TWI742464B - 基板保持裝置、基板處理裝置和基板保持方法 - Google Patents
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Abstract
本發明的課題在於在不產生起塵且不對基板導入損傷的情況下,確實地消除基板的翹曲而良好地保持基板的整個區域。一種基板保持裝置,包括自下方支撐基板的平台、以及對支撐於平台的基板的翹曲進行矯正的矯正機構,所述基板保持裝置利用平台來保持由矯正機構矯正了翹曲的基板,其中,矯正機構具有:矯正塊,能夠在基板的上表面的周緣部的上方沿上下方向移動;氣體層形成部,自矯正塊的下表面朝向基板的上表面噴出第一氣體,在基板的上表面與矯正塊的下表面之間形成氣體層;以及移動部,使矯正塊在與基板保持非接觸狀態的同時向下方移動,由此將氣體層按壓至周緣部來矯正基板的翹曲。本發明還涉及一種基板處理裝置和基板保持方法。
Description
本發明是有關於一種保持液晶顯示裝置或有機電致發光(electroluminescence,EL)顯示裝置等的平面型顯示面板(flat panel display,FPD)用玻璃基板、半導體晶片(wafer)、光阻(photomask)用玻璃基板、彩色濾光片(colour filter)用基板、記錄磁盤用基板、太陽電池用基板、電子紙用基板等精密電子裝置用基板、半導體封裝用基板(以下簡稱為“基板”)的技術。
以前,對基板進行塗布液的塗布等處理的基板處理裝置是在通過基板保持裝置對基板進行了保持的狀態下執行對基板的處理。例如在日本專利特開2013-175622號公報中,作為所述基板處理裝置的一例而記載了塗布裝置。所述塗布裝置包括:基板保持裝置,吸附並保持載置於平台的上表面的基板的下表面;以及狹縫噴嘴,在與由基板保持裝置所保持的基板的上表面接近的狀態下,相對於所述基板沿水平方向相對移動,由此在基板的上表面塗布塗布液。
在所述基板保持裝置中,為了抑制在基板的周緣部附近產生的翹曲的影響,在平台的周圍配置有按壓構件。而且,在基板的翹曲大的情況下,按壓構件對基板的上表面的周緣部自上方進行按壓,來矯正基板的翹曲。因此,可將基板的整個區域吸附保持於平台上,從而可良好地進行塗布處理等基板處理。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-175622號公報
[發明所要解決的問題]
然而,在所述基板保持裝置中,按壓構件與基板的上表面接觸來施加負荷,因此產生了如下問題。即,有時會在基板中的與按壓構件物理接觸的部位導入損傷。另外,有因所述接觸而產生灰塵或顆粒等的所謂起塵的問題。
本發明是鑒於所述課題而完成的,其目的在於提供一種在不產生起塵且不對基板導入損傷的情況下,確實地消除基板的翹曲而良好地保持基板的整個區域的技術。
[解決問題的技術手段]
本發明的第一形態為一種基板保持裝置,包括:平台,自下方支撐基板;以及矯正機構,對支撐於平台的基板的翹曲進行矯正,所述基板保持裝置利用平台來保持由矯正機構矯正了翹曲的基板,所述基板保持裝置的特徵在於,矯正機構具有:矯正塊,能夠在基板的上表面的周緣部的上方沿上下方向移動;氣體層形成部,自矯正塊的下表面朝向基板的上表面噴出第一氣體,在基板的上表面與矯正塊的下表面之間形成氣體層;以及移動部,使矯正塊在與基板保持非接觸狀態的同時向下方移動,由此將氣體層按壓至周緣部來矯正基板的翹曲。
本發明的第二形態為基板處理裝置,其特徵在於包括:所述基板保持裝置、以及朝向由基板保持裝置保持的基板的上表面噴出處理液的噴嘴。
本發明的第三形態是一種基板保持方法,在矯正了由平台自下方支撐的基板的翹曲之後,利用平台來保持基板,所述基板保持方法的特徵在於,在基板的上表面的周緣部的上方配置矯正塊,自矯正塊的下表面朝向基板的上表面噴出第一氣體,在基板的上表面與矯正塊的下表面之間形成氣體層,使矯正塊在與基板保持非接觸狀態的同時向下方移動,由此將氣體層按壓至周緣部來矯正基板的翹曲。
在以所述方式構成的發明中,自基板的上表面的周緣部的上方所配置的矯正塊的下表面朝向基板的上表面噴出第一氣體,從而在基板的上表面與矯正塊的下表面之間形成氣體層。而且,伴隨矯正塊向下方移動,利用周緣部將氣體層向下方按壓,由此矯正基板的翹曲。
[發明的效果]
如上所述,根據本發明,是將形成於基板的上表面的周緣部與矯正塊之間的氣體層按壓至周緣部來矯正基板的翹曲,因此可在不產生起塵且不對基板導入損傷的情況下,確實地消除基板的翹曲而良好地保持基板的整個區域。
圖1是表示本發明的基板處理裝置所配備的基板保持裝置的一個實施形態的平面圖。圖2是表示圖1的基板保持裝置所包括的電氣構成的框圖。在圖1及以後的圖式中,為了明確它們的方向關係而適當標注有將Z方向設為鉛垂方向、將XY平面設為水平面的XYZ正交坐標系。另外,為了易於理解,視需要而誇大或簡略描繪各部的尺寸或數量。順帶而言,在圖1的狀態下,基本看不到基板保持裝置1所保持的基板S的邊,但圖1中利用虛線來表示基板S的邊並且透過基板S來表示基板保持裝置1中被基板S隱藏的部分。
基板保持裝置1可配備於例如日本專利特開2013-175622號公報所記載的塗布裝置,且是包括由中央處理器(Central Processing Unit,CPU)、隨機存取記憶體(Random Access Memory,RAM)構成的計算機即控制器(controller)10,通過利用控制器10控制裝置各部而保持自機器人等接收的基板S的裝置。作為基板保持裝置1的保持對象的基板S的種類有多種。尤其,如後所述,基板保持裝置1包括矯正基板S的翹曲的機構,因此例如適於保持具有多層結構的基板S,所述多層結構包含銅等金屬的層。即,所述多層基板S容易因各層的熱膨脹率的不同而翹曲,針對於此,基板保持裝置1可一邊矯正所述翹曲一邊保持基板S。另外,作為保持對象的基板S的形狀也有多種,此處,對保持俯視時具有四邊形狀的基板S的構成進行說明。
基板保持裝置1包括載置基板S的立方體形狀的平台11。在平台11的上部,俯視時具有四邊形狀的載置面110朝向上方而設置。所述載置面110為水平的平面,基板S使其表面朝上地由載置面110水平地加以支撐。在載置面110開口有省略圖示的多個通氣孔,基板保持裝置1具有對通氣孔供給空氣的空氣供給部112、以及自通氣孔抽吸空氣的空氣抽吸部113。而且,控制器10可通過利用空氣供給部112對通氣孔供給空氣而將空氣自通氣孔吹至載置面110上的基板S,或者可通過利用空氣抽吸部113自通氣孔抽吸空氣而將基板S吸附於載置面110。
基板保持裝置1包括用以將自機器人接收的基板S載置於載置面110的多個頂銷(lift pin)12。即,在平台11設置有沿Z方向平行地延伸設置且在載置面110開口的多個銷收納孔114,各銷收納孔114中收容有頂銷12。各頂銷12具有沿Z方向平行地延伸設置的銷形狀,控制器10利用頂銷致動器A112而使頂銷12升降,由此頂銷12相對於銷收納孔114進退。而且,若機器人將基板S搬送至載置面110的上方,則通過頂銷致動器A112的驅動而上升的多個頂銷12自銷收納孔114向載置面110的上方突出,並以各自的上端接收基板S。繼而,通過頂銷致動器A112的驅動,多個頂銷12下降並收入銷收納孔114內,由此使基板S自多個頂銷12的上端載置於載置面110。
另外,基板保持裝置1包括對載置於載置面110的基板S在載置面110上的位置進行調整的位置調整機構2。所述位置調整機構2具有在載置面110的各邊各配置有兩個的合計8個位置調整單元20,各位置調整單元20具有沿Z方向平行地延伸設置的銷形狀的定位銷(alignment pin)21。即,在平台11的各側面各設置有兩個垂直切入於此側面且沿水平方向延伸設置的切口部115,各切口部115內配置有定位銷21。定位銷21的上端自切口部115突出至載置面110的上方,位置調整單元20通過利用位置調整致動器A21將定位銷21沿著切口部115向水平方向驅動,可使定位銷21的較載置面110靠上方的部分抵接於基板S的周緣。此外,作為位置調整單元20,例如可使用日本專利特開2017-112197號公報中記載的單元。另外,在本實施形態中,如以下所說明,對應於載置面110的各邊而設置的一對位置調整單元20可與矯正機構中對應於載置面110的各邊而設置的矯正塊一體地移動。
矯正機構3是在不與載置面110上的基板S接觸的所謂非接觸狀態下,將基板S按壓至載置面110來矯正基板S的翹曲,且具有在載置面110的各邊各配置有一個的合計4個非接觸按壓單元30。各非接觸按壓單元30具有矯正塊31,所述矯正塊31沿著載置面110的對應邊延伸設置,且如後所述,以對載置於載置面110的基板S的上表面周緣部自上方進行覆蓋的方式配置,以矯正基板S的翹曲。
圖3是表示矯正塊和用於移動所述矯正塊的移動部的立體圖。另外,圖4A和4B是示意性地表示矯正塊利用移動部而進行的移動的側視圖。圖5是表示與矯正塊連結,並在矯正塊與基板之間強制形成空氣層的空氣層形成部38的構成的圖。在載置面110的各邊各設置有一個矯正塊31,各矯正塊31的構成是相通的。矯正塊31具有框架33、以及安裝於框架33的下表面的相向平板34。相向平板34在沿著載置面110的對應邊而向水平方向延伸的框架33的下表面,避開切口部32而設置。而且,若通過移動部35使矯正塊31移動至基板S的上表面周緣部的上方,則相向平板34以對所述上表面周緣部自上方進行覆蓋的方式相向配置。
如圖3、圖4A和圖4B所示,移動部35具有作為驅動源的兩個垂直致動器351、垂直致動器352以及一個水平致動器353。垂直致動器351、垂直致動器352分別具有根據來自控制器10的驅動指令而進行升降移動的杆351r、杆352r。其中,杆351r經由加工成剖面形狀為大致L字狀的托架361而安裝於矯正塊31的框架33。另外,另一個杆352r經由加工成剖面形狀為大致L字狀的托架362而安裝於垂直致動器351的筒體部351s。進而,垂直致動器352的筒體部352s支撐於移動板371。
移動板371可相對於平台11而沿水平方向進退。更詳細來說,在所述實施形態中,基座構件373固定於平台11,進而在所述基座構件373上,軌道372對移動板371以移動板371可沿水平方向進退的方式予以支撐。而且,相對於移動板371而連接有水平致動器353,從而可沿水平方向驅動移動板371。
移動部35以如上方式構成,因此當在根據來自控制器10的指令而垂直致動器351、垂直致動器352使杆351r、杆352r前進至最上方位置之後,水平致動器353使移動板371移動至平台11側時,如圖4A所示,矯正塊31移動至平台11的上方,矯正塊31的底面、即相向平板34中的與基板S相向的下表面被定位於自平台11上的基板S充分離開的高度位置H1。另外,儘管省略了圖4A中的圖示,但隨著矯正塊31的移動,位置調整單元20也移動至平台11側。然後,保持使垂直致動器352的杆352r伸長的狀態,根據來自控制器10的指令,垂直致動器351的杆351r後退至筒體部351s,伴隨於此,相向平板34的所述下表面向平台11上的基板S接近,並被定位於與後退量對應的高度位置H2、高度位置H3。
另一方面,當在根據來自控制器10的指令而水平致動器353使移動板371移動至相對於平台11側的相反側之後,垂直致動器351、垂直致動器352使杆351r、杆352r後退至筒體部351s、筒體部352s時,如圖4B所示,矯正塊31被定位於退避位置。另外,儘管省略了圖4B中的圖示,但與矯正塊31一體地移動的位置調整單元20也被定位於退避位置。所述退避位置是指矯正塊31在水平方向上自平台11離開的位置,且是在垂直方向上比平台11的上表面低的位置(如之後說明的圖7(f)所示,在所述位置,矯正塊31的下表面、即相向平板34的下表面位於高度位置H4),通過將矯正塊31和位置調整單元20定位於退避位置,如之後所說明,可順利進行在塗布處理之前進行的異物檢測處理和塗布處理。
為了在以如上方式通過移動部35而被定位於高度位置H1~高度位置H3的矯正塊31與基板S之間強制形成空氣層36,相對於矯正塊31而連接有空氣層形成部38。如圖5所示,所述空氣層形成部38具有壓縮機等壓縮部381、溫度調節部382、過濾器383、針閥384、流量計385、壓力計386以及氣動閥(air operation valve)387。在空氣層形成部38中,將由壓縮部381壓縮的空氣利用溫度調節部382調整成規定的溫度,生成空氣層形成用的壓縮空氣。在使所述壓縮空氣流通的配管中設置有過濾器383、針閥384、流量計385、壓力計386、以及氣動閥387。而且,若依照來自控制器10的指令打開氣動閥387,則通過過濾器383而經淨化的壓縮空氣在利用針閥384進行了壓力調節之後,通過流量計385、壓力計386、氣動閥387而被壓送至矯正塊31。由此,貫通相向平板34而設置的貫通孔341(參照圖3中的局部放大圖)作為噴出孔發揮功能,壓縮空氣自所述貫通孔341向下方噴出,從而在基板S的上表面周緣部與矯正塊31之間形成空氣層36(圖5中,附加點而示意性地示出的區域)。而且,通過在形成有空氣層36的狀態下使矯正塊31下降至高度位置H1、高度位置H2、高度位置H3,可利用空氣層36將基板S的上表面周緣部按壓至平台11來矯正翹曲。
圖6是表示圖1的基板保持裝置所執行的基板固定的一例的流程圖。圖7(a)~圖7(f)是示意性地表示根據圖6的流程圖而執行的動作的動作說明圖。此外,在圖7(a)~圖7(f)中,關於空氣的流動是以點線箭頭來表示,關於基板S、定位銷21和矯正塊31的活動是以實線箭頭來表示,關於空氣層36是附加點來表示。另外,在圖7(a)~圖7(f)中,矯正塊31的高度位置H1~高度位置H4是以相向平板34的下表面(相向表面)在上下方向上的高度來表示。
在搬入準備狀態下,機器人將基板S搬送至載置面110的上方,所述搬入準備狀態是分別設置於載置面110的四邊的矯正塊31退避至退避位置(圖4B所示的位置),並且位置調整單元20也位於退避位置,同時各定位銷21位於隔開位置的狀態。與此對應,各頂銷12自銷收納孔114上升且各頂銷12的上端抵接於基板S(步驟S101),各頂銷12自機器人接收基板S(步驟S102)。然後,當各頂銷12下降而各頂銷12的上端被收入銷收納孔114內時,將基板S自各頂銷12的上端載置於載置面110(步驟S103)。此外,如圖7(a)所示,此處示出的例子中,基板S的周緣部翹曲為弓形,基板S的周緣離開了載置面110。
在步驟S104中,在通過移動部35,垂直致動器351、垂直致動器352使杆351r、杆352r前進至最上方位置之後,水平致動器353使移動板371移動至平台11的上方,由此,矯正塊31被定位於高度位置H1。所述高度位置H1可考慮基板S的周緣部的翹曲量來設定,通過設定成比最大翹曲量稍高的位置,可確實地防止矯正塊31與基板S發生干擾,從而在基板S的周緣部與矯正塊31的下表面之間確實地形成空間。然後,空氣層形成部38將空氣壓送至矯正塊31,並自矯正塊31的貫通孔341噴出壓縮空氣(步驟S105)。由此,如圖7(a)所示,在基板S的上表面周緣部與矯正塊31之間形成空氣層36。空氣層36的此種形成一直持續到接下來說明的矯正動作和定位動作完成為止。
在形成有空氣層36的狀態下,通過移動部35,垂直致動器351的杆351r後退而使矯正塊31下降至高度位置H2(步驟S106)。此時,處於翹曲狀態的基板周緣部在與矯正塊31保持非接觸狀態的狀態下,被空氣層36朝向平台11按壓。由此,翹曲在一定程度上得到矯正,翹曲量成為既定值(小於定位銷21的高度的值)以下(暫時矯正處理)。即,進行所謂的基板S的暫時按壓,將基板S的周緣部的高度抑制為低於高度位置H2,且低於定位銷21的上端。
當基板S的暫時矯正處理完成時,如圖7(b)所示,空氣供給部112開始自平台11的通氣孔對載置面110上的基板S的下表面吹氣(步驟S107)。由此,基板S的下表面略微離開載置面110,而實現基板S的下表面與載置面110之間的摩擦力的降低。然後,在接下來的步驟S108中,如圖7(c)所示,使各定位銷21向基板S側移動,由此調整載置面110上的基板S的位置(位置調整處理)。然後,當位置調整處理完成時,空氣供給部112停止吹氣(步驟S109)。
在接下來的步驟S110中,在形成有空氣層36的狀態下,通過移動部35,垂直致動器351的杆351r進一步後退,使矯正塊31下降至高度位置H3。由此,如圖7(d)所示,基板周緣部在與矯正塊31保持非接觸狀態的狀態下,被空氣層36按壓至平台11,以遵循載置面110的形狀的方式矯正基板S的形狀(最終矯正處理)。
當矯正塊31的向高度位置H3的下降完成時,如圖7(e)所示,空氣抽吸部113自通氣孔抽吸空氣,由此將基板S吸附於載置面110(步驟S111)。由此,基板S被固定於載置面110。接著,空氣層形成部38停止向矯正塊31的空氣壓送,並且,移動部35使矯正塊31和位置調整單元20一體地移動至退避位置(參照圖7(f))。
如以上所說明,在第一實施形態中,矯正塊31將平台11的載置面110上的基板S利用空氣層36按壓至載置面110,由此以非接觸方式矯正了基板S的翹曲,然後將基板S吸附保持於平台11。因此,在矯正翹曲時與基板S的上表面接觸的是空氣層36,與直接接觸按壓構件的現有技術相比,可防止對基板S導入損傷,並且在消除起塵問題的同時良好地保持基板S的整個區域。
另外,在對基板S的下表面吹氣而使基板S的下表面與載置面110之間的摩擦力降低的狀態下,利用定位銷21進行基板S的位置調整,因此可順暢地進行位置調整處理中的基板S的位置調整。另外,如圖7(c)所示,所述位置調整處理是在使矯正塊31下降至高度位置H2之後執行。因此,即使在載置於載置面110的基板S的翹曲比較大的情況下,也是在基板S的翹曲得到一定程度的矯正的狀態下執行位置調整處理。其結果,可抑制基板S的翹曲對平台11上的基板S的位置調整的影響。
另外,如圖7(d)和圖7(e)所示,在使經由空氣層36按壓基板S的周緣部的矯正塊31下降至高度位置H3,由此使基板S的周緣部與載置面110密接之後,執行基板S朝向載置面110的吸附。因此,可確實地執行基板S朝向載置面110的吸附保持。
進而,如圖7(f)所示,在利用基板保持裝置1進行的基板S的保持完成的時刻,矯正塊31和位置調整單元20被定位於退避位置,因此在配備有所述基板保持裝置1的塗布裝置中,也獲得如下作用效果。
圖8A和圖8B是表示配備有圖1所示的基板保持裝置的塗布裝置的一例的圖。例如,如圖8A所示,所述塗布裝置100包括狹縫噴嘴101,所述狹縫噴嘴101在與由基板保持裝置1保持的基板S的上表面接近的狀態下,相對於所述基板S而沿水平方向(與所述圖的紙面正交的方向)相對移動,由此將塗布液塗布於基板S的上表面。另外,例如如圖8B所示,塗布裝置100包括檢測部102,在即將利用狹縫噴嘴101執行塗布處理之前,所述檢測部102檢測附著於基板S的上表面的異物。狹縫噴嘴101的前端部和檢測部102位於基板S的高度位置附近,來進行塗布處理和即將塗布之前的異物檢測處理。因此,若在進行了位置調整處理或矯正處理之後,矯正塊31或位置調整單元20仍然停留在進行了位置調整處理或矯正處理的位置,則會與狹縫噴嘴101或檢測部102發生干擾。然而,在本實施形態中,如圖4B或圖7(f)所示,在執行位置調整處理和矯正處理後,矯正塊31和位置調整單元20移動至退避位置,因此可確實地防止所述干擾。
如以上所說明,在所述實施形態中,矯正塊31的下表面相當於本發明的“矯正塊的下表面”的一例。另外,空氣層形成部38相當於本發明的“氣體層形成部”的一例,自空氣層形成部38壓送至矯正塊31的空氣相當於本發明的“第一氣體”的一例,由空氣層形成部38形成的空氣層36相當於本發明的“氣體層”的一例。另外,位置調整單元20相當於本發明的“定位部”的一例。另外,空氣供給部112相當於本發明的“氣體供給部”的一例,自空氣供給部112供給的空氣相當於本發明的“第二氣體”的一例。進而,空氣抽吸部113相當於本發明的“抽吸部”的一例。
此外,本發明並不限定於所述實施形態,只要不脫離本發明的主旨,則在以上內容的基礎上還可進行各種變更。例如,在所述實施形態中,設置於相向平板34的多個貫通孔341全部作為用來噴出壓縮空氣的噴出孔發揮功能,但例如如圖9所示,也可使貫通孔341的一部分作為抽吸孔342發揮功能。即,空氣層形成部38可構成為不僅具有壓縮空氣的供給系統(=壓縮部381+溫度調節部382+過濾器383+針閥384+流量計385+壓力計386+氣動閥387),還具有自空氣層36抽吸空氣以使空氣層36的壓力和擴展穩定化的抽吸系統388。在所述抽吸系統388中,在與抽吸孔342連接的抽吸配管中包括作為抽吸單元的鼓風機388a、壓力計388b、以及調壓閥388c,在經由抽吸配管而連接的抽吸孔342內的壓力比利用鼓風機388a而獲得的抽吸壓力高的情況下,將空氣自調壓閥388c經由抽吸孔342和抽吸配管釋放至外部,由此可進行用以將空氣層36的壓力保持為一定的微調整。
另外,在所述實施形態中,無論矯正塊31的高度位置如何,均同樣地壓送利用針閥384進行了壓力調節的壓縮空氣,但也可構成為根據矯正塊31的高度位置來調整壓縮空氣的壓力或噴出流量。例如,在使矯正塊31自高度位置H1下降至高度位置H2的期間、即進行暫時矯正處理的期間,與所述實施形態同樣地設定壓縮空氣的流量,另一方面,在使矯正塊31自高度位置H2下降至高度位置H3的期間、即進行最終矯正處理的期間,可限制壓縮空氣的流量。如此,可抑制空氣消耗量來實現運行成本的降低。
另外,在所述實施形態中,使用壓縮空氣形成了空氣層36,但也可使用其他氣體,例如氮氣或惰性氣體等。
另外,在所述實施形態中,以使位置調整單元20與矯正塊31一體地移動的方式構成,但也可以使位置調整單元20獨立於矯正塊31而在進行位置調整的位置與退避位置之間移動的方式來構成。
另外,在所述實施形態中,使基板保持裝置1適用於使狹縫噴嘴101、檢測部102相對於基板S移動的塗布裝置,但也可將所述基板保持裝置1應用於相對於狹縫噴嘴101、檢測部102而沿規定方向驅動基板保持裝置1的塗布裝置。進而,所述基板保持裝置1的應用對象不限定於塗布裝置,可應用於自噴嘴對由基板保持裝置1保持的基板S的上表面供給處理液來實施既定的基板處理的全體基板處理裝置。
所述發明可應用於將基板保持於平台的全體基板保持技術,尤其可優選地應用於對保持於平台的基板供給處理液的基板處理裝置。
1:基板保持裝置
2:位置調整機構
3:矯正機構
10:控制器
11:平台
12:頂銷
20:位置調整單元
21:定位銷
30:非接觸按壓單元
31:矯正塊
32:切口部
33:框架
34:相向平板
35:移動部
36:空氣層
38:空氣層形成部
100:塗布裝置(基板處理裝置)
101:(狹縫)噴嘴
102:檢測部
110:載置面
112:空氣供給部(氣體供給部)
113:空氣抽吸部(抽吸部)
114:銷收納孔
115:切口部
341:貫通孔
342:抽吸孔
351、352:垂直致動器
351r、352r:杆
351s、352s:筒體部
353:水平致動器
361、362:托架
371:移動板
372:軌道
373:基座構件
381:壓縮部
382:溫度調節部
383:過濾器
384:針閥
385:流量計
386:壓力計
387:氣動閥
388:抽吸系統
388a:鼓風機
388b:壓力計
388c:調壓閥
A21:位置調整致動器
A112:頂銷致動器
H1、H2、H3、H4:高度位置
S:基板/多層基板
S101、S102、S103、S104、S105、S106、S107、S108、S109、S110、S111、S112:步驟
X、Y、Z:方向
圖1是表示本發明的基板處理裝置所配備的基板保持裝置的一個實施形態的平面圖。
圖2是表示圖1的基板保持裝置所包括的電氣構成的框圖。
圖3是表示矯正塊和用於移動所述矯正塊的移動部的立體圖。
圖4A是示意性地表示矯正塊利用移動部而進行的移動的側視圖。
圖4B是示意性地表示矯正塊利用移動部而進行的移動的側視圖。
圖5是表示與矯正塊連結,並在矯正塊與基板之間強制形成空氣層的空氣層形成部的構成的圖。
圖6是表示圖1的基板保持裝置所執行的基板固定的一例的流程圖。
圖7(a)~圖7(f)是示意性地表示根據圖6的流程圖而執行的動作的動作說明圖。
圖8A是表示配備有圖1所示的基板保持裝置的塗布裝置的塗布動作的圖。
圖8B是表示配備有圖1所示的基板保持裝置的塗布裝置的塗布前動作的圖。
圖9是表示空氣層形成部的另一構成例的圖。
11:平台
21:定位銷
31:矯正塊
33:框架
36:空氣層
H1、H2、H3:高度位置
S:基板
Claims (6)
- 一種基板保持裝置,包括:平台,自下方支撐基板;以及矯正機構,對支撐於所述平台的所述基板的翹曲進行矯正,所述基板保持裝置利用所述平台來保持由所述矯正機構矯正了所述翹曲的所述基板,所述基板保持裝置的特徵在於,所述矯正機構具有:矯正塊,能夠在所述基板的上表面的周緣部的上方沿上下方向移動;氣體層形成部,自所述矯正塊的下表面朝向所述基板的上表面噴出第一氣體,在所述基板的上表面與所述矯正塊的下表面之間形成氣體層;以及移動部,使所述矯正塊在與所述基板保持非接觸狀態的同時向下方移動,由此將所述氣體層按壓至所述周緣部來矯正所述基板的翹曲;以及定位部,在維持所述基板的下表面由所述平台支撐、並且所述周緣部藉由所述氣體層而非接觸的按壓的暫時矯正狀態下,自所述基板的外側與所述基板的側端部抵接,對所述平台上的所述基板的水平位置進行調整。
- 如申請專利範圍第1項所述的基板保持裝置,其更包括:氣體供給部,在通過所述定位部調整所述基板的水平位置的期間,自所述平台朝向所述基板的下表面供給第二氣體。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板保持裝置,其更包括:抽吸部,在通過所述定位部調整了所述基板的水平位置之後,抽吸由所述矯正機構矯正了所述翹曲的所述基板的下表面,將所述基板吸附保持於所述平台。
- 如申請專利範圍第3項所述的基板保持裝置,其中,在開始所述平台上的所述基板的吸附保持之後,所述移動部使所述矯正塊移動至自所述平台離開的退避位置。
- 一種基板處理裝置,其特徵在於,包括:如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的基板保持裝置;以及噴嘴,朝向由所述基板保持裝置保持的所述基板的上表面噴出處理液。
- 一種基板保持方法,在矯正了由平台自下方支撐的基板的翹曲之後,利用所述平台來保持所述基板,所述基板保持方法的特徵在於,在所述基板的上表面的周緣部的上方配置矯正塊,自所述矯正塊的下表面朝向所述基板的上表面噴出第一氣體,在所述基板的上表面與所述矯正塊的下表面之間形成氣體層,使所述矯正塊在與所述基板保持非接觸狀態的同時向下方移動,由此將所述氣體層按壓至所述周緣部,一邊在維持所述基板的下表面由所述平台支撐、並且所述周緣部藉由所述氣體層而非接 觸的按壓的暫時矯正狀態下,使定位部自所述基板的外側與所述基板抵接,對所述平台上的所述基板的水平位置進行調整,在水平位置調整結束後,使所述矯正塊在與所述基板保持非接觸狀態的同時向更下方移動,由此將所述氣體層按壓至所述周緣部來矯正所述基板的翹曲。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006054388A (ja) * | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物搬送装置,スピンナー洗浄装置,研削装置,被加工物搬送方法 |
JP2013219069A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持装置および基板保持方法 |
CN104538331A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-22 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 一种晶圆翘曲处理的装置及方法 |
CN105742222A (zh) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 东京毅力科创株式会社 | 基板吸附辅助构件和基板输送装置 |
TW201724348A (zh) * | 2015-12-16 | 2017-07-01 | Screen Holdings Co Ltd | 基板保持裝置、塗布裝置、基板保持方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4283926B2 (ja) * | 1999-02-22 | 2009-06-24 | 株式会社アルバック | ウエハカセットのウエハ保持システム |
US8580078B2 (en) * | 2007-01-26 | 2013-11-12 | Lam Research Corporation | Bevel etcher with vacuum chuck |
KR100877102B1 (ko) * | 2007-05-28 | 2009-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 열처리 장치 및 이를 이용한 열처리 방법 |
KR20120134368A (ko) * | 2011-06-02 | 2012-12-12 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판 척킹 디척킹 장치 |
TW201314372A (zh) * | 2011-09-26 | 2013-04-01 | Dainippon Screen Mfg | 塗佈裝置 |
JP5977042B2 (ja) | 2012-02-27 | 2016-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | 塗布装置、基板保持装置および基板保持方法 |
JP2014072321A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 板状体保持機構、基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法 |
CN204289408U (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-22 | 昆山国显光电有限公司 | 产品翘曲矫正装置 |
JP2018120935A (ja) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 東レエンジニアリング株式会社 | ウエーハ保持装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006054388A (ja) * | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物搬送装置,スピンナー洗浄装置,研削装置,被加工物搬送方法 |
JP2013219069A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持装置および基板保持方法 |
CN104538331A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-22 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 一种晶圆翘曲处理的装置及方法 |
CN105742222A (zh) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 东京毅力科创株式会社 | 基板吸附辅助构件和基板输送装置 |
TW201724348A (zh) * | 2015-12-16 | 2017-07-01 | Screen Holdings Co Ltd | 基板保持裝置、塗布裝置、基板保持方法 |
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