CN116581054A - 基板处理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 156
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims abstract description 72
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 37
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 24
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- -1 SUS304 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
提供一种能够将具有多个批量处理部的基板处理装置的设置面积设定为较小,并且能够容易地实施批量处理部的维护的技术。本发明的一个方式的基板处理装置包括:运入运出部,其具有供容纳有基板的容器被运入运出的第一侧面、以及与上述第一侧面相反侧的第二侧面;基板输送部,其沿与上述第二侧面正交的第一水平方向延伸;以及多个批量处理部,其沿上述基板输送部的长度方向相邻,上述多个批量处理部分别具有:处理容器,其容纳多个上述基板而进行处理;气体供给单元,其向上述处理容器内供给气体;以排气单元,其对上述处理容器内的气体进行排气,在上述排气单元的上方,设置用于进行上述多个批量处理部的维护的第一维护区域。
Description
技术领域
本发明涉及基板处理装置。
背景技术
公知有在对多片基板一并进行处理的立式热处理装置中,对于一个装载机模块设置多个工艺模块的构成(例如,参照专利文献1)。
<现有技术文献>
<专利文献>
专利文献1:日本国特开2020-113746号公报
发明内容
<本发明要解决的问题>
本发明提供给一种能够将具有多个批量处理部的基板处理装置的设置面积设定为较小,并且能够容易地实施批量处理部的维护的技术。
<用于解决问题的方法>
本发明的一个方式的基板处理装置包括:运入运出部,其具有供容纳有基板的容器被运入运出的第一侧面、以及与上述第一侧面相反侧的第二侧面;基板输送部,其沿与上述第二侧面正交的第一水平方向延伸;以及多个批量处理部,其沿上述基板输送部的长度方向相邻,上述多个批量处理部分别具有:处理容器,其容纳多个上述基板而进行处理;气体供给单元,其向上述处理容器内供给气体;以及排气单元,其对上述处理容器内的气体进行排气,在上述排气单元的上方,设置用于进行上述多个批量处理部的维护的第一维护区域。
<发明的效果>
根据本发明,能够将具有多个批量处理部的基板处理装置的设置面积设定为较小,并且能够容易地实施批量处理部的维护。
附图说明
图1是示出实施方式的基板处理装置的立体图(1)。
图2是示出实施方式的基板处理装置的立体图(2)。
图3是示出实施方式的基板处理装置的立体图(3)。
图4是示出运入运出部的概略图(1)。
图5是示出运入运出部的概略图(2)。
图6是示出运入运出部的概略图(3)。
图7是示出运入运出部的概略图(4)。
图8是示出运入运出部的概略图(5)。
图9是示出基板输送部以及批量处理部的概略图。
图10是示出实施方式的变形例的基板处理装置的立体图(1)。
图11是示出实施方式的变形例的基板处理装置的立体图(2)。
图12是安装于排气单元的栅栏的分解立体图。
图13是示出安装于排气单元的栅栏的立体图。
图14是示出加热器交换方法的一个例子的立体图(1)。
图15是示出加热器交换方法的一个例子的立体图(2)。
图16是示出加热器交换方法的一个例子的立体图(3)。
图17是示出加热器交换方法的一个例子的立体图(4)。
图18是示出多个基板处理装置相邻配置的方式的立体图。
图19是示出多个基板处理装置相邻配置的方式的第一变形例的立体图。
图20是示出多个基板处理装置相邻配置的方式的第二变形例的立体图。
图21是示出多个基板处理装置相邻配置的方式的第三变形例的立体图。
具体实施方式
以下,一边参照附图,一边对本发明的非限定的示例的实施方式进行说明。在全部的附图中,对于相同或对应的部件或零件,赋予相同或对应的参照附图标记,省略重复的说明。在本说明书中,X轴方向、Y轴方向、Z轴方向是彼此垂直的方向。X轴方向以及Y轴方向是水平方向,Z轴方向是铅直方向。
〔基板处理装置〕
参照图1~图9,对于实施方式的基板处理装置1进行说明。图1~图3是示出实施方式的基板处理装置1的立体图,是分别从不同方向观察基板处理装置1时的图。图4~图8是示出运入运出部2的概略图,是自上方观察运入运出部2的内部的图。在图5~图7中,用点划线示出运入运出部2的各部分移动前的位置。图9是示出基板输送部3以及批量处理部4的概略图,是自后方观察基板输送部3以及批量处理部4的内部观察时的图。在图9中,省略了脚手架5的图示。
基板处理装置1包括运入运出部2、基板输送部3、多个批量处理部4、以及脚手架5。
运入运出部2具有供盒C被运入运出的前表面2a、以及与前表面2a相反侧的后表面2b。前表面2a位于运入运出部2的Y轴方向负侧。后表面2b位于运入运出部2的Y轴方向正侧。盒C是容纳多片(例如25片)基板W的容器。盒C例如是FOUP(Front-Opening Unified Pod)。基板W例如是半导体晶圆。运入运出部2的内部例如处于大气氛围下。
运入运出部2具有装载口21、装载机22、保管架23、盒输送装置24、以及通路形成部25。
装载口21设于运入运出部2的X轴方向正侧且Y轴方向负侧。装载口21沿X轴方向设置两个。盒C载置于装载口21。盒C相对于装载口21被运入运出。装载口21可以在铅直方向(Z轴方向)设有多级。装载口21的数量不特别限定。
装载机22设于运入运出部2的X轴方向正侧且Y轴方向正侧。装载机22沿X轴方向设置。装载机22与基板输送部3相邻。盒C被配置于装载机22。于装载机22设置用于进行盒C的盖体的开闭的未图示的盖体开闭机构。装载机22可以在Z轴方向设置多级。装载机22的数量不特别限定。
在运入运出部2中设置多个保管架23。保管架23临时保管容纳有处理前的基板W的盒C、以及基板W被取出而内部变空的盒C等。保管架23例如构成为能够通过铰链弹起。保管架23可以在Z轴方向设置多级。保管架23可以设于装载机22的上方、下方。保管架23的数量不特别限定。
盒输送装置24在装载口21、装载机22、保管架23之间输送盒C。盒输送装置24的数量不特别限定。
通路形成部25贯通运入运出部2而形成连通前表面2a和后表面2b的通路P。通路P与后述下部维护区域B1相连。通过形成通路P,作业人员能够自运入运出部2的前表面2a侧进入、退出下部维护区域B1。通路P在实施批量处理部4的维护的情况等下,根据需要形成。
通路形成部25具有装卸门251a、251b、前表面门252、后表面门253、以及托架254a~254d。
装卸门251a、251b以装卸自如的方式安装于运入运出部2的前表面2a侧。装卸门251a、251b在形成通路P时被取下,其以形成通路P的壁面的方式设置。
前表面门252设于运入运出部2的X轴方向负侧且Y轴方向负侧。前表面门252以位于X轴方向正侧且在Z轴方向延伸的旋转轴为旋转中心而旋转自如。前表面门252在形成通路P时向右旋转而形成通路P的壁面。在前表面门252中,设有用于使保管架23弹起的未图示的小窗。
后表面门253设于运入运出部2的X轴方向负侧且Y轴方向正侧。后表面门253将位于X轴方向负侧且在Z轴方向延伸的旋转轴作为旋转中心而旋转自如。后表面门253在形成通路P时向右旋转而形成通路P的壁面。
托架254a、254b以自前表面门252向Y轴方向正侧延伸的方式设置。托架254a、254b分别支承保管架23。托架254a、254b安装于前表面门252。托架254a、254b以位于Y轴方向负侧且在Z轴方向延伸的旋转轴为旋转中心而旋转自如。托架254a、254b在形成通路P时向前表面门252侧旋转而被固定。
托架254c、254d以自后表面门253向Y轴方向负侧延伸的方式设置。托架254c、254d分别支承保管架23。托架254c、254d安装于后表面门253。托架254c、254d以位于Y轴方向正侧且在Z轴方向延伸的旋转轴为旋转中心而旋转自如。托架254c、254d在形成通路P时向后表面门253侧旋转而被固定。
在形成通路P的情况下,首先如图5所示,作业人员取下装卸门251a、251b。接下来,作业人员通过前表面门252的小窗使位于前表面2a侧的保管架23弹起。接下来,如图6所示,作业人员通过前表面门252的小窗使托架254a、254b向前表面门252侧旋转而固定于前表面门252。接下来,如图7所示,作业人员使前表面门252向右旋转而使前表面门252向运入运出部2的内侧开放。接下来,作业人员使位于后表面2b侧的保管架23弹起,使托架254c、254d向后表面门253侧旋转而固定于后表面门253,并且使后表面门253向右旋转而使后表面门253向运入运出部2的内侧开放。另外,作业人员将取下的装卸门251a设置于前表面门252的Y轴方向正侧,将取下的装卸门251b设置于后表面门253的Y轴方向负侧。由此,形成将前表面门252、后表面门253以及装卸门252a、252b作为壁面的通路P。
基板输送部3配置于运入运出部2的Y轴方向正侧。基板输送部3沿与运入运出部2的后表面2b正交的第一方向(Y轴方向)延伸。基板输送部3设置于地面F。基板输送部3对于多个批量处理部4共用而设置有一个。即,多个批量处理部4具有共用的基板输送部3。基板输送部3具有基板输送装置31。基板输送装置31在运入运出部2和多个批量处理部4的每一个之间输送基板W。基板输送装置31具有多个拾取器31p。由此,基板输送装置31能够同时输送多片基板W。因此,能够缩短基板W的输送所需要的时间。拾取器31p的数量不特别限定。基板输送部3具有平坦的上表面3a。作业人员能够登上上表面3a。于基板输送部3的上方形成第一上部维护区域A1。第一上部维护区域A1位于装置的高处,是作业人员能够进入、退出的维护区域。作业人员在第一上部维护区域A1中能够容易地实施在前后方向排列的多个批量处理部4的维护。
多个批量处理部4配置于基板输送部3的X轴方向负侧。多个批量处理部4沿基板输送部3的长度方向(Y轴方向)相邻配置。在图示的例子中,四个批量处理部4沿基板输送部3的长度方向相邻配置。各批量处理部4对多片(例如25片~150片)基板W一并进行处理。各批量处理部4的内部被设定为非活性气体氛围、例如氮气氛围。由此,能够抑制批量处理部4中的基板W的氧化。各批量处理部4具有热处理单元41、装载单元42、气体供给单元43、排气单元44、工艺模块控制单元45、强制空气冷却单元46、气体控制单元47、以及底板盒48。
热处理单元41对于多片基板W进行规定的热处理。热处理单元41具有处理容器411和加热器412。
处理容器411容纳基板保持件414。基板保持件414在上下方向具有规定的间隔而将基板W保持为大致水平。基板保持件414例如由石英、碳化硅等的耐热材料形成。于处理容器411设置气体导入口411a以及排气口411b。
气体导入口411a向处理容器411内导入气体。气体导入口411a设于处理容器411的X轴方向负侧。优选气体导入口411a所设置的位置在多个批量处理部4间相同。由此,能够使气体供给单元43与气体导入口411a之间的配管长度在多个批量处理部4之间一致,并且能够使机械误差所导致的处理的偏差较小。
排气口411b对处理容器411内的气体进行排气。排气口411b设于处理容器411的X轴方向负侧。即,排气口411b设于与气体导入口411a相同侧。优选排气口411b所设置的位置在多个批量处理部4间相同。由此,能够在多个批量处理部4间使排气电导一致,并且能够使机械误差所导致的处理的偏差较小。
加热器412例如具有圆筒形状,其设于处理容器411的周围。加热器412可以为与圆筒形状不同的形状。加热器412对容纳于处理容器411内的基板W进行加热。在处理容器411的下方设置遮板415。遮板415构成为在封闭处理容器411的下端的开口的位置和不封闭的位置之间水平移动。遮板415在基板保持件414自处理容器411内被运出至下一个基板保持件414被运入之间,封闭处理容器411的下端的开口。
装载单元42设于热处理单元41的下方。装载单元42通过底板盒48设置于地面F。需要说明的是,底板盒48可以是纳入装载单元42而一体化的构成。装载单元42在与基板输送部3之间交接容纳于处理容器411的基板W。在装载单元42中,基板保持件414通过保温筒416载置于盖体417之上。盖体417被未图示的升降机构支承。升降机构使盖体417升降,从而使基板保持件414相对于处理容器411运入或运出。升降机构例如包括滚珠丝杠。装载单元42还作为对于在热处理单元41中被处理的基板W进行冷却的空间起作用。
气体供给单元43配置于热处理单元41的与基板输送部3所配置一侧相反侧。气体供给单元43向气体导入口411a供给处理气体。优选气体供给单元43配置于与气体导入口411a相同侧。由此,能够将气体供给单元43与气体导入口411a之间的配管长度设定为较短。因此,能够获得配管部件、配管加热器的使用量的降低、配管加热器的耗费电力的降低、维护时的吹扫范围的降低、向处理容器411内的杂质混入风险的降低等的效果。气体供给单元43设置于排气单元44之上。气体供给单元43配置于与处理容器411大致相同高度位置。气体供给单元43包括流量控制器、开闭阀等。
排气单元44配置于与气体供给单元43相同侧。优选排气单元44配置于与排气口411b相同侧。排气单元44配置于与气体供给单元43不同的高度位置、例如气体供给单元43的下方。排气单元44在自第一方向(Y轴方向)的俯视中具有倒L字状。排气单元44在与装载单元42之间形成下部维护区域B1。下部维护区域B1位于装置的低处,是作业人员能够进入、退出的维护区域。作业人员能够在下部维护区域B1中容易地实施在前后方向排列的多个批量处理部4的维护。气体导入口411a以及排气口411b配置于处理容器411的相同侧(下部维护区域B1侧)。因此,作业人员能够在下部维护区域B1中同时对气体导入口411a以及排气口411b进行维护。与此相对,在气体导入口411a和排气口411b隔着处理容器411配置于相反侧的情况下,作业人员难以在下部维护区域B1中同时对气体导入口411a和排气口411b进行维护。
排气单元44的一端与排气口411b连接,另一端向下方延伸而贯通地面F,与配置于地面F的下方的未图示的排气装置连接。排气装置通过排气口411b以及排气单元44对处理容器411内进行排气、减压。排气装置包括真空泵、阀等。排气单元44具有平坦的上表面44a。作业人员能够登上上表面44a。于排气单元44的上方形成第二上部维护区域A2。第二上部维护区域A2位于装置的高处,是作业人员能够进入、退出的维护区域。作业人员能够在第二上部维护区域A2中容易地实施对于在前后方向排列的多个批量处理部4的维护。
强制空气冷却单元46是生成供给至加热器412的制冷剂的单元,包括热交换器、鼓风机、阀、配管等。制冷剂例如是空气。
强制空气冷却单元46设于热处理单元41的X轴方向正侧。自强制空气冷却单元46送入的制冷剂被供给至处理容器411和加热器412之间的空间。由此,能够以短时间对处理容器411进行冷却。
工艺模块控制单元45以及气体控制单元47配置于热处理单元41的顶部。工艺模块控制单元45以及气体控制单元47对批量处理部4的各部分的动作进行控制。工艺模块控制单元45以及气体控制单元47包括各种控制机器。
脚手架5配置于基板输送部3的X轴方向正侧。脚手架5沿第一方向(Y轴方向)延伸。脚手架5装卸自如地安装于基板输送部3。脚手架5例如由SUS304等的不锈钢、铝形成。脚手架5具有支承部件51、垫板52、以及栅栏53。支承部件51用于支承垫板52。垫板52以其上表面与基板输送部3的上表面3a一致的方式,被支承部件51支承。垫板52的上方的区域与基板输送部3的上方的区域一同成为第一上部维护区域A1。栅栏53设于垫板52的X轴方向正侧。通过设置栅栏53,作业人员在第一上部维护区域A1中进行批量处理部4的各部的维护时的安全性提高。第一上部维护区域A1的宽度(基板输送部3的X轴方向的长度与垫板52的X轴方向的长度的合计)可以为加热器412能够通过的长度。例如,在加热器412具有圆筒形状的情况下,第一上部维护区域A1的宽度比加热器412的直径长。在该情况下,能够容易地进行加热器412的交换作业。例如,第一上部维护区域A1的宽度为1000mm,加热器412的直径为800mm。
如上所述,根据基板处理装置1,由于对于一个基板输送部3配置多个批量处理部4,因此与对于一个基板输送部3配置一个批量处理部4的情况相比,能够将基板处理装置1的设置面积设定为较小。因此,每单位面积的生产性提高。
另外,基板处理装置1具有形成于基板输送部3的上方的第一上部维护区域A1、形成于排气单元44的上方的第二上部维护区域A2、以及形成于装载单元42和排气单元44之间的下部维护区域B1。由此,作业人员能够自多个方向容易地实施批量处理部4的各部的维护。
另外,根据基板处理装置1,气体导入口411a以及排气口411b配置于处理容器411的相同侧(下部维护区域B1侧)。因此,作业人员在下部维护区域B1能够同时实施气体导入口411a以及排气口411b的维护。
〔基板处理装置的变形例〕
参照图10至图13,对于实施方式的变形例的基板处理装置1A进行说明。图10以及图11是示出实施方式的变形例的基板处理装置1A的立体图,其分别是自不同方向观察基板处理装置1A的图。图12是安装于排气单元44的栅栏6的分解立体图。图13是示出安装于排气单元44的栅栏6的立体图。
基板处理装置1A相对于基板处理装置1还包括栅栏6、以及梯子装配架7、8。以下,以与基板处理装置1不同的点为中心进行说明。
栅栏6针对每个批量处理部4进行设置。各栅栏6的Y轴方向的长度可以与对应的批量处理部4的Y轴方向的长度相同或大致相同。各栅栏6设于对应的批量处理部4的排气单元44的X轴方向负侧。各栅栏6装卸自如地安装于对应的批量处理部4的排气单元44的X轴方向负侧的侧面上部。各栅栏6具有间隔件61、栅栏主体62、固定部件63、以及连结部件64。
间隔件61夹在排气单元44的侧面和栅栏主体62之间。间隔件61的上表面61a可以为与排气单元44的上表面44a相同高度或大致相同高度。在该情况下,排气单元44的上表面44a的X轴方向的长度扩大间隔件61的X轴方向的长度的量。间隔件61例如由SUS304等的不锈钢、铝形成。可以不设置间隔件61。
栅栏主体62以下端位于比排气单元44的上表面44a靠下方,且上端位于比排气单元44的上表面44a靠上方的方式被安装。栅栏主体62用于防止作业人员自第二上部维护区域A2跌落。栅栏主体62例如由SUS304等的不锈钢、铝形成。
固定部件63将间隔件61以及栅栏主体62固定于排气单元44的X轴方向负侧的侧面上部。
连结部件64将在Y轴方向中相邻的栅栏主体62连结。连结部件64例如包括金属板、螺钉。在该情况下,能够根据批量处理部4的数量而改变栅栏主体62的Y轴方向的长度。
梯子装配架7装卸自如地安装于脚手架5。梯子装配架7用于作业人员进出第一上部维护区域A1。梯子装配架7具有平台71和梯子72。
平台71具有垫板71a、固定栅栏71b、以及可动栅栏71c。
垫板71a设于垫板52的Y轴方向正侧的端部。垫板71a例如装卸自如地安装于脚手架5的支承部件51。垫板71a可以装卸自如地安装于基板输送部3的Y轴方向正侧的侧面。垫板71a例如通过金属板和螺钉进行固定。垫板71a的上表面可以为与垫板52的上表面相同高度或大致相同高度。
固定栅栏71b设于垫板71a的X轴方向负侧以及Y轴方向正侧。固定栅栏71b防止作业人员自垫板71a跌落。
可动栅栏71c设于垫板71a的X轴方向正侧。可动栅栏71c防止作业人员自垫板71a跌落。可动栅栏71c能够进行开闭。可动栅栏71c在作业人员进出垫板71a上时打开。可动栅栏71c例如是内开式。可动栅栏71c例如可以构成为自动关闭。
梯子72具有一对支柱72a、72b、多个踏板72c、以及一对扶手72d、72e。
一对支柱72a、72b彼此平行配置。一对支柱72a、72b的上端装卸自如地安装于平台71的垫板71a。
多个踏板72c架设于一对支柱72a、72b之间。多个踏板72c在各支柱72a、72b的延伸方向中隔开规定的间隔设置。
扶手72d固定于支柱72a。扶手72e固定于支柱72b。扶手72d、72e设于多个踏板72c的两侧。
梯子装配架8装卸自如地安装于排气单元44。梯子装配架8用于作业人员进出第二上部维护区域A2。梯子装配架8具有平台81和梯子82。
平台81具有垫板81a、固定栅栏81b、以及可动栅栏81c。
垫板81a设于排气单元44的Y轴方向正侧的端部。垫板81a例如装卸自如地安装于排气单元44。垫板81a例如通过金属板和螺钉进行固定。垫板81a的上表面可以为与排气单元44的上表面44a相同高度或大致相同高度。
固定栅栏81b设于垫板81a的X轴方向正侧以及Y轴方向正侧。固定栅栏81b防止作业人员自垫板81a跌落。
可动栅栏81c设于垫板81a的X轴方向负侧。可动栅栏81c防止作业人员自垫板81a跌落。可动栅栏81c能够进行开闭。可动栅栏81c在作业人员进出垫板81a上时打开。可动栅栏81c例如可以为内开式。可动栅栏81c例如可以构成为自动关闭。
梯子82具有一对支柱82a、82b、多个踏板82c、以及一对扶手82d、82e。
一对支柱82a、82b彼此平行配置。一对支柱82a、82b的上端装卸自如地安装于平台81的垫板81a。
多个踏板82c架设于一对支柱82a、82b之间。多个踏板82c在各支柱82a、82b的延伸方向中隔开规定的间隔设置。
扶手82d固定于支柱82a。扶手82e固定于支柱82b。扶手82d、82e设于多个踏板82c的两侧。
〔加热器交换方法〕
参照图14至图17,说明在基板处理装置1中对加热器412进行交换的方法。图14至图17是示出加热器交换方法的一个例子的立体图。以下,对于将加热器412安装于位于最接近运入运出部2的位置的批量处理部4A的方法进行说明。
首先,如图14所示,作业人员OP取下批量处理部4A所具备的强制空气冷却单元46,并且安装第一导轨91、第二导轨92以及连结部件93。
第一导轨91在基板输送部3的上表面3a以及垫板52的上表面沿Y轴方向设置。第一导轨91以自基板输送部3以及垫板52的Y轴方向正侧的端部延伸至Y轴方向负侧的端部的方式设置。第一导轨91可以是在长度方向中能够分割为多个。在该情况下,能够根据批量处理部4的数量对第一导轨91的长度进行调整。在第一导轨91被分割为多个的情况下,各第一导轨91的长度可以为与一个批量处理部4的Y轴方向的长度相同或大致相同。第一导轨91可以包括在第一导轨91上使加热器412滑动移动的旋转部(未图示)。旋转部可以为滚轮、球辊。旋转部可以沿第一导轨91的长度方向隔开间隔设置多个。
第二导轨92自垫板52的上表面经由基板输送部3的上表面3a至批量处理部4A的内部沿X轴方向设置。第二导轨92可以包括在第二导轨92上使加热器412滑动移动的旋转部(未图示)。旋转部可以为滚轮、球辊。旋转部可以沿第二导轨92的长度方向隔开间隔设置多个。
连结部件93安装于基板输送部3以及垫板52的Y轴方向正侧的端部。连结部件93的上表面可以为与基板输送部3的上表面3a以及垫板52的上表面相同高度或大致相同高度。连结部件93的上表面设置与第一导轨91连接的导轨93a。连结部件93与后述基座装配架94连接。
接下来,作业人员OP使载置有加热器412的输送台车(未图示)移动至基板处理装置1的后表面。接下来,作业人员OP将加热器412自输送台车上转移至基座装配架94上。接下来,作业人员OP使止动器(未图示)动作,将加热器412固定于基座装配架94上。
接下来,如图15所示,作业人员OP通过升降机(未图示),将载置有加热器412的基座装配架94抬起至连结部件93的高度。接下来,作业人员OP将基座装配架94连接于连结部件93。
接下来,如图16所示,作业人员OP解除止动器,使在基座装配架94上载置的加热器412沿第一导轨91滑动移动至批量处理部4A的旁边。在使加热器412滑动移动至批量处理部4A的旁边后,可以使加热器412水平旋转。例如,在沿第一导轨91滑动移动时的加热器412的角度与沿第二导轨92滑动移动时的加热器412的角度不同的情况下,可以使加热器412水平旋转。
接下来,如图17所示,作业人员OP使移动至批量处理部4A的旁边的加热器412沿第二导轨92滑动移动至批量处理部4A内。在使加热器412滑动移动至批量处理部4A内后,可以使加热器412水平旋转。例如,在沿第二导轨92滑动移动时的加热器412的角度与在批量处理部4A内被固定时的加热器412的角度不同的情况下,可以使加热器412水平旋转。接下来,作业人员OP在批量处理部4A内对加热器412进行固定。加热器412通过螺钉等的紧固部件进行固定。
如此,加热器412被安装于批量处理部4A。需要说明的是,可以通过与将加热器412安装于批量处理部4A的方法相反的顺序,自批量处理部4A将加热器412取下。另外,对于其他的批量处理部4B、4C、4D所具备的加热器412,也能够通过同样的方法进行交换。另外,在基板处理装置1A中,也能够通过与基板处理装置1相同的方法对加热器412进行交换。
需要说明的是,在上述实施方式中,前表面2a是第一侧面的一个例子,后表面2b是第二侧面的一个例子。
应认为此次发明的实施方式的全部的点为示例而并非进行限制。上述实施方式在不超出附加的权利要求书及其主旨的范围的情况下,可以以各种方式进行省略、置换、变更。
在上述实施方式中,虽然对于根据需要在运入运出部2中形成通路P的情况进行了说明,但是本发明不限于此。例如,可以在运入运出部2中形成常设的通路。
在上述实施方式中,虽然对于在地面F之上设置一个基板处理装置1的情况进行了说明,但是本发明不限于此。例如,可以在地面F之上设置多个基板处理装置1。
图18是示出多个基板处理装置1在X轴方向相邻配置的方式的立体图。在图18中,以纸面右下的端部为基准示出X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向。如图18所示,多个基板处理装置1在X轴方向相邻配置的情况下,通过在相邻的基板处理装置1间共有第一上部维护区域A1和第二上部维护区域A2,从而能够确保上部维护区域的宽度。共有的上部维护区域的宽度可以是加热器412能够通过的长度。例如,在加热器412具有圆筒形状的情况下,共有的上部维护区域的宽度比加热器412的直径长。在该情况下,能够容易地进行加热器412的交换作业。例如,共有的上部维护区域的宽度为1000mm,加热器412的直径为800mm。在共有的上部维护区域中,能够进行对于相邻的基板处理装置1中的一个基板处理装置1的加热器412的交换作业、以及对于另一个基板处理装置1的气体供给单元43的维护。
另外,优选排气单元44的上表面44a为与基板输送部3的上表面3a相同高度。在该情况下,如图18所示,在相邻的基板处理装置1间,在排气单元44的上表面44a与基板输送部3的上表面3a之间不产生阶梯差。因此,作业人员在第一上部维护区域A1以及第二上部维护区域A2中进行批量处理部4的各部分的维护时的作业效率提高。在排气单元44的上表面44a与基板输送部3的上表面3a为不同高度的情况下,优选在排气单元44和基板输送部3中的高度较低一侧的上表面设置板状部件而使两者的上表面的高度一致。另外,在多个基板处理装置1在X轴方向排列配置的情况下,可以在基板输送部3和排气单元44之间设置间隙,设置排气装置。
图19是示出多个基板处理装置1相邻配置的方式的第一变形例的立体图。图20是示出多个基板处理装置1相邻配置的方式的第二变形例的立体图。图21是示出多个基板处理装置1相邻配置的方式的第三变形例的立体图。在图19至图21中,以纸面右下的端部为基准示出X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向。
如图19至图21所示,在多个基板处理装置1在X轴方向相邻配置的情况下,存在在相邻的基板处理装置1间于排气单元44的上表面44a和基板输送部3的上表面3a之间产生间隙G的情况。间隙G在一个例子中仅为30mm~50mm。在第一变形例至第三变形例中,在相邻的基板处理装置1间在排气单元44的上表面44a和基板输送部3的上表面3a之上,设置以堵住间隙G的方式沿Y轴方向延伸的板状部件10。在该情况下,能够防止在维护时零件等落下。板状部件10的Y轴方向的长度例如可以为与排气单元44的上表面44a的Y轴方向的长度相同。板状部件10的Y轴方向的长度例如可以为与基板输送部3的上表面3a的Y轴方向的长度相同。
如图19所示,板状部件10具有覆盖排气单元44的上表面44a的一部分和基板输送部3的上表面3a的一部分的平板形状。板状部件10的X轴方向的长度可以比排气单元44的上表面44a的X轴方向的长度与基板输送部3的上表面3a的X轴方向的长度的合计短。
如图20所示,板状部件10具有平板形状,其可以具有覆盖排气单元44的上表面44a的整个面和基板输送部3的上表面3a的整个面的平板形状。在该情况下,不产生起因于板状部件10的板厚的阶梯差。因此,在共有的上部维护区域中,能够防止起因于阶梯差的作业人员的绊倒。
如图21所示,板状部件10在自Y轴方向观察时具有T字形状。板状部件10具有水平部101和铅直部102。水平部101具有以堵住间隙G的方式沿Y轴方向延伸的平板形状。水平部101覆盖排气单元44的上表面44a的至少一部分、以及基板输送部3的上表面3a的至少一部分。铅直部102具有自水平部101的下表面向Z轴方向负侧延伸的平板形状。铅直部102沿Y轴方向延伸,嵌入间隙G。在该情况下,能够防止板状部件10的X轴方向的错位。铅直部102的X轴方向的长度可以与间隙G的宽度相同,也可以比间隙G的宽度短。
Claims (8)
1.一种基板处理装置,包括:
运入运出部,其具有供容纳有基板的容器被运入运出的第一侧面、以及与上述第一侧面相反侧的第二侧面;
基板输送部,其沿与上述第二侧面正交的第一水平方向延伸;以及
多个批量处理部,其沿上述基板输送部的长度方向相邻,
上述多个批量处理部分别具有:
处理容器,其容纳多个上述基板而进行处理;
气体供给单元,其向上述处理容器内供给气体;以及
排气单元,其对上述处理容器内的气体进行排气,
在上述排气单元的上方,设置用于进行上述多个批量处理部的维护的第一维护区域。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
在上述基板输送部的上方,设置用于进行上述多个批量处理部的维护的第二维护区域。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
上述排气单元的上表面为与上述基板输送部的上表面相同高度,
该基板处理装置在与上述第一水平方向正交的第二水平方向中与另一基板处理装置相邻配置,
上述另一基板处理装置具有与该基板处理装置相同的构成,
通过该基板处理装置的上述第一维护区域和上述另一基板处理装置的上述第二维护区域,形成共用的维护区域,或者通过该基板处理装置的上述第二维护区域和上述另一基板处理装置的上述第一维护区域,形成共用的维护区域。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置,其中,
具有栅栏,该栅栏安装于上述排气单元,并且延伸至比上述排气单元的上表面靠上方。
5.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其中,
具有安装于上述基板输送部的脚手架,
上述第二维护区域设于上述基板输送部以及上述脚手架的上方。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,
上述脚手架具有:
支承部件;
垫板,其被上述支承部件支承;以及
栅栏,其安装于上述支承部件,并且位于比上述垫板靠上方。
7.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
上述多个批量处理部分别具有设于上述处理容器的周围的加热器,
上述共用的维护区域的上述第二水平方向中的长度为上述加热器能够通过的长度。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
上述多个批量处理部分别具有设于上述处理容器的周围的加热器,
上述基板输送部的上表面的与上述第一水平方向正交的第二水平方向中的长度和上述垫板的上述第二水平方向中的长度的合计为上述加热器能够通过的长度。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022-018480 | 2022-02-09 | ||
JP2022188358A JP2023116392A (ja) | 2022-02-09 | 2022-11-25 | 基板処理装置 |
JP2022-188358 | 2022-11-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116581054A true CN116581054A (zh) | 2023-08-11 |
Family
ID=87532813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310118747.6A Pending CN116581054A (zh) | 2022-02-09 | 2023-01-31 | 基板处理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116581054A (zh) |
-
2023
- 2023-01-31 CN CN202310118747.6A patent/CN116581054A/zh active Pending
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |