CN112599469A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置。处理基板的装置可包括：腔室，所述腔室具有内部空间；基座，所述腔室在所述内部空间中支撑基板；及边缘夹具，所述边缘夹具抑制被所述基座支撑的基板的弯曲；且所述边缘夹具包括：环状的主体；多个凸起，所述多个凸起从所述主体向其内侧延长，沿所述主体的圆周方向相互隔开地提供，从上部观察时，与被所述基座支撑的基板的边缘上部重叠地提供。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明是涉及基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
一般而言，为了制造半导体组件或显示面板等，需要诸如蚀刻、抛光、沉积以及清洗等利用电浆来处理基板的多样制程。
在一般的处理基板的制程过程中，发生基板弯曲或扭曲的现象。将弯曲或扭曲的基板称为翘曲基板(substrate warpage)，翘曲基板是因为在制程上基板被高温加热，膨胀的基板材料不均匀收缩而发生，或在基板厚度较薄时发生。
若在基板W发生翘曲(Warpage)的状态下进行电浆制程，或在执行电浆制程的过程中基板W发生翘曲(Warpage)，则在基板W与基座之间发生缝隙。此时，如图1所示，在该缝隙发生局部电浆。局部电浆降低对基板W的制程处理效率，或产生电弧放电而损伤基板W。
另外，在执行对基板W的电浆制程的过程中，为了抑制基板W的翘曲(Warpage)，如图2所示，可考虑针对基板W的边缘区域，利用窗口夹板(Window Clamp)来夹住基板W的方法。但是，此时基板W的边缘上面不暴露于电浆。因此，无法适当执行对基板W边缘上面的电浆处理。即，利用窗口夹板夹住基板W的边缘区域后处理基板W时，基板W边缘上面涂覆的光阻剂(Photoresist)无法去除，发生表面涂覆不良(Poor Coating)。
发明内容
技术问题
本发明的一个目的在于提供一种能够高效处理基板的基板处理装置及基板处理方法。
另外，本发明的一个目的在于提供一种能够使以基板发生弯曲的状态来执行制程的情形实现最小化的基板处理装置及基板处理方法。
另外，本发明的一个目的在于提供一种能够使在基板边缘区域降低基板处理效率的情形实现最小化的基板处理装置及基板处理方法。
本发明的目的不限于此，未提及的其他目的是本领域技术人员可从以下记载而明确理解的。
技术方案
本发明提供一种基板处理装置。处理基板的装置可包括：腔室，该腔室具有内部空间；基座，该腔室在该内部空间中支撑基板；及边缘夹具，该边缘夹具抑制被该基座支撑的基板的弯曲；且该边缘夹具包括：环状的主体；多个凸起，该等多个凸起从该主体向其内侧延长，沿该主体的圆周方向相互隔开地提供，从上部观察时，与被该基座支撑的基板的边缘上部重叠地提供。
根据一个实施例，该凸起可向该主体的中心方向延长。
根据一个实施例，该凸起可从被该基座支撑的基板的上面隔开地提供。
根据一个实施例，该凸起的下面可在被该基座支撑的基板为平坦状态时，从被该基座支撑的基板的上面隔开地提供。
根据一个实施例，该主体可从在上部观察的该主体的中心向该主体的外侧方向向下错层地提供，以便被该基座支撑的基板的边缘区域插入。
根据一个实施例，该装置还可包括包围该基座周围的引导环，该主体可被该引导环支撑。
根据一个实施例，该引导环的上面可包括：以等于或低于该基座上面的高度提供的内侧上面；及以高于该基座上面的高度提供的外侧上面；该主体可包括：被该内侧上面支撑的内侧下面；被该外侧上面支撑的外侧下面。
根据一个实施例，该引导环还可包括向上倾斜部，该向上倾斜部沿着从该内侧上面朝向该外侧上面的方向向上倾斜，该主体还可包括向下倾斜部，该向下倾斜部沿着从该外侧下面朝向该内侧下面的方向向下倾斜，以与该向上倾斜部对应的形状提供。
根据一个实施例，该装置还可包括电浆激发部，该电浆激发部产生电浆并向该内部空间供应。
根据一个实施例，该凸起可在进行制程时，与被该基座支撑的基板的上面接触地提供。
另外，本发明提供一种基板处理装置。处理基板的装置可包括：装置前端模块；及处理基板的处理模块；该装置前端模块可包括：装载端口，该装载端口供容纳基板的容器放置；及移送框架，该移送框架提供在该装载端口与该处理模块之间搬运基板的索引机器人；该处理模块可包括：夹紧缓冲器，该夹紧缓冲器与该装置前端模块邻接配置；制程腔室，该制程腔室对基板执行处理制程；转移腔室，该转移腔室具有在该制程腔室与该夹紧缓冲器之间搬运基板的搬运机器人；该夹紧缓冲器可包括：基板支撑构件，该基板支撑构件支撑基板；及边缘夹具支撑构件，该边缘夹具支撑构件具有支撑边缘夹具的支撑端；该制程腔室可包括：腔室，该腔室具有内部空间；基座，该基座在该内部空间支撑基板；该边缘夹具，该该边缘夹具抑制被该基座支撑的基板的弯曲；且该边缘夹具可包括：环状的主体；多个凸起，该等多个凸起从该主体向其内侧延长，沿该主体的圆周方向相互隔开地提供，从上部观察时，与被该基座支撑的基板边缘上部重叠地提供。
根据一个实施例，该凸起可向该主体的中心方向延长。
根据一个实施例，该凸起可从被该基座支撑的基板的上面隔开地提供。
根据一个实施例，该凸起的下面可在被该基座支撑的基板为平坦状态时，从被该基座支撑的基板的上面隔开地提供。
根据一个实施例，该主体可从在上部观察的该主体的中心向该主体的外侧方向向下错层地提供，以便被该基座支撑的基板的边缘区域插入。
根据一个实施例，该装置还可包括包围该基座周围的引导环，该主体可被该引导环支撑。
根据一个实施例，该引导环的上面可包括：以等于或低于该基座上面的高度提供的内侧上面；及以高于该基座上面的高度提供的外侧上面；该主体可包括：被该内侧上面支撑的内侧下面；被该外侧上面支撑的外侧下面。
根据一个实施例，该引导环还可包括向上倾斜部，该向上倾斜部沿着从该内侧上面朝向该外侧上面的方向向上倾斜；该主体还可包括向下倾斜部，该向下倾斜部沿着从该外侧下面朝向该内侧下面的方向向下倾斜，以与该向上倾斜部对应的形状提供。
根据一个实施例，该凸起可在进行制程时，与被该基座支撑的基板的上面接触。
另外，本发明提供一种处理基板的方法。利用处理基板的装置来处理基板的方法可包括：使该边缘夹具位于该夹紧缓冲器的该支撑端的步骤；将制程处理前的该基板搬入该夹紧缓冲器的步骤；及将该边缘夹具和该基板从该夹紧缓冲器移送到该制程腔室的步骤。
根据一个实施例，该方法可包括：使该基板支撑于该基座的步骤；及在该制程腔室中利用电浆来处理基板的步骤；且在处理该基板的步骤执行期间，该边缘夹具的多个该凸起位于该基板的边缘上部，可抑制该基板的弯曲。
有益效果
根据本发明一个实施例，可高效处理基板。
另外，根据本发明一个实施例，能够使以基板发生弯曲的状态来执行制程的情形实现最小化。
另外，根据本发明一个实施例，能够使在基板边缘区域降低基板处理效率的情形实现最小化。
本发明的效果并非限定于所述效果，应理解为包括能够从本发明的说明或权利要求书记载的发明构成而推论出的所有效果。
附图说明
图1是显示基板发生翘曲而在基板与基座之间发生缝隙的样子的图。
图2是显示为了抑制基板翘曲而使用窗口夹板来夹住基板边缘区域的样子的图。
图3是显示本发明一个实施例的基板处理装置的俯视图。
图4是本发明一个实施例的搬运机器人的俯视图。
图5是简略图示本发明一个实施例的缓冲单元的俯视图。
图6是简略图示本发明一个实施例的缓冲单元的外壳内部的侧视图。
图7是说明本发明一个实施例的夹紧缓冲器的运转状态的侧视图。
图8是显示基板从装置前端模块搬入夹紧缓冲器的状态的图。
图9是显示推杆修正基板的位置、搬运机器人进入的状态的图。
图10是显示基板被搬运机器人拾起且边缘夹具位于基板上的状态的图。
图11是显示在基座上安放了基板的制程腔室的图。
图12是显示图11的边缘夹具的立体图。
图13是放大显示图11的A部分的图。
图14是显示在处理基板的过程中基板发生弯曲现象的样子的图。
图15是本发明一个实施例的基板处理方法的顺序图。
图16是显示本发明另一实施例的边缘夹具的图。
其中，附图标记说明如下：
1：基板处理装置
4：承载架
6：支撑部
10：载入端口
11：第一方向
12：第二方向
20：装置前端模块
21：移送框架
25：索引机器人
27：移送轨道
30：制程处理部
40：缓冲单元
41：夹紧缓冲器
41a：第一缓冲区域
42：导通缓冲器
42a：第二缓冲区域
50：转移腔室
53：搬运机器人
53a：双手
53b：双手
54：驱动器
60：制程腔室
70：控制器
110：外壳
110a：外壳
110b：外壳
112a：通路
112b：通路
114a：通路
114b：通路
116a：门
116b：门
117a：门
117b：门
130：基板支撑构件
140：推杆
150：边缘夹具支撑构件
151：支撑端
152：驱动部
160：边缘夹具
161：主体
162：凸起
164：内侧下面
166：外侧下面
168：向下倾斜部
181：气体供应管线
2100：腔室腔室
2110：处理腔室
2120：扩散腔室
2121：扩散空间
2200：基座
2220：加热构件
2230：引导环
2232：内侧上面
2234：外侧上面
2236：向上倾斜部
2300：挡板
2310：分配孔
2400：电浆激发部
2410：振荡器
2420：导波管
2430：电介质管
2440：制程气体供应部
W：基板
S10-S80：步骤
具体实施方式
下面参照附图，更详细地说明本发明的实施例。本发明的实施例可变形为多种形态，不得解释为本发明的范围限定于以下的实施例。本实施例是为了向本领域技术人员更完整地说明本发明而提供的。因此，附图中的组件的形状为了强调更明确的说明而进行夸张。
图3是显示本发明实施例的基板处理装置的俯视图。
若参照图3，基板处理装置1具有装置前端模块(equipment front endmodule；EFEM)20及制程处理部30。装置前端模块20与制程处理部30沿一个方向配置。下面，将装置前端模块20和制程处理部30排列的方向称为第一方向11，将在上部观察时垂直于第一方向11的方向称为第二方向12。
装置前端模块20具有装载端口(load port)10及移送框架21。装载端口10沿第一方向11配置于装置前端模块20的前方。装载端口10具有多个支撑部6。各个支撑部6沿第二方向12配置成一列，放置收纳将提供给制程的基板W及制程处理完成的基板W的承载架4(例如载片盒、FOUP等)。在承载架4中收纳将提供给制程的基板W及制程处理完成的基板W。移送框架21配置于装载端口10与制程处理部30之间。移送框架21包括配置于其内部并在装载端口10与制程处理部30之间移送基板W的索引机器人25。索引机器人25沿着向第二方向12配备的移送轨道27移动，在承载架4与制程处理部30之间移送基板W。
制程处理部30包括缓冲单元40、转移腔室50、多个制程腔室60以及控制器70。
缓冲单元40与移送框架21邻接配置。作为一个示例，缓冲单元40可配置于转移腔室50与装置前端模块20之间。缓冲单元40提供用于将提供给制程的基板W在移送到制程腔室60前或制程处理完成的基板W在移送到装置前端模块20前待机的空间。
转移腔室50与缓冲单元40邻接配置。转移腔室50从上部观察时，具有多边形的主体。在主体外侧，缓冲单元40及多个制程腔室60沿着主体外周配置。在主体的各侧壁形成有供基板W进出的通路(图上未示出)，通路连接转移腔室50与缓冲单元40或制程腔室60。在各通路中提供开闭通路而使内部密闭的门(图上未示出)。在转移腔室50的内部空间，配置有在缓冲单元40与制程腔室60之间移送基板W的搬运机器人53。搬运机器人53将在缓冲单元40待机的未处理的基板W移送到制程腔室60，或将制程处理完成的基板W移送到缓冲单元40。而且，为了依次或同时向多个制程腔室60提供基板W，在制程腔室60之间移送基板W。
制程腔室60可沿转移腔室50的外周配置。制程腔室60可提供多个。在各个制程腔室60内，进行对基板W的制程处理。制程腔室60从搬运机器人53接受移送基板W，进行制程处理，将制程处理完成的基板W提供给搬运机器人53。在各个制程腔室60中进行的制程处理可彼此相异。制程腔室60执行的制程可为利用基板W来生产半导体组件或显示面板的过程中的一个制程。
控制器70可控制包括缓冲单元40在内的基板处理装置1的各构成。
借助于基板处理装置1而处理的基板W是全部包括半导体组件或平板显示器(flatpanel display；FPD)及此外的制造在薄膜上形成有电路图案的对象所使用的基板的总括性概念。作为这种基板W的示例，有硅芯片、玻璃基板、有机基板等。
图4是本发明一个实施例的搬运机器人的俯视图。
若参照图4，搬运机器人53具有两个手型的双手53a、53b。双手53a、53b共享一个驱动器54并同时驱动。具备双手型的搬运机器人53只是一个实施例，因而权利范围并非限定于搬运机器人为用一个驱动器同时驱动的双手型。
图5是简略图示本发明一个实施例的缓冲单元的俯视图。若参照图5，缓冲单元40包括外壳110a、110b、基板支撑构件130。
外壳110a、110b是保护缓冲单元40的框架。外壳110a、110b具有容纳基板W的内部空间。在外壳110a、110b内，形成有与移送框架21邻接并平行地配置的供基板W在外壳110a、110b的内部空间与移送框架21间进出的通路112a、114a、供基板W在外壳110a、110b的内部空间与转移腔室50之间进出的通路112b、114b。在形成有通路112a、112b、114a、114b的侧壁上分别安装有对通路进行开闭而使外壳110a、110b的内部空间与外部密闭的门116a、116b、117a、117b。在外壳110a、110b的一侧，安装有向外壳110a、110b的内部空间供应净化气体的气体供应管线181。第一外壳110a与第二外壳110b沿第一方向11平行地配置。在各外壳110a、110b上，可选择性地配备有夹紧缓冲器41或导通缓冲器42。
图6是简略图示本发明一个实施例的缓冲单元的外壳内部的侧视图。具体而言，图6是简略图示第一外壳110a或第二外壳110b中某一者的内部的侧视图。下面，对于第一外壳110a或第二外壳110a，表现为外壳110。外壳110由夹紧缓冲器41与导通缓冲器42上下层叠配置。
夹紧缓冲器41形成第一缓冲区域41a。第一缓冲区域41a包括基板支撑构件130、推杆140、边缘夹具支撑构件150。导通缓冲器42形成第二缓冲区域42a。第二缓冲区域42a包括基板支撑构件130、推杆140。
基板支撑构件130利用缓冲区域41a、42a支撑所搬入的基板W。基板支撑构件130支撑基板W的底面。基板支撑构件130位于缓冲区域41a、42a的下部。基板支撑构件130以在索引机器人25或搬运机器人53搬入及搬出基板W时不干扰索引机器人25或搬运机器人53进入的形状提供。作为一个示例，基板支撑构件130以杆形状提供，支撑基板W的底面。
推杆140位于被基板支撑构件130支撑的基板W的外侧。推杆140排列所搬入的基板W。推杆140以与基板W侧面相向的部分能够沿着朝向基板W的方向移动的方式提供。推杆140可以基板W为基准，彼此相向地提供多个。作为一个示例，推杆140可以基板W为基准，相向地提供2个，或沿彼此交叉的方向提供4个。
图7是说明本发明一个实施例的夹紧缓冲器的运转状态的侧视图。若参照图7，夹紧缓冲器41包括基板支撑构件130和边缘夹具支撑构件150。
边缘夹具支撑构件150支撑边缘夹具160。边缘夹具支撑构件150位于比被基板支撑构件130支撑的基板W边缘更外侧。
边缘夹具支撑构件150包括支撑端151，该支撑端151位于比作为基板支撑构件130上面高度的第一位置h1更高的第二位置h2。支撑端151支撑边缘夹具160。支撑端151与驱动部152连接，驱动部152驱动支撑端151而使得能够相对于第二位置h2和作为比第二位置h2更上部的第三位置h3，在第二位置h2与第三位置h3间移动。
图8是显示基板从装置前端模块搬入夹紧缓冲器的状态的图。若参照图8，边缘夹具160在基板W从装置前端模块20搬入缓冲单元40前，位于边缘夹具支撑构件150。边缘夹具160与基板W的外侧外周对应地为圆形或四边形环形状，以陶瓷材料提供。
在边缘夹具160准备就绪状态下，索引机器人25将待处理的基板W搬入夹紧缓冲器41。控制器70控制索引机器人25，使得基板W向比将被基板支撑构件130支撑的高度更上侧隔开设置距离的高度h4搬入。然后，基板W与将被基板支撑构件130支撑的位置上下排列后，索引机器人25向下侧移动，使得基板W位于基板支撑构件130。
图9是显示推杆修正基板的位置、搬运机器人进入的状态的图。若参照图9，基板W从装置前端模块20搬入后，基板W的位置可借助于推杆140而修正。索引机器人25(参照图8)设置得使基板W位于设置位置。但是，在使基板W位于基板支撑构件130的过程中，基板W的位置与设置位置会发生差异。控制器70使推杆140向基板W方向移动设置距离，推动基板W位于正确的位置。然后，推杆140远离基板W，防止与其他构成干扰。基板W定位完成后，搬运机器人53以位于基板下侧的方式进入。
图10是显示基板被搬运机器人拾起且边缘夹具位于基板上的状态的图。若参照图10，搬运机器人53向比第二位置h2(参照图7)更上侧进一步上升设置高度而拾起基板W(该设置高度低于第三高度h3)。搬运机器人53在为了拾起基板W而上升的过程中，边缘夹具160位于基板W。完成基板W的拾起后，搬运机器人53从夹紧缓冲器41向转移腔室50方向后退。
图11是显示基板安放于基座的制程腔室的图。若参照图11，制程腔室60包括腔室2100、基座2200、挡板2300及电浆激发部2400。
腔室2100具有执行制程处理的内部空间。腔室2100可包括：处理腔室2110，该处理腔室2110具有处理基板W的内部空间；扩散腔室2120，该扩散腔室2120使电浆激发部2400产生的电浆扩散。扩散腔室2120可具有供电浆扩散的扩散空间2121。
基座2200可在腔室2100的内部空间支撑基板W。基座2200可在腔室2100的内部空间提供。基座2200可以铝材质提供。在基座2200的内部，可形成有供冷却流体循环的冷却流路(图上未示出)。冷却流体沿着冷却流路循环而使基座2200冷却。在基座2200中，为了调节基于电浆的基板W处理程度，可从偏置电源(图上未示出)施加电力。偏置电源施加的电力可为射频(radio frequency，RF)电源。基座2200借助于偏置电源施加的电力而形成鞘层，在该区域形成高密度的电浆，可提高制程能力。
在基座2200的内部，可提供加热构件2220。根据一个示例，加热构件2220可以加热线提供。加热构件2220将基板W加热为预先设置的温度。基座2200可包括升降销(图上未示出)，在基板W搬入制程腔室60时，基座2200的升降销可为上升的状态。在基座2200周围，提供包围基座2200的引导环2230。引导环2230可以陶瓷材料提供。
挡板2300电连接于处理腔室2110的上部壁。挡板2300可为圆板形状，与基座2200的上面平行地配置。挡板2300可以经表面氧化处理的铝材质提供。在挡板2300上形成有分配孔2310。分配孔2310为了均匀供应自由基而可在同心圆周上按既定间隔形成。在扩散空间2121扩散的电浆流入分配孔2310。此时，诸如电子或离子等的带电粒子被挡板2300捕获，而诸如氧自由基等不带电的中性粒子穿过分配孔2310供应到基板W。另外，挡板2300可接地而形成供电子或离子移动的通路。
电浆激发部2400产生电浆，供应到腔室2100。电浆激发部2400可在腔室2100的上部提供。电浆激发部2400包括振荡器2410、导波管2420、电介质管2430及制程气体供应部2440。振荡器2410产生电磁波。导波管2420连接振荡器2410与电介质管2430，提供供振荡器2410产生的电磁波向电介质管2430内部传递的通路。制程气体供应部2440向腔室2100的上部供应制程气体。制程气体根据制程进行过程加以选择。供应到电介质管2430内部的制程气体借助于电磁波而激发为电浆状态。电浆经电介质管2430流入扩散空间2121。上述电浆激发部2400是以利用电磁波的情形为例，但作为又一实施例，电浆激发部2400亦可以电感耦合电浆激发部、电容耦合电浆激发部提供。
根据本发明之实施例，搬入制程腔室60的基板W可以在上部观察时，基板W的边缘上部被边缘夹具160覆盖的状态提供。边缘夹具160可抑制被基座2200支撑的基板W的弯曲(Warpage)。另外，边缘夹具160可被引导环2230支撑。例如，后述边缘夹具160的主体161可被引导环2230支撑。
图12是显示图11的边缘夹具的立体图，图13是放大图11的A部分显示的图。若参照图12及图13，边缘夹具160可包括主体161及凸起162。
主体161可具有环形状。主体161可具有圆形或四边形的环形状。主体161的形状可具有与处理的基板W的形状对应的形状。例如，当基板W的形状为圆形时，可使用包括具有圆环形状的主体161的边缘夹具160。不同于此，当基板W的形状为四边形时，可使用包括具有四边形环形状的主体161的边缘夹具160。
另外，主体161可从在上部观察的主体161的中心向主体161外侧方向呈现错层，以便被基座2200支撑的基板W边缘区域插入。例如，主体161可从在上部观察的主体161的中心向主体161的外侧方向向下错层地提供，以便被基座2200支撑的基板W的边缘区域插入。即使边缘夹具160稍稍未能安放于引导环2230准确位置，主体161的向下错层的部分在基板W边缘滑动，从而边缘夹具160可位于准确位置。
凸起162可提供多个。凸起162在上部观察时，可从主体161向其内侧延长。凸起162在上部观察时，可从主体161向主体161的中心方向延长。另外，凸起162可沿主体161的圆周方向相互隔开地提供。凸起162可沿主体161的圆周方向，彼此隔开相同间隔地提供。
边缘夹具160支撑于引导环2230后，在上部观察时，边缘夹具160的凸起162可与被基座2200支撑的基板W的边缘上部重叠配置。在上部观察时，不与凸起162重叠的基板W的边缘上部可暴露于电浆激发部2400产生的电浆。即，根据本发明一个实施例，多个凸起162分别沿主体161的圆周方向相互隔开地提供，因而可使因基板W的边缘上部不暴露于电浆导致光阻剂无法去除而发生表面处理不良的问题实现最小化。
另外，凸起162的下面可从基板W的上面隔开地提供。例如，边缘夹具160支撑于引导环2230后，凸起162的下面可从被基座2200支撑的基板W上面隔开地提供。另外，凸起162的下面在被基座2200支撑的基板W为平坦状态时，可从基板W的上面隔开地提供。因此，基板W的边缘区域可暴露于电浆激发部2400产生的电浆。
引导环2230的上面可包括内侧上面2232和外侧上面2234。内侧上面2232可以与基座2200上面相同高度提供。不同于此，内侧上面2232可以低于基座2200上面的高度提供。外侧上面2234可以高于基座2200上面的高度提供。另外，引导环2230的上面可包括向上倾斜部2236，该向上倾斜部2236沿着从内侧上面2232朝向外侧上面2234的方向向上倾斜。
再次考查边缘夹具160，边缘夹具160的主体161可包括被引导环2230的内侧上面2232支撑的内侧下面164。另外，边缘夹具160的主体161可包括被引导环2230的外侧上面2234支撑的外侧下面166。内侧下面164可以低于凸起162的下面的高度提供。外侧下面166可以低于凸起162的下面的高度提供。外侧下面166可以高于内侧下面164的高度提供。另外，边缘夹具160的主体161还可包括向下倾斜部168，该向下倾斜部168沿着从外侧下面166朝向内侧下面164的方向向下倾斜。向下倾斜部168可具有与向上倾斜部2236对应的形状。边缘夹具160被引导环2230支撑后，边缘夹具160的内侧下面164可与引导环2230的内侧上面2232相接。边缘夹具160被引导环2230支撑后，边缘夹具160的外侧下面166可与引导环2230的外侧上面2234相接。
一般而言，在对基板W的制程处理，特别是向基板W供应电浆来处理基板的过程中，基板W会发生弯曲现象。因此，为了抑制基板W的弯曲现象，可考虑针对基板W的边缘区域，使用窗口夹板(Window Clamp)来夹住(Clamping)基板W的方法。但是，此种方法在基板W的边缘区域无法恰当执行电浆处理。具体而言，若使用窗口夹板(Window Clamp)来夹住(Clamping)基板W的边缘区域，则基板W的边缘上部不暴露于向基板W供应的电浆。因此，在基板W的边缘区域，基板W上涂覆的光阻剂无法适当去除，这导致发生表面处理不良(PoorCoating)。
但是，根据本发明之一个实施例，边缘夹具160具有多个凸起162。因此，从上部观察时，基板W的边缘区域中一部分与多个凸起162重叠。即，从上部观察时，基板W边缘区域中不与凸起162重叠的区域暴露于电浆。因此，在基板W的边缘区域，可使发生表面处理不良(Poor Coating)的情形实现最小化。另外，根据本发明一个实施例，被基座2200支撑的基板W为平坦状态时，凸起162的下面从基板W的上面隔开地提供。因此，电浆流入凸起162的下面与基板W的边缘上面之间空间。即，基板W的边缘上面暴露于电浆，可在基板W的边缘区域，使发生表面处理不良(Poor Coating)的情形实现最小化。另外，如图14所示，基板W发生弯曲现象，即使基板W的上面与凸起162的下面相接，与使用普通窗口夹板的情形相比，可使发生表面处理不良(Poor Coating)的情形实现最小化。具体而言，普通的窗口夹板(WindowClamp)与基板W的边缘上面实现面接触。但是，本发明的一个实施例的边缘夹具160的凸起162与基板W的上面隔开地提供。另外，即使基板W发生弯曲现象，基板W的上面与凸起162的下面实现线接触。即，与使用普通窗口夹板的情形相比，基板W与边缘夹具160接触的面积减小。因此，可在基板W的边缘区域，使发生表面处理不良(Poor Coating)的情形实现最小化。
图15是本发明一个实施例的基板处理方法的顺序图。若参照图15，边缘夹具160位于夹紧缓冲器41的支撑端151(步骤S10)。
索引机器人25向夹紧缓冲器41的各第一缓冲区域41a移送制程处理前的基板W(步骤S20)。一个实施例提供了基板W从夹紧缓冲器41搬入一个第一缓冲区域41a，而另一个第一缓冲区域41a不搬入基板W的状态。
借助于推杆140而完成基板W排列、未存在基板W的夹紧缓冲器的支撑端151升降后，搬运机器人53的双手53a、53b同时进入该夹紧缓冲单元内部(步骤S30)。
进入的双手53a、53b若到达夹紧缓冲单元设置的位置，则双手53a、53b上升得高于支撑端151并拾起基板W(步骤S40)。基板W被拾起，同时边缘夹具160亦一同被拾起。
完成基板W与边缘夹具160的拾起的搬运机器人53向转移腔室50方向后退，从夹紧缓冲单元搬出基板W(步骤S50)。
移送到转移腔室50的基板W及边缘夹具160移送到制程腔室60(步骤S60)。
移送到制程腔室60的基板W安放于在腔室2100中支撑基板W的基座2200(步骤S70)。即，基板W被基座2200支撑。此时，与基板W一同移送到制程腔室60的边缘夹具160，支撑于包围基座2200的引导环2230。
基板W安放于基座2200后，电浆激发部2400产生电浆。电浆激发部2400产生的电浆经扩散空间2121而扩散。扩散空间2121扩散的电浆通过挡板2300具有的分配孔2310传递到基板W。传递到基板W的电浆对基板W进行处理(步骤S80)。传递到基板W的电浆可去除基板W上涂覆的光阻剂(Photoresist)。另外，在电浆传递到基板W并处理基板W期间，边缘夹具160位于基板W的边缘上部，可抑制基板W的弯曲现象。作为一个示例，边缘夹具160具有的多个凸起162位于基板W的边缘上部，可抑制基板W的弯曲。
在上述示例中，以凸起162的下面从基板W上面隔开地提供的情形为例进行说明，但并非限定于此。例如，如图16所示，凸起162的下面可与被基座2200支撑的基板W上面接触地提供。例如，凸起162亦可在进行制程时，与被基座2200支撑的基板W上面接触地提供。
以上的详细说明是对本发明进行举例。另外，所述内容显示并说明本发明的较佳实施形态，本发明可在多样的不同组合、变更及环境下使用。即，可在与本说明书中公开的发明的概念范围、所述公开内容均等的范围及/或本行业的技术或知识范围内变更或修订。所述实施例说明了用于体现本发明技术思想所需的最佳状态，亦可进行本发明具体应用领域及用途所要求的多样变更。因此，以上的发明内容并非要将本发明限定于公开的实施形态。另外，应解释为附带的权利要求书也包括其他实施形态。

Claims (21)

1.一种基板处理装置，其中，包括：
腔室，所述腔室具有内部空间；
基座，所述基座在所述内部空间中支撑基板；及
边缘夹具，所述边缘夹具抑制被所述基座支撑的基板的弯曲，
所述边缘夹具包括：
环状的主体；
多个凸起，多个所述凸起从所述主体向其内侧延长，沿着所述主体的圆周方向相互隔开，从上部观察时，与被所述基座支撑的基板的边缘上部重叠。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述凸起向所述主体的中心方向延长。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述凸起从被所述基座支撑的基板的上面隔开。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述凸起的下面在被所述基座支撑的基板为平坦状态时，所述凸起从被所述基座支撑的基板的上面隔开。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述主体从在上部观察的所述主体的中心向所述主体外侧方向向下错层，以便被所述基座支撑的基板的边缘区域插入。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置还包括包围所述基座周围的引导环，
所述主体被所述引导环支撑。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述引导环的上面包括：
以等于或低于所述基座上面的高度提供的内侧上面；及
以高于所述基座上面的高度提供的外侧上面，
所述主体包括：
被所述内侧上面支撑的内侧下面；
被所述外侧上面支撑的外侧下面。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述引导环还包括向上倾斜部，所述向上倾斜部沿着从所述内侧上面朝向所述外侧上面的方向向上倾斜，
所述主体还包括向下倾斜部，所述向下倾斜部沿着从所述外侧下面朝向所述内侧下面的方向向下倾斜，以与所述向上倾斜部对应的形状提供。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置还包括：
电浆激发部，所述电浆激发部产生电浆并向所述内部空间供应。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述凸起在进行制程时，与被所述基座支撑的基板的上面接触。
11.一种基板处理装置，其中，包括：
装置前端模块；及
处理基板的处理模块，
所述装置前端模块包括：
装载端口，所述装载端口供容纳基板的容器放置；及
移送框架，所述移送框架提供在所述装载端口与所述处理模块之间搬运基板的索引机器人；
所述处理模块包括：
夹紧缓冲器，所述夹紧缓冲器与所述装置前端模块邻接配置；
制程腔室，所述制程腔室对基板执行处理制程；
转移腔室，所述转移腔室具有在所述制程腔室与所述夹紧缓冲器之间搬运基板的搬运机器人；
所述夹紧缓冲器包括：
基板支撑构件，所述基板支撑构件支撑基板；及
边缘夹具支撑构件，所述边缘夹具支撑构件具有支撑边缘夹具的支撑端；
所述制程腔室包括：
腔室，所述腔室具有内部空间；
基座，所述基座在所述内部空间支撑基板；
所述边缘夹具，所述边缘夹具抑制被所述基座支撑的基板的弯曲；
所述边缘夹具包括：
环状的主体；
多个凸起，多个所述凸起从所述主体向其内侧延长，沿所述主体的圆周方向相互隔开，从上部观察时，与被所述基座支撑的基板的边缘上部重叠。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述凸起向所述主体的中心方向延长。
13.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述凸起从被所述基座支撑的基板的上面隔开。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，所述凸起的下面在被所述基座支撑的基板为平坦状态时，所述凸起从被所述基座支撑的基板的上面隔开。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的基板处理装置，其中，所述主体从在上部观察的所述主体的中心向所述主体外侧方向向下错层地提供，以便被所述基座支撑的基板的边缘区域插入。
16.根据权利要求11至14中任一项所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置还包括包围所述基座周围的引导环，
所述主体被所述引导环支撑。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其中，所述引导环的上面包括：
以等于或低于所述基座上面的高度提供的内侧上面；及
以高于所述基座上面的高度提供的外侧上面，
所述主体包括：
被所述内侧上面支撑的内侧下面；
被所述外侧上面支撑的外侧下面。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，所述引导环还包括向上倾斜部，所述向上倾斜部沿着从所述内侧上面朝向所述外侧上面的方向向上倾斜，
所述主体还包括向下倾斜部，所述向下倾斜部沿着从所述外侧下面朝向所述内侧下面的方向向下倾斜，以与所述向上倾斜部对应的形状提供。
19.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述凸起在进行制程时，与被所述基座支撑的基板的上面接触。
20.一种基板处理方法，所述方法利用权利要求11至14中任一项所述基板处理装置来处理基板，包括以下步骤：
使所述边缘夹具位于所述夹紧缓冲器的所述支撑端的步骤；
将制程处理前的所述基板搬入所述夹紧缓冲器的步骤；及
将所述边缘夹具和所述基板从所述夹紧缓冲器移送到所述制程腔室的步骤。
21.根据权利要求20所述的基板处理方法，所述方法还包括以下步骤：
使所述基板支撑于所述基座的步骤；及
在所述制程腔室中利用电浆来处理基板的步骤；且
在处理所述基板的步骤执行期间，所述边缘夹具的多个所述凸起位于所述基板的边缘上部，抑制所述基板的弯曲。
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