CN118016583A - 基板支撑单元、包括基板支撑单元的用于处理基板的设备以及环传送方法 - Google Patents

基板支撑单元、包括基板支撑单元的用于处理基板的设备以及环传送方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种基板处理设备，包括：具有处理空间的过程室；被配置为将基板支撑在处理空间中的基板支撑单元；被配置为向处理空间供应过程气体的气体供应单元；和用于从过程气体产生等离子体的等离子体源，其中基板支撑单元包括：其上放置基板的支撑板；定位在支撑板下方的基座；设置为围绕放置在支撑单元上的基板的第一环；设置在第一环下方并且具有通孔的第二环；和用于提升和降低第一环和第二环的环升降销组件，并且其中环升降销组件包括：用于插入到通孔中并且提升和降低第一环的第一销；用于提升和降低第二环且具有供第一销从中穿过的孔的中空轴形状的第二销；和用于驱动第一销和第二销的驱动单元，其中当从上方观察时，通孔与第一环重叠。

Description

基板支撑单元、包括基板支撑单元的用于处理基板的设备以 及环传送方法
技术领域
本文描述的本发明构思的实施方式涉及一种基板支撑单元、具有该基板支撑单元的基板处理设备以及环传送方法。
背景技术
等离子体是指由离子、自由基和电子组成的电离气体状态。等离子体由非常高的温度、强电场或高频电磁场(RF电磁场)产生。半导体器件制造过程可以包括使用等离子体去除形成在诸如晶片的基板上的薄膜的蚀刻过程。通过等离子体的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应来进行蚀刻过程。
一种使用等离子体的基板处理设备包括：过程室；支撑组件，该支撑组件用于将基板支撑在过程室中；以及等离子体源，该等离子体源用于从气体产生等离子体以处理基板。支撑组件包括通过静电力固定基板的静电卡盘和围绕安置在静电卡盘上的基板的外圆周的聚焦环。聚焦环将等离子体高度均匀地分布在基板的表面上。当在基板上重复进行蚀刻时，聚焦环也被蚀刻，从而逐渐改变聚焦环的形状。根据聚焦环形状的改变，离子和/或自由基入射到基板上的方向改变，并且因此基板的蚀刻特性改变。
因此，当在基板上重复进行蚀刻处理时，或者当聚焦环的形状改变并且在允许范围之外时，需要替换聚焦环。通常，聚焦环的替换是通过操作员打开过程室、从打开的过程室中取出用过的聚焦环并且将未使用的聚焦环安装到过程室来完成的。
然而，这样的替换方法不仅需要大量的工作时间，而且很有可能将颗粒引入到过程室中。因此，最近使用了一种替换方法，通过该替换方法，使用过的聚焦环从过程室中取出，并且由基板处理设备的传送机器人引入到环吊舱中，并且然后新的聚焦环从环吊舱中取出，并且由传送机器人引入到过程室中。
聚焦环的传送可以由传送基板的传送机器人执行。支撑组件设置有升降销，用于将聚焦环从支撑组件提升/降低或将聚焦环安置在支撑组件上以传送聚焦环。根据需要的数量设置多个聚焦环。如果设置了多个聚焦环，用于提升或降低聚焦环的升降销的结构决定了传送的难易程度、传送时间和过程室的高度。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了一种基板支撑单元和具有该基板支撑单元的基板处理设备，以及一种用于方便地传送多个聚焦环的环传送方法。
本发明构思的实施方式提供了一种基板支撑单元和具有该基板支撑单元的基板处理设备，以及一种用于使过程室的高度最小化的环传送方法。
本发明构思的技术目的不限于上述目的，并且根据以下描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
本发明构思提供了一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：过程室，在所述过程室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元被配置为将基板支撑在所述处理空间中；气体供应单元，所述气体供应单元被配置为向所述处理空间供应过程气体；以及等离子体源，所述等离子体源用于从所述过程气体产生等离子体，并且其中所述基板支撑单元包括：支撑板，在所述支撑板上放置所述基板；基座，所述基座定位在所述支撑板下方；第一环，所述第一环设置为围绕放置在所述支撑单元上的所述基板；第二环，所述第二环设置在所述第一环下方并且具有通孔；以及环升降销组件，所述环升降销组件用于提升和降低所述第一环和所述第二环，并且其中所述环升降销组件包括：第一销，所述第一销设置为用于插入到所述通孔中，并且用于提升和降低所述第一环；中空轴形状的第二销，所述第二销用于提升和降低所述第二环，并且具有供第一销从中穿过的孔；以及驱动单元，所述驱动单元用于驱动所述第一销和所述第二销，并且其中，当从上方观察时，所述通孔与所述第一环重叠。
在实施方式中，所述第一环的底表面和所述第二环的顶表面在所述基板支撑单元处相互接触。
在实施方式中，所述第一销被设置为能够从所述第二销的顶部伸出。
在实施方式中，所述驱动单元包括用于提升和降低所述第一销的第一驱动机构；和用于提升和降低所述第二销的第二驱动机构。
在实施方式中，当所述基板被处理时，所述第一销被定位在比所述第一环更靠底侧的位置，并且当所述基板被处理时，所述第二销被定位在比所述第二环更靠底侧的位置，并且当所述第一环被传送时，所述第一销在向上方向上移动以与所述第一环的底表面接触，并且当所述第二环被传送时，所述第二销在向上方向上移动以与所述第二环的底表面接触。
在实施方式中，所述的基板处理设备进一步包括：传送单元，所述传送单元用于将所述第一环或所述第二环送入所述过程室内部和从所述过程室内部取出；以及控制器，所述控制器被配置为控制所述驱动单元和所述传送单元，并且其中，当所述第一环被传送时，所述控制器被配置为控制所述驱动单元将所述第一销从所述第一环的底侧提升到所述支撑板的顶侧，并控制所述传送单元从所述第一销接收所述第一环。
在实施方式中，当所述第二环被传送时，所述控制器被配置为控制所述第二销从所述第二环的底侧提升到所述支撑板的顶侧，并被配置为控制所述传送单元从所述第二销接收所述第二环。
在实施方式中，所述控制器被配置为控制所述驱动单元和所述传送单元，以在所述第一环被送到所述传送单元后提升所述第二环。
在实施方式中，所述基板处理设备进一步包括：传送单元，所述传送单元用于将所述第一环或所述第二环送入所述过程室内部和从所述过程室内部取出；以及控制器，所述控制器被配置为控制所述驱动单元和所述传送单元，并且其中，当所述第二环被安装在所述支撑板上时，所述控制器被配置为在所述第二环被定位成当从上方观察时所述第二环的所述通孔和所述第一销重叠后，控制所述传送单元将所述第二环送到所述第二销上，并且所述控制器被配置为控制所述驱动单元降低所述第二销，从而所述第二环被安装在所述支撑板上。
在实施方式中，当所述第二环被安装在所述支撑板上之后，所述第一环被安装在所述支撑板上时，所述控制器被配置为控制所述传送单元将所述第一环传送到所述第一销，并且所述控制器被配置为控制所述驱动单元降低所述第一销，从而所述第一环被安装在所述支撑板上。
本发明构思提供了一种基板支撑单元，所述基板支撑单元设置在过程室内并且在所述基板支撑单元上放置基板，所述基板支撑单元包括：支撑板，在所述支撑板上放置所述基板；第一环，所述第一环设置为围绕放置在所述支撑板上的所述基板；第二环，所述第二环设置在所述第一环下方并且具有通孔；以及环升降销组件，所述环升降销组件用于提升和降低所述第一环和所述第二环，并且其中所述环升降销组件包括：第一销，所述第一销设置为用于插入到所述通孔中，并且用于提升和降低所述第一环；中空形状的第二销，所述第二销用于提升和降低所述第二环，并且具有用于供所述第一销从中穿过的孔；以及用于驱动所述第一销和所述第二销的驱动装置，并且其中，当从上方观察时，所述通孔与所述第一环重叠。
在实施方式中，所述第一环的底表面和所述第二环的顶表面在所述基板支撑单元上放置为相互接触。
在实施方式中，所述第一销被设置成能够从所述第二销的顶部伸出。
在实施方式中，当所述基板被处理时，所述第一销被定位在比所述第一环更靠底侧的位置，并且当所述基板被处理时，所述第二销被定位在比所述第二环更靠底侧的位置，并且当所述第一环被传送时，所述第一销在向上方向上移动以与所述第一环的底表面接触，并且当所述第二环被传送时，所述第二销在向上方向上移动以与所述第二环的底表面接触。
在实施方式中，所述基板支撑单元进一步包括被配置为控制所述驱动单元的控制器，并且其中，所述控制器被配置为控制所述驱动单元，从而当所述第一环被传送到所述过程室的外部时，在所述第一销从所述第一环的底侧提升到所述支撑板的顶侧之后，从所述第一销上取下所述第一环，以及当所述第二环被传送到所述过程室的外部时，在所述第二销从所述第二环的底侧提升到所述支撑板的顶侧之后，从所述第二销上取下所述第二环。
在实施方式中，在所述第一环被传送到所述过程室的外部后，所述第二环被传送到所述过程室的外部。
在实施方式中，所述控制器被配置为控制所述驱动单元通过降低其上安装有所述第二环的所述第二销来将所述第二环安装在所述支撑板上，以及在所述第二环安装在所述支撑板上之后，通过降低其上安装有所述第一环的所述第一销来将所述第一环安装在所述支撑板上。
本发明构思提供了一种通过使用如权利要求1所述的基板处理设备来传送所述第一环和所述第二环的环传送方法，所述环传送方法包括：当所述第一环和所述第二环被传送到所述过程室的外部时，在将所述第一销从所述第一环的底侧提升到所述支撑板的顶侧之后，将所述第一环从所述第一销上取下，以及当所述第一环和所述第二环被传送到所述过程室的外部时，在将所述第二销从所述第二环的底侧提升到所述支撑板的顶侧之后，从所述第二销上取下所述第二环。
在实施方式中，在所述第一环被传送到所述过程室的外部之后，所述第二环被传送到所述过程室的外部。
在实施方式中，在所述第一环和所述第二环被传送到所述过程室的内部时，依次传送所述第二环和所述第一环，并且当所述第二环被安装在所述支撑板上时，在所述第二环被定位成与所述第二环的所述通孔重叠后，通过将所述第二环送到所述第二销上并降低安装在所述第二环上的所述第二销来将所述第二环安装在所述支撑板上，以及当所述第一环被安装在所述支撑板上时，通过将所述第一环送到所述第一销上并降低安装在所述第一环上的所述第一销来将所述第一环安装在所述支撑板上。
根据本发明构思的实施方式，可以方便地传送多个聚焦环。
根据本发明构思的实施方式，可以将过程室的高度最小化。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且根据以下描述，其他未提及的效果对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
附图说明
根据以下参考附图的描述，上述和其他目的和特征将变得明显，其中，除非另有说明，否则相同附图标记在各个附图中是指相同部分，并且其中：
图1示意性地示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理设备。
图2示意性地示出了图1的第一传送手。
图3示意性地示出了图1的第一环传送手。
图4示意性地示出了图1的第二环传送手。
图5是示出了图1的装载锁定室的平面截面视图。
图6示出了基板放置在图5的支撑搁板上的状态。
图7示出了第一环放置在图5的支撑搁板上的状态。
图8示出了第二环放置在图5的支撑搁板上的状态。
图9示出了从支撑搁板取出至图5的装载锁定室的环托架。
图10示意性地示出了图1的过程室的实施方式。
图11至图35分别依次示出了被替换的本发明构思的实施方式的环构件。
具体实施方式
本发明构思可以不同地修改且可以具有各种形式，并且将在附图中示出并详细地描述本发明构思的具体实施方式。然而，根据本发明构思的实施方式不旨在限制具体公开的形式，并且应当理解，本发明构思包括本发明构思的精神和技术范围中所包括的所有变形、等效物和替换。在本发明构思的描述中，当可能使本发明构思的本质不清楚时，可以省略对相关公知技术的详细描述。
本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而不旨在限制本发明构思。如本文所使用的，除非上下文另有明确指示，否则未指定数量时以及“该”也旨在包括复数形式。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的群组的存在或添加。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一项或多项的任意和所有组合。此外，术语“示例性”旨在指代示例或说明。
应当理解，尽管在本文中术语“第一”、“第二”、“第三”等可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但这些元件、部件、区域、层和/或区段应不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一个区域、层或区段区分开来。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，可以将下面讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一区段称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二区段。
在下文中，将参考图1至图35详细描述本发明构思的实施方式。
图1示意性地示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理设备。参考图1，根据本发明构思的实施方式的基板处理设备1可以包括装载端口10、大气压力传送模块20、真空传送模块30、装载锁定室40和过程室50。
装载端口10可以设置在稍后将描述的大气压力传送模块20的一侧。可以设置一个或多个装载端口10。可以根据过程效率、占用面积情况等来增加或减少装载端口10的数量。根据本发明构思的实施方式的容器F可以放置在装载端口10中。容器F可以通过传送装置(未示出)(诸如高处传送装置(OHT)、高处输送器或自动引导载具)或者由操作员装载到装载端口10上或者从其卸载。根据要储存的物品的类型，容器F可以包括各种类型的容器。作为容器F，可以使用气密容器，诸如前开式统一吊舱(FOUP)。
各种物品可以储存在容器F内。根据要储存的物品的类型，容器F可以包括各种类型的容器。例如，要由基板处理设备1处理的物体可以储存在第一容器F1内，该第一容器是容器F中的一个。要处理的物体可以是基板W，诸如晶片。其上安置有基板W的支撑狭槽(未示出)可以设置在第一容器F1处。
另外，在作为容器F中的另一个容器的第二容器F2内，可以储存安装在基板处理设备1上并需要替换的环构件R1和R2(见图7和图8)。环构件R1和R2可以是安装在稍后将描述的过程室50处的聚焦环或介电环。在实施方式中，环构件R1和R2可以包括第一环R1和第二环R2，该第二环的内径和外径大于第一环R1。
在第二容器F2处可以设置环构件R1和R2安置在其上的支撑狭槽(未示出)。选择性地，环构件R1和R2和支撑环构件R1和R2的环托架60可以储存在第二容器F2内(见图9)。其上安置有环托架60的支撑狭槽(未示出)可以设置在第二容器F2处。环构件R1和R2的外圆周直径可以具有比基板W的外圆周直径大的直径。因此，第二容器F2中的空间可以具有比第一容器F1中的空间略大的容积。
大气压力传送模块20和真空传送模块30可以沿第一方向2布置。在下文中，当从上方观察时，垂直于第一方向2的方向被定义为第二方向4。另外，垂直于包括第一方向2和第二方向4两者的平面的方向被定义为第三方向6。这里，第三方向6是垂直于地面的方向。
大气压力传送模块20可以在容器F与稍后将描述的装载锁定室40之间选择性地传送基板W或环构件R1和R2。例如，大气压力传送模块20可以从第一容器F1中取出基板W并且将基板W传送到装载锁定室40，或者可以从装载锁定室40中取出基板W并且将基板W传送到容器F。大气压力传送模块20可以包括传送框架220和第一传送机器人240。传送框架220可以设置在装载端口10与装载锁定室40之间。也就是说，装载端口10可以连接到传送框架220。在传送框架220中可以设置有大气压力。传送框架220的内部可以保持处于大气压力气氛中。
传送框架220可以设置有第一传送机器人240。第一传送机器人240可以在安置在装载端口10上的容器F与稍后将描述的装载锁定室40之间选择性地传送基板W或环构件R1和R2。第一传送机器人240可以在上下方向上移动。第一传送机器人240可以具有在水平面上向前、向后移动或旋转的第一传送手242。可以设置第一传送机器人240的一个或多个第一传送手242。在实施方式中，可以设置多个第一传送手242。基板W可以放置在第一传送手242上。选择性地，稍后将描述的支撑环构件R1和R2的环托架60可以放置在第一传送手242上。第一传送机器人240和支撑环构件R1和R2的环托架60可以被定义为稍后将描述的用于在第二容器F2、大气压力传送模块20和装载锁定室40之间传送环构件R1和R2的传送组件。图2示意性地示出了图1的第一传送手。
参考图2，至少一个基板支撑垫244可以设置在第一传送手242的顶表面上。例如，可以设置三个基板支撑垫244以在三个点处支撑放置在第一传送手242上的基板。基板支撑垫244可以防止放置在第一传送手242上的基板W或环构件R1和R2滑动。当从上方观察时，基板支撑垫244可以沿着具有半径的虚圆的圆周方向布置。基板支撑垫244可以设置为大致圆盘形状。真空吸附孔(未示出)可以形成在基板支撑垫244内。基板支撑垫244可以真空吸附基板W或环构件R1和R2。
再次参考图1，真空传送模块30可以设置在稍后将描述的装载锁定室40与稍后将描述的过程室50之间。真空传送模块30可以包括传送室320和第二传送机器人340。
传送室320可以将内部气氛保持为真空压力气氛。传送室320可以设置有第二传送机器人340。在实施方式中，第二传送机器人340可以位于传送室320的中心区域中。第二传送机器人340可以在装载锁定室40与过程室50之间选择性地传送基板W或环构件R1和R2。而且，真空传送模块30可以在过程室50之间传送基板W。第二传送机器人340可以在水平方向和竖直方向上移动。第二传送机器人340可以具有在水平面上向前、向后移动或旋转的第二传送手342。可以设置第二传送机器人340的至少一个第二传送手342。
图3至图4各自示出了图1的第二传送手的状态。参考图3至图4，第二传送手342可以具有比第一传送手242(参见图2)相对更大的尺寸。第二传送手342设置为传送基板W或环构件R1和R2中的任一个。
在实施方式中，第二传送手342具有图3所示的第一环传送手3421和图4所示的第二环传送手3423。第一环传送手3421被设置为传送稍后将描述的第一环R1(参见图7)，并且第二环传送手3423被设置为传送稍后将描述的第二环R2(参见图8)。在实施方式中，第一环传送手3421和第二环传送手3423可以经由旋转轴连接。第一环传送手3421和第二环传送手3423可以相对于旋转轴线旋转。在实施方式中，第二环R2的外径和内径大于第一环R1的外径和内径。
在第一环传送手3421的顶表面上可以设置一对第一传送垫3421a、一对第二传送垫3421b、一对第三传送垫3421c和一对第四传送垫3421d。第二传送垫3421b和第三传送垫3421c可以设置在第一传送垫3421a与第四传送垫3421d之间。当从上方观察时，第二传送垫3421b和第三传送垫3421c可以设置在基板W的外圆周的内部。因此，第二传送垫3421b和第三传送垫3421c可以支撑基板W。当从上方观察时，第一传送垫3421a和第四传送垫3421d可以设置在基板W的外圆周和第一环构件R1的内圆周的外部，但是可以设置在环构件R1的圆周的内部。因此，第一传送垫3421a和第四传送垫3421d可以支撑第一环构件R1。
在第二环传送手3423的顶表面上可以设置一对第一传送垫3423a、一对第二传送垫3423b、一对第三传送垫3423c和一对第四传送垫3423d。第二传送垫3423b和第三传送垫3423c可以设置在第一传送垫3423a与第四传送垫3423d之间。当从上方观察时，第二传送垫3423b和第三传送垫3423c可以设置在基板W的外圆周的内部。因此，第二传送垫3423b和第三传送垫3423c可以支撑基板W。当从上方观察时，第一传送垫3423a和第四传送垫3423d可以设置在基板W的外圆周和第二环R2的内圆周的外部，但是可以设置在第二环R2的外圆周的内部。因此，第一传送垫3423a和第四传送垫3423d可以支撑第二环R2。
在上述示例中，第二传送手342具有图3所示的第一环传送手3421和图4所示的第二环传送手3423，但相反地，可以对图3的第一环传送手3421另外设置图4的一对第一传送垫3423a、一对第二传送垫3234b、一对第三传送垫3423c和一对第四传送垫3423d。
再次参考图1，至少一个过程室50可以连接到传送室320。传送室320可以设置成多边形形状。装载锁定室40和过程室50可以围绕传送室320设置。例如，六边形传送室320可以设置在真空传送模块30的中心区域处，并且装载锁定室40和过程室50可以围绕传送室320设置。然而，可以根据用户的需要对传送室320的形状和过程室的数量进行各种修改和设置。
装载锁定室40可以设置在传送框架220与传送室320之间。装载锁定室40提供了缓冲空间，在该缓冲空间中，在传送框架220与传送室320之间交换基板W或环构件R1和R2。在实施方式中，为了替换设置在过程室50处的环构件R，在过程室50处使用的环构件R1和R2可以暂时地保留在装载锁定室40处。在实施方式中，为了将计划用于替换旧的环构件R1和R2的新的环构件R1和R2传送到过程室50，新的环构件R1和R2可以暂时地保留在装载锁定室40中。
如上所述，传送框架220的内部气氛可以保持在大气压力力气氛中，并且传送室320的内部气氛可以保持在真空压力气氛中。装载锁定室40设置在传送框架220与传送室320之间，使得其内部气氛可以在大气压力气氛与真空压力气氛之间转换。
图5是示出图1的装载锁定室的状态的平面截面视图。图6示出了基板被放置在图5的支撑搁板上的状态。图7示出了第一环放置在图5的支撑搁板上的状态。图8示出了第二环放置在图5的支撑搁板上的状态。
图9示出了从支撑搁板取出到图5的装载锁定室的环托架。
参考图1和图5至图9，装载锁定室40可以包括壳体420和支撑搁板440。壳体420可以具有缓冲空间421，其中基板W或环构件R1和R2放置在该缓冲空间中。另外，第一开口422和第二开口423可以形成在壳体420处。第一开口422可以设置在面向传送框架220的表面上，并且可以由闸阀(未示出)打开和关闭。第二开口423可以设置在面向传送室320的表面上，并且可以由闸阀(未示出)打开和关闭。
在壳体420处可以形成用于向壳体420的缓冲空间421供应气体的气体供应孔424。根据本发明构思的实施方式的气体可以是惰性气体。例如，气体可以是包括氮气、氩气等的气体。然而，本发明构思不限于此，并且气体可以被不同地修改并且作为已知的可吹扫缓冲空间421的惰性气体提供。
在壳体420处可以形成用于对壳体420的缓冲空间421减压的减压孔425。减压孔425可以连接到减压构件(未示出)。减压构件可以是泵。然而，本发明构思不限于此，并且减压构件可以不同地修改为用于对缓冲空间421提供负压的已知装置。
缓冲空间421的压力可通过气体供应孔424和减压孔425在大气压力与真空压力之间切换。
支撑搁板440可以设置在缓冲空间421处。支撑搁板440可以在缓冲空间421处支撑基板W或环构件R。可以设置至少一个支撑搁板440。选择性地，可以设置多个支撑搁板440。例如，可以设置三个支撑搁板440。当从上方观察时，多个支撑搁板440可以设置为彼此间隔开。多个支撑搁板440可以在竖直方向上彼此间隔开。由于这个原因，基板W或环构件R1和R2可以在缓冲空间421处被多个层支撑。
支撑搁板440中的每一个可以包括支撑突起442。当从上方观察时，支撑突起442可以设置在与形成在稍后将描述的环托架60处的凹口621对准的位置处。当从其横截面观察时，支撑突起442可以具有倒置的“L”形。支撑突起442可以包括第一搁板垫444、第二搁板垫446和第三搁板垫448。
第一搁板垫444、第二搁板垫446和第三搁板垫448可以由相对于基板W或环构件R1和R2具有摩擦力的材料制成。例如，第一搁板垫444、第二搁板垫446和第三搁板垫448可以由诸如碳填充聚醚醚酮(PEEK)的材料制成。然而，这仅仅是一个实施方式，并且可以对具有类似性质的其他已知材料进行各种修改。
当从上方观察时，第一搁板垫444可以在其纵向方向上具有弧形形状。第一搁板垫444可以设置成比第二搁板垫446更靠近减压孔425。当从上方观察时，第一搁板垫444可以设置在基板W的外圆周的内部。因此，如图6所示，第一搁板垫444可以支撑基板W和环构件R1和R2之中的基板W。
当从上方观察时，第二搁板垫446在其纵向方向上通常可以具有弧形形状。第二搁板垫446可以设置成比第一搁板垫444远离减压孔425。当从上方观察时，第二搁板垫446可以设置在基板W的外圆周和第一环R1的内圆周的外部，但是可以设置在第一环R1的外圆周的内部。因此，第二搁板垫446可以支撑第一环R1，如图7所示。
当从上方观察时，第三搁板垫448可以在其纵向方向上具有弧形形状。第三搁板垫448可以设置成比第二搁板垫446更远离减压孔425。当从上方观察时，第三搁板垫448可以设置在第二环R2的内圆周的外部，但是可以设置在第二环R2的外圆周的内部。由于这个原因，如图8所示，第三搁板垫448可以支撑第二环R2。
参考图9，环托架60具有板620和凹口621。环托架60可以用于传送环构件R1和R2。环托架60可以用于通过第一传送机器人240或第二传送机器人340传送环构件R1和R2。例如，环托架60可以被第一传送机器人240用来在大气压力传送模块20与装载锁定室40之间传送环构件R1和R2。在下文中，将描述由第一传送机器人240传送环构件R1和R2的情况作为示例。环托架60可以储存在容器F中。例如，环托架60可以储存在第二容器F2中。在这种情况下，环托架60可以储存在储存在第二容器F2中的环构件R1和R2的下方。
环构件R1和R2可以放置在板620的顶表面上。板620可以具有板形状。板620可以具有圆板形状。例如，板620的直径大于环构件R1和R2的直径。由于板620设置为圆板形状，因此环构件R1和R2可以被稳定地支撑在板620上并被传送。板620的中心区域可以设置为其中没有形成孔的挡板。选择性地，用于减轻板620的重量的通孔可以形成在板620的中心区域中。
多个凹口621可以形成在板620的边缘区域中。多个凹口621可以设置在板620的边缘区域中。凹口621形成为从板620的顶表面穿透到底表面。凹口621可以形成在板620的边缘区域中，并且可以形成在包括板620的外圆周的边缘区域中。也就是说，凹口621可以形成为从板620的边缘区域延伸到板620的外圆周。当从上方观察时，凹口621可以形成在与设置在装载锁定室40中的支撑搁板440对准的位置处。另外，当从上方观察时，凹口621可以形成在与设置在第二容器F2中的支撑狭槽(未示出)重叠的位置处。这防止了当使用环托架60传送环构件R1和R2时，环托架60与支撑搁板440或/和支撑狭槽(未示出)干涉。
当从上方观察时，多个支撑突起442设置在与形成在环托架60处的多个凹口621对准的位置处。因此，其上放置有环构件R1和R2的环托架60可以通过第一传送手242被引入到比装载锁定室40内的支撑突起442更高的位置，并且当第一传送手242向下移动时，环构件R1和R2可以被放置在支撑突起442上，并且环托架60可以在其上放置有第一传送手242的情况下向下移动。
再次参考图1，可以设置多个过程室50。过程室50可以是在基板W上执行过程的室。过程室50可以是使用等离子体处理基板W的等离子体室。例如，过程室50可以是执行使用等离子体去除基板W上的薄膜的蚀刻过程、去除光致抗蚀剂膜的灰化过程、在基板W上形成薄膜的沉积过程或干法清洁过程的室。然而，本发明构思不限于此，并且在过程室50处执行的等离子体处理过程可以包括各种已知的利用等离子体处理基板的过程。
图10示意性地示出了图1的过程室的实施方式。参考图10，过程室50可以通过将等离子体传送到基板W来处理基板W。
过程室50可以包括壳体510、基板支撑单元520、气体供应单元530和等离子体源540。
壳体510提供在其中执行基板处理空间的处理空间。壳体510可以设置为密封的形状。当处理基板W时，壳体510的处理空间通常可以保持在真空气氛中。壳体510可以由金属材料形成。在实施方式中，壳体510可以由铝材料制成。壳体510可以接地。基板W和入口512可以形成在壳体510的一侧上，通过该入口将环构件R1和R2运入或运出。入口512可以由闸阀514选择性地打开和关闭。
排气孔516可以形成在壳体510的底表面处。排气管线560可以连接到排气孔516。排气管线570可以通过排气孔516排出供应到壳体510的处理空间的过程气体、工艺副产物等。在排气孔516上方可以设置排气挡板552，以允许处理空间的更均匀的排气。当从上方观察时，排气挡板552可以具有大致环形的形状。另外，在排气挡板552处可以形成至少一个通孔。
基板支撑单元520在壳体510内支撑基板。基板支撑单元520的顶侧可以与壳体510的底表面间隔开。将进一步详细描述基板支撑单元520。
气体供应单元530将过程气体供应到壳体510的处理空间。气体供应单元530可以包括气体供应喷嘴532、气体供应管线534和气体供应源536。在实施方式中，气体供应喷嘴532可以安装在壳体510的顶表面的中心。在气体供应喷嘴532的底表面上形成注入孔。注入口将过程气体供应到壳体510中。气体供应管线534连接气体供应喷嘴532和气体供应源536。气体供应管线534将储存在气体供应源536中的过程气体供应到气体供应喷嘴532。在气体供应管线534中安装有阀538。阀538可以打开和关闭气体供应管线534，以调节在气体供应管线534内供应的过程气体的流速。根据实施方式，阀538可以为开关阀和/或流量调节阀。
过程室50可以设置在电容耦合等离子体(CCP)设备或电感耦合等离子体(ICP)设备中。在下文中，将描述过程室50被设置为电容耦合型等离子体设备的情况。然而，与此不同，过程室50可以设置为电感耦合等离子体(ICP)设备。
过程室50具有作为等离子体源的顶部电极和底部电极。根据实施方式，顶部电极可以为稍后将描述的喷头单元580，并且底部电极可以设置为冷却板522。顶部电极和底部电极可以彼此平行地竖直地设置在壳体510内部。两个电极中的一个可以施加高频电力，并且另一个电极可以接地。在两个电极之间的空间中形成电磁场，并且供应到该空间的过程气体可以被激发成等离子体状态。使用等离子体执行基板处理过程。可以将高频电力施加到底部电极，并且顶部电极可以接地。替代性地，可以将高频电力分别施加到顶部电极和底部电极。因此，在顶部电极与底部电极之间产生电磁场。产生的电磁场将供应到壳体510中的过程气体激发成等离子体状态。
喷头单元580可以包括气体注入板592和支撑单元596。在气体注入板592与壳体510的顶表面之间可以形成预定空间。气体注入板592可以设置为具有恒定厚度的板形状。气体注入板592的底表面可以被阳极处理，以防止由等离子体引起的电弧的产生。气体注入板592的横截面可以设置为具有与基板支撑单元520相同的形状。气体注入板592包括多个通孔593。气体注入板592在竖直方向上穿透喷头592的顶表面和底表面。气体注入板592可以包括金属材料。气体注入板592可以电连接到电源592a。电源592a可以设置为高频电源。替代性地，气体注入板592可以电接地。
支撑单元596支撑气体注入板592的侧部分。支撑单元596的顶端连接到壳体510的顶表面，并且其底端连接到喷头592和气体注入板592的侧部分。支撑单元596可以包括非金属材料。
在实施方式中，基板支撑单元520可以设置为使用静电力来吸附基板W的静电卡盘。相反，基板支撑单元520可以以诸如真空吸附或机械夹紧等各种方式支撑基板W。在下文中，将描述作为静电卡盘的基板支撑单元520。
在实施方式中，基板支撑单元520可以包括支撑板521、冷却板522、绝缘板523、基座524、环升降销组件560和基板升降销组件570。
在下文中，支撑板521可以设置为介电板521。介电板521位于基板支撑单元520的顶部部分处。介电板521接收外部电力并且将静电力施加到基板W。介电板521可以设置为盘形介电物质。基板W放置在介电板521的顶表面上。在实施方式中，介电板521的顶表面的半径小于基板W的半径。如果基板W放置在介电板521的顶表面上，则基板W的边缘区域位于介电板521的外部。电极525和加热器526埋设在介电板521内。在实施方式中，电极525可以定位加热器526上方。电极525可以电连接到电源(未示出)。电源(未示出)可以包括直流电源。通过施加到电极525的电流，静电力作用在电极525与基板W之间。因此，基板W被吸附在介电板521上。
由加热器526产生的热量通过介电板521传递到基板W。可以通过加热器526产生的热量将基板W保持在预定温度。加热器526可以包括螺旋线圈。设置多个加热器526。加热器526可以设置在介电板521的不同区域中。例如，可以设置用于加热介电板521的中心区域的加热器526和用于加热介电板521的边缘区域的加热器526，并且加热器526可以彼此独立地控制。
在上述示例中，加热器526设置在介电板521内，但是本发明构思不限于此，加热器526可以不设置在介电板521内。
冷却板522位于介电板521下方。冷却板522可以设置为圆盘形状。冷却板522可以由导电材料制成。在实施方式中，冷却板522可以由铝材料制成。冷却板522的顶部中心区域可以具有对应于介电板521的底表面的面积。流动路径522a可以设置在冷却板522内。流动路径522a可以在冷却板522内以螺旋形状形成。流动路径522a可以冷却冷却板522。冷却流体可以被供应到流动路径522a。在实施方式中，冷却流体可以设置为冷却水。
冷却板522可以包括金属板。根据实施方式，冷却板522的整个区域可以设置为金属板。冷却板522可以接地。因此，冷却板522可以用作与上述喷头单元580相对的电极。然而，其可以这样限制，冷却板522可以电连接到电极(未示出)以适用于高频电力。
绝缘板523设置在冷却板522下方。绝缘板523由绝缘材料制成，并且将冷却板522与稍后将描述的基座524电绝缘。当从上方观察时，绝缘板523可以设置为圆板形状。绝缘板523可以设置有与冷却板522的面积相对应的面积。
基座524设置在冷却板522的底侧。基座524可以设置在绝缘板523底侧。当从上方观察时，基座524可以具有内部空间并且具有包括敞开的顶部部分的圆柱体形状。稍后将描述的环升降销组件560和基板升降销组件570可以定位在基座524的内部空间内。
基座524具有连接构件524b。连接构件524b将基座524的外表面与壳体510的内侧壁连接起来。多个连接构件524b可以以规则的间隔设置在基座524的外表面上。连接构件524b支撑壳体510内的基板支撑单元520。
环构件R1和R2和盖环521设置在基板支撑单元520的边缘区域中。当从上方观察时，环构件R1和R2具有环形形状。环构件R1和R2用于在处理基板W时将等离子体集中在基板W上。在实施方式中，环构件R1和R2可以由导电材料形成。在实施方式中，环构件R1和R2的材料可以设置为硅(Si)、碳化硅(SiC)等。
在实施方式中，环构件R1和R2包括第一环R1和第二环R2。第一环R1具有小于第二环R2的内径和外径。第二环R2设置在第一环R1的下方。在基板支撑单元520上，第一环R1的底表面和第二环R2的顶表面放置成彼此接触。在实施方式中，当从上方观察时，第二环R2的一部分设置为与第一环R1重叠。
在实施方式中，第一环R1可以具有内顶表面的高度低于外顶表面的高度的形式。基板W的边缘区域的底表面可以放置在第一环R1的内顶表面上。另外，第一环R可以在第一环R1的内顶表面与外顶表面之间具有从基板W的中心朝向基板W的外部向上倾斜的表面。因此，如果基板W放置在第一环R1的内顶表面上，则基板W可以沿着第一环R1的倾斜表面滑动，以适当地放置在第一环R的内顶表面上，即使放置位置可能略微不准确。
环升降销组件560可以提升和降低放置在介电板521的顶表面上的环构件R1和R2。
环升降销组件560包括第一销561、第二销562以及驱动单元563和564。第一销561提升和降低第一环R1，并且第二销562提升和降低第二环R2。驱动单元563和564驱动第一销561和第二销562。在实施方式中，驱动单元563和564可以包括第一驱动机构563和第二驱动机构564。第一驱动机构在上/下方向上移动第一销561，第二驱动机构在上/下方向上移动第二销。选择性地，驱动单元563和564可以是单一驱动设备，其分别在上/下方向上移动第一销561和第二销562。驱动装置563和564可以是使用气压或液压的气缸或马达。然而，本发明构思不限于此，并且驱动单元563可以设置为能够提供驱动力的各种已知装置。
第一销561和第二销562设置在基板支撑单元520内部。在实施方式中，第一销561和第二销562设置为可沿着形成在介电板521、冷却板522和/或绝缘板523中的销孔在竖直方向上移动。在实施方式中，可以设置多个第一销561和第二销562。例如，第一销561和第二销562可以设置为在三个点支撑环构件R1和R2。选择性地，第一销561和第二销562可以设置为更大的数量。当从上方观察时，第一销561和第二销562可以设置成不与加热器526和流动路径522a重叠。
第一环R1设置为销形状，并且第二环R2设置为其中具有通孔的中空轴形状。第一环R1设置在第二销562的内部，以在竖直方向上可移动。通孔形成在第二环R2中。第一环R1在第二环R2内部移动，并且设置为用于插入形成在第二环R2中的通孔中。当从上方观察时，通孔和第一环R1设置为彼此重叠。因此，第一销561可以提升和降低设置在第二环R2上的第一环R1。
在下文中，将参考图11至图35描述传送环构件的方法。
图11示出了在过程室50中处理基板W时的第一销561和第二销562。在实施方式中，当处理基板W时，第一销561的顶端可以定位在如图11所示的第一环R1的底表面下方。
可以在处理基板W之后或在处理后续基板W之前替换环构件R1和R2。在实施方式中，在基板W被处理之后，在后续基板W被放入过程室50中之前，环构件R1和R2被替换。
图12至图13示出了基板W被传送到过程室50的外部的过程。在基板W被处理之后，如图12所示，升降销572被提升以从介电板521提升和降低基板W，并且第二传送手342进入过程室50。第二传送手342对准基板W可以安置在第二传送手342上的位置处。第二传送手342对准基板W的下方，并且将基板W从底部提升到顶部。
如图13所示，安置在第二传送手342上的基板W被传送到过程室50的外部，并且升降销572被降低以位于基板支撑单元520的内部。由第二传送手342传送的基板W可以放置在如图6所示的支撑搁板440上。此后，基板W可以由图2的第一传送机器人242传送到容器F，并且此后被储存。
在从基板支撑单元520移除基板W之后，替换环构件R1和R2。在实施方式中，在环构件R1和R2中，第一环R1和第二环R2被顺序传送到过程室50的外部。在下文中，将描述替换第一环R1和第二环R2的情况作为示例。
图14至图15示出了将第一环R1传送到过程室50的外部的过程。首先，第一销561被定位在第一环R1的底侧。根据实施方式，第一销561的顶端被定位在第一环R1的底端的底侧，同时对基板W进行处理。而且，第一销561的顶端可以从第二环R2的顶端伸出。因此，当处理基板W时，第一销561的一部分可以插入第二环R2上形成的通孔中。然而，不限于此，第一销561的顶端可以设置在比第二环R2更靠底侧的位置。
在完成了基板W的处理后，在从过程室50中取出基板后，第一驱动机构563(参考图10)提升和降低第一销561。更具体地，第一驱动机构可以从第一环R1的底侧提升和降低第一销561。因此，第一销561的顶端与第一环R1的底表面接触。如图14所示，第一销561将第一环R1提升和降低到在向上方向上与介电板521的顶表面间隔开的位置。第一销561可以将第一环R1提升到在向上方向上与介电板521的顶表面间隔一定距离的位置。如果第一销561将第一环R1移动到在向上方向上与介电板521的顶表面间隔一定距离的位置，则第二传送手342进入过程室50，如图15所示。选择性地，当第一销561被提升时，第二传送手342可以进入过程室50。第二传送手342对准第一环R1可以安置在第二传送手342上的位置处。第二传送手342对准第一环R1的下方，并且将第一环R1从底部提升到顶部，如图16所示。因此，第二传送手324可以从第一销561接收第一环R1。
如图17所示，如果第一环R1从第一销561拿取到第二传送手342，则第二传送手342可以传送到过程室50的外部，并且可以传送到第二环R2。
图18至图21示出了将第二环R2传送到过程室50的外部的过程。
首先，第二销562被定位在第二环R1的底侧。根据实施方式，当对基板W进行处理时，第二销562的顶端可以定位在第二环R2的底端下方。此外，当第一销561将第一环R1传送到过程室50的外部时，第二销562的顶端可以被定位在第二环R2的底端下方。第二驱动机构564(见图10)提升和降低第二销562。更具体地，第二驱动机构564将第二销562从第二环R2的底侧提升。随后，第二销562的顶端与第二环R2的底端接触。如图18所示，第二销562将第二环R2提升到在向上方向上与介电板521的顶表面相互间隔预定距离的位置。如果第二销562将第二环R2提升到在向上方向上与介电板521的顶表面间隔开的位置，则第二传送手342进入过程室50，如图19所示。选择性地，当第二销562被提升时，第二传送手342可以进入过程室50。第二传送手342对准第二环R2可以安置在第二传送手342上的位置处。第二传送手342对准第二环R2的下方，并且将第二环R2从底部提升到顶部，如图20所示。此后，如图21所示，如果第二环R2从第二销562拿取到第二传送手342，则第二传送手342将第二环R2传送到过程室50的外部。
在实施方式中，当第二环传送手3423将第二环R2传送到过程室50的外部时，第一环传送手3421将第一环R1固持在第一环传送手3421上。第一环R1和第二环R2被传送到过程室50的外部，并且分别放置在第一环传送手3421上和第二环传送手3423上，如图22所示。
替代性地，在第二环传送手3423将第二环R2传送到过程室50的外部之前，第二传送机器人340可以将第一环R1传送到装载锁定室40(参考图7)。
如图7和图8所示，第一环R1和第二环R2分别由第二传送机器人340传送到装载锁定室40(参考图7和图8)。此后，第一传送机器人240(参考图1)从容器F中取出环托架，并且将环托架安装在第一传送手242上。第一传送机器人240移动到装载锁定室40。第一传送机器人240在第一传送手242的环托架60中形成的凹口621对准的位置处从底部移动到顶部，以将第一环R1或第二环R2安装在安置在第一传送手242上的环托架60上，如图23所示。在实施方式中，第一环R1安置在第一传送手242上，并且第二环R2安置在另一个第一传送手242上。
如图1所示，第一传送机器人240可以通过装载端口10传送第一环和第二环以储存在容器F内。之后，第一传送机器人240可以从容器F中取出新的第一环和新的第二环。
被替换的第一环R1'和被替换的第二环R2'安置在第一传送手242上的环托架60上，如图24所示。第一传送机器人240将被替换的第一环R1'和被替换的第二环R2’分别收回到装载锁定室40，如图25至图26所示，以安装在支撑突出件440上。此后，第二传送机器人340取出装载锁定室40中的第一环R1′和第二环R2′。如图27所示，第一环R′1和第二环R2′被放置在第二传送手342上。在实施方式中，第一环R1′可以放置在第一环传送手3421上，并且第二环R2′可以放置在第二环传送手3423上。第二传送手342顺序地将第二环R2′和第一环R1′运送到过程室50中。
首先，如图28所示，如果第二环R2′安置在支撑板上，则第二环R2′定位在第二销562上，使得第二环R2′的通孔对应于第一销561。此后，第二传送手342向下移动，并且将第二环R2安装在第二销562上，如图29所示。如果第二环R2′安置在第二销562上，则第二传送手342移动得比第二销562低。即，第二传送手342将第二环R2移动到第二销562。在第二环R2'安置在第二销562上之后，第二传送手342离开过程室50，如图30所示。在实施方式中，如果安置了第二环R2′，则第二销562的顶端放置在顶端下方。因此，如果第二环R2′被降低，则第一销561可以插入通孔中。因此，第二销562可降低将第二环R2安置在介电板521上。如图31所示，如果第二环R2′安置在支撑板上，则第一环传送手3421将第一环R1送入过程室50。
之后，第一环传送手3421进入过程室50，并且将第一环R1′安装在支撑板上。第一环传送手3421将第一环R1定位在第一销561上，如图32所示。第一环传送手3421向下移动，以将第一环R1安装在第一销561上。如果第一环R1安置在第一销561上，则第一环传送手3421移动得比第一销561低。在第一环R1安置在第一销561上之后，第一环传送手3421比第一环R1进一步向下移动，如图33所示。此后，如图34所示，第一环传送手3421退出过程室50，并且如图35所示，第一销561降低并且第一环R1安装在支撑板上。
在上述示例中，已经描述了第一环R1和第二环R2两者被替换。然而，与此不同的是，第一环R1和第二环R2中仅一个可以被替换。在实施方式中，如果仅替换第一环R1，则可以省略提升或降低第二环R2的过程以及将第二环R2放入和取出过程室50的过程。
在实施方式中，如果仅替换第二环R2，则第一环R1可以被传送到过程室50的外部，但可以不被传送到装载锁定室，并且可以保留在第一环传送手3421中。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且未提及的效果可以根据本说明书和附图而被本发明构思所涉及的领域的技术人员清楚地理解。
尽管直到现在一直在示出和描述本发明构思的优选实施方式，但本发明构思不限于上述具体实施方式，并且应注意，在不脱离权利要求书中要求的本发明构思的本质的情况下，本发明构思所涉及领域的普通技术人员可能以各种方式转用本发明构思，并且这些修改不应脱离本发明构思的技术精神或前景进行单独解释。

Claims (20)

1.一种基板处理设备，包括：
过程室，在所述过程室中具有处理空间；
基板支撑单元，所述基板支撑单元被配置为将基板支撑在所述处理空间中；
气体供应单元，所述气体供应单元被配置为向所述处理空间供应过程气体；以及
等离子体源，所述等离子体源用于从所述过程气体产生等离子体，并且
其中所述基板支撑单元包括：
支撑板，在所述支撑板上放置所述基板；
基座，所述基座定位在所述支撑板下方；
第一环，所述第一环设置为围绕放置在所述支撑单元上的所述基板；
第二环，所述第二环设置在所述第一环下方并且具有通孔；以及
环升降销组件，所述环升降销组件用于提升和降低所述第一环和所述第二环，并且
其中所述环升降销组件包括：
第一销，所述第一销设置为用于插入到所述通孔中，并且用于提升和降低所述第一环；
中空轴形状的第二销，所述第二销用于提升和降低所述第二环，
并且具有供第一销从中穿过的孔；以及
驱动单元，所述驱动单元用于驱动所述第一销和所述第二销，并且
其中，当从上方观察时，所述通孔与所述第一环重叠。
2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第一环的底表面和所述第二环的顶表面在所述基板支撑单元处相互接触。
3.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第一销被设置为能够从所述第二销的顶部伸出。
4.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述驱动单元包括：
用于提升和降低所述第一销的第一驱动机构；和
用于提升和降低所述第二销的第二驱动机构。
5.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，当所述基板被处理时，所述第一销被定位在比所述第一环更靠底侧的位置，并且
当所述基板被处理时，所述第二销被定位在比所述第二环更靠底侧的位置，并且
当所述第一环被传送时，所述第一销在向上方向上移动以与所述第一环的底表面接触，并且
当所述第二环被传送时，所述第二销在向上方向上移动以与所述第二环的底表面接触。
6.如权利要求5所述的基板处理设备，进一步包括：
传送单元，所述传送单元用于将所述第一环或所述第二环送入所述过程室内部和从所述过程室内部取出；以及
控制器，所述控制器被配置为控制所述驱动单元和所述传送单元，并且
其中，当所述第一环被传送时，所述控制器被配置为控制所述驱动单元将所述第一销从所述第一环的底侧提升到所述支撑板的顶侧，并控制所述传送单元从所述第一销接收所述第一环。
7.如权利要求6所述的基板处理设备，其中，当所述第二环被传送时，所述控制器被配置为控制所述第二销从所述第二环的底侧提升到所述支撑板的顶侧，并被配置为控制所述传送单元从所述第二销接收所述第二环。
8.如权利要求7所述的基板处理设备，其中，所述控制器被配置为控制所述驱动单元和所述传送单元，以在所述第一环被送到所述传送单元后提升所述第二环。
9.如权利要求5所述的基板处理设备，进一步包括：
传送单元，所述传送单元用于将所述第一环或所述第二环送入所述过程室内部和从所述过程室内部取出；以及
控制器，所述控制器被配置为控制所述驱动单元和所述传送单元，并且
其中，当所述第二环被安装在所述支撑板上时，所述控制器被配置为在所述第二环被定位成当从上方观察时所述第二环的所述通孔和所述第一销重叠后，控制所述传送单元将所述第二环送到所述第二销上，并且
所述控制器被配置为控制所述驱动单元降低所述第二销，从而所述第二环被安装在所述支撑板上。
10.如权利要求9所述的基板处理设备，其中，当所述第二环被安装在所述支撑板上之后，所述第一环被安装在所述支撑板上时，所述控制器被配置为控制所述传送单元将所述第一环传送到所述第一销，并且
所述控制器被配置为控制所述驱动单元降低所述第一销，从而所述第一环被安装在所述支撑板上。
11.一种基板支撑单元，所述基板支撑单元设置在过程室内并且在所述基板支撑单元上放置基板，所述基板支撑单元包括：
支撑板，在所述支撑板上放置所述基板；
第一环，所述第一环设置为围绕放置在所述支撑板上的所述基板；
第二环，所述第二环设置在所述第一环下方并且具有通孔；以及
环升降销组件，所述环升降销组件用于提升和降低所述第一环和所述第二环，并且
其中所述环升降销组件包括：
第一销，所述第一销设置为用于插入到所述通孔中，并且用于提升和降低所述第一环；
中空形状的第二销，所述第二销用于提升和降低所述第二环，并且具有用于供所述第一销从中穿过的孔；以及
用于驱动所述第一销和所述第二销的驱动装置，并且
其中，当从上方观察时，所述通孔与所述第一环重叠。
12.如权利要求11所述的基板支撑单元，其中所述第一环的底表面和所述第二环的顶表面在所述基板支撑单元上放置为相互接触。
13.如权利要求11所述的基板支撑单元，其中所述第一销被设置成能够从所述第二销的顶部伸出。
14.如权利要求11所述的基板支撑单元，其中，当所述基板被处理时，所述第一销被定位在比所述第一环更靠底侧的位置，并且
当所述基板被处理时，所述第二销被定位在比所述第二环更靠底侧的位置，并且
当所述第一环被传送时，所述第一销在向上方向上移动以与所述第一环的底表面接触，并且
当所述第二环被传送时，所述第二销在向上方向上移动以与所述第二环的底表面接触。
15.如权利要求11所述的基板支撑单元，进一步包括被配置为控制所述驱动单元的控制器，并且
其中，所述控制器被配置为控制所述驱动单元，从而当所述第一环被传送到所述过程室的外部时，在所述第一销从所述第一环的底侧提升到所述支撑板的顶侧之后，从所述第一销上取下所述第一环，以及
当所述第二环被传送到所述过程室的外部时，在所述第二销从所述第二环的底侧提升到所述支撑板的顶侧之后，从所述第二销上取下所述第二环。
16.如权利要求15所述的基板支撑单元，其中在所述第一环被传送到所述过程室的外部后，所述第二环被传送到所述过程室的外部。
17.如权利要求16所述的基板支撑单元，其中所述控制器被配置为控制所述驱动单元通过降低其上安装有所述第二环的所述第二销来将所述第二环安装在所述支撑板上，以及在所述第二环安装在所述支撑板上之后，通过降低其上安装有所述第一环的所述第一销来将所述第一环安装在所述支撑板上。
18.一种通过使用如权利要求1所述的基板处理设备来传送所述第一环和所述第二环的环传送方法，所述环传送方法包括：
当所述第一环和所述第二环被传送到所述过程室的外部时，在将所述第一销从所述第一环的底侧提升到所述支撑板的顶侧之后，将所述第一环从所述第一销上取下，以及
当所述第一环和所述第二环被传送到所述过程室的外部时，在将所述第二销从所述第二环的底侧提升到所述支撑板的顶侧之后，从所述第二销上取下所述第二环。
19.如权利要求18所述的环传送方法，其中在所述第一环被传送到所述过程室的外部之后，所述第二环被传送到所述过程室的外部。
20.如权利要求19所述的环传送方法，其中在所述第一环和所述第二环被传送到所述过程室的内部时，依次传送所述第二环和所述第一环，并且
当所述第二环被安装在所述支撑板上时，在所述第二环被定位成与所述第二环的所述通孔重叠后，通过将所述第二环送到所述第二销上并降低安装在所述第二环上的所述第二销来将所述第二环安装在所述支撑板上，以及
当所述第一环被安装在所述支撑板上时，通过将所述第一环送到所述第一销上并降低安装在所述第一环上的所述第一销来将所述第一环安装在所述支撑板上。
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