JP4322411B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置内のクリーンエアフローの簡略化に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体製造装置内にクリーンエアフローを作る装置としては、特開平４−２９９５１３号公報に示されるものがある。これは図２に示されるように、半導体製造装置５０の筐体天井面に設けられた導入口にエアフィルタ５２が設けられており、筐体内部のカッセトストッカ５４の上方にエアフィルタとファンを組み合わせた第１のクリーンユニット５６が設けられている。また、ボート昇降装置５８とカセットストッカ５４の中間位置に第２のクリーンユニット６０が３組設けられており、筐体の背面で、第２のクリーンユニット６０が設けられた反対側の側面近傍、ボート昇降装置５８近傍に所要数の排気ファン６２が設けられている。
【０００３】
図示してないカセット搬送装置によりカセットの搬送が行われている状態、及びカセットストッカ５４にカセットが収納されている間は、クリーンエアは、エアフィルタ５２より吸気され、第１のクリーンユニット５６で浄化され、カセットストッカ５４を流通して筐体の底部を流れて、排気ファン６２より排出される。
【０００４】
また、ウェハ搬送時には、第２のクリーンユニット６０よりクリーンエアが送風され、ボート６４の周囲、及びボート６４に装填されたウェハ間を通って排気ファン６２より排出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のものでは、複数カ所に複数のクリーンユニット５６、６０を取付ける必要があるため、価格の上昇につながるとともに、半導体製造装置５０内に、クリーンユニット５６、６０を設置するスペースを確保する必要があるという課題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、本発明のうちで請求項１記載の発明は、半導体製造装置の天井部に、クリーンルーム内のエアフローを取入れる取入れ口を設け、半導体製造装置の下部に、半導体製造装置内部を流れたエアフローを外部に排出する排出口を設け、装置内に導入した前記エアフローは、クリーンユニットを介さずに外部に排出されることを特徴とするものである。
【０００７】
このような構成によれば、半導体製造装置内をクリーンにするための設備としては、天井部の取入れ口と下部の排出口とを設けるだけで済むので、半導体製造装置内にクリーンモジュールを設置する必要がなくなり、コストが安くなるとともに、設置スペースが不要となるので、装置自体の寸法も小さくすることができる。
【０００８】
なお、実施の形態に示されるように、半導体製造装置には、ウェハが気密容器に収納されて搬送される空間であるカセット搬送雰囲気と、ウェハが気密容器に収納されないで搬送される空間であるウェハ搬送雰囲気とに離隔されており、ウェハ搬送雰囲気にのみクリーンユニットが設けられている。
【０００９】
このような構成によれば、ウェハ搬送雰囲気では、ウェハが気密容器に収納されておらず、汚染されやすいため、この部分のみクリーンユニットを設置してクリーン度を高めることによりウェハの汚染をより防ぐことができる。また、ウェハ搬送雰囲気のみのクリーンユニットの設置のため、設置するクリーンユニットの台数が少なくて済み、コストが安くなるとともに、設置スペースも少なくて済むので、設置スペースの確保も容易である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
図１は本発明の実施の形態における半導体製造装置を示す斜視図である。
半導体製造装置１０は、フロントパネル１１と平行に設けられた隔壁１３の前方部分によりカセット搬送室（カセット搬送雰囲気）１２が構成されており、カセット搬送室１２では、ウェハはＦＯＵＰと呼ばれるボックス形状の密閉容器であるカセットの中に収納されて搬送される。カセット搬送室１２の天井部１２ａには網状に構成された部材よりなるエアインテーク（取入れ口）１８が設けられており、エアインテーク１８の網状の隙間から、半導体製造装置１０が設置されているクリーンルーム内のエアフローであるダウンフローが取入れられる。カセット搬送室１２の最下部１２ｂには排出口が設けられエグゾーストファン２０が設けられており、エグゾーストファン２０は、カセット搬送室１２の内部を流れたダウンフロー２１を外部に強制的に排出することが可能である。
【００１１】
隔壁１３の後方部分には、下段にウェハ移載室１４が、上段に反応室１６がそれぞれ構成されており、ウェハ移載室１４には、カセット内から取り出されたウェハに目印として設けられているノッチといわれる切欠きを同じ列でそろえるためのユニットであるノッチアライナ２２と、ウェハを昇降、回転、進退可能な図示してないウェハ移載機とがそれぞれ設けられている。また、ウェハ移載室１４には、クリーンユニット２６も設けられており、クリーンユニット２６は図中矢印で示されるようにクリーンエア２８をウェハ移載室１４内で循環させている。
【００１２】
半導体製造装置１０へのカセットの搬入及び取出しは、フロントパネル１１の下方に設けられたＩ／Ｏシャッタ３０により行われ、カセット搬送室１２とウェハ移載室１４との間のウェハの授受は、隔壁１３のＩ／Ｏシャッタ３０と対面する位置に設けられたＰＯＤオープナ３２により行われる。
【００１３】
次に、本実施の形態の動作について説明する。カセット搬送室１２内には、エアインテーク１８からクリーンルーム内のダウンフロー２１が常時導入され、カセット搬送室１２の下部方向に流れてエグゾーストファン２０から外部に排出されている。カセット搬送室１２内にウェハを搬入する際には、Ｉ／Ｏシャッタ３０が開かれ、クリーンルーム内のダウンフロー２１が常時流れている状態のカセット搬送室１２内に、ウェハが収納されたカセットが搬入される。この後、カセット搬送室１２内に搬入されたカセットは所定の位置に搬送され収納される。
【００１４】
ウェハを処理する際には、所定位置に収納されているカセットをＰＯＤオープナ３２の位置に搬送し、カセットでＰＯＤオープナ３２を塞ぐように隔壁１３にカセットを密着させて、ＰＯＤオープナ３２によりカセットの蓋を開け、ウェハをウェハ移載室１４に移載する。このとき、ウェハ移載室１４はクリーンユニット２６によりクリーンエア２８が循環しているため、高いクリーン度が保たれている。
【００１５】
次に、ウェハ移載室１４から反応室１６にウェハが搬送され、反応室１６でウェハに所要の処理が施される。処理済みのウェハは前述した手順と逆の手順で外部へ搬出される。
【００１６】
このように、カセット搬送室１２では、ウェハは密閉されたカセット内に入っているため、カセット搬送室１２内のクリーン度がそれほど高くなくてもウェハが汚染されたり、パーティクルが付着したりすることはない。したがって、カセット搬送室１２内にはクリーンルームのダウンフローを流し、クリーンルームと同程度のクリーン度にするだけでよいので、カセット搬送室１２の天井部１２ａにエアインテーク１８を設け、最下部１２ｂにエグゾーストファン２０を設けるだけの簡単な装置でカセット搬送室１２のクリーン度を保つことができる。また、クリーンルームのクリーン度もそれほど高くなくてもよい。
【００１７】
一方、ウェハ移載室１４では、ウェハはカセットから取り出されるため、ウェハが汚染されたりパーティクルが付着し易くなっていたりする。このため、ウェハ移載室１４のクリーン度を高める必要があり、ウェハ移載室１４のみクリーンユニット２６が設置されてクリーン度が高められている。
【００１８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明における半導体製造装置内には、天井部の取入れ口から取り入れられたクリーンルームのエアフローが流れ、このエアフローはクリーンユニットを介さずに半導体製造装置の下部の排出口から外部に排出されるため、半導体製造装置内を常時クリーンな状態に保つことができる。したがって、半導体製造装置内をクリーンにするための設備としては、天井部の取入れ口と下部の排出口とを設けるだけで済むので、半導体製造装置内にクリーンモジュールを設置する必要がなくなり、コストが安くなるとともに、設置スペースが不要となるので、装置自体の寸法も小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を実施した半導体製造装置の斜視図である。
【図２】従来のクリーンユニットを設置した半導体製造装置の斜視図である。
【符号の説明】
１０ 半導体製造装置、１２ カセット搬送室、１２ａ 天井部、１２ｂ 最下部、１４ ウェハ移載室、１８ エアインテーク、２０ エグゾーストファン。
Claims (4)
- 半導体製造装置の天井部に設けられ、クリーンルーム内のエアフローを取入れる取入れ口と、
前記半導体製造装置内部に設けられ、ウェハが気密容器に収納されて搬送される気密容器搬送空間と、
前記気密容器搬送空間と離隔されて、前記半導体製造装置内部に設けられ、ウェハが気密容器に収納されないで搬送されるウェハ搬送空間と、
前記ウェハ搬送空間に設けられ、前記ウェハ搬送空間の雰囲気を循環させるクリーンユニットと、
前記半導体製造装置の下部に設けられ、前記取入れ口から前記気密容器搬送空間に流れたエアフローを前記半導体製造装置外部に排出する排出口と、
前記半導体製造装置の下部に設けられ、前記取入れ口から前記半導体製造装置内に導入し前記気密容器搬送空間に流れたエアフローをクリーンユニットを介さずに前記排出口から前記半導体製造装置外部に排出するエグゾーストファンと
を有することを特徴とする半導体製造装置。 - クリーンルーム内のエアフローを、半導体製造装置の天井部に設けられた取入れ口から前記半導体製造装置内部に取り入れ、クリーンユニットを介さずに気密容器搬送空間に流れたエアフローを前記半導体製造装置の下部に設けられた排出口から、前記半導体製造装置の下部に設けられたエグゾーストファンにより前記半導体製造装置外部に排出しつつ、前記気密容器搬送空間でウェハを気密容器に収納して搬送する工程と、
前記気密容器搬送空間と離隔されて、前記半導体製造装置内部に設けられたウェハ搬送空間で、前記ウェハ搬送空間に設けられたクリーンユニットにより前記ウェハ搬送空間の雰囲気を循環しつつ、ウェハを気密容器に収納しないで搬送する工程と、
を有することを特徴とするウェハ搬送方法。 - クリーンルーム内のエアフローを、半導体製造装置の天井部に設けられた取入れ口から前記半導体製造装置内部に取り入れ、クリーンユニットを介さずに気密容器搬送空間に流れたエアフローを前記半導体製造装置の下部に設けられた排出口から、前記半導体製造装置の下部に設けられたエグゾーストファンにより前記半導体製造装置外部に排出しつつ、前記気密容器搬送空間でウェハを気密容器に収納して搬送する工程と、
前記気密容器搬送空間と離隔されて、前記半導体製造装置内部に設けられたウェハ搬送空間で、前記ウェハ搬送空間に設けられたクリーンユニットにより前記ウェハ搬送空間の雰囲気を循環しつつ、ウェハを気密容器に収納しないで搬送する工程と、
前記ウェハ搬送空間から反応室にウェハを搬送し、該反応室でウェハを処理する工程と、
を有することを特徴とするウェハの処理方法。 - クリーンルーム内のエアフローを、半導体製造装置の天井部に設けられた取入れ口から前記半導体製造装置内部に取り入れ、クリーンユニットを介さずに気密容器搬送空間に流れたエアフローを前記半導体製造装置の下部に設けられた排出口から、前記半導体製造装置の下部に設けられたエグゾーストファンにより前記半導体製造装置外部に排出しつつ、前記気密容器搬送空間でウェハを気密容器に収納して搬送する工程と、
前記気密容器搬送空間と離隔されて、前記半導体製造装置内部に設けられたウェハ搬送空間で、前記ウェハ搬送空間に設けられたクリーンユニットにより前記ウェハ搬送空間の雰囲気を循環しつつ、ウェハを気密容器に収納しないで搬送する工程と、
前記ウェハ搬送空間から反応室にウェハを搬送し、該反応室でウェハを処理する工程と、
を有することを特徴とする半導体製造方法。
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| JP2000227007A JP4322411B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2000227007A JP4322411B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 半導体製造装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2000227007A Expired - Lifetime JP4322411B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 半導体製造装置 |
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