KR20020008780A - 기판을 디처킹하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

기판을 디처킹하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20020008780A
KR20020008780A KR1020010043823A KR20010043823A KR20020008780A KR 20020008780 A KR20020008780 A KR 20020008780A KR 1020010043823 A KR1020010043823 A KR 1020010043823A KR 20010043823 A KR20010043823 A KR 20010043823A KR 20020008780 A KR20020008780 A KR 20020008780A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
lift
lift pins
support assembly
support
Prior art date
Application number
KR1020010043823A
Other languages
English (en)
Inventor
콴양 샹
윌리엄알. 하쉬버거
로버트아이. 그리네
이치로 시미즈
Original Assignee
조셉 제이. 스위니
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=24483658&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20020008780(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 조셉 제이. 스위니, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 조셉 제이. 스위니
Publication of KR20020008780A publication Critical patent/KR20020008780A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판을 디처킹(dechucking)하기 위한 기판 지지대 어셈블리와 방법을 제공한다. 실시예의 한가지로서, 지지대 어셈블리는 지지 표면, 상기 기판 지지대를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 1 리프트 핀 세트, 및 하나 또는 그 이상의 다른 리프트 핀을 가진 기판 지지대를 포함한다. 상기 제 1 리프트 핀 세트와 상기 하나 또는 그 이상의 리프트 핀들이 작동 위치에 있는 경우에, 상기 핀들이 상기 지지 표면으로부터 돌출된다. 상기 작동 위치에 있는 경우에, 상기 제 1 리프트 핀 세트는 상기 하나 또는 그 이상의 다른 리프트 핀보다 상기 지지 표면으로부터 더 먼 거리로 돌출된다. 본 발명의 또 다른 실시예로서는, 기판 지지대로부터 기판을 디처킹하는 방법이 제시되어 있다. 실시예의 한 가지로서, 상기 방법은 기판 지지대의 표면 위로 제 1 거리만큼 제 1 리프트 핀 세트를 돌출시키는 단계와, 그리고 상기 기판 지지대의 표면 위로 상기 제 1 거리보다 작은 제 2 거리만큼 제 2 리프트 핀 세트를 돌출시키는 단계를 포함한다.

Description

기판을 디처킹하기 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR DECHUCKING A SUBSTRATE}
본 발명은 개략적으로 반도체 프로세싱 챔버에 있어 기판과 같은 작업편을 기판 지지대 어셈블리와 같은 지지대 어셈블리로부터 들어올리기 위한(예를 들어, 디처킹(dechucking)) 방법 및 장치에 관한 것이다.
컴퓨터 및 텔레비젼 모니터와 같은 능동 매트릭스형 디스플레이(active matrix display)로는 액정 디스플레이(liquid crystal displays) 또는 평면 패널(flat panel)등이 사용된다. 대체로, 평면 패널은 두 개의 유리 플레이트를 포함하며, 사이 플레이트는 이들 사이에 개재되는 액정 재료 층을 포함하고 있다. 하나 또는 그 이상의 유리 플레이트는, 그 위에 배치되고 전원에 연결되는 하나 또는 그 이상의 전도성 필름을 포함한다. 전원으로부터 전도성 필름에 공급되는 전력은 액정 재료의 배향(orientation)을 변화시켜, 패턴화된 디스플레이를 형성한다. 평면 패널을 제조에 주로 사용되는 제조 프로세스로는 플라즈마 강화 화학 기상증착(plasma enhanced chemical vapor deposition)이 있다.
일반적으로 플라즈마 강화 화학 기상 증착은 평면 패널 또는 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 박막을 증착하는데 사용된다. 플라즈마 강화 화학 기상 증착은 일반적으로 선구체 가스(precursor gas)를 진공 챔버에 도입함으로써 이루어진다. 대체로 선구체 가스는 챔버 상단 부근에 위치한 배분 플레이트를 거쳐 도입된다. 챔버에 연결된 하나 또는 그 이상의 RF 전원으로부터 챔버로 RF 전력을 인가함으로써, 챔버 내의 선구체 가스가 플라즈마로 활성화된다.(예를 들어, 여기된다;excited) 여기된 가스가 가열된 기판 지지대 상에 배치된 기판 표면 상에서 반응하여 재료 층을 형성한다. 통상적으로 상기 기판의 모서리를 덮도록 형성된 새도우 프레임은, 상기 기판이 상기 기판 지지대에 고착되지 않도록 하기 위하여 상기 기판 모서리와 기판 지지대에서 증착이 일어나는 것을 방지한다. 선택적으로는, 퍼지 가스(purge gas)가 새도우 프레임과 기판 지지대 사이에 전달되어 기판 모서리에서의 증착이 일어나는 것을 방지한다. 반응이 일어나는 동안 생성된 휘발성 부산물들은 배기 시스템을 통하여 챔버로부터 펌핑된다.
증착 프로세스 후에, 기판 지지대를 관통하도록 배치된 다수개의 리프트 핀에 의하여 기판 지지대로부터 들여 올려진다.(예를 들어, 디척킹된다.) 리프트 핀이 위로 작동하여 기판의 배면과 접촉하고, 기판을 기판 지지대의 상부 표면 위로 들어올린다. 이 위치로부터, 기판 이송 메커니즘, 통상적으로 로봇에 결합된 블레이드가, 기판과 기판 지지대 사이에 배치될 수도 있다. 상기 리프트 핀은 기판을 기판 이송 매커니즘 상에 남겨둔채 후퇴하게 되는데, 이제 기판 이송 매커니즘은프로세싱 챔버로부터 기판을 자유롭게 제거할 수 있게 된다.
증착 프로세스 동안, 기판은 기판 지지대에 남아 있도록 붙어 있을 수도 있다. 예를 들어 플라즈마 프로세싱하는 동안, 플라즈마 내에서 이온 및 전자 사이의 이동성의 차이로 인하여 기판상에 전하가 축적되는 것이 통상적이다. 대체로, 활성 및 이동성이 더욱 많은 전자들이 이온들보다 더 많은 수가 기판에 도달하여, 순 전하(net charge)의 축적을 초래한다. 플라즈마와 맞닿아 있는 기판 표면 상에 축적된 전자는, 이에 상응하는 양전하를 기판의 배면에 축적시키고, 상기 기판과 기판 지지대 사이에 정전기적 인력(static attraction)을 일으킨다.
리프트 핀이 상기 기판 지지대로부터 기판을 들어올리기 시작할 때, 상기 기판의 중심부(예를 들어, 리프트 핀들 사이의 영역)가 기판 지지대에 이끌려 잔류하므로 기판을 휘게 한다. 계속하여 기판이 기판 지지대로부터 멀어질수록 기판 지지대로부터 기판을 분리시키는 힘이 정전기적 인력을 극복하여, 기판이 기판 지지대로부터 이격된 관계로 리프트 핀에 의하여 지지된 상태에서는 기판이 실질적으로 평면이나 약간 휜 형태로 복귀되도록 한다.
그러나, 디처킹 프로세스 동안 정전기적 인력이 충분히 크다면, 기판은 기판 지지대로부터 완전하게 분리되기도 전에 과도하게 휘어지게 된다. 기판이 과도하게 휘게 되면 기판 및/또는 기판에 배치된 재료 층 또는 소자(device)에 크랙, 파손 또는 다른 손상을 초래할 수도 있다. 부가적으로, 기판이 과도하게 휘게 되면 리프트 핀들이 기판의 배면 상에서 다소 미끌어져서 기판이 긁히게 되고, 나아가 상기 기판 또는 챔버 내에서 연속적으로 프로세싱된 다른 기판을 오염시킬 수도 있는 미립자의 발생 가능성을 증가시킨다.
이러한 정전기적 인력은 디처킹 프로세스 동안 챔버 내의 불활성 가스로부터 형성된 플라즈마를 도입함으로써 없앨 수 있다. 플라즈마가 기판을 가로질러 전하를 재분배하여, 기판과 기판 지지대 사이의 정전기적 인력을 최소화한다. 이와 같이 정전기적 인력을 감소시키기 위한 프로세스는 Robertson 등에 의하여 1995년 6월 10일에 공고된 미국 특허 제 5,380,566호에 기술되어 있다.
비록 불활성 가스로부터 형성된 플라즈마에 2초 정도의 짧은 시간 동안 노출시킴으로 정전기적 인력을 충분히 감쇠시키고 손상없이 기판을 디처킹할 수 있다고 하더라도, 가능한한 작은 수의 단계로 기판을 프로세싱하고 그리고 프로세싱동안 사용되는 가스들과 같은 소모제 사용을 최소화하는 것이 요구된다.
그러므로, 기판을 디처킹하는 동안 기판이 과도하게 휘는 것을 방지하는 기판 지지대에 대한 필요성이 부각되고 있다.
도 1은 본 발명의 프로세싱 챔버의 실시예의 한 가지로서 개략적인 부분도를 도시하고;
도 2a는 기판 지지대로부터 들어 올려진 기판을 도시하는 기판 지지대의 실시예의 한가지로서의 확대 부분도이고;
도 2b는 기판 지지대로부터 들어 올려진 기판을 도시하는 기판 지지대의 실시예의 한 가지로서, 상기 기판이 정상 처짐 이상으로 처지는 경우의 확대 부분도이고;
도 3은 기판 지지대 위로 들어 올려진 위치에 있는 기판을 도시하는 기판 지지대의 실시예의 한가지로서의 확대 부분도이고;
도 4는 디처킹 프로세스를 도시하는 흐름도이며; 그리고
도 5는 지지대로부터 들어 올려진 기판을 도시하는 기판 지지대의 또 다른 실시예의 부분도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
102 챔버 104 가스 소스
110 리드 어셈블리 114 플리넘
118 배분 플레이트 128 구멍
138 지지대 어셈블리 140 기판
150, 152 리프트 핀 154 리프트 플레이트
164, 166 제 2 단부 506 리프트 핀
512, 516 림 530 지지대 어셈블리
통상적으로, 작업편을 지지하기 위한 지지대 어셈블리로서, 지지 표면을 가진 지지대 어셈블리, 상기 지지대 어셈블리를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 1 리프트 핀 세트 및, 상기 지지대 어셈블리를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 2 리프트 핀 세트를 포함하고, 상기 제 1 리프트 핀 세트가 작동 위치에 있는 경우 제 1 거리만큼 지지 표면으로부터 돌출되고, 상기 제 2 리프트 핀 세트가 작동 위치에 있는 경우 제 2 거리만큼 지지 표면으로부터 돌출되며, 상기 제 1 거리가 상기 제 2 거리보다 큰 지지대 어셈블리를 제공하는 것이 본 발명의 관점 중의 한 가지이다.
본 발명의 다른 관점으로서는 작업편을 지지하기 위한 지지대 어셈블리를 제공하는 것이다. 일실시예로서, 지지대 어셈블리는 지지 표면을 구비한 지지대 어셈블리, 상기 지지대 어셈블리를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 1 리프트 핀 세트 및, 반경 상으로 상기 제 1 리프트 핀 세트의 안쪽에 상기 지지대 어셈블리를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 2 리프트 핀 세트를 포함하고, 상기 제 1 리프트 핀 세트는 제 1 길이를 가지며, 상기 제 2 리프트 핀 세트는 상기 제 1 리프트 핀 세트의 제 1 길이보다 짧은 제 2 길이를 가진다.
본 발명의 또 다른 관점으로서는 반도체 프로세스 챔버를 제공하는 것이다. 일실시예로서, 상기 반도체 프로세스 챔버는 챔버, 지지 표면을 가지는 지지대 어셈블리, 상기 지지대 어셈블리를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 1 리프트 핀 세트 및, 상기 지지대 어셈블리를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 2 리프트 핀 세트를 포함하고, 상기 제 1 리프트 핀 세트는 작동 위치에 있는 경우 제 1 거리만큼 상기 지지 표면으로부터 돌출하고, 상기 제 2 리프트 핀 세트는 작동 위치에 있는 경우 제 2 거리만큼 상기 지지 표면으로부터 돌출하며, 상기 제 1 거리는 상기 제 2 거리보다 크다.
상세하게는, 기판을 프로세싱하는 동안 기판을 지지하기 위한 기판 지지대 어셈블리를 제공하는 것이 본 발명의 관점 중의 한 가지이다. 일실시예에서, 지지대 어셈블리는, 지지 표면을 구비한 기판 지지대, 상기 기판 지지대를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 1 리프트 핀 세트와 제 2 리프트 핀 세트를 포함한다. 상기 핀들이 작동 위치에 있는 경우에, 제 1 리프트 핀 세트 및 제 2 리프트 핀 세트가 지지 표면으로부터 돌출된다. 작동 위치에 있는 경우에, 제 1 리프트 핀 세트는 제 2 리프트 핀 세트보다 지지 표면으로부터 더 먼 거리로 돌출된다. 다른 실시예에서는, 지지대 어셈블리는 제 2 리프트 핀 세트와 접촉하기 전에 제 1 리프트 핀 세트와 접촉하는 리프트 플레이트를 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 관점으로서, 기판 지지대로부터 기판을 디처킹하기 위한 방법이 제공된다. 일실시예에서, 상기 방법은 기판을 들어올리기 위하여 기판 지지 표면 위로 제 1 거리만큼 제 1 리프트 핀 세트를 돌출시키는 단계와, 제 1 리프트 핀 세트에 의한 제 1 거리보다 작은 제 2 거리만큼 기판 지지 표면 위로 제 2 리프트 핀 세트를 돌출시키는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 기판이 사전 설정된 양보다 많이 휜다면, 제 2 리프트 핀 세트가 기판과 접촉한다.
본 발명은 후술되는 프로세싱 챔버 내에 기판 지지대 어셈블리의 실시예에 대한 상세한 설명과 첨부된 도면을 통하여 용이하게 이해될 수 있다. 이해를 돕기 위하여, 도면에서 공통되는 구성 요소를 지칭하는데 가능한한 동일한 도면 부호를 사용하였다.
본 발명은 기판 지지대 어셈블리와 같은 지지대 어셈블리로부터 기판과 같은 작업편을 들어올리는데 유리한, 기판을 디처킹하기 위한 기판 지지대 및 방법을 일반적으로 제시한다. 본 발명은 Santa Clara, California에 소재한 Applied Materials, Inc.의 한 디비젼인 AKT로부터 입수 가능한 플라즈마 강화 화학 기상증착(PECVD) 시스템과 같은 플라즈마 강화 화학 기상 증착 시스템에 관하여 아래에 기술한다. 하지만, 본 발명은 기판 지지대로부터 기판을 들어올리는 것을 요구하는 물리 기상 증착 시스템, 이온 주입 시스템, 에칭 시스템, 화학 기상 증착 시스템 및 다른 시스템과 같은 다른 시스템 구성에서도 유용성을 가지는 것으로 이해된다.
도 1은 플라즈마 강화 화학 기상 증착 시스템(100)의 실시예의 한가지를 나타내는 단면도이다. 시스템(100)은 일반적으로 가스 소스(104)에 연결된 챔버(102)를 포함한다. 챔버(102)는 프로세스 체적(112)을 형성하는 벽(106), 하부(108) 및 리드 어셈블리(110)를 구비한다. 일반적으로 기판(140)을 챔버(102) 내로, 그리고 챔버(102)로부터 밖으로 이송하는 것을 용이하게 하는, 벽(106)에 있는 포트(도시 안됨)를 통하여 프로세스 체적(112)에 접근한다. 일반적으로 벽(106) 및 하부(108)는 알루미늄으로 이루어진 단일 블록으로 제조된다. 리드 어셈블리(110)는 프로세스 체적(112)을 배기 포트(다양한 펌핑 요소를 포함함, 도시 안됨)에 연결시키는 펌핑 플리넘(pumping plenum, 114)을 포함한다.
리드 어셈블리(110)는 벽(106)에 의하여 지지되고, 챔버(102)를 수리하기 위하여 제거될 수 있다. 리드 어셈블리(110)는 일반적으로 알루미늄으로 구성되어 있고, 부가적으로 열전달 유체 채널을 통하여 열전달 유체를 유동시킴으로써 리드 어셈블리(110)의 온도를 조절하기 위한 열전달 유체 채널을 포함할 수도 있다.
배분 플레이트(118)는 리드 어셈블리(110)의 내면(interior side, 120)에 연결되어 있다. 배분 플레이트(118)는 일반적으로 알루미늄으로 제조된다. 일반적으로 배분 플레이트는 접시 형상(dish-shaped)의 중심부를 둘러싸고 있는 주변 장착링(perimeter mounting ring)을 포함한다. 장착 링은 관통된 다수 개의 장착 구멍을 포함하는데, 각각의 장착 구멍은 상기 리드 어셈블리(110)의 짝을 이루는 구멍에 나사 결합되고 통기공이 형성된(vented) 장착 나사를 수용한다. 중심부는 통공부를 포함하는데, 가스 소스(104)로부터 공급되는 프로세스 및 다른 가스들이 상기 통공부를 거쳐 프로세스 체적(112)으로 운송된다. 상기 배분 플레이트(118)의 통공부는 배분 플레이트(118)를 거쳐 챔버(102)로 전달되는 가스가 일정하게 배분되도록 형성된다.
챔버(102)의 중앙에 가열되는 지지 어셈블리(138)가 배치된다. 지지 어셈블리(138)는 프로세싱동안 기판(140)을 지지한다. 지지 어셈블리(138)는 일반적으로 알루미늄, 세라믹 또는 알루미늄과 세라믹이 조합된 재료로 제조되며, 일반적으로 진공 포트(도시 안됨)와 매입된 하나 또는 그 이상의 가열 요소(132)를 포함한다. 진공 포트는 기판(140)과 지지대 어셈블리(138) 사이에 진공을 일으키는데 사용된다. 지지대 어셈블리(138)에 배치된 전극과 같은 가열 요소(132)는 전원(130)과 결합되어, 지지대 어셈블리(138) 및 그 위에 배치된 기판(140)을 사전 설정된 온도로 가열한다. 실시예의 한가지로서, 상기 가열 요소(132)가 기판(140)을 약 150 도 내지 400 도의 일정한 온도로 유지시킨다. 대안적으로, 기판을 가열하는데 가열 램프 또는 다른 가열 소스들이 기판을 가열하는데 이용할 수도 있다.
일반적으로, 지지대 어셈블리(138)는 스템(142)에 결합된다. 스템(142)은 시스템(100)의 지지대 어셈블리(138)와 다른 요소들 사이에 전기 도선(electrical leads), 진공 및 가스 공급선을 위한 도관을 제공한다. 스템(142)은 지지대 어셈블리(138)를 상승 위치(도시된 바와 같이)와 하강 위치 사이에서 지지대 어셈블리(138)를 이동시키는 리프트 시스템(도시 안됨)과 결합된다. 벨로우즈(146)는 챔버 체적(112)과 챔버(102) 밖의 대기 사이에 진공 실(seal)을 제공하며, 지지대 어셈블리(138)의 이동을 용이하게 한다.
일반적으로 지지대 어셈블리(138)는, 전원(130)에 의하여 배분 플레이트(118)(또는 챔버의 리드 어셈블리 내 또는 어셈블리 부근에 배치된 다른 전극)에 공급되는 RF 전력이 지지대 어셈블리(138)와 배분 플레이트(118) 사이의 프로세스 체적(112)에 배치된 가스를 여기시킬 수 있도록 접지된다. 일반적으로 수 ㎐ 내지 13㎒ 또는 그 이상 사이의 주파수를 가진 RF 전력이 기판 표면적에 대하여 적합한 전력량(Wattage)으로 제공된다. 실시예의 한 가지로서, 전원(130)은 약 2 ㎒보다 낮은 저주파(바람직하게는 약 200 ㎑ 내지 500 ㎑) 전력과 그리고 13 ㎒보다 큰 고주파(바람직하게는 약 13.56 ㎒) 전력을 제공하는 이중 주파수 전원을 포함한다. 주파수는 고정되거나 가변적일 수 있다. 예를 들어 550 ㎜×650 ㎜ 크기의 기판의 경우, 저주파 전력은 약 0.3 내지 약 2 ㎾인 반면, 고주파 전력은 약 1 내지 5 ㎾이다. 일반적으로, 기판의 크기가 감소하거나 증가함에 상응하여 소요 전력이 감소하거나 증가한다.
지지대 어셈블리(138)는 부가적으로 환형 새도우 프레임(148)을 지지한다. 새도우 프레임(148)은 기판(140)의 모서리를 덮도록 형성되고, 통상적으로 세라믹으로 구성된다. 일반적으로 기판이 지지대 어셈블리(138)에 고착되지 않도록, 새도우 프레임(148)은 기판(140)의 모서리와 지지대 어셈블리(138)가 증착되는 것을 방지한다. 선택적으로, 퍼지 가스(purge gas)가 새도우 프레임(148)과 지지대 어셈블리(138) 사이에 공급되어 기판 모서리에 증착되는 것을 방지하도록 도와준다.
지지대 어셈블리(138)는 이를 관통하도록 배치된 다수 개의 구멍(128)을 가지는데, 이 다수 개의 구멍들은 제 1 세트(180)를 포함한 다수 개의 피르트 핀(150)과 그리고 제 2 세트(182)를 포함하는 하나 또는 그 이상의 다른 리프트 핀(152)을 수용한다. 상기 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)는 반경 상으로 상기 리프트 핀(150)의 제 1 세트(180)의 안쪽에 배치된다. 상기 리프트 핀(150 및 152)은 대체로 세라믹 또는 산화 피막 처리 알루미늄(anodized aluminum)을 포함한다. 일반적으로, 리프트 핀(150 및 152)이 정상 위치(예를 들어, 지지대 어셈블리(138)에 대하여 상대적으로 후퇴된 위치)에 있는 경우, 각각의 리프트 핀(150 및 152)은 지지대 어셈블리(138)의 지지 표면(134)과 실질적으로 동일한 높이 이거나 약간 요홈된 제 1 단부(160 및 162)를 각각 가지고 있다. 부가적으로, 각각의 리프트 핀(150 및 152)은 지지대 어셈블리(138)의 저면(126)을 지나서 연장된 제 2 단부(164 및 166)를 각각 가지고 있다.
핀들이 작동하는 경우, 리프트 핀(150 및 152)은 지지 표면(130)으로부터 돌출된 위치로 이동할 수 있다. 작동 위치에서, 상기 리프트 핀(150)은 하나 혹은 그 이상의 리프트 핀(152)보다 지지 표면(134)으로부터 더 멀리 돌출된다. 일반적으로, 리프트 핀(150)의 제 1 세트(180)는 하나 혹은 그 이상의 리프트 핀(152)의 외측에 배치된 세 개 또는 그 이상의 리프트 핀을 포함한다. 실시예의 한 가지로서, 리프트 핀(150)의 제 1 세트(180)는 쌍으로 배치된 8개의 핀을 포함하며, 각 쌍들은 기판의 네 변의 각 변에 인접하게 배치된다. 또 다른 실시예로서, 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)는 지지대 어셈블리(138)의 중심의 양측에 배치된 두 개의 리프트 핀을 포함한다.
리프트 플레이트(154)가 지지 표면의 저면(126)에 인접하게 배치된다. 리프트 플레이트(154)는 하나 또는 그 이상의 리프트 핀(150 또는 152)의 제 2 단부(164 또는 166) 아래에 배치된다. 리프트 플레이트(154)는 일반적으로 프로세스 체적(112)의 외부에 배치된 공압 실린더, 유압 실린더, 리이드 스크류, 솔레노이드, 스텝 모터 또는 다른 이동 장치(도시 안됨)와 같은 액츄에이터에 결합되어 있다. 리프트 플레이트(154)는 스템(142)의 일부를 둘러싸고 있는 칼라(collar, 156)에 의하여 액츄에이터에 결합되어 있다. 벨로우즈(146)는 상측부(168)와 하측부(170)를 포함하는데, 스템(142)과 칼라(156)를 독립적으로 이동할 수 있게 하면서 챔버(102)의 외부 환경으로부터 프로세스 체적(112)을 격리시킨다. 대안적으로, 리프트 플레이트(154)와 지지대 어셈블리(138)를 이동시키는 것이 단일 엑츄에이터를 통하여 제어될 수 있는데, 이를 위하여 상기 엑츄에이터는 리프트 플레이트(154) 또는 지지대 어셈블리(138) 사이에서 상대적인 운동을 제어하는 스프링 및 이동 멈추개(motion stop)를 사용한다.
일반적으로 리프트 플레이트(154)가 작동하여, 지지대 어셈블리(138) 및 리프트 플레이트(154)가 상호간에 상대적으로 가까워지도록 이동할수록 리프트 핀(150, 152)이 지지 표면(134)으로부터 연장되게 한다. 지지대 어셈블리(138)를 하강시키거나, 리프트 플레이트(154)를 상승시키거나, 리프트 플레이트(154)를 지지대 어셈블리(138)가 하강하는 속도보다 느린 속도로 하강시키거나 또는 이들의 조합을 통하여, 지지대 어셈블리(138)를 리프트 플레이트(154)에 상대적으로 가깝게 이동시킬 수 있다.
도 2a는 지지대 어셈블리(138)의 지지 표면(134)로부터 들어 올려지는 기판(140)의 실시예의 한 가지를 도시한다. 일반적으로, 지지대 어셈블리(138)가 리프트 플레이트(154)에 대하여 보다 가깝게 이동할수록, 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)보다 대체로 더 긴 리프트 핀(150)의 제 1 세트(180)는 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)에 앞서 리프트 플레이트(154)에 의하여 접촉된다. 그런 후, 리프트 핀(150)의 제 1 세트(180)는 돌출부에 의해 기판(140)을 지지 표면(134)로부터 제 1 거리만큼 들어 올린다. 일단, 리프트 핀(150)의 제 1 세트(180)이 지지 표면(134)로부터 거리(L)만큼 연장되면, 보다 짧은 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)가 리프트 플레이트(154)와 접촉한다. 또한 거리(L)는 리프트 핀(150 및 152)의 길이 차이를 나타낸다. 실시예의 한 가지로서, 상기 거리(L)는 적어도 약 2 ㎜ 이다.
일반적으로, 기판(140)은 지지 표면(134)로부터 들어 올려지는 경우에 휘어지게 된다. 리프트 핀(150)의 평면 아래로 휘는 부분은 처짐(sag: S)으로 표시한다. 기판(140)의 중심에 대하여 리프트 핀(150)의 제 1 세트(180)의 위치는 기판의 처짐(S)이 거리(L)보다 일반적으로 작게 되도록 형성된다. 처짐(S)을 일으키는 특성들로는 여러 요인 중, 기판의 전체 크기, 기판의 두께, 기판 상에 현존하는 층의 조성, 리프트 핀(150)들 사이의 간격과, 그리고 기판의 온도를 포함한다. 즉,기판(140)이 리프트 핀(150)의 제 1 세트(180)에 의하여 지지 표면(134)로부터 들어 올려지는 경우, 기판(140)은 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)와 접촉되는 것이 방지되는데, 이는 기판(140)이 지지 표면(134)으로부터 더 올려짐에 따라, 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)가 연장되기 시작하기 때문이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 일단 기판(140)이 지지대 어셈블리(138)로부터 완전히 들어 올려지는 경우, 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)가 지지 표면(134)로부터 거리(D')만큼 돌출되는 반면, 리프트 핀의 제 1 세트는 지지 표면(134)로부터 거리(D")만큼 돌출된다. 거리(D')는 다른 거리(D")보다 작아서, 일단 기판이 지지 표면(134)으로부터 분리되면 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)는 기판(140)과 떨어져 있게 된다. 즉, 기판(140)이 지지대 어셈블리(138)로부터 들어 올려지는 경우, 리프트 핀과 최소한의 접촉이 이루어져, 기판(140)의 중심부가 긁힐 수 있는 가능성을 줄인다.(예를 들어, 리프트 핀(152)은 기판(140)과 접촉하지 않는다.)
도 2b에 도시된 바와 같이, 기판(140')과 지지대 어셈블리(138) 사이에 잔류하는 힘(정전기적 인력과 같은 힘)은 기판(140')을 도 2a의 "S"로 지시되는 사전 설정된 양 이상으로 휘게 하는 원인이 될 수도 있다. 만약 잔류하는 힘들이 충분히 크거나 충분하게 방출될 수 없다면, 기판(140')이 리프트 핀(150)의 제 1 세트(180)에 의하여 지지 표면(134)으로부터 들어 올려지는 경우 기판(140')의 처짐(S')은 거리(L)와 같게 된다. 이러한 점에서, 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)는 기판(140')의 중심부와 접촉한다. 리프트 플레이트(154)와 기판 지지대(138)가 상호간에 가깝게 이동할수록, 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)는 반경 상으로 리프트 핀(150)의 제 1 세트(180)의 안쪽에 기판(140')과 접촉한다. 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)가 기판(140')의 중심부를 들어올리는데, 이들 사이에 작용하며 일반적으로 기판의 중심에 집중되어 있는 잔류 인력을 극복하고, 그런 후에 기판 및/또는 그 위에 증착된 층이나 소자에 손상을 일으킬 수도 있는 사전 설정된 처짐(S') 양을 초과하여 기판이 더 많이 휘는 것을 방지한다. 기판(140')이 지지대 어셈블리(138)의 지지 표면(134)로부터 분리되는 경우, 기판(140')은 처짐(S')을 일으켰던 잔류하는 힘들에 의하여 더 이상 영향을 받지 아니하고, 점선으로 도시된 처짐(S)을 가진 정상 배향(orientation)으로 복귀하여, 기판(140)은 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)와 더 이상 접촉하지 않는다. 리프트 플레이트(154)가 리프트 핀(150 및 152)을 계속하여 완전한 작동 위치에 배치하는 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 기판(140)은 지지 표면(134)에 이격된 관계로 배치된다.
도 4는 본 발명 하나의 실시예에 따른 지지 표면으로부터 기판을 들어 올리는(예를 들어, 디처킹) 방법의 흐름도(400)이다. 단계(402)에서 시작하고 도 3을 참조하면, 리프트 핀(150)의 제 1 세트(180)는 지지대 어셈블리(138)의 지지 표면(134)로부터 제 1 거리(D")만큼 연장된다. 다음 단계(404)에서, 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)는 지지대 어셈블리(138)의 지지 표면(134)로부터 제 2 거리(D')만큼 연장된다. 일반적으로, 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)는 리프트 핀(150)의 제 1 세트(180)의 반경상의 안쪽에 배치된다. 다음 단계(406)에서, 기판(140)과 지지대 어셈블리(138) 사이의 잔류하는 인력이 기판에 제 1 및 제 2 거리의 차(D"-D'=L)와 같은 처짐(S')을 일으킨다면(도 2b 참조), 리프트 핀(152)의제 2 세트(182)는 기판(140)과 접촉한다.
도 5에서는 플라즈마 강화 화학 기상 증착 시스템(500)의 또 다른 실시예가 도시되어 있다. 상기 시스템(500)은 일반적으로 지지대 어셈블리(502)가 동일한 길이를 가지고 있는 리프트 핀(506)의 제 1 세트(580)와 리프트 핀(520)의 제 2 세트(582)를 포함하고 있다는 점을 제외하고는 도 1 내지 도 3에 언급되고 기술된 시스템(100)에 상당히 유사하다. 리프트 핀(506 및 520)은 기판 지지대(502)의 지지 표면(528)로부터 기판(140)을 들어올리기 위한 나팔꽃형의 제 1 단부(508 및 522)를 각각 가지고 있다. 리프트 핀(506 및 520)은 제 2 단부(510 및 524)를 가지고 있는데, 이들 각각은 기판 지지대(502)의 저면(underside, 530)을 지나서 연장된다. 기판 지지대(502)의 아래에 리프트 플레이트(512)가 배치된다. 리프트 플레이트(512)는 일반적으로 중심부(514)의 위로 돌출된 림(516)을 포함한다.
리프트 플레이트(512)가 지지 표면(528)으로부터 기판을 상승시키도록 작동되는 경우, 중심부(514)가 리프트 핀(520)의 제 2 세트(582)와 접촉하기 전에 리프트 플레이트(512)의 상승된 림(516)이 리프트 핀(506)의 제 1 세트(580)와 접촉한다. 림(516)과 중심부(514) 사이의 높이 차이(D)는 지지 표면(528)으로부터 리프트 핀(520)의 제 2 세트(582)에 앞서 리프트 핀(506)의 제 1 세트(580)가 돌출되도록 한다. 상기 높이 차이(D)는 전술한 리프트 핀의 차이(L)와 동일한 결과를 가지도록 선택된다. 선택적으로, 상기 리프트 플레이트(512)가 동일한 길이의 리프트 핀(506 및 520)들과 같이 사용될 수도 있다. 또한 도면을 통하여 도시되지는 않았으나, 선택적으로, 상기 리프트 플레이트(512)가 길이 차를 갖는 서로 다른 길이를 갖는 리프트 핀(150 및 152)들과 같이 사용될 수 있으며, 이 경우에는 전술한 실시예들과 동일한 결과를 가지도록 리프트 플레이트(512)의 높이 차이(D)와 리프트 핀(150, 152)의 길이 차이가 적절히 선택된다.
작동 상태에서, 도 1에 도시된 반도체 기판(140)은 다수 개의 방법에 의하여 프로세싱될 수 있다. 예를 들어, 실리콘 나이트라이드(silicon nitride) 층을 증착하기 위하여, 먼저 지지대 어셈블리(138)와의 사이에 진공을 유지함으로써 기판(140)이 지지대 어셈블리(138)에 장착된다. 지지대 어셈블리(138)가 상승하여, 일반적으로 기판(140)과 배분 플레이트(118)를 약 500 내지 1000 mils 정도 이격시킨다. 기판(140)의 온도는 주로 전극(132)에 전력을 공급함으로써 약 150 ℃ 내지 약 400 ℃ 사이의 사전 설정된 프로세스 온도까지 상승한다. 실시예의 한가지로서 실란(silane)과 암모니아(ammonia) 그리고 질소(nitrogen)를 포함할 수 있는 가스 구성 요소들이 가스 혼합체를 형성하기 위하여 가스 패널로부터 배분 플레이트(118)를 거쳐 프로세스 챔버로 공급된다. RF 전력이 배분 플레이트(118)와 지지대 어셈블리(138) 사이에 인가되어 가스 혼합체로부터 플라즈마를 형성한다. 가스 혼합체가 반응하여 기판(140) 상에 실리콘 나이트라이드(silicon nitride) 층을 형성한다.
프로세싱 후에, 기판(140)은 선택적으로 불활성 가스(예를 들어, 기판 상에 배치된 층에 좋지 않은 영향을 미치지 않고, 부가적인 물질이 기판 상에 배치되지 않도록 하는 가스)로부터 형성된 플라즈마에 의하여 약 5초 동안 영향을 받아서, 기판(140)과 지지대 어셈블리(138) 사이의 인력을 감소시킬 수 있다. 이러한 프로세스는 앞서 설명된 미국 특허 제 5,380,566호에 기술되어 있다.
프로세싱된 기판(140)의 제거가 가능하도록 지지대 어셈블리(138)가 낮춰진다. 리프트 플레이트(154)가 작동하여, 리프트 핀(150, 152) 및 기판(140)이 지지 표면(134) 위로 연장된다. 만약 지지 표면(134)과 기판(140) 사이에 잔류하는 인력이 기판으로 하여금 사전 설정된 양만큼 처지게 한다면, 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)가 기판(140)과 접촉하여 기판(140)으로 하여금 지지 표면(134)으로부터 떨어지도록 한다. 일단 지지 표면(134)으로부터 떨어지면, 기판 처리 로봇이 챔버(102)에 진입할 수 있고 다른 장치에서 더 프로세싱하기 위하여 기판(140)을 회수할 수도 있는 위치에서 기판(140)이 리프트 핀(150)의 제 1 세트(180) 상에 안착된다.
지지 표면(134)과 기판(140) 사이의 잔류하는 인력이 기판으로 하여금 거리(L)와 동일한 만큼 처지도록 하기에 충분하지 않다면, 리프트 핀(152)의 제 2 세트(182)는 기판(140)과 접촉하지 않게 되고, 그 위에 흔적을 남길 수도 없다.
비록 지금까지 본 발명이 플라즈마 강화 화학 기상 증착 챔버에 대하여 기술되고 설명되었지만, 당업자라면 본 발명의 범위와 취지를 벗어나지 않고 본 발명의 기술 사상을 구체화하여, 지지 표면으로부터 기판을 분리하기 위하여 리프트 핀을 사용하는 다른 프로세싱 챔버에서 본 발명의 다른 다양한 실시예를 용이하게 유추할 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 예컨대 반도체 프로세싱 챔버내에서 기판 지지대로부터기판을 디처킹하는 방법 및 장치를 제공함에 의하여 기판이 과도하게 휘는 것이 방지되어서, 기판 및/또는 기판에 배치된 재료 층 또는 소자에 크랙, 파손 또는 다른 손상의 발생, 리프트 핀들이 기판의 배면 상에서 다소 미끄러져 발생하는 기판의 긁힘, 그리고 미립자의 발생 가능성의 증가등이 방지된다. 그리고 기판 프로세싱이 수 개의 단계로 구성될 수 있고 프로세싱하는 동안 가스 등의 사용을 최소화할 수 있다.

Claims (30)

  1. 작업편을 지지하기 위한 지지대 어셈블리로서:
    지지 표면을 가진 지지대 어셈블리;
    상기 지지대 어셈블리를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 1 리프트 핀 세트; 및
    상기 지지대 어셈블리를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 2 리프트 핀 세트를 포함하고, 상기 제 1 리프트 핀 세트가 작동 위치에 있는 경우 제 1 거리만큼 지지 표면으로부터 돌출되고, 상기 제 2 리프트 핀 세트가 작동 위치에 있는 경우 제 2 거리만큼 지지 표면으로부터 돌출되며, 상기 제 1 거리가 상기 제 2 거리보다 큰 지지대 어셈블리.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 리프트 핀 세트가 반경 상으로 상기 제 1 리프트 핀 세트의 안쪽에 배치되는 지지대 어셈블리.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 리프트 핀 세트가 하나 또는 그 이상의 리프트 핀을 포함하는 지지대 어셈블리.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 리프트 핀 세트가 상기 지지대 어셈블리의 중심에 대하여 마주하며 배치된 두 개의 리프트 핀을 더 포함하는 지지대 어셈블리.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀 세트가 최소한 세 개 또는 그 이상의 리프트 핀을 포함하는 지지대 어셈블리.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀 세트가 여덟 개의 리프트 핀을 포함하는 지지대 어셈블리.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 여덟 개의 핀이:
    네 변 기판의 각 변에 근접하게 배치되도록 만들어진 네 쌍의 리프트 핀을 더 포함하는 지지대 어셈블리.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀 세트가 상기 제 2 리프트 핀 세트의 제 2 길이보다 긴 제 1 길이를 가지는 지지대 어셈블리.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 제 1 길이가 상기 제 2 길이보다 2 ㎜ 또는 그 이상으로 더 긴 지지대 어셈블리.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 지지대 어셈블리의 상기 지지 표면 반대측에 배치된 리프트 플레이트를 더 포함하는 지지대 어셈블리.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 리프트 플레이트가:
    중심부; 및
    상기 중심부로부터 돌출된 림을 더 포함하는 지지대 어셈블리.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 중심부가 상기 제 2 리프트 핀 세트와 접촉하도록 만들어지고, 상기 제 1 리프트 핀 세트와 접촉하도록 만들어진 지지대 어셈블리.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀 세트가 상기 지지 표면과 이격된 관계에 있는 기판을 지지하도록 만들어진 반면, 상기 제 2 리프트 핀 세트는 상기 기판과 접촉하지 않는 지지대 어셈블리.
  14. 작업편을 지지하기 위한 지지대 어셈블리로서,
    지지 표면을 구비한 지지대 어셈블리;
    상기 지지대 어셈블리를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 1 리프트 핀 세트; 및
    반경 상으로 상기 제 1 리프트 핀 세트의 안쪽에 상기 지지대 어셈블리를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 2 리프트 핀 세트를 포함하고,
    상기 제 1 리프트 핀 세트가 제 1 길이를 가지며, 상기 제 2 리프트 핀 세트가 상기 제 1 리프트 핀 세트의 제 1 길이보다 짧은 제 2 길이를 가지는 지지대 어셈블리.
  15. 반도체 프로세스 챔버로서,
    챔버;
    지지 표면을 가지는 지지대 어셈블리;
    상기 지지대 어셈블리를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 1 리프트 핀 세트; 및
    상기 지지대 어셈블리를 관통하며 이동 가능하게 배치된 제 2 리프트 핀 세트를 포함하고, 상기 제 1 리프트 핀 세트는 작동 위치에 있는 경우 제 1 거리만큼 상기 지지 표면으로부터 돌출하고, 상기 제 2 리프트 핀 세트는 작동 위치에 있는 경우 제 2 거리만큼 상기 지지 표면으로부터 돌출하며, 상기 제 1 거리가 상기 제 2 거리보다 큰 반도체 프로세스 챔버.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 제 2 리프트 핀 세트가 반경 상으로 상기 제 1 리프트 핀 세트의 안쪽에 배치된 프로세스 챔버.
  17. 제 15항에 있어서, 상기 제 2 리프트 핀 세트가 상기 지지대 어셈블리의 중심에 대하여 마주하도록 배치된 두 개의 리프트 핀을 더 포함하는 프로세스 챔버.
  18. 제 15항에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀 세트가 최소한 세 개 또는 그 이상의 리프트 핀을 포함하는 프로세스 챔버.
  19. 제 15항에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀 세트가 다른 리프트 핀의 제 2 길이보다 더 긴 제 1 길이를 가지는 프로세스 챔버.
  20. 제 15항에 있어서, 상기 지지대 어셈블리의 상기 지지 표면 반대측에 배치된 리프트 플레이트를 더 포함하는 프로세스 챔버.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 리프트 플레이트가:
    중심부; 및
    상기 중심부로부터 돌출된 림을 더 포함하는 프로세스 챔버.
  22. 제 15항에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀 세트가 상기 지지 표면과 이격된 관계에 있는 기판을 지지하도록 만들어지는 반면, 하나 또는 그 이상의 다른 리프트 핀은 상기 기판과 접촉하지 않는 프로세스 챔버.
  23. 제 15항에 있어서, 상기 챔버가 화학 기상 증착 챔버인 프로세스 챔버.
  24. 제 15항에 있어서, 상기 챔버가 그 내부에 배치된 배기 플리넘을 구비한 리드를 더 포함하는 프로세스 챔버.
  25. 기판을 디처킹하기 위한 방법으로서,
    기판 지지대의 표면 위로 제 1 거리만큼 제 1 리프트 핀 세트를 돌출시키는 단계; 및
    상기 기판 지지대의 표면 위로 제 2 거리만큼 제 2 리프트 핀 세트를 돌출시키는 단계를 포함하고, 상기 제 2 거리가 상기 제 1 리프트 핀 세트에 의하여 돌출되는 상기 제 1 거리보다 작은 방법.
  26. 제 25항에 있어서, 상기 돌출되는 거리의 차이가 2 ㎜ 또는 그 이상인 방법.
  27. 제 25항에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀 세트와 기판을 접촉시켜, 상기 기판을 휘게 하는 단계; 및
    상기 제 2 리프트 핀 세트가 상기 기판과 접촉하지 않고서 상기 기판을 상기 기판 지지대에 이격된 관계로 들어올리는 단계를 더 포함하는 방법.
  28. 제 25항에 있어서, 상기 기판을 상기 다수 개의 리프트 핀과 접촉시킴으로써, 상기 기판이 상기 다수 개의 리프트 핀들 사이에서 휜 영역을 형성하도록 하는 단계;
    상기 휜 영역에서 상기 기판과 상기 제 2 리프트 핀 세트를 접촉시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  29. 제 25항에 있어서, 리프트 플레이트를 작동시켜 상기 다른 리프트 핀과 접촉하기 전에 상기 제 1 리프트 핀과 접촉하도록 작동시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  30. 제 25항에 있어서, 상기 다른 리프트 핀과 접촉하는 중심부로부터 돌출된 상기 리프트 플레이트의 림과 상기 제 1 리프트 핀 세트가 접촉하도록 리프트 플레이트를 작동시키는 단계를 더 포함하는 방법.
KR1020010043823A 2000-07-20 2001-07-20 기판을 디처킹하기 위한 방법 및 장치 KR20020008780A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US61987000A 2000-07-20 2000-07-20
US09/619,870 2000-07-20

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050078817A Division KR100636487B1 (ko) 2000-07-20 2005-08-26 기판 지지 장치 및 기판 디처킹 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020008780A true KR20020008780A (ko) 2002-01-31

Family

ID=24483658

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010043823A KR20020008780A (ko) 2000-07-20 2001-07-20 기판을 디처킹하기 위한 방법 및 장치
KR1020050078817A KR100636487B1 (ko) 2000-07-20 2005-08-26 기판 지지 장치 및 기판 디처킹 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050078817A KR100636487B1 (ko) 2000-07-20 2005-08-26 기판 지지 장치 및 기판 디처킹 방법

Country Status (5)

Country Link
US (3) US6676761B2 (ko)
EP (1) EP1174910A3 (ko)
JP (1) JP4703050B2 (ko)
KR (2) KR20020008780A (ko)
SG (1) SG90780A1 (ko)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1174910A3 (en) * 2000-07-20 2010-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
JP2002064132A (ja) * 2000-08-22 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd 被処理体の受け渡し方法、被処理体の載置機構及びプローブ装置
US6898064B1 (en) * 2001-08-29 2005-05-24 Lsi Logic Corporation System and method for optimizing the electrostatic removal of a workpiece from a chuck
JP4244555B2 (ja) * 2002-02-25 2009-03-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の支持機構
WO2004025710A2 (en) * 2002-09-10 2004-03-25 Axcelis Technologies, Inc. Method of heating a substrate in a variable temperature process using a fixed temperature chuck
TWI220786B (en) * 2002-09-11 2004-09-01 Au Optronics Corp Supporting structure
US20040096636A1 (en) * 2002-11-18 2004-05-20 Applied Materials, Inc. Lifting glass substrate without center lift pins
KR20040048018A (ko) * 2002-12-02 2004-06-07 주식회사 에이디피엔지니어링 Ｆｐｄ 제조장치
EP1475667A1 (en) 2003-05-09 2004-11-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1475670B1 (en) * 2003-05-09 2008-10-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7083702B2 (en) * 2003-06-12 2006-08-01 Applied Materials, Inc. RF current return path for a large area substrate plasma reactor
EP1491953A1 (en) * 2003-06-23 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7107125B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring the position of a semiconductor processing robot
KR100484017B1 (ko) * 2003-11-11 2005-04-20 주식회사 에이디피엔지니어링 이중 버퍼 및 어라이너가 구비된 로드락 챔버
US7055229B2 (en) * 2003-12-31 2006-06-06 Intel Corporation Support system for semiconductor wafers and methods thereof
US20060005770A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Robin Tiner Independently moving substrate supports
US7434712B2 (en) * 2004-07-09 2008-10-14 Blackhawk Industries Product Group Unlimited Llc Hooded holster
US7081042B2 (en) * 2004-07-22 2006-07-25 Applied Materials Substrate removal from polishing tool
US20060156987A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Chien-Hsing Lai Lift pin mechanism and substrate carrying device of a process chamber
US7789963B2 (en) * 2005-02-25 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Chuck pedestal shield
JP4628964B2 (ja) * 2005-04-26 2011-02-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100916130B1 (ko) * 2005-12-28 2009-09-08 주식회사 에이디피엔지니어링 평판표시소자 제조장치의 리프트 핀 모듈
JP4906375B2 (ja) * 2006-03-20 2012-03-28 東京応化工業株式会社 基板支持部材
TWI293910B (en) * 2006-06-20 2008-03-01 Cando Corp Fixing board and polishing device using the same
JP4795899B2 (ja) * 2006-08-31 2011-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板載置機構および基板受け渡し方法
US7758028B1 (en) * 2006-09-25 2010-07-20 Farlow Douglas T Apparatus for assembling printed circuit boards
US8004293B2 (en) 2006-11-20 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Plasma processing chamber with ground member integrity indicator and method for using the same
JP4693805B2 (ja) * 2007-03-16 2011-06-01 株式会社東芝 半導体装置の製造装置及び製造方法
TWI349720B (en) * 2007-05-30 2011-10-01 Ind Tech Res Inst A power-delivery mechanism and apparatus of plasma-enhanced chemical vapor deposition using the same
US7824146B2 (en) * 2007-09-07 2010-11-02 Advanced Technology Development Facility Automated systems and methods for adapting semiconductor fabrication tools to process wafers of different diameters
JP5347294B2 (ja) * 2007-09-12 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
FR2930561B1 (fr) * 2008-04-28 2011-01-14 Altatech Semiconductor Dispositif et procede de traitement chimique en phase vapeur.
US8505178B2 (en) * 2008-05-30 2013-08-13 Production Solutions, Inc. Adjustable support tooling apparatus
TW201005825A (en) * 2008-05-30 2010-02-01 Panasonic Corp Plasma processing apparatus and method
JP5261085B2 (ja) * 2008-09-05 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 基板載置機構、基板処理装置、基板載置機構の制御方法及び記憶媒体
US20100089319A1 (en) * 2008-10-09 2010-04-15 Applied Materials, Inc. Rf return path for large plasma processing chamber
US20100184290A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Applied Materials, Inc. Substrate support with gas introduction openings
US8313612B2 (en) 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
CN101872733B (zh) * 2009-04-24 2012-06-27 中微半导体设备(上海)有限公司 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
WO2011017226A2 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Applied Materials, Inc. Compound lift pin tip with temperature compensated attachment feature
CN102859031B (zh) * 2010-04-28 2014-08-20 株式会社爱发科 真空处理装置、基板和对位掩模的移动方法以及对位方法及成膜方法
CN101812676B (zh) * 2010-05-05 2012-07-25 江苏综艺光伏有限公司 用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室
US9435626B2 (en) * 2011-08-12 2016-09-06 Corning Incorporated Kinematic fixture for transparent part metrology
US8777685B2 (en) * 2011-08-15 2014-07-15 Shenzhen China Optoelectronics Technology Co., Ltd. Apparatus and method for assembling backlight module
US8900364B2 (en) * 2011-11-29 2014-12-02 Intermolecular, Inc. High productivity vapor processing system
DE102012215513A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-06 J. Schmalz Gmbh Greifvorrichtung
CN205129876U (zh) * 2012-10-12 2016-04-06 Sri国际公司 电粘附性抓持系统
US9859145B2 (en) * 2013-07-17 2018-01-02 Lam Research Corporation Cooled pin lifter paddle for semiconductor substrate processing apparatus
JP6320812B2 (ja) * 2014-03-19 2018-05-09 株式会社東芝 圧力センサの製造方法、成膜装置及び熱処理装置
US10892180B2 (en) * 2014-06-02 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Lift pin assembly
JP6240042B2 (ja) * 2014-08-05 2017-11-29 東芝メモリ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US10192770B2 (en) 2014-10-03 2019-01-29 Applied Materials, Inc. Spring-loaded pins for susceptor assembly and processing methods using same
US10269557B2 (en) 2015-10-20 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus of processing semiconductor substrate
CN105845609B (zh) 2016-05-27 2019-08-20 京东方科技集团股份有限公司 支撑设备及支撑方法
JP7030416B2 (ja) * 2017-03-16 2022-03-07 キヤノン株式会社 基板保持装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法
KR102339350B1 (ko) * 2017-04-03 2021-12-16 주식회사 미코세라믹스 세라믹 히터
CN109068467A (zh) * 2018-09-18 2018-12-21 张家港康得新光电材料有限公司 一种除静电装置及除静电方法
CN111261573B (zh) * 2020-01-20 2024-02-27 京东方科技集团股份有限公司 支撑架、真空干燥装置、干燥系统、基板干燥方法
JP2021180298A (ja) * 2020-05-15 2021-11-18 東京エレクトロン株式会社 接合装置および接合方法
US20220106683A1 (en) * 2020-10-01 2022-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods to transfer substrates into and out of a spatial multi-substrate processing tool
CN112605787B (zh) * 2020-12-14 2022-02-15 凯盛科技股份有限公司蚌埠华益分公司 用于k9玻璃加工超薄玻璃的抛光盘及抛光设备
USD980884S1 (en) 2021-03-02 2023-03-14 Applied Materials, Inc. Lift pin
CN113199645A (zh) * 2021-05-25 2021-08-03 关鸿 一种辅助钻孔器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5310453A (en) * 1992-02-13 1994-05-10 Tokyo Electron Yamanashi Limited Plasma process method using an electrostatic chuck
KR940020497A (ko) * 1993-02-16 1994-09-16 이노우에 아키라 플라즈마 처리장치(plasma processing apparatus)
JPH07263531A (ja) * 1994-02-03 1995-10-13 Anelva Corp 静電吸着された被処理基板の離脱機構を持つプラズマ処理装置および静電吸着された被処理基板の離脱方法
JPH09237748A (ja) * 1996-02-29 1997-09-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薄膜形成装置および薄膜形成方法
KR20020036299A (ko) * 2000-11-09 2002-05-16 윤종용 정전척을 구비한 웨이퍼 지지대 및 이를 이용한 디척킹 방법

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3817402A (en) * 1970-10-08 1974-06-18 California Injection Molding C Molding articles containing inserts
US5374147A (en) * 1982-07-29 1994-12-20 Tokyo Electron Limited Transfer device for transferring a substrate
US4556362A (en) * 1983-12-21 1985-12-03 At&T Technologies, Inc. Methods of and apparatus for handling semiconductor devices
JPS60169148A (ja) * 1984-02-13 1985-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の搬送方法及びその装置
US4776745A (en) * 1987-01-27 1988-10-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Substrate handling system
JP2508540B2 (ja) 1987-11-02 1996-06-19 三菱マテリアル株式会社 ウェ―ハの位置検出装置
KR0155545B1 (ko) * 1988-06-27 1998-12-01 고다까 토시오 기판의 열처리 장치
US4994650A (en) * 1989-12-01 1991-02-19 Ppg Industries, Inc. Electric field detector for a heatable windshield
AU634838B2 (en) * 1989-12-08 1993-03-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Pickup method and the pickup apparatus for chip-type part
US5197089A (en) * 1990-05-21 1993-03-23 Hampshire Instruments, Inc. Pin chuck for lithography system
JP3238432B2 (ja) * 1991-08-27 2001-12-17 東芝機械株式会社 マルチチャンバ型枚葉処理装置
US5345639A (en) * 1992-05-28 1994-09-13 Tokyo Electron Limited Device and method for scrubbing and cleaning substrate
JP2662365B2 (ja) 1993-01-28 1997-10-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良された排出システムを有する単一基板式の真空処理装置
US5352294A (en) * 1993-01-28 1994-10-04 White John M Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support
US5421893A (en) * 1993-02-26 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Susceptor drive and wafer displacement mechanism
US5380566A (en) * 1993-06-21 1995-01-10 Applied Materials, Inc. Method of limiting sticking of body to susceptor in a deposition treatment
JPH0799162A (ja) * 1993-06-21 1995-04-11 Hitachi Ltd Ｃｖｄリアクタ装置
GB2285759B (en) * 1994-01-05 1998-01-07 Murata Manufacturing Co Apparatus for pushing chip components into holding plate
US5518593A (en) 1994-04-29 1996-05-21 Applied Komatsu Technology, Inc. Shield configuration for vacuum chamber
JP3052116B2 (ja) * 1994-10-26 2000-06-12 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5558717A (en) * 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
JP3151118B2 (ja) * 1995-03-01 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3350278B2 (ja) * 1995-03-06 2002-11-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6193506B1 (en) * 1995-05-24 2001-02-27 Brooks Automation, Inc. Apparatus and method for batch thermal conditioning of substrates
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
US5605574A (en) * 1995-09-20 1997-02-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor wafer support apparatus and method
JP3477953B2 (ja) * 1995-10-18 2003-12-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3005461B2 (ja) * 1995-11-24 2000-01-31 日本電気株式会社 静電チャック
EP0935281A1 (en) * 1995-11-28 1999-08-11 Tokyo Electron Limited Method and device for treating semiconductor with treating gas while substrate is heated
US5850071A (en) * 1996-02-16 1998-12-15 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate heating equipment for use in a semiconductor fabricating apparatus
JP3163973B2 (ja) * 1996-03-26 2001-05-08 日本電気株式会社 半導体ウエハ・チャック装置及び半導体ウエハの剥離方法
JPH09266241A (ja) * 1996-03-29 1997-10-07 Nikon Corp 基板支持装置
US5879128A (en) * 1996-07-24 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Lift pin and support pin apparatus for a processing chamber
US5788778A (en) 1996-09-16 1998-08-04 Applied Komatsu Technology, Inc. Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source
US5788776A (en) * 1996-12-02 1998-08-04 Chorus Corporation Molecular beam epitaxy isolation tube system
US5983906A (en) 1997-01-24 1999-11-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for a cleaning process in a high temperature, corrosive, plasma environment
US5955858A (en) * 1997-02-14 1999-09-21 Applied Materials, Inc. Mechanically clamping robot wrist
KR100284567B1 (ko) * 1997-04-15 2001-04-02 후지이 아키히로 수직 웨이퍼 보트
US6177023B1 (en) * 1997-07-11 2001-01-23 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for electrostatically maintaining substrate flatness
US6002840A (en) 1997-09-30 1999-12-14 Brooks Automation Inc. Substrate transport apparatus
US5964391A (en) * 1997-10-24 1999-10-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Wrap detection device
US6257827B1 (en) * 1997-12-01 2001-07-10 Brooks Automation Inc. Apparatus and method for transporting substrates
US6077026A (en) * 1998-03-30 2000-06-20 Progressive System Technologies, Inc. Programmable substrate support for a substrate positioning system
US6596086B1 (en) * 1998-04-28 2003-07-22 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Apparatus for thin film growth
US6213704B1 (en) * 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for substrate transfer and processing
US6146504A (en) * 1998-05-21 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate support and lift apparatus and method
US6109677A (en) 1998-05-28 2000-08-29 Sez North America, Inc. Apparatus for handling and transporting plate like substrates
US6168668B1 (en) * 1998-11-25 2001-01-02 Applied Materials, Inc. Shadow ring and guide for supporting the shadow ring in a chamber
US6183189B1 (en) * 1998-11-27 2001-02-06 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Self aligning wafer chuck design for wafer processing tools
US6256555B1 (en) * 1998-12-02 2001-07-03 Newport Corporation Robot arm with specimen edge gripping end effector
US6305677B1 (en) * 1999-03-30 2001-10-23 Lam Research Corporation Perimeter wafer lifting
JP3874960B2 (ja) 1999-04-02 2007-01-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6187134B1 (en) * 1999-07-09 2001-02-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Reusable wafer support for semiconductor processing
US6432255B1 (en) * 2000-01-31 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing chamber cleaning
EP1174910A3 (en) * 2000-07-20 2010-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
JP2002064132A (ja) * 2000-08-22 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd 被処理体の受け渡し方法、被処理体の載置機構及びプローブ装置
US6887317B2 (en) * 2002-09-10 2005-05-03 Applied Materials, Inc. Reduced friction lift pin
US20040096636A1 (en) * 2002-11-18 2004-05-20 Applied Materials, Inc. Lifting glass substrate without center lift pins
US7083702B2 (en) * 2003-06-12 2006-08-01 Applied Materials, Inc. RF current return path for a large area substrate plasma reactor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5310453A (en) * 1992-02-13 1994-05-10 Tokyo Electron Yamanashi Limited Plasma process method using an electrostatic chuck
KR940020497A (ko) * 1993-02-16 1994-09-16 이노우에 아키라 플라즈마 처리장치(plasma processing apparatus)
JPH07263531A (ja) * 1994-02-03 1995-10-13 Anelva Corp 静電吸着された被処理基板の離脱機構を持つプラズマ処理装置および静電吸着された被処理基板の離脱方法
JPH09237748A (ja) * 1996-02-29 1997-09-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薄膜形成装置および薄膜形成方法
KR20020036299A (ko) * 2000-11-09 2002-05-16 윤종용 정전척을 구비한 웨이퍼 지지대 및 이를 이용한 디척킹 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050091673A (ko) 2005-09-15
US20040089239A1 (en) 2004-05-13
KR100636487B1 (ko) 2006-10-18
JP2002151581A (ja) 2002-05-24
US7160392B2 (en) 2007-01-09
SG90780A1 (en) 2002-08-20
US20030079691A1 (en) 2003-05-01
JP4703050B2 (ja) 2011-06-15
US20070062454A1 (en) 2007-03-22
EP1174910A2 (en) 2002-01-23
EP1174910A3 (en) 2010-01-06
US6676761B2 (en) 2004-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100636487B1 (ko) 기판 지지 장치 및 기판 디처킹 방법
KR101247712B1 (ko) 기판을 디처킹하기 위한 방법 및 장치
US8409995B2 (en) Substrate processing apparatus, positioning method and focus ring installation method
US7922440B2 (en) Apparatus and method for centering a substrate in a process chamber
TWI313574B (en) Rf current return path for a large area substrate plasma reactor
US8197636B2 (en) Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching
US6780251B2 (en) Substrate processing apparatus and method for fabricating semiconductor device
US6225233B1 (en) Semiconductor device manufacturing machine and method for manufacturing a semiconductor device by using THE same manufacturing machine
KR100532354B1 (ko) 식각 영역 조절 장치 및 웨이퍼 에지 식각 장치 그리고웨이퍼 에지 식각 방법
KR100445392B1 (ko) 기판 지지 프레임
US20010027970A1 (en) Single-substrate-heat-processing apparatus for semiconductor process
JP2006121054A (ja) Ｐｅｃｖｄサセプタ支持構造体
KR20040096785A (ko) 양극처리된 기판 지지부
JPWO2011136075A1 (ja) 真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法
JPWO2007018139A1 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
US20050255244A1 (en) Lifting glass substrate without center lift pins
JP2004288704A (ja) プラズマ処理装置
WO2005076343A1 (ja) 半導体処理用の基板保持具及び処理装置
US6860711B2 (en) Semiconductor-manufacturing device having buffer mechanism and method for buffering semiconductor wafers
CN113644021B (zh) 基板载置方法和基板载置机构
KR101256485B1 (ko) 기판처리장치의 공정챔버
TW498482B (en) Method and apparatus for dechucking a substrate
CN116581083A (zh) 基板支承方法和基板处理装置
JP2000036399A (ja) 大型マスク形成用の磁気中性線放電プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
E801 Decision on dismissal of amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
WITB Written withdrawal of application
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20050727

Effective date: 20060714