KR920017201A - 종형 열처리장치 - Google Patents

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KR920017201A
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가즈나리 사카타
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이노우에 다케시
도오교오 에러구토론 사가미 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

종형 열처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 종형 열처리장치의 일실시예를 나타내는 구성도, 제2도는 제1도에 나타낸 종형 열처리장치의 설치상태를 나타내는 배치도, 제3도는 제1도에 나타낸 종형 열처리장치의 개략단면도.

Claims (19)

  1. 피처리체를 반출입하기 위한 입구부를 하부에 가지는 장치케이싱체(2)와, 상기 입구부를 개폐하는 도어와, 상기 도어는 상기 입구부를 기밀상태로 폐쇄하는 것과, 상기 케이싱체(2)의 상부에 배열설치된 반응관(3)과, 상기 반응관(3)은 하단부에 개구부(45)를 가지는 것과, 상기 반응관(3)을 포위하는 히터와, 상기 케이싱체(2)하부에 형성되고, 상기 입구부에 접속된 대기부와, 상기 대기부가 상기 반응관(3)아래쪽에 위치하는 대기공간(13)을 가지는 것과, 상기 반응관(3)의 상기 개구부(45)를 폐쇄하는 덮개와, 상기 덮개는 열처리시에 상기 피처리체를 지지하는 것과, 상기 케이싱체(2)내에 배열설치된 엘리베이터(39)와, 상기 엘리베이터는 상기 덮개를, 상기 반응관(3)의 상기 개구부(45)를 폐쇄하는 위쪽위치와, 상기 대기공간내에 있어 상기 개구부를 개방하는 아래쪽 위치와의 사이에서 이동시키는 것과, 상기 엘리베이터(39)를 구동하는 수단과, 상기 대기공간(13)에 청정기체를 공급하는 청정기체 공기공급수단과, 상기 공기공급수단이 상기 대기공간(13)에 접속된 도입구(28)를 가지는 것과, 상기 대기공간(13)에 접속된 배기구(35)를 가지는 것과, 상기 배기구(35)가, 상기 덮개를 끼고 상기 도입구(28)와는 반대쪽에 위치하는 것과, 상기 배기수단에 의하여 유도된 기체를 흡인하는 기체 처리수단과를 구비하는 종형열처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 배기수단이 배기를 촉진하는 강제배기부재를 가지는 종형열처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 강제배기부재가 팬(72)인 종형열처리장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 구동수단이 상기 케이싱체(2)내에 수용되고, 간막이벽에 의하여 상기 대기공간(13)으로부터 격리되는 종형열처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 배기수단이, 상기 기체를 이끄는 배기덕트(34),(74)를 포함하고, 상기 배기덕트(34),(74)가 상기 케이싱체(2)의 대체로 정상부에서 상기 케이싱체(2)밖으로 늘어나 나오는 종형열처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 배기수단이, 공기공급을 촉진하는 강제공기 공급부재를 가지는 종형열처리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 강제공기공급부재가 팬(72)인 종형열처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 공기공급수단이 상기 도입구(28)에 필터(25)를 가지는 종형열처리장치.
  9. 피처리체를 반출입하기 위한 입구부를 하부에 가지는 장치케이싱체(2)와, 상기 입구부를 개폐하는 도어와, 상기 도어는 상기 입구부를 기밀상태로 폐쇄하는 것과, 상기 케이싱체(2)의 상부에 배열설치된 반응관(3)과, 상기 반응관(3)은 하단부에 개구부(45)를 가지는 것과, 상기 반응관(3)을 포위하는 히터와, 상기 케이싱체(2)하부에 형성되고, 상기 입구부에 접속된 대기부와, 상기 대기부가 상기 반응관(3)아래쪽에 위치하는 대기공간(13)을 가지는 것과, 상기 반응관(3)의 상기 개구부(45)를 폐쇄하는 덮개와, 상기 덮개는 열처리시에 상기 피처리체를 지지하는 것과, 상기 케이싱체(2)내에 배열설치된 엘리베이터(39)와, 상기 엘리베이터(39)는 상기 덮개를, 상기 반응관(3)의 상기 개구부(45)를 폐쇄하는 위쪽위치와, 상기 대기공간(13)내에 있어 상기 개구부(45)를 개방하는 아래쪽 위치와의 사이에서 이동시키는 것과, 상기 엘리베이터(39)를 구동하는 수단과, 상기 대기공간(13)에 청정기체를 공급하는 청정기체 공기공급수단과, 상기 공기공급수단이 상기 대기공간(13)에 접속된 도입구(28)를 가지는 것과, 상기 대기공간(13)을 통과한 상기 청정기체를 상기 케이싱체(2)밖으로 배출하는 제1배기수단과, 상기 제1배기수단이, 상기 대기공간(13)에 접속된 배기구(35)를 가지는 것과, 상기 배기구(35)가, 상기 덮개를 끼고 상기 도입구(28)와는 반대쪽에 위치하는 것과, 상기 배기수단에 의하여 유도된 기체를 흡인하는 기체 처리수단과, 상기 반응관(3)의 상기 개구부(45)근방에 배열설치된 제2배기수단과를 구비하는 종형열처리장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1배기수단이 배기를 촉진하는 강제배기부재를 가지는 종형열처리장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 구동수단이 상기 케이싱체(2)내에 수용되고, 간막이벽에 의하여 상기 대기공간(13)으로부터 격리되는 종형열처리장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 제1배기수단이, 상기 기체를 유도하는 배기덕트(9)를 포함하고 상기 배기덕트(9)가 상기 케이싱체(2)에 대략 정상부에서 상기 케이싱체(2)밖으로 늘어나 나오는 종형열처리장치.
  13. 제9항에 있어서, 상기 공기공급수단이, 공기공급을 촉진하는 강제공기공급부재를 가지는 종형열처리장치.
  14. 제9항에 있어서, 상기 공기공급수단이, 상기 도입구(28)에 필터(25)를 가지는 종형열처리장치.
  15. 제9항에 있어서, 상기 제2배기수단이, 상기 반응관(3)의 하단부를 배열설치된 스카벤저(7)를 구비하는 종형열처리장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 스카벤저(7)의 상기 반응관(3)과 대향하는 위치에, 상기 반응관(3)의 하단부의 과열을 방지하기 위한 냉각부재가 배열설치되는 종형열처리장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 냉각부재가, 링형상부재로 이루어지고, 상기 반응관(3)과의 사이에 어느정도의 틈새(68)를 형성하는 종형열처리장치.
  18. 제9항에 있어서, 상기 제2배기수단이 배기를 촉진하는 강제배기부재를 가지는 종형열처리장치.
  19. 제9항에 있어서, 상기 제2배기수단에 의하여 유도된 기체를 회수하거나 무해화하는 기체처리수단을 구비하는 종형열처리장치.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05217929A (ja) * 1992-01-31 1993-08-27 Tokyo Electron Tohoku Kk 酸化拡散処理装置
JPH05218176A (ja) * 1992-02-07 1993-08-27 Tokyo Electron Tohoku Kk 熱処理方法及び被処理体の移載方法
US5407350A (en) * 1992-02-13 1995-04-18 Tokyo Electron Limited Heat-treatment apparatus
DE4207341C1 (ko) * 1992-03-09 1993-07-15 Acr Automation In Cleanroom Gmbh, 7732 Niedereschach, De
US5378145A (en) * 1992-07-15 1995-01-03 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Treatment system and treatment apparatus
TW273574B (ko) * 1993-12-10 1996-04-01 Tokyo Electron Co Ltd
JP3982844B2 (ja) * 1995-01-12 2007-09-26 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及び半導体の製造方法
US6193506B1 (en) * 1995-05-24 2001-02-27 Brooks Automation, Inc. Apparatus and method for batch thermal conditioning of substrates
KR100238998B1 (ko) * 1995-07-26 2000-01-15 우치가사키 기이치로 가열로
US5695331A (en) * 1996-01-18 1997-12-09 Btu International Multiple width boat carrier for vertical ovens
JP3766108B2 (ja) 1997-01-22 2006-04-12 ジンテーズ アクチエンゲゼルシャフト クール 長手支持体を小柄状ねじと結合するための装置
US6252202B1 (en) 1998-02-10 2001-06-26 Jeneric/Pentron, Inc. Furnace for heat treatment of dental materials
JP4578615B2 (ja) 1999-07-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR100510111B1 (ko) * 2002-11-01 2005-08-26 (주) 윈테크 종형 열처리 장치의 청정기체 공급 장치
JP4358077B2 (ja) 2004-09-21 2009-11-04 株式会社東芝 成膜装置及び成膜方法
JP5224679B2 (ja) * 2006-11-01 2013-07-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法
JP5796972B2 (ja) * 2010-06-14 2015-10-21 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP5806811B2 (ja) * 2010-10-01 2015-11-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
US8246751B2 (en) 2010-10-01 2012-08-21 General Electric Company Pulsed detonation cleaning systems and methods
US10344396B2 (en) * 2015-02-05 2019-07-09 Dow Silicones Corporation Furnace for seeded sublimation of wide band gap crystals
TWI635559B (zh) * 2017-07-25 2018-09-11 春田科技顧問股份有限公司 裝載埠的吹淨裝置及其吹淨方法
KR20210083411A (ko) * 2019-12-26 2021-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유리 기판 화학 강화로 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4610628A (en) * 1983-12-28 1986-09-09 Denkoh Co., Ltd. Vertical furnace for heat-treating semiconductor
JPH0797563B2 (ja) * 1985-08-12 1995-10-18 株式会社日立製作所 熱処理装置
KR960001161B1 (ko) * 1987-09-29 1996-01-19 도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼가이샤 열처리장치
KR970008320B1 (ko) * 1987-11-17 1997-05-23 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 열처리 장치
US4981436A (en) * 1988-08-08 1991-01-01 Tel Sagami Limited Vertical type heat-treatment apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR0184676B1 (ko) 1999-04-15
US5207578A (en) 1993-05-04
JPH04269824A (ja) 1992-09-25
JP3108459B2 (ja) 2000-11-13

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