CN111403312A - 基板处理设备和方法 - Google Patents

基板处理设备和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111403312A
CN111403312A CN201911075578.2A CN201911075578A CN111403312A CN 111403312 A CN111403312 A CN 111403312A CN 201911075578 A CN201911075578 A CN 201911075578A CN 111403312 A CN111403312 A CN 111403312A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transfer
gas
space
gas supply
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201911075578.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111403312B (zh
Inventor
柳帝爀
刘在炅
姜正贤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PSK Inc
SEMIgear Inc
Original Assignee
PSK Inc
SEMIgear Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by PSK Inc, SEMIgear Inc filed Critical PSK Inc
Publication of CN111403312A publication Critical patent/CN111403312A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111403312B publication Critical patent/CN111403312B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基板处理设备以及处理基板的方法，该基板处理设备包括：索引模块；和处理模块，被配置为处理所述基板。索引模块包括：装载端口，其中容纳有基板的容器被放置在装载端口上；和传送框架，设置在装载端口与处理模块之间，传送框架中具有传送空间。传送框架包括：风扇单元，设置在传送空间上方并被配置为将下降气流供应到传送空间中；传送机器人，设置在传送空间中，并被配置为在放置于装载端口上的容器与处理模块之间传送所述基板；干涉构件，用于使由风扇单元供应的下降气流与从容器内部导向传送空间的气流之间的碰撞最小化。

Description

基板处理设备和方法
技术领域
本文所描述的发明构思的实施例涉及一种基板处理设备和一种基板处理方法。
背景技术
通常，半导体制造工艺包括例如沉积、光刻、蚀刻、灰化、清洁等各种工艺。用于半导体制造工艺的半导体制造设施包括晶片传送模块，也称为设备前端模块(EFEM)。
近来，随着半导体器件的高度集成或形成于基板上的图案的关键尺寸(CD)的按比例缩小，需要将基板的周围环境保持在高清洁度水平，以防止基板上有颗粒或水痕。此外，广泛使用在基板周围供应惰性气体或在处理基板的空间中产生真空的方法以防止基板表面的性质和状态的改变(例如，基板表面的氧化)。为了适当地保持基板周围的环境，而将基板置于称作前开口式统一吊舱(FOUP)的密封存储舱中。FOUP充满了惰性气体。前述设备前端模块中的传送机器人在FOUP与处理模块之间传送基板。
图1是示出了现有技术中的设备前端模块1的视图。参照图1，现有技术中的设备前端模块1包括风扇2、FOUP 4、传送机器人6和排放管线9。风扇2将惰性气体供应到传送空间3，基板被传送到该传送空间中。供应到传送空间3中的惰性气体通过排放管线9被排出。
当基板在设备前端模块1中被传送时，门8被打开，并且惰性气体被连续供应到FOUP 4中，以防止传送空间3中的气流被引入FOUP 4中。然而，这种方法使用大量惰性气体，增加了基板加工成本。
将传送空间3保持在惰性气体环境中可被认为是在设备前端模块1中传送基板的另一种方式。例如，如图1所示，风扇2将惰性气体供应到传送空间3中，以将传送空间3保持在惰性气体环境中。但是，为了将传送空间3保持在惰性气体环境中，需要持续地供应惰性气体。即使在这种情况下，也会使用大量惰性气体。因此，作为增加了加工成本的解决方案，这种方法也是不适合的。
此外，当风扇2供应惰性气体时，由风扇2供应的惰性气体与从FOUP 4释放的惰性气体相互碰撞，从而在传送空间3中产生涡流。涡流与传送空间3中的部件碰撞，导致颗粒。
发明内容
根据本发明构思的实施例提供了一种基板处理设备和方法，用于有效地处理基板。
根据本发明构思的实施例提供了一种基板处理设备和方法，用于使索引模块(index module)中颗粒的生成最小化。
根据本发明构思的实施例提供了一种基板处理设备和方法，用于使颗粒对基板的附着最小化。
根据本发明构思的实施例提供了一种基板处理设备和方法，用于使传送基板时供应到索引模块中的惰性气体的量最小化。
根据本发明构思的方面不限于此，并且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文未提及的任何其他方面。
根据实施例的一方面，一种用于处理基板的设备包括索引模块和用于处理基板的处理模块。索引模块包括装载端口和传送框架，容纳有基板的容器被放置在装载端口上，传送框架设置在装载端口与处理模块之间并且传送框架中具有传送空间。传送框架包括：风扇单元，设置在传送空间上方，用于将下降气流供应到传送空间中；传送机器人，设置在传送空间中，用于在放置于装载端口上的容器与处理模块之间传送基板；以及干涉构件，用于使下降气流与从容器内部导向传送空间的气流之间的碰撞最小化。传送框架中形成有开口，基板通过该开口在容器和传送框架之间被传送。干涉构件包括上干涉构件，该上干涉构件安装在开口的上端处以便邻近开口。
根据一实施例，上干涉构件可以设置成网状形式。
根据一实施例，上干涉构件可以沿远离开口的方向向上倾斜。
根据一实施例，干涉构件还可包括下干涉构件，该下干涉构件安装在开口的下端处以便邻近开口。
根据一实施例，下干涉构件可以设置成网状形式。
根据一实施例，下干涉构件可以沿远离开口的方向向下倾斜。
根据一实施例，风扇单元可包括：壳体，具有内部空间；和风扇，设置在内部空间中以使气体流入或流出内部空间。传送框架还可包括循环管道，该循环管道将传送空间中的气体循环到内部空间中。
根据一实施例，传送框架可以具有长方体形状，并且当从上方观察时，多个循环管道可以安装在传送框架的角部中。
根据一实施例，传送框架还可包括多个面板、组合多个面板的联接框架以及设置在面板与联接框架之间的垫圈。传送框架可具有通过将多个面板组合在一起而形成的传送空间。
根据一实施例，垫圈可以是橡胶垫圈或液体垫圈。
根据一实施例，循环风扇可以安装在循环管道中，以使气体流入或流出循环管道。
根据一实施例，该设备还可包括驱动传送机器人的致动器。传送框架还可包括基座，该基座将设置有致动器的空间与传送空间隔开。
根据一实施例，索引模块还可包括将气体供应到传送空间中的气体供应构件，并且气体供应构件可包括第一气体供应管线和第二气体供应管线，第一气体供应管线将气体供应到风扇单元所包括的壳体的内部空间中，第二气体供应管线将气体直接供应到传送空间中。
根据一实施例，该设备还可包括控制气体供应构件的控制器。控制器可以控制气体供应构件，以在基板被传送的传送时段将气体从第一气体供应管线供应到风扇单元，以及在该传送时段之前的装料时段通过第二气体供应管线供应气体或者通过第一气体供应管线和第二气体供应管线供应气体。
根据一实施例，索引模块还可包括设置在传送框架与处理模块之间的装载锁定室，并且气体供应构件还可包括第三气体供应管线，该第三气体供应管线连接到装载锁定室以将气体供应到装载锁定室中。此外，控制器可以控制装载锁定室，并且在装料时段，控制器可以控制装载锁定室和第三气体供应管线以打开门并使得从第三气体供应管线供应到装载锁定室中的气体流入传送空间中，所述门用于打开或关闭基板通过其在装载锁定室和传送框架之间被传送的入口。
根据一实施例，索引模块还可包括：排放单元，将传送空间中的气体排放到外部；以及控制器，控制风扇单元和排放单元。控制器可以控制风扇单元和排放单元，以在传送空间与索引模块外部之间保持50Pa至1000Pa的压差。
根据一实施例的另一方面，一种用于处理基板的方法包括：在基板被传送的传送时段将气体从第一气体供应管线供应到风扇；以在传送时段之前的装料时段通过第二气体供应管线供应气体或者通过第一气体供应管线和第二气体供应管线供应气体。
附图说明
参照附图根据以下描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，除非另有说明，否则在各个附图中，相似的附图标记指代相似的零件，其中：
图1是示出了现有技术中的设备前端模块的视图；
图2是示出了根据本发明构思的实施例的基板处理设备的立体图；
图3是示出了图2的传送框架的截面图；
图4是示出了安装有图3的干涉构件的状态的视图；
图5是示出了气体在图3的传送框架中流动的示例的视图；
图6是示出了气体在图3的传送框架中流动的另一示例的视图；
图7是示出了气体在图2的传送框架中循环的示例的视图；
图8是示出了根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图；
图9是示出了在图8中的装料时段气体被供应到传送框架中的示例的视图；
图10是示出了在图8中的传送时段气体在传送框架中流动的示例的视图；
图11是示出了根据本发明构思的另一实施例的基板处理方法的视图；
图12是示出了根据本发明构思的另一实施例的传送框架的视图；
图13是示出了气体在图12的传送框架中流动的示例的视图；
图14是示出了根据本发明构思的另一实施例的传送框架的视图；以及
图15是示出了根据本发明构思的另一实施例的干涉构件的视图。
具体实施方式
下面，将参照附图对本发明构思的实施例进行详细地描述，使得本领域技术人员能够容易地实施本发明。然而，本发明的构思可以以各种不同的形式实现，并不限于本文描述的实施例。此外，在描述本发明构思的实施例时，当与公知的功能或构造相关的详细描述可能使本发明构思的主题不必要地模糊时，将省略这些详细描述。此外，在所有附图中，执行类似功能和操作的组件具有相同的附图标记。
说明书中的术语“包括”和“包含”是“开放式”表达，只是为了表示相应的部件存在，除非特别相反地说明，否则不排除但可以包括附加部件。具体而言，应当理解，本文所使用的术语“包括”、“包含”和“具有”具体说明所述特征、整体、步骤、操作、部件和/或零件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、部件、零件和/或其组合的存在或添加。
除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，在附图中，为了清楚起见，部件的形状和尺寸可能被放大。
下面，将参照图2至图15对本发明构思的实施例进行详细地描述。
图2是示出了根据本发明构思的实施例的基板处理设备10的立体图，图3是示出图2的传送框架300的截面图。参照图2和图3，基板处理设备10包括索引模块200和处理模块400。
索引模块200包括装载端口210和传送框架300。装载端口210是用于将基板装载到传送框架300中或从传送框架卸载的设备。装载端口210设置在传送框架300的前表面上。容纳有基板的容器(FOUP)F位于装载端口210上。装载端口210打开或关闭容器F的盖子。容器F是用于生产的普通批量运载工具，并且通过自动化物流系统(例如，OHT、AGV或RGV)安放于装载端口210上。装载端口210包括板，容器F放置在该板上。装载端口210打开容器F，并将容纳于容器F中的基板装载到传送框架300中。可以安置多个装载端口210。多个装载端口210中的一个或多个可以将容纳于容器F中的未处理的基板供应到处理模块400。其余的装载端口210可以将处理模块400已经处理的基板放置在容器F中。装载端口210可以将惰性气体供应到安放于装载端口210上的容器F中。惰性气体可以是氮气。装载端口210可以将氮气供应到容器F中，以将容器F的内部保持在氮气环境中。多个装载端口210可沿第一方向12被布置。
容器F是当基板从外部被传送到装载端口210时以及当经处理的基板被传送以用于不同的工艺时，用于防止基板和氧气之间接触并促进基板的传送的设备。容器F可以是盒体的形式，并且可以在其一侧包括门。每个容器F可具有形成在其内壁上的多个狭槽，多个基板被放置在所述多个狭槽中，以使彼此不接触。
处理模块400执行基板处理。处理模块400可以被配置成执行各种基板处理。例如，处理模块400可包括用于去除光致抗蚀剂的灰化室。此外，处理模块400可包括用于执行沉积工艺的沉积室。此外，处理模块400可包括用于在基板上蚀刻薄膜的蚀刻室。灰化室、沉积室或蚀刻室可以使用等离子体处理基板。此外，处理模块400可包括用于加热基板的加热室或用于冷却基板的冷却室。
传送框架300设置在装载端口210和处理模块400之间，并且传送框架中具有传送空间306。传送框架300可具有长方体形状。例如，传送框架300可包括多个面板302，这些面板组合在一起形成长方体形状。多个面板302通过联接框架304组合在一起。垫圈(未示出)可以设置在联接框架304与每个面板302之间。垫圈(未示出)可以是橡胶垫圈或液体垫圈。设置在联接框架304与面板302之间的垫圈(未示出)可以气密密封传送框架300的传送空间306。面板302可具有10毫米或更大的厚度，并且垫圈(未示出)可具有5毫米或更大的厚度。因此，可以更有效地防止外部颗粒被引入传送空间306中。面板302可以由金属材料形成。面板302可以由包含铝或不锈钢的材料形成。
传送框架300包括传送机器人310、风扇单元320、气体供应构件330、循环管道340、排放单元360和干涉构件380。
传送机器人310设置在传送框架300的传送空间306中。传送机器人310在放置于装载端口210上的容器F与处理模块400之间传送基板。传送机器人310由致动器314驱动。致动器314驱动传送机器人310以将容纳于容器F中的基板传送到处理模块400，或将由处理模块400处理的基板传送到容器F。
基座312可以设置在传送空间306中。基座312可具有长方体形状且内部具有空间。传送机器人310可以安置在基座312的上表面上。致动器314可以设置在基座312中。基座312将设置有致动器314的空间与传送空间306隔开。基座312设置在传送空间306中，以减小传送空间306的体积。因此，可以使得被供应的用于将传送空间306保持在惰性气体环境中的惰性气体的量最小化。
风扇单元320可以设置在传送空间306的上方，以将下降气流供应到传送空间306中。由风扇单元320供应的气体可以是惰性气体或空气，其温度和湿度受到控制。惰性气体可以是选自氮气、氩气和氦气的气体，或者可以是它们的混合物。此外，由风扇单元320供应的气体可以是惰性气体和空气的混合物。
风扇单元320包括壳体322和风扇324。壳体322具有内部空间323。风扇324设置在壳体322的内部空间323中，以使气体流入或流出内部空间323。此外，风扇单元320可以设置成多个。当从上方观察时，多个风扇单元320可以沿着垂直于第一方向12的第二方向14设置。例如，可以设置两个风扇单元320。
气体供应构件330可以将气体供应到传送空间306中。气体供应构件330可包括第一气体供应管线332和第二气体供应管线334。阀可以分别被安装在第一气体供应管线332和第二气体供应管线334上。阀可以是开/关阀或流量控制阀。第一气体供应管线332将气体供应到风扇单元320所包括的壳体322的内部空间323中。通过第一气体供应管线332供应到内部空间323中的气体通过驱动风扇324被供应到传送空间306中。第二气体供应管线334直接将气体供应到传送空间306中。由第一气体供应管线332和第二气体供应管线334供应的气体可以是惰性气体或压缩空气。
排放单元360将供应到传送空间306中的气体或杂质(例如，颗粒)排放到传送框架300的外部。排放单元360包括排放管线362和泵364。排放管线362连接到传送框架300的传送空间306。例如，排放管线362可以连接到传送框架300的下部。然而，不限于此，设置排放管线362的位置可以以各种方式改变。泵364向传送空间306提供减压。
索引模块200可包括用于控制风扇单元320和排放单元360的控制器(未示出)。控制器(未示出)可以控制风扇单元320和排放单元360以调节传送空间306内的压力。例如，控制器(未示出)可以控制风扇单元320和排放单元360，以在传送空间306与索引模块200的外部之间保持50Pa至1000Pa的压差。
干涉构件380使由风扇单元320供应到传送空间306中的下降气流与从容器F内部被引导到传送空间306的气流之间的碰撞最小化。干涉构件380可以设置成网状形式。或者，干涉构件380可以是没有通孔的挡板。干涉构件380可以安装在开口308附近，基板通过该开口在容器F与传送框架300之间被传送。例如，干涉构件380可以安置在开口308的上端处。在这种情况下，干涉构件380可以沿远离开口308的方向向上倾斜。
此外，如图4所示，可以设置多个干涉构件380。多个干涉构件380可以被定位成分别对应于多个开口308。例如，多个干涉构件380可以分别安装在多个开口308的上端处，并且可以沿远离所述多个开口308的方向向上倾斜。
图5是示出了气体在图3的传送框架300中流动的示例的视图。参照图5，在传送机器人310传送容纳于容器F中的基板的情况下，门309打开开口308。当开口308被打开时，容器F中的气流被导向传送空间306。由风扇单元320供应的下降气流与干涉构件380碰撞，以在与从容器F的内部被导向传送空间306的气流碰撞之前散开。因此，可以使由风扇单元320供应的下降气流与从容器F的内部导向传送空间306的气流之间的碰撞所导致的涡流最小化。此外，可以使由涡流导致的颗粒最小化。
图6是示出了气体在图3的传送框架300中流动的另一示例的视图。参照图6，在强气流从容器F被引导至传送空间306的情况下，从容器F被引导至传送空间306的气流可以是上升气流。离开容器F的上升气流与由风扇单元320供应的下降气流碰撞，并且气流与干涉构件380碰撞以在与传送框架300的内壁碰撞之前散开。因此，可以使传送空间306中产生的涡流最小化。此外，因为干涉构件380沿远离开口308的方向向上倾斜，所以当传送机器人310通过开口308装载或卸载基板时，可以使传送机器人310与干涉构件380碰撞的风险最小化。
图7是示出了气体在图2的传送框架300中循环的示例的视图。参照图7，传送框架300可包括循环管道390。循环管道390的一端与风扇单元320的壳体322的内部空间323连通。循环管道390的相对端与传送空间306连通。循环管道390可以将传送空间306中的气体循环至壳体322的内部空间323。此外，可以设置多个循环管道390。循环管道390可以沿传送空间306的周边安装。例如，在传送框架300具有长方体形状的情况下，从上方观察时，循环管道390可以被安装在传送框架300的角部中。每个循环管道390可包括循环风扇(未示出)，所述循环风扇使得气体流入或流出循环管道390。
控制器(未示出)可以控制索引模块200。例如，控制器(未示出)可以控制气体供应构件330、排放单元360和下文将描述的装载锁定室230。此外，控制器(未示出)可以控制基板处理设备10以进行下文将描述的基板处理方法。
图8是示出了根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图。图9是示出了在图8中的装料时段将气体供应到传送框架300中的示例的视图。图10是示出了在图8中的传送时段气体在传送框架300中流动的示例的视图。参照图8至图10，基板处理方法可包括装料时段S01和传送时段S02。
装料时段S01是传送时段S02之前的步骤。例如，装料时段S01可以是传送机器人310开始传送基板之前的时段。在装料时段S01，在第一气体供应管线332将气体供应到风扇单元320的内部空间323中的同时，第二气体供应管线334将气体供应到传送空间306中。在装料时段S01，可以打开安置在第一气体供应管线332和第二气体供应管线334上的阀。在装料时段S01，由于第一气体供应管线332和第二气体供应管线334将气体供应到传送空间306中，因此传送空间306的内部可以快速达到惰性气体环境。此外，由第二气体供应管线334每单位时间供应的气体量可以大于由第一气体供应管线332每单位时间供应的气体量。因此，传送空间306的内部可以更快地达到惰性气体环境。
尽管已经举例说明了在装料时段S01第一气体供应管线332和第二气体供应管线334都供应气体，但是本发明的构思不限于此。例如，在装料时段S01，第二气体供应管线334可以单独将气体供应到传送空间306中。
传送时段S02可以是基板被传送的时段。此外，传送时段S02可以指传送空间306达到惰性气体环境并稳定的时段。传送时段S02可以在装料时段S01之后。在传送时段S02，第一气体供应管线332将气体供应到风扇单元320中。在传送时段S02，可以打开安置在第一气体供应管线332上的阀。
在传送时段S02，风扇单元320可以将下降气流供应到传送空间306中。此外，在传送时段S02，供应到传送空间306中的气体可以通过循环管道390循环到风扇单元320的内部空间323中。例如，在传送时段S02，供应到传送空间306中的气体的50％至90％可以通过循环管道390循环。
在现有技术中，供应到索引模块中的大量惰性气体被消耗掉。在惰性气体被供应到容器F中以防止外部气流被引入到容器F中的情况下，惰性气体需要持续地被供应到容器F中，因此消耗了大量惰性气体。此外，甚至在传送框架300的传送空间306保持在惰性气体环境中的情况下，由于惰性气体必须被连续地供应到传送空间306中，因此也消耗大量惰性气体。然而，根据本发明构思的实施例，气体被供应到传送框架300中的时段被分成装料时段S01和传送时段S02。在装料时段S01，第一气体供应管线332和第二气体供应管线334都将气体供应到传送框架300的传送空间306中，以使得传送空间306快速达到惰性气体环境。如果在装料时段S01期间传送空间306中的惰性气体环境稳定，则在传送时段S02期间第一气体供应管线332独立地供应气体。此外，在传送时段S02，供应到传送空间306中的气体通过循环管道390循环。因此，可使传送时段S02消耗的气体量最小化。
此外，在现有技术中，从容器F的内部导向传送空间306的气流与由风扇单元320供应的下降气流彼此碰撞。该碰撞在传送空间306中引起涡流，并且涡流与传送框架300中的部件碰撞，从而导致颗粒。然而，根据本发明构思的实施例，干涉构件380安置在开口308的上端处。干涉构件380使从容器F的内部导向传送空间306的气流与由风扇单元320供应的下降气流之间的碰撞最小化。例如，当由风扇单元320供应的气体穿过网状形式的干涉构件380时，气体散开。气体的散开可以使由风扇单元320供应的下降气流与从容器F的内部导向传送空间306的气流之间的碰撞最小化。因此，可以使传送空间306中的涡流和由涡流引起的颗粒最小化。
尽管已经举例说明了在装料时段S01期间第一气体供应管线332和第二气体供应管线334将气体供应到传送空间306中，但是本发明的构思不限于此。例如，如图11所示，气体供应构件330可包括第三气体供应管线336。第三气体供应管线336连接到设置于传送框架300与处理模块400之间的装载锁定室230。第三气体供应管线336将气体供应到装载锁定室230中。在装料时段S01，除了由第一气体供应管线332和第二气体供应管线334供应气体以外，第三气体供应管线336也可以将气体供应到传送空间306中。例如，在装料时段S01，控制器(未示出)可以控制装载锁定室230和气体供应构件330以打开用于打开或关闭入口(基板通过该入口在装载锁定室230与传送框架300之间传送)的门并使得由第三气体供应管线336供应到装载锁定室230中的气体流入传送空间306。
虽然已经举例说明了干涉构件380安置在开口308的上端处，但是本发明的构思不限于此。例如，如图12所示，干涉构件380可以安置在开口308的下端处，以便邻近开口308。在干涉构件380安置在开口308下端处的情况下，干涉构件380可以沿远离开口308的方向向下倾斜。在这种情况下，如图13所示，可以使基座312与邻近基座312的传送框架300的内壁上的涡流最小化。
虽然已经举例说明了干涉构件380安置在开口308的上端或下端处，但是本发明的构思不限于此。例如，干涉构件380可包括上干涉构件380a和下干涉构件380b。上干涉构件380a可以安置在开口308的上端处，以便邻近开口308。此外，上干涉构件380a可以沿远离开口308的方向向上倾斜。下干涉构件380b可以安置在开口308的下端处。此外，下干涉构件380b可以沿远离开口308的方向向下倾斜。上干涉构件380a和下干涉构件380b的结构和功能与上述内容相同或相似。因此，将省略对其的具体描述。
尽管已经举例说明了分别对应于多个开口308的多个干涉构件380，但是本发明的构思不限于此。例如，如图15所示，可以沿连接多个开口308的上端的直线安置单个干涉构件380。
根据实施例，本发明的构思可以有效地处理基板。
此外，本发明的构思可以使索引模块中的颗粒最小化。
此外，本发明的构思可以使颗粒对基底的附着最小化。
此外，本发明的构思可以使传送基板时供应到索引模块中的惰性气体的量最小化。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员可以从本说明书和附图中清楚地理解本文未提及的任何其他效果。
以上描述举例说明了本发明的构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施例，并且本发明构思可以用于各种其他组合、变化和环境中。也就是说，在不脱离说明书中公开的本发明构思的范围、书面公开的等效范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围前提下，可以对本发明的构思进行变化或修改。书面的实施例描述了实现本发明构思的技术精神的最佳情况，并且可以进行本发明构思的特定应用和目的所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并不旨在将本发明构思限制在所公开的实施例情况中。此外，应当理解，所附权利要求包括其他实施例。
虽然已经参照实施例描述了本发明的构思，但是对于本领域技术人员来说，显然可以在不脱离本发明构思的精神和范围前提下进行各种改变和修改。因此，应该理解的是：上述实施例不是限制性的，而是示例性的。

Claims (17)

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：
索引模块；和
处理模块，被配置为处理所述基板；
其中，所述索引模块包括：
装载端口，其中容纳有所述基板的容器被放置在所述装载端口上；和
传送框架，设置在所述装载端口与所述处理模块之间，所述传送框架中具有传送空间；
其中，所述传送框架包括：
风扇单元，设置在所述传送空间上方，并被配置为将下降气流供应到所述传送空间中；
传送机器人，设置在所述传送空间中，并被配置为在放置于所述装载端口上的容器与所述处理模块之间传送所述基板；以及
干涉构件，被配置为使所述下降气流与从所述容器内部被导向所述传送空间的气流之间的碰撞最小化；
其中，所述传送框架中形成有开口，所述基板通过所述开口在所述容器与所述传送框架之间被传送，并且
其中，所述干涉构件包括上干涉构件，所述上干涉构件被安置在所述开口的上端处以便邻近所述开口。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述上干涉构件被设置成网格形式。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述上干涉构件沿远离所述开口的方向向上倾斜。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述干涉构件还包括下干涉构件，所述下干涉构件被安置在所述开口的下端处以便邻近所述开口。
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述下干涉构件被设置成网状形式。
6.根据权利要求4或5所述的设备，其中，所述下干涉构件沿远离所述开口的方向向下倾斜。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述风扇单元包括：
壳体，具有内部空间；和
风扇，设置在所述内部空间中，并被配置成使得气体流入或流出所述内部空间，并且
其中，所述传送框架还包括循环管道，所述循环管道被配置成将所述传送空间中的气体循环到所述内部空间中。
8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述传送框架具有长方体形状，并且
其中，当从上方观察时，多个循环管道被安置在所述传送框架的角部中。
9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述传送框架还包括：
多个面板；
联接框架，被配置为组合所述多个面板；和
垫圈，设置在所述面板与所述联接框架之间，并且
其中，所述传送框架具有通过将所述多个面板组合在一起而形成的所述传送空间。
10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述垫圈是橡胶垫圈或液体垫圈。
11.根据权利要求7所述的设备，其中，一循环风扇被安置在所述循环管道中，以使气体流入或流出所述循环管道。
12.根据权利要求1所述的设备，还包括：
致动器，被配置成驱动所述传送机器人，
其中，所述传送框架还包括基座，所述基座被配置成将其中设置所述致动器的空间与所述传送空间隔开。
13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述索引模块还包括气体供应构件，所述气体供应构件被配置为将气体供应到所述传送空间中，并且
其中，所述气体供应构件包括：
第一气体供应管线，被配置为将气体供应到所述风扇单元包括的壳体的内部空间中；和
第二气体供应管线，被配置为将气体直接供应到所述传送空间中。
14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述设备还包括控制器，所述控制器被配置成控制所述气体供应构件，并且
其中，所述控制器控制所述气体供应构件，以便
在所述基板被传送的传送时段，将气体从所述第一气体供应管线供应到所述风扇单元；以及
在所述传送时段之前的装料时段，通过所述第二气体供应管线供应气体或通过所述第一气体供应管线和所述第二气体供应管线供应气体。
15.根据权利要求14所述的设备，其中，所述索引模块还包括设置在所述传送框架与所述处理模块之间的装载锁定室，
其中，所述气体供应构件还包括第三气体供应管线，所述第三气体供应管线连接到所述装载锁定室并被配置为将气体供应到所述装载锁定室中，并且
其中，所述控制器还控制所述装载锁定室，并且在所述装料时段，控制所述装载锁定室和所述第三气体供应管线以打开一门并且使得从所述第三气体供应管线供应到所述装载锁定室中的气体流入所述传送空间中，所述门被配置为打开或关闭一入口，所述基板通过所述入口在所述装载锁定室与所述传送框架之间被传送。
16.根据权利要求1所述的设备，其中，所述索引模块还包括：
排放单元，被配置为将所述传送空间中的气体排放到外部；和
控制器，被配置为控制所述风扇单元和所述排放单元；并且
其中，所述控制器控制所述风扇单元和所述排放单元，以在所述传送空间与所述索引模块的外部之间保持50Pa至1000Pa的压差。
17.一种通过使用权利要求13所述的基板处理设备处理基板的方法，所述方法包括：
在所述基板被传送的传送时段，将气体从所述第一气体供应管线供应到所述风扇单元；和
在所述传送时段之前的装料时段，通过所述第二气体供应管线供应气体或通过所述第一气体供应管线和所述第二气体供应管线供应气体。
CN201911075578.2A 2019-01-02 2019-11-06 基板处理设备和方法 Active CN111403312B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190000254A KR102212996B1 (ko) 2019-01-02 2019-01-02 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR10-2019-0000254 2019-01-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111403312A true CN111403312A (zh) 2020-07-10
CN111403312B CN111403312B (zh) 2023-05-09

Family

ID=71124082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911075578.2A Active CN111403312B (zh) 2019-01-02 2019-11-06 基板处理设备和方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10964565B2 (zh)
KR (1) KR102212996B1 (zh)
CN (1) CN111403312B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11315816B2 (en) * 2020-06-10 2022-04-26 Kla Corporation Localized purge module for substrate handling
US20230105742A1 (en) * 2021-10-06 2023-04-06 Applied Materials, Inc. Equipment front end modules with induced gas mixing, and methods of use thereof

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030031537A1 (en) * 2001-08-01 2003-02-13 Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. Load port, wafer processing apparatus, and method of replacing atmosphere
US20040105738A1 (en) * 2002-11-29 2004-06-03 Ahn Yo-Han Substrate processing apparatus and method of processing substrate while controlling for contamination in substrate transfer module
US20040144316A1 (en) * 2003-01-24 2004-07-29 Soo-Woong Lee Apparatus for processing a substrate
US20090035099A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Tdk Corporation Lid opening/closing system for closed container and substrate processing method using same
US20090175709A1 (en) * 2008-01-08 2009-07-09 Tdk Corporation Contained object transfer system
CN103946955A (zh) * 2011-11-17 2014-07-23 株式会社Eugene科技 包括多个排气端口的基板处理装置及方法
US20170221743A1 (en) * 2016-02-02 2017-08-03 Tokyo Electron Limited Connecting mechanism and connecting method of substrate container
CN107017182A (zh) * 2015-10-29 2017-08-04 细美事有限公司 基板处理设备
US20170292188A1 (en) * 2015-01-21 2017-10-12 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4344593B2 (ja) * 2002-12-02 2009-10-14 ローツェ株式会社 ミニエンバイロメント装置、薄板状物製造システム及び清浄容器の雰囲気置換方法
JP2007186757A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置及び真空処理方法
JP6368453B2 (ja) * 2011-06-24 2018-08-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、及び基板処理装置のデータ解析方法並びにプログラム
JP5885528B2 (ja) * 2012-02-14 2016-03-15 株式会社安川電機 搬送装置
JP5925975B2 (ja) * 2013-12-04 2016-05-25 パナソニックヘルスケアホールディングス株式会社 培養器搬送システム、培養器保管庫、アイソレータシステム
JP6287515B2 (ja) * 2014-04-14 2018-03-07 Tdk株式会社 Ｅｆｅｍシステム及び蓋開閉方法
WO2016205191A1 (en) * 2015-06-17 2016-12-22 Entegris, Inc. Flow modification fixture for an equipment front end module

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030031537A1 (en) * 2001-08-01 2003-02-13 Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. Load port, wafer processing apparatus, and method of replacing atmosphere
US20040105738A1 (en) * 2002-11-29 2004-06-03 Ahn Yo-Han Substrate processing apparatus and method of processing substrate while controlling for contamination in substrate transfer module
US20040144316A1 (en) * 2003-01-24 2004-07-29 Soo-Woong Lee Apparatus for processing a substrate
US20090035099A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Tdk Corporation Lid opening/closing system for closed container and substrate processing method using same
US20090175709A1 (en) * 2008-01-08 2009-07-09 Tdk Corporation Contained object transfer system
CN103946955A (zh) * 2011-11-17 2014-07-23 株式会社Eugene科技 包括多个排气端口的基板处理装置及方法
US20170292188A1 (en) * 2015-01-21 2017-10-12 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
CN107017182A (zh) * 2015-10-29 2017-08-04 细美事有限公司 基板处理设备
US20170221743A1 (en) * 2016-02-02 2017-08-03 Tokyo Electron Limited Connecting mechanism and connecting method of substrate container

Also Published As

Publication number Publication date
KR102212996B1 (ko) 2021-02-08
CN111403312B (zh) 2023-05-09
KR20200084171A (ko) 2020-07-10
US10964565B2 (en) 2021-03-30
US20200211871A1 (en) 2020-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107039322B (zh) 微环境装置
KR100583726B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100453090B1 (ko) 처리장치및처리장치내의기체의제어방법
US9666454B2 (en) Wafer storage apparatus having gas charging portions and semiconductor manufacturing apparatus using the same
JP5391070B2 (ja) 複数の平坦基板を保管するためのストッカ及び方法
KR20190101507A (ko) 팩토리 인터페이스 환경 제어들을 갖는 기판 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들
KR20190122161A (ko) 배기 노즐 유닛, 로드 포트 및 efem
US11107722B2 (en) Thin-plate substrate holding finger and transfer robot provided with said finger
CN111403312B (zh) 基板处理设备和方法
TW202300427A (zh) 側面儲存盒、設備前端模組、及用於操作efem的方法
US10903065B2 (en) Halogen removal module and associated systems and methods
JP6679907B2 (ja) ロードポート装置及びロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法
KR20210093911A (ko) 웨이퍼 스토커
JP2006351864A (ja) 処理システム及び処理方法
US7048493B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device which prevents foreign particles from being drawn into a semiconductor container containing semiconductor wafers
JP4872675B2 (ja) 処理装置
JP2001102426A (ja) 物品容器開閉・転送装置および物品容器開閉・転送方法
US20100209226A1 (en) Method and apparatus to support process tool modules in a cleanspace fabricator
JP4364396B2 (ja) 物品容器開閉・転送装置
CN112397426A (zh) 基板搬送装置
KR100612421B1 (ko) 기판 이송 시스템
JP2000297953A (ja) クリーンルームのポッド用インターフェースチャンバ
JP2005347667A (ja) 半導体製造装置
US11735455B2 (en) Systems, devices, and methods for air flow optimization including adjacent a FOUP
JP2005277291A (ja) 半導体基板の搬送方法及び搬送装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant