CN101812676B - 用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室，包括腔壁、气体注射器、承受器以及支撑架，气体注射器设置在腔壁的上端，承受器设置在气体注射器的下端，其特征在于：还包括一支撑栓底板，该支撑栓底板设置在承受器的下端，在所述的支撑栓底板上设置有至少三个支撑栓，该至少三个支撑栓用于支撑一平面构件，在所述的承受器上设置有支撑栓孔，所述的承受器套在所述的支撑栓上。本发明在工艺腔室内增加了支撑架，并采用支撑架上的支撑栓对加热的玻璃进行支撑，支撑栓采用点接触，且比较分散，同时，支撑点也不局限于边缘，因而玻璃放在支撑栓上后，热传递慢且传递量小，玻璃表面温差小，因此，镀膜时，玻璃的镀层较为均匀，色差小。
Description
技术领域：
本发明属于非晶硅薄膜太阳能电池行业领域，具体涉及一种用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室。
背景技术：
非晶硅薄膜太阳能电池主要由前电极(Front ZnO)、PIN结和背电极(Back ZnO)薄膜层构成，镀膜工艺是首先将玻璃放在加热室内加热，然后通过机械手将加热好的玻璃放置到工艺腔室内镀膜。现有的工艺腔室包括腔壁、气体注射器、负载架以及承受器，其中气体注射器固定在腔壁的顶上，负载架固定在腔壁的侧面上用于放置玻璃，承受器执行向上移动命令，一方面支撑玻璃同时也给玻璃加热，工艺气体注射器开始喷射。当加热的玻璃从加热室移到工艺腔室时，玻璃的边缘直接与负载架接触，因而，玻璃的边缘会因快速的热传导而导致温度降低，使整个玻璃的温度存在温差，导致在镀膜时，玻璃的镀层不均匀，色差严重。
发明内容：
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，而提供一种镀层效果好，色差降低的用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室，包括腔壁、气体注射器、承受器以及支撑架，所述的气体注射器设置在腔壁的上端，所述的承受器设置在气体注射器的下端，其特征在于：还包括一支撑栓底板，该支撑栓底板设置在承受器的下端，在所述的支撑栓底板上设置有至少三个支撑栓，该至少三个支撑栓用于支撑一平面构件，在所述的承受器上设置有支撑栓孔，所述的承受器套在所述的支撑栓上。
所数的支撑栓为四个且成矩形布置。
所述的支撑栓为五个，包括成矩形布置的四个和居于矩形中间的一个。
所述的支撑栓为六个，包括成矩形布置的四个和居于矩形中间的两个。
在所述的承受器外侧的腔壁上设置有缓冲层。
所述的承受器包括表面层、热量分配层、电阻丝加热层和底部背板层，所述的表面层与热量分配层可拆分连接。
所述的表面层下端面设置凸台，在所述的热量分配层上端面设置凹槽，所说的表面层嵌合在所述的热量分配层内。
所述的承受器还包括陶瓷护套，该陶瓷护套可拆分连接在承受器的外周，且其上端高于承受器表面层上端面。
所述的陶瓷护套与承受器嵌合。
所述的表面层为石墨层。
与现有技术相比，本发明具有如下优点：
1、本发明在工艺腔室内增加了支撑架，并采用支撑架上的支撑栓对加热的玻璃进行支撑，支撑栓采用点接触，且比较分散，同时，支撑点也不局限于边缘，因而玻璃放在支撑栓上后，热传递慢且传递量小，玻璃表面温差小，因此，镀膜时，玻璃的镀层较为均匀，色差小。
2、本发明工艺腔室的承受器采用四层结构，且表面层也是可以在维护过程中更换的装置，采用石墨材质进行良好的热传递，且承受器表面层设计要比玻璃大，使玻璃放置在承受器表面层上前后端和左右端各有0.5毫米的玻璃放置误差距离，这样设计能够使玻璃的边缘在加热和工艺的过程中受热更加均匀，能有效地控制玻璃边缘温度扩散，对改善色差有很好的作用。
3、本发明在承受器边缘设置陶瓷护套，陶瓷护套设计成陶瓷材质的更换装置，采用凹凸设计原理，将陶瓷材质的更换装置卡套在承受器的边缘；在维护过程中拆卸和移除更换的时间大幅减少，能够充分提高工作效率。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2是本发明承受器的结构示意图。
图3是承受器表面俯视图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明作详细说明：
如图1所示，一种用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室，包括腔壁10、气体注射器1支撑栓底板9、气体缓冲层6以及承受器4，其中气体注射器1设置在腔壁10的上端，承受器4设置在气体注射器1的下端，支撑架8设置在承受器4的下端，承受器4以支撑架8为导向，可上下移动，在承受器4的下端还设置有一支撑栓底板9，在支撑栓底板9上设置有至少三个支撑栓7，根据需要布置，可以三个、四个、五个甚至更多。该至少三个支撑栓7用于支撑一平面构件；如图2所示，在承受器4上设置有支撑栓孔45，承受器套3在支撑栓上；承受器4包括表面层41、热量分配层42、电阻丝加热层43、承受器还包括陶瓷护套44和底部背板护套层45，其中表面层41与热量分配层42采用凹凸的可拆分连接设计，表面层采用石墨材质，即在表面层下端面设置凸台41，在热量分配层上端面设置凹槽42，承受器还包括陶瓷护套44，该陶瓷护套44可拆分连接在承受器43的周围，且其上端高于承受器表面层上端面41，承受器下端为背面可拆分护套45；如图3所示，在本实施例中，承受器表面3，支撑栓孔为6个31，支撑栓也为六个，包括成矩形布置的四个和居于矩形中间的两个。
Claims (10)
1.一种用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室，包括腔壁、气体注射器、承受器以及支撑架，所述的气体注射器设置在腔壁的上端，所述的承受器设置在气体注射器的下端，其特征在于：还包括一支撑栓底板，该支撑栓底板设置在承受器的下端，所述的支撑架设置在该支撑栓底板上，所述的承受器以支撑架为导向上下移动，在所述的支撑栓底板上还设置有至少三个支撑栓，该至少三个支撑栓用于支撑一平面构件，在所述的承受器上设置有支撑栓孔，所述的承受器套在所述的支撑栓上。
2.根据权利要求1所述的用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室，其特征在于：所述的支撑栓为四个且成矩形布置。
3.根据权利要求1所述的用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室，其特征在于：所述的支撑栓为五个，包括成矩形布置的四个和居于矩形中间的一个。
4.根据权利要求1所述的用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室，其特征在于：所述的支撑栓为六个，包括成矩形布置的四个和居于矩形中间的两个。
5.根据权利要求1所述的用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室，其特征在于：在所述的承受器外侧的腔壁上设置有气体缓冲层。
6.根据权利要求5所述的用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室，其特征在于：所述的承受器包括表面层、热量分配层、电阻丝加热层和底部背板层，所述的表面层与热量分配层可拆分连接。
7.根据权利要求6所述的用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室，其特征在于：所述的表面层下端面设置凸台，在所述的热量分配层上端面设置凹槽，所说的表面层嵌合在所述的热量分配层内。
8.根据权利要求6所述的用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室，其特征在于：所述的承受器还包括陶瓷护套，该陶瓷护套可拆分连接在承受器的外周，且其上端高于承受器表面层上端面。
9.根据权利要求8所述的用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室，其特征在于：所述的陶瓷护套与承受器嵌合。
10.根据权利要求6所述的用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室，其特征在于：所述的表面层为石墨层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101632975A CN101812676B (zh) | 2010-05-05 | 2010-05-05 | 用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101632975A CN101812676B (zh) | 2010-05-05 | 2010-05-05 | 用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101812676A CN101812676A (zh) | 2010-08-25 |
| CN101812676B true CN101812676B (zh) | 2012-07-25 |
Family
ID=42620040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010101632975A Expired - Fee Related CN101812676B (zh) | 2010-05-05 | 2010-05-05 | 用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101812676B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102487101A (zh) * | 2010-12-02 | 2012-06-06 | 理想能源设备有限公司 | 预处理装置及其预处理方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1174910A3 (en) * | 2000-07-20 | 2010-01-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for dechucking a substrate |
| JP4583591B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2010-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
| JP2003253449A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体／液晶製造装置 |
| DE10211312A1 (de) * | 2002-03-14 | 2003-10-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur epitaktischen Beschichtung einer Halbleiterscheibe sowie epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe |
| JP4179041B2 (ja) * | 2003-04-30 | 2008-11-12 | 株式会社島津製作所 | 有機ｅｌ用保護膜の成膜装置、製造方法および有機ｅｌ素子 |
| JP4687534B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の載置機構及び基板処理装置 |
| CN201704402U (zh) * | 2010-05-05 | 2011-01-12 | 江苏综艺光伏有限公司 | 用于半导体太阳能镀膜的工艺腔室 |
-
2010
- 2010-05-05 CN CN2010101632975A patent/CN101812676B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101812676A (zh) | 2010-08-25 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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