CN110504202B - 传送单元及包括该传送单元的基板处理装置 - Google Patents

传送单元及包括该传送单元的基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110504202B
CN110504202B CN201910414145.9A CN201910414145A CN110504202B CN 110504202 B CN110504202 B CN 110504202B CN 201910414145 A CN201910414145 A CN 201910414145A CN 110504202 B CN110504202 B CN 110504202B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
hand
transfer unit
electrode
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910414145.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110504202A (zh
Inventor
金炯俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN110504202A publication Critical patent/CN110504202A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110504202B publication Critical patent/CN110504202B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3288—Maintenance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

基板处理装置包括处理单元和将基板传送到处理单元中的传送单元。传送单元包括在处理腔室中支承基板的支承单元。支承单元包括：支承件，基板放置在所述支承件上；和边缘环，其围绕放置在支承件上的基板，且与支承件是可分离的。传送单元包括：手，其具有顶侧，基板放置在顶侧；和固定构件，其设置在手中，并使用静电力将所述边缘环固定至所述手的底侧。固定构件包括第一电极和第二电极，并且传送单元还包括电压施加设备，其将不同极性的电压施加到第一电极和第二电极。

Description

传送单元及包括该传送单元的基板处理装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年05月17日提交韩国工业产权局、申请号为10-2018-0056275的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文描述的本发明构思的实施方式涉及一种传送单元及包括该传送单元的基板处理装置。
背景技术
为了制造半导体设备，在基板上执行诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁等各种工艺，以在基板上形成所需的图案。在上述工艺中的蚀刻工艺中使用的蚀刻工艺设备中，考虑到部件被蚀刻的数量和其中电场的变化，必须更换在预定时间段内使用的部件。特别是，基板处理装置主要使用静电吸盘来夹持基板。设置在静电吸盘周围以围绕基板的边缘环直接暴露于化学蚀刻和物理蚀刻，因此该边缘环被快速蚀刻。因此，边缘环必须频繁地替换。在相关技术中，在腔室处于大气压力的情况下，边缘环由工人手动地替换，或者边缘环通过使用围绕吸盘的升降致动器来替换。然而，这些方法需要许多驱动部件，因此在产生颗粒产生方面存在问题并且无法控制驱动构件。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了一种用于有效替换设置在基板处理装置以围绕基板的环的装置。
本发明构思的实施方式提供了一种用于传送设置在基板处理装置中的不同尺寸的环的装置。
本发明构思的实施方式提供了一种基板处理装置和一种用于有效处理基板的传送单元。
根据一示例性实施方式，用于传送构件的传送单元包括手和固定构件，所述固定构件设置在所述手中，且使用静电力将待传送的物体固定至所述手的底侧。
固定构件可包括第一电极和第二电极，并且所述传送单元还可以包括电压施加设备，所述电压施加设备向所述第一电极和所述第二电极施加不同极性的电压。
可以提供多个固定构件，并且所述多个固定构件可以彼此结合以围绕所述手的中心。
传送单元还可包括：第一固定体，其固定第一尺寸的第一构件，和第二固定体，其固定与第一尺寸不同的第二尺寸的第二构件。所述第一固定主体和所述第二固定主体中的每个可包括所述多个固定构件。
所述电压施加设备可包括：第一电源，其连接至所述第一固定体；第二电源，其连接至所述第二固定体；和控制器，其独立地控制所述第一电源和所述第二电源。
从上方观察时，所述第一固定主体可位于比所述第二固定主体离所述手的中心更远的位置。
以上陈述的固定构件还可以包括从所述手的底侧向下突出的主体，并且所述第一电极和所述第二电极设置在所述主体中。
根据一示例性的实施方式，传送单元包括手，上固定构件，其使得第一物体通过第一支承方法支承于所述手的顶侧；和下固定构件，其使得第二物体通过第二支承方法支承于所述手的底侧。所述第一支承方法和所述第二支承方法彼此不同。
所述第二支承方法可以为通过静电力支承所述第二物体的方法。所述第一支承方法可以为通过使用真空压力或从所述手的顶侧突出的限位器限制所述第一物体的横向移动的方法。
从上方观察时，在形状、材料或面积方面所述第一物体与所述第二物体不同。所述第一物体可为圆形基板，所述第二物体可为具有比所述基板大的直径的环形构件。
根据一示例性的实施方式，一种用于处理基板的装置包括处理单元，其在所述基板上执行预定的处理；和传送单元，其将所述基板传送到处理单元中。所述处理单元包括：处理腔室，其内部具有处理空间；支承单元，其在所述处理腔室中支承所述基板；气体供应单元，其将处理气体供应至所述处理空间中；和等离子体源，其从所述处理气体中产生等离子体。所述支承单元包括：支承件，所述基板放置在所述支承件上；和边缘环，其绕放置在支承件上的基板，且边缘环与支承件是可分离的。所述传送单元包括：手，其具有顶侧，所述基板放置在所述顶侧；固定构件，其设置在所述手中，固定构件使用静电力将所述边缘环固定至所述手的底侧。
所述边缘环可以包括：内环，其设置成围绕所述基板；和外环，其设置成围绕所述内环。
所述边缘环可以为聚焦环。
所述边缘环可以由碳化硅(SiC)、硅(Si)或石英中任一种制成。
根据一示例性实施方式，一种使用基板处理装置处理基板的方法，所述基板处理装置在基板上执行预定的处理，所述基板支承于在其内具有处理空间的处理腔室中的支承单元上，其中所述支承单元包括围绕所述基板的边缘环。
所述基板处理方法包括在处理空间中通过产生等离子体处理所述基板的基板处理步骤；和维修所述边缘环的维修步骤。
当所述基板放置在所述处理空间中或从所述处理空间中取出时，所述基板支承于所述手的顶侧，且在所述维修步骤中，所述边缘环在支承于和固定至所述手的底侧的状态下从所述处理空间中取出。
所述边缘环可以通过静电力支承于所述手的底侧。
所述手可以包括第一固定主体和所述第二固定主体，并且所述第一固定主体可以位于比所述第二固定主体离所述手的中心更远的位置。所述边缘环可以包括：内环，其设置成围绕所述基板；和外环，其设置成围绕所述内环。
当从所述处理空间中取出所述内环时，所述手通过第二固定主体用静电力固定所述内环，且当从所述处理空间中取出所述外环时，所述手通过第一固定主体用静电力固定所述外环。
附图说明
通过参考以下附图，从以下描述中，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则在各个附图中，相同的附图标记指代相同的部件，并且其中：
图1为示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理设备的平面图；
图2为示出了图1的处理单元的剖视图；
图3为示出了图1的传送单元的视图；
图4为示出了对应于图3的传送单元的基板和环的尺寸的视图；
图5为示出了当图4的传送单元将环固定至其底侧时固定构件的布置结构的视图；
图6为示出了包括在图5的传送单元中的固定构件的结构的视图；
图7为示出了图5的传送单元的一个实施方式的侧视图；
图8为示出了图5的传送单元的另一个实施方式的侧视图；
图9为示出了根据本发明构思的另一个实施方式的固定构件的布置结构的视图；和
图10至图14为顺序地示出了通过使用根据本发明构思的实施方式的传送单元传送环的方法的视图。
具体实施方式
下文中，将参考附图详细描述本发明构思的实施方式，以便本发明构思所属领域的技术人员可以容易地实现本发明构思。然而，本发明构思可以以各种不同的形式执行，并不限于本文描述的实施方式。此外，在描述本发明构思的实施方式中，当已知的功能和配置可能使本发明构思的主题未必难以理解时，与它们相关的详细描述将被省略。另外，在整个附图中，执行相似的功能和操作的部件具有相同的附图标记。
说明书中的术语“包括(include)”和“包括(comprise)”为“开放式”表述，仅为了说明存在相应的组件，并且除非另有特别的说明，否则不排除但可能包括其他部件。特别地，应当理解的是，术语“包括”、“包含”和“具有”，在本文中使用时，特指存在所述特征、整数、步骤、操作、组件和/或部件，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、部件和/或其组。
诸如第一、第二等的术语可以用于描述不同的组件，但该组件不应受术语的限制。术语可以仅用于区别一个组件与其他组件。例如，在不脱离本发明构思的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，相类似地，第二组件也可以被称为第一组件。
除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，在附图中，组件的形状和尺寸可被夸大以为清楚的说明。
在整个说明书中，术语，组件“～单元”指的是软件组件或硬件部件，例如FPGA或ASIC，并执行至少一种功能和操作。然而，应当理解的是，组件“～单元”不限制于软件组件或硬件组件。组件“～单元”可以在存储介质中执行，该存储介质能够通过地址指定。组件“～单元”还可以配置为再生一个或多个处理器。
例如，组件“～单元”可以包括各种类型的组件(例如，软件组件、面对对象的软件组件、类组件和任务组件)、工艺、功能、属性、程序、子程序、程序代码的片段、驱动器、固件、微代码、电路、数据、数据库、数据结构、表、阵列和变量。由组件和组件“～单元”提供的功能可以通过多个组件和组件“～单元”来分别执行，并且还可以与其他附加组件集成。
下文中，将描述根据本发明构思的实施方式的使用等离子体蚀刻基板的基板处理装置。然而，并不限制于此，本发明构思适用于各种使用气体处理基板的装置。
图1为示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理设备的平面图。
参考图1，基板处理设备1具有索引模块10、装载互锁(load-lock)模块30和处理模块20。索引模块10具有装载端口120和传送框架140。装载端口120、传送框架140和处理模块20顺序地布置成一排。在下文中，布置有装载端口120、传送框架140、装载互锁模块30和处理模块20的方向被称为第一方向12，当从上方观察时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，以及垂直于包括第一方向12和第二方向14的平面的方向被称为第三方向16。
装载端口120上放置有载体18，每个载体18具有容纳于其中的多个基板W。多个装载端口120沿第二方向14布置成一排。图1示出了索引模块10具有三个装载端口120的一个实施例。然而，装载端口120的数量可以根据诸如处理模块20的处理效率和占地面积来增加或减少。每个载体18具有形成于其中的多个插槽(未示出)以支承基板W的边缘。该多个插槽沿第三方向16布置，并且基板W沿第三方向16在载体18中上下彼此堆叠，其间具有间隔的间隙。前开式晶圆盒(front opening unified pod,FOUP)可以用作为载体18。
传送框架140在放置在装载端口120上的载体18和装载互锁模块30之间传送基板W。索引轨道142和索引机械手144设置在传送框架140中。索引轨道142布置成使得其长度方向平行于第二方向14。索引机械手144安装在索引轨道142上并在第二方向14上沿索引轨道142线性移动。索引机械手144具有基部144a、主体144b和多个索引臂144c。基部144a沿索引轨道142是可移动的。主体144b耦合至基部144a。主体144b在基部144a上沿第三方向16是可移动的。此外，主体144b在基部144a上是可旋转的。索引臂144c耦合至主体144b并且相对于主体144b向前和向后是可移动的。多个索引臂144c可以单独操作。索引臂144c沿第三方向16上下彼此堆叠，其间具有间隔的间隙。一些索引臂144c从可以用于将基板W从装载互锁模块30传送至载体18，其他的索引臂144c可以用于将基板W从载体18传送至装载互锁模块30。因此，可以防止待处理的基板W产生的颗粒粘附到在工艺中处理后的基板W上，在工艺中，索引机械手144在载体18和装载互锁模块30之间传送基板W。
装载互锁模块30设置在传送框架140和传送单元240之间。装载互锁模块30用处理模块20的真空气氛替换索引模块10的大气气氛以将基板W传送至处理模块20，或者用索引模块10的大气气氛替换处理模块20的真空气氛以将基板W传送至索引模块10。装载互锁模块30提供空间，在传送单元240和传送框架140之间传送基板W之前，该基板W基板停留在该空间中。装载互锁模块30包括装载互锁腔室32和卸载互锁腔室34。
装载互锁腔室32提供空间，待从索引模块10传送至处理模块20的基板W暂时停留在该空间中。装载互锁腔室32在待机状态保持大气气氛，并且朝着处理模块20关闭，但是朝着索引模块10打开。当基板W放置在装载互锁腔室32中时，装载互锁腔室32的内部空间对于索引模块10和处理模块20密封。其后，装载互锁腔室32中的大气气氛用真空气氛来替换，并且装载互锁腔室32在朝着索引模块10关闭的状态下朝着处理模块20打开。
卸载互锁腔室34提供空间，待从处理模块20传送至索引模块10的基板W暂时停留在该空间中。卸载互锁腔室34在待机状态保持真空气氛，并且朝着索引模块10关闭，但是朝着处理模块20打开。当基板W放置在卸载互锁腔室34中时，卸载互锁腔室34的内部空间对于索引模块10和处理模块20密封。其后，卸载互锁腔室34中的真空气氛用大气气氛来替换，并且卸载互锁腔室34在朝着处理模块20是关闭的状态下朝着索引模块10打开。
处理模块20包括传送单元240和多个处理腔室260。
传送单元240在装载互锁腔室32、卸载互锁腔室34和多个处理腔室260之间传送基板W。传送单元240包括传送腔室242和传送机械手250。传送腔室242可具有六边形形状。可选地，传送腔室242可具有矩形或五边形形状。装载互锁腔室32、卸载互锁腔室34和多个处理腔室260位于传送腔室242周围。用于传送基板W的传送空间244设置在传送腔室242中。
传送机械手250在传送空间244中传送基板W。传送机械手250可以位于传送腔室240的中间。传送机械手250可具有多个手(hand)252，该多个手252在水平方向和垂直方向上为可移动的，并且在水平面上为向前和向后可移动的或者可旋转的。每个手252独立操作，并且基板W可以水平地放置在手252上。
以下将描述每个处理腔室260中设置的处理单元1000。处理单元1000被描述为用于蚀刻基板W的装置。然而，并非限制于此，处理单元1000适用于使用气体的各种处理单元。
图2为示出了图1的处理单元的剖视图。参照图2，处理单元1000包括腔室1100、基板支承单元1200、气体供应单元1300、等离子体源1400和排气挡板1500。
腔室1100具有在其中处理基板W的处理空间1106。腔室1100具有圆柱形状。腔室1100由金属制成。例如，腔室1100可以由铝制成。腔室1100具有形成在其一个侧壁中的开口。开口用作入口，基板W通过该入口从腔室1100中取出或放置在腔室1100中。开口通过门1120关闭或打开。腔室1100具有形成于其底部的底孔1150。减压构件(未示出)连接至底孔1150。腔室1100的处理空间1106可以通过减压构件排气，并可在处理空间1106中形成减压气氛。
支承单元1200在处理空间1106中支承基板W。基板支承单元1200可以为使用静电力支承基板W的静电吸盘1200。可选地，基板支承单元1200可以通过各种方法支承基板W，例如，机械夹持。
静电吸盘1200包括介电板1210、基部1230和边缘环1250。介电板1210包括介电材料。基板W直接放置在介电板1210的顶侧。介电板1210具有圆形板形状。介电板1210可具有比基板W小的半径。介电板1210具有安装在其中的内电极1212。内电极1212连接至电源(未示出)并接收来自于电源(未示出)的电能。内电极1212通过使用施加的电能(未示出)将静电力施加至基板W，以将基板W夹持到介电板1210。介电板1210具有安装在其中的加热器1214以加热基板W。加热器1214可以位于内电极1212的下方。加热器1214可具有螺旋线圈形状。
基部1230支承介电板1210。基部1230位于介电板1210的下方，并固定地耦合至介电板1210。基部1230具有阶梯式的上表面，基部1230的中心区域处于高于边缘区域的位置。基部1230的上表面的中心区域具有与介电板1210的底侧对应的区域。基部1230具有形成于其中的冷却管线1232。冷却管线1232用作冷却流体循环的通道。冷却管线1232可以在基部1230中形成为螺旋形状。基部1230连接至位于外部的RF电源1234。RF电源1234将电能施加至基部1230。施加至基部1230的电能将腔室1100中产生的等离子体引向基部1230。基部1230可以由金属制成。
边缘环1250将等离子体聚集到基板W上。边缘环1250包括内环1252和外环1254。内环1252具有围绕介电板1210的环孔形状。内环1252位于基部1230的外围。内环1252的一部分与介电板1210的顶侧齐平。内环1252的上表面的内部外围部分支承基板W的背侧的边缘区域。外环1254具有围绕内环1252的环孔形状。外环1254位于基部1230的边缘区域上的内环1252附近。外环1254可具有比内环1252的内部外围部分高的上端。
气体供应单元1300将处理气体供应至支承于基板支承单元1200上的基板W。气体供应单元1300包括气体储存器1350、气体供应管线1330和气体进气口1310。气体供应管线1330连接气体储存器1350和气体进气口1310。储存在气体储存器1350中的处理气体通过气体供应管线1330供应至气体进气口1310。气体进气口1310安装在腔室1100的上壁中。气体进气口1310位于面向基板支承单元1200的位置。根据一实施方式，气体进气口1310可以安装在腔室1100的上壁的中心。阀门可以安装在气体供应管线1330中，以打开或关闭内部通道或调节流经该内部通道的气体的量。例如，处理气体可以为蚀刻气体。
等离子体源1400将腔室1100中的处理气体激发成等离子体。电感耦合等离子体(ICP)源可以用作等离子体源1400。等离子体源1400包括天线1410和外部电源1430。天线1410设置在腔室1100的上方。天线1410具有缠绕多次的螺旋形状，并连接至外部电源1430。天线1410接收来自于外部电源1430的电能。施加电能的天线1410在腔室1100的内部空间中形成放电空间。停留在该放电空间中的处理气体可以被激发成等离子体。
排气挡板1500通过处理空间1106中的区域均匀地释放等离子体。排气挡板1500具有环孔形状。排气挡板1500位于腔室1100的内壁和处理空间1106中的基板支承单元1200之间。排气挡板1500具有形成于其中的多个排气孔1502。排气孔1502朝向垂直方向。排气孔1502从排气挡板1500的顶部延伸至其底部。排气孔1502沿排气挡板1500的圆周方向彼此间隔开来。每个排气孔1502具有狭缝形状，排气孔1502的长度方向朝向直径方向。
接下来，将更加详细地描述传送单元240。
图3为示出了图1的传送单元的示意图。传送单元240可包括手252和设置在每个手252的下部的固定构件253，基板W放置在每个手252上。固定构件253可使用静电力将待传送的物体固定至所述手252的底侧。
图6为示出了根据本发明构思的固定构件的视图。图7为示出了包括固定构件和手的传送单元的侧视图。图8为示出了根据另一个实施方式的传送单元的侧视图。
根据本发明构思的传送单元240可包括固定构件253，每个固定构件253可包括第一电极255和第二电极256。第一电极255和第二电极256并排布置，其间具有预定的间隔，并且不同极性的电压施加至第一电极255和第二电极256。正电压和负电压可以分别施加至第一电极255和第二电极256，或反之亦然。传送单元240可包括电压施加设备270，该电压施加设备270将不同极性的电压施加到第一电极255和第二电极256。电压施加设备270可改变施加到第一电极255和第二电极256的电压的极性和电平。电压施加设备270可包括电源。在电压施加设备270和多个固定构件253之间的连接关系中，电源可以分别连接至固定构件253，或一个电源可以连接至多个固定构件253以同时供应电压。当不同极性的电压施加至第一电极255和第二电极256时，由碳化硅(SiC)、硅(Si)或石英制成并与固定构件253接触的待传送的物体带有相反的电荷。由此，固定构件253和待传送的物体通过相反极性的电荷之间的静电力而彼此固定。
根据一实施方式，如图7所示，包括于传送单元240的手252中的每个固定构件253可包括从手252的底侧向下突出的主体257，第一电极255和第二电极256可以包括在该主体257中。在本发明构思的另一个实施方式中，如图8所示，固定构件253可以包括在手252中而不突出。然而，就稳定性而言，具有突出结构的固定构件253可能是优选的，因为固定构件253和待传送的物体通过使用静电吸盘的原理而彼此接触并固定。
图4为示出了本发明构思的传送单元的手、基板和环彼此相应位置的俯视图。
基板W在处理单元1000中顺序地处理。处理后的基板W通过传送单元240的手252被传送出处理单元1000，并且，即使当用于基板处理将基板W传送到处理单元1000时，基板W通过传送单元240的手252传送。基板W以放置在传送单元240的手252的顶侧的状态被传送。
当基板W在如上所述的处理单元1000中处理时，一个或多个边缘环1250设置成围绕基板W。边缘环1250可以为聚焦环或绝缘环。根据一实施方式，每个边缘环1250可包括内环1252和外环1254。在这种情况下，内环1252和外环1254都可以为由相同材料制成的聚焦环。可选地，内环1252可以为聚焦环，外环1254可以为绝缘环。内环1252可以设置成围绕基板W，外环1254可以设置成围绕内环1252。然而，边缘环1250可以用单环来实现。
图5为示出了根据本发明构思的实施方式的传送单元的视图。图5的边缘环1250用单环来实现。为了传送边缘环1250，传送单元240可在对应于边缘环1250的位置处包括手252中的固定构件253。在这个实施方式中，四个固定构件253包括在手252的边缘部分中。然而，这仅仅是说明性的，固定构件253的数量可以进行各种改变。多个固定构件253可以彼此结合并可以设置在围绕手252的中心。电压施加设备270可以将电压施加至多个固定构件253。不同极性的电压施加至包括在各固定构件253中的第一电极255和第二电极256，并且与位于手252的角部的固定构件253接触的待传送的物体的接触部分带有静电电荷，从而产生静电力。因此，待传送的物体和固定构件253彼此固定，并且均匀地施加到待传送的物体上的静电力使得物体安全的传送至处理单元1000的外部。
图9为示出了根据本发明构思的另一个实施方式的传送单元的固定构件的布置的俯视图。
在本发明构思的其他实施方式中，传送单元240以相同的方式通过使用其顶侧传送基板，且通过使用其底侧传送环。在基板处理装置中，内环1252和外环1254一起使用以固定基板。外环1254设置成围绕内环1252。
传送单元240可包括用于固定第一尺寸的第一构件的第一固定主体265和用于固定与第一尺寸不同的第二尺寸的第二构件的第二固定主体。第一固定主体265和第二固定主体266中每个可包括多个固定构件253。传送单元240可以包括电压施加设备270。根据该实施方式，电压施加设备270包括第一电源271、第二电源272和控制器275。第一电源271与第一固定主体265连接。第二电源272与第二固定主体266连接。控制器275可单独地控制连接至第一固定主体265的第一电源271和连接至第二固定主体266的第二电源272。第一构件可以为外环1254、且第二构件可以为内环1252。当从上方观察时，设置在对应于第一构件的位置处的第一固定主体265可以位于比设置在对应于第二构件的位置处的第二固定主体266离手252的中心更远的位置。在标准的基板处理装置中，包括内环和外环的边缘环通常用于固定基板。然而，内环和外环的使用频率彼此不同，因此，它们的替换周期也彼此不同。在该实施方式中，控制器275识别内环1252和外环1254的替换周期，并且当到达替换内环1252的时间时，执行控制以将电压施加至第二电源272，该第二电源272连接至与内环1252对应的第二固定主体266。在这个情况下，仅可以容易地移除内环1252而非外环1254。基于同样的原理，当到达替换外环1254的时间时，控制器275执行控制以将电压施加至第一电源271，该第一电源271连接至与外环1254对应的第一固定主体265。因此，仅可以容易地移除外环1254而非内环1252。也就是说，可以通过将电压施加至与所需的环的位置对应的固定主体来选择性地移除或替换所需的环。
虽然并未说明，但是在内环1252和外环1254的替换周期彼此重叠的情况下，可以通过将电压施加到第一电源271和第二电源272两者同时替换内环1252和外环1254。
在上述实施方式和附图中，四个固定构件或八个固定构件固定地安装在手252的底侧。然而，一个或多个固定构件253可以不同地设置在传送单元240的手252的底侧。固定构件的位置和数量没有特别的限制，只要固定构件能够施加足够的力以提升待传送物体即可。在该实施方式中，考虑到手252的形状，手252的远端被分为两个单独的部分，在其角部包括八个固定主体265和266以提升圆环的手252作为实施例被公开。然而，本发明构思的手252可具有各种形状。手252可具有圆形板形状，而非远端被分为两个单独部分的形状。在这个情况下，对于本领域的技术人员显而易见的是，固定构件可以彼此径向地分开120度或180度的角度。
上述传送单元240全部具有通过使用静电力将待传送的物体固定至手252的底侧的特征。根据本发明构思的实施方式的传送单元240包括手252，并可包括上固定构件和下固定构件。上固定构件可使得第一物体通过第一支承方法支承于手252的顶侧，下固定构件可使得第二物体通过第二支承方法支承于手252的底侧。第一支承方法和第二支承方法可以彼此不同。第一物体可以为圆形基板，第二物体可以为具有比基板大的直径的环形构件。第二物体可以为围绕基板的环。基板可以通过真空压力夹持在手252的顶侧。在这种情况下，手252可具有形成在其顶侧的通气口以夹持第一物体，并且当压力通过连接至进气口的真空泵减小时，第一物体可以夹持到手252的顶侧。可选地，手252可以包括其顶侧的限位器，以防止基板的移动，并且基板可以通过该限位器来支承或固定。第二物体可以通过使用如上所述的静电力来固定。也就是说，由于腔室单元的结构性质，基板通过使用手252的顶侧来传送和替换，并且围绕基板的环通过使用手252的底侧来传送和替换。因此，在形状、材料和面积方面，作为第一物体的基板和作为第二物体的环可以彼此不同。然而，第二物体不限于环，可以是具有与基板的材料相似的材料但具有与基板不同结构的物体。
图10至14为顺序地示出了通过使用根据本发明构思的实施方式的传送单元移除环的方法的视图。
在图10中，传送单元240进入处理单元1000。这时，传送单元240没有传送基板。在图11中，进入处理单元1000的传送单元240的手252设置在水平位置处，该水平位置对应于手252传送基板W的位置。在图12中，在手252设置在手252传送基板W的水平位置之后，传送单元240的手252朝着待传送的物体垂直移动。传送单元240的手252设置在对应于待传送的物体的位置处，并且传送单元240垂直地移动至静电力对待传送物体有影响的距离。这时，手252的底侧和待传送的物体，或者从手252的底侧突出的主体257和待传送的物体可以彼此接触。
在图13中，连接至包括在手252的固定构件253中的电极的电源将电压施加至电极。由此，产生了静电力，为待传送的物体的环中的电荷通过施加的静电力重新排列。也就是说，手252可通过使用静电力夹持环。当外环1254通过静电力固定至手252的底侧时，传送单元240移动至传送单元240能够将外环1254传送至处理单元1000的外部的垂直位置。在图14中，传送单元240水平地移动以将环传送至处理单元1000的外部。
虽然并未说明，但是在将环传送至处理单元1000的外侧之后，传送单元240可以通过使用去夹持(de-chucking)的方法将环从手252分离。
虽然图10至图14示出了移除外环1254的一个实施例，内环1252也可以以同样的方式移除。在图12和图13的工艺中，为了移除外环1254，传送单元240的控制器275将电压施加至与第一固定主体265连接的第一电源271，以固定和替换外环1254。为了移除内环1252，传送单元240的控制器275可将电压施加到与第二固定主体266连接的第二电源272。当手252垂直地设置在对应于基板W的位置处时可以施加电压，并且内环1252可以通过静电力固定至固定构件。
下文中，将描述通过使用根据本发明构思的传送单元和基板处理装置处理基板的方法。
使用本发明构思的处理单元1000中的等离子体处理基板。待处理的基板通过传送单元240传送至处理单元1000中。放置在手252的顶侧的基板可以通过真空压力或使用限位器的支承方法而夹持。传送单元240在将基板传送到处理单元1000之后移动到处理单元1000的外部。当完全地处理基板时，确定边缘环1250是否被蚀刻。在边缘环1250的外环1254或内环1252被刻蚀的情况下，选择待替换的物体。电压施加至与待替换的环对应的与外环1254相关的第一固定主体265或与内环1252相关的第二固定主体266。通过施加的电压产生静电力，因此，第一固定主体265和外环1254、或者第二固定主体266和内环1252彼此固定。固定的环被传送至处理单元1000的外部，并因此可以有效地执行基板处理。
根据本发明构思的实施方式，设置在处理单元中的边缘环可以通过使用基板处理装置的传送单元来替换。
此外，设置在处理单元中的不同尺寸的边缘环可以通过使用传送单元来替换。
另外，处理单元中的边缘环可以通过使用相似的结构来替换。
另外，本发明构思可提供能够有效地处理基板的基板处理装置和传送单元。
虽然已经在上文中已经描述了本发明构思的实施方式，应当理解的是，所提供的实施方式是为了帮助理解本发明构思，而不是旨在限制本发明构思的范围，并且在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下可以进行各种修改和等同实施方式。在本发明构思中提供的附图仅是本发明构思的最佳实施方式的附图。本发明构思的范围应当由权利要求的技术理念确定，并且，应当理解的是，本发明构思的范围不限于权利要求的文字描述，而是实际上延伸到技术价值的等同范围。
虽然已经参考示例性实施方式描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方式并非是限制性的，而是说明性的。

Claims (18)

1.一种用于传送构件的传送单元，其中，所述传送单元包括：
手；
固定构件，所述固定构件设置在所述手中，所述固定构件配置为使用静电力将待传送的物体固定至所述手的底侧，所述固定构件包括第一电极和第二电极；
第一固定主体，所述第一固定主体配置为固定第一尺寸的第一构件；
第二固定主体，所述第二固定主体配置为固定与所述第一尺寸不同的第二尺寸的第二构件；以及
电压施加设备，所述电压施加设备配置为向所述第一电极和所述第二电极施加不同极性的电压，并且
其中，所述第一固定主体和所述第二固定主体中的每个包括多个所述固定构件。
2.根据权利要求1所述的传送单元，其中，所述电压施加设备包括：
第一电源，所述第一电源连接至所述第一固定主体；
第二电源，所述第二电源连接至所述第二固定主体；以及
控制器，所述控制器配置为独立地控制所述第一电源和所述第二电源。
3.根据权利要求1所述的传送单元，其中，从上方观察时，所述第一固定主体位于比所述第二固定主体离所述手的中心更远的位置。
4.根据权利要求1所述的传送单元，其中，设置多个所述固定构件，且多个所述固定构件彼此结合以围绕所述手的中心。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的传送单元，其中，所述固定构件还包括从所述手的底侧向下突出的主体，并且
其中，所述第一电极和所述第二电极设置在所述主体中。
6.一种传送单元，其中，所述传送单元包括：
手；
上固定构件，所述上固定构件配置为使得第一物体通过第一支承方法支承于所述手的顶侧；以及
下固定构件，所述下固定构件配置为使得第二物体通过第二支承方法支承于所述手的底侧，
其中，所述第一支承方法和所述第二支承方法彼此不同；
其中，所述第二支承方法为通过静电力支承所述第二物体的方法；
其中，所述第一支承方法为通过使用真空压力、或从所述手的顶侧突出的限位器限制所述第一物体的横向移动的方法；
其中，所述下固定构件包括第一电极和第二电极，并且
其中，所述传送单元还包括电压施加设备，所述电压施加设备配置为向所述第一电极和所述第二电极施加不同极性的电压。
7.根据权利要求6所述的传送单元，其中，从上方观察时，在形状、材料或面积方面，所述第一物体与所述第二物体不同。
8.根据权利要求7所述的传送单元，其中，所述第一物体为圆形的基板，且
其中，所述第二物体为具有比所述基板大的直径的环形构件。
9.一种用于处理基板的装置，其中，所述装置包括：
处理单元，所述处理单元配置为在所述基板上执行预定的处理；和
传送单元，所述传送单元配置为将所述基板传送到所述处理单元中，
其中，所述处理单元包括：
处理腔室，所述处理腔室的内部具有处理空间；
支承单元，所述支承单元配置为在所述处理腔室中支承所述基板；
气体供应单元，所述气体供应单元配置为将处理气体供应至所述处理空间中；以及
等离子体源，所述等离子体源配置成从所述处理气体中产生等离子体，
其中，所述支承单元包括：
支承件，所述基板放置在所述支承件上；以及
边缘环，所述边缘环配置为围绕放置在所述支承件上的所述基板，所述边缘环与所述支承件是可分离的，并且所述边缘环包括：
内环，所述内环设置为围绕所述基板；以及
外环，所述外环设置为围绕所述内环，并且
其中，所述传送单元包括：
手，所述手具有顶侧，所述基板放置在所述顶侧；
固定构件，所述固定构件设置在所述手中，所述固定构件配置为使用静电力将所述边缘环固定至所述手的底侧，所述固定构件包括第一电极和第二电极；
第一固定主体，所述第一固定主体配置为固定所述外环；
第二固定主体，所述第二固定主体配置为固定所述内环；以及
电压施加设备，所述电压施加设备配置为向第一电极和第二电极施加不同极性的电压，并且
其中，所述第一固定主体和所述第二固定主体中的每个包括多个所述固定构件。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述电压施加设备包括：
第一电源，所述第一电源连接至所述第一固定主体；
第二电源，所述第二电源连接至所述第二固定主体；以及
控制器，所述控制器配置为独立地控制所述第一电源和所述第二电源。
11.根据权利要求9所述的装置，其中，从上方观察时，所述第一固定主体位于比所述第二固定主体离所述手的中心更远的位置。
12.根据权利要求9所述的装置，其中，设置多个固定构件，且所述多个固定构件彼此结合以围绕所述手的中心。
13.根据权利要求9到12中任一项所述的装置，其中，所述固定构件还包括从所述手的底侧向下突出的主体，并且
其中，所述第一电极和所述第二电极设置在所述主体中。
14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述边缘环为聚焦环。
15.根据权利要求13所述的装置，其中，所述边缘环由碳化硅SiC、硅Si或石英中任一种制成。
16.一种使用基板处理装置处理基板的方法，其中，所述基板处理装置包括根据权利要求1至8中任一项所述的传送单元，或者所述基板处理装置为根据权利要求9至15中任一项所述的用于处理基板的装置，所述基板处理装置在所述基板上执行预定的处理，所述基板支承于在其内具有处理空间的处理腔室中的支承单元上，并且所述支承单元包括配置为围绕所述基板的边缘环，所述方法包括：
在处理空间中通过产生等离子体处理所述基板的基板处理步骤；以及
维修所述边缘环的维修步骤，
其中，当所述基板放置在所述处理空间中或从所述处理空间中取出时，所述基板支承于所述传送单元的手的顶侧，并且
其中，在所述维修步骤中，所述边缘环在支承于和固定至所述传送单元的手的底侧的状态下、以从所述处理空间中取出。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述边缘环通过静电力支承于所述传送单元的所述手的底侧。
18.根据权利要求16或17所述的方法，其中，所述传送单元的第一固定主体位于比所述传送单元的第二固定主体离所述传送单元的所述手的中心更远的位置，
其中，所述边缘环包括：
内环，所述内环设置成围绕所述基板；和
外环，所述外环设置成围绕所述内环，
其中，当从所述处理空间中取出所述内环时，所述传送单元的所述手通过所述传送单元的第二固定主体用静电力固定所述内环，并且
其中，当从所述处理空间中取出所述外环时，所述传送单元的所述手通过所述传送单元的第一固定主体用静电力固定所述外环。
CN201910414145.9A 2018-05-17 2019-05-17 传送单元及包括该传送单元的基板处理装置 Active CN110504202B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180056275A KR102242812B1 (ko) 2018-05-17 2018-05-17 반송 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR10-2018-0056275 2018-05-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110504202A CN110504202A (zh) 2019-11-26
CN110504202B true CN110504202B (zh) 2023-07-04

Family

ID=68533019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910414145.9A Active CN110504202B (zh) 2018-05-17 2019-05-17 传送单元及包括该传送单元的基板处理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11251066B2 (zh)
KR (1) KR102242812B1 (zh)
CN (1) CN110504202B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102316948B1 (ko) * 2019-12-26 2021-10-25 세메스 주식회사 전원 유닛 및 이를 갖는 비히클
CN114188205A (zh) * 2020-09-14 2022-03-15 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种静电装置、其所在的基片处理系统及其置换清洁方法
KR20220090894A (ko) * 2020-12-23 2022-06-30 세메스 주식회사 포커스 링 및 포커스 링을 포함하는 기판 처리 장치
CN114204409A (zh) * 2022-02-18 2022-03-18 武汉锐晶激光芯片技术有限公司 芯片腔面处理装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS516700B1 (zh) 1969-09-16 1976-03-01
JP4151749B2 (ja) * 1998-07-16 2008-09-17 東京エレクトロンＡｔ株式会社 プラズマ処理装置およびその方法
US6692219B2 (en) 2000-11-29 2004-02-17 Tokyo Electron Limited Reduced edge contact wafer handling system and method of retrofitting and using same
FR2818050B1 (fr) * 2000-12-12 2006-08-11 Semco Engineering Sa Dispositif de prehension electrostatique d'une tranche de composant electronique
KR20050087361A (ko) * 2004-02-26 2005-08-31 세메스 주식회사 기판 이송 장치
KR20090029585A (ko) * 2007-09-18 2009-03-23 세메스 주식회사 기판 척킹 장치
JP4858395B2 (ja) * 2007-10-12 2012-01-18 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
JP5650935B2 (ja) * 2009-08-07 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
KR101841281B1 (ko) 2011-08-03 2018-03-22 세메스 주식회사 웨이퍼 링 이송 장치
JP5903282B2 (ja) * 2012-01-24 2016-04-13 株式会社アルバック 静電チャック付きロボットハンド
KR20140014424A (ko) 2012-07-24 2014-02-06 주식회사 선익시스템 무선충전 방식의 정전척을 구비한 기판이송장치
JP6068118B2 (ja) * 2012-12-05 2017-01-25 日本特殊陶業株式会社 搬送装置及び搬送用部材
JP6073691B2 (ja) * 2013-01-15 2017-02-01 日本特殊陶業株式会社 搬送装置及び搬送用部材
KR101319785B1 (ko) * 2013-03-18 2013-10-18 주식회사 야스 정전기 부상을 이용한 기판이송장치
US9399827B2 (en) 2013-04-29 2016-07-26 Applied Materials, Inc. Microelectronic substrate electro processing system
KR101863473B1 (ko) * 2013-12-26 2018-05-31 가와사끼 쥬고교 가부시끼 가이샤 엔드 이펙터 및 기판 반송 로봇
KR20150117054A (ko) * 2014-04-09 2015-10-19 주식회사 탑 엔지니어링 기판 이송용 정전척 장치 및 이를 구비한 기판 이송 장치
JP2015233065A (ja) * 2014-06-09 2015-12-24 株式会社ディスコ 搬送装置
US10658222B2 (en) * 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US11605546B2 (en) * 2015-01-16 2023-03-14 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US9911636B1 (en) * 2016-09-30 2018-03-06 Axcelis Technologies, Inc. Multiple diameter in-vacuum wafer handling

Also Published As

Publication number Publication date
US20190355611A1 (en) 2019-11-21
US11251066B2 (en) 2022-02-15
CN110504202A (zh) 2019-11-26
KR102242812B1 (ko) 2021-04-22
KR20190131652A (ko) 2019-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110504202B (zh) 传送单元及包括该传送单元的基板处理装置
US11295936B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101174816B1 (ko) 플라즈마 처리 장치의 포커스 링 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치
US20040187791A1 (en) Mobile transportable electrostatic substrate holder
US20060237138A1 (en) Apparatuses and methods for supporting microelectronic devices during plasma-based fabrication processes
KR20100091128A (ko) 반송 챔버 및 파티클 부착 방지 방법
US11056367B2 (en) Buffer unit, and apparatus for treating substrate with the unit
CN110858557B (zh) 缓冲单元以及用该缓冲单元处理基板的装置和方法
US20220051928A1 (en) Transfer device, transfer system, and end effector
JP7356446B2 (ja) 封止表面を有する静電チャック
CN111696892B (zh) 用于处理基板的装置和方法
US11183411B2 (en) Method of pre aligning carrier, wafer and carrier-wafer combination for throughput efficiency
KR102335471B1 (ko) 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR102299883B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102174063B1 (ko) 반송 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230317434A1 (en) Carrier for end effector, transportation apparatus including the same and the substrate processing apparatus
KR102635383B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20210027647A (ko) 기판 처리 장치 및 핸드 위치 티칭 방법
JP2022135646A (ja) 基板支持台及びプラズマ処理装置
KR20220089820A (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
CN111276424A (zh) 蚀刻装置及其操作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant