CN103160812A - 下电极组件及具有其的化学气相沉积设备 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种下电极组件和具有它的半导体处理设备。所述下电极组件包括：载板，所述载板用于传输和承载晶片；托盘；托盘支架，所述托盘支架与所述托盘相连以支撑所述托盘；加热器，所述加热器设在所述托盘内；和升降机构，所述升降机构与所述托盘支架相连用于升降所述托盘，以便所述加热器能够更好地加热所述晶片。根据本发明的下电极组件，改善了加热效率，和热利用率，降低了成本。

Description

下电极组件及具有其的化学气相沉积设备

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种下电极组件及具有其的化学气相沉积设备。

背景技术

PECVD(等离子体增强化学气相沉积)设备是在平板式载板上放置晶片。并将载板接地，上电极接中频或者射频，以在上电极和载板之间形成等离子体用以在晶片上沉积生成膜层。

图1为一种平板式PECVD设备结构图，该PECVD设备包括具有反应腔的反应腔体100’、进气口200’、设置在反应腔体100’之内的上电极板300’和载板400’，以及控制载板升降的升降汽缸600’和加热腔500’。其中，上电极板300’与射频源700’相连，载板400’接地。对于图1所示的PECVD设备来说，载板400’加热的温度和加热是否均匀是影响晶片成膜质量的一个重要因素。同时，由于要求晶片的载板400’高度可调，目的是通过调节载板400’与上电极板300’之间的距离(GAP)，来调节工艺参数。这就需要载板400’的接地效果要好，材质要求比较苛刻，目前主要是C/C复合材料和石墨材料居多。

上述结构至少存在以下缺陷：

1、载板的温度均匀性还有待提高。2、上述PECVD设备中载板需要接地，因此对载板材质要求非常高，从而导致载板成本的增加。同时由于载板面积非常大，从而导致载板接地效果不佳。3、在上述PECVD设备中只有载板能够升降，从而导致加热效率损失严重。

发明内容

本发明的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一，特别是提出一种能够减少加热效率损失的下电极组件。

为达到上述目的，根据本发明第一方面实施例的下电极组件，包括：载板，所述载板用于传输和承载晶片；托盘；托盘支架，所述托盘支架与所述托盘相连以支撑所述托盘；加热器，所述加热器设在所述托盘内；和升降机构，所述升降机构与所述托盘支架相连用于升降所述托盘，以便所述加热器能够加热所述晶片。

根据本发明实施例的下电极组件，通过升降机构可以升降托盘内的加热器，从而加热器可以对晶片加热，从而改善了加热效率和热利用率，降低了成本。

在本发明的一个实施例中，所述托盘和所述托盘支架均为多个，且在每个所述托盘内均设有所述加热器，所述升降机构为多个且分别与所述多个托盘支架一一对应。由此，可以通过对应的加热器加热对应托盘上的晶片，便于提高每个晶片处理效果。

在本发明的一个实施例中，所述托盘和所述托盘支架均为多个，且在每个所述托盘内均设有所述加热器，所述升降机构为多个且一个所述升降机构与至少两个所述托盘支架相连。

在本发明的一个实施例中，所述加热器的上表面低于所述托盘的上表面或与所述托盘的上表面平齐。

在本发明的一个实施例中，所述下电极组件还包括：多个转动轮，所述多个转动轮支撑所述载板以通过所述多个转动轮转动传送所述载板。

在本发明的一个实施例中，所述升降机构包括：支撑件，所述支撑件与所述托盘支架相连用于支撑所述托盘支架；和驱动器，所述驱动器与所支撑件相连以驱动所述支撑件升降。

在本发明的一个实施例中，所述托盘支架外套设有波纹管，所述波纹管的下端与所述支撑件相连且所述波纹管的上端设有焊接法兰。

在本发明的一个实施例中，所述加热器为铠装加热器。由此，可对铠装加热器进行单独地更换，从而降低制造及维护成本

在本发明的一个实施例中，所述托盘接地。通过托盘对晶片进行接地，从而可以实现晶片的完全接地，并且也避免了由于载板面积大导致的接地效果差的缺陷。

在本发明的一个实施例中，所述载板设有与所述托盘对应的通孔，所述通孔允许所述托盘穿过且禁止所述晶片通过。

在本发明此实施例中，载板仅起到传输晶片的作用，因此载板的材料选择要求比较低，从而大大降低了载板的成本。另外，可以通过托盘单独调节每个晶片的GAP值，提高工艺处理效果。

在本发明的一个实施例中，所述托盘的外沿设有沿所述托盘的径向向外延伸的凸耳，所述通孔的外沿设有沿所述通孔的径向向外延伸且与所述凸耳对应以允许所述凸耳穿过的延伸孔部。

上述结构可以允许托盘通过通孔且禁止晶片通过通孔，且易于制造，成本低。

在本发明的一个实施例中，所述凸耳的自由端设有向上延伸用于定位晶片的凸台。通过凸台能够更好地卡合晶片。

在本发明的一个实施例中，所述下电极组件还包括上载板，所述上载板放置在所述载板上且用于承载晶片，其中所述加热器通过加热所述上载板加热承载在所述上载板上的所述晶片。

在本发明的一个实施例中，所述加热器直接加热承载在所述载板上的晶片。

在本发明的一个实施例中，所述加热器通过加热所述载板加热所述晶片。

根据本发明第二方面的化学气相沉积设备，包括：反应腔体，所述反应腔体内具有反应腔；设置在所述反应腔内且位于所述反应腔顶部的上电极板；设置在所述反应腔内且位于所述上电极板下方的下电极组件，其中所述下电极组件为根据本发明第一方面实施例的所述的下电极组件；和控制器，所述控制器与所述下电极组件的升降机构相连，用于控制所述升降机构升降所述下电极组件的托盘以调节所述托盘与所述上电极板之间的距离。

在本发明的一个实施例中，所述控制器还与所述加热器相连，用于控制所述加热器。

在本发明的一个实施例中，当所述下电极组件的托盘为多个时，所述控制器对所述多个加热器分别单独控制。由此可以对晶片进行GAP和温度的单独控制从而改善工艺效果。

在本发明的一个实施例中，所述控制器还用于控制将所述载板传入和传出所述反应腔。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为传统平板式PECVD设备结构图；

图2为本发明一个实施例的下电极组件的示意图；

图3为图2所示下电极组件的托盘的结构图；

图4为图2所示下电极组件的示意图；

图5为图2所示下电极组件的结构图；

图6为本发明另一个实施例的下电极组件的示意图；

图7为本发明再一个实施例的下电极组件的示意图；

图8为本发明又一个实施例的下电极组件的示意图；

图9为本发明一个实施例的化学气相淀积设备的结构图；

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面参考附图描述根据本发明实施例的下电极组件100，根据本发明实施例的下电极组件100可以设在化学气相沉积设备的反应腔体300(参考图9)中，用于承载并加热晶片200，以便在反应腔体300内对晶片200进行处理。

根据本发明实施例的下电极组件100包括：载板1、托盘2、托盘支架3、加热器4和升降机构5。载板1用于传输和承载晶片200，托盘支架3与托盘2相连以支撑托盘2，加热器4设在托盘2内，升降机构5与托盘支架3相连用于升降托盘2，从而托盘2内的加热器4能够更好地加热晶片200。

需要理解的是，载板1可以用于直接承载和传输晶片200，也可以通过放置在其上的另一载板承载和传输晶片200，由此加热器4可以直接加热晶片200，可以通过加热载板1加热承载在载板1上的晶片200，也可以通过加热放置在载板1上的另一载板(例如上载板)加热承载在该另一载板上的晶片200，下面将会通过不同的实施例和示例对此进行描述。

根据本发明实施例的下电极组件，通过升降机构5可以升降托盘2内的加热器4，从而加热器4能够更好地加热晶片200，从而改善了加热效率和热利用率，降低了成本。

如图2所示，在本发明一个实施例中，载板1直接承载晶片200，载板1设有与托盘2对应的通孔11，通孔11允许托盘2穿过且禁止晶片200通过。具体地，如图2中所示，通孔11上下贯通载板1且托盘2可通过通孔11，而晶片200由于形状或大小的限制不能通过通孔11。

如图3和图4中所示，在本发明的一个示例中，通孔11为方孔且面积小于晶片200的面积，且通孔11的外沿设有分布在方孔各边且沿通孔11的径向向外延伸的四个延伸孔部111。相应地，在托盘2的外沿设有沿托盘2的径向向外延伸的凸耳21，凸耳21可穿过延伸孔部111。由此，由于托盘2和通孔1的形状相应，托盘2沿上下方向可穿过通孔1，而晶片200则由于其形状和大小不能通过通孔11。本领域的普通技术人员可以理解的是，通孔11和与其相应的托盘2的形状并不限于此，只要通孔11可以满足允许托盘2穿过且禁止晶片200通过即可，例如通孔11还可以为具有延伸孔部的圆形或多边形等。由此，当托盘2上升时，可以将载板1上的晶片200托起，从而加热器4可以直接(即加热器4无需通过加热载板1加热)加热晶片200，当托盘2下降时，托盘2可以通过通孔11下降到载板1的上表面下方，由于晶片200无法通过通孔11，因此晶片200落在载板1上。

在本发明的此实施例中，载板1仅起到承载和传输晶片200的作用，无需导热，因此载板1的材料选择要求比较低，从而大大降低了载板1的成本。通过调节托盘2的高度实现每个晶片200与上电极板400之间的距离(即GAP)，提高了晶片200的工艺处理效果。

优选地，凸耳21的自由端设有向上延伸用于定位晶片200的凸台211，通过凸台211能够更好地卡合晶片200，以防止晶片200在托盘2上前后左右移动。

如图2所示，在本发明此实施例的一个示例中，托盘2和托盘支架3均为多个且彼此一一对应，在每个托盘2内均设有加热器4。由此，可通过每个加热器4单独直接加热相应托盘2上的晶片200，便于提高每个晶片200的处理效果。升降机构5为多个且分别与多个托盘支架3一一对应，由此，可以通过每个升降机构5单独升降对应的托盘支架3，从而单独加热与每个托盘支架3对应的托盘2上的晶片200。

具体地，如图5所示，升降机构5包括支撑件51和驱动器52，支撑件51具有底板511，支撑件511与托盘支架3相连用于支撑托盘支架3，驱动器52与支撑件51的底板511相连以驱动支撑件51升降。在本发明的一个示例中，驱动器52为汽缸。当然，本发明并不限于此，在本发明的另一个示例中，驱动器52还可以为电动丝杠或电机齿轮等。

如上所述，多个升降机构5分别与多个托盘支架3一一对应，即每一个托盘支架3对应于一个支撑件51和一个驱动器52。

在本发明的一个示例中，加热器4的上表面可以低于托盘2的上表面，以保证晶片200的下表面可完全贴近托盘2的上表面。当然，本发明并不限于此，在本发明的另一个示例中，加热器4的上表面可以与托盘2的上表面平齐。

如图2所示，在本发明进一步的示例中，下电极组件100还包括多个转动轮6，载板1支撑在多个转动轮6上以通过多个转动轮6传送载板1。

如图5所示，在本发明的一个示例中，在托盘支架3外套设有波纹管7，波纹管7的下端与支撑件51相连且波纹管7的上端设有焊接法兰71，其中焊接法兰71用于与反应腔体300(参见图9)的下表面连接，由此，支撑件51和托盘支架3由驱动器52驱动上下运动时，波纹管7在支撑件51和固定位置的焊接法兰71之间伸缩运动，进而可降低对托盘支架3的损坏。

在本实施例的一个示例中，加热器4可以为铠装加热器。由此，可通过加热器4对晶片200进行直接加热，从而提高了加热效率和热利用率。另外，可以对铠装加热器进行单独地更换，从而降低制造及维护成本。

在本实施例的一个示例中，托盘2可以接地。具体地，每个托盘2可单独接地，由此可使得每个托盘2上的晶片实现完全接地，从而可保证晶片200加热的均匀性，进而提高晶片成膜的均匀性和良率。当然在本发明的其他实施例中，还可以通过其他方式将晶片200接地。通过托盘2对晶片200进行接地，可以容易地实现晶片200的完全接地，并且也避免了由于载板1面积大导致晶片200接地效果差的缺陷。托盘2的材料可以有多种形式，只要保证导电率好即可，例如可以为铝、不锈钢、石墨、C/C复合材料等。

下面参考图2详细描述根据上述实施例的下电极组件100在化学气相沉积设备的反应腔体300内的操作过程。

在需对晶片200进行工艺时，通过升降机构5的驱动器52推动支撑件521向上移动，从而驱动对应的托盘2上升，托盘2穿过载板1的通孔11而将载板1上的晶片200向上托起，从而使相应的晶片200脱离载板1到达相应的工艺位置，在此过程中，可以单独控制每个驱动器52来独立地控制与该驱动器52对应的托盘支架3和托盘2上升，从而单独调节每个托盘2与上电极板400的距离。然后通过各个托盘2内的加热器4对各个晶片200进行加热，以对晶片200进行工艺处理。

在对晶片200工艺完成后，升降机构5带动托盘2向下移动直至托盘2从载板上的通孔11内通过，此时晶片200落到载板1上。然后通过设在载板1下面的多个转动轮6带动载板1运动而将工艺完成后的晶片200传送出反应腔体300，至此，一个工艺流程完毕。

根据本实施例的下电极组件100，不仅可以单独调节每个晶片200的GAP值以提高晶片200工艺效果，例如成膜的均匀性。而且载板1仅起到承载和传输晶片200的作用，因此载板1的材料选择要求比较低，从而大大降低了载板1的成本。

下面参考图6描述根据本发明另一实施例的下电极组件100。如图6所示，在本实施例中，托盘2和托盘支架3均为多个，托盘支架3分成多组，每一组包括至少两个托盘支架3。升降机构5为多个且一个升降机构5与一组托盘支架3相连。更具体而言，每个升降机构5的支撑件51支撑一个托盘支架3，且支撑一组托盘支架3的多个支撑件51的底板511一体形成，一个驱动器52与对应于一组托盘支架3的多个支撑件51的一个底板511相连。换言之，可以将载板1划分成若干个分区，每个分区内的托盘2由驱动器52升降，可选地，一个驱动器52可同时升降三个托盘2。

图6所示的实施例的下电极组件100与图2所示实施例的下电极组件100的其他结构和有益效果可以相同，这里不再详细描述。

下面描述参考图6所述下电极组件100在化学气相沉积设备的反应腔体300内的操作过程。

在需对晶片200进行工艺时，通过每个驱动器52推动多个支撑件51和对应的一组托盘支架3向上移动，从而同时带动对应的多个托盘2上升，托盘2向上穿过载板1的通孔11而将晶片200向上托起，从而使相应的晶片200脱离载板1到达相应的工艺位置，在此过程中，可以通过单独控制各个驱动器52以升降与一组托盘支架3对应的多个托盘2，从而可单独调节与该一组托盘支架对应的多个托盘2与上电极板400的距离(即GAP)。

然后通过托盘2内加热器4对晶片200进行加热。

在对晶片200的工艺完成后，每个升降机构5带动对应的多个托盘2(即与一组托盘支架3对应的多个托盘2)向下移动从载板1的通孔11内通过，此时晶片200落到载板1上。然后通过设在载板1下面的多个转动轮6带动载板1运动而将工艺完成后的晶片200传送出反应腔体300，至此，一个工艺流程完毕。

根据本实施例的下电极组件100，不仅可以单独调节一组晶片的GAP值以提高晶片温度均匀性。而且在本发明实施例中，载板1仅起到承载和传输晶片200的作用，因此载板1的材料选择要求比较低，从而大大降低了载板1的成本。

下面参考图7描述根据本发明又一实施例的下电极组件100。如图7所示，在本实施例中，托盘2和托盘支架3均为多个，且在每个托盘2内均设有加热器4。并且托盘支架3分为多组，升降机构5为多个，每个升降机构5的驱动器52通过共用一个底板511的多个支撑件52与一组托盘支架3相连。

在本实施例中，待工艺的晶片200放置在载板1的上表面上，且加热器4通过加热载板1对晶片200进行间接加热，每个托盘2上的加热器4与载板1上的一个晶片200的位置对应。通过载板1的热传导，可以使得对晶片200的加热更加均匀。

优选地，在本发明的一个示例中，加热器4的上表面与托盘2的上表面平齐。而且，在图7所示实施例中，载板1上没有形成通孔11且托盘2上没有形成凸台211。

参考图7所示实施例的下电极组件100的其他结构可以与参考图2和6描述的下电极组件100相同，这里不再详细描述。

下面参考图7描述根据此实施例的下电极组件100在化学气相沉积设备的反应腔体300内的操作过程。

在需对载板1上的晶片200进行工艺时，可以通过驱动器52推动多个支撑件51向上移动，从而同时带动与多个支撑件51对应的多个托盘支架3以及与多个托盘支架3对应的多个托盘2上升，多个托盘2将载板1向上托起至工艺位置，从而使多个加热器4直接接触载板1并加热载板1。由此，通过载板1的热传导，对晶片200加热。

在对晶片200的工艺完成后，升降机构5驱动托盘支架3和托盘2向下移动并将载板1从工艺位置下降，然后通过设在载板1下方的多个转动轮6带动载板1运动而将工艺完成后的晶片200传送出反应腔体300，至此，一个工艺流程完毕。

下面参考图8描述根据本发明再一实施例的下电极组件100。

与图6和图7所示下电极组件100相比，图8所示下电极组件100包括用于承载晶片的上载板8(与载板1独立的另一载板)，上载板8设在载板1上，且等待进行工艺的晶片200放置在上载板8的上表面上，托盘2内的加热器4对上载板8进行加热，从而加热晶片200。升降机构5驱动托盘支架3、从而驱动托盘2穿过载板1上的通孔11与上载板8接触，由此加热器4直接接触上载板8并加热上载板8，通过上载板8的热传导，对晶片200的加热更加均匀。

此外，与图6所示下电极组件100相比，图8所示下电极组件100中，托盘2的凸耳21的自由端设的凸台211被去除，以便托盘2可以更加有效地接触上载板8。

对于图8所示下电极组件100的其他结构，可以与图2以及图6-7所示的下电极组件100的结构相同，在此不再赘述。

下面参考图8描述根据本实施例的下电极组件100在化学气相沉积设备的反应腔体300内的操作过程。

在需对载板1上的晶片200进行工艺处理时，可以通过每个驱动器52推动多个支撑件51向上移动，从而驱动托盘支架3和托盘2上升，多个托盘2穿过载板1的通孔11后将上载板8向上托起至工艺位置，多个加热器4加热上载板8。由此，通过上载板8的热传导实现对晶片200加热。

在完成晶片200的加工工艺后，升降机构5带动托盘支架3和托盘2向下移动并将上载板8从工艺位置下降落到载板1上，然后通过设在载板1下方的多个转动轮6带动载板1和上载板8运动而将工艺完成后的晶片200传送出反应腔体300，至此，一个工艺流程完毕。

下面参考图9描述根据本发明实施例的化学气相沉积设备。

根据本发明实施例的化学气相沉积设备包括：反应腔体300、上电极板400、下电极组件和控制器(图未示出)，其中下电极组件为根据上述实施例描述的下电极组件100。

如图9所示，反应腔体300内具有反应腔，设置在反应腔内且位于反应腔顶部的上电极板400，设置在反应腔内且位于上电极板400下方的下电极组件100。控制器与下电极组件100的升降机构5相连，用于控制升降机构5升降下电极组件100的托盘2以调节托盘2与上电极板400之间的距离。

根据本发明实施例的化学气相沉积设备，通过下电极组件100的升降机构5升降托盘2内的加热器4，可对晶片200加热，改善了加热效率和热利用率，降低了成本。另外，改善了晶片200的加热均匀性，从而改善了对晶片200的工艺效果。

可选地，控制器还与加热器4相连，用于控制加热器4。

在本发明的一个实施例中，当下电极组件100的托盘2为多个时，控制器可以对多个加热器4分别单独控制。由此可以对晶片200进行GAP和温度的单独控制，提高工艺效果。进一步地，控制器还用于控制将载板1传送入和传送出反应腔。

根据本发明实施例的化学气相沉积设备的其他构成和操作对于本领域的技术人员都是已知的，这里不再详细描述。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同限定。

Claims (19)

1.一种下电极组件，其特征在于，包括：

载板，所述载板用于传输和承载晶片；

托盘；

托盘支架，所述托盘支架与所述托盘相连以支撑所述托盘；

加热器，所述加热器设在所述托盘内；和

升降机构，所述升降机构与所述托盘支架相连用于升降所述托盘，以便所述加热器能够加热所述晶片。

2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述托盘和所述托盘支架均为多个，且在每个所述托盘内均设有所述加热器，所述升降机构为多个且分别与所述多个托盘支架一一对应。

3.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述托盘和所述托盘支架均为多个，且在每个所述托盘内均设有所述加热器，所述升降机构为多个且一个所述升降机构与至少两个所述托盘支架相连。

4.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述加热器的上表面低于所述托盘的上表面或与所述托盘的上表面平齐。

5.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，还包括：多个转动轮，所述多个转动轮支撑所述载板以通过所述多个转动轮转动传送所述载板。

6.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述升降机构包括：

支撑件，所述支撑件与所述托盘支架相连用于支撑所述托盘支架；和

驱动器，所述驱动器与所支撑件相连以驱动所述支撑件升降。

7.如权利要求6所述的下电极组件，其特征在于，所述托盘支架外套设有波纹管，所述波纹管的下端与所述支撑件相连且所述波纹管的上端设有焊接法兰。

8.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述加热器为铠装加热器。

9.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述托盘接地。

10.如权利要求1-9中任一项所述的下电极组件，其特征在于，所述载板设有与所述托盘对应的通孔，所述通孔允许所述托盘穿过且禁止所述晶片。

11.如权利要求10所述的下电极组件，其特征在于，所述托盘的外沿设有沿所述托盘的径向向外延伸的凸耳，所述通孔的外沿设有沿所述通孔的径向向外延伸且与所述凸耳对应以允许所述凸耳穿过的延伸孔部。

12.如权利要求11所述的下电极组件，其特征在于，所述凸耳的自由端设有向上延伸用于定位晶片的凸台。

13.如权利要求10所述的下电极组件，其特征在于，还包括上载板，所述上载板放置在所述载板上且用于承载晶片，其中所述加热器通过加热所述上载板加热承载在所述上载板上的所述晶片。

14.如权利要求10所述的下电极组件，其特征在于，所述加热器直接加热承载在所述载板上的晶片。

15.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述加热器通过加热所述载板加热所述晶片。

16.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括：

反应腔体，所述反应腔体内具有反应腔；

设置在所述反应腔内且位于所述反应腔顶部的上电极板；

设置在所述反应腔内且位于所述上电极板下方的下电极组件，其中所述下电极组件为如权利要求1-15中任一项所述的下电极组件；和

控制器，所述控制器与所述下电极组件的升降机构相连，用于控制所述升降机构升降所述下电极组件的托盘以调节所述托盘与所述上电极板之间的距离。

17.如权利要求16所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述控制器还与所述加热器相连，用于控制所述加热器。

18.如权利要求14所述的化学气相沉积设备，其特征在于，当所述下电极组件的托盘为多个时，所述控制器对所述多个加热器分别单独控制。

19.如权利要求16所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述控制器还用于控制将所述载板传入和传出所述反应腔。

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