CN115483084A - 容器和基板处理系统 - Google Patents
容器和基板处理系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115483084A CN115483084A CN202210629278.XA CN202210629278A CN115483084A CN 115483084 A CN115483084 A CN 115483084A CN 202210629278 A CN202210629278 A CN 202210629278A CN 115483084 A CN115483084 A CN 115483084A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- charging
- substrate
- type sensor
- shelf
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67363—Closed carriers specially adapted for containing substrates other than wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3288—Maintenance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67775—Docking arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
- H02J50/10—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
- H02J50/90—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power involving detection or optimisation of position, e.g. alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20278—Motorised movement
- H01J2237/20285—Motorised movement computer-controlled
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/208—Elements or methods for movement independent of sample stage for influencing or moving or contacting or transferring the sample or parts thereof, e.g. prober needles or transfer needles in FIB/SEM systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
公开了一种接收基板型传感器的容器。所述容器包括:主体,所述主体具有一侧打开的接收空间;门,所述门选择性地打开和关闭所述接收空间;搁架部件,所述搁架部件在所述接收空间中支撑所述基板型传感器;以及充电模块,所述充电模块给由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器充电,并且所述充电模块包括充电部件,所述充电部件在待机位置与给由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器充电的充电位置之间移动。
Description
技术领域
本公开涉及一种容器和基板处理系统。
背景技术
等离子体是指包括离子、自由基和电子的电离气态。等离子体由非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场生成。半导体器件制造工艺可以包括通过使用等离子体去除形成在诸如晶片的基板上的薄膜的蚀刻工艺。当等离子体的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应时,执行蚀刻工艺。
一种用于通过使用等离子体处理基板的设备包括处理室、在处理室中支撑基板并连接到RF电源的支撑卡盘(例如,ESC)、以及围绕安置在支撑卡盘上的基板的外周边的聚焦环。安装聚焦环以使等离子体以高均匀性分布,并且使聚焦环与基板一起用等离子体进行刻蚀。当基板被重复蚀刻时,聚焦环也被蚀刻,使得聚焦环的形状逐渐改变。其中离子和/或自由基被输入到基板的方向根据聚焦环的形状的改变而改变,并且因此基板的蚀刻特性改变。因此,当蚀刻特定数量或更多的基板或者改变聚焦环的形状以偏离可允许范围时,需要更换聚焦环。
通常,由操作者通过打开处理室,从打开的处理室中取出用过的聚焦环,在处理室中安装未使用的聚焦环来交换聚焦环。然而,在交换方案中,消耗了大量的工作时间,并且颗粒被引入处理室的可能性很高。因此,近年来,已经使用了一种交换方案,在该方案中,基板处理设备的传送机械手将用过的聚焦环从处理室中搬出并将环盒搬入,并且然后传送机械手将新的聚焦环从环盒中搬出并将聚焦环搬入处理室中。
同时,聚焦环由传送基板的传送机械手传送。传送机械手将聚焦环传送到处理室中的特定位置。此外,为了识别聚焦环是否传送到特定位置,通过具有与基板的形状相似的形状的视觉晶片拍摄聚焦环。在消耗电能的同时驱动视觉晶片。诸如电池的电源设备安装在视觉晶片中,并且有必要给视觉晶片中的电源设备充电。
通常,用于给视觉晶片充电的设备不设置在接收视觉晶片的容器,诸如FOUP中。因此,为了给视觉晶片充电,单独提供给视觉晶片充电的充电部件。当视觉晶片位于充电部件中时,充电部件给视觉晶片充电。然而,视觉晶片的充电部件与基板处理设备分开提供,必须执行几个传送顺序来将视觉晶片传送到处理室中。此外,当用于给视觉晶片充电的充电装置安装在诸如FOUP的容器中时,充电装置可能与进入容器的传送机械手的传送手碰撞。
发明内容
本发明构思的实施例提供一种可以有效地给基板型传感器充电的容器,和一种基板处理系统。
本发明构思的实施例还提供一种容器和一种基板处理系统,所述容器可以最小化当传送机械手的手进入容器时安装在容器中的充电模块与传送机械手的手的碰撞。
本公开的方面不限于此,并且本领域技术人员根据以下描述能够清楚地理解本公开的其他未提及的方面。
本公开提供一种接收基板型传感器的容器。所述容器包括:主体,其具有一侧打开的接收空间;门,其选择性地打开和关闭接收空间;搁架部件,其在接收空间中支撑基板型传感器;以及充电模块,其给由搁架部件支撑的基板型传感器充电,并且充电模块包括充电部件,所述充电部件在待机位置与给由搁架部件支撑的基板型传感器充电的充电位置之间移动。
根据一个实施例,所述充电模块可以包括:引导部件,其引导充电部件在与由搁架部件支撑的基板型传感器的一个表面平行的一个方向上的移动;支撑部件,其在沿着引导部件移动时支撑所述充电部件;以及驱动部件,其使支撑部件在一个方向上移动。
根据一个实施例,所述驱动部件可以包括:驱动源,其生成驱动力;以及臂,其连接到充电部件,并且通过使用驱动力使充电部件在一个方向上移动。
根据一个实施例,所述充电部件可以在由搁架部件支撑的基板型传感器的下侧上的区域中移动。
根据一个实施例,可以提供多个搁架部件和多个充电模块,并且充电模块可以分别给由搁架部件支撑的基板型传感器充电。
根据一个实施例,所述容器还可以包括:第一位置传感器,其检测基板型传感器是否安置在搁架部件上;第二位置传感器,其检测充电部件的位置;以及打开/关闭传感器,其检测接收空间是打开还是关闭。
根据一个实施例,当第一位置传感器检测到基板型传感器安置在搁架部件上并且打开/关闭传感器检测到接收空间被门关闭时,所述充电部件可以移动到充电位置。
根据一个实施例,当第二位置传感器检测到充电部件已完全移动到充电位置时,所述充电部件可以开始给基板型传感器充电。
根据一个实施例,当检测到基板型传感器已完全充电时或者当打开/关闭传感器检测到接收空间打开时,所述充电部件可以移动到待机位置。
本公开提供了一种基板处理系统。所述基板处理系统包括:转位部件,其具有装载端口;工艺执行部件,其从转位部件接收基板并且处理所述基板;以及容器,其定位在装载端口中,并且接收被带入到工艺执行部件中的基板型传感器,所述容器还包括:主体,其具有一侧打开的接收空间;门,其选择性地打开和关闭接收空间;搁架部件,其在接收空间中支撑基板型传感器;以及充电模块,其给由搁架部件支撑的基板型传感器充电,并且充电模块包括充电部件,所述充电部件在第一位置与第二位置之间移动,所述第二位置比所述第一位置更靠近所述一侧。
根据一个实施例,所述容器可以包括:第一位置传感器,其检测基板型传感器是否安置在搁架部件上;第二位置传感器,其检测充电部件的位置;以及打开/关闭传感器,其检测接收空间是打开还是关闭。
根据一个实施例,所述基板处理系统还可以包括控制器,并且所述控制器可以基于由第一位置传感器、第二位置传感器或打开/关闭传感器检测到的检测值控制充电模块。
根据一个实施例,所述控制器可以基于检测值控制充电模块,使得充电模块处于充电模式或待机模式,所述充电模式用于给由搁架部件支撑的基板型传感器充电,在所述待机模式中,充电部件位于第二位置。
根据一个实施例,控制器可以控制充电模块,使得当第一位置传感器检测到基板型传感器安置在搁架部件上并且打开/关闭传感器检测到接收空间被门关闭时,所述充电模块处于充电模式。
根据一个实施例,控制器可以控制充电模块,使得当基板型传感器已完全充电时,当第一位置传感器检测到基板不定位在搁架部件上时,或者当打开/关闭传感器检测到接收空间打开时,所述充电模块处于待机模式。
根据一个实施例,所述充电模块还可以包括:引导部件,其引导充电部件在与由搁架部件支撑的基板型传感器的一个表面平行的一个方向上的移动;支撑部件,其在沿着引导部件移动时支撑所述充电部件;以及驱动部件,其使支撑部件在一个方向上移动。
根据一个实施例,所述驱动部件可以包括:驱动源,其生成驱动力;以及臂,其联接到充电部件,并且通过使用驱动力使充电部件在一个方向上移动。
本公开提供了一种基板处理系统。所述基板处理系统包括:转位部件,其具有传送机械手和装载端口;工艺执行部件,其从转位部件接收基板并且处理所述基板;以及容器,其定位在装载端口中,并且接收被带入到工艺执行部件中的基板型传感器,所述容器包括:主体,其具有一侧打开的接收空间;门,其选择性地打开和关闭接收空间;搁架部件,其在接收空间中支撑基板型传感器;以及充电模块,其在无线充电方案中给由搁架部件支撑的基板型传感器充电,并且充电模块包括充电部件,所述充电部件在待机位置与比所述待机位置更靠近所述一侧的充电位置之间移动,并且在由搁架部件支撑的基板型传感器的下侧上的区域中移动;第一位置传感器,其检测基板型传感器是否安置在搁架部件上;第二位置传感器,其检测充电部件的位置;以及打开/关闭传感器,其检测接收空间是打开还是关闭。
根据一个实施例,所述驱动部件可以包括:驱动源,其生成驱动力;以及臂,其联接到充电部件,并且通过使用驱动力使充电部件在一个方向上移动。
根据一个实施例,所述基板处理系统还可以包括控制器,并且所述控制器可以在第一位置传感器检测到基板型传感器安置在搁架部件上并且打开/关闭传感器检测到接收空间被门关闭时生成用于将充电部件移动到充电位置的控制信号;可以在第二位置传感器检测到充电部件已完全移动到充电位置时生成用于使充电部件开始给基板型传感器充电的控制信号;可以在检测到基板型传感器已完全充电或者在打开/关闭传感器检测到接收空间打开时生成用于将充电部件移动到待机位置的控制信号。
附图说明
通过参考附图详细描述实施例,本公开的上述和其他目标和特征将变得显而易见。
图1是示意性地展示了根据本公开的实施例的基板处理系统的平面图;
图2是展示了图1的第一容器的外观的透视图;
图3是展示了被接收在图2的第一容器中的基板的外观的视图;
图4是展示了图1的第二容器的外观的平面截面图;
图5是展示了图4的支撑狭槽的外观的视图;
图6是展示了被接收在图4的第二容器中的环构件的外观的视图;
图7是展示了用于传送环构件的环托架的实例的透视图;
图8是图7的环托架的平面图;
图9是展示了图8的环托架的一部分的放大视图;
图10是示意性地展示了图1的第一传送手的外观的视图;
图11是展示了其中基板定位在图10的第一传送手上的外观的视图;
图12是展示了其中环构件和环托架定位在图10的第一传送手上的外观的视图;
图13是展示了设置在图1的对准室中的对准单元的外观的视图;
图14和图15是展示了其中图13的对准单元对准环托架的外观的视图;
图16是展示了图1的负载锁定室的外观的平面截面图;
图17是展示了其中基板定位在图16的支撑搁架上的外观的视图;
图18是展示了其中环构件定位在图16的支撑搁架上的外观的视图;
图19是展示了其中图18的环托架从负载锁定室取出的外观的视图;
图20是展示了图1的第二传送手的外观的视图;
图21是展示了其中基板定位在图20的第二传送手上的外观的视图;
图22是展示了其中环构件定位在图20的第二传送手上的外观的视图;
图23是展示了设置在图1的处理室中的基板处理设备的视图;
图24是展示了根据本公开的实施例的对准环构件的位置的顺序的流程图;
图25和图26是展示了其中环构件的中心位置通过由基板型传感器获取的图像检测到的外观的视图;
图27是展示了图1的第三容器的截面图;
图28是当从顶部观看时的图27的充电模块的视图;
图29是展示了根据本公开的实施例的基板型传感器充电系统的概念视图;
图30是展示了处于待机模式的图27的充电模块的视图;
图31是展示了其中传送手进入第三容器的状态的视图;并且
图32是展示了处于充电模式的图27的充电模块的视图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细地描述本公开的实施例,使得本公开所属领域的技术人员可以容易地实施本公开。然而,本公开可以各种不同形式实现,并且不限于以下将描述的实施例。此外,在详细描述本公开的优选实施例时,相关已知功能或配置的详细描述在其使本公开的实质不必要地模糊时可以被省略。此外,在整个附图中,相同的附图标记用于执行相似功能和操作的部件。
“包括”一些元件的表述可以意味着可以进一步包括另一元件而不被排除,除非有特别矛盾的描述。详细地,术语“包括”和“具有”用于表示存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、元件、部件或其组合,并且可以理解为可以添加一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、元件、部件或其组合。
除非另有指明,否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外,在附图中,为了更清楚地描述,元件的形状和尺寸可能被夸大。
诸如第一和第二的术语可以用于描述各种元件,但是这些元件不受所述术语的限制。这些术语可以仅用于区分一个元件与另一个元件的目的。例如,在不脱离本公开的范围的情况下,第一元件可以称为第二元件,并且类似地,第二元件可以称为第一元件。
当提到一个元件“连接到”或“电连接到”另一个元件时,应当理解,第一元件可以直接连接或电连接到第二元件,但是可以在其间提供第三元件。另一方面,当提及一个元件“直接连接到”或“直接电连接到”另一个元件时,应当理解,它们之间不存在第三元件。应当理解,其他描述元件之间关系的表述,诸如“之间”、“直接之间”、“相邻”和“直接相邻”,可以具有相同的目的。
此外,除非另有定义,否则本文所用的所有术语(包括技术或科学术语)具有本公开所属领域的技术人员通常所理解的相同的含义。通用词典中定义的术语应理解为具有与相关技术的上下文的含义一致的含义,并且除非在本公开的说明书中明确定义,否则不应理解为理想的或过于正式的含义。
在下文中,将参考图1至图25详细地描述本公开的实施例。
图1是示意性地展示了根据本公开的实施例的基板处理系统的视图。参考图1,根据本公开的实施例的基板处理系统可以包括基板处理设备10、容器20和环托架30。
根据本公开的实施例的容器20可以定位在基板处理设备10的装载端口110上。容器20可以通过高架运输(OHT)设备定位在基板处理设备10的装载端口110上。容器20中可以接收各种物品。根据所接收物品的种类,容器20可以包括各种种类的容器。容器20可以被称为FOUP或POD。
例如,如图2所示,要由基板处理设备10处理的物体可以被接收在第一容器21中,所述第一容器是容器20中的任何一个。被处理的物体可以是基板“W”,诸如图3所示的晶片。此外,凹口“N”可以形成在基板“W”中。为了用基板处理设备10正确地处理基板“W”,有必要将基板“W”准确地传送到基板处理设备10的期望位置。形成在基板“W”中的凹口“N”用于对准基板“W”以便准确地传送所述基板。基板“W”的对准可以通过对准单元200进行,这将在后面描述。
此外,如图4所示,安装在基板处理设备10上并且是可交换的消耗性部件可以被接收在第二容器22中,所述第二容器是容器20中的另一个。消耗性部件可以是环构件“R”,诸如聚焦环或介电环。环构件“R”的外周直径可以比基板“W”的外周直径大。因此,第二容器22中的空间的体积可以比第一容器21中的空间的体积大得多。此外,当从顶部观看时,用于在第二容器22中支撑环构件“R”的多个支撑狭槽22a和22c可以设置在不同的位置。此外,支撑狭槽22a和22c可以设置在与形成在环托架30中的开口32相对应的位置,这将在下面描述。这是因为当通过使用环托架30将环构件“R”从第二容器22中取出时,可以防止环托架30干扰支撑狭槽22a和22c。
此外,如图5所示,对准销22b可以形成在支撑狭槽22a和22c中的一个或多个(例如,多个)支撑狭槽22a中。图6所示,对准销22b可以插入到形成在环构件“R”的下表面上的对准凹部“G”中。重要的是,将环构件“R”传送在准确位置,以将环构件“R”正确地安装到基板处理设备10的期望位置。重要的是,将环构件“R”定位在第一传送手152的相同位置(这将在下面描述),以将环构件“R”传送到准确位置。通过限制改变环构件“R”的横向位置,对准销22b可以允许环构件“R”定位在第一传送手152的相同位置。
此外,通过将对准销22b插入到形成在环构件“R”下表面上的对准凹部“G”中,操作者可以简单地将环构件“R”接收在第二容器22中的准确位置。在第二容器22中接收环构件“R”的位置可以根据操作者的熟练程度而改变,但是对准销22b可以使问题最小化。此外,由对准销22b对准的环构件“R”的方向可以在相同方向上对准。例如,由对准销22b对准的环构件“R”的扁平区可以在相同方向上对准。例如,因为环构件“R”通过对准销22b在相同方向上对准,所以不需要单独地对准环构件“R”的方向来将环构件“R”定位在环托架30上。
根据本公开的实施例的环托架30可以用于传送环构件“R”。例如,环托架30可以用于在转位室130、对准室170和负载锁定室310之间传送环构件“R”,这将在下面描述。环托架30可以被接收在上述容器20中。例如,环托架30可以被接收在上述第二容器22中。环托架30可以被接收在被接收于第二容器22中的环构件“R”的下方。被接收在第二容器22中的环托架30可以被接收在第二容器22中,同时其方向对准。环托架30可以用于使将在下面描述的第一传送机械手150传送环构件“R”。
图7是展示了用于传送环构件的环托架的实例的透视图。图8是图7的环托架的平面图。图9是展示了图8的环托架的一部分的放大视图。参考图7至图9,根据本公开的实施例的环托架30可以包括主体31和引导部件34。
主体31可以具有安置表面,环构件“R”定位在所述安置表面上。环构件“R”可以定位在主体31的上表面上。主体31可以具有板形。主体31可以具有盘形。主体31具有盘形,以使得通过对准单元200对准环托架30的方向的操作与对准基板“W”的方向的操作相同或至少相似。
主体31的中心区域可以设置有没有孔的挡板。此外,一个或多个开口32可以形成在主体31的周边区域中。多个开口32可以形成在主体31的周边区域中。开口32可以从主体31的上表面延伸到下表面。也就是说,开口32可以穿过主体31。开口32可以形成在主体31的周边区域中,并且可以形成在包括主体31的外周边的主体31的周边区域中。也就是说,开口32可以延伸到主体31的外周边。此外,当从顶部观看开口32时,它们可以形成在与设置在负载锁定室310中的支撑搁架320重叠的位置处。此外,当从顶部观看开口32时,它们可以形成在与第二容器22的支撑狭槽22a和22c重叠的位置。这是因为当通过使用环托架30传送环构件“R”时,可以防止环托架30与支撑搁架320或支撑狭槽22a和22c重叠。
对准孔33可以形成在主体31中。当从顶部观看时,对准孔33可以形成在第一引导部件35与第二引导部件36之间。对准孔33可以是当将在下面描述的对准单元200对准环托架30时使用的孔。对准孔33可以从主体31的上表面延伸到下表面。也就是说,对准孔33可以穿过主体31。此外,对准孔33可以形成在与形成于基板“W”中的凹口“N”重叠的位置。例如,从主体31的中心到对准孔33的中心的距离可以与从基板“W”的中心到凹口“N”的中心的距离相同。这是为了使得通过对准单元200对准环托架30的方向的操作与对准基板“W”的方向的操作相同或至少相似的目的。
当环构件“R”定位在环托架30上并且环托架30被第一传送手152传送时,环构件“R”可以通过第一传送手152的线性运动而滑动,或者环构件“R”的安置位置可以通过第一传送手152的旋转而变形。引导部件34可以防止环构件“R”的滑动或变形。引导部件34也可以被称为引导凸台。
引导部件34可以从主体31的上表面突出。引导部件34可以从主体31的上表面向上突出。定位在环托架30上的环构件“R”的内周边可以具有平坦区域FZ和圆形区域RZ,并且引导部件34可以形成在面向环构件“R”的平坦区域FZ的内周边的位置处。引导部件34可以具有与环构件“R”的内周边对应的形状。引导部件34可以具有与包括平坦区域FZ的环构件“R”的内周边对应的形状。
引导部件34可以包括第一引导部件35(第一引导凸台)和第二引导部件36(第二引导凸台)。第一引导部件35和第二引导部件36可以具有对称的形状。例如,第一引导部件35和第二引导部件36可以具有相对于形成在它们之间的对准孔33彼此对称的形状。
第一引导部件35可以包括第一平坦部分35F和第一圆形部分35R。第二引导部件36可以包括第二平坦部分36F和第二圆形部分36R。第一平坦部分35F可以具有与平坦区域FZ的内周边对应的形状。第一圆形部分35Z可以弯曲并从第一平坦部分35F延伸,并且可以具有与环构件“R”的圆形区域RZ的内周边对应的形状。第一平坦部分35F和第一圆形部分35Z具有与第二平坦部分36F和第二圆形部分36Z对称的形状,并且将省略对其的重复描述。
引导部件34有助于环构件“R”的平坦区域FZ在环托架30上沿特定方向对准。此外,对准孔33形成在第一引导部件35与第二引导部件36之间。因此,当通过使用将在下面描述的对准单元200来对准环托架30时,定位在环托架30上的环构件“R”的平坦区域FZ的方向也可以在期望的方向上对准。此外,第一圆形部分35Z和第二圆形部分36Z的外周边与圆形区域RZ的内周边可以具有相同的曲率半径。此外,第一圆形部分35Z和第二圆形部分36Z的外周边与基板“W”的外周边可以具有相同的曲率半径。
再次参考图1,根据本公开的实施例的基板处理设备10可以包括转位部件100、工艺执行部件300和控制器700。当从顶部观看时,转位部件100和工艺执行部件300可以沿着第一方向“X”布置。在下文中,当从顶部观看时垂直于第一方向“X”的方向被定义为第二方向“Y”。此外,垂直于第一方向“X”和第二方向“Y”的方向被定义为第三方向“Z”。在此,第三方向“Z”可以指垂直于地面的方向。
转位部件100可以包括装载端口110、转位室130、第一传送机械手150以及对准室170。
容器20可以安置在装载端口110中。如上所述,容器20可以通过OHT设备被传送到装载端口110以装载在装载端口110中或从装载端口110卸载,并且可以被传送。然而,本公开不限于此,并且容器20可以通过用于传送容器20的各种装置来传送。此外,操作者可以将容器20直接装载在装载端口110中或者从装载端口110卸载安置在装载端口110中的容器20。
转位室130可以设置在装载端口110与工艺执行部件300之间。也就是说,装载端口110可以连接到转位室130。转位室130的内部可以被维持在大气压环境中。
此外,第一传送机械手150可以设置在转位室130中。第一传送机械手150可以在安置在装载端口110中的容器20、负载锁定室310(将在下面描述)和对准室170之间传送基板“W”和环构件“R”。此外,第一传送机械手150可以具有第一传送手152。如图10所示,多个第一支撑垫153可以设置在第一传送手152的上表面上。例如,可以设置三个第一支撑垫153,并且三个第一支撑垫可以在三个点处支撑定位在第一传送手152上的传送目标物体。第一支撑垫153可以防止定位在第一传送手152上的基板“W”或环托架30滑动。当从顶部观看时,第一支撑垫153可以沿着具有一个半径的假想圆的圆周方向布置。此外,第一传送手152可以具有一尺寸,通过该尺寸它可以容易地进入上述容器20。此外,如图11所示,基板“W”可以定位在第一传送手152上,并且如图12所示,支撑环构件“R”的环托架30可以定位。
设置有将在下面描述的对准单元200的对准室170可以安装在转位室130的一侧和/或相对侧上。基板“W”或环托架30可以在对准室170中对准。图13是展示了设置在图1的对准室中的对准单元的外观的视图。参考图13,设置在对准室170中的对准单元200可以对准基板“W”。例如,对准单元200可以对准形成在基板“W”中的凹口“N”的方向。此外,对准单元200可以对准形成在环托架30中的对准孔33的方向。
对准单元200可以包括卡盘210、支撑机构220、照射部件230以及光接收部件240。卡盘210可以支撑基板“W”的中心区域。卡盘210可以以真空吸附方式支撑基板“W”。与此不同,防止目标支撑物体滑动的垫可以设置在卡盘210的上表面上。卡盘210可以使基板“W”旋转。
支撑机构220可以支撑照射部件230和光接收部件240。照射部件230可以在从卡盘210支撑的基板“W”的上侧到下侧的方向上照射光“L”。光“L”可以是具有特定宽度的激光束。光接收部件240可以被设置为面向照射部件230。例如,光接收部件240可以设置在由照射部件230照射的光“L”的照射路径上。卡盘210可以使基板“W”旋转,直到由照射部件230照射的光“L”通过形成在基板“W”中的凹口“N”到达光接收部件240。当光接收部件240接收到光“L”时,卡盘210使基板“W”的旋转停止,并且可以完成基板“W”的对准。
如图14所示,对准单元200可以使环托架30对准,类似于上述对准基板“W”的方案。如上所述,对准孔33形成在环托架30中。当环托架30定位在卡盘210上时,卡盘210可以使环托架30旋转,直到由照射部件230照射的光“L”通过形成在环托架30中的对准孔33到达光接收部件240。当光接收部件240接收到光“L”时,卡盘210使环托架30的旋转停止,并且可以完成环形托架30的对准。如上所述,因为形成对准孔33的位置可以与形成凹口“N”的位置重叠,所以可以通过使用相同的对准单元200来将环托架30和基板“W”对准。
作为示例,图14示出了环托架30在环构件“R”定位在环托架30上的状态下对准,但是本公开不限于此。如有必要,如图15所示,在环托架30上没有定位环构件“R”的状态下,环托架30可以对准。
再次参考图1,工艺执行部件300可以包括负载锁定室310、传送室330、第二传送机械手350以及处理室370。
负载锁定室310可以设置在转位室130与传送室330之间。如上所述,转位室130的内部环境可以被维持在大气压环境中。如稍后将描述的,传送室330的内部环境可以被维持在真空压环境中。负载锁定室310可以设置在转位室130与传送室330之间,并且其内部环境可以在大气压环境与真空压环境之间改变。
图16是展示了图1的负载锁定室的外观的平面截面图。参考图16,负载锁定室310可以包括壳体311和支撑搁架320。
壳体311可以具有内部空间312。壳体311可以具有内部空间312,基板“W”或环构件“R”安置在所述内部空间中。壳体311可以设置在上文已经描述的转位室130与传送室330之间。此外,壳体311可以具有开口。多个开口可以设置在壳体311中。例如,开口中的第一开口311a可以通过闸阀(未示出)选择性地与转位室130连通。此外,开口中的第二开口311b可以通过闸阀(未示出)选择性地与传送室330连通。
此外,壳体311可以具有通气孔313,通过所述通气孔,排出气体被供应到壳体311的内部空间312中。此外,壳体311可以具有减压孔,所述减压孔降低壳体311的内部空间312中的压力。排出气体可以是惰性气体。例如,排出气体可以是包括氮气、氩气等的气体。然而,本公开不限于此,并且排出气体可以是各种已知的惰性气体。此外,减压孔314可以连接到减压构件(未示出)。减压构件可以是泵。然而,本公开不限于此,并且减压构件可以被不同地修改为降低内部空间312的压力的已知设备。因为通风孔313和减压孔314形成在壳体311中,所以壳体311的内部空间的压力可以在大气压与真空压之间自由改变。
支撑搁架320可以设置在内部空间312中。支撑搁架320可以在内部空间312中支撑基板“W”或环构件“R”。此外,环构件“R”的直径可以比基板“W”的直径大。
可以设置一个或多个支撑搁架320。例如,可以设置多个支撑搁架320。可以设置三个支撑搁架320。当从顶部观看时,支撑搁架320可以被设置成彼此间隔开。当从顶部观看时,支撑搁架320可以设置在与形成于上述环托架30中的开口32重叠的位置处。例如,当从顶部观看时,支撑搁架320可以设置在与形成于环托架30中的开口32重叠的位置处,环托架的方向由对准单元200对准。此外,当从其截面看时,支撑搁架320可以具有大致倒置“L”形。
此外,支撑搁架320可以包括第一垫324和第二垫326。第一垫324和第二垫326可以由对基板“W”或环构件“R”具有抗摩擦特性的材料形成。例如,第一垫324和第二垫326可以由填充有碳的聚醚醚酮(PEEK)形成。然而,其中填充有碳的PEEK被用作第一垫324和第二垫326的材料的实施例仅仅是实例,并且可以利用具有类似特性的其他已知材料进行各种修改。
当从顶部观看时,第一垫324可以具有大致弧形形状。第一垫324可以设置成比第二垫326更靠近减压孔314。当从顶部观看时,第一垫324可以设置在基板“W”的外周边的内侧。也就是说,如图17所示,在基板“W”和环构件“R”中,第一垫324可以支撑基板“W”。
当从顶部观看时,第二垫326可以具有大致弧形形状。第二垫326可以设置成比第一垫324更远离减压孔314。当从顶部观看时,第二垫326可以设置在基板“W”的外周边的外侧和环构件“R”的内周边的外侧,并且可以设置在环构件“R”的外周边的内侧。也就是说,在基板“W”和环构件“R”中,第二垫326可以支撑环构件“R”。
此外,当从顶部观看时,支撑搁架320可以设置在与形成于上述环托架30中的开口32重叠的位置处。因此,如图18所示,当第一传送手152将其上定位有环构件“R”的环托架30运送到负载锁定室310中并且第一传送手152向下移动时,环构件“R”定位在支撑搁架320上,并且环托架30可以在定位于第一传送手152上的同时向下移动。此后,如图19所示,当第一传送手152退回时,环托架30可以与环构件“R”分离,并从负载锁定室310中取出。
再次参考图1,传送室330可以设置在负载锁定室310与处理室370之间。传送室330的内部环境可以被维持在真空压环境中。第二传送机械手350可以设置在传送室330中。第二传送机械手350可以在负载锁定室310与处理室370之间传送基板“W”和环构件“R”。此外,第二传送机械手350可以具有第二传送手352。
图20是展示了图1的第二传送手的外观的视图。参考图20,第二传送机械手350的第二传送手352可以具有比第一传送手152尺寸大的尺寸。一对第一传送垫353、一对第二传送垫354、一对第三传送垫355和一对第四传送垫356可以设置在第二传送手352上。第二传送垫354和第三传送垫355可以设置在第一传送垫353与第四传送垫356之间。当从顶部观看时,第二传送垫354和第三传送垫355可以设置在基板“W”的外周边的内侧。也就是说,如图21所示,在基板“W”和环构件“R”中,第二传送垫354和第三传送垫355可以支撑基板“W”。当从顶部观看时,第一传送垫353和第四传送垫356可以设置在基板“W”的外周边的外侧和环构件“R”的内周边的外侧,并且可以设置在环构件“R”的外周边的内侧。也就是说,在基板“W”和环构件“R”中,第二垫326可以支撑环构件“R”。
再次参考图1,一个或多个处理室370可以连接到传送室330。处理室370可以是对基板“W”执行工艺的腔室。处理室370可以是通过向基板“W”供应处理液来处理基板“W”的液体处理室。此外,处理室370可以是通过使用等离子体来处理基板“W”的等离子体室。此外,一些处理室370可以是通过向基板供应处理液来处理基板“W”的液体处理室,并且一些处理室370可以是通过使用等离子体来处理基板“W”的等离子体室。然而,本公开不限于此,并且在处理室370中执行的基板处理工艺可以被不同地修改为已知的基板处理工艺。此外,当处理室370是通过使用等离子体来处理基板“W”的等离子体室时,等离子体室可以是执行通过使用等离子体来去除基板“W”上的薄膜的蚀刻或灰化工艺的腔室。然而,本公开不限于此,并且在处理室370中执行的等离子体处理工艺可以被不同地修改为已知的等离子体处理工艺。
图23是展示了设置在图1的处理室中的基板处理设备的视图。参考图23,将详细描述设置在处理室370中的基板处理设备500。基板处理设备500可以通过将等离子体传送到基板“W”来处理基板“W”。
基板处理设备500可以包括处理容器510、闸门阀520、排气管线530、电源单元540、支撑单元550、第一提升销模块560、第二提升销模块570、挡板580以及气体供应单元590。
处理容器510可以具有处理空间。处理容器510可以接地。处理容器510可以提供处理基板“W”的处理空间。当处理基板“W”时,处理容器510的处理空间可以基本上维持在真空压环境。可以在处理室510的一侧上形成入口512,基板“W”或环构件“R”通过该入口被带入和取出。闸门阀520可以选择性地打开和关闭入口512。
排气孔514可以形成在处理容器510的底表面上。排气管线530可以连接到排气孔514。排气管线530可以通过排气孔514将供应到处理容器510的处理空间的处理气体、工艺副产物等排放到处理容器510的外部。此外,使得可以更均匀地对处理空间进行排气的排气板532可以设置在排气孔514的上部部分处。当从顶部观看时,排气板532可以基本上具有环形形状。此外,至少一个排气孔可以形成在排气板532中。操作者可以从具有各种形状和尺寸的多个排气板532中选择可以均匀地对处理空间进行排气的排气板532并将排气板532安装在排气孔514的上部部分处。
此外,处理容器510还可以包括支撑构件516。支撑构件516可以支撑包括在支撑单元550中的基座的至少一部分,这将在下文进行描述。例如,支撑构件516可以被配置为支撑包括在支撑单元550中的隔离板554的下部部分。
电源单元540可以生成RF功率,所述RF功率将由气体供应单元590供应的处理气体激发为等离子体状态,这将在下文进行描述。电源单元540可以包括电源542和匹配器544。电源542和匹配器544可以安装在电力传输线上。此外,电力传输线可以连接到卡盘552。
支撑单元550可以将基板“W”支撑在处理容器510的处理空间中。支撑单元550可以包括卡盘552、隔离板554和石英环556。
卡盘552可以具有支撑基板“W”的支撑表面。卡盘552可以支撑基板“W”,并且可以吸住被支撑的基板“W”。例如,可以在卡盘552中设置静电板(未示出),并且卡盘552可以是通过使用静电力来吸住基板“W”的静电卡盘。例如,卡盘552可以是电极静电卡盘(ESC)。然而,本公开不限于此,并且卡盘552可以以真空抽吸方案吸住基板“W”。
当从顶部观看时,隔离板554可以具有圆形形状。上述卡盘552和将在下文描述的石英环556可以定位在隔离板554上。隔离板554可以是电介质体。例如,隔离板554可以由包括陶瓷的材料形成。
石英环556可以由包括石英的材料形成。当从顶部观看时,石英环556可以基本上具有环形形状。当从顶部观看时,石英环556可以基本上具有围绕卡盘552的形状。当从顶部观看时,石英环556可以具有围绕由卡盘552支撑的基板“W”的形状。此外,环构件“R”(例如,聚焦环)可以定位在石英环556的内侧的上表面上。
当从顶部观看时,定位在石英环556的上表面上的环构件“R”可以具有环形形状。环构件“R”可以具有一形状,其内侧的上表面的高度比其外侧的上表面的高度低。基板“W”的周边区域的下表面可以定位在环构件“R”的内侧的上表面上。此外,环构件“R”可以具有倾斜表面,该倾斜表面沿从在其内侧上表面和外侧上表面之间的基板“W”的中心、面向所述基板外侧的方向向上倾斜。因此,即使当基板“W”定位在环构件“R”内侧的上表面上时,基板“W”的位置相当不准确,当基板“W”沿着环构件“R”的倾斜表面滑动时,基板“W”也可以正确地定位在环构件“R”的上表面或内侧。
第一提升销模块560可以升高定位在石英环556的上表面上的环构件“R”。第一提升销模块560可以包括第一提升销562和第一销驱动部件564。可以设置多个第一提升销562,并且可以设置上下移动第一提升销562的多个第一销驱动部件564。此外,当从顶部观看时,第一提升销562可以设置成不与卡盘552重叠。提升销562可以沿着形成在隔离板554和/或石英环556中的销孔向上和向下移动。此外,销驱动部件564可以是使用气压或液压的气缸或马达。
第二提升销模块570可以升高基板“W”。第二提升销模块570可以包括第二提升销572、升高板574以及第二销驱动部件576。第二提升销572可以联接到升高板574。升高板574可以通过第二销驱动部件576上下移动。
挡板580可以设置在支撑单元550的上部部分处。挡板580可以由电极材料形成。至少一个挡板孔582可以形成在挡板580中。例如,可以形成多个挡板孔582,并且当从顶部观看时挡板孔可以均匀地形成在挡板580的整个区域中。挡板580使得可以将由气体供应单元590供应的处理气体均匀地递送到基板“W”,这将在下文进行描述。
气体供应单元590可以将处理气体供应到处理容器510的处理空间中。处理气体可以是被电源单元540激发成等离子体状态的气体,这将在下面进行描述。气体供应单元590可以包括气体供应源592和气体供应管线594。气体供应管线594的一端可以连接到气体供应源592,并且气体供应管线594的另一端可以连接到处理容器510的上部部分。因此,由气体供应源592递送的处理气体可以通过气体供应管线594供应到挡板580的上部区域。供应到挡板580的上部区域的处理气体可以通过挡板孔582引入处理容器510的处理空间中。
再次参考图1,控制器700可以控制基板处理设备10。控制器700可以控制转位部件100和工艺执行单元300。控制器700可以控制第一传送机械手150和第二传送机械手350。控制器700可以控制设置在处理室370中的基板处理设备500,使得可以通过使用等离子体在处理室370中处理基板“W”。此外,控制器700可以控制基板处理设备10的配置,使得基板处理设备10可以执行将在下面描述的用于传送环构件“R”的传送方法。
此外,控制器700可以包括工艺控制器,所述工艺控制器包括执行基板处理设备10的控制的微处理器(计算机)、用于输入命令以允许操作者管理基板处理设备10的键盘、包括可视化和显示基板处理设备10的操作情况的显示器的用户界面、以及用于存储用于执行在工艺控制器的控制下由基板处理设备10执行的工艺的控制程序或者用于执行工艺的程序(即根据各种数据和工艺条件的元件中的工艺配方)的存储器单元。此外,用户界面和存储器单元可以连接到工艺控制器。工艺配方可以存储在存储器单元的存储器介质中,并且存储器介质可以是硬盘,并且可以是诸如CD-ROM、DVD等的可移动磁盘、半导体存储器,诸如闪存。
在下文中,将描述根据本公开的实施例的用于传送环构件“R”的方法。详细地,将描述将未使用的环构件“R”传送到处理室370的传送顺序。
当到达安装在处理室370上的环构件“R”的更换周期时,OHT设备可以将第二容器22传送到装载端口110。当第二容器22被传送到装载端口110时,第一传送机械手150可以通过使用第一传送手152将被接收在第二容器22中的环托架30从第二容器22中取出。然后,环托架30的方向可以在对准的同时被接收在第二容器22中。当需要对准环托架30的方向时,第一传送机械手150可以将环托架30传送到对准室170,并且对准单元200可以在环托架30上没有定位环构件“R”的状态下对准所述环托架30。
此后,第一传送手152可以在它支撑环托架30的状态下进入第二容器22。当第一手152完全进入第二容器22时,第一传送手152可以向上移动,以将被接收在第二容器22中的未使用的环构件“R”定位在环托架30上。然后,环构件“R”可以处于其方向由第二容器中的对准销22b对准的状态。因此,环构件“R”可以在其方向对准的状态下定位在环托架30上。
当环构件“R”定位在环托架30上时,环托架30可以被传送到对准室170,并且其方向可以由对准单元200对准。在环构件“R”定位的状态下,通过对准单元200将环托架30的方向对准之后,在环构件“R”定位在环托架30上的状态下,第一传送机械手150可以将所述环托架传送到负载锁定室310。
当第一传送手152完全进入负载锁定室310时,第一传送手152可以向下移动。因此,环托架30上的环构件“R”可以安置在支撑搁架320上,并且环托架30可以与环构件“R”分离。当环托架30与环构件“R”分离时,它可以从负载锁定室310中被取出。安置在负载锁定室310的支撑搁架320上的环构件“R”可以由第二传送机械手350的第二传送手352取出,并被传送到处理室370中。
以与上述的将未使用的环构件“R”带入的顺序相反的顺序执行将处理室370中使用过的环构件“R”取出,因此将省略对其的重复描述。
在下文中,将描述根据本公开的实施例的对准环构件“R”的顺序。图24是展示了根据本公开的实施例的对准环构件的位置的顺序的流程图。如上所述,当将环构件“R”完全传送到处理室370中时,可以将被接收在第三容器23中的基板型传感器(例如,具有图像获取模块的视觉晶片VW,诸如照相机)传送到处理室中,所述第三容器是容器20中的任何一个。可以通过高架运输(OHT)设备将第三容器23传送到装载端口110。
当基板型传感器VW传送到处理室370中时,基板型传感器VW可以捕获包括设置在处理室370中的环构件“R”和卡盘552的图像。可以将捕获的图像递送到控制器700。当图像传送到控制器700时,可以将基板型传感器VW从处理室370取出。此后,控制器700可以根据从基板型传感器VW接收的图像测量环构件“R”与卡盘552之间的间隔。例如,如图25所示,当环构件“R”与卡盘552之间的间隔“G”恒定时,控制器700确定环构件“R”已被传送到预设位置。在这种情况下,基板“W”开始在处理室370中被处理。与此不同,如图26所示,当环构件“R”与卡盘552之间的间隔包括第一间隔G1和不同于第一间隔G1的第二间隔G2时,可以确定环构件“R”没有被正确地传送到预设位置,并且第二传送机械手350可以再次执行环构件“R”的对准(居中)。如果需要,基于从第一间隔G1和第二间隔G2得出的变形值,可以教导第一传送机械手150和第二传送机械手350的传送操作。当正确地执行对准时,基板“W”开始在处理室370中被处理。与此不同,当没有正确地执行对准时,基板型传感器VW可以再次传送到处理室370。此后,再次通过由基板型传感器VW获取的图像,控制器700可以确定环构件“R”的位置是否是预设位置。当环构件“R”的位置偏离预设范围时,控制器700可以生成警报,使得操作者可以识别。
在下文中,将描述根据本公开的实施例的容器,所述容器可以给基板型传感器VW充电。可以给基板型传感器VW充电的容器20(将在下面描述)可以是容器20中接收基板型传感器VW的第三容器23。
图27是展示了图1的第三容器的截面图。图28是当从顶部观看时图27的充电模块的视图。参考图27和图28,根据本公开的实施例的第三容器23可以接收基板型传感器VW。第三容器23可以接收基板型传感器VW,并且可以给接收的基板型传感器VW充电。
第三容器23可以包括主体610、门620、头部630、搁架部件640、充电模块650以及电池部件660。通过安装在主体610的上侧上的头部630,第三容器23可以被传送设备(诸如OHT设备)夹住。主体610可以具有一侧打开的接收空间612。主体610可以具有一侧打开的容器形状。上述基板型传感器VW可以被接收在主体610的接收空间612中。主体610的接收空间612可以由选择性地关闭主体610一侧的门620打开和关闭。此外,检测接收空间612是否被门620打开和关闭的打开/关闭传感器611可以设置在主体610中。打开/关闭传感器611可以是磁传感器,其通过使用磁性来确定门620和主体610是否彼此接触。
然而,本公开不限于此,并且打开/关闭传感器611可以包括照射光的照射部件和接收光的光接收部件。在这种情况下,根据由照射部件照射的光是否被光接收部件接收,可以检测接收空间612是打开还是关闭。此外,打开/关闭传感器611的种类不限于此,并且其可以被不同地修改为可以检测门620是否关闭的已知装置。
多个搁架部件640可以设置在接收空间612中。搁架部件640中的每一个形成一对。例如,当从顶部观看搁架部件640时,它们可以支撑基板型传感器VW的一侧和相对侧。
此外,检测基板型传感器VW是否定位在搁架部件640上的第一位置传感器641可以设置在搁架部件640中。第一位置传感器641可以是重量感测传感器。与此不同,第一位置传感器641可以是光学传感器。与此不同,第一位置传感器641可以是距离感测传感器。第一位置传感器641的种类不限于此,并且可以被不同地修改为可以检测基板型传感器VW是否定位在搁架部件640上的已知装置。
此外,可以检测充电模块650的充电部件651的位置的第二位置传感器642可以设置在搁架部件640中。第二位置传感器642可以检测将在下面描述的充电部件651是否正确地位于充电位置。第二位置传感器642可以是光学传感器、距离感测传感器或磁传感器。第二位置传感器642的种类不限于此,并且可以被不同地修改为可以检测充电部件651的位置的已知装置,这将在下面进行描述。
充电模块650可以从电池部件660(电源装置的实例)接收电力,并且可以给安置在搁架部件640上的基板型传感器VW充电。充电模块650可以以无线充电方案给基板型传感器VW充电。可以设置多个充电模块650。例如,充电模块650的数量可以与可以被接收在接收空间612中的基板型传感器VW的最大数量相同。充电模块650的数量可以与多个搁架部件640的数量相同。也就是说,因为设置了多个充电模块650,所以可以同时给多个基板型传感器VW充电。
充电模块650中的每一个可以包括充电部件651、支撑部件652、引导部件653以及驱动部件654。充电部件651是直接向基板型传感器VW的电源装置(例如,电池)递送电力的部件。例如,充电部件651可以具有无线充电线圈。充电部件651可以以无线充电方案,例如,以电磁感应方案给基板型传感器VW充电。当充电部件651以电磁感应方案给基板型传感器VW充电时,基板型传感器VW可以被快速充电,并且由于电磁感应方案的特性,充电部件651可以变得更小,由此信号传输/接收线圈的标准可以不同。
充电部件651可以通过支撑部件652、引导部件653和驱动部件654在待机位置(第一位置的实例)与充电位置(第二位置的实例)之间移动。待机位置可以是远离主体610的一侧间隔的位置,所述侧被门620打开和关闭。例如,当主体610的一侧是前侧并且对应于主体610一侧的一侧是后侧时,待机位置可以是比主体610的前侧更靠近后侧的位置。当充电部件651处于待机位置时,即使当第一传送手152进入接收空间612时,第一传送手152也不会与充电部件651碰撞。充电位置可以是比待机位置更靠近主体610的前侧的位置。充电位置可以是适于给基板型传感器VW充电的位置。充电位置可以是充电部件651可以启动基板型传感器VW的充电的位置。
在主体610的内壁中,引导部件653可以设置在主体610的侧壁上。引导部件653可以是导轨,该导轨可以引导充电部件651在平行于由搁架部件640支撑的基板型传感器VW的上表面或下表面的一个方向上的移动。支撑部件652可以联接到充电部件651,并且可以具有条形,由此支撑部件652可以沿着引导部件653移动。驱动部件654可以生成用于在沿着引导部件653的一个方向上移动连接到支撑部件652的充电部件651的驱动力。
驱动部件654可以包括驱动源654a、驱动传输源654b和臂654a。驱动源654a可以生成驱动力。驱动源654a可以是马达。臂654a可以从驱动源654a接收驱动力。臂654a可以是缩放仪。臂654a可以具有可以扩展和收缩的结构。臂654a可以联接到充电部件651。该臂可以通过驱动传输源654c的介质接收由驱动传输源654b生成的驱动力。驱动传输源654b可以是导螺杆。将用于生成驱动传输源654b的驱动力传输到臂654a的驱动传输源654c的种类不限于导螺杆,并且可以不同地修改为可以传输驱动力的已知装置。
图29是展示了根据本公开的实施例的基板型传感器充电系统的概念视图。参考图29,安装在第三容器23中的电池部件660可以由设置在装载端口110中的充电单元800充电。控制器700可以控制第一开关SW1来选择性地给电池部件660充电。控制器700可以参考第三容器23是否正确地安置在装载端口110中来控制第一开关SW1的开/关操作。例如,当第三容器23正确地安置在装载端口110中时,设置在装载端口110中的充电单元800可以给安装在第三容器23中的电池部件660充电(所谓的FOUP充电模式)。存储在电池部件660中的电能可以递送到充电部件651。
充电模块650可以被控制为待机模式和充电模式。待机模式可以是等待基板型传感器VW充电的模式。在待机模式下,充电部件651可以位于待机位置(参见图30)。例如,当基板型传感器VW已经被完全充电时,由于打开/关闭传感器检测到接收空间612打开,待机模式可以启动。此外,当接收空间612打开时,第一传送手152可以进入接收空间612(参见图31),并且然后,因为充电部件651位于待机位置,所以其与第一传送手152的碰撞可以最小化。
充电模式可以是执行基板型传感器VW充电的模式。在充电模式下,充电部件651可以位于充电位置(参见图32)。当第一位置传感器641检测到基板型传感器VW安置在搁架部件640上并且打开/关闭传感器611检测到接收空间612被门620关闭时,可以启动充电模式。当充电模式启动时,安装在电池部件660与充电部件651之间的第二开关SW2可以被接通。当充电模式启动时,驱动源654a可以生成驱动力来移动充电部件641。当第二位置传感器642检测到充电部件651已经完全移动到充电位置时,驱动源654a可以停止生成驱动力,并且充电部件651可以开始充电。
通常,基板型传感器VW在基板处理设备10外部充电,需要多个传送顺序来将基板型传感器VW传送到处理室370。然而,根据本公开的实施例,因为基板型传感器VW在可以定位在装载端口110中的第三容器23中充电,所以可以解决需要多个传送顺序的问题,这已经在下面描述。特别地,当基板型传感器VW在第三容器23中充电时,充电部件651和第一传送手152可能彼此碰撞,并且因为本公开的充电部件651可以在待机位置与充电位置之间移动,所以上述碰撞问题可以被最小化。此外,因为根据待机模式和充电模式选择性地给基板型传感器VW充电,所以可以最小化充电能量的不必要浪费。
根据本公开的实施例,可以有效地传送环构件。
此外,根据本公开的实施例,可以在不改变传送手的结构的情况下传送环构件。
此外,根据本公开的实施例,当环构件被传送时,环构件的滑动和变形可以最小化。
本公开的效果不限于上述效果,并且本公开所属领域的技术人员可以从说明书和附图清楚地理解未提及的效果。
以上详细描述例示了本公开。此外,上述内容描述本公开的示例性实施例,并且本公开可以用于各种其他组合、改变和环境。也就是说,可以在不脱离说明书中所公开的本公开的范围、书面公开的等效范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下修改并纠正本公开。书面实施例描述用于实施本公开的技术精神的最佳状态,并且可以作出本公开的详述的应用领域和目的所需的各种改变。因此,本公开的详细描述并不意图限制在所公开的实施例状态下的本发明。另外,应理解,所附权利要求书包括其他实施例。
Claims (20)
1.一种接收基板型传感器的容器,所述容器包括:
主体,所述主体具有一侧打开的接收空间;
门,所述门被配置为选择性地打开和关闭所述接收空间;
搁架部件,所述搁架部件被配置为在所述接收空间中支撑所述基板型传感器;以及
充电模块,所述充电模块被配置为给由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器充电,并且
其中所述充电模块包括:
充电部件,所述充电部件被配置为在待机位置与给由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器充电的充电位置之间移动。
2.根据权利要求1所述的容器,其中所述充电模块包括:
引导部件,所述引导部件被配置为引导所述充电部件在与由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器的一个表面平行的一个方向上移动;
支撑部件,所述支撑部件被配置为在沿着所述引导部件移动时支撑所述充电部件;以及
驱动部件,所述驱动部件被配置为在所述一个方向上移动所述支撑部件。
3.根据权利要求2所述的容器,其中所述驱动部件包括:
驱动源,所述驱动源被配置为生成驱动力;以及
臂,所述臂联接到所述充电部件,并且被配置为通过使用所述驱动力在所述一个方向上移动所述充电部件。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的容器,其中所述充电部件被配置为在由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器的下侧上的区域中移动。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的容器,其中设置多个搁架部件和多个充电模块,并且
其中所述充电模块被配置为分别给由所述搁架部件支撑的基板型传感器充电。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的容器,还包括:
第一位置传感器,所述第一位置传感器被配置为检测所述基板型传感器是否安置在所述搁架部件上;
第二位置传感器,所述第二位置传感器被配置为检测所述充电部件的位置;以及
打开/关闭传感器,所述打开/关闭传感器被配置为检测所述接收空间是打开还是关闭。
7.根据权利要求6所述的容器,其中当所述第一位置传感器检测到所述基板型传感器安置在所述搁架部件上并且所述打开/关闭传感器检测到所述接收空间被所述门关闭时,所述充电部件移动到所述充电位置。
8.根据权利要求7所述的容器,其中
当所述第二位置传感器检测到所述充电部件已完全移动到所述充电位置时,所述充电部件开始给所述基板型传感器充电。
9.根据权利要求6所述的容器,其中
当检测到所述基板型传感器已完全充电时或者当所述打开/关闭传感器检测到所述接收空间打开时,所述充电部件移动到所述待机位置。
10.一种基板处理系统,包括:
转位部件,所述转位部件具有装载端口;
工艺执行部件,所述工艺执行部件被配置为从所述转位部件接收基板并且处理所述基板;以及
容器,所述容器定位在所述装载端口中,并且被配置为接收被带入到所述工艺执行部件中的基板型传感器,
其中所述容器还包括:
主体,所述主体具有一侧打开的接收空间;
门,所述门被配置为选择性地打开和关闭所述接收空间;
搁架部件,所述搁架部件被配置为在所述接收空间中支撑所述基板型传感器;以及
充电模块,所述充电模块被配置为给由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器充电,并且
其中所述充电模块包括:
充电部件,所述充电部件被配置为在第一位置与第二位置之间移动,所述第二位置比所述第一位置更靠近所述一侧。
11.根据权利要求10所述的基板处理系统,其中所述容器包括:
第一位置传感器,所述第一位置传感器被配置为检测所述基板型传感器是否安置在所述搁架部件上;
第二位置传感器,所述第二位置传感器被配置为检测所述充电部件的位置;以及
打开/关闭传感器,所述打开/关闭传感器被配置为检测所述接收空间是打开还是关闭。
12.根据权利要求11所述的基板处理系统,还包括:
控制器,
其中所述控制器被配置为:
基于由所述第一位置传感器、所述第二位置传感器或所述打开/关闭传感器检测到的检测值,控制所述充电模块。
13.根据权利要求12所述的基板处理系统,其中所述控制器被配置为:
基于所述检测值控制所述充电模块,使得所述充电模块处于充电模式或待机模式,所述充电模式用于给由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器充电,在所述待机模式中,所述充电部件位于所述第二位置。
14.根据权利要求13所述的基板处理系统,其中所述控制器被配置为:
控制所述充电模块,使得当所述第一位置传感器检测到所述基板型传感器安置在所述搁架部件上并且所述打开/关闭传感器检测到所述接收空间被所述门关闭时,所述充电模块处于所述充电模式。
15.根据权利要求13所述的基板处理系统,其中所述控制器被配置为:
控制所述充电模块,使得当所述基板型传感器已完全充电时,当所述第一位置传感器检测到所述基板不定位在所述搁架部件上时,或者当所述打开/关闭传感器检测到所述接收空间打开时,所述充电模块处于所述待机模式。
16.根据权利要求10至15中任一项所述的基板处理系统,其中
所述充电模块还包括:
引导部件,所述引导部件被配置为引导所述充电部件在与由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器的一个表面平行的一个方向上移动;
支撑部件,所述支撑部件被配置为在沿着所述引导部件移动时支撑所述充电部件;以及
驱动部件,所述驱动部件被配置为在所述一个方向上移动所述支撑部件。
17.根据权利要求16所述的基板处理系统,其中所述驱动部件包括:
驱动源,所述驱动源被配置为生成驱动力;以及
臂,所述臂连接到所述充电部件,并且被配置为通过使用所述驱动力在所述一个方向上移动所述充电部件。
18.一种基板处理系统,包括:
转位部件,所述转位部件具有传送机械手和装载端口;
工艺执行部件,所述工艺执行部件被配置为从所述转位部件接收基板并且处理所述基板;以及
容器,所述容器定位在所述装载端口中,并且被配置为接收被带入到所述工艺执行部件中的基板型传感器,
其中所述容器包括:
主体,所述主体具有一侧打开的接收空间;
门,所述门被配置为选择性地打开和关闭所述接收空间;
搁架部件,所述搁架部件被配置为在所述接收空间中支撑所述基板型传感器;以及
充电模块,所述充电模块被配置为以无线充电方案给由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器充电,并且
其中所述充电模块包括:
充电部件,所述充电部件被配置为在待机位置与比所述待机位置更靠近所述一侧的充电位置之间移动,并且被配置为在由所述搁架部件支撑的所述基板型传感器的下侧的区域中移动;
第一位置传感器,所述第一位置传感器被配置为检测所述基板型传感器是否安置在所述搁架部件上;
第二位置传感器,所述第二位置传感器被配置为检测所述充电部件的位置;以及
打开/关闭传感器,所述打开/关闭传感器被配置为检测所述接收空间是打开还是关闭。
19.根据权利要求18所述的基板处理系统,其中所述驱动部件包括:
驱动源,所述驱动源被配置为生成驱动力;以及
臂,所述臂联接到所述充电部件,并且被配置为通过使用所述驱动力在所述一个方向上移动所述充电部件。
20.根据权利要求18或19所述的基板处理系统,还包括:
控制器,
其中所述控制器被配置为:
当所述第一位置传感器检测到所述基板型传感器安置在所述搁架部件上并且所述打开/关闭传感器检测到所述接收空间被所述门关闭时,生成用于将所述充电部件移动到所述充电位置的控制信号;
当所述第二位置传感器检测到所述充电部件已完全移动到所述充电位置时,生成用于使所述充电部件开始给所述基板型传感器充电的控制信号;并且
当检测到所述基板型传感器已完全充电时或者当所述打开/关闭传感器检测到所述接收空间打开时,生成用于将所述充电部件移动到所述待机位置的控制信号。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0070015 | 2021-05-31 | ||
KR1020210070015A KR102594075B1 (ko) | 2021-05-31 | 2021-05-31 | 용기 및 기판 처리 시스템 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115483084A true CN115483084A (zh) | 2022-12-16 |
Family
ID=84194252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210629278.XA Pending CN115483084A (zh) | 2021-05-31 | 2022-05-31 | 容器和基板处理系统 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220384160A1 (zh) |
JP (1) | JP7492551B2 (zh) |
KR (1) | KR102594075B1 (zh) |
CN (1) | CN115483084A (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102652834B1 (ko) * | 2020-08-07 | 2024-04-02 | 세메스 주식회사 | 용기 및 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7151366B2 (en) | 2002-12-03 | 2006-12-19 | Sensarray Corporation | Integrated process condition sensing wafer and data analysis system |
US7135852B2 (en) * | 2002-12-03 | 2006-11-14 | Sensarray Corporation | Integrated process condition sensing wafer and data analysis system |
TWI268429B (en) | 2003-11-29 | 2006-12-11 | Onwafer Technologies Inc | Systems, maintenance units and substrate processing systems for wirelessly charging and wirelessly communicating with sensor apparatus as well as methods for wirelessly charging and communicating with sensor apparatus |
US7778793B2 (en) * | 2007-03-12 | 2010-08-17 | Cyberoptics Semiconductor, Inc. | Wireless sensor for semiconductor processing systems |
JP2010283174A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Panasonic Corp | 半導体製造装置 |
US20110074341A1 (en) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | Kla- Tencor Corporation | Non-contact interface system |
JP5293719B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板 |
JP2013163837A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Canon Tokki Corp | 蒸着装置並びに蒸着装置を用いた成膜方法 |
-
2021
- 2021-05-31 KR KR1020210070015A patent/KR102594075B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-05-26 US US17/825,561 patent/US20220384160A1/en active Pending
- 2022-05-30 JP JP2022087346A patent/JP7492551B2/ja active Active
- 2022-05-31 CN CN202210629278.XA patent/CN115483084A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7492551B2 (ja) | 2024-05-29 |
JP2022184797A (ja) | 2022-12-13 |
US20220384160A1 (en) | 2022-12-01 |
KR20220161808A (ko) | 2022-12-07 |
KR102594075B1 (ko) | 2023-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107039308B (zh) | 前开式环形盒 | |
CN115483130A (zh) | 基板处理设备和基板处理系统 | |
CN111599744A (zh) | 用于处理基板的装置和方法 | |
CN113811987A (zh) | 自动化处理模块环定位及替换 | |
JP7481568B2 (ja) | 処理装置および処理システム | |
KR20150025903A (ko) | 기판처리장치 | |
CN115483084A (zh) | 容器和基板处理系统 | |
CN112563186A (zh) | 基片支承器和等离子体处理装置 | |
KR20200074015A (ko) | 반송 방법 및 반송 시스템 | |
KR20170024215A (ko) | 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 | |
KR20240018556A (ko) | 링 캐리어 및 기판 처리 시스템 | |
KR20220062186A (ko) | 기판 처리 장치 및 반송 로봇 티칭 방법 | |
CN114300380A (zh) | 基板处理装置 | |
KR102585286B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 소모성 부품의 마모도 측정 방법 | |
CN114256101A (zh) | 基板处理设备 | |
KR20210010087A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 안착 상태 판단 방법 | |
JP7450791B2 (ja) | 部品交換システム | |
CN116072500A (zh) | 用于处理基板的装置和用于处理基板的方法 | |
CN118016583A (zh) | 基板支撑单元、包括基板支撑单元的用于处理基板的设备以及环传送方法 | |
CN114167142A (zh) | 执行装置及执行方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |