CN115483130A - 基板处理设备和基板处理系统 - Google Patents

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CN115483130A CN202210599789.1A CN202210599789A CN115483130A CN 115483130 A CN115483130 A CN 115483130A CN 202210599789 A CN202210599789 A CN 202210599789A CN 115483130 A CN115483130 A CN 115483130A
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Abstract

公开了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：转位部件，其具有装载端口；以及工艺执行部件，其从所述转位部件接收基板并处理所述基板，所述装载端口包括：壳体，其具有内部空间；底座部件，其设置在所述壳体的上侧，并且在底座部件上放置接收基板型传感器的容器；以及充电单元，其以无线充电方式对安装在所述容器中的电源装置进行充电。

Description

基板处理设备和基板处理系统
技术领域
本公开涉及一种基板处理设备和一种基板处理系统。
背景技术
等离子体是指包括离子、自由基和电子的电离气态。等离子体由非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场产生。半导体器件制造工艺可以包括通过使用等离子体去除形成在诸如晶片的基板上的薄膜的蚀刻工艺。当等离子体的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应时，执行蚀刻工艺。
一种通过使用等离子体处理基板的设备包括工艺室、在工艺室中支撑基板并连接到RF电源的支撑卡盘(例如，ESC)、以及围绕安置在支撑卡盘上的基板的外周边的聚焦环。安装聚焦环以使等离子体以高均匀度性分布，并且与基板一起用等离子体进行刻蚀。当重复蚀刻基板时，聚焦环也被蚀刻，使得聚焦环的形状逐渐改变。其中离子和/或自由基输入基板的方向根据聚焦环的形状的改变而改变，并且因此基板的蚀刻特性改变。因此，当蚀刻特定数量或更多的基板或者改变聚焦环的形状以偏离可允许范围时，需要更换聚焦环。
通常，操作者通过打开工艺室、从打开的工艺室中取出用过的聚焦环、在工艺室中安装未使用的聚焦环来更换聚焦环。然而，在更换方案中，耗费了大量的工作时间，并且将颗粒引入工艺室的可能性很高。因此，近年来，已经使用了一种更换方案，其中基板处理设备的传送机械手将用过的聚焦环从工艺室中取出并将环盒装入，然后传送机械手将新的聚焦环从环盒中取出并将聚焦环装进工艺室中。
同时，由传送基板的传送机械手传送聚焦环。传送机械手将聚焦环传送到工艺室中的特定位置。此外，为了识别聚焦环是否被传送到特定位置，通过形状与基板形状相似的视觉晶片拍摄聚焦环。在消耗电能的同时驱动视觉晶片。诸如电池的电源装置安装在视觉晶片中，并且有必要对视觉晶片中的电源装置进行充电。此外，视觉晶片中的电源装置可以位于容纳视觉晶片的容器中，诸如FOUP。电池可以设置在容器中，使得视觉晶片被充电。也就是说，需要对FOUP中提供的电池进行充电，以对视觉晶片进行充电。
设置在FOUP中的电池连接到设置在装载端口中的充电单元以进行充电。通常，电源通过连接器直接连接。在电源连接方案中，有必要实现安全装置和保护电路，以用于防止当FOUP没有位于装载端口中或者FOUP与装载端口分离时可能产生的连接器短路。此外，连接器必须暴露于外部以直接连接到设置在FOUP中的电池。然而，用于调节FOUP中的情况以及打开和关闭FOUP的门的各种组件安装在装载端口中，FOUP位于该装载端口中。也就是说，必须暴露于外部的连接器的位置受到安装在装载端口中的组件的相对限制。此外，根据场合，在FOUP中提供的电池的位置可以改变。连接器安装成暴露于外部，因此很难改变连接器的位置以使连接器对应于电池。
发明内容
本公开的实施例提供了一种基板处理设备和一种基板处理系统，基板处理设备可以有效地对安装在容器中的电源装置进行充电。
本公开的实施例还提供了一种基板处理设备和一种基板处理系统，当安装在容器中的电源装置充电时，基板处理设备可以使短路的发生最少化。
本公开的实施例又提供了一种基板处理设备和一种基板处理系统，基板处理设备可以提高充电单元的信号传输构件的安装位置的自由度。
本公开的方面不限于此，并且本领域技术人员根据以下描述能够清楚地理解本公开的其他未提及的方面。
本公开提供了一种基板处理设备。基板处理设备包括：转位部件，其具有装载端口；以及工艺执行部件，其从转位部件接收基板并处理基板，装载端口包括：壳体，其具有内部空间；底座部件，其设置在壳体的上侧，并且在所述底座部件上放置容纳基板型传感器的容器；以及充电单元，其以无线充电方式对安装在容器中的电源装置进行充电。
根据实施例，充电单元可以包括：信号传输构件，其设置在底座部件中，并将电力输送至电源装置；转换构件，其设置在内部空间中，并设置在外部电源线和信号传输构件之间；以及开关构件，其选择性地将外部电源线的电力输送至信号传输构件。
根据实施例，转换构件可以将外部电源线输送的AC电力转换为DC电力。
根据实施例，充电单元还可以包括检测构件，检测构件检测容器是否被安置在底座部件上，并且当检测构件检测到容器被安置在底座部件上时可以接通开关构件，使得外部电源线的电力输送至信号传输构件。
根据实施例，充电单元还可以包括检测构件，检测构件检测容器是否被安置在底座部件上，并且当检测构件未检测到容器被安置在底座部件上时可以断开开关构件，使得向信号传输构件输送的外部电源线的电力被中断。
根据实施例，底座部件可以包括一个或多个定位销，其用于对准位于底座部件上的容器的位置，以及信号传输构件可以安装在当从顶部观察时、信号传输构件不与定位销重叠的位置处。
本公开提供了一种基板处理系统。基板处理系统包括：转位部件，其具有装载端口；工艺执行部件，其从转位部件接收基板并处理基板；以及容器，其位于装载端口中，并且该容器容纳运送到工艺执行部件中的基板型传感器，该容器还包括：具有接收空间的主体，该接收空间的一侧是敞开的；选择性地打开和关闭接收空间的门；搁架部件，其在接收空间中支撑基板型传感器；以及电源装置，其输送用于对基板型传感器进行充电的电力，并且装载端口包括：壳体，其具有内部空间；底座部件，其设置在壳体的上侧上，并且容纳基板型传感器的容器定位在底座部分上；以及充电单元，其以无线充电方式对安装在容器中的电源装置进行充电。
根据实施例，充电单元可以包括：信号传输构件，其设置在底座部件中，并将电力输送至电源装置；转换构件，其设置在内部空间中，并设置在外部电源线和信号传输构件之间；以及开关构件，其选择性地将外部电源线的电力输送至信号传输构件。
根据实施例，转换构件可以将外部电源线输送的AC电力转换为DC电力。
根据实施例，充电单元还可以包括检测构件，检测构件检测容器是否被安置在底座部件上，并且当检测构件检测到容器被安置在底座部件上时可以接通开关构件，使得外部电源线的电力输送至信号传输构件。
根据实施例，充电单元还可以包括检测构件，检测构件检测容器是否被安置在底座部件上，并且当检测构件未检测到容器被安置在底座部件上时可以断开开关构件，使得向信号传输构件输送的外部电源线的电力被中断。
根据实施例，所述容器还可以包括充电模块，其对由搁架部件支撑的基板型传感器进行充电，并且充电模块可以通过无线充电方式对由搁架部件支撑的基板型传感器进行充电。
根据实施例，充电模块可以通过电磁感应方式对由搁架部件支撑的基板型传感器进行充电。
根据实施例，可以提供多个搁架部件和多个充电模块。
根据实施例，基板处理系统还可以包括保存单元，其保存容器，保存单元可以包括：底座框架，所述容器定位在所述底座框架上；信号传输装置，其安装在底座框架中并向电源装置输送电力；转换装置，其设置在外部电源线和信号传输装置之间；以及开关装置，其选择性地向信号传输装置输送外部电源线的电力。
此外，一种基板处理系统包括：转位室，其内部保持为大气压，并设有第一传送机械手；转位部件，其具有连接至转位室的装载端口；装载锁定室，其连接至转位室，并且装载锁定室的内部在真空压力和大气压之间转换；传送室，其连接到装载锁定室并设置有第二传送机械手；工艺室，其连接到传送室并处理基板；以及容器，其位于装载端口中并容纳基板型传感器，该基板型传感器收集传送到工艺室的消耗性组件的传送位置，以及装载端口包括：壳体，其具有内部空间；底座部件，其设置在壳体的上侧，并且在底座部件上放置容器；以及充电单元，其以无线充电方式对安装在容器中的电源装置进行充电。
根据实施例，充电单元还可以包括：信号传输构件，其设置在底座部件中，并将电力输送至电源装置；转换构件，其设置在内部空间中，并设置在外部电源线和信号传输构件之间；以及开关构件，其选择性地将外部电源线的电力输送至信号传输构件。
根据实施例，充电单元还可以包括检测构件，检测构件检测容器是否被安置在底座部件上，并且当检测构件检测到容器被安置在底座部件上时可以接通开关构件，使得外部电源线的电力输送至信号传输构件。
根据实施例，充电单元还可以包括检测构件，检测构件检测容器是否被安置在底座部件上，并且当检测构件未检测到容器被安置在底座部件上时可以断开开关构件，使得向信号传输构件输送的外部电源线的电力被中断。
根据实施例，消耗性组件可以是设置在工艺室中的环形构件，系统还可以包括控制器，其中控制器可以控制第一传送机械手和第二传送机械手，使得消耗性组件被传送到工艺室中，并且可以控制第一传送机械手和第二传送机械手，使得将基板型传感器传送到工艺室中，基板型传感器可以获取包括消耗性组件和设置在工艺室中以支撑基板的卡盘的图像，并将该图像传输到控制器，并且控制器可以测量图像中消耗性组件和卡盘之间的间隔，并确定消耗性组件是否通过所测量的间隔对准。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施例，本公开的上述和其他目标和特征将变得显而易见。
图1是示意性地示出了根据本公开的实施例的基板处理系统的平面视图；
图2是示出图1的第一容器的外观的透视图；
图3是示出图2的第一容器中容纳的基板的外观图；
图4是示出图1的第二容器的外观的平面剖视图；
图5是示出图4的支撑槽的外观图；
图6是示出图4的第二容器中容纳的环形构件的外观图；
图7是示出用于传送环形构件的环形托架的示例的透视图；
图8是图7的环形托架的平面视图；
图9是示出图8的环形托架的一部分的放大图；
图10是示意性地示出图1的第一传送手的外观图；
图11是示出外观的视图，其中基板位于图10的第一传送手上；
图12是示出外观的视图，其中环形构件和环形托架位于图10的第一传送手上；
图13是示出图1中对准室内提供的对准单元的外观图；
图14和图15是示出外观的视图，其中图13的对准单元对准环形托架；
图16是示出图1的装载锁定室外观的平面剖视图；
图17是示出外观的视图，其中基板位于图16的支撑搁架上；
图18是示出外观的视图，其中环形构件位于图16的支撑搁架上；
图19是示出外观的视图，其中图18的环形托架从装载锁定室中取出；
图20是示出图1的第二传送手的外观图；
图21是示出外观的视图，其中基板位于图20的第二传送手上；
图22是示出外观的视图，其中环形构件位于图20的第二传送手上；
图23是示出设置在图1的工艺室中的基板处理设备的视图。
图24是示出了根据本公开实施例的对准环形构件位置的顺序的流程图；
图25和图26是示出外观的视图，其中通过基板型传感器获取的图像来检测环形构件的中心位置；
图27是示出图1的第三容器的横截面视图；
图28是当从顶部观察时图27的充电模块的视图；
图29是示出设置在图1的装载端口中的壳体、底座部件和充电单元的视图；
图30是当从顶部观察时图29中装载端口的视图；
图31是示出可以包含在本公开的基板处理系统中的保存单元的视图；以及
图32是示出通过传送设备传送第三容器的外观图，该传送设备可以包括在本公开的基板处理系统中。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细地描述本公开的示例性实施例，使得本公开所属领域的技术人员可以容易地实施本公开。然而，本公开可以以各种不同形式实现，并且不限于将在下文中描述的实施例。此外，在详细描述本公开的优选实施例时，相关已知功能或配置的详细描述在其可以不必要地模糊本公开的实质时可以被省略。此外，在整个附图中，相同的附图标记用于执行类似功能和操作的部分。
“包括”一些元件的表述可以意味着可以进一步包括另一元件而不被排除，除非有特别矛盾的描述。详细地，术语“包括”和“具有”用于表示存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、元件、部件或其组合，并且可以理解为可以添加一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、元件、部件或其组合。
除非另有指明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，在附图中，为了更清楚地描述，元件的形状和尺寸可能被夸大。
诸如第一和第二的术语可以用于描述各种元件，但是这些元件不受所述术语的限制。这些术语可以仅用于区分一个元件与另一个元件的目的。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以称为第二元件，并且类似地，第二元件可以称为第一元件。
当提到一个元件“连接到”或“电连接到”另一个元件时，应当理解，第一元件可以直接连接或电连接到第二元件，但是可以在其间提供第三元件。另一方面，当提及一个元件“直接连接到”或“直接电连接到”另一个元件时，应当理解，它们之间不存在第三元件。应当理解，其他描述元件之间关系的表述，诸如“之间”、“直接之间”、“相邻”和“直接相邻”，可以具有相同的目的。
此外，除非另有定义，否则本文所用的所有术语(包括技术或科学术语)具有本公开所属领域的技术人员通常所理解的相同的含义。通用词典中定义的术语应理解为具有与相关技术的上下文的含义一致的含义，并且除非在本公开的说明书中明确定义，否则不应理解为理想的或过于正式的含义。
在下文中，将参考图1至图25详细地描述本公开的实施例。
图1是示意性地示出了根据本公开的实施例的基板处理系统的视图。参考图1，根据本公开实施例的基板处理系统可以包括基板处理设备10、容器20和环形托架30。
根据本公开实施例的容器20可以位于基材处理设备10的装载端口110上。容器20可以通过高架式运输(OHT)设备定位在基板处理设备10的装载端口110上。容器20中可以容纳各种物品。根据所容纳物品的种类，容器20可以包括各种容器。容器20可以被称为FOUP或POD。
例如，如图2所示，待由基材处理设备10处理的物体可以容纳在第一容器21中，第一容器是容器20中的任一个容器。被处理的物体可以是基板“W”，诸如图3所示的晶片。此外，凹口“N”可以形成在基板“W”中。为了用基板处理设备10适当地处理基板“W”，有必要将基板“W”精确地传送到基板处理设备10的期望位置。在基板“W”中形成的凹口“N”用于对准基板“W”，以便精确地转移它。可以通过对准单元200进行基板“W”的对准，这将在后面描述。
此外，如图4所示，安装在基板处理设备10上且可更换的消耗性组件可以容纳在第二容器22中，第二容器是容器20中的另一个容器。消耗性组件可以是环形构件“R”，诸如聚焦环或介电环。环形构件“R”的外周直径可以大于基板“W”的外周直径。因此，第二容器22中的空间的体积可以比第一容器21中的空间的体积大得多。此外，当从顶部查看时，用于支撑第二容器22中的环形构件“R”的多个支撑槽22a和22c可以设置在不同的位置。此外，支撑槽22a和22c可以设置在对应于形成在环形托架30中的开口32的位置处，这将在下面描述。这是因为当通过使用环形托架30将环形构件“R”从第二容器22中取出时，可以防止环形托架30干扰支撑槽22a和22c。
此外，如图5所示，定位销22b可以形成在支撑槽22a和22c中的一个或更多(例如，多个)支撑槽22a中。定位销22b可以插入形成在图6所示的环形构件“R”的下表面上的定位凹部“G”中。重要的是将环形构件“R”传送到准确的位置，以将环形构件“R”正确地安装到基板处理设备10的期望位置。重要的是将环形构件“R”定位在与第一传送手152的相同位置，这将在下面描述，以将环形构件“R”传送到准确的位置。通过限制环形构件“R”的横向位置的变化，定位销22b可以允许环形构件“R”定位在与第一传送手152的相同位置。
此外，操作者可以简单地通过将定位销22b插入形成在环形构件“R”的下表面上的对准凹部“G”中，将环形构件“R”容纳在第二容器22中的准确位置处。其中环形构件“R”容纳在第二容器22中的位置可以根据操作者的熟练程度而改变，但是定位销22b可以最大限度地减少问题。此外，由定位销22b对准的环形构件“R”的方向可以对准相同的方向。例如，由定位销22b对准的环形构件“R”的平坦区域可以对准相同的方向。例如，因为环形构件“R”通过定位销22b在相同的方向上对准，所以不需要单独地对准环形构件“R”的方向来将环形构件“R”定位在环形托架30上。
根据本公开实施例的环形托架30可以用于传送环形构件“R”。例如，环形托架30可用于在转位室130、对准室170和装载锁定室310之间传送环形构件“R”，这将在下面描述。环形托架30可以容纳在上述容器20中。例如，环形托架30可以容纳在上述第二容器22中。环形托架30可以容纳在环形构件“R”的下方，环形构件容纳在第二容器22中。容纳在第二容器22中的环形托架30可以容纳在第二容器22中的同时其方向对准。环形托架30可以用于使将在下面描述的第一传送机械手150传送环形构件“R”。
图7是示出用于传送环形构件的环形托架的示例的透视图。图8是图7的环形托架的平面视图。图9是示出图8的环形托架的一部分的放大图。参考图7至图9，根据本公开的实施例的环形托架30可以包括主体31和引导部件34。
主体31可以具有安置表面，其上定位有环形构件“R”。环形构件“R”可以定位在主体31的上表面上。主体31可以具有板形状。主体31可以具有圆盘形状。主体31具有圆盘形状，以使得通过对准单元200对准环形托架30的方向的操作与对准基板“W”的方向的操作相同或至少相似。
主体31的中心区域可以设置有挡板，该挡板不含孔。此外，一个或多个开口32可以形成在主体31的周边区域中。多个开口32可以形成在主体31的周边区域中。开口32可以从主体31的上表面延伸到下表面。也就是说，开口32可以穿过主体31。开口32可以形成在主体31的周边区域中，并且可以形成在包括主体31的外周边的主体31的周边区域中。也就是说，开口32可以延伸到主体31的外周边。此外，当从顶部观察开口32时，它们可以形成在与设置在装载锁定室310中的支撑搁架320重叠的位置处。此外，当从顶部观察开口32时，它们可以形成在与第二容器22的支撑槽22a和22c重叠的位置处。这是因为当通过使用环形托架30传送环形构件“R”时，可以防止环形托架30与支撑搁架320或支撑槽22a和22c重叠。
可以在主体31上形成对准孔33。当从顶部观察时，对准孔33可以形成在第一引导部件35和第二引导部件36之间。对准孔33可以是当将在下面描述的对准单元200对准环形托架30时使用的孔。对准孔33可以从主体31的上表面延伸到下表面。也就是说，对准孔33可以穿过主体31。此外，对准孔33可以形成在与形成在基板“W”中的凹口“N”重叠的位置处。例如，从主体31的中心到对准孔33的中心的距离可以与从基板“W”的中心到凹口“N”的中心的距离相同。这是为了使通过对准单元200对准环形托架30的方向的操作与对准基板“W”的方向的操作相同或至少相似。
当环形构件“R”位于环形托架30上并且由第一传送手152传送环形托架30时，环形构件“R”可以通过第一传送手152的线性运动滑动，或环形构件“R”的安装位置可以通过第一传送手152的旋转变形。引导部件34可以防止环形构件“R”滑动或变形。引导部件34也可以被称为引导凸台。
引导部件34可以从主体31的上表面突出。引导部件34可以从主体31的上表面向上突出。定位在环形托架30上的环形构件“R”的内周边可以具有平坦区域FZ和圆形区域RZ，并且引导部件34可以形成在面向环形构件“R”的平坦区域FZ的内周边的位置处。引导部件34可以具有对应于环形构件“R”的内周边的形状。引导部件34可以具有与包括平坦区域FZ的环形构件“R”的内周边相对应的形状。
引导部件34可以包括第一引导部件35(第一引导凸台)和第二引导部件36(第二引导凸台)。第一引导部件35和第二引导部件36可以具有对称的形状。例如，第一引导部件35和第二引导部件36可以具有相对于形成在它们之间的对准孔33彼此对称的形状。
第一引导部件35可以包括第一平坦部分35F和第一圆形部分35R。第二引导部件36可以包括第二平坦部分36F和第二圆形部分36R。第一平坦部分35F可以具有对应于平坦区域FZ的内周边的形状。第一圆形部分35Z可以弯曲并从第一平坦部分35F延伸，并且可以具有对应于环形构件“R”的圆形区域RZ的内周边的形状。第一平坦部分35F和第一圆形部分35Z具有与第二平坦部分36F和第二圆形部分36Z对称的形状，并且将省略对其的重复描述。
引导部件34有助于环形构件“R”的平坦区域FZ在环形托架30上对准特定方向。此外，对准孔33形成在第一引导部件35和第二引导部件36之间。因此，当通过使用将在下面描述的对准单元200来对准环形托架30时，位于环形托架30上的环形构件“R”的平坦区域FZ的方向也可以在期望的方向上对准。此外，第一圆形部分35Z和第二圆形部分36Z的外周边以及圆形区域RZ的内周边可以具有相同的曲率半径。此外，第一圆形部分35Z和第二圆形部分36Z的外周边以及基板“W”的外周边可以具有相同的曲率半径。
再次参考图1，根据本公开的实施例的基板处理设备10可以包括转位部件100、工艺执行部件300和控制器700。当从顶部观察时，转位部件100和工艺执行部件300可以沿着第一方向“X”布置。在下文中，当从顶部观察时垂直于第一方向“X”的方向被定义为第二方向“Y”。此外，垂直于第一方向“X”和第二方向“Y”的方向被定义为第三方向“Z”。在此，第三方向“Z”可以指垂直于地面的方向。
转位部件100可以包括装载端口110、转位室130、第一传送机械手150和对准室170。
容器20可以位于装载端口110中。如上所述，容器20可以通过OHT设备传送到装载端口110，以装载到装载端口110中或者从装载端口110卸载，并且可以被传送。然而，本公开不限于此，并且容器20可以通过用于传送容器20的各种装置来传送。此外，操作者可以将容器20直接装载在装载端口110中，或者从装载端口110卸载位于装载端口110中的容器20。
转位室130可以设置在装载端口110与工艺执行部件300之间。也就是说，装载端口110可以连接到转位室130。转位室130的内部可以维持在大气压中。
此外，第一传送机械手150可以设置在转位室130中。第一传送机械手150可以在安置在装载端口110中的容器20、装载锁定室310(将在下文进行描述)和对准室170之间传送基板“W”和环形构件“R”。此外，第一传送机械手150可以具有第一传送手152。如图10所示，多个第一支撑垫153可以设置在第一传送手152的上表面上。例如，可以设置三个第一支撑垫153，并且可以在三个点处支撑位于第一传送手152上的传送目标物体。第一支撑垫153可以防止位于第一传送手152上的基板“W”或环形托架30滑动。当从顶部查看时，可以沿着具有一个半径的假想圆的圆周方向布置第一支撑垫153。此外，第一传送手152可以具有这样的尺寸，通过该尺寸它可以容易地进入上述容器20。此外，如图11所示，基板“W”可以定位在第一传送手152上，并且如图12所示，可以定位支撑环形构件“R”的环形托架30。
设置有对准单元200的对准室170(将在下文描述)可以安装在转位室130的一侧和/或相反侧。可以在对准室170中对准基板“W”或环形托架30。图13是示出设置在图1的对准室中的对准单元的外观图。参考图13，设置在对准室170中的对准单元200可以对准基板“W”。例如，对准单元200可以对准形成在基板“W”中的凹口“N”的方向。此外，对准单元200可以对准形成在环形托架30中的对准孔33的方向。
对准单元200可以包括卡盘210、支撑机构220、照射部件230和光接收部件240。卡盘210可以支撑基板“W”的中心区域。卡盘210可以以真空吸附方式支撑基板“W”。与此不同，防止目标支撑物体滑动的垫可以设置在卡盘210的上表面上。卡盘210可以旋转基板“W”。
支撑机构220可以支撑照射部件230和光接收部件240。照射部件230可以在从卡盘210支撑的基板“W”的上侧到下侧的方向上照射光“L”。光“L”可以是具有特定宽度的激光束。光接收部件240可以设置成面对照射部件230。例如，光接收部件240可以设置在由照射部件230照射的光“L”的照射路径上。卡盘210可以旋转基板“W”，直到由照射部件230照射的光“L”通过形成在基板“W”中的凹口“N”而到达光接收部件240。当光接收部件240接收到光“L”时，卡盘210停止基板“W”的旋转，并可以完成基板“W”的对准。
如图14所示，对准单元200可以对准环形托架30，类似于上述对准基板“W”的方案。如上所述，对准孔33形成在环形托架30中。当环形托架30定位在卡盘210上时，卡盘210可以旋转环形托架30，直到由照射部件230照射的光“L”通过形成在环形托架30中的对准孔33到达光接收部件240。当光接收部件240接收到光“L”时，卡盘210停止环形托架30的旋转，并可以完成环形托架30的对准。如上所述，因为其中形成对准孔33的位置可能与其中形成凹口“N”的位置重叠，所以可以通过使用相同的对准单元200来对准环形托架30和基板“W”。
图14举例示出了环形托架30对准的状态，其中环形构件“R”位于环形托架30上，但本公开不限于此。如有必要，环形托架30可以对准成其中环形构件“R”未定位在环形托架30上的状态，如图15所示。
再次参考图1，工艺执行部件300可以包括装载锁定室310、传送室330、第二传送机械手350和工艺室370。
装载锁定室310可以设置在转位室130和传送室330之间。如上所述，转位室130的内部气压可以维持在大气压。如稍后将描述的，传送室330的内部气压可以维持在真空压力中。装载锁定室310可以设置在转位室130和传送室330之间，并且其内部气压可以在大气压和真空压力之间变化。
图16是示出图1的装载锁定室外观的平面剖视图。参考图16，装载锁定室310可以包括壳体311和支撑搁架320。
壳体311可以具有内部空间312。壳体311可以具有内部空间312，基板“W”或环形构件“R”位于所述内部空间中。壳体311可以设置在上文已经描述的转位室130和传送室330之间。此外，壳体311可以具有开口。多个开口可以设置在壳体311中。例如，开口中的第一开口311a可以通过闸阀(未示出)选择性地与转位室130连通。此外，开口中的第二开口311b可以通过闸阀(未示出)选择性地与传送室330连通。
此外，壳体311可以设有通风孔313，通过该通风孔将排出气体供应至壳体311的内部空间312。此外，壳体311可以具有减压孔，该减压孔降低壳体311的内部空间312中的压力。排出气体可以是惰性气体。例如，排出气体可以是包括氮气、氩气等的气体。然而，本公开不限于此，并且排出气体可以是各种已知的惰性气体。此外，减压孔314可以连接到减压构件(未示出)。减压构件可以是泵。然而，本公开不限于此，并且减压构件可以不同地修改为降低内部空间312的压力的已知设备。由于通风孔313和减压孔314形成在壳体311中，所以壳体311的内部空间的压力可以在大气压和真空压力之间自由变化。
支撑搁架320可以设置在内部空间312中。支撑搁架320可以在内部空间312中支撑基板“W”或环形构件“R”。此外，环形构件“R”的直径可以大于基板“W”的直径。
可以提供一个或多个支撑搁架320。例如，可以提供多个支撑搁架320。可以提供三个支撑搁架320。当从顶部查看时，支撑搁架320可以设置成彼此间隔开。当从顶部查看时，支撑搁架320可以设置在与形成在上述环形托架30中的开口32重叠的位置处。例如，当从顶部观察时，支撑搁架320可以设置在与形成在环形托架30中的开口32重叠的位置处，环形托架30的方向由对准单元200对准。此外，当从支撑搁架320横截面查看时，支撑搁架320可以具有大致倒“L”形。
此外，支撑搁架320可以包括第一垫324和第二垫326。第一垫324和第二垫326可以由对基板“W”或环形构件“R”具有抗摩擦特性的材料形成。例如，第一垫324和第二垫326可以由填充有碳的聚醚醚酮(PEEK)形成。然而，其中填充有碳的PEEK被用作第一垫324和第二垫326的材料的实施例仅仅是示例，可以利用具有类似特性的其他已知材料进行各种修改。
当从顶部查看时，第一垫324可以具有基本上弧形的形状。第一垫324可以设置成比第二垫326更靠近减压孔314。当从顶部查看时，第一垫324可以设置在基板“W”的外周边的内侧。也就是说，如图17所示，在基板“W”和环形构件“R”中，第一垫324可以支撑基板“W”。
当从顶部观察时，第二垫326可以具有基本上弧形的形状。第二垫326可以设置成比第一垫324更远离减压孔314。当从顶部查看时，第二垫326可以设置在基板“W”的外周边和环形构件“R”的内周边的外侧，并且可以设置在环形构件“R”的外周边的内侧。也就是说，在基板“W”和环形构件“R”中，第二垫326可以支撑环形构件“R”。
此外，当从顶部观察时，支撑搁架320可以设置在与上述环形托架30中形成的开口32重叠的位置处。因此，如图18所示，当第一传送手152将其上放置有环形构件“R”的环形托架30运送到装载锁定室310中，并且第一传送手152向下移动时，环形构件“R”定位在支撑搁架320上，并且环形托架30可以在被放置在第一传送手152上的同时向下移动。此后，如图19所示，当第一传送手152缩回时，环形托架30可以与环形构件“R”分离，并从装载锁定室310中取出。
再次参考图1，传送室330可以设置在装载锁定室310与工艺室370之间。传送室330的内部气压可以维持在真空压力中。第二传送机械手350可以设置在传送室330中。第二传送机械手350可以在装载锁定室310与工艺室370之间传送基板“W”和环形构件“R”。此外，第二传送机械手350可以具有第二传送手352。
图20是示出图1的第二传送手的外观图。参考图20，第二传送机械手350的第二传送手352的尺寸可以大于第一传送手152的尺寸。成对的第一传送垫353、成对的第二传送垫354、成对的第三传送垫355和成对的第四传送垫356可以设置在第二传送手352上。第二传送垫354和第三传送垫355可以设置在第一传送垫353和第四传送垫356之间。当从顶部查看时，第二传送垫354和第三传送垫355可以设置在基板“W”的外周边的内侧。也就是说，如图21所示，在基板“W”和环形构件“R”中，第二传送垫354和第三传送垫355可以支撑基板“W”。当从顶部查看时，第一传送垫353和第四传送垫356可以设置在基板“W”的外周边和环形构件“R”的内周边的外侧，并且可以设置在环形构件“R”的外周边的内侧。也就是说，在基板“W”和环形构件“R”中，第二垫326可以支撑环形构件“R”。
再次参考图1，一个或多个工艺室370可以连接到传送室330。工艺室370可以是对基板“W”执行工艺的腔室。工艺室370可以是通过向基板“W”供应处理液来处理基板“W”的液体处理室。此外，工艺室370可以是通过使用等离子体来处理基板“W”的等离子体室。此外，一些工艺室370可以是通过向基板“W”供应处理液来处理基板“W”的液体处理室，并且一些工艺室370可以是通过使用等离子体来处理基板“W”的等离子体室。然而，本公开不限于此，并且在工艺室370中执行的基板处理过程可以被不同地修改为已知的基板处理过程。此外，当工艺室370是通过使用等离子体来处理基板“W”的等离子体室时，等离子体室可以是执行通过使用等离子体来去除基板“W”上的薄膜的蚀刻或灰化过程的腔室。然而，本公开不限于此，并且在工艺室370中执行的等离子体处理工艺可以被不同地修改为已知的等离子体处理工艺。
图23是示出设置在图1的工艺室中的基板处理设备的视图。参考图23，将详细描述设置在工艺室370中的基板处理设备500。基板处理设备500可以通过将等离子体传送到基板“W”来处理基板“W”。
基板处理设备500可以包括处理容器510、闸阀520、排气管线530、电源单元540、支撑单元550、第一提升销模块560、第二提升销模块570、挡板580和气体供应单元590。
处理容器510可以具有处理空间。处理容器510可以接地。处理容器510可以提供其中处理基板“W”的处理空间。当处理基板“W”时，处理容器510的处理空间可以基本上维持在真空压力。可以在处理容器510的一侧上形成入口512，基板“W”或环形构件“R”通过该入口被带入和取出。闸阀520可以选择性地打开和关闭入口512。
排气孔514可以形成在处理容器510的底表面上。排气管线530可以连接到排气孔514。排气管线530可以通过排气孔514将供应到处理容器510的处理空间的工艺气体、工艺副产物等排放到处理容器510的外部。此外，使得可以更均匀地对处理空间进行排气的排气板532可以设置在排气孔514的上部部分处。当从顶部观察时，排气板532可以基本上具有环形形状。此外，至少一个排气孔可以形成在排气板532中。操作者可以从具有各种形状和尺寸的多个排气板532中选择可以均匀地对处理空间进行排气的排气板532并将排气板532安装在排气孔514的上部部分处。
此外，处理容器510还可以包括支撑构件516。支撑构件516可以支撑包括在支撑单元550中的基座的至少一部分，这将在下文进行描述。例如，支撑构件516可以配置成支撑包括在支撑单元550中的隔离板554的下部部分。
电源单元540可以产生RF功率，RF功率将由气体供应单元590供应的工艺气体激发为等离子体状态，这将在下文进行描述。电源单元540可以包括电源542和匹配器544。电源542和匹配器544可以安装在电力传输线上。此外，电力传输线可以连接到卡盘552。
支撑单元550将基板“W”支撑在处理容器510的处理空间中。支撑单元550可以包括卡盘552、隔离板554和石英环556。
卡盘552可以具有支撑基板“W”的支撑表面。卡盘552可以支撑基板“W”，并且可以吸住被支撑的基板“W”。例如，可以在卡盘552中设置静电板(未示出)，并且卡盘552可以是通过使用静电力来吸住基板“W”的静电卡盘。例如，卡盘552可以是电极静电卡盘(ESC)。然而，本公开不限于此，并且卡盘552可以以真空抽吸方案吸住基板“W”。
当从顶部观察时，隔离板554可以具有圆形形状。上述卡盘552和将在下文描述的石英环556可以定位在隔离板554上。隔离板554可以是电介质体。例如，隔离板554可以由包括陶瓷的材料形成。
石英环556可以由包括石英的材料形成。当从顶部观察时，石英环556可以基本上具有环形形状。当从顶部观察时，石英环556可以基本上具有围绕卡盘552的形状。当从顶部观察时，石英环556可以具有围绕由卡盘552支撑的基板“W”的形状。此外，环形构件“R”(例如，聚焦环)可以定位在石英环556的内侧的上表面上。
当从顶部查看时，位于石英环556的上表面上的环形构件“R”可以具有环形形状。环形构件“R”可以具有这样的形状，其内侧的上表面的高度低于其外侧的上表面的高度。基板“W”的周边区域的下表面可以位于环形构件“R”的内侧的上表面上。此外，环形构件“R”可以具有倾斜表面，该倾斜表面从基板“W”的内侧上表面和外侧上表面之间的基板“W”的中心沿面向基板“W”外侧的方向向上倾斜。因此，即使当基板“W”定位在环形构件“R”内侧的上表面上，基板“W”的位置相当不准确时，在基板“W”沿着环形构件“R”的倾斜表面滑动的同时，基板“W”也可以适当地定位在环形构件“R”的上表面或内侧。
第一提升销模块560可以升高位于石英环556的上表面上的环形构件“R”。第一提升销模块560可以包括第一提升销562和第一销驱动部件564。可以设置多个第一提升销562，并且可以设置向上和向下移动第一提升销562的多个第一销驱动部件564。此外，当从顶部查看时，第一提升销562可以设置成不与卡盘552重叠。提升销562可以沿着形成在隔离板554和/或石英环556中的销孔向上和向下移动。此外，销驱动部件564可以是使用气压或液压的气缸，或是电机。
第二提升销模块570可以升高基板“W”。第二提升销模块570可以包括第二提升销572、升降板574和第二销驱动部件576。第二提升销572可以联接到升降板574。升降板574可以通过第二销驱动部件576向上和向下移动。
挡板580可以设置在支撑单元550的上部部分处。挡板580可以由电极材料形成。至少一个挡板孔582可以形成在挡板580中。例如，可以形成多个挡板孔582，并且当从顶部观察时可以均匀地形成在挡板580的整个区域中。挡板580使得可以将由气体供应单元590供应的工艺气体均匀地递送到基板“W”，这将在下文进行描述。
气体供应单元590可以将工艺气体供应到处理容器510的处理空间中。工艺气体可以是被下面将描述的电源单元540激发成等离子体状态的气体。气体供应单元590可以包括气体供应源592和气体供应管线594。气体供应管线594的一端可以连接到气体供应源592，并且气体供应管线594的相反端可以连接到处理容器510的上部部分。因此，由气体供应源592递送的工艺气体可以通过气体供应管线594供应到挡板580的上部区域。供应到挡板580的上部区域的工艺气体可以通过挡板孔582引入处理容器510的处理空间中。
再次参考图1，控制器700可以控制基板处理设备10。控制器700可以控制转位部件100和工艺执行单元300。控制器700可以控制第一传送机械手150和第二传送机械手350。控制器700可以控制设置在工艺室370中的基板处理设备500，使得可以通过使用等离子体在工艺室370中处理基板“W”。此外，控制器700可以控制基底处理设备10的构造，使得基底处理设备10可以执行下面将描述的用于传送环形构件“R”的传送方法。
此外，控制器700可以包括工艺控制器，工艺控制器包括执行基板处理设备10的控制的微处理器(计算机)、用于输入命令以允许操作者管理基板处理设备10的键盘、包括可视化和显示基板处理设备10的操作情况的显示器的用户界面、以及用于存储用于在工艺控制器的控制下由基板处理设备10执行的工艺的控制程序或者用于执行工艺的程序(即根据各种数据和处理条件的元件中的工艺配方)的存储器单元。此外，用户界面和存储单元可以连接到工艺控制器。工艺配方可以存储在存储器单元的存储器介质中，并且存储器介质可以是硬盘，并且可以是诸如CD-ROM、DVD等的可移动磁盘、半导体存储器，诸如闪存。
在下文中，将描述根据本公开实施例的用于传送环形构件“R”的方法。详细地，将描述将未使用的环形构件“R”传送到工艺室370的传送顺序。
当到达安装在工艺室370上的环形构件“R”的更换周期时，OHT设备可以将第二容器22传送至装载端口110。在将第二容器22传送到装载端口110时，第一传送机械手150可以通过使用第一传送手152将容纳在第二容器22中的环形托架30从第二容器22中取出。然后，环形托架30的方向可以在被对准的同时容纳在第二容器22中。当需要对准环形托架30的方向时，第一传送机械手150可以将环形托架30传送到对准室170，并且对准单元200可以在其中环形构件“R”没有位于环形托架3上的状态下对准环形托架30。
此后，第一传送手152可以在其中第一传送手152支撑环形托架30的状态下进入第二容器22。当第一手152完全进入第二容器22时，第一传送手152可以向上移动，以将容纳在第二容器22中的未使用的环形构件“R”定位在环形托架30上。然后，环形构件“R”可以处于其中所述环形构件的方向由第二容器中的定位销22b对准的状态。因此，环形构件“R”可以在其中所述环形构件的方向对准的状态下定位在环形托架30上。
当环形构件“R”位于环形托架30上时，环形托架30可以传送至对准室170，并且所述环形托架的方向可以由对准单元200对准。在通过对准单元200对准处于其中定位环形构件“R”的状态下的环形托架30的方向之后，第一传送机械手150可以将处于其中环形构件“R”定位在所述环形托架上的状态下的环形托架30传送到装载锁定室310。
当第一传送手152完全进入装载锁定室310时，第一传送手152可以向下移动。因此，环形托架30上的环形构件“R”可以位于支撑搁架320上，并且环形托架30可以与环形构件“R”分离。当环形托架30与环形构件“R”分离时，它可以从装载锁定室310中取出。位于加载锁定室310的支撑搁架320上的环形构件“R”可以由第二传送机械手350的第二传送手352带出，并传送到工艺室370中。
以与上述未使用的环形构件“R”的运入顺序相反的顺序取出工艺室370中使用的环形构件“R”，将省略其重复说明。
在下文中，将描述根据本公开实施例的对准环形构件“R”的顺序。图24是示出了根据本公开实施例的对准环形构件位置的顺序的流程图。如上所述，当环形构件“R”已经完全传送到工艺室370中时，容纳在第三容器23中的基板型传感器(例如，具有图像获取模块的视觉晶片VW，诸如相机)可以传送到工艺室中，第三容器是容器20中的任何一个。第三容器23可以通过高架式运输(OHT)设备传送到装载端口110。
在将基板型传感器VW传送至工艺室370时，基板型传感器VW可以捕获包括设置在工艺室370中的环形构件“R”和卡盘552的图像。捕获的图像可以被传送到控制器700。当图像被传送到控制器700时，可以从工艺室370取出基板型传感器VW。此后，控制器700可以根据从基板型传感器VW接收的图像测量环形构件“R”和卡盘552之间的间隔。例如，如图25所示，当环形构件“R”和卡盘552之间的间隔“G”恒定时，控制器700确定环形构件“R”已经被传送到预设位置。在这种情况下，开始在工艺室370中处理基板“W”。与此不同，如图26所示，当环形构件“R”和卡盘552之间的间隔包括第一间隔G1和不同于第一间隔G1的第二间隔G2时，可以确定环形构件“R”未正确地传送到预设位置，并且第二传送机械手350可以再次执行环形构件“R”的对准(对中)。如果需要，基于通过第一间隔G1和第二间隔G2得出的变形值，可以教导第一传送机械手150和第二传送机械手350的传送操作。当正确执行对准时，开始在工艺室370中处理基板“W”。与此不同，当没有正确地执行对准时，可以再次将基板型传感器VW传送到工艺室370。此后，通过基板型传感器VW再次获取的图像，控制器700可以确定环形构件“R”的位置是否是预设位置。当环形构件“R”的位置偏离预设范围时，控制器700可以产生警报，使得操作者可以识别。
下文将描述根据本公开实施例的容器，其可以对基板型传感器VW进行充电。可以对基板型传感器VW进行充电的容器20(将在下面描述)可以是容器20中容纳基板型传感器VW的第三容器23。
图27是示出图1的第三容器的横截面视图。图28是当从顶部观察时图27的充电模块的视图。参考图27和图28，根据本公开实施例的第三容器23可以容纳基板型传感器VW。第三容器23可以容纳基板型传感器VW，并且可以对所容纳的基板型传感器VW进行充电。
第三容器23可以包括主体610、门620、头部630、搁板部件640、充电模块650和电池部件660。通过安装在主体610的上侧上的头部630，可以由传送设备(诸如OHT设备)抓住第三容器23。主体610可以具有接收空间612，所述接收空间的一侧是敞开的。主体610可以具有器皿形状，所述器皿形状的一侧是敞开的。上述基板型传感器VW可以容纳在主体610的接收空间612中。主体610的接收空间612可以由选择性地关闭主体610一侧的门620打开和关闭。此外，检测门620是否打开和关闭接收空间612的打开/关闭传感器611可以设置在主体610中。打开/关闭传感器611可以是磁传感器，其通过使用磁性来确定门620和主体610是否彼此接触。
然而，本公开不限于此，并且打开/关闭传感器611可以包括照射光的照射部件和接收光的光接收部件。在这种情况下，根据由照射部件照射的光是否被光接收部件接收，可以检测接收空间612是打开还是关闭。此外，打开/关闭传感器611的种类不限于此，并且其可以被不同地修改为可以检测门620是否关闭的已知装置。
多个搁架部件640可以设置在接收空间612中。搁架部件640中的每个搁架部件形成对。例如，当从顶部观察搁架部件640时，它们可以支撑基板型传感器VW的一侧和相反侧。
此外，可以在搁架部件640中设置第一位置传感器641，其用于检测基板型传感器VW是否位于搁架部件640上。第一位置传感器641可以是重量感测传感器。与此不同，第一位置传感器641可以是光学传感器。与此不同，第一位置传感器641可以是距离感测传感器。第一位置传感器641的种类不限于此，并且可以不同地修改为可以检测基板型传感器VW是否位于搁架部件640上的已知装置。
此外，可以检测充电模块650的充电部件651的位置的第二位置传感器642可以设置在搁架部件640中。第二位置传感器642可以检测将在下面描述的充电部件651是否正确地位于充电位置。第二位置传感器642可以是光学传感器、距离感测传感器或磁传感器。第二位置传感器642的种类不限于此，并且可以不同地修改为可以检测充电部件651的位置的已知装置，这将在下面描述。
充电模块650可以从电池部件660(电源装置的示例)接收电力，并且可以对放置在搁架部件640上的基板型传感器VW充电。充电模块650可以以无线充电方式对基板型传感器VW充电。可以提供多个充电模块650。例如，充电模块650的数量可以与能够容纳在接收空间612中的基板型传感器VW的最大数量相同。充电模块650的数量可以与多个搁架部件640的数量相同。也就是说，因为提供了多个充电模块650，所以可以同时对多个基板型传感器VW充电。
充电模块650中的每一个可以包括充电部件651、支撑部件652、引导部件653和驱动部件654。充电部件651是直接向基板型传感器VW的电源装置(例如，电池)输送电力的部件。例如，充电部件651可以具有无线充电线圈。充电部件651可以以无线充电方式，例如以电磁感应方式，对基板型传感器VW充电。当充电部件651以电磁感应方式对基板型传感器VW充电时，基板型传感器VW可以被快速充电，并且由于电磁感应方式的特性，充电部件651可以变得更小，由此信号发送/接收线圈的标准可以不同。
充电部件651可以通过支撑部件652、引导部件653和驱动部件654而在待机位置(第一位置的示例)和充电位置(第二位置的示例)之间移动。待机位置可以是远离主体610的一侧的位置，主体610由门620打开和关闭。例如，当主体610的一侧是前侧并且与主体610的一侧相对应的一侧是后侧时，待机位置可以是比起主体610的前侧更靠近后侧的位置。当充电部件651处于待机位置时，即使当第一传送手152进入接收空间612时，第一传送手152也不会与充电部件651碰撞。充电位置可以是比待机位置更靠近主体610的前侧的位置。充电位置可以是适于对基板型传感器VW充电的位置。充电位置可以是其中充电部件651可以开始对基板型传感器VW充电的位置。
在主体610的内壁中，引导部件653可以设置在主体610的侧壁上。引导部件653可以是导轨，该导轨可以引导充电部件651在平行于由搁架部件640支撑的基板型传感器VW的上表面或下表面的一个方向上的移动。支撑部件652可以联接到充电部件651，并且可以具有条形形状，由此支撑部件652可以沿着引导部件653移动。驱动部件654可以产生用于沿着引导部件653在一个方向上移动联接到支撑部件652的充电部件651的驱动力。
驱动部件654可以包括驱动源654a、驱动传递源654b和臂654c。驱动源654a可以产生驱动力。驱动源654a可以是电机。臂654a可以接收来自驱动源654a的驱动力。臂654a可以是受电弓。臂654a可以具有此结构，该结构可以扩展和收缩。臂654a可以联接到充电部件651。臂可以通过驱动传递源654c的媒介接收由驱动传递源654b产生的驱动力。驱动传递源654b可以是丝杠。将用于产生驱动传递源654b的驱动力传递到臂654a的驱动传递源654c的种类不限于丝杠，并且可以不同地修改为可以传递驱动力的已知装置。
图29是示出设置在图1的装载端口中的壳体、底座部件和充电单元的视图。图30是当从顶部观察时图29中装载端口的视图。参考图29和图30，装载端口110可以包括底座部件111和壳体116。底座部件111可以设置在壳体116的上侧。容器20可以定位在底座部件111上。上述第三容器23可以位于底座部件111上。底座部件111可以设置有定位销112。定位销112可以对准位于装载端口110中的第三容器23的位置。例如，可以提供三个定位销112，使得可以在三个点处对准第三容器23的位置。此外，对准销112可以插入到对准凹部中，对准凹部可以形成在第三容器23的主体610中。当从顶部查看时，形成在主体610中的对准凹部可以形成在对应于对准销112的位置处。壳体116可以具有内部空间117。可以包括在充电单元中的组件可以设置在内部空间117中。
充电单元可以以无线充电方式对电池部件660充电，电池部件是安装在第三容器23中的电源装置。充电单元可以包括信号传输构件113、转换构件114、开关构件115和检测构件118。信号传输构件113可以设置在底座部件111上。信号传输构件113可以设置到底座部件111，以将电力传输到电池部件660。转换构件114可以设置在外部电源线PL和信号传输构件113之间。转换构件114可以是设置在信号传输构件113和外部电源线PL之间的电源供应装置，以将由外部电源线PL输送的AC电力转换成DC电力。例如，转换构件114可以是转换器。
开关构件115可以设置在转换构件114和信号传输构件113之间。开关构件115可以使由外部电源线PL输送的电力选择性地输送到信号传输构件113。例如，开关构件115可以使得通过利用转换构件将AC电力转换成DC电力而获得的电力选择性地输送到信号传输构件113。开关构件115可以是继电器装置。
检测构件118可以设置到底座部件111。检测构件118可以设置到底座部件111，以检测容器20(例如，第三容器23)是否安置在底座部件111上。检测构件118可以是重量传感器的形式。然而，本公开不限于此，并且检测构件118可以是使用光的光学传感器。此外，检测构件118可以是使用磁体的距离感测传感器。此外，检测构件118可以不同地修改为可以检测容器20是否安置在底座部件111上的已知装置。
当检测构件118检测到第三容器23安置在底座部件111上时，开关构件115可以接通，使得外部电源线PL的电力输送至信号传输构件113。控制器700可以产生用于接通开关构件115的控制信号。与此不同，当检测构件118没有检测到第三容器23安置在底座部件111上时，开关构件115可以断开，使得向信号传输构件113输送的外部电源线PL的电力被中断。控制器700可以产生用于断开开关构件115的控制信号。
如上所述，信号传输构件113可以以无线充电方式对作为设置在第三容器23中的电源装置的电池部件660充电。电池部件660可以向充电模块650输送电力以对基板型传感器VW充电。因为信号传输构件113以非接触方式对电池部件660充电，所以可以最小化如上所述的产生连接器短路的问题。因此，可能没有必要实施用于防止连接器短路的安全装置和/或保护电路。此外，在使用连接器的接触式充电方式中，仅当第三容器23必须位于装载端口110的适当位置并且第三容器23的电池部件660也必须连接到连接器时，才开始对电池部件660充电。在这种情况下，即使当第三容器23的位置稍微错位时，电池部件660的充电也不会开始。然而，在本公开中，因为信号传输构件113以非接触方式对电池部件660充电，所以即使当第三容器23的位置稍微错位时，也可以开始对电池部件660充电。此外，因为信号传输构件113以非接触方式对电池部件660充电，所以也可以改善信号传输构件113的安装位置的自由度。
尽管在上述示例中描述了第三容器23的电池部件660在装载端口110中充电，但本公开不限于此。例如，如图31所示，第三容器23的电池部件660可以在保存单元1000中充电，所述保存单元可以包括在本公开的基板处理系统中。保存单元1000可以包括：底座框架1010，其上可以放置第三容器23；信号传输装置1020，其安装在底座框架1010中以向电池部件660输送电力；转换装置1040，其连接到外部电源线PL并设置在信号传输装置1020和外部电源线PL之间；以及开关装置1030，其使外部电源线PL的电力选择性地输送到信号传输装置1020。信号传输装置1020可以执行与上述信号传输构件113的功能相同或相似的功能。转换装置1040可以执行与上述转换构件114的功能相同或相似的功能。开关装置1030可以执行与上述开关构件115的功能相同或相似的功能。类似于上述装载端口110，保存单元1000也可以以非接触方式对设置在第三容器23中的电池部件660充电。
尽管在上述示例中已经描述了在第三容器23位于装载端口110中的同时对基板型传感器VW充电，但是本公开不限于此。例如，如图32所示，当可以包括在基板处理系统中的传送设备1100传送第三容器23时，可以对基板型传感器VW充电。
根据本公开的实施例，安装在容器中的电源装置可以有效地充电。
根据本公开的实施例，当安装在容器中的电源装置充电时，可以最大限度地减少短路的发生。
本公开可以提高充电单元的信号传输构件的安装位置的自由度。
本公开的效果不限于上述效果，并且本公开所属领域的技术人员可以从说明书和附图清楚地理解未提及的效果。
以上详细描述例示了本公开。此外，以上提及的内容描述本公开的示例性实施例，并且本公开可以用于各种其他组合、改变和环境。也就是说，可以在不脱离说明书中所公开的本公开的范围、书面公开的等效范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下修改并纠正本公开。书面实施例描述用于实施本公开的技术精神的最佳状态，并且可作出本公开的详述的应用领域和目的所需的各种改变。因此，本公开的详细描述并不意图在所公开的实施例状态下限制本公开。另外，应理解，所附权利要求书包括其他实施例。

Claims (20)

1.一种基板处理设备，其包括：
转位部件，所述转位部件具有装载端口；以及
工艺执行部件，所述工艺执行部件配置成从所述转位部件接收基板并处理所述基板，
其中所述装载端口包括：
壳体，所述壳体具有内部空间；
底座部件，所述底座部件设置在所述壳体的上侧，并且容纳基板型传感器的容器定位在所述底座部件上；以及
充电单元，所述充电单元配置成以无线充电方式对安装在所述容器中的电源装置进行充电。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述充电单元包括：
信号传输构件，其设置在所述底座部件中，并且配置成向所述电源装置输送电力；
转换构件，其设置在所述内部空间中，并且设置在外部电源线和所述信号传输构件之间；以及
开关构件，其配置成选择性地将所述外部电源线的电力输送到所述信号传输构件。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述转换构件将由所述外部电源线输送的AC电力转换成DC电力。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备，其中所述充电单元还包括：
检测构件，其配置成检测所述容器是否被安置在所述底座部件上，以及
其中当所述检测构件检测到所述容器被安置在所述底座部件上时，接通所述开关构件，使得将所述外部电源线的所述电力输送到所述信号传输构件。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备，其中所述充电单元还包括：
检测构件，其配置成检测所述容器是否被安置在所述底座部件上，以及
其中当所述检测构件未检测到所述容器被安置在所述底座部件上时，断开所述开关构件，从而使向所述信号传输构件输送的所述外部电源线的所述电力被中断。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备，其中所述底座部件包括：
一个或多个定位销，其配置成对准定位在所述底座部件上的所述容器的位置，以及
其中所述信号传输构件安装在当从顶部观察时、所述信号传输构件不与所述定位销重叠的位置处。
7.一种基板处理系统，其包括：
转位部件，所述转位部件具有装载端口；
工艺执行部件，所述工艺执行部件配置成从所述转位部件接收基板并处理所述基板；以及
容器，所述容器位于所述装载端口中，并且配置成容纳运送到所述工艺执行部件中的基板类型传感器，
其中所述容器还包括：
主体，其具有接收空间，所述接收空间的一侧是敞开的；
门，其配置成选择性地打开和关闭所述接收空间；
搁架部件，其配置成在所述接收空间中支撑所述基板型传感器；以及
电源装置，其配置成输送电力以用于对所述基板型传感器进行充电，并且
其中所述装载端口包括：
壳体，所述壳体具有内部空间；
底座部件，所述底座部件设置在所述壳体的上侧，并且容纳基板型传感器的容器定位在所述底座部件上；以及
充电单元，所述充电单元配置成以无线充电方式对安装在所述容器中的电源装置进行充电。
8.根据权利要求7所述的基板处理系统，其中所述充电单元包括：
信号传输构件，其设置在所述底座部件中，并且配置成向所述电源装置输送电力；
转换构件，其设置在所述内部空间中，并且设置在外部电源线和所述信号传输构件之间；以及
开关构件，其配置成选择性地将所述外部电源线的电力输送到所述信号传输构件。
9.根据权利要求8所述的基板处理系统，其中所述转换构件将由所述外部电源线输送的AC电力转换成DC电力。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的基板处理系统，其中所述充电单元还包括：
检测构件，其配置成检测所述容器是否被安置在所述底座部件上，以及
其中当所述检测构件检测到所述容器被安置在所述底座部件上时，接通所述开关构件，使得将所述外部电源线的所述电力输送到所述信号传输构件。
11.根据权利要求7至9中任一项所述的基板处理系统，其中所述充电单元还包括：
检测构件，其配置成检测所述容器是否被安置在所述底座部件上，以及
其中当所述检测构件未检测到所述容器被安置在所述底座部件上时，断开所述开关构件，从而使向所述信号传输构件输送的所述外部电源线的所述电力被中断。
12.根据权利要求7至9中任一项所述的基板处理系统，其中所述容器还包括：
充电模块，其配置成对由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器进行充电，以及
其中所述充电模块以无线充电方式对由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器进行充电。
13.根据权利要求12所述的基板处理系统，其中所述充电模块以电磁感应方式对由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器进行充电。
14.根据权利要求13所述的基板处理系统，其中提供多个搁架部件和多个充电模块。
15.根据权利要求7至9中任一项所述的基板处理系统，其还包括：
保存单元，所述保存单元配置成保存所述容器，
其中所述保存单元包括：
底座框架，所述容器定位在所述底座框架上；
信号传输装置，所述信号传输装置安装在所述底座框架中，并配置成向所述电源装置输送电力；
转换装置，所述转换装置设置在所述外部电源线和所述信号传输装置之间；以及
开关装置，所述开关装置配置成选择性地将所述外部电源线的电力传送到所述信号传输装置。
16.一种基板处理系统，其包括：
转位室，其内部保持为大气压并且设置有第一传送机械手；
转位部件，其具有连接到所述转位室的装载端口；
装载锁定室，其连接到所述转位室，所述装载锁定室的内部在真空压力和所述大气压之间转换；
传送室，其连接到所述装载锁定室并设置有第二传送机械手；
工艺室，其连接到所述传送室并配置成处理基板；以及
容器，其位于所述装载端口中并且配置成容纳基板型传感器，所述基板型传感器收集传送到所述工艺室的消耗性组件的传送位置，以及
其中所述装载端口包括：
壳体，所述壳体具有内部空间；
底座部件，所述底座部件设置在所述壳体的上侧，并且所述容器定位在所述底座部件上；以及
充电单元，所述充电单元配置成以无线充电方式对安装在所述容器中的电源装置进行充电。
17.根据权利要求16所述的基板处理系统，其中所述充电单元还包括：
信号传输构件，其设置在所述底座部件中，并且配置成向所述电源装置输送电力；
转换构件，其设置在所述内部空间中，并且设置在外部电源线和所述信号传输构件之间；以及
开关构件，其配置成选择性地将所述外部电源线的电力输送到所述信号传输构件。
18.根据权利要求17所述的基板处理系统，其中所述充电单元还包括：
检测构件，其配置成检测所述容器是否被安置在所述底座部件上，以及
其中当所述检测构件检测到所述容器被安置在所述底座部件上时，接通所述开关构件，使得将所述外部电源线的所述电力输送到所述信号传输构件。
19.根据权利要求17所述的基板处理系统，其中所述充电单元还包括：
检测构件，其配置成检测所述容器是否被安置在所述底座部件上，以及
其中当所述检测构件未检测到所述容器被安置在所述底座部件上时，断开所述开关构件，从而使向所述信号传输构件输送的所述外部电源线的所述电力被中断。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的基板处理系统，其中所述消耗性组件是设置在所述工艺室中的环形构件，
其中所述系统还包括：
控制器，
其中所述控制器配置成：
控制所述第一传送机械手和所述第二传送机械手，使得所述消耗性组件被传送到所述工艺室中；以及
控制所述第一传送机械手和所述第二传送机械手，使得所述基板型传感器被传送到所述工艺室中，
其中所述基板型传感器获取包括所述消耗性组件和设置在所述工艺室中以支撑所述基板的卡盘的图像，并将所述图像传输到所述控制器，以及
其中所述控制器测量所述图像中的所述消耗性组件和所述卡盘之间的间隔，并确定所述消耗性组件是否通过所测量的间隔对准。
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KR102652834B1 (ko) * 2020-08-07 2024-04-02 세메스 주식회사 용기 및 기판 처리 장치
KR102545754B1 (ko) * 2021-05-27 2023-06-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 상태 검출 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3939101B2 (ja) 2000-12-04 2007-07-04 株式会社荏原製作所 基板搬送方法および基板搬送容器
TWI268429B (en) 2003-11-29 2006-12-11 Onwafer Technologies Inc Systems, maintenance units and substrate processing systems for wirelessly charging and wirelessly communicating with sensor apparatus as well as methods for wirelessly charging and communicating with sensor apparatus
KR101085454B1 (ko) * 2008-12-24 2011-11-22 주식회사 에스에프에이 밀폐형 카세트 이송 시스템
US20110074341A1 (en) 2009-09-25 2011-03-31 Kla- Tencor Corporation Non-contact interface system
US10509052B2 (en) 2017-02-06 2019-12-17 Lam Research Corporation Smart vibration wafer with optional integration with semiconductor processing tool
JP6981049B2 (ja) * 2017-05-30 2021-12-15 Tdk株式会社 ロードポート装置及びウエハ搬送容器
CN114466728A (zh) * 2019-07-26 2022-05-10 朗姆研究公司 用于自动化晶片搬运机械手教导与健康检查的整合适应性定位系统及例程

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