TWI794668B - 對準裝置以及包括該對準裝置的基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種對準裝置以及包括該對準裝置的基板處理裝置。對準裝置可以包括：支撐模組，在不同高度支撐各個對象物；以及對準模組，對準由所述支撐模組支撐的對象物，所述對準模組可以包括：第一對準部，對準作為所述對象物中的一個的第一對象物；第二對準部，對準作為所述對象物中的一個且與所述第一對象物不同的第二對象物；以及驅動部，使所述第一對準部和所述第二對準部同時移動。

Description

對準裝置以及包括該對準裝置的基板處理裝置
本發明關於對準裝置以及包括該對準裝置的基板處理裝置。
隨著半導體晶片高度集成，其尺寸逐漸減小。另一方面，半導體晶片上的焊錫球之間的間隔由世界半導體標準協會的國際標準確定。因此，不易調節半導體晶片的焊錫球的數量。另外，隨著半導體晶片變小，處理變得困難，並且測試也變得困難。同時，存在根據半導體晶片的尺寸需要多元化所安裝的板材的問題。為了解決這個問題，提出了扇出型面板級封裝(Fan Out Panel Level Package；FOPLP)。
通常，針對扇出型面板級封裝(Fan Out Panel Level Package；FOPLP)的扇出型面板(Fan Out Panel)的表面處理製程可以以如下方式進行：將電漿供應到扇出型面板，通過供應到扇出型面板的電漿來去除附著在面板上的雜質等。
圖1是示出對扇出型面板進行電漿處理時面板的狀態的圖示1。參照圖1，面板S由被絕緣體6包圍的卡盤2支撐。面板S可以通過升降銷4沿上下方向升降。當通過向面板S供應電漿來進行處理時，由於面板S的厚度薄等原因，在面板S存在翹曲(Warpage)現象。在該情況下，在面板S的底面和卡盤2頂面產生間隙。當在面板S的底面和卡盤2之間產生間隙時，由於局部電漿(Local Plasma)而產生電弧現象等。由此，在面板S的底面發生損壞。另外，在面板S存在翹曲(Warpage)現象的情況下，當搬運機械手以真空吸附等方式搬運面板S時，存在難以將面板S正確地安置到搬運機械手的現象。在該情況下，當搬運機械手搬運面板S時，存在面板S可能從搬運機械手脫離的風險。
為了消除這種因面板S所具有的翹曲現象而產生的問題，當處理面板S和/或搬運面板S時，如圖2所示，在面板S的上部配置窗式夾W，並且在面板S的下部配置夾具板J。在該情況下，當處理面板S和/或搬運面板S時，能夠使因面板S所具有的翹曲現象而產生的問題最小化。
如上所述，在面板S的上、下部配置窗式夾W和夾具板J的情況下，窗式夾W和夾具板J需要相對於面板S正確地對準。否則，由於未去除面板S的翹曲現象，可能發生上述的電弧現象。另外，當搬運機械手搬運窗式夾W、面板S以及夾具板J時，窗式夾W、面板S以及夾具板J可能從搬運機械手脫離。
本發明的一個目的在於，提供一種能夠有效地執行對扇出型面板的處理的對準裝置以及包括該對準裝置的基板處理裝置。
另外，本發明的另一目的在於，提供一種能夠有效地對準至少一個以上對象物的對準裝置以及包括該對準裝置的基板處理裝置。
另外，本發明的又一目的在於，提供一種能夠有效地對準窗式夾、面板以及夾具板的對準裝置以及包括該對準裝置的基板處理裝置。
本發明的目的並不限於此，本領域的普通技術人員可以從以下描述中明確地理解未提及的其他目的。
本發明提供一種對準裝置。對準裝置可以包括：支撐模組，在不同高度支撐各個對象物；以及對準模組，對準由所述支撐模組支撐的對象物，所述對準模組可以包括：第一對準部，對準作為所述對象物中的一個的第一對象物；第二對準部，對準作為所述對象物中的一個且與所述第一對象物不同的第二對象物；以及驅動部，使所述第一對準部和所述第二對準部同時移動。
根據一實施例，所述驅動部可以使所述第一對準部和所述第二對準沿相同方向移動部。
根據一實施例，所述第一對準部可以包括至少一個以上第一輥，當所述對準模組對準所述第一對象物時，所述至少一個以上第一輥與所述第一對象物接觸，所述第二對準部可以包括至少一個以上第二輥，當所述對準模組對準所述第二對象物時，所述至少一個以上第二輥與所述第二對象物接觸。
根據一實施例，所述對準模組還可以包括第三對準部，對準作為所述對象物中的一個且與所述第一對象物和所述第二對象物不同的第三對象物，所述驅動部可以使所述第一對準部、所述第二對準部以及所述第三對準部同時移動。
根據一實施例，所述對準模組可以設置為多個，當從頂部觀察時，分別配置在由所述支撐模組支撐的對象物的拐角區域。
根據一實施例，所述支撐模組可以包括：底座；支架，設置在所述底座的頂面，並且支撐與所述第一對象物和第二對象物不同的第三對象物；至少一個以上升降銷，可插入到形成於所述第三對象物的孔，並且升降所述第二對象物；以及支撐銷，支撐所述第一對象物。
根據一實施例，所述支架可以包括：安置部，支撐所述第三對象物時與所述第三對象物的底面接觸；以及傾斜部，從所述安置部延伸，並且從頂部觀察到的所述底座的中心朝向所述底座的外側方向向上傾斜。
根據一實施例，所述支撐銷可以在第一高度支撐所述第一對象物，所述升降銷可以在低於所述第一高度的第二高度升降並支撐所述第二對象物，所述支架可以在低於所述第二高度的第三高度支撐所述第三對象物。
另外，本發明提供一種處理基板的裝置。基板處理裝置可以包括：處理室，對基板執行電漿處理製程；緩衝室，具有內部空間，並且在所述內部空間設置有對準窗式夾、基板以及夾具板的對準裝置；以及搬運機械手，在所述處理室和緩衝室之間搬運所述窗式夾、所述基板以及所述夾具板，所述對準裝置可以包括：支撐模組，在不同高度支撐所述窗式夾、所述基板以及所述夾具板；以及對準模組，對準由所述支撐模組支撐的所述窗式夾、所述基板以及所述夾具板，所述對準模組可以包括：第一對準部，對準所述窗式夾；第二對準部，對準所述基板；第三對準部，對準所述夾具板；以及驅動部，使所述第一對準部、所述第二對準部以及所述第三對準部同時移動。
根據一實施例，所述驅動部可以使所述第一對準部、所述第二對準部以及所述第三對準部沿相同方向移動。
根據一實施例，所述第一對準部可以包括至少一個以上第一輥，當所述對準模組對準所述窗式夾時，所述至少一個以上第一輥與所述窗式夾接觸，所述第二對準部可以包括至少一個以上第二輥，當所述對準模組對準所述基板時，所述至少一個以上第二輥與所述基板接觸，所述第三對準部可以包括至少一個以上第三輥，當所述對準模組對準所述夾具板時，所述至少一個以上第三輥與所述夾具板接觸。
根據一實施例，所述支撐模組可以包括底座；支架，設置在所述底座的頂面，並且支撐所述夾具板；至少一個以上升降銷，可插入到形成於所述夾具板的孔，並且升降所述基板；以及支撐銷，支撐所述窗式夾。
根據一實施例，所述支架可以包括：安置部，支撐所述夾具板時與所述夾具板的底面接觸；以及傾斜部，從所述安置部延伸，並且從頂部觀察到的所述底座的中心朝向所述底座的外側方向向上傾斜。
根據一實施例，當從頂部觀察時，所述第二輥、所述第三輥以及所述第一輥可以與所述底座的中心順序地相鄰。
根據一實施例，所述支撐銷可以在第一高度支撐所述窗式夾，所述升降銷可以在低於所述第一高度的第二高度升降並支撐所述基板，所述支架可以在低於所述第二高度的第三高度支撐所述夾具板。
根據一實施例，所述對準模組可以設置為多個，當從頂部觀察時，分別配置在由所述支撐模組支撐的對象物的拐角區域。
根據本發明的一實施例，本發明能夠有效地執行對扇出型面板的處理。
另外，根據本發明的一實施例，能夠有效地對準至少一個以上對象物。
另外，根據本發明的一實施例，能夠有效地對準窗式夾、面板以及夾具板。
本發明的效果不限於上述效果，本發明所屬技術領域的通常知識者可以從本說明書和圖式中明確地理解未提及的效果。
在下文中，將參照圖式對本發明的實施例進行詳細說明，以使本發明所屬技術領域的通常知識者可以容易地實施。然而，本發明可以以各種不同形式實現，並且不限於在此說明的實施例。另外，在詳細說明本發明的較佳實施例時，如果判斷為對相關的習知功能或構成的具體說明可能會不必要地混淆本發明的主旨，則將省略其詳細說明。另外，在所有圖式中，對起到相似功能和作用的部分使用相同的圖式符號。
除非另有特別記載，否則“包括”某一構成要素是指可以進一步包括其他構成要素，而不是排除其他構成要素。具體而言，諸如“包括”或“具有”等術語應當被理解為用於表示說明書中記載的特徵、數位、步驟、動作、構成要素、部件或它們的組合存在，而非預先排除一個或一個以上其他特徵、數位、步驟、動作、構成要素、部件或它們的組合的存在或附加可能性。
除非上下文另外明確指出，否則單數表達包括複數表達。另外，為了更明確地說明，圖式中要素的形狀和尺寸等可能被誇大。
以下，參照圖3至圖12對本發明的實施例進行詳細說明。圖3是從頂部觀察本發明的基板處理裝置的圖。參照圖3，基板處理裝置10可以包括設備前端模組(equipment front end module, EFEM)200、製程處理部300以及控制器500。
設備前端模組200和製程處理部300可以在一個方向上配置。以下，將排列設備前端模組200和製程處理部300的方向定義為第一方向12，將從頂部觀察時垂直於第一方向12的方向定義為第二方向14。另外，將垂直於第一方向12和第二方向14的方向定義為第三方向16。
設備前端模組200具有裝載口(load port)110和傳送框架130。裝載口110在第一方向12上配置在設備前端模組200的前方。裝載口110具有多個支撐部112。各個支撐部112可以在第二方向14上配置成一排，並且容納待提供到製程中的基板和完成製程處理的基板的載運器C(例如，盒、FOUP等)可以位於支撐部112。在載運器C可以容納待提供到製程中的基板和完成製程處理的基板。
傳送框架130配置在裝載口110和製程處理部300之間。傳送框架130包括傳送機械手132，所述傳送機械手132配置在傳送框架130內部，並且在裝載口110和製程處理部300之間傳送基板。傳送機械手132沿著設置在第二方向14上的傳送軌道134移動，以在載運器C和製程處理部300之間移動基板。
製程處理部300可以包括緩衝室310、傳送室330以及處理室350。
緩衝室310與傳送框架130相鄰地配置。作為一例，緩衝室310可以配置在傳送室330和設備前端模組200之間。緩衝室310可以具有內部空間，在將待提供到製程中的基板傳送到處理室350之前或在將完成製程處理的基板傳送到設備前端模組200之前，供這些基板等待。另外，在緩衝室310的內部空間可以對準基板。另外，在緩衝室310可以對準基板、窗式夾以及夾具板。例如，在緩衝室310的內部空間可以設置後述的對準窗式夾、基板以及夾具板的對準裝置1000。
傳送室330與緩衝室310相鄰地配置。當從頂部觀察時，傳送室330具有多邊形的主體。作為一例，當從頂部觀察時，傳送室330可以具有五邊形的主體。在主體的外側，沿著主體的周圍配置有緩衝室310和多個處理室350。在主體的每個側壁形成有供基板進出的通路(未圖示)，並且通路連接傳送室330和緩衝室310或處理室350。在每個通路設置有通過開閉通路來使其內部密封的門(未圖示)。
在傳送室330的內部空間配置有在緩衝室310和處理室350之間傳送基板的搬運機械手332。搬運機械手332將在緩衝室310等待的未經處理的基板傳送到處理室350，或者將完成製程處理的基板傳送到緩衝室310。另外，搬運機械手332可以在處理室350和緩衝室310之間搬運窗式夾、基板以及夾具板。另外，搬運機械手332可以在處理室350之間傳送基板，以將基板順序地提供到多個處理室350。在與設備前端模組200相鄰的傳送室330的側壁配置有緩衝室310，並且在其餘傳送室330的側壁配置有處理室350。
處理室350沿著傳送室330的周圍配置。處理室350可以執行基板的處理製程。處理室350可以對基板執行清洗、蝕刻、灰化等製程。另外，在處理室350可以設置後述的電漿處理裝置2000，從而可以對基板執行電漿處理製程。另外，可以設置有多個處理室350。每個處理室350可以執行相同或不同的處理製程。處理室350可以從搬運機械手332接收基板並執行製程處理，然後將完成製程處理的基板傳遞到搬運機械手332。處理室350可以對配置在窗式夾和夾具板之間的面板等基板執行電漿處理製程。
控制器500可以控制基板處理裝置10的結構。例如，控制器500可以控制設置在處理室350中的電漿處理裝置2000，以使其可以對基板執行處理製程。另外，控制器500可以控制設置在緩衝室310中的對準裝置1000，以對準窗式夾、基板以及夾具板。另外，控制器500可以通過控制傳送機械手132和/或搬運機械手332來將窗式夾、基板以及夾具板等傳遞到根據製程處理所要搬運到的位置。
在下文中，對本發明一實施例的對準裝置1000進行說明。以下說明的對準裝置1000可以對準至少一個以上對象物。例如，對準裝置1000可以對準作為對象物中的一個的第一對象物、作為對象物中的一個且與第一對象物不同的第二對象物以及作為對象物中的一個且與第一對象物和第二對象物不同的第三對象物。在下文中，以第一對象物為窗式夾W、第二對象物為扇出型面板等基板S以及第三對象物為夾具板J的示例進行說明。另外，當從頂部觀察時，窗式夾W的寬度可以大於基板S的寬度。另外，當從頂部觀察時，夾具板J的寬度可以大於基板S的寬度。
圖4是示出設置在圖3的緩衝室中的對準裝置的狀態的圖。參照圖4，對準裝置1000可以對準窗式夾W、基板S以及夾具板J。對準裝置1000可以包括支撐模組1100和對準模組1300、1500。
支撐模組1100可以將至少一個以上對象物分別支撐在不同的高度。例如，支撐模組1100可以將窗式夾W、基板S以及夾具板J支撐在不同的高度。支撐模組1100可以將窗式夾W支撐在第一高度，將基板S支撐在第二高度，並且將夾具板J支撐在第三高度。第一高度可以是高於第二高度的高度。第二高度可以是高於第三高度的高度。第一高度可以是高於第三高度的高度。即，支撐模組1100可以沿著上下方向將窗式夾W、基板S以及夾具板J支撐在不同的高度。
支撐模組1100可以包括底座1110、支架1130、升降銷1150以及支撐銷1170。
在底座1110可以結合有支架1130、升降銷1150、支撐銷1170以及對準模組1300、1500。當從頂部觀察時，底座1110可以大致具有板形狀。當從頂部觀察時，底座1110可以大致具有長方形的板形狀。然而，並不限於此，底座1110可以變形為能夠設置支架1130、升降銷1150、支撐銷1170以及對準模組1300、1500的各種形狀。例如，當從頂部觀察時，底座1110也可以具有圓形或三角形。
支架1130可以支撐夾具板J。支架1130可以將夾具板J支撐在第三高度。支架1130可以與底座1110結合。支架1130可以與底座1110的頂面結合。支架1130可以設置為多個。設置為多個的支架1130可以分別與底座1110的頂面結合。另外，當從頂部觀察時，各個支架1130可以配置在底座1110的拐角區域之間。另外，當從頂部觀察時，支架1130可以配置在拐角區域之間的中央。另外，當從頂部觀察時，支架1130可以配置在底座1110的邊緣區域。
圖5是示出圖4的支架的狀態的圖。參照圖5，支架1130可以包括安置部1132、傾斜部1134以及結合部1136。安置部1132可以具有安置面，當安置部1132支撐夾具板J時，該安置面與夾具板J的底面接觸。另外，傾斜部1134從安置部1132延伸，並且可以具有傾斜的傾斜面。由此，當夾具板J由支架1130支撐時，如果夾具板J不在正確位置，則夾具板J沿傾斜部1134的傾斜面移動，從而夾具板J可以位於正確位置。如上所述，支架1130可以與底座1110結合。支架1130所具有的傾斜部1134可以具有從在頂部觀察到的底座1110的中心朝向底座1110的外側方向向上傾斜的形狀。結合部1136可以從安置部1132與傾斜部1134相交的位置沿上下方向延伸。另外，在結合部1136沿上下方向延伸的末端可以設置有結合板1138。另外，安置部1132、傾斜部1134、結合部1136以及結合板1138可以設置為一體。
再次參照圖4，升降銷1150可以支撐基板S，例如扇出型面板。升降銷1150可以將基板S升降至第二高度升降並支撐在第二高度。升降銷1150可以設置為銷形狀。另外，升降銷1150可以設置成能夠插入到形成於夾具板J的孔。升降銷1150可以沿上下方向升降基板S。另外，升降銷1150可以設置為多個。多個升降銷1150中的一部分可以設置在從頂部觀察到的底座1110的中央區域。多個升降銷1150中的另一部分可以設置在從頂部觀察到的底座1110的邊緣區域。
支撐銷1170可以支撐窗式夾W。支撐銷1170可以將窗式夾W支撐在第一高度。支撐銷1170的一端可以插入到設置於窗式夾W的孔。另外，支撐銷1170可以設置於底座1110。支撐銷1170可以設置為多個。設置為多個的支撐銷1170中的每一個均可以設置於底座1110。另外，當從頂部觀察時，支撐銷1170中的每一個可以設置在底座1110的拐角區域之間。
對準模組1300、1500可以對準由支撐模組1100支撐的對象物。例如，對準模組1300、1500可以對準由支撐模組1100支撐的窗式夾W、基板S以及夾具板J中的至少一個以上。對準模組1300、1500可以與底座1110結合。對準模組1300、1500可以固定結合於底座1110。對準模組1300、1500可以設置為多個。設置為多個的對準模組1300、1500中的每一個可以與從頂部觀察到的底座1110的拐角區域結合。
另外，對準模組1300、1500可以包括第一對準模組1300和第二對準模組1500。第一對準模組1300可以對準窗式夾W、基板S以及夾具板J。另外，第二對準模組1500可以對準基板S。第一對準模組1300可以設置為多個。第一對準模組1300與從頂部觀察到的底座1110的拐角區域結合，並且第一對準模組1300可以配置成彼此相對。第二對準模組1500可以設置為多個。第二對準模組1500與從頂部觀察到的底座1110的拐角區域結合，並且第二對準模組1500可以配置成彼此相對。
除了第二對準模組1500不包括後述的第一對準部1311和第三對準部1313，第一對準模組1300和第二對準模組1500大致相似，因此，將在下文中對第一對準模組1300進行詳細說明。
圖6是示出圖4的對準模組的圖。具體而言，圖6中示出的對準模組可以是上述的第一對準模組1300和第二對準模組1500中的第一對準模組1300。第一對準模組1300可以對準由支撐模組1100支撐的窗式夾W、基板S以及夾具板J。第一對準模組1300可以包括對準部1310、驅動部1350以及緊固部1370。
對準部1310可以對準窗式夾W、基板S以及夾具板J。當對準窗式夾W、基板S以及夾具板J時，對準部1310可以分別與窗式夾W、基板S以及夾具板J接觸。對準部1310可以包括第一對準部1311、第二對準部1312、第三對準部1313以及對準主體1314。第一對準部1311、第二對準部1312以及第三對準部1313可以分別與對準主體1314結合。對準主體1314可以與後述的驅動部1350的驅動軸1354結合。另外，第一對準部1311可以設置在與上述的第一高度相對應的高度。另外，第二對準部1312可以設置在與上述的第二高度相對應的高度。另外，第三對準部1313可以設置在與上述的第三高度相對應的高度。
第一對準部1311、第二對準部1312以及第三對準部1313可以分別包括第一輥R1、第二輥R2以及第三輥R3。第一輥R1、第二輥R2以及第三輥R3可以分別與對準主體1314可旋轉地結合。第一輥R1、第二輥R2以及第三輥R3中的每一個可以具有高度大於直徑的圓柱形狀。當對準裝置1000對準窗式夾W、基板S以及夾具板J時，第一輥R1、第二輥R2以及第三輥R3可以分別與窗式夾W、基板S以及夾具板J接觸。當對準裝置1000對準窗式夾W、基板S以及夾具板J時，第一輥R1、第二輥R2以及第三輥R3可以分別與窗式夾W、基板S以及夾具板J的側面接觸。另外，第一輥R1、第二輥R2以及第三輥R3可以設置有至少一個以上。例如，第一輥R1、第二輥R2以及第三輥R3可以設置為多個。第一輥R1可以設置成彼此隔開。當第一輥R1對準窗式夾W時，窗式夾W的拐角可以插入到第一輥R1之間。第二輥R2可以設置成彼此隔開。當第二輥R2對準基板S時，基板S的拐角可以插入到第二輥R2之間。第三輥R3可以設置成彼此隔開。當第三輥R3對準夾具板J時，夾具板J的拐角可以插入到第三輥R3之間。
另外，當從頂部觀察時，第二輥R2、第三輥R3以及第一輥R1可以與底座1110順序地相鄰。例如，第二輥R2可以最靠近底座1110的中心，並且第一輥R1可以最遠離底座1110的中心。
驅動部1350可以移動對準部1310。例如，驅動部1350可以產生驅動力以移動對準部1310。驅動部1350可以包括驅動器1352和驅動軸1354。驅動器1352可以產生驅動力。驅動器1352可以是馬達、氣壓/液壓缸、螺線管等產生動力的已知裝置中的一種。驅動軸1354可以與驅動器1352連接。驅動軸1354可以與對準部1310結合。驅動軸1354可以與對準部1310的對準主體1314結合。驅動軸1354可以接收驅動器1352產生的驅動力，從而使對準部1310沿水平方向移動。
緊固部1370可以將對準部1310和驅動部1350緊固到支撐模組1100的底座1110。緊固部1370可以包括緊固主體1372和緊固支架1374。緊固主體1372可以與驅動部1350結合。緊固主體1372可以與緊固支架1374結合。緊固支架1374可以將緊固主體1372結合到底座1110的頂面。
圖7是示出驅動圖3的對準模組的狀態的圖。例如，圖7是示出驅動對準模組1300、1500中的第一對準模組1300的狀態的圖。當驅動部1350的驅動器1352產生驅動力時，驅動部1350的驅動軸1354可以沿水平方向移動。驅動軸1354的軸向可以是朝向底座1110的中心的方向。當從頂部觀察時，驅動軸1354可以沿著朝向底座1110的中心的方向或與此相反的方向移動。當驅動軸1354沿水平方向移動時，與驅動軸1354結合的對準主體1314將與驅動軸1354一起移動。由此，與對準主體1314結合的第一對準部1311、第二對準部1312以及第三對準部1313可以移動。另外，隨著對準主體1314移動，第一對準部1311的第一輥R1、第二對準部1312的第二輥R2、第三對準部1313的第三輥R3可以移動。另外，本發明一實施例的對準裝置1000可以利用驅動器1352產生的一個驅動力來使第一對準部1311的第一輥R1、第二對準部1312的第二輥R2、第三對準部1313的第三輥R3全部移動。即，不需要多個驅動器來驅動每個輥，因此可以進一步簡化對準裝置1000的結構和動作。由此，能夠使對準裝置1000驅動時發生的錯誤最少化，並且能夠進一步降低對準裝置1000的製造成本。
圖8和圖9是示出在緩衝室中對準窗式夾、面板以及夾具板的狀態的圖。參照圖8和圖9，當窗式夾W、扇出型面板等基板S以及夾具板J由緩衝室310的對準裝置1000支撐時，對準模組1300、1500為對準它們而驅動。例如，當窗式夾W、扇出型面板等基板S以及夾具板J由支撐模組1100支撐時，對準模組1300、1500的對準部1310可以前進。如果對準部1310前進，則對準部1310所包括的輥(R1、R2、R3)可以分別與窗式夾W、扇出型面板等基板S以及夾具板J的側面接觸。另外，當與窗式夾W、基板S以及夾具板J的側面接觸時，輥(R1、R2、R3)可以旋轉。由此，能夠使窗式夾W、基板S以及夾具板J的側面損壞最小化，或者使因摩擦而產生的顆粒等的雜質最少化。另外，根據本發明的一實施例，利用一個驅動器1352來使所有輥(R1、R2、R3)移動。即，本發明一實施例的對準裝置1000可以利用單軸驅動來對準所有窗式夾W、扇出型面板等基板S以及夾具板J的位置。在對準部1310前進並對準窗式夾W、基板S以及夾具板J之後，對準部1310可以後退。另外，對準部1310的前進和後退可以分別執行一次。與此不同，對準部1310的前進和後退也可以執行相當於預設次數的多次，使得窗式夾W、基板S以及夾具板J適當地對準。
圖10和圖11是示出在緩衝室中搬運機械手握持窗式夾、面板以及夾具板的狀態的圖。在對準部1310通過前進和後退來對準窗式夾W、基板S以及夾具板J之後，搬運機械手332可以進入緩衝室310。進入緩衝室310中的搬運機械手332可以進入到夾具板J的下部。例如，搬運機械手332可以進入到夾具板J和底座1110之間的空間。當搬運機械手332的進入完成時，搬運機械手332可以向上上升。隨著搬運機械手332上升，夾具板J、基板S以及窗式夾W可以依次被握持到搬運機械手332。握持到搬運機械手332的夾具板J、基板S以及窗式夾W可以被搬運到處理室350中的任意一個。根據本發明的一實施例，夾具板J、基板S以及窗式夾W都可以被對準到正確位置，因此，能夠最小化上述的電弧現象，或者最小化搬運它們時產生的與搬運機械手脫離的問題。
圖12是示出設置在圖3的處理室中的電漿處理裝置的狀態的圖。參照圖12，設置在處理室350中的電漿處理裝置2000包括腔室2100、基座2200、噴淋頭2300以及電漿激發部2400。
腔室2100提供執行製程處理的空間。腔室2100具有主體2110和密封蓋2120。主體2110的頂面開放，並且在其內部形成有空間。在主體2110的側壁形成有供基板進出的開口(未圖示)，並且開口可以由諸如狹縫門(slit door)(未圖示)的開閉構件開閉。在腔室2100內對基板進行處理期間，開閉構件封閉開口，而在將基板S搬運到腔室2100內部和搬出到腔室2100外部時打開開口。
在主體2110的下部壁形成有排氣孔2111。排氣孔2111與排氣管線2112連接。通過排氣管線2112，調節腔室2100的內部壓力，並且將在製程中產生的反應副產物被排出到腔室2100外部。
密封蓋2120與主體2110的上部壁結合，並且覆蓋主體2110的開放的頂面以密封主體2110內部。密封蓋2120的頂端與電漿激發部2400連接。在密封蓋2120形成有擴散空間2121。擴散空間2121的寬度越靠近噴淋頭2300越寬。例如，擴散空間2121可以具有倒漏斗形狀。
基座2200位於腔室2100內部。在基座2200的頂面放置基板。在基座2200的內部可以形成有使冷卻流體循環的冷卻流路(未圖示)。冷卻流體沿著冷卻流路循環，並且冷卻基座2200。可以從偏壓電源2210向基座2200施加電力，以調節電漿對基板的處理程度。偏壓電源2210施加的電力可以是射頻(radio frequency；RF)電源。基座2200可以通過由偏壓電源2210供應的電力來形成護套，並且在該區域形成高密度的電漿，從而提高工序能力。
在基座2200的內部可以設置有加熱構件2220。根據一個示例，加熱構件2220可以設置成熱絲。加熱構件2220以預設的溫度對基板進行加熱。
噴淋頭2300與主體2110的上部壁結合。噴淋頭2300可以以圓盤形狀配置成與基座2200的頂面平行。噴淋頭2300可以由表面被氧化處理的鋁材料製成。在噴淋頭2300形成有分配孔2310。分配孔2310可以以固定間隔形成在同心的圓周上，以均勻地供應自由基。在擴散空間2121擴散的電漿流入到分配孔2310。此時，諸如電子或離子等的帶電粒子被禁錮在噴淋頭2300，而諸如氧自由基等的不帶電的中性離子穿過分配孔2310並被供應到基板。另外，噴淋頭可以接地以形成使電子或離子移動的通路。
電漿激發部2400生成電漿，從而供應到腔室2100。電漿激發部2400可以設置在腔室2100的頂部。電漿激發部2400包括振盪器2410、波導管2420、電介質管2430以及製程氣體供應部2440。
振盪器2410產生電磁波。波導管2420連接振盪器2410和電介質管2430，並且提供將在振盪器2410產生的電磁波傳遞到電介質管2430內部的通路。製程氣體供應部2440將製程氣體供應到腔室2100的頂部。根據製程進行過程，製程氣體可以被供應為第一製程氣體和第二製程氣體。供應到電介質管2430內部的製程氣體可以由電磁波激發為電漿狀態。電漿經由電介質管2430流入到擴散空間2121。
上述電漿激發部2400以使用電磁波的情況進行了舉例說明，然而，作為另一實施例，電漿激發部2400也可以設置成電感耦合電漿激發部、電容電漿激發部。
上面的詳細說明是對本發明的示例性說明。另外，以上內容示出並說明了本發明的較佳實施方式，並且本發明可以在各種其他組合、變更和環境下使用。即，可以在本說明書中揭露的發明的概念的範圍、等同於上述揭露內容的範圍以及/或者本領域的技術或知識的範圍內進行變更或修改。上述實施例說明了用於實現本發明的技術思想的最佳狀態，並且還可以在本發明的特定應用領域和用途中進行所需的各種變更。因此，以上對發明的詳細說明並不旨在將本發明限制於所揭露的實施狀態。另外，所附申請專利範圍應解釋為包括其他實施狀態。
1:圖示 2:卡盤 4:升降銷 6:絕緣體 10:基板處理裝置 12:第一方向 14:第二方向 16:第三方向 110:裝載口 112:支撐部 130:傳送框架 132:傳送機械手 134:傳送軌道 200:設備前端模組 300:製程處理部 310:緩衝室 330:傳送室 332:搬運機械手 350:處理室 500:控制器 1000:對準裝置 1100:支撐模組 1110:底座 1130:支架 1132:安置部 1134:傾斜部 1136:結合部 1138:結合板 1150:升降銷 1170:支撐銷 1300:(第一)對準模組 1310:對準部 1311:第一對準部 1312:第二對準部 1313:第三對準部 1314:對準主體 1350:驅動部 1352:驅動器 1354:驅動軸 1370:緊固部 1372:緊固主體 1374:緊固支架 1500:(第二)對準模組 2000:電漿處理裝置 2100:腔室 2110:主體 2111:排氣孔 2112:排氣管線 2120:密封蓋 2121:擴散空間 2200:基座 2210:偏壓電源 2220:加熱構件 2300:噴淋頭 2310:分配孔 2400:電漿激發部 2410:振盪器 2420:波導管 2430:電介質管 2440:製程氣體供應部 C:載運器 J:夾具板 R1:第一輥 R2:第二輥 R3:第三輥 S:基板/面板 W:窗式夾
圖1是示出對扇出型面板進行電漿處理時面板的狀態的圖。
圖2是示出對扇出型面板進行電漿處理時設置在面板的上、下部的窗式夾和夾具板的狀態的圖。
圖3是從頂部觀察本發明的基板處理裝置的圖。
圖4是示出設置在圖3的緩衝室中的對準裝置的狀態的圖。
圖5是示出圖4的支架的狀態的圖。
圖6是示出圖4的對準模組的圖。
圖7是示出驅動圖3的對準模組的狀態的圖。
圖8和圖9是示出在緩衝室中對準窗式夾、面板以及夾具板的狀態的圖。
圖10和圖11是示出搬運機械手在緩衝室握持窗式夾、面板以及夾具板的狀態的圖。
圖12是示出設置在圖3的處理室中的電漿處理裝置的狀態的圖。
1000:對準裝置
1100:支撐模組
1110:底座
1130:支架
1150:升降銷
1170:支撐銷
1300:(第一)對準模組
1500:(第二)對準模組
J:夾具板
S:基板
W:窗式夾

Claims (16)

  1. 一種用於對準窗式夾、基板及夾具板之對準裝置，所述對準裝置包括：支撐模組，將所述窗式夾、所述基板及所述夾具板支撐在不同高度；以及對準模組，將由所述支撐模組支撐的所述窗式夾、所述基板及所述夾具板進行對準，所述對準模組包括：第一對準部，用於對準所述窗式夾；第二對準部，用於對準所述基板；第三對準部，用於對準所述夾具板；以及驅動部，用於使所述第一對準部、所述第二對準部和所述第三對準部同時移動。
  2. 如請求項1所述之用於對準窗式夾、基板及夾具板之對準裝置，其中，所述驅動部使所述第一對準部、所述第二對準部和所述第三對準部沿相同方向移動。
  3. 如請求項1所述之用於對準窗式夾、基板及夾具板之對準裝置，其中，所述第一對準部包括至少一個以上第一輥，當所述對準模組將所述窗式夾進行對準時，所述第一輥與所述窗式夾接觸，所述第二對準部包括至少一個以上第二輥，當所述對準模組將所述基板進行對準時，所述第二輥與所述基板接觸。
  4. 如請求項3所述之用於對準窗式夾、基板及夾具板之對準裝置，其中，所述第三對準部包括至少一個以上第三輥，當所述對準模組將所述夾具板進行對準時，所述第三輥與所述夾具板接觸。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之用於對準窗式夾、基板及夾具板之對準裝置，其中，所述對準模組設置為多個，當從頂部觀察時，多個所述對準模組分別配置在由所述支撐模組支撐的所述窗式夾、所述基板及所述夾具板的拐角區域。
  6. 如請求項5所述之用於對準窗式夾、基板及夾具板之對準裝置，其中，所述支撐模組包括：底座；支架，設置在所述底座的頂面，並且支撐所述夾具板；至少一個以上升降銷，能夠插入到形成於所述夾具板的孔，並且使所述基板升降；以及支撐銷，用於支撐所述窗式夾。
  7. 如請求項6所述之用於對準窗式夾、基板及夾具板之對準裝置，其中，所述支架包括：安置部，在支撐所述夾具板時與所述夾具板的底面接觸；以及傾斜部，從所述安置部延伸，並且從頂部觀察到的所述底座的中心朝向所述底座的外側方向向上傾斜。
  8. 如請求項6所述之用於對準窗式夾、基板及夾具板之對準裝置，其中，所述支撐銷在第一高度支撐所述窗式夾，所述升降銷在低於所述第一高度的第二高度升降並支撐所述基板，且所述支架在低於所述第二高度的第三高度支撐所述夾具板。
  9. 一種基板處理裝置，包括：處理室，對基板執行電漿處理製程；緩衝室，具有內部空間，並且在所述內部空間設置有將窗式夾、基板以及夾具板對準的對準裝置；以及 搬運機械手，在所述處理室和所述緩衝室之間搬運所述窗式夾、所述基板以及所述夾具板，所述對準裝置包括：支撐模組，將所述窗式夾、所述基板以及所述夾具板支撐在彼此不同的高度；以及對準模組，將由所述支撐模組支撐的所述窗式夾、所述基板以及所述夾具板進行對準，所述對準模組包括：第一對準部，將所述窗式夾對準；第二對準部，將所述基板對準；第三對準部，將所述夾具板對準；以及驅動部，使所述第一對準部、所述第二對準部以及所述第三對準部同時移動。
  10. 如請求項9所述之基板處理裝置，其中，所述驅動部使所述第一對準部、所述第二對準部以及所述第三對準部沿相同方向移動。
  11. 如請求項9所述之基板處理裝置，其中，所述第一對準部包括至少一個以上第一輥，當所述對準模組將所述窗式夾對準時，所述第一輥與所述窗式夾接觸，所述第二對準部包括至少一個以上第二輥，當所述對準模組將所述基板對準時，所述第二輥與所述基板接觸，所述第三對準部包括至少一個以上第三輥，當所述對準模組將所述夾具板對準時，所述第三輥與所述夾具板接觸。
  12. 如請求項11所述之基板處理裝置，其中，所述支撐模組包括：底座；支架，設置在所述底座的頂面，並且支撐所述夾具板； 至少一個以上升降銷，能夠插入到形成於所述夾具板的孔，並且使所述基板升降；以及支撐銷，支撐所述窗式夾。
  13. 如請求項12所述之基板處理裝置，其中，所述支架包括：安置部，支撐所述夾具板時與所述夾具板的底面接觸；以及傾斜部，從所述安置部延伸，並且從頂部觀察到的所述底座的中心朝向所述底座的外側方向向上傾斜。
  14. 如請求項12或13所述之基板處理裝置，其中，當從頂部觀察時，所述第二輥、所述第三輥以及所述第一輥與所述底座的中心順序地相鄰。
  15. 如請求項12或13所述之基板處理裝置，其中，所述支撐銷在第一高度支撐所述窗式夾，所述升降銷在低於所述第一高度的第二高度升降並支撐所述基板，所述支架在低於所述第二高度的第三高度支撐所述夾具板。
  16. 如請求項12或13所述之基板處理裝置，其中，所述對準模組設置為多個，當從頂部觀察時，多個所述對準模組分別配置在由所述支撐模組支撐的對象物的拐角區域。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100886957B1 (ko) * 2008-04-24 2009-03-09 주식회사 엘트린 기판 본딩 모듈 및 이를 이용한 기판 본딩 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004207436A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Ayumi Kogyo Kk ウエハのプリアライメント方法とその装置ならびにウエハの貼り合わせ方法とその装置
JP4781802B2 (ja) * 2005-12-06 2011-09-28 東京応化工業株式会社 サポートプレートの貼り合わせ手段及び貼り合わせ装置、並びにサポートプレートの貼り合わせ方法
KR100902098B1 (ko) * 2007-08-24 2009-06-09 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 웨이퍼 마운트 장비의 웨이퍼 얼라인먼트 장치
KR20140025513A (ko) * 2011-06-02 2014-03-04 다즈모 가부시키가이샤 얼라인먼트 장치 및 얼라인먼트 방법
KR20140063213A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 삼성디스플레이 주식회사 기판 정렬 장치
KR101479937B1 (ko) * 2013-05-24 2015-01-12 주식회사 에스에프에이 글라스와 마스크의 정렬장치
KR101653243B1 (ko) * 2015-05-11 2016-09-02 (주)이노맥스 스핀 척
KR102240922B1 (ko) * 2015-10-01 2021-04-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 로봇 티칭 방법
KR101882902B1 (ko) * 2017-02-10 2018-07-30 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102139934B1 (ko) * 2018-02-21 2020-08-03 피에스케이홀딩스 (주) 기판 처리 장치, 및 이를 이용하는 기판 처리 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100886957B1 (ko) * 2008-04-24 2009-03-09 주식회사 엘트린 기판 본딩 모듈 및 이를 이용한 기판 본딩 방법

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