KR100513404B1 - 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 RF 시간에 따라 식각공정을 제어하여 생산수율을 향상시키고, 생산성을 높일 수 있는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법에 대하여 개시한다. 그의 제어방법은, 식각공정을 제어하는 반도체 제조설비 관리시스템에 있어서, 상기 식각공정을 진행할 해당 롯의 정보를 인식하는 단계와, 상기 해당 롯의 정보가 식각장치의 미리 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행하는 공정인지를 확인하는 단계와, 상기 해당 롯이 상기 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행되어야 할 경우, 상기 식각장치의 RF 시간을 상기 설정된 RF시간과 비교하여 상기 식각장치에서 상기 해당 롯의 식각공정의 가능 여부를 판단하는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

반도체 제조설비 관리시스템의 제어 방법{Methode for controling management system of semiconductor manufacturing equipment}
본 발명은 반도체 제조설비의 관리시스템에 관한 것으로, 상세하게는 반도체 식각장비의 RF 시간에 따른 식각공정을 제어하는 반도에 제조설비의 제어 시스템에 관한 것이다.
최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구되고 있다. 이에 따라, 상기 반도체 장치의 제조 기술은 집적도, 신뢰도 및, 응답 속도 등을 극대화하는 방향으로 연구 개발되고 있다.
반도체 장치의 제조 기술은 크게 반도체 기판 상에 가공막을 형성하는 증착(deposition)공정과, 상기 증착공정으로 형성된 가공막 상에 피가공막을 형성하여 패터닝 하는 포토리소그래피(photolithography) 공정으로 이루어진다.
상기 포토리소그래피 공정은 상기 가공막이 형성된 반도체 기판 상에 피가공막을 형성하여 구현하고자 하는 가공막 상부의 상기 피가공막이 남도록 상기 피가공막을 패터닝하는 사진공정과, 상기 패터닝된 피가공막에 의해 노출되는 상기 가공막을 선택적으로 제거하는 식각공정과, 세정액을 이용하여 상기 식각공정 시 이용된 상기 피가공막 및 상기 식각공정에 의한 부산물을 완전히 제거하여 상기 식각공정으로부터 식각되지 않은 상기 가공막만이 남도록 세정하는 세정공정으로 구분된다. 여기서, 상기 식각공정은 습식식각과 건식식각에 의해 수행될 수 있는 데, 최근의 서브마이크론 디자인 룰을 요구하는 미세패턴을 형성하기 위한 식각은 주로 건식식각에 의해 이루어지고 있다.
이와 같은 건식식각은 챔버내에 충만한 불활성 기체 및 식각용 반응가스에 RF(Radio Frequency)의 높은 전압을 인가하여 상기 반응가스를 플라즈마(plasma) 상태로 만들고, 상기 플라즈마 상태의 반응가스가 상기 피가공막으로부터 노출된 상기 가공막을 선택적으로 제거하는 건식식각장치에 의해 이루어진다. 그러나, 챔버는 식각공정 중 상기 가공막의 식각 부산물에 의한 폴리머 성분이 상기 챔버를 오염시킬 수 있기 때문에 상기 폴리머 성분을 제거하기 위해 소정시간을 주기로 상기 챔버의 세정작업과 같은 사전예방정비(preventive maintenance)가 이루어져야만 한다. 이때, 상기 사전예방정비 이후 상기 챔버의 사용시간을 RF시간이라 정의하면 예컨대, 상기 RF시간이 약 100시간정도를 주기로 상기 챔버의 세정작업이 이루어진다.
상기 RF시간에 따라 상기 식각장치의 식각율이 다르게 나타나고, 상기 RF시간에 따라 변화되는 식각율을 보상하기 위한 제어 시스템에 대해 '대한민국 특허공개번호 1999-0094276호'에 개시되어 있다.
도 1은 식각공정이 진행되는 웨이퍼의 개수에 따른 식각율의 변화를 나타낸 그래프로서, 식각장치에서 실제 식각공정을 모니터링하여 얻어진 데이터를 실선으로 연결한 실측선(a)과, 상기 데이터를 선형적으로 나타낸 추세선(b)으로부터 식각공정이 이루어지는 웨이퍼의 개수에 따라 식각율이 감소함을 알 수 있다. 그래프의 가로축은 식각공정이 진행완료된 웨이퍼의 개수(EA)를 나타내고, 세로축은 소정시간을 기준으로 웨이퍼 또는 웨이퍼 상에 형성된 박막의 식각율(Å)을 나타낸다. 그래프는 웨이퍼의 개수에 따른 식각율의 변화를 나타낸다. 또한, 도 1의 그래프에서 상기 실측선(a)과 추세선(b)에서 볼 때, 상기 식각공정이 진행완료되는 웨이퍼의 개수가 증가할 경우, 웨이퍼의 개수에 따라 식각율이 무한정 떨어지는 것이 아니라, 어느 시점에서는 웨이퍼의 개수에 상관없이 어느 정도 유사거나 일정한 식각율을 가질 수 있다. (단, 설비 모델이나 방식에 따라 식각율의 변화가 다를 수는 있음).
즉, 상기 식각율이 감소할 경우 상기 가공막의 두께에 따른 식각을 제어하기에 용이해 진다. 또한, 상기 그래프의 실측선(a)과 추세선(b)의 변화로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 식각공정 진행의 RF시간에 따라 식각율이 선형적으로 감소하는 추세를 보이고, 불규칙적으로 감소하는 추세를 보인다.
따라서, 식각장치의 식각율은 RF시간에 따라 점차적으로 감소하고, 일정 RF시간 이후에는 상기 식각율이 재현성 있게 나타나기 때문에 식각시간이 짧은 공정 또는 식각 목표(target)에 대한 마진이 없는 식각공정에서는 일정한 RF시간을 요구한다.
한편, 이와 같은 식각공정을 진행하는 식각 설비 및 반도체 제조공정을 진행하기 위한 여러 반도체 제조설비 등은 다수개의 웨이퍼가 하나의 카세트, 즉 한 롯(lot)을 기준으로 하나의 공정을 완료한다.
예를 들어, 복수개의 게이트 스택사이에 콘택홀을 형성하기 위해 절연막을 식각하고자 할 때, 보통 25개의 웨이퍼가 수납되는 카세트를 소정의 포트에 로딩시킨 후, 25개의 웨이퍼들을 차례로 식각공정을 진행시킨다. 이어서, 카세트를 언로딩한 후, 웨이퍼들에 대해 소정의 세정공정을 진행한 다음 다른 공정을 수행하기 위해 이송된다. 이때, 25개의 묶음을 나타내는 하나의 롯(lot)에 대해 각기 다른 소정의 식각공정이 프로그램상에 설정된다.
또한, 반도체 제조설비 관리 시스템은 반도체 제조 공정을 수행하는 복수대의 반도체 제조설비와, 각 반도체 제조 설비와 온라인으로 연결되어 반도체 제조 설비들을 직접 제어하는 설비 서버와, 설비 서버와 온라인으로 연결되어 있으며 반도체 제조 설비들을 제어하는 데 필요한 데이터 베이스가 저장된 호스트 컴퓨터와, 호스트 컴퓨터와 온라인으로 연결되어 반도체 제조 공정진행과 관련된 데이터를 작업자에게 제공하는 사용자 인터페이스 컴퓨터(Operator Interface)로 구성된다.
이와 같이 구성된 반도체 설비 관리 시스템에서 반도체 제조 설비에 웨이퍼가 적재된 롯이 투입되면 작업자는 사용자 인터페이스 컴퓨터를 통해 공정 기초 데이터, 예를 들면 설비에 투입된 롯의 아이디(ID), 공정이 진행될 반도체 제조설비의 아이디 등을 입력한다.
설비 서버를 통해 호스트 컴퓨터에 기초 데이터가 입력되면 호스트 컴퓨터는 입력 기초 데이터를 토대로 데이터 베이스를 검색하여 해당 반도체 제조 설비에 진행될 공정 조건 레시피를 다운로드시켜 반도체 제조 공정을 진행시킨다.
이와 같은 반도체 제조 공정이 일정시간 진행되면 반도체 제조설비의 특정부품을 교환하고 반도체 제조 설비들을 세척하여 반도체 제조 설비 또는 호스트 컴퓨터에 저장된 특정 레시피, 예를 들어 반도체 제품의 제조와 직접관련이 있는 공정 조건 레시피 중 특정 공정 변수의 실 공정 데이터를 변경하는 등의 사전예방정비(preventive maintenance)를 진행한다. 여기서, 특정공정변수의 실공정 데이터의 변경은 사전예방정비에서 뿐만 아니라 동일한 반도체 제조 설비에서 다른 반도체 제품을 양산할 경우에도 변경된다.
따라서, 종래 기술의 반도체 제조설비의 제어시스템은 사전예방정비 이후 상기 RF 시간과 같은 반도체 제조 공정의 사용누적시간을 계산하여 표시한다.
하지만, 종래 기술에 따른 반도체 제조설비 관리시스템은 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 종래 기술의 반도체 제조설비 관리시스템은 상기 호스트 컴퓨터에서 식각장치의 RF 시간에 따라 식각장치를 제어할 수 없기 때문에 RF시간의 생산불량이 발생할 경우 생산 수율이 떨어지는 단점이 있었다.
둘째, 종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 제어 시스템은 RF 시간에 따른 레시피가 작업자에 의존하여 설정되어야 하기 때문에 생산성이 떨어지는 단점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 목적은, 호스트 컴퓨터에서 RF시간에 따라 식각장치를 제어하여 RF 시간의 생산불량을 방지하고 생산수율을 높일 수 있는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, RF 시간에 따른 레시피를 무인 또는 자동으로 설정하여 생산성을 높일 수 있는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법은, 식각공정을 제어하는 반도체 제조설비 관리시스템에 있어서, 상기 식각공정을 진행할 해당 롯의 정보를 인식하는 단계와, 상기 해당 롯의 정보가 식각장치의 미리 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행하는 공정인지를 확인하는 단계와, 상기 해당 롯이 상기 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행되어야 할 경우, 상기 식각장치의 RF 시간을 상기 설정된 RF시간과 비교하여 상기 식각장치에서 상기 해당 롯의 식각공정의 가능 여부를 판단하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 특징은, 웨이퍼가 삽입된 카세트를 식각장치에 로딩하는 단계와, 식각공정을 진행할 상기 웨이퍼의 해당 롯 정보를 인식하여 설정된 RF 시간이 경과된 식각장치에서 식각공정을 진행하여야 하는 것인지를 판단하는 단계와, 상기 해당 롯이 상기 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행하지 않아도될 경우, 상기 식각장치에서 상기 해당 식각공정을 진행하도록 제어하는 단계와, 상기 해당 롯이 상기 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행해야 할 경우, 상기 식각장치의 RF 시간을 상기 설정된 RF 시간과 비교하여 상기 식각장치에서 해당 롯의 식각공정이 가능한가를 판단하는 단계와, 상기 식각장치에서 상기 해당 롯의 식각공정이 가능할 경우 식각공정이 이루어질 수 있도록 제어하고, 상기 식각장치에서 해당 롯의 식각공정이 불가능할 경우 식각공정 수행의 불가능을 경고하고, 상기 카세트가 로딩된 상기 식각장치의 식각공정이 수행되지 못하도록 제어하는 단계를 포함하는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법이다.
본 발명의 또 다른 특징은, 식각공정을 진행할 상기 웨이퍼의 해당 롯 정보를 인식하는 단계와, 상기 인식한 해당 롯의 정보가 식각장치의 미리 설정된 RF 시간이 경과된 후 식각공정을 진행해야되는지를 판단하는 단계와, 상기 해당 롯이 상기 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행해야하지 않아도 될 경우, 복수개의 식각장치 중 상기 해당 롯에 대응하는 식각공정이 진행될 해당 식각장치를 선택하고 상기 웨이퍼가 적재된 카세트를 상기 해당 식각장치에 로딩하여 상기 웨이퍼의 식각공정을 진행하도록 제어하는 단계와, 상기 해당 롯의 식각공정이 상기 설정된 RF 시간을 경과하여 진행되어야 할 경우 복수개의 식각장치 중 상기 설정된 RF 시간 이상의 RF 시간을 갖는 식각장치를 선택하여 상기 카세트를 로딩한 후 상기 해당 롯의 식각공정이 진행되도록 제어하는 단계를 포함하는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조로, 반도체 제조설비의 제어 시스템에 대한 실시예들이 상세히 설명될 것이다. 실시예들의 설명에서 식각 공정에 대한 특정한 사항들은 본 발명에 대한 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 예를 든 것에 불과함을 주목(note)하라.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조설비 관리시스템을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조설비 관리시스템(10)은 선행 공정이 완료된 해당 롯을 투입시켜 반도체 제조 공정을 진행하는 복수대의 반도체 제조 설비들(16)과, 각 반도체 제조 설비들(16)과 온라인 연결되어 있어 반도체 제조 설비들(16)이 공정을 진행할 수 있도록 반도체 제조 설비들(16)을 직접적으로 제어하는 설비 서버들(14)과, 각 설비 서버들(30)과 온라인으로 연결되어 있으며 설비 서버들(14)이 반도체 제조 설비들(16)을 제어하는데 필요한 수많은 정보를 제공하는 데이터 베이스가 저장된 호스트 컴퓨터(12)와, 호스트 컴퓨터(12)와 온라인으로 연결되어 반도체 제조 공정진행과 관련된 데이터를 작업자 또는 엔지니어에게 제공하는 사용자 인터페이스 컴퓨터(18)로 구성되어 있다.
여기서, 반도체 제조 설비들(16)과 설비 서버들(14)은 반도체 설비의 통신 규약인 SECS(Semi Equipment Communications Standard) 프로토콜에 의해 상호 통신을 하므로 데이터를 공유하거나 교환하며, 설비 서버들(14)과 호스트 컴퓨터(12)는 일반적인 통신 규약인 TCP/IP(Transmission Control Protocol/Internet Protocol)에 의해 통신을 하면서 상호 데이터를 주고받는다.
또한, 호스트 컴퓨터(12)에 저장된 데이터 베이스에는 반도체 생산 라인에 배치된 모든 반도체 제조 설비들(16)이 최적의 상태로 공정을 진행할 수 있도록 공정에 관한 모든 데이터들, 예컨대, 각 반도체 제조 설비들의 공정 순서, 공정 진행 환경, 공정조건 레시피등이 수록되어 있다. 이때, 상기 데이터들은 식각장치의 세정작업 이후 RF 시간과 같은 사용누적시간을 더 포함한다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조설비 관리시스템은 식각장치들과 같은 상기 반도체 제조설비들(16)의 사전예방정비 이후 RF 시간과 같은 사용누적시간을 계산하여 데이터 베이스화 할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 반도체 제조설비 관리시스템의 제어 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법을 나타내는 흐름도이다.
도3에 도시한 바와 같이, 사진공정 또는 소정의 예비공정을 마친 웨이퍼를 적재한 삽입된 카세트가 식각 공정을 수행하기 위해 상기 반도체 제조설비들(16)의 다수 식각장치 중 어느 하나의 식각장치에 선택되어 로딩된다.(S110) 여기서, 상기 카세트가 상기 식각장치로 로딩되기 전에 작업자는 사용자 인터페이스 컴퓨터(18)을 통해 호스트 컴퓨터(12)와 반도체 제조설비들(16)간의 데이터 전송에 관한 프로토콜의 하나인 SECS 메시지, 예를 들어 S1S31, S1F32 ... 등을 이용하여 식각장치로 데이터를 전송하여 식각공정에 대한 데이터를 설정한다. 이때, S1S31에는 첫 번째 식각공정을 실행하기 위한 메시지 내용, 예를 들어, MID = 'mid1', PPID = 'Aproc' 의 메시지 내용이, S1F32에는 두 번째 공정을 실행하기 위한 메시지 내용, 예를 들어 MID = 'mid1', PPID = 'Bproc'의 메시지 내용 등이 포함되어 있다. 여기서, MID는 한 카세트내의 웨이퍼들에 대한 해당 롯 식별기호(ID)를 나타내는 장비에 존재하는 레시피 롯명(recipe lot name)이고, PPID는 웨이퍼들에 대해 진행될 장비에 존재하는 레시피 공정명(recipe process name), 예를 들어, 식각공정을 나타내는 레시피 공정명이다.
다음, 해당 롯의 식각공정이 상기 식각장치의 RF 시간의 제한을 요하는 공정인지를 판단한다.(S120) 즉, 상기 해당 롯의 PPID가 RF 시간에 따라 식각량이 변화하거나 폴리머 성분이 발생되어도 공정불량이 발생되지 않는가를 확인하는 것이다. 이때, 상기 해당 롯의 웨이퍼 식각공정이 RF 시간에 따라 식각율에 민감하지 않고 폴리머 발생과 관련이 없는 공정인 경우, 상기 호스트 컴퓨터(12)는 식각공정 수행이 가능하다는 트랙 인(track in) 신호를 출력하여(S150) 해당 식각장치에서 식각공정이 이루어질 수 있도록 제어한다.
또한, 상기 해당 롯의 웨이퍼 식각공정이 RF 시간에 따라 식각율에 민감하지 않고 폴리머 발생과 서로 관련이 있는 공정인 경우, 상기 호스트 컴퓨터(12)는 데이터 베이스로부터 내에서 식각장치의 RF 시간의 데이터를 불러온다.(S130)
그리고, 상기 데이터 베이스로부터 불러온 식각장치의 RF 시간이 미리 설정된 RF 시간에 비교하여 상기 식각장치의 RF 시간이 상기 설정된 RF 시간을 경과하였는지를 확인한다.(S140)
또한, 상기 식각장치의 RF 시간이 설정된 RF 시간을 경과하여 상기 해당 롯의 카세트에 삽입된 웨이퍼의 식각공정이 가능할 경우, 상기 호스트 컴퓨터(12)는 해상 롯을 스펙인(spec in)시켜 식각공정 수행이 가능하다는 트랙인 신호를 출력한다.(S150)
반면, 상기 식각장치의 RF 시간이 설정된 RF 시간을 초과하지 못하여 상기 해당 롯의 카세트에 삽입된 웨이퍼의 식각공정이 불가능할 경우, 상기 호스트 컴퓨터(12)는 상기 해당 롯을 스펙아웃(spec out)시켜 식각공정 수행의 불가능을 경고음이나 표시부에 표시한다.(S160) 그리고, 상기 호스트 컴퓨터(12)는 상기 카세트가 로딩된 상기 식각장치의 식각공정이 수행되지 못하도록 상기 식각장치에 인터락 (inter-lock)신호를 출력한다.(S170)
마지막으로, 해당 식각장치에서 식각공정이 불가능한 해당 롯은 별개의 다른 식각장치로 이송되어(S180) 상기 RF 시간에 따라 식각공정의 여부를 확인받고 식각공정을 수행할 수 있도록 순환된다. 이때, 작업자는 인터락이 발생한 식각장치로부터 해당 롯을 다른 식각장치에서 공급하기 위해 사용자 인터페이스 컴퓨터(18)를 이용하여 해당 롯의 카세트를 이송 또는 로딩하도록 설정할 수도 있다.
그러나, 상기 식각장치가 단독으로 구성될 경우, 상기 호스트 컴퓨터(12)는 상기 식각장치의 인터락 신호를 출력하고 식각공정이 더 이상 진행할 수 없도록 상기 식각장치를 제어할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법은 상기 호스트 컴퓨터에서 RF 시간에 따라 식각장치를 제어함으로써 RF 시간에 따른 식각공정의 불량을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법은 RF 시간에 따른 웨이퍼의 식각공정을 자동 또는 무인으로 제어할 수 있기 때문에 생산성을 높일 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에서는 식각장치의 RF 시간에 따라 호스트 컴퓨터에서 식각공정을 제어하였으나, 일반적인 반도체 제조설비 관리시스템에서의 사용누적 시간에 따라 반도체 제조설비 관리시스템을 제어하여 제조 공정의 불량을 방지할 수도 있다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법을 나타낸 흐름도이다.
도4에 도시한 바와 같이, 사진공정 또는 소정의 예비공정을 마친 웨이퍼를 적재한 카세트가 식각공정을 위해 호스트 컴퓨터(12)는 식각공정을 진행할 카세트의 정보를 인식한다.(S210) 여기서, 작업자는 사용자 인터페이스 컴퓨터(18)를 통해 호스트 컴퓨터(12)와 반도체 제조설비들(16)간의 데이터 전송에 관한 프로토콜의 하나인 SECS 메시지, 예를 들어 S1S31, S1F32 ... 등을 이용하여 식각장치로 데이터를 전송하여 식각공정에 대한 데이터를 설정한다. 이때, S1S31에는 첫 번째 식각공정을 실행하기 위한 메시지 내용, 예를 들어, MID = 'mid1', PPID = 'Aproc' 의 메시지 내용이, S1F32에는 두 번째 공정을 실행하기 위한 메시지 내용, 예를 들어 MID = 'mid1', PPID = 'Bproc'의 메시지 내용 등이 포함되어 있다. 여기서, MID는 한 카세트내의 웨이퍼들에 대한 롯 식별기호(ID)를 나타내는 장비에 존재하는 레시피 롯명(recipe lot name)이고, PPID는 웨이퍼들에 대해 진행될 장비에 존재하는 레시피 공정명(recipe process name), 예를 들어, 식각공정을 나타내는 레시피 공정명이다.
또한, 상기 호스트 컴퓨터(12)는 상기 카세트의 해당 롯이 제한된 상기 식각장치의 RF 시간에서 식각공정이 진행되어야하는가를 확인한다.(S220) 이때, 상기 해당 롯이 제한된 상기 RF 시간에서 식각공정을 수행할 필요가 없을 경우, 상기 호스트 컴퓨터(12)는 복수개의 식각장치들 중에서 상기 해당 롯이 식각공정이 이루어져야할 식각장치를 일정한 로딩 순서 또는 소정의 제약에 따라 선택하거나, 상기 로딩 순서 또는 소정의 제약을 받지 않는 범위 내에서 무작위로 선택하여 상기 카세트를 상기 식각장치에 로딩하고,(S260) 식각공정 수행 가능의 트랙 인(track in)신호를 출력하여(S270) 해당 식각장치에서 식각공정이 이루어질 수 있도록 제어한다.
그리고, 상기 해당 롯이 상기 식각장치의 RF 시간과 관련이 있을 경우, 상기 호스트 컴퓨터(12)는 데이터 베이스로부터 복수개의 식각장치들의 RF 시간 데이터를 불러온다.(S230) 또한, 상기 해당 롯의 식각공정이 이루어질 수 있는 RF 시간을 갖는 식각장치가 있는지를 확인한다.(S240)
다음, 상기 해당 롯의 식각공정이 이루어질 수 있는 RF 시간을 갖는 식각장치가 없을 경우, 상기 호스트 컴퓨터(12)는 상기 해당 롯의 식각공정을 소정의 식각공정 지연시간을 갖도록 제어한다.(S250) 이때, 복수개의 식각장치들의 RF 시간이 모두 해당 롯의 식각공정이 이루어질 수 있는 RF 시간에 비해 차이가 많이 발생될 경우, 상기 해당 롯의 카세트는 스택커(stacker)와 같은 저장고에 이송되어 일정 시간 보관될 수 있다. 또한, 상기 소정의 식각공정 지연시간 동안 상기 복수개의 식각장치들은 별도의 식각공정을 계속적으로 진행한다.
그리고, 상기 호스트 컴퓨터(12)는 상기 소정 식각공정 지연시간 이후, 상기 데이터 베이스로부터 상기 복수개의 식각장치들의 RF 시간 데이터를 다시 불러오고,(S230) 상기 해당 롯이 식각공정이 이루어질 수 있는 RF 시간을 갖는 식각장치가 있는지를 순환확인한다.(S240)
그 다음, 상기 해당 롯의 식각공정이 이루어질 수 있는 RF 시간을 갖는 식각장치가 있을 경우, 상기 호스트 컴퓨터(12)는 상기 해당 롯의 식각공정이 가능한 해당 식각장치를 선택하거나, 상기 해당 롯의 식각공정이 가능한 복수개의 식각장치 중 로딩 순서 또는 소정의 제약에 따라 해당 식각장치를 선택하거나, 상기 로딩 순서 또는 소정의 제약을 받지 않는 범위에서 무작위로 해당 식각장치를 선택하여 상기 해당 롯의 카세트를 해당 식각장치에 로딩하도록 제어한다.(S260)
마지막으로, 상기 호스트 컴퓨터(12)는 상기 해당 롯이 해당 식각장치에 로딩되면 트랙 인(track in) 신호를 출력하여 식각공정을 수행할 수 있도록 제어할 수 있다.(S270)
따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법은 상기 호스트 컴퓨터에서 RF 시간에 따라 식각장치를 제어함으로써 RF 시간에 따른 식각공정의 불량을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법은 RF 시간에 따른 웨이퍼의 식각공정을 자동 또는 무인으로 제어할 수 있기 때문에 생산성을 높일 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시예에서는 식각장치의 RF 시간에 따라 호스트 컴퓨터에서 식각공정을 제어하였으나, 일반적인 반도체 제조설비 관리시스템에서의 사용누적 시간에 따라 반도체 제조설비 관리시스템을 제어하여 제조 공정의 불량을 방지할 수도 있다.
또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다. 예컨대, 사안에 따라 반도체 제조설비 관리시스템에 있어서, 일부 구성이 변경되거나, 웨이퍼가 탑재된 해당 롯의 식각공정을 진행하기 위한 식각장치의 수가 가감될 수 있음은 명백하다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법은 호스트 컴퓨터에서 RF 시간에 따라 식각장치를 제어하여 RF 시간에 따른 식각공정의 불량을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법은 RF 시간에 따른 웨이퍼의 식각공정을 자동 또는 무인으로 제어할 수 있기 때문에 생산성을 높일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 식각공정이 진행되는 웨이퍼의 개수에 따른 식각율의 변화를 나타낸 그래프.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조설비 관리시스템을 개략적으로 도시한 블록도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법을 나타내는 흐름도.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법을 나타낸 흐름도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10 : 반도체 제조설비 관리시스템 12 : 호스트 컴퓨터
14 : 설비 서버들 16 : 반도체 제조 설비들
18 : 인터페이스 컴퓨터

Claims (9)

  1. 식각공정을 제어하는 반도체 제조설비 관리시스템에 있어서,
    상기 식각공정을 진행할 해당 롯의 정보를 인식하는 단계와,
    상기 해당 롯의 정보가 식각장치의 미리 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행하는 공정인지를 확인하는 단계와,
    상기 해당 롯이 상기 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행되어야 할 경우, 상기 식각장치의 RF 시간을 상기 설정된 RF시간과 비교하여 상기 식각장치에서 상기 해당 롯의 식각공정의 가능 여부를 판단하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각장치의 RF 시간이 상기 설정된 RF 시간을 초과할 경우 해당 롯의 식각공정을 수행하도록 제어하고, 상기 식각장치의 RF시간이 상기 설정된 RF 시간을 초과하지 않을 경우 해당 롯의 식각공정을 수행하지 못하도록 제어하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 해당 롯의 식각공정을 수행하지 못할 경우 경고를 표시하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각장치에서 해당 롯의 식각공정을 수행할 경우, 상기 식각장치의 RF 시간을 계산하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법.
  5. 웨이퍼가 삽입된 카세트를 식각장치에 로딩하는 단계와,
    식각공정을 진행할 상기 웨이퍼의 해당 롯 정보를 인식하여 설정된 RF 시간이 경과된 식각장치에서 식각공정을 진행하여야 하는 것인지를 판단하는 단계와,
    상기 해당 롯이 상기 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행하지 않아도될 경우, 상기 식각장치에서 상기 해당 식각공정을 진행하도록 제어하는 단계와,
    상기 해당 롯이 상기 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행해야 할 경우, 상기 식각장치의 RF 시간을 상기 설정된 RF 시간과 비교하여 상기 식각장치에서 해당 롯의 식각공정이 가능한가를 판단하는 단계와,
    상기 식각장치에서 상기 해당 롯의 식각공정이 가능할 경우 식각공정이 이루어질 수 있도록 제어하고, 상기 식각장치에서 해당 롯의 식각공정이 불가능할 경우 식각공정 수행의 불가능을 경고하고, 상기 카세트가 로딩된 상기 식각장치의 식각공정이 수행되지 못하도록 제어하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 식각장치에서 상기 해당 롯의 식각공정이 불가능한 경우, 별도의 다른 식각장비에 로딩하여 상기 RF 시간에 따른 식각공정 가능 여부를 판단하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법.
  7. 식각공정을 진행할 상기 웨이퍼의 해당 롯 정보를 인식하는 단계와,
    상기 인식한 해당 롯의 정보가 식각장치의 미리 설정된 RF 시간이 경과된 후 식각공정을 진행해야되는지를 판단하는 단계와,
    상기 해당 롯이 상기 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행해야하지 않아도 될 경우, 복수개의 식각장치 중 상기 해당 롯에 대응하는 식각공정이 진행될 해당 식각장치를 선택하고 상기 웨이퍼가 적재된 카세트를 상기 해당 식각장치에 로딩하여 상기 웨이퍼의 식각공정을 진행하도록 제어하는 단계와,
    상기 해당 롯의 식각공정이 상기 설정된 RF 시간을 경과하여 진행되어야 할 경우 복수개의 식각장치 중 상기 설정된 RF 시간 이상의 RF 시간을 갖는 식각장치를 선택하여 상기 카세트를 로딩한 후 상기 해당 롯의 식각공정이 진행되도록 제어하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 복수개의 식각장치 중 상기 설정된 RF 시간 이상의 RF 시간을 갖는 식각장치가 없을 경우 상기 식각공정을 소정 시간동안 지연시킨 후 다시 RF 시간을 갖는 식각장치를 선택하여 상기 해당 롯의 식각공정을 진행하도록 제어하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 해당 롯의 식각공정이 소정 시간동안 지연되는 동안에 상기 카세트는 스토커에 이송되어 보관함을 특징으로 하는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5276926B2 (ja) * 2008-08-25 2013-08-28 ラピスセミコンダクタ株式会社 コンタクトホール側壁の抵抗値測定方法
US8606379B2 (en) * 2008-09-29 2013-12-10 Fisher-Rosemount Systems, Inc. Method of generating a product recipe for execution in batch processing
JP5491022B2 (ja) * 2008-12-10 2014-05-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理装置の制御方法および基板処理装置の表示方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5569356A (en) * 1995-05-19 1996-10-29 Lam Research Corporation Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof
US6197699B1 (en) * 1998-01-20 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. In situ dry cleaning process for poly gate etch
US6939476B1 (en) * 2002-11-20 2005-09-06 National Semiconductor Corporation Method for real time metal ETCH critical dimension control
JP4247083B2 (ja) * 2003-09-26 2009-04-02 株式会社東芝 半導体製造ラインの稼働率評価システムと設計システム

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