JP2008270589A - 半導体装置の製造方法およびその製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体装置の気相成長装置において、実際の対向板温度を確認して対向板の温度を制御可能にする。
【解決手段】対向板7の温度測定を行う対向板用熱電対13と、冷却ジャケット8における対向板7との接触面の温度測定を行う冷却ジャケット用熱電対14a〜14cとを設置し、対向板7と冷却ジャケット8の対向板接触面との温度の関係から、冷却ジャケット8に内蔵された冷却ジャケット用ヒータ12を加熱させて、冷却ジャケット8の対向板接触面の温度を変化させることにより、適切な対向板温度にフィードバックさせて対向板7の温度を安定させる。
【選択図】図1
【解決手段】対向板7の温度測定を行う対向板用熱電対13と、冷却ジャケット8における対向板7との接触面の温度測定を行う冷却ジャケット用熱電対14a〜14cとを設置し、対向板7と冷却ジャケット8の対向板接触面との温度の関係から、冷却ジャケット8に内蔵された冷却ジャケット用ヒータ12を加熱させて、冷却ジャケット8の対向板接触面の温度を変化させることにより、適切な対向板温度にフィードバックさせて対向板7の温度を安定させる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、半導体基板を裏面側からヒータで加熱しながらガスと有機金属を供給して薄膜気相成長する半導体装置の気相成長装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法に関するものある。特にGaAs半導体基板等に薄膜形成する気相成長法の一種であるMOCVD法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)で、反応炉内に複数枚の半導体基板をフェイスダウンでサセプタを介してホルダに設置して自公転させながら気相成長させるものである。
従来の半導体装置の製造方法及びその製造装置について図面を参照しながら説明する。
図5は従来のフェイスダウン自公転多数枚反応炉の気相成長装置の一例を示す構成図である。
図5に示すように、従来の半導体装置の製造方法は、基板(半導体基板)3をサセプタ1にフェイスダウンの向きで取り付け、回転軸2を軸としてサセプタ1を回転させながら基板3も自転させる。
そして、基板3の上方(裏面側)に接地された基板用ヒータ5で基板3を加熱しながら、原料ガス6を、ガス供給口10aから導入してガス排出口10bへ排出し、サセプタ1の中心部から放射状(ガス流路4)に流れるようにし、加熱された基板3の表面に薄膜をエピタキシャル気相成長させる。
この薄膜の気相成長工程では、基板3の下方(表面側)に設けられた対向板7と対向板7を冷却する冷却ジャケット8によって装置内の温度を制御し、基板3に形成される薄膜の気相成長を均一に行うようにする。
しかし、この対向板7の表面にも堆積物が形成され、堆積物が剥離してパーティクルとなり、このパーティクルが基板3の信頼性を低下させる原因となるので、特許文献1には、対向板7に堆積物が形成されにくいように、冷却ジャケット8の内部に、冷却水11の温度を調節する冷却水用温調器9を設けて、冷却ジャケット8内の冷却水11の温度を制御することについて記載されている。
特開2006−216864号公報
しかしながら、従来の半導体装置の製造方法及びその製造装置では次の課題があった。
冷却水用温調器9では、冷却ジャケット8の内部を流れる冷却水の温度に基づいて冷却水を制御しており、対向板7の温度に基づいているわけではなく、対向板7の温度制御が不十分なため、対向板7への堆積物の形成が十分に抑制されず、堆積物がパーティクルとなって基板3に付着することもしばしばあった。
また、パーティクルは対向板7に形成される堆積物の均一性によっても変動するが、この点においても、対向板7の温度制御が不十分なため堆積物の形成が均一ではなく、パーティクルの発生を十分抑制できていなかった。
上記課題を解決するために本発明の半導体装置の製造方法は、基板をフェイスダウンでサセプタに設置する工程と、前記基板を裏面側から基板用ヒータで加熱する加熱工程と、前記基板の表面側に設置された対向板を、前記対向板の前記基板とは反対側に設けられた冷却ジャケットにより冷却する冷却工程と、前記加熱工程と前記冷却工程とを継続しながら、前記基板の表面に原料ガスを供給して前記基板に薄膜を形成する薄膜形成工程とからなり、前記対向板の冷却工程は、前記対向板の温度を測定してその測定結果に基づいて前記冷却ジャケット内の冷却水の流れ、または冷却ジャケット内に設けられた冷却ジャケット用ヒータを制御して前記対向板を冷却することを特徴とする。
上記課題を解決するために本発明の半導体装置の製造装置は、処理室内に設けられ、下面側に基板をフェイスダウンで設置できるサセプタと、前記サセプタの上方に設けられた基板用ヒータと、前記サセプタの下方に設けられた対向板と、前記対向板の温度を直接測定する対向板温度測定器と、前記対向板の前記サセプタとは反対側に設けられ、内部に冷却水が流れる冷却ジャケットと、前記冷却ジャケット内に設けられた冷却ジャケット用ヒータとを備え、前記対向板温度測定器の測定結果に基づいて、前記冷却水の流れ、または冷却ジャケット用ヒータによって前記対向板の温度を制御していることを特徴とする。
また、半導体基板の対向面に、上部を加熱するために複数の径が異なる円形状の冷却ジャケット用ヒータと前記冷却ジャケット用ヒータ間を少なくとも1箇所測定する冷却ジャケット測定熱電対が内蔵され、かつ、上部に外周部から中心部にかけて少なくとも1箇所、対向板測定熱電対を設置するための溝が設けてある冷却ジャケットと前記対向板測定熱電対が110℃〜190℃の範囲で前記冷却ジャケット用ヒータを制御する機構を備えたものである。
本発明は、フェイスダウン自公転多数枚反応炉に対して、半導体基板温度の均熱を維持しながら、半導体基板の対向板に付着する堆積物を剥離させない、対向板温度と対向板接触面の冷却ジャケット面を冷却ジャケットに内蔵された冷却ジャケット測定熱電対で温度測定して、その結果をヒータで温度制御できる設備構成を提供する。それにより、対向板の表面に堆積物が均一に堆積しパーティクル発生の低減を図ることができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、図5にて説明した部材に対応する部材については同一符号を付した。
(実施形態1)
図1は本発明の実施形態1における半導体装置の製造装置の構成図であり、基板3をホルダ15にてフェイスダウンで設置できるサセプタ1と、サセプタ1を回転させる回転軸2と、サセプタ1の上方に設けられた基板用ヒータ5と、サセプタ1の下方に設けられた対向板7と、対向板7の温度を直接測定する対向板用熱電対13と、対向板7の下側に設けられ、内部に冷却水11が流れる冷却ジャケット8と、冷却ジャケット8上部に埋め込まれた冷却ジャケット用ヒータ12と、冷却ジャケット用熱電対14a〜14cとを備えている。
図1は本発明の実施形態1における半導体装置の製造装置の構成図であり、基板3をホルダ15にてフェイスダウンで設置できるサセプタ1と、サセプタ1を回転させる回転軸2と、サセプタ1の上方に設けられた基板用ヒータ5と、サセプタ1の下方に設けられた対向板7と、対向板7の温度を直接測定する対向板用熱電対13と、対向板7の下側に設けられ、内部に冷却水11が流れる冷却ジャケット8と、冷却ジャケット8上部に埋め込まれた冷却ジャケット用ヒータ12と、冷却ジャケット用熱電対14a〜14cとを備えている。
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法を図1,図3,図4を用いて説明する。
まず、基板3をサセプタ1にフェイスダウンで設置する。このサセプタ1は、複数の基板3を設置することができ、また、それぞれの基板3が自転できるような回転機構を備えており、さらに、サセプタ1自体は回転軸2によって回転することができるため、複数の基板3は回転軸2の周りを公転させることもできる。
次に、サセプタ1の上方に設けられた基板用ヒータ5によって基板3を加熱する。このとき、基板3はフェイスダウンで設置されているため、基板3の裏面側から加熱することになる。
次に、サセプタ1の下方に設けられた対向板7を、対向板7の下に設けられた冷却ジャケット8によって冷却する。これにより、装置内の温度を均一にし、後の工程で基板3に形成される薄膜を均一に形成することができる。
冷却ジャケット8は、内部に冷却水11を流すことができるようになっており、また、冷却ジャケット8の上部には、冷却ジャケット8を加熱するための冷却ジャケット用ヒータ12と冷却ジャケット8の温度を測定する冷却ジャケット用熱電対14a〜14cが埋め込まれており、冷却ジャケット8の上面には対向板7の温度を測定する対向板用熱電対13が設けられている。
対向板用熱電対13は冷却ジャケット8の上面に形成された溝の中に形成されており、また対向板7のさまざまな場所の温度が測定できるように、冷却ジャケット8には複数の溝を形成し、それぞれの溝の中に対向板用熱電対13を複数設置することが好ましく、また、それらの対向板用熱電対13は自公転する基板3の中心が通過する位置の下方と、自公転する基板3の周囲部が通過する位置の下方など、基板3の通過位置を考慮した位置に形成すると、対向板7を均一に加熱することの効果が最もよく発揮される。
冷却ジャケット用ヒータ12は対向板7を均一に加熱できるように、冷却ジャケット8の中心から、同心円状に異なる径で独立して複数設けられていることが好ましく、これら複数の冷却ジャケット用ヒータ12をバランス調整することで、対向板7を均一に加熱することができる。
冷却ジャケット用熱電対14a〜14cは冷却ジャケット用ヒータ12の設定を制御するために、複数の冷却ジャケット用ヒータ12の間に複数形成されており、すべての冷却ジャケット用ヒータ12の間に形成されていることが好ましいが、任意の冷却ジャケット用ヒータ12の間だけに形成されていてもよい。本実施形態においては、冷却ジャケット用熱電対14a〜14cは3つとしている。
そして、前記対向板用熱電対13から得られた結果と冷却ジャケット用熱電対14a〜14cから得られた結果の一方、または両方に基づいて冷却ジャケット用ヒータ12を調整することで対向板7の温度を均一にすることができる。
この冷却ジャケット用ヒータ12を調整することに加えて、冷却ジャケット8に流す冷却水11の流量や水温を調整して対向板7の温度を均一にしてもよいし、さらには、全体的に温度を上昇または下降させるときなどは、冷却ジャケット用ヒータ12を調節することなく、または冷却ジャケット用ヒータ12をOFFにして、冷却ジャケット8に流す冷却水11の流量や水温だけを調整してもよい。
このように、対向板用熱電対13や冷却ジャケット用熱電対14a〜14cからの結果に基づいて、冷却ジャケット用ヒータ12、あるいは冷却水11の流量や冷却水11の水温などの制御することで、対向板7の温度を均一にし、ひいては処理室内の温度を均一にすることができる。
そして、サセプタ1によって自公転された基板3に対して、対向板7によって温度が均一にされた処理室内で、原料ガス6を導入して、基板3の表面にパーティクルの少ない、信頼性の高い薄膜をエピタキシャル成長によって形成することができる。
原料ガス6は、ガス供給口10aから導入してガス排出口10bへ排出し、サセプタ1の中心部に導入されて、そこからサセプタ1の外周に向かって放射状に流れるようにする(ガス流路4)。このようにすることで、自公転している基板3に対して原料ガスが偏ることなく基板3に達することができる。そして、原料ガス6が基板3の付近に達するときに原料ガス6が成膜に最も適するように分解されると、原料ガス6を効率よく成膜に利用できる。また、成膜に利用されなかった原料ガス6はサセプタ1の外周部から処理室外部へ排気される。
そして、対向板7の温度を制御する範囲は、本実施形態では150℃±40℃の範囲の中で制御する。
冷却ジャケット8の対向板7の接触面の温度変化について確認実験を行った。
図3は冷却ジャケット7における本例では4箇所の温度測定位置(1)〜(4)を示す説明図である。図4は図3における各測定位置(1)〜(4)においける測定結果を示す図であり、冷却ジャケット7の温度設定を130℃と140℃にした時のものであって、それぞれの温度設定において冷却ジャケット7の温度差は0.1℃から0.2℃以内であることを確認することができた。
(実施形態2)
図2は本発明の実施形態2における半導体装置の製造装置であり、実施形態1と共通する部分の説明は省略する。実施形態2において実施形態1と異なるのは、対向板7に垂直に穴あけ加工して、その穴に対向板用熱電対13を設けている点であり、穴あけ加工位置は自公転する基板3の中心が通過する位置であり、それに加えて基板3の中心以外が通過する位置にも複数の対向板用熱電対13を設けてもよい。
図2は本発明の実施形態2における半導体装置の製造装置であり、実施形態1と共通する部分の説明は省略する。実施形態2において実施形態1と異なるのは、対向板7に垂直に穴あけ加工して、その穴に対向板用熱電対13を設けている点であり、穴あけ加工位置は自公転する基板3の中心が通過する位置であり、それに加えて基板3の中心以外が通過する位置にも複数の対向板用熱電対13を設けてもよい。
そして、本実施形態の対向板用熱電対13から得られた結果を、実施形態1と同様に用いることで、実施形態1と同様またはそれ以上の効果を発揮することができる。
本発明の半導体装置の製造方法およびその製造装置は、半導体基板に信頼性の高い薄膜を形成するものとして有用である。
1 サセプタ
2 回転軸
3 半導体基板
4 ガス流路
5 基板用ヒータ
6 原料ガス
7 対向板
8 冷却ジャケット
10a ガス供給口
10b ガス排気口
11 冷却水
12 冷却ジャケット用ヒータ
13 対向板用熱電対
14a〜14c 冷却ジャケット用熱電対
15 ホルダ
2 回転軸
3 半導体基板
4 ガス流路
5 基板用ヒータ
6 原料ガス
7 対向板
8 冷却ジャケット
10a ガス供給口
10b ガス排気口
11 冷却水
12 冷却ジャケット用ヒータ
13 対向板用熱電対
14a〜14c 冷却ジャケット用熱電対
15 ホルダ
Claims (8)
- 基板をフェイスダウンでサセプタに設置する工程と、
前記基板を裏面側から基板用ヒータで加熱する加熱工程と、
前記基板の表面側に設置された対向板を、前記対向板の前記基板とは反対側に設けられた冷却ジャケットにより冷却する冷却工程と、
前記加熱工程と前記冷却工程とを継続しながら、前記基板の表面に原料ガスを供給して前記基板に薄膜を形成する薄膜形成工程とからなり、
前記冷却工程では、前記対向板の温度を測定して、その測定結果に基づいて前記冷却ジャケット内の冷却水の流れ、または冷却ジャケット内に設けられた冷却ジャケット用ヒータを制御して対向板を冷却することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記薄膜形成工程において、前記基板を自公転させながら前記基板に薄膜を形成させることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記冷却工程において、前記対向板の温度は110℃〜190℃に制御されることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 処理室内に設けられ、下面側に基板をフェイスダウンで設置できるサセプタと、
前記サセプタの上方に設けられた基板用ヒータと、
前記サセプタの下方に設けられた対向板と、
前記対向板の温度を直接測定する対向板温度測定器と、
前記対向板の前記サセプタとは反対側に設けられ、内部に冷却水が流れる冷却ジャケットと、
前記冷却ジャケット内に設けられた冷却ジャケット用ヒータとを備え、
前記対向板温度測定器の測定結果に基づいて、前記冷却水の流れ、または前記冷却ジャケット用ヒータによって前記対向板の温度を制御することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記冷却ジャケット用ヒータは複数であり、径が異なる同心円状に設けられていることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造装置。
- 前記対向板温度測定器は、前記冷却ジャケットに形成された溝に埋め込まれている熱電対であることを特徴とする請求項4または5記載の半導体装置の製造装置。
- 前記対向板温度測定器は、前記冷却ジャケットを貫通して設けられた熱電対であることを特徴とする請求項4または5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記対向板温度測定器は複数であることを特徴とする請求項4〜7いずれか1項記載の半導体装置の製造装置。
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JP2007112704A JP2008270589A (ja) | 2007-04-23 | 2007-04-23 | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010141207A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP2011155046A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Japan Pionics Co Ltd | Iii族窒化物半導体の気相成長装置 |
JP2014022500A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Sharp Corp | 気相成長装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016100601A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 漢民科技股▲分▼有限公司 | ウエハー及び薄膜温度の制御方法 |
JP2019165232A (ja) * | 2014-01-07 | 2019-09-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 広範囲の動作温度を有するpecvdセラミックヒータ |
-
2007
- 2007-04-23 JP JP2007112704A patent/JP2008270589A/ja active Pending
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