JP6875357B2 - 基板保持装置、基板処理装置および基板保持方法 - Google Patents

基板保持装置、基板処理装置および基板保持方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6875357B2
JP6875357B2 JP2018223741A JP2018223741A JP6875357B2 JP 6875357 B2 JP6875357 B2 JP 6875357B2 JP 2018223741 A JP2018223741 A JP 2018223741A JP 2018223741 A JP2018223741 A JP 2018223741A JP 6875357 B2 JP6875357 B2 JP 6875357B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
stage
straightening block
holding device
straightening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018223741A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020088275A (ja
Inventor
上野 幸一
幸一 上野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2018223741A priority Critical patent/JP6875357B2/ja
Priority to CN201911086918.1A priority patent/CN111244020A/zh
Priority to TW108141303A priority patent/TWI742464B/zh
Priority to KR1020190152120A priority patent/KR102336820B1/ko
Publication of JP2020088275A publication Critical patent/JP2020088275A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6875357B2 publication Critical patent/JP6875357B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Description

この発明は、液晶表示装置や有機EL表示装置等のFDP用ガラス基板、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルター用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板等の精密電子装置用基板、半導体パッケージ用基板(以下、単に「基板」と称する)を保持する技術に関するものである。
従来、塗布液の塗布等の処理を基板に行う基板処理装置では、基板が基板保持装置によって保持された状態で基板への処理が実行される。例えば特許文献1では、上記基板処理装置の一例として塗布装置が記載されている。この塗布装置は、ステージの上面に載置された基板の下面を吸着して保持する基板保持装置と、基板保持装置により保持された基板の上面と近接した状態で当該基板に対して水平方向に相対的に移動することにより基板の上面に塗布液を塗布するスリットノズルとを備えている。
この基板保持装置では、基板の周縁部付近に生じる反りの影響を抑えるべくステージの周囲に押圧部材が配置されている。そして、基板の反りが大きい場合には、押圧部材が基板の上面の周縁部を上方から押圧して基板の反りを矯正する。したがって、基板全域をステージ上に吸着保持することができ、塗布処理などの基板処理を良好に行うことが可能となっている。
特開2013−175622号公報
しかしながら、上記した基板保持装置では、押圧部材が基板の上面と接触して荷重を与えるため、次のような問題が生じている。すなわち、基板のうち押圧部材と物理的に接触する部位にダメージが導入されてしまうことがある。また、上記接触により塵やパーティクルなどが発生する、いわゆる発塵の問題があった。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、発塵および基板へのダメージ導入を発生させることなく、基板の反りを確実に解消して基板全域を良好に保持することができる技術の提供を目的とする。
本発明の第1態様は、基板を下方から支持するステージと、ステージに支持された基板の反りを矯正する矯正機構とを備え、矯正機構により反りが矯正された基板をステージで保持する基板保持装置であって、矯正機構は、基板の上面の周縁部の上方で上下方向に移動可能な矯正ブロックと、矯正ブロックの下面から基板の上面に向けて第1気体を噴出して基板の上面と矯正ブロックの下面との間に気体層を形成する気体層形成部と、基板と非接触状態を保ちつつ矯正ブロックを下方に移動させることで気体層を周縁部に押し付けて基板の反りを矯正する移動部と、基板の下面がステージにより支持されるとともに周縁部が気体層により非接触で押し付けられた仮矯正状態が維持される間に、基板の側端部を基板の外側から当接してステージ上での基板の水平位置を調整するアライメント部と、を有することを特徴としている。
本発明の第2態様は、基板処理装置であって、上記基板保持装置と、基板保持装置により保持された基板の上面に向けて処理液を吐出するノズルとを備えることを特徴としている。
本発明の第3態様は、ステージにより下方から支持された基板の反りを矯正した上で基板をステージで保持させる基板保持方法であって、基板の上面の周縁部の上方に矯正ブロックを配置し、矯正ブロックの下面から基板の上面に向けて第1気体を噴出して基板の上面と矯正ブロックの下面との間に気体層を形成し、基板と非接触状態を保ちつつ矯正ブロックを下方に移動させることで気体層を周縁部に押し付けて基板の下面がステージにより支持されるとともに周縁部が気体層により非接触で押し付けられた仮矯正状態を維持しながらアライメント部を基板の外側から当接させてステージ上での基板の水平位置を調整し、水平位置調整の完了後に、基板と非接触状態を保ちつつ矯正ブロックをさらに下方に移動させることで気体層を周縁部に押し付けて基板の反りを矯正することを特徴としている。
このように構成された発明では、基板の上面の周縁部の上方に配置された矯正ブロックの下面から基板の上面に向けて第1気体が噴出されて基板の上面と矯正ブロックの下面との間に気体層が形成される。そして、矯正ブロックの下方への移動に伴って気体層により周縁部が下方に押し付けられ、それによって基板の反りが矯正される。
以上のように本発明によれば、基板の上面の周縁部と矯正ブロックとの間に形成された気体層を周縁部に押し付けて基板の反りを矯正しているため、発塵および基板へのダメージ導入を発生させることなく、基板の反りを確実に解消して基板全域を良好に保持することが可能となる。
本発明に係る基板処理装置に装備される基板保持装置の一実施形態を示す平面図である。 図1の基板保持装置が備える電気的構成を示すブロック図である。 矯正ブロックと当該矯正ブロックを移動させるための移動部を示す斜視図である。 移動部による矯正ブロックの移動を模式的に示す側面図である。 移動部による矯正ブロックの移動を模式的に示す側面図である。 矯正ブロックに連結されて矯正ブロックと基板との間にエア層を強制的に形成するエア層形成部の構成を示す図である。 図1の基板保持装置が実行する基板固定の一例を示すフローチャートである。 図6のフローチャートにより実行される動作を模式的に示す動作説明図である。 図1に示す基板保持装置を装備した塗布装置における塗布動作を示す図である。 図1に示す基板保持装置を装備した塗布装置における塗布前動作を示す図である。 エア層形成部の他の構成例を示す図である。
図1は本発明に係る基板処理装置に装備される基板保持装置の一実施形態を示す平面図である。図2は図1の基板保持装置が備える電気的構成を示すブロック図である。図1および以降の図面にはそれらの方向関係を明確にするためにZ方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を適宜付している。また、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。ちなみに、図1の状態では、基板保持装置1に保持される基板Sの端の殆どは現れないが、図1において基板Sの端を破線により示すとともに、基板保持装置1のうち基板Sに隠れる部分は基板Sを透過して示した。
基板保持装置1は、例えば特許文献1に記載の塗布装置に装備可能であり、CPU(CentralProcessingUnit)やRAM(RandomAccessMemory)で構成されたコンピュータであるコントローラ10を備え、コントローラ10により装置各部を制御することでロボット等から受け取った基板Sを保持する装置である。基板保持装置1の保持対象となる基板Sの種類は多様ある。特に基板保持装置1は、後述するように基板Sの反りを矯正する機構を具備するため、例えば銅等の金属の層を含む多層構造を有する基板Sを保持するのに好適となる。つまり、かかる多層基板Sは各層の熱膨張率の違いに起因して反りやすいのに対し、基板保持装置1がその反りを矯正しつつ基板Sを保持できる。また、保持対象となる基板Sの形状も多様であるが、ここでは平面視において四角形状を有する基板Sを保持する構成について説明する。
基板保持装置1は、基板Sが載置される立方体形状のステージ11を備える。ステージ11の上部では、平面視において四角形状を有する載置面110が上方を向いて設けられている。この載置面110は水平な平面であり、基板Sはその上面を上に向けて載置面110により水平に支持される。載置面110には、図示を省略する多数の通気孔が開口しており、基板保持装置1は、通気孔に対してエアを供給するエア供給部112と、通気孔からエアを吸引するエア吸引部113とを有する。そして、コントローラ10が、エア供給部112により通気孔にエアを供給することで通気孔から載置面110上の基板Sにエアをブローしたり、エア吸引部113により通気孔からエアを吸引することで基板Sを載置面110に吸着したりできる。
基板保持装置1は、ロボットから受け取った基板Sを載置面110に載置するための複数のリフトピン12を備える。つまり、ステージ11には、Z方向に平行に延設されて載置面110に開口する複数のピン収納孔114が設けられており、各ピン収納孔114にリフトピン12が収容されている。各リフトピン12はZ方向に平行に延設されたピン形状を有し、コントローラ10がリフトピンアクチュエータA112によりリフトピン12を昇降させることで、リフトピン12がピン収納孔114に対して進退する。そして、ロボットが載置面110の上方に基板Sを搬送してくると、リフトピンアクチュエータA112の駆動により上昇した複数のリフトピン12がピン収納孔114から載置面110の上方へ突出してそれぞれの上端で基板Sを受け取る。続いて、リフトピンアクチュエータA112の駆動により複数のリフトピン12が降下してピン収納孔114内に収まることで、複数のリフトピン12の上端から載置面110に基板Sが載置される。
また、基板保持装置1は、載置面110に載置された基板Sの載置面110上での位置を調整する位置調整機構2を備える。この位置調整機構2は、載置面110の各辺に2個ずつ配置された合計8個の位置調整手段20を有し、各位置調整手段20は、Z方向に平行に延設されたピン形状のアライメントピン21を有する。つまり、ステージ11の各側面には、当該側面に垂直に切り欠けられて水平方向に延設された切り欠き部115が2個ずつ設けられており、各切り欠き部115内にアライメントピン21が配置されている。アライメントピン21の上端は切り欠き部115から載置面110の上方に突出しており、位置調整手段20は、アライメントピン21を位置調整アクチュエータA21により切り欠き部115に沿って水平方向へ駆動することで、アライメントピン21の載置面110より上方部分を基板Sの周縁に当接させることができる。なお、位置調整手段20としては、例えば特開2017−112197号公報に記載のものを使用することができる。また、本実施形態では、載置面110の各辺に対応して設けられた一対の位置調整手段20は次に説明するように矯正機構において載置面110の各辺に対応して設けられる矯正ブロックと一体的に移動可能となっている。
矯正機構3は、載置面110上の基板Sに接触しない、いわゆる非接触状態で基板Sを載置面110に押圧して基板Sの反りを矯正するものであり、載置面110の各辺に1個ずつ配置された合計4個の非接触押圧手段30を有する。各非接触押圧手段30は、載置面110の対応する辺に沿って延設され、後述するように載置面110に載置された基板Sの上面周縁部を上方から覆うように配置されて基板Sの反りを矯正する矯正ブロック31を有する。
図3は矯正ブロックと当該矯正ブロックを移動させるための移動部を示す斜視図である。また、図4Aおよび図4Bは移動部による矯正ブロックの移動を模式的に示す側面図である。図5は矯正ブロックに連結されて矯正ブロックと基板との間にエア層を強制的に形成するエア層形成部38の構成を示す図である。矯正ブロック31は載置面110の各辺に1個ずつ設けられており、各矯正ブロック31の構成は共通している。矯正ブロック31は、フレーム33と、フレーム33の下面に取り付けられた対向平板34とを有する。対向平板34は、載置面110の対応する辺に沿って水平方向へ延びるフレーム33の下面に、切り欠き部32を外して設けられている。そして、移動部35によって矯正ブロック31が基板Sの上面周縁部の上方に移動されると、対向平板34は当該上面周縁部を上方から覆うように対向配置される。
移動部35は、図3、図4Aおよび図4Bに示すように、駆動源として2つの垂直アクチュエータ351、352と、1つの水平アクチュエータ353とを有している。垂直アクチュエータ351、352は、それぞれコントローラ10からの駆動指令に応じて昇降移動するロッド351r、352rを有している。これらのうちロッド351rは、断面形状が略L字状に仕上げられたブラケット361を介して矯正ブロック31のフレーム33に取り付けられている。また、もう一方のロッド352rは、断面形状が略L字状に仕上げられたブラケット362を介して垂直アクチュエータ351のシリンダ部351sに取り付けられている。さらに、垂直アクチュエータ352のシリンダ部352sは移動プレート371に支持されている。
移動プレート371はステージ11に対して水平方向に進退可能となっている。より詳しくは、この実施形態では、ベース部材373がステージ11に固定され、さらに当該ベース部材373上にレール372が移動プレート371を水平方向に進退可能に支持している。そして、移動プレート371に対して水平アクチュエータ353が接続されており、移動プレート371を水平方向に駆動可能となっている。
このように移動部35は構成されているため、コントローラ10からの指令に応じて垂直アクチュエータ351、352がロッド351r、352rを最上位置に前進させた後で水平アクチュエータ353が移動プレート371をステージ11側に移動させると、図4Aに示すように矯正ブロック31はステージ11の上方に移動し、その底面、つまり対向平板34のうち基板Sと対向する下面はステージ11上の基板Sから十分に離れた高さ位置H1に位置決めされる。また、同図への図示を省略しているが、矯正ブロック31の移動に伴って位置調整手段20もステージ11側に移動する。そして、垂直アクチュエータ352のロッド352rを伸長させた状態のままコントローラ10からの指令に応じて垂直アクチュエータ351のロッド351rがシリンダ部351sに後退するにしたがって下面はステージ11上の基板Sに接近し、後退量に応じた高さ位置H2、H3に位置決めされる。
一方、コントローラ10からの指令に応じて水平アクチュエータ353が移動プレート371を反ステージ11側に移動させた後で垂直アクチュエータ351、352がロッド351r、352rをシリンダ部351s、352sに後退させると、図4Bに示すように矯正ブロック31は退避位置に位置決めされる。また、図4Bへの図示を省略しているが、矯正ブロック31と一体的に移動させられる位置調整手段20も退避位置に位置決めされる。この退避位置は、矯正ブロック31が水平方向においてステージ11から離れた位置で、かつ垂直方向においてステージ11の上面よりも低い位置(この位置において後で説明する図7の(f)欄に示すように矯正ブロック31の下面、つまり対向平板34の下面が高さ位置H4に位置している)を意味しており、矯正ブロック31および位置調整手段20の退避位置への位置決めによって、後で説明するように塗布処理前に行う異物検知処理および塗布処理を円滑に行うことができる。
このように移動部35によって高さ位置H1〜H3に位置決めされる矯正ブロック31と基板Sとの間にエア層36を強制的に形成するために、矯正ブロック31に対してエア層形成部38が接続されている。このエア層形成部38は、図5に示すように、コンプレッサなどの圧縮部381、温調部382、フィルタ383、ニードル弁384、流量計385、圧力計386およびエアオペレーションバルブ387を有している。エア層形成部38では、圧縮部381により圧縮されたエアを温調部382で所定の温度に調整してエア層形成用の圧縮エアを生成する。この圧縮エアを流通させる配管には、フィルタ383、ニードル弁384、流量計385、圧力計386およびエアオペレーションバルブ387が設けられている。そして、コントローラ10からの指令にしたがってエアオペレーションバルブ387が開成されると、フィルタ383を通って清浄化された圧縮エアがニードル弁384により圧力調節された後で流量計385、圧力計386、エアオペレーションバルブ387を通過して矯正ブロック31に圧送される。これによって、対向平板34に貫通して設けられた貫通孔341(図3中の部分拡大図を参照)が噴出孔として機能し、当該貫通孔341から圧縮エアが下方に噴出し、基板Sの上面周縁部と矯正ブロック31との間にエア層36(図5においてドットを付して模式的に示した領域)が形成される。そして、エア層36を形成したまま矯正ブロック31を高さ位置H1、H2、H3への下降させることでエア層36によって基板Sの上面周縁部をステージ11に押し付けて反りを矯正可能となっている。
図6は図1の基板保持装置が実行する基板固定の一例を示すフローチャートである。図7は図6のフローチャートにより実行される動作を模式的に示す動作説明図である。なお、図7では、エアの流れについては点線矢印で示し、基板S、アライメントピン21および矯正ブロック31の動きについては実線矢印で示し、エア層36についてはドットを付して示している。また、図7では、矯正ブロック31の高さ位置H1〜H4は上下方向における対向平板34の下面(対向面)の高さで示されている。
載置面110の4辺それぞれに設けられた矯正ブロック31が退避位置(図4Bに示す位置)へ退避するとともに位置調整手段20も退避位置に位置しながら各アライメントピン21が離間位置に位置している、搬入準備状態でロボットが基板Sを載置面110の上方へ搬送してくる。これに対応して各リフトピン12がピン収納孔114から上昇して各リフトピン12の上端が基板Sに当接し(ステップS101)、各リフトピン12がロボットより基板Sを受け取る(ステップS102)。そして、各リフトピン12が降下して各リフトピン12の上端がピン収納孔114内に収まると、各リフトピン12の上端から載置面110に基板Sが載置される(ステップS103)。なお、図7の(a)欄に示すように、ここで示す例では、基板Sの周縁部が弓なりに反っており、基板Sの周縁が載置面110から離れている。
ステップS104では、移動部35により垂直アクチュエータ351、352がロッド351r、352rを最上位置に前進させた後で水平アクチュエータ353が移動プレート371をステージ11の上方に移動させ、これによって矯正ブロック31が高さ位置H1に位置決めされる。この高さ位置H1は基板Sの周縁部の反り量を考慮して設定することができ、最大反り量よりも若干高い位置に設定することで矯正ブロック31が基板Sと干渉するのを確実に防止することができ、基板Sの周縁部と矯正ブロック31の下面との間に空間が確実に形成される。そして、エア層形成部38がエアを矯正ブロック31に圧送して矯正ブロック31の貫通孔341から圧縮エアを噴出させる(ステップS105)。これによって、図7の(a)欄に示すように基板Sの上面周縁部と矯正ブロック31との間にエア層36が形成される。こうしたエア層36の形成は次に説明する矯正動作およびアライメント動作が完了するまで継続される。
エア層36を形成したまま移動部35により垂直アクチュエータ351のロッド351rが後退して矯正ブロック31を高さ位置H2まで下降させる(ステップS106)。このとき、反った状態の基板周縁部は、矯正ブロック31と非接触状態のまま、エア層36によりステージ11に向けて押し付けられる。これにより反りがある程度矯正され、反り量が所定値(アライメントピン21の高さよりも小さい値)以下になる(仮矯正処理)。つまり、いわゆる基板Sの仮押圧が行われ、基板Sの周縁部の高さは高さ位置H2よりも低く抑えられ、アライメントピン21の上端より低くなっている。
基板Sの仮矯正処理が完了すると、図7の(b)欄に示すように、エア供給部112がステージ11の通気孔から載置面110上の基板Sの下面にエアブローを開始する(ステップS107)。これによって、基板Sの下面が載置面110から僅かに離れて、基板Sの下面と載置面110との間の摩擦力の低下が図られる。そして、次のステップS108では、図7の(c)欄に示すように、各アライメントピン21が基板S側へ移動することで載置面110上での基板Sの位置が調整される(位置調整処理)。そして、位置調整処理が完了すると、エア供給部112はエアブローを停止する(ステップS109)。
次のステップS110では、エア層36を形成したまま移動部35により垂直アクチュエータ351のロッド351rがさらに後退して矯正ブロック31を高さ位置H3まで下降させる。これによって、図7の(d)欄に示すように、基板周縁部は矯正ブロック31と非接触状態のままエア層36によってステージ11に押し付けられ、基板Sの形状が載置面110の形状に沿うように矯正される(最終矯正処理)。
矯正ブロック31の高さ位置H3への降下が完了すると、図7の(e)欄に示すように、エア吸引部113が通気孔からエアを吸引することで、基板Sを載置面110に吸着する(ステップS111)。これによって、基板Sが載置面110に固定される。それに続いて、エア層形成部38は矯正ブロック31へのエア圧送を停止するとともに移動部35は矯正ブロック31および位置調整手段20を一体的に退避位置に移動させる(図7の(f)欄参照)。
以上に説明したように第1実施形態では、矯正ブロック31は、ステージ11の載置面110上の基板Sをエア層36によって載置面110に押圧することで基板Sの反りを非接触にて矯正した上で基板Sをステージ11に吸着保持している。したがって、反りの矯正時に基板Sの上面に接触するのはエア層36となり、押圧部材が直接していた従来技術に比べて基板Sにダメージが導入されるのを防止するとともに発塵の問題を解消しながら基板Sの全域を良好に保持することができる。
また、基板Sの下面をエアブローして基板Sの下面と載置面110との間の摩擦力を低下させた状態でアライメントピン21による基板Sの位置調整を行っているため、位置調整処理における基板Sの位置調整をスムーズに行うことができる。また、この位置調整処理を図7の(c)欄に示すように矯正ブロック31を高さ位置H2まで下降させた後で実行している。したがって、載置面110に載置された基板Sの反りが比較的大きい場合であっても、基板Sの反りがある程度矯正された状態で位置調整処理が実行される。その結果、ステージ11上での基板Sの位置調整に対する基板Sの反りの影響を抑制することが可能となっている。
また、図7の(d)欄および(e)欄に示すように、エア層36を介して基板Sの周縁部を押圧する矯正ブロック31を高さ位置H3まで下降させることで基板Sの周縁部を載置面110に密着させた後で基板Sの載置面110への吸着を実行している。このため、載置面110への基板Sの吸着保持を確実に実行することが可能となっている。
さらに、図7の(f)欄に示すように、基板保持装置1による基板Sの保持が完了した時点において矯正ブロック31および位置調整手段20が退避位置に位置決めされているために、当該基板保持装置1を装備した塗布装置において次のような作用効果も得られる。
図8Aおよび図8Bは図1に示す基板保持装置を装備した塗布装置の一例を示す図である。この塗布装置100は、例えば図8Aに示すように、基板保持装置1により保持された基板Sの上面と近接した状態で当該基板Sに対して水平方向(同図の紙面に対して直交する方向)に相対的に移動することにより基板Sの上面に塗布液を塗布するスリットノズル101を備えている。また、塗布装置100は、例えば図8Bに示すように、スリットノズル101による塗布処理を実行する直前に基板Sの上面に付着する異物を検出する検出部102を備えている。スリットノズル101の先端部および検出部102は基板Sの高さ位置の近傍に位置して塗布処理や塗布直前の異物検出処理を行う。したがって、位置調整処理や矯正処理を行った後も矯正ブロック31や位置調整手段20が位置調整処理や矯正処理を行った位置に留まると、スリットノズル101や検出部102と干渉してしまう。しかしながら、本実施形態では、位置調整処理や矯正処理を行うと、図4Bや図7の(f)欄に示すように、矯正ブロック31および位置調整手段20が退避位置に移動しているため、上記干渉を確実に防止することができる。
以上に説明したように、上記実施形態においては、矯正ブロック31の下面が本発明の「矯正ブロックの下面」の一例に相当している。また、エア層形成部38が本発明の「気体層形成部」の一例に相当し、エア層形成部38から矯正ブロック31に圧送されるエアが本発明の「第1気体」の一例に相当し、エア層形成部38により形成されるエア層36が本発明の「気体層」の一例に相当している。また、位置調整手段20が本発明の「アライメント部」の一例に相当している。また、エア供給部112が本発明の「気体供給部」の一例に相当し、エア供給部112から供給されるエアが本発明の「第2気体」の一例に相当している。さらに、エア吸引部113が本発明の「吸引部」の一例に相当している。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、対向平板34に設けられた複数の貫通孔341の全てが圧縮エアを噴出させるための噴出孔として機能するが、例えば図9に示すように貫通孔341の一部を吸引孔342として機能させてもよい。すなわち、エア層形成部38が、圧縮エアの供給系(=圧縮部381+温調部382+フィルタ383+ニードル弁384+流量計385+圧力計386+エアオペレーションバルブ387)以外にエア層36からエアを吸引してエア層36の圧力および広がりを安定化させる吸引系388を有するように構成してもよい。この吸引系388では、吸引孔342に接続された吸引配管に、吸引手段としてのブロワ388aと、圧力計388bと、リリーフ弁388cとを備え、ブロワ388aによって得られる吸引圧力よりも吸引配管を介して接続される吸引孔342内の圧力が高い場合に、リリーフ弁388cから吸引孔342および吸引配管を介してエアを外部に放出することで、エア層36の圧力を一定に保つための微調整を行うことができる。
また、上記実施形態では、矯正ブロック31の高さ位置にかかわらず、ニードル弁384により圧力調節された圧縮エアを一律に圧送しているが、矯正ブロック31の高さ位置に応じて圧縮エアの圧力や吐出流量を調整するように構成してもよい。例えば高さ位置H1から高さ位置H2に矯正ブロック31を下降させる間、つまり仮矯正処理を行う間においては圧縮エアの流量を上記実施形態と同様に設定する一方、高さ位置H2から高さ位置H3に矯正ブロック31を下降させる間、つまり最終矯正処理を行う間においては圧縮エアの流量を抑えてもよい。こうすることでエア消費量を抑制してランニングコストの低減を図ることができる。
また、上記実施形態では、圧縮エアを用いてエア層36を形成しているが、その他の気体、例えば窒素ガスや不活性ガスなどを用いてもよい。
また、上記実施形態では、位置調整手段20を矯正ブロック31と一体的に移動させるように構成しているが、位置調整手段20を矯正ブロック31から独立して位置調整を行う位置と退避位置との間で移動させるように構成してもよい。
また、上記実施形態では、基板保持装置1を基板Sに対してスリットノズル101や検出部102を移動させる塗布装置に適当しているが、スリットノズル101や検出部102に対して基板保持装置1を所定方向に駆動させる塗布装置に対しても上述の基板保持装置1を適用可能である。さらに、上述の基板保持装置1の適用対象は塗布装置に限定されるものではなく、基板保持装置1により保持された基板Sの上面にノズルから処理液を供給して所定の基板処理を施す基板処理装置全般に適用することができる。
この発明は、基板をステージに保持する基板保持技術全般に適用することができ、特にステージに保持された基板に処理液を供給する基板処理装置に好適に適用することができる。
1…基板保持装置
3…矯正機構
11…ステージ
30…非接触押圧手段
31…矯正ブロック
34…対向平板
35…移動部
36…エア層
38…エア層形成部
100…塗布装置(基板処理装置)
101…(スリット)ノズル
112…エア供給部(気体供給部)
113…エア吸引部(吸引部)
S…基板

Claims (6)

  1. 基板を下方から支持するステージと、前記ステージに支持された前記基板の反りを矯正する矯正機構とを備え、前記矯正機構により前記反りが矯正された前記基板を前記ステージで保持する基板保持装置であって、
    前記矯正機構は、
    前記基板の上面の周縁部の上方で上下方向に移動可能な矯正ブロックと、
    前記矯正ブロックの下面から前記基板の上面に向けて第1気体を噴出して前記基板の上面と前記矯正ブロックの下面との間に気体層を形成する気体層形成部と、
    前記基板と非接触状態を保ちつつ前記矯正ブロックを下方に移動させることで前記気体層を前記周縁部に押し付けて前記基板の反りを矯正する移動部と
    前記基板の下面が前記ステージにより支持されるとともに前記周縁部が前記気体層により非接触で押し付けられた仮矯正状態が維持される間に、前記基板の側端部を前記基板の外側から当接して前記ステージ上での前記基板の水平位置を調整するアライメント部と、
    を有することを特徴とする基板保持装置。
  2. 請求項に記載の基板保持装置であって、
    前記アライメント部により前記基板の水平位置を調整している間、前記ステージから前記基板の下面に向けて第2気体を供給する気体供給部をさらに備える基板保持装置。
  3. 請求項またはに記載の基板保持装置であって、
    前記アライメント部により前記基板の水平位置が調整された後で前記矯正機構により前記反りが矯正された前記基板の下面を吸引して前記基板を前記ステージに吸着保持させる吸引部をさらに備える基板保持装置。
  4. 請求項に記載の基板保持装置であって、
    前記移動部は、前記ステージでの前記基板の吸着保持を開始した後に、前記矯正ブロックを前記ステージから離れた退避位置に移動させる基板保持装置。
  5. 請求項1ないしのいずれか一項に記載の基板保持装置と、
    前記基板保持装置により保持された前記基板の上面に向けて処理液を吐出するノズルと
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  6. ステージにより下方から支持された基板の反りを矯正した上で前記基板を前記ステージで保持させる基板保持方法であって、
    前記基板の上面の周縁部の上方に矯正ブロックを配置し、
    前記矯正ブロックの下面から前記基板の上面に向けて第1気体を噴出して前記基板の上面と前記矯正ブロックの下面との間に気体層を形成し、
    前記基板と非接触状態を保ちつつ前記矯正ブロックを下方に移動させることで前記気体層を前記周縁部に押し付けて前記基板の下面が前記ステージにより支持されるとともに前記周縁部が前記気体層により非接触で押し付けられた仮矯正状態を維持しながらアライメント部を前記基板の外側から当接させて前記ステージ上での前記基板の水平位置を調整し、
    水平位置調整の完了後に、前記基板と非接触状態を保ちつつ前記矯正ブロックをさらに下方に移動させることで前記気体層を前記周縁部に押し付けて前記基板の反りを矯正する
    ことを特徴とする基板保持方法。
JP2018223741A 2018-11-29 2018-11-29 基板保持装置、基板処理装置および基板保持方法 Active JP6875357B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018223741A JP6875357B2 (ja) 2018-11-29 2018-11-29 基板保持装置、基板処理装置および基板保持方法
CN201911086918.1A CN111244020A (zh) 2018-11-29 2019-11-08 基板保持装置、基板处理装置和基板保持方法
TW108141303A TWI742464B (zh) 2018-11-29 2019-11-14 基板保持裝置、基板處理裝置和基板保持方法
KR1020190152120A KR102336820B1 (ko) 2018-11-29 2019-11-25 기판 유지 장치, 기판 처리 장치 및 기판 유지 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018223741A JP6875357B2 (ja) 2018-11-29 2018-11-29 基板保持装置、基板処理装置および基板保持方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020088275A JP2020088275A (ja) 2020-06-04
JP6875357B2 true JP6875357B2 (ja) 2021-05-26

Family

ID=70866171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018223741A Active JP6875357B2 (ja) 2018-11-29 2018-11-29 基板保持装置、基板処理装置および基板保持方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6875357B2 (ja)
KR (1) KR102336820B1 (ja)
CN (1) CN111244020A (ja)
TW (1) TWI742464B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7079299B2 (ja) * 2020-08-25 2022-06-01 日機装株式会社 シート矯正手段を備える積層装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4283926B2 (ja) * 1999-02-22 2009-06-24 株式会社アルバック ウエハカセットのウエハ保持システム
JP2006054388A (ja) * 2004-08-16 2006-02-23 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物搬送装置,スピンナー洗浄装置,研削装置,被加工物搬送方法
US8580078B2 (en) * 2007-01-26 2013-11-12 Lam Research Corporation Bevel etcher with vacuum chuck
KR100877102B1 (ko) * 2007-05-28 2009-01-09 주식회사 하이닉스반도체 열처리 장치 및 이를 이용한 열처리 방법
KR20120134368A (ko) * 2011-06-02 2012-12-12 엘아이지에이디피 주식회사 기판 척킹 디척킹 장치
TW201314372A (zh) * 2011-09-26 2013-04-01 Dainippon Screen Mfg 塗佈裝置
JP5977042B2 (ja) 2012-02-27 2016-08-24 株式会社Screenホールディングス 塗布装置、基板保持装置および基板保持方法
JP5952059B2 (ja) * 2012-04-04 2016-07-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板保持方法
JP2014072321A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi High-Technologies Corp 板状体保持機構、基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法
CN104538331B (zh) * 2014-12-12 2018-06-05 通富微电子股份有限公司 一种晶圆翘曲处理的装置及方法
JP2016127086A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板吸着補助部材及び基板搬送装置
CN204289408U (zh) * 2014-12-29 2015-04-22 昆山国显光电有限公司 产品翘曲矫正装置
JP6516664B2 (ja) * 2015-12-16 2019-05-22 株式会社Screenホールディングス 基板保持装置、塗布装置、基板保持方法
JP2018120935A (ja) * 2017-01-25 2018-08-02 東レエンジニアリング株式会社 ウエーハ保持装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020088275A (ja) 2020-06-04
CN111244020A (zh) 2020-06-05
TW202021172A (zh) 2020-06-01
TWI742464B (zh) 2021-10-11
KR20200064921A (ko) 2020-06-08
KR102336820B1 (ko) 2021-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6869279B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6047439B2 (ja) 剥離装置および剥離方法
JP6516664B2 (ja) 基板保持装置、塗布装置、基板保持方法
WO2003067951A1 (fr) Dispositif et procede de montage de piece electronique
JP2007048828A (ja) 板状体の変形処理装置及び該板状体の変形処理方法
JP6080647B2 (ja) 剥離装置
JP4835573B2 (ja) 基板搬送装置および基板搬送方法
JP2009004545A (ja) 基板載置装置および基板処理装置
JP6875357B2 (ja) 基板保持装置、基板処理装置および基板保持方法
JP2007214227A (ja) 基板保持装置、基板保持方法、並びに該装置及び方法を利用する部品実装装置、部品実装方法
JP2007073833A (ja) 減圧乾燥装置及び基板乾燥方法
JP2008294100A (ja) 基板保持装置
TW201720737A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2012023104A (ja) 基板載置装置
JP7368263B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2006049490A (ja) 基板搬入装置、部品実装装置、及び基板搬入方法
JP2000307299A (ja) 部品装着装置
JP6884670B2 (ja) 基板搬送装置、基板搬送方法および部品実装装置
JP4342210B2 (ja) ステージ装置、それを用いたペースト塗布装置、及びペースト塗布方法
WO2023047746A1 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2012160630A (ja) 基板載置装置及び基板載置方法
JP5663260B2 (ja) 基板の撓み補正装置および基板の取り出し方法
JP5360016B2 (ja) ペースト塗布装置
JP6131077B2 (ja) 転写剥離装置、転写剥離方法およびパターン形成システム
JP2016012580A (ja) 膜形成装置及び膜形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191031

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210330

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210422

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6875357

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE

Ref document number: 6875357

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250