JPH11505950A - 電極クランピングアセンブリ及びその組み立て方法並びにその利用方法 - Google Patents
電極クランピングアセンブリ及びその組み立て方法並びにその利用方法Info
- Publication number
- JPH11505950A JPH11505950A JP8535085A JP53508596A JPH11505950A JP H11505950 A JPH11505950 A JP H11505950A JP 8535085 A JP8535085 A JP 8535085A JP 53508596 A JP53508596 A JP 53508596A JP H11505950 A JPH11505950 A JP H11505950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- support member
- clamping member
- wafer
- showerhead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011195 cermet Substances 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 56
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 33
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3].[AlH3] VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1. ウエハ処理に用いるプラズマ反応チャンバの電極アセンブリであって、 その下面において、反応チャンバ内で処理されるウエハに対向する支持部材と 、 その下面において前記ウエハと対向し、その外端部の上面において前記支持部 材の下面と対向する電極と、 電極の外端部に係合し、支持部材に対して電極を弾性的に押圧するクランピン グ部材と を備えたことを特徴とする電極アセンブリ。 2. 前記電極はシャワーヘッド電極を含み、前記支持部材はプロセスガスを 前記電極上面に供給するガス通路を有することを特徴とする請求項1に記載の電 極アセンブリ。 3. 前記支持部材は空隙と、空隙内に配置された少なくとも一個のバッフル プレートとを有し、前記ガス通路は、前記支持部材の下面とこれに隣接するバッ フルの上面との間の空間にプロセスガスを供給することを特徴とする請求項2に 記載の電極アセンブリ。 4. 前記クランピング部材は前記支持部材と対向する主要部を有するリング と、前記電極の外端部と接触して内側に延出し、前記電極の上面を前記支持部材 の下面に対して押圧するフランジとを有することを特徴とする請求項1に記載の 電極アセンブリ。 5. 前記クランピング部材のフランジは前記クランピング部材の主要部に対 して、軸対称の位置がずれていることを特徴とする特許請求の範囲4に記載の電 極アセンブリ。 6. 前記支持部材は、前記電極の上面の外側部分と前記支持部材の下面との 間の空間内にプロセスガスを供給するガス通路を有することを特徴とする特許請 求の範囲1に記載の電極アセンブリ。 7. 前記空間内のプロセスガスは前記反応チャンバ内の処理用ガスよりも圧 力が高く、電極を冷却することを特徴とする特許請求の範囲6に記載の電極アセ ンブリ。 8. 前記クランピング部材は、前記電極の露出面に隣接する領域内のガス圧 をモニタするためのガス通路を有することを特徴とする請求項1に記載の電極ア センブリ。 9. 前記クランピング部材は弾性変形可能な材料からなることを特徴とする 請求項1に記載の電極アセンブリ。 10. 前記クランピング部材は、セラミック、金属、サーメットと複合材料 からなるグループから選択された非弾性材料を含むことを特徴とする請求項1に 記載の電極アセンブリ。 11. 前記クランピング部材は複数の弾性ボルトにより前記支持部材に固定 されることを特徴とする請求項1に記載の電極アセンブリ。 12. 前記電極は熱伝導性で導電性のディスクを備え、 前記クランピング部材は、誘導性材料からなるリングを有し、 該リングは内向きフランジを有し、 該内向きフランジの上面は前記電極の露出面の外側部分と接触することを特徴 とする請求項1に記載の電極アセンブリ。 13. ディスクは単結晶シリコン、グラファイトあるいは炭化けい素を含む ことを特徴とする請求項1に記載の電極アセンブリ。 14. 第1の弾性シールが前記電極と前記支持部材の間に配置され、 第2の弾性シールが前記クランピング部材と前記支持部材の間に配置され、 前記第1の弾性シールは前記電極の外端部の周りに延出し、前記第2の弾性シ ールは前記クランピング部材内のガス通路を囲むことを特徴とする請求項8に記 載の電極アセンブリ。 15. プラズマ反応チャンバのシャワーヘッド電極の組み立て方法であって 、 その支持部材の下面にプロセスガスを供給するガス通路を有する支持部材と、 外端部を有するシャワーヘッド電極とを、 シャワーヘッド電極の外端部の上面が支持部材の下面と対向するように配置す る工程と、 クランピング部材を前記シャワーヘッド電極の外端部と係合させ、 前記シャワーヘッド電極を前記支持部材に対して、前記クランピング部材が前 記シャワーヘッド電極に対して押圧する弾性クランピングカを有するように取り 付ける工程と、 を具備する方法。 16. 前記シャワーヘッド電極を前記支持部材に対して取り付ける際、 前記プロセスガスが前記支持部材の下面と前記シャワーヘッド電極の上面の間 の空間に供給され、プロセスガスが前記シャワーヘッド電極と前記支持部材の間 で熱を伝導するように取り付けることを特徴とする請求項15に記載の方法。 17. 前記クランピング部材は内側に延出するフランジを有した弾性変形リ ングを具備し、 前記シャワーヘッド電極の外端部に接触するようにそのフランジを配置する工 程と、 前記シャワーヘッド電極の外端部が前記支持部材の下面に対して押圧されるよ うにそのリングを弾性変形させる工程とを有することを特徴とする請求項15に 記載の方法。 18. 前記支持部材は空隙を有し、 ガス通路が前記支持部材の下面とこれに隣接するバッフルプレートの上面との 間の空間にプロセスガスを供給するように、空隙に少なくとも一個のバッフルプ レートを搭載する工程を有することを特徴とする請求項15に記載の方法。 19. 前記クランピング部材は弾性変形材料からなり、 前記クランピング部材を複数の離間したボルトによって前記支持部材に取り付 ける工程と、ぜんきクランピング部材が前記シャワーヘッド電極に対して弾性圧 縮されるようにボルトを固く締める工程とを有することを特徴とする請求項15 に記載の方法。 20. 前記ボルトは弾性変形材料からなることを特徴とする請求項19に記 載の方法。 21. 前記シャワーヘッド電極は厚さが均一のディスクを具備し、 前記クランピング部材は内側に延出したフランジを有したリングを具備し、 前記シャワーヘッド電極の露出面の外側部分と接触するようにフランジの上面 を位置させる工程を有するすることを特徴とする請求項15に記載の方法。 22. 前記クランピング部材は弾性変形材料からなる複数の離間したボルト によって支持部材に取り付けられ、 該ボルトが弾性変形し、前記支持部材に対して前記シャワーヘッド電極を弾性 的にクランプするようにボルトを固く締める工程を具備することを特徴とする請 求項15に記載の方法。 23. 前記クランピング部材は非弾性材料からなることを特徴とする請求項 15に記載の方法。 24. プラズマ反応チャンバ内におけるウエハ処理方法であって、 ウエハをプラズマ反応チャンバに供給する工程と; プロセスガスが支持部材の下面から出て、シャワーヘッド電極の下面の露出部 分を通過するように、 プロセスガスをプラズマ反応チャンバに設けられた支持部材中のガス通路に供 給する工程と; 電力が電極の外端部の上面と支持部材の下面の間の接触ゾーンを通過して、電 力によりプロセスガスがウエハの上面と接触するプラズマを形成するように、 電力をシャワーヘッド電極に供給する工程と; シャワーヘッド電極の外端部と係合し、シャワーヘッド電極を支持部材に取り 付ける、クランピング部材によって、プラズマをウエハ上部の領域内に閉じ込め 、クランピング部材がウエハ処理中にシャワーヘッド電極に対して押圧する弾性 クランピング力を持つようにする工程と を具備する方法。 25. 支持部材は空隙と、該空隙内に位置する少なくとも一個のバッフルプ レートとを有し、前記支持部材はプロセスガスを供給するガス通路を有し、 支持部材の下面とこれに隣接するバッフルプレートの上面との間の空間にプロ セスガスを供給する工程と、 シャワーヘッド電極の上面の外側部分と支持部材の下面の間の間隙に、ガス通 路を介してプロセスガスを供給する工程と、 を有することを特徴とする請求項24に記載の方法。 26. シャワーヘッド電極の露出面に隣接する領域内のガス圧を、クランピ ング部材内のガス通路を介してモニタする工程をさらに備えることを特徴とする 請求項24に記載の方法。 27. ウエハ上の材料層をエッチングする工程を有することを特徴とする請 求項24に記載の方法。 28. ウエハ上の二酸化ケイ素をエッチングする工程を有することを特徴と する請求項27に記載の方法。 29. ウエハ上の材料層を蒸着させる工程を有することを特徴とする請求項 24に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/445,292 US5569356A (en) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof |
US08/445,292 | 1995-05-19 | ||
PCT/US1996/007149 WO1996036984A1 (en) | 1995-05-19 | 1996-05-17 | Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11505950A true JPH11505950A (ja) | 1999-05-25 |
JP3930048B2 JP3930048B2 (ja) | 2007-06-13 |
Family
ID=23768348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53508596A Expired - Lifetime JP3930048B2 (ja) | 1995-05-19 | 1996-05-17 | 電極クランピングアセンブリ及びその組み立て方法並びにその利用方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5569356A (ja) |
EP (1) | EP0826229B1 (ja) |
JP (1) | JP3930048B2 (ja) |
KR (1) | KR100399566B1 (ja) |
CN (1) | CN1103113C (ja) |
AT (1) | ATE233017T1 (ja) |
AU (1) | AU5753296A (ja) |
CA (1) | CA2220678A1 (ja) |
DE (1) | DE69626281T2 (ja) |
RU (1) | RU2163044C2 (ja) |
WO (1) | WO1996036984A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010529303A (ja) * | 2007-06-13 | 2010-08-26 | ラム リサーチ コーポレーション | 熱伝導性ガスケットおよびoリングを利用する電極アセンブリおよびプラズマ処理室 |
KR101411753B1 (ko) * | 2006-10-16 | 2014-06-27 | 램 리써치 코포레이션 | 석영 가드 링 |
Families Citing this family (105)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6902683B1 (en) * | 1996-03-01 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US6159297A (en) | 1996-04-25 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor process chamber and processing method |
JP3728021B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2005-12-21 | 日清紡績株式会社 | プラズマエッチング電極及びその製造方法 |
KR100397860B1 (ko) * | 1997-09-22 | 2003-12-18 | 카가쿠기쥬쯔죠 킨조쿠자이료 기쥬쯔켄큐죠 | 반응성이온에칭법및그장치 |
US6464843B1 (en) | 1998-03-31 | 2002-10-15 | Lam Research Corporation | Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber |
US6129808A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-10 | Lam Research Corporation | Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same |
US6117786A (en) * | 1998-05-05 | 2000-09-12 | Lam Research Corporation | Method for etching silicon dioxide using fluorocarbon gas chemistry |
US5998932A (en) * | 1998-06-26 | 1999-12-07 | Lam Research Corporation | Focus ring arrangement for substantially eliminating unconfined plasma in a plasma processing chamber |
US6073577A (en) * | 1998-06-30 | 2000-06-13 | Lam Research Corporation | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof |
US6696366B1 (en) | 1998-08-17 | 2004-02-24 | Lam Research Corporation | Technique for etching a low capacitance dielectric layer |
US6050216A (en) * | 1998-08-21 | 2000-04-18 | M.E.C. Technology, Inc. | Showerhead electrode for plasma processing |
US6123775A (en) * | 1999-06-30 | 2000-09-26 | Lam Research Corporation | Reaction chamber component having improved temperature uniformity |
US6245192B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6415736B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-07-09 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6372151B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-04-16 | Applied Materials, Inc. | Storage poly process without carbon contamination |
US6565759B1 (en) * | 1999-08-16 | 2003-05-20 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Etching process |
US6451157B1 (en) * | 1999-09-23 | 2002-09-17 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6227140B1 (en) | 1999-09-23 | 2001-05-08 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having radiant heated ceramic liner |
US6408786B1 (en) | 1999-09-23 | 2002-06-25 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having tiled ceramic liner |
US6673198B1 (en) * | 1999-12-22 | 2004-01-06 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having improved process drift control |
US6772827B2 (en) * | 2000-01-20 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
US6237528B1 (en) | 2000-01-24 | 2001-05-29 | M.E.C. Technology, Inc. | Showerhead electrode assembly for plasma processing |
US6170432B1 (en) | 2000-01-24 | 2001-01-09 | M.E.C. Technology, Inc. | Showerhead electrode assembly for plasma processing |
US6383931B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-05-07 | Lam Research Corporation | Convertible hot edge ring to improve low-K dielectric etch |
JP4444437B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2010-03-31 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6506254B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-01-14 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having improved particle performance |
US6890861B1 (en) | 2000-06-30 | 2005-05-10 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having improved particle performance |
AU2001273537A1 (en) * | 2000-07-20 | 2002-02-05 | Tokyo Electron Limited | Improved electrode for plasma processing system |
US6753498B2 (en) | 2000-07-20 | 2004-06-22 | Tokyo Electron Limited | Automated electrode replacement apparatus for a plasma processing system |
WO2002008486A2 (en) * | 2000-07-20 | 2002-01-31 | Tokyo Electon Limited | Electrode apparatus and method for plasma processing |
US6492774B1 (en) * | 2000-10-04 | 2002-12-10 | Lam Research Corporation | Wafer area pressure control for plasma confinement |
US6391787B1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-05-21 | Lam Research Corporation | Stepped upper electrode for plasma processing uniformity |
US6613442B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-09-02 | Lam Research Corporation | Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
US6533910B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-03-18 | Lam Research Corporation | Carbonitride coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
US6537429B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-03-25 | Lam Research Corporation | Diamond coatings on reactor wall and method of manufacturing thereof |
US6790242B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-09-14 | Lam Research Corporation | Fullerene coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
US20020127853A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-09-12 | Hubacek Jerome S. | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof |
US6537928B1 (en) * | 2002-02-19 | 2003-03-25 | Asm Japan K.K. | Apparatus and method for forming low dielectric constant film |
US6597003B2 (en) * | 2001-07-12 | 2003-07-22 | Axcelis Technologies, Inc. | Tunable radiation source providing a VUV wavelength planar illumination pattern for processing semiconductor wafers |
US20030106644A1 (en) * | 2001-07-19 | 2003-06-12 | Sirkis Murray D. | Electrode apparatus and method for plasma processing |
TWI224815B (en) * | 2001-08-01 | 2004-12-01 | Tokyo Electron Ltd | Gas processing apparatus and gas processing method |
US6786175B2 (en) | 2001-08-08 | 2004-09-07 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode design for semiconductor processing reactor |
US6827815B2 (en) * | 2002-01-15 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly for a processing chamber |
JP3876167B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2007-01-31 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 洗浄方法および半導体装置の製造方法 |
IL164439A0 (en) * | 2002-04-17 | 2005-12-18 | Lam Res Corp | Silicon parts for plasma reaction chambers |
JP4847009B2 (ja) | 2002-05-23 | 2011-12-28 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体処理プラズマ反応器用の多部品電極および多部品電極の一部を取り換える方法 |
US7543547B1 (en) * | 2002-07-31 | 2009-06-09 | Lam Research Corporation | Electrode assembly for plasma processing apparatus |
US7252738B2 (en) * | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
US6838012B2 (en) | 2002-10-31 | 2005-01-04 | Lam Research Corporation | Methods for etching dielectric materials |
US20050011447A1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-01-20 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for delivering process gas to a process chamber |
US20050050708A1 (en) * | 2003-09-04 | 2005-03-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Embedded fastener apparatus and method for preventing particle contamination |
US7487740B2 (en) * | 2003-09-10 | 2009-02-10 | Oerlikon Trading Ag, Truebbach | Voltage non-uniformity compensation method for high frequency plasma reactor for the treatment of rectangular large area substrates |
KR100513404B1 (ko) * | 2003-12-08 | 2005-09-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법 |
US7645341B2 (en) * | 2003-12-23 | 2010-01-12 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses |
JP4698251B2 (ja) * | 2004-02-24 | 2011-06-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け |
US20050220568A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system for fastening components used in plasma processing |
US7244311B2 (en) * | 2004-10-13 | 2007-07-17 | Lam Research Corporation | Heat transfer system for improved semiconductor processing uniformity |
US20060108069A1 (en) * | 2004-11-19 | 2006-05-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma reaction chamber and captive silicon electrode plate for processing semiconductor wafers |
US7552521B2 (en) | 2004-12-08 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
US7601242B2 (en) | 2005-01-11 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system |
US7713379B2 (en) * | 2005-06-20 | 2010-05-11 | Lam Research Corporation | Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition |
US9520276B2 (en) | 2005-06-22 | 2016-12-13 | Tokyo Electron Limited | Electrode assembly and plasma processing apparatus |
US20060288934A1 (en) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Tokyo Electron Limited | Electrode assembly and plasma processing apparatus |
US7641762B2 (en) * | 2005-09-02 | 2010-01-05 | Applied Materials, Inc. | Gas sealing skirt for suspended showerhead in process chamber |
CN100373540C (zh) * | 2005-12-08 | 2008-03-05 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 用于半导体设备的下电极组件 |
US7743730B2 (en) * | 2005-12-21 | 2010-06-29 | Lam Research Corporation | Apparatus for an optimized plasma chamber grounded electrode assembly |
US8789493B2 (en) | 2006-02-13 | 2014-07-29 | Lam Research Corporation | Sealed elastomer bonded Si electrodes and the like for reduced particle contamination in dielectric etch |
US7514125B2 (en) * | 2006-06-23 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods to improve the in-film defectivity of PECVD amorphous carbon films |
US7854820B2 (en) * | 2006-10-16 | 2010-12-21 | Lam Research Corporation | Upper electrode backing member with particle reducing features |
US7776178B2 (en) * | 2006-10-25 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Suspension for showerhead in process chamber |
JP5348848B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8069817B2 (en) * | 2007-03-30 | 2011-12-06 | Lam Research Corporation | Showerhead electrodes and showerhead electrode assemblies having low-particle performance for semiconductor material processing apparatuses |
SG10201407723PA (en) * | 2007-12-19 | 2014-12-30 | Lam Res Corp | A composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus |
TWI484576B (zh) * | 2007-12-19 | 2015-05-11 | Lam Res Corp | 半導體真空處理設備用之薄膜黏接劑 |
US8276898B2 (en) | 2008-06-11 | 2012-10-02 | Lam Research Corporation | Electrode transporter and fixture sets incorporating the same |
US8161906B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Clamped showerhead electrode assembly |
US8206506B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-06-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
US8221582B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-07-17 | Lam Research Corporation | Clamped monolithic showerhead electrode |
US8147648B2 (en) | 2008-08-15 | 2012-04-03 | Lam Research Corporation | Composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus |
US8449679B2 (en) * | 2008-08-15 | 2013-05-28 | Lam Research Corporation | Temperature controlled hot edge ring assembly |
US20100098875A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Andreas Fischer | Pre-coating and wafer-less auto-cleaning system and method |
US8402918B2 (en) | 2009-04-07 | 2013-03-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode with centering feature |
US8272346B2 (en) | 2009-04-10 | 2012-09-25 | Lam Research Corporation | Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode |
US8419959B2 (en) | 2009-09-18 | 2013-04-16 | Lam Research Corporation | Clamped monolithic showerhead electrode |
KR200464037Y1 (ko) | 2009-10-13 | 2012-12-07 | 램 리써치 코포레이션 | 샤워헤드 전극 어셈블리의 에지-클램핑되고 기계적으로 패스닝된 내부 전극 |
JP5544907B2 (ja) * | 2010-02-04 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスシャワー用の構造体及び基板処理装置 |
US8249900B2 (en) * | 2010-02-10 | 2012-08-21 | Morgan Stanley & Co. Llc | System and method for termination of pension plan through mutual annuitization |
US8573152B2 (en) | 2010-09-03 | 2013-11-05 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
US8470127B2 (en) | 2011-01-06 | 2013-06-25 | Lam Research Corporation | Cam-locked showerhead electrode and assembly |
US20120231181A1 (en) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | Applied Materials, Inc. | Insulation coverage of cvd electrode |
US9869392B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-16 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
US9859142B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
JP6068849B2 (ja) * | 2012-07-17 | 2017-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 上部電極、及びプラズマ処理装置 |
US10480077B2 (en) * | 2013-03-13 | 2019-11-19 | Applied Materials, Inc. | PEALD apparatus to enable rapid cycling |
US20140356985A1 (en) | 2013-06-03 | 2014-12-04 | Lam Research Corporation | Temperature controlled substrate support assembly |
US10090211B2 (en) | 2013-12-26 | 2018-10-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
US9738975B2 (en) | 2015-05-12 | 2017-08-22 | Lam Research Corporation | Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making |
US10177024B2 (en) | 2015-05-12 | 2019-01-08 | Lam Research Corporation | High temperature substrate pedestal module and components thereof |
CN106937473B (zh) * | 2015-12-31 | 2019-02-19 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种电感耦合等离子处理器 |
CN108269753B (zh) * | 2018-01-10 | 2023-12-05 | 池州海琳服装有限公司 | 一种硅片单面清洗机 |
CN108063110B (zh) * | 2018-01-10 | 2023-11-24 | 池州海琳服装有限公司 | 一种硅片浮动支撑机构 |
CN110484895B (zh) * | 2018-05-14 | 2021-01-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 腔室组件及反应腔室 |
CN109767968B (zh) * | 2018-12-17 | 2021-06-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 下电极结构及反应腔室 |
CN111524775B (zh) * | 2019-02-01 | 2023-03-10 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子处理器以及用于等离子处理器的上电极组件 |
CN110332311B (zh) * | 2019-06-20 | 2020-04-24 | 中国航发贵州黎阳航空动力有限公司 | 一种b形橡胶密封结构的装配方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59200761A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Toshiba Corp | スパツタリングタ−ゲツト支持装置 |
US4534816A (en) * | 1984-06-22 | 1985-08-13 | International Business Machines Corporation | Single wafer plasma etch reactor |
US4595484A (en) * | 1985-12-02 | 1986-06-17 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching apparatus |
US4960488A (en) * | 1986-12-19 | 1990-10-02 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
US4820371A (en) * | 1987-12-15 | 1989-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Apertured ring for exhausting plasma reactor gases |
US4792378A (en) * | 1987-12-15 | 1988-12-20 | Texas Instruments Incorporated | Gas dispersion disk for use in plasma enhanced chemical vapor deposition reactor |
JPH01279784A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-10 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置 |
JPH0273624A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Fujitsu Ltd | Cvd用ガス導入装置 |
JP2688243B2 (ja) * | 1988-11-25 | 1997-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 電極構造体 |
JPH02268427A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US5089083A (en) * | 1989-04-25 | 1992-02-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method |
US5180467A (en) * | 1990-08-08 | 1993-01-19 | Vlsi Technology, Inc. | Etching system having simplified diffuser element removal |
US5074456A (en) * | 1990-09-18 | 1991-12-24 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
US5370739A (en) * | 1992-06-15 | 1994-12-06 | Materials Research Corporation | Rotating susceptor semiconductor wafer processing cluster tool module useful for tungsten CVD |
US5423936A (en) * | 1992-10-19 | 1995-06-13 | Hitachi, Ltd. | Plasma etching system |
JP2851229B2 (ja) * | 1992-10-19 | 1999-01-27 | 株式会社日立製作所 | プラズマエッチングシステム及びプラズマエッチング方法 |
JPH06302555A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-10-28 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマエッチング装置 |
US5449410A (en) * | 1993-07-28 | 1995-09-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing apparatus |
-
1995
- 1995-05-19 US US08/445,292 patent/US5569356A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-05-17 DE DE69626281T patent/DE69626281T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-17 CA CA002220678A patent/CA2220678A1/en not_active Abandoned
- 1996-05-17 JP JP53508596A patent/JP3930048B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-17 AU AU57532/96A patent/AU5753296A/en not_active Abandoned
- 1996-05-17 RU RU97120920/12A patent/RU2163044C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1996-05-17 EP EP96915875A patent/EP0826229B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-17 WO PCT/US1996/007149 patent/WO1996036984A1/en active IP Right Grant
- 1996-05-17 CN CN96194033A patent/CN1103113C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-17 KR KR1019970708138A patent/KR100399566B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-05-17 AT AT96915875T patent/ATE233017T1/de not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101411753B1 (ko) * | 2006-10-16 | 2014-06-27 | 램 리써치 코포레이션 | 석영 가드 링 |
JP2010529303A (ja) * | 2007-06-13 | 2010-08-26 | ラム リサーチ コーポレーション | 熱伝導性ガスケットおよびoリングを利用する電極アセンブリおよびプラズマ処理室 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3930048B2 (ja) | 2007-06-13 |
EP0826229A1 (en) | 1998-03-04 |
EP0826229B1 (en) | 2003-02-19 |
CN1103113C (zh) | 2003-03-12 |
DE69626281T2 (de) | 2003-12-11 |
DE69626281D1 (de) | 2003-03-27 |
US5569356A (en) | 1996-10-29 |
WO1996036984A1 (en) | 1996-11-21 |
CN1184555A (zh) | 1998-06-10 |
AU5753296A (en) | 1996-11-29 |
RU2163044C2 (ru) | 2001-02-10 |
CA2220678A1 (en) | 1996-11-21 |
ATE233017T1 (de) | 2003-03-15 |
KR100399566B1 (ko) | 2003-12-31 |
KR19990014794A (ko) | 1999-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH11505950A (ja) | 電極クランピングアセンブリ及びその組み立て方法並びにその利用方法 | |
US9905402B2 (en) | Plasma processing chamber with a grounded electrode assembly | |
US5810933A (en) | Wafer cooling device | |
US6838012B2 (en) | Methods for etching dielectric materials | |
JP5660753B2 (ja) | プラズマエッチング用高温カソード | |
JP3408245B2 (ja) | プラズマ処理のためのエラストマ結合材と、その製造並びに利用方法 | |
JP5615813B2 (ja) | クランプ式シャワーヘッド電極組立体 | |
US8845855B2 (en) | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof | |
KR101541202B1 (ko) | 플라즈마 프로세싱 장치용 샤워헤드 전극 어셈블리 | |
US6334983B1 (en) | Processing system | |
JP3167751U (ja) | クランプ式モノリシックシャワーヘッド電極 | |
JP3129452B2 (ja) | 静電チャック | |
US7939778B2 (en) | Plasma processing chamber with guard ring for upper electrode assembly | |
US7655579B2 (en) | Method for improving heat transfer of a focus ring to a target substrate mounting device | |
US20030047282A1 (en) | Surface processing apparatus | |
US20030032301A1 (en) | Showerhead electrode design for semiconductor processing reactor | |
KR20100118997A (ko) | 클램핑된 모놀리식 샤워헤드 전극 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050329 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060926 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070308 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100316 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110316 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120316 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130316 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130316 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140316 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |