KR102242812B1 - 반송 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

반송 유닛 및 기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명에서의 기판 처리 장치는 기판에 대해 소정의 처리를 행하는 처리 유닛과, 상기 처리 유닛으로 기판을 반송하는 기판 반송 유닛을 포함하되, 상기 처리 유닛은, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와, 상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과, 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과, 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하고, 상기 지지유닛은, 기판이 놓이는 지지체와; 상기 지지체에 놓인 기판을 둘러싸도록 제공되며, 상기 지지체로부터 착탈 가능하게 제공되는 에지 링을 포함하고, 상기 기판 반송 유닛은, 상면에 기판이 안착되는 핸드와, 상기 핸드에 제공되며, 정전기력으로 상기 에지 링을 상기 핸드의 저면에 고정시키는 고정 부재를 포함할 수 있다. 상기 고정 부재는 제1전극 및 제2전극을 포함할 수 있으며, 상기 반송 유닛은 상기 제1전극과 상기 제2전극에 서로 다른 극성의 전압을 인가할 수 있는 전압 인가부를 포함할 수 있다.

Description

반송 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치{TRANSFER UNIT, APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 반송 유닛과 그를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 여러 공정 중 에칭 공정 설비에서는, 일정 사용 시간이 지나면 식각되는 양과 내부 전기장의 변화 등을 고려하여 내부의 부품을 교체하여야 한다. 특히 기판 처리 장치에서는 기판을 고정하기 위한 용도로써 정전척을 주로 사용한다. 정전척 주변에서 기판을 둘러싸도록 제공되는 에지 링은 화학적 식각 및 물리적 식각에 직접 노출이 되어 그 식각 정도가 빠르며, 자주 교체해 주어야 한다. 종전에는 챔버를 벤트하여 대기 상태로 만든 뒤, 사람이 수작업으로 교체하는 방법을 사용하거나, 척 주변의 리프트 액츄에이터를 사용하여 교체하는 방법을 사용하였다. 그러나 이러한 방법들은 구동부가 많아지는 단점 및 이로 인한 파티클 발생, 제어 불량 등의 문제점이 발생하였다.
본 발명은 기판 처리 장치 내에 제공되어 기판을 둘러싸도록 제공되는 링을 효율적으로 교체할 수 있는 장치를 제공하고자 함이다.
또한 본 발명은 기판 처리 장치 내에 제공된 다양한 크기의 링을 반송할 수 있는 장치를 제공하고자 함이다.
또한 본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 반송 유닛을 제공하고자 함이다.
본 발명의 실시예는 반송 유닛을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 부재를 반송하는 반송 유닛은, 핸드와; 상기 핸드에 제공되며 반송 대상물을 상기 핸드의 저면에 정전기력으로 고정하는 고정 부재;를 포함할 수 있다.
또한, 고정 부재는 제1전극과; 제2전극을 포함하며, 반송 유닛은 제1전극과 제2전극에 서로 다른 극성의 전압을 인가하는 전압 인가부를 더 포함할 수 있다.
상기 고정 부재는 복수 개가 제공될 수 있고, 상기 복수 개의 고정 부재들은 서로 조합되어 상기 핸드의 중심을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 반송 유닛은 제1크기의 제1부재를 고정하는 제1고정체와, 상기 제1크기와 상이한 제2크기의 제2부재를 고정하는 제2고정체를 포함하며, 상기 제1고정체와 제2고정체는 각각 복수의 상기 고정 부재를 포함할 수 있다.
상기 전압 인가부는, 상기 제1고정체에 연결되는 제1전원, 상기 제2고정체에 연결되는 제2전원 및 상기 제1전원과 상기 제2전원을 각각 독립적으로 제어 가능한 제어부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1고정체는 상기 제2고정체에 비해 상부에서 바라볼 때 핸드의 중심으로부터 더 멀리 이격되게 배치될 수 있다.
상기 기재한 고정 부재들은, 상기 핸드의 저면으로부터 아래로 돌출되는 바디를 더 포함할 수 있고, 상기 제1전극과 상기 제2전극은 상기 바디 내에 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 반송 유닛은 핸드와; 상기 핸드의 상면에 제1반송대상물을 제1지지방식으로 지지하도록 제공되는 상부고정 부재와, 상기 핸드의 하면에 제2반송대상물을 제2지지방식으로 지지하도록 제공되는 하부고정 부재를 포함할 수 있고, 상기 제1지지방식과 상기 제2지지방식은 서로 상이한 방식으로 제공된다.
상기 제2지지방식은 정전기력에 의해 제2 반송 대상물을 지지할 수 있으며, 상기 제1지지방식은 진공 흡착 방식 또는 상기 핸드의 상면으로부터 돌출된 스토퍼를 이용하여 제1반송대상물의 측방향 이동을 제한하는 방식일 수 있다.
상기 제1반송대상물과 상기 제2반송대상물은 형상, 재질 또는 상부에서 바라볼 때 면적이 상이할 수 있으며, 제1반송대상물은 원형의 기판, 제2반송대상물은 상기 기판보다 큰 직경을 가지는 링 형상의 부재일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판에 대해 소정의 처리를 행하는 처리 유닛과; 상기 처리 유닛으로 기판을 반송하는 기판 반송 유닛을 포함하되, 상기 처리 유닛은, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과; 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하고, 상기 지지유닛은, 기판이 놓이는 지지체와; 상기 지지체에 놓인 기판을 둘러싸도록 제공되며, 상기 지지체로부터 착탈 가능하게 제공되는 에지 링을 포함하고, 상기 기판 반송 유닛은, 상면에 기판이 안착되는 핸드와, 상기 핸드에 제공되며, 정전기력으로 상기 에지 링을 상기 핸드의 저면에 고정시키는 고정 부재를 포함할 수 있다.
상기 에지 링은 기판을 감싸도록 배치되는 내측 링과 상기 내측 링을 감싸는 외측 링을 더 포함할 수 있다.
상기 에지 링은 포커스 링일 수 있다.
상기 에지 링은 실리콘 탄화물(SiC), 실리콘(Si) 또는 쿼츠(Quartz) 중 어느 하나의 재질일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은 처리공간을 가지는 공정 챔버 내에서 기판을 감싸는 에지 링이 제공된 지지 유닛으로 기판을 지지하고 기판에 대해 소정의 처리를 하는 기판 처리 장치를 이용할 수 있다.
상기 기판 처리 방법은, 처리공간으로 플라즈마를 발생하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계와, 에지 링을 유지 보수하는 유지보수 단계를 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 방법은 기판을 상기 처리공간으로 반입 또는 반출 시에는 핸드의 상면으로 기판을 지지하여 이송하고, 상기 유지보수 단계에서는 상기 핸드의 저면에 상기 에지 링을 고정 지지하여 상기 처리 공간으로부터 상기 에지 링을 반출할 수 있다.
상기 에지 링은 정전기력에 의해 상기 핸드의 저면에 지지될 수 있다.
상기 핸드에는 제1고정체와 제2고정체가 각각 제공되되, 상기 제1고정체는 상기 제2고정체에 비해 상기 핸드의 중심으로부터 멀리 이격되게 배치될 수 있고, 상기 에지 링은 기판을 감싸도록 배치되는 내측 링과 상기 내측 링을 감싸도록 배치되는 외측 링을 더 포함할 수 있다.
상기 핸드가 상기 내측 링을 처리 공간으로부터 반출할 때에는 상기 제1고정체에 의한 정전기력으로 상기 내측 링을 고정하고, 상기 핸드가 상기 외측 링을 처리 공간으로부터 반출할 때에는 상기 제2고정체에 의한 정전기력으로 상기 외측 링을 고정하여 기판을 처리할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치의 반송 유닛을 이용하여 처리 유닛 내에 배치된 에지 링(Ring)을 교체할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 유닛 내에 배치된 다양한 크기의 에지 링을 반송 유닛으로 교체할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 보다 단순한 구조로 처리 유닛 내의 에지 링을 교체할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 반송 유닛이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 반송 유닛을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 반송 유닛에 기판 및 링이 대응되는 크기를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 반송 유닛이 링을 저면에서 고정시킬 때 고정 부재의 배치 구조를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5의 반송 유닛이 포함하는 고정 부재의 구조를 도시한 도면이다.
도 7은 도 5의 반송 유닛의 일 실시예의 측면도이다.
도 8은 도 5의 반송 유닛의 또 다른 실시예의 측면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 고정 부재의 배치 구조를 나타내는 도면이다.
도 10 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 유닛을 이용하여 링을 이송하는 방법을 순차적으로 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
본 명세서 전체에서 사용되는 '~부'는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위로서, 예를 들어 소프트웨어, FPGA 또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미할 수 있다. 그렇지만 '~부'가 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부'는 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다.
일 예로서 '~부'는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로 코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들 및 변수들을 포함할 수 있다. 구성요소와 '~부'에서 제공하는 기능은 복수의 구성요소 및 '~부'들에 의해 분리되어 수행될 수도 있고, 다른 추가적인 구성요소와 통합될 수도 있다.
본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치라면, 다양하게 적용 가능하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(10), 로드락 모듈, 그리고 공정 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120), 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 로드락 모듈(30), 그리고 공정 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(120)에는 복수 개의 기판들(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 3 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(미도시)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18), 로드락 모듈(30) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
로드락 모듈(30)은 이송 프레임(140)과 반송 유닛(240) 사이에 배치된다. 로드락 모듈(30)은 공정 모듈(20)로 반입되는 기판(W)에 대해 인덱스 모듈(10)의 상압 분위기를 공정 모듈(20)의 진공 분위기로 치환하거나, 인덱스 모듈(10)로 반출되는 기판(W)에 대해 공정 모듈(20)의 진공 분위기를 인덱스 모듈(10)의 상압 분위기로 치환한다. 로드락 모듈(30)은 반송 유닛(240)과 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 로드락 모듈(30)은 로드락 챔버(32) 및 언로드락 챔버(34)를 포함한다.
로드락 챔버(32)는 인덱스 모듈(10)에서 공정 모듈(20)로 반송되는 기판(W)이 임시로 머무른다. 로드락 챔버(32)는 대기 상태에서 상압 분위기를 유지하며, 공정 모듈(20)에 대해 차단되는 반면, 인덱스 모듈(10)에 대해 개방된 상태를 유지한다. 로드락 챔버(32)에 기판(W)이 반입되면, 내부 공간을 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 각각에 대해 밀폐한다. 이후 로드락 챔버(32)의 내부 공간을 상압 분위기에서 진공 분위기로 치환하고, 인덱스 모듈(10)에 대해 차단된 상태에서 공정 모듈(20)에 대해 개방된다.
언로드락 챔버(34)는 공정 모듈(20)에서 인덱스 모듈(10)로 반송되는 기판(W)이 임시로 머무른다. 언로드락 챔버(34)는 대기 상태에서 진공 분위기를 유지하며, 인덱스 모듈(10)에 대해 차단되는 반면, 공정 모듈(20)에 대해 개방된 상태를 유지한다. 언로드락 챔버(34)에 기판(W)이 반입되면, 내부 공간을 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 각각에 대해 밀폐한다. 이후 언로드락 챔버(34)의 내부 공간을 진공 분위기에서 상압 분위기로 치환하고, 공정 모듈(20)에 대해 차단된 상태에서 인덱스 모듈(10)에 대해 개방된다.
공정 모듈(20)은 반송 유닛(240) 및 복수 개의 공정 챔버들을 포함한다.
반송 유닛(240)은 로드락 챔버(32), 언로드락 챔버(34), 그리고 복수 개의 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 유닛(240)은 반송 챔버(242) 및 반송 로봇(250)을 포함한다. 반송 챔버(242)는 육각형의 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 반송 챔버(242)는 직사각 또는 오각의 형상으로 제공될 수 있다. 반송 챔버(242)의 둘레에는 로드락 챔버(32), 언로드락 챔버(34), 그리고 복수 개의 공정 챔버들(260)이 위치된다. 반송 챔버(242)의 내부에는 기판(W)을 반송하기 위한 반송 공간(244)에 제공된다.
반송 로봇(250)은 반송 공간(244)에서 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(250)은 반송 챔버(240)의 중앙부에 위치될 수 있다. 반송 로봇(250)은 수평, 수직 방향으로 이동할 수 있고, 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전이 가능한 복수 개의 핸드들(252)을 가질 수 있다. 각 핸드(252)는 독립 구동이 가능하며, 기판(W)은 핸드(252)에 수평 상태로 안착될 수 있다.
아래에서는 공정 챔버(260)에 제공된 처리 유닛(1000)에 대해 설명한다. 처리 유닛은 기판(W)을 식각 처리하는 장치로 설명한다. 그러나 본 실시예의 처리 유닛은 식각 처리 장치에 한정되지 않으며, 가스를 이용한 처리 유닛이라면 다양하게 적용 가능하다.
도 2는 도 1의 처리 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 처리 유닛(1000)은 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1200), 가스 공급 유닛(1300), 플라즈마 소스(1400), 그리고 배기 배플(1500)을 포함한다.
챔버(1100)은 기판(W)이 처리되는 처리 공간(1106)을 가진다. 챔버(1100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 챔버(1100)은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(1100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(1100)의 일측벽에는 개구가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구는 도어(1120)에 의해 개폐된다. 챔버(1100)의 바닥면에는 하부홀(1150)이 형성된다. 하부홀(1150)에는 감압 부재(미도시)에 연결된다. 챔버(1100)의 처리 공간(1106)은 감압 부재에 의해 배기되며, 감압 분위기가 형성될 수 있다.
기판 지지 유닛(1200)은 처리 공간(1106)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(1200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(1200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
정전척(1200)은 유전판(1210), 베이스(1230), 그리고 에지 링(1250)을 포함한다. 유전판(1210)은 유전체 재질을 포함하는 유전판(1210)으로 제공된다. 유전판(1210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(1210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(1210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(1210)의 내부에는 내부 전극(1212)이 설치된다. 내부 전극(1212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가 받는다. 내부 전극(1212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(1210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(1210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(1214)가 설치된다. 히터(1214)는 내부 전극(1212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(1214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다.
베이스(1230)는 유전판(1210)을 지지한다. 베이스(1230)는 유전판(1210)의 아래에 위치되며, 유전판(1210)과 고정결합된다. 베이스(1230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(1230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(1210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(1230)의 내부에는 냉각 유로(1232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(1232)는 베이스(1230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(1234)과 연결된다. 고주파 전원(1234)은 베이스(1230)에 전력을 인가한다. 베이스(1230)에 인가된 전력은 챔버(1100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(1230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(1230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
에지 링(1250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 에지 링(1250)은 내측 링(1252) 및 외측 링(1254)을 포함한다. 내측 링(1252)은 유전판(1210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측 링(1252)은 베이스(1230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측 링(1252)의 일부는 유전판(1210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측 링(1252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 외측 링(1254)은 내측 링(1252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측 링(1254)은 베이스(1230)의 가장자리영역에서 내측 링(1252)과 인접하게 위치된다. 외측 링(1254)은 내측 링(1252)의 내측부에 비해 높은 상단을 가질 수 있다.
가스 공급 유닛(1300)은 기판 지지 유닛(1200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(1300)은 가스 저장부(1350), 가스 공급 라인(1330), 그리고 가스 유입 포트(1310)를 포함한다. 가스 공급 라인(1330)은 가스 저장부(1350) 및 가스 유입 포트(1310)를 연결한다. 가스 저장부(1350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(1330)을 통해 가스 유입 포트(1310)으로 공급한다. 가스 유입 포트(1310)는 챔버(1100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(1310)는 기판 지지 유닛(1200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(1310)는 챔버(1100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인(1330)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 그 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다.
플라즈마 소스(1400)는 챔버(1100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(1400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(1400)는 안테나(1410) 및 외부 전원(1430)을 포함한다. 안테나(1410)는 챔버(1100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(1410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부 전원(1430)과 연결된다. 안테나(1410)는 외부 전원(1430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(1410)는 챔버(1100)의 내부 공간에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
배기 배플(1500)은 처리 공간(1106)에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 배기 배플(1500)은 환형의 링 형상을 가진다. 배기 배플(1500)은 처리 공간(1106)에서 챔버(1100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(1200)의 사이에 위치된다. 배기 배플(1500)에는 복수의 배기홀들(1502)이 형성된다. 배기홀들(1502)은 상하 방향을 향하도록 제공된다. 배기홀들(1502)은 배기 배플(1500)의 상단에서 하단까지 연장되는 홀들로 제공된다. 배기홀들(1502)은 배기 배플(1500)의 원주방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 배기홀(1502)은 슬릿 형상을 가지며, 반경 방향을 향하는 길이 방향을 가진다.
다음은 상술한 반송 유닛(240)에 대해 보다 자세히 설명한다.
도 3은 도 1의 반송 유닛을 간단히 보여주는 도면이다. 반송 유닛(240)은 기판을 안착할 수 있는 핸드(252)와, 핸드 하부에 제공되는 고정 부재(253)를 포함할 수 있다. 상기 고정 부재(253)는, 반송 대상물을 핸드(252)의 저면에 정전기력으로 고정할 수 있다.
도 6은 본 발명에서의 고정 부재를 나타내는 도면이고, 도 7은 고정 부재와 핸드를 포함하는 반송 유닛의 측면도이며, 도 8은 다른 실시예의 반송 유닛의 측면도이다.
본 발명에서의 반송 유닛(240)은 고정 부재(253)를 포함할 수 있고, 고정 부재는 제1전극(255) 및 제2전극(256)을 포함할 수 있다. 제1전극(255)과 제2전극(256)은 서로 일정 거리 이격된 상태에서 나란하도록 배치되며, 서로 다른 극성으로 전압이 인가된다. 제1전극(255)에는 양의 전압, 제2전극(256)에는 음의 전극이 인가될 수 있으며 반대로 전압이 인가되는 것 역시 가능하다. 반송 유닛(240)은 제1전극과 제2전극에 서로 다른 극성의 전압을 인가하는 전압 인가부(270)를 포함할 수 있다. 상기 전압 인가부(270)는 제1전극(255) 및 제2전극(256)에 인가하는 전압의 극성 및 세기를 변화시킬 수 있다. 상기 전압 인가부(270)는 전원을 포함할 수 있다. 전압 인가부(270)와 복수의 고정 부재(253) 간의 연결관계에 있어서, 각각의 고정 부재(253)에 개별적으로 전원이 연결될 수도 있으며, 각각의 고정부재에 한 개의 전원이 연결되어 한꺼번에 전압을 인가할 수도 있다. 상기 제1전극(255)과 제2전극(256)에 서로 다른 극성의 전압이 인가되는 경우, 고정 부재와 맞닿은 실리콘 탄화물(SiC), 실리콘(Si), 또는 쿼츠(Quartz) 류의 재질을 가진 반송 대상물에 반대되는 극성의 전하가 대전되게 된다. 그로 인해 서로 반대되는 극성의 전하끼리의 정전기력이 발생하게 되어, 고정 부재(253)와 반송 대상물은 고정될 수 있다.
일 예에 의하면, 도 7과 같이 반송 유닛(240)의 핸드(252)에 포함된 고정 부재(253)는, 핸드(252)의 저면으로부터 아래로 돌출되는 바디(257)를 포함할 수 있고, 제1전극(255) 및 제2전극(256)은 상기 바디(257)의 내부에 포함되어 제공될 수 있다. 본 발명에서의 다른 실시예에 있어서, 도 8과 같이 고정 부재(253)는 돌출되지 아니하고 핸드(252)의 내부에 포함되어 제공될 수도 있다. 그러나 본 발명의 고정 부재는 정전척의 원리를 이용하여 반송 대상물과 접촉 및 고정하고 반송대상물을 이송하는 바, 돌출된 구조를 갖는 것이 안정적인 면에서 더 선호될 수 있다.
도 4는 본 발명에서의 반송 유닛의 핸드와 기판 및 링이 대응되는 위치를 상부에서 바라본 도면이다.
기판(W)은 처리 유닛(1000)에 포함되어 순차적으로 처리된다. 처리된 기판(W)은 반송 유닛(240)의 핸드(252)를 이용하여 처리 유닛(1000) 밖으로 이송되며, 기판을 처리하기 위해 처리 유닛 내부로 이송 될 때 역시 반송 유닛의 핸드(252)를 이용하여 이송된다. 기판은 반송 유닛(240)의 핸드(252)의 상면에 안착되어 이송된다.
상술한 바와 같이 처리 유닛(1000)에서 기판을 처리할 때, 기판의 둘레에는 하나 또는 복수의 에지 링(1250)이 제공된다. 에지 링(1250)은 포커스 링이거나 절연 링일 수 있다. 일 예에 의하면, 에지 링(1250)은 내측 링(1252) 및 외측 링(1254)을 포함하도록 구성될 수 있다. 이 경우, 내측 링(1252)과 외측 링(1254)은 모두 동일 재질의 포커스 링일 수 있다. 선택적으로 내측 링(1252)은 포커스 링이고 외측 링(1254)은 절연 링일 수 있다. 내측 링(1252)은 기판을 감싸도록 배치될 수 있고, 외측 링(1254)은 상기 내측 링을 감싸도록 배치될 수 있다. 그러나 에지 링(1250)은 단일의 링으로 구성될 수도 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 유닛을 나타낸 도면이다. 도 5의 에지 링(1250)은 단일 링으로 구성된다. 반송 유닛(240)은 에지 링(1250)을 이송하기 위하여 에지 링(1250)과 대응하는 위치의 핸드(252)에 고정 부재(253)를 포함할 수 있다. 본 실시 예에서는 핸드(252)의 가장자리 부분에 고정 부재(253)가 4개가 포함되는 실시 예가 개시되었으나, 이는 일 실시 예에 불과할 뿐이며 고정 부재(253)의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 고정 부재(253)는 복수개가 제공될 수 있으며, 고정 부재(253)들은 서로 조합되어 상기 핸드(252)의 중심을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 복수의 고정 부재(253)들에는 전압 인가부(270)에 의해 전압이 인가될 수 있다. 각각의 고정 부재(253)들이 포함하는 제1전극(255) 및 제2전극(256)에 상이한 극성의 전압이 각각 인가되고, 각 모서리에 위치한 고정 부재(253)들에 접촉하는 반송 대상물의 접촉 부위에 정전하가 대전되어 정전기력이 발생한다. 그로 인해 반송 대상물과 고정 부재는 고정되고, 반송 대상물에 균형 있게 작용하는 정전기력으로 인해 반송 대상물을 안전하게 처리 유닛(1000) 외부로 이송하는 것이 가능하다.
도 9는 본 발명에서의 반송 유닛의 또 다른 실시예에 있어서 반송 유닛의 고정 부재가 배치된 것을 상부에서 바라본 도면이다.
본 발명의 다른 실시 예에서, 반송 유닛(240)은 마찬가지로 상면을 이용하여 기판을 이송하며, 저면을 이용하여 링을 이송한다. 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 고정시키기 위하여 내측 링(1252)과 외측 링(1254)을 함께 사용하는 경우를 고려한다. 외측 링(1254)은 내측 링(1252)을 감싸도록 배치된다.
반송 유닛(240)은 제1크기의 제1부재를 고정하는 제1고정체(265)와, 상기 제1크기와 상이한 제2크기의 제2부재를 고정하는 제2고정체(266)를 포함할 수 있다. 상기 제1고정체(265)와 상기 제2고정체(266)는 복수의 고정 부재(253)를 포함할 수 있다. 상기 반송 유닛(240)은 전압 인가부(270)를 포함할 수 있으며, 본 실시예에 의하면, 전압 인가부(270)는 제1전원(271), 제2전원(272), 그리고 제어부(275)를 포함한다. 제1전원(271)은 제1고정체(265)와 연결된다. 제2전원(272)은 제2고정체(266)와 연결된다. 제어부(275)는 제1고정체(265)에 연결되는 제1전원(271)과 제2고정체(266)에 연결되는 제2전원(272)을 각각 독립적으로 제어할 수 있다. 상기 제1부재는 외측 링(1254)일 수 있으며, 상기 제2부재는 내측 링(1252)일 수 있다. 제1부재와 대응되는 위치에 배치되는 제1고정체(265)는 제2부재와 대응되는 위치에 배치되는 제2고정체(266)에 비해 상부에서 바라볼 때 상기 핸드(252)의 중심으로부터 더 멀리 이격되게 배치될 수 있다. 일반적인 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 고정할 때 내측 링과 외측 링을 포함하는 에지 링을 대부분 사용한다. 그러나 내측 링과 외측 링의 사용 주기는 각각 다르기 때문에, 그에 따라 교체 주기 역시 달라지게 된다. 본 실시예의 제어부(275)는 내측 링(1252) 및 외측 링(1254)의 교체 주기를 파악하여, 내측 링의 교체 시기에 해당될 경우, 내측 링과 대응하는 제2고정체(266)와 연결된 제2전원(272)에 전압을 인가하도록 제어한다. 그럴 경우 외측 링이 아닌 내측 링만을 용이하게 제거할 수 있다. 동일한 원리로, 제어부(275)는 외측 링의 교체 시기에 해당할 경우 외측 링과 대응하는 제1고정체(265)와 연결된 제1전원(271)에 전압을 인가하도록 제어한다. 결과적으로 내측 링이 아닌 외측 링만을 용이하게 제거할 수 있다. 즉 원하는 링과 대응하는 위치의 고정체에 전압을 인가함으로써 선별적으로 링을 제거 및 교체가 가능하다.
본 발명에서 도시하지는 아니하였으나, 내측 링과 외측 링의 교체 주기가 겹치는 경우, 제1전원(271)과 제2전원(272)에 모두 전압을 가하여 내측 링과 외측 링을 동시에 교체하는 것 역시 가능할 것이다.
또한, 상기 기재한 실시예 및 도면에서는 4개의 고정 부재 혹은 8개의 고정 부재가 핸드의 저면에 고정되어 설치되는 방식을 예시하였으나, 고정 부재(253)는 반송 유닛(240)의 핸드(252)의 저면에서 적어도 하나 이상이 다양하게 배치될 수 있다. 고정 부재는 반송 대상물과 대응하는 위치에 있어서, 반송 대상물을 들어올릴 수 있는 힘이 제공되는 위치 및 개수이면 충분하다. 본 실시 예에서는 핸드(252)가 양 끝이 갈라진 모양임을 고려하여 원형의 형상을 가지는 링을 들어올리기 위해 모서리 부에 8개의 고정 부재(253)를 포함하는 것을 일 실시 예로 개시하였으나, 본 발명에서의 핸드는 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 핸드가 양 끝이 갈라지지 아니하고 원형의 판 모양일 수도 있으며, 이러할 경우 120도의 각도를 이루도록 고정 부재가 배치될 수도 있으며, 180도의 각도를 이루도록 고정 부재가 배치될 수도 있음은 통상의 기술자에게 명확할 것이다.
상기에서 설명한 반송 유닛(240)은, 모두 핸드의 하부에서 정전력을 이용하여 반송 대상물을 고정시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 일 실시 예에서의 반송 유닛(240)은 핸드(252)를 포함하며, 상부고정부재 및 하부고정부재를 포함할 수 있다. 상부고정부재는 핸드의 상면에 제1반송대상물을 제1지지방식으로 지지하도록 제공될 수 있으며, 하부고정부재는 핸드의 하면에 제2반송대상물을 제2지지방식으로 지지하도록 제공될 수 있다. 제1지지방식과 제2지지방식은 상이한 방식일 수 있다. 제1반송대상물은 원형의 기판일 수 있으며, 제2반송대상물은 기판보다 큰 직경을 가지는 링 형상의 부재일 수 있다. 제2반송대상물은 기판을 둘러싸는 링일 수 있다. 기판을 상면에서 지지하는 방식은 진공으로 흡착하는 방식일 수 있다. 이 경우 핸드 상부의 표면에는 제1반송 대상물을 흡착하기 위한 통기 구멍이 형성될 수 있으며, 흡입 구멍에 연결된 진공펌프에 의해 감압할 경우, 감압상태가 됨으로써 고정할 수 있다. 혹은 다른 방식으로써 기판의 이동을 저지하기 위한 스토퍼가 핸드의 상면에 구비될 수 있으며, 상기 스토퍼로 인해 기판이 지지 및 고정될 수 있다. 제2반송대상물을 고정하는 방식은 상기 설명한 바와 같이 정전기력을 이용하여 고정할 수 있다. 즉 챔버 유닛의 구조 상 핸드의 상면으로는 기판을, 핸드의 저면으로는 기판을 둘러싸는 링을 이송 및 교체하는 바, 제1반송대상물인 기판과 제2반송대상물인 링은 형상, 재질 및 면적이 상이할 수 있다. 그러나 제2반송대상물은 링에만 한정되는 것은 아니며, 기판과 유사한 재질을 지니며 기판 이외의 다른 구조물 부재이며, 기판과 유사한 재질을 지니는 대상물의 경우에도 적용될 수 있다.
도 10 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 유닛을 이용하여 링을 제거하는 방법을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 10에서는, 처리 유닛(1000) 내부로 반송 유닛(240)이 반입된다. 이 때, 반송 유닛(240)은 기판을 이송하지 아니한다. 도 11에서는, 처리 유닛(1000) 내부로 반입된 반송 유닛의 핸드(252)가 기판(W)을 이송하는 위치에 대응하는 수평적인 위치에 배치된다. 도 12에서는, 반송 유닛의 핸드(252)가 기판(W)을 이송하는 수평 위치에 배치된 이후 반송 대상물을 향해 수직 방향으로 이동된다. 반송 유닛(240)의 핸드(252)가 반송 대상물과 대응하는 위치에 제공되며, 상기 반송 유닛(240)은 정전력을 가했을 때 정전력이 반송 대상물에 미칠 수 있는 거리까지 수직 방향으로 이동된다. 이 때, 핸드(252)의 저면과 반송 대상물 또는 핸드(252)의 저면에 돌출된 바디(257)와 반송 대상물은 접촉할 수 있다.
도 13에서는, 핸드(252) 내의 고정 부재(253)에 포함된 전극에 연결된 전원에 의해 전극에 전압이 가해진다. 그로 인해 정전력이 발생하게 되며, 반송 대상물인 링은 가해진 정전력에 의해 전하가 재배치되게 된다. 즉 정전력을 이용하여 링을 흡착할 수 있다. 정전력으로 인해 외측 링(1254)이 핸드(252)의 저면에 고정되면, 반송 유닛(240)은 처리 유닛(1000)의 외부로 외측 링(1254)을 반송할 수 있는 수직적인 위치로 이동되게 된다. 도 14에서는, 반송 유닛(240)이 수평적으로 이동되어 링을 처리 유닛 외부로 반송할 수 있다.
도면상으로 도시하지는 않았으나, 링을 처리 유닛 외부로 이송한 이후에는 디척킹 방식을 이용하여 링을 핸드로부터 탈착할 수 있다.
상기 도시한 도 10 내지 도 14에서는 외측 링(1254)을 제거하는 도면을 나타낸 것이나, 내측 링(1252)을 제거하는 것 역시 유사하다. 도 12 내지 도 13의 과정에서, 상기 설명한 바에 의하면 반송 유닛(240)의 제어부(275)에서는 외측 링(1254)을 제거하기 위해 제1고정체와 연결된 제1전원(271)에 전압을 인가하여, 외측 링을 고정시킨 후 외측 링을 교체하였다. 내측 링(1252)을 제거하기 위해서는 반송 유닛(240)의 제어부(275)에서 제2고정체와 연결된 전원에 전압을 인가할 수 있다. 기판이 대응되는 위치에 수직적으로 배치되었을 때 전압이 인가되고, 정전력으로 인해 내측 링이 고정 부재에 고정될 수 있다.
이하에서는, 본 발명에서의 반송 유닛 및 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다.
본 발명의 처리 유닛(1000)에서는 플라즈마를 이용하여 기판이 처리된다. 이 때 처리되는 기판은 반송 유닛을 이용하여 처리 유닛 내부로 이송된다. 핸드의 상면에 안착되어 이송되는 기판은 진공 흡착 방식을 사용하거나, 스토퍼를 이용한 지지 방식으로 고정되어 이송될 수 있다. 처리 유닛에 기판을 이송한 이후 반송 유닛은 처리 유닛 외부로 옮겨진다. 기판에 기판 처리 단계가 완료되면, 에지 링의 식각 여부를 판단한다. 에지 링의 외측 링 혹은 내측 링이 식각 되었을 경우, 교체 대상이 되는 대상물을 선정한다. 외측 링과 대응되는 제1고정체, 내측 링과 대응되는 제2고정체 중 교체 대상이 되는 링과 대응되는 고정체에 전압을 인가한다. 인가된 전압으로 인한 정전기력이 발생하고, 그로 인해 제1고정체와 외측 링 혹은 제2고정체와 내측 링은 고정된다. 고정된 링을 처리 유닛 외부로 이송하여 효율적으로 기판 처리를 진행할 수 있다.
이상의 실시예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명에서 제공되는 도면은 본 발명의 최적의 실시예를 도시한 것에 불과하다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.
240 : 반송 유닛 252 : 핸드
253 : 고정 부재 255 : 제1전극
256 : 제2전극 257 : 바디
265 : 제1고정체 266 : 제2고정체
270 : 전압 인가부 271 : 제1전원
272 : 제2전원 275 : 제어부
1000 : 처리 유닛 1252 : 내측 링
1254 : 외측 링

Claims (24)

  1. 부재를 반송하는 반송 유닛에 있어서,
    핸드와;
    상기 핸드에 제공되며, 반송 대상물을 상기 핸드의 저면에 정전기력으로 고정하는 고정 부재;를 포함하고,
    상기 고정 부재는,
    제1전극과;
    제2전극;을 포함하고,
    상기 반송 유닛은 상기 제1전극과 상기 제2전극에 서로 다른 극성의 전압을 인가하는 전압 인가부;를 더 포함하고,
    상기 반송 유닛은,
    제1크기의 제1부재를 고정하는 제1 고정체와;
    상기 제1크기와 상이한 제2크기의 제2부재를 고정하는 제2 고정체; 를 포함하고,
    상기 제1 고정체와 상기 제2 고정체는 각각 복수의 상기 고정 부재를 포함하며, 상기 전압 인가부는,
    상기 제1 고정체에 연결되는 제1전원과;
    상기 제2 고정체에 연결되는 제2전원과; 그리고
    상기 제1전원과 상기 제2전원을 각각 독립적으로 제어하는 제어부;를 포함하는 반송 유닛.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 고정체는 상기 제2 고정체에 비해 상부에서 바라볼 때 상기 핸드의 중심으로부터 더 멀리 이격되게 배치되는 것을 특징으로 하는 반송 유닛.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 고정 부재는 복수 개가 제공되고, 상기 복수 개의 고정 부재들은 서로 조합되어 상기 핸드의 중심을 둘러싸도록 배치되는 반송 유닛.
  7. 제1항, 제5항 내지 제6항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 고정 부재는 상기 핸드의 저면으로부터 아래로 돌출되는 바디를 더 포함하고,
    상기 제1전극과 상기 제2전극은 상기 바디 내에 제공되는 반송 유닛.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판에 대해 소정의 처리를 행하는 처리 유닛과;
    상기 처리 유닛으로 기판을 반송하는 기판 반송 유닛을 포함하되,
    상기 처리 유닛은,
    내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과;
    상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하고,
    상기 지지유닛은,
    기판이 놓이는 지지체와;
    상기 지지체에 놓인 기판을 둘러싸도록 제공되며, 상기 지지체로부터 착탈 가능하게 제공되는 에지 링을 포함하고,
    상기 기판 반송 유닛은,
    상면에 기판이 안착되는 핸드와,
    상기 핸드에 제공되며, 정전기력으로 상기 에지 링을 상기 핸드의 저면에 고정시키는 고정 부재를 포함하고,
    상기 고정 부재는,
    제1전극과;
    제2전극;을 포함하고,
    상기 반송 유닛은 상기 제1전극과 상기 제2전극에 서로 다른 극성의 전압을 인가하는 전압 인가부;를 더 포함하고,
    상기 에지 링은,
    기판을 감싸도록 배치되는 내측 링과;
    상기 내측 링을 감싸도록 배치되는 외측 링을 더 포함하고,
    상기 반송 유닛은,
    상기 내측 링을 고정하는 제1 고정체; 와
    상기 외측 링을 고정하는 제2 고정체; 를 포함하고,
    상기 제1 고정체와 상기 제2 고정체는 각각 복수의 상기 고정 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제13항에 있어서,
    상기 전압 인가부는,
    상기 제1 고정체에 연결되는 제1전원과;
    상기 제2 고정체에 연결되는 제2전원과; 그리고
    상기 제1전원과 상기 제2전원을 각각 독립적으로 제어하는 제어부;를 포함하는 기판 처리 장치
  17. 제13항에 있어서,
    상기 제1 고정체는 상기 제2 고정체에 비해 상부에서 바라볼 때 상기 핸드의 중심으로부터 더 멀리 이격되게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 고정 부재는 복수 개가 제공되고, 상기 복수 개의 고정 부재들은 서로 조합되어 상기 핸드의 중심을 둘러싸도록 배치되는 기판 처리 장치.
  19. 제13항, 제16항 내지 제18항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 고정 부재는 상기 핸드의 저면으로부터 아래로 돌출되는 바디를 더 포함하고,
    상기 제1전극과 상기 제2전극은 상기 바디 내에 제공되는 기판 처리 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 에지 링은 포커스 링인 기판 처리 장치.
  21. 제19항에 있어서, 상기 에지 링은 실리콘 탄화물(SiC), 실리콘(Si) 또는 쿼츠(Quartz)의 재질 중 어느 하나인 기판 처리 장치.
  22. 처리공간을 가지는 공정 챔버 내에서 기판을 감싸는 에지 링이 제공된 지지 유닛으로 기판을 지지하고 상기 기판에 대해 소정의 처리를 하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 처리공간으로 플라즈마를 발생하여 상기 기판을 처리하는 기판처리 단계와;
    상기 에지 링을 유지 보수하는 유지보수 단계를 포함하되;
    상기 기판을 상기 처리공간으로 반입 또는 반출 시에는 핸드의 상면으로 기판을 지지하여 이송하고,
    상기 유지보수 단계에서는 상기 핸드의 저면에 상기 에지 링을 고정 지지하여 상기 처리 공간으로부터 상기 에지 링을 반출하며,
    상기 핸드에는 제1 크기의 제1 부재를 고정하는 제1고정체와, 상기 제1 크기와 상이한 제2 크기의 제2 부재를 고정하는 제2고정체가 각각 제공되되, 상기 제2고정체는 상기 제1고정체에 비해 상기 핸드의 중심으로부터 멀리 이격되게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 에지 링은 정전기력에 의해 상기 핸드의 저면에 지지되는 기판 처리 방법.
  24. 제22항 또는 23항에 있어서,
    상기 에지 링은,
    기판을 감싸도록 배치되는 내측 링과;
    상기 내측 링을 감싸도록 배치되는 외측 링을 더 포함하고,
    상기 핸드가 상기 내측 링을 처리 공간으로부터 반출할 때에는 상기 제1고정체에 의한 정전기력으로 상기 내측 링을 고정하고,
    상기 핸드가 상기 외측 링을 처리 공간으로부터 반출할 때에는 상기 제2고정체에 의한 정전기력으로 상기 외측 링을 고정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.

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