JPH1140503A - 半導体製造方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハの加熱処理時の面内の温度分布
の調整を可能にするとともに、面内の温度分布の均一化
を図る。 【解決手段】 半導体ウェハを保持するウェハ保持部が
設けられたウェハ支持面を備えかつ回転可能に設置され
た円盤状のサセプタ２と、サセプタ２のウェハ支持面の
ほぼ中央付近に配設されかつ処理ガスを噴流するガス供
給ノズルと、サセプタ２を介して前記半導体ウェハを加
熱しかつサセプタ２の前記ウェハ支持面に対してほぼ平
行を成すように設置されたワークコイル５とからなり、
細長いワークコイル５が屈曲性を有するように形成さ
れ、かつサセプタ２の回転中心２ｃからサセプタ２の外
周に向かって放射状に設置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
おいて、特に、半導体ウェハを加熱処理する際の半導体
ウェハの面内の温度分布を調整可能な半導体製造方法お
よび装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】半導体ウェハに加熱処理を行う半導体製造
装置の一例として、エピタキシャル成長装置が知られて
いる。

【０００４】このエピタキシャル成長装置は、モノシラ
ンガスなどの処理ガスを用いて半導体ウェハに単結晶膜
を成長させるものである。

【０００５】その中に、複数枚の半導体ウェハを円形に
配置させて保持する円盤状のサセプタと処理ガスを噴流
させるガス供給ノズルとを用いた縦形エピタキシャル成
長装置と呼ばれるものがあり、搭載する半導体ウェハの
数や大きさによって小形のものやあるいは大形のものな
どがある。

【０００６】なお、大形のバッチ式の縦形エピタキシャ
ル成長装置は、石英ベルジャーなどによって構成される
処理室を有し、前記処理室内には、主に、サセプタやガ
スノズル、あるいはサセプタを介して半導体ウェハをそ
の裏面から加熱するワークコイル（加熱手段）などが設
置されている。

【０００７】前記ワークコイルは、一本に繋がったステ
ンレス鋼からなる螺旋形状に形成されている。

【０００８】ここで、縦形エピタキシャル成長装置につ
いては、例えば、工業調査会発行「超ＬＳＩ製造・試験
装置ガイドブック１９９５年版（電子材料別冊）」１９
９４年１１月２５日発行、５２〜５８頁に記載されてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術における縦形エピタキシャル成長装置では、加熱手段
であるワークコイルが、一本に繋がった螺旋形状に形成
され、さらに、加熱処理中には、半導体ウェハを搭載し
たサセプタが回転する。

【００１０】その結果、細長いワークコイルが螺旋によ
る円形配置であるのに対して、サセプタもその円周方向
に回転しているため、半導体ウェハにおいて加熱される
領域が円周方向に分散され、したがって、半導体ウェハ
の径方向の温度分布を均一にする加熱が行われ難く、こ
れにより、半導体ウェハの面内において分散された円周
方向の領域ごとに温度分布にバラツキを生じるという問
題が起こる。

【００１１】さらに、ワークコイルが柔軟性を有さず、
かつ一本に繋がった形状であるため、局部的な温度分布
調整ができないことが問題とされる。

【００１２】本発明の目的は、半導体ウェハの加熱処理
時の面内の温度分布の調整を可能にするとともに、面内
の温度分布の均一化を図る半導体製造方法および装置を
提供することにある。

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１５】すなわち、本発明の半導体製造方法は、サ
セプタのウェハ保持部に半導体ウェハを搭載する工程
と、前記サセプタを回転させるとともに、前記サセプタ
の回転中心からその外周に向かって放射状に設置された
細長い加熱手段によって前記半導体ウェハを加熱処理す
る工程とを有し、前記半導体ウェハの面内の温度分布を
均一にするものである。

【００１６】また、本発明の半導体製造装置は、半導体
ウェハの加熱処理を行うものであり、前記半導体ウェハ
を保持するウェハ保持部が設けられたウェハ支持面を備
え、かつ回転可能に設置されたサセプタと、前記サセプ
タを回転させる回転駆動手段と、前記半導体ウェハを加
熱しかつ前記サセプタの前記ウェハ支持面に対して長手
方向がほぼ平行を成すように設置された細長い加熱手段
とを有し、前記細長い加熱手段が前記サセプタの回転中
心から前記サセプタの外周に向かって放射状に設置され
ているものである。

【００１７】これにより、半導体ウェハの加熱処理時に
サセプタが回転した際に、サセプタの回転中心から放射
状に配置された加熱手段の上方を、サセプタの回転によ
って半導体ウェハが通過することにより、半導体ウェハ
をその全面に渡ってほぼ均一に加熱することができる。

【００１８】その結果、半導体ウェハの径方向の温度分
布の均一化を向上でき、これにより、半導体ウェハの面
内の温度分布を均一にすることができる。

【００１９】さらに、半導体ウェハの径方向の温度分布
を均一にするための加熱手段の調整作業を省略できる。

【００２０】したがって、その温度分布の調整作業の効
率化（作業の簡略化）を図ることができる。

【００２１】また、本発明の半導体製造装置は、半導体
ウェハの加熱処理を行うものであり、前記半導体ウェハ
を保持するウェハ保持部が設けられたウェハ支持面を備
えかつ回転可能に設置されたサセプタと、前記サセプタ
を回転させる回転駆動手段と、前記半導体ウェハを加熱
しかつ前記サセプタの前記ウェハ支持面に対して長手方
向がほぼ平行を成すように設置された細長い加熱手段と
を有し、前記細長い加熱手段が屈曲性を有するように形
成されるとともに、前記サセプタの回転中心から前記サ
セプタの外周に向かって放射状に設置されているもので
ある。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００２３】図１は本発明の半導体製造装置である縦形
エピタキシャル成長装置の構造の実施の形態の一例を一
部断面にして示す構成概念図、図２は本発明の半導体製
造装置におけるワークコイルの構造の実施の形態の一例
を示す平面図、図３は本発明の半導体製造装置における
ワークコイルおよび高さ調整機構の構造の実施の形態の
一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ断面を示す拡大部分側面図、図４は本発明の半
導体製造装置におけるサセプタの構造の実施の形態の一
例を示す平面図である。

【００２４】本実施の形態の半導体製造装置は、半導体
ウェハ１に加熱処理を行うものであり、ここでは、その
一例として、モノシランガスなどの処理ガス３を用いて
半導体ウェハ１上に単結晶膜を成長させる大形の縦形エ
ピタキシャル成長装置を取り上げて説明する。

【００２５】図１に示す前記縦形エピタキシャル成長装
置の構成は、図４に示す半導体ウェハ１を保持するウェ
ハ保持部２ａ（ざぐりとも呼ぶ）が設けられたウェハ支
持面２ｂを備えかつ回転可能に設置された円盤状のサセ
プタ２と、サセプタ２を回転させるモータなどの回転駆
動手段９と、サセプタ２のウェハ支持面２ｂのほぼ中央
付近に配設されかつモノシランガスなどの処理ガス３を
噴流するガス供給ノズル４と、サセプタ２を介して半導
体ウェハ１を加熱しかつサセプタ２のウェハ支持面２ｂ
に対して長手方向がほぼ平行を成すように設置された細
長い加熱手段であるワークコイル５と、サセプタ２とガ
ス供給ノズル４とワークコイル５とを囲みかつ反応室６
を形成するベルジャ７とからなり、図２に示す細長いワ
ークコイル５が屈曲性を有するように形成されるととも
に、ワークコイル５がサセプタ２の回転中心２ｃからサ
セプタ２の外周に向かって放射状に設置されている。

【００２６】ここで、本実施の形態におけるワークコイ
ル５は、例えば、ステンレス鋼などによって形成され、
高周波誘導によって半導体ウェハ１を加熱するものであ
り、図１および図２に示すように、サセプタ２の裏面側
にこのサセプタ２から若干離れた状態で、細長いワーク
コイル５の長手方向がサセプタ２のウェハ支持面２ｂと
ほぼ平行に成すように設置されている。

【００２７】さらに、ワークコイル５は、図２に示すよ
うに、一本の繋がった円柱形の細長いコイルであり、前
記細長いコイルが、サセプタ２の回転中心２ｃからその
外周に向かう方向（回転方向に対してほぼ直角を成す方
向）、すなわち、サセプタ２上に搭載された半導体ウェ
ハ１の径方向１ａと同じ方向に向けて放射状に、かつ一
本に繋がって形成されたものである。

【００２８】なお、ワークコイル５において、半導体ウ
ェハ１の径方向１ａと同じ方向に放射した部位は、円盤
状のサセプタ２の半径の長さに近い程度の長さを有する
ことが望ましい。

【００２９】また、ワークコイル５の内部には、加熱し
た半導体ウェハ１を冷却するための冷却媒体（例えば、
冷却水など）の通路である冷却媒体管５ａが設けられて
いる。

【００３０】さらに、本実施の形態のワークコイル５
は、屈曲性を有するように形成されている。

【００３１】つまり、図２に示すように、小形の円柱形
のコイル５が複数個連結して設けられたものである。

【００３２】これにより、ワークコイル５は屈曲自在に
形成され、サセプタ２の高さ方向と同様の方向、あるい
は、サセプタ２のウェハ支持面２ｂと平行な方向などに
自在に動かすことができる。

【００３３】また、本実施の形態のワークコイル５に
は、図３に示すように、その局部の高さを調整する高さ
調整機構８が設けられている。

【００３４】前記高さ調整機構８は、図３（ｂ）に示す
ように、石英板８ａに回転自在に取り付けられたナット
８ｂと、ワークコイル５を支持するボルト８ｃとのネジ
結合によって、ワークコイル５を局部的に上下動させる
ものである。

【００３５】すなわち、ナット８ｂを回転させることに
より、ボルト８ｃが上方または下方に移動し、これによ
って、ボルト８ｃと連結するワークコイル５を上下動さ
せることができる。

【００３６】ここで、ボルト８ｃおよびナット８ｂは、
例えば、ステンレス鋼によって形成されるものであり、
また、石英板８ａの形状は、特に限定されるものではな
く、例えば、細いリング状の部材などであってもよい。

【００３７】なお、本実施の形態の縦形エピタキシャル
成長装置においては、図３（ｂ）に示す高さ調整機構８
が、例えば、図３（ａ）に示すように２４箇所に設けら
れている。

【００３８】ただし、高さ調整機構８の設置数は特に限
定されるものではなく、必要に応じた箇所に所望数設置
されていればよい。

【００３９】また、ガス供給ノズル４には、その先端付
近に複数個のガス噴流用小孔４ａが設けられている。

【００４０】これにより、処理ガス３が複数個のガス噴
流用小孔４ａから噴流されるため、サセプタ２上に搭載
された複数枚の半導体ウェハ１にほぼ均一に処理ガス３
を供給できる。

【００４１】なお、本実施の形態による縦形エピタキシ
ャル成長装置は、大形でかつ縦形であることから、図４
に示すように、同時に多数の半導体ウェハ１を処理でき
るように、サセプタ２上に複数のウェハ保持部２ａが円
形に配列されている。

【００４２】ここで、ガス供給ノズル４およびベルジャ
７は、石英などによって形成され、サセプタ２は、例え
ば、グラファイトなどによって形成されている。

【００４３】さらに、ガス供給ノズル４は、回転駆動手
段９に取り付けられており、処理ガス３を噴流させる際
には、同じく回転駆動手段９に取り付けられたサセプタ
保持部材（図示せず）が回転し、これにより、サセプタ
２が回転する。

【００４４】ただし、ガス供給ノズル４は、回転駆動手
段９に取り付けられるのではなく、サセプタ２に取り付
けられるものであってもよい。

【００４５】次に、図１〜図４を用いて、本実施の形態
による半導体製造方法について説明する。

【００４６】前記半導体製造方法は、半導体ウェハ１を
加熱処理するものであり、図１に示す縦形エピタキシャ
ル成長装置を用い、かつモノシランなどの処理ガス３を
使用して半導体ウェハ１上に単結晶薄膜を成長させるも
のである。

【００４７】まず、高さ調整機構８が設置されるととも
に屈曲性を有するように形成され、かつサセプタ２の回
転中心２ｃからその外周に向かって放射状に設置された
ワークコイル５を備えた前記縦形エピタキシャル成長装
置を準備する。

【００４８】続いて、高さ調整機構８によってワークコ
イル５の局部の高さを調整し、さらに、放射状のワーク
コイル５を所定の温度まで上げる。

【００４９】その後、前記縦形エピタキシャル成長装置
の反応室６内に半導体ウェハ１を搬入し、サセプタ２の
ウェハ保持部２ａに半導体ウェハ１を搭載する。

【００５０】すなわち、サセプタ２のウェハ支持面２ｂ
に形成されたウェハ保持部２ａに所定枚数の半導体ウェ
ハ１を載置（チャージ）する。

【００５１】その後、ワークコイル５によってサセプタ
２を介して半導体ウェハ１を加熱しながら、サセプタ２
を回転させる。

【００５２】さらに、ガス供給ノズル４のガス噴流用小
孔４ａから所定量の処理ガス３（例えば、モノシランガ
ス）を噴流して、半導体ウェハ１に加熱処理すなわち単
結晶薄膜の成膜処理を行う。

【００５３】なお、半導体ウェハ１の加熱処理中、サセ
プタ２の回転中心２ｃから放射状に設けられたワークコ
イル５上を、サセプタ２の回転によって半導体ウェハ１
が通過する。

【００５４】その後、所定時間加熱処理して、半導体ウ
ェハ１上に所望の単結晶薄膜を形成した後、処理ガス３
の噴流を停止するとともに、ワークコイル５による半導
体ウェハ１の加熱を停止する。

【００５５】続いて、ワークコイル５の冷却媒体管５ａ
に冷却水などを流して、半導体ウェハ１の冷却を開始す
る。

【００５６】これにより、半導体ウェハ１を所定時間冷
却し、半導体ウェハ１への成膜処理（加熱処理）を終了
する。

【００５７】その後、成膜処理を終了した半導体ウェハ
１を反応室６から搬出し、所定の場所に搬送する。

【００５８】本実施の形態の半導体製造方法および装置
（縦形エピタキシャル成長装置）によれば、以下のよう
な作用効果が得られる。

【００５９】すなわち、半導体ウェハ１を加熱する細長
い加熱手段であるワークコイル５が、サセプタ２の回転
中心２ｃから放射状に設置されていることにより、半導
体ウェハ１の加熱処理時にサセプタ２が回転した際に、
サセプタ２の回転中心２ｃから放射状に配置されたワー
クコイル５の上方を、サセプタ２の回転によって半導体
ウェハ１が通過することにより、半導体ウェハ１をその
全面に渡ってほぼ均一に加熱することができる。

【００６０】つまり、ワークコイル５が半導体ウェハ１
の移動方向（サセプタ２の回転方向）とほぼ直角を成す
放射状に設置されているため、サセプタ２の回転によっ
て半導体ウェハ１が放射状のワークコイル５上を複数回
通過する。

【００６１】したがって、半導体ウェハ１をその全面に
渡ってほぼ均一に加熱できる。

【００６２】これにより、半導体ウェハ１の径方向１ａ
の温度分布の均一化を向上でき、その結果、半導体ウェ
ハ１の面内の温度分布を均一にすることができる。

【００６３】さらに、半導体ウェハ１の径方向１ａの温
度分布を均一にするためのワークコイル５の調整作業を
省略できる。

【００６４】したがって、その温度分布の調整作業の効
率化（作業の簡略化）を図ることができる。

【００６５】なお、半導体ウェハ１の径方向１ａの温度
分布の均一化を向上できることにより、半導体ウェハ１
の径方向１ａの抵抗率分布を向上させることができ、こ
れにより、半導体ウェハ１の面内の抵抗率分布も向上で
きる。

【００６６】また、ワークコイル５が屈曲性を有するよ
うに形成されていることにより、ワークコイル５の設置
位置を自在に調整することができる。

【００６７】これにより、半導体ウェハ１の面内におけ
る温度分布を調整することが可能になる。その結果、半
導体ウェハ１の径方向１ａの温度分布を調整でき、した
がって、半導体ウェハ１の径方向１ａの温度分布の均一
性も向上できる。

【００６８】さらに、ワークコイル５が屈曲性を有しか
つサセプタ２の回転中心２ｃからその外周に向かって放
射状に設置されていることにより、半導体ウェハ１の面
内の温度分布の均一化をさらに高精度に行うことができ
る。

【００６９】また、ワークコイル５にその局部の高さを
調整する高さ調整機構８が設けられていることにより、
半導体ウェハ１の面内において、限定された領域すなわ
ち局部的な領域の温度分布の調整をさらに高精度に行う
ことができる。

【００７０】ここで、本実施の形態に示すように、半導
体製造装置が縦形エピタキシャル成長装置であることに
より、半導体ウェハ１に形成する単結晶薄膜の均一化を
高精度に行うことができ、さらに、その単結晶薄膜にお
ける抵抗率のバラツキを低減することができる。

【００７１】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。

【００７２】例えば、前記実施の形態においては、ワー
クコイル５が一本に繋がって形成され、かつ放射状に配
置されている場合を説明したが、ワークコイル５は必ず
しも一本に繋がった形状でなくてもよく、例えば、図５
に示す他の実施の形態の半導体製造装置のように、ワー
クコイル５が半導体ウェハ１（図４参照）の円周方向の
所定角度の領域ごとに分割されて配置されたものであっ
てもよい。

【００７３】つまり、図５に示すワークコイル５は、個
別の棒状のコイルであり、多数の棒状のコイル群である
ワークコイル５がそれぞれに前記所定角度ごとに放射状
に配置されているものである。

【００７４】ここで、図５に示すワークコイル５は、図
２に示すワークコイル５と同様の構造による屈曲性を有
するように形成されたものである。

【００７５】したがって、この図５に示すワークコイル
５によっても、前記実施の形態と同様の作用効果が得ら
れる。さらに、各々のワークコイル５を小形でかつ簡単
な構造のものとすることができるため、ワークコイル５
そのものの製造を容易に行うことができる。

【００７６】また、前記実施の形態および前記他の実施
の形態においては、ワークコイル５が放射状に配置され
るとともに、屈曲性を有している場合を説明したが、ワ
ークコイル５は、放射状に配置されることなく、例え
ば、図６に示す他の実施の形態の半導体製造装置のワー
クコイル５のように、螺旋状に配置されて、前記屈曲性
だけを有していてもよい。

【００７７】この場合のワークコイル５は、細長い円柱
形のコイルを螺旋状に巻いて形成するものであり、図２
または図５に示すワークコイル５と同様の屈曲性のみを
有して形成されたものである。

【００７８】なお、図６に示すワークコイル５において
も、その内部には、図２または図５に示すワークコイル
５と同様の冷却媒体管５ａが設けられている。

【００７９】ここで、図６に示すワークコイル５におい
ては、図２または図５に示すワークコイル５の放射状の
形状による作用効果は得られないが、屈曲性による作用
効果については同様のものが得られる。

【００８０】また、前記実施の形態および前記他の実施
の形態においては、半導体製造装置が縦形エピタキシャ
ル成長装置の場合について説明したが、前記半導体製造
装置は、細長い加熱手段（ワークコイル５）を用いて、
回転するサセプタ２上に載置された半導体ウェハ１に加
熱処理を行うものであれば、エピタキシャル成長装置以
外のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)装置や、他の
成膜装置などであってもよい。

【００８１】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００８２】（１）．半導体ウェハを加熱する細長い加
熱手段がサセプタの回転中心から放射状に設置されてい
ることにより、半導体ウェハの加熱処理時に、サセプタ
の回転によってこの放射状に配置された加熱手段の上方
を半導体ウェハが通過し、これにより、半導体ウェハを
その全面に渡ってほぼ均一に加熱することができる。し
たがって、半導体ウェハの径方向の温度分布の均一化を
向上でき、その結果、半導体ウェハの面内の温度分布を
均一にすることができる。

【００８３】（２）．前記（１）により、半導体ウェハ
の径方向の温度分布を均一にするための加熱手段の調整
作業を省略できる。したがって、前記調整作業の効率化
を図ることができる。

【００８４】（３）．半導体ウェハの径方向の温度分布
の均一化を向上できることにより、半導体ウェハの径方
向の抵抗率分布を向上させることができ、これにより、
半導体ウェハの面内の抵抗率分布も向上できる。

【００８５】（４）．細長い加熱手段が屈曲性を有する
ように形成されていることにより、加熱手段の設置位置
を自在に調整することができる。これにより、半導体ウ
ェハの径方向の温度分布を調整でき、その結果、半導体
ウェハの径方向の温度分布の均一性も向上できる。

【００８６】（５）．細長い加熱手段にその局部の高さ
を調整する高さ調整機構が設けられていることにより、
半導体ウェハの面内において、局部的な領域の温度分布
の調整をさらに高精度に行うことができる。

【００８７】（６）．半導体製造装置が、モノシランガ
スなどの処理ガスを用いて半導体ウェハに単結晶薄膜を
成長させるエピタキシャル成長装置であることにより、
半導体ウェハに形成する単結晶薄膜の均一化を高精度に
行うことができ、さらに、その単結晶薄膜における抵抗
率のバラツキを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体製造装置である縦形エピタキシ
ャル成長装置の構造の実施の形態の一例を一部断面にし
て示す構成概念図である。

【図２】本発明の半導体製造装置におけるワークコイル
の構造の実施の形態の一例を示す平面図である。

【図３】（ａ),（ｂ）は本発明の半導体製造装置におけ
るワークコイルおよび高さ調整機構の構造の実施の形態
の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ断面を示す拡大部分側面図である。

【図４】本発明の半導体製造装置におけるサセプタの構
造の実施の形態の一例を示す平面図である。

【図５】本発明の他の実施の形態である半導体製造装置
（縦形エピタキシャル成長装置）におけるワークコイル
の構造を示す平面図である。

【図６】本発明の他の実施の形態である半導体製造装置
（縦形エピタキシャル成長装置）におけるワークコイル
の構造を示す平面図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウェハ １ａ 径方向 ２ サセプタ ２ａ ウェハ保持部 ２ｂ ウェハ支持面 ２ｃ 回転中心 ３ 処理ガス ４ ガス供給ノズル ４ａ ガス噴流用小孔 ５ ワークコイル（加熱手段） ５ａ 冷却媒体管 ６ 反応室 ７ ベルジャ ８ 高さ調整機構 ８ａ 石英板 ８ｂ ナット ８ｃ ボルト ９ 回転駆動手段

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェハを加熱処理する半導体製造
   方法であって、 サセプタのウェハ保持部に前記半導体ウェハを搭載する
   工程と、 前記サセプタを回転させるとともに、前記サセプタの回
   転中心からその外周に向かって放射状に設置された細長
   い加熱手段によって前記半導体ウェハを加熱処理する工
   程とを有し、 前記半導体ウェハの面内の温度分布を均一にすることを
   特徴とする半導体製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造方法であっ
   て、モノシランガスなどの処理ガスを用いて前記半導体
   ウェハに単結晶薄膜を成長させることを特徴とする半導
   体製造方法。
3. 【請求項３】 半導体ウェハの加熱処理を行う半導体製
   造装置であって、 前記半導体ウェハを保持するウェハ保持部が設けられた
   ウェハ支持面を備え、かつ回転可能に設置されたサセプ
   タと、 前記サセプタを回転させる回転駆動手段と、 前記半導体ウェハを加熱し、かつ前記サセプタの前記ウ
   ェハ支持面に対して長手方向がほぼ平行を成すように設
   置された細長い加熱手段とを有し、 前記細長い加熱手段が前記サセプタの回転中心から前記
   サセプタの外周に向かって放射状に設置されていること
   を特徴とする半導体製造装置。
4. 【請求項４】 半導体ウェハの加熱処理を行う半導体製
   造装置であって、 前記半導体ウェハを保持するウェハ保持部が設けられた
   ウェハ支持面を備え、かつ回転可能に設置されたサセプ
   タと、 前記サセプタを回転させる回転駆動手段と、 前記半導体ウェハを加熱し、かつ前記サセプタの前記ウ
   ェハ支持面に対して長手方向がほぼ平行を成すように設
   置された細長い加熱手段とを有し、 前記細長い加熱手段が屈曲性を有するように形成されて
   いることを特徴とする半導体製造装置。
5. 【請求項５】 半導体ウェハの加熱処理を行う半導体製
   造装置であって、 前記半導体ウェハを保持するウェハ保持部が設けられた
   ウェハ支持面を備え、かつ回転可能に設置されたサセプ
   タと、 前記サセプタを回転させる回転駆動手段と、 前記半導体ウェハを加熱し、かつ前記サセプタの前記ウ
   ェハ支持面に対して長手方向がほぼ平行を成すように設
   置された細長い加熱手段とを有し、 前記細長い加熱手段が屈曲性を有するように形成される
   とともに、前記サセプタの回転中心から前記サセプタの
   外周に向かって放射状に設置されていることを特徴とす
   る半導体製造装置。
6. 【請求項６】 請求項３，４または５記載の半導体製造
   装置であって、前記細長い加熱手段にその局部の高さを
   調整する高さ調整機構が設けられていることを特徴とす
   る半導体製造装置。
7. 【請求項７】 請求項３，４，５または６記載の半導体
   製造装置であって、モノシランガスなどの処理ガスを用
   いて前記半導体ウェハに単結晶薄膜を成長させるエピタ
   キシャル成長装置であることを特徴とする半導体製造装
   置。