JPH0878347A - エピタキシャル成長装置のサセプタ - Google Patents

エピタキシャル成長装置のサセプタ

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JPH0878347A
JPH0878347A JP6238477A JP23847794A JPH0878347A JP H0878347 A JPH0878347 A JP H0878347A JP 6238477 A JP6238477 A JP 6238477A JP 23847794 A JP23847794 A JP 23847794A JP H0878347 A JPH0878347 A JP H0878347A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
susceptor
pocket
epitaxial growth
orientation flat
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JP6238477A
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Kazuo Ogata
和郎 緒方
Kazuhisa Iwanaga
和久 岩永
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Sumco Techxiv Corp
Original Assignee
Komatsu Electronic Metals Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12Substrate holders or susceptors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 エピタキシャル成長装置において、半導体ウ
ェーハを載置するサセプタの表面積を最大限に利用し、
1回に処理する半導体ウェーハの枚数を増加することが
できるようにする。 【構成】 半導体ウェーハを所定の位置に載置するため
にサセプタ1の表面に設けるポケット2の形状を、オリ
エンテーションフラットを備えた半導体ウェーハと相似
形でやや大きいものとし、かつ、隣接する半導体ウェー
ハに前記オリエンテーションフラットが近接するように
ポケット2の向きを設定して配設する。これにより、円
形のポケットを有する従来のサセプタに比べて隣接する
ポケットの中心距離が短くなり、同一面積のサセプタに
載置できる半導体ウェーハの枚数を増加することができ
る。また、前記ポケット2の周縁部に設けた半円形の切
り欠き部3により、エピタキシャル成長完了後の半導体
ウェーハを取り出すことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、エピタキシャル成長装
置のサセプタに関する。
【0002】
【従来の技術】縦型の気相エピタキシャル成長装置を用
いて半導体ウェーハにエピタキシャル成長を行う場合、
一般にSiCをコーティングしたカーボンからなるサセ
プタに前記半導体ウェーハを載置し、反応室内で加熱し
ながら反応ガスを供給する。図4は従来から用いられて
いるサセプタの一例を示す平面図、図5は図4のB−B
断面図で、このサセプタ1は直径5インチの半導体ウェ
ーハに適用される。これらの図において、サセプタ1の
中心には反応ガス吹き出しノズルを挿嵌する穴7が開け
られている。サセプタ1の上面には半導体ウェーハを所
定の位置に載置し、位置ずれを防止するために、円形の
浅いポケット2が設けられている。前記ポケット2の直
径は半導体ウェーハの直径よりやや大きい。ポケット2
の中心はサセプタの大小二つの同心円上に一定の間隔で
配置され、サセプタ1の外周側に13個、内周側に7
個、合計20個のポケットが設けられている。また、エ
ピタキシャル成長時の膜厚、抵抗率をモニタする半導体
ウェーハ小片を所定の位置に載置するため、サセプタ1
の1箇所に長方形のポケット8が半径方向に沿って設け
られている。前記ポケット2,8の深さは1mm以下で
ある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウェーハには、
結晶方位や伝導型の判別および位置合わせを容易にする
ため、オリエンテーションフラットの加工がなされてい
る。これに対し従来のサセプタに設けられているポケッ
トは円形であるため、前記ポケットに半導体ウェーハを
載置したときオリエンテーションフラットの部分に半月
形の空間部分ができる。この空間部分があると、エピタ
キシャル成長後の半導体ウェーハを取り出す際に便利で
あるが、同時に遊休面積となり、前記空間部分の合計面
積のサセプタ表面積に対する比率はかなり大きなものと
なる。
【0004】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、限られたサセプタ表面積を最大限に利用
し、1回のエピタキシャル成長で処理し得る半導体ウェ
ーハの枚数を増加することが可能なエピタキシャル成長
装置のサセプタを提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るエピタキシャル成長装置のサセプタ
は、オリエンテーションフラットを有する半導体ウェー
ハを所定の位置に載置するため、表面に前記半導体ウェ
ーハよりやや大きい円形のポケットを複数個備えたエピ
タキシャル成長装置のサセプタにおいて、前記ポケット
を半導体ウェーハと相似の形状とするとともに、隣接す
る半導体ウェーハにオリエンテーションフラット部分が
近接するように配設し、互いに隣接するポケットの中心
距離を短くすることによって前記ポケットの数を増加し
たことを特徴とし、前記ポケットの周縁部に、エピタキ
シャル成長完了後の半導体ウェーハを取り出すための切
り欠き部を設ける構成とした。
【0006】
【作用】上記構成によれば、エピタキシャル成長装置の
サセプタにおいて、半導体ウェーハを所定の位置に載置
するためにサセプタ表面に設けるポケットの形状を、オ
リエンテーションフラットを備えた半導体ウェーハと相
似する形状とし、前記オリエンテーションフラット部分
が隣接の半導体ウェーハに近接するようにポケットを配
設したので、円形のポケットと半導体ウェーハのオリエ
ンテーションフラット部分との間に生じていた空間部分
がなくなる。そのため、互いに隣接するポケットの中心
距離が従来より短くなり、同一面積のサセプタに載置で
きる半導体ウェーハの枚数が増加する。また、エピタキ
シャル成長完了後の半導体ウェーハは、前記ポケットの
周縁部に設けた切り欠き部を利用してサセプタから取り
出すことができる。
【0007】
【実施例】以下に、本発明に係るエピタキシャル成長装
置のサセプタの実施例について、図面を参照して説明す
る。図1は、一例として挙げた直径5インチの半導体ウ
ェーハを載置するサセプタの平面図、図2はポケットの
平面図である。これらの図において、SiCをコーティ
ングしたカーボンからなる円板状のサセプタ1の上面に
は、オリエンテーションフラットを有する半導体ウェー
ハの形状に相似するポケット2が大小二つの同心円上に
それぞれ所定の間隔で配設されている。前記ポケット2
はサセプタ1の外周側に14個、内周側に7個設けら
れ、ポケットの合計は21個となるので、従来のサセプ
タに設けられているポケットの個数より1個多い。ポケ
ット2の直径はいずれも126mmで、半導体ウェーハ
の直径より1mm大きい。また、ポケット2の周縁に
は、エピタキシャル成長完了後の半導体ウェーハを取り
出す際に利用する半円形の切り欠き部3がそれぞれ設け
られている。前記切り欠き部3は、オリエンテーション
フラット部中心線からθだけずれた位置に設けられ、前
記θはサセプタ1の外周側のポケットの場合45°、内
周側のポケットの場合20°である。ただし、前記切り
欠き部3の位置は隣接するポケットの周縁と干渉しない
位置であればよく、前記角度に固定されるものではな
い。
【0008】サセプタ1の上面には、半導体ウェーハを
載置するポケット2の他に、複数個の角形のポケット
4,5が設けられている。前記ポケット4,5は、半導
体ウェーハのエピタキシャル成長状態をモニタするため
のもので、サセプタ1の半径方向に沿ってポケット2の
隙間に設けられている。これらのポケットのうち、大形
のポケット4にはエピタキシャル成長層の厚さをモニタ
するためのウェーハ小片を載置し、小形のポケット5に
は抵抗率をモニタするためのウェーハ小片を載置する。
モニタ用小片を前記ポケット4,5に載置することによ
り、位置ずれを防止することができる。
【0009】図3は前記図2のA−A線に沿う断面模式
図で、前記切り欠き部3はポケット2と同じ深さに設け
られている。また半導体ウェーハは、エピタキシャル成
長時に加熱されて椀形に反るので、従来のサセプタと同
様にポケット2の底面には前記ウェーハの変形に対応す
る凹面6が形成されている。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、エ
ピタキシャル成長装置のサセプタにおいて、半導体ウェ
ーハを所定の位置に載置するためにサセプタ表面に設け
るポケットを、オリエンテーションフラットを有する半
導体ウェーハと相似する形状とし、かつ、隣接する半導
体ウェーハに前記オリエンテーションフラットが近接す
るようにポケットの向きを設定して配設したので、サセ
プタの表面積を従来よりも有効に活用することができ、
1回当たりの半導体ウェーハ処理枚数が増加する。従っ
て、エピタキシャル成長工程における生産性を向上させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体ウェーハを載置するサセプタの平面図で
ある。
【図2】サセプタに配設されたポケットの平面図であ
る。
【図3】図2のA−A断面図である。
【図4】従来から用いられているサセプタの平面図であ
る。
【図5】図4のB−B断面図である。
【符号の説明】
1 サセプタ 2,4,5,8 ポケット 3 切り欠き部 6 凹面 7 穴

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 オリエンテーションフラットを有する半
    導体ウェーハを所定の位置に載置するため、表面に前記
    半導体ウェーハよりやや大きい円形のポケットを複数個
    備えたエピタキシャル成長装置のサセプタにおいて、前
    記ポケットを半導体ウェーハと相似の形状とするととも
    に、隣接する半導体ウェーハにオリエンテーションフラ
    ット部分が近接するように配設し、互いに隣接するポケ
    ットの中心距離を短くすることによって前記ポケットの
    数を増加したことを特徴とするエピタキシャル成長装置
    のサセプタ。
  2. 【請求項2】 前記ポケットの周縁部に、エピタキシャ
    ル成長完了後の半導体ウェーハを取り出すための切り欠
    き部を設けたことを特徴とする請求項1のエピタキシャ
    ル成長装置のサセプタ。
JP6238477A 1994-09-06 1994-09-06 エピタキシャル成長装置のサセプタ Pending JPH0878347A (ja)

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US08/607,211 US5690742A (en) 1994-09-06 1996-02-26 Susceptor for an epitaxial growth apparatus

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