CN102487101A - 预处理装置及其预处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种预处理装置及其预处理方法，所述预处理装置包括：处理腔，设置于所述处理腔内用于承载待加热工件的基座；与所述待加热工件相对设置并位于所述待加热工件上方的第一加热单元；设置于基座周围的补偿加热单元，用于补偿加热所述待加热工件的边缘区域。本发明中设置于基座周围的补偿加热单元，具有高度的指向性，可以用于补偿加热待加热工件的边缘区域，从而改善待加热工件表面各处的加热均匀性。

Description

预处理装置及其预处理方法

技术领域

本发明涉及一种预处理装置及其预处理方法，特别涉及一种用于对大面积玻璃基板进行预处理的预处理装置及其预处理方法。

背景技术

在诸多的太阳能电池应用技术中，薄膜太阳能电池因无污染，能耗少，成本低廉，可以大规模生产等一系列优点，被广泛应用于航空、航天以及人们的日常生活中。常见的薄膜太阳能电池包括：非晶硅薄膜太阳电池，铜铟镓硒薄膜电池和碲化镉薄膜电池。在公开号为101027749和101226967的中国发明专利文件中，可以发现更多上述的太阳能薄膜电池的形成方法。

以非晶硅薄膜太阳电池形成方法为例，考虑到面积足够大且成本低廉，通常非晶硅薄膜太阳电池的基板选用玻璃材质。在大面积玻璃基板上沉积形成非晶硅薄膜，需要的反应温度为200℃左右。玻璃基板的耐热性能有限，如果直接将常温的玻璃基板送入反应腔进行高温沉积工艺，很容易因为短时间内升温过快而造成玻璃基板的碎裂，并影响沉积的效果。因此在玻璃基板成膜之前，对玻璃基板进行预热，是提高生产效率的一种行之有效的方法。

现有的玻璃基板加热装置，通常采用红外加热技术。在对大面积玻璃基板进行加热时，由于面积较大，表面各处的辐射加热效果不尽相同。通常玻璃基板的中心区域更容易受到周围红外线的热辐射，因此温度总是高于周围的温度，并且加热越迅速，上述温度差也越大。当玻璃基板不同位置的温度差达到70℃左右时，将出现碎裂的情况。而如果为了获得较好的加热均匀性，势必需要减慢加热的速度，将影响生产的效率。另一方面，红外线照射于透明的玻璃基板上时，很容易直接透射，辐射加热的效果也难以令人满意。综上问题，如何能够快速均匀地加热玻璃基板成为预热技术的亟待解决的重点。

发明内容

本发明的目的是提供一种预处理装置及其预处理方法，以满足大面积玻璃基板的快速均匀的加热需求。

本发明所述的预处理装置，包括：处理腔，设置于所述处理腔内用于承载待加热工件的基座；与所述待加热工件相对设置并位于所述待加热工件上方的第一加热单元；设置于基座周围的补偿加热单元，用于补偿加热所述待加热工件的边缘区域。

可选的，所述第一加热单元采用红外线加热，包括管状、片状、球状、椭圆状、柱状或者点状的红外加热灯。

可选的，所述补偿加热单元采用红外线加热，包括管状、片状、球状、椭圆状、柱状或者点状的红外加热灯。进一步的，所述补偿加热单元还包括反射镜，所述反射镜用于将所述红外加热灯产生的红外线反射至待加热工件的边缘区域。

可选的，所述补偿加热单元与待加热工件的距离比所述第一加热单元与待加热工件的距离近。

可选的，所述基座为碳或碳化硅基座。所述基座内设置有加热器。所述加热器为电阻丝、石英加热管或陶瓷加热片。所述基座表面具有凹槽或突起的支撑结构，使得基座与其承载的待加热工件之间形成间隙。

可选的，所述第一红外加热单元包括若干间隔排列的红外加热管。可选的，所述各红外加热管之间的间距相等，且两端平齐；或者所述各红外加热管之间的间距相等，所述间隔排列为交错排列。可选的，所述第一红外加热单元具有中心区域以及边缘区域，所述中心区域的红外加热管之间的间距比所述边缘区域的红外加热管之间的间距大。可选的，所述中心区域的红外加热管与待加热工件的距离比所述边缘区域的红外加热管与待加热工件的距离大。

可选的，所述第一加热单元包括阵列排布的点状红外加热灯。可选的，所述阵列排布的点状红外加热灯中，点距保持一致。可选的，所述第一加热单元具有中心区域以及边缘区域，所述阵列排布的点状红外加热灯中，中心区域的点距大于边缘区域的点距。

所述处理腔内设置有温度感应计，用于测量所述基座以及待加热工件的温度。还包括位于处理腔底部与所述处理腔连接的进气通道以及排气通道，所述进气通道用于向处理腔通入热传递气体或清洁气体，所述排气通道用于对处理腔进行排气。可选的，所述热传递气体包括氢气、氮气、氦气或其他任一惰性气体。所述清洁气体包括氢气。

本发明所述的预处理方法，包括：将待加热玻璃基板承载于基座；在真空环境下，使用所述第一加热单元以及补偿加热单元，对待加热工件的中心区域以及边缘区域进行均匀加热。所述使用补偿加热单元加热包括将热辐射反射至待加热工件的边缘区域。

所述预处理方法还包括：

设定第一温度以及第二温度，当待加热工件以及基座分别升温至第一温度以及第二温度后，停止加热；

向处理腔内通入热传递气体，使得所述待加热工件以及基座通过热传递达到目标温度。

可选的，所述基座为碳基座或碳化硅基座。所述待加热工件与基座之间具有间隙。所述通入的热传递气体包括氢气、氮气、氦气或其他任一惰性气体。

优选的，所述第一温度大于等于170℃小于等于180℃，所述第二温度大于等于220℃小于等于230℃，所述目标温度大于等于190℃小于等于210℃。

所述预处理方法还包括向处理腔通入具有还原性质的清洁气体，对加热后的工件进行清洁处理。所述清洁气体包括氢气。

与现有技术相比，本发明预处理装置及其预处理方法具有以下优点：

设置于基座周围的补偿加热单元，具有高度的指向性，且更接近于待加热工件，可以用于补偿加热待加热工件的边缘区域，改善待加热工件表面各处的加热均匀性。进一步的，所述补偿加热单元还采用反射镜反射红外加热灯产生的红外线，大大提高红外加热灯所产生的红外线的利用效率，能够增强补偿加热单元的加热效果。

采用碳或碳化硅基座，并利用热容较大的热传递气体在基座与玻璃基板之间形成对流，有利于提高热源的利用效率，将基座的热量迅速均匀地传递至玻璃基板，在获得良好均匀加热效果的同时，显著提高玻璃基板的加热效率。

所述基座内还可以设置有额外的加热器，通过热传递对玻璃基板加热，可以提升加热的速度，提高加热效率。

所述第一加热单元包括若干间隔排列的红外加热管，且各红外加热管之间间距相等，从而易于控制加热的效果。

所述第一加热单元还可以具有中心区域与边缘区域。所述中心区域的红外加热管之间的间距比所述边缘区域的红外加热管之间的间距大，从而加强边缘区域的红外加热管的加热效果；或者，所述中心区域的红外加热管与待加热工件的距离比所述边缘区域的红外加热管与待加热工件的距离大，从而增强待加热工件边缘区域的受热效果。

此外，在对待加热工件进行预热后，向处理腔内通入具有还原性质的清洁气体，能够利用高温环境下清洁气体与有机杂质产生的还原反应，对待加热工件进行清洁处理。

附图说明

图1是本发明所述预处理装置的示意图；

图2是本发明所述第一加热单元具体实施例的俯视示意图；

图2a是本发明所述第一加热单元另一实施例的俯视示意图；

图2b是本发明所述第一加热单元又一实施例的剖面示意图；

图3是本发明所述补偿加热单元具体实施例的示意图；

图4是本发明所述预处理方法的流程示意图；

图5至图8本发明实施例对玻璃基板进行预处理的各步骤示意图。

具体实施方式

现有的大面积玻璃基板在进行红外加热时，容易因为红外线照射的效果限制，存在表面各处加热不均匀的问题，影响了预热效率。本发明则采用具有高度指向性的补偿红外加热单元对玻璃基板边缘区域进行加热，提高玻璃基板边缘区域的加热效果，进而改善玻璃基板表面的加热均匀性。

如图1所示，本发明所述的预处理装置，其基本结构包括：处理腔100，设置于处理腔100内用于承载待加热工件的基座101；与所述待加热工件相对设置并位于所述待加热工件上方的的第一加热单元201；设置于基座101周围，用于补偿加热待加热工件边缘区域的补偿加热单元202。

在一个具体实施例中，所述基座101可以为碳基座或碳化硅基座，设置于处理腔100的底部。所述第一红外加热单元201位于处理腔100的顶部，与待加热工件相对设置，也即正对基座101的表面区域。所述基座101表面具有沟槽或者设置有突起的支撑结构，上述凹槽或上述突起的支撑结构能够使得基座与其承载的待加热工件之间具有间隙，以利于向处理腔100内通入热传递气体时，所述热传递气体在所述间隙内形成对流，加快热传递速度，提高对热源的利用效率，进一步增强对待加热工件的加热均匀性。此外，在所述基座101内还可以设置有额外的加热器，例如电阻丝、石英加热管、陶瓷加热片等，通过基座101的热传递对待加热工件进行加热，以提升加热的速度，提高加热效率。

在本发明的某些实施方式中，所述第一加热单元201采用红外线加热，包括管状、片状、球状、椭球状、柱状或者点状的红外加热灯。

为满足对板型待加热工件的均匀加热需求，所述第一加热单元201可以包括若干间隔排列的红外加热管。

具体的，所述各红外加热管之间间距相等，且两端平齐；或者所述各红外加热管之间的间距相等，所述间隔排列为交错排列，易于控制加热的效果。如图2所示，在一个具体实施例中，所述第一加热单元201包括若干间隔排列的纵向红外加热管201a，所述各纵向红外加热管201a之间间距相等且两端平齐，还包括位于所述纵向红外加热管201a的排列方向两侧，用于增强边缘加热效果的横向红外加热管201b。上述多个红外加热管正对基座101的表面区域，且各红外加热管与基座平面具有相同的距离，使得基座101上的待加热工件(未图示出)表面各处能够受到均匀的红外线照射。

所述红外加热管还可以具有中心区域以及边缘区域两部分。具体的，所述中心区域以及边缘区域可以依据红外加热管与其对应照射的待加热工件的区域设置。例如所述待加热工件面积为1.3x1.1(平方米)的方形玻璃基板，则正对于所述待加热工件中心面积为0.8x1.1(平方米)的区域的红外加热管为中心区域的红外加热管，其余为边缘区域的红外加热管。

调节红外加热管的排列密度，使得所述中心区域的红外加热管之间的间距比所述边缘区域的红外加热管之间的间距不一致，如图2a所示，在另一个具体实施例中，所述第一红外加热单元201包括并行排列的红外加热管，其中中心区域的红外加热管201c之间的间距d1大于边缘区域的红外加热管201d之间的间距d2，提高了边缘区域的红外加热管201d的红外线密度，从而加强了边缘区域的红外加热管201d的加热效果。

还可以调节各红外加热管与待加热工件的距离，使得所述中心区域的红外加热管与待加热工件的距离比所述边缘区域的红外加热管与待加热工件的距离不一致，如图2b所示，在又一个具体实施例中，所述第一红外加热单元201包括并行排列的红外加热管，其中，中心区域的红外加热管201e与基座101上待加热工件的距离H1大于边缘区域的红外加热管201f与基座101上待加热工件的距离H2，所述边缘区域的红外加热管201f更接近于待加热工件，从而增强了待加热工件边缘区域的受热效果。

在其他实施例中，所述第一加热单元201还可以为阵列排布的点状红外加热灯。

具体的，所述阵列排布的点状红外加热灯中，点距保持一致，从而易于控制加热的效果。或者，所述第一加热单元201具有中心区域以及边缘区域，所述中心区域以及边缘区域也可以依据点状红外加热灯与其对应照射的待加热工件的区域设置。所述阵列排布的点状红外加热灯中，中心区域的点距大于边缘区域的点距，提高了边缘区域的红外加热灯的红外线密度，从而加强了边缘区域的红外加热灯的加热效果。

上述各方案的最终目的在于，使得待加热工件在加热升温时，表面各处温度尽可能得到均匀的提升。

此外所述处理腔100内还设置有温度感应计103，用于测量所述基座101以及待加热工件的实时温度，以便于在加热时，监控待加热工件的升温过程，并进行相关控制。

所述预处理装置还包括设置于处理腔100底部，与所述处理腔100连接的通气管道104以及排气管道105，其中所述通气管道用于向处理腔100内通入热传递气体或清洁气体，而排气管道105则用于对处理腔100进行排气。

仅依靠第一加热单元，对待加热工件进行均匀加热的效果有限，因此本发明预处理装置还包括用于补偿加热待加热工件边缘区域的补偿加热单元202。所述补偿加热单元202也可以采用红外线加热，包括管状、片状、球状、椭圆状、柱状或者点状的红外加热灯。

所述补偿加热单元202具有高度的指向性，其能够将热辐射，例如红外线，照射于所述待加热工件的边缘区域。可以将多个补偿加热单元202均匀地设置于基座101的周围，并调整各补偿加热单元202对待加热工件的照射角度以及与待加热工件的距离，使得所述待加热工件的边缘区域处获得与中心区域相同的加热效果，从而实现对待加热工件的均匀加热。在本发明某些实施例中，所述补偿加热单元202与待加热工件的距离比所述第一加热单元201与待加热工件的距离近，可以进一步增强待加热工件边缘区域的受热效果。

如图3所示，在一个具体实施例中，所述补偿加热单元包括：红外加热灯202a以及反射镜202b，所述反射镜202b用于将红外加热灯202a所产生的红外线反射至待加热工件的边缘区域。所述反射镜202b设置于红外加热灯202a相对于基座方向的另一侧。根据红外线光源类型的不同，所述反射镜202b可以制作成凹面反射镜、柱面反射镜或平面反射镜。所述反射镜202b可以围绕红外加热灯202a转动。所述补偿红外加热单元通过调节反射镜202b相对于红外加热灯202a的位置，进而调节反射镜202b对红外加热灯202a所产生的红外线的反射方向，实现具有指向性的红外线照射。另一方面，所述反射镜202b还提高了红外加热灯202a所产生的红外线的利用效率，能够增强补偿红外加热单元的加热效果。

除上述实施例所示结构外，其他具有指向性的热辐射照射装置同样可以作为本发明所述的补偿红外加热单元使用。本发明的补偿加热单元并不局限于上述实施例方案。

为了满足大面积玻璃基板的快速均匀的预热需求，本发明还提供了一种使用上述预处理装置的预处理方法。图4为所述预处理方法的基本流程示意图，图5至图8为使用上述预处理方法对玻璃基板进行预处理的各步骤示意图。结合以上附图对本发明实施例做详细说明。

首先执行步骤S101、将待加热工件承载于基座；

本实施例中所述待加热工件为玻璃基板300。如图4所示，将所述玻璃基板300放置于基座101上，并进行固定。通常作为薄膜沉积工艺的中间环节，所述预处理装置在生产线上设置于沉积设备之前。玻璃基板300通过机械传送装置从预处理装置一侧阀门100a送入处理腔100中，而在预热完成后，从另一侧阀门100b传送至沉积设备中。所述基座101可以与所述机械传送装置连接。此外可以通过在基座101的承载面上设置沟槽或者形成凸出于所述基座表面的支撑结构，使得基座101与其承载的玻璃基板300之间形成间隙。

执行步骤S102、对处理腔排气，在处理腔内形成真空环境；

如图5所示，封闭处理腔100上用于输送玻璃基板300的阀门100a、阀门100b，同时保持通气管道104关闭，通过排气管道105对所述处理腔100排气，使得处理腔100内形成真空环境。

执行步骤S103、对待加热工件的中心区域以及边缘区域进行均匀加热。

如图6所示，开启所述第一加热单元201以及补偿加热单元202，分别对玻璃基板的中心区域以及边缘区域进行加热。具体的，调整所述补偿加热单元202中反射镜202b的反射角度，将红外加热灯202a所产生的红外线反射至玻璃基板300的边缘区域，使得玻璃基板300的边缘区域处获得与中心区域相同的加热效果。所述玻璃基板300上各处的温度保持同步上升。

本实施例中，由于玻璃基板300为透明的材料，而基座101为碳或碳化硅基座，两者受到相同强度的红外线照射时，吸收的能量并不相同。红外线容易在玻璃基板300上直接透射，因此在上述加热过程中，玻璃基板300的升温速度小于基座101。假如直接将玻璃基板300的加热升温至目标温度，则此时基座101的温度将大于所述目标温度。在停止加热后，由于基座101与玻璃基板300之间的热传递作用，所述玻璃基板300的温度将超过所述目标温度。因此在实际预热过程中，应当根据所述目标温度以及玻璃基板300与基座101之间的比热容差异，计算玻璃基板300以及基座101在停止加热时的温度。

本实施例所述预处理方法还包括如下步骤：

执行步骤S104、当待加热工件以及基座分别升温至第一温度以及二温度后，停止加热；

具体的，预先设定所述第一温度T₁以及第二温度T₂的大小。假设：所述玻璃基板300与基座101的初始温度均为T₀；所述玻璃基板300的比热容为C₁，质量为M₁；所述基座101的比热容为C₂，质量为M₂；在第一红外加热单元201以及补偿红外加热单元202的工作过程中，玻璃基板300以及基座101的升温速度分别为V_t1以及V_t2，且V_t1＜V_t2；所述目标温度为T。则在理想的状态下，上述参数存在如下关系式：

$t=\frac{T_1-T_0}{{\mathrm{Vt}}_1}=\frac{T_2-T_0}{{\mathrm{Vt}}_2}...\left(1\right);$

ΔQ＝(T-T₁)M₁C₁＝(T₂-T)M₂C₂............(2)；

其中公式(1)表示玻璃基板300与基座101的加热时间均为t；公式(2)表示玻璃基板300与基座101在停止加热后的热传递过程中，所述玻璃基板300吸收的热量应当与基座101释放的热量相等，均为ΔQ。

上述参数中，玻璃基板300与基座101的升温速度是由两者的材质对红外线的吸收能力所决定的，且比值近似为定值；可以根据预热时间、预热的目标温度等因素进行考量，通过调节第一加热单元201以及补偿加热单元202所产生的红外线强度对所述升温速度进行调整。

在确定了玻璃基板300与基座101的升温速度后，很容易根据上述公式计算推得所述第一温度T₁、第二温度T₂的值以及所需的加热时间。优选的，所述第一温度大于等于170℃小于等于180℃，所述第二温度大于等于220℃小于等于230℃，所述目标温度大于等于190℃小于等于210℃。作为更优的实施例，所述第一温度T₁为180℃，所述第二温度T₂为220℃，所述目标温度T为200℃。

但在实际操作中，由于玻璃基板300以及基座101的升温过程可能存在波动，而并非匀速过程，以计算所得的加热时间t作为实际的加热时间并不准确。为了减小误差，可以通过设置于处理腔100内的温度感应计103，实时监控玻璃基板300与基座101的温度。当玻璃基板300达到第一温度T₁，基座101达到第二温度T₂时，关闭所述第一加热单元201以及补偿加热单元202，停止对玻璃基板300以及基座101加热。

执行步骤S105、向处理腔内通入热传递气体，使得所述待加热工件与基座通过热传递达到目标温度。

由于玻璃基板300与基座101之间很难紧密贴合，在真空环境下两者之间热传递速度较慢。如图7所示，为了加快热传递速度，提高热源利用效率，在停止加热后，打开通气管道104，向处理腔100内通入热传递气体。所述热传递气体将充满处理腔100，并进入玻璃基板300与基座101之间的间隙中。由于玻璃基板300与基座101存在温度差，所述热传递气体很容易在所述间隙内形成对流，使得玻璃基板300与基座101能够通过热传递气体进行快速热传递。所述热传递气体可以包括氢气、氮气、氦气或其他任一惰性气体。优先地，所述热传递气体包含热容较大的氦气。

需要指出的是，虽然热传递气体也会吸收部分热量，但由于通入的气体质量远小于玻璃基板300以及基座101的质量，因此在上述热传递过程中，热量的损失可以忽略不计。所述玻璃基板300与基座101在热传递结束后，依然可以达到所述目标温度。

作为可选的方案，在完成对玻璃基板300的预热后，还可以向处理腔内通入具有还原性质的清洁气体，所述清洁气体在高温环境与玻璃基板300上的有机杂质产生还原反应，并携带反应产物与热传递气体通过排气管道105一并排出，从而实现对玻璃基板300的清洁处理。

作为优选的实施例，可以选用氢气同时作为热传递气体以及清洁气体，所述氢气在玻璃基板300的预热过程中起到热传递作用，同时在高温环境下与玻璃基板上的有机杂质产生还原反应，并在预处理结束后携带反应产物从排气管道105排出，从而起到清洁作用。因此可以省略上述额外的清洁处理步骤。

虽然本发明己以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (32)

1.一种预处理装置，其特征在于，包括：处理腔，设置于所述处理腔内用于承载待加热工件的基座；与所述待加热工件相对设置并位于所述待加热工件上方的第一加热单元；设置于基座周围的补偿加热单元，用于补偿加热所述待加热工件的边缘区域。

2.如权利要求1所述的预处理装置，其特征在于，所述第一加热单元采用红外线加热。

3.如权利要求2所述的预处理装置，其特征在于，所述第一加热单元包括管状、片状、球状、椭圆状、柱状或者点状的红外加热灯。

4.如权利要求2所述的预处理装置，其特征在于，所述补偿加热单元采用红外线加热。

5.如权利要求4所述的预处理装置，其特征在于，所述补偿加热单元包括管状、片状、球状、椭圆状、柱状或者点状的红外加热灯。

6.如权利要求5所述的预处理装置，其特征在于，所述补偿加热单元还包括反射镜，所述反射镜用于将所述红外加热灯产生的红外线反射至待加热工件的边缘区域。

7.如权利要求4所述的预处理装置，其特征在于，所述补偿加热单元与待加热工件的距离比所述第一加热单元与待加热工件的距离近。

8.如权利要求5或7所述的预处理装置，其特征在于，所述基座为碳或碳化硅基座。

9.如权利要求8所述的预处理装置，其特征在于，所述基座内设置有加热器。

10.如权利要求9所述的预处理装置，其特征在于，所述加热器为电阻丝、石英加热管或陶瓷加热片。

11.如权利要求8所述的预处理装置，其特征在于，所述基座表面具有凹槽或突起的支撑结构，使得基座与其承载的待加热工件之间形成间隙。

12.如权利要求3所述的预处理装置，其特征在于，所述第一加热单元包括若干间隔排列的红外加热管。

13.如权利要求12所述的预处理装置，其特征在于，所述各红外加热管之间的间距相等，且两端平齐。

14.如权利要求12所述的预处理装置，其特征在于，所述各红外加热管之间的间距相等，且所述间隔排列为交错排列。

15.如权利要求12所述的预处理装置，其特征在于，所述第一加热单元具有中心区域以及边缘区域，所述中心区域的红外加热管之间的间距比所述边缘区域的红外加热管之间的间距大。

16.如权利要求15所述的预处理装置，其特征在于，所述中心区域的红外加热管与待加热工件的距离比所述边缘区域的红外加热管与待加热工件的距离大。

17.如权利要求3所述的预处理装置，其特征在于，所述第一加热单元包括阵列排布的点状红外加热灯。

18.如权利要求17所述的预处理装置，其特征在于，所述阵列排布的点状红外加热灯中，点距保持一致。

19.如权利要求17所述的预处理装置，其特征在于，所述第一加热单元具有中心区域以及边缘区域，所述阵列排布的点状红外加热灯中，中心区域的点距大于边缘区域的点距。

20.如权利要求1所述的预处理装置，其特征在于，所述处理腔内设置有温度感应计，用于测量所述基座以及待加热工件的温度。

21.如权利要求1所述的预处理装置，其特征在于，还包括位于处理腔底部与所述处理腔连接的进气通道以及排气通道，所述进气通道用于向处理腔通入热传递气体或清洁气体，所述排气通道用于对处理腔进行排气。

22.如权利要求21所述的预处理装置，其特征在于，所述热传递气体包括氢气、氮气、氦气或其他任一惰性气体。

23.如权利要求21所述的预处理装置，其特征在于，所述清洁气体包括氢气。

24.一种使用权利要求1至23任一项所述预处理装置的预处理方法，其特征在于，包括：将待加热玻璃基板承载于基座；在真空环境下，使用所述第一加热单元以及补偿加热单元，对待加热工件的中心区域以及边缘区域进行均匀加热。

25.如权利要求24所述的预处理方法，其特征在于，所述使用补偿加热单元加热包括将热辐射反射至待加热工件的边缘区域。

26.如权利要求24所述的预处理方法，其特征在于，还包括：

设定第一温度以及第二温度，当待加热工件以及基座分别升温至第一温度以及第二温度后，停止加热；

向处理腔内通入热传递气体，使得所述待加热工件以及基座通过热传递达到目标温度。

27.如权利要求26所述的预处理方法，其特征在于，所述基座为碳基座或碳化硅基座。

28.如权利要求27所述的预处理方法，其特征在于，所述待加热工件与基座之间具有间隙。

29.如权利要求26所述的预处理方法，其特征在于，所述通入的热传递气体包括氢气、氮气、氦气或其他任一惰性气体。

30.如权利要求26所述的预处理方法，其特征在于，所述第一温度大于等于170℃小于等于180℃，所述第二温度大于等于220℃小于等于230℃，所述目标温度大于等于190℃小于等于210℃。

31.如权利要求24所述的预处理方法，其特征在于，还包括向处理腔通入具有还原性质的清洁气体，对加热后的工件进行清洁处理。

32.如权利要求31所述的预处理方法，其特征在于，所述清洁气体包括氢气。

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