JPH11111820A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の中央部と周辺部との間に温度差が発生
することを防止することができるようにするとともに、
ヒータ全体に渡ってヒータ線を均一に引き回すことがで
きるようにする。 【解決手段】 基板昇降機構３１（１），３１（２）
は、基板Ｗを保持する基板保持部３１１（１），３１１
（２）と、この基板保持部３１１（１），３１１（２）
を垂直方向に昇降駆動する基板駆動軸３１２（１），３
１２（２）とを有する。基板保持部３１１（１），３１
１（１）は、基板Ｗの周端部を保持するように形成され
ている。基板駆動軸３１２（１），３１２（２）は、基
板載置台２２１の外側に配設され、連結部３１３
（１），３１３（２）により基板保持部３１１（１），
３１１（２）と連結されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、水平に配設された
基板載置台に対し、基板を垂直方向に昇降させる基板昇
降機構を使って処理すべき基板を載置し、この基板載置
台に載置された基板に所定の処理を施す基板処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体装置や液晶表示装置等の
固体装置を製造するためには、半導体装置のウェーハや
液晶表示装置の絶縁基板等の基板に成膜等の処理を施す
基板処理装置が必要になる。

【０００３】この基板処理装置としては、例えば、プラ
ズマを使って基板の表面に所定の薄膜を形成するプラズ
マＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）装置がある。このプラズマＣＶＤ装置とし
ては、電極として平行平板電極を使ってプラズマを発生
させる放電電極形プラズマＣＶＤ装置がある。

【０００４】図９〜図１１は、従来の放電電極形プラズ
マＣＶＤ装置の構成を示す図である。ここで、図９は、
装置の内部の構成を示す平面図であり、図１０は、装置
を図９に示すラインＬ１−Ｌ１に沿って切断した場合の
構成を示す側断面図であり、図１１は、装置を図９に示
すラインＬ２−Ｌ２に沿って切断した場合の構成を示す
側断面図を示す。

【０００５】図示のプラズマＣＶＤ装置は、例えば、図
１０に示すように、真空容器１１の内部に配設されたア
ノード１２の基板載置台１２１に処理すべき基板Ｗを載
置し、アノード１２とカソード１３との間に高周波電源
１４から高周波電力を印加することによりプラズマを発
生し、このプラズマによって反応ガスを励起することに
より、基板Ｗの表面に所定の薄膜を形成するようになっ
ている。

【０００６】また、このプラズマＣＶＤ装置は、図９及
び図１１に示すように、２つの基板Ｗ（１），Ｗ（２）
に対して、同時に成膜処理を施すことができるようにな
っている。

【０００７】基板Ｗ（１），Ｗ（２）は、成膜時は、図
９に示す基板搬送ロボット１５から図１１に示す基板昇
降機構１６（１），１６（２）に渡され、この基板昇降
機構１６（１），１６（２）により基板載置台１２１に
される。これに対し、成膜が終了した場合は、基板昇降
機構１６（１），１６（２）を使って基板載置台１２１
から取り上げられ、基板搬送ロボット１５に渡される。

【０００８】上記基板昇降機構１６（１），１６（２）
は、基板Ｗ（１），Ｗ（２）を保持する基板保持部１６
１（１），１６１（２）と、この基板保持部１６１
（１），１６１（２）を垂直方向に昇降駆動する基板駆
動軸１６２（１），１６２（２）とを有する。

【０００９】基板保持部１６１（１），１６１（２）
は、図９に示すように円盤状に形成され、基板Ｗ
（１），Ｗ（２）の下面の中央部を保持するようになっ
ている。基板駆動軸１６２（１）、１６２（２）は、図
１１に示すように、基板保持部１６１（１），１６１
（２）の下面の中央部に取り付けられ、アノード１２と
真空容器１１の底部とに形成された孔１７（１），１７
（２），１８（１），１８（２）を介して外部に導かれ
ている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の場合、次のような２つの問題があった。

【００１１】（１）第１の問題は、基板Ｗ（ｎ）（ｎ＝
１，２）の中央部と周辺部との間に温度差が発生するた
め、スループットが低下するという問題である。

【００１２】すなわち、従来の放電電極形のプラズマＣ
ＶＤ装置では、基板Ｗ（ｎ）を基板保持部１６１（ｎ）
により保持する場合、基板Ｗ（ｎ）の下面の中央部を保
持するようになっている。これにより、基板Ｗ（ｎ）を
基板載置台１２１に載置した場合、基板Ｗ（ｎ）の中央
部は、アノード１２のヒータ１２２から基板載置台１２
１と基板保持部１６１（ｎ）を介して加熱され、周辺部
は、基板載置台１２１を介して加熱される。その結果、
基板Ｗ（ｎ）の中央部と周辺部との間に温度差が生じ
る。この温度差をなくすためには、基板Ｗ（ｎ）を長時
間加熱する必要がある。これにより、従来のプラズマＣ
ＶＤ装置には、スループットが低下するという問題があ
ったわけである。

【００１３】この問題を解決するために、温度差が存在
するまま成膜を実行すると、基板Ｗ（ｎ）の中央部とそ
の周辺部とで、薄膜の厚さに差が生じるという問題が生
じる。

【００１４】（２）第２の問題は、ヒータ１２２のヒー
タ線を均一に引き回すことができないため、ヒータ１２
２の均熱をとることが難しいという問題である。

【００１５】すなわち、従来の放電電極形のプラズマＣ
ＶＤ装置では、基板Ｗ（ｎ）を垂直方向に昇降駆動する
ための基板駆動軸１６２（ｎ）を基板保持部１６１
（ｎ）の下面の中央部に設けるようになっている。これ
により、この装置では、図１２に示すように、ヒータ１
２２にこの基板駆動軸１６２（ｎ）を通すためのに孔１
８（ｎ）を設けなければならない。その結果、ヒータ１
２２のヒータ線ａを引き回す場合、孔１８（ｎ）を避け
て引き回さなければならないため、ヒータ線ａを均一に
引き回すことができない。これにより、従来のプラズマ
ＣＶＤ装置では、ヒータ１２２の均熱をとることが難し
くなるわけである。

【００１６】そこで、本発明は、基板の中央部と周辺部
との間に温度差が発生することを防止することができる
とともに、ヒータ全体に渡ってヒータ線を均一に引き回
すことができる基板処理装置を提供することを目的とす
る。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の基板処理装置は、水平に配設された基板載置
台に対し、基板を垂直方向に昇降させる基板昇降機構を
使って処理すべき基板を載置し、この基板載置台に載置
された基板に所定の処理を施す装置において、基板昇降
機構が、基板の周端部を保持する基板保持部と、基板載
置台の外側に配設され、基板保持部を垂直方向に昇降駆
動するための基板駆動軸とを備えたことを特徴とする。

【００１８】本発明の基板処理装置では、基板を基板保
持部で保持する場合、基板はその周端部を保持される。
これにより、基板を基板載置台に載置するとき、基板は
基板保持部を介することなく直接載置される。その結
果、基板をヒータで加熱する場合、基板全体が均等に加
熱される。

【００１９】また、本発明の基板処理装置では、基板保
持部を垂直方向に昇降駆動する基板駆動軸が基板載置台
の外側に配設される。これにより、本発明を基板加熱用
のヒータを有する基板処理装置に適用する場合であって
も、ヒータに基板駆動軸を通すための孔を形成する必要
がない。これにより、ヒータ線を引き回す場合、ヒータ
全体に渡って均一に引き回すことができる。その結果、
ヒータの均熱が確保される。

【００２０】

【実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発明の実
施の形態を詳細に説明する。

【００２１】図１〜図３は、本発明の一実施の形態の構
成を示す図である。なお、図には、本発明を電極として
平行平板電極を用いた放電電極形のプラズマＣＶＤ装置
に適用した場合を代表として示す。

【００２２】図１は、本実施の形態のプラズマＣＶＤ装
置の内部の構成を示す平面図である。図２、図３は、本
実施の形態のプラズマＣＶＤ装置の内部の構成を示す側
断面図である。但し、図２は、装置を図１に示すライン
Ｌ１−Ｌ１に沿って切断した場合の構成を示す側断面図
であり、図３は、装置を図１に示すラインＬ２−Ｌ２に
沿って切断した場合の構成を示す側断面図である。

【００２３】本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置は、例
えば、図２に示すように、真空容器２１と、平行平板電
極の下部電極をなすアノード２２と、同じく上部電極を
なすカソード２３とを有する。

【００２４】上記真空容器２１は、例えば、四角形の箱
状に形成され、水平に配設されている。上記アノード２
２と上記カソード２３とは、この真空容器２１の内部に
互いに対向するように水平に配設されている。

【００２５】上記真空容器２１は、容器本体２１１とこ
の容器本体２１１の上方の開口部を塞ぐ天井蓋２１２と
を有するように水平に分割されている。上記アノード２
２は、上記容器本体２１１の内側の側面に支持板２４を
介して支持されている。上記カソード２３は、上記天井
蓋２１２の内側の上面に絶縁体２５を介して支持されて
いる。

【００２６】上記天井蓋２１２は、予め定めた位置に固
定されている。これに対し、上記容器本体２１１は、昇
降ロッド２６によって垂直方向に昇降駆動されるように
なっている。この昇降ロッド２６は、上記アノード２２
の下面の中央部に取り付けられている。

【００２７】上記真空容器２１の内部は、アノード２２
と支持板２４とにより反応室２７と排気室２８とを有す
るように分割されている。上記支持板２４には、反応室
２７の雰囲気を排気室２８に排出するための排気孔２９
が形成されている。同様に、容器本体２１１の底部に
は、排気室２８の雰囲気を排出するための排気口３０が
形成されている。

【００２８】上記アノード２２は、基板Ｗが載置される
基板載置台２２１と、この基板載置台２２１に載置され
た基板Ｗを加熱するためのヒータ２２２とを有する。こ
れらは、基板載置台２２１が上になるようにして重ねら
れている。

【００２９】上記カソード２３は、反応ガスを拡散する
ためのガス拡散部２３１と、このガス拡散部２３１に反
応ガスを導入するためのガス導入部２３２とを有する。
ガス拡散部２３１の下面には、反応室２７に反応ガスを
分散させるためのガス分散孔２３３が設けられている。

【００３０】上記基板Ｗは、本発明の特徴とする基板昇
降機構３１を使って基板載置台２２１に載置されたり、
基板載置台２２１から取り上げられるようになってい
る。この基板昇降機構３１は、図１に示すように、基板
搬送ロボット３２から処理すべき基板Ｗを受け取った
り、基板搬送ロボット３２に処理の済んだ基板Ｗを渡す
ようになっている。

【００３１】なお、上述したプラズマＣＶＤ装置は、図
１及び図３に示すように、基板昇降機構３１として、２
つの基板昇降機構３１（１），３１（２）を有し、２つ
の基板Ｗ（１），Ｗ（２）に対して同時に成膜を行うこ
とができるようになっている。

【００３２】上記基板昇降機構３１（ｎ）（ｎ＝１，
２）は、図２に示すように、基板Ｗ（ｎ）を保持する基
板保持部３１１（ｎ）と、この基板保持部３１１（ｎ）
を垂直方向に昇降駆動する基板駆動軸３１２（ｎ）とを
有する。基板保持部３１１（ｎ）は、基板Ｗ（ｎ）の周
端部を保持するように形成されている。基板駆動軸３１
２（ｎ）は、基板載置台２２１の外側に配設され、連結
部３１３（ｎ）により基板保持部３１１（ｎ）と連結さ
れている。

【００３３】図４は、基板保持部３１１（ｎ）の構成を
示す平面図である。

【００３４】図示のごとく、基板保持部３１１（ｎ）
は、リング状の基板保持枠Ａ（ｎ）と、この基板保持枠
Ａ（ｎ）に設けられ、基板Ｗ（ｎ）を支持するための４
つの基板保持片Ｂ（ｎ），Ｃ（ｎ），Ｄ（ｎ），Ｅ
（ｎ）とを有する。基板保持枠Ａ（ｎ）の径は、基板Ｗ
（ｎ）の径より少し大きくなるように設定されている。
また、この基板保持枠Ａ（ｎ）の一部は、図１に示す基
板搬送ロボット３２の基板保持プレート３２１の昇降を
可能とするために切り欠かれている。４つの基板保持片
Ｂ（ｎ），Ｃ（ｎ），Ｄ（ｎ），Ｅ（ｎ）は、基板保持
枠Ａ（ｎ）の中心部を向くように配設されている。ま
た、この４つの基板保持片Ｂ（ｎ），Ｃ（ｎ），Ｄ
（ｎ），Ｅ（ｎ）は、基板保持枠Ａ（ｎ）の中心の周り
に等間隔（９０度間隔）で配置されている。

【００３５】図５は、基板保持部３１１（ｎ）の構成を
示す側断面図である。なお、図５は、基板保持部３１１
（ｎ）を図４に示すラインＬ３−Ｌ３に沿って切断した
場合の構成を示す側断面図である。

【００３６】図示のごとく、基板保持枠Ａ（ｎ）は、上
面Ａ１（ｎ）、下面Ａ２（ｎ）、外側の側面Ａ３
（ｎ）、内側の側面Ａ４（ｎ）の４つの面を有する。こ
こで、上面Ａ１（ｎ）と下面Ａ２（ｎ）は水平に設定さ
れ、外側の側面Ａ３（ｎ）は垂直に設定されている。こ
れに対し、内側の側面Ａ４（ｎ）は上方に向かうに従っ
て徐々に拡大するテーパ状に形成されている。基板保持
片Ｂ（ｎ），Ｃ（ｎ），Ｄ（ｎ），Ｅ（ｎ）は、基板保
持枠Ａ（ｎ）の下端部にこの基板保持枠Ａ（ｎ）と一体
的に形成されている。

【００３７】図６は、基板載置台２２１の構成を示す平
面図である。

【００３８】図示のごとく、基板載置台２２１の上面
（基板載置面）には、基板保持部３１１（１），３１１
（２）を挿入するためのリング状の溝３３（１），３３
（２）と、連結部３１３（１），３１３（２）を挿入す
るための直線状の溝３４（１），３４（２）とが形成さ
れている。この場合、溝３３（ｎ），３４（ｎ）の幅Ｘ
１，Ｘ２は、基板載置台２２１、基板保持部３１１
（ｎ）、連結部３１３（ｎ）が熱により膨脹しても、基
板保持部３１１（ｎ）や連結部３１３（ｎ）を挿入する
ことができるような幅に設定されている。

【００３９】上記構成において、図７を参照しながら、
基板Ｗ（ｎ）の表面に所定の薄膜を形成するための動作
を説明する。ここで、図７は、真空容器２１の内部に基
板Ｗ（ｎ）を搬入したり、真空容器２１の内部から基板
Ｗ（ｎ）を搬出する場合の装置の状態を示す図である。

【００４０】この場合は、まず、図７に示すように、昇
降ロッド２６が成膜時の位置より下降させられる。これ
により、アノード２２が下降させられる。その結果、容
器本体２１１も下降させられる。これにより、容器本体
２１１が天井蓋２１２から離れる。その結果、真空容器
２１の内部が外部に開放される。このとき、基板保持部
３１１（ｎ）は、成膜時の位置より少し上昇させられて
いる。これは、後述するように、成膜が終了したとき、
基板Ｗ（ｎ）をアノード２２１から取り上げるためであ
る。

【００４１】次に、成膜すべき基板Ｗ（ｎ）が基板搬送
ロボット３２により真空容器２１の内部に搬入され、基
板昇降機構３１（ｎ）の基板保持部３１１（ｎ）に保持
される。この場合、基板搬送ロボット３２は、基板Ｗ
（ｎ）をまず基板保持部３１１（ｎ）の上方に位置決め
する。次に、基板保持プレート３２１を下降させる。こ
の下降過程で、基板Ｗ（ｎ）が基板保持部３１１（ｎ）
に保持される。

【００４２】この場合、基板保持プレート３２１は、基
板保持枠Ａ（ｎ）の一部が切り欠かれているため、問題
なく基板保持部３１１（ｎ）の下に移動することができ
る。また、基板Ｗ（ｎ）は、基板保持枠Ａ（ｎ）の内側
の側面Ａ４（ｎ）に案内されて基板保持片Ｂ（ｎ），Ｃ
（ｎ），Ｄ（ｎ），Ｅ（ｎ）に保持される。これは、こ
の側面Ａ４（ｎ）が上方に向かって拡大するテーパ状に
形成されているためである。

【００４３】次に、基板搬送ロボット３２の基板搬送プ
レート３２１が真空容器２１の内部から取り出される。
この取出しが終了すると、図３に示すように、昇降ロッ
ド２６が成膜時の位置まで上昇させられる。これによ
り、図３に示すように、アノード２２が成膜時の位置ま
で上昇させられる。その結果、容器本体２１１が成膜時
の位置まで上昇させられる。これにより、真空容器２１
の内部が閉じられる。次に、基板駆動軸３１２（ｎ）が
成膜時の位置まで下降させられる。これにより、基板保
持部３１１（ｎ）が成膜時の位置まで下降させられる。
その結果、基板Ｗ（ｎ）が基板載置台２２１に載置され
る。このとき、基板保持部３１１（ｎ）は、基板載置台
２２１に形成された溝３３（ｎ）に挿入される。同様
に、連結部３１３（ｎ）は溝３４（ｎ）に挿入される。

【００４４】次に、反応室２７の内部が真空引きされ
る。これにより、反応室２７の内部に含まれる雰囲気が
排気孔２９と、排気室２８と、排気口３０を介して排出
される。その結果、反応室２７の内部が予め定めた真空
度に設定される。反応室２７の内部が予め定めた真空度
になると、成膜用の反応ガスがガス導入部２３２とガス
拡散部２３１を介して反応室２７に導入される。この場
合、反応室２７の内部の圧力が予め定めた圧力となるよ
うに、真空排気の流量が制御される。これにより、反応
室２７の内部の圧力が予め定めた圧力に保持される。

【００４５】この状態で、カソード２３とアノード２２
との間に、高周波電源３５から高周波電力が印加され
る。これにより、反応ガスがプラズマ化される。そし
て、このプラズマにより反応ガスの分子が励起される。
これにより、基板Ｗ（ｎ）の表面に所定の薄膜が形成さ
れる。この場合、未反応ガス等は、排気孔２９と、排気
室２８と、排気口３０とを介して排出される。

【００４６】基板Ｗ（ｎ）の上面に所定の薄膜が形成さ
れると、反応ガスの供給が停止される。また、基板駆動
軸３１２（ｎ）が上昇させられる。これにより、基板保
持部３１１（ｎ）が図７に示すように上昇させられる。
この上昇過程で、基板載置台２２１に載置されている基
板Ｗ（ｎ）が基板保持部３１１（ｎ）に保持され、基板
載置台２２１から取り上げられる。次に、昇降ロッド２
６が図７に示すように下降させられる。これにより、ア
ノード２２が下降させられる。その結果、容器本体２２
１が下降させられる。これにより、真空容器２１の内部
が外部に開放される。

【００４７】次に、基板搬送ロボット３２の基板保持プ
レート３２１が真空容器２１の内部に挿入される。この
とき、基板搬送プレート３２１は、基板保持部３１１
（ｎ）の下方に位置決めされる。次に、基板保持プレー
ト３２１が上昇させられる。これにより、基板保持部３
１１（ｎ）に保持されていた基板Ｗ（ｎ）が基板保持プ
レート３２１に保持される。次に、基板保持プレート３
２１に保持された基板Ｗ（ｎ）が真空容器２１の外部に
取り出される。

【００４８】この取出しが終了すると、次の基板Ｗ
（ｎ）に対して上述した処理が繰り返される。以下、同
様に、各基板Ｗ（ｎ）ごとに上述した処理が実行され
る。

【００４９】以上詳述した本実施の形態によれば、次の
ような効果を得ることができる。

【００５０】（１）まず、本実施の形態によれば、基板
保持部３１１（ｎ）で基板Ｗ（ｎ）を保持する場合、基
板Ｗ（ｎ）の周端部を保持するようにしたので、基板Ｗ
（ｎ）を基板載置台２２１に載置する場合、直接載置す
ることができる。これにより、基板Ｗ（ｎ）の全体を均
等に加熱することができる。その結果、基板Ｗ（ｎ）の
中央部と周辺部との間に温度差が発生しないようにする
ことができる。これにより、基板Ｗ（ｎ）の加熱時間を
短縮することができるので、装置のスループットを向上
させることができる。また、基板Ｗ（ｎ）の表面に形成
される薄膜の厚さを基板Ｗ（ｎ）全体で均一にすること
ができる。

【００５１】なお、本実施の形態の場合、図３に示すよ
うに、基板Ｗ（ｎ）の周端部が溝３３（ｎ）の真上に位
置し、基板載置台２２１に載置されない。これにより、
この周端部の温度が他の部分の温度に比べ低くなる。そ
の結果、この周端部の表面に形成される薄膜の厚さが他
の部分の表面に形成される薄膜の厚さより薄くなる。し
かしながら、この周端部はデバイスの制作時省かれる。
したがって、周端部の膜厚が他の部分の膜厚より薄くな
っても問題がない。

【００５２】（２）また、本実施の形態によれば、基板
保持部３１１（ｎ）を垂直方向に昇降駆動する基板駆動
軸３１２（ｎ）を基板載置台２２１の外側に配設するよ
うにしたので、ヒータ２２２に基板駆動軸３１２（ｎ）
を通すための孔を形成する必要がない。これにより、本
実施の形態によれば、図８に示すように、ヒータ２２２
の全面に渡ってヒータ線ｂを均一に配設することができ
るので、簡単にヒータ２２２の均熱をとることができ
る。

【００５３】（３）また、本実施の形態によれば、基板
保持枠Ａ（ｎ）の内側の側面Ａ４（ｎ）を上方に向かっ
て拡大するテーパ状に形成したので、基板Ｗ（ｎ）を基
板保持片Ｂ（ｎ），Ｃ（ｎ），Ｄ（ｎ），Ｅ（ｎ）に載
せる場合、基板Ｗ（ｎ）の位置が本来の位置から少しず
れている場合であってもこのずれを吸収し、基板Ｗ
（ｎ）を確実に基板保持片Ｂ（ｎ），Ｃ（ｎ），Ｄ
（ｎ），Ｅ（ｎ）に載せることができる。

【００５４】以上、本発明の一実施の形態を詳細に説明
したが、本発明は上述した実施の形態に限定されるもの
ではない。

【００５５】例えば、先の実施の形態では、本発明を電
極として平行平板電極を有する放電電極形のプラズマＣ
ＶＤ装置に適用する場合を説明した。しかしながら、本
発明は、このようなプラズマＣＶＤ装置以外の基板処理
装置にも適用することができる。要は、本発明は、水平
に配設された基板載置台に対し、基板を垂直方向に昇降
させる基板昇降機構を使って処理すべき基板を載置し、
この基板載置台に載置された基板に所定の処理を施す基
板処理装置一般に適用することができる。

【００５６】この他にも本発明はその要旨を逸脱しない
範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論である。

【００５７】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る基板処
理装置によれば、基板保持部で基板を保持する場合、基
板の周端部を保持するようにしたので、基板を基板載置
台に載置するとき、直接載置することができる。これに
より、基板全体を均等に加熱することができる。その結
果、基板の中央部と周辺部との間に温度差が発生しない
ようにすることができる。これにより、基板の加熱時間
を短縮することができるので、装置のスループットを向
上させることができる。また、基板の表面に形成される
薄膜の厚さを基板全体で均一にすることができる。

【００５８】また、本発明に係る基板処理装置によれ
ば、基板保持部を垂直方向に昇降駆動する基板駆動軸を
基板載置台の外側に配設するようにしたので、本発明を
基板加熱用のヒータを有する基板処理装置に適用する場
合であっても、ヒータに基板駆動軸を通すための孔を形
成する必要がない。これにより、ヒータの全面に渡って
ヒータ線を均一に引き回すことができるので、簡単にヒ
ータの均熱をとることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態の内部構成を示す平面図
である。

【図２】本発明の一実施の形態の内部構成を示す側断面
図である。

【図３】本発明の一実施の形態の内部構成を示す側断面
図である。

【図４】本発明の一実施の形態の基板保持部の構成を示
す平面図である。

【図５】本発明の一実施の形態の基板保持部の構成を示
す側断面図である。

【図６】本発明の一実施の形態の基板載置台の構成を示
す側断面図である。

【図７】本発明の一実施の形態の動作を説明するための
図で、特に、基板の搬入、搬出を行う場合の状態を示す
側断面図である。

【図８】本発明の一実施の形態の効果を説明するための
図で、特に、ヒータ線の引回しを説明するための図であ
る。

【図９】従来の放電電極形プラズマＣＶＤ装置の内部構
成を示す平面図である。

【図１０】従来の放電電極形プラズマＣＶＤ装置の内部
構成を示す側断面図である。

【図１１】従来の放電電極形プラズマＣＶＤ装置の内部
構成を示す側断面図である。

【図１２】従来の放電電極形プラズマＣＶＤ装置の効果
を説明するための図で、特に、ヒータ線の引回しを説明
するための図である。

【符号の説明】

２１…真空容器、２２…アノード、２３…カソード、２
４…支持板、２５…絶縁体、２６…昇降ロッド、２７…
反応室、２８…排気室、２９…排気孔、３０…排気口、
３１（１），３１（２）…基板昇降機構、３２…基板搬
送ロボット、３３（１），３３（２），３４（１），３
４（２）…溝、３５…高周波電源、２１１…容器本体、
２１２…天井蓋、２２１…基板載置台、２２２…ヒー
タ、２３１…ガス拡散部、２３２…ガス導入部、２３３
…ガス分散孔、３１１（１），３１１（２）…基板保持
部、３１２（１），３１２（２）…基板駆動軸、３１３
（１），３１３（２）…連結部、Ａ（ｎ）…基板保持
枠、Ｂ（ｎ），Ｃ（ｎ），Ｄ（ｎ），Ｅ（ｎ）…基板保
持片、Ａ１（ｎ）…上面、Ａ２（ｎ）…下面、Ａ３
（ｎ）…外側の側面、Ａ４（ｎ）…内側の側面、ｂ…ヒ
ータ線。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 水平に配設された基板載置台に対し、基
   板を垂直方向に昇降させる基板昇降機構を使って処理す
   べき基板を載置し、この基板載置台に載置された基板に
   所定の処理を施す基板処理装置において、 前記基板昇降機構が、 前記基板の周端部を保持する基板保持部と、 前記基板載置台の外側に配設され、前記基板保持部を垂
   直方向に昇降駆動する基板駆動軸とを備えたことを特徴
   とする基板処理装置。