CN115360074A - 环载体和基板处理系统 - Google Patents

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CN115360074A CN202210539536.5A CN202210539536A CN115360074A CN 115360074 A CN115360074 A CN 115360074A CN 202210539536 A CN202210539536 A CN 202210539536A CN 115360074 A CN115360074 A CN 115360074A
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Abstract

本公开提供了一种环载体和基板处理系统。具体地，本公开提供了一种用于传输环构件的环载体。环载体包括：本体，该本体具有板形状；以及引导部，该引导部从本体的上表面突出以面向环构件的内周边，并且在对准环载体时使用的对准孔形成在本体中、以穿过本体。

Description

环载体和基板处理系统
相关申请的交叉引用
本公开要求于2021年5月17日提交韩国专利局的、申请号为10-2021-0063450的韩国专利申请的优先权和权益，该专利申请的全部内容通过引用结合在本公开中。
技术领域
本文所述的本公开的实施方案涉及一种环载体和基板处理系统。
背景技术
等离子体是指包括离子、基团和电子的电离气态。该等离子体由非常高的温度、强电场、或射频(radio frequency，RF)电磁场产生。半导体设备制造工艺可以包括通过使用等离子体去除在基板(诸如，晶圆)上形成的薄膜的蚀刻工艺。当等离子体的离子和/或基团与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应时执行蚀刻工艺。
通过使用等离子体处理基板的装置包括工艺腔室、在工艺腔室中支承基板并连接到射频电源的支承卡盘(例如，ESC(electrode static chuck，电极静态卡盘)，以及围绕坐落在支承卡盘上的基板的外周边的聚焦环。聚焦环被安装为以高均匀性地分配等离子体，并且与基板一起用等离子体进行蚀刻。当对基板进行重复蚀刻时，聚焦环也被一起蚀刻，使得聚焦环的形状逐渐改变。向基板输入离子和/或基团的方向会根据聚焦环形状的变化而改变，因此基板的蚀刻特性发生变化。因此，当对特定数量或更多的基板进行蚀刻时，或者当聚焦环的形状被改变以偏离允许范围时，需要更换聚焦环。
通常，聚焦环由操作者通过打开工艺腔室、从打开的工艺腔室中运出聚焦环、并将未使用的聚焦环安装在工艺腔室上来进行更换。然而，更换方案耗费大量工作时间，并且颗粒被引入工艺腔室的可能性很高。因此，近年来已经使用了一种更换方案，其中基板处理装置的传输机械手将使用过的聚焦环从工艺腔室中运出，并将使用过的聚焦环运入到环状盒(ring pod)中，然后传输机械手将新的聚焦环从环状盒中运出，并将新的聚焦环运入到工艺腔室中。
同时，聚焦环由传输基板的传输机械手传输。然而，聚焦环和基板的形状和尺寸不同。因此，为了让传输机械手传输聚焦环和基板两者，传输手部必须具有可以支承聚焦环和基板两者的结构。因为聚焦环具有大于基板直径的直径，所以传输手部的尺寸也必须变得更大，以使传输手部具有可以支承聚焦环和基板的结构。
然而，当传输手部的尺寸变得更大时，传输手部与基板处理装置的其他部件碰撞的危险随着传输手部的位置改变而增加。此外，当传输手部的尺寸变得更大时，传输手部难以进入具有相对较小体积的环状盒。
此外，当使用传输手部传输聚焦环时，稳定地传输聚焦环是很重要的。当在传输手部传输聚焦环的情况下而滑动聚焦环时，聚焦环传输到工艺腔室的位置会发生变化。这可能在工艺腔室中的聚焦环的安装位置处产生误差，并且可能在处理过的基板中产生缺陷。类似地，当在传输手部传输聚焦环的情况下、聚焦环变形时，聚焦环可能无法正确安装在工艺腔室中。聚焦环具有用于使聚焦环的安装方向恒定的平坦区域，并且平坦区域的位置可能由于变形而改变，从而使聚焦环可能无法正确地安装在工艺腔室上。
发明内容
本公开的实施方案提供了一种可以有效地传输环构件的环载体，以及一种基板处理系统。
本公开的实施方案还提供一种允许在不改变传输手部的结构的情况下传输环构件的环载体，以及一种基板处理系统。
本公开的实施方案还提供了一种在传输环构件时可以使环构件的滑动和变形最小化的环载体，以及一种基板处理系统。
本公开的方面不限于此，并且本领域技术人员可以从以下描述清楚地理解本公开的其他未提及的方面。
本发明提供一种用于传输环构件的环载体。环载体包括本体，该本体具有板形状；和引导部，该引导部从本体的上表面突出、以面向环构件的内周边；以及对准孔(alignmenthole)形成在本体中以穿过本体，该对准孔在对准环载体时使用。
根据实施方案，引导部可以形成在面向环构件的平坦区域的内周边的位置处。
根据实施方案，本体可以具有盘形状，在本体中、本体的中心部分为挡板(阻挡板，blocking plate)。
根据实施方案，引导部可以包括第一引导部；和第二引导部，该第二引导部形成为与第一引导部间隔开；以及对准孔，该对准孔可以形成在第一引导部与第二引导部之间。
根据实施方案，一个或多个开口可以形成在本体的周边区域处、以穿过本体。
根据实施方案，这些开口可以形成在本体的周边区域处，该周边区域包括本体外周边。
根据实施方案，环载体可以包括一个或多个防滑垫(滑动防止垫，slidepreventing pads)，该防滑垫设置在本体的下表面上。
根据实施方案，环载体可以包括防滑销(slide preventing pin)，该防滑销从本体的下表面向下地突出。
本公开提供了一种基板处理系统。基板处理系统包括：第一腔室，在第一腔室中设置具有传输手部的传输机械手；第二腔室，该第二腔室连接到第一腔室；环载体，在传输环构件的情况下，该环载体在第一腔室与第二腔室之间支承环构件；以及对准单元，该对准单元对准环载体；并且该环载体包括本体，该本体具有盘形状，和引导凸台(guide boss)，该引导凸台防止定位在本体上的环构件滑动，以及对准孔，该对准孔形成在本体中以穿过本体，对准孔在对准单元对准环载体时使用。
根据实施方案，对准孔可以形成在与凹口(notch)重叠的位置处，该凹口形成在基板中。
根据实施方案，引导凸台可以形成在面向环构件的平坦区域的内周边的位置处。
根据实施方案，引导凸台可以包括平坦部分以及圆形部分，该平坦部分对应于平坦区域的内周边，该圆形部分从平坦部分弯曲且延伸、并且对应于环构件的圆形区域的内周边。
根据实施方案，圆形部分的外周边和圆形区域的内周边可以具有相同的曲率半径。
根据实施方案，引导凸台可以包括第一引导凸台和第二引导凸台，该第二引导凸台形成为与第一引导凸台间隔开、并且具有与第一引导凸台对称的形状。
根据实施方案，多个开口可以形成在本体的周边区域处、以穿过本体，并且这些开口可以形成在当从顶部观察时、与设置在第二腔室中的支承架重叠的位置处。
根据实施方案，这些开口可以形成在本体的周边区域处，该周边区域包括本体的外周边。
根据实施方案，对准单元可以包括：卡盘，该卡盘支承并旋转环载体；照射部，该照射部朝向由卡盘支承的环载体的对准孔照射光；以及光接收部，该光接收部接收穿过对准孔的光。
本公开提供了一种基板处理系统。基板处理系统包括：索引腔室，该索引腔室的内部保持大气气氛、并且设置有传输机械手；工艺腔室，该工艺腔室通过使用等离子体来处理基板；装载锁定腔室，该装载锁定腔室设置在索引腔室与工艺腔室之间，并且该装载锁定腔室的内部在大气压力气氛与真空压力气氛之间变化；环载体，该环载体用以在装载锁定腔室与索引腔室之间传输提供给工艺腔室的环构件；以及控制器，控制器控制传输机械手，使得传输机械手的手部在装载锁定腔室与索引腔室之间传输定位在环构件上的环载体；该环载体包括本体，该本体具有盘形状；和引导部，该引导部从本体的上表面突出、以面向环构件的平坦区域的内周边；以及对准孔形成在本体中以穿过本体，该对准孔在对准环载体时使用。
根据实施方案，基板处理系统还可以包括对准单元，该对准单元对准形成在基板中的凹口或形成在环载体中的对准孔的方向，并且对准孔形成在当从顶部观察时、与凹口重叠的位置处。
根据实施方案，装载锁定腔室可以包括多个支承架，该多个支承架支承基板或环构件；多个开口，该多个开口形成在本体的周边区域处、以穿过本体，并且这些开口可以形成在当从顶部观察时、与设置在第二腔室中的支承架重叠的位置处。
附图说明
参照附图，本公开的上述和其他目的及特征将通过本公开的实施方案的详细描述变得显而易见。
图1是示意性示出了根据本公开的实施方案的基板处理系统的平面图；
图2是示出了图1的第一容器的外观的立体图；
图3是示出了接收在图2的第一容器中的基板的外观的图；
图4是示出了图1的第二容器的外观的平面截面图；
图5是示出了图4的支承槽的外观的图；
图6是示出了接收在图4的第二容器中的环构件的外观的图；
图7是示出了用以传输环构件的环载体的实施例的立体图；
图8是图7的环载体的平面图；
图9是示出了图8的环载体的部分的放大图；
图10是示意性示出了图1的第一传输手部的外观的图；
图11是示出了基板定位在图10的第一传输手部上的外观的图；
图12是示出了环构件和环载体定位在图10的第一传输手部上的外观的图；
图13是示出了设置在图1的对准腔室中的对准单元的外观的图；
图14和图15是示出了图13的对准单元对准环载体的外观的图；
图16是示出了图1的装载锁定腔室的外观的平面截面图；
图17是示出了基板定位在图16的支承架上的外观的图；
图18是示出了环构件定位在图16的支承架上的外观的图；
图19是示出了图18的环载体从装载锁定腔室中运出的外观的图；
图20是示出了图1的第二传输手部的外观的图；
图21是示出了基板定位在图20的第二传输手部上的外观的图；
图22是示出了环构件定位在图20的第二传输手部上的外观的图；
图23是示出了设置在图1的工艺腔室的基板处理装置的图；
图24是示出了根据本公开的另一实施方案的环载体的外观的图；以及
图25是示出了根据本公开的另一实施方案的环载体的外观的图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施方案，使得本公开所属领域的技术人员可以容易地实现本公开。然而，本公开可以以各种不同的形式来实施，且不限于以下描述的实施方案。此外，在本公开的优选的实施方案的详细描述中，当相关的已知功能或配置使本公开的本质不必要地不清楚时，可省略对它们的详细描述。此外，在所有附图中，执行类似的功能和操作的部件使用相同的附图标记。
“包括”某些要素(元件，element)的表述可能意味着可以进一步包括而不排除其他要素，除非有特别矛盾的描述。具体地，术语“包括”和“具有”用以表示存在说明书中描述的特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合，并且可以理解为可以添加一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合。
除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，在附图中，元件的形状和尺寸可能被夸大以更清楚地描述。
诸如第一和第二的术语可以用以描述不同的元件，但是该元件不应受术语的限制。该术语可以仅用于将一个元件与其他元件区分开的目的。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，可以将第一元件命名为第二元件，并且类似地，可以将第二元件命名为第一元件。
当提到一个元件“连接到”或“电连接到”另一个元件时，应理解第一元件可以直接地连接或电连接到第二元件，但可以在第一元件与第二元件之间设置第三元件。另一方面，当提到一个元件“直接地连接到”或“直接地电连接到”另一个元件时，应该理解的是，它们之间不存在第三元件。应当解释的是，描述元件之间关系的其他表述(例如，“在……之间”、“直接在……之间”、“与……相邻”和“直接与……相邻”)可能具有相同的目的。
此外，除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)具有与本公开所属的领域中的技术人员所普遍理解的术语相同的含义。通用词典中定义的术语应被解释为具有与相关技术的上下文含义一致的含义，而不应被解释为理想的或过于形式化的含义，除非在本公开的说明书中明确定义。
在下文中，将参照图1至图25详细描述本公开的实施方案。
图1是示意性示出了根据本公开的实施方案的基板处理系统的图。参考图1，根据本公开实施方案的基板处理系统可以包括基板处理装置10、容器20和环载体30。
根据本公开的实施方案的容器20可以定位在基板处理装置10的装载盒(loadpot)110上。容器20可以通过高架运输(overhead transport,OHT)装置定位在基板处理装置10的装载盒110上。各种物品可以接收在容器20中。容器20可以包括根据所接收的物品种类的各类容器。容器20可以称为FOUP(Front Opening Unified Pod，前开式晶圆传送盒)或POD。
例如，如图2所示，由基板处理装置10处理的经处理物体可以接收在第一容器21中，该第一容器21是容器20中的任何一个。经处理物体可以是基板“W”，例如图3中所示的晶圆。此外，凹口“N”可以形成在基板“W”中。为了用基板处理装置10正确地处理基板“W”，需要将基板“W”准确地传输到基板处理装置10的期望位置。形成在基板“W”中的凹口“N”用以对准基板“W”，以便准确传输基板。如稍后将描述的，可以通过对准单元200来进行基板“W”的对准。
此外，如图4所示，安装在基板处理装置10上且可更换的消耗性组件可以接收在第二容器22中，该第二容器是容器20中的另一个。消耗性组件可以是环构件“R”，诸如聚焦环或介电环。环构件“R”外周边的直径可以大于基板“W”外周边的直径。因此，第二容器22中的空间的体积可以比第一容器21中的空间的体积大得多。此外，当从顶部观察时，用于支承第二容器22中的环构件“R”的多个支承槽22a和22c可以设置在不同的位置处。此外，支承槽22a和22c可以设置在与形成在环载体30中的开口32相对应的位置处，这将在下面进行描述。这是因为当通过使用环载体30从第二容器22中运出环构件“R”时，可以防止环载体30与支承槽22a和22c相互干扰。
此外，如图5所示，对准销22b可以形成在支承槽22a和22c之中的一个或多个(例如，多个)支承槽22a中。对准销22b可以插入对准凹部“G”中，该对准凹部“G”形成在图6所示的环构件“R”的下表面上。重要的是，在准确的位置处传输环构件“R”，从而将环构件“R”正确地安装到基板处理装置10的期望位置。重要的是，将环构件“R”定位在第一传输手部152(将在下文进行描述)的相同位置处，从而将环构件“R”传输到准确位置。对准销22b可以通过限制环构件“R”的横向位置的改变来允许环构件“R”定位在第一传输手部152的相同位置处。
此外，操作者只需将对准销22b插入至形成在环构件“R”的下表面上的对准凹部“G”中，就可以在第二容器22中的准确位置处接收环构件“R”。环构件“R”接收在第二容器22中的位置可以根据操作者的熟练程度而改变，并且对准销22b可以使问题最小化。此外，由对准销22b对准的环构件“R”的方向可以在相同方向上对准。例如，由对准销22b对准的环构件“R”的平坦区域可以在相同方向上对准。例如，由于环构件“R”通过对准销22b在相同方向上对准，因此不需要单独地对准环构件“R”的方向、以将环构件“R”定位在环载体30上。
根据本公开的实施方案的环载体30可以用以传输环构件“R”。例如，环载体30可以用以在索引腔室130、对准腔室170与装载锁定腔室310之间传输环构件“R”，这将在下文进行描述。环载体30可以接收在上述容器20中。例如，环载体30可以接收在上述第二容器22中。环载体30可以接收在环构件“R”的下方，该环构件“R”接收在第二容器22中。在环载体30的方向对准的情况下，接收在第二容器22中的环载体30可以接收在第二容器22中。环载体30可以用以使第一传输机械手150(将在下文进行描述)传输环构件“R”。
图7是示出了用以传输环构件的环载体的实施例的立体图。图8是图7的环载体的平面图。图9是示出了图8的环载体的部分的放大图。参考图7至图9，根据本公开的实施方案的环载体30可以包括本体31和引导部34。
本体31可以具有安置表面(seating surface)，环构件“R”定位在该安置表面上。环构件“R”可以定位在本体31的上表面上。本体31可以具有板形状。本体31可以具有盘形状。本体31具有盘形状，从而使通过对准单元200对准环载体30的方向的操作与对准基板“W”的方向的操作相同或至少相似。
本体31的中心区域可以设置有不具有孔的挡板。此外，一个或多个开口32可以形成在本体31的周边区域中。多个开口32可以形成在本体31的周边区域中。这些开口32可以从本体31的上表面延伸至本体31的下表面。也就是说，这些开口32可以穿过本体31。这些开口32可以形成在本体31的周边区域中，并且可以形成在包括本体31的外周边的、本体31的周边区域中。也就是说，这些开口32可以延伸到本体31的外周边。此外，当从顶部观察这些开口32时，这些开口可以形成在与设置在装载锁定腔室310中的支承架320重叠的位置处。此外，当从顶部观察这些开口32时，这些开口可以形成在与第二容器22的支承槽22a和22c重叠的位置处。这是因为当通过使用环载体30传输环构件“R”时，可以防止环载体30与支承架320或支承槽22a和22c重叠。
对准孔33可以形成在本体31中。当从顶部观察时，对准孔33可以形成在第一引导部35与第二引导部36之间。对准孔33可以是对准单元200(将在下文进行描述)对准环载体30时使用的孔。对准孔33可以从本体31的上表面延伸至本体31的下表面。也就是说，对准孔33可以穿过本体31。此外，对准孔33可以形成在与凹口“N”重叠的位置处，该凹口“N”形成在基板“W”中。例如，从本体31的中心到对准孔33的中心的距离可以与从基板“W”的中心到凹口“N”的中心的距离相同。这样的目的是，使通过对准单元200对准环载体30的方向的操作与对准基板“W”的方向的操作相同或至少相似。
当将环构件“R”定位在环载体30上并且环载体30由第一传输手部152传输时，环构件“R”可以通过第一传输手部152的线性移动而滑动，或者环构件“R”安置位置可能会通过第一传输手部152的旋转而变形。引导部34可以防止环构件“R”的滑动或变形。引导部34也可以称为引导凸台。
引导部34可以从本体31的上表面突出。引导部34可以从本体31的上表面向上突出。定位在环载体30上的环构件“R”的内周边可以具有平坦区域FZ(flat zone)和圆形区域RZ(round zone)，并且引导部34可以形成在面向环构件“R”的平坦区域FZ的内周边的位置处。引导部34可以具有与环构件“R”的内周边相对应的形状。引导部34可以具有与包括平坦区域FZ的环构件“R”的内周边相对应的形状。
引导部34可以包括第一引导部35(第一引导凸台)和第二引导部36(第二引导凸台)。第一引导部35和第二引导部36可以具有对称的形状。例如，第一引导部35和第二引导部36可以具有相对于形成在它们之间的对准孔33彼此对称的形状。
第一引导部35可以包括第一平坦部分35F和第一圆形部分35R。第二引导部36可以包括第二平坦部分36F和第二圆形部分36R。第一平坦部分35F可以具有与平坦区域FZ的内周边相对应的形状。第一圆形部分35Z可以从第一平坦部分35F弯曲且延伸，并且可以具有与环构件“R”的圆形区域RZ的内周边相对应的形状。第一平坦部分35F和第一圆形部分35Z具有与第二平坦部分36F和第二圆形部分36Z对称的形状，并且将省略对其重复的描述。
引导部34帮助环构件“R”的平坦区域FZ在特定的方向上、在环载体30上对准。此外，对准孔33形成在第一引导部35与第二引导部36之间。因此，当通过使用对准单元200(将在下文进行描述)来对准环载体30时，定位在环载体30上的环构件“R”的平坦区域FZ的方向也可以在期望的方向上对准。此外，第一圆形部分35Z和第二圆形部分36Z的外周边、和圆形区域RZ的内周边可以具有相同的曲率半径。此外，第一圆形部分35Z和第二圆形部分36Z的外周边、和基板“W”的外周边可以具有相同的曲率半径。
再次参考图1，根据本公开的实施方案的基板处理装置10可以包括索引单元100、工艺执行单元300和控制器700。当从上方观察时，索引单元100和工艺执行单元300可以沿第一方向X布置。在下文中，将从上方观察时、与第一方向“X”垂直的方向定义为第二方向“Y”。此外，将与第一方向“X”和第二方向“Y”垂直的方向定义为第三方向“Z”。这里，第三方向“Z”可以指的是与地面垂直的方向。
索引单元100可以包括装载盒110、索引腔室130、第一传输机械手150和对准腔室170。
容器20可以安置在装载盒110中。如上面所描述的，容器20可以通过OHT装置传输到装载盒110、以装载到装载盒110中或从装载盒110卸载，并且可以被传输。然而，本公开并不限于此，并且容器20可以由用于传输容器20的各种设备来传输。此外，操作者可以直接将容器20装载到装载盒110中、或者从装载盒110中卸载安置在装载盒110的容器20。
索引腔室130可以设置在装载盒110与工艺执行单元300之间。也就是说，装载盒110可以连接到索引腔室130。索引腔室130的内部可以保持在大气气氛下。
此外，第一传输机械手150可以设置在索引腔室130中。第一传输机械手150可以在安置在装载盒110中的容器20、装载锁定腔室310(将在下面进行描述)与对准腔室170之间传输基板“W”和环构件“R”。此外，第一传输机械手150可以具有第一传输手部152。如图10所示，多个第一支承垫153可以设置在第一传输手部152的上表面上。例如，可以设置三个第一支承垫153，并且该三个第一支承垫153可以在三个点处支承定位在第一传输手部152上的目标传输物体。第一支承垫153可以防止定位在第一传输手部152上的基板“W”或环载体30的滑动。当从顶部观察时，第一支承垫153可以沿具有一个半径的假想圆的圆周方向布置。此外，第一传输手部152可以具有可以容易地进入上述容器20的尺寸。此外，如图11所示，基板“W”可以定位在第一传输手部152上，并且如图12所示，可以定位支承环构件“R”的环载体30。
设置有对准单元200(将在下文进行描述)的对准腔室170可以安装在索引腔室130的一侧和/或相对侧。基板“W”或环载体30可以在对准腔室170中对准。图13是示出了设置在图1的对准腔室中的对准单元的外观的图。参考图13，设置在对准腔室170中的对准单元200可以对准基板“W”。例如，对准单元200可以对准形成在基板“W”中的凹口“N”的方向。此外，对准单元200可以对准形成在环载体30中的对准孔33的方向。
对准单元200可以包括卡盘210、支承机构220、照射部230和光接收部240。卡盘210可以支承基板“W”的中心区域。卡盘210可以以真空吸附方案支承基板“W”。与此不同，防止目标支承物体滑动的垫可以设置在卡盘210的上表面上。卡盘210可以旋转基板“W”。
支承机构220可以支承照射部230和光接收部240。照射部230可以在由卡盘210支承的基板“W”的从上侧到下侧的方向上照射光“L”。光“L”可以是具有特定宽度的激光束。光接收部240可以设置为面向照射部230。例如，光接收部240可以设置在由照射部230照射的光“L”的照射路径上。卡盘210可以旋转基板“W”，直到由照射部230照射的光“L”通过形成在基板“W”中的凹口“N”到达光接收部240。当光接收部240接收到光“L”时，卡盘210停止基板“W”的旋转、并且可以完成基板“W”的对准。
如图14所示，对准单元200可以对准环载体30，与对准基板“W”的上述方案类似。如上所述，对准孔33形成在环载体30中。当环载体30定位在卡盘210上时，卡盘210可以旋转基板“W”，直到由照射部230照射的光“L”通过形成在环载体30中的对准孔33到达光接收部240。当光接收部240接收到光“L”时，卡盘210停止环载体30的旋转、并且可以完成环载体30的对准。如上所述，由于形成对准孔33的位置可能与形成凹口“N”的位置重叠，因此可以通过使用相同的对准单元200来对准环载体30和基板“W”。
图14作为实施例示出了在环构件“R”定位在环载体30上的状态下对准环载体30，但本公开不限于此。如有需要，如图15所示，可以在环构件“R”没有定位在环载体30上的状态下对准环载体30。
再次参考图1，工艺执行单元300可以包括装载锁定腔室310、传输腔室330、第二传输机械手350和工艺腔室370。
装载锁定腔室310可以设置在索引腔室130与传输腔室330之间。如上所述，索引腔室130的内部气氛可以保持在大气气氛下。如将在稍后进行描述的，传输腔室330的内部气氛可以保持在真空气氛下。装载锁定腔室310可以设置在索引腔室130和传输腔室330之间，并且装载锁定腔室310的内部气氛可以在大气气氛与真空压力气氛之间改变。
图16是示出了图1的装载锁定腔室的外观的平面截面图。参考图16，装载锁定腔室310可以包括壳体311和支承架320。
壳体311可以具有内部空间312。壳体311可以具有内部空间312，基板“W”或环构件“R”安置在该内部空间中。壳体311可以设置在如上所述的索引腔室130与传输腔室330之间。此外，壳体311可以具有开口。多个开口可以设置在壳体311中。例如，这些开口的第一开口311a可以通过闸式阀(未示出)选择性地与索引腔室130连通。此外，这些开口的第二开口311b可以通过闸式阀(未示出)选择性地与传输腔室330连通。
此外，壳体311可以具有排气孔(vent hole)313，通过该排气孔将排出气体供应到壳体311的内部空间312中。此外，壳体311可以具有减压孔，该减压孔降低壳体311的内部空间312中的压力。排出气体可以是惰性气体。例如，排出气体可以是包括氮气、氩气等的气体。然而，本发明不限于此，并且排出气体可以是各种已知的惰性气体。进一步地，减压孔314可以连接到排放管线(未示出)。减压构件可以是泵。然而，本公开不限于此，并且减压构件可以对降低内部空间312压力的已知装置进行各种修改。由于排气孔313和减压孔314形成在壳体311中，壳体311的内部空间的压力可以在大气压力与真空压力之间自由地改变。
支承架320可以设置在内部空间312中。支承架320可以支承内部空间312中的基板“W”或环构件“R”。此外，环构件“R”的直径可以大于基板“W”的直径。
可以设置一个或多个支承架320。例如，可以设置多个支承架320。可以设置三个支承架320。当从顶部观察时，支承架320可以设置为彼此间隔开。当从顶部观察时，支承架320可以设置在与形成在上述环载体30中的开口32重叠的位置处。例如，当从顶部观察时，支承架320可以设置在与形成在环载体30中的开口32重叠的位置处，支承架320的方向由对准单元200对准。此外，当在支承架320的横截面中观察时，支承架320可以具有基本上倒“L”的形状。
此外，支承架320可以包括第一垫324和第二垫326。第一垫324和第二垫326可以由对基板“W”或环构件“R”具有抗摩擦特性的材料制成。例如，第一垫324和第二垫326可以由填充有碳的聚醚醚酮(polyetheretherketone,PEEK)形成。然而，将填充有碳的PEEK作为第一垫324和第二垫326的材料的实施方案仅是实施例，并且可以使用具有类似特性的其他已知材料进行各种修改。
当从上方观察时，第一垫324可以具有基本上弧形的形状。第一垫324可以设置为比第二垫326更靠近减压孔314。当从顶部观察时，第一垫324可以设置在基板“W”的外周边的内侧上。也就是说，如图17所示，第一垫324可以支承在基板“W”和环构件“R”之中的基板“W”。
当从上方观察时，第二垫326可以具有基本上弧形的形状。第二垫326可以设置为比第一垫324更远离减压孔314。当从顶部观察时，第二垫326可以设置在基板“W”的外周边和环构件“R”的内周边的外侧上，并且可以设置在环构件“R”的外周边的内侧上。也就是说，第二垫326可以支承在基板“W”和环构件“R”之中的环构件“R”。
此外，当从顶部观察时，支承架320可以设置在与形成在上述环载体30中的开口32重叠的位置处。因此，如图18所示，当第一传输手部152将环载体30(在环载体上定位有环构件“R”)运送到装载锁定腔室310中并且第一传输手部152向下移动时，环构件“R”被定位在支承架320上，并且环载体30可以在其被定位在第一传输手部152上的情况下向下移动。此后，如图19所示，当第一传输手部152退出时，环载体30可以与环构件“R”分离、并从装载锁定腔室310中运出。
再次参考图1，传输腔室330可以设置在装载锁定腔室310与工艺腔室370之间。传输腔室330的内部气氛可以保持在真空压力气氛下。第二传输机械手350可以设置在传输腔室330中。第二传输机械手350可以在装载锁定腔室310与工艺腔室370之间传输基板“W”或环构件“R”。此外，第二传输机械手350可以具有第二传输手部352。
图20是示出了图1的第二传输手部的外观的图。参考图20，第二传输机械手350的第二传输手部352可以具有大于可以大于第一传输手部152尺寸的尺寸。一对第一传输垫353、一对第二传输垫354、一对第三传输垫355和一对第四传输垫356可以设置在第二传输手部352上。第二传输垫354和第三传输垫355可以设置在第一传输垫353与第四传输垫356之间。当从顶部观察时，第二传输垫354和第三传输垫355可以设置在基板“W”的外周边的内侧上。也就是说，如图21所示，第二传输垫354和第三传输垫355可以支承在基板“W”和环构件“R”之中的基板“W”。当从顶部观察时，第一传输垫353和第四传输垫356可以设置在基板“W”的外周边和环构件“R”的内周边的外侧上，并且可以设置在环构件“R”的外周边的内侧上。也就是说，第一传输垫353和第四传输垫356可以支承在基板“W”和环构件“R”之中的环构件“R”。
再次参考图1，一个或多个工艺腔室370可以连接至传输腔室330。工艺腔室370可以为在基板“W”上执行工艺的腔室。工艺腔室370可以是通过向基板“W”供应处理液来处理基板“W”的液体处理腔室。此外，工艺腔室370可以是通过使用等离子体来处理基板“W”的等离子体腔室。此外，一些工艺腔室370可以是通过向基板“W”供应处理液上来处理基板“W”的液体处理腔室，一些工艺腔室370可以是通过使用等离子体来处理基板“W”的等离子体腔室。然而，本公开不限于此，并且在工艺腔室370中执行的基板处理工艺可以不同地修改为已知的基板处理工艺。此外，当工艺腔室370是通过使用等离子体来处理基板“W”的等离子体腔室时，等离子体腔室可以是执行通过使用等离子体除去基板“W”上的薄膜的蚀刻工艺或灰化工艺的腔室。然而，本公开不限于此，并且在工艺腔室370中执行的等离子体处理工艺可以不同地修改为已知的等离子体处理工艺。
图23是示出了设置在图1的工艺腔室中的基板处理装置的图。参考图23，将详细描述设置在工艺腔室370中的基板处理装置500。基板处理装置500可以通过向基板“W”传输等离子体来处理基板“W”。
基板处理装置500可以包括处理容器510、闸式阀520、排放管线530、电源单元540、支承单元550、第一提升销模块560、第二提升销模块570、隔板(baffle plate)580和气体供应单元590。
处理容器510可以具有处理空间。处理容器510可以为接地的。处理容器510可以设置处理空间，在处理空间中处理基板“W”。当处理基板“W”时，处理容器510的处理空间可以基本上保持在真空气氛中。入口512可以形成在处理容器510的一侧上，基板“W”或环构件“R”通过该入口512运入和运出。闸式阀520可以选择性地打开和关闭入口512。
排放孔514可以形成在处理容器510的底表面上。排放管线530可以连接至排放孔514。排放管线530可以通过排放孔514将向处理容器510的处理空间供应的工艺气体、工艺副产物等排放到处理容器510的外部。此外，排放板532可以设置在排放孔514的上部处，该排放板532能够更均匀地对处理空间进行排放。当从上方观察时，排放板532可以具有基本上环状的形状。此外，可以在排放板532中形成至少一个排放孔。操作者可以在具有各种形状和尺寸的多个排放板532之中选择可以均匀地排放处理空间的排放板532，并且将排放板532安装在排放孔514的上部处。
此外，处理容器510还可以包括支承构件516。支承构件516可以支承包括在支承单元550中的底座的至少一部分，这将在下面描述。例如，支承构件516可以配置为支承包括在支承单元550中的绝缘板554的下部。
电源单元540可以产生射频功率，该射频功率将由气体供应单元590(将在下面进行描述)供应的工艺气体激发成等离子体状态。电源单元540可以包括电源542和匹配器544。电源542和匹配器544可以安装在电力传输线上。此外，电力传输线可以连接到卡盘552。
支承单元550可以在处理容器510的处理空间中支承基板“W”。支承单元550可以包括卡盘552、绝缘板554和石英环556。
卡盘552可以具有支承基板“W”的支承表面。卡盘552可以支承基板“W”，并且可以夹持经支承的基板“W”。例如，静电板(未示出)可以设置在卡盘552中，并且卡盘552可以是通过使用静电力来夹持基板“W”的静电卡盘。例如，卡盘552可以是电极静态卡盘(electrode static chuck,ESC)。然而，本公开不限于此，卡盘552可以以真空抽吸方案夹持基板“W”。
当从上方观察时，绝缘板554可以具有圆形的形状。上述卡盘552和石英环556(将在下文进行描述)可以定位在绝缘板554上。绝缘板554可以是电介质体。例如，绝缘板554可以由包括陶瓷的材料形成。
石英环556可以由包含石英的材料形成。当从上方观察时，石英环556可以具有基本上环状的形状。当从上方观察时，石英环556可以具有基本上围绕卡盘552的形状。当从上方观察时，石英环556可以具有围绕由卡盘552支承的基板“W”的形状。此外，环构件“R”(例如，聚焦环)可以定位在石英环556内侧的上表面上。
当从顶部观察时，定位在石英环556的上表面上的环构件“R”可以具有环状的形状。环构件“R”可以具有内侧的上表面的高度低于其外侧的上表面的高度的形状。基板“W”的周边区域的下表面可以定位在环构件“R”的内侧的上表面上。此外，环构件“R”可以具有倾斜表面，该倾斜表面在面向基板“W”的外侧的方向上、在基板“W”的内侧的上表面与外侧的上表面之间、从基板“W”的中心向上倾斜。因此，即使当基板“W”定位在环构件“R”内侧的上表面时、基板“W”的位置相当不准确，但在基板“W”沿环构件“R”的倾斜表面滑动的情况下，基板“W”也可以正确地定位在环构件“R”的上表面或内侧上。
第一提升销模块560可以提升定位在石英环556的上表面上的环构件“R”。第一提升销模块560可以包括第一提升销562和第一销驱动部564。可以设置多个第一提升销562，并且可以设置使第一提升销562向上和向下移动的多个第一销驱动部564。此外，当从顶部观察时，第一提升销562可以设置为不与卡盘552重叠。提升销562可以沿形成在绝缘板554和/或石英环556中的销孔而向上和向下移动。此外，销驱动部564可以是使用气压或液压的气缸或电机。
第二提升销模块570可以升高基板“W”。第二提升销模块570可以包括第二提升销572、升高板574和第二销驱动部576。第二提升销572可以耦接至升高板574。升高板574可以通过第二销驱动部576而向上和向下移动。
隔板580可以设置在支承单元550的上部处。隔板580可以由电极材料形成。此外，可以在隔板580中形成至少一个隔板孔582。例如，可以形成多个隔板孔582，并且当从顶部观察时，多个隔板孔582可以均匀地形成在隔板580的整个区域中。隔板580能够使气体供应单元590(将在下面进行描述)供应的工艺气体均匀地输送到基板“W”。
气体供应单元590可以将工艺气体供应到处理容器510的处理空间中。工艺气体可以是由电源单元540(将在下面进行描述)激发成等离子体状态的气体。气体供应单元590可以包括气体供应源592和气体供应管线594。气体供应管线594的一端可以连接到气体供应源592，并且气体供应管线594的另一端可以连接到处理容器510的上部。因此，由气体供应源592输送的工艺气体可以通过气体供应管线594供应到隔板580的上部区域。向隔板580的上部区域供应的工艺气体可以通过隔板孔582来引入至处理容器510的处理空间。
再次参考图1，控制器700可以控制基板处理装置10。控制器700可以控制索引单元100和工艺执行单元300。控制器700可以控制第一传输机械手150和第二传输机械手350。控制器700可以控制设置在工艺腔室370中的基板处理装置500，使得基板“W”可以在工艺腔室370中通过使用等离子体来处理。此外，控制器700可以控制基板处理装置10的配置，使得用于传输环构件“R”的传输方法(将在下文进行描述)可以由基板处理装置10来执行。
此外，控制器700可以包括工艺控制器，该工艺控制器包括执行基板处理装置10的控制的微处理器(计算机)；键盘，该键盘用于输入命令以允许操作员管理基板处理装置10；用户界面，该用户界面包括可视化和显示基板处理装置10的操作情况的显示器；以及存储单元，该存储单元用于存储在工艺控制器的控制下执行由基板处理装置10执行的工艺的控制程序、或用于执行工艺的程序(即，根据各种数据和工艺条件的要素中的工艺配方)。此外，用户界面和存储单元可以连接至工艺控制器。工艺配方可以存储在存储单元的存储介质中，并且该存储介质可以是硬盘，也可以是诸如CD-ROM、DVD等的可移动盘、诸如闪存的半导体存储器。
在下文中，将描述根据本公开实施方案的、用于传输环构件“R”的方法。具体地，将描述使未使用的环构件“R”传输到工艺腔室370的传输顺序。
当达到安装在工艺腔室370上的环构件“R”的更换周期时，OHT装置可以将第二容器22传输到装载盒110。当第二容器22被传输到装载盒110时，第一传输机械手150可以通过使用第一传输手部152将接收在第二容器22中的环载体30运送出第二容器22。然后，环载体30的方向可以在对准的情况下被接收在第二容器22中。当需要对环载体30的方向进行对准时，第一传输机械手150可以将环载体30传输到对准腔室170，并且对准单元200可以在环构件“R”没有定位在其上的状态下对准环载体30。
此后，第一传输手部152可以在其支承环载体30的状态下进入第二容器22。当第一传输手部152完全进入第二容器22时，第一传输手部152可以向上移动以将接收在第二容器22中的未使用的环构件“R”定位在环载体30上。然后，环构件“R”可以处于其方向通过在第二容器中的对准销22b对准的状态。因此，环构件“R”可以在其方向对准的状态下定位在环载体30上。
当环构件“R”定位在环载体30上时，可以将环载体30传输到对准腔室170，并且环载体30的方向可以通过对准单元200进行对准。在环构件“R”被定位的状态下，环载体30的方向通过对准单元200对准之后，第一传输机械手150可以将环载体30传输到装载锁定腔室310，该环载体处于环构件“R”位于其上的状态。
当第一传输手部152完全进入装载锁定腔室310时，第一传输手部152可以向下移动。因此，环载体30上的环构件“R”可以安置在支承架320上，并且环载体30可以与环构件“R”分离。当环载体30与环构件“R”分离时，环载体30可以从装载锁定腔室310中运出。安置在装载锁定腔室310的支承架320上的环构件“R”可以由第二传输机械手350的第二传输手部352来运出，并且可以传输到工艺腔室370中。
工艺腔室370中使用的环构件“R”以与上述未使用的环构件“R”的运入顺序相反的顺序运出，将省略对其重复的描述。
尽管在上述实施例中已经描述了基板“W”被接收在第一容器21中并且环构件“R”被接收在第二容器22中，但是本公开不限于此。例如，基板“W”和环构件“R”可以接收在同一容器20中。
尽管在上述实施例中已经描述了环载体30可以被接收在第二容器22中，但是本公开不限于此。例如，环载体30可以用以传输环构件“R”，因为环载体30被接收在基板处理装置10的单独缓冲空间(未示出)中并且第一传输机械手150从该缓冲空间运出环载体30。
在上述实施例中，作为示例描述了环载体30在与设置在第一传输手部152的上表面上的第一支承垫153接触的情况下被支承，但是本公开不限于此。例如，如图24所示，一个或多个(例如，多个)防滑垫37可以设置在环载体30的本体31的下表面上。防滑垫37的向上/向下厚度可以大于第一支承垫153的向上/向下厚度。也就是说，当环载体30具有防滑垫37时，本体31的下表面可以与第一支承垫153间隔开。因此，可以减少由于环载体30的传输而污染第一支承垫153的问题。同样地，如图25所示，环载体30可以包括一个或多个(例如，多个)防滑销38，该防滑销从本体31的下表面向下突出。防滑销38的一端可以插入到形成在第一传输手部152的上表面上的凹槽154中，并且可以将本体31的下表面与第一支承垫153间隔开。
根据本公开的实施方案，可以有效地传输环构件。
此外，根据本公开的实施方案，可以在不改变传输手部的结构的情况下传输环构件。
此外，根据本公开的实施方案，当传输环构件时，可以使环构件的滑动和变形最小化。
本公开的效果不限于上述效果，并且本公开所属领域的技术人员能够从说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
以上详细描述例证了本公开。此外，上述内容描述了本公开的实施方案，并且本公开可以用于各种其他的组合、变化和环境中。也就是说，本公开可以在不脱离说明书中本公开的范围、与书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下进行修饰及改正。书面实施方式描述了用于实现本公开的技术精神的最佳状态，并且在本公开的具体应用领域和目的中可以做出必要的各种改变。因此，本公开的详细描述并非旨在将本发明限制在所公开的实施方案状态中。此外，应理解的是所附权利要求包括其他实施方案。

Claims (20)

1.一种用于传输环构件的环载体，所述环载体包括：
本体，所述本体具有板形状；以及
引导部，所述引导部从所述本体的上表面突出、以面向所述环构件的内周边，
其中，对准孔形成在所述本体中、以穿过所述本体，所述对准孔在对准所述环载体时使用。
2.根据权利要求1所述的环载体，其中，所述引导部形成在面向所述环构件的平坦区域的内周边的位置处。
3.根据权利要求1所述的环载体，其中，所述本体具有盘形状，在所述本体中、所述本体的中心部分为挡板。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的环载体，其中，所述引导部包括：
第一引导部；和
第二引导部，所述第二引导部形成为与所述第一引导部间隔开，以及
其中，所述对准孔形成在所述第一引导部与所述第二引导部之间。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的环载体，其中，一个或多个开口形成在所述本体的周边区域处、以穿过所述本体。
6.根据权利要求5所述的环载体，其中，所述开口形成在所述本体的所述周边区域处，所述周边区域包括所述本体的外周边。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的环载体，其中，所述环载体包括：
一个或多个防滑垫，所述一个或多个防滑垫设置在所述本体的下表面上。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的环载体，其中，所述环载体包括：
防滑销，所述防滑销从所述本体的下表面向下突出。
9.一种基板处理系统，所述基板处理系统包括：
第一腔室，在所述第一腔室中设置有传输机械手，所述传输机械手具有传输手部；
第二腔室，所述第二腔室连接到所述第一腔室；
环载体，所述环载体在传输环构件的情况下、在所述第一腔室与所述第二腔室之间支承所述环构件；以及
对准单元，所述对准单元配置为对准所述环载体，
其中，所述环载体包括：
本体，所述本体具有盘形状；以及
引导凸台，所述引导凸台配置为防止定位在所述本体上的所述环构件滑动，和
对准孔，所述对准孔形成在所述本体中、以穿过所述本体，所述对准孔在所述对准单元对准所述环载体时使用。
10.根据权利要求9所述的基板处理系统，其中，所述对准孔形成在与凹口重叠的位置处，所述凹口形成在基板中。
11.根据权利要求9所述的基板处理系统，其中，所述引导凸台形成在面向所述环构件的平坦区域的内周边的位置处。
12.根据权利要求11所述的基板处理系统，其中，所述引导凸台包括：
平坦部分，所述平坦部分对应于所述平坦区域的内周边；以及
圆形部分，所述圆形部分从所述平坦部分弯曲且延伸、并且对应于所述环构件的圆形区域的内周边。
13.根据权利要求12所述的基板处理系统，其中，所述圆形部分的外周边和所述圆形区域的内周边具有相同的曲率半径。
14.根据权利要求12所述的基板处理系统，其中，所述引导凸台包括：
第一引导凸台；以及
第二引导凸台，所述第二引导凸台形成为与所述第一引导凸台间隔开、并且具有与所述第一引导凸台对称的形状。
15.根据权利要求9至14中任一项所述的基板处理系统，其中，多个开口形成在所述本体的周边区域处、以穿过所述本体，并且
其中，所述开口形成在当从顶部观察时、与支承架重叠的位置处，所述支承架设置在所述第二腔室中。
16.根据权利要求15所述的基板处理系统，其中，所述开口形成在所述本体的所述周边区域处，所述周边区域包括所述本体的外周边。
17.根据权利要求9至14中任一项所述的基板处理系统，其中，所述对准单元包括：
卡盘，所述卡盘配置为支承和旋转所述环载体；
照射部，所述照射部配置为朝向由所述卡盘支承的所述环载体的所述对准孔照射光；以及
光接收部，所述光接受部配置为接收穿过所述对准孔的所述光。
18.一种基板处理系统，所述基板处理系统包括：
索引腔室，所述索引腔室的内部保持大气气氛、并且设置有传输机械手；
工艺腔室，所述工艺腔室配置为通过使用等离子体来处理基板；
装载锁定腔室，所述装载锁定腔室设置在所述索引腔室与所述工艺腔室之间，并且所述装载锁定腔室的内部在大气压力气氛与真空压力气氛之间变化；
环载体，所述环载体用以在所述装载锁定腔室与所述索引腔室之间传输提供给所述工艺腔室的环构件；以及
控制器，
其中，所述控制器控制所述传输机械手，使得所述传输机械手的手部在所述装载锁定腔室与所述索引腔室之间传输所述环载体，所述环载体定位在所述环构件上，
其中，所述环载体包括：
本体，所述本体具有盘形状；以及
引导部，所述引导部从所述本体的上表面突出、以面向所述环构件的平坦区域的内周边，以及
其中，对准孔形成在所述本体中、以穿过所述本体，所述对准孔在对准所述环载体时使用。
19.根据权利要求18所述的基板处理系统，所述基板处理系统还包括：
对准单元，所述对准单元配置为对准凹口或所述对准孔的方向，所述凹口形成在所述基板中，所述对准孔形成在所述环载体中，以及
所述对准孔形成在从顶部观察时、与所述凹口重叠的位置处。
20.根据权利要求19所述的基板处理系统，其中，所述装载锁定腔室包括：
多个支承架，所述多个支承架支承所述基板或所述环构件，
多个开口，所述多个开口形成在所述本体的周边区域处、以穿过所述本体，并且
其中，所述开口形成在当从顶部观察时、与所述支承架重叠的位置处。
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