JPH03291916A - サセプタ - Google Patents
サセプタInfo
- Publication number
- JPH03291916A JPH03291916A JP2092276A JP9227690A JPH03291916A JP H03291916 A JPH03291916 A JP H03291916A JP 2092276 A JP2092276 A JP 2092276A JP 9227690 A JP9227690 A JP 9227690A JP H03291916 A JPH03291916 A JP H03291916A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- main body
- thickness
- step part
- wall thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、半導体ウェハの製造に使用する縦型の気相
成長装置に関し、特にサセプタの改良に関する。
成長装置に関し、特にサセプタの改良に関する。
従来の技術
縦型の気相成長装置は、石英又はステンレス製のベルジ
ャの中に第４図と第５図のようなディスク状のグラファ
イトに炭化ケイ素を被覆したサセプタ１を備えている。
ャの中に第４図と第５図のようなディスク状のグラファ
イトに炭化ケイ素を被覆したサセプタ１を備えている。
サセプタ１の下方にはラセン状の高周波コイルが設けて
あり、このコイルでサセプタ１を加熱する。
あり、このコイルでサセプタ１を加熱する。
複数の基板ウェハ２は、サセプタ１上に並べられ、サセ
プタ１からの伝熱によって加熱される。そして、原料ガ
スがキャリアガスと共にベルジャ内に導入される。サセ
プタ１は中心軸Ｃのまわりに回転可能である。
プタ１からの伝熱によって加熱される。そして、原料ガ
スがキャリアガスと共にベルジャ内に導入される。サセ
プタ１は中心軸Ｃのまわりに回転可能である。
発明が解決しようとする問題点
従来のサセプタ１は、中心軸Ｃのまわりに段部３を有し
ている。この段部３の内側はサセプタホルダ４により保
持して固定されている。この段部３の肉厚ｔは、サセプ
タ１の肉厚ｔより小さいため、処理後、冷却ガス等を流
して冷却する際に、サセプタ１の本体部分と、段部３の
部分とでは冷却速度が異なり、応力が発生してＰとＱで
示す両者の境界位置において中心方向および外周方向に
向かってクラックが成長してしまう。このため破損が頻
発する。
ている。この段部３の内側はサセプタホルダ４により保
持して固定されている。この段部３の肉厚ｔは、サセプ
タ１の肉厚ｔより小さいため、処理後、冷却ガス等を流
して冷却する際に、サセプタ１の本体部分と、段部３の
部分とでは冷却速度が異なり、応力が発生してＰとＱで
示す両者の境界位置において中心方向および外周方向に
向かってクラックが成長してしまう。このため破損が頻
発する。
発明の目的
この発明は、前述のような従来技術の欠点を解消して、
サセプタの保持を行いつつ段部においてクラックが入っ
て破損してしまうことがないサセプタを提供することを
目的としている。
サセプタの保持を行いつつ段部においてクラックが入っ
て破損してしまうことがないサセプタを提供することを
目的としている。
発明の要旨
前述の目的を達成するために、この発明は請求項に記載
のサセプタを要旨としている。
のサセプタを要旨としている。
問題点を解決するための手段
第１図を参照する。サセプタ１０は段部１１を有する。
この段部１１はサセプタ１０の本体部１０ａから延長さ
れていて、サセプタを保持するための部材１５の上に保
持される。
れていて、サセプタを保持するための部材１５の上に保
持される。
この段部１１の厚みＤは本体部１０ａの厚みと同じにな
るように形成されている。
るように形成されている。
作用
段部１１の厚みに変化が生じないので、冷却してもクラ
ックが生じない。
ックが生じない。
実施例
以下、図面を参照して、この発明の好適な実施例を説明
する。
する。
この発明はサセプタの構造を改良したものであり、サセ
プタ１０を組み込む気相成長装置の構成は従来と同様の
ものを採用できる。
プタ１０を組み込む気相成長装置の構成は従来と同様の
ものを採用できる。
第１図は気相成長装置を示す断面図である。
ベースプレート１２には、ベルジャ１３とインナーベル
ジャ１４が設けられている。ベースプレート１２の中心
にはサセプタを保持するための部材１５が挿入されてい
る。サセプタを保持するための部材１５は回転機構１５
ａにより回転可能である。
ジャ１４が設けられている。ベースプレート１２の中心
にはサセプタを保持するための部材１５が挿入されてい
る。サセプタを保持するための部材１５は回転機構１５
ａにより回転可能である。
サセプタを保持するための部材１５にはノズル１７が下
方より挿入されている。ノズル１７の上端部分１８には
多数のガス供給孔１９が形成されていて、ガス供給孔１
９はサセプタを保持するための部材１５よりも上にある
。ベースプレート１２の上面にはコイル支持部２０が設
けられている。この支持部２０は高周波コイル２１を支
持していて、カバー２２より覆われている。ベースプレ
ート１２にはガス排出管２３が設けられており、シリコ
ンエピタキシャル反応ガスは、矢印で示すように外部か
らノズル１７のガス供給孔１９を介して入り、各ウェハ
Ｗに周知気相成長を行いガス排出管２３により外に出る
。
方より挿入されている。ノズル１７の上端部分１８には
多数のガス供給孔１９が形成されていて、ガス供給孔１
９はサセプタを保持するための部材１５よりも上にある
。ベースプレート１２の上面にはコイル支持部２０が設
けられている。この支持部２０は高周波コイル２１を支
持していて、カバー２２より覆われている。ベースプレ
ート１２にはガス排出管２３が設けられており、シリコ
ンエピタキシャル反応ガスは、矢印で示すように外部か
らノズル１７のガス供給孔１９を介して入り、各ウェハ
Ｗに周知気相成長を行いガス排出管２３により外に出る
。
サセプタ１０は第２図のように円形ディスク状のもので
グラファイトに炭化ケイ素を被覆したものである。サセ
プタ１０には中心に貫通孔２４を有する。サセプタ１０
の内周部に形成された段部１１が、サセプタを保持する
ための部材１５のフランジ部１６によって保持され、固
定されている。サセプタ１０は水平を保ちつつサセプタ
を保持するための部材１５と一緒に回転可能となってい
る。
グラファイトに炭化ケイ素を被覆したものである。サセ
プタ１０には中心に貫通孔２４を有する。サセプタ１０
の内周部に形成された段部１１が、サセプタを保持する
ための部材１５のフランジ部１６によって保持され、固
定されている。サセプタ１０は水平を保ちつつサセプタ
を保持するための部材１５と一緒に回転可能となってい
る。
高周波コイル２１がそのサセプタ１０の下方部に配置さ
れており、サセプタ１０を介してウェハＷの加熱に供さ
れる。
れており、サセプタ１０を介してウェハＷの加熱に供さ
れる。
ウェハＷはサセプタ１０の本体部１０ａの上側に配置さ
れる。
れる。
上記段部１１の付近を第３図で拡大して示す。サセプタ
１０の段部１１の厚みＤは、サセプタ１０の本体部１０
ａの厚みＤと同じである。サセプタ１０の本体部１０ａ
に対する厚みまたは肉厚は段部１１においても変化しな
いように形状を変化するのである。つまり段部１１の移
行部分２５における上下方向の厚みも同じＤである。段
部１１の下面３０が、サセプタを保持するための部材１
５のフランジ部１６に保持して固定される。
１０の段部１１の厚みＤは、サセプタ１０の本体部１０
ａの厚みＤと同じである。サセプタ１０の本体部１０ａ
に対する厚みまたは肉厚は段部１１においても変化しな
いように形状を変化するのである。つまり段部１１の移
行部分２５における上下方向の厚みも同じＤである。段
部１１の下面３０が、サセプタを保持するための部材１
５のフランジ部１６に保持して固定される。
サセプタ１０を第１図のエピタキシャル装置を設定して
１２００℃まで温度上昇させてから、−気に電源を切り
冷却してクラックの入る状況を調査した。同様に第４図
と第５図の従来例のサセプタについても調査した。各調
査数は３０である。
１２００℃まで温度上昇させてから、−気に電源を切り
冷却してクラックの入る状況を調査した。同様に第４図
と第５図の従来例のサセプタについても調査した。各調
査数は３０である。
調査の結果、従来例ではクラックの発生数が平均して３
つであるのに対し、この発明の実施例ではクラック発生
数がＯであった。
つであるのに対し、この発明の実施例ではクラック発生
数がＯであった。
なお、サセプタの肉厚の数値は使用状況により設定され
る。
る。
発明の詳細
な説明したように、この発明によれば、サセプタにおい
て厚みに変化がなくなりクラック発生の起点がなくなり
、サセプタの保持をしつつ、クラックの発生を防いで長
期にわたりサセプタを使用できる。このためコストの低
減化が図れる。
て厚みに変化がなくなりクラック発生の起点がなくなり
、サセプタの保持をしつつ、クラックの発生を防いで長
期にわたりサセプタを使用できる。このためコストの低
減化が図れる。
第１図はこの発明によりサセプタを設置した縦型気相成
長装置を示す縦断面図、第２図はサセプタの平面図、第
３図はサセプタの段部付近を示す拡大断面図、第４図と
第５図は従来のサセプタを示す図である。 Ｗ、、、、、ウェハ ｉｏ、、、、サセプタ １０ａ、、、本体部 ｉｉ、、、、サセプタの段部 １５、、、、サセプタを保持するための部材１６、、、
、フランジ部 １８、、、、ノズル １９、、、、ガス供給孔 ２４、、、、貫通孔 ２５゜ 移行部分
長装置を示す縦断面図、第２図はサセプタの平面図、第
３図はサセプタの段部付近を示す拡大断面図、第４図と
第５図は従来のサセプタを示す図である。 Ｗ、、、、、ウェハ ｉｏ、、、、サセプタ １０ａ、、、本体部 ｉｉ、、、、サセプタの段部 １５、、、、サセプタを保持するための部材１６、、、
、フランジ部 １８、、、、ノズル １９、、、、ガス供給孔 ２４、、、、貫通孔 ２５゜ 移行部分
Claims (1)
- サセプタを保持するための部材に対してサセプタの本
体部から延長された段部をのせて保持し、サセプタの本
体部に載せたウェハに気相成長を行う縦型気相成長装置
に用いるサセプタにおいて、サセプタの段部は、本体部
から肉厚が一定となるように形成されていることを特徴
とするサセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092276A JPH03291916A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092276A JPH03291916A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291916A true JPH03291916A (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=14049879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2092276A Pending JPH03291916A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03291916A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0351763A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-06 | Nec Corp | 回転検出センサ |
| DE19606226A1 (de) * | 1995-07-21 | 1997-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | Dampfphasen-Wachstumsvorrichtung und Verbindungshalbleitervorrichtung, die durch diese hergestellt wird |
| WO2014196323A1 (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-11 | イビデン株式会社 | ウエハキャリアおよびこれを用いたエピタキシャル成長装置 |
-
1990
- 1990-04-09 JP JP2092276A patent/JPH03291916A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0351763A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-06 | Nec Corp | 回転検出センサ |
| DE19606226A1 (de) * | 1995-07-21 | 1997-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | Dampfphasen-Wachstumsvorrichtung und Verbindungshalbleitervorrichtung, die durch diese hergestellt wird |
| US5800622A (en) * | 1995-07-21 | 1998-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vapor-phase growth apparatus and compound semiconductor device fabricated thereby |
| WO2014196323A1 (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-11 | イビデン株式会社 | ウエハキャリアおよびこれを用いたエピタキシャル成長装置 |
| CN105264653A (zh) * | 2013-06-06 | 2016-01-20 | 揖斐电株式会社 | 晶片载体和使用该晶片载体的外延生长装置 |
| JPWO2014196323A1 (ja) * | 2013-06-06 | 2017-02-23 | イビデン株式会社 | ウエハキャリアおよびこれを用いたエピタキシャル成長装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI649781B (zh) | 用於化學氣相沈積之自定中心晶圓載具系統 | |
| US3796182A (en) | Susceptor structure for chemical vapor deposition reactor | |
| US6301434B1 (en) | Apparatus and method for CVD and thermal processing of semiconductor substrates | |
| US4794220A (en) | Rotary barrel type induction vapor-phase growing apparatus | |
| US6623597B1 (en) | Focus ring and apparatus for processing a semiconductor wafer comprising the same | |
| JPH0834187B2 (ja) | サセプタ | |
| JPH0878347A (ja) | エピタキシャル成長装置のサセプタ | |
| JP2004533117A (ja) | 基板サポートアセンブリと基板処理用装置 | |
| WO2003073486A1 (fr) | Dispositif et procede de traitement thermique | |
| JP2020096181A (ja) | サセプタ及び化学気相成長装置 | |
| JPH03291916A (ja) | サセプタ | |
| JPH09245957A (ja) | 高周波誘導加熱炉 | |
| JP6986872B2 (ja) | ウェハ支持台、化学気相成長装置、及び、ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 | |
| JP3440769B2 (ja) | ウェーハアダプタ | |
| JPH07249580A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| JP2003037071A (ja) | サセプタ、気相成長装置および気相成長方法 | |
| JPS60152675A (ja) | 縦型拡散炉型気相成長装置 | |
| JP7419704B2 (ja) | 化学的気相成長装置 | |
| JP2537563Y2 (ja) | 縦型減圧気相成長装置 | |
| JPH1140503A (ja) | 半導体製造方法および装置 | |
| JPH02174114A (ja) | サセプタ | |
| JP6078428B2 (ja) | ウェハ支持台、およびそのウェハ支持台が用いられてなる化学的気相成長装置 | |
| JPH118199A (ja) | 薄膜成長装置 | |
| JPS6058613A (ja) | エピタキシャル装置 | |
| JPH02186623A (ja) | サセプタ |