JP3108459B2 - 縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
-
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- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B11/00—Bell-type furnaces
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、縦型熱処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
ける熱拡散工程や成膜工程にて使用される熱処理装置と
して、無塵化及び省スペース化等を図ることができる縦
型熱処理装置が用いられている。このような縦型熱処理
装置にあっては、円筒状に形成された石英からなる反応
管を囲んて設けられたヒーター及び断熱材等からなる熱
処理炉がほぼ矩形状の筐体内上部に垂直に設けられてい
る。この筐体内の熱処理炉の下部には、被処理体である
多数の半導体ウエハを載置したウエハボートを待機させ
る待機空間が設けられており、このウエハボートをボー
トエレベータのごとき昇降手段により熱処理炉内へ搬出
入し得るようになっている。そして、熱処理炉口から排
出される炉内に残留した処理ガスと高温気体を排出する
ための排気機構が設けられている。このような構成のた
め、熱処理炉をほぼ水平に設けた横型熱処理装置に比較
して、上記縦型熱処理装置は設置スペースを削減して、
省スペースを図ることができるのみならず、反応管と非
接触で熱処理炉内へウエハボートをロード及びアンロー
ドすることができることから、無塵化を図ることができ
る。そして、上記縦型熱処理装置にあっては、更に無塵
化を図るために、塵埃除去用フィルタを介して清浄気体
を待機空間に通過させ、ここで待機している半導体ウエ
ハに塵埃が付着することを防止するようになされた構成
のものもある。そして、この待機空間を通過した気体
は、装置をメンテナンスするために設けられクリーンル
ームと分離されたメンテナンスルームへ排出されてい
た。
ける熱拡散工程や成膜工程にて使用される熱処理装置と
して、無塵化及び省スペース化等を図ることができる縦
型熱処理装置が用いられている。このような縦型熱処理
装置にあっては、円筒状に形成された石英からなる反応
管を囲んて設けられたヒーター及び断熱材等からなる熱
処理炉がほぼ矩形状の筐体内上部に垂直に設けられてい
る。この筐体内の熱処理炉の下部には、被処理体である
多数の半導体ウエハを載置したウエハボートを待機させ
る待機空間が設けられており、このウエハボートをボー
トエレベータのごとき昇降手段により熱処理炉内へ搬出
入し得るようになっている。そして、熱処理炉口から排
出される炉内に残留した処理ガスと高温気体を排出する
ための排気機構が設けられている。このような構成のた
め、熱処理炉をほぼ水平に設けた横型熱処理装置に比較
して、上記縦型熱処理装置は設置スペースを削減して、
省スペースを図ることができるのみならず、反応管と非
接触で熱処理炉内へウエハボートをロード及びアンロー
ドすることができることから、無塵化を図ることができ
る。そして、上記縦型熱処理装置にあっては、更に無塵
化を図るために、塵埃除去用フィルタを介して清浄気体
を待機空間に通過させ、ここで待機している半導体ウエ
ハに塵埃が付着することを防止するようになされた構成
のものもある。そして、この待機空間を通過した気体
は、装置をメンテナンスするために設けられクリーンル
ームと分離されたメンテナンスルームへ排出されてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体デバイスの一層
の高微細化、高集積化及び量産化の要求が日々増大して
いる今日において、上記した従来装置のように一度熱処
理装置内に取り込んだ清浄気体をメンテナンスルームへ
放出するようにした構成では、メンテナンスルームのク
リーン度を高く維持しないと、メンテナンスルームの塵
埃がわずかでも、半導体ウエハを処理、保管、移動する
クリーンルーム側に装置内を漏洩して入り込み、熱処理
装置内から排出されたパーティクルが半導体ウエハに付
着し、歩留まりを低下させるという問題があった。特
に、微細化が進み半導体パターンの最小幅寸法が１．０
μｍから０．５μｍへ移りつつある現状を考慮すると上
記した問題点の解決が一層望まれている。また、熱処理
時においては、種々の有害ガス、例えばホスフィン（Ｐ
Ｈ３）、砒素（Ａｓ）等が処理ガスとして使用されてい
るが、従来にあってはこれらのガスの使用量も比較的少
なく、装置内に残留する有害ガスも極めて少ないことか
ら熱処理炉口に設けられた排気機構により十分な排気を
行うことができたので、待機空間を通過させた清浄気体
をそのままメンテナンスルームへ排出しても問題は生じ
なかった。しかしながら、半導体ウエハのサイズが大型
化し、例えば５インチ、６インチから８インチサイズに
移行するに従い、ガスの使用量も大幅に増加し、上記排
気機構だけでは十分な排気を行うことができず、クリー
ンルームにて操作するオペレータに対する安全性も無視
し得ないものとなってきた。特に、半導体ウエハへ導入
する不純物、例えばＰやＡｓ等の注入操作は、イオン注
入装置等でも従来より行なわれていたが、トータルコス
ト、製造効率及びイオン注入後のアニールにともなう熱
拡散に起因する微細化の困難性等の観点より問題点があ
るため、このような不純物導入プロセスも近時技術発展
の著しい縦型熱処理装置により成膜処理と同時に行なわ
れる傾向にあり、前述したごとき問題点の解決が強く望
まれている。また、最近リンドーピングを行なう場合
に、処理ガスとして非常に腐食性の高いオキシ塩化リン
（ＰＯＣｌ３）を使用し、これを酸素ガスまたは窒素ガ
ス等のキャリアガスによって炉内へ導入して、９００℃
程度で熱処理することが行なわれている。熱処理完了時
には、不活性ガスを炉内へ導入し、これを排出する操作
を数度繰り返し行い、その後、ウエハボートを炉からア
ンロードし、処理済みの半導体ウエハの温度が２００℃
位に低下するまで装置内にてこれを待機させている。こ
の場合、炉内雰囲気中のＰＯＣｌ３をほぼ排除したとは
いえ、処理済みの半導体ウエハの表面からも未反応のＰ
ＯＣｌ３等が放出されており、このＰＯＣｌ３が雰囲気
中に含まれる水分或いは酸素と反応して五酸化リン（Ｐ
２Ｏ５）を主とした反応生成物が発生する。この五酸化
リンを主とした反応生成物は生成状態により液状及び固
形状であり、特に、液状のものは非常に腐食性が強く、
耐腐食性の大きいステンレススチール等も容易に溶解し
てしまい、装置内の各種部品及び周辺機器を腐食させて
しまうという問題があった。そして、これを放置すると
腐食により発生した微細なさびがパーティクルとなって
浮遊し、半導体デバイスの歩留まり低下の原因にもなっ
ていた。本発明は、以上のような問題点に着目し、これ
を有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目
的は、熱処理装置の待機空間雰囲気の清浄度を維持し、
さらにメンテナンスルームの雰囲気の清浄度を劣化させ
ることなく、クリーンルーム側の雰囲気清浄度を維持す
ると共に、腐食に起因するパーティクルの発生を抑制
し、以て、被処理体の歩留まりを向上させることができ
ると共に、熱処理装置にて使用した残留有害ガスに起因
する安全性の低下を防止できる縦型熱処理装置を提供す
るにある。
の高微細化、高集積化及び量産化の要求が日々増大して
いる今日において、上記した従来装置のように一度熱処
理装置内に取り込んだ清浄気体をメンテナンスルームへ
放出するようにした構成では、メンテナンスルームのク
リーン度を高く維持しないと、メンテナンスルームの塵
埃がわずかでも、半導体ウエハを処理、保管、移動する
クリーンルーム側に装置内を漏洩して入り込み、熱処理
装置内から排出されたパーティクルが半導体ウエハに付
着し、歩留まりを低下させるという問題があった。特
に、微細化が進み半導体パターンの最小幅寸法が１．０
μｍから０．５μｍへ移りつつある現状を考慮すると上
記した問題点の解決が一層望まれている。また、熱処理
時においては、種々の有害ガス、例えばホスフィン（Ｐ
Ｈ３）、砒素（Ａｓ）等が処理ガスとして使用されてい
るが、従来にあってはこれらのガスの使用量も比較的少
なく、装置内に残留する有害ガスも極めて少ないことか
ら熱処理炉口に設けられた排気機構により十分な排気を
行うことができたので、待機空間を通過させた清浄気体
をそのままメンテナンスルームへ排出しても問題は生じ
なかった。しかしながら、半導体ウエハのサイズが大型
化し、例えば５インチ、６インチから８インチサイズに
移行するに従い、ガスの使用量も大幅に増加し、上記排
気機構だけでは十分な排気を行うことができず、クリー
ンルームにて操作するオペレータに対する安全性も無視
し得ないものとなってきた。特に、半導体ウエハへ導入
する不純物、例えばＰやＡｓ等の注入操作は、イオン注
入装置等でも従来より行なわれていたが、トータルコス
ト、製造効率及びイオン注入後のアニールにともなう熱
拡散に起因する微細化の困難性等の観点より問題点があ
るため、このような不純物導入プロセスも近時技術発展
の著しい縦型熱処理装置により成膜処理と同時に行なわ
れる傾向にあり、前述したごとき問題点の解決が強く望
まれている。また、最近リンドーピングを行なう場合
に、処理ガスとして非常に腐食性の高いオキシ塩化リン
（ＰＯＣｌ３）を使用し、これを酸素ガスまたは窒素ガ
ス等のキャリアガスによって炉内へ導入して、９００℃
程度で熱処理することが行なわれている。熱処理完了時
には、不活性ガスを炉内へ導入し、これを排出する操作
を数度繰り返し行い、その後、ウエハボートを炉からア
ンロードし、処理済みの半導体ウエハの温度が２００℃
位に低下するまで装置内にてこれを待機させている。こ
の場合、炉内雰囲気中のＰＯＣｌ３をほぼ排除したとは
いえ、処理済みの半導体ウエハの表面からも未反応のＰ
ＯＣｌ３等が放出されており、このＰＯＣｌ３が雰囲気
中に含まれる水分或いは酸素と反応して五酸化リン（Ｐ
２Ｏ５）を主とした反応生成物が発生する。この五酸化
リンを主とした反応生成物は生成状態により液状及び固
形状であり、特に、液状のものは非常に腐食性が強く、
耐腐食性の大きいステンレススチール等も容易に溶解し
てしまい、装置内の各種部品及び周辺機器を腐食させて
しまうという問題があった。そして、これを放置すると
腐食により発生した微細なさびがパーティクルとなって
浮遊し、半導体デバイスの歩留まり低下の原因にもなっ
ていた。本発明は、以上のような問題点に着目し、これ
を有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目
的は、熱処理装置の待機空間雰囲気の清浄度を維持し、
さらにメンテナンスルームの雰囲気の清浄度を劣化させ
ることなく、クリーンルーム側の雰囲気清浄度を維持す
ると共に、腐食に起因するパーティクルの発生を抑制
し、以て、被処理体の歩留まりを向上させることができ
ると共に、熱処理装置にて使用した残留有害ガスに起因
する安全性の低下を防止できる縦型熱処理装置を提供す
るにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、前面に被処理体を搬出入するための開
口部を有すと共に、開閉自在になされた筐体と、該筐体
内に設けられ、前記被処理体を熱処理するための縦型の
熱処理炉と、該熱処理炉の下方に設けられ、上記熱処理
炉内との間で搬出入される前記被処理体を待機させるた
めの待機空間を有す縦型熱処理装置において、前記待機
空間に流すための清浄気体を導入するための清浄気体導
入口と、この清浄気体導入口に清浄気体を強制的に取り
込むための送風ファンと、前記待機空間の一側に設けら
れて、前記清浄気体導入口から導入された前記清浄気体
を清浄化する塵埃除去用フィルタと、前記塵埃除去用フ
ィルタの対向面に設けられて、前記待機空間の上下方向
に沿って延びる導入口を有する排出路と、前記待機空間
を通過して前記導入口を介して前記排出路に取り込んだ
清浄気体を前記筐体の外へ排出するための排気口へ供給
するための清浄気体排気通路とを備え、前記排気口から
排出される気体を、所定の排気処理系へ供給するように
したものである。
解決するために、前面に被処理体を搬出入するための開
口部を有すと共に、開閉自在になされた筐体と、該筐体
内に設けられ、前記被処理体を熱処理するための縦型の
熱処理炉と、該熱処理炉の下方に設けられ、上記熱処理
炉内との間で搬出入される前記被処理体を待機させるた
めの待機空間を有す縦型熱処理装置において、前記待機
空間に流すための清浄気体を導入するための清浄気体導
入口と、この清浄気体導入口に清浄気体を強制的に取り
込むための送風ファンと、前記待機空間の一側に設けら
れて、前記清浄気体導入口から導入された前記清浄気体
を清浄化する塵埃除去用フィルタと、前記塵埃除去用フ
ィルタの対向面に設けられて、前記待機空間の上下方向
に沿って延びる導入口を有する排出路と、前記待機空間
を通過して前記導入口を介して前記排出路に取り込んだ
清浄気体を前記筐体の外へ排出するための排気口へ供給
するための清浄気体排気通路とを備え、前記排気口から
排出される気体を、所定の排気処理系へ供給するように
したものである。
【０００５】
【作用】本発明は、以上のように構成したので、清浄気
体（空気）は、清浄気体導入口から熱処理装置内へ取り
込まれ、待機空間に待機されている被処理体としての半
導体ウエハのパーティクル排除のためにサイドフローが
施される。ここを通過した清浄気体は、一ヶ所に集めら
れて清浄気体排気通路を通って排気口から筐体外へ排出
され、その後、ダクト等を介して工場の排気処理系へと
排出される。このように、待機空間を通過した清浄気体
を上記排気処理系へ搬送することにより、パーティクル
および有害ガスを含む可能性のある気体はメンテナンス
ルームへは排出されないので、半導体ウエハの歩留まり
を向上できるのみならず、有害ガスの人体への影響を阻
止できる。また、腐食性の高いガスが装置内に滞ること
を防止できるので、歩留り低下の原因となる装置類の腐
食を阻止できる。
体（空気）は、清浄気体導入口から熱処理装置内へ取り
込まれ、待機空間に待機されている被処理体としての半
導体ウエハのパーティクル排除のためにサイドフローが
施される。ここを通過した清浄気体は、一ヶ所に集めら
れて清浄気体排気通路を通って排気口から筐体外へ排出
され、その後、ダクト等を介して工場の排気処理系へと
排出される。このように、待機空間を通過した清浄気体
を上記排気処理系へ搬送することにより、パーティクル
および有害ガスを含む可能性のある気体はメンテナンス
ルームへは排出されないので、半導体ウエハの歩留まり
を向上できるのみならず、有害ガスの人体への影響を阻
止できる。また、腐食性の高いガスが装置内に滞ること
を防止できるので、歩留り低下の原因となる装置類の腐
食を阻止できる。
【０００６】
【実施例】以下に、本発明に係る縦型熱処理装置の一実
施例を添付図面に基づいて詳述する。図１、図２及び図
３に示す如く、この縦型熱処理装置１は、例えばステン
レススチール等によりほぼ矩形状に形成された筐体２を
有しており、その幅Ｗは、例えば９５０ｍｍ程度、奥行
Ｄは、例えば９００ｍｍ程度、高さＨは、例えば２８０
０ｍｍ程度に構成されている。上記筐体２内の上部に
は、石英等により円筒状に形成された反応管３が設けら
れ、この反応管３を囲む加熱ヒーター４及び断熱材等か
らなる熱処理炉５がほぼ垂直に設けられていると共に、
この熱処理炉５の下端部は、装置内のほぼ中央部にてス
テンレススチール等よりなるベースプレート６により支
持固定されている。そして、上記ベースプレート６の下
部には、熱処理炉口から排出される炉内に残留した処理
ガスと高温気体を排出するための、例えばステンレスス
チール等により箱状に形成されたスカベンジャ７が設け
られると共に、このスカベンジャ７の一側面部には、天
井部８へ延在された熱排気ダクト９が接続されている。
上記スカベンジャ７及びベースプレート６のほぼ中央に
は、この下方に位置される石英等よりなるウエハボート
１０を上記熱処理炉５内へ搬出入させるための貫通孔１
１が形成されている。
施例を添付図面に基づいて詳述する。図１、図２及び図
３に示す如く、この縦型熱処理装置１は、例えばステン
レススチール等によりほぼ矩形状に形成された筐体２を
有しており、その幅Ｗは、例えば９５０ｍｍ程度、奥行
Ｄは、例えば９００ｍｍ程度、高さＨは、例えば２８０
０ｍｍ程度に構成されている。上記筐体２内の上部に
は、石英等により円筒状に形成された反応管３が設けら
れ、この反応管３を囲む加熱ヒーター４及び断熱材等か
らなる熱処理炉５がほぼ垂直に設けられていると共に、
この熱処理炉５の下端部は、装置内のほぼ中央部にてス
テンレススチール等よりなるベースプレート６により支
持固定されている。そして、上記ベースプレート６の下
部には、熱処理炉口から排出される炉内に残留した処理
ガスと高温気体を排出するための、例えばステンレスス
チール等により箱状に形成されたスカベンジャ７が設け
られると共に、このスカベンジャ７の一側面部には、天
井部８へ延在された熱排気ダクト９が接続されている。
上記スカベンジャ７及びベースプレート６のほぼ中央に
は、この下方に位置される石英等よりなるウエハボート
１０を上記熱処理炉５内へ搬出入させるための貫通孔１
１が形成されている。
【０００７】そして、上記スカベンジャ７の下方には、
上記熱処理炉５内との間て搬出入される被処理体として
の、例えば半導体ウエハ１２を待機させるための待機空
間１３が形成されている。この待機空間１３において
は、石英等からなる保温筒１４上に載置された上記ウエ
ハボート１０が設けられており、このウエハボート１０
内に所定のピッチでもって多数の上記半導体ウエハ１２
が積層されている。上記保温筒１４は、図示しない駆動
手段により回転自在になされたターンテーブル１５上に
固定されると共に、このターンテーブル１５の下部に
は、上記熱処理炉５の貫通孔１１を密閉する円盤状のキ
ャップ部１６が設けられている。上記保温筒１４、ター
ンテーブル１５、キャップ部１６等は一体的に形成され
ており、この全体は、熱処理装置１の下部の一側に設け
たボートエレベータ１７の２本のアーム部１８に取り付
けられている。このボートエレベータ１７は、上下方向
に延在され、図示しないステッピングモータ等により回
転駆動されるガイド軸１９を有しており、このガイド軸
１９を回転させてボールネジ内蔵のアーム１８を昇降さ
せることにより、上記ウエハボート１０等を一体的に昇
降するように構成されている。一方、上記ボートエレベ
ータ１７の下部の後壁、すなわち熱処理装置１の正面よ
り見て、右下の奥の筐体後壁に、前記待機空間に流すた
めの清浄気体を導入するための清浄気体導入口２０が設
けられると共に、この導入口２０には装置内へ清浄気体
を強制的に送り込むための気体供給手段、例えば送風フ
ァン２１が取り付けられている。この送風ファン２１の
近傍には、供給気体の流量を調整するための流量調整用
ダンパ（図示せず）が設けられている。そして、上記導
入された清浄気体を筐体２の底部の他側へ送るために、
装置内の下部には、筐体底板５２より所定間隔だけ離間
させて、例えば鉄板等よりなる底部区画壁２２が設けら
れており、この底部区画壁２２と上記筐体底板５２との
間に送風通路２３を形成している。特に、本実施例にお
いては、待機空間１３を通過した清浄気体がボートエレ
ベータ１７の位置する空間を経て上記送付通路２３に循
環して流入することを防止するために底部区画壁２２を
ボートエレベータ１７の位置する筐体側壁まて延在さ
せ、ボートエレベータ１７側の空間と送風通路２３との
間を遮断することが望ましい。そして、筐体２の正面よ
り見て左側の底部には、送られてきた上記清浄気体を上
方へ吹き上げるための、例えば１基のファンユニット２
４が取り付けられている。そして、このファンユニット
２４の上方には、前記待機空間１３へ臨ませてパンチン
グメタル２９が設けられると共に、このメタル２９に、
例えばＨＥＰＡ（Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐ
ａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ａｉｒ）フィルタ等よりなる塵
埃除去用フィルタ２５が設けられており、このフィルタ
２５よりほぼ水平方向に流れる清浄気体流を上記待機空
間１３に形成しうるようになっている。上記フィルタ２
５の幅は、上記ウエハボート１０の幅と同じ位に設定さ
れており、また、上記パンチングメタル２９のパンチ
は、上記フィルタ２５が取り付けられる部分のみに形成
されている。
上記熱処理炉５内との間て搬出入される被処理体として
の、例えば半導体ウエハ１２を待機させるための待機空
間１３が形成されている。この待機空間１３において
は、石英等からなる保温筒１４上に載置された上記ウエ
ハボート１０が設けられており、このウエハボート１０
内に所定のピッチでもって多数の上記半導体ウエハ１２
が積層されている。上記保温筒１４は、図示しない駆動
手段により回転自在になされたターンテーブル１５上に
固定されると共に、このターンテーブル１５の下部に
は、上記熱処理炉５の貫通孔１１を密閉する円盤状のキ
ャップ部１６が設けられている。上記保温筒１４、ター
ンテーブル１５、キャップ部１６等は一体的に形成され
ており、この全体は、熱処理装置１の下部の一側に設け
たボートエレベータ１７の２本のアーム部１８に取り付
けられている。このボートエレベータ１７は、上下方向
に延在され、図示しないステッピングモータ等により回
転駆動されるガイド軸１９を有しており、このガイド軸
１９を回転させてボールネジ内蔵のアーム１８を昇降さ
せることにより、上記ウエハボート１０等を一体的に昇
降するように構成されている。一方、上記ボートエレベ
ータ１７の下部の後壁、すなわち熱処理装置１の正面よ
り見て、右下の奥の筐体後壁に、前記待機空間に流すた
めの清浄気体を導入するための清浄気体導入口２０が設
けられると共に、この導入口２０には装置内へ清浄気体
を強制的に送り込むための気体供給手段、例えば送風フ
ァン２１が取り付けられている。この送風ファン２１の
近傍には、供給気体の流量を調整するための流量調整用
ダンパ（図示せず）が設けられている。そして、上記導
入された清浄気体を筐体２の底部の他側へ送るために、
装置内の下部には、筐体底板５２より所定間隔だけ離間
させて、例えば鉄板等よりなる底部区画壁２２が設けら
れており、この底部区画壁２２と上記筐体底板５２との
間に送風通路２３を形成している。特に、本実施例にお
いては、待機空間１３を通過した清浄気体がボートエレ
ベータ１７の位置する空間を経て上記送付通路２３に循
環して流入することを防止するために底部区画壁２２を
ボートエレベータ１７の位置する筐体側壁まて延在さ
せ、ボートエレベータ１７側の空間と送風通路２３との
間を遮断することが望ましい。そして、筐体２の正面よ
り見て左側の底部には、送られてきた上記清浄気体を上
方へ吹き上げるための、例えば１基のファンユニット２
４が取り付けられている。そして、このファンユニット
２４の上方には、前記待機空間１３へ臨ませてパンチン
グメタル２９が設けられると共に、このメタル２９に、
例えばＨＥＰＡ（Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐ
ａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ａｉｒ）フィルタ等よりなる塵
埃除去用フィルタ２５が設けられており、このフィルタ
２５よりほぼ水平方向に流れる清浄気体流を上記待機空
間１３に形成しうるようになっている。上記フィルタ２
５の幅は、上記ウエハボート１０の幅と同じ位に設定さ
れており、また、上記パンチングメタル２９のパンチ
は、上記フィルタ２５が取り付けられる部分のみに形成
されている。
【０００８】一方、上記フィルタ２５の対向面には、前
記ボートエレベータ１７を覆うための、例えばステンレ
ススチール等よりなるエレベータカバー３０が設けられ
ている。このエレベータ３０には、上記ボートエレベー
タ１７の２本のアーム部１８を挿通するための２つの間
隙３２が筐体２の上下方向に沿って形成されている。そ
して、このエレベータカバー３０及びこの上方には、上
記待機空間を通過した清浄気体を集めてこれを上記天井
部８の方へ案内するための清浄気体排気通路３１が形成
されている。具体的には、図４に示す如くこの清浄気体
排気通路３１は、上記エレベータカバー３０のほぼ中央
部の待機空間１３側に、例えばステンレススチール等よ
りなる断面ほぼＵ字状の溝状部材２６を上下方向に沿っ
て取り付けることにより区画形成される排出路２７をふ
くんでいる。そして、この溝状部材には、上下方向に沿
って延在される２本の導入口２８が形成されており、上
記待機空間１３を流れた清浄気体を、この導入口２８か
ら排出路２７内に取り込むようになっており、清浄化気
体流がボートエレベータ１７の機構部へ流入することを
防止しており、清浄化気体流に例え腐食性ガス成分が含
まれても、上記機構部は腐食されることのないように構
成されている。また、排出路２７の上下端は、ステンレ
ススチール等により閉塞されており、一度取り込んだ気
体を待機空間１３側へ流出させないようになっている。
そして、この排出路２７の上部には、この排出路２７を
区画するエレベータカバー３０を貫通して、第一の清浄
気体排気ダクト３９が接続されると共に、この排気ダク
ト３９の上端は、前記ボートエレベータ１７の上方に設
けた気体収集ボックス３３に接続されている。更に、こ
のボックス３３には筐体２の天井部８に延びる清浄気体
排気ダクト３４が接続されている。そして、筐体２の後
壁の右側上部には、前記待機空間１３を通過した清浄気
体を前記筐体外へ排出するための排気口３５が設けられ
ており、この排気口３５には、上記清浄気体排気ダクト
３４が接続されている。そして、上記排気口３５の内側
には、上記清浄化気体排気ダクト３４の配管コンダクタ
ンスによる気体流通損失を補うように気体排気手段とし
ての排気ファン３６が設けられており、排気を促進する
ようになっている。そして、この排気ファン３６の近傍
には、流量調整用ダンパ（図示せず）が設けられてい
る。
記ボートエレベータ１７を覆うための、例えばステンレ
ススチール等よりなるエレベータカバー３０が設けられ
ている。このエレベータ３０には、上記ボートエレベー
タ１７の２本のアーム部１８を挿通するための２つの間
隙３２が筐体２の上下方向に沿って形成されている。そ
して、このエレベータカバー３０及びこの上方には、上
記待機空間を通過した清浄気体を集めてこれを上記天井
部８の方へ案内するための清浄気体排気通路３１が形成
されている。具体的には、図４に示す如くこの清浄気体
排気通路３１は、上記エレベータカバー３０のほぼ中央
部の待機空間１３側に、例えばステンレススチール等よ
りなる断面ほぼＵ字状の溝状部材２６を上下方向に沿っ
て取り付けることにより区画形成される排出路２７をふ
くんでいる。そして、この溝状部材には、上下方向に沿
って延在される２本の導入口２８が形成されており、上
記待機空間１３を流れた清浄気体を、この導入口２８か
ら排出路２７内に取り込むようになっており、清浄化気
体流がボートエレベータ１７の機構部へ流入することを
防止しており、清浄化気体流に例え腐食性ガス成分が含
まれても、上記機構部は腐食されることのないように構
成されている。また、排出路２７の上下端は、ステンレ
ススチール等により閉塞されており、一度取り込んだ気
体を待機空間１３側へ流出させないようになっている。
そして、この排出路２７の上部には、この排出路２７を
区画するエレベータカバー３０を貫通して、第一の清浄
気体排気ダクト３９が接続されると共に、この排気ダク
ト３９の上端は、前記ボートエレベータ１７の上方に設
けた気体収集ボックス３３に接続されている。更に、こ
のボックス３３には筐体２の天井部８に延びる清浄気体
排気ダクト３４が接続されている。そして、筐体２の後
壁の右側上部には、前記待機空間１３を通過した清浄気
体を前記筐体外へ排出するための排気口３５が設けられ
ており、この排気口３５には、上記清浄気体排気ダクト
３４が接続されている。そして、上記排気口３５の内側
には、上記清浄化気体排気ダクト３４の配管コンダクタ
ンスによる気体流通損失を補うように気体排気手段とし
ての排気ファン３６が設けられており、排気を促進する
ようになっている。そして、この排気ファン３６の近傍
には、流量調整用ダンパ（図示せず）が設けられてい
る。
【０００９】そして、上記排気口３５の外側には、例え
ば除害装置等を含む所定の排気処理系３７へ排気を導く
ための排気処理系ダクト３８が接続されており、排気さ
れる清浄気体をメンテナンスルームへ排出することなく
全て排気処理系３７へ供給するようになっている。一
方、図２にも示すごとく、筐体２の正面の下部には、ウ
エハボート１０を装置内との間で出入するための、ボー
トより一回り大きい開口部５４が形成されており、この
開口部５４は、エアー等にり駆動される図示しないスラ
イドドアにより開閉例えば密閉自在に構成されている。
そして、この装置内の上記開口部５４の近傍には、外部
との間でウエハボート１０を移載するための移載アーム
４０が設けられている。以上のように構成された熱処理
装置１は、複数、図示例のあっては４基並設されてお
り、各熱処理装置１の前には処理すべき或いは処理され
た半導体ウエハを収容したウエハボートを搬送するため
のボート搬送機構４４が設けられている。このボート搬
送機構４１は、熱処理装置１の並び方向に沿って設けら
れた移送レール４２と、このレール４２上をウエハボー
トを載置した状態で或いは載置しない状態で移動するボ
ート載置部４３とにより構成されている。そして、この
移送レール４２の先端には、図示されていないが、例え
ば２５枚の半導体ウエハを収容したウエハキャリアを多
数収容可能なキャリアストッカや上記ウエハキャリア内
の半導体ウエハをウエハボート１０に移載するためのウ
エハ移載機構や、このウエハ移載機構４１との間でウエ
ハボート１０の移載を水平−垂直変換を行いながら実施
するボート移送機構等が設けられている。
ば除害装置等を含む所定の排気処理系３７へ排気を導く
ための排気処理系ダクト３８が接続されており、排気さ
れる清浄気体をメンテナンスルームへ排出することなく
全て排気処理系３７へ供給するようになっている。一
方、図２にも示すごとく、筐体２の正面の下部には、ウ
エハボート１０を装置内との間で出入するための、ボー
トより一回り大きい開口部５４が形成されており、この
開口部５４は、エアー等にり駆動される図示しないスラ
イドドアにより開閉例えば密閉自在に構成されている。
そして、この装置内の上記開口部５４の近傍には、外部
との間でウエハボート１０を移載するための移載アーム
４０が設けられている。以上のように構成された熱処理
装置１は、複数、図示例のあっては４基並設されてお
り、各熱処理装置１の前には処理すべき或いは処理され
た半導体ウエハを収容したウエハボートを搬送するため
のボート搬送機構４４が設けられている。このボート搬
送機構４１は、熱処理装置１の並び方向に沿って設けら
れた移送レール４２と、このレール４２上をウエハボー
トを載置した状態で或いは載置しない状態で移動するボ
ート載置部４３とにより構成されている。そして、この
移送レール４２の先端には、図示されていないが、例え
ば２５枚の半導体ウエハを収容したウエハキャリアを多
数収容可能なキャリアストッカや上記ウエハキャリア内
の半導体ウエハをウエハボート１０に移載するためのウ
エハ移載機構や、このウエハ移載機構４１との間でウエ
ハボート１０の移載を水平−垂直変換を行いながら実施
するボート移送機構等が設けられている。
【００１０】次に、以上のように構成された上記実施例
の動作について説明する。まず、図示しないキャリアス
トッカからウエハ移載機構やボート移送機構等を使用し
て複数の半導体ウエハが収容されると共に、垂直に起立
されたウエハボートを、ボート搬送機構４１のボート載
置部４３に載置し、所定の熱処理装置１の正面まで移動
する。そして、開口部５４を密閉するスライドドアを開
け、移載アーム４０を用いてボート移載部４３上のウエ
ハボート１０をボートエレベータ１７のアーム部１８上
に移載し、移載が完了したらスライドドアを閉めて装置
内を閉状態にする。一方、上記移載に先立って予め、実
施する熱処理に応じて熱処理炉内を所定の温度に設定し
ておくと共に、装置内の各所に設けた送風ファン２１、
ファンユニット２４及び排気ファン３６を駆動してお
く。従って、清浄気体導入口２０から取り入れた清浄気
体（空気）は装置内底部の送風通路２３を通り、ファン
ユニット２４により上方へ吹き上げられた後、塵埃除去
用フィルタ２５を通過して、一側壁のほぼ全域から待機
空間１３内をほぼ水平に流れる。そして、この空間１３
内て待機している半導体ウエハ１２にサイドフローを施
し、塵埃が付着することを防止する。この時の風量乃至
風速は、乱流が発生しない、望ましくは０．２−０．３
ｍ／ｓｅｃに設定し、導入された気体が待機空間１３内
で滞留することが無いような流量とする。待機空間１３
内に乱流が生じないように、送風ファン２１、排気ファ
ン３６及びこれらの近傍に設けた流量調整用ダンパを適
宜調整する。この待機空間１３内を流れた清浄気体は、
半導体ウエハ１０から塵埃等を排除しつつ上記フィルタ
２９の反対側に設けた清浄気体排気通路３１の導入口２
８から排出路２７内へ流入する。この排出路２７内に流
入した気体は、その上部から排出されて第１の清浄気体
排気ダクト３９の中を上方に向けて排出され、気体収集
ボックス３３、第２の清浄気体排気ダクト３４を介して
排気口３５から筐体２外へ排出される。
の動作について説明する。まず、図示しないキャリアス
トッカからウエハ移載機構やボート移送機構等を使用し
て複数の半導体ウエハが収容されると共に、垂直に起立
されたウエハボートを、ボート搬送機構４１のボート載
置部４３に載置し、所定の熱処理装置１の正面まで移動
する。そして、開口部５４を密閉するスライドドアを開
け、移載アーム４０を用いてボート移載部４３上のウエ
ハボート１０をボートエレベータ１７のアーム部１８上
に移載し、移載が完了したらスライドドアを閉めて装置
内を閉状態にする。一方、上記移載に先立って予め、実
施する熱処理に応じて熱処理炉内を所定の温度に設定し
ておくと共に、装置内の各所に設けた送風ファン２１、
ファンユニット２４及び排気ファン３６を駆動してお
く。従って、清浄気体導入口２０から取り入れた清浄気
体（空気）は装置内底部の送風通路２３を通り、ファン
ユニット２４により上方へ吹き上げられた後、塵埃除去
用フィルタ２５を通過して、一側壁のほぼ全域から待機
空間１３内をほぼ水平に流れる。そして、この空間１３
内て待機している半導体ウエハ１２にサイドフローを施
し、塵埃が付着することを防止する。この時の風量乃至
風速は、乱流が発生しない、望ましくは０．２−０．３
ｍ／ｓｅｃに設定し、導入された気体が待機空間１３内
で滞留することが無いような流量とする。待機空間１３
内に乱流が生じないように、送風ファン２１、排気ファ
ン３６及びこれらの近傍に設けた流量調整用ダンパを適
宜調整する。この待機空間１３内を流れた清浄気体は、
半導体ウエハ１０から塵埃等を排除しつつ上記フィルタ
２９の反対側に設けた清浄気体排気通路３１の導入口２
８から排出路２７内へ流入する。この排出路２７内に流
入した気体は、その上部から排出されて第１の清浄気体
排気ダクト３９の中を上方に向けて排出され、気体収集
ボックス３３、第２の清浄気体排気ダクト３４を介して
排気口３５から筐体２外へ排出される。
【００１１】そして、この排気口３５の外側には、排気
処理系ダクト３８が接続されていることから、半導体ウ
エハから排除した塵埃を含む可能性のある清浄気体は、
装置周辺部のメンテナンスルームへ排出されることなく
全て工場等の排気処理系３７へ供給される。ここで上記
排気処理系３７からは、上記排気処理系ダクト３８に対
して吸引がなされており、気体の排出を促進している。
一方、待機中の半導体ウエハは、所定の準備が完了する
と、ボートエレベータ１７を上昇させてウエハボート１
０を熱処理炉５内にロードすることにより炉内に収容
し、その下端部をキャップ部１６で密閉する。そして、
半導体ウエハ１２に所定時間、所定温度、所定雰囲気、
例えばＰＯＣｌ3等の腐食性の高い処理ガスで所望の熱
処理を施す。ここで、ＰＯＣｌ3は、以下のように反応
し、五酸化リンが発生する。 ＰＯＣｌ3＋３／４Ｏ2→１／２Ｐ2Ｏ5＋３／２Ｃｌ2 この熱処理期間中も、上記流量の清浄気体を流すと共
に、スカベンジャ７を駆動し、熱処理炉口からの熱を排
出する。この熱処理が終了すると、熱処理炉５内のガス
を排出すると共に窒素ガスなどの不活性ガスを充填して
再度排出する操作を複数回繰り返し、残留有害ガスを十
分に排除する。その後、前記手順と逆の手順で処理済の
半導体ウエハを熱処理炉５からアンロードし、前記した
清浄気体のサイドフローを施しつつこのウエハの温度が
２００℃程度に降下するまで待機空間１３内で放熱させ
つつ待機させる。そして、熱処理炉口から排出される炉
内に残留した処理ガスと高温気体はスカベンジャ７によ
り吸引されて排出される。また、処理済の半導体ウエハ
１２の表面からは温度２００℃位まで処理ガス、例えば
ＰＯＣｌ3、Ｐ2Ｏ5を放出するが、この処理ガスの一部
及びウエハ１２の残留熱はスカベンジャ７により吸引さ
れて、熱排気ダクト９を介して筐体２外へ排出され、有
害ガスは除害装置にて処理される。そして、待機空間内
のパーティクル及び上記スカベンジャ７によっても排出
できない残留処理ガスは上記した清浄気体のサイドフロ
ーによって直ちに清浄気体排気通路３１内へと排出さ
れ、そして、排気口３５から排気処理系ダクト３８を介
して排気処理系３７へ直接供給され、ここの除害装置に
て処理されることになる。このように、待機空間１３を
一度通過した清浄気体は、装置内に滞留ないし再循環す
ることなく更にはメンテナンスルームへ排出されること
もなく、別の排気処理系３７へ向けて直ちに排出され、
この別の排気処理系３７にて処理されるので、強い腐食
性を有す五酸化リン等が装置内金属類に付着する可能性
を大幅に減少させることができ、歩留り低下の起因とな
る装置類の腐食を防止することができるのみならず、メ
ンテナンスルームやクリーンルームの雰囲気の清浄度を
維持でき、半導体デバイスの歩留りを向上させることが
できる。
処理系ダクト３８が接続されていることから、半導体ウ
エハから排除した塵埃を含む可能性のある清浄気体は、
装置周辺部のメンテナンスルームへ排出されることなく
全て工場等の排気処理系３７へ供給される。ここで上記
排気処理系３７からは、上記排気処理系ダクト３８に対
して吸引がなされており、気体の排出を促進している。
一方、待機中の半導体ウエハは、所定の準備が完了する
と、ボートエレベータ１７を上昇させてウエハボート１
０を熱処理炉５内にロードすることにより炉内に収容
し、その下端部をキャップ部１６で密閉する。そして、
半導体ウエハ１２に所定時間、所定温度、所定雰囲気、
例えばＰＯＣｌ3等の腐食性の高い処理ガスで所望の熱
処理を施す。ここで、ＰＯＣｌ3は、以下のように反応
し、五酸化リンが発生する。 ＰＯＣｌ3＋３／４Ｏ2→１／２Ｐ2Ｏ5＋３／２Ｃｌ2 この熱処理期間中も、上記流量の清浄気体を流すと共
に、スカベンジャ７を駆動し、熱処理炉口からの熱を排
出する。この熱処理が終了すると、熱処理炉５内のガス
を排出すると共に窒素ガスなどの不活性ガスを充填して
再度排出する操作を複数回繰り返し、残留有害ガスを十
分に排除する。その後、前記手順と逆の手順で処理済の
半導体ウエハを熱処理炉５からアンロードし、前記した
清浄気体のサイドフローを施しつつこのウエハの温度が
２００℃程度に降下するまで待機空間１３内で放熱させ
つつ待機させる。そして、熱処理炉口から排出される炉
内に残留した処理ガスと高温気体はスカベンジャ７によ
り吸引されて排出される。また、処理済の半導体ウエハ
１２の表面からは温度２００℃位まで処理ガス、例えば
ＰＯＣｌ3、Ｐ2Ｏ5を放出するが、この処理ガスの一部
及びウエハ１２の残留熱はスカベンジャ７により吸引さ
れて、熱排気ダクト９を介して筐体２外へ排出され、有
害ガスは除害装置にて処理される。そして、待機空間内
のパーティクル及び上記スカベンジャ７によっても排出
できない残留処理ガスは上記した清浄気体のサイドフロ
ーによって直ちに清浄気体排気通路３１内へと排出さ
れ、そして、排気口３５から排気処理系ダクト３８を介
して排気処理系３７へ直接供給され、ここの除害装置に
て処理されることになる。このように、待機空間１３を
一度通過した清浄気体は、装置内に滞留ないし再循環す
ることなく更にはメンテナンスルームへ排出されること
もなく、別の排気処理系３７へ向けて直ちに排出され、
この別の排気処理系３７にて処理されるので、強い腐食
性を有す五酸化リン等が装置内金属類に付着する可能性
を大幅に減少させることができ、歩留り低下の起因とな
る装置類の腐食を防止することができるのみならず、メ
ンテナンスルームやクリーンルームの雰囲気の清浄度を
維持でき、半導体デバイスの歩留りを向上させることが
できる。
【００１２】そして、処理済の半導体ウエハ１２の温度
が約２００℃以下になったならば、スライドドアを開け
て、前記の手順と逆の手順でウエハボート１０をボート
搬送機構４１のボート載置部４３に移載し、搬送する。
そして、前記と同様な手順でもって未処理の半導体ウエ
ハをウエハボート１０に載置して熱処理装置１側へ搬送
し、上記操作を繰り返して同様な操作を行なう。
が約２００℃以下になったならば、スライドドアを開け
て、前記の手順と逆の手順でウエハボート１０をボート
搬送機構４１のボート載置部４３に移載し、搬送する。
そして、前記と同様な手順でもって未処理の半導体ウエ
ハをウエハボート１０に載置して熱処理装置１側へ搬送
し、上記操作を繰り返して同様な操作を行なう。
【００１３】このように、本実施例においては、熱処理
時、非熱処理時を問わず、待機空間１３内に清浄気体を
通過させて、通過した清浄気体をメンテナンスルームヘ
排出することなくこれを全て排気処理系３７へ直ちに供
給するようにしたので、メンテナンスルーム及びクリー
ンルームの雰囲気の清浄度を維持することができ、従っ
て、半導体ウエハにパーティクル等の塵埃が付着する確
率を確実に低下させることができ、歩留まりを向上させ
ることができる。上記実施例の結果、８インチ半導体ウ
エハにて０．２ｍｍ以上のパーティクルを３１個以内に
押さえることができた。また、放熱待機中に処理済み半
導体ウエハから発生する残留有害ガスなどの処理ガス
も、メンテナンスルームへ排出することなく排気処理系
３７で処理することとしたので、安全性を向上させるこ
とができ、オペレータ等の健康を損なうことがない。更
に、半導体ウエハから発生するガスが腐食性ガスであっ
ても、前述の如くこのガスを直ちに排除できるので、装
置内及び周辺装置の腐食を防止でき、さび等のパーティ
クルに起因する歩留まりの低下を阻止できる。尚、上記
実施例にあっては、半導体ウエハをウエハボートに積層
させた状態で、このウエハボート１０を熱処理装置１と
ボート搬送機構４１との間で移載するバッチ方式につい
て説明したが、これに限定されず、他の密閉型の装置、
例えば複数枚の半導体ウエハを収容できるウエハカセッ
トを複数個装置内に取込み、この装置内でウエハカセッ
トとウエハボート間において半導体ウエハを自動的に移
載するするようになした装置にも適用できるのは勿論で
ある。また、上記実施例にあっては、エレベータカバー
３０の外側に溝状部材２６を設けて清浄気体排気通路３
１を形成したが、これに限らず、例えば図５に示す如く
エレベータカバー３０の内側に断面Ｌ字状の溝状部材５
０を取り付けて清浄気体排気通路を構成するようにして
もよい。この場合には、エレベータカバー３０にスリッ
ト状の導入口２８を形成する。
時、非熱処理時を問わず、待機空間１３内に清浄気体を
通過させて、通過した清浄気体をメンテナンスルームヘ
排出することなくこれを全て排気処理系３７へ直ちに供
給するようにしたので、メンテナンスルーム及びクリー
ンルームの雰囲気の清浄度を維持することができ、従っ
て、半導体ウエハにパーティクル等の塵埃が付着する確
率を確実に低下させることができ、歩留まりを向上させ
ることができる。上記実施例の結果、８インチ半導体ウ
エハにて０．２ｍｍ以上のパーティクルを３１個以内に
押さえることができた。また、放熱待機中に処理済み半
導体ウエハから発生する残留有害ガスなどの処理ガス
も、メンテナンスルームへ排出することなく排気処理系
３７で処理することとしたので、安全性を向上させるこ
とができ、オペレータ等の健康を損なうことがない。更
に、半導体ウエハから発生するガスが腐食性ガスであっ
ても、前述の如くこのガスを直ちに排除できるので、装
置内及び周辺装置の腐食を防止でき、さび等のパーティ
クルに起因する歩留まりの低下を阻止できる。尚、上記
実施例にあっては、半導体ウエハをウエハボートに積層
させた状態で、このウエハボート１０を熱処理装置１と
ボート搬送機構４１との間で移載するバッチ方式につい
て説明したが、これに限定されず、他の密閉型の装置、
例えば複数枚の半導体ウエハを収容できるウエハカセッ
トを複数個装置内に取込み、この装置内でウエハカセッ
トとウエハボート間において半導体ウエハを自動的に移
載するするようになした装置にも適用できるのは勿論で
ある。また、上記実施例にあっては、エレベータカバー
３０の外側に溝状部材２６を設けて清浄気体排気通路３
１を形成したが、これに限らず、例えば図５に示す如く
エレベータカバー３０の内側に断面Ｌ字状の溝状部材５
０を取り付けて清浄気体排気通路を構成するようにして
もよい。この場合には、エレベータカバー３０にスリッ
ト状の導入口２８を形成する。
【００１４】
【発明の効果】以上要するに、本発明によれば、例えば
放熱待機中の処理済み被処理体から発生する残留有害ガ
スなどをメンテナンスルームやクリーンルームへ排出す
ることがないので、メンテナンスルーム及びクリーンル
ームの雰囲気の清浄度を維持でき、しかも待機空間中を
流れるサイドフローにより半導体ウエハに塵埃等が付着
するのを防止することができ、半導体デバイスの歩留ま
りを向上させることができる。また、放熱待機中の半導
体ウエハからの残留有害ガスを確実に排除できるので、
オペレータに対する安全性を向上させることができる。
更には、腐食に起因するパーティクルの発生を抑制する
ことができるので、この点よりも半導体デバイスの歩留
りを向上させることができる。また、排気ファンを設け
ることにより、配管コンダクタンスによる気体流通損失
を補うことができる。 また、送風ファンや排気ファンの
近傍に流量調整用ダンパを設けることにより、清浄気体
を最適な流量に調整することができる。 更に、ボートエ
レベータをエレベータカバーにより覆うことにより、ボ
ートエレベータが例えば腐食性ガスにより腐食されるこ
とを防止することができる。 また、清浄気体のサイドフ
ローを０．２−０．３ｍ／ｓｅｃに設定することによ
り、この乱流の発生を防止することができる。
放熱待機中の処理済み被処理体から発生する残留有害ガ
スなどをメンテナンスルームやクリーンルームへ排出す
ることがないので、メンテナンスルーム及びクリーンル
ームの雰囲気の清浄度を維持でき、しかも待機空間中を
流れるサイドフローにより半導体ウエハに塵埃等が付着
するのを防止することができ、半導体デバイスの歩留ま
りを向上させることができる。また、放熱待機中の半導
体ウエハからの残留有害ガスを確実に排除できるので、
オペレータに対する安全性を向上させることができる。
更には、腐食に起因するパーティクルの発生を抑制する
ことができるので、この点よりも半導体デバイスの歩留
りを向上させることができる。また、排気ファンを設け
ることにより、配管コンダクタンスによる気体流通損失
を補うことができる。 また、送風ファンや排気ファンの
近傍に流量調整用ダンパを設けることにより、清浄気体
を最適な流量に調整することができる。 更に、ボートエ
レベータをエレベータカバーにより覆うことにより、ボ
ートエレベータが例えば腐食性ガスにより腐食されるこ
とを防止することができる。 また、清浄気体のサイドフ
ローを０．２−０．３ｍ／ｓｅｃに設定することによ
り、この乱流の発生を防止することができる。
【図１】本発明の縦型熱処理装置の一実施例を示す構成
図である。
図である。
【図２】図１に示す縦型熱処理装置の設置状態を示す配
置図である。
置図である。
【図３】図１に示す縦型熱処理装置の概略縦断面図であ
る。
る。
【図４】図３中のＩＶ−ＩＶ線矢視断面図である。
【図５】本発明の縦型熱処理装置の清浄気体排気通路の
変形例を示す図である。
変形例を示す図である。
１ 縦型熱処理装置 ２ 筐体 ５ 熱処理炉 １０ ウエハボート １２ 半導体ウエハ（被処理体） １３ 待機空間 １７ ボートエレベータ ２０ 清浄気体導入口 ２１ 送風ファン ２３ 送風通路 ２５ 塵埃除去用フィルタ ２６ 溝状部材 ２７ 排出路 ２８ 導入口 ３１ 清浄気体排気通路 ３５ 排気口 ３７ 排気処理系 ３９ 開口部
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/22 - 21/24 H01L 21/31 H01L 21/365 H01L 21/38 - 21/40 H01L 21/469 H01L 21/86
Claims (8)
- 【請求項１】 前面に被処理体を搬出入するための開口
部を有すと共に、開閉自在になされた筐体と、該筐体内
に設けられ、前記被処理体を熱処理するための縦型の熱
処理炉と、該熱処理炉の下方に設けられ、上記熱処理炉
内との間で搬出入される前記被処理体を待機させるため
の待機空間を有す縦型熱処理装置において、前記待機空
間に流すための清浄気体を導入するための清浄気体導入
口と、この清浄気体導入口に清浄気体を強制的に取り込
むための送風ファンと、前記待機空間の一側に設けられ
て、前記清浄気体導入口から導入された前記清浄気体を
清浄化する塵埃除去用フィルタと、前記塵埃除去用フィ
ルタの対向面に設けられて、前記待機空間の上下方向に
沿って延びる導入口を有する排出路と、前記待機空間を
通過して前記導入口を介して前記排出路に取り込んだ清
浄気体を前記筐体の外へ排出するための排気口へ供給す
るための清浄気体排気通路とを備え、前記排気口から排
出される気体を、所定の排気処理系へ供給するようにし
たことを特徴とする縦型熱処理装置。 - 【請求項２】 前記排気口の近傍には、前記清浄気体排
気通路での配管コンダクタンスによる気体流通損失を補
うための排気ファンが設けられていることを特徴とする
請求項１記載の縦型熱処理装置。 - 【請求項３】 前記清浄気体導入口と前記塵埃除去用フ
ィルタとの間は、前記待機空間の底部を区画する底部区
画壁と前記筐体の底板とにより区画された送風通路によ
り連通されていることを特徴とする請求項１または２記
載の縦型熱処理装置。 - 【請求項４】 前記送風ファンの近傍には、供給気体の
流量を調整するための流量調整用ダンパが設けられてい
ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の
縦型熱処理装置。 - 【請求項５】 前記排気ファンの近傍には、排気流量を
調整するための流量調整用ダンパが設けられていること
を特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の縦型熱
処理装置。 - 【請求項６】 前記送風通路の端部には、送られてきた
清浄気体を前記塵埃除去用フィルタの側面側へ吹き上げ
るためのファンユニットが設けられていることを 特徴と
する請求項３乃至５のいずれかに記載の縦型熱処理装
置。 - 【請求項７】 前記塵埃除去用フィルタの対向面側に
は、前記被処理体を保持するウエハボートを昇降させる
ボートエレベータが設けられると共に、このボートエレ
ベータの前面には、前記ボートエレベータのアーム部の
上下移動を許容する間隙が形成されたエレベータカバー
が覆うように設けられていることを特徴とする請求項１
乃至６のいずれかに記載の縦型熱処理装置。 - 【請求項８】 前記待機空間を流れる清浄気体のサイド
フローは、乱流が発生しないように０．２−０．３ｍ／
ｓｅｃに設定されることを特徴とする請求項１乃至７の
いずれかに記載の縦型熱処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03103693A JP3108459B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 縦型熱処理装置 |
| US07/831,940 US5207578A (en) | 1991-02-26 | 1992-02-06 | Heat processing apparatus of vertical type |
| KR1019920003007A KR0184676B1 (ko) | 1991-02-26 | 1992-02-26 | 종형 열처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03103693A JP3108459B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 縦型熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04269824A JPH04269824A (ja) | 1992-09-25 |
| JP3108459B2 true JP3108459B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=14360865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03103693A Expired - Lifetime JP3108459B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5207578A (ja) |
| JP (1) | JP3108459B2 (ja) |
| KR (1) | KR0184676B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPH05217929A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 酸化拡散処理装置 |
| JPH05218176A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 熱処理方法及び被処理体の移載方法 |
| US5407350A (en) * | 1992-02-13 | 1995-04-18 | Tokyo Electron Limited | Heat-treatment apparatus |
| DE4207341C1 (ja) * | 1992-03-09 | 1993-07-15 | Acr Automation In Cleanroom Gmbh, 7732 Niedereschach, De | |
| US5378145A (en) * | 1992-07-15 | 1995-01-03 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Treatment system and treatment apparatus |
| TW273574B (ja) * | 1993-12-10 | 1996-04-01 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JP3982844B2 (ja) * | 1995-01-12 | 2007-09-26 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
| US6193506B1 (en) * | 1995-05-24 | 2001-02-27 | Brooks Automation, Inc. | Apparatus and method for batch thermal conditioning of substrates |
| US5716207A (en) * | 1995-07-26 | 1998-02-10 | Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. | Heating furnace |
| US5695331A (en) * | 1996-01-18 | 1997-12-09 | Btu International | Multiple width boat carrier for vertical ovens |
| ATE310455T1 (de) | 1997-01-22 | 2005-12-15 | Synthes Ag | Vorrichtung zur verbindung eines langsträgers mit einer pedikelschraube |
| US6252202B1 (en) | 1998-02-10 | 2001-06-26 | Jeneric/Pentron, Inc. | Furnace for heat treatment of dental materials |
| JP4578615B2 (ja) | 1999-07-21 | 2010-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| KR100510111B1 (ko) * | 2002-11-01 | 2005-08-26 | (주) 윈테크 | 종형 열처리 장치의 청정기체 공급 장치 |
| JP4358077B2 (ja) | 2004-09-21 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP5224679B2 (ja) * | 2006-11-01 | 2013-07-03 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法 |
| JP5796972B2 (ja) * | 2010-06-14 | 2015-10-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| JP5806811B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2015-11-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
| US8246751B2 (en) | 2010-10-01 | 2012-08-21 | General Electric Company | Pulsed detonation cleaning systems and methods |
| US10344396B2 (en) * | 2015-02-05 | 2019-07-09 | Dow Silicones Corporation | Furnace for seeded sublimation of wide band gap crystals |
| TWI635559B (zh) * | 2017-07-25 | 2018-09-11 | 春田科技顧問股份有限公司 | 裝載埠的吹淨裝置及其吹淨方法 |
| KR20210083411A (ko) * | 2019-12-26 | 2021-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유리 기판 화학 강화로 장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4610628A (en) * | 1983-12-28 | 1986-09-09 | Denkoh Co., Ltd. | Vertical furnace for heat-treating semiconductor |
| JPH0797563B2 (ja) * | 1985-08-12 | 1995-10-18 | 株式会社日立製作所 | 熱処理装置 |
| KR960001161B1 (ko) * | 1987-09-29 | 1996-01-19 | 도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼가이샤 | 열처리장치 |
| KR970008320B1 (ko) * | 1987-11-17 | 1997-05-23 | 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 | 열처리 장치 |
| US4981436A (en) * | 1988-08-08 | 1991-01-01 | Tel Sagami Limited | Vertical type heat-treatment apparatus |
-
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- 1991-02-26 JP JP03103693A patent/JP3108459B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-06 US US07/831,940 patent/US5207578A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-26 KR KR1019920003007A patent/KR0184676B1/ko not_active IP Right Cessation
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| US5207578A (en) | 1993-05-04 |
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