CN212517147U - Pecvd设备无载板硅片传送机构及与该传送机构配合的工艺腔室 - Google Patents

Abstract

PECVD设备无载板硅片传送机构及与该传送机构配合的工艺腔室涉及太阳能电池设备技术领域，尤其涉及用于制造异质结太阳能电池的PECVD设备无载板硅片传送机构及与该传送机构配合的工艺腔室。本实用新型提供一种不需要使用载板，成本低廉，提高产能的PECVD设备无载板的硅片传送机构及与该传送机构配合的工艺腔室。本实用新型的无载板硅片传送机构，包括取片装置，其特征在于：取片装置底部设置有抓手。

Description

PECVD设备无载板硅片传送机构及与该传送机构配合的工艺 腔室

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池设备技术领域，尤其涉及用于制造异质结太阳能电池的PECVD设备无载板硅片传送机构及与该传送机构配合的工艺腔室。

背景技术

现在的PECVD设备，普遍使用载板，将硅片放置在载板上，腔室间传送载板来实现硅片的传送，但是载板存在着很多限制和问题。

载板需要高频率的定期清洗和维护，严重影响设备的产能和利用率。加热载板需要长的加热时间和能量，影响生产节奏。载板的材料要求高，制造成本和维护成本高。载板会造成腔室间的交叉污染，影响薄膜质量和电池的转换效率。

发明内容

本实用新型就是针对上述问题，提供一种不需要使用载板，成本低廉，提高产能的PECVD设备无载板的硅片传送机构及与该传送机构配合的工艺腔室。

为了实现本实用新型的上述目的，本实用新型采用如下技术方案，本实用新型的无载板硅片传送机构，包括取片装置，其特征在于：取片装置底部设置有抓手。

作为本实用新型的一种优选方案，所述抓手设置为钩形抓手、真空吸盘或静电吸盘，所述取片装置底部排布设置有多组抓手。

作为本实用新型的另一种优选方案，所述取片装置上通过支撑杆设置有支撑轮。

本实用新型与上述无载板硅片传送机构配合的工艺腔室，其特征在于：包括工艺腔室内的下电极底座，下电极底座上设置有衬底支架，所述取片装置的抓手相应于衬底支架的边缘设置；工艺腔室两侧为取片装置的进出口，进出口处设置有真空阀门。

本实用新型的有益效果：本实用新型通过取片装置配合抓手整体移动来传送硅片；取片装置将基片放置到衬底支架上，使基片和抓手分离；取片装置移出工艺腔室，由于取片装置无需在工艺腔室内使用，因此，无需对取片装置进行清洗，与现有的载板相比，制造成本低，大幅度提高产能。

本实用新型的取片装置不经过工艺过程，能避免对工艺造成影响，因此，本实用新型的取片装置可使用不锈钢、铝等剪影材质，可以设计成更大尺寸，工艺腔室也不再受载板大小影响。

本实用新型的取片装置下方可设置多组抓手，从而一次行可对多个基片进行抓取，甚至是整个腔室内所有基片进行抓取，大幅度提高基片运送效率。

本实用新型的硅片在抓手上或者从抓手上离开时，只有上下移动，没有水平位移，没有摩擦存在，保证硅片不受损伤。

本实用新型取片装置上设置支撑轮，可以防止整个取片装置的变形，另外可以起到导向及定位的作用。

附图说明

图1是本实用新型传输机构的结构示意图。

图2是本实用新型工艺腔室的结构示意图。

图3是传输机构和工艺腔室配合的结构示意图。

附图中203为承载支架、204为真空阀门、206为进出口、207为钩形抓手、208为支撑轮、209为支撑杆、400为基片、401为衬底支架、402为上电极、403为下电极底座、404为工艺腔室、405为升降系统。

具体实施方式

本实用新型的无载板硅片传送机构，包括取片装置，其特征在于：取片装置底部设置有抓手。

作为本实用新型的一种优选方案，所述抓手设置为钩形抓手207、真空吸盘或静电吸盘，所述取片装置底部排布设置有多组抓手。

作为本实用新型的另一种优选方案，所述取片装置上通过支撑杆209设置有支撑轮208。

本实用新型与上述无载板硅片传送机构配合的工艺腔室404，其特征在于：包括工艺腔室404内的下电极底座403，下电极底座403上设置有衬底支架401，所述取片装置的抓手相应于衬底支架401的边缘设置；工艺腔室404两侧为取片装置的进出口206，进出口206处设置有真空阀门204。

所述工艺腔室404内设置有与下电极底座403对应的上电极402，下电极底座403下方设置有升降系统405。

所述下电极底座403上设置有与衬底支架401配合的嵌入槽，所述衬底支架401固定不动；升降系统405控制下电极底座403升高后，使衬底支架401上表面和下电极底座403上表面形成一个平面。

本实用新型的取片装置规格包含但不限于一次抓取数量从1×1到20×20片数，所抓硅片尺寸156×156mm到210×210mm。

本实用新型使用时，自动或者人工将基片400依次放置在取片装置的抓手上，待所有抓手放满基片400，传送动力装置（未图示）带动取片装置，移动到工艺腔室404内。

工艺腔室404内的衬底支架401来承载基片400，在基片400离开抓手后，取片装置从工艺腔室404中离开，回到上料位置，等待下次装片。

工艺腔室404内下电极底座403升起，并与衬底支架401贴合，形成下电极平面，基片400与下电极平面贴合，通过接触传热来加热基片400，待基片400温度升高并稳定，进行工艺反应。

工艺反应完成后，下一个腔室的取片装置传送进来，抓取底座上的基片400然后传送到下一个腔室。

可以理解的是，以上关于本实用新型的具体描述，仅用于说明本实用新型而并非受限于本实用新型实施例所描述的技术方案，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本实用新型进行修改或等同替换，以达到相同的技术效果；只要满足使用需要，都在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.PECVD设备无载板硅片传送机构，包括取片装置，其特征在于：取片装置底部设置有抓手。

2.根据权利要求1所述的PECVD设备无载板硅片传送机构，其特征在于：所述抓手设置为钩形抓手（207）、真空吸盘或静电吸盘，所述取片装置底部排布设置有多组抓手。

3.根据权利要求2所述的PECVD设备无载板硅片传送机构，其特征在于：所述取片装置上通过支撑杆（209）设置有支撑轮（208）。

4.一种与权利要求1～3所述任一一种无载板硅片传送机构配合的工艺腔室，其特征在于：包括工艺腔室（404）内的下电极底座（403），下电极底座（403）上设置有衬底支架（401），所述取片装置的抓手相应于衬底支架（401）的边缘设置；工艺腔室（404）两侧为取片装置的进出口（206），进出口（206）处设置有真空阀门（204）。

5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于：所述工艺腔室（404）内设置有与下电极底座（403）对应的上电极（402），下电极底座（403）下方设置有升降系统（405）。

6.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于：所述下电极底座（403）上设置有与衬底支架（401）配合的嵌入槽，所述衬底支架（401）固定不动；升降系统（405）控制下电极底座（403）升高后，使衬底支架（401）上表面和下电极底座（403）上表面形成一个平面。

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