JPH0878347A - エピタキシャル成長装置のサセプタ - Google Patents
エピタキシャル成長装置のサセプタInfo
- Publication number
- JPH0878347A JPH0878347A JP6238477A JP23847794A JPH0878347A JP H0878347 A JPH0878347 A JP H0878347A JP 6238477 A JP6238477 A JP 6238477A JP 23847794 A JP23847794 A JP 23847794A JP H0878347 A JPH0878347 A JP H0878347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- susceptor
- epitaxial growth
- orientation flat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000004904 shortening Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 43
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 241001272720 Medialuna californiensis Species 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エピタキシャル成長装置において、半導体ウ
ェーハを載置するサセプタの表面積を最大限に利用し、
１回に処理する半導体ウェーハの枚数を増加することが
できるようにする。 【構成】 半導体ウェーハを所定の位置に載置するため
にサセプタ１の表面に設けるポケット２の形状を、オリ
エンテーションフラットを備えた半導体ウェーハと相似
形でやや大きいものとし、かつ、隣接する半導体ウェー
ハに前記オリエンテーションフラットが近接するように
ポケット２の向きを設定して配設する。これにより、円
形のポケットを有する従来のサセプタに比べて隣接する
ポケットの中心距離が短くなり、同一面積のサセプタに
載置できる半導体ウェーハの枚数を増加することができ
る。また、前記ポケット２の周縁部に設けた半円形の切
り欠き部３により、エピタキシャル成長完了後の半導体
ウェーハを取り出すことができる。
ェーハを載置するサセプタの表面積を最大限に利用し、
１回に処理する半導体ウェーハの枚数を増加することが
できるようにする。 【構成】 半導体ウェーハを所定の位置に載置するため
にサセプタ１の表面に設けるポケット２の形状を、オリ
エンテーションフラットを備えた半導体ウェーハと相似
形でやや大きいものとし、かつ、隣接する半導体ウェー
ハに前記オリエンテーションフラットが近接するように
ポケット２の向きを設定して配設する。これにより、円
形のポケットを有する従来のサセプタに比べて隣接する
ポケットの中心距離が短くなり、同一面積のサセプタに
載置できる半導体ウェーハの枚数を増加することができ
る。また、前記ポケット２の周縁部に設けた半円形の切
り欠き部３により、エピタキシャル成長完了後の半導体
ウェーハを取り出すことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エピタキシャル成長装
置のサセプタに関する。
置のサセプタに関する。
【０００２】
【従来の技術】縦型の気相エピタキシャル成長装置を用
いて半導体ウェーハにエピタキシャル成長を行う場合、
一般にＳｉＣをコーティングしたカーボンからなるサセ
プタに前記半導体ウェーハを載置し、反応室内で加熱し
ながら反応ガスを供給する。図４は従来から用いられて
いるサセプタの一例を示す平面図、図５は図４のＢ−Ｂ
断面図で、このサセプタ１は直径５インチの半導体ウェ
ーハに適用される。これらの図において、サセプタ１の
中心には反応ガス吹き出しノズルを挿嵌する穴７が開け
られている。サセプタ１の上面には半導体ウェーハを所
定の位置に載置し、位置ずれを防止するために、円形の
浅いポケット２が設けられている。前記ポケット２の直
径は半導体ウェーハの直径よりやや大きい。ポケット２
の中心はサセプタの大小二つの同心円上に一定の間隔で
配置され、サセプタ１の外周側に１３個、内周側に７
個、合計２０個のポケットが設けられている。また、エ
ピタキシャル成長時の膜厚、抵抗率をモニタする半導体
ウェーハ小片を所定の位置に載置するため、サセプタ１
の１箇所に長方形のポケット８が半径方向に沿って設け
られている。前記ポケット２，８の深さは１ｍｍ以下で
ある。
いて半導体ウェーハにエピタキシャル成長を行う場合、
一般にＳｉＣをコーティングしたカーボンからなるサセ
プタに前記半導体ウェーハを載置し、反応室内で加熱し
ながら反応ガスを供給する。図４は従来から用いられて
いるサセプタの一例を示す平面図、図５は図４のＢ−Ｂ
断面図で、このサセプタ１は直径５インチの半導体ウェ
ーハに適用される。これらの図において、サセプタ１の
中心には反応ガス吹き出しノズルを挿嵌する穴７が開け
られている。サセプタ１の上面には半導体ウェーハを所
定の位置に載置し、位置ずれを防止するために、円形の
浅いポケット２が設けられている。前記ポケット２の直
径は半導体ウェーハの直径よりやや大きい。ポケット２
の中心はサセプタの大小二つの同心円上に一定の間隔で
配置され、サセプタ１の外周側に１３個、内周側に７
個、合計２０個のポケットが設けられている。また、エ
ピタキシャル成長時の膜厚、抵抗率をモニタする半導体
ウェーハ小片を所定の位置に載置するため、サセプタ１
の１箇所に長方形のポケット８が半径方向に沿って設け
られている。前記ポケット２，８の深さは１ｍｍ以下で
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウェーハには、
結晶方位や伝導型の判別および位置合わせを容易にする
ため、オリエンテーションフラットの加工がなされてい
る。これに対し従来のサセプタに設けられているポケッ
トは円形であるため、前記ポケットに半導体ウェーハを
載置したときオリエンテーションフラットの部分に半月
形の空間部分ができる。この空間部分があると、エピタ
キシャル成長後の半導体ウェーハを取り出す際に便利で
あるが、同時に遊休面積となり、前記空間部分の合計面
積のサセプタ表面積に対する比率はかなり大きなものと
なる。
結晶方位や伝導型の判別および位置合わせを容易にする
ため、オリエンテーションフラットの加工がなされてい
る。これに対し従来のサセプタに設けられているポケッ
トは円形であるため、前記ポケットに半導体ウェーハを
載置したときオリエンテーションフラットの部分に半月
形の空間部分ができる。この空間部分があると、エピタ
キシャル成長後の半導体ウェーハを取り出す際に便利で
あるが、同時に遊休面積となり、前記空間部分の合計面
積のサセプタ表面積に対する比率はかなり大きなものと
なる。
【０００４】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、限られたサセプタ表面積を最大限に利用
し、１回のエピタキシャル成長で処理し得る半導体ウェ
ーハの枚数を増加することが可能なエピタキシャル成長
装置のサセプタを提供することを目的としている。
れたもので、限られたサセプタ表面積を最大限に利用
し、１回のエピタキシャル成長で処理し得る半導体ウェ
ーハの枚数を増加することが可能なエピタキシャル成長
装置のサセプタを提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るエピタキシャル成長装置のサセプタ
は、オリエンテーションフラットを有する半導体ウェー
ハを所定の位置に載置するため、表面に前記半導体ウェ
ーハよりやや大きい円形のポケットを複数個備えたエピ
タキシャル成長装置のサセプタにおいて、前記ポケット
を半導体ウェーハと相似の形状とするとともに、隣接す
る半導体ウェーハにオリエンテーションフラット部分が
近接するように配設し、互いに隣接するポケットの中心
距離を短くすることによって前記ポケットの数を増加し
たことを特徴とし、前記ポケットの周縁部に、エピタキ
シャル成長完了後の半導体ウェーハを取り出すための切
り欠き部を設ける構成とした。
め、本発明に係るエピタキシャル成長装置のサセプタ
は、オリエンテーションフラットを有する半導体ウェー
ハを所定の位置に載置するため、表面に前記半導体ウェ
ーハよりやや大きい円形のポケットを複数個備えたエピ
タキシャル成長装置のサセプタにおいて、前記ポケット
を半導体ウェーハと相似の形状とするとともに、隣接す
る半導体ウェーハにオリエンテーションフラット部分が
近接するように配設し、互いに隣接するポケットの中心
距離を短くすることによって前記ポケットの数を増加し
たことを特徴とし、前記ポケットの周縁部に、エピタキ
シャル成長完了後の半導体ウェーハを取り出すための切
り欠き部を設ける構成とした。
【０００６】
【作用】上記構成によれば、エピタキシャル成長装置の
サセプタにおいて、半導体ウェーハを所定の位置に載置
するためにサセプタ表面に設けるポケットの形状を、オ
リエンテーションフラットを備えた半導体ウェーハと相
似する形状とし、前記オリエンテーションフラット部分
が隣接の半導体ウェーハに近接するようにポケットを配
設したので、円形のポケットと半導体ウェーハのオリエ
ンテーションフラット部分との間に生じていた空間部分
がなくなる。そのため、互いに隣接するポケットの中心
距離が従来より短くなり、同一面積のサセプタに載置で
きる半導体ウェーハの枚数が増加する。また、エピタキ
シャル成長完了後の半導体ウェーハは、前記ポケットの
周縁部に設けた切り欠き部を利用してサセプタから取り
出すことができる。
サセプタにおいて、半導体ウェーハを所定の位置に載置
するためにサセプタ表面に設けるポケットの形状を、オ
リエンテーションフラットを備えた半導体ウェーハと相
似する形状とし、前記オリエンテーションフラット部分
が隣接の半導体ウェーハに近接するようにポケットを配
設したので、円形のポケットと半導体ウェーハのオリエ
ンテーションフラット部分との間に生じていた空間部分
がなくなる。そのため、互いに隣接するポケットの中心
距離が従来より短くなり、同一面積のサセプタに載置で
きる半導体ウェーハの枚数が増加する。また、エピタキ
シャル成長完了後の半導体ウェーハは、前記ポケットの
周縁部に設けた切り欠き部を利用してサセプタから取り
出すことができる。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明に係るエピタキシャル成長装
置のサセプタの実施例について、図面を参照して説明す
る。図１は、一例として挙げた直径５インチの半導体ウ
ェーハを載置するサセプタの平面図、図２はポケットの
平面図である。これらの図において、ＳｉＣをコーティ
ングしたカーボンからなる円板状のサセプタ１の上面に
は、オリエンテーションフラットを有する半導体ウェー
ハの形状に相似するポケット２が大小二つの同心円上に
それぞれ所定の間隔で配設されている。前記ポケット２
はサセプタ１の外周側に１４個、内周側に７個設けら
れ、ポケットの合計は２１個となるので、従来のサセプ
タに設けられているポケットの個数より１個多い。ポケ
ット２の直径はいずれも１２６ｍｍで、半導体ウェーハ
の直径より１ｍｍ大きい。また、ポケット２の周縁に
は、エピタキシャル成長完了後の半導体ウェーハを取り
出す際に利用する半円形の切り欠き部３がそれぞれ設け
られている。前記切り欠き部３は、オリエンテーション
フラット部中心線からθだけずれた位置に設けられ、前
記θはサセプタ１の外周側のポケットの場合４５°、内
周側のポケットの場合２０°である。ただし、前記切り
欠き部３の位置は隣接するポケットの周縁と干渉しない
位置であればよく、前記角度に固定されるものではな
い。
置のサセプタの実施例について、図面を参照して説明す
る。図１は、一例として挙げた直径５インチの半導体ウ
ェーハを載置するサセプタの平面図、図２はポケットの
平面図である。これらの図において、ＳｉＣをコーティ
ングしたカーボンからなる円板状のサセプタ１の上面に
は、オリエンテーションフラットを有する半導体ウェー
ハの形状に相似するポケット２が大小二つの同心円上に
それぞれ所定の間隔で配設されている。前記ポケット２
はサセプタ１の外周側に１４個、内周側に７個設けら
れ、ポケットの合計は２１個となるので、従来のサセプ
タに設けられているポケットの個数より１個多い。ポケ
ット２の直径はいずれも１２６ｍｍで、半導体ウェーハ
の直径より１ｍｍ大きい。また、ポケット２の周縁に
は、エピタキシャル成長完了後の半導体ウェーハを取り
出す際に利用する半円形の切り欠き部３がそれぞれ設け
られている。前記切り欠き部３は、オリエンテーション
フラット部中心線からθだけずれた位置に設けられ、前
記θはサセプタ１の外周側のポケットの場合４５°、内
周側のポケットの場合２０°である。ただし、前記切り
欠き部３の位置は隣接するポケットの周縁と干渉しない
位置であればよく、前記角度に固定されるものではな
い。
【０００８】サセプタ１の上面には、半導体ウェーハを
載置するポケット２の他に、複数個の角形のポケット
４，５が設けられている。前記ポケット４，５は、半導
体ウェーハのエピタキシャル成長状態をモニタするため
のもので、サセプタ１の半径方向に沿ってポケット２の
隙間に設けられている。これらのポケットのうち、大形
のポケット４にはエピタキシャル成長層の厚さをモニタ
するためのウェーハ小片を載置し、小形のポケット５に
は抵抗率をモニタするためのウェーハ小片を載置する。
モニタ用小片を前記ポケット４，５に載置することによ
り、位置ずれを防止することができる。
載置するポケット２の他に、複数個の角形のポケット
４，５が設けられている。前記ポケット４，５は、半導
体ウェーハのエピタキシャル成長状態をモニタするため
のもので、サセプタ１の半径方向に沿ってポケット２の
隙間に設けられている。これらのポケットのうち、大形
のポケット４にはエピタキシャル成長層の厚さをモニタ
するためのウェーハ小片を載置し、小形のポケット５に
は抵抗率をモニタするためのウェーハ小片を載置する。
モニタ用小片を前記ポケット４，５に載置することによ
り、位置ずれを防止することができる。
【０００９】図３は前記図２のＡ−Ａ線に沿う断面模式
図で、前記切り欠き部３はポケット２と同じ深さに設け
られている。また半導体ウェーハは、エピタキシャル成
長時に加熱されて椀形に反るので、従来のサセプタと同
様にポケット２の底面には前記ウェーハの変形に対応す
る凹面６が形成されている。
図で、前記切り欠き部３はポケット２と同じ深さに設け
られている。また半導体ウェーハは、エピタキシャル成
長時に加熱されて椀形に反るので、従来のサセプタと同
様にポケット２の底面には前記ウェーハの変形に対応す
る凹面６が形成されている。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、エ
ピタキシャル成長装置のサセプタにおいて、半導体ウェ
ーハを所定の位置に載置するためにサセプタ表面に設け
るポケットを、オリエンテーションフラットを有する半
導体ウェーハと相似する形状とし、かつ、隣接する半導
体ウェーハに前記オリエンテーションフラットが近接す
るようにポケットの向きを設定して配設したので、サセ
プタの表面積を従来よりも有効に活用することができ、
１回当たりの半導体ウェーハ処理枚数が増加する。従っ
て、エピタキシャル成長工程における生産性を向上させ
ることができる。
ピタキシャル成長装置のサセプタにおいて、半導体ウェ
ーハを所定の位置に載置するためにサセプタ表面に設け
るポケットを、オリエンテーションフラットを有する半
導体ウェーハと相似する形状とし、かつ、隣接する半導
体ウェーハに前記オリエンテーションフラットが近接す
るようにポケットの向きを設定して配設したので、サセ
プタの表面積を従来よりも有効に活用することができ、
１回当たりの半導体ウェーハ処理枚数が増加する。従っ
て、エピタキシャル成長工程における生産性を向上させ
ることができる。
【図１】半導体ウェーハを載置するサセプタの平面図で
ある。
ある。
【図２】サセプタに配設されたポケットの平面図であ
る。
る。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】従来から用いられているサセプタの平面図であ
る。
る。
【図５】図４のＢ−Ｂ断面図である。
１ サセプタ ２，４，５，８ ポケット ３ 切り欠き部 ６ 凹面 ７ 穴
Claims (2)
- 【請求項１】 オリエンテーションフラットを有する半
導体ウェーハを所定の位置に載置するため、表面に前記
半導体ウェーハよりやや大きい円形のポケットを複数個
備えたエピタキシャル成長装置のサセプタにおいて、前
記ポケットを半導体ウェーハと相似の形状とするととも
に、隣接する半導体ウェーハにオリエンテーションフラ
ット部分が近接するように配設し、互いに隣接するポケ
ットの中心距離を短くすることによって前記ポケットの
数を増加したことを特徴とするエピタキシャル成長装置
のサセプタ。 - 【請求項２】 前記ポケットの周縁部に、エピタキシャ
ル成長完了後の半導体ウェーハを取り出すための切り欠
き部を設けたことを特徴とする請求項１のエピタキシャ
ル成長装置のサセプタ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6238477A JPH0878347A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | エピタキシャル成長装置のサセプタ |
| TW84112408A TW278202B (ja) | 1994-09-06 | 1995-11-22 | |
| US08/607,211 US5690742A (en) | 1994-09-06 | 1996-02-26 | Susceptor for an epitaxial growth apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6238477A JPH0878347A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | エピタキシャル成長装置のサセプタ |
| US08/607,211 US5690742A (en) | 1994-09-06 | 1996-02-26 | Susceptor for an epitaxial growth apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878347A true JPH0878347A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=26533712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6238477A Pending JPH0878347A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | エピタキシャル成長装置のサセプタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5690742A (ja) |
| JP (1) | JPH0878347A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010528466A (ja) * | 2007-05-23 | 2010-08-19 | アイクストロン、アーゲー | サセプタ上に最密集して配置された複数の基板をコーティグするための装置 |
| JP2017510088A (ja) * | 2014-01-27 | 2017-04-06 | ビーコ インストルメンツ インコーポレイテッド | 化学蒸着システム用の複合半径を有する保持ポケットを有するウェハキャリア |
Families Citing this family (244)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6001183A (en) * | 1996-06-10 | 1999-12-14 | Emcore Corporation | Wafer carriers for epitaxial growth processes |
| US6634882B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-10-21 | Asm America, Inc. | Susceptor pocket profile to improve process performance |
| US7033445B2 (en) * | 2001-12-27 | 2006-04-25 | Asm America, Inc. | Gridded susceptor |
| US6849131B2 (en) * | 2002-10-05 | 2005-02-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Truncated dummy plate for process furnace |
| US6709267B1 (en) | 2002-12-27 | 2004-03-23 | Asm America, Inc. | Substrate holder with deep annular groove to prevent edge heat loss |
| US7727588B2 (en) * | 2003-09-05 | 2010-06-01 | Yield Engineering Systems, Inc. | Apparatus for the efficient coating of substrates |
| JP4934595B2 (ja) | 2005-01-18 | 2012-05-16 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 薄膜成長用反応装置 |
| US20100264518A1 (en) * | 2009-04-15 | 2010-10-21 | Lee Shura | Wafer and method for construction, strengthening and homogenization thereof |
| US8216379B2 (en) * | 2009-04-23 | 2012-07-10 | Applied Materials, Inc. | Non-circular substrate holders |
| US20110121503A1 (en) * | 2009-08-05 | 2011-05-26 | Applied Materials, Inc. | Cvd apparatus |
| TWI485799B (zh) | 2009-12-10 | 2015-05-21 | Orbotech Lt Solar Llc | 自動排序之直線型處理裝置 |
| US20110315081A1 (en) * | 2010-06-25 | 2011-12-29 | Law Kam S | Susceptor for plasma processing chamber |
| JP4980461B1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-07-18 | 三井造船株式会社 | 誘導加熱装置 |
| US8459276B2 (en) | 2011-05-24 | 2013-06-11 | Orbotech LT Solar, LLC. | Broken wafer recovery system |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| TWI650832B (zh) | 2013-12-26 | 2019-02-11 | 維克儀器公司 | 用於化學氣相沉積系統之具有隔熱蓋的晶圓載具 |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| USD793971S1 (en) | 2015-03-27 | 2017-08-08 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with a 14-pocket configuration |
| USD793972S1 (en) | 2015-03-27 | 2017-08-08 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with a 31-pocket configuration |
| USD778247S1 (en) | 2015-04-16 | 2017-02-07 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with a multi-pocket configuration |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10872803B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
| US10872804B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| USD860146S1 (en) | 2017-11-30 | 2019-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with a 33-pocket configuration |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| USD858469S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-09-03 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
| USD866491S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-11-12 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
| USD863239S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-10-15 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
| USD860147S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
| USD854506S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-07-23 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| TWI844567B (zh) | 2018-10-01 | 2024-06-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) * | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| USD914620S1 (en) | 2019-01-17 | 2021-03-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vented susceptor |
| CN111446185A (zh) | 2019-01-17 | 2020-07-24 | Asm Ip 控股有限公司 | 通风基座 |
| USD920936S1 (en) | 2019-01-17 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Higher temperature vented susceptor |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| TWI845682B (zh) | 2019-05-22 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 工件基座主體 |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| US11764101B2 (en) | 2019-10-24 | 2023-09-19 | ASM IP Holding, B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
| TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210127620A (ko) | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| USD1031676S1 (en) | 2020-12-04 | 2024-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Combined susceptor, support, and lift system |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1030687S1 (en) * | 2022-05-31 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5152842A (en) * | 1991-12-05 | 1992-10-06 | Rohm Co., Ltd. | Reactor for epitaxial growth |
-
1994
- 1994-09-06 JP JP6238477A patent/JPH0878347A/ja active Pending
-
1996
- 1996-02-26 US US08/607,211 patent/US5690742A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010528466A (ja) * | 2007-05-23 | 2010-08-19 | アイクストロン、アーゲー | サセプタ上に最密集して配置された複数の基板をコーティグするための装置 |
| JP2017510088A (ja) * | 2014-01-27 | 2017-04-06 | ビーコ インストルメンツ インコーポレイテッド | 化学蒸着システム用の複合半径を有する保持ポケットを有するウェハキャリア |
| US11248295B2 (en) | 2014-01-27 | 2022-02-15 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5690742A (en) | 1997-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0878347A (ja) | エピタキシャル成長装置のサセプタ | |
| US4986215A (en) | Susceptor for vapor-phase growth system | |
| US11885019B2 (en) | Susceptor with ring to limit backside deposition | |
| EP0471365B1 (en) | Semiconductor wafer processing apparatus | |
| US6344631B1 (en) | Substrate support assembly and processing apparatus | |
| KR101516164B1 (ko) | 에피텍셜 성장용 서셉터 | |
| KR102370949B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 전면에 에피택셜 층을 증착하는 방법 및 이 방법을 수행하기 위한 장치 | |
| TWI593042B (zh) | The substrate carrier can be placed on the substrate carrier heat treatment device | |
| JPH08181080A (ja) | 化学蒸着用基板支持装置 | |
| JPH08255760A (ja) | ウエハ処理リアクタにおける基板支持用シールド | |
| CN211045385U (zh) | 基座 | |
| US4386255A (en) | Susceptor for rotary disc reactor | |
| JPH10167885A (ja) | 気相成長用サセプター | |
| JPH0963966A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP6986872B2 (ja) | ウェハ支持台、化学気相成長装置、及び、ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 | |
| EP3863043A1 (en) | Susceptor | |
| US20190161886A1 (en) | Sic epitaxial growth apparatus | |
| CN213538160U (zh) | 在晶圆的正面上沉积外延层的装置 | |
| US5968277A (en) | Susceptor apparatus for epitaxial deposition and method for reducing slip formation on semiconductor substrates | |
| JP2006186105A (ja) | エピタキシャル成長装置およびそれに用いるサセプター | |
| JP3603216B2 (ja) | 薄膜成長装置 | |
| JPH0727870B2 (ja) | 減圧気相成長方法 | |
| EP3305940A1 (en) | Susceptor | |
| CN113373513B (zh) | 基座以及包括该基座的用于制造晶片的设备 | |
| JPH03291916A (ja) | サセプタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030225 |