JP2003051431A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

Info

Publication number
JP2003051431A
JP2003051431A JP2001236886A JP2001236886A JP2003051431A JP 2003051431 A JP2003051431 A JP 2003051431A JP 2001236886 A JP2001236886 A JP 2001236886A JP 2001236886 A JP2001236886 A JP 2001236886A JP 2003051431 A JP2003051431 A JP 2003051431A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
manufacturing apparatus
local clean
fan
storage container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001236886A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Fujii
雅則 藤井
Hiroaki Tomita
弘明 富田
Satoshi Uemura
聡 植村
Sunao Shiroma
直 城間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanki Engineering Co Ltd
Original Assignee
Sanki Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanki Engineering Co Ltd filed Critical Sanki Engineering Co Ltd
Priority to JP2001236886A priority Critical patent/JP2003051431A/ja
Publication of JP2003051431A publication Critical patent/JP2003051431A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ケミカルフィルタにより除去すべき化学物質
質量を低減すること、およびケミカルフィルタを用いず
に化学物質の除去することにある。 【解決手段】 クリーンルーム内の空気をファンにより
高性能フィルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄
度に保つ局所クリーンユニットと、半導体ウエハの受渡
口を介して局所クリーンユニット外に設置された製造装
置と、製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡
口を介して局所クリーンユニット外に配設された半導体
ウエハ収納容器と、局所クリーンユニット内に設置され
て半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウ
エハ収納容器と製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、局所クリーンユニットは、ファンと高性能
フィルタとを上部に設けた局所クリーンブース部と、局
所クリーンブース部の下部側とファンと高性能フィルタ
との上部側とを連絡するレタンダクト部と、レタンダク
ト部に設けた外気取込部と、外気取込部に設けたケミカ
ルフィルタと、ケミカルフィルタに連接して設けた冷水
コイルとを備えたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、局所クリーンユニ
ットを用いた半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造工場では、製造する
半導体ウエハの周辺を極めてクリーンにする必要があ
る。最近は、例えば、特開平９−２８３５８７号公報、
特開平１０−７４８１５号公報、特開平１１−２５１２
０７号公報、特開２０００−１３３６９７号公報、特開
２０００−１７３９１１号公報、特開２０００−３０６
９７１号公報、特開２００１−７６９９８号公報、特開
２００１−８５５０７号公報等に開示されるように、部
屋全体を高清浄に保つ方式から、半導体ウエハ周りの局
所高清浄化を図る方式であるミニエンバイロメント方式
に変わりつつある。
【０００３】図１０，図１１は、その一例を示す。クリ
ーンルーム１内に局所クリーンルーム６が設置されてい
る。クリーンルーム１は、天井２にファン３ａと高性能
フィルタ３ｂとから成るファンフィルタユニット３を設
置し、床４に穴あき板５を設置し、空気調和装置１８に
よって空調空気を天井２の裏側から供給し、部屋内を例
えばクラス１０００程度の清浄空間を形成することによ
って構成されている。
【０００４】局所クリーンルーム６は、上部側にケミカ
ルフィルタ７と高性能フィルタ８とファン９を設置し、
その下流側を壁部材６ａによって囲繞し、その区画内を
例えばクラス１程度の清浄空間を形成するように構成さ
れている。局所クリーンルーム６の一側には、製造装置
１０が半導体ウエハ１６の受渡口１１を介して設置され
ている。
【０００５】また、局所クリーンルーム６の他側には、
半導体ウエハ収納容器１２が半導体ウエハ１６の受渡口
１３を介して設置されている。半導体ウエハ収納容器１
２は、載置台１４上に置かれている。ミニエンバイロメ
ント方式では、工程間の搬送時、工程の待ち時間におい
て、半導体ウエハ１６を塵埃や化学物質、人と隔離する
ために、内部を高清浄雰囲気で満たしたフロントオープ
ン一体型ポット（ＦＯＵＰ）と称される容器に収納され
ている。
【０００６】また、局所クリーンルーム６内には、半導
体ウエハ収納容器１２内の半導体ウエハ１６を半導体ウ
エハ収納容器１２と製造装置１０との間で受け渡しを行
う搬送装置１５が設置されている。斯くして構成された
半導体製造装置では、先ず、局所クリーンルーム６を駆
動し、ケミカルフィルタ７で化学物質濃度を低減した空
気をファン９により吸引し、高性能フィルタ８で清浄化
し、区画内をクラス１にする。
【０００７】次に、自動搬送ロボット（ＡＧＶ）１９に
よって搬送され、載置台１４上に置かれた半導体ウエハ
収納容器１２の蓋１２ａを、半導体ウエハ１６の受渡口
１３の蓋１３ａとともに局所クリーンルーム６内に設け
たオープナー１７によって開く。そして、搬送装置１５
を操作して半導体ウエハ収納容器１２内の半導体ウエハ
１６を半導体ウエハ収納容器１２と製造装置１０との間
で受け渡しを行う。
【０００８】製造装置１０では、半導体ウエハ１６に露
光、現像、成膜、拡散、洗浄等多くの工程による何れか
の処理を施す。なお、半導体ウエハ１６は、対応する処
理を施すために、その都度半導体ウエハ収納容器１２に
収納されて各製造装置１０に搬送され、各製造装置１０
によって処理が施されて製品とされる。所定の処理が施
された半導体ウエハ１６は、搬送装置１５を操作して半
導体ウエハ収納容器１２内に収納される。
【０００９】各工程において、局所クリーンルーム６内
において、常に半導体ウエハ１６周辺は、高清浄度に保
たれている。全ての工程による処理を終えた半導体ウエ
ハ１６を半導体ウエハ収納容器１２に戻す際も同様であ
る。そして、ファン９により局所クリーンルーム６内に
導入された空気の全量が、矢印で示すように、局所クリ
ーンルーム６の下部からクリーンルーム１内に排出され
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
製造装置では、クリーンルーム１内の空気をケミカルフ
ィルタ７により化学物質濃度を低減した後、全量を局所
クリーンルーム６の下部からクリーンルーム１内に捨て
ているため、局所クリーンルーム６内に供給される空気
は全てケミカルフィルタ７で化学物質を除去している。
その結果、ケミカルフィルタ７により除去すべき化学物
質質量（濃度×空気量）が多くなり、高価なケミカルフ
ィルタ７を頻繁に交換しなければならなかった（例え
ば、年に１〜２回程度）。
【００１１】本発明は斯かる従来の問題点を解決するた
めに為されたもので、その目的は、ケミカルフィルタに
より除去すべき化学物質質量を低減することが可能な半
導体製造装置を提供することにある。本発明の別の目的
は、ケミカルフィルタを用いずに化学物質の除去を可能
とする半導体製造装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
クリーンルーム内に設置された半導体製造装置におい
て、前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能
フィルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保
つ局所クリーンユニットと、半導体ウエハの受渡口を介
して前記局所クリーンユニット外に設置された製造装置
と、前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受
渡口を介して前記局所クリーンユニット外に配設された
半導体ウエハ収納容器と、前記局所クリーンユニット内
に設置されて前記半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエ
ハを該半導体ウエハ収納容器と前記製造装置との間で受
け渡しを行う搬送装置とを備え、前記局所クリーンユニ
ットは、前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設
けた局所クリーンブース部と、この局所クリーンブース
部の下部側と前記ファンと前記高性能フィルタとの上部
側とを連絡するレタンダクト部と、このレタンダクト部
に設けた外気取込部と、この外気取込部に設けたケミカ
ルフィルタと、このケミカルフィルタに連接して設けた
冷水コイルとを備えたことを特徴とする。
【００１３】請求項２に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けたケミカルフィルタと、この
ケミカルフィルタに連接して設けた冷水コイルと、この
冷水コイルに連接して設けたファンとを備えたことを特
徴とする。
【００１４】請求項３に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部内に設けた冷水コイ
ルと、前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、この
外気取込部に設けたケミカルフィルタとを備えたことを
特徴とする。
【００１５】請求項４に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部内に設けた冷水コイ
ルと、前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、この
外気取込部に設けたケミカルフィルタと、このケミカル
フィルタに連接して設けたファンとを備えたことを特徴
とする。
【００１６】請求項５に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けた拡散スクラバと、この拡散
スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを備えたこ
とを特徴とする。
【００１７】請求項６に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けた拡散スクラバと、この拡散
スクラバに連接して設けたファンと、前記拡散スクラバ
への純水供給路に設けた熱交換器とを備えたことを特徴
とする。
【００１８】請求項７に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、前記レタンダクト内に設けた拡散スクラバと、この
拡散スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを備え
たことを特徴とする。
【００１９】請求項８に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けたファンと、前記レタンダク
ト内に設けた拡散スクラバと、この拡散スクラバへの純
水供給路に設けた熱交換器と を備えたことを特徴とす
る。
【００２０】請求項９に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けたワッシャと、このワッシャ
への純水供給路に設けた熱交換器とを備えたことを特徴
とする。
【００２１】請求項１０に係る発明は、クリーンルーム
内に設置された半導体製造装置において、前記クリーン
ルーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して
取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユ
ニットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリ
ーンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置
と対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記
局所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納
容器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記
半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエ
ハ収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送
装置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファ
ンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーン
ブース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記
ファンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレ
タンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込
部と、この外気取込部に設けたワッシャと、このワッシ
ャへの純水供給路に設けた熱交換器と、前記ワッシャに
連接して設けたファンとを備えたことを特徴とする。
【００２２】請求項１１に係る発明は、クリーンルーム
内に設置された半導体製造装置において、前記クリーン
ルーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して
取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユ
ニットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリ
ーンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置
と対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記
局所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納
容器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記
半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエ
ハ収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送
装置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファ
ンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーン
ブース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記
ファンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレ
タンダクト部と、このレタンダクト内に設けたワッシャ
と、このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器と、
前記レタンダクト部に設けた外気取込部とを備えたこと
を特徴とする。
【００２３】請求項１２に係る発明は、クリーンルーム
内に設置された半導体製造装置において、前記クリーン
ルーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して
取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユ
ニットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリ
ーンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置
と対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記
局所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納
容器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記
半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエ
ハ収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送
装置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファ
ンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーン
ブース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記
ファンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレ
タンダクト部と、このレタンダクト内に設けたワッシャ
と、このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器と、
前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、この外気取
込部に設けたファンとを備えたことを特徴とする。
【００２４】請求項１３に係る発明は、請求項１ないし
請求項１２の何れか１項記載の半導体製造装置におい
て、前記空気取込口には、前記クリーンルームと前記局
所クリーンブース部との差圧により前記レタンダクト内
に取り込む空気量を制御する流量調整機構が設けられて
いることを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施形
態に基づいて説明する。図１および図２は、本発明の第
一実施形態に係る半導体製造装置２０を示す（請求項２
に対応する）。本実施形態に係る半導体装置２０は、ク
リーンルーム５０内に設置されている。なお、クリーン
ルーム５０は、例えば、図１１に示す従来の半導体製造
装置のクリーンルーム１と同様に構成されているので、
その説明は省略する。
【００２６】本実施形態に係る半導体装置２０は、局所
クリーンユニット２１と、この局所クリーンユニット２
１に連接して配置された製造装置４０と、この製造装置
４０と対向して局所クリーンユニット２１に連接して配
置された半導体ウエハ収納容器４５と、局所クリーンユ
ニット２１内に配置された搬送装置（図示せず）とで構
成されている。なお、搬送装置は、例えば、図１１に示
す従来の半導体装置の搬送装置１５と同様に構成されて
いるので、その説明は省略する。
【００２７】局所クリーンユニット２１は、局所クリー
ンユニット２１の外形を壁部材２３によって区画形成す
る箱形のユニット本体２２と、このユニット本体２２内
に設置された局所クリーンブース部２５と、この局所ク
リーンブース部２５とユニット本体２２との間に形成さ
れたレタンダクト部３０と、このレタンダクト部３０と
連絡し、局所クリーンブース部２５の天井側に形成され
た天井空間部３５と、レタンダクト部３０に設けられた
外気取込部３６と、この外気取込部３６に設けたケミカ
ルフィルタ３７と、このケミカルフィルタ３７に連接し
て設けた冷水コイル３８と、この冷水コイル３８に連接
して設けたファン３９とで構成されている。
【００２８】ユニット本体２２は、製造装置４０との受
渡口、半導体ウエハ収納容器４５との受渡口、外気取込
部３６以外には、開口部が形成されていない。そして、
床２４を介してクリーンルーム５０の床上に配置されて
いる。局所クリーンブース部２５は、ファン２６と、例
えば、０．１μｍ以上の塵埃に対して９９．９９９９％
（６Ｎ）以上の捕集率を有するエアフィルタ等の高性能
フィルタ２７とを上部に設けている。
【００２９】局所クリーンブース部２５の下部には、レ
タンダクト部３０と連絡する開口部２８が形成されてい
る。局所クリーンブース部２５のファン２６や図示しな
いロボットなどの搬送装置などからの発熱により局所ク
リーンブース部２５内の温度が上昇するので、冷却コイ
ル３８によって冷却する。
【００３０】冷水コイル３８の流量は、外気取込部３６
から取り込まれる空気の温度（温度計Ｔ１による測
定）、循環空気還り温度（温度計Ｔ２による測定）、循
環送り温度（温度計Ｔ３による測定）の何れかで制御さ
れるようになっている。クリーンルーム５０内の空気
は、ファン３９によりレタンダクト部３０内に外気取込
部３６から取り込まれる。
【００３１】なお、製造装置４０では、従来と同様に、
半導体ウエハに露光、現像、成膜、拡散、洗浄等多くの
工程による何れかの処理を施す。なお、半導体ウエハ
は、対応する処理を施すために、その都度半導体ウエハ
収納容器４５に収納されて各製造装置４０に搬送され、
各製造装置４０によって処理が施されて製品とされる。
半導体ウエハ収納容器４５は、従来と同様に、内部を高
清浄雰囲気で満たしたフロントオープン一体型ポット
（ＦＯＵＰ）と称される容器から成り、局所クリーンユ
ニット２１の外側に設けた載置台４６上に置かれてい
る。
【００３２】次に、斯くして構成された本実施形態に係
る半導体製造装置２０の作用を説明する。先ず、局所ク
リーンブース部２５のファン２６および冷却コイル３８
側のファン３９を駆動し、クリーンルーム５０内の清浄
空気をケミカルフィルタ３７を通して取り込み、高性能
フィルタ２７にてクラス１程度の高清浄度にした清浄空
気を局所クリーンブース部２５内に吹き出す。吹き出さ
れた清浄空気は、局所クリーンブース部２５の下部の開
口部２８からレタンダクト部３０内に導かれ、導入され
た空気と一緒に天井空間部３５へ送り出される。
【００３３】このようにして、局所クリーンブース部２
５内に吹き出された清浄空気は、局所クリーンブース部
２５→レタンダクト部３０→天井空間部３５→局所クリ
ーンブース部２５の経路を循環する。従って、局所クリ
ーンユニット２１内を循環する清浄空気は、従来のよう
にクリーンルーム５０へ排出されることがない。
【００３４】そして、循環路を流れる清浄空気により、
常に大量の空気をケミカルフィルタを通して導入する必
要がない。つまり、循環路から漏れ出る清浄空気に見合
った清浄空気をケミカルフィルタ３７を介してファン３
９により導入すればよい。次に、自動搬送ロボット（Ａ
ＧＶ）によって搬送され、載置台４６上に置かれた半導
体ウエハ収納容器４５は、従来と同様に、その蓋が、半
導体ウエハの受渡口の蓋とともに局所クリーンブース部
２５内に設けたオープナーによって開かれる。そして、
搬送装置により半導体ウエハ収納容器４５内の半導体ウ
エハが、半導体ウエハ収納容器４５と製造装置４０との
間で受け渡される。
【００３５】所定の処理が施された半導体ウエハは、搬
送装置を操作して半導体ウエハ収納容器４５内に収納さ
れる。以上のように、本実施形態によれば、クリーンル
ーム５０内の清浄空気を、ファン３９により局所クリー
ンユニット２１内に取り込むに当たり、ケミカルフィル
タ３７を介して化学物質を除去し、その後に、化学物質
を除去した清浄空気を外気取込部３６からレタンダクト
部３０を介して局所クリーンユニット２１内に取り込
み、局所クリーンブース部２５のファン２６により局所
クリーンブース２５内に取り込み、高性能フィルタ２７
によりクラス１程度に清浄化して局所クリーンブース２
５内に吹き出し、開口部２８を介してレタンダクト部３
０内へ送り出し、再びレタンダクト部３０を介して局所
クリーンブース部２５内へ戻す循環路を形成することが
できるので、ケミカルフィルタ３７を介して導入される
清浄空気量が従来の局所クリーンユニットに比し遙かに
少量となり、ケミカルフィルタ３７による除去すべき化
学物質量を低減できる。
【００３６】その結果、ケミカルフィルタ３７の交換時
期を延ばすことが可能となる。また、本実施形態では、
半導体ウエハ収納容器３７の搬送手段として自動搬送ロ
ボット（ＡＧＶ）４０を用いた場合について説明した
が、これに限らず、例えば、ＲＧＶ，ＯＨＴ，ＰＧＶな
どを用いても良い。なお、上記実施形態では、ファン３
９によりクリーンルーム５０内の清浄空気を外気取込部
３６を介して導入する場合について説明したが、ファン
３９を用いなくても同様の操作が可能である（請求項１
に対応する）。
【００３７】その一例を図３により説明する。例えば、
局所クリーンブース部２５の高性能フィルタ２７の圧力
損出を５ｍｍＡｑ、レタンダクト部３０での圧力損出を
１ｍｍＡｑ、冷却コイル３８とケミカルフィルタ３７で
の圧力損出を５ｍｍＡｑ、局所クリーンブース部２５の
開口部２８に設けたダンパ２８ａの圧力損失を６ｍｍＡ
ｑ、クリーンルーム５０を±０ｍｍＡｑ、ファンによる
圧力取得を＋１２ｍｍＡｑとする。
【００３８】そして、局所クリーンブース部２５とレタ
ンダクト部３０との境界に設置した開口部２８のダンパ
２８ａの開度を小さくして圧力損失を大きくすると、局
所クリーンブース部２５が１ｍｍＡｑでクリーンルーム
５０により＋圧にするとともに、レタンシャフト部３０
が−５ｍｍＡｑでクリーンルーム５０より−圧にするこ
とができる。
【００３９】その結果、レタンダクト部３０の負圧を利
用して処理外気をクリーンルーム５０から取り込むこと
ができる。本実施形態によっても、上記実施形態と同様
の作用効果を得ることができる。図４は、図１，図２に
示す実施形態における冷却コイル３８をレタンダクト部
３０内に設けた実施形態を示す（請求項４に対応す
る）。
【００４０】本実施形態においても、図１，図２に示す
実施形態と同様の、冷水コイル３８の流量は、外気取込
部３６から取り込まれる空気の温度（温度計Ｔ１による
測定）、循環空気還り温度（温度計Ｔ２による測定）、
循環送り温度（温度計Ｔ３による測定）の何れかで制御
されるようになっている。本実施形態によっても、上記
実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４１】なお、本実施形態においても、図３に示す
実施形態と同様に、冷却ファン３９を設けず、循環路で
のダンパによる開度の調整により圧力を調整することも
可能である（請求項３に対応する）。図５は、図１，図
２に示す実施形態におけるケミカルフィルタ３７に代え
て拡散スクラバ６０を設けた実施形態を示す（請求項６
に対応する）。
【００４２】拡散スクラバ６０としては、特開２０００
−５１６４７号公報に開示される基体浄化装置、物質捕
集装置および脱臭装置が知られている。拡散スクラバ６
０は、例えば、疎水性の高分子膜（例えば、多孔質フッ
化物（ＰＰＴＦＥ）などの高分子材料）で形成されてい
る多孔質内に純水を供給することができる複数の容器を
配し、この容器にクリーンルーム５０から導入される清
浄空気を接触させ、空気中の水溶性化学物質を多孔質膜
を介して純水側に拡散して溶解するように構成されてい
る。
【００４３】拡散スクラバ６０は、純水供給路６１に設
けた熱交換器６２を設けている。熱交換器６２における
純水の出口温度が一定となるように、冷水の流量調整を
行う。本実施形態においても、外気取込部３６から取り
込まれる空気の温度（温度計Ｔ１による測定）、循環空
気還り温度（温度計Ｔ２による測定）、循環送り温度
（温度計Ｔ３による測定）の何れかが一定となるように
純水の流量制御を行う。
【００４４】本実施形態では、拡散スクラバ６０により
純水に化学成分を吸収させるので、化学物質濃度の少な
い純水を供給すれば、メンテナンスフリーである。従っ
て、ケミカルフィルタを使用する従来方式に比し、メン
テナンスが容易となる。なお、本実施形態においても、
図３に示す実施形態と同様に、冷却ファン３９を設け
ず、循環路でのダンパによる開度の調整により圧力を調
整することも可能である（請求項５に対応する）。
【００４５】図６は、図５に示す実施形態における拡散
スクラバ６０をレタンダクト部３０内に設けた実施形態
を示す（請求項８に対応する）。本実施形態によって
も、上記実施形態と同様の作用効果を得ることができ
る。なお、本実施形態においても、図３に示す実施形態
と同様に、冷却ファン３９を設けず、循環路でのダンパ
による開度の調整により圧力を調整することも可能であ
る（請求項７に対応する）。
【００４６】図７は、図１，図２に示す実施形態におけ
るケミカルフィルタ３７に代えてワッシャ７０を設けた
実施形態を示す（請求項１０に対応する）。ワッシャ７
０は、ファン３９により導入される清浄空気に純水を噴
霧する噴霧部７１と、滴下する純水を受ける容器７２
と、容器７２内の純水を噴霧部７１へ送るポンプ７３と
で構成されている。
【００４７】容器７２には、熱交換器７５を備えた純水
供給路７４が設けてある。熱交換器７５における純水の
出口温度が一定となるように、冷水の流量調整を行う。
本実施形態においても、外気取込部３６から取り込まれ
る空気の温度（温度計Ｔ１による測定）、循環空気還り
温度（温度計Ｔ２による測定）、循環送り温度（温度計
Ｔ３による測定）の何れかが一定となるように純水の流
量制御を行う。
【００４８】本実施形態では、ワッシャ７０により気体
中に純水を噴霧して気体中の化学成分を純水に吸収させ
るので、化学物質濃度の少ない純水を供給すれば、メン
テナンスフリーである。従って、ケミカルフィルタを使
用する従来方式に比し、メンテナンスが容易となる。
【００４９】なお、本実施形態においても、図３に示す
実施形態と同様に、冷却ファン３９を設けず、循環路で
のダンパによる開度の調整により圧力を調整することも
可能である（請求項９に対応する）。図８は、図７にお
けるワッシャ７０をレタンダクト部３０内に設けた実施
形態を示す（請求項１２に対応する）。
【００５０】本実施形態によっても、上記実施形態と同
様の作用効果を得ることができる。なお、本実施形態に
おいても、図３に示す実施形態と同様に、冷却ファン３
９を設けず、循環路でのダンパによる開度の調整により
圧力を調整することも可能である（請求項１１に対応す
る）。図９は、局所クリーンブース部２５とクリーンル
ーム５０との差圧によって、外気取込部３６に取り付け
たダンパーなどの流量調整機構８０によって流量制御を
行うものである（請求項１３に対応する）。
【００５１】本実施形態では、局所クリーンブース部２
５とクリーンルーム５０とに設けた圧力計により、差圧
を検知し、流量調整機構８０のダンパーの開度を調整す
るようにしてある。本実施形態によっても、上記実施形
態と同様の作用効果を得ることができる。
【００５２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ケミカ
ルフィルタを介して局所クリーンブース部に取り込まれ
た清浄空気をレタンダクト部を介して循環する流路を移
動させ、従来のように全量をクリーンルーム内に排出す
る物ではないため、ケミカルフィルタによる処理量が少
なくでき、ケミカルフィルタの寿命を長くすることが可
能となる。また、本発明によれば、ケミカルフィルタに
代えて水溶性の化学物質を純水中に溶出させることが可
能となるため、ケミカルフィルタを利用した従来の局所
クリーンブースに比してメンテナンスが容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施形態に係る半導体製造装置の
斜視図に相当する説明図である。
【図２】本発明の第一実施形態に係る半導体製造装置の
断面図に相当する説明図である。
【図３】本発明の別の実施形態に係る半導体製造装置の
断面図に相当する説明図である。
【図４】本発明のさらに別の実施形態に係る半導体製造
装置の断面図に相当する説明図である。
【図５】本発明のまた別の実施形態に係る半導体製造装
置の断面図に相当する説明図である。
【図６】本発明のまた別の実施形態に係る半導体製造装
置の断面図に相当する説明図である。
【図７】本発明のまた別の実施形態に係る半導体製造装
置の断面図に相当する説明図である。
【図８】本発明のまた別の実施形態に係る半導体製造装
置の断面図に相当する説明図である。
【図９】本発明のまた別の実施形態に係る半導体製造装
置の断面図に相当する説明図である。
【図１０】従来の導体製造装置の断面図に相当する説明
図である。
【図１１】従来の導体製造装置の斜視図に相当する説明
図である。
【符号の説明】
２０ 半導体装置 ２１ 局所クリーンユニット ２２ ユニット本体 ２５ 局所クリーンブース部 ２６ ファン ２７ 高性能フィルタ ２８ 開口部 ３０ レタンダクト部 ３５ 天井空間部 ３６ 外気取込部 ３７ ケミカルフィルタ ３８ 冷水コイル ３９ ファン ４０ 製造装置 ４５ 半導体ウエハ収納容器 ５０ クリーンルーム ６０ 拡散スクラバ ６１ 純水供給路 ６２ 熱交換器 ７０ ワッシャ ７１ 噴霧部 ７２ 容器 ７３ ポンプ ７４ 純水供給路 ７５ 熱交換器 ８０ 流量調整機構
フロントページの続き (72)発明者 植村 聡 東京都千代田区有楽町１丁目４番１号 三 機工業株式会社内 (72)発明者 城間 直 東京都千代田区有楽町１丁目４番１号 三 機工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4D058 JA14 KC02 QA01 QA13 QA21 SA04 TA02 UA01 UA03 UA25

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 クリーンルーム内に設置された半導体製
    造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
    ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
    所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
    ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
    を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
    体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
    エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
    器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
    備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
    クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
    高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
    と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたケミカルフィルタと、 このケミカルフィルタに連接して設けた冷水コイルとを
    備えたことを特徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項２】 クリーンルーム内に設置された半導体製
    造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
    ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
    所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
    ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
    を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
    体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
    エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
    器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置と を備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
    クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
    高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
    と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたケミカルフィルタと、 このケミカルフィルタに連接して設けた冷水コイルと、 この冷水コイルに連接して設けたファンとを備えたこと
    を特徴とする半導体製造装置。
  3. 【請求項３】 クリーンルーム内に設置された半導体製
    造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
    ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
    所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
    ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
    を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
    体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
    エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
    器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
    備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
    クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
    高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
    と、 このレタンダクト部内に設けた冷水コイルと、 前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたケミカルフィルタとを備えたこ
    とを特徴とする半導体製造装置。
  4. 【請求項４】 クリーンルーム内に設置された半導体製
    造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
    ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
    所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
    ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
    を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
    体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
    エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
    器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
    備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
    クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
    高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
    と、 このレタンダクト部内に設けた冷水コイルと、 前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたケミカルフィルタと、 このケミカルフィルタに連接して設けたファンとを備え
    たことを特徴とする半導体製造装置。
  5. 【請求項５】 クリーンルーム内に設置された半導体製
    造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
    ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
    所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
    ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
    を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
    体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
    エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
    器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
    備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
    クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
    高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
    と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けた拡散スクラバと、 この拡散スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを
    備えたことを特徴とする半導体製造装置。
  6. 【請求項６】 クリーンルーム内に設置された半導体製
    造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
    ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
    所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
    ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
    を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
    体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
    エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
    器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
    備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
    クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
    高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
    と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けた拡散スクラバと、 この拡散スクラバに連接して設けたファンと、 前記拡散スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを
    備えたことを特徴とする半導体製造装置。
  7. 【請求項７】 クリーンルーム内に設置された半導体製
    造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
    ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
    所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
    ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
    を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
    体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
    エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
    器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
    備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
    クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
    高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
    と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 前記レタンダクト内に設けた拡散スクラバと、 この拡散スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを
    備えたことを特徴とする半導体製造装置。
  8. 【請求項８】 クリーンルーム内に設置された半導体製
    造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
    ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
    所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
    ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
    を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
    体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
    エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
    器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
    備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
    クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
    高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
    と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたファンと、 前記レタンダクト内に設けた拡散スクラバと、 この拡散スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを
    備えたことを特徴とする半導体製造装置。
  9. 【請求項９】 クリーンルーム内に設置された半導体製
    造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
    ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
    所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
    ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
    を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
    体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
    エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
    器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
    備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
    クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
    高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
    と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたワッシャと、 このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器とを備え
    たことを特徴とする半導体製造装置。
  10. 【請求項１０】 クリーンルーム内に設置された半導体
    製造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
    ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
    所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
    ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
    を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
    体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
    エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
    器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
    備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
    クリーンブース部と、この局所クリーンブース部の下部
    側と前記ファンと前記高性能フィルタとの上 部側とを連絡するレタンダクト部と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたワッシャと、 このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器と、 前記ワッシャに連接して設けたファンとを備えたことを
    特徴とする半導体製造装置。
  11. 【請求項１１】 クリーンルーム内に設置された半導体
    製造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
    ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
    所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
    ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
    を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
    体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
    エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
    器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
    備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
    クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
    高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
    と、 このレタンダクト内に設けたワッシャと、 このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器と、 前記レタンダクト部に設けた外気取込部とを備えたこと
    を特徴とする半導体製造装置。
  12. 【請求項１２】 クリーンルーム内に設置された半導体
    製造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
    ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
    所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
    ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
    を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
    体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
    エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
    器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
    備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
    クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
    高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
    と、 このレタンダクト内に設けたワッシャと、 このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器と、 前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたファンとを備えたことを特徴と
    する半導体製造装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１ないし請求項１２の何れか１
    項記載の半導体製造装置において、 前記空気取込口には、前記クリーンルームと前記局所ク
    リーンブース部との差圧により前記レタンダクト内に取
    り込む空気量を制御する流量調整機構が設けられている
    ことを特徴とする半導体製造装置。
JP2001236886A 2001-08-03 2001-08-03 半導体製造装置 Pending JP2003051431A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001236886A JP2003051431A (ja) 2001-08-03 2001-08-03 半導体製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001236886A JP2003051431A (ja) 2001-08-03 2001-08-03 半導体製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003051431A true JP2003051431A (ja) 2003-02-21

Family

ID=19068070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001236886A Pending JP2003051431A (ja) 2001-08-03 2001-08-03 半導体製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003051431A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006183929A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Hokkaido Univ クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法
JP2007170813A (ja) * 2006-12-26 2007-07-05 Hokkaido Univ クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法
JP2008232612A (ja) * 2008-03-19 2008-10-02 Hokkaido Univ クリーンユニット、連結クリーンユニットおよびプロセス方法
JP2008296069A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Kondo Kogyo Kk 薄板状物製造装置における、微粒子、または微粒子並びに有害ガスの除去を目的とする空気清浄装置
JP2010223465A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Dainippon Printing Co Ltd クリーン空調システム
JP2015503079A (ja) * 2011-12-05 2015-01-29 アエシント トプコ ベスローテン フェンノートシャップ 医薬品を調製するための機械

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006183929A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Hokkaido Univ クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法
JP2007170813A (ja) * 2006-12-26 2007-07-05 Hokkaido Univ クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法
JP2008296069A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Kondo Kogyo Kk 薄板状物製造装置における、微粒子、または微粒子並びに有害ガスの除去を目的とする空気清浄装置
JP2008232612A (ja) * 2008-03-19 2008-10-02 Hokkaido Univ クリーンユニット、連結クリーンユニットおよびプロセス方法
JP2010223465A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Dainippon Printing Co Ltd クリーン空調システム
JP2015503079A (ja) * 2011-12-05 2015-01-29 アエシント トプコ ベスローテン フェンノートシャップ 医薬品を調製するための機械

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI220290B (en) Sheet shape electronic device clean transfer apparatus and manufacturing system for sheet shape electronic device
US7276097B2 (en) Load-lock system, exposure processing system, and device manufacturing method
KR19980024024A (ko) 클린 룸
JP2001093790A (ja) クリーンルーム及びクリーンルームの空調方法
KR19980087295A (ko) 처리장치, 처리방법 및 불순물제거장치
US5207578A (en) Heat processing apparatus of vertical type
JP2002158170A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP6599599B2 (ja) Ｅｆｅｍシステム
US20150314418A1 (en) Substrate polishing apparatus
JP4606348B2 (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法並びに記憶媒体
KR20020036952A (ko) 노광장치 및 디바이스 제조방법, 그리고 노광장치의환경제어방법
JP3415404B2 (ja) 処理システム
JP3771430B2 (ja) 基板処理装置および基板処理システム
JP2003051431A (ja) 半導体製造装置
CN111403312A (zh) 基板处理设备和方法
JP3803130B2 (ja) ポリッシング装置及びポリッシング方法
KR0129664B1 (ko) 도포 설비
US6598316B2 (en) Apparatus to reduce contaminants from semiconductor wafers
JP3697275B2 (ja) 局所クリーン化におけるインターフェイスボックス及びそのクリーンルーム
JP2003031451A (ja) 半導体製造装置
JP2003017376A (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
JPH1140497A (ja) 処理装置
JP2005283049A (ja) ミニエンバイロメント装置
JP3673792B2 (ja) ポリッシング装置
JP4943478B2 (ja) ポリッシング装置