KR101882902B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 챔버; 상기 챔버의 내측에 위치되고, 상하 방향으로 형성된 복수의 핀홀을 갖는 지지판; 상기 지지판을 상하로 이동 시키는 구동기; 상하로 이동 가능하게 상기 핀홀에 위치되는 지지핀; 상기 지지핀의 하부에 위치되어, 상기 지지핀의 상하 이동을 가이드 하는 가이드 부재를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 사진 공정은 기판 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위한 공정으로, 도포 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정가 순차적으로 진행된다. 도포 공정에는 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하고, 노광 공정에는 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광 하며, 현상 공정에는 기판 상에 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상 처리한다.
현상 공정을 통해 기판에 마스크가 형성되면, 기판은 이후 식각 공정, 이온 주입 공정 등이 수행될 수 있다. 그리고, 이후 추가 적인 공정에 앞서 마스크는 기판에서 제거된다.
도 1을 참조하면, 기판을 처리 하는 장치 내에는 기판을 지지하는 척(100)이 제공된다. 척(100)에 형성된 홀에는 핀(120)들이 위치될 수 있다. 핀(120)들의 하부는 핀지지부(121)에 제공된다. 그리고 핀지지부(121)의 하부에는 구동기(123)에 의해 승강되는 핀구동판(122)이 위치된다. 따라서 도 2와 같이 핀구동판(122)이 상승하여 핀지지부(121)를 밀어 올리면, 핀(120)들이 상승된다. 그러나 도 3과 같이 자중에 의해 쳐짐이 발생한 상태 등과 같이 핀구동판(122)이 수평 상태에 대해 틀어진 상태로 핀지지부(121)를 밀면, 핀지지부(121)와 핀(120)이 순차적으로 틀어져 핀(120)이 부러질 수 있다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판을 효율적으로 지지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 챔버; 상기 챔버의 내측에 위치되고, 상하 방향으로 형성된 복수의 핀홀을 갖는 지지판; 상기 지지판을 상하로 이동 시키는 구동기; 상하로 이동 가능하게 상기 핀홀에 위치되는 지지핀; 상기 지지핀의 하부에 위치되어, 상기 지지핀의 상하 이동을 가이드 하는 가이드 부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 가이드 부재는 상기 지지핀의 하부가 삽입되는 지지홈을 포함할 수 있다.
또한, 상기 지지핀의 하부는 상기 지지홈을 따라 상하 이동 가능하게 제공될 수 있다.
또한, 상기 지지판의 상하 이동에 따라, 상기 지지핀의 하부는 상기 지지홈을 따라 상이 이동되도록 제공될 수 있다.
또한, 상기 핀홀은 상부의 가로 방향 단면적이 하부의 가로 방향 단면적 보다 크게 제공될 수 있다.
또한, 상기 지지핀의 상부에는 상기 핀홀의 상부 형상에 대응되는 형상의 걸림부가 제공될 수 있다.
또한, 상기 가이드 부재는 상기 챔버의 내측 저면에 고정 설치될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 챔버; 상기 챔버의 내측에 위치되고, 상하 방향으로 형성된 하나 이상의 핀홀을 갖는 지지판; 상기 지지판을 기판이 반입될 때의 위치인 기준위치와 상기 기준위치보다 상승된 상태의 공정 위치 사이로 승강 시키는 구동기; 상기 핀홀에 위치되고, 상기 지지판이 상기 공정 위치로 이동 시 상기 지지판에 의해 지지되어 상승하는 지지핀을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 핀홀은 상부의 가로 방향 단면적이 하부의 가로 방향 단면적 보다 크게 제공되고, 상기 지지핀의 상부에는 상기 핀홀의 상부 형상에 대응되는 형상의 걸림부가 제공될 수 있다.
또한, 상기 지지핀의 하부에 위치되어, 상기 지지핀의 상하 이동을 가이드 하는 가이드 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 가이드 부재는 상기 지지핀의 하부가 삽입되는 지지홈을 포함할 수 있따.
또한, 상기 지지홈의 깊이는 상기 지지핀이 상기 지지판에 의해 지지된 상태로 상승하는 높이보다 깊게 형성될 수 있다.
또한, 상기 지지핀의 하부는 가로방향 단면적이 일정한 기둥 형상으로 제공되고, 상기 지지홈은 상기 지지핀의 하부 형상에 대응되는 형상으로 제공될 수 있다.
또한, 상기 지지판의 상면에 대한 상기 지지핀 상단의 높이는, 상기 지지판이 상기 기준위치에 있을 때 보다 상기 지지판이 공정 위치에 있을 때 낮게 형성될 수 있다.
또한, 상기 지지판에 대한 상기 지지핀의 이동은 상기 지지판의 승강에 의해 이루어 질 수 있다.
또한, 상기 지지판에 대한 상기 지지핀의 하방으로의 이동은 중력에 의해 이루어 질 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상하 방향으로 형성된 하나 이상의 핀홀을 가지고 기준위치와 상기 기준위치보다 상승된 상태의 공정 위치 사이를 이동하는 지지판과, 상기 핀홀에 위치되는 지지핀을 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리 하되, 상기 지지판이 상기 기준위치에 있을 때 상기 지지핀의 상단은 상기 지지판의 상면보다 높게 위치되고, 상기 지지판이 상기 공정 위치에 일을 때 상기 지지핀의 상단은 상기 지지판의 상면과 동일하거나 상기 지지판의 상면보다 낮게 위치되고, 상기 지지판이 상기 기준위치에 있을 때 상기 기판은 상기 기판 처리 장치로 반입되고, 상기 지지판이 상기 공정 위치에 있을 때, 상기 기판의 처리가 이루어 지는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 지지판에 대한 상기 지지핀의 이동은 상기 지지판의 승강에 의해 이루어질 수 있다.
또한, 상기 지지판에 대한 상기 지지핀의 하방으로의 이동은 중력에 의해 이루어 질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 지지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
도 1 내지 3은 종래의 척이 기판을 지지하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4의 공정 모듈에 제공될 수 있는 플라즈마 모듈을 나타내는 도면이다.
도 6은 기판이 플라즈마 모듈로 반입되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 7은 기판이 처리되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 8은 지지판에서 지지핀이 위치되는 부분을 나타내는 도면이다.
도 9는 지지핀이 가이드 부재에 지지된 상태를 나타내는 도면이다.
도 10은 지지핀이 지지판에 지지된 상태로 상승된 상태일 때 지지핀의 하부를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20) 및 공정 처리부(30)를 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 공정 처리부(30)는 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(20)과 공정 처리부(30)가 배열된 방향을 제 1 방향(X)이라 하고, 위쪽에서 바라볼 때 제 1 방향(X)에 수직인 방향을 제 2 방향(Y)이라 한다.
설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 제 1 방향(X)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치될 수 있다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제 2 방향(Y)을 따라 배치되어, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 틀어, 카세트, FOUP등)가 위치된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송프레임(21)은 로드 포트(10)와 공정 처리부(30) 사이에 배치된다. 이송프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(10)와 공정 처리부(30)간에 기판(W)을 이송하는 제 1 이송로봇(25)을 포함한다. 제 1 이송로봇(25)은 제 2 방향(Y)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
공정 처리부(30)는 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 공정 모듈(60)를 포함한다.
로드락 챔버(40)는 이송프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 공정 모듈(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다.
트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 위쪽에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 가질 수 있다. 일 예로, 트랜스퍼 챔버(50)는 위쪽에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 가질 수 있다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 공정 모듈(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 공정 모듈(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하기 위한 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 기판(W)을 이송하는 제 2 이송 로봇(53)이 배치된다. 제 2 이송 로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 공정 모듈(60)로 이송하거나, 공정처리가 완료된 기판(W)을 공정 모듈(60)에서 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 공정 모듈(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 공정 모듈(60)간에 기판(W)을 이송한다. 도 1과 같이, 트랜스퍼 챔버(50)가 오각형의 몸체를 가질 때, 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(40)가 배치되며, 나머지 측벽에는 공정 모듈(60)들이 연속하여 배치될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정모듈의 수에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.
공정 모듈(60)은 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 공정 모듈(60)은 복수 개 제공될 수 있다. 각각의 공정 모듈(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정처리가 진행된다. 공정 모듈(60)은 제 2 이송 로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정처리를 하고, 공정처리가 완료된 기판(W)을 제 2 이송 로봇(53)으로 제공한다. 각각의 공정 모듈(60)에서 진행되는 공정처리는 서로 동일 하거나 상이할 수 있다. 공정 모듈(60)이 수행하는 공정은 기판(W)을 이용해 반도체 소자 또는 디스플레이 패널을 생산하는 과정 가운데 일 공정일 수 있다. 공정 모듈(60)가운데 하나 이상은 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 플라즈마 모듈(도 2의 200a)을 포함한다.
도 2는 도 1의 공정 모듈에 제공될 수 있는 플라즈마 모듈을 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 플라즈마 모듈(200a)은 챔버(2100), 기판 처리 방법(2200), 샤워 헤드(2300) 및 플라스마 여기 유닛(2400, 2500)을 포함한다.
챔버(2100)는 공정 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(2100)는 바디(2110)와 밀폐 커버(2120)를 가진다. 바디(2110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 바디(2110)의 측벽에는 기판(W)이 출입하는 개구(미도시)가 형성되며, 개구는 슬릿 도어(slit door)(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 개폐 부재는 챔버(2100) 내에서 기판(W) 처리가 수행되는 동안 개구를 폐쇄하고, 기판(W)이 챔버(2100) 내부로 반입될 때와 챔버(2100) 외부로 반출될 때 개구를 개방한다.
바디(2110)의 하부벽 또는 측벽 하부에는 배기홀(2111)이 형성된다. 배기홀(2111)은 배기 라인(2112)과 연결된다. 배기 라인(2112)을 통해 챔버(2100)의 내부 압력이 조절되고, 공정에서 발생된 반응 부산물이 챔버(2100) 외부로 배출된다.
밀폐 커버(2120)는 바디(2110)의 상부벽과 결합하며, 바디(2110)의 개방된 상면을 덮어 바디(2110) 내부를 밀폐시킨다. 밀폐 커버(2120)의 상단은 플라스마 여기 유닛(2400, 2500)과 연결된다. 밀폐 커버(2120)에는 확산공간(2121)이 형성될 수 있다. 확산공간(2121)은 상부보다 하부의 너비가 넓게 제공될 수 있다. 예를 들어, 확산공간(2121)은 역 깔때기 형상을 가질 수 있다.
기판 처리 방법(2200)는 공정 처리될 기판(W)을 지지한다. 기판 처리 방법(2200)는 지지판(2210) 및 지지핀(2220)을 포함한다.
지지판(2210)은 챔버(2100) 내부에 위치된다. 지지판(2210)의 상면에는 처리될 기판(W)이 놓여진다. 지지판(2210)의 내부에는 냉각 유체가 순환하는 냉각 유로(미도시)가 형성될 수 있다. 냉각 유체는 냉각 유로를 따라 순환하며 지지판(2210)을 냉각한다. 지지판(2210)은 구동기(2211)에 연결된 상태로 제공된다. 구동기(2211)는 챔버(2100)의 내부에 위치되거나 챔버(2100)의 외부에 위치될 수 있다. 구동기(2211)는 지지판(2210)을 상하로 승강 시킨다.
지지핀(2220)은 기판(W)을 지지판(2210)의 상면에서 이격 시킨 상태로 지지할 수 있다. 지지핀(2220)은 복수가 제공된다. 일 예로, 지지핀(2220)은 지지판(2210)의 중심을 기준으로 원형으로 배열될 수 있다. 지지핀(2220)은 지지판(2210)에 대해 상하로 높이가 조절 가능하게 제공된다. 지지핀(2220)의 하부는 상하 이동 가능하게 가이드 부재(2225)에 의해 가이드 된다. 가이드 부재(2225)는 챔버(2100)에 고정될 수 있다. 일 예로, 가이드 부재(2225)는 챔버(2100)의 내측 저면에 고정 설치될 수 있다.
샤워 헤드(2300)는 바디(2110)의 상부벽에 결합된다. 샤워 헤드(2300)는 원판 형상으로, 지지판(2210)의 상면과 마주보게 배치될 수 있다. 지지판(2210)의 승강에 따라 샤웨 헤드와 지지판(2210)의 상면의 이격 거리는 조절될 수 있다.
샤워 헤드(2300)는 표면이 산화 처리된 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(2300)에는 분배홀(2310)들이 형성된다. 분배홀(2310)들은 균일한 라디칼 공급을 위해 동심의 원주상에 일정 간격으로 형성될 수 있다. 확산공간(2121)에서 확산된 플라스마는 분배홀(2310)들에 유입된다. 이때 전자 또는 이온 등과 같은 하전 입자는 샤워 헤드(2300)에 갇히고, 산소 라디칼 등과 같이 전하를 띄지 않는 중성 입자들은 분배홀(2310)들을 통과하여 기판(W)으로 공급된다. 또한, 샤워 헤드는 접지되어 전자 또는 이온이 이동되는 통로를 형성할 수 있다.
플라스마 여기 유닛(2400, 2500)은 플라스마를 생성하여, 챔버(2100)로 공급한다. 플라스마 여기 유닛(2400, 2500)은 챔버(2100)의 상부에 제공될 수 있다. 플라스마 여기 유닛(2400, 2500)은 플라즈마 여기부(2400) 및 가스 공급부(2500)를 포함한다.
플라즈마 여기부(2400)는 발진기(2410), 도파관(2420), 유전체 관(2430)을 포함한다.
발진기(2410)는 전자기파를 발생시킨다. 도파관(2420)은 발진기(2410)와 유전체 관(2430)을 연결하며, 발진기(2410)에서 발생된 전자기파가 유전체 관(2430) 내부로 전달되는 통로를 제공한다.
가스 공급부(2500)는 챔버의 내부로 공정 처리에 이용되는 가스를 공급한다. 가스 공급부(2500)는 공정 가스 공급부(2510) 및 보조 가스 공급부(2520)를 포함한다.
공정 가스 공급부(2510)는 유전체 관의 상부로 제 1 공정 가스, 제 2 공정 가스 및 제 3 공정 가스를 공급한다. 공정 가스 공급부(2510)는 플라즈마 여기부(2400)의 위쪽에 연결될 수 있다. 제 1 공정 가스는 불소계열의 가스일 수 있다. 예를 들어, 제 1 공정 가스는 디플루오로메탄(CH2F2)일 수 있다. 제 2 공정 가스는 산소, 수소 또는 산소와 수소의 혼합 가스 일 수 있다. 제 3 공정 가스는 산소, 수소 또는 산소와 수소의 혼합 가스 일 수 있다. 유전체 관(2430)의 상부로 공급된 제 1 공정 가스, 제 2 공정 가스 또는 제 3 공정 가스 각각은 플라즈마 상태로 여기 된다. 그리고, 플라즈마 상태의 제 1 공정 가스, 제 2 공정 가스 또는 제 3 공정 가스는 확산공간(2121)을 거쳐 기판(W)쪽으로 공급된다.
보조 가스 공급부(2520)는 유전체 관(2430)의 하부로 보조 가스를 공급한다. 보조 가스는 삼불화질소(NF3)일 수 있다. 보조 가스는 확산공간(2121)을 거쳐 기판(W)쪽으로 공급된다.
상술한 플라즈마 여기부(2400)는 전자기파를 이용하는 경우를 예로 들었으나, 또 다른 실시 예로, 플라즈마 여기부(2400)는 유도결합 플라즈마 여기부, 용량 결합 플라즈마 여기부로 제공되어, 제 1 공정 가스, 제 2 공정 가스 및 제 3 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기할 수 있다.
도 3은 기판이 플라즈마 모듈로 반입되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 기판(W)이 반입 될 때 지지판(2210)은 기준위치에 위치되고, 지지핀(2220)의 상단은 지지판(2210)의 상면에서 위쪽으로 돌출된 상태로 제공된다. 따라서, 반입되는 기판(W)은 지지핀(2220)에 의해 지지되는 방식으로 플라즈마 모듈로 반입될 수 있다. 또한, 기판(W)은 도 3과 유사하게 지지핀(2220)에 의해 지지된 상태에서 반출될 수 있다.
도 4는 기판이 처리되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 기판(W)의 반입이 완료되면, 구동기(2211)는 지지판(2210)을 공정위치로 상승 시킨다. 지지판(2210)이 상승하면, 지지핀(2220)의 상단은 지지판(2210)의 상면과 동일한 높이에 위치되거나, 지지판(2210)의 내측에 수용된다. 따라서, 기판(W)은 지지판(2210)의 상면에 의해 지지된다. 지지판(2210)이 상승되면, 지지판(2210)과 샤워 헤드(2300)의 거리, 기판(W)과 샤워 헤드(2300)의 거리를 조절할 수 있다. 따라서, 샤웨 헤드(2300)를 통해 기판(W)으로 플라즈마가 공급되는 거리를 조절하여, 기판(W) 처리의 공정 조건을 조절할 수 있다.
도 5는 지지판에서 지지핀이 위치되는 부분을 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 지지판(2210)에는 핀홀(2211)이 형성된다. 핀홀(2211)은 상하 방향으로 형성된다. 핀홀(2211)은 위치에 따라 가로 방향의 단면적이 상이하게 형성된다. 핀홀(2211)은 상부의 가로 방향 단면적이 하부의 가로 방향 단면적 보다 크게 제공된다. 일 예로, 핀홀(2211)의 상부는 깔때기 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 핀홀(2211)의 상부는 하부보다 둘레가 큰 기둥 형상으로 제공될 수 도 있다.
지지핀(2220)은 핀홀(2211)에 위치되어, 핀홀(2211)에 의해 안내되어 상하 방향으로 이동할 수 있다. 따라서, 지지판(2210)이 상승하면, 지지핀(2220)은 핀홀(2211)에 의해 안내되어 지지판(2210)에 대해 상대적으로 아래쪽으로 이동될 수 있다.
지지핀(2220)의 상부는 하부보다 가로 방향 단면적이 크게 형성된다. 지지핀(2220)의 상부의 가로 방향 단면적은 핀홀(2211) 하부의 가로 방향 단면적 보다 크게 형성된다. 일 예로, 지지핀(2220)의 상부는 핀홀(2211)의 상부에 대응되는 형상의 걸림부(2221)가 형성될 수 있다. 따라서, 지지판(2210)이 설정 거리 이상 상승되면, 지지핀(2220)은 핀홀(2211)의 상부에 의해 지지된 상태로 지지판(2210)과 함께 상승된다.
도 6은 지지핀이 가이드 부재에 지지된 상태를 나타내는 도면이고, 도 7은 지지핀이 지지판에 지지된 상태로 상승된 상태일 때 지지핀의 하부를 나타내는 도면이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 가이드 부재(2225)는 각각의 지지핀(2220)의 하부에 위치되어, 각각의 지지핀(2220)의 상하 이동을 개별적으로 가이드 한다. 지지핀(2220)의 하부는 가이드 부재(2225)에 형성된 지지홈(2226)에 위치된다. 지지홈(2226)은 설정 깊이를 갖도록 형성된다. 기판이 반입되거나, 기판이 반출될 때 지지판(2210)이 기준위치로 하강되면, 지지핀(2220)의 하단은 지지홈(2226)의 하단에 의해 지지되어, 지지핀(2220)의 상단은 지지판(2210)의 위쪽으로 돌출된다.
지지핀(2220)의 하부는 가로방향 단면적이 일정한 기둥 형상으로 제공되고, 지지홈(2226)은 지지핀(2220)의 하부 형상에 대응되게 제공될 수 있다. 따라서, 지지핀(2220)의 하부는 좌우 방향으로 흔들림의 최소화 된 상태로 지지홈(2226)에 대해 상하로 이동될 수 있다. 그리고 지지핀(2220)은 지지핀(2220) 구동을 위한 별개의 동력원 없이 지지판(2210)에 의해 상승하고, 중력에 의해 하강한다.
지지홈(2226)의 깊이는 지지핀(2220)이 지지판(2210)에 의해 지지된 상태로 상승하는 거리 보다 크게 형성될 수 있다. 따라서, 지지판(2210)이 공정위치로 상승된 상태에서도 지지핀(2220)의 하단은 지지홈(2226)에 위치된 상태로 제공될 수 있다. 또한, 지지판(2210)이 2개 이상의 공정 위치를 가질 때, 지지홈(2226)의 깊이는 가장 높은 공정 위치로 들어 올려진 지지핀(2220)의 하단이 지지홈(2226)에 위치될 수 있도록 제공된다.
본 발명에 의하면, 각각의 각각의 지지핀(2220)은 핀홀(2211) 및 지지판(2210)에 의해 안내된 상태로 지지판(2210)에 대해 상대적으로 이동되거나, 지지판(2210)에 의해 들어 올려진다. 따라서, 지지핀(2220)에 모멘트가 작용하여 지지핀(2220)이 파손되는 것이 방지될 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 지지판(2210)의 공정위치가 변경되어도, 지지핀(2220)은 별개의 조작 없이 지지판(2210)에 대한 상대적 이동이 조절될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 로드 포트 20: 설비 전방 단부 모듈
30: 공정 처리부 40: 로드락 챔버
50: 트랜스퍼 챔버 2100: 챔버
2200: 기판 처리 방법 2300: 샤워 헤드
2400: 플라즈마 여기부 2500: 가스 공급부

Claims (19)

  1. 챔버;
    상기 챔버의 내측에 위치되고, 상하 방향으로 형성된 복수의 핀홀을 갖는 지지판;
    상기 지지판을 상하로 이동 시키는 구동기;
    상하로 이동 가능하게 상기 핀홀에 위치되는 지지핀;
    상기 지지핀의 하부에 위치되어, 상기 지지핀의 상하 이동을 가이드 하는 가이드 부재를 포함하며,
    상기 가이드 부재는 상기 지지핀의 하부가 삽입되는 지지홈을 포함하고,
    상기 지지핀의 하부는 상기 지지홈을 따라 상하 이동 가능하게 제공되고,
    상기 지지판의 상하 이동에 따라, 상기 지지핀의 하부는 상기 지지홈을 따라 상하 이동되도록 제공되되,
    상기 지지홈의 깊이는 상기 지지핀이 상기 지지판에 의해 지지된 상태로 상승하는 높이보다 깊게 형성되고,
    상기 지지핀의 하부는 가로방향 단면적이 일정한 기둥 형상으로 제공되고,
    상기 지지홈은 상기 지지핀의 하부 형상에 대응되는 형상으로 제공되며,
    상기 지지핀의 상승 이동은 상기 지지판의 승강에 의해 이루어지고,
    상기 지지핀의 하방으로의 이동은 중력에 의해 이루어지며,
    상기 가이드 부재는, 상기 챔버의 내측 저면에 고정 설치된 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 핀홀은 상부의 가로 방향 단면적이 하부의 가로 방향 단면적 보다 크게 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 지지핀의 상부에는 상기 핀홀의 상부 형상에 대응되는 형상의 걸림부가 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 챔버;
    상기 챔버의 내측에 위치되고, 상하 방향으로 형성된 하나 이상의 핀홀을 갖는 지지판;
    상기 지지판을 기판이 반입될 때의 위치인 기준위치와 상기 기준위치보다 상승된 상태의 공정 위치 사이로 승강 시키는 구동기;
    상기 핀홀에 위치되고, 상기 지지판이 상기 공정 위치로 이동 시 상기 지지판에 의해 지지되어 상승하는 지지핀을 포함하며,
    상기 핀홀은 상부의 가로 방향 단면적이 하부의 가로 방향 단면적 보다 크게 제공되고,
    상기 지지핀의 상부에는 상기 핀홀의 상부 형상에 대응되는 형상의 걸림부가 제공되고,
    상기 지지핀의 하부에 위치되어, 상기 지지핀의 상하 이동을 가이드 하는 가이드 부재를 더 포함하고,
    상기 가이드 부재는 상기 지지핀의 하부가 삽입되는 지지홈을 포함하되,
    상기 지지홈의 깊이는 상기 지지핀이 상기 지지판에 의해 지지된 상태로 상승하는 높이보다 깊게 형성되고,
    상기 지지핀의 하부는 가로방향 단면적이 일정한 기둥 형상으로 제공되고,
    상기 지지홈은 상기 지지핀의 하부 형상에 대응되는 형상으로 제공되며,
    상기 지지핀의 상승 이동은 상기 지지판의 승강에 의해 이루어 지고,
    상기 지지핀의 하방으로의 이동은 중력에 의해 이루어지며,
    상기 가이드 부재는, 상기 챔버의 내측 저면에 고정 설치된 기판 처리 장치.
  9. 삭제
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  12. 삭제
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  14. 제8항에 있어서,
    상기 지지판의 상면에 대한 상기 지지핀 상단의 높이는, 상기 지지판이 상기 기준위치에 있을 때 보다 상기 지지판이 공정 위치에 있을 때 낮게 형성되는 기판 처리 장치.
  15. 삭제
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