から上記物品処理ユニットＵ１の上記給気室３側に導入される。一方、上記給気口１１からは、クリーンルーム内の空気がプレフィルター１２を通って上記給気室３側に給気Ａ６として導入される。そして、この還流空気Ａ１と給気Ａ６は、上記給気室３に導入後、混合され、ダウンフロー用空気として上記ファン９側に吸入される。

さらに、上記処理部１５においては、上記薬液槽６内の薬液Ｌに基板Ｗを浸漬させて所要の洗浄処理が行なわれるが、この際、上記薬液Ｌから蒸発した有害物質Ｇが、上記ダウンフロー気流Ａ２に混入し、有害物質Ｇを高濃度に含む汚染空気Ａ３が生成される。この汚染空気Ａ３は、上記隔壁３６の通孔３８を通って上記処理室２側から上記排気室４側へ流入する。

そして、上記汚染空気Ａ３の一部（Ａ４）は、上記外部排出路１４からそのまま外部へ排出されるが、他の一部は、上記排気室４から上記有害物質除去ユニットＵ２側に導入され、該空気浄化ユニットＵ２の上記有害物質除去部２２において、これに含まれた有害物質Ｇが除去され、有害物質濃度の低い清浄空気とされ、再び上記循環ファン２５によって上記物品処理ユニットＵ１の混合チャンバー１３側に還流空気Ａ１として還流される。

ここで、この詳細な具体的態様例６では、例えば、上記ダウンフロー気流Ａ２の流量を「１０ｍ³／ｍｉｎ」とした場合、上記給気口１１からの給気Ａ６の導入量を「２ｍ³／ｍｉｎ」、上記外部排出路１４からの上記汚染空気Ａ３の排出量を「２ｍ³／ｍｉｎ」、上記有害物質除去ユニットＵ２側への還流量を「８ｍ³／ｍｉｎ」とするようにダウンフロー気流Ａ２の流量に対する給気量と排出量及び還流量の比率を設定しており、係る設定によって、上記処理室２内の雰囲気は、例えば、汚染空気を全量排出するとともにこの排出量に見合うだけの給気量をクリーンルーム内から導入する「完全排気式の処理装置」の場合における有害物質濃度と殆ど変わらない程度の清浄度に維持される。

従って、この詳細な具体的態様例６のように「一部循環式処理装置」とした場合には、装置内の環境を「完全排気式処理装置」の場合と同程度に維持しつつ、排出量の低減による排気動力費及びクリーンルーム内空調費の削減が図れるものである。

ところが、このような「一部循環式処理装置」の場合には、上述のように、上記有害物質除去ユニットＵ２の有害物質除去部２２における有害物質除去率を９０〜９５％程度に設定していることから、微量とはいえ、この有害物質を含んだ汚染空気が還流空気Ａ１として上記有害物質除去ユニットＵ２側から上記物品処理ユニットＵ１側へ還流され、該空気浄化ユニットＵ２内において上記ダウンフロー発生部１６からダウンフロー気流Ａ２として上記処理室２内に吹出される。この場合、この詳細な具体的態様例６にように上記処理装置Ｚ６が洗浄装置であると、フッ酸、塩酸、硫酸、過酸化水素、アンモニアのケミカル成分等が有害物質として放出される。従って、これらの有害物質を含んだ汚染空気に触れる部位及び部材は、有害物質によって次第に腐食され、その耐久性が低下し装置運転上の信頼性が損なわれることになる。

このため、この詳細な具体的態様例６の処理装置Ｚ６においては、有害物質による腐食を防止するために、以下のような腐食対策を採用している。以下、この腐食対策を説明する。

先ず、有害物質を含んだ汚染空気の循環系に存在する部位として、上記物品処理ユニットＵ１の筐体１の内面と上記有害物質除去ユニットＵ２の筐体２１の内面、及び上記接続ダクト２７と接続ダクト２８の内面が考えられ、この詳細な具体的態様例ではこれらが強度性能を考慮して金属製とされていることから、これらの内面全域に、耐薬品性及び耐腐食性素材をコーテイングして耐食性コーテング層５を形成して、耐食性を確保している。

また、上記物品処理ユニットＵ１側の上記隔壁３５及び隔壁３６は、これを耐食性の樹脂材で構成している。

一方、有害物質を含んだ汚染空気の循環系に存在する部材として、上記物品処理ユニットＵ１側の上記ファン９及び微粒子フィルター８、上記有害物質除去ユニットＵ２側の上記有害物質除去部２２及び循環ファン２５が考えられる。そこで、この詳細な具体的態様例では、先ず、上記微粒子フィルター８についてはこれをＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）製としてその耐食性を確保している。上記ファン９については、これがプロペラファンであって上記給気室３内に内装されることから、その翼車９Ａはこれを樹脂材で、そのファンモータ９Ｂは金属表面に耐食性コーテング層を形成したケーシングで密閉した密閉式ファンモータとしてその耐食性を確保している。

上記有害物質除去ユニットＵ２側の上記処理室２については、これが多孔膜式であることから、この多孔膜をＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）製としてその耐食性を確保している。また、この有害物質除去部２２の多孔膜エレメント２３の枠体とか上記水循環部２４はこれを樹脂製としてその耐食性を確保している。さらに、上記循環ファン２５については、これがターボファンで構成されることから、図１８に示すように、そのファンケーシング２５Ａ及びファンロータ２５Ｂを樹脂製とするとともに、ファンモータ１９はこれを上記筐体２１の外側に配置して汚染空気との接触を絶つことで、その耐食性を確保している。

このように、処理装置Ｚ６のうち、有害物質を含んだ汚染空気の循環系に存在して該有害物質による腐食が懸念される部位及び部材にそれぞれ所要の腐食対策を施すことで、処理装置Ｚ６全体としての耐食性能が向上し、装置運転上の信頼性が確保されるものである。

尚、この詳細な具体的態様例６では上記処理装置Ｚ６を一部循環式の処理装置として構成しているが、係る構成に限定されるものではなく、給気と排気を共に行なわず（具体的には、上記構成から、上記給気口１１と上記外部排出路１４を除去する）、上記物品処理ユニットＵ１側で発生した有害物質を含んだ汚染空気の全量を上記有害物質除去ユニットＵ２において浄化して上記物品処理ユニットＵ１側へ還流させるようにした完全循環式の処理装置として構成することができ、且つこの完全循環式の処理装置においても上記一部循環式の場合と同様の効果を得ることができるものである。この点は、以下に説明する詳細な具体的態様例７〜１２に係る処理装置Ｚ７〜Ｚ１２においても同様である。

詳細な具体的態様例７
図１２には、詳細な具体的態様例７として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ７を示している。

この詳細な具体的態様例７の処理装置Ｚ２は、上記具体的態様例６に係る処理装置Ｚ１と同様に、物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を備えて構成されるものであって、これと異なる点は、上記空気浄化ユニットＵ２の上記有害物質除去部２２を、有害物質の吸着機能をもつハニカム構造の円板体でなり、所定速度で連続回転されるハニカムロータ５１、該ハニカムロータ５１の一側に配置されて該ハニカムロータ５１を加熱することで吸着捕集した有害物質を放出させて該ハニカムロータ５１の能力再生を図る再生器５２を備えたハニカムロータ式除去機構で構成した点である。

そして、この処理装置に於ける各部位及び各部材の腐食対策は上記具体的態様例６の処理装置の場合と同様である。ただ、この詳細な具体的態様例７では、上述のように上記有害物質除去部２２をハニカムロータ式除去機構で構成したことから、このハニカムロータ５１及び再生器５２の腐食対策として、先ず上記ハニカムロータ５１においては、該ハニカムロータ５１そのものは吸着材のコーテングによって耐食性は問題にならないが、その回転軸は金属性であるためその表面に耐食性コーテング層を形成してその耐食性を確保している。また、上記再生器５２については、耐熱性を考慮して金属製とされているため、この再生器５２についても、その表面に耐食性コーテング層を形成してその耐食性を確保している。

なお、他の部位及び部材の構成及びその腐食対策については、詳細な具体的態様例６の該当説明を援用することで、ここでの説明を省略する。

このように、この処理装置Ｚ７においても、有害物質を含んだ汚染空気の循環系に存在して該有害物質による腐食が懸念される部位及び部材にそれぞれ所要の腐食対策を施すことで、処理装置Ｚ７全体としての耐食性能が向上し、装置運転上の信頼性が確保されるものである。

詳細な具体的態様例８
図１３には、詳細な具体的態様例８として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ８を示している。

この詳細な具体的態様例８の処理装置Ｚ８は、上記具体的態様例６に係る処理装置Ｚ６と同様に、物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を備えて構成されるものであって、これと異なる点は、上記空気浄化ユニットＵ２の上記有害物質除去部２２を、従来周知の噴霧式除去機構で構成した点である。

そして、この処理装置に於ける各部位及び各部材の腐食対策は上記詳細な具体的態様例６の処理装置の場合と同様である。ただ、この詳細な具体的態様例８では、上述のように上記有害物質除去部２２を噴霧式除去機構で構成したことから、その腐食対策として、噴霧ノズル５３、エリミネータ５４及びドレンパン５５を樹脂製とするか、又は金属表面に耐食性コーテング層を形成することでその耐食性を確保している。また、水ポンプ５６及び水循環路５９も、これを樹脂製として、その耐食性を確保している。

このように、この処理装置Ｚ８においても、有害物質を含んだ汚染空気の循環系に存在して該有害物質による腐食が懸念される部位及び部材にそれぞれ所要の腐食対策を施すことで、処理装置Ｚ８全体としての耐食性能が向上し、装置運転上の信頼性が確保されるものである。

詳細な具体的態様例９
図１４には、詳細な具体的態様例９として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ９を示している。

この詳細な具体的態様例９の処理装置Ｚ９は、上記具体的態様例６に係る処理装置Ｚ６と同様に、物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を備えて構成されるものであって、これと異なる点は、上記空気浄化ユニットＵ２の上記有害物質除去部２２を、従来周知の散布式除去機構で構成した点である。

そして、この処理装置に於ける各部位及び各部材の腐食対策は上記詳細な具体的態様例６の処理装置の場合と同様である。ただ、この詳細な具体的態様例では、上述のように上記有害物質除去部２２を散布式除去機構で構成したことから、その腐食対策として、散水ノズル５７，水ポンプ５６及び水循環路５９をそれぞれ樹脂製とするか、又は金属表面に耐食性コーテング層を形成することでその耐食性を確保している。また、充填材５８については、これをＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）製とすることで、その耐食性を確保している。

このように、この処理装置Ｚ９においても、有害物質を含んだ汚染空気の循環系に存在して該有害物質による腐食が懸念される部位及び部材にそれぞれ所要の腐食対策を施すことで、処理装置Ｚ４全体としての耐食性能が向上し、装置運転上の信頼性が確保されるものである。

詳細な具体的態様例１０
図１５には、詳細な具体的態様例１０として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ１０を示している。

この詳細な具体的態様例１０の処理装置Ｚ１０は、上記具体的態様例６に係る処理装置Ｚ６と同様に、物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を備えて構成されるものであって、これと異なる点は、上記空気浄化ユニットＵ２の上記有害物質除去部２２を、従来周知の滴下式除去機構で構成した点である。

そして、この処理装置に於ける各部位及び各部材の腐食対策は上記詳細な具体的態様例６の処理装置の場合と同様である。ただ、この詳細な具体的態様例１０では、上述のように上記有害物質除去部２２を滴下式除去機構で構成したことから、その腐食対策として、滴下ノズル６０、水ポンプ５６及び水循環路５９をそれぞれ樹脂製とするか、又は金属表面に耐食性コーテング層を形成することでその耐食性を確保している。また、充填材６１については、これをＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）製とすることで、その耐食性を確保している。

このように、この処理装置Ｚ１０においても、有害物質を含んだ汚染空気の循環系に存在して該有害物質による腐食が懸念される部位及び部材にそれぞれ所要の腐食対策を施すことで、処理装置Ｚ１０全体としての耐食性能が向上し、装置運転上の信頼性が確保されるものである。

詳細な具体的態様例１１
図１６には、詳細な具体的態様例１１として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ１１を示している。

この詳細な具体的態様例１１の処理装置Ｚ１１は、上記具体的態様例６に係る処理装置Ｚ６と同様に、物品処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を備えて構成されるものであって、これと異なる点は、上記空気浄化ユニットＵ２の上記有害物質除去部２２を、多孔膜式除去機構とハニカムロータ式除去機構を空気流れ方向前後に並置して構成した点である。

そして、この処理装置に於ける各部位及び各部材の腐食対策は上記詳細な具体的態様例６の処理装置の場合と同様である。ただ、この詳細な具体的態様例６では、上述のように上記有害物質除去部２２を多孔膜式除去機構とハニカムロータ式除去機構を組み合わせて構成したことから、その腐食対策として、先ず、多孔膜式除去機構においては多孔膜エレメント２３の多孔膜をＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）製としてその耐食性を確保している。また、この有害物質除去部２２の多孔膜エレメント２３の枠体とか上記水循環部２４はこれを樹脂製としてその耐食性を確保している。

また、ハニカムロータ式除去機構においては、ハニカムロータ５１の回転軸は金属製であるためその表面に耐食性コーテング層を形成してその耐食性を確保している。

詳細な具体的態様例１２
図１７には、詳細な具体的態様例１２として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ１２を示している。

この詳細な具体的態様例１２の処理装置Ｚ１２は、上記具体的態様例６に係る処理装置Ｚ６と同様に、処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を備えて構成されるものであって、これと異なる点は、上記空気浄化ユニットＵ２の上記有害物質除去部２２を、多孔膜式除去機構とケミカルフィルター式除去機構を空気流れ方向前後に並置して構成した点である。

そして、この処理装置に於ける各部位及び各部材の腐食対策は上記詳細な具体的態様例６の処理装置の場合と同様である。ただ、この詳細な具体的態様例６では、上述のように上記有害物質除去部２２を多孔膜式除去機構とケミカルフィルター式除去機構を組み合わせて構成したことから、その腐食対策として、先ず、多孔膜式除去機構においては多孔膜エレメント２３の多孔膜をＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）製としてその耐食性を確保している。また、この有害物質除去部２２の多孔膜エレメント２３の枠体とか上記水循環部２４はこれを樹脂製としてその耐食性を確保している。

また、ケミカルフィルター式除去機構においては、ケミカル成分を捕集しこれを蓄積するものであって、捕集能力が低下したときには交換するものであることから、格別な腐食対策は必要ない。

このように、この処理装置Ｚ１２においても、有害物質を含んだ汚染空気の循環系に存在して該有害物質による腐食が懸念される部位及び部材にそれぞれ所要の腐食対策を施すことで、処理装置Ｚ７全体としての耐食性能が向上し、装置運転上の信頼性が確保されるものである。

また、複数の除去機構を組み合わせることで、これら各除去機構を単独で用いる場合に比して、有害物質除去能力を高めることができ、延いては空気浄化ユニットＵ２の小型化にも寄与し得る。

尚、上記各詳細な具体的態様例６〜１２では、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置を例にとって説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、基板等の塗布装置等の有害物質の発生を伴う処理装置に広く適用できるものである。

基板に対するウォーターマーク発生の防止
半導体デバイスなどのマイクロエレクトロニック構造体は、回路パターンの微細化や高密度化・高集積化が年々進み、最小加工寸法も一段と微小化されている。これに伴い、ウェーハ表面上のパーティクル、金属・金属イオン、有機物などの汚染物サイズも微小化し、かつ清浄度レベルも厳しくなってきている。このような被洗浄物の洗浄に関して、これまでに採用されている洗浄方式としては、ウェット洗浄とドライ洗浄に大別することができる。しかし、現時点では、ドライ洗浄単独で満足すべきウェーハの清浄度レベルを維持することは難しく、ドライ洗浄を採用した場合にもウェット洗浄などの技術と併用される場合が多く、基本的にはウェット洗浄が主流である。

そして、ウェット洗浄の場合、その洗浄媒体として、一般に有機系、水系、活性剤添加物などが採用されている。また最近では、従来のＲＣＡ洗浄方式を改良した洗浄方法や、オゾン水、電解水やキレート剤などの新技術も開発されている。

さらに、環境対応については、旧来のような出口側での処理ではない対策として環境負荷の少ない洗浄媒体の使用や薬剤、薬液を工程外に排出しないクローズド技術が開発されている。

ところで、このようなウェット方式の洗浄装置の場合、例えば半導体デバイス等被洗浄物の表面に水滴が付着したまま乾燥すると、電子回路上有害なウォータマークと呼ばれる痕跡がのこる。

そこで、洗浄の最終工程である乾燥工程では、これを防止しながら効率の良い乾燥を行うために、これまで次のような洗浄乾燥手段が採られていた。

（１）先ず第１の従来技術では、多槽式洗浄装置におけるウォータマークの発生を防止するようにした乾燥方法として、
洗浄処理後の基板を純水で満たした内槽に搬入、浸漬し、かつ内槽を収容した外槽（圧力容器）の槽内雰囲気を窒素ガスで置換し、かつ槽内を減圧状態に保ったまま、外槽に窒素ガスを流しながら内槽に純水を供給して基板をオーバーフローリンスし、次いで内槽に接続した受水槽との間の差圧により内槽から受水槽へ排水して基板を水切りした後、続いて外槽内に窒素ガスを供給しつつ真空引きし、併せてランプヒータを点灯して基板を加熱しながら減圧乾燥させるようにしたもの（特開平６−１６３５０８号公報参照）、
（２）また第２の従来技術では、ウォータマークの発生を抑制するようにした洗浄乾燥方法として、
処理用薬液および純水のスプレーにより半導体材料を洗浄する手段と、チャンバー内に他の処理用薬液を充填して前記半導体材料を浸漬させて処理する手段と、チャンバーの中で半導体材料が浸漬された処理用薬液または純水に乾燥用の薬液もしくは蒸気を接触させて界面層で遮断しながら処理用薬液または純水を排出する手段とを備え、先ず順次イソプロピルアルコール蒸気をチャンバー上部より供給しながら、この界面層を保つことのできる速度で下方から純水をドレインする。続いて液体がすべてチャンバー内から排水された後、チャンバー上部より窒素を供給してチャンバー内をパージすることによってイソプロピルアルコール雰囲気を排出する。これにより、気体（外気、雰囲気、大気）と液体（純水）とを完全に分離し乾燥することができ、ウォータマークの発生しない清浄なウェハー表面が得られるようにしたもの（特開平１０−１４４６５０号公報参照）、
（３）さらに第３の従来技術として、アンモニアや過酸化水素を含む洗浄液からの排気をエアワッシャーで浄化処理するようにしたもの（特開２００２−２５３９２７号公報参照）、などがある。

一般に上述のような洗浄装置は、フッ酸、塩酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素などの人体や周囲の装置に有害な薬液を用いているため、蒸発成分による内部濃度の上昇防止、装置隙間からの外部への漏れ防止のため、大量の内部雰囲気を屋外に排出する。この排気分の補充及び搬送工程での基板へのパーティクル付着防止のため、洗浄室内清浄空気が上部のダウンフローユニットを経由して流入するようになっているが、これは温度が２３℃、湿度が４０％ＲＨ程度の低湿度空気であるため、それが装置内の湿度を下げ、乾燥にいたるまでの槽間搬送途中での意図せぬ乾燥を生じる恐れがある。

しかし、上記従来の技術では、それらの何れにも乾燥にいたる洗浄途中の搬送工程でのウォータマークの発生防止については、何ら配慮がなされていない。

したがって、同乾燥にいたる洗浄途中でのウォータマークの発生を防止することはできない問題がある。

また、排気は大気へ直接放出できないので、屋外や階下に中和処理装置を設けて処理しており、これらの動力費・設備費が大きなものとなっている。このような費用増に対応するため上述した第３の従来技術では循環型排気処理装置として構成しているが、それは処理装置側の工夫のみでの対応であり、洗浄装置を含む全体の使い方には全く考慮がなされていない。

以下に述べる関連構成例（図１９〜図２２に示す）は、このような事情に基いてなされたもので、洗浄室内の洗浄手段周囲の雰囲気を加湿手段で効果的に加湿して、被洗浄物の周辺雰囲気を所定値以上の高湿度に維持することによって、乾燥にいたる洗浄途中でのウォータマークの発生を効果的に防止することができるようにし、また排気動力の低減をも可能とした洗浄装置を提供することを目的とするものである。

図１９〜図２２に示す関連構成例のものは、上記の目的を達成するために、次のような具体的構成を備えて構成されている。

（１）第１の構成
この第１の構成は、洗浄室１０２Ａ内に洗浄手段１０４Ａ，１０４Ｂを有し、洗浄室１０２Ａ内に搬入された被洗浄物１０６Ａ，１０６Ｂを洗浄手段１０４Ａ，１０４Ｂで洗浄した後、乾燥させるようにしてなる洗浄装置において、上記洗浄室１０２Ａ内の洗浄手段１０４Ａ，１０４Ｂ周辺の雰囲気を加湿する加湿手段１１３Ａ〜１１３Ｆを設け、上記洗浄室１０２Ａ内の被洗浄物１０４Ａ，１０４Ｂの周辺を該加湿手段１１３Ａ〜１１３Ｆで加湿することにより、被洗浄物１０６Ａ，１０６Ｂ周辺の雰囲気を所定値以上の高湿度に維持するようにしたことを特徴としている。

このような構成によると、洗浄室１０２Ａ内の洗浄手段１０４Ａ，１０４Ｂ周囲の雰囲気密度が必要な高湿度レベルに加湿されるので、乾燥にいたる洗浄途中の被洗浄物１０６Ａ，１０６Ｂの意図せぬウォータマークの発生をも有効に防止することができるようになる。

（２）第２の構成
この第２の構成は、上記第１の構成において、加湿手段１１３Ａ〜１１３Ｆは、多孔膜エレメントにより構成されていることを特徴としている。

このように、加湿手段１１３Ａ〜１１３Ｆとして多孔膜エレメントを用いると、通風方向の制約がなく設置方向が自由であり、また、多段構成にして洗浄装置にあわせた天井設置型、側面設置型、背面設置型などの占有床面積の小さい任意の設置形態を選ぶことができ、場合によっては洗浄装置内の空きスペースにエレメントを分散配置することも可能である。

したがって、排気処理部を含めた最適な使い方を実現することができる。

また、上記多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆは、分子レベルで空気を加湿することができるので、水滴を生じさせることなく加湿でき、送風経路に使用される微粒子フィルター等の目詰まりを生じさせる恐れもない。

（３）第３の構成
この第３の構成は、上記第２の構成において、多孔膜エレメントは、洗浄室１０２Ａへの給気部と洗浄室１０２Ａ内からの排気部とを結ぶ空気還流路１１５ａ，１１５ｂに設けられていることを特徴としている。

このように、多孔膜エレメントを、洗浄室１０２Ａへの給気部と洗浄室１０２Ａ内からの排気部とを結ぶ空気還流路１１５ａ，１１５ｂに設けると、環境負荷を考慮して、クローズドタイプの環流型洗浄装置を構成した場合において、効率の良い加湿を行うことができる。

（４）第４の構成
この第４の構成は、上記第２又は第３の構成において、多孔膜エレメントは、上記洗浄室１０２Ａからの排出空気中の有害物質を除去する有害物質除去手段として構成されており、加湿と同時に洗浄液蒸発成分等排気中に含まれる有害物質の除去を行うようになっていることを特徴としている。

このように構成すれば、多孔膜エレメントの有害物質除去作用により、屋外への排気量を大幅に減らしても、洗浄室内の有害ガス成分の濃度を低く維持することができる。

したがって、洗浄能力を低下させることなく、有効に外部への排気量を低減することができる。

（５）第５の構成
この第５の構成は、上記第２，第３又は第４の構成において、多孔膜エレメントに水を供給する水供給回路を循環回路構成としてガス回収作用を有する水再生手段１２０を設け、加湿と同時に洗浄液蒸発成分の回収除去を行うようにしたことを特徴としている。

このように構成すれば、水再生手段１２０の有害ガス回収作用により、加湿および有害ガス回収用の水を繰り返し使用することができる。その結果、高価な純水の使用量を減らすことができるとともに、部分排水量を大きく減らすことができる。

以上の結果、上記関連構成例によると、先ず乾燥にいたる洗浄途中での意図せぬ乾燥をも有効に防止できるようになり、従来のようなウォータマーク発生の恐れのない信頼性の高い洗浄装置を提供することができるようになる。

また、従来のような排気処理のための中和装置が不要となり、排気動力を大幅に低減することができるので、設備を簡略化でき、そのコストを大きく下げることができる。

また、その結果、装置の小型化、設置スペースの狭域化が可能となる。

以下、図１９〜図２２を参照して、上記関連構成例の詳細な具体的構成例を説明する。

詳細な具体的態様例１３
先ず図１９〜図２１は、詳細な具体的構成例１３に係る洗浄装置の全体および要部の構成を示している。

この具体的態様例１３の構成の場合、例えば被洗浄物の一例として、シリコンウエハー等の半導体デバイス１０６Ａ，１０６Ｂ・・・が選択されており、所定の洗浄空間１０２を有する洗浄装置１０１は、同半導体デバイス１０６Ａ，１０６Ｂ・・・の製造ラインの基板処理工程に対応して設置されている。また、この洗浄装置１０１は後述する有害物質除去ユニット１１２と共に半導体製造施設のクリーンルーム内に設けられている。

そして、その洗浄空間１０２内には被洗浄物である半導体デバイス１０６Ａ，１０６Ｂ・・・の洗浄手段として、薬液槽１０４Ａ，１０４Ｂ（複数でも単数でもよい）を備え、該薬液槽１０４Ａ，１０４Ｂ内の薬液１０５，１０５中に被洗浄物である半導体デバイス１０６Ａ，１０６Ｂ・・・を浸漬することによって洗浄するウェット洗浄方式が採用されている。そして、薬液１０５，１０５としては、例えばフッ酸、塩酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素などが採用されている。

また洗浄装置１０１の洗浄空間１０２の上方部には、上方側から下方側に向けて空気流を吹き付ける耐食性の高い送風機１０８Ａ，１０８Ｂと該送風機１０８Ａ，１０８Ｂから下方に向けて吹き出される空気中の微細な汚染物質を除去する微粒子フィルター１０９Ａ，１０９Ｂよりなるダウンフローユニット１０７が仕切壁１１０を介して設けられている。微粒子フィルター１０９Ａ，１０９Ｂは、微粒子フィルターとして有効な例えば耐食性のある所定のＰＴＦＥ製のものによって形成されている。

また、同洗浄空間１０２の下方には、パンチングプレートその他の通風性の良好な仕切壁１１１が設けられ、この仕切壁１１１を介して、上述の薬液槽１０４Ａ，１０４Ｂが図示のようにダウンフローユニット１０７の送風機１０８Ａ，１０８Ｂの直下方に対応するようにして設置されている。そして、該下方側の仕切壁１１１と上記ダウンフローユニット１０７側の仕切壁１１０との間が、洗浄室１０２Ａに形成されている。

また、上記洗浄空間１０２の下方側の仕切壁１１１と洗浄装置１０１の底面との間には、排気室１０２Ｂが形成されている。そして、該排気室１０２Ｂと上記ダウンフローユニット１０７内の後述する給気室１０３との間を装置本体の外側で連通させる空気環流流路（後述）には、上記ダウンフローされている洗浄室１０２Ａ内の空気中の有害物質を除去回収する有害物質除去ユニット１１２が設けられている。

この有害物質除去ユニット１１２は、例えば図２０に示されるように、縦長の閉鎖空間をもつ筐体１１２ａ内に、有害物質除去部、循環ファン部１１４、水循環部１１２ｂを各々配置して構成されている。そして、上記筐体１１２ａの下端部には、上記排気室１０２Ｂからの排気導入路１１５ａが、また上端部には上記給気室１０３への排気導出路１１５ｂが、それぞれ接続（連通）されている。

すなわち、この具体的態様例１３の構成においては、上記有害物質除去部を、気体の透過を許容し、水の透過を阻止する性状をもつ多孔膜を用いて構成している。具体的には、多孔膜で構成された扁平筒状の扁平筒状素子（又はチューブ状素子）を所定の間隔で積層（又は配設）してなる枠状の多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆを所定枚数積層し、該各扁平筒状素子内の空間を水流路（図示省略）とし、該各扁平筒状素子間の対向空間及び各多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆ間の対向空間をそれぞれ空気流路（図示省略）とするとともに、各多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆの側部に水循環部１１２ｂを配置して構成されている。なお、上記空気流路は上記筐体１１２ａの内部空間（すなわち、汚染空気の流路）に連通し、上記水流路は上記水循環部１１２ｂに連通している。

そして、上記筐体１１２ａの排気導入路１１５ａから導入される有害物質（ガス成分）を含んだ汚染空気を上記空気流路に順次流す一方、上記水流路に上記水循環部１１２ｂ側から水を流すと、上記汚染空気が上記空気流路内を流れる間に該汚染空気に含まれている有害物質が、上記多孔膜を上記空気流路側から上記水流路側へ透過し、該水流路内を流れる水に溶解され、これによって、汚染空気の清浄化が図られる。したがって、上記多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆよりなる有害物質除去部を通過して上記筐体１１２ａの上記排気導出路１１５ｂから導出される空気は有害物質濃度の極めて低い比較的清浄な空気となる。

なお、上記水循環部１１２ｂには、純水供給路１１６ａと排水路１１６ｂが接続されており、該純水供給路１１６ａから上記水循環部１１２ｂに流入する清浄な純水は、該水循環部１１２ｂを流通する間に有害物質を溶解し、汚染水として上記排水路１１６ｂから外部へ排出される。

このように、上記有害物質除去ユニット１１２の有害物質除去部を多孔膜の透過作用を利用した構成にすれば、該有害物質除去部に供給される汚染空気と水は共に閉鎖された流路内を流れることから、上記有害物質除去ユニット１１２の配置形態が重力の方向によって制約されることがなくなる。このため、例えば図２０に示すように、上記有害物質除去ユニット１１２を垂直配置（すなわち、上記各多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆが垂直方向に積層された配置構造）としたり、または図２１に示すように水平配置（すなわち、上記各多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆが水平方向に積層された配置構造）とするなど、該有害物質除去ユニット１１２の設置形体を必要に応じて任意の方向に設定することができる。

また、多段構成にして洗浄装置１０１にあわせた天井設置型、側面設置型、背面設置型などの占有床面積の小さい任意の設置形態を選ぶことができ、場合によっては洗浄装置１０１内の空きスペースに多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆを分散配置することも可能である。

なお、この場合の上記多孔膜の材質としては、例えばポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）が好ましい。また、その他にポリエチレン、ポリプロピレン等の疎水性多孔質膜も使用することができる。

そして、以上のような半導体デバイス等洗浄装置において、上記半導体デバイス１０６Ａ，１０６Ｂ・・・の洗浄処理を行なう場合、上記ダウンフロー構造の上記送風機１０８Ａ，１０８Ｂを運転し、上記給気室１０３側の空気を上記洗浄室１０２Ａ内の上記薬液槽１０４Ａ，１０４Ｂ方向側に向けてダウンフロー気流として吹き出させるが、この場合、同吹出空気を上記微粒子フィルター１０９Ａ，１０９Ｂに通すことで、吸入空気中に混入している汚染微粒子が上記微粒子フィルター１０９Ａ，１０９Ｂにおいて捕集除去され、微粒子が混入していない清浄な空気がダウンフロー気流として上記薬液槽１０４Ａ，１０４Ｂ側へ吹き出される。

この時、上記有害物質除去ユニット１１２も併せて運転され、上述のように多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆで有害物質の大部分が除去されて循環ファン１１４から吹き出される清浄な空気は、還流空気として上記排気導出路１１６ｂを介して上記ダウンフローユニット１０７の給気室１０３に導入される（略外部への排気分に対応）。一方、ダウンフローユニット１０７の天板部に設けられている上記給気口１０７ａからは、洗浄室１０２Ａ外の所定量の新気がプレフィルター１０７ｂを通って上記給気室１０３側に給気として一部導入される。そして、この還流空気と外部からの給気は、上記給気室１０３に導入された後に混合され、ダウンフロー用の空気として上記送風機１０８Ａ，１０８Ｂに供給されて下方側洗浄室１０２Ａ内に吹き出される。

一方、上記洗浄室１０２Ａ内においては、上記薬液槽１０４Ａ，１０４Ｂ内の薬液１０５，１０５に半導体デバイス１０６Ａ，１０６Ｂ・・・を浸漬させて所要の洗浄処理が行なわれるが、この際、上記薬液１０５，１０５から蒸発した有害物質が、上記ダウンフロー気流中に混入し、有害物質を高濃度に含む汚染空気が生成される。この高ガス濃度の汚染空気（破線の矢印参照）は、上記下方側の仕切板１１１の多数の通孔を通って上記洗浄室１０２Ａ側から上記排気室１０２Ｂ側へ流入する。

そして、同汚染空気の一部は、排気室１０２Ｂ下方の分岐排出路１１７からそのまま外部排出路１８へ排出される。もちろん、この外部へ排出された汚染空気は、図示しない適正な中和処理手段によって有害物質が除去され、清浄な空気として大気に放出される。

これに対して、上記排気室１０２Ｂ内に導入された汚染空気の大部分は、上記のように同排気室１０２Ｂから上記有害物質除去ユニット１１２側に導入される。そして、有害物質除去ユニット１１２側に導入された汚染空気は、上記有害物質除去部の各多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆを通過することで、それに含まれた有害物質が該有害物質除去部の多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆ間を流れる水側に溶解除去され、有害物質濃度の極めて低い清浄な空気に浄化された上で、上記循環ファン１１４により排気導出路１１５ｂを介して上記ダウンフローユニット１０７の給気室１０３側に還流空気として還流される。そして、この還流空気が上記給気口１０７ａからのプレフィルタを介して供給される１０７ｂ給気と混合されて、再度上記洗浄室１０２Ａ内の薬液槽１０４Ａ，１０４Ｂ周囲へダウンフロー気流として吹出される。

この場合、上記給気口１０７ａからの給気量と上記分岐排出路１１７から外部排出路１８への排気量との関係は、外部への排出量が僅かに給気量を上回るように設定されており、このような設定によって上記洗浄室１０２Ａ内の内圧が常時負圧側に維持され、有害物質を含んだ汚染空気が洗浄室１０２Ａ内へ漏洩するのを防止するようにしている。

ところで、上記有害物質除去ユニット１１２の有害物質除去部を構成している多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆは、上記のように膜面に接触して流れる水側に排気中に含まれている汚染ガス等の有害物質を溶解させて除去すると同時に逆に空気側に水分子を移動させて通過する空気を分子レベルで加湿する作用を果たし、給気室１０３を介して洗浄室１０２Ａ内に供給される低ガス濃度の循環空気を所定値以上の高湿度状態（高水分子状態）のものとするようにもなっている。

すなわち、以上のように、洗浄用の薬液として、フッ酸、塩酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素などを用いた場合、蒸発成分による内部濃度の上昇防止、装置各部の隙間からの外部への漏れ防止のために、ダウンフローユニット１０７を用いて大量の内部雰囲気を循環させなければならない。

ところが、このダウンフロー空気は、例えば温度が２３℃、湿度が４０％ＲＨ程度の低湿度空気であるために、必然的に上記洗浄室１０２Ａ内の湿度をも下げ、図１９に示すような槽間搬送途中での半導体デバイス１０６Ａ，１０６Ｂ・・・に意図せぬ乾燥を生じさせる恐れがある。

その結果、そのままでは、同乾燥にいたる槽間搬送途中でウォータマークが発生する恐れがある（もちろん、乾燥工程に搬送することなく、洗浄室内で洗浄した後、被洗浄物を動かさずに当該洗浄内に乾燥空気を流して乾燥する場合も同様である）。

しかし、この具体的態様例１３では、上述のように有害物質除去ユニット１１２側の有害物質除去手段が、洗浄室１０２Ａ内に還流される空気（つまりは、洗浄室１０２Ａ内の薬液槽１０４Ａ，１０４Ｂ周囲の雰囲気）を分子レベルで有効に加湿する多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆにより構成されている。そして、それにより上述の循環空気を効果的に加湿して、洗浄途中の半導体デバイス１０６Ａ，１０６Ｂ・・・搬送経路（槽間搬送経路）の周辺雰囲気を、例えば図１９に示すように所定値以上の高湿度状態に維持するようになっている。

したがって、洗浄室１０２Ａ内の薬液槽１０４Ａ，１０４Ｂ周囲の雰囲気湿度がウォータマークを発生させないようにするのに必要な高湿度レベルに加湿されるので、乾燥にいたる洗浄途中の槽間搬送工程でのウォータマークの発生をも有効に防止することができるようになる。

しかも、上記多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆは、分子レベルで空気を加湿することができるので、水滴を生じさせることなく加湿でき、微粒子フィルター１０９Ａ，１０９Ｂの目詰まりを生じさせる恐れもない。

以上のように、この具体的態様例１３の半導体デバイス等洗浄装置の構成では、洗浄室内に洗浄手段を有し、洗浄室内に搬入された被洗浄物を洗浄手段で洗浄した後、乾燥させるようにしてなる洗浄装置において、上記洗浄室内の洗浄手段周辺の雰囲気を所定の湿度に加湿する加湿手段を設け、上記洗浄室内の被洗浄物の周辺を該加湿手段で効果的に加湿することによって、被洗浄物周辺の雰囲気を所定値以上の高湿度に維持するようにしたことを特徴としている。

このような構成によると、洗浄室内の洗浄手段周囲の雰囲気密度が必要な高湿度レベルに加湿されるので、乾燥にいたる洗浄途中の槽間搬送工程等でのウォータマークの発生をも有効に防止することができるようになる。

しかも、この具体的態様例１３の構成では、上記加湿手段は、多孔膜エレメントにより構成されていることを特徴としている。

このように、加湿手段として多孔膜エレメントを用いると、通風方向の制約がなく設置方向が自由であり、また、多段構成にして洗浄装置にあわせた天井設置型、側面設置型、背面設置型などの占有床面積の小さい任意の設置形態を選ぶことができ、場合によっては洗浄装置内の空きスペースにエレメントを分散配置することも可能である。

しかも、上記多孔膜エレメントは、分子レベルで空気を加湿することができるので、水滴を生じさせることなく加湿でき、送風経路に使用される微粒子フィルター等の目詰まりを生じさせる恐れもない。

また、この具体的態様例１３の構成では、上記多孔膜エレメントは、洗浄室への給気部と洗浄室内からの排気部とを結ぶ空気還流路に設けられていることを特徴としている。

このように、多孔膜エレメントを、洗浄室への給気部と洗浄室内からの排気部とを結ぶ空気還流路に設けると、環境負荷を考慮して、クローズドタイプの環流型洗浄装置を構成した場合において、効率の良い加湿を行うことができる。

さらに、この具体的態様例１３の構成では、上記多孔膜エレメントは上記洗浄室からの排気空気中の有害物質を除去する有害物質除去手段として構成されており、加湿と同時に洗浄液の蒸発成分等排気中に含まれる有害物質の除去をも行うようになっていることを特徴としている。

以上の結果、同構成によると、先ず乾燥にいたる洗浄途中での意図せぬ乾燥を有効に防止できるようになり、ウォータマーク発生の恐れのない信頼性の高い洗浄装置を提供することができるようになる。

また、従来のような排気処理のための中和装置が不要となり、排気動力を大幅に低減することができるので、設備を簡略化し、コストを大きく低減することができる。

具体的態様例１４
次に図２２は、具体的態様例１４に係る洗浄装置の全体的な構成を示している。

この具体的態様例１４の構成では、上記具体的態様例１３の図１９の構成において、多孔膜エレメント１１３Ａ〜１１３Ｆ間の水循環部１１２ｂに純水を供給し、また回収する水供給回路部分を殆んど水を排出しない循環回路構成１１６ａ〜１１６ｂ〜１１６ａとし、その水供給側部分（水還流側部分）に純水補給路１１６ｃ、排水側部分に部分排水路１１６ｄをそれぞれ設けて水の循環を可能としたことを特徴としている。

そして、この場合、同水循環回路１１６ａ〜１１６ｂ〜１１６ａ途中の部分排水路１１６ｄ連通部と純水補給路１１６ｃ連通部との間には、循環水中に溶解した有害ガス成分を回収除去する水再生手段１２０が設けられる。

このような構成によると、加湿と同時に循環水中の洗浄液蒸発成分の回収除去を行うことが可能となり、一旦使用した純水を再生しながら無駄なく使用することができるようになる。

つまり、上記のような水再生手段１２０を設けると、高価な純水の使用量を減らせるとともに部分排水量をも大きく減らすことができる。

上記有害成分を吸収した水はその中の有害成分イオン濃度が上昇すると除去率が低下するため、濃度がある程度以上にならないように一部を常に新鮮な水に入れ替えているが、上記のように水再生手段１２０を設けてイオン濃度の上昇を抑えてやれば、純水の入れ替え量そのものを少なくすることができる。

（その他の実施の形態）
なお、上述の各具体的態様例では、洗浄対象として例えば半導体デバイスの場合で説明したが、上記各具体的態様例の洗浄対象は、これに限られるものではなく、その他の各種のマイクロマシンにも適用できることは言うまでもない。

本願発明の実施例にかかる処理装置のシステム説明図である。図１に示す処理装置の作用説明図である。図１及び図２に示す処理装置の作用説明用グラフである。本願発明の関連構成例としての処理装置のシステム図である。本願発明の関連構成例としての処理装置のシステム図である。本願発明の関連構成例としての処理装置のシステム図である。本願発明の関連構成例としての処理装置のシステム図である。本願発明の関連構成例としての処理装置のシステム図である。縦置型の空気浄化ユニットの構造を示す斜視図である。横置型の空気浄化ユニットの構造を示す斜視図である。本願発明の関連構成例としての処理装置のシステム図である。本願発明の関連構成例としての処理装置のシステム図である。本願発明の関連構成例としての処理装置のシステム図である。本願発明の関連構成例としての処理装置のシステム図である。本願発明の関連構成例としての処理装置のシステム図である。本願発明の関連構成例としての処理装置のシステム図である。本願発明の関連構成例としての処理装置のシステム図である。ファンの耐食構造を示す断面図である。本願発明の関連構成例としての洗浄装置の全体的な構成を示す全体図である。同装置の垂直配置された有害物除去ユニットの構成を示すスケルトン状態の斜視図である。同装置の水平配置された有害物除去ユニットの構成を示すスケルトン状態の斜視図である。本願発明の関連構成例としての洗浄装置の全体的な構成を示す全体図である。

符号の説明

１・・筐体
２・・処理室
３・・給気室
４・・排気室
６・・薬液槽
７・・蓋体
８・・微粒子フィルター
９・・ファン
１０・・還流口
１１・・給気口
１２・・プレフィルター
１３・・混合チャンバー
１４・・外部排出路
１５・・処理部
１６・・ダウンフロー発生部
１８・・ファン吸込口
２１・・筐体
２２・・有害物質除去部
２３・・多孔膜エレメント
２４・・水循環部
２５・・循環ファン
２６・・排気ファン
２７・・接続ダクト
２８・・接続ダクト
２９・・接続ダクト
３０・・接続ダクト
３１・・空気出口
３２・・空気入口
３４・・空気出口
３５・・隔壁
３６・・隔壁
３７・・開口
３８・・通孔
６０・・空気循環ライン
６１・・排気ライン
６２・・給気ライン
Ｍ・・パーティクルモータ
Ｓ・・ケミカル成分濃度センサ
Ｕ１・・処理ユニット
Ｕ２・・空気浄化ユニット
Ｗ・・基板

Claims

筺体（１）内にケミカル成分発生源を有してなる物品処理ユニット（Ｕ１）内に空気（Ａ１）を循環させる空気循環ライン（６０）の途中に前記空気循環ライン（６０）を流通する空気からケミカル成分を除去する空気浄化ユニット（Ｕ２）を設ける一方、前記空気循環ライン（６０）に該空気循環ライン（６０）から空気の一部（Ａ４）を排出する排気ライン（６１）と該空気循環ライン（６０）に補充空気（Ａ５）を供給する給気ライン（６２）とを接続してなる処理装置であって、前記物品処理ユニット（Ｕ１）内のケミカル成分濃度を濃度変化検知手段により検知して該ケミカル成分濃度に応じて前記空気循環ライン（６０）からの排気（Ａ４）の風量及び／又は前記空気循環ライン（６０）内へ補給する補充空気（Ａ５）の風量を制御するようにした空気循環制御手段をそなえていることを特徴とする処理装置。
濃度変化検知手段が物品処理ユニット（Ｕ１）内のケミカル成分濃度変化を直接的に検知するケミカル成分濃度センサ（Ｓ）であることを特徴とする請求項１記載の処理装置。
濃度変化検知手段が物品処理ユニット（Ｕ１）内のケミカル成分濃度変化を間接的に検知する手段であることを特徴とする請求項１記載の処理装置。
物品処理ユニット（Ｕ１）内におけるケミカル成分濃度が予じめ設定した濃度をこえないように、空気循環制御手段による排気（Ａ４）の風量と補充空気（Ａ５）の風量の制御が行われるようにされていることを特徴とする請求項１，２又は３記載の処理装置。
物品処理ユニット（Ｕ１）内における循環空気（Ａ２）の風速が予じめ設定した許容値範囲にあるように、空気循環ライン（６０）における全風量が制御されることを特徴とする請求項１，２，３又は４記載の処理装置。
物品処理ユニット（Ｕ１）内における粒子状有害物質の汚染度及び物品処理ユニット（Ｕ１）内におけるケミカル成分濃度がそれぞれ予じめ設定した許容値範囲にあるように空気循環ライン（６０）における全風量、排気ライン（６１）による排気風量及び給気ライン（６２）による補充空気風量が制御されることを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載の処理装置。
物品処理ユニット（Ｕ１）内におけるケミカル成分濃度が予じめ設定した数値をこえて急上昇したときに、排気（Ａ４）の排出が最大となるように制御が行われることを特徴とする請求項１，２，３，４，５又は６記載の処理装置。