JP4628964B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板を支持台上に載置して処理する場合に、支持台に基板を搬入する技術および支持台から基板を搬出する技術に関する。

基板を支持台によって水平支持しつつ様々な処理を実行する基板処理装置が提案されている。このような基板処理装置においては、昇降する複数の支持ピンが設けられており、搬入された基板は、上昇した複数の支持ピン上に載置され、当該支持ピンが下降して支持台に埋没することによって支持台に載置される。また、処理が終了した基板は、支持ピンが上昇して支持台から上方に突出することによって、当該支持台から持ち上げられて搬出される。

このような構成によって支持台に基板を載置する場合、基板の裏面が水平状態となっていると、基板と支持台との間の雰囲気が適切に抜けず、一瞬基板が浮遊した状態となって基板の載置位置ずれを生じる場合がある。また、基板と支持台との間に雰囲気が滞留した状態となると、１枚の基板において、支持台に直接接触している部分と、支持台との間に雰囲気の層が形成されている部分とが生じるため、例えば熱伝導率が変化し、処理ムラを生じる場合がある。

また、支持台から基板を持ち上げる場合、基板を水平状態で(基板の全域を同時に）持ち上げようとすると、基板と支持台との間（特に中央部）に雰囲気が適切に流入しないため、基板が破損する場合がある。

したがって、基板の載置動作および持ち上げ動作を行う場合には、基板をわずかに撓ませつつ行うことが好ましい。すなわち、これらの動作を行う場合には、複数の支持ピンの上端位置が一部異なるようにすることが好ましい。

一方、基板に対して温調処理を行う加熱処理装置や冷却処理装置である場合、あるいは熱分布の影響を受けやすい薬液処理を行う装置（例えば塗布処理装置）である場合においては、支持台に支持されている基板の熱分布が均一であることが好ましい。そのためには、下降した複数の支持ピンの上端の高さ位置が互いに等しく、さらにそれらの高さ位置が支持台の保持面の高さ位置と等しい状態が好ましい。すなわち、処理される基板の裏面が支持ピンあるいは保持面に接した状態、もしくは、支持ピンと基板とが形成する隙間の空間容積が等しいことが好ましい。

上記の条件を同時に実現するためには、複数の支持ピンを独立して昇降させる必要がある。これを実現するための１つの手法として、独立した複数の駆動機構によって複数の支持ピンを昇降させることが考えられる。このような技術が、例えば特許文献１に記載されている。

また、複数の支持ピンを昇降させるリフトプレートを、所定の位置で複数の支持ピンの下端から離間させ、各支持ピンを支持台に支持させるとともに、保持面より下方に下降しないようにする技術が提案されている（特許文献２）。

特開平０８−２４１９１８号公報 特開２０００−２３７９８３号公報

ところが、上記特許文献１に記載されている技術では、複数の駆動機構を設けるため装置のコストが増大するという問題があった。

また、上記特許文献２に記載されている技術では、支持ピンがバネの付勢力によって基板の裏面に押しつけられているため、基板を支持台に支持する間、基板が浮遊しないように吸着する必要があるという問題があった。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板を処理する間、基板を支持台に適切に支持させるとともに、基板を支持台に載置したり、基板から取り上げたりする場合にも基板を適切に扱える機構を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、前記処理を実行する際に、基板を水平状態に支持する支持台と、前記支持台の上面に設けられた貫通孔に前記上面の裏面側から挿入され、前記上面の上方に突出することによって基板を支持する第１支持ピンおよび第２支持ピンと、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンを前記支持台に対して昇降自在に支持するピン支持機構と、前記ピン支持機構を介して、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンを、それぞれ上昇位置と下降位置との間で移動させる１つの駆動機構とを備え、前記第２支持ピンは、前記支持台に基板を載置する場合においては、前記第１支持ピンより先に前記下降位置に達する一方で、前記支持台に支持されている基板を上昇させる場合においては、前記第１支持ピンより遅れて前記上面の上方に突出し、前記ピン支持機構は、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンのいずれもが前記下降位置にある状態において、前記第１支持ピンの上端の高さ位置と前記第２支持ピンの上端の高さ位置とが、いずれも前記上面の高さ位置と等しくなるように、前記第１支持ピンの下端および前記第２支持ピンの下端をそれぞれ支持することを特徴とする。

また、前記ピン支持機構が、前記１つの駆動機構の駆動力を前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンに伝達する板部材と、前記第２支持ピンの下端を支持するかさ上げ部材と、前記第２支持ピンが前記下降位置にある状態において、前記かさ上げ部材を支持する固定部材とを備え、前記かさ上げ部材は、前記第２支持ピンが前記下降位置にない状態において、前記板部材に支持されることを特徴とする。

また、請求項２の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、前記処理を実行する際に、基板を水平状態に支持する支持台と、前記支持台の上面に設けられた貫通孔に前記上面の裏面側から挿入され、前記上面の上方に突出することによって基板を支持する第１支持ピンおよび第２支持ピンと、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンを前記支持台に対して昇降自在に支持するピン支持機構と、前記ピン支持機構を介して、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンを、それぞれ上昇位置と下降位置との間で移動させる１つの駆動機構とを備え、前記第２支持ピンは、前記支持台に基板を載置する場合においては、前記第１支持ピンより先に前記下降位置に達する一方で、前記支持台に支持されている基板を上昇させる場合においては、前記第１支持ピンより遅れて前記上面の上方に突出し、前記ピン支持機構は、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンのいずれもが前記下降位置にある状態において、前記第１支持ピンの上端の高さ位置と前記第２支持ピンの上端の高さ位置とが、いずれも前記上面の高さ位置と等しくなるように、前記第１支持ピンの下端および前記第２支持ピンの下端をそれぞれ支持し、前記ピン支持機構が、前記１つの駆動機構の駆動力を前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンに伝達する板部材と、前記第２支持ピンが前記下降位置にある状態において、前記板部材を貫通して前記第２支持ピンの下端を支持する固定部材とを備えることを特徴とする。

また、請求項３の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、前記処理を実行する際に、基板を水平状態に支持する支持台と、前記支持台の上面に設けられた貫通孔に前記上面の裏面側から挿入され、前記上面の上方に突出することによって基板を支持する第１支持ピンおよび第２支持ピンと、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンを前記支持台に対して昇降自在に支持するピン支持機構と、前記ピン支持機構を介して、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンを、それぞれ上昇位置と下降位置との間で移動させる１つの駆動機構とを備え、前記第２支持ピンは、前記支持台に基板を載置する場合においては、前記第１支持ピンより先に前記下降位置に達する一方で、前記支持台に支持されている基板を上昇させる場合においては、前記第１支持ピンより遅れて前記上面の上方に突出し、前記ピン支持機構は、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンのいずれもが前記下降位置にある状態において、前記第１支持ピンの上端の高さ位置と前記第２支持ピンの上端の高さ位置とが、いずれも前記上面の高さ位置と等しくなるように、前記第１支持ピンの下端および前記第２支持ピンの下端をそれぞれ支持し、前記ピン支持機構が、前記１つの駆動機構の駆動力を前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンに伝達する板部材と、前記第２支持ピンが前記下降位置にある状態において、前記第２支持ピンの下端を支持する固定部材とを備え、前記第２支持ピンが、前記下降位置にない状態において、前記板部材に支持される支持部を有することを特徴とする。

請求項１ないし３記載の発明では、第２支持ピンは、支持台に基板を載置する場合においては、第１支持ピンより先に下降位置に達する一方で、支持台に支持されている基板を上昇させる場合においては、第１支持ピンより遅れて上面の上方に突出し、ピン支持機構は、第１支持ピンおよび第２支持ピンのいずれもが下降位置にある状態において、第１支持ピンの上端の高さ位置と第２支持ピンの上端の高さ位置とが、いずれも上面の高さ位置と等しくなるように、第１支持ピンの下端および第２支持ピンの下端をそれぞれ支持することにより、支持台に支持されている基板に、第１支持ピンおよび第２支持ピンを押しつける必要がない。すなわち、基板に作用する力が抑制されるため、基板の割れを抑制することができる。

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。

＜１． 第１の実施の形態＞
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置１の概略を示す斜視図である。なお、図１において、図示および説明の都合上、Ｚ軸方向が鉛直方向を表し、ＸＹ平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。

基板処理装置１は、本体２と制御部８とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板（以下、単に「基板」と称する）９０としており、基板９０の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板９０の表面に処理液としてのレジスト液を塗布する塗布処理装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル４１はレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置１は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液を塗布する装置として変形利用することもできる。

本体２は、基板９０を載置して保持するための支持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ３を備える。ステージ３は直方体形状を有する例えば一体の石製であり、その上面（保持面３０）および側面は平坦面に加工されている。

ステージ３の上面は水平面とされており、基板９０を略水平状態で支持する保持面３０となっている。保持面３０には図示しない多数の真空吸着口が分布して形成されており、基板９０を保持面３０に載置する際などに、基板９０を吸着して所定の水平位置に保持する。なお、本実施の形態における基板処理装置１では、一旦、基板９０を保持した後は吸着を停止するようにしているが詳細は後述する。

保持面３０のうち基板９０の保持エリア（基板９０が保持される領域）を挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール３１が固設される。走行レール３１は、架橋構造４の両端部の最下方に固設される図示しない支持ブロックとともに、架橋構造４の移動を案内（移動方向を所定の方向に規定）し、架橋構造４を保持面３０の上方に支持するリニアガイドを構成する。

本体２の保持面３０において、保持エリアの（−Ｘ）方向側には、開口３２が設けられている。開口３２はスリットノズル４１と同じくＹ軸方向に長手方向を有し、かつ該長手方向長さはスリットノズル４１の長手方向長さとほぼ同じである。

図１においては図示を省略しているが、開口３２の下方の本体２の内部には、スリットノズル４１の状態を正常化するための予備塗布機構や、待機中のスリットノズル４１の乾燥を抑制するための待機ポッドなどが設けられている。待機ポットは、レジスト用ポンプ（図示せず）からレジスト液が排出される際にも使用される。

ステージ３の上方には、このステージ３の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造４が設けられている。架橋構造４は、例えばカーボンファイバ補強樹脂を骨材とするノズル支持部４０と、その両端を支持する昇降機構４３，４４とから主に構成される。

ノズル支持部４０には、スリットノズル４１が取り付けられている。図１においてＹ軸方向に長手方向を有するスリットノズル４１には、スリットノズル４１へレジスト液を供給するレジスト供給機構（図示せず）が接続されている。

スリットノズル４１は、基板９０の表面を走査しつつ、供給されたレジスト液を基板９０の表面の所定の領域（以下、「レジスト塗布領域」と称する。）に吐出することにより、基板９０にレジスト液を塗布する。なお、レジスト塗布領域とは、基板９０の表面のうちでレジスト液を塗布しようとする領域であって、通常、基板９０の全面積から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。

昇降機構４３，４４は、スリットノズル４１の両側に分かれて、ノズル支持部４０によりスリットノズル４１と連結されている。昇降機構４３，４４は主にＡＣサーボモータ４３ａ，４４ａおよび図示しないボールネジからなり、制御部８からの制御信号に基づいて、架橋構造４の昇降駆動力（Ｚ軸方向の駆動力）を生成する。これにより、昇降機構４３，４４は、スリットノズル４１を並進的に昇降させる。また、昇降機構４３，４４は、スリットノズル４１のＹＺ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。

架橋構造４の両端部には、ステージ３の両側の縁側に沿って、それぞれ固定子（ステータ）５０ａと移動子５０ｂおよび固定子５１ａと移動子５１ｂを備える一対のＡＣコアレスリニアモータ（以下、単に、「リニアモータ」と略する。）５０，５１が、それぞれ固設される。

また、架橋構造４の両端部には、それぞれスケール部と検出子とを備えたリニアエンコーダ５２，５３が、それぞれ固設される。リニアエンコーダ５２，５３は、リニアモータ５０，５１の位置を検出する。これらリニアモータ５０，５１とリニアエンコーダ５２，５３とが主として、架橋構造４が走行レール３１に案内されつつステージ３上を移動するための移動機構を構成する。

制御部８は、リニアエンコーダ５２，５３からの検出結果に基づいてリニアモータ５０，５１の動作を制御し、ステージ３上における架橋構造４の移動、つまりはスリットノズル４１による基板９０の走査を制御する。

制御部８は、プログラムに従って各種データを処理する演算部８０、プログラムや各種データを保存する記憶部８１を内部に備える。また、前面には、オペレータが基板処理装置１に対して必要な指示を入力するための操作部８２、および各種データを表示する表示部８３を備える。

制御部８は、図１においては図示しないケーブルにより本体２に付属する各機構と電気的に接続されている。制御部８の演算部８０は、操作部８２からの入力信号や、図示しない各種センサなどからの信号に基づいて、スリットノズル４１へのレジスト液の供給動作や、昇降機構４３，４４による昇降動作、リニアモータ５０，５１によるスリットノズル４１の走査動作を制御する。

なお、制御部８の構成のうち、記憶部８１の具体的例としては、データを一時的に記憶するＲＡＭ、読み取り専用のＲＯＭ、および磁気ディスク装置などが該当する。ただし、記憶部８１は、可搬性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、およびそれらの読み取り装置により代用されてもよい。また、操作部８２には、ボタンおよびスイッチ類（キーボードやマウスなどを含む。）などが該当するが、タッチパネルディスプレイのように表示部８３の機能を兼ね備えたものであってもよい。表示部８３には、液晶ディスプレイや各種ランプなどが該当する。

図２は、第１の実施の形態におけるピン支持機構３５が第１支持ピン３３および第２支持ピン３４を上昇位置に支持する様子を示す図である。また、図３は、ピン支持機構３５が第１支持ピン３３および第２支持ピン３４を上昇位置に支持する様子を示す図である。なお、図２および図３において、ステージ３およびリフトプレート３５１を断面で示している。

第１支持ピン３３および第２支持ピン３４は、図２に示すように、ステージ３の上面に設けられた貫通孔３００に保持面３０の裏面側（−Ｚ方向）から挿入され、保持面３０の上方に突出することによって基板９０を支持する。また、図２から明らかなように、基板処理装置１は、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４の上端部が基板９０の裏面にそれぞれ当接することによって、基板９０を（−Ｚ）方向から支持する機能を備えている。

図３に示すように、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４は、下降位置（最も低い位置）に移動した状態でも、その上端が貫通孔３００に挿入された状態となる。すなわち、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４は、ピン支持機構３５および駆動機構３６によって昇降しても貫通孔３００から抜けることはない。したがって、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４のＸＹ平面における位置は、貫通孔３００によってほぼ規定される。これにより、基板処理装置１では、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４を他の部材を用いて固定する必要がなく、Ｚ軸に平行な軸を中心に回転自在に支持することができる。したがって、例えば、昇降動作において、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４にかかる外力を抑制することができる。

また、本実施の形態における基板処理装置１では、第１支持ピン３３の方が第２支持ピン３４よりも上下方向に長い寸法のものを用いている。

なお、図２において、２つの第１支持ピン３３と、１つの第２支持ピン３４とを図示しているが、もちろんピンの数はこれに限られるものではなく、保持面３０に対して適当な数が分布するように配置される。また、本実施の形態では第１支持ピン３３が基板９０の周辺部を保持し、第２支持ピン３４が基板９０の中央部を保持する例を示すが、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４の配置位置はこれに限られるものではない。

ピン支持機構３５は、ステージ３に対して固定される板状の固定プレート３５０と、駆動機構３６によってＺ軸方向に昇降する板状のリフトプレート３５１とを備え、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４をステージ３に対して昇降自在に支持する。

リフトプレート３５１は、摺接板３５２，３５３およびかさ上げ部材３５４を備え、送りナット３６２と固設されている。摺接板３５２は第１支持ピン３３と当接する面が略水平面となっており、第１支持ピン３３の下端を摺接支持する。すなわち、摺接板３５２の位置によって、第１支持ピン３３の下端は（−Ｚ）方向には規定されるが、Ｘ軸およびＹ軸方向には摺動可能となっている。

摺接板３５３には貫通孔が設けられており、当該貫通孔には（＋Ｚ）方向からかさ上げ部材３５４の下部が挿入されている。かさ上げ部材３５４の上部の水平方向断面積は、摺接板３５３の貫通孔の開口断面積より広く、かさ上げ部材３５４が下方に抜けないようになっている。つまり、摺接板３５３は、かさ上げ部材３５４を所定の範囲で昇降自在に支持している。

かさ上げ部材３５４は、図２に示すように、下端が固定プレート３５０から離間している間は、上部が摺接板３５３によって支持される。一方、図３に示すように、かさ上げ部材３５４の下端が固定プレート３５０に当接すると、上部は摺接板３５３から離間し、かさ上げ部材３５４は固定プレート３５０によって摺接支持される。すなわち、かさ上げ部材３５４は、固定プレート３５０やリフトプレート３５１（摺接板３５３）に支持されることによって、Ｚ軸方向の位置が決定されている。

図２および図３に示すように、第２支持ピン３４の下端は、かさ上げ部材３５４の上部上面に常に当接する。このように第２支持ピン３４は、かさ上げ部材３５４によって（−Ｚ）方向には規定される。ただし、かさ上げ部材３５４と第２支持ピンとの間は、Ｘ軸およびＹ軸方向には摺動可能となっている。

また、基板処理装置１では、かさ上げ部材３５４のＺ軸方向の寸法と、第２支持ピン３４のＺ軸方向の寸法とを合わせると、固定プレート３５０の上面からステージ３の保持面３０までの距離となるように設計されている。

駆動機構３６は、１つの回転モータ３６０によって駆動力を生成する機構であって、駆動軸３６１を回転させることによって、駆動軸３６１に螺合した送りナット３６２が駆動軸３６１に沿って移動する機構となっている。送りナット３６２にはリフトプレート３５１が固設されており、送りナット３６２の移動に連動してリフトプレート３５１がＺ軸方向に昇降する。

すなわち、駆動機構３６は、一般的なボールネジを用いた直動駆動機構であり、ピン支持機構３５（リフトプレート３５１）を介して、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４を、それぞれ上昇位置（図２）と、下降位置（図３）との間で移動させる。なお、駆動機構３６としては、他の周知の機構が用いられてもよい。例えば、シリンダを用いた機構であってもよい。また、図示を省略しているが、回転モータ３６０は制御部８に接続されており、制御部８からの制御信号によって回転方向および回転速度が制御可能とされている。

図２および図３を用いて、基板処理装置１がステージ３の保持面３０に基板９０を載置する場合と、保持面３０に保持されている基板９０を取り上げる場合とを説明する。

ここでは、上昇位置における第１支持ピン３３の上端の高さ位置を「高さ位置Ａ」、上昇位置における第２支持ピン３４の上端の高さ位置を「高さ位置Ｂ」と称する。また、保持面３０の高さ位置を「高さ位置Ｃ」と称する。図２に示すように、高さ位置Ａは高さ位置Ｂよりも（＋Ｚ）側となっており、第１支持ピン３３の上昇位置よりも第２支持ピン３４の上昇位置の方が低く設定されている。

基板処理装置１は、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４をそれぞれの上昇位置まで上昇させた状態（図２の状態）で基板９０を受け取る。具体的には、装置外の搬送装置が上昇位置にある第１支持ピン３３の上端および第２支持ピン３４上端に基板９０を受け渡す。

先述のように、上昇位置にある第１支持ピン３３と、上昇位置にある第２支持ピンとでは、上端の高さ位置が異なっている。そのため、図２に示すように、基板９０は中央部が下向きに撓んだ状態でステージ３の上方に支持されることとなる。なお、本実施の形態においては、高さ位置Ａと高さ位置Ｂとの高低差は１ｍｍ程度に設定されている。しかし、基板９０と保持面３０との間の雰囲気の出入りがスムーズで、かつ、基板９０にかかる曲げ応力が過大とならない程度であれば、高さ位置Ａと高さ位置Ｂとの高低差はこれに限られるものではない。

搬入された基板９０を保持面３０に載置するため、制御部８は、駆動機構３６の回転モータ３６０の回転を開始させ、図２に示す状態から、リフトプレート３５１の下降を開始させる。これによって、第１支持ピン３３の下端を支持する摺接板３５２が下降するので、第１支持ピン３３が下降を開始する。また、第２支持ピン３４の下端を支持するかさ上げ部材３５４も摺接板３５３の下降に伴って下降するので、第２支持ピン３４も下降を開始する。

すなわち、かさ上げ部材３５４の下端が固定プレート３５０に当接するまでの間は、第１支持ピン３３の上端と、第２支持ピン３４の上端との相対位置は変化することなく下降を続け、基板９０は図２に示す姿勢のままで下降する。また、ステージ３に基板９０を載置する場合において、リフトプレート３５１が下降すると、第２支持ピン３４は、第１支持ピン３３より先に下降位置（上端が「高さ位置Ｃ」となる位置）に達する。

リフトプレート３５１が下降して、第２支持ピン３４の上端が保持面３０の高さ位置（高さ位置Ｃ）まで下降すると、第２支持ピン３４に支持された基板９０の中央部が保持面３０に載置される。このとき、第１支持ピン３３の上端は第２支持ピン３４の上端より高い位置にあるので、基板９０の周辺部はまだ保持面３０に載置されていない。すなわち、基板９０は中央部が周辺部より先に保持面３０に載置される。

第２支持ピン３４の上端が高さ位置Ｃまで下降した状態では、かさ上げ部材３５４の下端が、固定プレート３５０の上面に当接する。かさ上げ部材３５４は固定プレート３５０に支持された状態では下降しないので、この状態からさらにリフトプレート３５１が下降しても、第２支持ピン３４は下降せず、第２支持ピン３４の上端の高さ位置は高さ位置Ｃに維持される。すなわち、第１支持ピン３３より先に下降位置に到達した第２支持ピン３４は、駆動機構３６が停止しなくても、その位置で停止することとなる。

これにより、基板９０と第２支持ピン３４の上端部とは当接したままの状態となり、第２支持ピン３４と基板９０との間に雰囲気の層が形成されない。

さらにリフトプレート３５１が下降して、第１支持ピン３３の上端が保持面３０の高さ位置まで下降すると、制御部８は、駆動機構３６を停止してリフトプレート３５１の下降を停止する。このとき、第１支持ピン３３の上端および第２支持ピン３４の上端は、ともに高さ位置Ｃとなる。したがって、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４のいずれも保持面３０の上方に突出しない状態となるので、基板９０は図３に示すように略水平姿勢で保持面３０に支持される。すなわち、基板９０の周辺部が中央部におくれて保持面３０に支持される。

このように、基板処理装置１では、基板９０が中央部から周辺部に向かって、順次、保持面３０に支持されるため、基板９０と保持面３０との間の雰囲気が周辺部に向かって適切に排気される。これによって、基板９０の中央部裏面に雰囲気の滞留が生じないので、基板９０の浮遊状態が生じない。したがって、基板９０を保持面３０に位置決め精度よく載置することができる。

なお、本実施の形態における基板処理装置１では、第２支持ピン３４が下降位置に到達する直前に、保持面３０に設けられた吸着口からの吸引を開始する。これによっても、基板９０と保持面３０との間の雰囲気が良好に排気されるため、さらに基板９０の位置決め精度を向上させることができる。

図３に示すように、ピン支持機構３５は、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４のいずれもが下降位置にある状態において、第１支持ピン３３の上端の高さ位置と第２支持ピン３４の上端の高さ位置とが、いずれも保持面３０の高さ位置とほぼ等しくなるように、第１支持ピン３３の下端および第２支持ピン３４の下端をそれぞれ支持する。これにより、基板９０が保持面３０に支持されている状態において、第１支持ピン３３の上端および第２支持ピン３４の上端はいずれも基板９０に当接しており、基板９０との間に雰囲気の層が形成されない。したがって、基板処理装置１は、処理中の基板９０の温度ムラを低減することができる。

また、ピン支持機構３５は、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４の下端を支持することにより、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４を保持面３０に支持された基板９０の裏面に当接させる。このような構造によって、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４を（＋Ｚ）方向に付勢することがなく、処理中の基板９０に（＋Ｚ）方向の外力を作用させる必要がない。したがって、基板９０を（−Ｚ）方向に吸着する必要がない。そのため、基板処理装置１は、基板９０が完全に保持面３０に載置された後に、吸引による基板９０の吸着を停止することができ、基板９０にかかる局所的な応力を抑制することができる。したがって、基板の破損をさらに効果的に防止することができる。

また、基板９０を吸着保持するためには、吸着口の開口寸法をある程度大きくする必要がある。この場合、基板９０の裏面のうち吸着口の位置にある部分は、雰囲気の層に当たることになるので、基板９０の温度ムラを誘発する原因となる。

しかし、基板処理装置１は、基板９０を載置する際に、基板９０と保持面３０との間の雰囲気を排気するためだけの吸引なので、吸引口の開口寸法を比較的小さくでき、基板９０の温度ムラを低減することができる。

このようにして、基板９０が保持面３０の所定の位置に保持されると、基板処理装置１は、スリットノズル４１からレジスト液を吐出しつつ、基板９０の表面を走査して、レジスト液を基板９０の表面に塗布する。すなわち、塗布処理が実行される。

次に、塗布処理が終了して、ステージ３に支持されている基板９０を上昇させる場合（基板９０を保持面３０から取り上げる場合）について説明する。

まず、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４のいずれもが下降位置にある状態（図３に示す状態）から、駆動機構３６がリフトプレート３５１を上昇させる。これにより、摺接板３５２，３５３はただちに上昇を開始し、摺接板３５２に支持された第１支持ピン３３は、ただちに上昇を開始する。一方、摺接板３５３の上面はかさ上げ部材３５４の上部と離間しているため、かさ上げ部材３５４はただちに上昇することはなく、その間、第２支持ピン３４は上昇しない。

したがって、上昇動作の開始時には、基板９０は第１支持ピン３３によってのみ上昇する。つまり、基板９０の取り上げ動作の初期においては、第１支持ピン３３によって支持される基板９０の周辺部のみが持ち上げられ、第２支持ピン３４によって支持される中央部は保持面３０と接したままの状態となる。

基板９０を保持面３０から取り上げる際には、基板９０とステージ３との間に隙間空間が形成される。この隙間空間は雰囲気が充分に流入するまでは低圧状態であるため、基板９０は表面側から（−Ｚ）方向に大気圧による荷重がかかった状態となる。この状態で無理に基板９０をピンで押し上げると、基板９０が破損するおそれがある。しかし、隙間空間への雰囲気の流入は基板９０の周辺部から起こるので、基板９０の周辺部は、中央部に比べて裏面に雰囲気が回り込みやすい部分である。したがって、基板９０の周辺部は中央部に比べて安全に持ち上げることができる。

リフトプレート３５１がさらに上昇して、摺接板３５３の上面がかさ上げ部材３５４に当接すると、以後、かさ上げ部材３５４はリフトプレート３５１と一体的に上昇する。これにより、第２支持ピン３４が上昇を開始する。すなわち、第２支持ピン３４は、第１支持ピン３３より遅れて保持面３０の上方に突出する。

このように基板処理装置１は、第１支持ピン３３の上昇開始と、第２支持ピン３４の上昇開始との間にタイムラグを設けることによって、ステージ３との間に雰囲気が流入しやすい部分から順次上昇させることができる。基板９０の周辺部の裏面に充分な雰囲気が流入してからであれば、中央部を持ち上げても負荷は少ない。したがって、基板処理装置１は、基板９０を取り上げる際に基板９０にかかる力を抑制することができるため、基板９０の破損を防止することができる。

以上のように、第１の実施の形態における基板処理装置１は、基板９０をステージ３の保持面３０に載置する際には、基板９０の中央部から先に保持面３０に載置するため、基板９０が浮遊することによる位置ずれの発生を抑制することができる。

また、処理中の基板９０の裏面に第１支持ピン３３の上端および第２支持ピン３４の上端が当接するので、ピンと基板９０の裏面との間に空間が形成される場合に比べて、基板９０の温度ムラを抑制することができる。したがって、塗布処理の精度が向上する。

また、第１支持ピン３３の下端および第２支持ピン３４の下端を支持することにより、処理中の基板９０に向けて第１支持ピン３３および第２支持ピンを付勢する必要がない。すなわち、処理中の基板９０に対して、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４から無用な外力が与えられることがない。したがって、基板９０を吸着する必要がなく、基板９０にかかる外力を抑制することができるので、基板９０の破損を防止することができる。

また、塗布処理が終了した基板９０を保持面３０から取り上げる際には、基板９０の周辺部から持ち上げることにより、基板９０の破損を抑制することができる。

さらに、基板９０の昇降動作を１つの駆動機構３６（回転モータ３６０）で実現しているので、装置コストの増大を抑制することができる。

＜２． 第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、第２支持ピン３４とかさ上げ部材３５４とが異なる部材で形成されている例について説明したが、第２支持ピン３４とかさ上げ部材３５４とは別部材でなくてもよい。

図４は、第２の実施の形態における基板処理装置１ａのピン支持機構３５ａが、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４ａを上昇位置に支持する様子を示す図である。また、図５は、ピン支持機構３５ａが第１支持ピン３３および第２支持ピン３４ａを下降位置に支持する様子を示す図である。なお、基板処理装置１ａの構成のうち、第１の実施の形態における基板処理装置１と同様の構成は同符号を付し、適宜説明を省略する。以下の実施の形態においても同様である。

第２の実施の形態における第２支持ピン３４ａは、第１の実施の形態における第２支持ピン３４と同様に、基板９０の中央部を支持するピンであるが、軸部の途中にリング部材３４０を備えている点が異なっている。このリング部材３４０の中央部にＺ軸方向に沿って設けられた孔には、第２支持ピン３４ａの軸部が挿入されている。リング部材３４０は、側面方向から押しネジによって第２支持ピン３４ａの軸部の所定の位置に固定されている。

なお、リング部材３４０は、第２支持ピン３４ａの軸部と一体の部材として形成されてもよい。また、本実施の形態においては、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４ａの上端は、略平坦なパッド状となっているが、もちろん第１の実施の形態と同様に緩やかに尖った形状であってもよい。

第２の実施の形態におけるピン支持機構３５ａは、駆動機構３６によって昇降するリフトプレート３５１ａを備えている。リフトプレート３５１ａは、上面によって直接、第１支持ピン３３の下端を支持するとともに、ＸＹ平面上において第２支持ピン３４ａの下端位置に貫通孔３５１ｂが設けられている。この貫通孔３５１ｂによって、第２支持ピン３４ａの下端部はリフトプレート３５１ａを貫通して、（−Ｚ）方向に突出している。

第２支持ピン３４ａは、リング部材３４０がリフトプレート３５１ａに支持されることによってリフトプレート３５１ａと一体的に昇降する。一方、第２支持ピン３４ａが下端位置にある状態（上端が高さ位置Ｃにある状態）では、第２支持ピン３４ａの下端が固定プレート３５０によって直接支持される。そして、第２支持ピン３４ａは固定プレート３５０に支持されている状態では昇降しない。

すなわち、第２の実施の形態における基板処理装置１ａでは、第１の実施の形態における第２支持ピン３４とかさ上げ部材３５４とが互いに固設された状態とほぼ同様の構造を備えている。

以上のような構造を有する第２の実施の形態における基板処理装置１ａにおいても、第１の実施の形態における基板処理装置１とほぼ同様の効果を得ることができる。

＜３． 第３の実施の形態＞
第１の実施の形態では、かさ上げ部材３５４が固定プレート３５０と別部材で構成されており、上昇位置においてかさ上げ部材３５４が固定プレート３５０と離間する例について説明したが、かさ上げ部材３５４の機能を固定プレート３５０が備えていてもよい。

図６は、第３の実施の形態における基板処理装置１ｂのピン支持機構３５ｂが、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４ｂを上昇位置に支持する様子を示す図である。また、図７は、ピン支持機構３５ｂが第１支持ピン３３および第２支持ピン３４ｂを下降位置に支持する様子を示す図である。

第３の実施の形態におけるピン支持機構３５ｂは、ピン状のかさ上げ部３５０ｂが形成された固定プレート３５０ａを備えている。かさ上げ部３５０ｂは固定プレート３５０ａの上面に突出した形状で形成されており、上端が緩やかに尖った形状を有している。

第２の実施の形態のリフトプレート３５１ａには、貫通孔３５１ｂが形成されており第２支持ピン３４ａが挿入されていたが、第３の実施の形態のリフトプレート３５１ａの貫通孔３５１ｂにはかさ上げ部３５０ｂが挿入される。

第３の実施の形態における第２支持ピン３４ｂは、下端に摺接部３４１が設けられている。摺接部３４１は貫通孔３５１ｂの開口面積よりも広い断面積を有しているため、第２支持ピン３４ｂは下降位置よりも高い位置に配置されている状態（図６）では、摺接部３４１がリフトプレート３５１ａに支持されることによって支持される。

一方、第２支持ピン３４ｂの上端が高さ位置Ｃにある状態では、摺接部３４１の裏面にかさ上げ部３５０ｂの先端が当接し、第２支持ピン３４ｂは固定プレート３５０ａによって支持される。そして、上記実施の形態と同様に、第２支持ピン３４ｂが固定プレート３５０ａによって支持される状態では、リフトプレート３５１ａが昇降しても、第２支持ピン３４ｂは昇降しない。

以上のように、第３の実施の形態における基板処理装置１ｂも上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。

＜４． 第４の実施の形態＞
上記実施の形態では、固定プレート３５０（３５０ａ）によって下端位置の第２支持ピン３４（３４ａ，３４ｂ）を支持する例を説明したが、このような構造に限られるものではない。

図８は、第４の実施の形態における基板処理装置１ｃのピン支持機構３５ｃが、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４を上昇位置に支持する様子を示す図である。また、図９は、第４の実施の形態において、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４が上昇位置と下降位置との間で移動している中間状態を示す図である。また、図１０は、ピン支持機構３５ｃが第１支持ピン３３および第２支持ピン３４を下降位置に支持する様子を示す図である。

基板処理装置１ｃのピン支持機構３５ｃは、駆動機構３６ａによって駆動されるリフトプレート３５１ｃを備えているが、上記実施の形態における固定プレート３５０に相当する構造を備えていない。

リフトプレート３５１ｃの上面には、第１支持ピン３３の下端を支持する摺接板３５２ａと、第２支持ピン３４の下端を支持する摺接板３５３ａとが固設されている。また、リフトプレート３５１ｃの（＋Ｙ）側の端部には駆動機構３６ａのリンク部材３６４が固定されている。

摺接板３５２ａは、リフトプレート３５１ｃと一体的に移動し、上面が平坦な略水平面となっている。したがって、リフトプレート３５１ｃがＹ軸方向に移動しても、第１支持ピン３３の上端の位置は変化しない。なお、摺接板３５２ａは、第１の実施の形態における摺接板３５２と同様の構造であってもよい。また、第２の実施の形態と同様にリフトプレート３５１ｃの上面が直接第１支持ピン３３を支持する構造でもよい。

摺接板３５３ａは、リフトプレート３５１ｃと一体的に移動し、その上面は上段面３５３ｂ、斜面３５３ｃおよび下段面３５３ｄによって形成されている。上段面３５３ｂと下段面３５３ｄとは、互いに高さ位置が異なる略水平面であり、その高低差は、「高さ位置Ａ」と「高さ位置Ｂ」との高低差にほぼ等しくなるように形成されている。また、斜面３５３ｃは（＋Ｙ）方向に向かって徐々に高さ位置が低くなっており、その傾きは後述する溝３６６ｂの傾きとほぼ等しい。また、斜面３５３ｃの（−Ｙ）側は上段面３５３ｂと滑らかに連続しており、（＋Ｙ）側は下段面３５３ｄと滑らかに連続している。

なお、図８ないし図１０から明らかなように、本実施の形態における基板処理装置１ｃでは、第１支持ピン３３の下端のみならず、第２支持ピン３４の下端も常に摺接支持される。したがって、第１・第２の実施の形態と同様に、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４にかかる外力を抑制することができる。

駆動機構３６ａは、エアシリンダ３６０ａの他に、シリンダロッド３６３、リンク部材３６４、カムフォロアー３６５および溝カム３６６を備えている。

シリンダロッド３６３はＺ軸方向に伸縮することによって、リンク部材３６４にＺ軸方向の駆動力を伝達する。

シリンダロッド３６３の上端部は、リンク部材３６４に設けられたＹ軸方向に沿って延びる図示しない長穴に係合しており、いわゆる長穴取付されている。これにより、シリンダロッド３６３の昇降動作に応じて、シリンダロッド３６３の上端部とリンク部材３６４とのＹ軸方向の相対位置は変化するが、Ｚ軸方向の相対位置は変化しない構造となっている。

すなわち、シリンダロッド３６３のＺ軸方向の昇降距離（伸縮距離）は、そのままリンク部材３６４（リフトプレート３５１ｃ）のＺ軸方向の昇降距離となる。一方、シリンダロッド３６３のＹ軸方向の位置はほぼ固定されており、リフトプレート３５１ｃがＹ軸方向に移動しても、シリンダロッド３６３はＹ軸方向に連動して移動することはない。

リンク部材３６４は、（−Ｙ）側の端部がリフトプレート３５１ｃに固定されており、（＋Ｙ）側の端部にカムフォロアー３６５が取り付けられている。溝カム３６６には、Ｚ軸方向に沿って形成される溝３６６ａと、Ｚ軸に対して斜面３５３ｃと同じ傾きをもって形成される溝３６６ｂとが設けられており、図８ないし図１０に示すように、溝３６６ａおよび溝３６６ｂは連通している。溝３６６ａおよび溝３６６ｂにはカムフォロアー３６５がはめ込まれる。

このような構造により、カムフォロアー３６５の移動方向は、溝カム３６６によって（溝３６６ａおよび溝３６６ｂの形状によって）規定される。また、カムフォロアー３６５の移動方向はリフトプレート３５１ｃの移動方向となる。したがって、カムフォロアー３６５が溝３６６ａを移動する間、リフトプレート３５１ｃはＺ軸方向にのみ移動する。一方、カムフォロアー３６５が溝３６６ｂを移動する間、リフトプレート３５１ｃはＺ軸方向のみならずＹ軸方向にも移動する。

第１支持ピン３３および第２支持ピン３４は、いずれも貫通孔３００によってＸＹ方向における位置が規定されているため、リフトプレート３５１ｃがＹ軸方向に移動すると、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４と、リフトプレート３５１ｃとの相対位置が移動する。

本実施の形態におけるピン支持機構３５ｃでは、摺接板３５２ａの上面は略水平面であるので、リフトプレート３５１ｃがＹ軸方向に移動しても、第１支持ピン３３はその影響を受けない。すなわち、シリンダロッド３６３のＺ軸方向の移動がそのまま第１支持ピン３３の昇降動作となり、第１支持ピン３３については溝カム３６６による影響はない。

以上のような構造によって、第４の実施の形態における基板処理装置１ｃが基板９０をステージ３に載置する場合の動作を説明する。

図８に示すように、シリンダロッド３６３が最も（＋Ｚ）方向に移動した状態が本実施の形態における上昇位置となる。このとき、第２支持ピン３４の下端は、摺接板３５３ａの下段面３５３ｄによって支持されており、第１支持ピン３３の下端の高さ位置と、第２支持ピン３４の下端の高さ位置とはほぼ同じである。

第２支持ピン３４は、第１支持ピン３３よりもＺ軸方向の寸法が短いので、その分上昇位置において第２支持ピン３４の上端の高さ位置Ｂは、第１支持ピン３３の上端の高さ位置Ａより低くなっている。本実施の形態においても、第１支持ピン３３は周辺部に配置され、第２支持ピン３４は中央部に配置されているので、上昇位置において基板９０は中央部が低く撓んだ状態で支持される。

図８に示す状態から、駆動機構３６ａはシリンダロッド３６３を（−Ｚ）方向に移動させることによって、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４によって支持した基板９０を保持面３０に載置する。シリンダロッド３６３が上昇位置から下降を開始した時点では、カムフォロアー３６５は溝３６６ａに沿って移動する。溝３６６ａはＺ軸に沿って設けられているので、この間（下降動作の初期）において、リフトプレート３５１ｃは（−Ｚ）方向にのみ移動する。

このようにリフトプレート３５１ｃがＺ軸方向にのみ移動する間、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４と、ピン支持機構３５ｃとの相対位置は変化しない。したがって、基板９０は図８に示す姿勢のまま下降する。

このように、第４の実施の形態における基板処理装置１ｃでは、摺接板３５２ａの上面および摺接板３５３ａの上面（上段面３５３ｂ、斜面３５３ｃおよび下段面３５３ｄ）の傾斜形状は、ステージ３に基板９０を載置する場合において、第２支持ピン３４が第１支持ピン３３より先に下降位置に達するように形成されている（図９）。

これにより、本実施の形態においても基板９０は中央部（第２支持ピン３４に支持されている部分）から先に保持面３０上に載置される。したがって、基板９０の裏面の雰囲気の流出が適切に行われる。

シリンダロッド３６３が下降を続け、カムフォロアー３６５が溝３６６ａの下端に到達すると、以後、カムフォロアー３６５は溝３６６ｂに沿って移動する（図７）。溝３６６ｂは、前述のように、Ｚ軸に対して傾いた形状となるように形成されている。したがって、シリンダロッド３６３が下降することによって、カムフォロアー３６５が溝３６６ｂに沿って移動するとき、リフトプレート３５１ｃは（−Ｚ）方向のみならず、溝３６６ｂの傾きに応じて（＋Ｙ）方向にも移動する。

カムフォロアー３６５が溝３６６ｂに沿って移動する際のＹ軸方向の移動距離は、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４と、ピン支持機構３５ｂとのＹ軸方向の相対的な移動距離となる。

摺接板３５２ａの上面は略水平面であるため、この上面のどの位置で第１支持ピン３３の下端を支持したとしても、第１支持ピン３３の上端の高さ位置は変化しない。すなわち、第１支持ピン３３が摺接板３５２ａの上面によって支持されている限り、リフトプレート３５１ｃのＹ軸方向の移動は、第１支持ピン３３の上端の高さ位置に影響を与えない。したがって、カムフォロアー３６５が溝３６６ｂを移動する間も、第１支持ピン３３の上端の高さ位置は、シリンダロッド３６３の昇降距離だけ変化する。

摺接板３５３ａの下段面３５３ｄは略水平面である。したがって、第１支持ピン３３と同様に、第２支持ピン３４についても下段面３５３ｄに支持されている間、第２支持ピン３４の上端の高さ位置は、シリンダロッド３６３の昇降距離だけ変化する。

塗布処理における基板９０の温度ムラを抑制するためには、第２支持ピン３４の上端が基板９０の裏面に接していることが好ましいので、一旦、第２支持ピン３４の上端が保持面３０の高さ位置Ｃまで下降した後は、第２支持ピン３４の下降を停止する必要がある。

本実施の形態では、第２支持ピン３４が下降位置まで下降した時点で、第２支持ピン３４を支持する位置が下段面３５３ｄの斜面３５３ｃ側端部となるように、溝３６６ｂの形状が設計されている。これは逆に言えば、溝３６６ｂの形状（第２支持ピン３４が下降位置まで下降した時点におけるカムフォロアー３６５の位置）に応じて、摺接板３５３ａの形状（ここでは主に下段面３５３ｄの形状）が設計されているとも言える。

駆動機構３６ａは、第２支持ピン３４が下降位置まで下降した後も、第１支持ピン３３を下降位置まで下降させるために、シリンダロッド３６３をそのまま下降させる。これによって、カムフォロアー３６５は溝３６６ｂに沿ってさらに移動を続け、リフトプレート３５１ｃは（−Ｚ）方向に移動しつつ、（＋Ｙ）方向にも移動する。

この間において、第２支持ピン３４の下端を支持する位置は、リフトプレート３５１ｃの（＋Ｙ）方向の移動に伴って、斜面３５３ｃ上を（−Ｙ）方向に移動する。すなわち、リフトプレート３５１ｃはシリンダロッド３６３の下降距離だけ（−Ｚ）方向に移動するが、その下降距離分だけ摺接板３５３ａの厚みが増すことになり、第２支持ピン３４の下端の高さ位置は変化しない状態となる。すなわち、溝３６６ｂの傾きと、斜面３５３ｃの傾きが略同一とされていることによって、第２支持ピン３４の上端位置が「高さ位置Ｃ」に維持されることとなる。

なお、斜面３５３ｃの傾きと溝３６６ｂの傾きとが等しくなるようにそれらの形状が決められているため、第２支持ピン３４の下端を支持する位置が斜面３５３ｃ上を移動する際の斜面３５３ｃに対する移動軌跡は、溝３６６ｂを移動するカムフォロアー３６５の移動軌跡と平行となる。したがって、リフトプレート３５１ｃ（摺接板３５３ａ）と第２支持ピン３４とがこじれたりすることを抑制することができる。

第１支持ピン３３の上端が高さ位置Ｃとなった時点で駆動機構３６ａは、エアシリンダ３６０ａを停止して、リフトプレート３５１ｃの下降を停止する。これによって、図１０に示すように、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４のいずれもが下降位置にある状態においては、第１支持ピン３３の上端の高さ位置と第２支持ピン３４の上端の高さ位置とがいずれも保持面３０の高さ位置Ｃとほぼ等しくなる。

第４の実施の形態における基板処理装置１ｃにおいても、図１０に示す状態で塗布処理を行うので、第１支持ピン３３の上端および第２支持ピン３４の上端と基板９０の裏面との間に雰囲気の層が形成されず、基板９０の温度ムラを抑制することができる。

一方、ステージ３に支持されている基板９０を上昇させる場合においては、駆動機構３６ａがエアシリンダ３６０ａを駆動して、シリンダロッド３６３を上昇させる。これによってカムフォロアー３６５が溝３６６ｂに沿って上昇し、第２支持ピン３４の下端は摺接板３５３ａの斜面３５３ｃを下るように（＋Ｙ）方向に移動する。したがって、シリンダロッド３６３が上昇を開始した時点では、第２支持ピン３４の下端の高さ位置は変化せず、第１支持ピン３３のみが保持面３０から突出する。これによって、まず基板９０の周辺部だけが持ち上げられる。

第２支持ピン３４の下端が、摺接板３５３ａの下段面３５３ｄによって支持される状態となると、第２支持ピン３４の上端はリフトプレート３５１ｃの上昇とともに上昇し、第２支持ピン３４の上端は保持面３０から突出する。

このように、第３の実施の形態における基板処理装置１ｂでは、基板９０を取り上げる際に、上記実施の形態と同様に、第２支持ピン３４が第１支持ピン３４より遅れて保持面３０の上方に突出する（図９）。

第１支持ピン３３の上端が高さ位置Ａとなり、第２支持ピン３４の上端が高さ位置Ｂとなると、駆動機構３６ａはエアシリンダ３６０ａを停止して、上昇動作を終了する。

以上のように、第４の実施の形態における基板処理装置１ｃは、固定プレート３５０を用いない構成であっても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。

なお、摺接板３５２ａおよび摺接板３５３ａのＺ軸方向の厚みを適切に設定すれば、第１支持ピン３３と第２支持ピン３４とのＺ軸方向の寸法を略同一にすることも可能である。その場合には、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４として共通の部品を使用することができる。

また、エアシリンダ３６０ａの代わりに、他の実施の形態と同様に、モータと、ボールネジと、送りナットとを用いた構成でも実現することができる。その場合には、送りナットを長穴に取り付ければよい。

＜５． 第５の実施の形態＞
上記実施の形態では、第２支持ピン３４（３４ａ，３４ｂ）の長さは不変であったが、例えば、第２支持ピン３４（３４ａ，３４ｂ）のＺ軸方向の寸法は可変であってもよい。

図１１は、第５の実施の形態における基板処理装置１ｄを示す図である。図１１は、ピン支持機構３５ｄが第１支持ピン３３および第２支持ピン３４ｃをそれぞれ下降位置に支持する状態を示す。

本実施の形態における基板処理装置１ｄは、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４ｃによって基板９０を支持しない状態（これらのピンに基板９０の荷重がかかっていない状態）では、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４ｃのＺ軸方向の寸法は略同一とされている。したがって、本実施の形態におけるピン支持機構３５ｄのリフトプレート３５１ｄは、第１支持ピン３３の下端および第２支持ピン３４ｃの下端を同じ高さ位置で支持することによって、第１支持ピン３３の上端および第２支持ピン３４ｃの上端のいずれもが高さ位置Ｃとなるように支持することができる（図１１）。

図１２は、第２支持ピン３４ｃの上部を示す図である。なお、図１２において、下軸部３４４については断面を示している。

本実施の形態における第２支持ピン３４ｃは、上軸部３４２および下軸部３４４から構成されている。上軸部３４２の下部には、ゴム体３４３が取り付けられている。下軸部３４４の上面には略円筒状の孔が設けられており、上軸部３４２のゴム体３４３が内部に挿入される。

このような構造によって、第２支持ピン３４ｃは基板９０を支持する際には、基板９０の荷重によって（−Ｚ）方向に一定長さだけ縮み、基板９０を支持しない状態ではゴム体３４３の復元力によって（＋Ｚ）方向に伸びる。

基板処理装置１ｄでは、基板９０を受け取るために、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４ｃをそれぞれ上昇位置に上昇させる。このとき、第１支持ピン３３の上端と第２支持ピン３４ｃの上端とはいずれも高さ位置Ａとなる。

この状態で、基板９０が受け渡されると、第２支持ピン３４ｃのみが基板９０の重みで（−Ｚ）方向に縮み、第２支持ピン３４ｃの上端は高さ位置Ｂとなる。すなわち、基板９０は中央部が撓んだ形状となる。

第１支持ピン３３および第２支持ピン３４ｃによって支持された基板９０をステージ３に載置するため、駆動機構３６がリフトプレート３５１ｄを下降させると、基板９０は中央部が撓んだ形状のまま下降する。したがって、基板９０は、中央部から周辺部にむけて、順次保持面３０に支持されることとなる。

第２支持ピン３４ｃの上端が高さ位置Ｃまで下降した後は、リフトプレート３５１ｄの下降距離分だけ、第２支持ピン３４ｃが伸びるので、基板９０の裏面に第２支持ピン３４ｃの上端が当接した状態が維持される。すなわち、基板９０と第２支持ピン３４ｃとの間に雰囲気の層は形成されない。

リフトプレート３５１ｄが下降位置にまで下降すると、基板９０が完全に保持面３０に支持された状態となるので、第２支持ピン３４ｃには基板９０の荷重がかかっていない状態となる。したがって、第１支持ピン３３が下降位置にまで下降した状態では、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４ｃから基板９０に対して外力（ゴム体３４３の付勢力等）を作用させることはない。したがって、基板９０は自重によってのみ保持面３０に支持される。

塗布処理が終了して、基板９０を持ち上げる際には、駆動機構３６がリフトプレート３５１ｄを上昇させる。このとき、第１支持ピン３３は伸縮しないので、第１支持ピン３３によって支持される基板９０の周辺部はただちに持ち上げられる。しかし、第２支持ピン３４ｃは、ゴム体３４３が収縮することによって（−Ｚ）方向に一定の長さだけ縮むので、基板９０の中央部は遅れて持ち上げられることとなる。これによって、基板９０の中央部裏面に充分に雰囲気が流入した状態で基板９０の中央部を持ち上げることができる。

以上のように、第５の実施の形態における基板処理装置１ｄにおいても、上記実施の形態と同様の効果を得ることがてきる。

なお、第２支持ピン３４ｃを伸縮させる機構は、第２支持ピン３４ｃの比較的下方に設けてもよい。すなわち、上軸部３４２のＺ軸方向の寸法を比較的長くしてもよい。これによって伸縮部（可動部）をステージ３の裏面側に配置することができ、パーティクルの影響を抑制することができる。

また、第２支持ピン３４ｃを伸縮させる機構はバネを用いた機構でも実現することができる。すなわち、このような機構は、弾性体を用いることによって実現することができる。

＜６． 第６の実施の形態＞
上記実施の形態では、駆動機構３６（３６ａ）はＺ軸方向の駆動力を生成する機構であったが、水平方向に駆動する構造であってもよい。

図１３は、第６の実施の形態における基板処理装置１ｅを示す図である。なお、図示の都合上、図１３では、ステージ３を省略している。また、上昇位置にある第１支持ピン３３および第２支持ピン３４のリフトプレート３５１ｅに対する位置を実線で示し、下降位置にある第１支持ピン３３および第２支持ピン３４のリフトプレート３５１ｅに対する位置を破線で示す。

本実施の形態における駆動機構３６ｂでは、駆動軸３６１がＹ軸に沿って設けられており、送りナット３６２がＹ軸方向に沿って移動する。これによってリフトプレート３５１ｅはＹ軸方向にのみ移動する。

第１支持ピン３３の下端を支持する摺接板３５２ｂの上面は、Ｙ軸方向に沿った傾きが一定の斜面３５２ｃを形成している。このような構造により、第１支持ピン３３はリフトプレート３５１ｅが（−Ｙ）方向に一定速度で移動する際には一定速度で上昇し、（＋Ｙ）方向に一定速度で移動する際には一定速度で下降する。

一方、第２支持ピン３４を支持する摺接板３５３ｅの上面は、Ｙ軸方向に沿った傾きが変化する曲面３５３ｆを形成している。曲面３５３ｆの（−Ｙ）側は略水平面となっており、この略水平面となっている部分の高さ位置は、摺接板３５２ｂの斜面３５２ｃの（−Ｙ）側端部の高さ位置と略同一となっている。また、曲面３５３ｆの（＋Ｙ）側の高さ位置は、摺接板３５２ｂの斜面３５２ｃの（＋Ｙ）側端部の高さ位置と略同一となっている。

まず、図１３に実線で示すように、上昇位置において、第１支持ピン３３の下端は、斜面３５２ｃの（＋Ｙ）側端部に支持されており、この部分における摺接板３５２ｂのＺ軸方向の厚みによって、第１支持ピン３３の上端は高さ位置Ａとなっている。また、第２支持ピン３４の下端は、曲面３５３ｆの（＋Ｙ）側端部に支持されており、この部分における摺接板３５３ｅのＺ軸方向の厚みによって、第２支持ピン３４の上端も高さ位置Ａとなっている。

したがって、上昇位置にある第１支持ピン３３および第２支持ピン３４によって基板９０を支持すると、基板９０は略水平状態で支持されることとなり、基板９０に作用する応力（主に曲げ応力）を抑制することができる。

上昇位置にある第１支持ピン３３および第２支持ピン３４によって支持された基板９０をステージ３の保持面３０に載置するには、回転モータ３６０が回転してリフトプレート３５１ｅを（＋Ｙ）方向に移動させる。

摺接板３５２ｂおよび摺接板３５３ｅは、（−Ｙ）方向に向かって、いずれも厚みが減少するので、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４は、リフトプレート３５１ｅの（＋Ｙ）方向の移動によって、いずれも下降するが、摺接板３５３ｅの曲面３５３ｆの方が傾きが急であるので、第２支持ピン３４の方が下降速度が速く、先に下降位置に到達する。

これによって、第２支持ピン３４に支持された基板９０の中央部が先にステージ３の保持面３０に支持されることとなる。すなわち、本実施の形態においても、基板９０が保持面３０に載置される際には、中央部が撓んだ形状となる。したがって、基板９０の裏面の雰囲気が適切に流出し、基板９０の浮遊現象は生じない。

また、下降位置に到達した第２支持ピン３４の支持位置は、曲面３５３ｆの略水平面の部分を移動するので、これ以上リフトプレート３５１ｅを移動させても第２支持ピン３４は下降しない。すなわち、第２支持ピン３４の上端が高さ位置Ｃに到達した後は、第２支持ピン３４の上端は下降しないので、基板９０と第２支持ピン３４との間に雰囲気の層が形成されない。

第１支持ピン３３の下端の支持位置が、斜面３５２ｃの（−Ｙ）側端部に到達した時点で（破線で示す位置関係になった時点で）、駆動機構３６ｂは回転モータ３６０の回転を停止して、リフトプレート３５１ｅのＹ軸方向の移動を停止する。

塗布処理が終了した基板９０を保持面３０から取り上げる際には、駆動機構３６ｂはリフトプレート３５１ｅを（−Ｙ）方向に移動させる。

このとき、第１支持ピン３３の下端は、摺接板３５２ｂの斜面３５２ｃによって、ただちに上昇を開始するため、第１支持ピン３３の上端もただちに上昇を開始する。これによって、第１支持ピン３３によって支持される基板９０の周辺部はただちに持ち上げられる。

一方、第２支持ピン３４の下端の支持位置は、上昇動作の初期においては、摺接板３５３ｅの曲面３５３ｆの略水平面部分を移動するため、第２支持ピン３４の上端は上昇しない。したがって、この間、第２支持ピン３４によって支持される基板９０の中央部は持ち上げられることはなく、周辺部に比べて遅れて持ち上げられることとなる。したがって、基板９０の中央部裏面に充分に雰囲気が流入してから持ち上げることができる。

以上のように、第６の実施の形態における基板処理装置１も、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。

また、上記実施の形態における駆動機構３６，３６ａと異なり、水平方向に駆動する駆動機構３６ｂによっても実現できることから、装置設計の自由度が増加する。

＜７． 変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。

例えば、第１の実施の形態における基板処理装置１では、かさ上げ部材３５４が第２支持ピン３４を支持する位置と、かさ上げ部材３５４が固定プレート３５０に支持される位置とが、ＸＹ平面内において同じであった。しかし、支持する位置はこのような位置関係に限定されるものではない。図１４および図１５は、かさ上げ部材３５４ａが第２支持ピン３４をずれた位置で支持する例を示す図である。図１４は、ピン支持機構３５ｆが第１支持ピン３３および第２支持ピン３４を上昇位置に支持する様子を示す。また、図１５は、ピン支持機構３５ｆが第１支持ピン３３および第２支持ピン３４を下降位置に支持する様子を示す。変形例における基板処理装置１ｆは、第２の実施の形態における基板処理装置１ａと同様に、貫通孔３５１ｂを有するリフトプレート３５１ａを備えている。ただし、基板処理装置１ｆでは、リフトプレート３５１ａにおける貫通孔３５１ｂの位置が第２の実施の形態における基板処理装置１ａと異なっている。このように、かさ上げ部材３５４ａが支持される位置と、第２支持ピン３４が支持される位置とがズレた構造であっても、第１の実施の形態における基板処理装置１と同様の動作を実現可能であり、同様の効果を得ることができる。

また、上記実施の形態では、基板９０を支持する面（保持面３０）は平坦面であると説明したが、これに限られるものではない。基板９０を取り上げる際に、裏面への雰囲気の流入をスムーズにするために、ステージ３の上面に複数の近接ピンが設けられていてもよい。この場合、複数の近接ピンの上端で形成される面が保持面３０に相当する。

また、第１支持ピン３３および第２支持ピン３４（３４ａ，３４ｂ，３４ｃ）によって、いわば２段階的に基板９０を昇降させる例を説明したが、もちろん３段階、あるいはそれ以上の段階を設けてもよい。このような機構は、ピンの長さや、かさ上げ部材の長さ、あるいは摺接板の形状等を段階的に決定することによって実現することができる。

また、基板処理装置１は、塗布装置として説明したが、例えば加熱装置や冷却装置など、他の用途の装置においても応用することができる。加熱装置に応用する場合、基板処理装置１におけるステージ３にヒータを内蔵して、ステージ３をホットプレートとして機能させる。このホットプレート上に、例えばレジスト膜が形成された基板９０を載置して、当該基板９０の表面に形成されているレジスト膜を乾燥させる。また、冷却装置に応用する場合、基板処理装置１におけるステージ３内に冷却水を循環させるための配管を設けて、ステージ３をクールプレートとして機能させる。このクールプレート上に、例えば加熱装置で加熱された基板９０を載置して、当該基板９０を例えば常温まで冷却する。

図１６は、短ピン１０１および長ピン１０２によって基板９１を昇降させる従来の加熱装置１００を示す図である。加熱装置１００は、基板９１を受け渡す際に、リフトプレート１０３によって、短ピン１０１と長ピン１０２を一体的に昇降させる機構を採用している。したがって、リフトプレート１０３が下降した状態では、短ピン１０１の先端がホットプレート１０４の内部に埋没している。すなわち、基板９１がホットプレート１０４に載置された状態では、短ピン１０１と基板９１との間には空洞部１０５が存在する。

上述のように加熱装置１００では、図１６に示すように短ピン１０１上に空洞部１０５が存在するが、長ピン１０２上には空洞部１０５に相当する空間は存在しない。このような状態では、空洞部１０５の有無によって熱伝導率が異なるため、基板に作用する温度が基板面内で均一にならないという問題が生じる。このような温度ムラは、レジスト膜Ｒの乾燥ムラを誘発する。

しかし、本願発明を加熱装置に応用した場合には、空洞部１０５が形成されることはないため、乾燥ムラは抑制される。なお、冷却装置に応用した場合も同様に温度ムラによる処理ムラを抑制することができる。

本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略を示す斜視図である。 第１の実施の形態におけるピン支持機構が第１支持ピンおよび第２支持ピンを上昇位置に支持する様子を示す図である。 ピン支持機構が第１支持ピンおよび第２支持ピンを上昇位置に支持する様子を示す図である。 第２の実施の形態における基板処理装置のピン支持機構が、第１支持ピンおよび第２支持ピンを上昇位置に支持する様子を示す図である。 ピン支持機構が第１支持ピンおよび第２支持ピンを下降位置に支持する様子を示す図である。 第３の実施の形態における基板処理装置のピン支持機構が、第１支持ピンおよび第２支持ピンを上昇位置に支持する様子を示す図である。 ピン支持機構が第１支持ピンおよび第２支持ピンを下降位置に支持する様子を示す図である。 第４の実施の形態における基板処理装置のピン支持機構が、第１支持ピンおよび第２支持ピンを上昇位置に支持する様子を示す図である。 第４の実施の形態において、第１支持ピンおよび第２支持ピンが上昇位置と下降位置との間で移動している中間状態を示す図である。 第４の実施の形態におけるピン支持機構が第１支持ピンおよび第２支持ピンを下降位置に支持する様子を示す図である。 第５の実施の形態における基板処理装置を示す図である。 第５の実施の形態における第２支持ピンの上部を示す図である。 第６の実施の形態における基板処理装置を示す図である。 変形例におけるピン支持機構を示す図である。 変形例におけるピン支持機構を示す図である。 短ピンおよび長ピンによって基板を昇降させる従来の加熱装置を示す図である。

符号の説明

１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ 基板処理装置
２ 本体
３ ステージ
３０ 保持面
３００ 貫通孔
３３ 第１支持ピン
３４，３４ａ，３４ｂ，３４ｃ 第２支持ピン
３４０ リング部材
３４１ 摺接部
３４２ 上軸部
３４３ ゴム体
３４４ 下軸部
３５，３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅ，３５ｆ ピン支持機構
３５０，３５０ａ 固定プレート
３５０ｂ かさ上げ部
３５１，３５１ａ，３５１ｃ，３５１ｄ，３５１ｅ リフトプレート
３５２，３５２ａ，３５２ｂ，３５３，３５３ａ，３５３ｅ 摺接板
３５２ｃ 斜面
３５３ｂ 上段面
３５３ｃ 斜面
３５３ｄ 下段面
３５３ｆ 曲面
３５４，３５４ａ かさ上げ部材
３６，３６ａ，３６ｂ 駆動機構
３６０ 回転モータ
３６５ カムフォロアー
３６６ 溝カム
３６６ａ 溝
３６６ｂ 溝
４１ スリットノズル
４３，４４ 昇降機構
５０，５１ リニアモータ
８ 制御部
９０，９１ 基板

Claims (3)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   前記処理を実行する際に、基板を水平状態に支持する支持台と、
   前記支持台の上面に設けられた貫通孔に前記上面の裏面側から挿入され、前記上面の上方に突出することによって基板を支持する第１支持ピンおよび第２支持ピンと、
   前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンを前記支持台に対して昇降自在に支持するピン支持機構と、
   前記ピン支持機構を介して、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンを、それぞれ上昇位置と下降位置との間で移動させる１つの駆動機構と、
   を備え、
   前記第２支持ピンは、前記支持台に基板を載置する場合においては、前記第１支持ピンより先に前記下降位置に達する一方で、前記支持台に支持されている基板を上昇させる場合においては、前記第１支持ピンより遅れて前記上面の上方に突出し、
   前記ピン支持機構は、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンのいずれもが前記下降位置にある状態において、前記第１支持ピンの上端の高さ位置と前記第２支持ピンの上端の高さ位置とが、いずれも前記上面の高さ位置と等しくなるように、前記第１支持ピンの下端および前記第２支持ピンの下端をそれぞれ支持し、
   前記ピン支持機構が、
   前記１つの駆動機構の駆動力を前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンに伝達する板部材と、
   前記第２支持ピンの下端を支持するかさ上げ部材と、
   前記第２支持ピンが前記下降位置にある状態において、前記かさ上げ部材を支持する固定部材と、
   を備え、
   前記かさ上げ部材は、前記第２支持ピンが前記下降位置にない状態において、前記板部材に支持されることを特徴とする基板処理装置。
2. 基板を処理する基板処理装置であって、
   前記処理を実行する際に、基板を水平状態に支持する支持台と、
   前記支持台の上面に設けられた貫通孔に前記上面の裏面側から挿入され、前記上面の上方に突出することによって基板を支持する第１支持ピンおよび第２支持ピンと、
   前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンを前記支持台に対して昇降自在に支持するピン支持機構と、
   前記ピン支持機構を介して、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンを、それぞれ上昇位置と下降位置との間で移動させる１つの駆動機構と、
   を備え、
   前記第２支持ピンは、前記支持台に基板を載置する場合においては、前記第１支持ピンより先に前記下降位置に達する一方で、前記支持台に支持されている基板を上昇させる場合においては、前記第１支持ピンより遅れて前記上面の上方に突出し、
   前記ピン支持機構は、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンのいずれもが前記下降位置にある状態において、前記第１支持ピンの上端の高さ位置と前記第２支持ピンの上端の高さ位置とが、いずれも前記上面の高さ位置と等しくなるように、前記第１支持ピンの下端および前記第２支持ピンの下端をそれぞれ支持し、
   前記ピン支持機構が、
   前記１つの駆動機構の駆動力を前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンに伝達する板部材と、
   前記第２支持ピンが前記下降位置にある状態において、前記板部材を貫通して前記第２支持ピンの下端を支持する固定部材と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
3. 基板を処理する基板処理装置であって、
   前記処理を実行する際に、基板を水平状態に支持する支持台と、
   前記支持台の上面に設けられた貫通孔に前記上面の裏面側から挿入され、前記上面の上方に突出することによって基板を支持する第１支持ピンおよび第２支持ピンと、
   前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンを前記支持台に対して昇降自在に支持するピン支持機構と、
   前記ピン支持機構を介して、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンを、それぞれ上昇位置と下降位置との間で移動させる１つの駆動機構と、
   を備え、
   前記第２支持ピンは、前記支持台に基板を載置する場合においては、前記第１支持ピンより先に前記下降位置に達する一方で、前記支持台に支持されている基板を上昇させる場合においては、前記第１支持ピンより遅れて前記上面の上方に突出し、
   前記ピン支持機構は、前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンのいずれもが前記下降位置にある状態において、前記第１支持ピンの上端の高さ位置と前記第２支持ピンの上端の高さ位置とが、いずれも前記上面の高さ位置と等しくなるように、前記第１支持ピンの下端および前記第２支持ピンの下端をそれぞれ支持し、
   前記ピン支持機構が、
   前記１つの駆動機構の駆動力を前記第１支持ピンおよび前記第２支持ピンに伝達する板部材と、
   前記第２支持ピンが前記下降位置にある状態において、前記第２支持ピンの下端を支持する固定部材と、
   を備え、
   前記第２支持ピンが、
   前記下降位置にない状態において、前記板部材に支持される支持部を有することを特徴とする基板処理装置。

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