CN212412024U - 一种晶圆处理设备的前端模块 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开一种晶圆处理设备的前端模块，包括：晶圆传送室、晶圆装载端口、缓冲单元以及第一气流提供单元；其中，所述晶圆装载端口，与所述晶圆传送室连通，配置为放置装载晶圆的晶圆传送盒；所述缓冲单元，位于所述晶圆传送室内，配置为在所述晶圆装载端口放置所述晶圆传送盒之前，保管所述晶圆传送盒；所述第一气流提供单元，配置为提供阻隔在所述晶圆装载端口与所述缓冲单元之间的气流。

Description

一种晶圆处理设备的前端模块

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种晶圆处理设备的前端模块。

背景技术

在半导体的制造工序中，使用被称作前开式晶圆传送盒(Front Opening UnifiedPod，FOUP)等的容器进行各晶圆处理设备之间的晶圆的搬运。另外，在对晶圆进行工艺处理时，容器内的晶圆经由各晶圆处理设备的设备前端模块 (Equipment Front End Module，EFEM)从前开式晶圆传送盒搬运到晶圆处理设备处。

然而，在设备前端模块内，既需要搬运刚刚处理完成的晶圆，又需要存放待处理的晶圆；如何保证处于不同处理阶段的晶圆在设备前端模块内不会相互污染，对晶圆的加工处理具有十分重要的影响。一旦晶圆在设备前端模块内受到污染，很可能引发芯片失效，导致产品良率下降并最终造成生产成本提高。

实用新型内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种晶圆处理设备的前端模块。

为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种晶圆处理设备的前端模块，包括：晶圆传送室、晶圆装载端口、缓冲单元以及第一气流提供单元；其中，

所述晶圆装载端口，与所述晶圆传送室连通，配置为放置装载晶圆的晶圆传送盒；

所述缓冲单元，位于所述晶圆传送室内，配置为在所述晶圆装载端口放置所述晶圆传送盒之前，保管所述晶圆传送盒；

所述第一气流提供单元，配置为提供阻隔在所述晶圆装载端口与所述缓冲单元之间的气流。

在一种可选的实施方式中，所述第一气流提供单元为鼓风单元，具体配置为向所述晶圆传送室内、所述晶圆装载端口与所述缓冲单元之间的区域鼓风。

在一种可选的实施方式中，所述缓冲单元位于所述晶圆传送室的侧壁上；

所述第一气流提供单元位于所述缓冲单元所在的侧壁上。

在一种可选的实施方式中，所述第一气流提供单元位于所述侧壁靠近所述晶圆装载端口的一侧。

在一种可选的实施方式中，所述第一气流提供单元和所述缓冲单元沿所述晶圆传送室的前壁到所述晶圆传送室的后壁的方向排布。

在一种可选的实施方式中，所述侧壁包括相对的第一侧壁和第二侧壁，所述缓冲单元包括位于第一侧壁的缓冲单元和位于第二侧壁的缓冲单元；

所述第一气流提供单元的数量为2个以上，且分别位于所述第一侧壁和所述第二侧壁上；位于所述第一侧壁的所述第一气流提供单元沿所述第一侧壁到所述第二侧壁的方向向所述晶圆传送室鼓风，位于所述第二侧壁的所述第一气流提供单元沿所述第二侧壁到所述第一侧壁的方向向所述晶圆传送室鼓风。

在一种可选的实施方式中，所述晶圆装载端口的数量为4个以上，所述晶圆装载端口与所述晶圆传送室的前壁连通，所述晶圆装载端口沿垂直于所述晶圆传送室的侧壁的方向并列排布在所述晶圆传送室的前壁。

在一种可选的实施方式中，还包括：

多个气体出口，位于所述晶圆传送室的底部；

第二气流提供单元，位于所述晶圆传送室的顶部，配置为向所述晶圆传送室内鼓风，以形成从所述第二气流提供单元至所述气体出口的气体排出流路。

在一种可选的实施方式中，所述多个气体出口包括：多个与所述晶圆装载端口对应的第一气体出口及多个位于所述第一气体出口外侧且靠近所述晶圆传送室的侧壁的第二气体出口。

在一种可选的实施方式中，所述气体出口在所述晶圆传送室的底部沿垂直于所述晶圆传送室的侧壁的方向并列排布。

本申请实施例提供了一种晶圆处理设备的前端模块，包括：晶圆传送室、晶圆装载端口、缓冲单元以及第一气流提供单元；其中，所述晶圆装载端口，与所述晶圆传送室连通，配置为放置装载晶圆的晶圆传送盒；所述缓冲单元，位于所述晶圆传送室内，配置为在所述晶圆装载端口放置所述晶圆传送盒之前，保管所述晶圆传送盒；所述第一气流提供单元，配置为提供阻隔在所述晶圆装载端口与所述缓冲单元之间的气流。本申请实施例通过设置第一气流提供单元，该第一气流提供单元用于提供阻隔在所述晶圆装载端口与所述缓冲单元之间的气流，从而防止污染气体从晶圆装载端口流入缓冲模块，对晶圆造成污染。

附图说明

图1为光刻胶被污染气体侵蚀情况下刻蚀前后的对比图；

图2为本申请实施例提供的一种晶圆处理设备的前端模块的一种实施方式的示意图；

图3为本申请实施例提供的一种晶圆处理系统的俯视图；

图4为本申请实施例提供的一种晶圆处理设备的前端模块的另一种实施方式的示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。

在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在……上”、“与……相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在……上”、“与……直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本申请必然存在第一元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在……下”、“在……下面”、“下面的”、“在……之下”、“在……之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在……下面”和“在……下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了能够更加详尽地了解本申请实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本申请实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本申请实施例。

在晶圆处理设备的前端模块中，通常包括晶圆传送室、晶圆装载端口和缓冲单元。每个晶圆装载端口放置单个FOUP，其使得来自多个FOUP的晶圆能够在晶圆处理设备内被处理。设备前端模块通常还包括机械手臂，机械手臂可以将晶圆从FOUP传输到晶圆处理设备，并将处理后的晶圆带回到FOUP中。

然而，在设备前端模块内，由于晶圆装载端口会保管经过处理后的晶圆，而晶圆在刚刚处理完成后会释放出的污染气体；如果污染气体流向缓冲模块，将会污染缓冲模块中存放的待处理晶圆。若晶圆处理设备为刻蚀设备，则所述污染气体可能会侵蚀晶圆上的光刻胶。图1为光刻胶被污染气体侵蚀情况下刻蚀前后的对比图，如图1所示，污染气体分子110侵蚀晶圆上的光刻胶层120，使得所述光刻胶层120上的开口变大，从而造成刻蚀后的图形和尺寸不符合需求，并最终影响产品良率。

为此，提出了本申请实施例的以下技术方案。

本申请实施例提供一种晶圆处理设备的前端模块，图2为本申请实施例提供的一种晶圆处理设备的前端模块的一种实施方式的示意图，图3为本申请实施例提供的一种晶圆处理系统的俯视图，需要说明的是，本申请实施例以晶圆处理设备的前端模块包括4个晶圆装载端口及4个缓冲单元为例进行说明，如图2和图3所示，包括：晶圆传送室210、晶圆装载端口220、缓冲单元230 以及第一气流提供单元240；其中，

所述晶圆装载端口220，与所述晶圆传送室210连通，配置为放置装载晶圆的晶圆传送盒221；

所述缓冲单元230，位于所述晶圆传送室210内，配置为在所述晶圆装载端口220放置所述晶圆传送盒221之前，保管所述晶圆传送盒221；

所述第一气流提供单元240，配置为提供阻隔在所述晶圆装载端口220与所述缓冲单元230之间的气流。

在本申请实施例中，晶圆处理系统包括晶圆处理设备270和晶圆处理设备的前端模块。

在本申请实施例中，所述晶圆装载端口220与所述晶圆传送室210的前壁 213连通。所述晶圆传送室210的后壁214用于与所述晶圆处理设备270连通。这里，所述后壁214与所述前壁213彼此相对设置。

在本申请实施例中，所述晶圆传送盒221可以为前开式晶圆传送盒。需要说明的是，图2和图3中仅有一个晶圆装载端口220上放置有晶圆传送盒221 仅为一种示例性的说明，并非用于限制本申请。在实际应用时，所有晶圆装载端口220均可以放置晶圆传送盒221。

在本申请实施例中，所述第一气流提供单元240为鼓风单元，具体配置为向所述晶圆传送室210内、所述晶圆装载端口220与所述缓冲单元230之间的区域鼓风，从而形成阻隔在所述晶圆装载端口220与所述缓冲单元230之间的气流。

需要说明的是，图3中所述第一气流提供单元240外侧的实线箭头用于示意出所述第一气流提供单元240的鼓风方向，而所述晶圆装载端口220外侧的虚线箭头用于示意出在所述第一气流提供单元240向所述晶圆传送室210内、所述晶圆装载端口220与所述缓冲单元230之间的区域鼓风后，所述晶圆装载端口220流入的污染气体的流向。

在本申请实施例中，所述缓冲单元230位于所述晶圆传送室210的侧壁上；所述第一气流提供单元240位于所述缓冲单元230所在的侧壁上。

在本申请实施例中，所述侧壁包括第一侧壁211和第二侧壁212，所述缓冲单元230包括位于第一侧壁211的缓冲单元230和位于第二侧壁212的缓冲单元230；所述第一气流提供单元240的数量为2个以上，且分别位于所述第一侧壁211和所述第二侧壁212上；位于所述第一侧壁211的所述第一气流提供单元240沿所述第一侧壁211到所述第二侧壁212的方向向所述晶圆传送室 210鼓风，位于所述第二侧壁212的所述第一气流提供单元240沿所述第二侧壁212到所述第一侧壁211的方向向所述晶圆传送室210鼓风。

这里，所述第一侧壁211与所述第二侧壁212彼此相对设置。所述第一侧壁211和所述第二侧壁212分别在所述晶圆传送室210的两端连接所述前壁21 3和所述后壁214。

在本申请实施例中，所述第一气流提供单元240位于所述侧壁靠近所述晶圆装载端口220的一侧。所述第一气流提供单元240和所述缓冲单元230沿所述晶圆传送室210的前壁213到所述晶圆传送室210的后壁214的方向排布。如图2所示，所述第一气流提供单元240位于所述晶圆装载端口220和所述缓冲单元230之间，从而所述第一气流提供单元240向所述晶圆传送室210鼓风，以阻断所述晶圆装载端口220与所述缓冲单元230之间的气体流路。需要说明的是，图2中所述第一气流提供单元240外侧的箭头用于示意出所述第一气流提供单元240的鼓风方向。

在本申请实施例中，所述缓冲单元230的数量为4个以上，则所述缓冲单元230分别位于所述第一侧壁211上和所述第二侧壁212上，所述缓冲单元23 0沿所述晶圆传送室210的前壁213到所述晶圆传送室210的后壁214的方向并列排布，或者沿所述晶圆传送室210的顶部到所述晶圆传送室210的底部的方向并列排布。如图2所示，所述缓冲单元230沿所述晶圆传送室210的顶部到所述晶圆传送室210的底部的方向并列排布。需要说明的是，本申请实施例中无论所述缓冲单元230如何排布，所述第一气流提供单元240均设置在所述缓冲单元230所在的侧壁，且位于所述缓冲单元230靠近所述晶圆装载端口22 0的一侧。且本申请实施例中所述第一气流提供单元240的鼓风范围(所述第一气流提供单元沿所述晶圆传送室210的顶部到所述晶圆传送室210的底部的方向上的长度)可以基于所述缓冲单元230的排布模式而进行调整，当所述缓冲单元230沿所述晶圆传送室210的前壁213到所述晶圆传送室210的后壁21 4的方向并列排布时，则所述第一气流提供单元240的鼓风范围可以与所述缓冲单元230的长度(沿所述晶圆传送室210的顶部到所述晶圆传送室210的底部的方向上的长度)相同，以使阻隔在所述晶圆装载端口220与所述缓冲单元 230之间的气流范围可以完全覆盖所述缓冲单元230；当所述缓冲单元230沿所述晶圆传送室210的顶部到所述晶圆传送室210的底部的方向并列排布时，所述第一气流提供单元240的鼓风范围可以与沿所述晶圆传送室210的顶部到所述晶圆传送室210的底部的方向并列排布的所有所述缓冲单元230的总长度相同(如图2所示)，以使阻隔在所述晶圆装载端口与所述缓冲单元之间的气流范围可以完全覆盖所述缓冲单元230。

还需要说明的是，本申请实施例中所述缓冲单元230可以彼此连接设置，也可以彼此间隔一定空间设置。本申请对此不作限定。

在本申请实施例中，所述晶圆装载端口220的数量为4个以上，所述晶圆装载端口220与所述晶圆传送室210的前壁213连通，所述晶圆装载端口220 沿垂直于所述晶圆传送室210的侧壁的方向并列排布在所述晶圆传送室210的前壁213。需要说明的是，本申请实施例中所述晶圆装载端口220可以彼此连接设置，也可以彼此间隔一定空间设置。本申请对此不作限定。

在一具体实施例中，所述缓冲单元230的数量为多个，和/或所述晶圆装载端口220的数量为多个；所述第一气流提供单元240，位于最邻近的所述晶圆装载端口220与所述缓冲单元230之间，换言之，位于所述缓冲单元230中最靠近所述晶圆装载端口220的缓冲单元与所述晶圆装载端口220中最靠近所述缓冲单元230的晶圆装载端口之间。

在本申请实施例中，所述晶圆处理设备的前端模块还包括：多个气体出口 250，位于所述晶圆传送室210的底部；第二气流提供单元260，位于所述晶圆传送室210的顶部，配置为向所述晶圆传送室210内鼓风，以形成从所述第二气流提供单元260至所述气体出口250的气体排出流路。需要说明的是，图2 中所述第二气流提供单元260下方的箭头用于示意出所述第二气流提供单元 260的鼓风方向。

在本申请实施例中，所述多个气体出口250包括：多个与所述晶圆装载端口220对应的第一气体出口251及多个位于所述第一气体出口251外侧且靠近所述晶圆传送室210的侧壁的第二气体出口252。如图2所示，所述第二气体出口252位于所述第一气体出口251外侧且位于所述晶圆传送室210的底部的最左侧和最右侧。则所述第二气体出口252增加了靠近所述缓冲单元230的所述晶圆装载端口220的气体排出流路，从而可以有效地将从晶圆装载端口220 流入的污染气体排出。

在本申请实施例中，所述多个气体出口250可以与抽气单元连接，以将所述晶圆传送室210内的气体抽出。所述抽气单元可以为真空泵、流速泵、机械泵、分子泵或抽风机等能够产生吸力的装置。需要说明的是，所述第二气流提供单元260和抽气单元的配合可以加快所述晶圆传送室210内的气体排出时间，从而减少了污染气体在所述晶圆传送室210内的停留时间，可以在一定程度上防止污染气体从晶圆装载端口流入缓冲模块，对晶圆造成污染。

在本申请实施例中，所述气体出口250在所述晶圆传送室210的底部沿垂直于所述晶圆传送室210的侧壁的方向并列排布。

需要说明的是，所述第一气流提供单元240为鼓风单元时，所述第一气流提供单元240与所述气体出口250之间亦形成有从所述第一气流提供单元240 至所述气体出口250的气体排出流路，从而可以进一步将从晶圆装载端口220 流入的污染气体排出，以防止污染气体从晶圆装载端口流入缓冲模块，对晶圆造成污染。

图4为本申请实施例提供的一种晶圆处理设备的前端模块的另一种实施方式的示意图，如图4所示，所述缓冲单元330沿所述晶圆传送室310的前壁313 到所述晶圆传送室310的后壁314的方向并列排布。需要说明的是，本申请实施例中所述第一气流提供单元340的鼓风范围(所述第一气流提供单元沿所述晶圆传送室310的顶部到所述晶圆传送室310的底部的方向上的长度)可以基于所述缓冲单元330的排布模式而进行调整，所述缓冲单元330沿所述晶圆传送室310的前壁313到所述晶圆传送室310的后壁314的方向并列排布时，所述第一气流提供单元340的鼓风范围可以与所述缓冲单元330的长度(沿所述晶圆传送室310的顶部到所述晶圆传送室310的底部的方向上的长度)相同，以使阻隔在所述晶圆装载端口320与所述缓冲单元330之间的气流范围可以完全覆盖所述缓冲单元330。

需要说明的是，图4中所述第一气流提供单元340外侧的箭头用于示意出所述第一气流提供单元340的鼓风方向，所述第二气流提供单元360下方的箭头用于示意出所述第二气流提供单元360的鼓风方向。

还需要说明的是，为了示意出所述缓冲单元330和所述第一气流提供单元 340的位置关系，图4示意出的缓冲单元330与图2示意出的缓冲单元230的比例尺可能不同(例如，图4中示意出的缓冲单元330进行了缩小)，因此，图中结构尺寸或比例大小不应理解为对本申请中对应特征的限制。

本申请实施例提供了一种晶圆处理设备的前端模块，包括：晶圆传送室、晶圆装载端口、缓冲单元以及第一气流提供单元；其中，所述晶圆装载端口，与所述晶圆传送室连通，配置为放置装载晶圆的晶圆传送盒；所述缓冲单元，位于所述晶圆传送室内，配置为在所述晶圆装载端口放置所述晶圆传送盒之前，保管所述晶圆传送盒；所述第一气流提供单元，配置为提供阻隔在所述晶圆装载端口与所述缓冲单元之间的气流。本申请实施例通过设置第一气流提供单元，该第一气流提供单元用于提供阻隔在所述晶圆装载端口与所述缓冲单元之间的气流，从而防止污染气体从晶圆装载端口流入缓冲模块，对晶圆造成污染。

应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置，可以通过其他的方式实现。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种晶圆处理设备的前端模块，其特征在于，包括：晶圆传送室、晶圆装载端口、缓冲单元以及第一气流提供单元；其中，

所述晶圆装载端口，与所述晶圆传送室连通，配置为放置装载晶圆的晶圆传送盒；

所述缓冲单元，位于所述晶圆传送室内，配置为在所述晶圆装载端口放置所述晶圆传送盒之前，保管所述晶圆传送盒；

所述第一气流提供单元，配置为提供阻隔在所述晶圆装载端口与所述缓冲单元之间的气流。

2.根据权利要求1所述的晶圆处理设备的前端模块，其特征在于，

所述第一气流提供单元为鼓风单元，具体配置为向所述晶圆传送室内、所述晶圆装载端口与所述缓冲单元之间的区域鼓风。

3.根据权利要求1所述的晶圆处理设备的前端模块，其特征在于，

所述缓冲单元位于所述晶圆传送室的侧壁上；

所述第一气流提供单元位于所述缓冲单元所在的侧壁上。

4.根据权利要求3所述的晶圆处理设备的前端模块，其特征在于，

所述第一气流提供单元位于所述侧壁靠近所述晶圆装载端口的一侧。

5.根据权利要求3所述的晶圆处理设备的前端模块，其特征在于，

所述第一气流提供单元和所述缓冲单元沿所述晶圆传送室的前壁到所述晶圆传送室的后壁的方向排布。

6.根据权利要求3所述的晶圆处理设备的前端模块，其特征在于，

所述侧壁包括第一侧壁和第二侧壁，所述缓冲单元包括位于第一侧壁的缓冲单元和位于第二侧壁的缓冲单元；

所述第一气流提供单元的数量为2个以上，且分别位于所述第一侧壁和所述第二侧壁上；位于所述第一侧壁的所述第一气流提供单元沿所述第一侧壁到所述第二侧壁的方向向所述晶圆传送室鼓风，位于所述第二侧壁的所述第一气流提供单元沿所述第二侧壁到所述第一侧壁的方向向所述晶圆传送室鼓风。

7.根据权利要求1所述的晶圆处理设备的前端模块，其特征在于，

所述晶圆装载端口的数量为4个以上，所述晶圆装载端口与所述晶圆传送室的前壁连通，所述晶圆装载端口沿垂直于所述晶圆传送室的侧壁的方向并列排布在所述晶圆传送室的前壁。

8.根据权利要求1所述的晶圆处理设备的前端模块，其特征在于，还包括：

多个气体出口，位于所述晶圆传送室的底部；

第二气流提供单元，位于所述晶圆传送室的顶部，配置为向所述晶圆传送室内鼓风，以形成从所述第二气流提供单元至所述气体出口的气体排出流路。

9.根据权利要求8所述的晶圆处理设备的前端模块，其特征在于，

所述多个气体出口包括：多个与所述晶圆装载端口对应的第一气体出口及多个位于所述第一气体出口外侧且靠近所述晶圆传送室的侧壁的第二气体出口。

10.根据权利要求8所述的晶圆处理设备的前端模块，其特征在于，

所述气体出口在所述晶圆传送室的底部沿垂直于所述晶圆传送室的侧壁的方向并列排布。

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