JP2003037071A - サセプタ、気相成長装置および気相成長方法 - Google Patents
サセプタ、気相成長装置および気相成長方法Info
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- JP2003037071A JP2003037071A JP2001224756A JP2001224756A JP2003037071A JP 2003037071 A JP2003037071 A JP 2003037071A JP 2001224756 A JP2001224756 A JP 2001224756A JP 2001224756 A JP2001224756 A JP 2001224756A JP 2003037071 A JP2003037071 A JP 2003037071A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スリップ転位の発生を抑制可能なサセプタ、
気相成長装置および気相成長方法を提供する。 【解決手段】 ウェーハＷが載置される座ぐり３を主表
面に有するサセプタ１において、座ぐり３の外周側に相
当する部位が、該座ぐり３の中心側よりも厚肉となるよ
うに、下方に突出した突出部４を前記サセプタ１の裏面
に備える。突出部４は、座ぐり３の外周側に相当する部
位の裏面に、例えば円環状に設けられている。或いは、
突出部４は、座ぐり３の外周側のうち、少なくとも当該
サセプタ１の外周側に相当する部位の裏面に設けられて
いることとしても良い。突出部４は、座ぐり３の中心側
から外周側にかけて、次第に大きく下方に突出している
ことが好ましい。
気相成長装置および気相成長方法を提供する。 【解決手段】 ウェーハＷが載置される座ぐり３を主表
面に有するサセプタ１において、座ぐり３の外周側に相
当する部位が、該座ぐり３の中心側よりも厚肉となるよ
うに、下方に突出した突出部４を前記サセプタ１の裏面
に備える。突出部４は、座ぐり３の外周側に相当する部
位の裏面に、例えば円環状に設けられている。或いは、
突出部４は、座ぐり３の外周側のうち、少なくとも当該
サセプタ１の外周側に相当する部位の裏面に設けられて
いることとしても良い。突出部４は、座ぐり３の中心側
から外周側にかけて、次第に大きく下方に突出している
ことが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、サセプタ、気相成
長装置および気相成長方法に関する。
長装置および気相成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ウェーハの主表面上への薄膜
の気相成長は、気相成長装置の反応容器内にサセプタを
配し、該サセプタ上にウェーハを載置した状態で行うよ
うにしている。サセプタは、例えば炭化珪素で被覆され
たグラファイトにより構成され、その主表面には、ウェ
ーハを位置決め状態で載置するための座ぐり（ウェーハ
形状に近い凹部）が形成されている。また、サセプタの
下側には、例えば高周波誘導加熱コイルが配設される。
そして、気相成長は、座ぐりにウェーハを載置したサセ
プタを反応容器内に配した状態で、サセプタを高周波誘
導加熱コイルで高周波加熱することにより、該サセプタ
を介してウェーハを所望の成長温度に昇温するととも
に、ガス供給装置によりウェーハの主表面上に反応ガス
を供給することによりなされる。
の気相成長は、気相成長装置の反応容器内にサセプタを
配し、該サセプタ上にウェーハを載置した状態で行うよ
うにしている。サセプタは、例えば炭化珪素で被覆され
たグラファイトにより構成され、その主表面には、ウェ
ーハを位置決め状態で載置するための座ぐり（ウェーハ
形状に近い凹部）が形成されている。また、サセプタの
下側には、例えば高周波誘導加熱コイルが配設される。
そして、気相成長は、座ぐりにウェーハを載置したサセ
プタを反応容器内に配した状態で、サセプタを高周波誘
導加熱コイルで高周波加熱することにより、該サセプタ
を介してウェーハを所望の成長温度に昇温するととも
に、ガス供給装置によりウェーハの主表面上に反応ガス
を供給することによりなされる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
サセプタを用いて気相成長を行うと、気相成長後のウェ
ーハの周縁部にスリップ転位が発生する場合がある。
サセプタを用いて気相成長を行うと、気相成長後のウェ
ーハの周縁部にスリップ転位が発生する場合がある。
【０００４】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、スリップ転位の発生を抑制可
能なサセプタ、気相成長装置および気相成長方法を提供
することを目的とする。
るためになされたもので、スリップ転位の発生を抑制可
能なサセプタ、気相成長装置および気相成長方法を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】従来の手法により気相成
長を行う場合に、ウェーハの周縁部にスリップ転位が発
生するのは、ウェーハの中心部に比べて周縁部の方が低
温となってしまうためである。ウェーハの中心部よりも
周縁部の温度が低くなるのは、主に、以下の２つの理由
に依る。 例えばいわゆるパンケーキ型の気相成長装置において
は、サセプタの下側に配した高周波誘導加熱コイルによ
りサセプタを加熱することにより、該サセプタを介して
サセプタ上の（座ぐり内の）ウェーハを加熱するため、
ウェーハの下面側の方が上面側よりも必然的に高温とな
り、ウェーハに上下方向の温度分布が生じてしまう。す
ると、ウェーハは、下面側の方が大きく熱膨張するの
で、下に凸な凹面状に反り返ってしまう。すると、ウェ
ーハの周縁部は、サセプタの座ぐりから離間してしまう
ので、サセプタからの熱供給が減り、該周縁部が中心部
と比べて低温となってしまう。なお、この場合、ウェー
ハの中心側から周縁部にかけて放射状に温度傾斜が生じ
ることになる。 例えばシリコン薄膜の気相成長装置においては、反応
容器の内周面でシリコン原料ガスが反応することによ
り、該内周面にシリコンが堆積してしまうことを防止す
るため、例えば反応容器の外周面に冷却ガスを吹き付け
ることなどにより反応容器を冷却することが行われてい
る（いわゆる、コールドウォール式）。このため、反応
容器内は、中心側よりも外周側が低温となりがちであ
る。このため、ウェーハの中心側から、特に、ウェーハ
の周縁部のうち、サセプタの外周側に相当する部分にか
けて、温度傾斜が生じることになる。
長を行う場合に、ウェーハの周縁部にスリップ転位が発
生するのは、ウェーハの中心部に比べて周縁部の方が低
温となってしまうためである。ウェーハの中心部よりも
周縁部の温度が低くなるのは、主に、以下の２つの理由
に依る。 例えばいわゆるパンケーキ型の気相成長装置において
は、サセプタの下側に配した高周波誘導加熱コイルによ
りサセプタを加熱することにより、該サセプタを介して
サセプタ上の（座ぐり内の）ウェーハを加熱するため、
ウェーハの下面側の方が上面側よりも必然的に高温とな
り、ウェーハに上下方向の温度分布が生じてしまう。す
ると、ウェーハは、下面側の方が大きく熱膨張するの
で、下に凸な凹面状に反り返ってしまう。すると、ウェ
ーハの周縁部は、サセプタの座ぐりから離間してしまう
ので、サセプタからの熱供給が減り、該周縁部が中心部
と比べて低温となってしまう。なお、この場合、ウェー
ハの中心側から周縁部にかけて放射状に温度傾斜が生じ
ることになる。 例えばシリコン薄膜の気相成長装置においては、反応
容器の内周面でシリコン原料ガスが反応することによ
り、該内周面にシリコンが堆積してしまうことを防止す
るため、例えば反応容器の外周面に冷却ガスを吹き付け
ることなどにより反応容器を冷却することが行われてい
る（いわゆる、コールドウォール式）。このため、反応
容器内は、中心側よりも外周側が低温となりがちであ
る。このため、ウェーハの中心側から、特に、ウェーハ
の周縁部のうち、サセプタの外周側に相当する部分にか
けて、温度傾斜が生じることになる。
【０００６】そこで、本発明は、ウェーハが載置される
座ぐりを主表面に有し、気相成長の際に反応容器内に配
されるサセプタにおいて、前記座ぐりの外周側に相当す
る部位が、該座ぐりの中心側よりも厚肉となるように、
下方に突出した突出部を前記サセプタの裏面に備えるこ
とを特徴としている。
座ぐりを主表面に有し、気相成長の際に反応容器内に配
されるサセプタにおいて、前記座ぐりの外周側に相当す
る部位が、該座ぐりの中心側よりも厚肉となるように、
下方に突出した突出部を前記サセプタの裏面に備えるこ
とを特徴としている。
【０００７】ここで、気相成長には、単結晶基板（例え
ばシリコン単結晶基板など）の主表面上への単結晶薄膜
の気相エピタキシャル成長や単結晶基板の主表面上への
多結晶薄膜の化学気相成長（ＣＶＤ）などが含まれる。
ばシリコン単結晶基板など）の主表面上への単結晶薄膜
の気相エピタキシャル成長や単結晶基板の主表面上への
多結晶薄膜の化学気相成長（ＣＶＤ）などが含まれる。
【０００８】本発明のサセプタによれば、座ぐりの外周
側に相当する部位の方が、中心側と比べて肉厚であるの
で、熱容量が大きく、保熱効果も高い。よって、ウェー
ハの周縁部を好適に保熱できるので、気相成長中に、ウ
ェーハの周縁部が中心部よりも低温となることを抑制で
き、結果、ウェーハの周縁部でのスリップ転位の発生を
抑制できる。
側に相当する部位の方が、中心側と比べて肉厚であるの
で、熱容量が大きく、保熱効果も高い。よって、ウェー
ハの周縁部を好適に保熱できるので、気相成長中に、ウ
ェーハの周縁部が中心部よりも低温となることを抑制で
き、結果、ウェーハの周縁部でのスリップ転位の発生を
抑制できる。
【０００９】本発明のサセプタにおける突出部は、座ぐ
りの外周側に相当する部位の裏面に、円環状に設けられ
ていることが好ましい。このようにすることにより、ウ
ェーハの周縁部を全域に亘って確実に保熱することがで
きるので、ウェーハが下に凸な状態に反り返ったとして
も、ウェーハの周縁部が中心側よりも低温となってしま
うことを好適に抑制でき、結果、ウェーハの周縁部での
スリップ転位の発生をより好適に抑制できる。
りの外周側に相当する部位の裏面に、円環状に設けられ
ていることが好ましい。このようにすることにより、ウ
ェーハの周縁部を全域に亘って確実に保熱することがで
きるので、ウェーハが下に凸な状態に反り返ったとして
も、ウェーハの周縁部が中心側よりも低温となってしま
うことを好適に抑制でき、結果、ウェーハの周縁部での
スリップ転位の発生をより好適に抑制できる。
【００１０】本発明のサセプタにおける突出部は、座ぐ
りの外周側のうち、少なくとも当該サセプタの外周側に
相当する部位の裏面に設けることとしても良い。この場
合にも、例えばコールドウォール式の反応容器壁により
サセプタの外周側が冷却されても、ウェーハの中心部か
ら、ウェーハの周縁部のうち、サセプタの外周側に相当
する部分にかけて、温度傾斜が生じてしまうことを防止
でき、結果、ウェーハの周縁部でのスリップ転位の発生
を抑制できる。
りの外周側のうち、少なくとも当該サセプタの外周側に
相当する部位の裏面に設けることとしても良い。この場
合にも、例えばコールドウォール式の反応容器壁により
サセプタの外周側が冷却されても、ウェーハの中心部か
ら、ウェーハの周縁部のうち、サセプタの外周側に相当
する部分にかけて、温度傾斜が生じてしまうことを防止
でき、結果、ウェーハの周縁部でのスリップ転位の発生
を抑制できる。
【００１１】本発明のサセプタにおける突出部は、座ぐ
りの中心側から外周側にかけて、次第に大きく下方に突
出した構成とすることがさらに好ましい。この場合、サ
セプタの保熱量が、座ぐりの中心側から外周側にかけて
次第に大きくなる構成にできるので、ウェーハ面内で急
峻に温度環境が異なってしまうことを防止でき、スリッ
プ転位の発生をより好適に抑制できる。
りの中心側から外周側にかけて、次第に大きく下方に突
出した構成とすることがさらに好ましい。この場合、サ
セプタの保熱量が、座ぐりの中心側から外周側にかけて
次第に大きくなる構成にできるので、ウェーハ面内で急
峻に温度環境が異なってしまうことを防止でき、スリッ
プ転位の発生をより好適に抑制できる。
【００１２】本発明のサセプタは、座ぐりの裏面側の突
出部に加えて、当該サセプタの外周の裏面にも、下方に
突出した突出部を備えることがより好ましい。このよう
にすることで、サセプタ外周側の保熱力を向上させるこ
とができ、結果、ウェーハの周縁部、特に、サセプタの
外周側に位置する部分が冷やされてしまうことをより効
果的に抑制できる。なお、例えばサセプタを外周側に向
けて突出させるのではないため、サセプタの平面寸法を
最小限に抑えることができ、省スペース化の観点でも好
ましい。また、例えばサセプタの上面を上方に突出させ
るのではないため、反応ガス流を妨げない。
出部に加えて、当該サセプタの外周の裏面にも、下方に
突出した突出部を備えることがより好ましい。このよう
にすることで、サセプタ外周側の保熱力を向上させるこ
とができ、結果、ウェーハの周縁部、特に、サセプタの
外周側に位置する部分が冷やされてしまうことをより効
果的に抑制できる。なお、例えばサセプタを外周側に向
けて突出させるのではないため、サセプタの平面寸法を
最小限に抑えることができ、省スペース化の観点でも好
ましい。また、例えばサセプタの上面を上方に突出させ
るのではないため、反応ガス流を妨げない。
【００１３】また、本発明の気相成長装置は、本発明の
いずれかのサセプタと、座ぐりにウェーハを載置した該
サセプタを内部に配してウェーハの主表面上に薄膜を気
相成長させるための反応容器と、気相成長の際にサセプ
タを介してウェーハを加熱するための加熱装置と、を備
えることを特徴としている。
いずれかのサセプタと、座ぐりにウェーハを載置した該
サセプタを内部に配してウェーハの主表面上に薄膜を気
相成長させるための反応容器と、気相成長の際にサセプ
タを介してウェーハを加熱するための加熱装置と、を備
えることを特徴としている。
【００１４】また、本発明の気相成長方法は、本発明の
気相成長装置のサセプタの座ぐりにウェーハを載置し、
該サセプタを反応容器内に配して、該サセプタ上のウェ
ーハを加熱装置によりサセプタを介して所望の成長温度
に加熱して、ウェーハの主表面上に薄膜を気相成長させ
ることを特徴としている。
気相成長装置のサセプタの座ぐりにウェーハを載置し、
該サセプタを反応容器内に配して、該サセプタ上のウェ
ーハを加熱装置によりサセプタを介して所望の成長温度
に加熱して、ウェーハの主表面上に薄膜を気相成長させ
ることを特徴としている。
【００１５】本発明の気相成長装置ならびに気相成長方
法によれば、スリップ転位の発生を抑制できる。
法によれば、スリップ転位の発生を抑制できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係る実施の形態について説明する。
係る実施の形態について説明する。
【００１７】先ず、図１を参照して、サセプタ１の構成
について説明する。
について説明する。
【００１８】図１（ａ）、（ｂ）に示すように、サセプ
タ１は、略円盤状に構成され、主表面には、複数の座ぐ
り３が形成され、裏面には、本発明に係る突出部４（座
ぐり３の裏面側）、突出部５（当該サセプタ１の外周）
が形成されている。また、サセプタ１には、反応ガス管
１３（図２）が挿通される挿通孔２が、中心部を上下に
貫通するように形成されている。このサセプタ１は、例
えば炭化珪素で被覆されたグラファイトにより構成され
ている。
タ１は、略円盤状に構成され、主表面には、複数の座ぐ
り３が形成され、裏面には、本発明に係る突出部４（座
ぐり３の裏面側）、突出部５（当該サセプタ１の外周）
が形成されている。また、サセプタ１には、反応ガス管
１３（図２）が挿通される挿通孔２が、中心部を上下に
貫通するように形成されている。このサセプタ１は、例
えば炭化珪素で被覆されたグラファイトにより構成され
ている。
【００１９】このうち、座ぐり３は、図１に示すよう
に、ウェーハ形状に近い凹部であり、気相成長の際に
は、ウェーハＷが載置される（図２）。なお、１回の気
相成長で処理可能なウェーハ枚数をなるべく多くするた
め、座ぐり３は、例えばサセプタ１の内周側と外周側に
２重に配されている。
に、ウェーハ形状に近い凹部であり、気相成長の際に
は、ウェーハＷが載置される（図２）。なお、１回の気
相成長で処理可能なウェーハ枚数をなるべく多くするた
め、座ぐり３は、例えばサセプタ１の内周側と外周側に
２重に配されている。
【００２０】本発明に係る突出部４は、各座ぐり３の裏
面側に形成されている。この突出部４は、サセプタ１
の、座ぐり３の外周側に相当する部位の全周が、座ぐり
３の中心側よりも厚肉となるように、座ぐり３の外周側
が中心側よりも下方に突出するような形状に形成されて
いる。つまり、図１（ｃ）に示すように、突出部４の下
面は、上に凸な凹面状となっていて、座ぐり３の外周側
に相当する部位の裏面は、円環状に突出している。突出
部４は、座ぐり３の中心側から外周側にかけて、次第に
大きく下方に突出している
面側に形成されている。この突出部４は、サセプタ１
の、座ぐり３の外周側に相当する部位の全周が、座ぐり
３の中心側よりも厚肉となるように、座ぐり３の外周側
が中心側よりも下方に突出するような形状に形成されて
いる。つまり、図１（ｃ）に示すように、突出部４の下
面は、上に凸な凹面状となっていて、座ぐり３の外周側
に相当する部位の裏面は、円環状に突出している。突出
部４は、座ぐり３の中心側から外周側にかけて、次第に
大きく下方に突出している
【００２１】また、図１（ｂ）に示すように、本発明に
係る突出部５は、当該サセプタ１の外周の裏面に、下方
に突出するように形成されている。この突出部５も、サ
セプタ１の中心側から外周側にかけて、次第に大きく下
方に突出している。
係る突出部５は、当該サセプタ１の外周の裏面に、下方
に突出するように形成されている。この突出部５も、サ
セプタ１の中心側から外周側にかけて、次第に大きく下
方に突出している。
【００２２】次に、図２を参照して、本発明に係る気相
成長装置１０の構成について説明する。
成長装置１０の構成について説明する。
【００２３】図２に示すように、気相成長装置１０は、
例えばいわゆるパンケーキ型（縦型）の気相成長装置と
よばれるものである。この気相成長装置１０は、ベース
プレート１５上に釣鐘状のベルジャ１１が備えられるこ
とで構成された反応容器１６を備えている。また、ベー
スプレート１５上には、加熱装置としての高周波誘導加
熱コイル１２が、カバー１７内に配設された状態で設け
られている。さらに、反応容器１６の中央には円管状の
ノズル１３が立設されている。このノズル１３は側面に
複数の噴出口１３ａを有し、この噴出口１３ａから原料
ガスをほぼ水平に噴出する。そして、カバー１７の上側
には、上記サセプタ１がノズル１３に外挿された状態で
配設され、該サセプタ１よりも上側にノズル１３の噴出
口１３ａが配されている。さらに、ベースプレート１５
の周縁部には、排気管１４が設けられている。この気相
成長装置１０を用いて気相成長を行うには、主表面が上
を向くようにウェーハＷをサセプタ１の座ぐり３に載置
し、サセプタ１の下側の高周波誘導加熱コイル１２によ
りサセプタ１を高周波誘導加熱することにより、該サセ
プタ１を介して該サセプタ１の座ぐり３上のウェーハＷ
を所望の成長温度に加熱するとともに、ノズル１３を介
して原料ガスをウェーハＷの主表面上に供給する。これ
により、ウェーハＷの主表面上に薄膜が気相成長され
る。なお、気相成長中、ベルジャ１１は、図示しないブ
ロワより吹き付けらる冷却ガスによって冷却される（コ
ールドウォール式）。
例えばいわゆるパンケーキ型（縦型）の気相成長装置と
よばれるものである。この気相成長装置１０は、ベース
プレート１５上に釣鐘状のベルジャ１１が備えられるこ
とで構成された反応容器１６を備えている。また、ベー
スプレート１５上には、加熱装置としての高周波誘導加
熱コイル１２が、カバー１７内に配設された状態で設け
られている。さらに、反応容器１６の中央には円管状の
ノズル１３が立設されている。このノズル１３は側面に
複数の噴出口１３ａを有し、この噴出口１３ａから原料
ガスをほぼ水平に噴出する。そして、カバー１７の上側
には、上記サセプタ１がノズル１３に外挿された状態で
配設され、該サセプタ１よりも上側にノズル１３の噴出
口１３ａが配されている。さらに、ベースプレート１５
の周縁部には、排気管１４が設けられている。この気相
成長装置１０を用いて気相成長を行うには、主表面が上
を向くようにウェーハＷをサセプタ１の座ぐり３に載置
し、サセプタ１の下側の高周波誘導加熱コイル１２によ
りサセプタ１を高周波誘導加熱することにより、該サセ
プタ１を介して該サセプタ１の座ぐり３上のウェーハＷ
を所望の成長温度に加熱するとともに、ノズル１３を介
して原料ガスをウェーハＷの主表面上に供給する。これ
により、ウェーハＷの主表面上に薄膜が気相成長され
る。なお、気相成長中、ベルジャ１１は、図示しないブ
ロワより吹き付けらる冷却ガスによって冷却される（コ
ールドウォール式）。
【００２４】本実施形態によれば、サセプタ１は、座ぐ
り３の裏側に突出部４を有するので、座ぐり３の外周側
に相当する部位の方が、中心側と比べて肉厚である（図
１）。従って、座ぐり３の外周側に相当する部位の方が
熱容量が大きく、保熱効果も高い。しかも、座ぐり３の
裏面は、外周側の方が、中心側と比べて高周波誘導加熱
コイル１２に近いので、より効率的に加熱される。よっ
て、ウェーハＷの周縁部を好適に保熱できるので、気相
成長中に、ウェーハＷの周縁部が中心側よりも低温とな
ることを抑制できる。この結果、ウェーハＷの周縁部で
のスリップ転位の発生を抑制できる。しかも、座ぐり３
の外周側に相当する部位の裏面が、円環状に突出してい
るので、ウェーハＷの周縁部を全域に亘って確実に保熱
することができ、ウェーハＷが下に凸な状態に反り返っ
たとしても、ウェーハＷの周縁部が中心側よりも低温と
なってしまうことを好適に抑制できる。加えて、突出部
４は、座ぐり３の中心側から外周側にかけて、次第に大
きく下方に突出しているので、サセプタ１の保熱量が、
座ぐり３の中心側から外周側にかけて次第に変化する構
成となり、ウェーハ面内で急峻に温度環境が異なること
がなく、スリップ転位の発生をより好適に抑制できる。
さらに、サセプタ１は、座ぐり３の裏面側の突出部４に
加えて、当該サセプタ１の外周の裏面にも、下方に突出
した突出部５を備えているので、外周の保熱力を向上さ
せることができ、結果、ウェーハＷの周縁部、特に、サ
セプタ１の外周側に位置する部分が冷やされてしまうこ
とをより効果的に抑制できる。
り３の裏側に突出部４を有するので、座ぐり３の外周側
に相当する部位の方が、中心側と比べて肉厚である（図
１）。従って、座ぐり３の外周側に相当する部位の方が
熱容量が大きく、保熱効果も高い。しかも、座ぐり３の
裏面は、外周側の方が、中心側と比べて高周波誘導加熱
コイル１２に近いので、より効率的に加熱される。よっ
て、ウェーハＷの周縁部を好適に保熱できるので、気相
成長中に、ウェーハＷの周縁部が中心側よりも低温とな
ることを抑制できる。この結果、ウェーハＷの周縁部で
のスリップ転位の発生を抑制できる。しかも、座ぐり３
の外周側に相当する部位の裏面が、円環状に突出してい
るので、ウェーハＷの周縁部を全域に亘って確実に保熱
することができ、ウェーハＷが下に凸な状態に反り返っ
たとしても、ウェーハＷの周縁部が中心側よりも低温と
なってしまうことを好適に抑制できる。加えて、突出部
４は、座ぐり３の中心側から外周側にかけて、次第に大
きく下方に突出しているので、サセプタ１の保熱量が、
座ぐり３の中心側から外周側にかけて次第に変化する構
成となり、ウェーハ面内で急峻に温度環境が異なること
がなく、スリップ転位の発生をより好適に抑制できる。
さらに、サセプタ１は、座ぐり３の裏面側の突出部４に
加えて、当該サセプタ１の外周の裏面にも、下方に突出
した突出部５を備えているので、外周の保熱力を向上さ
せることができ、結果、ウェーハＷの周縁部、特に、サ
セプタ１の外周側に位置する部分が冷やされてしまうこ
とをより効果的に抑制できる。
【００２５】＜変形例＞上記の実施の形態では、座ぐり
３の外周側に相当する部位の裏面が円環状に突出してい
る例について説明したが、この変形例では、図３に示す
ように、座ぐり３の外周側のうち、サセプタ１の外周側
に相当する部位の裏面が突出している例について説明す
る。なお、この変形例のサセプタ１も、平面図は図１
（ａ）と同用であるので省略している。また、図３
（ａ）は、図１（ｂ）と同様に、図１（ａ）のＡ−Ａ矢
視断面図である。
３の外周側に相当する部位の裏面が円環状に突出してい
る例について説明したが、この変形例では、図３に示す
ように、座ぐり３の外周側のうち、サセプタ１の外周側
に相当する部位の裏面が突出している例について説明す
る。なお、この変形例のサセプタ１も、平面図は図１
（ａ）と同用であるので省略している。また、図３
（ａ）は、図１（ｂ）と同様に、図１（ａ）のＡ−Ａ矢
視断面図である。
【００２６】この変形例のサセプタ１は、上記の突出部
４の代わりに、突出部２４を備えている。この突出部２
４は、外周側座ぐり３の裏面側のうち、特に、サセプタ
１の外周側に相当する部位、すなわち、例えば図３
（ｂ）に示す仮想線Ｌよりもサセプタ１の外周側（図３
（ｂ）で左側）の部位が、下方に突出するように形成さ
れた部分である。なお、仮想線Ｌは、例えばサセプタ１
の板面方向と直交し、外周側座ぐり３の中心を通る線で
ある。この変形例の場合にも、例えばコールドウォール
式の反応容器を用いることにより、サセプタ１の外周側
が冷却されても、サセプタ１の外周側に載置されたウェ
ーハＷの中心部からウェーハＷの周縁部にかけて温度傾
斜が生じてしまうことを防止でき、結果、ウェーハＷの
周縁部でのスリップ転位の発生を抑制できる。
４の代わりに、突出部２４を備えている。この突出部２
４は、外周側座ぐり３の裏面側のうち、特に、サセプタ
１の外周側に相当する部位、すなわち、例えば図３
（ｂ）に示す仮想線Ｌよりもサセプタ１の外周側（図３
（ｂ）で左側）の部位が、下方に突出するように形成さ
れた部分である。なお、仮想線Ｌは、例えばサセプタ１
の板面方向と直交し、外周側座ぐり３の中心を通る線で
ある。この変形例の場合にも、例えばコールドウォール
式の反応容器を用いることにより、サセプタ１の外周側
が冷却されても、サセプタ１の外周側に載置されたウェ
ーハＷの中心部からウェーハＷの周縁部にかけて温度傾
斜が生じてしまうことを防止でき、結果、ウェーハＷの
周縁部でのスリップ転位の発生を抑制できる。
【００２７】なお、上記の実施の形態では、本発明のサ
セプタ１をパンケーキ型の気相成長装置１０に適用する
例について説明したが、本発明はこれに限らず、サセプ
タ１を介してウェーハＷを加熱するタイプの気相成長装
置全般に適用して有用である。
セプタ１をパンケーキ型の気相成長装置１０に適用する
例について説明したが、本発明はこれに限らず、サセプ
タ１を介してウェーハＷを加熱するタイプの気相成長装
置全般に適用して有用である。
【００２８】
【発明の効果】本発明のサセプタ、気相成長装置および
気相成長方法によれば、座ぐりの外周側に相当する部位
の方が、中心側と比べて肉厚であるので、熱容量が大き
く、保熱効果も高い。よって、ウェーハの周縁部を好適
に保熱できるので、気相成長中に、ウェーハの周縁部が
中心側よりも低温となることを抑制でき、結果、ウェー
ハの周縁部でのスリップ転位の発生を抑制できる。
気相成長方法によれば、座ぐりの外周側に相当する部位
の方が、中心側と比べて肉厚であるので、熱容量が大き
く、保熱効果も高い。よって、ウェーハの周縁部を好適
に保熱できるので、気相成長中に、ウェーハの周縁部が
中心側よりも低温となることを抑制でき、結果、ウェー
ハの周縁部でのスリップ転位の発生を抑制できる。
【図１】本発明に係るサセプタの一例を示す模式図であ
り、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
矢視断面図、（ｃ）は座ぐり付近を示す拡大正面図であ
る。
り、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
矢視断面図、（ｃ）は座ぐり付近を示す拡大正面図であ
る。
【図２】本発明に係る気相成長装置の適例としてのパン
ケーキ型の気相成長装置を示す模式的な正面断面図であ
る。
ケーキ型の気相成長装置を示す模式的な正面断面図であ
る。
【図３】本発明に係るサセプタの他の一例を示す模式図
であり、このうち（ａ）は断面図、（ｂ）は座ぐり付近
を示す拡大正面図である。
であり、このうち（ａ）は断面図、（ｂ）は座ぐり付近
を示す拡大正面図である。
１ サセプタ
３ 座ぐり
４ 突出部（座ぐりの裏面側）
５ 突出部（サセプタの外周）
１１ 反応容器
１２ 高周波誘導加熱コイル（加熱装置）
１０ 気相成長装置
Ｗ ウェーハ
Claims (7)
- 【請求項１】 ウェーハが載置される座ぐりを主表面に
有し、気相成長の際に反応容器内に配されるサセプタに
おいて、前記座ぐりの外周側に相当する部位が、該座ぐ
りの中心側よりも厚肉となるように、下方に突出した突
出部を前記サセプタの裏面に備えることを特徴とするサ
セプタ。 - 【請求項２】 前記突出部は、前記座ぐりの外周側に相
当する部位の裏面に、円環状に設けられていることを特
徴とする請求項１記載のサセプタ。 - 【請求項３】 前記突出部は、前記座ぐりの外周側のう
ち、少なくとも当該サセプタの外周側に相当する部位の
裏面に設けられていることを特徴とする請求項１記載の
サセプタ。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のサセプ
タにおいて、前記突出部は、前記座ぐりの中心側から外
周側にかけて、次第に大きく下方に突出していることを
特徴とするサセプタ。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載のサセプ
タにおいて、該サセプタの外周の裏面に、下方に突出し
た突出部を備えることを特徴とするサセプタ。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載のサセプ
タと、前記座ぐりにウェーハを載置した前記サセプタを
内部に配してウェーハの主表面上に薄膜を気相成長させ
るための反応容器と、気相成長の際に前記サセプタを介
してウェーハを加熱するための加熱装置と、を備えるこ
とを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の気相成長装置のサセプタ
の座ぐりにウェーハを載置し、該サセプタを反応容器内
に配して、該サセプタ上のウェーハを前記加熱装置によ
り前記サセプタを介して所望の成長温度に加熱して、ウ
ェーハの主表面上に薄膜を気相成長させることを特徴と
する気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001224756A JP2003037071A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | サセプタ、気相成長装置および気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001224756A JP2003037071A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | サセプタ、気相成長装置および気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003037071A true JP2003037071A (ja) | 2003-02-07 |
Family
ID=19057862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001224756A Pending JP2003037071A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | サセプタ、気相成長装置および気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003037071A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
| US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
-
2001
- 2001-07-25 JP JP2001224756A patent/JP2003037071A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9797066B2 (en) | 2010-11-15 | 2017-10-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Susceptor and method for manufacturing epitaxial wafer |
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| WO2018051304A1 (en) * | 2016-09-19 | 2018-03-22 | King Abdullah University Of Science And Technology | Susceptor |
| CN110023537A (zh) * | 2016-09-19 | 2019-07-16 | 阿卜杜拉国王科技大学 | 基座 |
| JP2019530253A (ja) * | 2016-09-19 | 2019-10-17 | キング・アブドゥッラー・ユニバーシティ・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー | サセプター |
| CN110023537B (zh) * | 2016-09-19 | 2021-11-16 | 阿卜杜拉国王科技大学 | 基座 |
| JP7065857B2 (ja) | 2016-09-19 | 2022-05-12 | キング・アブドゥッラー・ユニバーシティ・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー | サセプター |
| US11339478B2 (en) | 2016-09-19 | 2022-05-24 | King Abdullah University Of Science And Technology | Susceptor |
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