JP6679907B2 - ロードポート装置及びロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法 - Google Patents

ロードポート装置及びロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法 Download PDF

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Description

本発明は、ウエハに対して処理を実施する際に、ウエハを収納した容器が載置されるロードポート装置及びロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法に関する。
半導体の製造工程では、プープ（ＦＯＵＰ）等と呼ばれる容器を用いて、各処理装置の間のウエハの搬送が行われる。ウエハに対して処理を実施する際、容器は、各処理装置に備えられるロードポート装置の載置台に載置され、ロードポート装置は、搬送容器内の空間と処理室の空間を連通させる。これにより、ロボットアーム等により搬送容器からウエハを取り出し、このウエハを処理室へ受け渡すことが可能となる。
ここで、ウエハが収納される容器内の環境は、ウエハ表面を酸化や汚染から守るために、所定の状態を上回る不活性状態及び清浄度が保たれることが好ましい。搬送容器内の気体の不活性状態や清浄度を向上させる方法としては、搬送容器の底面に形成された底孔を介して、搬送容器に清浄化ガスを導入するロードポート装置が提案されている（特許文献１参照）。
特開２００７−５６０７号公報
近年、半導体回路の微細化が進んだ結果、ウエハ表面を酸化や汚染から守るために、ウエハを収容する容器内の環境についても、より高い清浄度が求められている。ウエハ容器の環境を清浄に保つロードポートの開発を進める中で、処理直後のウエハから放出されるアウトガスが、容器に収容される処理前後のウエハの表面を汚染する問題があり、品質向上を妨げる一因となっていることが判明した。
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、容器内の環境を清浄に保ち、ウエハ表面を酸化や汚染から守ることができるロードポート装置及びロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法を提供する。
上記目的を達成するために、本発明に係るロードポート装置は、
ウエハを出し入れするための主開口が側面に形成された容器を載置する載置台と、
前記主開口を開閉するための開閉部と、
前記主開口から前記容器の内部に清浄化ガスを導入するガス導入部と、
前記容器の底面のうち底面中央に比べて前記主開口から離間する位置に形成された底孔に連通可能なボトムノズルを有し、前記容器の内部の気体を前記容器の外部へ排出可能な気体排出部と、を有することを特徴とする。
本発明に係るロードポート装置は、主開口から清浄化ガスを導入するガス導入部と、主開口から離間する底孔から容器内の気体を外部に排出可能な気体排出部とを有するため、容器内に清浄化ガスの気流が形成され、処理直後のウエハから放出されるアウトガスを効率的に容器の外部へ排出できる。したがって、このようなロードポート装置は、容器内の環境を清浄に保ち、ウエハ表面を酸化や汚染から守ることができる。
また、例えば、前記気体排出部は、前記容器の内部の気体を強制的に排出する強制排出手段を有してもよい。
気体排出部が、強制排出手段を有することにより、ウエハから放出されるアウトガスを、より効果的に容器の外部へ排出することができる。
本発明に係るロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法では、ウエハを出し入れするための主開口が側面に形成された容器を、ロードポート装置の載置台に載置する工程と、
前記主開口が閉じられた状態で、前記載置台に載置された前記容器の底面に形成された底孔に連通可能なボトムノズルの少なくとも１つから、前記容器の内部に清浄化ガスを導入する第１導入工程と、
前記主開口の開放および前記ボトムノズルからの清浄化ガスの導入の停止を行い、前記主開口から前記容器の内部に清浄化ガスを導入する第２導入工程と、を有し、
前記第２導入工程では、前記ボトムノズルのうち、前記容器の底面のうち底面中央に比べて前記主開口から離間する位置に形成された底孔に連通可能な少なくとも１つを介して、前記容器の内部の気体を前記容器の外部へ排出することを特徴とする。
本発明に係るロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法は、主開口の開放前は、容器の底孔から清浄化ガスを導入するが、主開口を開放した後は、底孔からの清浄化ガスの導入を停止し、主開口からの清浄化ガスの導入を行う。これにより、主開口の開放前においても容器の内部の環境を清浄にするとともに、主開口の開放後は、容器内に清浄化ガスの気流を形成し、処理直後のウエハから放出されるアウトガスを効率的に容器の外部へ排出できる。したがって、このようなロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法によれば、容器内の環境を清浄に保ち、ウエハ表面を酸化や汚染から守ることができる。
また、たとえば、前記第２導入工程において、前記容器の内部の気体を前記容器の外部へ排出する前記ボトムノズルは、前記容器の内部の気体を強制的に排出する強制排出手段に接続されていてもよく、前記強制排出手段は、前記容器の内部の気体を強制的に排出してもよい。
強制排出手段が、前記容器の内部の気体を強制的に排出することにより、容器内部により強い気流が形成されるため、ウエハから放出されるアウトガスを効果的に容器の外部へ排出することができる。
また、例えば、前記第１導入工程における前記清浄化ガスの導入と、前記第２導入工程における前記気体の排出は、同一の前記ボトムノズルを介して行われてもよい。
同一のボトムノズルで清浄化ガスの導入と、容器からの気体の排出を行うことにより、第１導入工程における清浄化ガスの導入経路を増加させることができるので、主開口開放前に、素早く容器内を清浄化することができる。また、底孔やボトムノズルの数を減らして、容器やロードポート装置の構造を簡略化できる。
図１は本発明の一実施形態に係るロードポート装置及びその周辺装置の概略図である。 図２は、図１に示すロードポート装置の載置台付近を示す要部斜視図である。 図３は、図１に示すロードポート装置のドア付近を示す要部斜視図である。 図４は、容器の主開口が閉じられた状態におけるロードポート装置の状態を表す概念図である。 図５は、容器の主開口が開放された状態におけるロードポート装置の状態を表す概念図である。 図６は、第２実施形態に係るロードポート装置の状態を表す概念図である。 図７は、第１に示すロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法を表すフローチャートである。
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１に示すように、本発明の一実施形態に係るロードポート装置１０は、半導体処理装置のフロントエンドモジュールであるイーフェム（ＥＦＥＭ）５０の一部を構成する。イーフェム５０は、ロードポート装置１０の他に、ウエハ１を搬送する容器としてのフープ（ＦＯＵＰ）２と処理室（不図示）とを連結する空間であるミニエンバイロメント５２や、ミニエンバイロメント５２内に配置される搬送ロボット５４等を有する。
ロードポート装置１０は、フープ２を載置する載置台１４と、フープ２の主開口２ｂを開閉するための開閉部１８と、主開口２ｂからフープ２の内部に清浄化ガスを導入するフロントガス導入部１７とを有する。また、図４に示すように、ロードポート装置１０は、フープ２に形成された第１の底孔５を介してフープ２の内部の気体をフープ２の外部へ排出可能な気体排出部２０と、フープ２に形成された第２の底孔６を介してフープ２の内部に清浄化ガスを導入するボトムガス導入部３０と、を有する。
図１に示すように、ロードポート装置１０の載置台１４は、固定台１２の上に設けられており、その固定台１２に対して、Ｙ軸方向に移動可能である。なお、図面において、Ｙ軸が載置台１４の移動方向を示し、Ｚ軸が鉛直方向の上下方向を示し、Ｘ軸がこれらのＹ軸およびＺ軸に垂直な方向を示す。
載置台１４のＺ軸方向の上部には、収容物としての複数のウエハ１を密封して保管及び搬送するフープ２が、着脱自在に載置可能になっている。フープ２の内部には、ウエハ１を内部に収めるための空間が形成されている。フープ２は、フープ２の内部に対して水平方向に位置する複数の側面と、上下方向に位置する上面と底面２ｆとを有する箱状の形状を有している。フープ２が有する複数の側面の一つである第１側面２ｄには、フープ２の内部に収容したウエハ１を出し入れする主開口２ｂが形成されている。
また、フープ２は、主開口２ｂを密閉するための蓋４を備えている。さらに、フープ２の内部には、水平に保持された複数のウエハ１を、鉛直方向に重ねるための棚（不図示）が配置されており、ここに載置されるウエハ１各々はその間隔を一定としてフープ２の内部に収容される。また、フープ２の底面２ｆには、第１の底孔５と、第２の底孔６とが形成されている。第１の底孔５及び第２の底孔６の構造及び機能については、後ほど述べる。
ロードポート装置１０は、図１に示すようなフープ（Front Opening Unified Pod)２のための装置であるが、フープ２と同様に側面にウエハ１を出し入れする開口が形成された構造を有する密封搬送容器に対しても適用可能である。イーフェム５０は、ロードポート装置１０を用いてフープ２の側面に形成された主開口２ｂを開放し、さらに、搬送ロボット５４を用いてフープ２の内部に収容してあるウエハ１を、クリーン状態に維持するミニエンバイロメント５２を介して、処理室の内部に移動させることができる。また、イーフェム５０は、処理室において処理が終了したウエハ１を、搬送ロボット５４を用いて処理室からフープ２の内部に移動させたのち、ロードポート装置１０を用いて主開口２ｂを閉鎖し、フープ２内に処理後のウエハ１を収容させることができる。
なお、イーフェム５０は、ミニエンバイロメント５２をクリーン状態に維持するための空気清浄化装置（不図示）を有する。空気清浄化装置は、例えば、ミニエンバイロメント５２に供給する空気又は気体に含まれる塵埃や化学物質を除去するためのフィルタや、フィルタが配置される流路を通過してミニエンバイロメント５２内に空気又は気体が供給されるように気体を流動させるためのファン等を有するが、特に限定されない。
図２は、ロードポート装置１０における載置台１４付近を示す要部斜視図である。載置台１４の上面１４ａには、１つ以上（好ましくは３つ）の位置決めピン１６が埋設されている。位置決めピン１６は、フープ２の底面２ｆに設けられた位置決め部（不図示）に嵌合する。これにより、フープ２と載置台１４とのＸ軸−Ｙ軸位置関係が一義的に決定される。
また、載置台１４の上面１４ａには、各位置決めピン１６の近くに、位置検出センサ１９が設置してある。位置検出センサ１９は、フープ２が載置台１４の上面１４ａでＸ−Ｙ軸方向に所定の位置に位置決めされて配置されているか否かを検出する。位置検出センサ１９としては、特に限定されず、接触式位置検出センサでも非接触式位置検出センサでも良い。また、載置台１４の上面１４ａには、フープ２をロックするためのロック機構１５が備えられている。
図３は、ロードポート装置１０における開閉部１８付近を示す要部斜視図である。ロードポート装置１０の開閉部１８は、ドア１８ａとドア駆動部１８ｂとを有する。ドア１８ａは、載置台１４とミニエンバイロメント５２を隔てる壁部材１１に形成されている受渡口１３を閉鎖することができる。ドア１８ａは、受渡口１３に入り込んだフープ２の蓋４に係合することができる。
図５に示すように、開閉部１８は、蓋４に係合したドア１８ａを、ドア駆動部１８ｂを用いてミニエンバイロメント５２の内部に移動させることにより、フープ２の主開口２ｂを開放することができる。なお、開閉部１８は、ドア駆動部１８ｂを用いてドア１８ａを開放時と逆方向に移動させることにより蓋４をフープ２の第１側面２ｄに戻すことにより、蓋４で主開口２ｂを閉鎖することができる。蓋４によって主開口２ｂが閉鎖された後、ドア１８ａと蓋４の係合は解除される。
図３に示すように、フロントガス導入部１７は、壁部材１１におけるミニエンバイロメント５２側の面である内面１１ａに設けられている。また、フロントガス導入部１７は、壁部材１１に形成された受渡口１３を挟むＸ軸方向の両側に設けられている。
フロントガス導入部１７には、フロントガス導入部１７に清浄化ガスを供給するための供給路１７ｂが接続されている。また、フロントガス導入部１７には、受渡口１３側を向く放出ノズル１７ａが形成されている。図５に示すように、フープ２の主開口２ｂが下方され、ミニエンバイロメント５２に連通している状態において、フロントガス導入部１７の放出ノズル１７ａから放出された清浄化ガスは、主開口２ｂを介してフープ２の内部に導入される。
図４に示すように、載置台１４のＺ軸方向の下部には、気体排出部２０が設けられている。気体排出部２０は、フープ２の底面２ｆのうち底面中央Ｃに比べて主開口２ｂから離間する位置に形成された第１の底孔５に連通可能な第１のボトムノズル２１を有している。図２に示すように、気体排出部２０は、２つの第１のボトムノズル２１を有しており、図４に示すように、それぞれの第１のボトムノズル２１は、フープ２の底面２ｆに形成された２つの第１の底孔５に対して、それぞれ連通することができる。ここで、図４に示す底面中央Ｃは、フープ２において蓋４が配置される第１側面２ｄと、第１側面２ｄに対向する第２側面２ｅから等距離にある位置を意味する。
第１のボトムノズル２１は、Ｚ軸方向に沿って上下に移動することが可能であり、フープ２が載置台１４に設置されていない状態では、載置台１４に収納されている。図４に示すように、第１のボトムノズル２１は、載置台１４にフープ２が固定されたのちにＺ軸方向の上方に上昇し、載置台１４の上面１４ａから突出することにより、フープ２の第１の底孔５に接続する。フープ２の第１の底孔５には、第１の底孔５を開閉する不図示の弁が取り付けられており、第１のボトムノズル２１が第１の底孔５に接続すると弁が開放され、第１のボトムノズル２１と第１の底孔５とが連通する。
気体排出部２０は、第１のボトムノズル２１に接続する第１配管部２２と、第１配管部２２に備えられる強制排出手段２４を有する。第１配管部２２の一方の端部は第１のボトムノズル２１に接続されており、他方の端部はロードポート装置１０の外部に開口する排出口２２ａに接続されている。
強制排出手段２４は、フープ２の内部の気体を吸引し、第１の底孔５及び第１のボトムノズル２１を介して、フープ２の内部の気体を強制的に排出する。強制排出手段２４としては、フープ２の内部の気体を吸引できるものであれば特に限定されないが、例えば吸引ポンプや、送風ファンなどを用いることができる。なお、強制的な排出とは、フープ２の内部の気体を、第１配管部２２へ積極的に吸引する排出を意味する。
載置台１４のＺ軸方向の下部には、気体排出部２０の他に、ボトムガス導入部３０が設けられている。ボトムガス導入部３０は、フープ２の底面２ｆのうち底面中央Ｃに比べて主開口２ｂに近接する位置に形成された第２の底孔６に連通可能な第２のボトムノズル３１を有している。図２に示すように、ボトムガス導入部２０は、載置台１４から露出可能な２つの第２のボトムノズル３１を有しており、図４に示すように、それぞれの第２のボトムノズル３１は、フープ２の底面２ｆに形成された２つの第２の底孔６に対して、それぞれ連通することができる。
第２のボトムノズル３１も、第１のボトムノズル２１と同様に、Ｚ軸方向に沿って上下に移動することが可能である。また、フープ２の第２の底孔６に、第２の底孔６を開閉する不図示の弁が取り付けられている点も、第１の底孔５と同様である。
ボトムガス導入部３０は、第２のボトムノズル３１に接続する第２配管部３２を有している。第２のボトムノズル３１には、第２配管部３２を介して清浄化ガスが供給される。ボトムガス導入部３０は、フープ２の第２の底孔６及び第２の底孔６に連通した第２のボトムノズル３１を介して、フープ２の内部に清浄化ガスを導入する。
フロントガス導入部１７及びボトムガス導入部３０から、フープ２内に導入される清浄化ガスとしては特に限定されないが、例えば、窒素ガスやその他の不活性ガス、又はフィルタ等で塵埃を除去した清浄空気等を用いることができる。
図７は、図１に示すロードポート装置１０で実施されるフープ２の内部への清浄化ガスの導入工程を表すフローチャートである。以下、図７等を用いて、フープ２の内部への清浄化ガスの導入工程を説明する。
図７に示すステップＳ００１では、処理前のウエハ１を収容したフープ２が、ロードポート装置１０の載置台１４に載置される。フープ２は、例えば天井搬送システム等によって、自動的にロードポート装置１０の載置台１４に搬送されるが、フープ２の搬送方法については特に限定されない。
ステップＳ００１に示すフープ２の載置工程において、ロードポート装置１０は、図２に示す位置検出センサ１９により、フープ２が適切な位置に載置されたことを確認した後、ロック機構１５を動作させ、フープ２を載置台１４に固定する。
フープ２を載置台１４に載置した後（ステップＳ００１）、ステップＳ００２（図７参照）で示す工程に進み、ロードポート装置１０は、フープ２の第２の底孔６から、フープ２の内部に清浄化ガスを導入する。
図４に示すように、ステップＳ００２において、ロードポート装置１０は、ボトムガス導入部３０の第２のボトムノズル３１を上昇させることにより、２つの第２のボトムノズル３１を、フープ２に設けられた２つの第２の底孔６に、それぞれ連通させる。さらに、ロードポート装置１０は、ボトムガス導入部３０の第２配管部３２から第２のボトムノズル３１へ清浄化ガスを供給し、第２の底孔６を介してフープ２の内部に清浄化ガスを導入する第１導入工程を実施する。
また、ステップＳ００２において、ロードポート装置１０は、第２のボトムノズル３１の上昇と同時若しくは第２のボトムノズル３１の上昇と前後して、気体排出部２０の第１のボトムノズル２１を上昇させ、フープ２に設けられた２つの第１の底孔５に連通させる。これにより、フープ２の内部の気体が、第１のボトムノズル２１を介してフープ２の外部へ排出されるようになり、第２のボトムノズル３１からフープ２への清浄化ガスの導入が、より円滑に行われる。
ステップＳ００２における清浄化ガスの導入は、フープ２の主開口２ｂが、蓋４により閉鎖されている状態で実施される。ただし、第２のボトムノズル３１を用いたフープ２への清浄化ガスの導入は、フープ２の主開口２ｂが開放された後であっても、フロントガス導入部１７からフープ２の内部への清浄化ガスの導入（ステップＳ００５）が開始されるまでの間は、継続されてもよい。
次に、ステップＳ００３（図７参照）では、ロードポート装置１０は、第２の底孔６及びボトムガス導入部３０を介したフープ２の内部への清浄化ガスの導入を停止する。ロードポート装置１０は、第２配管部３２から第２のボトムノズル３１への清浄化ガスの供給を停止することにより、フープ２への清浄化ガスの導入を停止する。なお、第２のボトムノズル３１と第２の底孔６の連通状態は、第２のボトムノズル３１が下降して解除されてもよいが、清浄化ガス導入中と同様に維持されてもよい。第１のボトムノズル２１と第１の底孔５との連通状態についても同様である。
ステップＳ００３を実施するタイミングは特に限定されないが、例えば、第２のボトムノズル３１からの清浄化ガスの導入時間が所定の時間に達したタイミングや、フープ２から排出される気体の清浄度が所定のレベルに達したことを検出したタイミングとすることができる。
なお、ステップＳ００２やステップＳ００３に示す清浄化ガスの導入・停止工程と並行して、または、清浄化ガスの導入前又は停止後に、ロードポート装置１０は、載置台１４をＹ軸方向（正方向）に動かすことにより、載置台１４に固定されているフープ２を、フープ２の第１側面２ｄが受渡口１３に入り込む位置まで移動させる（図５参照）。
ステップＳ００４（図７参照）では、ロードポート装置１０は、フープ２の主開口２ｂを開放する。ステップＳ００４において、ロードポート装置１０は、あらかじめ図５に示す位置まで移動したフープ２の蓋４に対して、開閉部１８のドア１８ａを係合させる。さらにドア１８ａをドア駆動部１８ｂによって移動させることにより、蓋４をフープ２のウエハ収納部分から取り外し、主開口２ｂを開放する。取り外された蓋４は、ドア１８ａとともに、搬送ロボット５４によるウエハ１の搬送を阻害しない位置まで移動される。
次に、ステップＳ００５（図７参照）では、ロードポート装置１０は、主開口２ｂからフープ２の内部に清浄化ガスを導入するとともに、フープ２の内部の気体を、底面中央Ｃに比べて主開口２ｂから離間する位置に形成された第１の底孔５を介して排出する第２導入工程を実施する。図５に示すように、ロードポート装置１０は、フロントガス導入部１７の放出ノズル１７ａから、清浄化ガスを主開口２ｂに向けて噴出することにより、清浄化ガスをフープ２の内部に導入する。
また、ステップＳ００５において、ロードポート装置１０の気体排出部２０は、第１のボトムノズル２１を、フープ２における第１の底孔５と連通状態としておくことにより、フープ２の内部の気体を第１の底孔５を介して排出する。なお、先のステップＳ００３で、第１のボトムノズル２１と第１の底孔５との連通状態が解除されていた場合は、ステップＳ００５において、再度第１のボトムノズル２１を上昇させ、第１のボトムノズル２１を第１の底孔５と連通させる。
さらに、ステップＳ００５において、ロードポート装置１０は、気体排出部２０の強制排出手段２４を作動させることにより、フープ２の内部の気体を強制的に排出することができる。強制的な排出を行うか、あるいは、主開口２ｂから導入された清浄化ガスによってフープ２の内部の気体が第１の底孔５から押し出される自然排出を行うかは、ウエハ１から発生するおそれのあるアウトガスの種類又は量、フープ２におけるウエハ１の収納数などに応じて選択することができる。
ロードポート装置１０がステップＳ００５に示す工程を行っている間、図１に示すイーフェム５０は、搬送ロボット５４のアーム５４ａを操作し、処理前のウエハ１をフープ２から取り出し、ミニエンバイロメント５２を介して処理室に搬送する。また、イーフェム５０は、搬送ロボット５４のアーム５４ａを操作し、処理室で処理が終わったウエハ１を、ミニエンバイロメント５２を介してフープ２に搬送する。
全ての処理後のウエハ１がフープ２に戻された後、ロードポート装置１０は、主開口２ｂからの清浄化ガスの導入及び第１の底孔５からの気体の排出を停止する（ステップＳ００６）。ロードポート装置１０は、放出ノズル１７ａからの清浄化ガスの放出を停止することにより、主開口２ｂからの清浄化ガスの導入を停止する。また、ロードポート装置１０は、ステップＳ００５において強制的な排出をおこなっていた場合は、強制排出手段２４を停止することにより、第１の底孔５からの気体の排出を停止する。なお、ステップＳ００５において自然排出を行っていた場合は、主開口２ｂからの清浄化ガスの導入を停止することにより、第１の底孔５からの気体の排出も停止する。
ステップＳ００７（図７参照）では、ロードポート装置１０の開閉部１８は、フープ２の主開口２ｂを閉鎖する。ロードポート装置１０は、図５に示すドア駆動部１８ｂによりドア１８ａを移動させ、ドア１８ａに係合する蓋４を、フープ２の第１側面２ｄに戻すことにより、主開口２ｂを閉鎖する。蓋４が主開口２ｂを閉鎖した後、ドア１８ａと蓋４の係合は解除される。ステップＳ００７の後、ロードポート装置１０は、載置台１４をＹ軸方向（負方向）に動かすことにより、処理後のウエハ１を収納したフープ２を、図３に示す載置工程（ステップＳ００１）の位置に戻す。
以上のように、ロードポート装置１０は、主開口２ｂを開放した状態において、フロントガス導入部１７によりウエハ１を出し入れするフープ２の主開口２ｂから清浄化ガスを導入するとともに、主開口２ｂから離間した第１の底孔５に気体排出部２０の第１のボトムノズル２１を接続し、フープ２の内部の気体を排出する。これにより、ロードポート装置１０は、主開口２ｂを介してウエハ１が搬出・搬入されている間も、処理後のウエハ１から放出されるアウトガスを、効果的にフープ２の外部に排出することができる。すなわち、主開口２ｂは開口面積が広いため、フープ２の内部への清浄化ガスの効率的な導入が可能である。また、主開口２ｂから離間した第１の底孔５からフープ２の内部の気体が排出されるため、ウエハ１が収納されるフープ２の内部全体に、主開口２ｂから第１の底孔５へ向かう気流が形成される。そして、フープ２に形成された気流がウエハ１の表面近傍を通過することにより、アウトガスの排出が促進される。これにより、ロードポート装置１０は、フープ２内のウエハ１が、処理後のウエハ１から生じるアウトガスにより酸化又は汚染される問題を防止できる。
なお、フープ２の内部の気体が排出される第１の底孔５は、フープ２の内部全体にアウトガスを排出する気流を形成する観点から、なるべく主開口２ｂから離間した位置に形成されていることが好ましい。したがって、第１の底孔５から主開口２ｂまでの距離は、収納されるウエハ１の直径の３分の２以上であることが好ましく、ウエハ１の直径以上であることがさらに好ましい。
また、上述したロードポート装置１０による清浄化ガスの導入方法では、フープ２の第２の底孔６から清浄化ガスを導入する第１導入工程（ステップＳ００３）を行うことにより、主開口２ｂを閉鎖した状態においてもフープ２の内部を清浄化することが可能であり、ウエハ１を酸化や汚染から効果的に保護できる。また、主開口２ｂから清浄化ガスの導入を行う第２導入工程（ステップＳ００５）は、第２の底孔６からの清浄化ガスの導入を停止させた状態で行うことにより、主開口２ｂからの清浄化ガスの取り込み量を多くして、フープ２の内部全体に、アウトガスの排出のためのより好適な気流が形成できる。
また、ロードポート装置１０は、強制排出手段２４によってフープ２の内部の気体を排出することにより、主開口２ｂから効果的に清浄化ガスを導入することができ、また、フープ２の内部に気流を形成することにより、処理後のウエハ１が発生するアウトガスを、効果的に排出できる。
さらに、上述したロードポート装置１０では、第１のボトムノズル２１を有する気体排出部２０は、第２の底孔６から清浄化ガスの導入を行う第１導入工程（ステップＳ００３）でも、主開口２ｂから清浄化ガスの導入を行う第２導入工程（ステップＳ００５）でも、いずれの場合でもフープ２から気体を排出する排出流路となる。したがって、ロードポート装置１０は、方式の異なる２種類の清浄化工程を、シンプルな構造で実現することができる。
以上のように、実施形態を示して本発明を説明したが、上述したロードポート装置１０およびロードポート装置１０における容器への清浄化ガスの導入方法は、本発明の一実施形態にすぎず、これ以外の様々な変形例が、本発明の技術的範囲に含まれる。
例えば、ロードポート装置１０では、気体排出部２０は２つの第１の底孔５に連通可能な２つの第１のボトムノズル２１を有しているが、気体排出部２０が有する第１のボトムノズル２１の数および第１のボトムノズル２１が接続可能な第１の底孔５の数は特に限定されない。ボトムガス導入部３０が有する第２のボトムノズル３１の数及び第２のボトムノズル３１が接続可能な第２の底孔６の数も、特に限定されない。
また、気体排出部２０が有する第１のボトムノズル２１の一方は、ステップＳ００２における清浄化ガス導入工程（第１導入工程）において、第１の底孔５から清浄化ガスを導入可能であり、かつ、ステップＳ００５における清浄化ガス導入工程（第２導入工程）において、第１の底孔５からフープ２の内部の気体を排出可能であってもよい。このような第１のボトムノズル２１を有する気体排出部は、第１のボトムノズル２１が第１配管部２２に接続される状態と、第１のボトムノズル２１が第２配管部３２に接続される状態とを切換可能な弁１４２（図６参照）を有する。このような気体排出部を有するロードポート装置は、第１導入工程における清浄化ガスの導入経路を増加させることができるので、主開口２ｂを開放する前に、素早くフープ２の内部を清浄化することができる。また、フープ２へのガスの導入と、フープ２からの気体の排出との双方が、同一の第１のボトムノズル２１によって可能であるため、底孔やボトムノズルの数を減らして、フープやロードポート装置の構造を簡略化できる。
図６は、本発明の他の実施形態に係るロードポート装置１００を含むイーフェム１５０を表す概略断面図である。イーフェム１５０は、ミニエンバイロメント１５２内に清浄空気のダウンフローを形成するファン１４６と、ミニエンバイロメント５２の上方であってファン１４６の下方に配置されるフィルタ１４４を有する。イーフェム１５０は、ファン１４６によってミニエンバイロメント１５２および経路１５４に気流を形成して、フィルタ１４４を通過させながら空気を循環させることにより、ミニエンバイロメント１５２内を清浄に保つことができる。
ロードポート装置１００は、ミニエンバイロメント１５２に形成された清浄空気のダウンフローを、フープ１０２の主開口１０２ｂを介してフープ１０２の内部に導入する整流板１４０を有している。このように、第２導入工程（ステップＳ００５）における清浄化ガスの導入は、放出ノズル１７ａが形成されたフロントガス導入部１７だけでなく、図６に示すような整流板１４０を用いて行われてもよい。
また、ロードポート装置１００における第２導入工程では、第１の底孔５からフープ２の内部に直立しており、Ｚ軸方向に断続的又は連続的に排出ノズルが形成されている排出ノズル１２３を介して、フープ２の内部からの気体の排出が行われる。このような第２導入工程では、フープ２内に収納されたウエハ１の表面に沿った気流が形成されることにより、特定のウエハ１から放出されたアウトガスが、上下方向の他のウエハ１の表面を汚染等する問題を、効果的に防止することができる。
１… ウエハ
２… フープ
２ｆ… 底面
４… 蓋
５… 第１の底孔
６… 第２の底孔
１０、１００…ロードポート装置
１１…壁部材
１４…載置台
１７…フロントガス導入部
１７ａ…放出ノズル
１８…開閉部
１８ａ…ドア
２０…気体排出部
２１…第１のボトムノズル
２２…第１配管部
２４…強制排出手段
３０…ボトムガス導入部
３１…第２のボトムノズル
３２…第２配管部
１４０…整流板
１４２…弁
５０、１５０…イーフェム
５２、１５２…ミニエンバイロメント
Ｃ…底面中央

Claims (7)

  1. ウエハを出し入れするための主開口が側面に形成された容器を載置する載置台と、
    前記主開口を開閉するための開閉部と、
    前記主開口から前記容器の内部に清浄化ガスを導入するガス導入部と、
    前記主開口が閉じられた状態で、前記載置台に載置された前記容器の底面に形成された底孔の少なくとも１つに連通可能なボトムノズルの少なくとも１つから前記容器の内部に清浄化ガスが導入可能なボトムガス導入部と、
    前記容器の前記底面のうち底面中央に比べて前記主開口から離間する位置に形成された前記底孔の少なくとも１つに連通可能な前記ボトムノズルの少なくとも１つから前記容器の内部の気体を前記容器の外部へ排出可能な気体排出部と、を有し、
    前記ボトムガス導入部からの清浄化ガスの導入を停止し、前記開閉部により前記主開口を開放させた状態で、前記ガス導入部により前記主開口から前記容器の内部に清浄化ガスを導入させつつ、前記気体排出部により前記ボトムノズルを介して前記容器の内部の気体を前記容器の外部へ排出するように、前記ボトムガス導入部、前記開閉部、前記ガス導入部および前記気体排出部を制御することを特徴とするロードポート装置。
  2. 前記気体排出部は、前記容器の内部の気体を強制的に排出する強制排出手段を有することを特徴とする請求項１に記載のロードポート装置。
  3. 前記容器への清浄化ガスの導入時間、または、前記気体排出部によって前記容器の外部へ排出される気体の清浄度、を検出する手段を有する請求項１または請求項２に記載のロードポート装置。
  4. ウエハを出し入れするための主開口が側面に形成された容器を、ロードポート装置の載置台に載置する工程と、
    前記主開口が閉じられた状態で、前記載置台に載置された前記容器の底面に形成された底孔に連通可能なボトムノズルの少なくとも１つから、前記容器の内部に清浄化ガスを導入する第１導入工程と、
    前記主開口の開放および前記ボトムノズルからの清浄化ガスの導入の停止を行い、前記主開口から前記容器の内部に清浄化ガスを導入する第２導入工程と、を有し、
    前記第２導入工程では、前記ボトムノズルのうち、前記容器の底面のうち底面中央に比べて前記主開口から離間する位置に形成された底孔に連通可能な少なくとも１つを介して、前記容器の内部の気体を前記容器の外部へ排出することを特徴とするロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法。
  5. 前記第２導入工程において、前記容器の内部の気体を前記容器の外部へ排出する前記ボトムノズルは、前記容器の内部の気体を強制的に排出する強制排出手段に接続されており、前記強制排出手段は、前記容器の内部の気体を強制的に排出することを特徴とする請求項４に記載のロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法。
  6. 前記第１導入工程における前記清浄化ガスの導入と、前記第２導入工程における前記気体の排出は、同一の前記ボトムノズルを介して行われることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法。
  7. 前記第１導入工程による前記容器への清浄化ガスの導入時間が所定の時間に達したタイミング、または、前記第１導入工程において前記容器から排出される気体の清浄度が所定のレベルに達したことを検出したタイミングで、前記ボトムノズルからの清浄化ガスの導入の停止を行うことを特徴とする請求項４から請求項６までのいずれかに記載のロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10115607B2 (en) * 2016-09-16 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer outgassing control
US10403514B1 (en) * 2018-04-12 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Substrate transporting system, storage medium and substrate transporting method
CN109686687B (zh) * 2018-11-21 2021-02-05 长江存储科技有限责任公司 容置箱、操作台以及承载系统
CN112242338B (zh) * 2020-12-18 2021-03-02 西安奕斯伟硅片技术有限公司 能够保持foup的盖部的洁净度的装载端口及设备前端模块
CN115910869B (zh) * 2022-12-30 2024-02-02 江苏微导纳米科技股份有限公司 装载腔体及其清洗方法、及半导体设备

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092345A (ja) * 2001-07-13 2003-03-28 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 基板収納容器、基板搬送システム、保管装置及びガス置換方法
JP4120285B2 (ja) * 2002-06-13 2008-07-16 東京エレクトロン株式会社 被処理体の導入ポート機構及びこれを用いた処理システム
JP4027837B2 (ja) * 2003-04-28 2007-12-26 Ｔｄｋ株式会社 パージ装置およびパージ方法
EP2128890B1 (en) * 2004-02-05 2012-10-17 Entegris, Inc. Purging of a wafer conveyance container
US9010384B2 (en) * 2004-06-21 2015-04-21 Right Mfg. Co. Ltd. Load port
JP2007005607A (ja) 2005-06-24 2007-01-11 Fujitsu Ltd 半導体装置
KR100706250B1 (ko) * 2005-07-07 2007-04-12 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 장치 및 방법
JP4278676B2 (ja) * 2005-11-30 2009-06-17 Ｔｄｋ株式会社 密閉容器の蓋開閉システム
JP4606388B2 (ja) * 2006-06-12 2011-01-05 川崎重工業株式会社 基板移載装置の搬送系ユニット
JP4896899B2 (ja) * 2007-01-31 2012-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびパーティクル付着防止方法
CN101730933A (zh) * 2007-07-09 2010-06-09 近藤工业株式会社 向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置以及使用了该装置的晶片除静电装置
JP4264115B2 (ja) * 2007-07-31 2009-05-13 Ｔｄｋ株式会社 被収容物の処理方法及び当該方法に用いられる蓋開閉システム
JP5041348B2 (ja) * 2010-02-26 2012-10-03 Ｔｄｋ株式会社 清浄ガスの置換機能を備えた基板収納ポッド
JP2011187539A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Sinfonia Technology Co Ltd ガス注入装置、ガス排出装置、ガス注入方法及びガス排出方法
JP5768337B2 (ja) * 2010-07-07 2015-08-26 シンフォニアテクノロジー株式会社 ロードポート
JP5736686B2 (ja) * 2010-08-07 2015-06-17 シンフォニアテクノロジー株式会社 ロードポート
JP5370785B2 (ja) * 2011-07-08 2013-12-18 Ｔｄｋ株式会社 ロードポート装置
JP5494734B2 (ja) * 2011-08-15 2014-05-21 Ｔｄｋ株式会社 パージ装置及び該パージ装置を有するロードポート装置
JP6108643B2 (ja) * 2013-07-09 2017-04-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び異常処理プログラム
JP2015142008A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 Tdk株式会社 ロードポート装置
EP3104401B1 (en) * 2014-02-07 2021-02-03 Murata Machinery, Ltd. Purge device and purge method
JP6226190B2 (ja) * 2014-02-20 2017-11-08 Tdk株式会社 パージシステム、及び該パージシステムに供せられるポッド及びロードポート装置
JP6052469B2 (ja) * 2014-04-28 2016-12-27 村田機械株式会社 パージ装置及びパージ方法
JP5776828B1 (ja) * 2014-08-08 2015-09-09 Tdk株式会社 ガスパージユニット、ロードポート装置およびパージ対象容器の設置台
KR101593386B1 (ko) * 2014-09-01 2016-02-15 로체 시스템즈(주) 퍼지 모듈 및 이를 포함하는 로드 포트
JP6556148B2 (ja) * 2014-09-05 2019-08-07 ローツェ株式会社 ロードポート及びロードポートの雰囲気置換方法
JP6455239B2 (ja) * 2015-03-06 2019-01-23 シンフォニアテクノロジー株式会社 ドア開閉装置
JP6459682B2 (ja) * 2015-03-20 2019-01-30 Tdk株式会社 ガスパージ装置、ロードポート装置およびガスパージ方法
JP6451453B2 (ja) * 2015-03-31 2019-01-16 Tdk株式会社 ガスパージ装置、ロードポート装置、パージ対象容器の設置台およびガスパージ方法
JP6565336B2 (ja) * 2015-05-28 2019-08-28 Tdk株式会社 ガスパージユニット、ロードポート装置およびパージ対象容器の設置台
JP6613864B2 (ja) * 2015-12-14 2019-12-04 Ｔｄｋ株式会社 ミニエンバイロメント装置

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