JPH08325730A - クランプリング - Google Patents
クランプリングInfo
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- JPH08325730A JPH08325730A JP13023295A JP13023295A JPH08325730A JP H08325730 A JPH08325730 A JP H08325730A JP 13023295 A JP13023295 A JP 13023295A JP 13023295 A JP13023295 A JP 13023295A JP H08325730 A JPH08325730 A JP H08325730A
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- Japan
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- wafer
- clamp ring
- contact
- tapered surface
- inner peripheral
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハとの接触面積を小さくすることのでき
るクランプリングを提供すること。 【構成】 本発明によるクランプリング１４は、ウエハ
２４の外周縁３２をウエハ支持体１４に押し付けて固定
するものであって、ウエハ２４の外周縁３２に接する面
を、上方ほど小径となるテーパ面２８としたものであ
り、これによりクランプリング１４とウエハ２４との接
触は線接触となる。また、この線接触の部分よりも内側
の部分は、ウエハとの接触部分３６を、スパッタされた
粒子等から保護するよう機能する。さらに、上記テーパ
面２８に複数の溝部３８を周方向に所定の間隔で形成し
たクランプリング１４においては、クランプリング１４
とウエハ２４との接触は不連続な線接触となる。
るクランプリングを提供すること。 【構成】 本発明によるクランプリング１４は、ウエハ
２４の外周縁３２をウエハ支持体１４に押し付けて固定
するものであって、ウエハ２４の外周縁３２に接する面
を、上方ほど小径となるテーパ面２８としたものであ
り、これによりクランプリング１４とウエハ２４との接
触は線接触となる。また、この線接触の部分よりも内側
の部分は、ウエハとの接触部分３６を、スパッタされた
粒子等から保護するよう機能する。さらに、上記テーパ
面２８に複数の溝部３８を周方向に所定の間隔で形成し
たクランプリング１４においては、クランプリング１４
とウエハ２４との接触は不連続な線接触となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウエハ処理装置に関し、
特に、ウエハ処理装置内でウエハを固定するために用い
られるクランプリングに関するものである。
特に、ウエハ処理装置内でウエハを固定するために用い
られるクランプリングに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、ＰＶＤ型スパッタリング装置内
で用いられる従来一般のクランプリングを示している。
で用いられる従来一般のクランプリングを示している。
【０００３】この図に示すように、従来のクランプリン
グ５０は接触部分５２と段差部分５４とを内周部分５６
に有している。接触部分５２は、クランプリング５０の
内周部分５６の裏側に、周方向に等間隔で複数箇所設け
られており、ウエハ５８をスパッタリング装置内のヒー
タ、すなわちウエハ支持体に押え付けるものである。段
差部分５４は、スパッタされた粒子が接触部分に堆積し
成膜することにより生じるスティッキングという問題を
防ぐため、接触部分５２よりさらに内側に全周にわたっ
て設けられたものであり、スパッタされた粒子が接触部
分５２まで侵入するのを防いでいる。
グ５０は接触部分５２と段差部分５４とを内周部分５６
に有している。接触部分５２は、クランプリング５０の
内周部分５６の裏側に、周方向に等間隔で複数箇所設け
られており、ウエハ５８をスパッタリング装置内のヒー
タ、すなわちウエハ支持体に押え付けるものである。段
差部分５４は、スパッタされた粒子が接触部分に堆積し
成膜することにより生じるスティッキングという問題を
防ぐため、接触部分５２よりさらに内側に全周にわたっ
て設けられたものであり、スパッタされた粒子が接触部
分５２まで侵入するのを防いでいる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、経済的
観点からウエハ上での成膜面積を、従来における以上に
大きくすることが要求されており、極端な場合、クラン
プリングはない方が望ましい。
観点からウエハ上での成膜面積を、従来における以上に
大きくすることが要求されており、極端な場合、クラン
プリングはない方が望ましい。
【０００５】ところが、クランプリングがないと、ウエ
ハをウエハ支持体に均一に押え付けることができないの
で、処理の際、一様で安定なウエハの温度制御ができな
くなる。従って、クランプリングを用いつつ、成膜面積
を大きくしなければならない。
ハをウエハ支持体に均一に押え付けることができないの
で、処理の際、一様で安定なウエハの温度制御ができな
くなる。従って、クランプリングを用いつつ、成膜面積
を大きくしなければならない。
【０００６】成膜面積を大きくするには、例えばクラン
プリングの接触箇所を少なくするということが考えられ
るが、この場合、１箇所あたりのクランプ面にかかる圧
力が大きくなりすぎてしまい、ウエハの外周縁部でチッ
ピングという問題を引き起こすおそれがある。
プリングの接触箇所を少なくするということが考えられ
るが、この場合、１箇所あたりのクランプ面にかかる圧
力が大きくなりすぎてしまい、ウエハの外周縁部でチッ
ピングという問題を引き起こすおそれがある。
【０００７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、ウエハ上の成膜面積を大きく
することのできる、すなわちウエハとの接触面積を小さ
くすることのできるクランプリングを提供することにあ
る。
ものであり、その目的は、ウエハ上の成膜面積を大きく
することのできる、すなわちウエハとの接触面積を小さ
くすることのできるクランプリングを提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるクランプリングは、ウエハの外周縁を
ウエハ支持体に対して押し付けて固定するためのもので
あって、ウエハをクランプする面を上方ほど小径となる
テーパ面としたことを特徴としている。
に、本発明によるクランプリングは、ウエハの外周縁を
ウエハ支持体に対して押し付けて固定するためのもので
あって、ウエハをクランプする面を上方ほど小径となる
テーパ面としたことを特徴としている。
【０００９】また、クランプリングの上記テーパ面に複
数の溝部を周方向に所定の間隔で設けてもよい。
数の溝部を周方向に所定の間隔で設けてもよい。
【００１０】
【作用】上記構成のクランプリングでウエハを固定する
場合、クランプリングのテーパ面はウエハの外周縁の角
部のみを押圧する。かかる場合、クランプリングとウエ
ハとの接触は連続的な線接触となり、他の部分は非接触
状態となる。また、クランプリングの内周部分であって
線接触の部分よりも内側の部分は、ウエハとの接触部分
を、スパッタされた粒子等から保護するよう機能する。
場合、クランプリングのテーパ面はウエハの外周縁の角
部のみを押圧する。かかる場合、クランプリングとウエ
ハとの接触は連続的な線接触となり、他の部分は非接触
状態となる。また、クランプリングの内周部分であって
線接触の部分よりも内側の部分は、ウエハとの接触部分
を、スパッタされた粒子等から保護するよう機能する。
【００１１】また、テーパ面に溝部を形成した場合、ク
ランプリングとウエハとの接触は不連続となる。
ランプリングとウエハとの接触は不連続となる。
【００１２】
【実施例】以下、図面と共に本発明の好適な実施例を説
明する。図１は、本発明のクランプリングを含むＰＶＤ
型スパッタリング装置を示すものであり、基本的には、
クランプリング１０を始めとして、ハウジング１２、ウ
エハ支持体（ないしはヒータ）１４およびターゲット電
極１６から構成されている。
明する。図１は、本発明のクランプリングを含むＰＶＤ
型スパッタリング装置を示すものであり、基本的には、
クランプリング１０を始めとして、ハウジング１２、ウ
エハ支持体（ないしはヒータ）１４およびターゲット電
極１６から構成されている。
【００１３】ハウジング１２は、処理チャンバ１８を形
成するものであり、この処理チャンバ１８内にクランプ
リング１０、ウエハ支持体１４およびターゲット電極１
６が配置されている。クランプリング１０は、ハウジン
グ１２に固定されている。また、ウエハ支持体１４は、
シャフト２０の上端部に取り付けられており、任意に上
昇または下降させることができるようになっている。タ
ーゲット電極１６は、クランプリング１０の上方に配置
され、ウエハ支持体１４と共に電源２２に接続されてい
る。また、スパッタリング装置には、処理チャンバ１８
内にアルゴンのようなガスを導くためのガス導入手段
（図示せず）と処理チャンバ１８内のガスを排気するた
めの排気手段（図示せず）とが設けられている。
成するものであり、この処理チャンバ１８内にクランプ
リング１０、ウエハ支持体１４およびターゲット電極１
６が配置されている。クランプリング１０は、ハウジン
グ１２に固定されている。また、ウエハ支持体１４は、
シャフト２０の上端部に取り付けられており、任意に上
昇または下降させることができるようになっている。タ
ーゲット電極１６は、クランプリング１０の上方に配置
され、ウエハ支持体１４と共に電源２２に接続されてい
る。また、スパッタリング装置には、処理チャンバ１８
内にアルゴンのようなガスを導くためのガス導入手段
（図示せず）と処理チャンバ１８内のガスを排気するた
めの排気手段（図示せず）とが設けられている。
【００１４】上記構成においては、ウエハ支持体１４を
上昇させることにより、クランプリング１０は、ウエハ
支持体１４上に載置したウエハ２４を押え付けることが
できるようになっている。また、電源２２によって、ウ
エハ支持体１４とターゲット電極１６との間に電力が供
給された場合、ターゲット電極１６からスパッタされた
粒子がウエハ２４上に堆積し、薄膜を形成するようにな
っている。
上昇させることにより、クランプリング１０は、ウエハ
支持体１４上に載置したウエハ２４を押え付けることが
できるようになっている。また、電源２２によって、ウ
エハ支持体１４とターゲット電極１６との間に電力が供
給された場合、ターゲット電極１６からスパッタされた
粒子がウエハ２４上に堆積し、薄膜を形成するようにな
っている。
【００１５】次に、本発明のクランプリング１０につい
て詳細に説明する。なお、本明細書においては、図面に
示す使用状態に基づき、「上」「下」なる語を用いるこ
ととする。
て詳細に説明する。なお、本明細書においては、図面に
示す使用状態に基づき、「上」「下」なる語を用いるこ
ととする。
【００１６】図２はクランプリング１０の内周部分２６
の拡大断面図である。このクランプリング１０は、その
内周部分２６の下面にテーパ面２８を有している。この
テーパ面２８はウエハ２４を押え付ける部分であり、そ
の径は上方ほど小さくなっている。また、テーパ面２８
の内周縁３０はウエハ２４の外径よりも小さく、テーパ
面の外周縁３２はウエハ２４の外径よりも大きくなって
いる。
の拡大断面図である。このクランプリング１０は、その
内周部分２６の下面にテーパ面２８を有している。この
テーパ面２８はウエハ２４を押え付ける部分であり、そ
の径は上方ほど小さくなっている。また、テーパ面２８
の内周縁３０はウエハ２４の外径よりも小さく、テーパ
面の外周縁３２はウエハ２４の外径よりも大きくなって
いる。
【００１７】上記構成のクランプリング１０を用いて、
ウエハ２４をウエハ支持体１４に押え付けると、クラン
プリング１０のテーパ面２８がウエハ２４の外周縁の角
部３４と接し、ウエハ２４をウエハ支持体１４との間で
挟持することができる。この場合、全周にわたって線接
触するため、ウエハ２４に一様に押圧力が作用し、ウエ
ハ２４の一様で均一な温度制御ができるようになる。
ウエハ２４をウエハ支持体１４に押え付けると、クラン
プリング１０のテーパ面２８がウエハ２４の外周縁の角
部３４と接し、ウエハ２４をウエハ支持体１４との間で
挟持することができる。この場合、全周にわたって線接
触するため、ウエハ２４に一様に押圧力が作用し、ウエ
ハ２４の一様で均一な温度制御ができるようになる。
【００１８】また、クランプリング１０でウエハ２４を
押え付ける場合、できる限り大きな垂直方向の押圧力を
ウエハ２４に作用させるために、ウエハ面に対するテー
パ面２８の傾斜角を４５度以下とすることが好ましい。
押え付ける場合、できる限り大きな垂直方向の押圧力を
ウエハ２４に作用させるために、ウエハ面に対するテー
パ面２８の傾斜角を４５度以下とすることが好ましい。
【００１９】さらに、このようにしてテーパ面２８でウ
エハ２４を押え付ける場合、ウエハ２４との接触部分３
６とテーパ面２８の内周縁３０との間の部分が庇として
機能するため、ターゲット電極１６からスパッタされた
粒子が、ウエハ２４とテーパ面２８との接触部分３６ま
で侵入することを防ぐことができる。もちろん、従来の
接触部分（図５の５２）がないため、この部分の幅を非
常に小さくすることができる。
エハ２４を押え付ける場合、ウエハ２４との接触部分３
６とテーパ面２８の内周縁３０との間の部分が庇として
機能するため、ターゲット電極１６からスパッタされた
粒子が、ウエハ２４とテーパ面２８との接触部分３６ま
で侵入することを防ぐことができる。もちろん、従来の
接触部分（図５の５２）がないため、この部分の幅を非
常に小さくすることができる。
【００２０】次に、本発明のクランプリング１０の別の
実施例について詳細に説明する。
実施例について詳細に説明する。
【００２１】図３は、本発明の第２実施例によるクラン
プリング１０の内周部分２６を示している。本実施例の
クランプリング１０は、少なくともテーパ面２８に溝部
３８が設けられている点で前述の第１実施例と相違して
いる。その点以外については第１実施例と同様であり、
その詳細な説明については省略する。
プリング１０の内周部分２６を示している。本実施例の
クランプリング１０は、少なくともテーパ面２８に溝部
３８が設けられている点で前述の第１実施例と相違して
いる。その点以外については第１実施例と同様であり、
その詳細な説明については省略する。
【００２２】この第２実施例における溝部３８はエンド
ミル（図示せず）により形成されている。この場合、ウ
エハ２４との接触部分３６を横切るようにしてエンドミ
ルをクランプリング１０の中心から水平方向外方に移動
させてクランプリング１０を切削することが好ましい。
ミル（図示せず）により形成されている。この場合、ウ
エハ２４との接触部分３６を横切るようにしてエンドミ
ルをクランプリング１０の中心から水平方向外方に移動
させてクランプリング１０を切削することが好ましい。
【００２３】上記方法により形成された溝部３８では、
底面４０は平面となり、垂下部分４２に形成された切削
面４４は円筒面となる。また、このようにして形成され
た溝部３８は、テーパ面２８において周方向に沿って所
定の間隔で設けられる。
底面４０は平面となり、垂下部分４２に形成された切削
面４４は円筒面となる。また、このようにして形成され
た溝部３８は、テーパ面２８において周方向に沿って所
定の間隔で設けられる。
【００２４】上記構成では、各溝部は、接触部分３６を
横切るように形成されており、且つ所定の間隔でテーパ
面２８上に形成されているので、クランプリング１０で
ウエハ２４を押え付ける際、クランプリング１０はウエ
ハ２４を、所定の間隔を有する破線で押え付けることと
なる。すなわち、前述した実施例のクランプリング１０
よりさらに小さい接触面積でウエハ２４を押え付けるこ
とができる。
横切るように形成されており、且つ所定の間隔でテーパ
面２８上に形成されているので、クランプリング１０で
ウエハ２４を押え付ける際、クランプリング１０はウエ
ハ２４を、所定の間隔を有する破線で押え付けることと
なる。すなわち、前述した実施例のクランプリング１０
よりさらに小さい接触面積でウエハ２４を押え付けるこ
とができる。
【００２５】なお、この第２実施例ではテーパ面２８に
複数の溝部３８が所定の間隔で設けられているが、これ
ら複数の溝部３８はテーパ面２８上の任意の位置に配置
してもよい。
複数の溝部３８が所定の間隔で設けられているが、これ
ら複数の溝部３８はテーパ面２８上の任意の位置に配置
してもよい。
【００２６】また、溝部３８は、接触部分３６に設けら
れていれば、円柱状の凹部等、他の形状としてもよい。
れていれば、円柱状の凹部等、他の形状としてもよい。
【００２７】さらに、本発明のクランプリング１０は、
ＰＶＤ型スパッタリング装置に限らず、エッチング装置
等の他のウエハ処理装置においても用いることが可能で
ある。
ＰＶＤ型スパッタリング装置に限らず、エッチング装置
等の他のウエハ処理装置においても用いることが可能で
ある。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、クランプリングとウエハとの
接触を連続的な線接触としたため、ウエハをウエハ支持
体上に均一な力でしっかりと押え付けることができる。
このため、ウエハの一様で安定な温度制御をも可能にし
ている。
接触を連続的な線接触としたため、ウエハをウエハ支持
体上に均一な力でしっかりと押え付けることができる。
このため、ウエハの一様で安定な温度制御をも可能にし
ている。
【００２９】また、クランプリングの内周部分であって
線接触の部分よりも内側の部分は、スパッタされた粒子
を阻止する庇としても機能するため、スティッキングを
抑止することができる。もちろん、スパッタされた粒子
の付着を防止すべき部分はウエハの最外周部分のみであ
るので、庇となる部分は従来に比して大幅に縮小でき
る。
線接触の部分よりも内側の部分は、スパッタされた粒子
を阻止する庇としても機能するため、スティッキングを
抑止することができる。もちろん、スパッタされた粒子
の付着を防止すべき部分はウエハの最外周部分のみであ
るので、庇となる部分は従来に比して大幅に縮小でき
る。
【００３０】さらに、テーパ面上の他の部分は非接触状
態にあるため、ウエハ上の成膜面積の拡大を図ることが
できる。
態にあるため、ウエハ上の成膜面積の拡大を図ることが
できる。
【００３１】以上により、半導体基板の処理・製造効率
の向上も期待できる。
の向上も期待できる。
【００３２】また、テーパ面に溝部を設けてクランプリ
ングとウエハとの接触を不連続な線接触とすることで、
連続な線接触に比べてスパッタ粒子の付着領域が減り、
さらなるスティッキング抑止の効果が期待できる。
ングとウエハとの接触を不連続な線接触とすることで、
連続な線接触に比べてスパッタ粒子の付着領域が減り、
さらなるスティッキング抑止の効果が期待できる。
【図１】本発明に係るクランプリングを含むスパッタリ
ング装置の全体図である。
ング装置の全体図である。
【図２】本発明の第１実施例によるクランプリングの内
周部分を示す断面図である。
周部分を示す断面図である。
【図３】本発明の第２実施例によるクランプリングの内
周部分を示す断面図である。
周部分を示す断面図である。
【図４】図３のクランプリングの内周部分を下側から見
たときの斜視図である。
たときの斜視図である。
【図５】従来におけるクランプリングの内周部分を示す
断面図である。
断面図である。
１０…クランプリング、１２…ハウジング、１４…ウエ
ハ支持体、１６…ターゲット電極、１８…処理チャン
バ、２０…シャフト、２２…電源、２４…ウエハ、２６
…内周部分、２８…テーパ面、３０…内周縁、３２…外
周縁、３４…角部、３６…接触部分、３８…溝部、４０
…底面、４２…垂下部分、４４…切削面、５０…クラン
プリング、５２…接触部分、５４…段差部分、５６…内
周部分、５８…ウエハ。
ハ支持体、１６…ターゲット電極、１８…処理チャン
バ、２０…シャフト、２２…電源、２４…ウエハ、２６
…内周部分、２８…テーパ面、３０…内周縁、３２…外
周縁、３４…角部、３６…接触部分、３８…溝部、４０
…底面、４２…垂下部分、４４…切削面、５０…クラン
プリング、５２…接触部分、５４…段差部分、５６…内
周部分、５８…ウエハ。
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエハの外周縁をウエハ支持体に対して
押し付けて固定するクランプリングにおいて、ウエハを
クランプする面を上方ほど小径となるテーパ面としたこ
とを特徴とするクランプリング。 - 【請求項２】 前記テーパ面に複数の溝部が周方向に所
定の間隔で設けられている請求項１記載のクランプリン
グ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13023295A JPH08325730A (ja) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | クランプリング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13023295A JPH08325730A (ja) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | クランプリング |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08325730A true JPH08325730A (ja) | 1996-12-10 |
Family
ID=15029274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13023295A Withdrawn JPH08325730A (ja) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | クランプリング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08325730A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006228883A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Bridgestone Corp | サセプタ |
| JP2007234939A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Seiko Epson Corp | ウエハ処理装置 |
| JP2009087592A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線応用装置に用いられる試料保持機構 |
| CN102234771A (zh) * | 2010-04-27 | 2011-11-09 | 北大方正集团有限公司 | 用于在沉积成膜中固定成膜基底的压块、沉积成膜方法 |
| JP2013032574A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-14 | Nippon Electric Glass Co Ltd | スパッタリング成膜装置のカルーセル及びスパッタリング成膜装置 |
| CN112475951A (zh) * | 2020-11-03 | 2021-03-12 | 中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司 | 一种适用于薄壁环块类零件加工的车床夹具 |
| KR20210039526A (ko) * | 2019-10-01 | 2021-04-12 | 피에스케이홀딩스 (주) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-
1995
- 1995-05-29 JP JP13023295A patent/JPH08325730A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006228883A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Bridgestone Corp | サセプタ |
| JP4490304B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2010-06-23 | 株式会社ブリヂストン | サセプタ |
| JP2007234939A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Seiko Epson Corp | ウエハ処理装置 |
| JP4622890B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2011-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | ウエハ処理装置 |
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| CN112475951B (zh) * | 2020-11-03 | 2022-04-05 | 中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司 | 一种适用于薄壁环块类零件加工的车床夹具 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020806 |