JP3415404B2 - 処理システム - Google Patents
処理システムInfo
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- JP3415404B2 JP3415404B2 JP25001997A JP25001997A JP3415404B2 JP 3415404 B2 JP3415404 B2 JP 3415404B2 JP 25001997 A JP25001997 A JP 25001997A JP 25001997 A JP25001997 A JP 25001997A JP 3415404 B2 JP3415404 B2 JP 3415404B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，被処理基板に対し
て，液処理や熱処理を行うための処理システムに関する
ものである。
て，液処理や熱処理を行うための処理システムに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるフォ
トレジスト処理工程においては，半導体ウエハ（以下，
「ウエハ」という）などの被処理基板の表面にレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成し，所定のパターンで露
光した後に現像液で現像処理しているが，このような一
連の処理を行うにあたっては，従来からレジスト処理シ
ステムが用いられている。
トレジスト処理工程においては，半導体ウエハ（以下，
「ウエハ」という）などの被処理基板の表面にレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成し，所定のパターンで露
光した後に現像液で現像処理しているが，このような一
連の処理を行うにあたっては，従来からレジスト処理シ
ステムが用いられている。
【０００３】このレジスト処理システムは，通常ユニッ
トとしての処理装置，例えばレジストの定着性を向上さ
せるための疎水化処理（アドヒージョン処理），レジス
ト液の塗布を行う塗布処理，レジスト液塗布後の被処理
基板を所定の温度雰囲気に置いてレジスト膜を硬化させ
るための熱処理，露光後の被処理基板を所定の温度雰囲
気に置くための熱処理，露光後の被処理基板に現像液を
供給して現像する現像処理などの各処理を個別に行う処
理装置を複数備えており，搬送アームなどの搬送機構に
よって被処理基板であるウエハを前記各処理装置に対し
て搬入出するようになっている。
トとしての処理装置，例えばレジストの定着性を向上さ
せるための疎水化処理（アドヒージョン処理），レジス
ト液の塗布を行う塗布処理，レジスト液塗布後の被処理
基板を所定の温度雰囲気に置いてレジスト膜を硬化させ
るための熱処理，露光後の被処理基板を所定の温度雰囲
気に置くための熱処理，露光後の被処理基板に現像液を
供給して現像する現像処理などの各処理を個別に行う処
理装置を複数備えており，搬送アームなどの搬送機構に
よって被処理基板であるウエハを前記各処理装置に対し
て搬入出するようになっている。
【０００４】前記レジスト処理システムは当然のことな
がらクリーンルーム内に設置されているが，各処理は，
より清浄な雰囲気の下で行う必要があるため，前記レジ
スト処理システムにおいては，システムの周囲や上部を
適宜のケーシング材で囲み，さらにシステムの上部にフ
ァンとフィルタとをいわば一体化したファン・フィルタ
・ユニット（ＦＦＵ）などの清浄化空気供給装置を設
け，このＦＦＵからの清浄化された空気のダウンフロー
の下に前記各処理装置が配置されている。
がらクリーンルーム内に設置されているが，各処理は，
より清浄な雰囲気の下で行う必要があるため，前記レジ
スト処理システムにおいては，システムの周囲や上部を
適宜のケーシング材で囲み，さらにシステムの上部にフ
ァンとフィルタとをいわば一体化したファン・フィルタ
・ユニット（ＦＦＵ）などの清浄化空気供給装置を設
け，このＦＦＵからの清浄化された空気のダウンフロー
の下に前記各処理装置が配置されている。
【０００５】そしてレジスト処理システム内の雰囲気中
のイオンや有機成分を除去するため，前記したレジスト
処理システムにおいては，既述のＦＦＵなどの清浄化空
気供給装置の上流側に，ケミカルフィルタを設置して，
有機成分やイオンを除去するようにしている。
のイオンや有機成分を除去するため，前記したレジスト
処理システムにおいては，既述のＦＦＵなどの清浄化空
気供給装置の上流側に，ケミカルフィルタを設置して，
有機成分やイオンを除去するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで，今日では半
導体デバイスの高集積化に伴い，パターンの線幅の微細
化に対応するため，レジスト材料としていわゆる化学増
幅型のレジスト材料が使用されているが，この化学増幅
型のレジスト材料は，雰囲気中のアンモニアなどのアル
カリ成分と反応すると難溶性や不溶性の中和層が表面に
形成されてしまって事後の処理にとって好ましくない。
導体デバイスの高集積化に伴い，パターンの線幅の微細
化に対応するため，レジスト材料としていわゆる化学増
幅型のレジスト材料が使用されているが，この化学増幅
型のレジスト材料は，雰囲気中のアンモニアなどのアル
カリ成分と反応すると難溶性や不溶性の中和層が表面に
形成されてしまって事後の処理にとって好ましくない。
【０００７】通常，雰囲気中のアルカリ成分を除去する
ためには，ケミカルフィルタが用いられている。しかし
ながら，このケミカルフィルタ自体の寿命は短く，交換
の際，装置全体を停止させる必要があり，スループット
の低下を招く原因ともなっていた。そのうえケミカルフ
ィルタは高価であり，ランニングコストの高騰につなが
っていた。
ためには，ケミカルフィルタが用いられている。しかし
ながら，このケミカルフィルタ自体の寿命は短く，交換
の際，装置全体を停止させる必要があり，スループット
の低下を招く原因ともなっていた。そのうえケミカルフ
ィルタは高価であり，ランニングコストの高騰につなが
っていた。
【０００８】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり，前記したようなケミカルフィルタを用いることな
く，装置内雰囲気中のアンモニアなどのアルカリ成分は
もちろんのこと，イオンや有機成分をも効率よく除去で
きる機能をもち，さらにメンテナンスサイクルを長くし
てスループットも従来より良好な処理システムを提供し
て，前記従来の問題の解決を図ることを目的としてい
る。
あり，前記したようなケミカルフィルタを用いることな
く，装置内雰囲気中のアンモニアなどのアルカリ成分は
もちろんのこと，イオンや有機成分をも効率よく除去で
きる機能をもち，さらにメンテナンスサイクルを長くし
てスループットも従来より良好な処理システムを提供し
て，前記従来の問題の解決を図ることを目的としてい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め，請求項１の処理システムは，被処理基板に対して液
処理を行う液処理部又は熱処理を行う熱処理部の少なく
ともいずれか一方の処理装置を備え，さらに清浄な下降
気流を装置内に形成する手段を装置の上部に備えた処理
システムであって，フィルタ装置と温湿度調整装置とを
備え，前記フィルタ装置は，ケーシング内に形成された
気液接触空間内に前記下降気流の下流側空気を導入する
導入部と，前記気液接触空間内に不純物除去液を噴霧す
る噴霧装置と，前記気液接触空間の下流側に位置して気
流中のミストをトラップするミストトラップ機構とを備
え，前記温湿度調整装置は，前記フィルタ装置を通過し
た処理済み空気の温湿度調整を行うように構成され，さ
らに前記温湿度調整装置によってその温湿度が調整され
た空気が，前記清浄な下降気流を形成する手段の上流側
に導かれるように構成されている。そしてさらにこの処
理システムは，被処理基板を液処理装置や熱処理装置に
対して搬入出するための搬送機構を備え，前記液処理装
置や熱処理装置及び／又は搬送機構の下方で下降気流の
下流側空気を回収し，この回収した空気の全部又は一部
を前記フィルタ装置の導入部に導入するように構成され
ている。
め，請求項１の処理システムは，被処理基板に対して液
処理を行う液処理部又は熱処理を行う熱処理部の少なく
ともいずれか一方の処理装置を備え，さらに清浄な下降
気流を装置内に形成する手段を装置の上部に備えた処理
システムであって，フィルタ装置と温湿度調整装置とを
備え，前記フィルタ装置は，ケーシング内に形成された
気液接触空間内に前記下降気流の下流側空気を導入する
導入部と，前記気液接触空間内に不純物除去液を噴霧す
る噴霧装置と，前記気液接触空間の下流側に位置して気
流中のミストをトラップするミストトラップ機構とを備
え，前記温湿度調整装置は，前記フィルタ装置を通過し
た処理済み空気の温湿度調整を行うように構成され，さ
らに前記温湿度調整装置によってその温湿度が調整され
た空気が，前記清浄な下降気流を形成する手段の上流側
に導かれるように構成されている。そしてさらにこの処
理システムは，被処理基板を液処理装置や熱処理装置に
対して搬入出するための搬送機構を備え，前記液処理装
置や熱処理装置及び／又は搬送機構の下方で下降気流の
下流側空気を回収し，この回収した空気の全部又は一部
を前記フィルタ装置の導入部に導入するように構成され
ている。
【００１０】このような処理システムにおいて，不純物
除去液としては，例えば純水が適している。またミスト
トラップ機構としては，通常の慣性衝突によって気中の
ミストを捕集する機構，例えばエリミネータなどを採用
できる。なお下流側空気は，その全部又は一部を導入部
に導入するようにし，導入しない下流側空気は，そのま
ま例えば工場排気として排気してもよい。
除去液としては，例えば純水が適している。またミスト
トラップ機構としては，通常の慣性衝突によって気中の
ミストを捕集する機構，例えばエリミネータなどを採用
できる。なお下流側空気は，その全部又は一部を導入部
に導入するようにし，導入しない下流側空気は，そのま
ま例えば工場排気として排気してもよい。
【００１１】請求項１の処理システムの場合，処理シス
テム内に発生したパーティクルや有機成分，イオン，ア
ルカリ成分は，下降気流に搬送されて下流側空気と共に
フィルタ装置の導入部から，ケーシング内の気液接触空
間へと導かれる。そこで噴霧装置から噴霧される例えば
純水などの不純物除去液のミストと接触し，前記パーテ
ィクルや有機成分，イオン，アルカリ成分などは除去さ
れる。これらパーティクル，有機成分，イオン，アルカ
リ成分などが除去された空気は，さらにミストトラップ
機構によって気中の液滴が取り除かれ，処理済み空気と
して今度は温湿度調整装置によってその温湿度が調整さ
れる。その後前記したＦＦＵなどの清浄な下降気流を形
成する手段の上流側に，温湿度調整された空気が導かれ
る。従って，ケミカルフィルタを用いることなく，気液
接触によって装置内雰囲気にあるパーティクルや有機成
分，イオン，アルカリ成分を効率よく除去することがで
きる。またミストトラップ機構，温湿度調整装置によっ
て処理した後に，清浄な下降気流を形成する手段の上流
側に導くようにしたので，気液接触法によってパーティ
クルや有機成分などを除去しても，ミストが装置内に散
乱することはない。
テム内に発生したパーティクルや有機成分，イオン，ア
ルカリ成分は，下降気流に搬送されて下流側空気と共に
フィルタ装置の導入部から，ケーシング内の気液接触空
間へと導かれる。そこで噴霧装置から噴霧される例えば
純水などの不純物除去液のミストと接触し，前記パーテ
ィクルや有機成分，イオン，アルカリ成分などは除去さ
れる。これらパーティクル，有機成分，イオン，アルカ
リ成分などが除去された空気は，さらにミストトラップ
機構によって気中の液滴が取り除かれ，処理済み空気と
して今度は温湿度調整装置によってその温湿度が調整さ
れる。その後前記したＦＦＵなどの清浄な下降気流を形
成する手段の上流側に，温湿度調整された空気が導かれ
る。従って，ケミカルフィルタを用いることなく，気液
接触によって装置内雰囲気にあるパーティクルや有機成
分，イオン，アルカリ成分を効率よく除去することがで
きる。またミストトラップ機構，温湿度調整装置によっ
て処理した後に，清浄な下降気流を形成する手段の上流
側に導くようにしたので，気液接触法によってパーティ
クルや有機成分などを除去しても，ミストが装置内に散
乱することはない。
【００１２】請求項２に記載したように，ケーシング内
における気液接触空間と導入部との間に，その表面に不
純物除去液を付着させると共に，導入部からの処理空気
を濾過させるための濾過部材を配置するようにしてもよ
い。濾過部材としては，通常のフィルタでもよいが，請
求項３に記載したような，例えばセラミックスなどの粒
からなる複数の固形物で構成してもよい。より具体的に
言えば，例えばメッシュやパンチングメタルなどの上
に，これら固形物を例えば層状に敷き詰めるようにして
配置してもよい。
における気液接触空間と導入部との間に，その表面に不
純物除去液を付着させると共に，導入部からの処理空気
を濾過させるための濾過部材を配置するようにしてもよ
い。濾過部材としては，通常のフィルタでもよいが，請
求項３に記載したような，例えばセラミックスなどの粒
からなる複数の固形物で構成してもよい。より具体的に
言えば，例えばメッシュやパンチングメタルなどの上
に，これら固形物を例えば層状に敷き詰めるようにして
配置してもよい。
【００１３】このように気液接触空間と導入部との間
に，表面に不純物除去液が付着する濾過部材を配置すれ
ば，さらに慣性衝突によってパーティクル，有機成分，
イオン，アルカリ成分等を捕集することができる。そし
て常時又は定期的に濾過部材の表面に不純物除去液を供
給するようにしておけば，捕集効率が低下することはな
い。この場合，噴霧装置からのミストとは別の供給系に
よって濾過部材に不純物除去液を供給するようにしても
よい。
に，表面に不純物除去液が付着する濾過部材を配置すれ
ば，さらに慣性衝突によってパーティクル，有機成分，
イオン，アルカリ成分等を捕集することができる。そし
て常時又は定期的に濾過部材の表面に不純物除去液を供
給するようにしておけば，捕集効率が低下することはな
い。この場合，噴霧装置からのミストとは別の供給系に
よって濾過部材に不純物除去液を供給するようにしても
よい。
【００１４】さらに請求項４に記載したように，前記フ
ィルタ装置の気液接触空間の下方にドレンパンを設置
し，このドレンパンで回収された液体を清浄化して，再
び噴霧装置へと供給するようにすれば，例えば不純物除
去液として純水を用いた場合，その再利用を図ることが
できる。
ィルタ装置の気液接触空間の下方にドレンパンを設置
し，このドレンパンで回収された液体を清浄化して，再
び噴霧装置へと供給するようにすれば，例えば不純物除
去液として純水を用いた場合，その再利用を図ることが
できる。
【００１５】
【００１６】このように構成すれば，処理装置や搬送機
構で発生するパーティクルやその他，有機成分，イオ
ン，アルカリ成分を前記した気液接触方式のフィルタ装
置で除去することができる。しかも，回収した下流側空
気の全部又は一部をフィルタ装置に導入するようにした
ので，装置内の容積等を考慮して，適切なレタン（還
気）を利用して効率のよい除去が行える。なお全部を回
収しない場合，回収しない残余分は，工場排気としてそ
のまま排気するようにしてもよい。その場合の空気の補
充分は，処理システムが設置されているクリーンルーム
内の空気をそのまま用いるようにしてもよい。
構で発生するパーティクルやその他，有機成分，イオ
ン，アルカリ成分を前記した気液接触方式のフィルタ装
置で除去することができる。しかも，回収した下流側空
気の全部又は一部をフィルタ装置に導入するようにした
ので，装置内の容積等を考慮して，適切なレタン（還
気）を利用して効率のよい除去が行える。なお全部を回
収しない場合，回収しない残余分は，工場排気としてそ
のまま排気するようにしてもよい。その場合の空気の補
充分は，処理システムが設置されているクリーンルーム
内の空気をそのまま用いるようにしてもよい。
【００１７】上記の処理システムにおいて，請求項５に
記載のように，清浄な下降気流を形成する際に使用する
送風装置を前記温湿度調整装置の上流側に設けるように
してもよい。かかる構成によれば，温湿度調整装置にて
温湿度が調整された空気は前記送風装置から熱的な影響
を受けることなく，処理システム内部において，清浄な
下降気流を形成することができる。従って処理システム
内の雰囲気温度の制御を，容易かつ正確に行え，常に企
図した状態に保つことができる。
記載のように，清浄な下降気流を形成する際に使用する
送風装置を前記温湿度調整装置の上流側に設けるように
してもよい。かかる構成によれば，温湿度調整装置にて
温湿度が調整された空気は前記送風装置から熱的な影響
を受けることなく，処理システム内部において，清浄な
下降気流を形成することができる。従って処理システム
内の雰囲気温度の制御を，容易かつ正確に行え，常に企
図した状態に保つことができる。
【００１８】そして請求項６に記載のように，温湿度調
整装置によってその温湿度が調整された空気を，清浄な
下降気流を形成する手段の上流側とは別に，液処理装置
内又は熱処理装置内の少なくともいずれかに導入する手
段と，前記導入した空気を，前記下降気流とは独立して
前記液処理装置内又は熱処理装置内で下降気流に形成す
る手段とを備えるようにすれば，前記液処理装置及び熱
処理装置の内部と，これら処理装置の外部に形成される
下降気流を完全に分離することができる。従って，前記
液処理装置内及び熱処理装置内に載置される被処理基板
に対して，装置外の下降気流の乱れによる影響のない環
境下にて，安定した液処理及び熱処理を施すことができ
る。
整装置によってその温湿度が調整された空気を，清浄な
下降気流を形成する手段の上流側とは別に，液処理装置
内又は熱処理装置内の少なくともいずれかに導入する手
段と，前記導入した空気を，前記下降気流とは独立して
前記液処理装置内又は熱処理装置内で下降気流に形成す
る手段とを備えるようにすれば，前記液処理装置及び熱
処理装置の内部と，これら処理装置の外部に形成される
下降気流を完全に分離することができる。従って，前記
液処理装置内及び熱処理装置内に載置される被処理基板
に対して，装置外の下降気流の乱れによる影響のない環
境下にて，安定した液処理及び熱処理を施すことができ
る。
【００１９】さらに請求項７に記載のように，温湿度調
整装置によってその温湿度が調整された空気を前記液処
理装置内又は熱処理装置内に導入する際に，当該空気を
清浄化するフィルタ部材を備えるようにしてもよい。こ
の構成によれば，各処理装置毎に，異なる粒子捕集率や
特性の異なるフィルタ部材を選択することができ，処理
装置の種類に応じた清浄雰囲気を創出することができ
る。
整装置によってその温湿度が調整された空気を前記液処
理装置内又は熱処理装置内に導入する際に，当該空気を
清浄化するフィルタ部材を備えるようにしてもよい。こ
の構成によれば，各処理装置毎に，異なる粒子捕集率や
特性の異なるフィルタ部材を選択することができ，処理
装置の種類に応じた清浄雰囲気を創出することができ
る。
【００２０】通常，上述の処理システムは被処理基板の
搬入出口を有しているために，完全に密閉された構造と
はなっておらず，下降気流のうち一定量は前記処理シス
テムの外部にリークしてしまう。従ってフィルタ装置か
ら温湿度調整装置を経て，再び処理システム内部におい
て清浄な下降気流を形成する空気の流量は，処理システ
ムの容積に対して不足したものになる。そこで請求項
８，９に記載のように，前記処理システムが設置されて
いる雰囲気中の空気，例えばクリーンルーム内の空気
を，前記温度調整装置の上流側又は下流側に取り込み，
フィルタ装置を通過した処理済みの空気と混合させるよ
うにすれば，処理システム内部において清浄な下降気流
を形成する空気の不足分は補われることになる。
搬入出口を有しているために，完全に密閉された構造と
はなっておらず，下降気流のうち一定量は前記処理シス
テムの外部にリークしてしまう。従ってフィルタ装置か
ら温湿度調整装置を経て，再び処理システム内部におい
て清浄な下降気流を形成する空気の流量は，処理システ
ムの容積に対して不足したものになる。そこで請求項
８，９に記載のように，前記処理システムが設置されて
いる雰囲気中の空気，例えばクリーンルーム内の空気
を，前記温度調整装置の上流側又は下流側に取り込み，
フィルタ装置を通過した処理済みの空気と混合させるよ
うにすれば，処理システム内部において清浄な下降気流
を形成する空気の不足分は補われることになる。
【００２１】同様に，請求項１０，１１に記載のよう
に，前記フィルタ装置を通過した処理済みの空気を，前
記温度調整装置の上流側又は下流側において，処理シス
テム内部からの空気と混合するようにしてもよいし，請
求項１２，１３に記載のように，前記処理システムが設
置されている雰囲気外，例えば隣接している別のクリー
ンルームや前記処理システムが設置されているグレーテ
ィングパネルの下側の雰囲気と混合するようにしてもよ
い。さらに，請求項１４，１５に記載のように，前記フ
ィルタ装置を通過した処理済みの空気を，システム内に
備えられたレジスト塗布処理装置へ供給される空気の一
部と，前記温度調整装置の上流側又は下流側において，
混合するようにしてもよい。
に，前記フィルタ装置を通過した処理済みの空気を，前
記温度調整装置の上流側又は下流側において，処理シス
テム内部からの空気と混合するようにしてもよいし，請
求項１２，１３に記載のように，前記処理システムが設
置されている雰囲気外，例えば隣接している別のクリー
ンルームや前記処理システムが設置されているグレーテ
ィングパネルの下側の雰囲気と混合するようにしてもよ
い。さらに，請求項１４，１５に記載のように，前記フ
ィルタ装置を通過した処理済みの空気を，システム内に
備えられたレジスト塗布処理装置へ供給される空気の一
部と，前記温度調整装置の上流側又は下流側において，
混合するようにしてもよい。
【００２２】この種の処理システムにおいて，前記処理
システム内の雰囲気中には，例えばレジスト液や溶剤な
どの不純物が，ある程度含まれる可能性も否定できな
い。そこで処理システムから送出される空気のうち適宜
量を工場排気として排気したうえで，その排気された分
の空気を請求項８〜１５に記載のように，レジスト液や
溶剤などがほとんど存在しない雰囲気中から取り込むよ
うにすれば，フィルタ装置の不純物除去にかかる負担を
軽減できる。特に，レジスト塗布処理装置へ供給される
空気は，通常，極めて清浄かつ厳密に温湿度調整がなさ
れているために，請求項１４，１５に記載のように，こ
の空気の一部を用いるようにすれば，フィルタ装置への
負担は一層軽減される。これによってフィルタ装置のメ
ンテナンスサイクルは延長され，メンテナンスコストの
低減が図れる。
システム内の雰囲気中には，例えばレジスト液や溶剤な
どの不純物が，ある程度含まれる可能性も否定できな
い。そこで処理システムから送出される空気のうち適宜
量を工場排気として排気したうえで，その排気された分
の空気を請求項８〜１５に記載のように，レジスト液や
溶剤などがほとんど存在しない雰囲気中から取り込むよ
うにすれば，フィルタ装置の不純物除去にかかる負担を
軽減できる。特に，レジスト塗布処理装置へ供給される
空気は，通常，極めて清浄かつ厳密に温湿度調整がなさ
れているために，請求項１４，１５に記載のように，こ
の空気の一部を用いるようにすれば，フィルタ装置への
負担は一層軽減される。これによってフィルタ装置のメ
ンテナンスサイクルは延長され，メンテナンスコストの
低減が図れる。
【００２３】そして請求項１６，１７に記載したよう
に，フィルタ装置の導入部に，処理システムが設置され
ている雰囲気内または雰囲気外の空気を導入するように
構成すれば，処理システム内部の下降気流の下流側空気
中の不純物はもちろんのこと，前記処理システムの外部
より導入される空気中の不純物をも，フィルタ装置にて
除去することが可能になる。従ってフィルタ装置及び温
湿度調整装置を経て，再び処理システム内部において清
浄な下降気流を形成する空気は，処理システム全体の容
積に対して十分な流量が確保できると共に，前記処理シ
ステムの内部の雰囲気を好適な清浄度に保つことができ
る。
に，フィルタ装置の導入部に，処理システムが設置され
ている雰囲気内または雰囲気外の空気を導入するように
構成すれば，処理システム内部の下降気流の下流側空気
中の不純物はもちろんのこと，前記処理システムの外部
より導入される空気中の不純物をも，フィルタ装置にて
除去することが可能になる。従ってフィルタ装置及び温
湿度調整装置を経て，再び処理システム内部において清
浄な下降気流を形成する空気は，処理システム全体の容
積に対して十分な流量が確保できると共に，前記処理シ
ステムの内部の雰囲気を好適な清浄度に保つことができ
る。
【００２４】また請求項１８に記載のように，前記処理
システム内の下降気流の下流側空気に代えて，処理シス
テムが設置されている雰囲気内又は外の空気を導入する
導入系統を備えるようにしてもよい。このように構成す
れば，何らかの事故が原因で，前記処理システム内の雰
囲気中において不純物が大量に発生した場合でも，前記
フィルタ装置にダメージが及ぶことはない。従って前記
フィルタ装置は長期にわたり安定した不純物除去性能を
維持することができ，頻繁なメンテナンスは不要とな
る。
システム内の下降気流の下流側空気に代えて，処理シス
テムが設置されている雰囲気内又は外の空気を導入する
導入系統を備えるようにしてもよい。このように構成す
れば，何らかの事故が原因で，前記処理システム内の雰
囲気中において不純物が大量に発生した場合でも，前記
フィルタ装置にダメージが及ぶことはない。従って前記
フィルタ装置は長期にわたり安定した不純物除去性能を
維持することができ，頻繁なメンテナンスは不要とな
る。
【００２５】また請求項１９によれば，空調された雰囲
気下で被処理基板を処理する処理システムであって，被
処理基板を処理液で処理する液処理系ユニットおよび被
処理基板を加熱し冷却する熱処理系ユニットのうち少な
くとも一方を備えるプロセス部と，このプロセス部に空
気を供給するためにプロセス部よりも上方に形成された
上部空間と，この上部空間に供給されるべき空気からア
ルカリ成分を除去して空気を浄化する浄化部と，この浄
化部および前記上部空間のそれぞれに連通し，前記浄化
部を通過した空気の温度および湿度をともに調整する温
度湿度調整部と，この温度湿度調整部から前記上部空間
に空気を送り，前記上部空間からプロセス部内に空気を
下降させ，かつ，プロセス部内を下降して流れた空気の
うち少なくとも一部を前記温度湿度調整部に送る送風手
段とを備え，上記浄化部は，システム外部に連通するチ
ャンバと，このチャンバ内にシステム外部から新たに空
気を導入する空気補充手段と，このチャンバ内に不純物
除去液を噴霧するノズルと，この噴霧された不純物除去
液を導入空気に接触させるために前記チャンバ内に形成
された気液接触部と，この気液接触部よりも下流側に配
置され，気液接触部を通過した気流中のミスト状の不純
物除去液を捕捉するミストトラップ機構とを具備するこ
とを特徴とする，処理システムが提供される。この処理
システムによれば，特にアルカリ成分の除去に有効であ
る。
気下で被処理基板を処理する処理システムであって，被
処理基板を処理液で処理する液処理系ユニットおよび被
処理基板を加熱し冷却する熱処理系ユニットのうち少な
くとも一方を備えるプロセス部と，このプロセス部に空
気を供給するためにプロセス部よりも上方に形成された
上部空間と，この上部空間に供給されるべき空気からア
ルカリ成分を除去して空気を浄化する浄化部と，この浄
化部および前記上部空間のそれぞれに連通し，前記浄化
部を通過した空気の温度および湿度をともに調整する温
度湿度調整部と，この温度湿度調整部から前記上部空間
に空気を送り，前記上部空間からプロセス部内に空気を
下降させ，かつ，プロセス部内を下降して流れた空気の
うち少なくとも一部を前記温度湿度調整部に送る送風手
段とを備え，上記浄化部は，システム外部に連通するチ
ャンバと，このチャンバ内にシステム外部から新たに空
気を導入する空気補充手段と，このチャンバ内に不純物
除去液を噴霧するノズルと，この噴霧された不純物除去
液を導入空気に接触させるために前記チャンバ内に形成
された気液接触部と，この気液接触部よりも下流側に配
置され，気液接触部を通過した気流中のミスト状の不純
物除去液を捕捉するミストトラップ機構とを具備するこ
とを特徴とする，処理システムが提供される。この処理
システムによれば，特にアルカリ成分の除去に有効であ
る。
【００２６】この場合，請求項２０に記載のように，空
気は気液接触部の下方から送風手段によりチャンバ内に
導入され，不純物除去液は気液接触部の上方からノズル
によりチャンバ内に噴霧され，これにより気液接触部で
ミスト状の不純物除去液が空気に対向流動接触して，空
気からアルカリ成分が除去されるように構成したり，ま
た請求項２２に記載のように，空気は気液接触部の下方
から送風手段によりチャンバ内に導入され，不純物除去
液は気液接触部の側方からノズルによりチャンバ内に噴
霧され，これにより気液接触部でミスト状の不純物除去
液が空気に交差流動接触して，空気からアルカリ成分が
除去されるようにしてもよい。
気は気液接触部の下方から送風手段によりチャンバ内に
導入され，不純物除去液は気液接触部の上方からノズル
によりチャンバ内に噴霧され，これにより気液接触部で
ミスト状の不純物除去液が空気に対向流動接触して，空
気からアルカリ成分が除去されるように構成したり，ま
た請求項２２に記載のように，空気は気液接触部の下方
から送風手段によりチャンバ内に導入され，不純物除去
液は気液接触部の側方からノズルによりチャンバ内に噴
霧され，これにより気液接触部でミスト状の不純物除去
液が空気に交差流動接触して，空気からアルカリ成分が
除去されるようにしてもよい。
【００２７】請求項２２に記載のように，浄化部は，上
下多段に並ぶ複数の気液接触部を有するようにのが好ま
しい。さらに，請求項２３，２４に記載のように，気液
接触部は，ノズルと向き合って設けられ，ノズルから噴
霧された不純物除去液を溜め，かつ，チャンバ内に導入
された空気の流れを整流する有孔トレイを有するのが好
ましく，その表面に不純物除去液を付着させ，かつ，そ
の相互間に空気が通流しうる間隙を形成する多数の固形
物を有するのも好ましい。かかる方策によって除去効率
が向上し，パーティクル等の除去にも有利である。この
場合に，請求項２６に記載のように，前記固形物をセラ
ミックボールで構成するのが好ましい。このようなセラ
ミックボールを採用すると，セラミックボールに空気が
慣性衝突することによって，パーティクル，有機成分，
イオン，アルカリ成分などがボール表面に付着した不純
物除去液に容易に捕捉され，しかもセラミックボールは
化学的に安定したものであるからである。それゆえ，二
次汚染を引き起こすことはない。
下多段に並ぶ複数の気液接触部を有するようにのが好ま
しい。さらに，請求項２３，２４に記載のように，気液
接触部は，ノズルと向き合って設けられ，ノズルから噴
霧された不純物除去液を溜め，かつ，チャンバ内に導入
された空気の流れを整流する有孔トレイを有するのが好
ましく，その表面に不純物除去液を付着させ，かつ，そ
の相互間に空気が通流しうる間隙を形成する多数の固形
物を有するのも好ましい。かかる方策によって除去効率
が向上し，パーティクル等の除去にも有利である。この
場合に，請求項２６に記載のように，前記固形物をセラ
ミックボールで構成するのが好ましい。このようなセラ
ミックボールを採用すると，セラミックボールに空気が
慣性衝突することによって，パーティクル，有機成分，
イオン，アルカリ成分などがボール表面に付着した不純
物除去液に容易に捕捉され，しかもセラミックボールは
化学的に安定したものであるからである。それゆえ，二
次汚染を引き起こすことはない。
【００２８】また請求項２６に記載のように，送風手段
は，システム外部から空気を補充する第１のファンと，
プロセス部内を流れた空気のうち６０〜７０体積％の流
量をプロセス部に循環させる第２のファンと，この循環
空気に前記補充空気を混合させる混合箱とを有するのが
好ましい。６０〜７０体積％（約２／３）の流量の空気
をプロセス部に循環させると共に，３０〜４０体積％
（約１／３）の流量の空気をシステム外部から補充する
ことにより，浄化部の負荷が軽減される。さらに，請求
項２７に記載のように，上部空間からプロセス部に供給
される空気のアルカリ成分濃度を検出する濃度センサ
と，この濃度センサからの検出信号に基づき，上部空間
からプロセス部に供給される空気のアルカリ成分濃度が
低減されるように，上記送風手段および上記空気補充手
段のそれぞれの動作を制御する制御部とを具備するよう
にすれば，常に好適な状態でシステムを稼働させること
ができる。
は，システム外部から空気を補充する第１のファンと，
プロセス部内を流れた空気のうち６０〜７０体積％の流
量をプロセス部に循環させる第２のファンと，この循環
空気に前記補充空気を混合させる混合箱とを有するのが
好ましい。６０〜７０体積％（約２／３）の流量の空気
をプロセス部に循環させると共に，３０〜４０体積％
（約１／３）の流量の空気をシステム外部から補充する
ことにより，浄化部の負荷が軽減される。さらに，請求
項２７に記載のように，上部空間からプロセス部に供給
される空気のアルカリ成分濃度を検出する濃度センサ
と，この濃度センサからの検出信号に基づき，上部空間
からプロセス部に供給される空気のアルカリ成分濃度が
低減されるように，上記送風手段および上記空気補充手
段のそれぞれの動作を制御する制御部とを具備するよう
にすれば，常に好適な状態でシステムを稼働させること
ができる。
【００２９】また請求項２８，２９の記載のように，さ
らに浄化部のチャンバの底部に溜まった液からアルカリ
成分を除去するアルカリ成分除去器を付加したり，浄化
部のチャンバの底部に溜まった液のアルカリ成分濃度を
検出する濃度センサと，ノズルに不純物除去液を供給す
る液供給源と，前記濃度センサからの検出信号に基づ
き，前記液供給源および上記アルカリ成分除去器のそれ
ぞれの動作を制御する制御部とを具備させるようにして
もよい。
らに浄化部のチャンバの底部に溜まった液からアルカリ
成分を除去するアルカリ成分除去器を付加したり，浄化
部のチャンバの底部に溜まった液のアルカリ成分濃度を
検出する濃度センサと，ノズルに不純物除去液を供給す
る液供給源と，前記濃度センサからの検出信号に基づ
き，前記液供給源および上記アルカリ成分除去器のそれ
ぞれの動作を制御する制御部とを具備させるようにして
もよい。
【００３０】また，請求項３０，３１に記載のように，
温度湿度調整部は，空気入口および空気出口をもつコン
テナと，空気入口側に設けられてコンテナ内の空気を加
熱するヒータと，空気出口側に設けられてコンテナ内の
空気に加湿する加湿器とを具備するのが好ましく，上記
ヒータよりも空気入口に近いところに設けられ，コンテ
ナ内の空気を急速冷却する冷却機構を有するようにすれ
ばなお好ましい。
温度湿度調整部は，空気入口および空気出口をもつコン
テナと，空気入口側に設けられてコンテナ内の空気を加
熱するヒータと，空気出口側に設けられてコンテナ内の
空気に加湿する加湿器とを具備するのが好ましく，上記
ヒータよりも空気入口に近いところに設けられ，コンテ
ナ内の空気を急速冷却する冷却機構を有するようにすれ
ばなお好ましい。
【００３１】さらに，請求項３２の記載のように，送風
手段は，浄化部と温度湿度調整部との間に設けられてい
るのが好ましい。また請求項３３の記載のように，気液
接触部より下方に設けられたドレンパンと，このドレン
パンに溜まった液からアルカリ成分を除去して液を清浄
化するアルカリ成分除去器と，この清浄化された液をノ
ズルに戻す循環回路とを具備するようにしてもよい。さ
らに，請求項３４の記載のように，ミストトラップ機構
に新鮮な不純物除去液をかけて，先に捕捉された不純物
除去液をミストトラップ機構から洗い流す洗浄手段を付
加すれば，ミストトラップ機構を清浄な状態で使用する
ことができる。上記不純物除去液については，請求項３
５に記載したように，温度が８℃以下の純水であるのが
除去効率の点で好ましく，またアルカリ成分濃度につい
ても請求項３６に記載したように，１ｐｐｂ未満の純水
であることが好ましい。
手段は，浄化部と温度湿度調整部との間に設けられてい
るのが好ましい。また請求項３３の記載のように，気液
接触部より下方に設けられたドレンパンと，このドレン
パンに溜まった液からアルカリ成分を除去して液を清浄
化するアルカリ成分除去器と，この清浄化された液をノ
ズルに戻す循環回路とを具備するようにしてもよい。さ
らに，請求項３４の記載のように，ミストトラップ機構
に新鮮な不純物除去液をかけて，先に捕捉された不純物
除去液をミストトラップ機構から洗い流す洗浄手段を付
加すれば，ミストトラップ機構を清浄な状態で使用する
ことができる。上記不純物除去液については，請求項３
５に記載したように，温度が８℃以下の純水であるのが
除去効率の点で好ましく，またアルカリ成分濃度につい
ても請求項３６に記載したように，１ｐｐｂ未満の純水
であることが好ましい。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下，本発明のいくつかの実施形
態を図に基づいて説明すると，まず最初の実施の形態に
おいては，１つのウエハに対してレジスト処理，露光後
の現像処理などの一連のレジスト・現像処理を行うシス
テムとして構成されており，図１はかかるレジスト・現
像処理を行う処理システム１の概観，図２はその内部の
平面を示しており，この処理システム１は，ウエハＷを
複数枚収納したキャリアＣ単位でシステム内にロードし
たり，システムからアンロードされるロード／アンロー
ド部１０と，ロードされたウエハＷに対して種々の処理
を行うユニットとしての処理装置が複数配置されている
プロセス部２０と，ウエハに対して所定の露光処理を行
う露光装置Ｓとの間でウエハを受け渡しするためのイン
タフェース部３０の３つのゾーンに大別できる。
態を図に基づいて説明すると，まず最初の実施の形態に
おいては，１つのウエハに対してレジスト処理，露光後
の現像処理などの一連のレジスト・現像処理を行うシス
テムとして構成されており，図１はかかるレジスト・現
像処理を行う処理システム１の概観，図２はその内部の
平面を示しており，この処理システム１は，ウエハＷを
複数枚収納したキャリアＣ単位でシステム内にロードし
たり，システムからアンロードされるロード／アンロー
ド部１０と，ロードされたウエハＷに対して種々の処理
を行うユニットとしての処理装置が複数配置されている
プロセス部２０と，ウエハに対して所定の露光処理を行
う露光装置Ｓとの間でウエハを受け渡しするためのイン
タフェース部３０の３つのゾーンに大別できる。
【００３３】ロード／アンロード部１０には，キャリア
Ｃが載置されるステージ１１と，ステージ１１上に載置
されたキャリアＣに対してウエハＷを搬入出するための
移載機構１２とが設けられている。移載機構１２は，プ
ロセス部２０に設けられている搬送機構２１との間でウ
エハＷの受け渡しを行うように構成されている。
Ｃが載置されるステージ１１と，ステージ１１上に載置
されたキャリアＣに対してウエハＷを搬入出するための
移載機構１２とが設けられている。移載機構１２は，プ
ロセス部２０に設けられている搬送機構２１との間でウ
エハＷの受け渡しを行うように構成されている。
【００３４】プロセス部２０の中央には，搬送路２２が
設けられており，この搬送路２２上を移動自在で，ウエ
ハＷを搬送するための搬送アームなどからなる搬送機構
２１が設けられている。
設けられており，この搬送路２２上を移動自在で，ウエ
ハＷを搬送するための搬送アームなどからなる搬送機構
２１が設けられている。
【００３５】搬送路２２を挟んでその両側には，ウエハ
Ｗに対して各種の処理を行うための処理装置が配置され
ている。本実施形態においては，一側に液処理系の処理
装置であるアドヒージョン処理装置４１，レジスト塗布
処理装置４２，現像処理装置４３が配置され，搬送路２
２を挟んだ他側には，熱処理系装置である熱処理装置４
５，４６，４７，４８などが配置されている。なお４４
は，エクステンションユニットであり，インタフェース
部３０とプロセス部２０との間で，ウエハＷを一時待機
させるための待機部を構成している。また各熱処理装置
４５，４６，４７，４８は，複数の装置を多段に積層し
た構成をとっており，例えば図３に示したように，熱処
理装置４５においては，４つのユニット４５ａ，４５
ｂ，４５ｃ，４５ｄが多段に積層した構成を有してい
る。このようにして多数の熱処理装置が配置されている
ので，レジスト塗布後の熱処理や，露光後の熱処理など
の各種の熱処理を同時並行的に効率よく行うことが可能
である。そして例えば下段に位置するユニット４５ｃ，
４５ｄは，加熱処理ではなく，所定の温度までウエハを
冷却したり，冷ましたりする装置構成となっている。従
って，本願発明における熱処理とは，加熱処理のみなら
ず，そのような冷却したり冷ましたりする処理をも含む
概念である。
Ｗに対して各種の処理を行うための処理装置が配置され
ている。本実施形態においては，一側に液処理系の処理
装置であるアドヒージョン処理装置４１，レジスト塗布
処理装置４２，現像処理装置４３が配置され，搬送路２
２を挟んだ他側には，熱処理系装置である熱処理装置４
５，４６，４７，４８などが配置されている。なお４４
は，エクステンションユニットであり，インタフェース
部３０とプロセス部２０との間で，ウエハＷを一時待機
させるための待機部を構成している。また各熱処理装置
４５，４６，４７，４８は，複数の装置を多段に積層し
た構成をとっており，例えば図３に示したように，熱処
理装置４５においては，４つのユニット４５ａ，４５
ｂ，４５ｃ，４５ｄが多段に積層した構成を有してい
る。このようにして多数の熱処理装置が配置されている
ので，レジスト塗布後の熱処理や，露光後の熱処理など
の各種の熱処理を同時並行的に効率よく行うことが可能
である。そして例えば下段に位置するユニット４５ｃ，
４５ｄは，加熱処理ではなく，所定の温度までウエハを
冷却したり，冷ましたりする装置構成となっている。従
って，本願発明における熱処理とは，加熱処理のみなら
ず，そのような冷却したり冷ましたりする処理をも含む
概念である。
【００３６】インタフェース部３０には，前出移載機構
１２と実質的に同一の移載機構３１が設置されており，
露光装置Ｓとの間でウエハの受け渡しを行うように構成
されている。
１２と実質的に同一の移載機構３１が設置されており，
露光装置Ｓとの間でウエハの受け渡しを行うように構成
されている。
【００３７】図３にも示したように，この処理システム
１は，いわばセミクローズドシステムとなっており，シ
ステムの周囲や上部，下部は，適宜のケーシング材（例
えばステンレス鋼板や耐食性のある樹脂パネル）からな
る側板５１，５２や天板５３，底板５４で覆われてお
り，図１に示したように例えばロード／アンロード部１
０におけるキャリアＣの搬入・搬出口の部分のみが開放
している。
１は，いわばセミクローズドシステムとなっており，シ
ステムの周囲や上部，下部は，適宜のケーシング材（例
えばステンレス鋼板や耐食性のある樹脂パネル）からな
る側板５１，５２や天板５３，底板５４で覆われてお
り，図１に示したように例えばロード／アンロード部１
０におけるキャリアＣの搬入・搬出口の部分のみが開放
している。
【００３８】システム内の上部，即ち天板５３の下面に
は，清浄なダウンフロー（下降気流）を形成するための
ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）６１が適宜数設
置されている。このＦＦＵ６１は，天板との間に形成さ
れた天井チャンバ６２内の空気を送風機６３で吸い込ん
で，ＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタ６４を介し
て清浄化してこれを下方に吹き出す機能を有している。
は，清浄なダウンフロー（下降気流）を形成するための
ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）６１が適宜数設
置されている。このＦＦＵ６１は，天板との間に形成さ
れた天井チャンバ６２内の空気を送風機６３で吸い込ん
で，ＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタ６４を介し
て清浄化してこれを下方に吹き出す機能を有している。
【００３９】そして前出各処理装置，例えばアドヒージ
ョン処理装置４１，レジスト塗布処理装置４２，現像処
理装置４３，熱処理装置４５，４６，４７，４８など
は，底板５４の上にさらに空間Ｐをおいて設置されてい
る通気孔板５５の上に設置されている。この通気孔板５
５は，例えばパンチングメタルやグレーチング材などに
よって構成されている。
ョン処理装置４１，レジスト塗布処理装置４２，現像処
理装置４３，熱処理装置４５，４６，４７，４８など
は，底板５４の上にさらに空間Ｐをおいて設置されてい
る通気孔板５５の上に設置されている。この通気孔板５
５は，例えばパンチングメタルやグレーチング材などに
よって構成されている。
【００４０】空間Ｐ内の空気は排出経路７１を経て，図
４に示したフィルタ装置８１へと導入されるようになっ
ている。このフィルタ装置８１は，ケーシング８２の下
方よりに導入部８３を有している。そしてケーシング８
２内における導入部８３よりも上方の空間が，気液接触
空間Ｍとなっている。またケーシング８２内には，この
気液接触空間Ｍに向けて，純水などの不純物除去液を噴
霧するための噴霧装置８４が設けられている。この噴霧
装置８４は気液接触空間Ｍの一側寄りに配置され，垂直
方向に配置された複数の噴霧ヘッダ８４ａに，複数の噴
霧ノズル８４ｂが長手方向形成された構成を有してお
り，気液接触空間Ｍの他側に向けて純水などの不純物除
去液を微小なミスト状に噴霧する構成を有している。
４に示したフィルタ装置８１へと導入されるようになっ
ている。このフィルタ装置８１は，ケーシング８２の下
方よりに導入部８３を有している。そしてケーシング８
２内における導入部８３よりも上方の空間が，気液接触
空間Ｍとなっている。またケーシング８２内には，この
気液接触空間Ｍに向けて，純水などの不純物除去液を噴
霧するための噴霧装置８４が設けられている。この噴霧
装置８４は気液接触空間Ｍの一側寄りに配置され，垂直
方向に配置された複数の噴霧ヘッダ８４ａに，複数の噴
霧ノズル８４ｂが長手方向形成された構成を有してお
り，気液接触空間Ｍの他側に向けて純水などの不純物除
去液を微小なミスト状に噴霧する構成を有している。
【００４１】前記噴霧装置８４に対しては，供給管８５
を介して純水などの不純物除去液が供給されるが，所定
の圧力を得るため，ポンプ８６によって純水などの不純
物除去液が供給管８５を通じて圧送されるようになって
いる。ケーシング８２内の底面にはドレンパン８７が設
置されており，回収管８８，フィルタ８９を介して，ド
レンパン８７に溜まった純水などの不純物除去液は，再
利用されるようになっている。
を介して純水などの不純物除去液が供給されるが，所定
の圧力を得るため，ポンプ８６によって純水などの不純
物除去液が供給管８５を通じて圧送されるようになって
いる。ケーシング８２内の底面にはドレンパン８７が設
置されており，回収管８８，フィルタ８９を介して，ド
レンパン８７に溜まった純水などの不純物除去液は，再
利用されるようになっている。
【００４２】また純水などの不純物除去液は，供給管８
５に接続されている補充管９０からも供給されるように
なっており，常に所定流量が確保されるようになっいて
る。なおこの種のレジスト塗布・現像処理システムにお
いては，例えば純水を使ってウエハに対してスクラバ洗
浄などを行う洗浄装置が組み込まれていることが多い
が，このフィルタ装置８１の噴霧装置８４に，補充管９
０を通じて供給する純水も，そのような洗浄装置へ純水
を供給する供給配管から引くことができ，システム内の
純水の配管を有効に利用することができる。
５に接続されている補充管９０からも供給されるように
なっており，常に所定流量が確保されるようになっいて
る。なおこの種のレジスト塗布・現像処理システムにお
いては，例えば純水を使ってウエハに対してスクラバ洗
浄などを行う洗浄装置が組み込まれていることが多い
が，このフィルタ装置８１の噴霧装置８４に，補充管９
０を通じて供給する純水も，そのような洗浄装置へ純水
を供給する供給配管から引くことができ，システム内の
純水の配管を有効に利用することができる。
【００４３】ケーシング８２内における気液接触空間Ｍ
の上方には，気液接触空間Ｍを通過した気中のミストを
除去するためのミストトラップ機構としてのエリミネー
タ９１が設けられている。本実施形態においては，気体
を衝突させて液滴を除去するための多数のフィン９１ａ
を交互に配置した構成を有しているが，もちろんこれに
限らず，気中のミストを除去するための構成であればよ
い。そしてこのエリミネータ９１によって捕集された液
滴は，パン９１ｂに受容されたり，あるいはドレンパン
８７へと落下するようになっている。このエリミネータ
９１の上部には，ケーシング８２外へと通ずる送出部９
２が設けられている。
の上方には，気液接触空間Ｍを通過した気中のミストを
除去するためのミストトラップ機構としてのエリミネー
タ９１が設けられている。本実施形態においては，気体
を衝突させて液滴を除去するための多数のフィン９１ａ
を交互に配置した構成を有しているが，もちろんこれに
限らず，気中のミストを除去するための構成であればよ
い。そしてこのエリミネータ９１によって捕集された液
滴は，パン９１ｂに受容されたり，あるいはドレンパン
８７へと落下するようになっている。このエリミネータ
９１の上部には，ケーシング８２外へと通ずる送出部９
２が設けられている。
【００４４】送出部９２から送出された空気は，図５に
も示した温湿度調整装置１０１の導入部１０２へと送出
される。この温湿度調整装置１０１は，チャンバ１０３
内に，導入部１０２側，即ち上流側から順に，冷却機構
１０４，加熱機構１０５，加湿機構１０６を備えてい
る。
も示した温湿度調整装置１０１の導入部１０２へと送出
される。この温湿度調整装置１０１は，チャンバ１０３
内に，導入部１０２側，即ち上流側から順に，冷却機構
１０４，加熱機構１０５，加湿機構１０６を備えてい
る。
【００４５】冷却機構１０４は例えば冷却コイルを用い
ることができ，導入部１０２からチャンバ１０３内に導
入された空気を急速に冷却して（例えば５℃），減湿さ
せる機能を有している。加熱機構１０５は，冷却機構１
０４を経て冷却された空気を所定温度まで加熱する機能
を有しており，電気ヒータや熱源水を利用した加熱コイ
ルなどを用いることができる。そして加湿機構１０６
は，加熱機構１０５を通過して所定温度になった空気を
所定湿度まで加湿する機能を有している。
ることができ，導入部１０２からチャンバ１０３内に導
入された空気を急速に冷却して（例えば５℃），減湿さ
せる機能を有している。加熱機構１０５は，冷却機構１
０４を経て冷却された空気を所定温度まで加熱する機能
を有しており，電気ヒータや熱源水を利用した加熱コイ
ルなどを用いることができる。そして加湿機構１０６
は，加熱機構１０５を通過して所定温度になった空気を
所定湿度まで加湿する機能を有している。
【００４６】本実施形態においては，下部に設けた超音
波振動子による加湿機構を採用しているが，もちろんこ
れに限らず，噴霧機構や純水を加熱して蒸発させる方式
などに拠ってもよい。そして加湿機構１０６を経た空気
は，送風機１０７によって送出口１０８から送出される
ようになっている。これら冷却機構１０４，加熱機構１
０５，加湿機構１０６によって，所望の温湿度，例えば
温度２３℃，相対湿度４０％に設定した空気を，送出口
１０８から送出することが可能である。なおこれら冷却
機構１０４，加熱機構１０５，加湿機構１０６の制御
は，別設の制御装置（図示せず）によって制御され，設
定された温湿度条件の空気を送出させることが自在であ
る。
波振動子による加湿機構を採用しているが，もちろんこ
れに限らず，噴霧機構や純水を加熱して蒸発させる方式
などに拠ってもよい。そして加湿機構１０６を経た空気
は，送風機１０７によって送出口１０８から送出される
ようになっている。これら冷却機構１０４，加熱機構１
０５，加湿機構１０６によって，所望の温湿度，例えば
温度２３℃，相対湿度４０％に設定した空気を，送出口
１０８から送出することが可能である。なおこれら冷却
機構１０４，加熱機構１０５，加湿機構１０６の制御
は，別設の制御装置（図示せず）によって制御され，設
定された温湿度条件の空気を送出させることが自在であ
る。
【００４７】前記温湿度調整装置１０１の送出口１０８
と，処理システム１の天井部に形成されている天井チャ
ンバ６２との間には，図３に示したように，ダクト１１
０が施工されている。従って，送出口１０８を出た所定
温湿度の空気は，天井チャンバ６２内へと供給されるよ
うになっている。なおこの処理システム１は，完全密閉
式のシステムではなく，既述したように，セミクローズ
ドタイプのシステムであるから，前記したように，処理
システム１の下部の空間Ｐから回収して，フィルタ装置
８１，温湿度調整装置１０１を通過して天井チャンバ６
２へと循環される空気は，処理システム１内の空気の全
量ではない。従って，不足分は，適宜開放部から取り入
れられることになる。もちろん前記した循環系に，積極
的に取り入れ口を形成してもよい。
と，処理システム１の天井部に形成されている天井チャ
ンバ６２との間には，図３に示したように，ダクト１１
０が施工されている。従って，送出口１０８を出た所定
温湿度の空気は，天井チャンバ６２内へと供給されるよ
うになっている。なおこの処理システム１は，完全密閉
式のシステムではなく，既述したように，セミクローズ
ドタイプのシステムであるから，前記したように，処理
システム１の下部の空間Ｐから回収して，フィルタ装置
８１，温湿度調整装置１０１を通過して天井チャンバ６
２へと循環される空気は，処理システム１内の空気の全
量ではない。従って，不足分は，適宜開放部から取り入
れられることになる。もちろん前記した循環系に，積極
的に取り入れ口を形成してもよい。
【００４８】本実施形態にかかる処理システム１は，以
上のように構成されており，例えば搬送ロボット（図示
せず）などによって被処理基板であるウエハを収納した
キャリアＣが，ロード／アンロード部１０のステージ１
１に載置されると，移載機構１２がウエハＷを取り出
し，搬送機構２１に渡す。搬送機構２１は，受け取った
ウエハＷをアドヒージョン処理装置４１に搬送し，以
下，順次各処理装置において，ウエハＷに対して所定の
レジスト塗布処理等が実施されていく。
上のように構成されており，例えば搬送ロボット（図示
せず）などによって被処理基板であるウエハを収納した
キャリアＣが，ロード／アンロード部１０のステージ１
１に載置されると，移載機構１２がウエハＷを取り出
し，搬送機構２１に渡す。搬送機構２１は，受け取った
ウエハＷをアドヒージョン処理装置４１に搬送し，以
下，順次各処理装置において，ウエハＷに対して所定の
レジスト塗布処理等が実施されていく。
【００４９】このような処理システム１内における各処
理装置の処理中，処理システム１内においては，ＦＦＵ
６１によって，所定の気流速度，例えば０．３５ｍ／ｓ
〜０．５ｍ／ｓの清浄化されたダウンフローが形成され
ており，このダウンフローによって，システム内に発生
するパーティクルや有機成分，イオン，アルカリ成分な
どは，下方へと搬送され，通気孔板５５を通って空間Ｐ
から，フィルタ装置８１の導入部８３へと導入される。
理装置の処理中，処理システム１内においては，ＦＦＵ
６１によって，所定の気流速度，例えば０．３５ｍ／ｓ
〜０．５ｍ／ｓの清浄化されたダウンフローが形成され
ており，このダウンフローによって，システム内に発生
するパーティクルや有機成分，イオン，アルカリ成分な
どは，下方へと搬送され，通気孔板５５を通って空間Ｐ
から，フィルタ装置８１の導入部８３へと導入される。
【００５０】フィルタ装置８１内においては，導入部８
３から導入された空気に対して，気液接触空間Ｍにおい
て，噴霧装置８４から純水が噴霧され，これによる気液
接触法によって空気中の前記パーティクルや有機成分，
イオン，アルカリ成分は，除去される。そしてこれらが
除去された空気は，エリミネータ９１によって気中のミ
ストが捕集される。
３から導入された空気に対して，気液接触空間Ｍにおい
て，噴霧装置８４から純水が噴霧され，これによる気液
接触法によって空気中の前記パーティクルや有機成分，
イオン，アルカリ成分は，除去される。そしてこれらが
除去された空気は，エリミネータ９１によって気中のミ
ストが捕集される。
【００５１】そのようにフィルタ装置８１でパーティク
ルや有機成分，イオン，アルカリ成分が除去された空気
は，温湿度調整装置１０１に導入され，所定の温湿度，
例えば温度が２３℃，相対湿度が４０％に調整された
後，システムの天井部に設けられている天井チャンバ６
２へと送られる。そしてＦＦＵ６１の送風機６３によっ
て天井チャンバ６２内の空気は，高性能フィルタ６４を
通過することでさらに清浄化され，再びダウンフローと
してシステム内に供給されるのである。
ルや有機成分，イオン，アルカリ成分が除去された空気
は，温湿度調整装置１０１に導入され，所定の温湿度，
例えば温度が２３℃，相対湿度が４０％に調整された
後，システムの天井部に設けられている天井チャンバ６
２へと送られる。そしてＦＦＵ６１の送風機６３によっ
て天井チャンバ６２内の空気は，高性能フィルタ６４を
通過することでさらに清浄化され，再びダウンフローと
してシステム内に供給されるのである。
【００５２】ここで従来は，有機成分，イオンなどを除
去するため，ケミカルフィルタを例えばＦＦＵ６１の上
流側に設置していたが，本実施形態にかかる処理システ
ム１においては，これら有機成分，イオン，アルカリ成
分は，フィルタ装置８１内において，純水による気液接
触方法によってその９９％が除去されている。従って，
まず高価なケミカルフィルタを用いることなく，清浄な
ダウンフローをシステム内に形成することができる。
去するため，ケミカルフィルタを例えばＦＦＵ６１の上
流側に設置していたが，本実施形態にかかる処理システ
ム１においては，これら有機成分，イオン，アルカリ成
分は，フィルタ装置８１内において，純水による気液接
触方法によってその９９％が除去されている。従って，
まず高価なケミカルフィルタを用いることなく，清浄な
ダウンフローをシステム内に形成することができる。
【００５３】しかも有機成分，イオン，アルカリ成分を
除去するにあたっては，純水などの不純物除去液をフィ
ルタ装置８１内の気液接触空間Ｍ内に噴霧するだけなの
で，極めて効率がよく，除去対象である不純物が酸性か
アルカリ性かを問わない。そのうえ除去した後の純水
は，フィルタ８９を通して再利用を図ることができ，無
駄がない。また，ドレインパン８７には，ドレイン管８
７ａが備えられており，ドレインパン８７から排水され
る純水の量，回収管８８にて回収される純水の量，およ
び補充管９０から新たに補充される純水の量を適宜調節
することによって，気液接触空間Ｍにおける不純物除去
能力は，常に一定かつ好適に保たれる。これによって，
メンテナンスサイクルも従来より長くなり，結果として
総合的なスループットは向上している。不純物除去液に
ついても，処理システム１に純水の供給系が設けられて
いた場合には，当該純水の供給系を利用することがで
き，別途専用の供給系を施工する必要がない。従って，
処理システム１のものをそのまま有効に用いることがで
きる。
除去するにあたっては，純水などの不純物除去液をフィ
ルタ装置８１内の気液接触空間Ｍ内に噴霧するだけなの
で，極めて効率がよく，除去対象である不純物が酸性か
アルカリ性かを問わない。そのうえ除去した後の純水
は，フィルタ８９を通して再利用を図ることができ，無
駄がない。また，ドレインパン８７には，ドレイン管８
７ａが備えられており，ドレインパン８７から排水され
る純水の量，回収管８８にて回収される純水の量，およ
び補充管９０から新たに補充される純水の量を適宜調節
することによって，気液接触空間Ｍにおける不純物除去
能力は，常に一定かつ好適に保たれる。これによって，
メンテナンスサイクルも従来より長くなり，結果として
総合的なスループットは向上している。不純物除去液に
ついても，処理システム１に純水の供給系が設けられて
いた場合には，当該純水の供給系を利用することがで
き，別途専用の供給系を施工する必要がない。従って，
処理システム１のものをそのまま有効に用いることがで
きる。
【００５４】ところで気液接触方法によると，気中にミ
ストが残存し，そのままシステム内に循環させると，ウ
エハＷに付着したりして所定の処理が実現されなかった
りして，歩留まりが低下するおそれがある。しかしなが
ら，この処理システム１においては，まずエリミネータ
９１によってミストを捕集し，次いでそのミスト捕集済
みの空気を，温湿度調整装置１０１において，所定の温
湿度に設定してから，天井チャンバ６２内に戻すように
しているので，システム内にミストが混入するおそれは
ない。そのうえ一旦エリミネータ９１によってミストを
捕集した後に，温湿度調整装置１０１に導入するように
しているから，温湿度調整装置１０１における湿度調整
が容易であり，湿度調整の際の負担も軽減されている。
ストが残存し，そのままシステム内に循環させると，ウ
エハＷに付着したりして所定の処理が実現されなかった
りして，歩留まりが低下するおそれがある。しかしなが
ら，この処理システム１においては，まずエリミネータ
９１によってミストを捕集し，次いでそのミスト捕集済
みの空気を，温湿度調整装置１０１において，所定の温
湿度に設定してから，天井チャンバ６２内に戻すように
しているので，システム内にミストが混入するおそれは
ない。そのうえ一旦エリミネータ９１によってミストを
捕集した後に，温湿度調整装置１０１に導入するように
しているから，温湿度調整装置１０１における湿度調整
が容易であり，湿度調整の際の負担も軽減されている。
【００５５】なお前記実施形態においては，フィルタ装
置８１と温湿度調整装置１０１とは，処理システム１外
に設置されるタイプであったが，もちろん処理システム
１内に設置してもよい。その場合，処理する空気の循環
系は，適宜ダクトを通じて行えばよい。従って，処理シ
ステム１内のスペースを有効に利用することができる。
置８１と温湿度調整装置１０１とは，処理システム１外
に設置されるタイプであったが，もちろん処理システム
１内に設置してもよい。その場合，処理する空気の循環
系は，適宜ダクトを通じて行えばよい。従って，処理シ
ステム１内のスペースを有効に利用することができる。
【００５６】前記実施形態におけるフィルタ装置８１に
代えて，図６に示したフィルタ装置１１１を用いてもよ
い。このフィルタ装置１１１は，導入部１１２，送出部
１１３，並びにポンプ１１４やフィルタ１１５などの回
収系については，前出フィルタ装置８１と同様である
が，噴霧装置１１６は，前出フィルタ装置８１の場合と
異なり，噴霧方向が下方になるように設置してある。も
ちろん噴霧方向は上下いずれの方向であっても差し支え
ない。そして気液接触空間Ｍの下に，パンチングメタル
などの通気板１１７を設置し，この通気板１１７の上
に，例えばセラミックスなどの固形物１１８を層状に敷
き詰めた構成をとっている。従って，噴霧装置１１６か
ら噴霧された純水などのミストは，気液接触空間Ｍにお
いて気液接触するだけでなく，これら固形物１１８に対
しても噴霧されることになる。
代えて，図６に示したフィルタ装置１１１を用いてもよ
い。このフィルタ装置１１１は，導入部１１２，送出部
１１３，並びにポンプ１１４やフィルタ１１５などの回
収系については，前出フィルタ装置８１と同様である
が，噴霧装置１１６は，前出フィルタ装置８１の場合と
異なり，噴霧方向が下方になるように設置してある。も
ちろん噴霧方向は上下いずれの方向であっても差し支え
ない。そして気液接触空間Ｍの下に，パンチングメタル
などの通気板１１７を設置し，この通気板１１７の上
に，例えばセラミックスなどの固形物１１８を層状に敷
き詰めた構成をとっている。従って，噴霧装置１１６か
ら噴霧された純水などのミストは，気液接触空間Ｍにお
いて気液接触するだけでなく，これら固形物１１８に対
しても噴霧されることになる。
【００５７】そうすると，固形物１１８は常に純水等の
不純物除去液で潤っていることになり，導入部１１２か
ら導入された空気は，この固形物１１８を通過する際
に，まず慣性衝突及び吸収（気液接触）によって，気中
のパーティクル，有機成分，イオン，アルカリ成分が除
去されることになる。そしてそのようにしていわばプレ
フィルトレーションされた後の空気が，気液接触空間Ｍ
において，前記フィルタ装置８１の場合と同様にして気
液接触法によって不純物が除去されるので，除去効率が
極めて高くなっている。この場合，噴霧装置１１６から
ではなく，直接固形物１１８に対して純水などの不純物
除去液を供給するようにしてもよい。
不純物除去液で潤っていることになり，導入部１１２か
ら導入された空気は，この固形物１１８を通過する際
に，まず慣性衝突及び吸収（気液接触）によって，気中
のパーティクル，有機成分，イオン，アルカリ成分が除
去されることになる。そしてそのようにしていわばプレ
フィルトレーションされた後の空気が，気液接触空間Ｍ
において，前記フィルタ装置８１の場合と同様にして気
液接触法によって不純物が除去されるので，除去効率が
極めて高くなっている。この場合，噴霧装置１１６から
ではなく，直接固形物１１８に対して純水などの不純物
除去液を供給するようにしてもよい。
【００５８】前記実施形態にかかる処理システム１は，
プロセス部２０の中央に搬送機構２１の搬送路２２が設
けられ，その両側に配置される処理装置も，いわゆる液
処理系のアドヒージョン処理装置４１，レジスト塗布処
理装置４２，現像処理装置４３は，全て１段構成であっ
たが，本発明は，図７に示したような，回転液処理系の
処理装置をも多段に積層させた処理システム１５１に対
しても適用することができる。
プロセス部２０の中央に搬送機構２１の搬送路２２が設
けられ，その両側に配置される処理装置も，いわゆる液
処理系のアドヒージョン処理装置４１，レジスト塗布処
理装置４２，現像処理装置４３は，全て１段構成であっ
たが，本発明は，図７に示したような，回転液処理系の
処理装置をも多段に積層させた処理システム１５１に対
しても適用することができる。
【００５９】この処理システム１５１は，システム内の
一側のエリアに回転液処理系のレジスト塗布処理装置１
６１や現像処理装置１７１などを多段に積層して配置
し，他側のエリアに，熱処理系の処理装置である熱処理
装置１８１や冷却装置１８２，エクステンションユニッ
ト１８３を多段に配置した構成をとっており，システム
内の中央にこれらレジスト塗布処理装置１６１や現像処
理装置１７１，並びに熱処理装置１８１や冷却装置１８
２，エクステンションユニット１８３に対して，ウエハ
Ｗを搬出入する搬送機構１９１を配置した構成になって
いる。そしてエクステンションユニット１８３の外方寄
りに，インタフェース部１９２を設けてある。
一側のエリアに回転液処理系のレジスト塗布処理装置１
６１や現像処理装置１７１などを多段に積層して配置
し，他側のエリアに，熱処理系の処理装置である熱処理
装置１８１や冷却装置１８２，エクステンションユニッ
ト１８３を多段に配置した構成をとっており，システム
内の中央にこれらレジスト塗布処理装置１６１や現像処
理装置１７１，並びに熱処理装置１８１や冷却装置１８
２，エクステンションユニット１８３に対して，ウエハ
Ｗを搬出入する搬送機構１９１を配置した構成になって
いる。そしてエクステンションユニット１８３の外方寄
りに，インタフェース部１９２を設けてある。
【００６０】この処理システム１５１も，周囲が側板１
５２，１５３等で囲まれており，さらに上部には天板１
５４，下部には，通気孔板１５５との間に空間Ｐを介し
て底板１５６が設けられている。そしてシステムの一側
には，壁ダクト１５７が形成されており，天板１５４下
面側に形成された天井チャンバ１５８へと通じている。
５２，１５３等で囲まれており，さらに上部には天板１
５４，下部には，通気孔板１５５との間に空間Ｐを介し
て底板１５６が設けられている。そしてシステムの一側
には，壁ダクト１５７が形成されており，天板１５４下
面側に形成された天井チャンバ１５８へと通じている。
【００６１】底板１５６には，排気口２０１が形成され
ており，通気孔板１５５を介して回収されるシステム内
の下流側雰囲気は，この排気口２０１に接続された排気
管２０２から外部に排気される一方，排気管２０２に接
続されている導入管２０３によってその一部は前出フィ
ルタ装置８１と同一機能を持ったフィルタ装置２０４へ
と導入されるようになっている。なお排気管２０２の排
気先は，例えば工場等の集中排気系に通ずるように構成
してもよい。前記フィルタ装置２０４において気液接触
法によって有機成分やイオン等が除去された空気は，前
出温湿度調整装置１０１と同一機能をもった温湿度調整
装置２０５へと送出され，該温湿度調整装置２０５にお
いて温湿度が調整された後の空気は，送出管２０６を通
じて，前記壁ダクト１５７へと送出される。
ており，通気孔板１５５を介して回収されるシステム内
の下流側雰囲気は，この排気口２０１に接続された排気
管２０２から外部に排気される一方，排気管２０２に接
続されている導入管２０３によってその一部は前出フィ
ルタ装置８１と同一機能を持ったフィルタ装置２０４へ
と導入されるようになっている。なお排気管２０２の排
気先は，例えば工場等の集中排気系に通ずるように構成
してもよい。前記フィルタ装置２０４において気液接触
法によって有機成分やイオン等が除去された空気は，前
出温湿度調整装置１０１と同一機能をもった温湿度調整
装置２０５へと送出され，該温湿度調整装置２０５にお
いて温湿度が調整された後の空気は，送出管２０６を通
じて，前記壁ダクト１５７へと送出される。
【００６２】前記天井チャンバ１５８の下方には，ＦＦ
Ｕ２０７が設置されており，天井チャンバ１５８内の空
気を送風機２０８で吸い込んで，高性能フィルタ２０９
を介してシステム内にダウンフローとして吹き出すよう
になっている。
Ｕ２０７が設置されており，天井チャンバ１５８内の空
気を送風機２０８で吸い込んで，高性能フィルタ２０９
を介してシステム内にダウンフローとして吹き出すよう
になっている。
【００６３】ところでこの種の処理システムにおいて
は，組み込まれている各種処理装置毎に風速等を設定し
た方が，各々好ましいプロセス条件が得られる。そこで
この処理システム１５１においては，レジスト塗布処理
装置１６１と現像処理装置１７１に対しては，独立して
清浄なダウンフローを供給できる構成とした。
は，組み込まれている各種処理装置毎に風速等を設定し
た方が，各々好ましいプロセス条件が得られる。そこで
この処理システム１５１においては，レジスト塗布処理
装置１６１と現像処理装置１７１に対しては，独立して
清浄なダウンフローを供給できる構成とした。
【００６４】例えばレジスト塗布処理装置１６１につい
てみると，レジスト塗布処理装置１６１自体の外壁を構
成するケーシング１６２内の上部に，別途サブチャンバ
１６３を形成し，このサブチャンバ１６３をシステムの
壁ダクト１５７と連通させて，壁ダクト１５７内を流れ
る温湿度調整された後の空気をサブチャンバ１６３内に
導入可能とする。そしてサブチャンバ１６３内に，別途
小型ファン１６４と高性能フィルタ１６５を設置し，こ
の小型ファン１６４の作動によって高性能フィルタ１６
５を介して，サブチャンバ１６３の吐出口１６６からレ
ジスト塗布処理装置１６１内に清浄化したダウンフロー
を吐出させるようになっている。なおこのレジスト塗布
処理装置１６１内の雰囲気の排気は，別途設けた排気管
１６７から通気孔板１５５下の空間Ｐへと排気されるよ
うになっている。
てみると，レジスト塗布処理装置１６１自体の外壁を構
成するケーシング１６２内の上部に，別途サブチャンバ
１６３を形成し，このサブチャンバ１６３をシステムの
壁ダクト１５７と連通させて，壁ダクト１５７内を流れ
る温湿度調整された後の空気をサブチャンバ１６３内に
導入可能とする。そしてサブチャンバ１６３内に，別途
小型ファン１６４と高性能フィルタ１６５を設置し，こ
の小型ファン１６４の作動によって高性能フィルタ１６
５を介して，サブチャンバ１６３の吐出口１６６からレ
ジスト塗布処理装置１６１内に清浄化したダウンフロー
を吐出させるようになっている。なおこのレジスト塗布
処理装置１６１内の雰囲気の排気は，別途設けた排気管
１６７から通気孔板１５５下の空間Ｐへと排気されるよ
うになっている。
【００６５】現像処理装置１７１も同様にして，ケーシ
ング１７２内の上部に，別途サブチャンバ１７３を形成
し，このサブチャンバ１７３と壁ダクト１５７と連通さ
せて，壁ダクト１５７内を流れる温湿度調整された後の
空気を，小型ファン１７４，高性能フィルタ１７５を介
してサブチャンバ１７３内に導入可能となっている。こ
れによって吐出口１７６から清浄化したダウンフローを
装置内に吐出させるようになっている。また現像処理装
置１６１内の雰囲気の排気は，前記排気管１６７から通
気孔板１５５下の空間Ｐへと排気されるようになってい
る。
ング１７２内の上部に，別途サブチャンバ１７３を形成
し，このサブチャンバ１７３と壁ダクト１５７と連通さ
せて，壁ダクト１５７内を流れる温湿度調整された後の
空気を，小型ファン１７４，高性能フィルタ１７５を介
してサブチャンバ１７３内に導入可能となっている。こ
れによって吐出口１７６から清浄化したダウンフローを
装置内に吐出させるようになっている。また現像処理装
置１６１内の雰囲気の排気は，前記排気管１６７から通
気孔板１５５下の空間Ｐへと排気されるようになってい
る。
【００６６】このような構成を有する処理システム１５
１においては，フィルタ装置２０４，温湿度調整装置２
０５を経て，有機成分，アルカリ成分，イオン等が除去
された空気が壁ダクト１５７を通じて天井チャンバ１５
８へ供給され，この空気をＦＦＵ２０７によってさらに
清浄化してシステム全体に対してダウンフローとして吹
き出すようにしている。従って，前出実施形態にかかる
処理システム１と同様，ケミカルフィルタを用いること
なく，ダウンフローによる所望の清浄化雰囲気をシステ
ム内に形成することができる。もちろんシステム内に純
水等のミストが混入することはない。
１においては，フィルタ装置２０４，温湿度調整装置２
０５を経て，有機成分，アルカリ成分，イオン等が除去
された空気が壁ダクト１５７を通じて天井チャンバ１５
８へ供給され，この空気をＦＦＵ２０７によってさらに
清浄化してシステム全体に対してダウンフローとして吹
き出すようにしている。従って，前出実施形態にかかる
処理システム１と同様，ケミカルフィルタを用いること
なく，ダウンフローによる所望の清浄化雰囲気をシステ
ム内に形成することができる。もちろんシステム内に純
水等のミストが混入することはない。
【００６７】処理システム１５１においては，いわゆる
液処理系の装置であるレジスト塗布処理装置１６１と現
像処理装置１７１に対して，別途サブチャンバ１６３，
１７３を設け，システム全体に対して形成されるダウン
フローとは独立してこれら装置内に別のダウンフローを
形成することができるので，これら液処理系の装置に対
しては，装置毎に風速や装置内気圧を設定することが可
能になっている。従って，仮に搬送機構１９１の上下方
向への移動動作によって気流の乱れが発生した場合にお
いても，レジスト塗布処理装置１６１や現像処理装置１
７１に載置されるウエハＷは，その気流の乱れの影響を
受けることなく，前記ウエハＷ上に形成されるレジスト
膜の膜厚の均一性を良好な状態に維持することができ
る。
液処理系の装置であるレジスト塗布処理装置１６１と現
像処理装置１７１に対して，別途サブチャンバ１６３，
１７３を設け，システム全体に対して形成されるダウン
フローとは独立してこれら装置内に別のダウンフローを
形成することができるので，これら液処理系の装置に対
しては，装置毎に風速や装置内気圧を設定することが可
能になっている。従って，仮に搬送機構１９１の上下方
向への移動動作によって気流の乱れが発生した場合にお
いても，レジスト塗布処理装置１６１や現像処理装置１
７１に載置されるウエハＷは，その気流の乱れの影響を
受けることなく，前記ウエハＷ上に形成されるレジスト
膜の膜厚の均一性を良好な状態に維持することができ
る。
【００６８】さらにレジスト塗布処理装置１６１のサブ
チャンバ１６３内には高性能フィルタ１６５が内設され
ており，また現像処理装置１７１のサブチャンバ１７３
内には高性能フィルタ１７５が内設されているため，そ
れぞれの処理装置が必要としている空気清浄度に応じ
て，粒子捕集率や特性の異なるフィルタ部材を使い分け
ることが可能である。
チャンバ１６３内には高性能フィルタ１６５が内設され
ており，また現像処理装置１７１のサブチャンバ１７３
内には高性能フィルタ１７５が内設されているため，そ
れぞれの処理装置が必要としている空気清浄度に応じ
て，粒子捕集率や特性の異なるフィルタ部材を使い分け
ることが可能である。
【００６９】加えて高性能フィルタ１６５，１７５，２
０９の寿命は，これらを通過する空気の流量によって左
右されるため，前記処理システム１５１のように高性能
フィルタを処理装置ごとに配置すれば，空気中の不純物
の除去能力が基準以下になったものから順番に交換で
き，高性能フィルタにかかるコスト削減が図れる。
０９の寿命は，これらを通過する空気の流量によって左
右されるため，前記処理システム１５１のように高性能
フィルタを処理装置ごとに配置すれば，空気中の不純物
の除去能力が基準以下になったものから順番に交換で
き，高性能フィルタにかかるコスト削減が図れる。
【００７０】また前記処理システム１５１においては，
レジスト塗布処理装置１６１と現像処理装置１７１に個
別に導入する空気は，壁ダクト１５７内に流れる空気で
あったが，もちろん供給源を別途求めてもよい。
レジスト塗布処理装置１６１と現像処理装置１７１に個
別に導入する空気は，壁ダクト１５７内に流れる空気で
あったが，もちろん供給源を別途求めてもよい。
【００７１】ところで前記処理システム１５１では，ダ
ウンフローを形成するための送風装置としての小型ファ
ン１６４，１７４，２０８は全て温湿度調整装置２０５
の下流側に設置される構成となっていたが，図８に示す
処理システム３０１のように送風装置としてのファンユ
ニット３６１を温湿度調整装置３７１の上流側に設ける
ようにしてもよい。
ウンフローを形成するための送風装置としての小型ファ
ン１６４，１７４，２０８は全て温湿度調整装置２０５
の下流側に設置される構成となっていたが，図８に示す
処理システム３０１のように送風装置としてのファンユ
ニット３６１を温湿度調整装置３７１の上流側に設ける
ようにしてもよい。
【００７２】この処理システム３０１は既述した処理シ
ステム１５１と同様，システム内の一側のエリアに回転
液処理系のレジスト塗布処理装置３１１や現像処理装置
３２１などを多段に積載して配置し，他のエリアに，熱
処理系の処理装置である熱処理装置３３１や冷却装置３
３２，エクステンションユニット３３３を多段に配置し
た構成をとっており，システム内の中央にこれらレジス
ト塗布処理装置３１１や現像処理装置３２１，並びに熱
処理装置３３１や冷却装置３３２，エクステンションユ
ニット３３３に対して，ウエハＷを搬入出する搬送機構
３４１を配置した構成になっている。そしてエクステン
ションユニット３３３の外方寄りに，インタフェース部
３４２を設けてある。
ステム１５１と同様，システム内の一側のエリアに回転
液処理系のレジスト塗布処理装置３１１や現像処理装置
３２１などを多段に積載して配置し，他のエリアに，熱
処理系の処理装置である熱処理装置３３１や冷却装置３
３２，エクステンションユニット３３３を多段に配置し
た構成をとっており，システム内の中央にこれらレジス
ト塗布処理装置３１１や現像処理装置３２１，並びに熱
処理装置３３１や冷却装置３３２，エクステンションユ
ニット３３３に対して，ウエハＷを搬入出する搬送機構
３４１を配置した構成になっている。そしてエクステン
ションユニット３３３の外方寄りに，インタフェース部
３４２を設けてある。
【００７３】この処理システム３０１も，周囲が側板３
０２，３０３等で囲まれており，さらに上部には天板３
０４，下部には，通気孔板３０５との間に空間Ｐを介し
て底板３０６が設けられている。そしてシステムの一側
には，壁ダクト３０７が形成されており，天板３０４下
面側に形成された天井チャンバ３０８へと通じている。
０２，３０３等で囲まれており，さらに上部には天板３
０４，下部には，通気孔板３０５との間に空間Ｐを介し
て底板３０６が設けられている。そしてシステムの一側
には，壁ダクト３０７が形成されており，天板３０４下
面側に形成された天井チャンバ３０８へと通じている。
【００７４】底板３０６には，排気口３５１が形成され
ており，通気孔板３０５を介して回収されるシステム内
の下流側雰囲気は，この排気口３５１に接続された排気
管３５２から外部へ排気される一方，排気管３５２に接
続されている導入管３５３によってその一部は前出フィ
ルタ装置２０４と同一機能を持ったフィルタ装置３８１
へと導入されるようになっている。なお前記排気管３５
２の排気先は，例えば工場等の集中排気系に通じるよう
に構成してもよい。
ており，通気孔板３０５を介して回収されるシステム内
の下流側雰囲気は，この排気口３５１に接続された排気
管３５２から外部へ排気される一方，排気管３５２に接
続されている導入管３５３によってその一部は前出フィ
ルタ装置２０４と同一機能を持ったフィルタ装置３８１
へと導入されるようになっている。なお前記排気管３５
２の排気先は，例えば工場等の集中排気系に通じるよう
に構成してもよい。
【００７５】前記フィルタ装置３８１において気液接触
法によって有機成分やイオン等が除去された空気は，導
入口３６２からファンユニット３６１内へと導入され
る。
法によって有機成分やイオン等が除去された空気は，導
入口３６２からファンユニット３６１内へと導入され
る。
【００７６】前記ファンユニット３６１の下流側には温
湿度調整装置３７１が接続されており，その内部には上
流側より冷却機構３７２，加熱機構３７３，加湿機構３
７４が備えられている。なお冷却機構３７２，加熱機構
３７３，加湿機構３７４はそれぞれ前出の温湿度調整装
置１０１内部に設置されている冷却機構１０４，加熱機
構１０５，加湿機構１０６と同一の機能を有している。
湿度調整装置３７１が接続されており，その内部には上
流側より冷却機構３７２，加熱機構３７３，加湿機構３
７４が備えられている。なお冷却機構３７２，加熱機構
３７３，加湿機構３７４はそれぞれ前出の温湿度調整装
置１０１内部に設置されている冷却機構１０４，加熱機
構１０５，加湿機構１０６と同一の機能を有している。
【００７７】ファンユニット３６１に内設されている送
風機３６３によって，該ファンユニット３６１から送出
された空気は，前記温湿度調整装置３７１の内部におい
て温湿度が調整された後，送出管３５４を通じて，前記
壁ダクト３０７へと導入される。そして，前記天井チャ
ンバ３０８の下方に設置された高性能フィルタ３０９を
介してシステム内にダウンフローとして吹き出すように
なっている。
風機３６３によって，該ファンユニット３６１から送出
された空気は，前記温湿度調整装置３７１の内部におい
て温湿度が調整された後，送出管３５４を通じて，前記
壁ダクト３０７へと導入される。そして，前記天井チャ
ンバ３０８の下方に設置された高性能フィルタ３０９を
介してシステム内にダウンフローとして吹き出すように
なっている。
【００７８】レジスト塗布処理装置３１１の構成につい
て詳述すると，レジスト塗布処理装置３１１自体の外壁
を構成するケーシング３１２内の上部に，別途サブチャ
ンバ３１３が形成され，このサブチャンバ３１３はシス
テムの壁ダクト３０７と連通している。壁ダクト３０７
内を流れる温湿度調整された後の空気はサブチャンバ３
１３内に導入可能であり，サブチャンバ３１３の下部に
設置された高性能フィルタ３１４を介してレジスト塗布
処理装置３１１内に清浄化したダウンフローが形成され
るようになっている。なおこのレジスト塗布処理装置３
１１内の雰囲気の排気は，別途設けた排気管３１５から
通気孔板３０５下の空間Ｐへと排気されるようになって
いる。
て詳述すると，レジスト塗布処理装置３１１自体の外壁
を構成するケーシング３１２内の上部に，別途サブチャ
ンバ３１３が形成され，このサブチャンバ３１３はシス
テムの壁ダクト３０７と連通している。壁ダクト３０７
内を流れる温湿度調整された後の空気はサブチャンバ３
１３内に導入可能であり，サブチャンバ３１３の下部に
設置された高性能フィルタ３１４を介してレジスト塗布
処理装置３１１内に清浄化したダウンフローが形成され
るようになっている。なおこのレジスト塗布処理装置３
１１内の雰囲気の排気は，別途設けた排気管３１５から
通気孔板３０５下の空間Ｐへと排気されるようになって
いる。
【００７９】現像処理装置３２１も同様にして，ケーシ
ング３２２内の上部に，別途サブチャンバ３２３が形成
され，このサブチャンバ３２３は壁ダクト３０７と連通
している。壁ダクト３０７内を流れる温湿度調整された
後の空気は，サブチャンバ３２３内に導入可能となって
いて，高性能フィルタ３２４を介して清浄化したダウン
フローが装置内に吐出されるようになっている。また現
像処理装置３２１内の雰囲気の排気は，前記排気管３１
５から通気孔板３０５下の空間Ｐへと排気されるように
なっている。
ング３２２内の上部に，別途サブチャンバ３２３が形成
され，このサブチャンバ３２３は壁ダクト３０７と連通
している。壁ダクト３０７内を流れる温湿度調整された
後の空気は，サブチャンバ３２３内に導入可能となって
いて，高性能フィルタ３２４を介して清浄化したダウン
フローが装置内に吐出されるようになっている。また現
像処理装置３２１内の雰囲気の排気は，前記排気管３１
５から通気孔板３０５下の空間Ｐへと排気されるように
なっている。
【００８０】以上のように構成された処理システム３０
１においては，前述したとおりファンユニット３６１が
温湿度調整装置３７１の上流側に設けられているため，
前記温湿度調整装置３７１でその温湿度が調整された空
気は，ファンユニット３６１に内設されている送風機３
６３のファンモータなどの発熱体に接することなく，前
記壁ダクト３０７へと送出されることとなる。つまり前
記温湿度調整装置３７１にて温湿度が調整された空気
は，そこでの温湿度を維持したまま，処理システム３０
１内部において下降気流を形成できるため，システム内
部の雰囲気の温度調節が非常に容易である。従って前記
処理システム３０１内部の雰囲気温度は常に好適な状態
に保たれる。このことは前記処理システム３０１内部の
各処理装置におけるウエハＷに対する各種処理の安定化
につながるものである。なお，ファンユニット３６１を
温湿度調整装置３７１の下流側に設置するようにしても
よく，この構成によれば，温湿度調整装置３７１にかか
る負担を軽減することが可能である。
１においては，前述したとおりファンユニット３６１が
温湿度調整装置３７１の上流側に設けられているため，
前記温湿度調整装置３７１でその温湿度が調整された空
気は，ファンユニット３６１に内設されている送風機３
６３のファンモータなどの発熱体に接することなく，前
記壁ダクト３０７へと送出されることとなる。つまり前
記温湿度調整装置３７１にて温湿度が調整された空気
は，そこでの温湿度を維持したまま，処理システム３０
１内部において下降気流を形成できるため，システム内
部の雰囲気の温度調節が非常に容易である。従って前記
処理システム３０１内部の雰囲気温度は常に好適な状態
に保たれる。このことは前記処理システム３０１内部の
各処理装置におけるウエハＷに対する各種処理の安定化
につながるものである。なお，ファンユニット３６１を
温湿度調整装置３７１の下流側に設置するようにしても
よく，この構成によれば，温湿度調整装置３７１にかか
る負担を軽減することが可能である。
【００８１】上述の処理システム３０１は，システム外
部とウエハＷを受け渡すための搬入出口（図示せず）や
インタフェース部３４２等の開口部を有している。すな
わち完全に密閉された構造ではなため，処理システム３
０１の内部の空気のうち一定量が開口部より外部へリー
クしてしまう。さらに通気孔板３０５を介して回収され
るシステム内の下側空気中に，フィルタ装置３８１の処
理能力を超える量のパーティクルや有機成分等の不純物
が含まれる場合，前記空気は排気口３５１から排出され
た後，その一部は工場排気系へ排出されるようになる。
従ってフィルタ装置３８１，ファンユニット３６１，温
湿度調整装置３７１にて所定の処理を施され，送出管３
５４を通じてダクト３０７へ導入される空気の流量は，
処理システム３０１全体の容積に対して不足したものに
なってしまう。
部とウエハＷを受け渡すための搬入出口（図示せず）や
インタフェース部３４２等の開口部を有している。すな
わち完全に密閉された構造ではなため，処理システム３
０１の内部の空気のうち一定量が開口部より外部へリー
クしてしまう。さらに通気孔板３０５を介して回収され
るシステム内の下側空気中に，フィルタ装置３８１の処
理能力を超える量のパーティクルや有機成分等の不純物
が含まれる場合，前記空気は排気口３５１から排出され
た後，その一部は工場排気系へ排出されるようになる。
従ってフィルタ装置３８１，ファンユニット３６１，温
湿度調整装置３７１にて所定の処理を施され，送出管３
５４を通じてダクト３０７へ導入される空気の流量は，
処理システム３０１全体の容積に対して不足したものに
なってしまう。
【００８２】この空気の不足分を補うために，図８に示
したファンユニット３６１に代えて，図９に示すファン
ユニット３９１を採用してもよい。すなわちファンユニ
ット３９１は，前記フィルタユニット３６１と同様，前
記フィルタユニット３８１から送出された空気が導入さ
れるための導入口３９２を有するだけでなく，これとは
別に，第２の導入口３９３を有している。そして前記第
２の導入口３９３に接続される導入管３５５を経由し
て，処理システム３０１が設置されている雰囲気中の空
気，例えばクリーンルーム雰囲気中の空気をファンユニ
ット３９１内へ導入可能なように構成されている。さら
に前記クリーンルームから導入される空気の流量は，導
入管３５５に介設されたダンパ３５６により調整自在と
なっている。
したファンユニット３６１に代えて，図９に示すファン
ユニット３９１を採用してもよい。すなわちファンユニ
ット３９１は，前記フィルタユニット３６１と同様，前
記フィルタユニット３８１から送出された空気が導入さ
れるための導入口３９２を有するだけでなく，これとは
別に，第２の導入口３９３を有している。そして前記第
２の導入口３９３に接続される導入管３５５を経由し
て，処理システム３０１が設置されている雰囲気中の空
気，例えばクリーンルーム雰囲気中の空気をファンユニ
ット３９１内へ導入可能なように構成されている。さら
に前記クリーンルームから導入される空気の流量は，導
入管３５５に介設されたダンパ３５６により調整自在と
なっている。
【００８３】このように構成すれば，処理システム３０
１の開口部でリークした空気や，工場排気系へ排出され
た空気を，前記ファンユニット３９１内部において補充
することが可能になる。従って温湿度調整装置３７１で
その温湿度を調整され，送出管３５４を経由して，前記
壁ダクト３０７（図８参照）へ送出される空気の流量
は，前記処理システム３０１の全容積に対して不足のな
いものとなる。また，この他，クリーンルームからの空
気を温湿度調整装置３７１の下流側の送出管３５４へ接
続導入させるようにしてもよい。
１の開口部でリークした空気や，工場排気系へ排出され
た空気を，前記ファンユニット３９１内部において補充
することが可能になる。従って温湿度調整装置３７１で
その温湿度を調整され，送出管３５４を経由して，前記
壁ダクト３０７（図８参照）へ送出される空気の流量
は，前記処理システム３０１の全容積に対して不足のな
いものとなる。また，この他，クリーンルームからの空
気を温湿度調整装置３７１の下流側の送出管３５４へ接
続導入させるようにしてもよい。
【００８４】ところで上記のようにクリーンルームから
前記ファンユニット３９１へ直接導入される空気中に所
定以上の量の不純物が含まれている場合，前記処理シス
テム３０１の雰囲気の清浄度が保てなくなる。そこで図
９に示したように，通気管３５７を設けて，クリーンル
ームからの空気をフィルタ装置３８１の上流側へ導入す
るようにしてもよい。通気管３５７にはダンパ３５８が
介設されているので，フィルタ装置３８１へ導入される
空気量は調節自在である。以上のように構成すれば，ク
リーンルームの空気の清浄度や，フィルタ装置３８１の
不純物除去能力に応じてダンパ３５６，３５８を調節
し，前記処理システム３０１の内部に清浄な下降気流を
形成することができる。なお上記の実施の形態におい
て，第２の導入口３９３へは，処理システム３０１が設
置されているクリーンルームからの空気を導入するよう
に記述したが，その他に，例えば処理システム３０１の
内部の空気，特に，レジスト塗布処理装置１６１へ導入
される空気の一部，または前記クリーンルームに隣接し
ている別のクリーンルームの空気や前記処理システムが
載置されているグレーティングパネルの下側の空気など
を導入するようにしてもよい。
前記ファンユニット３９１へ直接導入される空気中に所
定以上の量の不純物が含まれている場合，前記処理シス
テム３０１の雰囲気の清浄度が保てなくなる。そこで図
９に示したように，通気管３５７を設けて，クリーンル
ームからの空気をフィルタ装置３８１の上流側へ導入す
るようにしてもよい。通気管３５７にはダンパ３５８が
介設されているので，フィルタ装置３８１へ導入される
空気量は調節自在である。以上のように構成すれば，ク
リーンルームの空気の清浄度や，フィルタ装置３８１の
不純物除去能力に応じてダンパ３５６，３５８を調節
し，前記処理システム３０１の内部に清浄な下降気流を
形成することができる。なお上記の実施の形態におい
て，第２の導入口３９３へは，処理システム３０１が設
置されているクリーンルームからの空気を導入するよう
に記述したが，その他に，例えば処理システム３０１の
内部の空気，特に，レジスト塗布処理装置１６１へ導入
される空気の一部，または前記クリーンルームに隣接し
ている別のクリーンルームの空気や前記処理システムが
載置されているグレーティングパネルの下側の空気など
を導入するようにしてもよい。
【００８５】図８に示した処理システム３０１において
は，システム内から排出される空気の少なくとも一部は
回収されて，フィルタ装置３８１，ファンユニット３６
１，及び温湿度調整装置３７１にてそれぞれ所定の処理
が施されたうえで，前記壁ダクト３０７へ導入され，処
理システム３０１の内部に下降気流を形成する，いわば
リサイクルシステムが構成されていたが，図１０に示す
ように，処理システム３０１から排出される空気の全て
を，排気口３５１に接続されている排気管３５２を経由
して工場排気系またはクリーンルーム内へ排出する，い
わばワンウエイシステムを構成してもよい。フィルタ装
置３８１には導入管３５９が接続されており，例えば処
理システム３０１が設置されているクリーンルーム雰囲
気中の空気がフィルタ装置３８１へ導入されるようにな
っている。なお，この場合も導入される空気は，処理シ
ステム３０１が設置されているクリーンルームからのも
のに限定されることはなく，例えば前記クリーンルーム
に隣接している別のクリーンルームや，前記処理システ
ム３０１が載置されているグレーティングパネルの下側
の雰囲気から導入するようにしてもよい。
は，システム内から排出される空気の少なくとも一部は
回収されて，フィルタ装置３８１，ファンユニット３６
１，及び温湿度調整装置３７１にてそれぞれ所定の処理
が施されたうえで，前記壁ダクト３０７へ導入され，処
理システム３０１の内部に下降気流を形成する，いわば
リサイクルシステムが構成されていたが，図１０に示す
ように，処理システム３０１から排出される空気の全て
を，排気口３５１に接続されている排気管３５２を経由
して工場排気系またはクリーンルーム内へ排出する，い
わばワンウエイシステムを構成してもよい。フィルタ装
置３８１には導入管３５９が接続されており，例えば処
理システム３０１が設置されているクリーンルーム雰囲
気中の空気がフィルタ装置３８１へ導入されるようにな
っている。なお，この場合も導入される空気は，処理シ
ステム３０１が設置されているクリーンルームからのも
のに限定されることはなく，例えば前記クリーンルーム
に隣接している別のクリーンルームや，前記処理システ
ム３０１が載置されているグレーティングパネルの下側
の雰囲気から導入するようにしてもよい。
【００８６】何らかの事故が原因で気液接触による除去
が困難な不純物が処理システム３０１内部において発生
する場合や，極端に大量の不純物が発生し，フィルタ装
置の不純物除去能力を超えてしまう場合等に，この構成
は有効である。つまり前記フィルタ装置３８１は処理シ
ステム３０１内部に発生する不純物の種類，量に左右さ
れることなく導入された空気に対して不純物除去処理を
施すことができるため，フィルタ装置３８１は長期にわ
たり安定した不純物除去性能を維持することができ，頻
繁なメンテナンスが不要となる。また，これに伴い処理
システム３０１内部の雰囲気は常に好適な清浄度が保た
れ，ウエハＷに対する所定の処理の安定化が図れる。
が困難な不純物が処理システム３０１内部において発生
する場合や，極端に大量の不純物が発生し，フィルタ装
置の不純物除去能力を超えてしまう場合等に，この構成
は有効である。つまり前記フィルタ装置３８１は処理シ
ステム３０１内部に発生する不純物の種類，量に左右さ
れることなく導入された空気に対して不純物除去処理を
施すことができるため，フィルタ装置３８１は長期にわ
たり安定した不純物除去性能を維持することができ，頻
繁なメンテナンスが不要となる。また，これに伴い処理
システム３０１内部の雰囲気は常に好適な清浄度が保た
れ，ウエハＷに対する所定の処理の安定化が図れる。
【００８７】さらに他の実施の形態にかかる処理システ
ムについて説明する。図１１及び図１２に示した処理シ
ステム４００は，カセット部４１０と，プロセス部４１
１と，インタフェース部４１２と，第１のサブアーム機
構４２１と第２のサブアーム機構４２４と，主アーム機
構４２２とを備え，所定の湿温度に空調されたクリーン
ルーム内に設置されている。
ムについて説明する。図１１及び図１２に示した処理シ
ステム４００は，カセット部４１０と，プロセス部４１
１と，インタフェース部４１２と，第１のサブアーム機
構４２１と第２のサブアーム機構４２４と，主アーム機
構４２２とを備え，所定の湿温度に空調されたクリーン
ルーム内に設置されている。
【００８８】カセット部４１０はカセット載置台４２０
を備え，カセット載置台４２０上には複数個のカセット
Ｃが載置されるようになっている。カセットＣの内部に
は１ロット分のウエハＷが収納されている。１ロットは
例えば２５枚または１３枚である。ウエハＷは第１のサ
ブアーム機構４２１によってカセットＣから取り出さ
れ，プロセス部４１１に搬入されるようになっている。
を備え，カセット載置台４２０上には複数個のカセット
Ｃが載置されるようになっている。カセットＣの内部に
は１ロット分のウエハＷが収納されている。１ロットは
例えば２５枚または１３枚である。ウエハＷは第１のサ
ブアーム機構４２１によってカセットＣから取り出さ
れ，プロセス部４１１に搬入されるようになっている。
【００８９】図１１に示すように，プロセス部４１１は
５つの処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。各処理
ユニット群Ｇ１〜Ｇ５の処理ユニットは上下多段に配置
され，主アーム機構４２２によって１枚ずつウエハＷが
搬入搬出されるようになっている。インタフェース部４
１２はプロセス部４１１と露光装置（図示せず）との間
に設けられている。ウエハＷは，第２のサブアーム機構
４２４によって露光装置に搬入搬出されるようになって
いる。カセット載置台４２０上には４つの突起４２０ａ
が設けられ，カセットＣは載置台２０上で突起４２０ａ
によって位置決めされるようになっている。
５つの処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。各処理
ユニット群Ｇ１〜Ｇ５の処理ユニットは上下多段に配置
され，主アーム機構４２２によって１枚ずつウエハＷが
搬入搬出されるようになっている。インタフェース部４
１２はプロセス部４１１と露光装置（図示せず）との間
に設けられている。ウエハＷは，第２のサブアーム機構
４２４によって露光装置に搬入搬出されるようになって
いる。カセット載置台４２０上には４つの突起４２０ａ
が設けられ，カセットＣは載置台２０上で突起４２０ａ
によって位置決めされるようになっている。
【００９０】プロセス部４１１には５つの処理ユニット
群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５が設けられている。第
１および第２の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２は，システス
ム正面側に配置され，第３の処理ユニット群Ｇ３はカセ
ット部４１０に隣接して配置され，第４の処理ユニット
群Ｇ４はインタフェース部４１２に隣接して配置され，
第５の処理ユニット群Ｇ５は背面側に配置されている。
群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５が設けられている。第
１および第２の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２は，システス
ム正面側に配置され，第３の処理ユニット群Ｇ３はカセ
ット部４１０に隣接して配置され，第４の処理ユニット
群Ｇ４はインタフェース部４１２に隣接して配置され，
第５の処理ユニット群Ｇ５は背面側に配置されている。
【００９１】主アーム機構４２２は，アーム４２２ａを
Ｘ軸，Ｚ軸の各方向に移動させる駆動機構とアーム４２
２ａをＺ軸まわりにθ回転させる駆動機構とを備えてい
る。主アーム機構４２２は第１のサブアーム機構４２１
からウエハＷを受け渡されると，プロセス部４１１内の
第３の処理ユニット群Ｇ３に属するアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）およびイクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）にウエハＷを搬送するようになっている。
Ｘ軸，Ｚ軸の各方向に移動させる駆動機構とアーム４２
２ａをＺ軸まわりにθ回転させる駆動機構とを備えてい
る。主アーム機構４２２は第１のサブアーム機構４２１
からウエハＷを受け渡されると，プロセス部４１１内の
第３の処理ユニット群Ｇ３に属するアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）およびイクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）にウエハＷを搬送するようになっている。
【００９２】図１２に示すように，第１の処理ユニット
群Ｇ１では，カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャック
に載せて所定の処理を行つ２台のスピンナ型処理ユニッ
ト，例えばレジスト塗布ユニット４３０および現像ユニ
ット４３１が下から順に２段に重ねられている。第２の
処理ユニット群Ｇ２でも，２台のスビンナ型処理ユニッ
ト，例えば後述するレジスト塗布ユニット５８１および
現像ユニット５７１が下から順に２段に重ねられてい
る。これらレジスト塗布ユニット４３１，５８１は，廃
液を排出しやすいように下段に配置するのが好ましい。
群Ｇ１では，カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャック
に載せて所定の処理を行つ２台のスピンナ型処理ユニッ
ト，例えばレジスト塗布ユニット４３０および現像ユニ
ット４３１が下から順に２段に重ねられている。第２の
処理ユニット群Ｇ２でも，２台のスビンナ型処理ユニッ
ト，例えば後述するレジスト塗布ユニット５８１および
現像ユニット５７１が下から順に２段に重ねられてい
る。これらレジスト塗布ユニット４３１，５８１は，廃
液を排出しやすいように下段に配置するのが好ましい。
【００９３】図１４に示すように，第３の処理ユニット
群Ｇ３には，例えばクーリングユニット（ＣＯＬ），ア
ライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンショ
ンユニット（ＥＸＴ），プリベーキングユニット（ＰＲ
ＥＢＡＫＥ），ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫ
Ｅ）が下から順に積み重ねられている。第４の処理ユニ
ット群Ｇ４にも，例えばクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ），イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ
ＣＯＬ），イクステンションユニット（ＥＸＴ），クー
リングユニット（ＣＯＬ），プリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ），ポストベーキングユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ），アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から
順に積み重ねられている。
群Ｇ３には，例えばクーリングユニット（ＣＯＬ），ア
ライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンショ
ンユニット（ＥＸＴ），プリベーキングユニット（ＰＲ
ＥＢＡＫＥ），ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫ
Ｅ）が下から順に積み重ねられている。第４の処理ユニ
ット群Ｇ４にも，例えばクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ），イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ
ＣＯＬ），イクステンションユニット（ＥＸＴ），クー
リングユニット（ＣＯＬ），プリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ），ポストベーキングユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ），アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から
順に積み重ねられている。
【００９４】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ），イクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段側に配置し，処理温度の高い
ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ），ポストべーキ
ングユニット（ＰＯＢＡＫＥ），アドヒージョンユニッ
ト（ＡＤ）を上段側に配置することにより，処理ユニッ
ト相互間の熱的な相互干渉を少なくするようにしている
ット（ＣＯＬ），イクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段側に配置し，処理温度の高い
ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ），ポストべーキ
ングユニット（ＰＯＢＡＫＥ），アドヒージョンユニッ
ト（ＡＤ）を上段側に配置することにより，処理ユニッ
ト相互間の熱的な相互干渉を少なくするようにしている
【００９５】インタフェース部４１２は，Ｘ軸方向のサ
イズはプロセス部４１１とほぼ同じであるが，Ｙ軸方向
のサイズはプロセス部４１１より小さい。インタフェー
ス部４１２の正面部には，可搬性のピックアップカセッ
トＣと，定値型のバッファカセットＢＲが２段に配置さ
れ，他方背面部には周辺露光装置４２３が配置され，さ
らにまた中央部には第２のサブアーム機構４２４が設け
られている。この第２のサブアーム機構４２４は，上記
の第１のサブアーム機構４２１と同様のＸ軸方向に移動
自在であり，第４の処理ユニット群Ｇ４に属するイクス
テンショユニット（ＥＸＴ）や，さらには隣接する露光
装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にもアクセスでき
るようになっている。
イズはプロセス部４１１とほぼ同じであるが，Ｙ軸方向
のサイズはプロセス部４１１より小さい。インタフェー
ス部４１２の正面部には，可搬性のピックアップカセッ
トＣと，定値型のバッファカセットＢＲが２段に配置さ
れ，他方背面部には周辺露光装置４２３が配置され，さ
らにまた中央部には第２のサブアーム機構４２４が設け
られている。この第２のサブアーム機構４２４は，上記
の第１のサブアーム機構４２１と同様のＸ軸方向に移動
自在であり，第４の処理ユニット群Ｇ４に属するイクス
テンショユニット（ＥＸＴ）や，さらには隣接する露光
装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にもアクセスでき
るようになっている。
【００９６】また，処理システム４００においては，主
アーム機構４２２の背面側に第５の処理ユニット群Ｇ５
が配置できるようになっている。この第５の処理ユニッ
ト群Ｇ５は案内レール４２５に沿ってＹ軸方向へ移動で
きるようになっている。第５の処理ユニット群Ｇ５を移
動させることにより，主アーム機構４２２に対して背後
から保守点検作業するための空間が確保されるようにな
っている。
アーム機構４２２の背面側に第５の処理ユニット群Ｇ５
が配置できるようになっている。この第５の処理ユニッ
ト群Ｇ５は案内レール４２５に沿ってＹ軸方向へ移動で
きるようになっている。第５の処理ユニット群Ｇ５を移
動させることにより，主アーム機構４２２に対して背後
から保守点検作業するための空間が確保されるようにな
っている。
【００９７】図１３及び図１５に示すように，カセット
部４１０の上部には３つのフィルタ４６４ａ，４６４
ｂ，４６４ｃが，プロセス部４１１の上部には３つのフ
ィルタ４６５ａ，４６５ｂ，４６５ｃが，インタフェー
ス部４１２の上部には３つのフィルタ４６６ａ，４６６
ｂ，４６６ｃがそれぞれ取り付けられている。これらの
フィルタ４６４ａ〜ｃ，４６５ａ〜ｃ，４６６ａ〜ｃは
上部スペース４６２を共有している。この上部共有スペ
ース４６２は垂直ダクト４７７を介して下方の空調装置
４７０に連通し，アンモニアを除去した清浄空気が空調
装置４７０から共有スペース４６２に供給されるように
なっている。清浄空気は，共有スペース４６２から各フ
ィルタ４６４ａ〜ｃ，４６５ａ〜ｃ，４６６ａ〜ｃを通
って下方に向けて吹き出され，カセット部４１０，プロ
セス部４１１などの各下部の適当な箇所に多数設けられ
ている通風孔４６９を通って排気される。こうして清浄
空気のダウンフローがカセット部４１０，プロセス部４
１１，インタフェース部４１２に形成されるようになっ
ている。
部４１０の上部には３つのフィルタ４６４ａ，４６４
ｂ，４６４ｃが，プロセス部４１１の上部には３つのフ
ィルタ４６５ａ，４６５ｂ，４６５ｃが，インタフェー
ス部４１２の上部には３つのフィルタ４６６ａ，４６６
ｂ，４６６ｃがそれぞれ取り付けられている。これらの
フィルタ４６４ａ〜ｃ，４６５ａ〜ｃ，４６６ａ〜ｃは
上部スペース４６２を共有している。この上部共有スペ
ース４６２は垂直ダクト４７７を介して下方の空調装置
４７０に連通し，アンモニアを除去した清浄空気が空調
装置４７０から共有スペース４６２に供給されるように
なっている。清浄空気は，共有スペース４６２から各フ
ィルタ４６４ａ〜ｃ，４６５ａ〜ｃ，４６６ａ〜ｃを通
って下方に向けて吹き出され，カセット部４１０，プロ
セス部４１１などの各下部の適当な箇所に多数設けられ
ている通風孔４６９を通って排気される。こうして清浄
空気のダウンフローがカセット部４１０，プロセス部４
１１，インタフェース部４１２に形成されるようになっ
ている。
【００９８】次に，図１５〜図１９を参照しながら清浄
空気の通流経路および空調装置４７０について説明す
る。
空気の通流経路および空調装置４７０について説明す
る。
【００９９】図１５に示すように，処理システム４００
の主要部は側板４００ａ，４００ｂ，天板４００ｃ，底
板４００ｄで取り囲まれている。一方側の側板４００ａ
と主に処理液で処理する液処理系ユニットとしての第２
の処理ユニット群Ｇ２のチャンバ壁５７２，５８２との
間には垂直ダクト４７７が形成されている。天板４００
ｃとフィルタ４６４ａ〜ｃ，４６５ａ〜ｃ，４６６ａ〜
ｃとの間には上部空間４６２が形成されている。この上
部空間４６２は垂直ダクト４７７に連通している。な
お，プロセス部４１１の各フィルタ４６５ａ，４６５
ｂ，４６５ｃの直下には濃度センサ５８８がそれぞれ設
けられ，各フィルタ４６５ａ，４６５ｂ，４６５ｃを通
過した空気のアンモニア濃度がそれぞれ検出されるよう
になっている。
の主要部は側板４００ａ，４００ｂ，天板４００ｃ，底
板４００ｄで取り囲まれている。一方側の側板４００ａ
と主に処理液で処理する液処理系ユニットとしての第２
の処理ユニット群Ｇ２のチャンバ壁５７２，５８２との
間には垂直ダクト４７７が形成されている。天板４００
ｃとフィルタ４６４ａ〜ｃ，４６５ａ〜ｃ，４６６ａ〜
ｃとの間には上部空間４６２が形成されている。この上
部空間４６２は垂直ダクト４７７に連通している。な
お，プロセス部４１１の各フィルタ４６５ａ，４６５
ｂ，４６５ｃの直下には濃度センサ５８８がそれぞれ設
けられ，各フィルタ４６５ａ，４６５ｂ，４６５ｃを通
過した空気のアンモニア濃度がそれぞれ検出されるよう
になっている。
【０１００】底板４００ｄと多孔板４７１との間には下
部空間４７２が形成されている。多孔板４７１には多数
の通気孔４７１ａが形成され，処理システム４００内の
ダウンフローが通気孔４７１ａを通って下部空間４７２
に流れ込むようになっている。なお，インタフェース部
４１２は主に加熱し冷却する熱処理系ユニットとしての
第３の処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット
（ＥＸＴ）の近傍に設けられている。
部空間４７２が形成されている。多孔板４７１には多数
の通気孔４７１ａが形成され，処理システム４００内の
ダウンフローが通気孔４７１ａを通って下部空間４７２
に流れ込むようになっている。なお，インタフェース部
４１２は主に加熱し冷却する熱処理系ユニットとしての
第３の処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット
（ＥＸＴ）の近傍に設けられている。
【０１０１】底板４００ｄには排気管４７４に連通する
排気口４７３が形成されており，排気口４７３を介して
下部空間４７２内の空気が処理システム４００外部へ排
出されるようになっている。排気管４７４の排出口は，
工場の集中排気回路に連通させてもよいし，クリーンル
ーム雰囲気に開放させてもよい。
排気口４７３が形成されており，排気口４７３を介して
下部空間４７２内の空気が処理システム４００外部へ排
出されるようになっている。排気管４７４の排出口は，
工場の集中排気回路に連通させてもよいし，クリーンル
ーム雰囲気に開放させてもよい。
【０１０２】排気管４７４からは分岐管４７５が分岐し
ている。この分岐管４７５を介して排気管４７４内を通
流する空気の総量の約２／３が温度湿度調整部５４０の
ほうに送られるようになっている。この温度湿度調整部
５４０で空気の温度と湿度が調整され，垂直ダクト４７
７及び上部空間４６２を通ってプロセス部４１１に再び
供給されるようになっている。このように処理システム
４００においては下降流通空気の一部（約１／３の流
量）を外部に排出する一方で，下降通流空気の大部分
（約２／３の流量）を処理システム４００の内部で循環
させる。また，浄化部４８０を介して処理システム４０
０外部から処理システム４００内部に新たに空気を導入
し，約１／３の流量の不足分を補充するようにしてい
る。このため，処理システム４００はセミクローズドシ
ステムということができる。
ている。この分岐管４７５を介して排気管４７４内を通
流する空気の総量の約２／３が温度湿度調整部５４０の
ほうに送られるようになっている。この温度湿度調整部
５４０で空気の温度と湿度が調整され，垂直ダクト４７
７及び上部空間４６２を通ってプロセス部４１１に再び
供給されるようになっている。このように処理システム
４００においては下降流通空気の一部（約１／３の流
量）を外部に排出する一方で，下降通流空気の大部分
（約２／３の流量）を処理システム４００の内部で循環
させる。また，浄化部４８０を介して処理システム４０
０外部から処理システム４００内部に新たに空気を導入
し，約１／３の流量の不足分を補充するようにしてい
る。このため，処理システム４００はセミクローズドシ
ステムということができる。
【０１０３】レジスト塗布ユニット５７１は，主チャン
バ５７２の上部にサブチャンバ５７３を備えている。こ
のサブチャンバ５７３は垂直ダクト４７７に連通し，垂
直ダクト４７７からサブチャンバ５７３内に清浄空気が
直接導入されるようになっている。サブチャンバ５７３
内には小型ファン５７４および高性能フィルタ，例えば
ＨＥＰＡフィルタ５７５が設けられている。清浄空気は
ＨＥＰＡフィルタ５７５を介して吐出口５７６から主チ
ャンバ５７２内にダウンフローされるようになってい
る。なお，レジスト塗布ユニット５７１内は排気通路５
７７に連通し，排気通路５７７の排気口５８７は多孔板
４７１の直上で閉口している。
バ５７２の上部にサブチャンバ５７３を備えている。こ
のサブチャンバ５７３は垂直ダクト４７７に連通し，垂
直ダクト４７７からサブチャンバ５７３内に清浄空気が
直接導入されるようになっている。サブチャンバ５７３
内には小型ファン５７４および高性能フィルタ，例えば
ＨＥＰＡフィルタ５７５が設けられている。清浄空気は
ＨＥＰＡフィルタ５７５を介して吐出口５７６から主チ
ャンバ５７２内にダウンフローされるようになってい
る。なお，レジスト塗布ユニット５７１内は排気通路５
７７に連通し，排気通路５７７の排気口５８７は多孔板
４７１の直上で閉口している。
【０１０４】現像ユニット５８１も同様に，主チャンバ
５８２の上部にサブチャンバ５８３を備えている。この
サブチャンバ５８３は垂直ダクト４７７に連通し，垂直
ダクト４７７からサブチャンバ５８３内に清浄空気が直
接導入されるようになっている。サブチャンバ５８３内
には小型ファン５８４およびＨＥＰＡフィルタ５８５が
設けられている。清浄空気はＨＥＰＡフィルタ５８５を
介して吐出口５８６から主チャンバ５８２内にダウンフ
ローされるようになっている。なお，現像ユニット５８
１内は排気通路５７７に連通し，排気通路５７７の排気
口５８７は多孔板４７１の直上で閉口している。
５８２の上部にサブチャンバ５８３を備えている。この
サブチャンバ５８３は垂直ダクト４７７に連通し，垂直
ダクト４７７からサブチャンバ５８３内に清浄空気が直
接導入されるようになっている。サブチャンバ５８３内
には小型ファン５８４およびＨＥＰＡフィルタ５８５が
設けられている。清浄空気はＨＥＰＡフィルタ５８５を
介して吐出口５８６から主チャンバ５８２内にダウンフ
ローされるようになっている。なお，現像ユニット５８
１内は排気通路５７７に連通し，排気通路５７７の排気
口５８７は多孔板４７１の直上で閉口している。
【０１０５】このようにレジスト塗布ユニット５７１，
現像ユニット５８１ごとに個々にダウンフローを形成
し，処理雰囲気の条件（風速，風量，内圧，エアの清浄
度）をそれぞれ好ましいものに設定することができる。
このため，所望の処理をより好適かつ安定した条件の下
で実施することが可能である。また，各処理ユニットご
とに独自に処理雰囲気を制御するようにしているので，
処理ユニットの雰囲気制御においてクリーンルームに依
存する度合いが小さくなり，クリーンルームの雰囲気制
御の負荷が軽減される。
現像ユニット５８１ごとに個々にダウンフローを形成
し，処理雰囲気の条件（風速，風量，内圧，エアの清浄
度）をそれぞれ好ましいものに設定することができる。
このため，所望の処理をより好適かつ安定した条件の下
で実施することが可能である。また，各処理ユニットご
とに独自に処理雰囲気を制御するようにしているので，
処理ユニットの雰囲気制御においてクリーンルームに依
存する度合いが小さくなり，クリーンルームの雰囲気制
御の負荷が軽減される。
【０１０６】なお垂直ダクト４７７を，主に処理液で処
理する液処理系ユニットとしての第２の処理ユニット群
Ｇ２に隣接させ，これを主に加熱し冷却する熱処理系ユ
ニットとしての第３の処理ユニット群Ｇ３から離れたと
ころに位置させているので，循環エアはプロセス部４１
１から熱の影響を受けにくい。
理する液処理系ユニットとしての第２の処理ユニット群
Ｇ２に隣接させ，これを主に加熱し冷却する熱処理系ユ
ニットとしての第３の処理ユニット群Ｇ３から離れたと
ころに位置させているので，循環エアはプロセス部４１
１から熱の影響を受けにくい。
【０１０７】上記の処理システム４００においては，浄
化部４８０により空気からアルカリ成分，有機成分，イ
オン等を除去し，さらに温度湿度調整部５４０により空
気の温度と湿度を調整し，この調整空気を垂直ダクト４
７７，上部空間４６２，フィルタ４６４ａ〜ｃ，４６５
ａ〜ｃ，４６６ａ〜ｃを介してプロセス部４１１に供給
する。このため，ケミルカフィルタを用いることなく，
所望の清浄雰囲気を処理システム４００内に形成するこ
とができる。この場合に処理システム４００内にミスト
状の純水が混入することはない。
化部４８０により空気からアルカリ成分，有機成分，イ
オン等を除去し，さらに温度湿度調整部５４０により空
気の温度と湿度を調整し，この調整空気を垂直ダクト４
７７，上部空間４６２，フィルタ４６４ａ〜ｃ，４６５
ａ〜ｃ，４６６ａ〜ｃを介してプロセス部４１１に供給
する。このため，ケミルカフィルタを用いることなく，
所望の清浄雰囲気を処理システム４００内に形成するこ
とができる。この場合に処理システム４００内にミスト
状の純水が混入することはない。
【０１０８】図１６に示すように，処理システム４００
の空気循環回路はセミクローズドシステムになってお
り，プロセス部４１１をダウンフローしたエアのうち約
２／３を回収し，この回収エア（流量４０ｍ3／分）に
システム外部から新規に導入したエア流量２５ｍ3／
分）を補充し，合計流量６５ｍ3／分の清浄空気をプロ
セス部４１１に供給するようにしている。このように処
理システム４００ではすべての空気をシステム外部に排
出してしまうのではなく，その流量の約２／３の空気を
プロセス部４１１に循環させるので，運転コストを大幅
に低減することができる。
の空気循環回路はセミクローズドシステムになってお
り，プロセス部４１１をダウンフローしたエアのうち約
２／３を回収し，この回収エア（流量４０ｍ3／分）に
システム外部から新規に導入したエア流量２５ｍ3／
分）を補充し，合計流量６５ｍ3／分の清浄空気をプロ
セス部４１１に供給するようにしている。このように処
理システム４００ではすべての空気をシステム外部に排
出してしまうのではなく，その流量の約２／３の空気を
プロセス部４１１に循環させるので，運転コストを大幅
に低減することができる。
【０１０９】次に，図１７及び図１８，図１９を参照し
ながら空調装置４７０について詳細に説明する。空調装
置４７０はユーティリティ部４７９，浄化部４８０，送
風部５５０，温度湿調整部５４０，制御器５７０をそれ
ぞれ備えている。ユーティリティ部４７９は種々の熱交
換器（図示せず），ポンプ（図示せず），冷凍機（図示
せず）を備えている。浄化部４８０にはエアを噴霧純水
に接触させるための上下二段に第１の気液接触空間４９
０と第２の気液接触空間５００が形成されている。送風
部５５０には２つのファン５５１，５５２が設けられて
いる。浄化部４８０の上部空間４８４は送風部５５０に
連通している。温度湿度調整部５４０は加熱ヒータ５４
２及び加湿器５４４を内蔵している。送風部５５０は混
合箱５５４を介して温度湿度調整部５４０に連通してい
る。
ながら空調装置４７０について詳細に説明する。空調装
置４７０はユーティリティ部４７９，浄化部４８０，送
風部５５０，温度湿調整部５４０，制御器５７０をそれ
ぞれ備えている。ユーティリティ部４７９は種々の熱交
換器（図示せず），ポンプ（図示せず），冷凍機（図示
せず）を備えている。浄化部４８０にはエアを噴霧純水
に接触させるための上下二段に第１の気液接触空間４９
０と第２の気液接触空間５００が形成されている。送風
部５５０には２つのファン５５１，５５２が設けられて
いる。浄化部４８０の上部空間４８４は送風部５５０に
連通している。温度湿度調整部５４０は加熱ヒータ５４
２及び加湿器５４４を内蔵している。送風部５５０は混
合箱５５４を介して温度湿度調整部５４０に連通してい
る。
【０１１０】図１８，図１９に示すように，浄化部４８
０はＺ軸方向に長く延びるチャンバ４８１を備えてい
る。このチャンバ４８１には下部関口（入口）４８２お
よび上部閉口（出口）４８５がそれぞれ形成され，入口
４８２を介してチャンバ４８１の下部空間４８３にクリ
ーンルームからエアが導入され，出口４８５を介してチ
ャンバ４８１の上部空間４８４からエアが送り出される
ようになっている。入口４８２にはフィルタ５０９が取
り付けられ，新規導入エアからパーティクルが除去され
るようになっている。
０はＺ軸方向に長く延びるチャンバ４８１を備えてい
る。このチャンバ４８１には下部関口（入口）４８２お
よび上部閉口（出口）４８５がそれぞれ形成され，入口
４８２を介してチャンバ４８１の下部空間４８３にクリ
ーンルームからエアが導入され，出口４８５を介してチ
ャンバ４８１の上部空間４８４からエアが送り出される
ようになっている。入口４８２にはフィルタ５０９が取
り付けられ，新規導入エアからパーティクルが除去され
るようになっている。
【０１１１】第１段のトレイ４８６は入口４８２の上方
に設けられ，ある程度の量の水がこの第１段のトレイ４
８６に溜まるようになっている。第１段のトレイ４８６
には多数の通気孔（図示せず）が形成され，通気孔の直
上に整流部材４８８を備えている。これらの整流部材４
８８により下方から上昇するエアが整流されるようにな
っている。また，第１段のトレイ４８６にはアンモニア
除去器５９０に連通するドレンライン５３０が設けら
れ，アンモニア濃度の高い水がドレンライン５３０を介
して第１段のトレイ４８６からアンモニア除去器５９０
に送られるようになっている。
に設けられ，ある程度の量の水がこの第１段のトレイ４
８６に溜まるようになっている。第１段のトレイ４８６
には多数の通気孔（図示せず）が形成され，通気孔の直
上に整流部材４８８を備えている。これらの整流部材４
８８により下方から上昇するエアが整流されるようにな
っている。また，第１段のトレイ４８６にはアンモニア
除去器５９０に連通するドレンライン５３０が設けら
れ，アンモニア濃度の高い水がドレンライン５３０を介
して第１段のトレイ４８６からアンモニア除去器５９０
に送られるようになっている。
【０１１２】第１段のトレイ４８６の直上には第１のミ
ストセパレータ４９１が設けられている。第１のミスト
セパレータ４９１は合成繊維製のタワシ状成形体からな
り，これにより気流中に含まれるミスト状の液成分が捕
捉されるようになっている。この第１のミストセパレー
タ４９１の上方には多数の第１のスプレイノズル４９２
が設けられ，第１のミストセパレータ４９１に向けて純
水が噴霧されるようになっている。これら第１のスプレ
イノズル４９２から第１のミストセパレータ４９１まで
の間に第１の気液接触部４９０が形成されている。この
第１の気液接触部４９０ではエアに約７．７℃の温度の
噴霧純水を流動接触させることにより，後掲の表１に示
すようにエアのアンモニア濃度が１００ｐｐｂから１０
ｐｐｂ程度まで低減する。
ストセパレータ４９１が設けられている。第１のミスト
セパレータ４９１は合成繊維製のタワシ状成形体からな
り，これにより気流中に含まれるミスト状の液成分が捕
捉されるようになっている。この第１のミストセパレー
タ４９１の上方には多数の第１のスプレイノズル４９２
が設けられ，第１のミストセパレータ４９１に向けて純
水が噴霧されるようになっている。これら第１のスプレ
イノズル４９２から第１のミストセパレータ４９１まで
の間に第１の気液接触部４９０が形成されている。この
第１の気液接触部４９０ではエアに約７．７℃の温度の
噴霧純水を流動接触させることにより，後掲の表１に示
すようにエアのアンモニア濃度が１００ｐｐｂから１０
ｐｐｂ程度まで低減する。
【０１１３】第１のスプレイノズル４９２は第１の循環
回路５１０を介して第１段のトレイ４８６の液溜め部に
連通しており，第１段のトレイ４８６に溜まった純水が
各ノズル４９２に供給されるようになっている。第１の
循環回路５１０には上流側から順にバルブ５１１，ポン
プ５１２，フィルタ５１３，マニホールド５１４，流量
計５１５が設けられている。この第１の循環回路５１０
においてマニホールド５１４と流量計５１５との間にバ
イパスライン５１６が設けられている。
回路５１０を介して第１段のトレイ４８６の液溜め部に
連通しており，第１段のトレイ４８６に溜まった純水が
各ノズル４９２に供給されるようになっている。第１の
循環回路５１０には上流側から順にバルブ５１１，ポン
プ５１２，フィルタ５１３，マニホールド５１４，流量
計５１５が設けられている。この第１の循環回路５１０
においてマニホールド５１４と流量計５１５との間にバ
イパスライン５１６が設けられている。
【０１１４】第１のスプレイノズル４９２の直上には第
２のミストセパレータ４９４が設けられている。この第
２のミストセパレータ４９４は上記第１のミストセパレ
ータ４９１と実質的に同一構成である。さらに，第２の
ミストセパレータ４９４の直上には補給ノズル５０６が
設けられ，水供給源５６４からライン５６５を介してノ
ズル５０６に対して，約８℃の温度の純水が供給される
ようになっている。さらに，第２のミストセパレータ４
９４の直上には第２段のトレイ４９６が設けられてい
る。
２のミストセパレータ４９４が設けられている。この第
２のミストセパレータ４９４は上記第１のミストセパレ
ータ４９１と実質的に同一構成である。さらに，第２の
ミストセパレータ４９４の直上には補給ノズル５０６が
設けられ，水供給源５６４からライン５６５を介してノ
ズル５０６に対して，約８℃の温度の純水が供給される
ようになっている。さらに，第２のミストセパレータ４
９４の直上には第２段のトレイ４９６が設けられてい
る。
【０１１５】第２段のトレイ４９６はチャンバ４８１の
高さにおけるほぼ中央に設けられ，ある程度の量の水が
ここに溜まるようになっている。第２段のトレイ４９６
には多数の通気孔（図示せず）が形成され，通気孔の直
上に整流部材４９８を備えている。これらの整流部材４
９８により下方から上昇するエアが整流されるようにな
っている。また，第２段のトレイ４９６には補給ライン
５６１が設けられ，補給ライン５６１を介して水供給源
５６０から第２段のトレイ４９６に純水が補給されるよ
うになっている。また，第２段のトレイ４９６にはアン
モニア除去器５９０に連通するドレンライン５３１が設
けられ，アンモニア濃度の高い水がドレンライン５３１
を介して第２段のトレイ４９６からアンモニア除去器５
９０に送られるようになっている。さらに，第２段のト
レイ４９６と第１段のトレイ４８６との間にはバイパス
ライン５３４が設けられ，このバイパスライン５３４を
介して第２段のトレイ４９６から第１段のトレイ４８６
にオーバーフロー水が供給されるようになっている。
高さにおけるほぼ中央に設けられ，ある程度の量の水が
ここに溜まるようになっている。第２段のトレイ４９６
には多数の通気孔（図示せず）が形成され，通気孔の直
上に整流部材４９８を備えている。これらの整流部材４
９８により下方から上昇するエアが整流されるようにな
っている。また，第２段のトレイ４９６には補給ライン
５６１が設けられ，補給ライン５６１を介して水供給源
５６０から第２段のトレイ４９６に純水が補給されるよ
うになっている。また，第２段のトレイ４９６にはアン
モニア除去器５９０に連通するドレンライン５３１が設
けられ，アンモニア濃度の高い水がドレンライン５３１
を介して第２段のトレイ４９６からアンモニア除去器５
９０に送られるようになっている。さらに，第２段のト
レイ４９６と第１段のトレイ４８６との間にはバイパス
ライン５３４が設けられ，このバイパスライン５３４を
介して第２段のトレイ４９６から第１段のトレイ４８６
にオーバーフロー水が供給されるようになっている。
【０１１６】第２段のトレイ４９６の直上には第３のミ
ストセパレータ５０１が設けられている。この第３のミ
ストセパレータ５０１は上記第１のミストセパレータ４
９１と実質的に同じものである。この第３のミストセパ
レータ５０１の上方には多数の第２のスプレイノズル５
０２が設けられ，第３のミストセパレータ５０１に向け
て純水が噴霧されるようになっている。これら第２のス
プレイノズル５０２から第３のミストセパレータ５０１
までの間に第２の気液接触部５００が形成されている。
この第２の気液接触部５００ではエアに約７．７℃の温
度の噴霧純水を流動接触させることにより，表１に示す
ようにエアのアンモニア濃度が１０ｐｐｂから１ｐｐｂ
未満にまで低減する。
ストセパレータ５０１が設けられている。この第３のミ
ストセパレータ５０１は上記第１のミストセパレータ４
９１と実質的に同じものである。この第３のミストセパ
レータ５０１の上方には多数の第２のスプレイノズル５
０２が設けられ，第３のミストセパレータ５０１に向け
て純水が噴霧されるようになっている。これら第２のス
プレイノズル５０２から第３のミストセパレータ５０１
までの間に第２の気液接触部５００が形成されている。
この第２の気液接触部５００ではエアに約７．７℃の温
度の噴霧純水を流動接触させることにより，表１に示す
ようにエアのアンモニア濃度が１０ｐｐｂから１ｐｐｂ
未満にまで低減する。
【０１１７】第２のスプレイノズル５０２は第２の循環
回路５２０を介して第２段のトレイ４９６の液溜め部に
連通しており，第２段のトレイ４９６に溜まった純水が
各ノズル５０２に供給されるようになっている，第２の
循環回路５２０には上流側から順にバルブ５２１，ポン
プ５２２，フィルタ５２３，マニホールド５２４，流量
計５２５が設けられている。この第２の循環回路５２０
においてマニホールド５２４と流量計５２５との間にバ
イパスライン５２６が設けられている。
回路５２０を介して第２段のトレイ４９６の液溜め部に
連通しており，第２段のトレイ４９６に溜まった純水が
各ノズル５０２に供給されるようになっている，第２の
循環回路５２０には上流側から順にバルブ５２１，ポン
プ５２２，フィルタ５２３，マニホールド５２４，流量
計５２５が設けられている。この第２の循環回路５２０
においてマニホールド５２４と流量計５２５との間にバ
イパスライン５２６が設けられている。
【０１１８】第２のスプレイノズル５０２の直上には第
４のミストセパレータ５０４が設けられている。この第
４のミストセパレータ５０４は上記第１のミストセパレ
ータ４９１と実質的に同じものである。さらに，第４の
ミストセパレータ５０４の直上には補給ノズル５０８が
設けられ，水供給源５６６からライン５６７を介してノ
ズル５０８に約８℃の温度の純水が供給されるようにな
っている。
４のミストセパレータ５０４が設けられている。この第
４のミストセパレータ５０４は上記第１のミストセパレ
ータ４９１と実質的に同じものである。さらに，第４の
ミストセパレータ５０４の直上には補給ノズル５０８が
設けられ，水供給源５６６からライン５６７を介してノ
ズル５０８に約８℃の温度の純水が供給されるようにな
っている。
【０１１９】チャンバ４８１の底部にはドレンパン４８
９が形成され，これにドレン水ＤＷが溜るようになって
いる。このドレンパン４８９には回収ライン５９１を介
してアンモニア除去器５９０が連通している。このアン
モニア除去器５９０は，例えば中和剤を用いてドレン水
ＤＷからアンモニア成分を除去する化学方式の除去器で
あってもよいし，また，逆浸透膜を用いてドレン水ＤＷ
からアンモニア成分を除去する物理方式の除去器であっ
てもよい。このようなアンモニア除去器５９０によりド
レン水ＤＷからアンモニア成分が除去され，アンモニア
濃度が１〜１０ｐｐｂ程度の水に再生される。
９が形成され，これにドレン水ＤＷが溜るようになって
いる。このドレンパン４８９には回収ライン５９１を介
してアンモニア除去器５９０が連通している。このアン
モニア除去器５９０は，例えば中和剤を用いてドレン水
ＤＷからアンモニア成分を除去する化学方式の除去器で
あってもよいし，また，逆浸透膜を用いてドレン水ＤＷ
からアンモニア成分を除去する物理方式の除去器であっ
てもよい。このようなアンモニア除去器５９０によりド
レン水ＤＷからアンモニア成分が除去され，アンモニア
濃度が１〜１０ｐｐｂ程度の水に再生される。
【０１２０】アンモニア除去器５９０の供給ライン５９
３は第１の循環回路５１０に連通し，低アンモニア濃度
の再生水が第１の循環回路５１０を介して第１のスプレ
イノズル４９２に供給されるようになっている。このよ
うにアンモニア除去器５９０を用いてドレン水ＤＷを何
度も再生させて使用することができるので，浄化部４８
０における純水の消費量を抑えることができる。
３は第１の循環回路５１０に連通し，低アンモニア濃度
の再生水が第１の循環回路５１０を介して第１のスプレ
イノズル４９２に供給されるようになっている。このよ
うにアンモニア除去器５９０を用いてドレン水ＤＷを何
度も再生させて使用することができるので，浄化部４８
０における純水の消費量を抑えることができる。
【０１２１】一方，アンモニア除去器５９０のドレンラ
イン５９５はシステム外部に開放され，高アンモニア濃
度の水が排出されるようになっている。また，濃度セン
サ５８９がドレンパン４８９のドレン水ＤＷのなかに浸
潰され，ドレン水ＤＷのアンモニア濃度が検出されるよ
うになっている。この濃度センサ４８９は制御器５７０
の入カ側に接続されており，センサ５８９からの濃度検
出信号に基づいて制御器５７０はバルブ５９６を開けて
高アンモニア濃度の水を外部に排出するようになってい
る。
イン５９５はシステム外部に開放され，高アンモニア濃
度の水が排出されるようになっている。また，濃度セン
サ５８９がドレンパン４８９のドレン水ＤＷのなかに浸
潰され，ドレン水ＤＷのアンモニア濃度が検出されるよ
うになっている。この濃度センサ４８９は制御器５７０
の入カ側に接続されており，センサ５８９からの濃度検
出信号に基づいて制御器５７０はバルブ５９６を開けて
高アンモニア濃度の水を外部に排出するようになってい
る。
【０１２２】送風部５５０は第１及び第２のファン５５
１，５５２と混合箱５５４を備えている。第１のファン
５５１の吸込口は浄化部４８０の出口４８５に連通し，
その吹出口５５５は混合箱５５４に連通している。第２
のファン５５２の吸込口は分岐管４７５に連通し，その
吹出口５４１は混合箱５５４に連通している。混合箱５
５４は循環エアと新規エアとを十分に混合させるための
混合回路を内蔵している。なお，本実施形態の装置で
は，循環エアと新規エアとを混合させるために２つのフ
ァン５５１，５５２を用いているが，この代わりに２つ
の吸込口をもつ１つのファンを用いてもよい。
１，５５２と混合箱５５４を備えている。第１のファン
５５１の吸込口は浄化部４８０の出口４８５に連通し，
その吹出口５５５は混合箱５５４に連通している。第２
のファン５５２の吸込口は分岐管４７５に連通し，その
吹出口５４１は混合箱５５４に連通している。混合箱５
５４は循環エアと新規エアとを十分に混合させるための
混合回路を内蔵している。なお，本実施形態の装置で
は，循環エアと新規エアとを混合させるために２つのフ
ァン５５１，５５２を用いているが，この代わりに２つ
の吸込口をもつ１つのファンを用いてもよい。
【０１２３】温度湿度調整部５４０のチャンバ５４０ａ
は混合箱５５４の出口に連通し，上記の混合エアがチャ
ンバ５４０ａ内に導入されるようになっている。チャン
バ５４０ａ内には加熱ヒータ５４２と加湿器５４４が設
けられている。加熱ヒータ５４２は電源５４３に接続さ
れ，エア吹出口５４１の近傍に設けられている。このヒ
ータ５４２によりチャンバ５４０ａ内のエアは約２３℃
の温度に加熱されるようになっている。
は混合箱５５４の出口に連通し，上記の混合エアがチャ
ンバ５４０ａ内に導入されるようになっている。チャン
バ５４０ａ内には加熱ヒータ５４２と加湿器５４４が設
けられている。加熱ヒータ５４２は電源５４３に接続さ
れ，エア吹出口５４１の近傍に設けられている。このヒ
ータ５４２によりチャンバ５４０ａ内のエアは約２３℃
の温度に加熱されるようになっている。
【０１２４】加湿器５４４は，ヒータ５４５，電源５４
６，および蒸発皿５４７を備えている。ヒータ５４５は
電源５４６に接続され，蒸発皿５４７を加熱するように
なっている。蒸発皿５４７の上にはライン５６９を介し
て水供給源５６８から純水が供給されるようになってい
る。ヒータ５４５で蒸発皿５４７を加熱すると，蒸発皿
５４７の上の純水が蒸発して水蒸気５４８が発生するよ
うになっている。この水蒸気５４８はチャンバ５４０ａ
内のエアに添加され，湿度が約４０％のエアが出口５４
９を介してチャンバ５４０ａから出ていくようになって
いる。図１６に示すように，温度湿度調整部５４０の出
口５４９はライン４７６を介して垂直ダクト４７７に連
通している。
６，および蒸発皿５４７を備えている。ヒータ５４５は
電源５４６に接続され，蒸発皿５４７を加熱するように
なっている。蒸発皿５４７の上にはライン５６９を介し
て水供給源５６８から純水が供給されるようになってい
る。ヒータ５４５で蒸発皿５４７を加熱すると，蒸発皿
５４７の上の純水が蒸発して水蒸気５４８が発生するよ
うになっている。この水蒸気５４８はチャンバ５４０ａ
内のエアに添加され，湿度が約４０％のエアが出口５４
９を介してチャンバ５４０ａから出ていくようになって
いる。図１６に示すように，温度湿度調整部５４０の出
口５４９はライン４７６を介して垂直ダクト４７７に連
通している。
【０１２５】なお，制御器５７０は，濃度センサ５８
８，５８９及び流量計５１５，５２５から受信した信号
に基づきバルブ５１１，５１７，５２１，５２７，５３
２，５３３，５９２，５９４，５９６，ポンプ５１２，
５２２，電源５４３，５４６，ファン５５１，５５２，
水供給源５６０，５６２，５６４，５６６，５６８の各
動作をそれぞれ制御するようになっている。
８，５８９及び流量計５１５，５２５から受信した信号
に基づきバルブ５１１，５１７，５２１，５２７，５３
２，５３３，５９２，５９４，５９６，ポンプ５１２，
５２２，電源５４３，５４６，ファン５５１，５５２，
水供給源５６０，５６２，５６４，５６６，５６８の各
動作をそれぞれ制御するようになっている。
【０１２６】なお，上記実施形態の浄化部４８０は第１
の気液接触部４９０，第２の気液接触部５００を備えて
いるが，本発明はこれのみに限られず，気液接触部を三
つ以上にすることもできる。気液接触部の数が多くなる
ほどアンモニア除去率は増大するが，圧力損失も増大す
るので，気液接触部の数は二つ又は三つとすることが好
ましい。
の気液接触部４９０，第２の気液接触部５００を備えて
いるが，本発明はこれのみに限られず，気液接触部を三
つ以上にすることもできる。気液接触部の数が多くなる
ほどアンモニア除去率は増大するが，圧力損失も増大す
るので，気液接触部の数は二つ又は三つとすることが好
ましい。
【０１２７】表１に空調装置４７０の各所でエアの温
度，湿度，流量，アンモニア濃度をそれぞれ測定した結
果を示す。表中にて位置番号０は浄化部４８０より上流
側のライン４７５の箇所にあたる。位置番号１は浄化部
４８０の入口４８２の箇所にあたる。位置番号２は第１
段のトレイ４８６の整流部材４８８の箇所にあたる，位
置番号３は第１の気液接触部４９０の箇所にあたる。位
置番号４は第２のミストセパレータ４９４の箇所にあた
る。位置番号５は第２段のトレイ４９６の整流部材４９
８の箇所にあたる。位置番号６は第２の気液接触部５０
０の箇所にあたる。位置番号７は第４のミストセパレー
タ５０４の箇所にあたる。位置番号８は送風部５５０の
第１のファン５５１の吸込口の箇所にあたる。位置番号
９は混合箱５５４の箇所にあたる。位置番号１０は温度
湿度調整部５４０の加熱ヒータ５４２の箇所にあたる。
位置番号１１は温度湿度調整部５４０の加湿器５４４の
箇所にあたる。位置番号１２は垂直ダクト４７７の箇所
にあたる。
度，湿度，流量，アンモニア濃度をそれぞれ測定した結
果を示す。表中にて位置番号０は浄化部４８０より上流
側のライン４７５の箇所にあたる。位置番号１は浄化部
４８０の入口４８２の箇所にあたる。位置番号２は第１
段のトレイ４８６の整流部材４８８の箇所にあたる，位
置番号３は第１の気液接触部４９０の箇所にあたる。位
置番号４は第２のミストセパレータ４９４の箇所にあた
る。位置番号５は第２段のトレイ４９６の整流部材４９
８の箇所にあたる。位置番号６は第２の気液接触部５０
０の箇所にあたる。位置番号７は第４のミストセパレー
タ５０４の箇所にあたる。位置番号８は送風部５５０の
第１のファン５５１の吸込口の箇所にあたる。位置番号
９は混合箱５５４の箇所にあたる。位置番号１０は温度
湿度調整部５４０の加熱ヒータ５４２の箇所にあたる。
位置番号１１は温度湿度調整部５４０の加湿器５４４の
箇所にあたる。位置番号１２は垂直ダクト４７７の箇所
にあたる。
【０１２８】
【表１】
【０１２９】表１に示すように，位置番号０，１でのエ
アは温度２６℃，相対湿度３５％，流量２５ｍ3／分，
アンモニア濃度１００ｐｐｂであり，位置番号２〜４で
のエアは温度１６℃，相対湿度１００％，流量２５ｍ3
／分，アンモニア濃度１０ｐｐｂであり，位置番号５〜
７でのエアは温度７．７℃，相対湿度１００％，流量２
５ｍ3／分，アンモニア濃度１ｐｐｂ未満であり，位置
番号９でのエアは温度１９．５℃，相対湿度４８％，流
量７０ｍ3／分，アンモニア濃度１ｐｐｂ未満であり，
位置番号１０でのエアは温度２３℃，相対湿度４８％，
流量７０ｍ3／分，アンモニア濃度１ｐｐｂ未満であ
り，位置番号１１，１２でのエアは温度２３℃，相対湿
度４０％，流量７０ｍ3／分，アンモニア濃度１ｐｐｂ
未満である。
アは温度２６℃，相対湿度３５％，流量２５ｍ3／分，
アンモニア濃度１００ｐｐｂであり，位置番号２〜４で
のエアは温度１６℃，相対湿度１００％，流量２５ｍ3
／分，アンモニア濃度１０ｐｐｂであり，位置番号５〜
７でのエアは温度７．７℃，相対湿度１００％，流量２
５ｍ3／分，アンモニア濃度１ｐｐｂ未満であり，位置
番号９でのエアは温度１９．５℃，相対湿度４８％，流
量７０ｍ3／分，アンモニア濃度１ｐｐｂ未満であり，
位置番号１０でのエアは温度２３℃，相対湿度４８％，
流量７０ｍ3／分，アンモニア濃度１ｐｐｂ未満であ
り，位置番号１１，１２でのエアは温度２３℃，相対湿
度４０％，流量７０ｍ3／分，アンモニア濃度１ｐｐｂ
未満である。
【０１３０】表２に空調装置４７０の各所における圧力
損失をそれぞれ測定した結果を示す。この表２中の位置
番号１〜９は表１のそれにそれぞれ対応している。位置
番号１では圧力損失△Ｐ１が３．０ｍｍＨ2０を示し，
位置番号２及び５では圧力損失△Ｐ２が１．４ｍｍＨ2
０をそれぞれ示し，位置番号３及び６（下流側）では圧
力損失△Ｐ３が６．０ｍｍＨ2０をそれぞれ示し，位置
番号３及び６（上流側）では圧力損失△Ｐ４が２．４ｍ
ｍＨ2０をそれぞれ示し，位置番号４及び７では圧力損
失△Ｐ５が１．２ｍｍＨ2０をそれぞれ示し，位置番号
８では圧力損失△Ｐ６が７．５ｍｍＨ2０を示し，位置
番号９では圧力損失△Ｐ７が３９．０ｍｍＨ2０を示し
た。このように位置番号９では圧力損失が最大になるた
め，送風部５５０のファン５５１，５５２には強力なも
のを用いることが望ましい。
損失をそれぞれ測定した結果を示す。この表２中の位置
番号１〜９は表１のそれにそれぞれ対応している。位置
番号１では圧力損失△Ｐ１が３．０ｍｍＨ2０を示し，
位置番号２及び５では圧力損失△Ｐ２が１．４ｍｍＨ2
０をそれぞれ示し，位置番号３及び６（下流側）では圧
力損失△Ｐ３が６．０ｍｍＨ2０をそれぞれ示し，位置
番号３及び６（上流側）では圧力損失△Ｐ４が２．４ｍ
ｍＨ2０をそれぞれ示し，位置番号４及び７では圧力損
失△Ｐ５が１．２ｍｍＨ2０をそれぞれ示し，位置番号
８では圧力損失△Ｐ６が７．５ｍｍＨ2０を示し，位置
番号９では圧力損失△Ｐ７が３９．０ｍｍＨ2０を示し
た。このように位置番号９では圧力損失が最大になるた
め，送風部５５０のファン５５１，５５２には強力なも
のを用いることが望ましい。
【０１３１】
【表２】
【０１３２】なお前記した各実施の形態に係る処理シス
テムは，ウエハＷに対してレジスト塗布・現像処理を行
うシステムとして構成されていたが，本発明はこれに限
らず，ウエハに対して所定の熱雰囲気の下で成膜処理を
行う装置，例えば酸化膜形成のために用いる成膜装置な
どに対しても適用可能である。また被処理基板もウエハ
に限らず，例えばＬＣＤ用ガラス基板であってもよい。
テムは，ウエハＷに対してレジスト塗布・現像処理を行
うシステムとして構成されていたが，本発明はこれに限
らず，ウエハに対して所定の熱雰囲気の下で成膜処理を
行う装置，例えば酸化膜形成のために用いる成膜装置な
どに対しても適用可能である。また被処理基板もウエハ
に限らず，例えばＬＣＤ用ガラス基板であってもよい。
【０１３３】さらに前記各実施の形態に係る処理システ
ムで用いたフィルタ装置８１，２０４，３８１，浄化部
４８０は，処理した空気の一部をシステム内に循環させ
るようにしていたが，例えばＣＭＰ（Chemical Mechani
cal Polisher）のような，処理の際にパーティクル，そ
の他のアルカリ成分を排出する装置に対しては，例えば
このＣＭＰからの排気全部を，フィルタ装置８１，２０
４，３８１，浄化部４８０で処理した後に，クリーンル
ームの循環系やクリーンルーム内に戻すようにしてもよ
い。この場合，もちろん前記した温湿度調製装置を併用
してもよい。このようにフィルタ装置８１，２０４，３
８１，浄化部４８０をこの種の処理装置の排気処理自体
に用いることで，クリーンルームの能力をいわば間接的
に補強することができ，従来問題となっていた処理装置
の増加に伴うクリーンルームの能力不足を解消して，ク
リーンルームの汚染を防止することができる。
ムで用いたフィルタ装置８１，２０４，３８１，浄化部
４８０は，処理した空気の一部をシステム内に循環させ
るようにしていたが，例えばＣＭＰ（Chemical Mechani
cal Polisher）のような，処理の際にパーティクル，そ
の他のアルカリ成分を排出する装置に対しては，例えば
このＣＭＰからの排気全部を，フィルタ装置８１，２０
４，３８１，浄化部４８０で処理した後に，クリーンル
ームの循環系やクリーンルーム内に戻すようにしてもよ
い。この場合，もちろん前記した温湿度調製装置を併用
してもよい。このようにフィルタ装置８１，２０４，３
８１，浄化部４８０をこの種の処理装置の排気処理自体
に用いることで，クリーンルームの能力をいわば間接的
に補強することができ，従来問題となっていた処理装置
の増加に伴うクリーンルームの能力不足を解消して，ク
リーンルームの汚染を防止することができる。
【０１３４】
【発明の効果】請求項１〜１８の処理システムによれ
ば，処理システム内に発生したパーティクルや有機成
分，イオン，アルカリ成分などを，ケミカルフィルタを
用いることなく，高い効率の下で除去することができ
る。しかも装置内にフィルタ装置からのミストが散乱す
ることはない。また従来のケミカルフィルタを用いた場
合よりも，メンテナンスのサイクルを長くすることがで
き，結果的に装置の稼働率を高くすることができる。
ば，処理システム内に発生したパーティクルや有機成
分，イオン，アルカリ成分などを，ケミカルフィルタを
用いることなく，高い効率の下で除去することができ
る。しかも装置内にフィルタ装置からのミストが散乱す
ることはない。また従来のケミカルフィルタを用いた場
合よりも，メンテナンスのサイクルを長くすることがで
き，結果的に装置の稼働率を高くすることができる。
【０１３５】特に請求項２〜１８の処理システムによれ
ば，より高い効率で除去することができる。そして請求
項４の処理システムによれば，さらに不純物除去液の無
駄がなく効率のよい運用が可能である。また請求項５〜
１７の処理システムでは，搬送機構を有する処理システ
ムに対しても，効率のよい，パーティクル，有機成分，
イオン，アルカリ成分などの除去が可能である。
ば，より高い効率で除去することができる。そして請求
項４の処理システムによれば，さらに不純物除去液の無
駄がなく効率のよい運用が可能である。また請求項５〜
１７の処理システムでは，搬送機構を有する処理システ
ムに対しても，効率のよい，パーティクル，有機成分，
イオン，アルカリ成分などの除去が可能である。
【０１３６】さらに請求項５の処理システムによれば，
システム内の下降気流の温湿度調整が容易になる。そし
て請求項６の処理システムによれば，液処理装置又は熱
処理装置の外部に形成される下降気流の乱れの影響を受
けることなく，被処理基板に対して最適の液処理及び熱
処理を施すことができる。また，請求項７の処理システ
ムによれば液処理装置や熱処理装置ごとにフィルタ装置
を選択することができるため，コストの削減が図れると
共に，処理内容に応じた雰囲気を創出することが可能で
ある。
システム内の下降気流の温湿度調整が容易になる。そし
て請求項６の処理システムによれば，液処理装置又は熱
処理装置の外部に形成される下降気流の乱れの影響を受
けることなく，被処理基板に対して最適の液処理及び熱
処理を施すことができる。また，請求項７の処理システ
ムによれば液処理装置や熱処理装置ごとにフィルタ装置
を選択することができるため，コストの削減が図れると
共に，処理内容に応じた雰囲気を創出することが可能で
ある。
【０１３７】請求項８〜１７の処理システムによれば，
前記処理システムに対して，十分な流量の空気を供給で
きる。特に請求項１６，１７の処理システムによれば，
前記処理システム内において，十分な流量で，しかも極
めて清浄な下降気流を形成することができる。
前記処理システムに対して，十分な流量の空気を供給で
きる。特に請求項１６，１７の処理システムによれば，
前記処理システム内において，十分な流量で，しかも極
めて清浄な下降気流を形成することができる。
【０１３８】そして請求項１８の処理システムによれ
ば，処理システム内で発生する不純物の種類や量に左右
されることなく，前記処理システム内において，清浄な
下降気流を形成することができる。またフィルタ装置の
メンテナンスサイクルを長くすることができ，結果的に
処理システムの高スループット化が図れる。
ば，処理システム内で発生する不純物の種類や量に左右
されることなく，前記処理システム内において，清浄な
下降気流を形成することができる。またフィルタ装置の
メンテナンスサイクルを長くすることができ，結果的に
処理システムの高スループット化が図れる。
【０１３９】また請求項１９〜３６の処理システムによ
れば，特にアンモニア成分などの除去に有効である。と
りわけ，請求項２２に記載のように，浄化部を上下多段
に並ぶ複数の気液接触部を有するように配置すれば，除
去効率が良好でしかも装置構成が容易である。さらに請
求項２３，２４によれば，除去効率の向上とパーティク
ル等の捕集効果が高まる。請求項２５のようにセラミッ
クボールを採用した場合には，メンテナンス等の点でも
有利であり，二次汚染を生じさせない。請求項２７によ
れば，浄化部の負荷が軽減される。請求項２７〜２９に
よれば，常に好適な状態でシステムを稼働させることが
できる。請求項３３の場合には，ランニングコストを抑
えることが可能である。請求項３４によれば，ミストト
ラップ機構を清浄な状態で使用することができる。請求
項３５，３６によればイオン除去の効率が向上し，また
装置も小型化できる。
れば，特にアンモニア成分などの除去に有効である。と
りわけ，請求項２２に記載のように，浄化部を上下多段
に並ぶ複数の気液接触部を有するように配置すれば，除
去効率が良好でしかも装置構成が容易である。さらに請
求項２３，２４によれば，除去効率の向上とパーティク
ル等の捕集効果が高まる。請求項２５のようにセラミッ
クボールを採用した場合には，メンテナンス等の点でも
有利であり，二次汚染を生じさせない。請求項２７によ
れば，浄化部の負荷が軽減される。請求項２７〜２９に
よれば，常に好適な状態でシステムを稼働させることが
できる。請求項３３の場合には，ランニングコストを抑
えることが可能である。請求項３４によれば，ミストト
ラップ機構を清浄な状態で使用することができる。請求
項３５，３６によればイオン除去の効率が向上し，また
装置も小型化できる。
【図１】本発明の実施の形態にかかる処理システムの斜
視図である。
視図である。
【図２】図１の処理システムの内部の様子を示す平面の
説明図である。
説明図である。
【図３】図１の処理システムの内部の様子を示す縦断面
の説明図である。
の説明図である。
【図４】図１の処理システムに用いたフィルタ装置の縦
断面の説明図である。
断面の説明図である。
【図５】図１の処理システムに用いた温湿度調整装置の
縦断面の説明図である。
縦断面の説明図である。
【図６】図１の処理システムに用いることができる他の
温湿度調整装置の縦断面の説明図である。
温湿度調整装置の縦断面の説明図である。
【図７】他の実施形態にかかる処理システムの縦断面の
説明図である。
説明図である。
【図８】図７の処理システムとは異なった他の実施形態
にかかる処理システムの縦断面の説明図である。
にかかる処理システムの縦断面の説明図である。
【図９】図８の処理システムに用いることができる他の
ファンユニットの縦断面の説明図である。
ファンユニットの縦断面の説明図である。
【図１０】図８の処理システムに用いることができる他
の空気の給排気系の説明図である。
の空気の給排気系の説明図である。
【図１１】図８の処理システムとは異なった他の実施形
態にかかる処理システムの平面の説明図である。
態にかかる処理システムの平面の説明図である。
【図１２】図１１の処理システムの概要を示す正面の説
明図である。
明図である。
【図１３】図１１の処理システム内における清浄空気の
流れを模式的に示す内部透視図である。
流れを模式的に示す内部透視図である。
【図１４】図１１の処理システムの概要を示す背面の説
明図である。
明図である。
【図１５】図１１の処理システム内における清浄空気の
循環経路を示すブロック断面図である。
循環経路を示すブロック断面図である。
【図１６】図１１の処理システムに用いられた空調装置
における清浄空気のマスフローバランスを示す模式図で
ある。
における清浄空気のマスフローバランスを示す模式図で
ある。
【図１７】図１５の空調装置内における各ユニットのレ
イアウトの概要を示すブロック図である。
イアウトの概要を示すブロック図である。
【図１８】図１１の処理システムに用いられた空調装置
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図１９】図１１の処理システムに用いられた空調装置
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
１ 処理システム
１０ ロード／アンロード部
２０ プロセス部
２１ 搬送機構
３０ インタフェース部
４１ アドヒージョン処理装置
４２ レジスト塗布処理装置
４３ 現像処理装置
４５，４６，４７，４８ 熱処理装置
６１ ＦＦＵ
８１ フィルタ装置
８２ ケーシング
８３ 導入部
８４ 噴霧装置
８６ ポンプ
８７ ドレンパン
８９ フィルタ
９１ エリミネータ
１０１ 温湿度調整装置
１０３ チャンバ
１０４ 冷却機構
１０５ 加熱機構
１０６ 加湿機構
１０７ 送風機
１１８ 固形物
１５１ 処理システム
３０１ 処理システム
３１４，３２４ 高性能フィルタ
３６１ ファンユニット
３７１ 温湿度調整装置
３８１ フィルタ装置
３９１ ファンユニット
４００ 処理システム
４７０ 空調装置
４８０ 浄化部
４８１ チャンバ
４９０ 第１の気液接触空間
４９１ 第１のミストセパレータ
４９４ 第２のミストセパレータ
４９２ 第１のスプレイノズル
５００ 第２の気液接触空間
５０１ 第３のミストセパレータ
５０２ 第２のスプレイノズル
５０４ 第４のミストセパレータ
５０６，５０８ ノズル
５４０ 温度湿度調整部
５５０ 送風部
５９０ アンモニア除去器
Ｍ 気液接触空間
Ｗ ウエハ
フロントページの続き
(72)発明者 片野 貴之
山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エ
レクトロン株式会社 プロセステクノロ
ジーセンター内
(56)参考文献 特開 平５−44959（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−145112（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−148294（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/02
B01D 46/00
H01L 21/027
F24F 7/06
F24F 3/16
Claims (36)
- 【請求項１】 被処理基板に対して液処理を行う液処理
装置又は熱処理を行う熱処理装置の少なくともいずれか
一方の処理装置を備え，さらに清浄な下降気流をシステ
ム内に形成する手段をシステムの上部に備えた処理シス
テムであって，フィルタ装置と温湿度調整装置とを備
え，前記フィルタ装置は，ケーシング内に形成された気
液接触空間内に前記下降気流の下流側空気を導入する導
入部と，前記気液接触空間内に不純物除去液を噴霧する
噴霧装置と，前記気液接触空間の下流側に位置して気流
中のミストをトラップするミストトラップ機構とを備
え，前記温湿度調整装置は，前記フィルタ装置を通過し
た処理済み空気の温湿度調整を行うように構成され，さ
らに前記温湿度調整装置によってその温湿度が調整され
た空気が，前記清浄な下降気流を形成する手段の上流側
に導かれるように構成され，さらに被処理基板を液処理
装置や熱処理装置に対して搬入出するための搬送機構を
備え，前記液処理装置や熱処理装置及び／又は搬送機構
の下方で下降気流の下流側空気を回収し，この回収した
空気の全部又は一部を前記フィルタ装置の導入部に導入
するようにしたことを特徴とする，処理システム。 - 【請求項２】 ケーシング内における気液接触空間と導
入部との間には，その表面に不純物除去液を付着させる
と共に，前記導入部からの処理空気を濾過させるための
濾過部材が配置されていることを特徴とする，請求項１
に記載の処理システム。 - 【請求項３】 濾過部材は，複数の固形物からなること
を特徴とする，請求項２に記載の処理システム。 - 【請求項４】 気液接触空間の下方にはドレンパンが設
置され，このドレンパンで回収された液体を清浄化し
て，再び噴霧装置へと供給するようにしたことを特徴と
する，請求項１，２，又は３のいずれかに記載の処理シ
ステム。 - 【請求項５】 清浄な下降気流を形成する際に使用する
送風装置は，温湿度調整装置の上流側に設けられたこと
を特徴とする，請求項１，２，３又は４のい ずれかに記
載の処理システム。 - 【請求項６】 温湿度調整装置によってその温湿度が調
整された空気を，清浄な下降気流を形成する手段の上流
側とは別に，液処理装置内又は熱処理装置内の少なくと
もいずれかに導入する手段と，前記導入した空気を，前
記下降気流とは独立して前記液処理装置内又は熱処理装
置内で下降気流に形成する手段とを備えたことを特徴と
する，請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の
処理システム。 - 【請求項７】 温湿度調整装置によってその温湿度が調
整された空気を液処理装置内又は熱処理装置内に導入す
る際に，当該空気を清浄化するフィルタ部材を備えたこ
とを特徴とする，請求項６に記載の処理システム。 - 【請求項８】 フィルタ装置を通過した処理済みの空気
は，システムが設置されている雰囲気中の空気と，温湿
度調整装置の上流側で混合されるように構成されたこと
を特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６又は７の
いずれかに記載の処理システム。 - 【請求項９】 フィルタ装置を通過した処理済みの空気
は，システムが設置されている雰囲気中の空気と，温湿
度調整装置の下流側で混合されるように構成されたこと
を特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６又は７の
いずれかに記載の処理システム。 - 【請求項１０】 フィルタ装置を通過した処理済みの空
気は，システム内から回収された空気と，温湿度調整装
置の上流側で混合されるように構成されたことを特徴と
する，請求項１，２，３，４，５，６又は７のいずれか
に記載の処理システム。 - 【請求項１１】 フィルタ装置を通過した処理済みの空
気は，システム内から回収された空気と，温湿度調整装
置の下流側で混合されるように構成されたことを特徴と
する，請求項１，２，３，４，５，６又は７のいずれか
に記載の処理システム。 - 【請求項１２】 フィルタ装置を通過した処理済みの空
気は，システムが設置されている雰囲気外の空気と，温
湿度調整装置の上流側で混合されるように構成されたこ
とを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６又は７
のいずれかに 記載の処理システム。 - 【請求項１３】 フィルタ装置を通過した処理済みの空
気は，システムが設置されている雰囲気外の空気と，温
湿度調整装置の下流側で混合されるように構成されたこ
とを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６又は７
のいずれかに記載の処理システム。 - 【請求項１４】 フィルタ装置を通過した処理済みの空
気は，システム内に備えられたレジスト塗布処理装置へ
供給される空気の一部と，温湿度調整装置の上流側で混
合されるように構成されたことを特徴とする，請求項
１，２，３，４，５，６又は７のいずれかに記載の処理
システム。 - 【請求項１５】 フィルタ装置を通過した処理済みの空
気は，システム内に備えられたレジスト塗布処理装置へ
供給される空気の一部と，温湿度調整装置の下流側で混
合されるように構成されたことを特徴とする，請求項
１，２，３，４，５，６又は７のいずれかに記載の処理
システム。 - 【請求項１６】 フィルタ装置の導入部には，システム
が設置されている雰囲気内の空気をも導入するように構
成されたことを特徴とする，請求項１，２，３，４，
５，６又は７のいずれかに記載の処理システム。 - 【請求項１７】 フィルタ装置の導入部には，システム
が設置されている雰囲気外の空気をも導入するように構
成されたことを特徴とする，請求項１，２，３，４，
５，６又は７のいずれかに記載の処理システム。 - 【請求項１８】 システム内の下降気流の下流側空気に
代えて，前記システムが設置されている雰囲気内又は外
の空気を導入部に導入する導入系統を備えたことを特徴
とする，請求項１，２，３，又は４のいずれかに記載の
処理システム。 - 【請求項１９】 空調された雰囲気下で被処理基板を処
理する処理システムであって，被処理基板を処理液で処
理する液処理系ユニットおよび被処理基板を加熱し冷却
する熱処理系ユニットのうち少なくとも一方を備えるプ
ロセス部と，このプロセス部に空気を供給するためにプ
ロセス部よりも上方に形成された上部空間と， この上部
空間に供給されるべき空気から少なくともアルカリ成分
を除去して空気を浄化する浄化部と，この浄化部および
前記上部空間のそれぞれに連通し，前記浄化部を通過し
た空気の温度および湿度をともに調整する温度湿度調整
部と，この温度湿度調整部から前記上部空間に空気を送
り，前記上部空間からプロセス部内に空気を下降させ，
かつ，プロセス部内を下降して流れた空気のうち少なく
とも一部を前記温度湿度調整部に送る送風手段とを備
え，上記浄化部は，システム外部に連通するチャンバ
と，このチャンバ内にシステム外部から新たに空気を導
入する空気補充手段と，このチャンバ内に不純物除去液
を噴霧するノズルと，この噴霧された不純物除去液を導
入空気に接触させるために前記チャンバ内に形成された
気液接触部と，この気液接触部よりも下流側に配置さ
れ，気液接触部を通過した気流中のミスト状の不純物除
去液を捕捉するミストトラップ機構とを具備することを
特徴とする，処理システム。 - 【請求項２０】 空気は気液接触部の下方から送風手段
によりチャンバ内に導入され，不純物除去液は気液接触
部の上方からノズルによりチャンバ内に噴霧され，これ
により気液接触部でミスト状の不純物除去液が空気に対
向流動接触して，空気からアルカリ成分が除去されるよ
うに構成されたことを特徴とする，請求項１９に記載の
処理システム。 - 【請求項２１】 空気は気液接触部の下方から送風手段
によりチャンバ内に導入され，不純物除去液は気液接触
部の側方からノズルによりチャンバ内に噴霧され，これ
により気液接触部でミスト状の不純物除去液が空気に交
差流動接触して，空気からアルカリ成分が除去されるよ
うに構成されたことを特徴とする，請求項１９に記載の
処理システム。 - 【請求項２２】 浄化部は，上下多段に並ぶ複数の気液
接触部を有することを特徴とする，請求項１９，２０又
は２１のいずれかに記載の処理システム。 - 【請求項２３】 気液接触部は，ノズルと向き合って設
けられ，ノズルから 噴霧された不純物除去液を溜め，か
つ，チャンバ内に導入された空気の流れを整流する有孔
トレイを有することを特徴とする，請求項１９，２０，
２１又は２２のいずれかに記載の処理システム。 - 【請求項２４】 気液接触部は，その表面に不純物除去
液を付着させ，かつ，その相互間に空気が通流しうる間
隙を形成する多数の固形物を有することを特徴とする，
請求項１９，２０，２１，２２又は２３のいずれかに記
載の処理システム。 - 【請求項２５】 前記固形物はセラミックボールである
ことを特徴とする，請求項２４に記載の処理システム。 - 【請求項２６】 送風手段は，システム外部から空気を
補充する第１のファンと，プロセス部内を流れた空気の
うち６０〜７０体積％の流量をプロセス部に循環させる
第２のファンと，この循環空気に前記補充空気を混合さ
せる混合箱とを有することを特徴とする，請求項１９，
２０，２１，２２，２３，２４又は２５のいずれかに記
載の処理システム。 - 【請求項２７】 上部空間からプロセス部に供給される
空気のアルカリ成分濃度を検出する濃度センサと，この
濃度センサからの検出信号に基づき，上部空間からプロ
セス部に供給される空気のアルカリ成分濃度が低減され
るように，上記送風手段および上記空気補充手段のそれ
ぞれの動作を制御する制御部とを具備することを特徴と
する，請求項１９，２０，２１，２２，２３，２４，２
５又は２６のいずれかに記載の処理システム。 - 【請求項２８】 浄化部のチャンバの底部に溜まった液
からアルカリ成分を除去するアルカリ成分除去器を有す
ることを特徴とする，請求項１９，２０，２１，２２，
２３，２４，２５，２６又は２７のいずれかに記載の処
理システム。 - 【請求項２９】 浄化部のチャンバの底部に溜まった液
のアルカリ成分濃度を検出する濃度センサと，ノズルに
不純物除去液を供給する液供給源と，前記濃度センサか
らの検出信号に基づき，前記液供給源および上記アルカ
リ成分除去器のそれぞれの動作を制御する制御部とを具
備することを特徴とする，請求項２８に記載の処理シス
テム。 - 【請求項３０】 温度湿度調整部は，空気入口および空
気出口をもつコンテ ナと，空気入口側に設けられてコン
テナ内の空気を加熱するヒータと，空気出口側に設けら
れてコンテナ内の空気に加湿する加湿器とを具備するこ
とを特徴とする，請求項１９，２０，２１，２２，２
３，２４，２５，２６，２７，２８又は２９のいずれか
に記載の処理システム。 - 【請求項３１】 温度湿度調整部は，上記ヒータよりも
空気入口に近いところに設けられ，コンテナ内の空気を
急速冷却する冷却機構を有することを特徴とする，請求
項３０に記載の処理システム。 - 【請求項３２】 送風手段は，浄化部と温度湿度調整部
との間に設けられていることを特徴とする，請求項１
９，２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６，２
７，２８，２９，３０又は３１のいずれかに記載の処理
システム。 - 【請求項３３】 気液接触部より下方に設けられたドレ
ンパンと，このドレンパンに溜まった液からアルカリ成
分を除去して液を清浄化するアルカリ成分除去器と，こ
の清浄化された液をノズルに戻す循環回路とを具備する
ことを特徴とする，請求項１９，２０，２１，２２，２
３，２４，２５，２６，２７，２８，２９，３０，３１
又は３２のいずれかに記載の処理システム。 - 【請求項３４】 ミストトラップ機構に新鮮な不純物除
去液をかけて，先に捕捉された不純物除去液をミストト
ラップ機構から洗い流す洗浄手段を有することを特徴と
する，請求項１９，２０，２１，２２，２３，２４，２
５，２６，２７，２８，２９，３０，３１，３２又は３
３のいずれかに記載の処理システム。 - 【請求項３５】 上記不純物除去液は，温度が８℃以下
の純水であることを特徴とする，請求項１９，２０，２
１，２２，２３，２４，２５，２６，２７，２８，２
９，３０，３１，３２，３３又は３４のいずれかに記載
の処理システム。 - 【請求項３６】 上記不純物除去液は，アルカリ成分濃
度が１ｐｐｂ未満の純水であることを特徴とする，請求
項１９，２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６，
２７，２８，２９，３０，３１，３２，３３，３４又は
３５のいずれかに記載の処理システム。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP24726096 | 1996-08-29 | ||
| JP8-247260 | 1996-08-29 | ||
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| JP9-177793 | 1997-06-19 | ||
| JP25001997A JP3415404B2 (ja) | 1996-08-29 | 1997-08-29 | 処理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174168A JPH1174168A (ja) | 1999-03-16 |
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ID=27324480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25001997A Expired - Fee Related JP3415404B2 (ja) | 1996-08-29 | 1997-08-29 | 処理システム |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3415404B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| CN108404528A (zh) * | 2018-03-02 | 2018-08-17 | 金鑫来 | 一种多功能工业废气过滤装置 |
| KR20220033779A (ko) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 신춘관 | 상하 수직류 순환에어방식의 부상여재의 컴팩트 소형화 여과장치 및 이를 이용한 최적화여재재생시스템 |
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| JP5006122B2 (ja) | 2007-06-29 | 2012-08-22 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| KR102000026B1 (ko) * | 2012-08-29 | 2019-07-17 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 방법 |
| JP7023065B2 (ja) * | 2016-09-13 | 2022-02-21 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
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| KR102608895B1 (ko) | 2020-09-10 | 2023-11-30 | 신춘관 | 상하 수직류 순환에어방식의 부상여재의 컴팩트 소형화 여과장치 및 이를 이용한 최적화여재재생시스템 |
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