TW202115824A - 基板處理設備及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板處理設備。處理基板的設備可包括：腔室，前述腔室具有內部空間；基座，前述腔室在前述內部空間中支撐基板；及邊緣夾具，前述邊緣夾具抑制被前述基座支撐的基板的彎曲；且前述邊緣夾具包括：環狀的主體；多個凸起，前述多個凸起從前述主體向其內側延長，沿前述主體的圓周方向相互隔開地提供，從上部觀察時，與被前述基座支撐的基板的邊緣上部重疊地提供。

Description

基板處理設備及基板處理方法
本發明係關於基板處理設備及基板處理方法。
一般而言，為了製造半導體元件或顯示面板等，需要諸如蝕刻、拋光、沉積以及清洗等利用電漿來處理基板的多樣製程。
在一般的處理基板的製程過程中，發生基板彎曲或扭曲的現象。將彎曲或扭曲的基板稱為翹曲基板（substrate warpage），翹曲基板是因為在製程上基板被高溫加熱，膨脹的基板材料不均勻收縮而發生，或在基板厚度較薄時發生。
若在基板W發生翹曲（Warpage）的狀態下進行電漿製程，或在執行電漿製程的過程中基板W發生翹曲（Warpage），則在基板W與基座之間發生縫隙。此時，如圖1所示，在該縫隙發生局部電漿。局部電漿降低對基板W的製程處理效率，或產生電弧放電而損傷基板W。
另外，在執行對基板W的電漿製程的過程中，為了抑制基板W的翹曲（Warpage），如圖2所示，可考慮針對基板W的邊緣區域，利用窗口夾板（Window Clamp）來夾住基板W的方法。但是，此時基板W的邊緣上面不暴露於電漿。因此，無法適當執行對基板W邊緣上面的電漿處理。即，利用窗口夾板夾住基板W的邊緣區域後處理基板W時，基板W邊緣上面塗覆的光阻劑（Photoresist）無法去除，發生表面塗覆不良（Poor Coating）。
[所要解決之技術問題]
本發明的一個目的在於提供一種能夠高效處理基板的基板處理設備及基板處理方法。
另外，本發明的一個目的在於提供一種能夠使以基板發生彎曲的狀態來執行製程的情形實現最小化的基板處理設備及基板處理方法。
另外，本發明的一個目的在於提供一種能夠使在基板邊緣區域降低基板處理效率的情形實現最小化的基板處理設備及基板處理方法。
本發明的目的不限於此，未提及的其他目的是一般技藝人士可從以下記載而明確理解的。 [技術方案]
本發明提供一種基板處理設備。處理基板的設備可包括：腔室，該腔室具有內部空間；基座，該腔室在該內部空間中支撐基板；及邊緣夾具，該邊緣夾具抑制被該基座支撐的基板的彎曲；且該邊緣夾具包括：環狀的主體；多個凸起，該等多個凸起從該主體向其內側延長，沿該主體的圓周方向相互隔開地提供，從上部觀察時，與被該基座支撐的基板的邊緣上部重疊地提供。
根據一個實施例，該凸起可向該主體的中心方向延長。
根據一個實施例，該凸起可從被該基座支撐的基板的上面隔開地提供。
根據一個實施例，該凸起的下面可在被該基座支撐的基板為平坦狀態時，從被該基座支撐的基板的上面隔開地提供。
根據一個實施例，該主體可從在上部觀察的該主體的中心向該主體的外側方向向下錯層地提供，以便被該基座支撐的基板的邊緣區域插入。
根據一個實施例，該設備還可包括包圍該基座周圍的引導環，該主體可被該引導環支撐。
根據一個實施例，該引導環的上面可包括：以等於或低於該基座上面的高度提供的內側上面；及以高於該基座上面的高度提供的外側上面；該主體可包括：被該內側上面支撐的內側下面；被該外側上面支撐的外側下面。
根據一個實施例，該引導環還可包括向上傾斜部，該向上傾斜部沿著從該內側上面朝向該外側上面的方向向上傾斜，該主體還可包括向下傾斜部，該向下傾斜部沿著從該外側下面朝向該內側下面的方向向下傾斜，以與該向上傾斜部對應的形狀提供。
根據一個實施例，該設備還可包括電漿激發部，該電漿激發部產生電漿並向該內部空間供應。
根據一個實施例，該凸起可在進行製程時，與被該基座支撐的基板的上面接觸地提供。
另外，本發明提供一種基板處理設備。處理基板的設備可包括：裝置前端模組；及處理基板的處理模組；該裝置前端模組可包括：載入埠，該載入埠供容納基板的容器放置；及移送框架，該移送框架提供在該載入埠與該處理模組之間搬送基板的索引機器人；該處理模組可包括：夾緊緩衝器，該夾緊緩衝器與該裝置前端模組鄰接配置；製程腔室，該製程腔室對基板執行處理製程；轉移腔室，該轉移腔室具有在該製程腔室與該夾緊緩衝器之間搬送基板的搬送機器人；該夾緊緩衝器可包括：基板支撐構件，該基板支撐構件支撐基板；及邊緣夾具支撐構件，該邊緣夾具支撐構件具有支撐邊緣夾具的支撐端；該製程腔室可包括：腔室，該腔室具有內部空間；基座，該基座在該內部空間支撐基板；該邊緣夾具，該該邊緣夾具抑制被該基座支撐的基板的彎曲；且該邊緣夾具可包括：環狀的主體；多個凸起，該等多個凸起從該主體向其內側延長，沿該主體的圓周方向相互隔開地提供，從上部觀察時，與被該基座支撐的基板邊緣上部重疊地提供。
根據一個實施例，該凸起可向該主體的中心方向延長。
根據一個實施例，該凸起可從被該基座支撐的基板的上面隔開地提供。
根據一個實施例，該凸起的下面可在被該基座支撐的基板為平坦狀態時，從被該基座支撐的基板的上面隔開地提供。
根據一個實施例，該主體可從在上部觀察的該主體的中心向該主體的外側方向向下錯層地提供，以便被該基座支撐的基板的邊緣區域插入。
根據一個實施例，該設備還可包括包圍該基座周圍的引導環，該主體可被該引導環支撐。
根據一個實施例，該引導環的上面可包括：以等於或低於該基座上面的高度提供的內側上面；及以高於該基座上面的高度提供的外側上面；該主體可包括：被該內側上面支撐的內側下面；被該外側上面支撐的外側下面。
根據一個實施例，該引導環還可包括向上傾斜部，該向上傾斜部沿著從該內側上面朝向該外側上面的方向向上傾斜；該主體還可包括向下傾斜部，該向下傾斜部沿著從該外側下面朝向該內側下面的方向向下傾斜，以與該向上傾斜部對應的形狀提供。
根據一個實施例，該凸起可在進行製程時，與被該基座支撐的基板的上面接觸。
另外，本發明提供一種處理基板的方法。利用處理基板的設備來處理基板的方法可包括：使該邊緣夾具位於該夾緊緩衝器的該支撐端的步驟；將製程處理前的該基板搬入該夾緊緩衝器的步驟；及將該邊緣夾具和該基板從該夾緊緩衝器移送到該製程腔室的步驟。
根據一個實施例，該方法可包括：使該基板支撐於該基座的步驟；及在該製程腔室中利用電漿來處理基板的步驟；且在處理該基板的步驟執行期間，該邊緣夾具的多個該凸起位於該基板的邊緣上部，可抑制該基板的彎曲。 [有益效果]
根據本發明一個實施例，可高效處理基板。
另外，根據本發明一個實施例，能夠使以基板發生彎曲的狀態來執行製程的情形實現最小化。
另外，根據本發明一個實施例，能夠使在基板邊緣區域降低基板處理效率的情形實現最小化。
本發明的效果並非限定於所述效果，應理解為包括能夠從本發明的說明或申請專利範圍中記載的發明構成而推論出的所有效果。
下面參照圖式，更詳細地說明本發明之實施例。本發明之實施例可變形為多種形態，不得解釋為本發明的範圍限定於以下的實施例。本實施例是為了向該行業的一般技藝人士更完整地說明本發明而提供的。因此，圖式中的元件的形狀為了強調更明確的說明而進行誇張。
圖3係顯示本發明實施例的基板處理設備的俯視圖。
若參照圖3，基板處理設備1具有裝置前端模組（equipment front endmodule；EFEM）20及製程處理部30。裝置前端模組20與製程處理部30沿一個方向配置。下面，將裝置前端模組20和製程處理部30排列的方向稱為第一方向11，將在上部觀察時垂直於第一方向11的方向稱為第二方向12。
裝置前端模組20具有載入埠（load port）10及移送框架21。載入埠10沿第一方向11配置於裝置前端模組20的前方。載入埠10具有多個支撐部6。各個支撐部6沿第二方向12配置成一列，放置收納將提供給製程的基板W及製程處理完成的基板W的承載架4（例如載片盒、FOUP等）。在承載架4中收納將提供給製程的基板W及製程處理完成的基板W。移送框架21配置於載入埠10與製程處理部30之間。移送框架21包括配置於其內部並在載入埠10與製程處理部30之間移送基板W的索引機器人25。索引機器人25沿著向第二方向12配備的移送軌道27移動，在承載架4與製程處理部30之間移送基板W。
製程處理部30包括緩衝單元40、轉移腔室50、多個製程腔室60以及控制器70。
緩衝單元40與移送框架21鄰接配置。作為一個示例，緩衝單元40可配置於轉移腔室50與裝置前端模組20之間。緩衝單元40提供用於將提供給製程的基板W在移送到製程腔室60前或製程處理完成的基板W在移送到裝置前端模組20前待機的空間。
轉移腔室50與緩衝單元40鄰接配置。轉移腔室50從上部觀察時，具有多邊形的主體。在主體外側，緩衝單元40及多個製程腔室60沿著主體外周配置。在主體的各側壁形成有供基板W進出的通路（圖上未示出），通路連接轉移腔室50與緩衝單元40或製程腔室60。在各通路中提供開閉通路而使內部密閉的門（圖上未示出）。在轉移腔室50的內部空間，配置有在緩衝單元40與製程腔室60之間移送基板W的搬送機器人53。搬送機器人53將在緩衝單元40待機的未處理的基板W移送到製程腔室60，或將製程處理完成的基板W移送到緩衝單元40。而且，為了依次或同時向多個製程腔室60提供基板W，在製程腔室60之間移送基板W。
製程腔室60可沿轉移腔室50的外周配置。製程腔室60可提供多個。在各個製程腔室60內，進行對基板W的製程處理。製程腔室60從搬送機器人53接受移送基板W，進行製程處理，將製程處理完成的基板W提供給搬送機器人53。在各個製程腔室60中進行的製程處理可彼此相異。製程腔室60執行的製程可為利用基板W來生產半導體元件或顯示面板的過程中的一個製程。
控制器70可控制包括緩衝單元40在內的基板處理設備1的各構成。
藉助於基板處理設備1而處理的基板W是全部包括半導體元件或平板顯示器（flat panel display；FPD）及此外的製造在薄膜上形成有電路圖案的物件所使用的基板的總括性概念。作為這種基板W的示例，有矽晶片、玻璃基板、有機基板等。
圖4係本發明一個實施例的搬送機器人的俯視圖。
若參照圖4，搬送機器人53具有兩個手型的雙手53a、53b。雙手53a、53b共用一個驅動器54並同時驅動。具備雙手型的搬送機器人53只是一個實施例，因而權利範圍並非限定於搬送機器人為用一個驅動器同時驅動的雙手型。
圖5係簡略圖示本發明一個實施例的緩衝單元的俯視圖。若參照圖5，緩衝單元40包括外殼110a、110b、基板支撐構件130。
外殼110a、110b是保護緩衝單元40的框架。外殼110a、110b具有容納基板W的內部空間。在外殼110a、110b內，形成有與移送框架21鄰接並平行地配置的供基板W在外殼110a、110b的內部空間與移送框架21間進出的通路112a、114a、供基板W在外殼110a、110b的內部空間與轉移腔室50之間進出的通路112b、114b。在形成有通路112a、112b、114a、114b的側壁上分別安裝有對通路進行開閉而使外殼110a、110b的內部空間與外部密閉的門116a、116b、117a、117b。在外殼110a、110b的一側，安裝有向外殼110a、110b的內部空間供應淨化氣體的氣體供應管線181。第一外殼110a與第二外殼110b沿第一方向11平行地配置。在各外殼110a、110b上，可選擇性地配備有夾緊緩衝器41或導通緩衝器42。
圖6係簡略圖示本發明一個實施例的緩衝單元的外殼內部的側視圖。具體而言，圖6係簡略圖示第一外殼110a或第二外殼110b中某一者的內部的側視圖。下面，對於第一外殼110a或第二外殼110a，表現為外殼110。外殼110由夾緊緩衝器41與導通緩衝器42上下層疊配備。
夾緊緩衝器41形成第一緩衝區域41a。第一緩衝區域41a包括基板支撐構件130、推桿140、邊緣夾具支撐構件150。導通緩衝器42形成第二緩衝區域42a。第二緩衝區域42a包括基板支撐構件130、推桿140。
基板支撐構件130利用緩衝區域41a、42a支撐所搬入的基板W。基板支撐構件130支撐基板W的底面。基板支撐構件130位於緩衝區域41a、42a的下部。基板支撐構件130以在索引機器人25或搬送機器人53搬入及搬出基板W時不干擾索引機器人25或搬送機器人53進入的形狀提供。作為一個示例，基板支撐構件130以桿形狀提供，支撐基板W的底面。
推桿140位於被基板支撐構件130支撐的基板W的外側。推桿140排列所搬入的基板W。推桿140以與基板W側面相向的部分能夠沿著朝向基板W的方向移動的方式提供。推桿140可以基板W為基準，彼此相向地提供多個。作為一個示例，推桿140可以基板W為基準，相向地提供2個，或沿彼此交叉的方向提供4個。
圖7係說明本發明一個實施例的夾緊緩衝器的運轉狀態的側視圖。若參照圖7，夾緊緩衝器41包括基板支撐構件130和邊緣夾具支撐構件150。
邊緣夾具支撐構件150支撐邊緣夾具160。邊緣夾具支撐構件150位於比被基板支撐構件130支撐的基板W邊緣更外側。
邊緣夾具支撐構件150包括支撐端151，該支撐端151位於比作為基板支撐構件130上面高度的第一位置h1更高的第二位置h2。支撐端151支撐邊緣夾具160。支撐端151與驅動部152連接，驅動部152驅動支撐端151而使得能夠相對於第二位置h2和作為比第二位置h2更上部的第三位置h3，在第二位置h2與第三位置h3間移動。
圖8係顯示基板從裝置前端模組搬入夾緊緩衝器的狀態的圖。若參照圖8，邊緣夾具160在基板W從裝置前端模組20搬入緩衝單元40前，位於邊緣夾具支撐構件150。邊緣夾具160與基板W的外側外周對應地為圓形或四邊形環形狀，以陶瓷材料提供。
在邊緣夾具160準備就緒狀態下，索引機器人25將待處理的基板W搬入夾緊緩衝器41。控制器70控制索引機器人25，使得基板W向比將被基板支撐構件130支撐的高度更上側隔開設置距離的高度h4搬入。然後，基板W與將被基板支撐構件130支撐的位置上下排列後，索引機器人25向下側移動，使得基板W位於基板支撐構件130。
圖9係顯示推桿修正基板的位置、搬送機器人進入的狀態的圖。若參照圖9，基板W從裝置前端模組20搬入後，基板W的位置可藉助於推桿140而修正。索引機器人25（參照圖8）設置得使基板W位於設置位置。但是，在使基板W位於基板支撐構件130的過程中，基板W的位置與設置位置會發生差異。控制器70使推桿140向基板W方向移動設置距離，推動基板W位於正確之處。然後，推桿140遠離基板W，防止與其他構成干擾。基板W定位完成後，搬送機器人53以位於基板下側的方式進入。
圖10係顯示基板被搬送機器人拾起且邊緣夾具位於基板上的狀態的圖。若參照圖10，搬送機器人53向比第二位置h2（參照圖7）更上側進一步上升設置高度而拾起基板W（該設置高度低於第三高度h3）。搬送機器人53在為了拾起基板W而上升的過程中，邊緣夾具160位於基板W。完成基板W的拾起後，搬送機器人53從夾緊緩衝器41向轉移腔室50方向後退。
圖11係顯示基板安放於基座的製程腔室的圖。若參照圖11，製程腔室60包括腔室2100、基座2200、擋板2300及電漿激發部2400。
腔室2100具有執行製程處理的內部空間。腔室2100可包括：處理腔室2110，該處理腔室2110具有處理基板W的內部空間；擴散腔室2120，該擴散腔室2120使電漿激發部2400產生的電漿擴散。擴散腔室2120可具有供電漿擴散的擴散空間2121。
基座2200可在腔室2100的內部空間支撐基板W。基座2200可在腔室2100的內部空間提供。基座2200可以鋁材質提供。在基座2200的內部，可形成有供冷卻流體循環的冷卻流路（圖上未示出）。冷卻流體沿著冷卻流路循環而使基座2200冷卻。在基座2200中，為了調節基於電漿的基板W處理程度，可從偏置電源（圖上未示出）施加電力。偏置電源施加的電力可為射頻（radio frequency，RF）電源。基座2200藉助於偏置電源施加的電力而形成鞘層，在該區域形成高密度的電漿，可提高製程能力。
在基座2200的內部，可提供加熱構件2220。根據一個示例，加熱構件2220可以加熱線提供。加熱構件2220將基板W加熱為預先設置的溫度。基座2200可包括升降銷（圖上未示出），在基板W搬入製程腔室60時，基座2200的升降銷可為上升的狀態。在基座2200周圍，提供包圍基座2200的引導環2230。引導環2230可以陶瓷材料提供。
擋板2300電氣連接於處理腔室2110的上部壁。擋板2300可為圓板形狀，與基座2200的上面平行地配置。擋板2300可以經表面氧化處理的鋁材質提供。在擋板2300上形成有分配孔2310。分配孔2310為了均一供應自由基而可在同心圓周上按既定間隔形成。在擴散空間2121擴散的電漿流入分配孔2310。此時，諸如電子或離子等的帶電粒子被擋板2300捕獲，而諸如氧自由基等不帶電的中性粒子穿過分配孔2310供應到基板W。另外，擋板2300可接地而形成供電子或離子移動的通路。
電漿激發部2400產生電漿，供應到腔室2100。電漿激發部2400可在腔室2100的上部提供。電漿激發部2400包括振盪器2410、導波管2420、電介質管2430及製程氣體供應部2440。振盪器2410產生電磁波。導波管2420連接振盪器2410與電介質管2430，提供供振盪器2410產生的電磁波向電介質管2430內部傳遞的通路。製程氣體供應部2440向腔室2100的上部供應製程氣體。製程氣體根據製程進行過程加以選擇。供應到電介質管2430內部的製程氣體藉助於電磁波而激發為電漿狀態。電漿經電介質管2430流入擴散空間2121。上述電漿激發部2400係以利用電磁波的情形為例，但作為又一實施例，電漿激發部2400亦可以電感耦合電漿激發部、電容耦合電漿激發部提供。
根據本發明之實施例，搬入製程腔室60的基板W可以在上部觀察時，基板W的邊緣上部被邊緣夾具160覆蓋的狀態提供。邊緣夾具160可抑制被基座2200支撐的基板W的彎曲（Warpage）。另外，邊緣夾具160可被引導環2230支撐。例如，後述邊緣夾具160的主體161可被引導環2230支撐。
圖12係顯示圖11的邊緣夾具的立體圖，圖13係放大圖11的「A」部分顯示的圖。若參照圖12及圖13，邊緣夾具160可包括主體161及凸起162。
主體161可具有環形狀。主體161可具有圓形或四邊形的環形狀。主體161的形狀可具有與處理的基板W的形狀對應的形狀。例如，當基板W的形狀為圓形時，可使用包括具有圓環形狀的主體161的邊緣夾具160。不同於此，當基板W的形狀為四邊形時，可使用包括具有四邊形環形狀的主體161的邊緣夾具160。
另外，主體161可從在上部觀察的主體161的中心向主體161外側方向呈現錯層，以便被基座2200支撐的基板W邊緣區域插入。例如，主體161可從在上部觀察的主體161的中心向主體161的外側方向向下錯層地提供，以便被基座2200支撐的基板W的邊緣區域插入。即使邊緣夾具160稍稍未能安放於引導環2230準確位置，主體161的向下錯層的部分在基板W邊緣滑動，從而邊緣夾具160可位於準確位置。
凸起162可提供多個。凸起162在上部觀察時，可從主體161向其內側延長。凸起162在上部觀察時，可從主體161向主體161的中心方向延長。另外，凸起162可沿主體161的圓周方向相互隔開地提供。凸起162可沿主體161的圓周方向，彼此隔開相同間隔地提供。
邊緣夾具160支撐於引導環2230後，在上部觀察時，邊緣夾具160的凸起162可與被基座2200支撐的基板W的邊緣上部重疊地配置。在上部觀察時，不與凸起162重疊的基板W的邊緣上部可暴露於電漿激發部2400產生的電漿。即，根據本發明一個實施例，多個凸起162分別沿主體161的圓周方向相互隔開地提供，因而可使因基板W的邊緣上部不暴露於電漿導致光阻劑無法去除而發生表面處理不良的問題實現最小化。
另外，凸起162的下面可從基板W的上面隔開地提供。例如，邊緣夾具160支撐於引導環2230後，凸起162的下面可從被基座2200支撐的基板W上面隔開地提供。另外，凸起162的下面在被基座2200支撐的基板W為平坦狀態時，可從基板W的上面隔開地提供。因此，基板W的邊緣區域可暴露於電漿激發部2400產生的電漿。
引導環2230的上面可包括內側上面2232和外側上面2234。內側上面2232可以與基座2200上面相同高度提供。不同於此，內側上面2232可以低於基座2200上面的高度提供。外側上面2234可以高於基座2200上面的高度提供。另外，引導環2230的上面可包括向上傾斜部2236，該向上傾斜部2236沿著從內側上面2232朝向外側上面2234的方向向上傾斜。
再次考查邊緣夾具160，邊緣夾具160的主體161可包括被引導環2230的內側上面2232支撐的內側下面164。另外，邊緣夾具160的主體161可包括被引導環2230的外側上面2234支撐的外側下面166。內側下面164可以低於凸起162的下面的高度提供。外側下面166可以低於凸起162的下面的高度提供。外側下面166可以高於內側下面164的高度提供。另外，邊緣夾具160的主體161還可包括向下傾斜部168，該向下傾斜部168沿著從外側下面166朝向內側下面164的方向向下傾斜。向下傾斜部168可具有與向上傾斜部2236對應的形狀。邊緣夾具160被引導環2230支撐後，邊緣夾具160的內側下面164可與引導環2230的內側上面2232相接。邊緣夾具160被引導環2230支撐後，邊緣夾具160的外側下面166可與引導環2230的外側上面2234相接。
一般而言，在對基板W的製程處理，特別是向基板W供應電漿來處理基板的過程中，基板W會發生彎曲現象。因此，為了抑制基板W的彎曲現象，可考慮針對基板W的邊緣區域，使用窗口夾板（Window Clamp）來夾住（Clamping）基板W的方法。但是，此種方法在基板W的邊緣區域無法恰當執行電漿處理。具體而言，若使用窗口夾板（Window Clamp）來夾住（Clamping）基板W的邊緣區域，則基板W的邊緣上部不暴露於向基板W供應的電漿。因此，在基板W的邊緣區域，基板W上塗覆的光阻劑無法適當去除，這導致發生表面處理不良（Poor Coating）。
但是，根據本發明之一個實施例，邊緣夾具160具有多個凸起162。因此，從上部觀察時，基板W的邊緣區域中一部分與多個凸起162重疊。即，從上部觀察時，基板W邊緣區域中不與凸起162重疊的區域暴露於電漿。因此，在基板W的邊緣區域，可使發生表面處理不良（Poor Coating）的情形實現最小化。另外，根據本發明一個實施例，被基座2200支撐的基板W為平坦狀態時，凸起162的下面從基板W的上面隔開地提供。因此，電漿流入凸起162的下面與基板W的邊緣上面之間空間。即，基板W的邊緣上面暴露於電漿，可在基板W的邊緣區域，使發生表面處理不良（Poor Coating）的情形實現最小化。另外，如圖14所示，基板W發生彎曲現象，即使基板W的上面與凸起162的下面相接，與使用普通窗口夾板的情形相比，可使發生表面處理不良（Poor Coating）的情形實現最小化。具體而言，普通的窗口夾板（Window Clamp）與基板W的邊緣上面實現面接觸。但是，本發明之一個實施例的邊緣夾具160的凸起162與基板W的上面隔開地提供。另外，即使基板W發生彎曲現象，基板W的上面與凸起162的下面實現線接觸。即，與使用普通窗口夾板的情形相比，基板W與邊緣夾具160接觸的面積減小。因此，可在基板W的邊緣區域，使發生表面處理不良（Poor Coating）的情形實現最小化。
圖15係本發明一個實施例的基板處理方法的順序圖。若參照圖15，邊緣夾具160位於夾緊緩衝器41的支撐端151(步驟S10)。
索引機器人25向夾緊緩衝器41的各第一緩衝區域41a移送製程處理前的基板W，S20。一個實施例提供了基板W從夾緊緩衝器41搬入一個第一緩衝區域41a，而另一個第一緩衝區域41a不搬入基板W的狀態。
藉助於推桿140而完成基板W排列、未存在基板W的夾緊緩衝器的支撐端151升降後，搬送機器人53的雙手53a、53b同時進入該夾緊緩衝單元內部(步驟S30)。
進入的雙手53a、53b若到達夾緊緩衝單元設置的位置，則雙手53a、53b上升得高於支撐端151並拾起基板W(步驟S40)。基板W被拾起，同時邊緣夾具160亦一同被拾起。
完成基板W與邊緣夾具160的拾起的搬送機器人53向轉移腔室50方向後退，從夾緊緩衝單元搬出基板W(步驟S50)。
移送到轉移腔室50的基板W及邊緣夾具160移送到製程腔室60(步驟S60)。
移送到製程腔室60的基板W安放於在腔室2100中支撐基板W的基座2200(步驟S70)。即，基板W被基座2200支撐。此時，與基板W一同移送到製程腔室60的邊緣夾具160，支撐於包圍基座2200的引導環2230。
基板W安放於基座2200後，電漿激發部2400產生電漿。電漿激發部2400產生的電漿經擴散空間2121而擴散。擴散空間2121擴散的電漿通過擋板2300具有的分配孔2310傳遞到基板W。傳遞到基板W的電漿對基板W進行處理(步驟S80)。傳遞到基板W的電漿可去除基板W上塗覆的光阻劑（Photoresist）。另外，在電漿傳遞到基板W並處理基板W期間，邊緣夾具160位於基板W的邊緣上部，可抑制基板W的彎曲現象。作為一個示例，邊緣夾具160具有的多個凸起162位於基板W的邊緣上部，可抑制基板W的彎曲。
在上述示例中，以凸起162的下面從基板W上面隔開地提供的情形為例進行說明，但並非限定於此。例如，如圖16所示，凸起162的下面可與被基座2200支撐的基板W上面接觸地提供。例如，凸起162亦可在進行製程時，與被基座2200支撐的基板W上面接觸地提供。
以上的詳細說明是對本發明進行舉例。另外，前述內容顯示並說明本發明的較佳實施形態，本發明可在多樣的不同組合、變更及環境下使用。即，可在與本說明書中公開的發明的概念範圍、前述公開內容均等的範圍及/或本行業的技術或知識範圍內變更或修訂。前述實施例說明了用於體現本發明技術思想所需的最佳狀態，亦可進行本發明具體應用領域及用途所要求的多樣變更。因此，以上的發明內容並非要將本發明限定於公開的實施形態。另外，應解釋為附帶的申請專利範圍亦包括其他實施形態。
1:基板處理設備 4:承載架 6:支撐部 10:載入埠 11:第一方向 12:第二方向 20:裝置前端模組 21:移送框架 25:索引機器人 27:移送軌道 30:製程處理部 40:緩衝單元 41:夾緊緩衝器 41a:第一緩衝區域 42:導通緩衝器 42a:第二緩衝區域 50:轉移腔室 53:搬送機器人 53a:雙手 53b:雙手 54:驅動器 60:製程腔室 70:控制器 110:外殼 110a:外殼 110b:外殼 112a:通路 112b:通路 114a:通路 114b:通路 116a:門 116b:門 117a:門 117b:門 130:基板支撐構件 140:推桿 150:邊緣夾具支撐構件 151:支撐端 152:驅動部 160:邊緣夾具 161:主體 162:凸起 164:內側下面 166:外側下面 168:向下傾斜部 181:氣體供應管線 2100:腔室腔室 2110:處理腔室 2120:擴散腔室 2121:擴散空間 2200:基座 2220:加熱構件 2230:引導環 2232:內側上面 2234:外側上面 2236:向上傾斜部 2300:擋板 2310:分配孔 2400:電漿激發部 2410:振盪器 2420:導波管 2430:電介質管 2440:製程氣體供應部 W:基板 S10-S80:步骤
圖1係顯示基板發生翹曲而在基板與基座之間發生縫隙的樣子的圖。 圖2係顯示為了抑制基板翹曲而使用窗口夾板來夾住基板邊緣區域的樣子的圖。 圖3係顯示本發明一個實施例的基板處理設備的俯視圖。 圖4係本發明一個實施例的搬送機器人的俯視圖。 圖5係簡略圖示本發明一個實施例的緩衝單元的俯視圖。 圖6係簡略圖示本發明一個實施例的緩衝單元的外殼內部的側視圖。 圖7係說明本發明一個實施例的夾緊緩衝器的運轉狀態的側視圖。 圖8係顯示基板從裝置前端模組搬入夾緊緩衝器的狀態的圖。 圖9係顯示推桿修正基板的位置、搬送機器人進入的狀態的圖。 圖10係顯示基板被搬送機器人拾起且邊緣夾具位於基板上的狀態的圖。 圖11係顯示在基座上安放了基板的製程腔室的圖。 圖12係顯示圖11的邊緣夾具的立體圖。 圖13係放大顯示圖11的「A」部分的圖。 圖14係顯示在處理基板的過程中基板發生彎曲現象的樣子的圖。 圖15係本發明一個實施例的基板處理方法的順序圖。 圖16係顯示本發明另一實施例的邊緣夾具的圖。
160:邊緣夾具
161:主體
162:凸起

Claims (21)

  1. 一種基板處理設備，包括： 腔室，前述腔室具有內部空間； 基座，前述基座在前述內部空間中支撐基板；及 邊緣夾具，前述邊緣夾具抑制被前述基座支撐的基板的彎曲； 前述邊緣夾具包括： 環狀的主體； 多個凸起，多個前述凸起從前述主體向其內側延長，沿著前述主體的圓周方向相互隔開地提供，從上部觀察時，與被前述基座支撐的基板的邊緣上部重疊地提供。
  2. 如請求項1所記載之基板處理設備，其中，前述凸起向前述主體的中心方向延長。
  3. 如請求項1所記載之基板處理設備，其中，前述凸起從被前述基座支撐的基板的上面隔開地提供。
  4. 如請求項3所記載之基板處理設備，其中，前述凸起的下面在被前述基座支撐的基板為平坦狀態時，前述凸起從被前述基座支撐的基板的上面隔開地提供。
  5. 如請求項1至4中任一項所記載之基板處理設備，其中，前述主體從在上部觀察的前述主體的中心向前述主體外側方向向下錯層地提供，以便被前述基座支撐的基板的邊緣區域插入。
  6. 如請求項1至4中任一項所記載之基板處理設備，其中，前述基板處理設備還包括包圍前述基座周圍的引導環， 前述主體被前述引導環支撐。
  7. 如請求項6所記載之基板處理設備，其中，前述引導環的上面包括： 以等於或低於前述基座上面的高度提供的內側上面；及 以高於前述基座上面的高度提供的外側上面； 前述主體包括： 被前述內側上面支撐的內側下面； 被前述外側上面支撐的外側下面。
  8. 如請求項7所記載之基板處理設備，其中，前述引導環還包括向上傾斜部，前述向上傾斜部沿著從前述內側上面朝向前述外側上面的方向向上傾斜， 前述主體還包括向下傾斜部，前述向下傾斜部沿著從前述外側下面朝向前述內側下面的方向向下傾斜，以與前述向上傾斜部對應的形狀提供。
  9. 如請求項1至4中任一項所記載之基板處理設備，其中，前述基板處理設備還包括： 電漿激發部，前述電漿激發部產生電漿並向前述內部空間供應。
  10. 如請求項1所記載之基板處理設備，其中，前述凸起在進行製程時，與被前述基座支撐的基板的上面接觸地提供。
  11. 一種基板處理設備，包括： 裝置前端模組；及 處理基板的處理模組； 前述裝置前端模組包括： 載入埠，前述載入埠供容納基板的容器放置；及 移送框架，前述移送框架提供在前述載入埠與前述處理模組之間搬送基板的索引機器人； 前述處理模組包括： 夾緊緩衝器，前述夾緊緩衝器與前述裝置前端模組鄰接配置； 製程腔室，前述製程腔室對基板執行處理製程； 轉移腔室，前述轉移腔室具有在前述製程腔室與前述夾緊緩衝器之間搬送基板的搬送機器人； 前述夾緊緩衝器包括： 基板支撐構件，前述基板支撐構件支撐基板；及 邊緣夾具支撐構件，前述邊緣夾具支撐構件具有支撐邊緣夾具的支撐端； 前述製程腔室包括： 腔室，前述腔室具有內部空間； 基座，前述基座在前述內部空間支撐基板； 前述邊緣夾具，前述邊緣夾具抑制被前述基座支撐的基板的彎曲； 前述邊緣夾具包括： 環狀的主體； 多個凸起，多個前述凸起從前述主體向其內側延長，沿前述主體的圓周方向相互隔開地提供，從上部觀察時，與被前述基座支撐的基板的邊緣上部重疊地提供。
  12. 如請求項11所記載之基板處理設備，其中，前述凸起向前述主體的中心方向延長。
  13. 如請求項所11記載之基板處理設備，其中，前述凸起從被前述基座支撐的基板的上面隔開地提供。
  14. 如請求項13所記載之基板處理設備，其中，前述凸起的下面在被前述基座支撐的基板為平坦狀態時，前述凸起從被前述基座支撐的基板的上面隔開地提供。
  15. 如請求項11至14中任一項所記載之基板處理設備，其中，前述主體從在上部觀察的前述主體的中心向前述主體外側方向向下錯層地提供，以便被前述基座支撐的基板的邊緣區域插入。
  16. 如請求項11至14中任一項所記載之基板處理設備，其中，前述基板處理設備還包括包圍前述基座周圍的引導環， 前述主體被前述引導環支撐。
  17. 如請求項16所記載之基板處理設備，其中，前述引導環的上面包括： 以等於或低於前述基座上面的高度提供的內側上面；及 以高於前述基座上面的高度提供的外側上面； 前述主體包括： 被前述內側上面支撐的內側下面； 被前述外側上面支撐的外側下面。
  18. 如請求項17所記載之基板處理設備，其中，前述引導環還包括向上傾斜部，前述向上傾斜部沿著從前述內側上面朝向前述外側上面的方向向上傾斜， 前述主體還包括向下傾斜部，前述向下傾斜部沿著從前述外側下面朝向前述內側下面的方向向下傾斜，以與前述向上傾斜部對應的形狀提供。
  19. 如請求項11所記載之基板處理設備，其中，前述凸起在進行製程時，與被前述基座支撐的基板的上面接觸地提供。
  20. 一種基板處理方法，前述方法利用請求項11至14中任一項之基板處理設備來處理基板，包括以下步驟： 使前述邊緣夾具位於前述夾緊緩衝器的前述支撐端的步驟； 將製程處理前的前述基板搬入前述夾緊緩衝器的步驟；及 將前述邊緣夾具和前述基板從前述夾緊緩衝器移送到前述製程腔室的步驟。
  21. 如請求項20所記載之基板處理方法，前述方法還包括以下步驟： 使前述基板支撐於前述基座的步驟；及 在前述製程腔室中利用電漿來處理基板的步驟；且 在處理前述基板的步驟執行期間，前述邊緣夾具的多個前述凸起位於前述基板的邊緣上部，抑制前述基板的彎曲。
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