CN202543323U - 一种lpcvd预热腔控温系统 - Google Patents

一种lpcvd预热腔控温系统 Download PDF

Info

Publication number
CN202543323U
CN202543323U CN2012201865518U CN201220186551U CN202543323U CN 202543323 U CN202543323 U CN 202543323U CN 2012201865518 U CN2012201865518 U CN 2012201865518U CN 201220186551 U CN201220186551 U CN 201220186551U CN 202543323 U CN202543323 U CN 202543323U
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature control
lpcvd
preheating cavity
temperature
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2012201865518U
Other languages
English (en)
Inventor
乔志强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongjun New Energy Co ltd
Original Assignee
Hanergy Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hanergy Technology Co Ltd filed Critical Hanergy Technology Co Ltd
Priority to CN2012201865518U priority Critical patent/CN202543323U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202543323U publication Critical patent/CN202543323U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种LPCVD预热腔控温系统，具体地讲是涉及一种LPCVD预热腔分区控温系统。该系统包括加热模块、与加热模块连接的温度控制模块，加热模块分为六个控温区，每个控温区包括一个或多个碳中波红外灯管，其中四个控温区分布在中心位置，另外两个控温区分别位于玻璃传输方向的两侧。该系统结构相对简单，加热效果好，能够在玻璃预热控温过程中保持温度更加均匀，控温准确，成品率高，且易于维护。

Description

一种LPCVD预热腔控温系统
技术领域
本实用新型涉及一种LPCVD预热腔控温系统，具体地讲是涉及一种LPCVD预热腔分区控温系统。
背景技术
由于太阳能清洁安全、取之不竭，很多国家将目光投向了清洁的太阳能发电。对于太阳能发电而言，最重要的莫过于太阳能电池技术的发展。其中，薄膜太阳能电池就以其大面积、轻薄透明等特点在民用设施建筑物等的太阳能发电领域拥有广阔的发展前景。
薄膜太阳能电池的制造需要透明导电氧化物玻璃(TCO)作为电池的前电极，LPCVD设备就是根据低压化学气相沉积法制备TCO的一种设备。其原理是：在低压状态下，利用气态物质通过热分解反应或者化学反应，在玻璃基材表面上形成固态薄膜。LPCVD拥有均匀的阶梯覆盖性、很好的组成成份和结构的控制，具有较高的沉积速率和输出量，以及低廉的制程成本，适合大批量生产应用；另外，LPCVD不需要载子气体，大大降低了颗粒污染源，因此其被广泛应用于薄膜电池产业及高附加价值的半导体产业中，用作薄膜的沉积。
在LPCVD中对于TCO超白浮法平板玻璃的加热大致有以下四种方式：
1、热阻丝加热方式，在反应腔体中采用热阻丝线圈加热时，除了TCO玻璃本身外，反应腔体的炉壁也会被加热，这种方式中所蒸镀的薄膜，除了会在基板上，也会在腔室上生成。因而必须经常清洗炉管，以避免微尘粒污染，导致生产效率降低。
2、射频(RF)感应加热方式，即由射频感应来引入热源，将只会对TCO玻璃和载具加热，而不会对反应腔的炉壁加热，但是在一些的冷壁反应器的系统中，还是会发生炉壁被加热的情形，所以就必须借着冷却炉壁(通入冷却循环水)的方式来降低或避免在炉壁上反应或沉积薄膜，而且反应炉管的几何形状受反应压力和热源供应方式严格限制，这是影响输出量的一个重要因素，所以该方式在工业应用中受到很大的限制。
3、光能加热方式，其技术相对成熟，是经由反应器内装红外线、紫外线加热灯管来引入热源。但因其还是会发生炉壁被加热的情形，仍必须借着冷却炉壁(通入冷却循环水)的方式来降低或避免在炉壁上反应或沉积薄膜。
4、等离子增强加热方式，射频感应所产生的灼热放电，把能量转换到反应气体上，经加热的基板温度比常压或低压化学气相沉积法低许多，低温沉积是等离子增强化学气相沉积法最主要的优点。事实上，等离子增强化学气相沉积法提供了一种在基板上镀膜的方法，并且没有在镀膜时热稳定性的问题。此外，等离子增强化学气相沉积法能增进镀膜的速率，比单纯靠热反应来得更快，能提供唯一成份及特性的薄膜，但是生产量的限制(特别是大尺寸晶片)、及因松散的粘附性所造成的微尘物污染仍旧是最大的问题。
目前，主流的预热腔加热方式为热阻丝和红外加热，技术比较成熟，采用红外灯管加热的方式会使整个腔室中的温度达到比较高的水平，因为没有其他的化学反应可以在对玻璃上下及平面上达到温度的均匀一致性有比较好的可控性，所以在没有其他反应产物的预热腔中采用红外加热是一种比较经济和可靠的加热方式。
现有技术采用的是三区加热。在实际应用中不能很好的控制加热板的温度，导致玻璃加热后温度一致性较差，进而会影响工艺腔的工艺流程，影响成品质量。
实用新型内容
本实用新型提供一种LPCVD预热腔控温系统，其结构相对简单，加热效果好，能够在玻璃预热控温过程中保持温度更加均匀，控温准确，成品率高，且易于维护。
为解决上述技术问题，本实用新型技术方案如下：
一种LPCVD预热腔控温系统，包括加热模块、与加热模块连接的温度控制模块。控温的主要依据是腔室四周的冷却系统对腔室内温度的影响，因而加热模块分为六个控温区。
根据玻璃对红外线的吸收率和实验证明，选用碳中波灯管对玻璃的加热效果是最好的，因而每个控温区包括一个或多个碳中波红外灯管，其中四个控温区分布在中心位置，另外两个控温区分别位于玻璃传输方向的两侧。
所述在中心位置的四个控温区形状基本相同。该四个控温区的灯管总功率约为80-90KW，优选为84KW；其中每个控温区优选各有7只灯管。
所述分别位于玻璃传输方向的两侧的两个控温区形状基本相同。该两个控温区的灯管总功率约为3-5KW，优选为4KW；其中每个控温区优选各有1只灯管。
温度控制模块为温控器和固态继电器，温控器为多重输入型，即可以使用热电偶、铂电阻、模拟量输入，也可以使用AI(自动整定)或ST(自我整定)两种调整功能，有进行Bank、运行/停止、自动/手动、简易程序的启动/复位功能进行切换等功能，在实际应用中可以很好的控制加热。
被加热体主要指玻璃，玻璃被两边的滚轮支撑半悬空在腔室中，加热过程中采用玻璃前后振荡移动，可以有效改善玻璃的加热效果。
综上所述，本实用新型提供的LPCVD预热腔控温系统，结构相对简单，通过采用碳中波灯管加热，加热效果得到提高；并且采用六区控温的方式，使得在玻璃预热控温过程中温度更加均匀，控温准确，成品率高，且易于维护。
附图说明
图1是本实用新型的加热模块的结构示意图；
图2是本实用新型的玻璃吸收率与红外波长的关系曲线图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
实施例1
一种LPCVD预热腔控温系统，包括加热模块、与加热模块连接的温度控制模块。加热模块分为六个控温区，如图1所示。
根据玻璃对红外线的吸收率和实验证明，如图2所示，加热灯管选用碳中波灯管对玻璃的加热效果是最好的，因而每个控温区包括一个或多个碳中波红外灯管，加热模块的六个控温区中，四个控温区分布在中心位置，另外两个控温区分别位于玻璃传输方向的两侧。
在中心位置的四个控温区形状相同。该四个控温区的灯管总功率为84KW，其中每个控温区各有7只灯管。
分别位于玻璃传输方向的两侧的两个控温区形状相同。该两个控温区的灯管总功率为4KW；其中每个控温区各有1只灯管。
温度控制模块为温控器和固态继电器，温控器为多重输入型，有进行Bank、运行/停止、自动/手动、简易程序的启动/复位功能进行切换等功能，在实际应用中可以很好的控制加热。
被加热玻璃被两边的滚轮支撑半悬空在腔室中，加热过程中采用玻璃前后振荡移动，可以有效改善玻璃的加热效果。
通过将本实施例与现有技术中的三区控温方案进行数据对比，原三区控温方案需对玻璃加热180s，玻璃各区温差约为2℃，玻璃上下温差约为5℃；而本实施例中，只需对玻璃加热150s，玻璃各区温差约为1℃，玻璃上下温差约为2℃。

Claims (9)

1.一种LPCVD预热腔控温系统，包括加热模块、与加热模块连接的温度控制模块，其特征在于加热模块分为六个控温区，每个控温区包括一个或多个碳中波红外灯管，其中四个控温区分布在中心位置，另外两个控温区分别位于玻璃传输方向的两侧。
2.根据权利要求1所述的LPCVD预热腔控温系统，其特征在于所述在中心位置的四个控温区形状相同。
3.根据权利要求2所述的LPCVD预热腔控温系统，其特征在于所述在中心位置的四个控温区的灯管总功率为80-90KW。
4.根据权利要求3所述的LPCVD预热腔控温系统，其特征在于所述在中心位置的四个控温区的灯管总功率为84KW。
5.根据权利要求2-4中任意一项所述的LPCVD预热腔控温系统，其特征在于所述在中心位置的四个控温区中每个控温区各有7只灯管。
6.根据权利要求1所述的LPCVD预热腔控温系统，其特征在于所述分别位于玻璃传输方向的两侧的两个控温区形状相同。
7.根据权利要求6所述的LPCVD预热腔控温系统，其特征在于所述分别位于玻璃传输方向的两侧的两个控温区的灯管总功率为3-5KW。
8.根据权利要求7所述的LPCVD预热腔控温系统，其特征在于所述分别位于玻璃传输方向的两侧的两个控温区的灯管总功率为4KW。
9.根据权利要求6-8中任意一项所述的LPCVD预热腔控温系统，其特征在于所述分别位于玻璃传输方向的两侧的两个控温区中每个控温区各有1只灯管。
CN2012201865518U 2012-04-26 2012-04-26 一种lpcvd预热腔控温系统 Expired - Lifetime CN202543323U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012201865518U CN202543323U (zh) 2012-04-26 2012-04-26 一种lpcvd预热腔控温系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012201865518U CN202543323U (zh) 2012-04-26 2012-04-26 一种lpcvd预热腔控温系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202543323U true CN202543323U (zh) 2012-11-21

Family

ID=47163987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012201865518U Expired - Lifetime CN202543323U (zh) 2012-04-26 2012-04-26 一种lpcvd预热腔控温系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202543323U (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103543742A (zh) * 2013-10-23 2014-01-29 北京七星华创电子股份有限公司 Lpcvd设备的温控时滞系统自校正方法与装置
CN103576672A (zh) * 2013-10-23 2014-02-12 北京七星华创电子股份有限公司 Lpcvd设备的温控系统自校正方法与装置
WO2018196753A1 (zh) * 2017-04-24 2018-11-01 君泰创新（北京）科技有限公司 一种基于lpcvd预热腔的加热装置
CN110872688A (zh) * 2018-08-29 2020-03-10 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种加热装置、镀膜设备、温度控制方法及系统

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103543742A (zh) * 2013-10-23 2014-01-29 北京七星华创电子股份有限公司 Lpcvd设备的温控时滞系统自校正方法与装置
CN103576672A (zh) * 2013-10-23 2014-02-12 北京七星华创电子股份有限公司 Lpcvd设备的温控系统自校正方法与装置
CN103576672B (zh) * 2013-10-23 2016-03-02 北京七星华创电子股份有限公司 Lpcvd设备的温控系统自校正方法与装置
CN103543742B (zh) * 2013-10-23 2016-08-17 北京七星华创电子股份有限公司 Lpcvd设备的温控时滞系统自校正方法与装置
WO2018196753A1 (zh) * 2017-04-24 2018-11-01 君泰创新（北京）科技有限公司 一种基于lpcvd预热腔的加热装置
CN110872688A (zh) * 2018-08-29 2020-03-10 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种加热装置、镀膜设备、温度控制方法及系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN202543323U (zh) 一种lpcvd预热腔控温系统
CN103222041B (zh) 用于加热基板的加热装置和方法
US20120264072A1 (en) Method and apparatus for performing reactive thermal treatment of thin film pv material
CN102487101A (zh) 预处理装置及其预处理方法
CN204982047U (zh) 用于等离子体增强化学气相沉积的设备
US20170155005A1 (en) Selenization/sulfurization process apparatus for use with single-piece glass substrate
CN101949009B (zh) 等离子体化学气相沉积基座温度控制方法
CN101245450A (zh) 可移式等离子箱单室大批量镀膜的方法
CN207793058U (zh) 一种窑炉炉膛结构
CN106277730A (zh) 一种2．5mm光伏组件超薄钢化镀膜玻璃生产方法
CN207121658U (zh) 一种辊道式热氧退火炉
CN202380087U (zh) 一种加热腔保温系统
CN107623052A (zh) 一种太阳能电池片钝化用Al2O3镀膜系统和方法
CN103014651A (zh) 薄膜太阳能电池退火装置、铜铟镓硒薄膜电池及铜锌锡硫薄膜电池吸收层的制备方法
CN105006501A (zh) Cigs基薄膜太阳能电池的制备方法及制备装置
CN102369307A (zh) 用于制造太阳能电池的设备
CN110981210B (zh) 一种光伏玻璃增透强化连续生产装置及方法
CN103204636B (zh) 一种透明导电氧化物镀膜玻璃镀膜线加热冷却系统
CN201890953U (zh) 扩散炉装置
CN103572256B (zh) 一种制备p型掺杂非晶硅碳薄膜的装置
CN207233760U (zh) 一种太阳能电池片钝化用Al2O3镀膜系统
CN102842636B (zh) 用于化学气相沉积系统的基板加热基座
CN202190428U (zh) 一种用于制备薄膜太阳能电池吸收层的中频感应加热装置
CN202465869U (zh) 具有加热媒介的薄膜沉积设备
CN102400111B (zh) 一种lpcvd工艺腔加热系统

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: BEIJING HANNENG CHUANGYU TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: HANERGY TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20130910

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20130910

Address after: 102209 Beijing city Changping District town Beiqijia Hongfu Pioneer Park No. 15 hospital

Patentee after: Beijing Hanneng Chuangyu Technology Co., Ltd.

Address before: 102209 Beijing city Changping District town Beiqijia Hongfu Pioneer Park No. 15 hospital

Patentee before: Hanergy Technology Co., Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: FUJIAN APOLLO PRECISION LIMITED

Free format text: FORMER OWNER: BEIJING HANNENG CHUANGYU TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20150226

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 102209 CHANGPING, BEIJING TO: 100176 DAXING, BEIJING

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150226

Address after: 100176 No. 7 Fairview street, Beijing economic and Technological Development Zone

Patentee after: APOLLO PRECISION (FUJIAN) Ltd.

Address before: 102209 Beijing city Changping District town Beiqijia Hongfu Pioneer Park No. 15 hospital

Patentee before: Beijing Hanneng Chuangyu Technology Co., Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210120

Address after: 101400 No.31 Yanqi street, Yanqi Economic Development Zone, Huairou District, Beijing (cluster registration)

Patentee after: Beijing Huihong Technology Co.,Ltd.

Address before: 100176 No. 7 Fairview street, Beijing economic and Technological Development Zone

Patentee before: APOLLO PRECISION (FUJIAN) Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211008

Address after: 101400 Yanqi Street, Yanqi Economic Development Zone, Huairou District, Beijing

Patentee after: Dongjun new energy Co.,Ltd.

Address before: 101400 No.31 Yanqi street, Yanqi Economic Development Zone, Huairou District, Beijing (cluster registration)

Patentee before: Beijing Huihong Technology Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20121121